KR101374106B1 - Organic Thin Film Transistor and Method For Fabricating the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 게이트 절연막의 벌크 및 표면 특성을 개선할 수 있는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 형성된 유기 박막 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic thin film transistor capable of improving the bulk and surface characteristics of a gate insulating film, and an organic thin film transistor formed by the method.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 이온빔 보조 증착법(Ion Beam Assisted Deposition ; IBAD)으로 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 유기 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하며, In order to achieve the above object, a method of manufacturing an organic thin film transistor according to the present invention comprises the steps of forming a gate insulating film by ion beam assisted deposition (IBAD), and forming an organic semiconductor layer Characterized in that,

본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터는, 이온빔 보조 증착법에 의해 형성된 게이트 절연막과, 유기 물질로 형성된 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 한다.The organic thin film transistor according to the present invention is characterized by including a gate insulating film formed by an ion beam assisted deposition method and a semiconductor layer formed of an organic material.

이와 같이, 게이트 절연막을 종래의 전자빔 증착법으로 형성하지 않고, 이온빔 보조 증착법으로 높은 충진 밀도를 가지는 게이트 절연막을 형성함에 따라, 낮은 누설전류, 높은 유전율과 높은 광투과도를 가지는 유기 박막 트랜지스터를 제공하는 것이 가능하다.Thus, by forming the gate insulating film having a high filling density by the ion beam assisted deposition method without forming the gate insulating film by the conventional electron beam deposition method, to provide an organic thin film transistor having a low leakage current, high dielectric constant and high light transmittance. It is possible.

유기 박막 트랜지스터, 이온빔 보조 증착법, 게이트 절연막 Organic thin film transistor, ion beam assisted deposition, gate insulating film

Description

유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법{Organic Thin Film Transistor and Method For Fabricating the Same}Organic Thin Film Transistor and Method For Fabricating the Same

본 발명은 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세히는 게이트 절연막의 벌크 및 표면 특성을 개선한 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic thin film transistor and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic thin film transistor having improved bulk and surface characteristics of a gate insulating film and a method of manufacturing the same.

정보화 사회의 발전에 따라, 종래의 CRT(Cathode Ray Tube)가 가지는 무거운 중량과 큰 부피와 같은 단점들을 개선한, 새로운 영상 표시 장치들이 개발되고 있으며,With the development of the information society, new image display devices have been developed which improve the disadvantages such as the heavy weight and the large volume of the conventional CRT (Cathode Ray Tube)

이에 따라, LCD(Liquid Crystal Display Device), OLED(Organic Light Emitting Diode, 유기 발광 다이오드), PDP(Plasma Panel Display Device), SED(Surface-conduction Electron-emitter Display Device)등과 같은 여러 가지 평판 표시 장치들이 주목받고 있다.Accordingly, various flat panel display devices such as a liquid crystal display device (LCD), an organic light emitting diode (OLED), a plasma display panel (PDP), a surface-conduction electron- It is attracting attention.

이와 같은 평판 표시 장치들은, 수십 만 개 내지 수백 만 개의 화소(pixel)들이 모여서 형성되며, 이들 각각의 화소들을 구동하기 위한 스위칭 소자로는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)가 널리 적용되고 있다.Such flat panel display devices are formed by collecting several hundreds of thousands to several million pixels, and a thin film transistor (TFT) is widely applied as a switching element for driving each of the pixels.

상기 박막 트랜지스터를 형성하기 위해서 종래에는 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 반도체층으로 하는 무기 박막 트랜지스터가 주로 사용되었으나, 최근에는 유기 물질을 반도체층으로 사용한 유기 박막 트랜지스터에 대한 연구가 활발해지고 있다.In order to form the thin film transistor, an inorganic thin film transistor using an amorphous silicon as a semiconductor layer has been mainly used in the related art, but recently, research on an organic thin film transistor using an organic material as a semiconductor layer has been actively conducted.

유기 반도체층을 이용한 유기 박막 트랜지스터에 대한 연구는, 유리 기판이 아닌 플라스틱 기판을 이용한 플렉서블 디스플레이(Flexible Display)를 구현하기 위하여 필수적인 기술이다.Research on organic thin film transistors using organic semiconductor layers is an essential technique for implementing a flexible display using a plastic substrate rather than a glass substrate.

유기 박막 트랜지스터에 관한 연구는 1980년 이후부터 시작되었으나, 근래에 들어 전 세계적으로 본격적인 연구가 시작되고 있다. 제작 공정이 간단하고 비용이 저렴하여 구부리거나 접을 수 있는 전자회로기판이 미래의 산업에 필수적인 요소가 될 것으로 예상되고 있으며, 이러한 요구를 충족시킬 수 있는 유기 박막 트랜지스터의 개발은 아주 중요한 연구 분야로 대두되고 있다. Research on organic thin film transistors has been started since 1980, but in recent years, full-scale research has begun around the world. The flexible and inexpensive electronic circuit boards that are easy to bend and fold are expected to become essential elements for future industries. The development of organic thin film transistors that can meet these demands is an important research area. It is becoming.

이러한 유기 박막 트랜지스터는 유기 반도체층 뿐만 아니라 게이트 절연막에 의해서도 그 성능이 크게 영향을 받는다.The performance of such an organic thin film transistor is greatly influenced not only by the organic semiconductor layer but also by the gate insulating film.

즉, 박막 트랜지스터의 드레인 전류는 게이트 절연막의 유전상수와 선형비례하며, 박막 트랜지스터의 오프 커런트(off-current)는 게이트 절연막의 핀홀(pinhole)과 같은 결함유무에 크게 영향을 받는다.That is, the drain current of the thin film transistor is linearly proportional to the dielectric constant of the gate insulating film, and the off-current of the thin film transistor is greatly affected by the presence of a defect such as a pinhole of the gate insulating film.

따라서, 우수한 특성을 가지는 유기 박막 트랜지스터를 구현하기 위해서는 고유전율, 낮은 누설전류, 평탄화도, 내화학성 및 열안정성 그리고 높은 접착 특성과 같은 특성을 가지는 게이트 절연막이 요구된다.Therefore, in order to implement an organic thin film transistor having excellent characteristics, a gate insulating film having characteristics such as high dielectric constant, low leakage current, flatness, chemical resistance and thermal stability, and high adhesion characteristics is required.

이와 같은, 게이트 절연막을 형성하는 방법으로는 가속된 열전자들에 의해 증착물질을 기화시켜 기판에 증착하는 전자빔(E-beam : Electron beam)을 이용한 전자빔 증착법이 널리 사용되고 있다.As a method of forming a gate insulating film, an electron beam deposition method using an electron beam (E-beam: Electron beam), which vaporizes a deposition material by accelerated thermal electrons and deposits on a substrate, is widely used.

그러나, 종래의 전자빔 증착법으로 게이트 절연막을 형성할 경우, 게이트 절연막에 많은 핀홀성 결함들이 발생하여 게이트 절연막의 벌크 특성 및 표면 특성이 저하되는 문제점이 있었다.However, when the gate insulating film is formed by a conventional electron beam deposition method, many pinhole defects occur in the gate insulating film, thereby deteriorating bulk characteristics and surface characteristics of the gate insulating film.

예를 들어, 전자빔 증착법으로 실리콘다이옥사이드(SiO2)를 증착하여 게이트 절연막을 형성할 경우에는, 산소(Oxygen)와 실리콘(Silicon)이 그물 형태로 결합된 구조를 가지게 되는데, 이와 같은 구조는 결공(void)이나 틈새(interstice)와 같은 핀홀성 결함들이 많이 발생하는 구조이기 때문에 충진밀도(packing density)가 높지 못하다. For example, in the case of forming a gate insulating film by depositing silicon dioxide (SiO 2 ) by electron beam evaporation, oxygen and silicon are combined in a net form. The packing density is not high because it is a structure in which many pinhole defects such as voids and interstices occur.

이러한 결공(void)이나 틈새(interstice)는 산소 및 수분의 침투 경로가 되어 소자 특성을 저하시키고, 누설 전류의 경로(path)가 된다.Such voids or interstices become infiltration paths for oxygen and moisture, degrading device characteristics, and becoming paths for leakage current.

이와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 게이트 절연막의 벌크 및 표면 특성을 개선할 수 있는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve such a problem, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing an organic thin film transistor that can improve the bulk and surface characteristics of the gate insulating film.

또한, 본 발명은 상기 제조 방법에 의해 형성된 유기 박막 트랜지스터를 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the organic thin film transistor formed by the said manufacturing method.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, In order to achieve the above object, the manufacturing method of the organic thin film transistor according to the present invention,

기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 유기 반도체층 상부에 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주보도록 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.Forming a gate electrode on a substrate, forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate including the gate electrode by an ion beam assisted deposition method, forming an organic semiconductor layer on the gate insulating film, and forming an upper portion of the organic semiconductor layer And forming a drain electrode so as to face the source electrode and the source electrode.

또한, 본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터는,In addition, the organic thin film transistor according to the present invention,

기판 상에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 이온빔 보조 증착법으로 형성된 게이트 절연막과, 상기 게이트 전극 상부에 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 유기 반도체층와, 상기 유기 반도체층 상부에 형성된 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주보도록 형성된 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.A gate electrode formed on the substrate, a gate insulating film formed by ion beam assisted deposition on the entire surface of the substrate including the gate electrode, an organic semiconductor layer formed on the gate electrode with the gate insulating film interposed therebetween, and a source formed on the organic semiconductor layer It characterized in that it comprises an electrode and a drain electrode formed to face the source electrode.

본 발명에 따른 유기 박막 트랜지스터는, 이온빔 보조 증착법에 의해 증착 입자가 보다 높은 에너지를 가지고 증착된 게이트 절연막을 구비함으로서, The organic thin film transistor according to the present invention includes a gate insulating film in which deposited particles are deposited with higher energy by an ion beam assisted deposition method,

게이트 절연막의 충진밀도가 높도록 증착됨과 아울러 표면의 거칠기가 감소하여 누설전류를 감소시키고, 높은 유전율 및 높은 광투과도를 가지는 유기 박막 트랜지스터를 구현하는 것을 가능하게 하는 효과를 제공한다.The deposition of the gate insulating layer to increase the filling density and the surface roughness of the gate to reduce the leakage current, it is possible to implement an organic thin film transistor having a high dielectric constant and high light transmittance.

다음으로, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명에 대해 보다 상세히 설명하기로 한다.Next, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도1은 본 발명에 따른 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막을 형성하기 위한 이온빔 보조 증착 장치의 구성을 나타낸 구성도이다.1 is a block diagram showing the configuration of an ion beam assisted deposition apparatus for forming a gate insulating film by the ion beam assisted deposition method according to the present invention.

도1에 도시된 바와 같이, 상기 이온빔 보조 증착 장치는,As shown in Figure 1, the ion beam assisted deposition apparatus,

증착 프로세스가 일어나는 프로세스 챔버(10)와, 상기 프로세스 챔버(10) 내에 구비되어 기판(21)을 고정하기 위한 플레이트부(20)와, 상기 플레이트부(20)에 대응되는 위치에 구비되어 상기 플레이트부(20)에 증착될 증착물질(32)을 담고 있는 도가니(30)와, 상기 증착 물질을 기화시키는 열전자(42)를 방출하기 위한 열전자 방출부(40)와, 상기 열전자의 이동궤도를 조정하기 위한 자기력 형성부(45)와, 상기 기화된 증착 물질에 이온빔을 조사하기 위한 이온빔 조사 장치(50)를 포함하여 구성된다.A process chamber 10 in which a deposition process occurs, a plate portion 20 provided in the process chamber 10 to fix the substrate 21, and a plate provided at a position corresponding to the plate portion 20. The crucible 30 containing the deposition material 32 to be deposited in the unit 20, the hot electron emitter 40 for emitting the hot electrons 42 for vaporizing the deposited material, and the movement trajectory of the hot electrons are adjusted. And a magnetic force forming unit 45 and an ion beam irradiating device 50 for irradiating the ionized vapor to the vaporized deposition material.

상기 프로세스 챔버(10)는, 내부를 진공으로 만들 수 있는 진공펌프(미도시)를 더 포함할 수 있다.The process chamber 10 may further include a vacuum pump (not shown) capable of vacuuming the inside.

상기 플레이트부(20)에는 기판(21)의 증착면이 상기 도가니(30)를 향하도록 기판(21)이 고정되는 것이 가능하다.The substrate 21 may be fixed to the plate portion 20 so that the deposition surface of the substrate 21 faces the crucible 30.

상기 도가니(30) 내에는 게이트 절연막으로 증착할 물질, 예를 들면, 세륨다이옥사이드-실리콘다이옥사이드(CeO2-SiO2)와 같은 고체 상태의 물질이 준비된다.In the crucible 30, a material to be deposited as a gate insulating layer, for example, a solid state material such as cerium dioxide-silicon dioxide (CeO 2 -SiO 2 ) is prepared.

상기 열전자 방출부(40)는, 텅스텐 필라멘트 및 가열부와, 상기 텅스텐 필라멘트로부터 방출된 열전자를 가속하기 위한 가속부를 구비할 수 있다.The hot electron emitter 40 may include a tungsten filament and a heating unit, and an accelerator for accelerating hot electrons emitted from the tungsten filament.

즉, 상기 가열부에 의해 가열된 텅스텐 필라멘트에서 방출된 열전자가 상기 가속부에 의해 10kV 이상의 전압으로 가속되어 최종적으로 방출된다.That is, hot electrons emitted from the tungsten filament heated by the heating unit are accelerated to a voltage of 10 kV or more by the accelerator and finally emitted.

이와 같이, 상기 열전자 방출부(40)에서 방출된 열전자는 직선 방향으로 운동하게 되는데, 이 때, 영구 자석 및 전자석을 구비한 자기력 형성부(45)에서 상기 열전자에 적당한 자기력을 가해 줌으로써, 상기 열전자가 원운동을 하여 상기 도가니(30) 내부의 증착물질(32)과 충돌하도록 유도한다.As described above, the hot electrons emitted from the hot electron emitter 40 move in a linear direction. In this case, the hot electrons are applied to the hot electrons by the magnetic force forming unit 45 including the permanent magnet and the electromagnet. The circular motion is induced to collide with the deposition material 32 inside the crucible 30.

이와 같이, 열전자와 충돌한 증착 물질(32)은 기화되어, 상기 플레이트부(20)에 고정된 기판(21)을 향해 운동하게 된다.As such, the deposition material 32 colliding with the hot electrons is vaporized to move toward the substrate 21 fixed to the plate 20.

이 때, 상기 이온빔 조사 장치(50)에서는, 기화된 증착 물질을 향해 이온빔을 조사하게 된다.At this time, the ion beam irradiation apparatus 50 irradiates the ion beam toward the vaporized vapor deposition material.

즉, 증착 물질에 이온빔을 조사하면, 이온과 충돌한 증착 물질은 보다 높은 운동 에너지를 가지고 기판(21)에 증착된다.That is, when the ion beam is irradiated to the deposition material, the deposition material collided with the ions is deposited on the substrate 21 with higher kinetic energy.

이와 같이, 증착 물질이 높은 에너지를 가지고 증착되면, 보다 높은 충진 밀도를 가지고 증착되는 것이 가능하게 된다.As such, when the deposition material is deposited with high energy, it is possible to deposit with a higher packing density.

또한, 상기 이온으로는 아르곤 이온(Ar+), 크립톤 이온(Kr+), 제논 이온(Xe+) 등과 같은 불활성 기체의 이온을 사용하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable to use ions of an inert gas such as argon ions (Ar +), krypton ions (Kr +), xenon ions (Xe +), and the like.

상기 이온빔 조사 장치로는 이온의 가속 그리드가 있어 높은 에너지의 이온을 만들 수 있으나 이온의 전류밀도가 작은 카우프만(kaufman) 이온빔 건과, 이온의 에너지는 작으나 이온의 전류밀도가 큰 그리드리스(gridless) 이온빔 건 가운데 얻고자 하는 박막의 성질에 적합한 것을 선택하여 사용할 수 있다.The ion beam irradiator includes an accelerated grid of ions to produce ions of high energy, but a Kaufman ion beam gun with a small current density of ions, and a gridless grid with a high current density of ions Among the ion beam guns, one suitable for the properties of the thin film to be obtained can be used.

즉, 이온빔 조사시에 이온의 에너지와 플럭스(flux)의 조절을 통해 박막의 재질을 조절하는 것이 가능하게 된다.That is, it is possible to control the material of the thin film by adjusting the energy and flux of ions during ion beam irradiation.

상기 이온빔 조사 장치는, 이온빔의 프로파일(profile)을 조절하기 위한 패러데이 컵(51)을 더 구비하는 것도 가능하다.The ion beam irradiation apparatus may further include a Faraday cup 51 for adjusting the profile of the ion beam.

또한, 본 발명에서는 상기 이온빔의 조사시 챔버 내부에 산소(O2) 가스를 공급하는 것도 가능하다. 이와 같이, 산소 가스를 공급하여 Ar/O2의 혼합 가스를 이용하면 산소 이온의 공급을 조절해 금속 산화물의 조성이 정량적이 되도록함으로써 게이트 절연막의 광투과도를 높일 수 있다.In the present invention, it is also possible to supply oxygen (O 2 ) gas into the chamber during the irradiation of the ion beam. As described above, when oxygen gas is supplied and a mixed gas of Ar / O 2 is used, the light transmittance of the gate insulating film can be increased by controlling the supply of oxygen ions so that the composition of the metal oxide is quantitative.

일반적으로, 금속 산화물은 조성이 정량적이 되어야 굴절율이 고유의 값을 가지게 되고 광투과도가 높아지게 되는데, 산소 이온의 농도를 조절함으로써 게이트 절연막의 조성을 정량적으로 조절하는 것이 가능하게 된다. In general, when the metal oxide has a quantitative composition, the refractive index has an inherent value and the light transmittance is increased. By adjusting the concentration of oxygen ions, it is possible to quantitatively control the composition of the gate insulating film.

이상에서 설명한 이온빔 보조 증착장치에 의해 게이트 절연막이 증착되면, 증착입자가 이온빔에 의해 보다 높은 에너지를 가지고 증착하게 되어 게이트 절연막의 충진밀도가 높도록 증착됨과 아울러, 종래의 전자빔 증착법에 의하여 형성된 게이트 절연막에 대비하여 표면의 거칠기(roughness of surface)가 감소한다. When the gate insulating film is deposited by the above-described ion beam auxiliary deposition apparatus, the deposited particles are deposited with higher energy by ion beam, so that the filling density of the gate insulating film is increased, and the gate insulating film formed by the conventional electron beam deposition method. In contrast, the roughness of the surface is reduced.

또한, 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막을 증착하는 방법은, 증착 입자의 이동도의 향상이 기판 가열에 의한 열적 활성화가 아닌, 증착 입자와 이온과의 충돌에 의해 일어나므로, 저온으로도 증착하는 것이 가능한 효과를 가진다.In addition, in the method of depositing the gate insulating film by the ion beam assisted vapor deposition method, since the improvement of the mobility of the deposited particles is caused by the collision between the deposited particles and the ions, rather than thermally activated by the substrate heating, it is possible to deposit at a low temperature. Has an effect.

도2a 및 도2b는 ITO(Indium Tin Oxide)만 증착된 유리 기판 상에, 전자빔 증착법에 의하여 형성된 세륨다이옥사이드-실리콘다이옥사이드(CeO2-SiO2) 박막의 표면과, 이온빔 보조 증착법으로 형성된 세륨다이옥사이드-실리콘다이옥사이드(CeO2-SiO2) 박막의 표면을 AFM(Atomic Force Microscope)을 사용하여 측정한 사진이다. 2A and 2B illustrate a surface of a cerium dioxide-silicon dioxide (CeO 2 -SiO 2 ) thin film formed by electron beam evaporation and a cerium dioxide formed by ion beam assisted evaporation on a glass substrate on which only indium tin oxide (ITO) is deposited. The surface of a silicon dioxide (CeO 2 -SiO 2 ) thin film is measured using an atomic force microscope (AFM).

도2a가 전자빔 증착법에 의하여 형성된 세륨다이옥사이드-실리콘다이옥사이드(CeO2-SiO2) 박막의 측정결과이고, 도2b이 이온빔 보조 증착법에 의하여 형성된 세륨다이옥사이드-실리콘다이옥사이드(CeO2-SiO2) 박막의 측정결과이다.FIG. 2A is a measurement result of a cerium dioxide-silicon dioxide (CeO 2 -SiO 2 ) thin film formed by electron beam deposition, and FIG. 2B is a measurement of cerium dioxide-silicon dioxide (CeO 2 -SiO 2 ) thin film formed by ion beam assisted deposition. The result is.

도2a 및 도2b에서 알 수 있듯이, 이온빔 보조 증착법에 의하여 형성된 세륨다이옥사이드-실리콘다이옥사이드(CeO2-SiO2) 박막의 경우, 전자빔 증착법에 의하여 형성된 세륨다이옥사이드-실리콘다이옥사이드(CeO2-SiO2) 박막보다 그 표면의 거칠기가 현저하게 감소한다.As can be seen in Figures 2a and 2b, ion beam assisted deposition of cerium dioxide formed by the silicon-dioxide (CeO 2 -SiO 2) In the case of the thin film, the cerium dioxide formed by the electron beam evaporation - silicon dioxide (CeO 2 -SiO 2) thin film Moreover, the surface roughness is significantly reduced.

이와 같이, 표면의 거칠기가 감소하면, 표면에서의 난반사가 감소하여 상기 유기 박막 트랜지스터를 이용한 표시장치 등에서의 화질이 저하되는 것을 방지할 수 있다.As described above, when the surface roughness is reduced, diffuse reflection on the surface is reduced, and the image quality of the display device using the organic thin film transistor or the like can be prevented from being lowered.

또한, 이온빔 보조 증착법으로 형성된 게이트 절연막은 종래의 전자빔 증착법에 의하여 형성된 게이트 절연막에 대비하여 충진밀도(packing density)가 상승하고 이에 따라 굴절률(refractive index)이 상승한다.In addition, a packing density of the gate insulating film formed by the ion beam assisted deposition method is increased compared to the gate insulating film formed by the conventional electron beam deposition method, thereby increasing the refractive index.

즉, 충진밀도가 상승하면 매질이 밀해지는 효과가 발생하므로 굴절률이 상승하게 된다.In other words, if the filling density is increased, the medium becomes dense, and thus the refractive index is increased.

도3은 이온빔 보조 증착법으로 형성된 게이트 절연막과 전자빔 증착법에 의하여 형성된 게이트 절연막의 충진밀도 및 굴절률을 나타낸 그래프이다.3 is a graph showing the filling density and the refractive index of the gate insulating film formed by the ion beam assisted deposition method and the gate insulating film formed by the electron beam deposition method.

도3에서 알 수 있듯이, 전자빔 증착법에 의해 형성된 게이트 절연막의 충진밀도가 약 2.2인데 비해 이온빔 보조 증착법으로 형성된 게이트 절연막의 충진밀도 는 약 2.65로 상승하였다.As can be seen from FIG. 3, the filling density of the gate insulating film formed by the electron beam deposition method was about 2.2, whereas the filling density of the gate insulating film formed by the ion beam assisted deposition method was increased to about 2.65.

또한, 충진밀도가 상승함에 따라 굴절률 역시 약 1.9 에서 약 2.05로 상승하였다.In addition, as the filling density increased, the refractive index also increased from about 1.9 to about 2.05.

이와 같이, 충진밀도가 증가한다는 것은, 증착된 박막이 아일랜드(island), 즉, 박막에서의 그레인(grain)에 기인한 여러 틈새(void) 및 기공(pore)이 없는 치밀한 구조를 가지게 된다는 것이다.As such, the increased packing density means that the deposited thin film has a dense structure free of various voids and pores due to islands, ie grains in the thin film.

이와 같이, 증착된 박막이 치밀한 구조를 가지게 되면 증착 입자의 이동도가 증가하게 되고, 결과적으로 도4에 나타낸 바와 같이 유기 박막 트랜지스터의 누설 전류가 감소하게 된다.As such, when the deposited thin film has a dense structure, the mobility of the deposited particles is increased, and as a result, as shown in FIG. 4, the leakage current of the organic thin film transistor is reduced.

즉, 충진 밀도가 증가하면 누설 전류의 패스(path)가 될 수 있는 틈새(void) 및 기공(pore)이 줄어들면서 누설전류가 낮아지게 된다.In other words, as the filling density increases, the leakage current decreases as the voids and pores that may become paths of the leakage current decrease.

도5는 본 발명에 따라 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막을 형성한 유기 박막 트랜지스터와, 전자빔 증착법으로 게이트 절연막을 형성한 유기 박막 트랜지스터 간의 동작특성을 비교한 그래프이고, 그 값을 표1에 나타내었다.FIG. 5 is a graph comparing operating characteristics between an organic thin film transistor having a gate insulating film formed by an ion beam assisted deposition method and an organic thin film transistor having a gate insulating film formed by an electron beam evaporation method according to the present invention.

도5 및 다음 표1에서 알 수 있듯이, 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막을 형성한 펜타센 유기 박막 트랜지스터의 경우, 전자빔 증착법으로 게이트 절연막을 형성한 펜타센 유기 박막 트랜지스터보다 온/오프 전류비(Ion/off) 비가 열 배정도 높은 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 5 and Table 1, in the case of the pentacene organic thin film transistor in which the gate insulating film is formed by the ion beam assisted deposition method, the on / off current ratio (Ion / off) The rain is about 10 times higher.

Figure 112007059834448-pat00001
Figure 112007059834448-pat00001

즉, 누설 전류가 감소함에 따라, 이동도 및 온/오프 전류비가 증가하게 된다.In other words, as the leakage current decreases, the mobility and the on / off current ratio increase.

다음으로, 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법에 대하여 설명하기로 한다.Next, a method of manufacturing an organic thin film transistor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도6a 내지 도6d는 본 발명의 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.6A through 6D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법은, Method for manufacturing an organic thin film transistor according to an embodiment of the present invention,

기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 이온빔 보조 증착법(Ion Beam Assisted Deposition ; IBAD)으로 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 유기 반도체층 상부에 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주보도록 형성된 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.Forming a gate insulating film on a substrate, forming a gate insulating film on an entire surface of the substrate including the gate electrode by ion beam assisted deposition (IBAD), and forming an organic semiconductor layer on the gate insulating film And forming a source electrode and a drain electrode formed to face the source electrode on the organic semiconductor layer.

먼저, 기판(100) 상에 폴리실리콘이나 또는 금속층과 같은 도전성 물질을 증착한 후, 포토레지스트(Photoresist)를 사용한 포토리소그래피(Photolithography)법으로 패터닝하여 도6a와 같이 게이트 전극(110)을 형성한다.First, a conductive material such as polysilicon or a metal layer is deposited on the substrate 100 and then patterned by photolithography using a photoresist to form the gate electrode 110 as shown in FIG. 6A. .

상기 기판(100)으로는 일반적으로 유리 재질의 기판이 사용되나, 플렉서블 디스플레이를 구현하기 위하여 PET(Poly Ethylen Terephthalate)와 같은 플라스틱 재질의 기판을 사용하는 것도 가능할 것이다.A glass substrate is generally used as the substrate 100, but a plastic substrate such as PET (Poly Ethylen Terephthalate) may be used to realize a flexible display.

다음으로, 도6b와 같이 게이트 전극(110)을 포함한 기판 전면에 이온빔 보조 증착법을 이용하여 게이트 절연막(120)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6B, the gate insulating layer 120 is formed on the entire surface of the substrate including the gate electrode 110 by using an ion beam assisted deposition method.

상기 이온빔 보조 증착법은 앞서 설명한 이온빔 보조 증착 장치를 이용하여 증착 입자(122)가 높은 에너지를 가지고 기판(100)에 증착되도록 하여 게이트 절연막(120)을 형성하는 것이 가능할 것이다.In the ion beam assisted deposition method, the gate insulating layer 120 may be formed by depositing the deposition particles 122 on the substrate 100 using the ion beam assisted deposition apparatus described above.

이와 같이, 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막(120)을 형성함으로써, 벌크 특성과 계면 특성을 향상시킨 게이트 절연막(120)을 얻을 수 있다.As such, by forming the gate insulating film 120 by the ion beam assisted deposition method, the gate insulating film 120 having improved bulk characteristics and interface characteristics can be obtained.

이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막(120)을 형성할 때, 산소 가스를 함께 사용하여 정량적인 조성을 가지는 산화물을 형성하여, 게이트 절연막(120)이 높은 광투과도를 가지도록 하는 것이 바람직하다.When the gate insulating film 120 is formed by the ion beam assisted deposition method, it is preferable to form an oxide having a quantitative composition by using oxygen gas together so that the gate insulating film 120 has a high light transmittance.

한편, 상기 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막(120)을 형성할 때, 증착물질로 실리콘 다이옥사이드(SiO2)를 이용하는 것이 가능하며, 바람직하게는 세륨다이옥사이드(CeO2)를 함께 사용하는 것이 바람직하다.On the other hand, when forming the gate insulating film 120 by the ion beam assisted deposition method, it is possible to use silicon dioxide (SiO 2 ) as the deposition material, it is preferable to use cerium dioxide (CeO 2 ) together.

이와 같이 실리콘 다이옥사이드와 함께 세륨 다이옥사이드를 사용하여 게이트 절연막을 형성하면, 세륨 원자가 산소와 실리콘 사이의 결합으로 생긴 공간을 메우는 변형인자(modification factor)의 역할을 하여, 게이트 절연막의 충진 밀도를 보다 높일 수 있는 효과를 가진다. As such, when the gate insulating film is formed using cerium dioxide together with silicon dioxide, cerium atoms serve as a modification factor to fill the space formed by the bond between oxygen and silicon, thereby increasing the filling density of the gate insulating film. Has the effect.

상기 세륨다이옥사이드 이외에도 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf) 등의 산화물을 실리콘 다이옥사이드와 함께 사용하는 것도 가능하다.In addition to the cerium dioxide, oxides such as zirconium (Zr) and hafnium (Hf) may be used together with silicon dioxide.

또한, 상기 게이트 절연막 상부에 추가적으로 유기절연막(미도시)을 형성하여, 후속 공정에 의하여 형성되는 유기 반도체층과의 접촉 특성을 개선함과 아울러, 절연 효과 및 누설 전류를 현저하게 감소시킬 수 있다.In addition, an organic insulating layer (not shown) may be additionally formed on the gate insulating layer to improve contact characteristics with the organic semiconductor layer formed by a subsequent process, and to significantly reduce an insulation effect and a leakage current.

상기 유기절연막(미도시)으로는 예를 들면 PVP(PolyVinyl Phenol), 폴리이미드, BCB(BenzoCyclo Butene), 파릴렌(parylene) 등을 이용하는 것이 가능할 것이다.For example, polyvinyl phenol (PVP), polyimide, benzocyclobutene (BCB), parylene, or the like may be used as the organic insulating layer (not shown).

또한, 상기 유기절연막(미도시)으로 네거티브 포토레지스트(negative photoresist) 또는 포지티브 포토레지스트(positive photoresist)와 같은 광경화성 수지를 이용하는 것도 가능하다.In addition, it is also possible to use a photocurable resin such as a negative photoresist or a positive photoresist as the organic insulating film (not shown).

상기 유기절연막(미도시)은 예를 들면 기판 상에 액체 상태의 유기물질을 코팅하거나 열증착법 등을 이용하여 기판 상에 증착한 후, 패터닝하여 형성할 수 있으며, 몰딩법 등으로 형성하는 것도 가능하다.The organic insulating layer (not shown) may be formed by, for example, coating the organic material in a liquid state on the substrate or depositing it on the substrate using a thermal evaporation method, and then patterning the same. Do.

다음으로, 도6c와 같이 이온빔 보조 증착법에 의해 형성된 게이트 절연막(120) 상부, 또는 상기 게이트 절연막(120) 상부에 형성된 유기 절연막(미도시) 상부에 유기 물질을 이용하여 유기 반도체층(130)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6C, the organic semiconductor layer 130 is formed by using an organic material on the gate insulating film 120 formed by the ion beam assisted deposition method or on the organic insulating film (not shown) formed on the gate insulating film 120. Form.

상기 유기 반도체층(130)을 형성하기 위한 유기물질로서는, 예를 들면, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파 6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌 테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌 테트라카르복실리 디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 우도체, 폴리파라페릴렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체 등을 사용하는 것이 가능하다.Examples of the organic material for forming the organic semiconductor layer 130 include pentacene, tetracene, anthracene, naphthalene, alpha 6-thiophene and perylene (for example). perylene and its derivatives, rubrene and its derivatives, coronene and its derivatives, perylene tetracarboxylic diimide and its derivatives, perylene tetracarboxylic dianhydride ( perylene tetracarboxylic dianhydride) and its derivatives, polythiophene and its derivatives, polyparaperylenevinylene and its derivatives, polyfluorene and its derivatives, polythiophenvinylene and its derivatives and the like.

다음으로, 도6d와 같이 상기 유기 반도체층 상부에 화상 신호를 전달하는 소스 전극(140a) 및 상기 소스 전극(140a)과 마주보도록 드레인 전극(140b)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 6D, the source electrode 140a for transmitting the image signal and the drain electrode 140b are formed to face the source electrode 140a.

상기 소스 전극(140a)에 전달된 화상 신호는 상기 유기 반도체층(130)을 통해 형성된 채널(미도시)을 따라 드레인 전극(140d)으로 전달된다.The image signal transmitted to the source electrode 140a is transmitted to the drain electrode 140d along a channel (not shown) formed through the organic semiconductor layer 130.

상기 소스 전극(140a) 및 드레인 전극(140d)으로는 금속, 예를 들면 금(Au)과 같이 저저항의 금속을 이용하는 것이 바람직하며, 전도성 폴리머와 같은 유기 물질을 이용하는 것도 가능할 것이다.As the source electrode 140a and the drain electrode 140d, a metal, for example, a metal having a low resistance such as gold (Au), is preferably used, and an organic material such as a conductive polymer may be used.

이와 같이, 증착입자가 이온빔에 의해 보다 높은 에너지를 가지고 증착하게 되면, 게이트 절연막의 충진밀도가 높도록 증착됨과 아울러, 종래의 전자빔 증착법에 의하여 형성된 게이트 절연막에 대비하여 표면의 거칠기(roughness of surface)가 감소한다. As such, when the deposition particles are deposited with higher energy by ion beam, the deposition density of the gate insulating film is increased and the roughness of the surface is compared with the gate insulating film formed by the conventional electron beam deposition method. Decreases.

다음으로, 본 발명의 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터에 대하여 설명하기로 한다.Next, an organic thin film transistor according to an embodiment of the present invention will be described.

본 발명의 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터는,An organic thin film transistor according to an embodiment of the present invention,

도7과 같이, 기판 상에 형성된 게이트 전극(110)과, 상기 게이트 전극(110)을 포함한 기판 전면에 이온빔 보조 증착법으로 형성된 게이트 절연막(120)과, 상기 게이트 전극(110) 상부에 상기 게이트 절연막(120)을 사이에 두고 형성된 유기 반도체층(130)과, 상기 유기 반도체층(130) 상부에 형성된 소스 전극(140a) 및 상기 소스 전극(140a)과 마주보도록 형성된 드레인 전극(140d)을 포함하여 구성된다.As illustrated in FIG. 7, a gate electrode 110 formed on a substrate, a gate insulating film 120 formed on an entire surface of the substrate including the gate electrode 110 by ion beam assisted deposition, and the gate insulating film on the gate electrode 110. An organic semiconductor layer 130 formed with the interlayer 120 interposed therebetween, a source electrode 140a formed on the organic semiconductor layer 130, and a drain electrode 140d formed to face the source electrode 140a. It is composed.

상기 게이트 절연막(120)은 실리콘 다이옥사이드가 증착되어 형성될 수 있으며, 세륨 다이옥사이드가 함께 증착되어 형성되는 것이 바람직하다.The gate insulating layer 120 may be formed by depositing silicon dioxide, and preferably formed by depositing cerium dioxide together.

또한, 지르코늄 또는 하프늄 등의 산화물을 실리콘 다이옥사이드와 함께 증착하는 것도 가능하다.It is also possible to deposit oxides such as zirconium or hafnium together with silicon dioxide.

또한, 상기 게이트 절연막(120)과 유기 반도체층(130) 사이에 유기 절연막(124)이 추가로 형성되는 것도 가능하다.In addition, an organic insulating layer 124 may be further formed between the gate insulating layer 120 and the organic semiconductor layer 130.

본 발명의 실시예에 의한 유기 박막 트랜지스터는 액정표시장치나 유기 전계 발광 다이오드와 같은 평판표시장치의 각 화소를 구동하기 위한 구동 소자로 이용하는 것이 가능할 것이다.The organic thin film transistor according to the embodiment of the present invention may be used as a driving element for driving each pixel of a flat panel display such as a liquid crystal display or an organic light emitting diode.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be the most practical and preferred embodiment, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Will be apparent to those of ordinary skill in the art.

도1은 본 발명에 따른 게이트 절연막을 형성하기 위한 이온빔 보조 증착장치의 구성 단면도.1 is a cross-sectional view of an ion beam assisted deposition apparatus for forming a gate insulating film according to the present invention.

도2a는 전자빔 증착법에 의하여 형성된 세륨다이옥사이드-실리콘다이옥사이드(CeO2-SiO2) 박막의 표면의 AFM(Atomic Force Microscope) 사진.Figure 2a is an atomic force microscope (AFM) photograph of the surface of the cerium dioxide-silicon dioxide (CeO 2 -SiO 2 ) thin film formed by the electron beam deposition method.

도2b는 이온빔 보조 증착법으로 형성된 세륨다이옥사이드-실리콘다이옥사이드(CeO2-SiO2) 박막의 표면의 AFM 사진.2B is an AFM photograph of the surface of a cerium dioxide-silicon dioxide (CeO 2 -SiO 2 ) thin film formed by ion beam assisted deposition.

도3은 이온빔 보조 증착법으로 형성된 게이트 절연막과 전자빔 증착법에 의하여 형성된 게이트 절연막의 충진밀도 및 굴절률을 나타낸 그래프.3 is a graph showing the filling density and the refractive index of the gate insulating film formed by the ion beam assisted deposition method and the gate insulating film formed by the electron beam deposition method.

도4는 이온빔 보조 증착법으로 형성된 게이트 절연막을 가지는 유기 박막 트랜지스터와 전자빔 증착법에 의하여 형성된 게이트 절연막을 가지는 유기 박막 트랜지스터의 누설 전류를 나타낸 그래프.4 is a graph showing the leakage current of an organic thin film transistor having a gate insulating film formed by ion beam assisted deposition and an organic thin film transistor having a gate insulating film formed by electron beam deposition.

도5는 이온빔 보조 증착법으로 형성된 게이트 절연막을 가지는 유기 박막 트랜지스터와 전자빔 증착법에 의하여 형성된 게이트 절연막을 가지는 유기 박막 트랜지스터의 동작특성을 비교한 그래프.5 is a graph comparing the operating characteristics of an organic thin film transistor having a gate insulating film formed by ion beam assisted deposition and an organic thin film transistor having a gate insulating film formed by electron beam deposition.

도6a 내지 도6d는 본 발명의 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법의 공정단면도.6A through 6D are cross-sectional views of a method of manufacturing an organic thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도7은 본 발명의 실시예에 따른 유기 박막 트랜지스터의 단면도.7 is a cross-sectional view of an organic thin film transistor according to an embodiment of the present invention.

Claims (15)

기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;Forming a gate electrode on the substrate; 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 이온빔 보조 증착법으로 실리콘다이옥사이드(SiO2)와 세륨다이옥사이드(CeO2)를 함께 증착하여, 게이트 절연막을 형성하는 단계;Depositing silicon dioxide (SiO 2 ) and cerium dioxide (CeO 2 ) together on an entire surface of the substrate including the gate electrode by ion beam assisted deposition to form a gate insulating film; 상기 게이트 절연막 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계;Forming an organic semiconductor layer on the gate insulating layer; 상기 유기 반도체층 상부에 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주보도록 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.And forming a source electrode and a drain electrode on the organic semiconductor layer so as to face the source electrode and the source electrode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 절연막 상부에 유기절연막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.And forming an organic insulating film on the gate insulating film. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 게이트 절연막은 지르코늄 또는 하프늄 등의 원소의 산화물을 함께 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.And the gate insulating film is formed by depositing an oxide of an element such as zirconium or hafnium together. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 유기절연막은 PVP(PolyVinyl Phenol), 폴리이미드, BCB(BenzoCyclo Butene), 파릴렌(parylene) 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.The organic insulating layer is formed using any one of polyvinyl phenol (PVP), polyimide, benzocyclobutene (BCB), and parylene. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 반도체층으로 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파 6-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌 테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌 테트라카르복실리 디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 우도체, 폴리파라페릴렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.As the organic semiconductor layer, pentacene, tetracene, anthracene, anthracene, naphthalene, alpha 6-thiophene, perylene and its derivatives, rubrene and its derivatives , Coronene and its derivatives, perylene tetracarboxylic diimide and its derivatives, perylene tetracarboxylic dianhydride and its derivatives, polythiophenes and their derivatives A method for producing an organic thin film transistor, which is formed using any one of a conductor, polyparaperylenevinylene and derivatives thereof, polyfluorene and derivatives thereof, polythiophenvinylene and derivatives thereof. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막을 형성하는 단계에서, 아르곤 이온, 크립톤 이온, 또는 제논 이온 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.In the step of forming a gate insulating film by the ion beam assisted deposition, any one of argon ions, krypton ions, or xenon ions is used. 제 8 항에 있어서,9. The method of claim 8, 상기 이온빔 보조 증착법으로 게이트 절연막을 형성하는 단계에서, 산소 가스를 함께 공급하여 주는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.In the step of forming a gate insulating film by the ion beam assisted deposition method, a method of manufacturing an organic thin film transistor, characterized in that the supply of oxygen gas together. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 기판으로 유리 재질의 기판 또는 플라스틱 재질의 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법.A glass substrate or a plastic substrate is used as the substrate. 기판 상에 형성된 게이트 전극;A gate electrode formed on the substrate; 상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 이온빔 보조 증착법으로 실리콘다이옥사이드(SiO2)와 세륨다이옥사이드(CeO2)를 함께 증착하여 형성된 게이트 절연막;A gate insulating film formed by depositing silicon dioxide (SiO 2 ) and cerium dioxide (CeO 2 ) together on an entire surface of the substrate including the gate electrode by ion beam assisted deposition; 상기 게이트 전극 상부에 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 형성된 유기 반도체층; An organic semiconductor layer formed on the gate electrode with the gate insulating layer interposed therebetween; 상기 유기 반도체층 상부에 형성된 소스 전극 및 상기 소스 전극과 마주보도록 형성된 드레인 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.And a source electrode formed on the organic semiconductor layer and a drain electrode formed to face the source electrode. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 게이트 절연막과 상기 유기 반도체층 사이에 유기 절연막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.And an organic insulating film is formed between the gate insulating film and the organic semiconductor layer. 삭제delete 삭제delete 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 게이트 절연막은 지르코늄 또는 하프늄의 산화물을 더 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터.And the gate insulating film further comprises an oxide of zirconium or hafnium.
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