KR101385267B1 - 금속 나노 와이어의 세정방법 - Google Patents
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Abstract
금속 나노 와이어의 세정방법이 개시된다. 본 발명의 측면에 따른 금속 나노 와이어의 세정방법은, 금속 나노 와이어를 포함하는 투명도전막 상에 오버코트층을 형성하는 단계와, 오버코트층에서 돌출된 금속 나노 와이어를 제거하여, 오버코트층을 관통하여 투명도전막에 연결되는 핀홀을 형성하는 단계와, 핀홀을 통해서 투명도전막에 세정액을 주입하여 투명도전막에 잔존하는 파티클 및 가공 분진 중 적어도 어느 하나를 제거하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 패터닝 전후에 있어서 금속 나노 와이어의 세정방법에 관한 것이다.
투명도전막은 액정 디스플레이, PDP, 터치패널 또는 유기 EL이나 태양전지 등의 분야에서 투명 전극으로서 많이 사용되고 있다. 이와 같은 투명도전막을 형성하는 방법으로는, 투명하고 도전성을 갖는 재료를 이용하여 막을 형성하거나, 투명 수지에 도전성 필러를 함유하게 하여 막을 형성하는 방법 등이 있다.
도전성 필러 중에는 금속 나노 와이어(metal nanowire)가 있다. 금속 나노 와이어의 도전성은 그 금속에서 유래하는 것으로, 예를 들면 은(Ag) 나노 와이어에 포함된 은의 경우에는 10-7Ωcm 로서 상당히 우수한 도전성을 갖고 있기 때문에, 투명 전극에 적용하는 것이 가능하다. 금속 나노 와이어를 함유하는 투명도전막을 형성하는 방법 중 하나로서, 금속 나노 와이어가 분산된 수지 용액을 투명기재의 표면에 도포하여 막을 형성하는 방법이 있다. 이와 같이, 수지 중에 분산된 금속 나노 와이어들 사이의 접촉에 의해서 투명도전막이 도전성을 갖게 되는 것이다.
금속 나노 와이어에 의해 투명도전막을 형성하는 과정에서, 투명도전막의 내부에 많은 파티클(particle)들이 생성된다. 이와 같은 파티클들은 도전성 및 시인성에 영향을 미치기 때문에 세정에 의해서 제거된다.
그리고 투명도전막은 투명 전극 등으로 사용되기 위해서 패터닝(patterning) 된다. 패터닝은 습식 에칭(wet etching), 건식 에칭(dry etching) 또는 레이저 패터닝(laser pattering) 등의 방법이 있다. 이 중에서 레이저를 이용하는 패터닝은, 패턴으로 형성하고자 하는 부분 이외의 부분을 레이저빔을 이용하여 제거하는 것이다. 그리고 레이저빔을 이용하여 금속 나노 와이어를 제거하는 과정에서 산화(oxidation)된 금속 나노 와이어 즉 가공분진(debris)이 생성되는데, 이와 같은 가공 분진은 온도 및 습기 환경에서의 성장으로 인한 쇼트(short)와 기생저항의 문제 그리고 시인성에 영향을 미치기 때문에 세정에 의해 제거될 필요가 있다.
따라서 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위해 도출된 것으로서, 패터닝 전후에 있어서 금속 나노 와이어를 용이하게 세정할 수 있는 세정방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 목적들은 이하에 서술되는 실시예를 통하여 더욱 명확해질 것이다.
본 발명의 일 측면에 따른 금속 나노 와이어의 세정방법은, 금속 나노 와이어를 포함하는 투명도전막 상에 오버코트층을 형성하는 단계와, 오버코트층에서 돌출된 금속 나노 와이어를 제거하여, 오버코트층을 관통하여 투명도전막에 연결되는 핀홀을 형성하는 단계와, 핀홀을 통해서 투명도전막에 세정액을 주입하여 투명도전막에 잔존하는 파티클 및 가공 분진 중 적어도 어느 하나를 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 금속 나노 와이어의 세정방법은 다음과 같은 실시예들을 하나 또는 그 이상 구비할 수 있다. 예를 들면, 금속 나노 와이어는 은(Ag) 나노 와이어, 구리(Cu) 나노 와이어 및 실리콘(Si) 나노 와이어 중 어느 하나일 수 있다.
투명도전막에 존재하는 금속 나노 와이어를 제거하는 패터닝 단계를 포함하고, 패터닝 단계에서, 오버코트층은 제거되지 않고 잔존할 수 있다.
투명도전막에 존재하는 금속 나노 와이어를 제거하는 패터닝 단계를 포함하고, 패터닝 단계에서, 오버코트층이 일부 제거되어 투명기재가 노출되는 개구부가 형성될 수 있다.
개구부 내부에 잔존하는 이물질을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 투명도전막이 형성된 기재는, 투명기재와, 투명기재 상에 형성되고 금속 나노 와이어를 포함하는 투명도전막과, 투명도전막 상에 형성된 오버코트층을 포함하고, 오버코트층에는, 오버코트층을 관통하여 투명도전막에 연결되는 다수 개의 핀홀이 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 투명도전막이 형성된 기재는 다음과 같은 실시예들을 하나 또는 그 이상 구비할 수 있다. 예를 들면, 투명기재는 투명필름이고, 투명도전막이 형성된 기재는 터치 패널 제조용 필름일 수 있다. 또한, 투명기재는 플렉서블한 재질에 의해 형성될 수 있다. 그리고 오버코트층의 일부가 제거되어 개구부가 형성될 수 있다.
본 발명은 금속 나노 와이어를 포함하는 투명도전막 내의 파티클 및 가공 분진 등을 용이하게 제거할 수 있는 금속 나노 와이어의 세정방법을 제공할 수 있다.
도 1은 금속 나노 와이어를 포함하는 투명도전막 상에 오버코트층이 형성된 상태를 예시하는 단면도이다.
도 2는 도 1에서 오버코트층에서 돌출된 금속 나노 와이어를 제거하여 핀홀을 형성한 상태를 예시하는 단면도이다.
도 3은 오버코트층에서 돌출된 금속 나노 와이어를 제거하여 핀홀을 형성하고 패터닝에 의해서 개구부를 형성한 상태를 예시하는 단면도이다.
도 2는 도 1에서 오버코트층에서 돌출된 금속 나노 와이어를 제거하여 핀홀을 형성한 상태를 예시하는 단면도이다.
도 3은 오버코트층에서 돌출된 금속 나노 와이어를 제거하여 핀홀을 형성하고 패터닝에 의해서 개구부를 형성한 상태를 예시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 금속 나노 와이어(122)를 포함하는 투명도전막(120) 상에 오버코트층(130)이 형성된 상태를 예시하는 단면도이고, 도 2는 도 1에서 오버코트층(130)에서 돌출된 금속 나노 와이어(124)를 제거하여 핀홀(128)을 형성한 상태를 예시하는 단면도이다. 참고로, 도 2에서 패터닝 된 금속 나노 와이어(122, 124)는 점선으로 표시하였다.
도 1 내지 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 나노 와이어의 세정방법은, 금속 나노 와이어(122)를 포함하는 투명도전막(120) 상에 오버코트층(130)을 형성하는 단계와, 오버코트층(130)에서 돌출된 금속 나노 와이어(124)를 제거하여, 오버코트층(130)을 관통하여 투명도전막(120)에 연결되는 핀홀(128)을 형성하는 단계와, 핀홀(128)에 세정액을 주입하여 투명도전막(120)에 잔존하는 파티클(particle)(도시하지 않음) 및 가공 분진(debris)(도시하지 않음) 중 적어도 어느 하나를 제거하는 단계를 포함한다.
도 1 내지 도 2에 예시되어 있는 바와 같이, 투명도전막(120)이 형성되어 있는 기재(100)는 액정 디스플레이, PDP, 터치패널 또는 유기 EL이나 태양전지 등과 같은 다양한 분야에서 사용될 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 투명도전막(120)은 패터닝(patterning)된 것일 수도 있고 패터닝 되기 이전의 것일 수도 있다. 투명도전막(120)이 패터닝 되기 이전의 경우에는, 핀홀(128)을 통해서 주입된 세정액은 금속 나노 와이어(122) 제조 공정에서 발생하는 파티클을 제거할 수 있다. 그리고 투명도전막(120)이 패터닝 된 이후에는, 핀홀(128)을 통해서 주입된 세정액은 파티클 및 가공 분진 모두를 제거할 수 있다.
투명도전막(120)이 그 상부에 형성되는 투명기재(110)는 빛이 투과할 수 있는 투명한 특성을 갖는 것으로, 그 형상, 구조 및 크기에 의해 제한되지 않는다. 그리고 투명기재(110)의 형상으로는 평판, 시트(sheet) 및 필름 등이 있고, 투명기재(110)의 구조로는 단층 또는 적층 구조가 있다. 그리고 투명기재(110)의 재질은 무기 재료 및 유기 재료 등이 있다. 무기 재료로는 예를 들어 유리, 석영, 실리콘 등이 있고, 유기 재료로는 예를 들어 트리 산성 섬유소(TAC) 등의 아세테이트계 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 등의 폴리에스테르계 수지 등이 있다.
투명도전막(120)은 플렉서블(flexible)한 특징을 가질 수 있는데, 이때 투명도전막이 형성된 기재(100)는 플렉서블한 특징을 갖는 터치 패널(touch panel) 제조용 필름으로 사용될 수 있다.
투명기재(110) 상에 형성되는 투명도전막(120)은 금속 나노 와이어(122)를 포함하는 투명수지(126)에 의해서 형성되는 것이다. 금속 나노 와이어(122)로는 임의의 것을 사용할 수 있는데, 예를 들면 금(Au), 구리(Cu), 코발트(Co), 실리콘(Si) 또는 은(Ag) 나노 와이어를 사용할 수 있다. 특히, 은의 도전율이 금속 중에서 가장 우수하기 때문에 금속 나노 와이어(122)로서 은 나노 와이어가 사용될 수 있다.
금속 나노 와이어(122)의 평균 직경은, 투명성의 관점에서는 200nm 이하인 것이 바람직하고, 도전성의 관점에서는 10nm 이상인 것이 바람직하다. 평균 직경이 200nm 이하인 경우 광투과율의 저하를 억제할 수 있는 특징이 있고, 평균 직경이 10nm 이상인 경우 도전체로서의 기능이 향상되는 특징이 있다. 따라서 금속 나노 와이어(122)의 평균 직경은 20~150nm 또는 40~150nm인 것이 바람직하다.
금속 나노 와이어(122)의 평균 길이는 도전성의 관점으로부터 1㎛ 이상인 것이 바람직하고 응집에 의한 투명성의 영향을 고려할 때 100㎛ 이하인 것이 바람직하다. 따라서 이와 같은 점을 고려할 때 금속 나노 와이어(122)의 평균 길이는 1~50㎛ 또는 3~50㎛인 것이 바람직하다.
금속 나노 와이어(122)의 평균 길이 및 평균 직경은 SEM이나 TEM을 이용하여 충분한 수의 나노 와이어에 대해서 전자 현미경 사진을 찍고, 각각의 나노 와이어에 대한 계측치의 산술 평균으로부터 구할 수 있다.
금속 나노 와이어(122)는 투명도전막(120)을 형성하는 투명수지(126) 용액으로 분산시켜 사용될 수 있다. 투명수지(126) 용액을 투명기재(110)의 표면에 도포한 것에 의해서 투명도전막(120)을 형성할 수 있다. 투명수지(126)로는 광투과성을 갖는다면 어떠한 것도 가능한데, 예를 들어 열가소성 수지 또는 열강화성 수지 중 임의의 것을 사용할 수 있다. 열가소성 수지는, 예를 들어 폴리에틸렌, 에틸렌-초산비닐 공중합체 등이 사용될 수 있고, 열강화성 수지는, 예를 들어 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지 또는 에폭시 수지 등이 사용될 수 있다.
투명수지(126)를 형성하는 수지로서 도전성 고분자를 이용할 수 있는데, 이로 인해 투명도전막(120)의 도전성을 더욱 높일 수 있게 된다. 도전성 고분자로는, 폴리 티오펜, 폴리아닐린, 폴리 피롤, 폴리페닐렌, 폴리 아세틸렌, 폴리 카바졸, 폴리 아세틸렌 등이 있지만, 이에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 도전성을 더욱 높이기 위해서, 술폰산, 루이스산, 플로톤산, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속 등과 같은 불순물을 이용할 수도 있다.
투명수지(126) 용액에서 금속 나노 와이어(122)의 배합량은, 투명도전막(120) 중에 금속 나노 와이어(122)가 0.01~90 질량% 함유되도록 조절할 수 있는데, 특히 금속 나노 와이어(122)의 함유량을 0.1~30 질량%로 할 수 있다. 그리고 투명수지(126)에는 수지 고형물 및 금속 나노 와이어(122) 등 고형 성분을 용해 내지 분산시키기 위해서 용제가 사용될 수 있다.
금속 나노 와이어(122)가 분산되어 있는 투명수지(126) 용액을 투명기재(110)의 표면에 형성함으로써, 금속 나노 와이어(122)를 포함하는 투명수지(126)로서 투명도전막(120)을 형성할 수 있다. 투명수지(126)를 투명기재(110)에 형성하는 방법은, 스핀 코팅(spin coating), 스크린 인쇄(screen printing), 딥 코트(dip coat), 다이 코팅(die coating), 캐스트(cast), 마이크로 그라비아(micro gravure) 또는 스프레이 코팅(spray coating) 등이 있고, 이에 의해 한정되는 것은 아니다.
투명도전막(120)을 형성하기 위해서, 미국 Cambrios 사를 통해 구입한 은 나노 와이어 잉크(Ag nanowire ink)를 이용할 수도 있다.
투명수지(126) 중에 금속 나노 와이어(122)를 함유하는 투명도전막(120)은 막 강도가 약하고 쉽게 손상되는 문제점을 갖는다. 따라서 투명도전막(120) 상에 오버코트층(overcoat layer)(130)을 형성한다. 오버코트층(130)은, 투명도전막이 형성된 기재(100)가 저항방식의 터치 패널로서 이용되는 경우, 투명도전막(120)의 표면을 커버하여 보호하는 역할을 한다.
오버코트층(130)의 조성물 또는 그 형성 방법은 일본 등록특허 제4107050호에 개시되어 있으며, 본 발명은 상기 특허를 참조로서 활용한다.
오버코트층(130)을 형성하면, 도 1에 예시되어 있는 바와 같이, 금속 나노 와이어(122) 중의 일부가 오버코트층(130)을 관통하여 그 외부로 돌출될 수 있다. 이와 같이 오버코트층(130)의 외부로 돌출된 금속 나노 와이어(124)는 약품에 의해서 용해될 수 있다. 외부로 돌출된 금속 나노 와이어(122)가 약품에 의해서 용해됨으로써, 도 2에 예시되어 있는 바와 같이, 오버코트층(130)에 미세한 구멍에 해당하는 핀홀(pin hole)(128)이 다수 개가 형성된다. 돌출된 금속 나노 와이어(124)를 제거하는 약품(etchant)으로는, 질산(HNO3), 세륨(Cerium) 및 과산화수소(H2O2) 등이 있고, 인산, 질산, 초산 및 순수의 혼합물 또는 인산, 질산 및 초산의 혼합물에 첨가제(additive)를 추가한 것도 가능하다.
핀홀(128)은 오버코트층(130)을 관통하여 투명도전막(120)까지 연결된 홀에 해당한다. 핀홀(128)이 형성된 오버코트층(130)에 세정액을 분사하면, 세정액이 핀홀(128)을 통과하면서 파티클(도시하지 않음) 및 가공 분진(도시하지 않음) 중에서 적어도 어느 하나를 제거할 수 있게 된다. 즉, 투명도전막(120)이 패터닝 된 경우에는 파티클 및 가공 분진이 모두 세정액에 의해서 제거될 수 있고, 패터닝 이전의 경우에는 파티클만 제거될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 핀홀(128)을 이용한 세정은 선택적으로 투명도전막(120)에 대한 패터닝 이전 또는 이후에 실시될 수 있다. 또한, 핀홀(128)을 이용한 세정은 투명도전막(120)에 대한 패터닝 이전 및 이후 모두 실시될 수도 있다.
돌출된 금속 나노 와이어(124)를 약품을 이용하여 제거하는 공정 및 핀홀(128)에 세정액을 주입하여 파티클 및 가공 분진 중 적어도 어느 하나를 제거하는 공정은 연속적으로 수행될 수 있다. 예를 들면, 투명기재(110)가 플렉서블한 재질에 의해 형성되는 경우 롤 투 롤(roll to roll) 방식에 의해서 투명기재(110)를 이송하면서 금속 나노 와이어(124)를 제거하는 공정 및 핀홀(128)을 이용한 세정 공정을 연속적으로 수행할 수 있다.
투명도전막(120)에 포함되어 있는 파티클 및 가공 분진을 제거하기 위한 세정액으로는 물(H2O), 암모니아수(NH4OH) 및 아염소산 나트륨(Sodium Chlorite) 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 세정액에는 세정 효율을 더욱 향상하기 위해서 소정의 세제(detergent)를 더 포함할 수 있다.
세정액은 스프레이(spray) 방식 또는 퍼스 스프레이 건(purse spray gun) 방식에 의해서 오버코트층(130) 상에 분사될 수 있다. 그리고 오버코트층(130)이 세정액이 포함된 탱크 내부에 침지(dipping)됨으로써 핀홀(128)을 통한 세정이 이루어질 수도 있다.
오버코트층(130)에 형성된 핀홀(128)을 이용하여 투명도전막(120)에 잔존하는 파티클 및 가공 분진 중 적어도 어느 하나를 제거하면, 도 2에 예시되어 있는 바와 같이 다수 개의 핀홀(128)이 형성되어 있는 투명도전막이 형성된 기재(100)가 형성된다. 이와 같이 투명도전막이 형성된 기재(100)는, 레이저 패터닝 등에 의해서 일정한 패턴이 투명도전막(120)에 형성되어서 터치 패널 제조용 필름으로 사용될 수 있다.
투명도전막(120)에 대한 패터닝에 의해서 오버코트층(130)이 제거되지 않고 잔존하고 금속 나노 와이어(122)만 일부가 제거될 수 있다. 예를 들어, 투명도전막(120)을 레이저를 이용하여 패터닝하는 경우, 사용되는 레이저빔의 에너지 및 오버코트층(130)의 성질에 의해서, 레이저빔의 조사에도 불구하고 오버코트층(130)이 제거되지 않을 수 있다. 이 경우, 도 2에 예시된 바와 같이, 투명도전막(120)에 잔존하는 파티클 또는 가공 분진은, 투명도전막(120)에 형성된 핀홀(128)에 세정액을 주입함으로써 제거할 수 있다.
도 3은 오버코트층(230)에서 돌출된 금속 나노 와이어(222)를 제거하여 핀홀(228)을 형성하고 패터닝에 의해서 개구부(240)를 형성한 상태를 예시하는 단면도이다.
도 3에서, 투명기재(210), 투명도전막(220), 오버코트층(230) 그리고 핀홀(228)은 도 1 내지 도 2에서 설명한 투명기재(110), 투명도전막(120), 오버코트층(130) 그리고 핀홀(128)과 동일하거나 유사하기 때문에 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 3을 참조하면, 패터닝에 의해서 오버코트층(230)은 물론 투명도전막(220)도 일부 제거되어, 투명기재(210)가 노출되도록 하는 개구부(240)가 형성될 수 있다. 개구부(240)는 레이저 빔을 이용한 패터닝, 건식 또는 습식 에칭 등 다양한 방법에 의해서 형성될 수 있다. 또한, 개구부(240)는 투명도전막(220)에 핀홀(228)을 형성하기 이전은 물론 이후에도 형성될 수 있다.
개구부(240)를 형성하는 과정, 즉 금속 나노 와이어(222)를 포함하는 투명도전막(220) 그리고 오버코트층(230)이 제거되는 과정에서, 가공 분진 또는 파티클(도시하지 않음)과 같은 이물질이 개구부(240)를 통해서 노출되는 투명기재(210) 상에 잔존할 수 있다. 이와 같이, 개구부(240)를 형성하는 과정에서 개구부(240)의 내부에 존재하는 이물질 등은 세척액에 의해서 제거될 수 있다. 물론, 오버코트층(230)이 그 상부에 잔존하고 있는 투명도전막(220)(즉, 투명도전막(220) 상의 오버코트층(230)이 패터닝에 의해서 제거되지 않은 경우) 내부에 존재하는 가공 분진 및/또는 파티클은 핀홀(228)을 통해서 약품을 주입함으로써 제거된다.
그리고 개구부(240)를 형성하는 과정에서 오버코트층(230)이 완전히 제거되지 않고 금속 나노 와이어(222)에 코팅 또는 뒤섞일 수 있다. 이때에도, 세척액을 이용하여 개구부(240)의 내부에서 투명기재(210) 상에 잔존하는 가공 분진, 파티클 또는 제거되지 않은 오버코트층 물질과 같을 이물질이 제거될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 일 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100, 200: 투명도전막이 형성된 기재
110, 210: 투명기재
120, 220: 투명도전막
122, 222: 금속 나노 와이어
126, 226: 투명수지
128, 228: 핀홀
130, 230: 오버코트층
240: 개구부
110, 210: 투명기재
120, 220: 투명도전막
122, 222: 금속 나노 와이어
126, 226: 투명수지
128, 228: 핀홀
130, 230: 오버코트층
240: 개구부
Claims (9)
- 금속 나노 와이어를 포함하는 투명도전막 상에 오버코트층을 형성하는 단계;
상기 오버코트층에서 돌출된 금속 나노 와이어를 제거하여, 상기 오버코트층을 관통하여 상기 투명도전막에 연결되는 핀홀을 형성하는 단계;
상기 핀홀을 통해서 상기 투명도전막에 세정액을 주입하여 상기 투명도전막에 잔존하는 파티클 및 가공 분진 중 적어도 어느 하나를 제거하는 단계를 포함하는 금속 나노 와이어의 세정방법. - 제1항에 있어서,
상기 금속 나노 와이어는 은(Ag) 나노 와이어, 구리(Cu) 나노 와이어 또는 실리콘(Si) 나노 와이어 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 나노 와이어의 세정방법. - 제1항에 있어서,
상기 투명도전막에 존재하는 상기 금속 나노 와이어를 제거하는 패터닝 단계를 포함하고,
상기 패터닝 단계에서, 상기 오버코트층은 제거되지 않고 잔존하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 와이어의 세정방법. - 제1항에 있어서,
상기 투명도전막에 존재하는 금속 나노 와이어를 제거하는 패터닝 단계를 포함하고,
상기 패터닝 단계에서, 상기 오버코트층이 일부 제거되어 투명기재가 노출되는 개구부가 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 나노 와이어의 세정방법. - 제4항에 있어서,
상기 개구부 내부에 잔존하는 이물질을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 나노 와이어의 세정방법. - 투명기재;
상기 투명기재 상에 형성되고 금속 나노 와이어를 포함하는 투명도전막; 및
상기 투명도전막 상에 형성된 오버코트층을 포함하고,
상기 오버코트층에는, 상기 오버코트층을 관통하여 상기 투명도전막에 연결되는 다수 개의 핀홀이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투명도전막이 형성된 기재. - 제6항에 있어서,
상기 투명기재는 투명필름이고, 상기 투명도전막이 형성된 기재는 터치 패널 제조용 필름인 것을 특징으로 하는 투명도전막이 형성된 기재. - 제6항에 있어서,
상기 투명기재는 플렉서블한 재질에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명도전막이 형성된 기재. - 제6항에 있어서,
상기 오버코트층의 일부가 제거되어 개구부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투명 도전막이 형성된 기재.
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