KR101367000B1 - Organic Light Emitting Display - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제1스캔 배선으로부터 공급된 제1스캔 신호에 의해 동일하게 턴온하는 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터와, 제2스캔 배선으로부터 공급된 제2스캔 신호에 의해 턴온하는 제4스위칭 트랜지스터와, 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터가 턴온되고 데이터 배선으로부터 데이터 신호가 공급되면 데이터 신호에 의해 문턱전압이 동시에 프로그래밍되는 제1 및 제2구동 트랜지스터와, 제1 및 제2구동 트랜지스터에 동일한 데이터 전압을 공급하는 커패시터와, 제1구동 트랜지스터가 턴온되고 제4스위칭 트랜지스터가 턴온되면 발광하는 유기 발광다이오드를 포함하는 서브 픽셀; 제1 및 제2스캔 배선에 제1 및 제2스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부; 및 데이터 배선에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to the present invention, the first, second and third switching transistors which are turned on in the same manner by the first scan signal supplied from the first scan wiring and the fourth which are turned on by the second scan signal supplied from the second scan wiring are provided. First and second driving transistors in which a threshold voltage is simultaneously programmed by the data signal when the switching transistor, the first, second and third switching transistors are turned on and a data signal is supplied from the data wiring. A subpixel including a capacitor supplying the same data voltage to the transistor, and an organic light emitting diode emitting light when the first driving transistor is turned on and the fourth switching transistor is turned on; A scan driver configured to supply first and second scan signals to the first and second scan wirings; And a data driver for supplying a data signal to the data line.

유기전계발광표시장치, 전류, 미러 OLED display, current, mirror

Description

유기전계발광표시장치{Organic Light Emitting Display}[0001] The present invention relates to an organic light emitting display,

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.

유기전계발광표시장치에 사용되는 유기전계발광소자는 기판 상에 위치하는 두 개의 전극 사이에 발광층이 형성된 자발광소자였다.An organic light emitting display device used in an organic light emitting display device is a self-light emitting device having a light emitting layer formed between two electrodes positioned on a substrate.

또한, 유기전계발광표시장치는 빛이 방출되는 방향에 따라 전면발광(Top-Emission) 방식, 배면발광(Bottom-Emission) 방식 또는 양면발광(Dual-Emission) 방식 등이 있다. 그리고, 구동방식에 따라 수동매트릭스형(Passive Matrix)과 능동매트릭스형(Active Matrix) 등으로 나누어져 있다.In addition, the organic light emitting display device may include a top emission type, a bottom emission type, or a dual emission type depending on a direction in which light is emitted. It is divided into a passive matrix and an active matrix depending on the driving method.

이러한 유기전계발광표시장치는 매트릭스 형태로 배치된 복수의 서브 픽셀에 스캔 신호, 데이터 신호 및 전원 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있다.In the organic light emitting display device, when a scan signal, a data signal, and a power are supplied to a plurality of subpixels arranged in a matrix form, the selected subpixels emit light to display an image.

한편, 유기전계발광표시장치의 구동방법은 크게 전압형 및 전류형으로 나눌 수 있다. 여기서, 전압형의 경우, 패널의 기생 커패시터에 의한 데이터 신호의 공급 지연 시간이 전류형에 비해 짧은 장점이 있다. 그러나, 전압형은 서브 픽셀 내에 보상회로를 내장할 경우 보상 정도가 전류형에 비해 작다는 단점이 있다.On the other hand, the driving method of the organic light emitting display device can be largely divided into voltage type and current type. Here, in the case of the voltage type, there is an advantage that the supply delay time of the data signal by the parasitic capacitor of the panel is shorter than the current type. However, the voltage type has a disadvantage in that the compensation degree is smaller than that of the current type when the compensation circuit is embedded in the subpixel.

이와는 달리 전류형의 경우, 복잡한 보상회로 없이도 보상이 가능하며 보상 정도가 전류형에 비해 크다는 장점이 있다. 그러나, 데이터 신호만큼의 전류를 공급기 때문에 데이터 신호를 공급하는 데 많은 지연 시간이 걸린다는 단점이 있다.On the other hand, in the case of the current type, the compensation is possible even without a complicated compensation circuit, and the degree of compensation is larger than that of the current type. However, since the current is supplied as much as the data signal, there is a disadvantage in that a large delay time is required to supply the data signal.

따라서, 전류형의 경우 이와 같은 단점을 극복하기 위해 스케일 다운(Scale Down) 기법을 사용한 트랜지스터 미러 회로를 이용하였는데, 이는 미러 형태로 배치된 두 트랜지스터가 정합되지 않으면 그 크기만큼 잘못된 데이터 신호가 공급되는 단점이 있어 이의 개선이 요구된다.Therefore, in the case of the current type, in order to overcome this disadvantage, a transistor mirror circuit using a scale down technique is used. If two transistors arranged in a mirror form are not matched, an incorrect data signal is supplied as much as the size thereof. There are drawbacks and improvements are required.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 문턱전압과 전류 이동도에 편차가 발생하지 않도록 문턱전압을 동시에 프로그래밍할 수 있는 전류 구동형 유기전계발광표시장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a current-driven organic light emitting display device capable of simultaneously programming a threshold voltage such that there is no variation in threshold voltage and current mobility.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은, 제1스캔 배선으로부터 공급된 제1스캔 신호에 의해 동일하게 턴온하는 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터와, 제2스캔 배선으로부터 공급된 제2스캔 신호에 의해 턴온하는 제4스위칭 트랜지스터와, 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터가 턴온되고 데이터 배선으로부터 데이터 신호가 공급되면 데이터 신호에 의해 문턱전압이 동시에 프로그래밍되는 제1 및 제2구동 트랜지스터와, 제1 및 제2구동 트랜지스터에 동일한 데이터 전압을 공급하는 커패시터와, 제1구동 트랜지스터가 턴온되고 제4스위칭 트랜지스터가 턴온되면 발광하는 유기 발광다이오드를 포함하는 서브 픽셀; 제1 및 제2스캔 배선에 제1 및 제2스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부; 및 데이터 배선에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to the above-described problem solving means, the present invention provides the first, second and third switching transistors that are turned on in the same manner by the first scan signal supplied from the first scan wiring, and the second scan signal supplied from the second scan wiring. A fourth switching transistor turned on by the first switching transistor, the first and second driving transistors whose threshold voltages are simultaneously programmed by the data signal when the first, second and third switching transistors are turned on and the data signal is supplied from the data wiring; A subpixel including a capacitor supplying the same data voltage to the first and second driving transistors, and an organic light emitting diode emitting light when the first driving transistor is turned on and the fourth switching transistor is turned on; A scan driver configured to supply first and second scan signals to the first and second scan wirings; And a data driver for supplying a data signal to the data line.

제1 및 제2구동 트랜지스터는, 동일한 크기를 갖는 미러 트랜지스터일 수 있다.The first and second driving transistors may be mirror transistors having the same size.

스캔 구동부는, 제1 및 제2구동 트랜지스터가 동시에 프로그래밍 되도록 제1 스캔 배선에 제1스캔 신호를 공급하고, 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터가 턴온되는 구간에 제4스위칭 트랜지스터가 턴오프되도록 제2스캔 배선에 제2스캔 신호를 공급할 수 있다.The scan driver supplies a first scan signal to the first scan wiring so that the first and second driving transistors are programmed at the same time, and the fourth switching transistor is turned off in a period where the first, second and third switching transistors are turned on. The second scan signal can be supplied to the second scan wiring as much as possible.

서브 픽셀은, 데이터 배선에 일단이 연결되고 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 데이터 배선에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 데이터 배선에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터와, 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터와, 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터와, 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 제1전원 배선에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel includes a first switching transistor having one end connected to the data line and a gate connected to the first scan line, a second switching transistor connected to a gate of the first scan line and one end connected to the data line, and the first scan line. A third switching transistor having a gate connected to the data line and having one end connected to the data line, a fourth switching transistor having a gate connected to the second scan line and having one end connected to the other end of the third switching transistor and a gate connected to the other end of the first switching transistor. Is connected to one end of the third switching transistor and one end is connected to the other end of the third switching transistor, and the other end of the first power supply wiring is connected to the gate of the other end of the first switching transistor and the other end of the second switching transistor is connected. A second driving transistor having the other end connected to the first power supply wiring, and one end connected to the first power supply wiring; And the other end connected to a common capacitor to the gate of the transistor, a first electrode being connected to the other terminal of the fourth switching transistor may comprise an organic light emitting diode a second electrode connected to a second power supply wiring.

서브 픽셀은, 데이터 배선에 일단이 연결되고 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 데이터 배선에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터와, 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜 지스터와, 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터와, 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 제1전원 배선에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel includes a first switching transistor having one end connected to the data line and a gate connected to the first scan line, a second switching transistor connected to a gate of the first scan line and one end connected to the data line, and the first scan line. A third switching transistor having a gate connected to the other end of the second switching transistor, a fourth switching transistor having a gate connected to the second scan wiring, and one end connected to the other end of the third switching transistor, and a first switching transistor A first driving transistor having a gate connected to the other end of the transistor, one end connected to the other end of the third switching transistor, and the other end connected to the first power supply wiring, a gate connected to the other end of the first switching transistor, and the other end of the second switching transistor. A second driving transistor having one end connected to the first power line and the other end connected to the first power line, and one end connected to the first power line And an organic light emitting diode having a second end connected to the gates of the first and second driving transistors in common, and an organic light emitting diode connected to the second end of the fourth switching transistor and the second electrode connected to the second power line. .

서브 픽셀은, 데이터 배선에 일단이 연결되고 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터와, 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터와, 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터와, 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 제1전원 배선에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel may include a first switching transistor having one end connected to a data line and a gate connected to the first scan line, a second switching transistor having a gate connected to the first scan line and one end connected to the other end of the first switching transistor; A third switching transistor having a gate connected to the first scan wire and having one end connected to the other end of the second switching transistor, a fourth switching transistor having a gate connected to the second scan wire and having one end connected to the other end of the third switching transistor; A first driving transistor having a gate connected to the other end of the second switching transistor, one end connected to the other end of the third switching transistor, and the other end connected to the first power supply wiring, and a gate connected to the other end of the second switching transistor connected to the first switching. A second driving transistor having one end connected to the other end of the transistor and the other end connected to the first power line, and a first power supply An organic light emitting diode having one end connected to the gate of the first and second driving transistors, the other end of which is commonly connected to the gate of the first and second driving transistors, and a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor and a second electrode connected to the second power line. It may include.

서브 픽셀은, 데이터 배선에 일단이 연결되고 제1스캔 배선에 게이트가 연결 된 제1스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터와, 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터와, 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터와, 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 제1전원 배선에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel may include a first switching transistor having one end connected to the data line and a gate connected to the first scan line, a second switching transistor having a gate connected to the first scan line and one end connected to the other end of the first switching transistor. A third switching transistor having a gate connected to the first scan line and having one end connected to the other end of the second switching transistor, a fourth switching transistor having a gate connected to the second scan line and having one end connected to the other end of the third switching transistor; A first driving transistor having a gate connected to the other end of the first switching transistor, one end connected to the other end of the third switching transistor, and the other end connected to the first power supply wiring, and a gate connected to the other end of the first switching transistor; A second driving transistor having one end connected to the other end of the switching transistor and the other end connected to the first power line; An organic light emitting diode having one end connected to a line and a second end connected to the gate of the first and second driving transistors in common; a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor and a second electrode connected to the second power line; It may include.

서브 픽셀은, 데이터 배선에 일단이 연결되고 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터와, 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터와, 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터와, 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스 터와, 제1전원 배선에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel may include a first switching transistor having one end connected to a data line and a gate connected to the first scan line, a second switching transistor having a gate connected to the first scan line and one end connected to the other end of the first switching transistor; A third switching transistor having a gate connected to the first scan wiring and having one end connected to the other end of the first switching transistor, a fourth switching transistor having a gate connected to the second scan wiring and having one end connected to the other end of the third switching transistor; A first driving transistor having a gate connected to the other end of the first switching transistor, one end connected to the other end of the third switching transistor, and the other end connected to the first power supply wiring, a gate connected to the other end of the first switching transistor, and a second switching A second driving transistor having one end connected to the other end of the transistor and the other end connected to the first power line, and a first power supply An organic light emitting diode having one end connected to a line and a second end connected to the gate of the first and second driving transistors in common; a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor and a second electrode connected to the second power line; It may include.

서브 픽셀은, 데이터 배선에 일단이 연결되고 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 데이터 배선에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터와, 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터와, 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터와, 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터와, 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 제1전원 배선에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel includes a first switching transistor having one end connected to the data line and a gate connected to the first scan line, a second switching transistor connected to a gate of the first scan line and one end connected to the data line, and the first scan line. A third switching transistor having a gate connected to the other end of the second switching transistor, a fourth switching transistor having a gate connected to the second scan wiring, and one end connected to the other end of the third switching transistor, and a first switching transistor A first driving transistor having a gate connected to the other end of the second switching transistor and one end connected to the other end of the third switching transistor, and the other end connected to the first power supply wiring, a gate connected to the other end of the first switching transistor, and connected to the other end of the second switching transistor. One end is connected to the second driving transistor and the other end is connected to the first power line and one end to the first power line And an organic light emitting diode having a second end connected to the gate of the first and second driving transistors in common and a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor and a second electrode connected to the second power line. .

서브 픽셀에 포함된 트랜지스터들은, p형 트랜지스터일 수 있다.The transistors included in the sub pixel may be p-type transistors.

본 발명은, 문턱전압과 전류 이동도에 편차가 발생하지 않도록 문턱전압을 동시에 프로그래밍할 수 있는 전류 구동형 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과 가 있다. 또한, 유기전계발광표시장치는 미러 트랜지스터 간의 부정합에 의한 오차를 줄일 수 있고 프로그래밍하는 전류를 스케일 다운하는 효과뿐만 아니라 서브 픽셀에서 트랜지스터가 차지하는 비중을 줄일 수 있는 서브 픽셀 구조를 제공하는 효과가 있다.The present invention has the effect of providing a current-driven organic light emitting display device capable of simultaneously programming the threshold voltage so that no deviation occurs in the threshold voltage and the current mobility. In addition, the organic light emitting display device can reduce the error caused by mismatch between the mirror transistors, scale down the programming current, and provide a sub pixel structure that can reduce the specific gravity of the transistor in the sub pixel.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도이다.1 is a schematic plan view of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 유기전계발광표시장치는 기판(110) 상에 다수의 서브 픽셀(P)이 위치하는 표시부(120)를 포함할 수 있다. 기판(110) 상에 위치하는 다수의 서브 픽셀(P)은 수분이나 산소에 취약하다.As shown in FIG. 1, the organic light emitting display may include a display unit 120 on which a plurality of subpixels P are disposed. The plurality of subpixels P located on the substrate 110 are vulnerable to moisture or oxygen.

그리하여, 밀봉기판(130)을 구비하고, 표시부(120)의 외곽 기판(110)에 접착부재(140)를 형성하여 기판(110)과 밀봉기판(130)을 봉지할 수 있다. 한편, 다수의 서브 픽셀(P)은 기판(110) 상에 위치하는 구동부(150)에 의해 구동되어 영상을 표현할 수 있다.Thus, the substrate 110 and the sealing substrate 130 can be sealed by providing the sealing substrate 130 and forming the adhesive member 140 on the outer substrate 110 of the display unit 120. Meanwhile, a plurality of sub-pixels P may be driven by a driving unit 150 positioned on the substrate 110 to display an image.

구동부(150)는 다수의 서브 픽셀(P)에 제1 및 제2스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부와 다수의 서브 픽셀(P)에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함할 수 있다. 여기서, 구동부(150)는 스캔 구동부와 데이터 구동부가 하나로 형성된 것 을 일례로 개략적으로 도시한 것일 뿐 앞서 설명한 바와 같이 스캔 구동부와 데이터 구동부가 기판(110) 상에 구분되어 위치할 수 있다.The driver 150 may include a scan driver to supply the first and second scan signals to the plurality of subpixels P and a data driver to supply a data signal to the plurality of subpixels P. Here, the driving unit 150 is only schematically illustrated that the scan driving unit and the data driving unit are formed as one example, and the scan driving unit and the data driving unit may be separately located on the substrate 110 as described above.

한편, 앞서 설명한 서브 픽셀은 다음과 같을 수 있다.On the other hand, the above-described subpixels may be as follows.

도 2a는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 단면 예시도 이다.2A is an exemplary cross-sectional view of the subpixel shown in FIG.

도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 버퍼층(105)이 위치한다. 버퍼층(105)은 기판(110)에서 유출되는 알칼리 이온 등과 같은 불순물로부터 후속 공정에서 형성되는 트랜지스터를 보호하기 위해 형성하는 것으로, 실리콘 산화물(SiO2), 실리콘 질화물(SiNx) 등을 사용하여 선택적으로 형성할 수 있다.As shown in FIG. 2A, a buffer layer 105 is located on a substrate 110. Buffer layer 105 is selectively using, for example, to form to protect the transistor to be formed in a subsequent process from impurities such as alkali ions leaked from the substrate 110, silicon oxide (SiO 2), silicon nitride (SiNx) .

여기서, 기판(110)은 유리, 플라스틱 또는 금속일 수 있다.Here, the substrate 110 may be glass, plastic or metal.

버퍼층(105) 상에 반도체층(111)이 위치한다. 상기 반도체층(111)은 비정질 실리콘 또는 결정화된 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.The semiconductor layer 111 is located on the buffer layer 105. The semiconductor layer 111 may include amorphous silicon or crystallized polycrystalline silicon.

또한, 반도체층(111)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소오스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있으며, 소오스 영역 및 드레인 영역 이외의 채널 영역을 포함할 수 있다.In addition, the semiconductor layer 111 may include a source region and a drain region including p-type or n-type impurities, and may include a channel region other than the source region and the drain region.

반도체층(111) 상에 게이트 절연막일 수 있는 제 1 절연막(115)이 위치한다. 제 1 절연막(115)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.The first insulating layer 115, which may be a gate insulating layer, is positioned on the semiconductor layer 111. The first insulating layer 115 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof.

제 1 절연막(115)의 상에 위치하는 반도체층(111)의 일정 영역, 즉 불순물이 주입되었을 경우의 채널 영역과 대응되는 위치에 게이트 전극(120c)이 위치할 수 있다. 그리고, 상기 게이트 전극(120c)과 동일층 상에 스캔 배선(120a) 및 커패시터 하부 전극(120b)이 위치할 수 있다.The gate electrode 120c may be positioned at a predetermined region of the semiconductor layer 111 positioned on the first insulating layer 115, that is, at a position corresponding to the channel region when impurities are injected. The scan line 120a and the capacitor lower electrode 120b may be positioned on the same layer as the gate electrode 120c.

게이트 전극(120c)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The gate electrode 120c is formed of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper One or an alloy thereof.

또한, 게이트 전극(120c)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다.The gate electrode 120c may be formed of a material selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, Or an alloy of any one selected from the above.

또한, 게이트 전극(120c)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.Further, the gate electrode 120c may be a double layer of molybdenum / aluminum-neodymium or molybdenum / aluminum.

스캔 배선(120a)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 스캔 배선(120a)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 다중층일 수 있다. 또한, 스캔 배선(120a)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴 또는 몰리브덴/알루미늄의 2중층일 수 있다.The scan line 120a may be formed of a material selected from the group consisting of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper One or an alloy thereof. The scan line 120a may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, Or an alloy of any one selected from the above. Further, the scan line 120a may be a double layer of molybdenum / aluminum-neodymium or molybdenum / aluminum.

층간 절연막이 되는 제 2 절연막(125)은 스캔 배선(120a), 커패시터 하부 전극(120b) 및 게이트 전극(120c)을 포함하는 기판(110) 상에 위치한다. 제 2 절연막(125)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx) 또는 이들의 다중층일 수 있 다.The second insulating layer 125 serving as the interlayer insulating layer 125 is positioned on the substrate 110 including the scan wiring 120a, the capacitor lower electrode 120b, and the gate electrode 120c. The second insulating layer 125 may be a silicon oxide film (SiOx), a silicon nitride film (SiNx), or a multilayer thereof.

제 2 절연막(125) 및 제 1 절연막(115) 내에 반도체층(111)의 일부를 노출시키는 콘택홀들(130b, 130c)이 위치한다.Contact holes 130b and 130c exposing portions of the semiconductor layer 111 are disposed in the second insulating layer 125 and the first insulating layer 115.

제 2 절연막(125) 및 제 1 절연막(115)을 관통하는 콘택홀들(130b, 130c)을 통하여 반도체층(111)과 전기적으로 연결되는 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)이 화소 영역에 위치한다.Drain and source electrodes 140c and 140d electrically connected to the semiconductor layer 111 through contact holes 130b and 130c penetrating through the second insulating film 125 and the first insulating film 115 are formed in the pixel region. Located.

드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다. 또한, 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.The drain electrode and the source electrode 140c and 140d may be formed of a single layer or multiple layers and may be formed of a single layer of molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr) , Gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and copper (Cu). When the drain electrode and the source electrodes 140c and 140d are multi-layered, a triple layer of molybdenum / aluminum-neodymium, molybdenum / aluminum / molybdenum or molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum may be used.

그리고, 드레인 전극 및 소오스 전극(140c, 140d)과 동일층 상에 데이터 배선(140a), 커패시터 상부 전극(140b) 및 전원 배선(140e)이 위치할 수 있다.The data line 140a, the capacitor upper electrode 140b, and the power supply line 140e may be positioned on the same layer as the drain electrode and the source electrodes 140c and 140d.

비화소 영역에 위치하는 데이터 배선(140a), 전원 배선(140e)은 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으며, 데이터 배선(140a) 및 전원 배선(140e)이 단일층일 경우에는 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The data wiring 140a and the power supply wiring 140e located in the non-pixel region may be formed of a single layer or multiple layers. When the data wiring 140a and the power wiring 140e are single layers, the data wiring 140a and the power wiring 140e may be made of molybdenum And may be made of any one selected from the group consisting of Al, Cr, Au, Ti, Ni, Ne, and Cu.

또한, 데이터 배선(140a) 및 전원 배선(140e)이 다중층일 경우에는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴의 2중층, 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.When the data wiring 140a and the power wiring 140e are multilayered, they may be formed of a triple layer of molybdenum / aluminum-neodymium, molybdenum / aluminum / molybdenum or molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum.

이 밖에, 데이터 배선(140a) 및 전원 배선(140e)은 몰리브덴/알루미늄-네오디뮴/몰리브덴의 3중층으로 이루어질 수 있다.In addition, the data wiring 140a and the power wiring 140e may be formed of a triple layer of molybdenum / aluminum-neodymium / molybdenum.

제 3 절연막(145)은 데이터 배선(140a), 커패시터 상부 전극(140b), 드레인 및 소오스 전극(140c, 140d)과 전원 배선(140e) 상에 위치한다. 제 3 절연막(145)은 하부 구조의 단차를 완화하기 위한 평탄화막일 수 있으며, 폴리이미드(polyimide), 벤조사이클로부틴계 수지(benzocyclobutene series resin), 아크릴레이트(acrylate) 등의 유기물 또는 실리콘 산화물을 액상 형태로 코팅한 다음 경화시키는 SOG(spin on glass)와 같은 무기물로 형성될 수 있다.The third insulating layer 145 is positioned on the data line 140a, the capacitor upper electrode 140b, the drain and source electrodes 140c and 140d, and the power line line 140e. The third insulating layer 145 may be a planarization layer for alleviating the step difference of the lower structure, and may be formed of organic materials such as polyimide, benzocyclobutene series resin, acrylate, or silicon oxide. It may be formed of an inorganic material such as spin on glass (SOG), which is coated in the form and then cured.

이와는 달리, 제 3 절연막(145)은 패시베이션막일 수 있으며, 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiOx) 또는 이들의 다중층일 수 있다.Alternatively, the third insulating layer 145 may be a passivation layer, and may be a silicon nitride layer (SiNx), a silicon oxide layer (SiOx), or a multilayer thereof.

제 3 절연막(145) 내에 드레인 및 소오스 전극(140c, 140d) 중 어느 하나를 노출시키는 비어홀(165)이 위치하며, 제 3 절연막(145) 상에 비어홀(165)을 통하여 드레인 및 소오스 전극(140c, 140d) 중 어느 하나와 전기적으로 연결되는 제1전극(160)이 위치한다.A via hole 165 exposing one of the drain and source electrodes 140c and 140d is disposed in the third insulating layer 145, and the drain and source electrode 140c is disposed on the third insulating layer 145 through the via hole 165. , The first electrode 160 is electrically connected to any one of 140d.

제1전극(160)은 애노드일 수 있으며, 투명한 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 여기서, 유기전계발광표시장치의 구조가 배면 또는 양면발광일 경우에 제1전극(160)은 투명한 전극일 수 있으며, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중 어느 하나일 수 있다.The first electrode 160 may be an anode, and may be a transparent electrode or a reflective electrode. Herein, when the structure of the organic light emitting display device is a backside or double-sided light emission, the first electrode 160 may be a transparent electrode, and among indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or zinc oxide (ZnO) It can be either.

또한, 유기전계발광표시장치의 구조가 전면발광일 경우에 제1전극(160)은 반사 전극일 수 있으며, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 층 하부에 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 니켈(Ni) 중 어느 하나로 이루어진 반사층을 더 포함할 수 있고, 이와 더불어, ITO, IZO 또는 ZnO 중 어느 하나로 이루어진 두 개의 층 사이에 반사층을 포함할 수 있다.In addition, the first electrode 160 may be a reflective electrode when the structure of the organic light emitting display device is a front emission type, and aluminum (Al), silver (Ag), or the like may be formed under the layer of any one of ITO, IZO, Nickel (Ni), and in addition, a reflective layer may be included between two layers of any one of ITO, IZO, and ZnO.

제1전극(160) 상에 인접하는 제1전극들을 절연시키며, 제1전극(160)의 일부를 노출시키는 개구부(175)를 포함하는 제4절연막(155)이 위치한다. 개구부(175)에 의해 노출된 제1전극(160) 상에 발광층(170)이 위치한다.A fourth insulating layer 155 is disposed on the first electrode 160 to insulate the first electrodes adjacent to the first electrode 160 and include an opening 175 for exposing a portion of the first electrode 160. The light emitting layer 170 is located on the first electrode 160 exposed by the opening 175.

발광층(170) 상에 제2전극(180)이 위치한다. 제2전극(180)은 캐소드 전극일 수 있으며, 일함수가 낮은 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이들의 합금으로 이루어질 수 있다.The second electrode 180 is located on the light emitting layer 170. The second electrode 180 may be a cathode electrode and may be made of magnesium (Mg), calcium (Ca), aluminum (Al), silver (Ag), or an alloy thereof having a low work function.

여기서, 제2전극(180)은 유기전계발광표시장치가 전면 또는 양면발광구조일 경우, 빛을 투과할 수 있을 정도로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 유기전계발광표시장치가 배면발광구조일 경우, 빛을 반사시킬 수 있을 정도로 두껍게 형성할 수 있다.Here, the second electrode 180 may be formed to have a thickness thin enough to transmit light when the organic light emitting display device has a front or both-side light emitting structure, and when the organic light emitting display device has a back light emitting structure, It can be formed thick enough to reflect light.

전술한 실시 예는 총 7매의 마스크 즉, 반도체층, 게이트 전극(스캔 배선 및 커패시터 하부전극 포함), 콘택홀들, 소오스 전극 및 드레인 전극(데이터 배선, 전원 배선, 커패시터 상부전극 포함), 비어홀, 제1전극 및 개구부를 형성하는 공정에 마스크가 사용된 유기전계발광표시장치의 구조를 예로 설명하였다.The above-described embodiments are based on a total of seven masks, namely, a semiconductor layer, a gate electrode (including a scan wiring and a capacitor lower electrode), contact holes, a source electrode and a drain electrode (including a data wiring, a power supply wiring, , The first electrode and the opening are formed by using a mask.

이하에서는, 총 5매의 마스크를 이용하여 유기전계발광표시장치가 형성된 실시 예를 개시한다. 하기에 개시하는 실시 예에서 전술한 내용과 중복되는 부분의 설명은 생략한다.Hereinafter, an embodiment in which an organic electroluminescent display device is formed using a total of five masks is disclosed. The description of the parts overlapping with those described above in the embodiments described below will be omitted.

도 2b는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 다른 단면 예시도 이다.2B is another cross-sectional exemplary view of the subpixel shown in FIG.

도 2b에 도시된 바와 같이, 기판(110) 상에 버퍼층(105)이 위치하고, 버퍼층(105) 상에 반도체층(111)이 위치한다. 반도체층(111) 상에 제 1 절연막(115)이 위치하고, 제 1 절연막(115) 상에 게이트 전극(120c), 커패시터 하부전극(120b) 및 스캔 배선(120a)이 위치한다. 게이트 전극(120c) 상에 제 2 절연막(125)이 위치한다.2B, the buffer layer 105 is located on the substrate 110, and the semiconductor layer 111 is located on the buffer layer 105. [ The first insulating layer 115 is disposed on the semiconductor layer 111, and the gate electrode 120c, the capacitor lower electrode 120b, and the scan wiring 120a are positioned on the first insulating layer 115. And the second insulating film 125 is located on the gate electrode 120c.

제 2 절연막(125) 상에 제1전극(160)이 위치하고, 반도체층(111)을 노출시키는 콘택홀들(130b, 130c)이 위치한다. 제1전극(160)과 콘택홀들(130b, 130c)은 동시에 형성될 수 있다.The first electrode 160 is positioned on the second insulating layer 125, and contact holes 130b and 130c exposing the semiconductor layer 111 are positioned. The first electrode 160 and the contact holes 130b and 130c may be formed at the same time.

제 2 절연막(125) 상에 소오스 전극(140d), 드레인 전극(140c), 데이터 배선(140a), 커패시터 상부전극(140b) 및 전원 배선(140e)이 위치한다. 여기서 드레인 전극(140c)의 일부는 제1전극(160) 상에 위치할 수 있다.The source electrode 140d, the drain electrode 140c, the data line 140a, the capacitor upper electrode 140b, and the power source line 140e are positioned on the second insulating layer 125. Here, a part of the drain electrode 140c may be located on the first electrode 160. [

전술한 구조물이 형성된 기판(110) 상에 화소정의막 또는 뱅크층일 수 있는 제 3 절연막(145)이 위치하고, 제 3 절연막(145)에는 제1전극(160)을 노출시키는 개구부(175)가 위치한다. 개구부(175)에 의해 노출된 제1전극(160) 상에 발광층(170)이 위치하고, 그 상부에 제2전극(180)이 위치한다.The third insulating layer 145, which may be a pixel definition layer or a bank layer, is positioned on the substrate 110 on which the above-described structure is formed, and the opening 175 exposing the first electrode 160 is positioned in the third insulating layer 145. do. The light emitting layer 170 is located on the first electrode 160 exposed by the opening 175 and the second electrode 180 is located on the light emitting layer 170.

위와 같이, 총 5매의 마스크 즉, 반도체층, 게이트 전극(스캔 배선 및 커패 시터 하부전극 포함), 제1전극(콘택홀 포함), 소오스/드레인 전극(데이터 배선, 전원 배선, 커패시터 상부전극 포함) 및 개구부를 형성하는 공정에 마스크가 사용된 유기전계발광표시장치는 마스크의 개수를 줄여 제조 비용을 절감하고 대량 생산의 효율성을 높일 수 있는 이점이 있다.As described above, a total of five masks, that is, a semiconductor layer, a gate electrode (including a scan wiring and a capacitor lower electrode), a first electrode (including a contact hole), a source / drain electrode (data wiring, a power wiring, and a capacitor upper electrode are included) ) And an organic light emitting display device using a mask in the process of forming an opening has the advantage of reducing the number of masks, thereby reducing manufacturing costs and increasing the efficiency of mass production.

이러한 유기전계발광표시장치는 컬러영상을 구현함에 있어서 여러가지 방법이 있을 수 있는데, 도 3a내지 3b를 참조하여 그 구현방법에 대해 살펴보기로 한다.Such an organic light emitting display device may have various methods for implementing a color image. A method of implementing the organic light emitting display will be described with reference to FIGS. 3A to 3B.

도 3a내지 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치에서 컬러 영상을 구현하는 실시예들을 나타내는 도면이다.3A to 3B illustrate embodiments of implementing a color image in an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 3a에 나타낸 컬러 영상 구현 방식은 적색, 녹색, 청색의 빛을 각각 방출하는 적색 발광층(170R), 녹색 발광층(170G), 청색 발광층(170B)을 별도로 구비한 유기전계발광표시장치의 컬러 영상 구현방식을 나타낸 것이다.3A, the color image forming method shown in FIG. 3A includes a red color emitting layer 170R, a green color light emitting layer 170G, and a blue color light emitting layer 170B separately emitting red, green, and blue light, And shows an image implementation method.

도 3a에 도시된 바와 같이, 적색광, 녹색광, 청색광이 각각의 발광층(170R, 170G, 170B)으로부터 각각 제공됨으로써, 적색광/녹색광/청색광이 혼합되어 컬러 영상을 표시할 수 있다.As shown in FIG. 3A, red light, green light, and blue light are provided from the respective light emitting layers 170R, 170G, and 170B, respectively, so that red light / green light / blue light are mixed to display a color image.

여기서 각 발광층(170R, 170G, 170B)의 상, 하부에는 전자수송층(ETL), 정공수송층(HTL) 등이 더 포함될 수 있으며, 그 배열 및 구조에 대해서는 다양한 변형이 가능하다. Here, an electron transport layer (ETL), a hole transport layer (HTL), and the like may be further included at the top and bottom of each of the emission layers 170R, 170G, and 170B.

또한, 도 3b에 나타낸 컬러 영상 구현 방식은 백색 발광층(270W)과 적색 컬러필터(290R), 녹색 컬러필터(290G), 청색 컬러필터(290B)를 구비한 유기전계발광 표시장치의 컬러 영상 구현방식을 나타낸 것이다.In addition, the color image implementation method illustrated in FIG. 3B is a color image implementation method of an organic light emitting display device including a white emission layer 270W, a red color filter 290R, a green color filter 290G, and a blue color filter 290B. It is shown.

도 3b에 도시된 바와 같이, 백색 발광층(270W)으로부터 제공되는 백색 빛이 적색 컬러필터(290R), 녹색 컬러필터(290G), 청색 컬러필터(290B)를 각각 투과하면서, 적색광/녹색광/청색광이 각각 생성되어 혼합됨으로써, 컬러 영상을 표시할 수 있다. The white light provided from the white light emitting layer 270W is transmitted through the red color filter 290R, the green color filter 290G and the blue color filter 290B while the red light / green light / Respectively, so that a color image can be displayed.

여기서 각 백색 발광층(270W)의 상, 하부에는 전자수송층(ETL), 정공수송층(HTL) 등이 더 포함될 수 있으며, 그 배열 및 구조에 대해서는 다양한 변형이 가능하다.Here, the upper and lower portions of each white light emitting layer 270W may further include an electron transport layer (ETL), a hole transport layer (HTL), and the like, and the arrangement and structure thereof may be variously modified.

여기서, 도 3a 내지 도 3b에서는 배면발광구조를 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 전면발광구조에 따라, 그 배열 및 구조에 대해서 다양한 변형이 가능하다. Here, the bottom emission structure is shown and described in FIGS. 3A and 3B, but the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made to the arrangement and structure of the top emission structure.

또한, 컬러 영상 구현방식에 대해서, 두 가지 종류의 구동방식을 도시하고 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 필요에 따라 다양한 변형이 가능하다.In addition, although two types of driving methods have been shown and described with respect to the color image realizing method, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible as needed.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광다이오드의 계층 구조도 이다.4 is a hierarchical structure diagram of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기 발광다이오드는 기판(110), 기판(110)에 위치하는 제1전극(160)이 위치하고, 상기 제1전극(160) 상에 위치하는 정공주입층(171), 정공수송층(172), 발광층(170), 전자수송층(173), 전자주입층(174) 및 전자주입층(174)상에 위치하는 제2전극(180)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, an organic light emitting diode according to an exemplary embodiment of the present invention includes a substrate 110, a first electrode 160 disposed on the substrate 110, a first electrode 160 disposed on the first electrode 160, A second electrode 180 located on the hole injection layer 171, the hole transport layer 172, the light emitting layer 170, the electron transport layer 173, the electron injection layer 174 and the electron injection layer 174 .

먼저, 제1전극(160) 상에 정공주입층(171)이 위치한다. 상기 정공주입 층(171)은 상기 제1전극(160)으로부터 발광층(170)으로 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 할 수 있으며, CuPc(cupper phthalocyanine), PEDOT(poly(3,4)-ethylenedioxythiophene), PANI(polyaniline) 및 NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.First, a hole injection layer 171 is formed on the first electrode 160. The hole injection layer 171 may function to smoothly inject holes from the first electrode 160 into the light emitting layer 170 and may be formed of at least one selected from the group consisting of CuPc (cupper phthalocyanine), PEDOT (poly (3,4) -ethylenedioxythiophene ), PANI (polyaniline) and NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine).

앞서 설명한, 정공주입층(171)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다.The hole injection layer 171 described above can be formed by an evaporation method or a spin coating method.

정공수송층(172)은 정공의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, NPD(N,N-dinaphthyl-N,N'-diphenyl benzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The hole transport layer 172 plays a role of facilitating the transport of holes and may be formed by using NPD (N, N-dinaphthyl-N, N'-diphenyl benzidine), TPD (N, N'- , N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD and MTDATA (4,4 ', 4 "-tris (N-3-methylphenyl-N-phenylamino) But is not limited thereto.

정공수송층(172)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다. 앞서 설명한 발광층(170)은 적색, 녹색, 청색 및 백색을 발광하는 물질로 이루어질 수 있으며, 인광 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다.The hole transport layer 172 can be formed by evaporation or spin coating. The light emitting layer 170 described above may be formed of a material that emits red, green, blue, and white light, and may be formed using phosphorescent or fluorescent materials.

발광층(170)이 적색인 경우, CBP(carbazole biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)acetylacetonate iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline)iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)로 이루어진 군 에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리 PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the light emitting layer 170 is red, it includes a host material containing carbazole biphenyl (CBP) or mCP (1,3-bis (carbazol-9-yl) wherein the dopant comprises at least one selected from the group consisting of iridium, iridium, PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) Or PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or Perylene. However, the present invention is not limited thereto.

발광층(170)이 녹색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(fac tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있고, 이와는 달리, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.When the light emitting layer 170 is green, it may be made of a phosphorescent material including a dopant material including a host material including CBP or mCP and containing Ir (ppy) 3 (fac tris (2-phenylpyridine) iridium) Alternatively, it may be made of a fluorescent material including Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), but is not limited thereto.

발광층(170)이 청색인 경우, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, (4,6-F2ppy)2Irpic을 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광물질로 이루어질 수 있다. When the light emitting layer 170 is blue, it may include a phosphorescent material including a dopant material including (4,6-F2ppy) 2Irpic including a host material including CBP or mCP.

이와는 달리, spiro-DPVBi, spiro-6P, 디스틸벤젠(DSB), 디스트릴아릴렌(DSA), PFO계 고분자 및 PPV계 고분자로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 형광물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Alternatively, the fluorescent material may include any one selected from the group consisting of spiro-DPVBi, spiro-6P, distyrylbenzene (DSB), distyrylarylene (DSA), PFO polymer, and PPV polymer. It is not limited.

여기서, 전자수송층(173)은 전자의 수송을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 및 SAlq로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Here, the electron transport layer 173 serves to smooth the transport of electrons, and may be any one or more selected from the group consisting of Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq and SAlq But is not limited thereto.

전자수송층(173)은 증발법 또는 스핀코팅법을 이용하여 형성할 수 있다. 전자수송층(173)은 제1전극으로부터 주입된 정공이 발광층을 통과하여 제2전극으로 이동하는 것을 방지하는 역할도 할 수 있다. 즉, 정공저지층의 역할을 하여 발광층에서 정공과 전자의 결합을 효율적이게 하는 역할을 할 수도 있다. The electron transporting layer 173 can be formed by an evaporation method or a spin coating method. The electron transport layer 173 may also prevent holes injected from the first electrode from passing through the light emitting layer to the second electrode. That is, it may serve as a hole blocking layer and may serve to efficiently combine holes and electrons in the light emitting layer.

여기서, 전자주입층(174)은 전자의 주입을 원활하게 하는 역할을 하며, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq 또는 SAlq를 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Here, the electron injection layer 174 serves to smooth the injection of electrons, and may use Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum), PBD, TAZ, spiro-PBD, BAlq or SAlq .

전자주입층(174)은 전자주입층을 이루는 유기물과 무기물을 진공증착법으로 형성할 수 있다. The electron injection layer 174 may be formed by vacuum evaporation of organic and inorganic materials forming the electron injection layer.

여기서, 정공주입층(171) 또는 전자주입층(174)은 무기물을 더 포함할 수 있으며, 상기 무기물은 금속화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 금속화합물은 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함할 수 있다. 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속을 포함하는 금속화합물은 LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF2, MgF2, CaF2, SrF2, BaF2 및 RaF2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.Here, the hole injection layer 171 or the electron injection layer 174 may further include an inorganic material, and the inorganic material may further include a metal compound. The metal compound may include an alkali metal or an alkaline earth metal. Metal compound including an alkali metal or alkaline earth metal LiQ, LiF, NaF, KF, RbF, CsF, FrF, BeF 2, MgF 2, CaF 2, SrF 2, BaF any one selected from the group consisting of 2 and RaF 2 or more But is not limited thereto.

즉, 전자주입층(174)내의 무기물은 제2전극(180)으로부터 발광층(170)으로 주입되는 전자의 호핑(hopping)을 용이하게 하여, 발광층내로 주입되는 정공과 전자의 밸런스를 맞추어 발광효율을 향상시킬 수 있다.That is, the inorganic material in the electron injection layer 174 facilitates hopping of electrons injected from the second electrode 180 into the light emitting layer 170, thereby balancing the holes and electrons injected into the light emitting layer, Can be improved.

또한, 정공주입층(171) 내의 무기물은 제1전극(160)으로부터 발광층(170)으로 주입되는 정공의 이동성을 줄여줌으로써, 발광층(170)내로 주입되는 정공과 전자의 밸런스를 맞추어 발광효율을 향상시킬 수 있다.The inorganic material in the hole injection layer 171 reduces the mobility of holes injected from the first electrode 160 into the light emitting layer 170 so as to balance the holes and electrons injected into the light emitting layer 170, .

여기서, 본 발명은 도 4에 한정되는 것은 아니며, 전자 주입층(174), 전자 수송층(173), 정공 수송층(172), 정공 주입층(171) 중 적어도 어느 하나가 생략될 수도 있다.Here, the present invention is not limited to FIG. 4, and at least one of the electron injection layer 174, the electron transport layer 173, the hole transport layer 172, and the hole injection layer 171 may be omitted.

한편, 본 발명에 따른 유기전계발광표시장치의 표시 패널에 배치된 서브 픽셀은 제1스캔 배선으로부터 공급된 제1스캔 신호에 의해 동일하게 턴온하는 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 제2스캔 배선으로부터 공급된 제2스캔 신호에 의해 턴온하는 제4스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터가 턴온되고 데이터 배선으로부터 데이터 신호가 공급되면 데이터 신호에 의해 문턱전압이 동시에 프로그래밍되는 제1 및 제2구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 또한, 제1 및 제2구동 트랜지스터에 동일한 데이터 전압을 공급하는 커패시터를 포함할 수 있다. 또한, 제1구동 트랜지스터가 턴온되고 제4스위칭 트랜지스터가 턴온되면 발광하는 유기 발광다이오드를 포함할 수 있다.Meanwhile, the subpixels disposed in the display panel of the organic light emitting display device according to the present invention may include first, second and third switching transistors which are turned on by the first scan signal supplied from the first scan wiring. Can be. The second switching transistor may further include a fourth switching transistor turned on by the second scan signal supplied from the second scan wiring. In addition, when the first, second, and third switching transistors are turned on and a data signal is supplied from the data line, the first, second, and third switching transistors may include first and second driving transistors simultaneously programmed by the data signal. In addition, the electronic device may include a capacitor supplying the same data voltage to the first and second driving transistors. The organic light emitting diode may include an organic light emitting diode that emits light when the first driving transistor is turned on and the fourth switching transistor is turned on.

한편, 앞서 설명한 제1 및 제2구동 트랜지스터는, 동일한 크기를 갖는 미러 트랜지스터일 수 있다. 그리고, 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터들은 p형일 수 있다.Meanwhile, the first and second driving transistors described above may be mirror transistors having the same size. In addition, the transistors included in the subpixel may be p-type.

여기서, 스캔 구동부는, 제1 및 제2구동 트랜지스터가 동시에 프로그래밍 되도록 제1스캔 배선에 제1스캔 신호를 공급하고, 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터가 턴온되는 구간에 제4스위칭 트랜지스터가 턴오프되도록 제2스캔 배선에 제2스캔 신호를 공급할 수 있다.Here, the scan driver supplies a first scan signal to the first scan wiring so that the first and second driving transistors can be programmed simultaneously, and the fourth switching transistor is provided in a section in which the first, second and third switching transistors are turned on. The second scan signal may be supplied to the second scan line to be turned off.

위의 설명에서 서브 픽셀 회로는 다음과 같이 구성될 수 있다.In the above description, the sub pixel circuit may be configured as follows.

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도이다.5 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to a first embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 서브 픽셀은, 데이터 배선(Data)에 일단이 연결되고 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터(T1)을 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 데이터 배선(Data)에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 데이터 배선(Data)에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 또한, 제2스캔 배선(Scan2)에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터(D1)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터(D2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1전원 배선(VDD)에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터(D1, D2)의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 또한, 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 5, the subpixel may include a first switching transistor T1 having one end connected to the data line Data and a gate connected to the first scan line Scan1. In addition, the second switching transistor T2 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the data line Data. In addition, a third switching transistor T3 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the data line Data. In addition, a fourth switching transistor T4 may include a gate connected to the second scan line Scan2 and one end connected to the other end of the third switching transistor T3. Also, a first driving transistor D1 having a gate connected to the other end of the first switching transistor T1, one end connected to the other end of the third switching transistor T3, and the other end connected to the first power supply line VDD. can do. Also, a second driving transistor D2 having a gate connected to the other end of the first switching transistor T1, one end connected to the other end of the second switching transistor T2, and the other end connected to the first power line VDD is included. can do. The capacitor C may include a capacitor C having one end connected to the first power line VDD and the other end connected to the gates of the first and second driving transistors D1 and D2 in common. The organic light emitting diode OLED may further include an organic light emitting diode OLED having a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor T4 and a second electrode connected to the second power line VSS.

이상과 같은 서브 픽셀 회로는 다음의 도 6과 같은 구동 파형에 의해 제1 및 제2 구동 트랜지스터의 문턱전압이 동시에 프로그래밍 되고 커패시터에 저장된 데이터 전압에 의해 제1구동 트랜지스터(D1)가 턴온되고 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴온되면 유기 발광다이오드(OLED)가 발광할 수 있다.In the sub-pixel circuit as described above, threshold voltages of the first and second driving transistors are programmed simultaneously by the driving waveform shown in FIG. 6, and the first driving transistor D1 is turned on by the data voltage stored in the capacitor, and the fourth driving transistor D1 is turned on. When the switching transistor T4 is turned on, the organic light emitting diode OLED may emit light.

도 6은 도 5에 도시된 서브 픽셀의 구동방법을 개략적으로 설명하기 위한 구동 파형도 이다. 설명의 이해를 돕기 위해 도 5를 함께 참조한다.FIG. 6 is a driving waveform diagram schematically illustrating a method of driving the subpixel illustrated in FIG. 5. See FIG. 5 together to help understand the description.

도 5 및 도 6을 참조하면, 스캔 구동부는 스캔 타임(Scan Time) 구간에 제1 및 제2스캔 신호(Scan1, Scan2)를 서브 픽셀에 공급할 수 있고 데이터 구동부는 데이터 신호를 서브 픽셀에 공급할 수 있다.5 and 6, the scan driver can supply the first and second scan signals Scan1 and Scan2 to the subpixel during the scan time period, and the data driver can supply the data signal to the subpixel. have.

여기서, 스캔 구동부는 제1스캔 신호(Scan1)로 로직 로우(Low) 신호를 공급하여 p형 트랜지스터인 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(T1..T3)를 턴온하고, 제2스캔 신호(Scan2)로 로직 하이(High) 신호를 공급하여 p형 트랜지스터인 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 턴오프할 수 있다.The scan driver supplies a logic low signal to the first scan signal Scan1 to turn on the first to third switching transistors T1 .. T3 that are p-type transistors, and the second scan signal Scan2. The fourth switching transistor T4, which is a p-type transistor, may be turned off by supplying a low logic high signal.

이 구간에서, 턴온된 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(T1..T3)를 통해 미러 트랜지스터인 제1 및 제2구동 트랜지스터(D1, D2)의 문턱전압은 동일한 조건으로 프로그래밍 되기 때문에 제1구동 트랜지스터(D1)와 제2구동 트랜지스터(D2) 간의 부정합이 나타나는 현상은 없어질 수 있다.In this period, the threshold voltages of the first and second driving transistors D1 and D2, which are mirror transistors, are turned on through the turned-on first to third switching transistors T1..T3, so that the first driving transistor is programmed under the same condition. The phenomenon in which mismatch between D1 and the second driving transistor D2 occurs can be eliminated.

이와 같은 상태에서, 유기 발광다이오드(OLED)는 제1구동 트랜지스터(D1)와 제4스위칭 트랜지스터(T4)가 턴오프 상태이므로 전류의 흐름이 없는 상태가 될 수 있다. 그리고, 커패시터(C)는 턴온된 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(T1..T3)을 통 해 제1 및 제2구동 트랜지스터(D1, D2)의 프로그래밍이 완료됨과 동시에 데이터 배선(Data)으로 공급된 데이터 신호를 데이터 전압으로 차징할 수 있다.In this state, the organic light emitting diode OLED may be in a state where no current flows because the first driving transistor D1 and the fourth switching transistor T4 are turned off. The capacitor C is supplied to the data line Data at the same time as programming of the first and second driving transistors D1 and D2 is completed through the turned-on first to third switching transistors T1 .. T3. The data signal can be charged with a data voltage.

다음, 프레임 타임(Frame Time) 구간에 스캔 구동부는 제1 및 제2스캔 신호(Scan1, Scan2)를 서브 픽셀에 공급할 수 있다.Next, the scan driver may supply the first and second scan signals Scan1 and Scan2 to the subpixel during the frame time period.

여기서, 스캔 구동부는 제1스캔 신호(Scan1)로 로직 하이(High) 신호를 공급하여 p형 트랜지스터인 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(T1..T3)를 턴오프하고, 제2스캔 신호(Scan2)로 로직 로우(Low) 신호를 공급하여 p형 트랜지스터인 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 턴온할 수 있다.The scan driver supplies a logic high signal to the first scan signal Scan1 to turn off the first to third switching transistors T1..T3 that are p-type transistors, and the second scan signal Scan2. The fourth switching transistor T4, which is a p-type transistor, may be turned on by supplying a logic low signal.

이 구간에서, 방전되는 커패시터(C)의 데이터 전압에 의해 제1구동 트랜지스터(D1)가 구동을 하게 되면 턴온된 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 통해 전류가 흐를 수 있다.In this period, when the first driving transistor D1 is driven by the data voltage of the discharged capacitor C, current may flow through the turned-on fourth switching transistor T4.

이와 같은 상태에서, 유기 발광다이오드(OLED)는 제1구동 트랜지스터(D1)의 게이트가 열리는 상태만큼 전류를 공급받게 되어 발광할 수 있다.In this state, the organic light emitting diode OLED may receive light as long as the gate of the first driving transistor D1 is opened.

한편, 이와 같은 일련의 구동방법에 각 서브 픽셀에 반복적으로 일어나게 됨으로써 표시패널은 원하는 영상을 구현할 수 있게 된다.On the other hand, by repeatedly occurring in each sub-pixel in such a series of driving method, the display panel can implement a desired image.

이하, 도 7 내지 도 11에 도시된 제2 내지 제6실시예 또한 도 6을 참조하여 설명한 것과 같은 구동방법으로 구동되나 서브 픽셀의 회로 구성이 다른 형태로 구성될 수 있음을 예시한다.Hereinafter, the second to sixth embodiments illustrated in FIGS. 7 to 11 are also driven by the same driving method as described with reference to FIG. 6, but the circuit configuration of the subpixel may be configured in other forms.

이하, 도시된 도면을 참조하여 제2 내지 제6실시예를 설명하되, 구동방법은 앞서 도 6을 참조하여 설명한 것과 동일한 방식을 사용하므로 이에 대한 설명은 생 략한다.Hereinafter, the second to sixth embodiments will be described with reference to the drawings, but the driving method uses the same method as described above with reference to FIG. 6, and thus description thereof will be omitted.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도이다.7 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to a second embodiment of the present invention.

도 7에 도시된 바와 같이, 서브 픽셀은 데이터 배선(Data)에 일단이 연결되고 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 데이터 배선(Data)에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 또한, 제2스캔 배선(Scan2)에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터(D1)을 포함할 수 있다. 또한, 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터(D2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1전원 배선(VDD)에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터(D1, D2)의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 또한, 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 7, the subpixel may include a first switching transistor T1 having one end connected to the data line Data and a gate connected to the first scan line Scan1. In addition, the second switching transistor T2 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the data line Data. In addition, a third switching transistor T3 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the other end of the second switching transistor T2. In addition, a fourth switching transistor T4 may include a gate connected to the second scan line Scan2 and one end connected to the other end of the third switching transistor T3. Also, a first driving transistor D1 having a gate connected to the other end of the first switching transistor T1, one end connected to the other end of the third switching transistor T3, and the other end connected to the first power supply line VDD. can do. Also, a second driving transistor D2 having a gate connected to the other end of the first switching transistor T1, one end connected to the other end of the second switching transistor T2, and the other end connected to the first power line VDD is included. can do. The capacitor C may include a capacitor C having one end connected to the first power line VDD and the other end connected to the gates of the first and second driving transistors D1 and D2 in common. The organic light emitting diode OLED may further include an organic light emitting diode OLED having a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor T4 and a second electrode connected to the second power line VSS.

도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도이다.8 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to a third embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 바와 같이, 서브 픽셀은 데이터 배선(Data)에 일단이 연결되고 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터(T1)을 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 또한, 제2스캔 배선(Scan2)에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 또한, 제2스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터(D1)을 포함할 수 있다. 또한, 제2스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 게이트가 연결되고 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터(D2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1전원 배선(VDD)에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터(D1, D2)의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 또한, 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 8, the subpixel may include a first switching transistor T1 having one end connected to the data line Data and a gate connected to the first scan line Scan1. In addition, a second switching transistor T2 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the other end of the first switching transistor T1. In addition, a third switching transistor T3 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the other end of the second switching transistor T2. In addition, a fourth switching transistor T4 may include a gate connected to the second scan line Scan2 and one end connected to the other end of the third switching transistor T3. Also, a first driving transistor D1 having a gate connected to the other end of the second switching transistor T2, one end connected to the other end of the third switching transistor T3, and the other end connected to the first power line VDD. can do. Also, a second driving transistor D2 having a gate connected to the other end of the second switching transistor T2, one end connected to the other end of the first switching transistor T1, and the other end connected to the first power line VDD is included. can do. The capacitor C may include a capacitor C having one end connected to the first power line VDD and the other end connected to the gates of the first and second driving transistors D1 and D2 in common. The organic light emitting diode OLED may further include an organic light emitting diode OLED having a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor T4 and a second electrode connected to the second power line VSS.

도 9는 본 발명의 제4실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도이다.9 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to a fourth embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 바와 같이, 서브 픽셀은 데이터 배선(Data)에 일단이 연결되고 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터(T)의 타단에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 또한, 제2스캔 배선(Scan2)에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터(D1)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터(D2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1전원 배선(VDD)에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터(D1, D2)의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 또한, 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 9, the subpixel may include a first switching transistor T1 having one end connected to the data line Data and a gate connected to the first scan line Scan1. In addition, a second switching transistor T2 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the other end of the first switching transistor T1. In addition, a third switching transistor T3 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the other end of the second switching transistor T. In addition, a fourth switching transistor T4 may include a gate connected to the second scan line Scan2 and one end connected to the other end of the third switching transistor T3. Also, a first driving transistor D1 having a gate connected to the other end of the first switching transistor T1, one end connected to the other end of the third switching transistor T3, and the other end connected to the first power supply line VDD. can do. Also, a second driving transistor D2 having a gate connected to the other end of the first switching transistor T1, one end connected to the other end of the second switching transistor T2, and the other end connected to the first power line VDD is included. can do. The capacitor C may include a capacitor C having one end connected to the first power line VDD and the other end connected to the gates of the first and second driving transistors D1 and D2 in common. The organic light emitting diode OLED may further include an organic light emitting diode OLED having a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor T4 and a second electrode connected to the second power line VSS.

도 10은 본 발명의 제5실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도이다.10 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to a fifth embodiment of the present invention.

도 10에 도시된 바와 같이, 서브 픽셀은 데이터 배선(Data)에 일단이 연결되고 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 제1스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 또한, 제2스캔 배선(Scan2)에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터(D1)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터(D2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1전원 배선(VDD)에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터(D1, D2)의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 또한, 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 10, the subpixel may include a first switching transistor T1 having one end connected to the data line Data and a gate connected to the first scan line Scan1. In addition, a second switching transistor T2 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the other end of the first switching transistor T1. In addition, a third switching transistor T3 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the other end of the first switching transistor T2. In addition, a fourth switching transistor T4 may include a gate connected to the second scan line Scan2 and one end connected to the other end of the third switching transistor T3. Also, a first driving transistor D1 having a gate connected to the other end of the first switching transistor T1, one end connected to the other end of the third switching transistor T3, and the other end connected to the first power supply line VDD. can do. Also, a second driving transistor D2 having a gate connected to the other end of the first switching transistor T1, one end connected to the other end of the second switching transistor T2, and the other end connected to the first power line VDD is included. can do. The capacitor C may include a capacitor C having one end connected to the first power line VDD and the other end connected to the gates of the first and second driving transistors D1 and D2 in common. The organic light emitting diode OLED may further include an organic light emitting diode OLED having a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor T4 and a second electrode connected to the second power line VSS.

도 11은 본 발명의 제6실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도이다.11 is a circuit diagram illustrating a subpixel according to a sixth embodiment of the present invention.

도 11에 도시된 바와 같이, 서브 픽셀은, 데이터 배선(Data)에 일단이 연결되고 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결된 제1스위칭 트랜지스터(T1)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 데이터 배선(Data)에 일단이 연결된 제2스위칭 트랜지스터(T2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스캔 배선(Scan1)에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 일단이 연결된 제3스위칭 트랜지스터(T3)를 포함할 수 있다. 또한, 제2스캔 배선(Scan2)에 게이트 가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결된 제4스위칭 트랜지스터(T4)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 게이트가 연결되고 제3스위칭 트랜지스터(T3)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제1구동 트랜지스터(D1)를 포함할 수 있다. 또한, 제1스위칭 트랜지스터(T1)의 타단에 게이트가 연결되고 제2스위칭 트랜지스터(T2)의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선(VDD)에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터(D2)를 포함할 수 있다. 또한, 제1전원 배선(VDD)에 일단이 연결되고 제1 및 제2구동 트랜지스터(D1, D2)의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터(C)를 포함할 수 있다. 또한, 제4스위칭 트랜지스터(T4)의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선(VSS)에 제2전극이 연결된 유기 발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다.As illustrated in FIG. 11, the subpixel may include a first switching transistor T1 having one end connected to the data line Data and a gate connected to the first scan line Scan1. In addition, the second switching transistor T2 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the data line Data. In addition, a third switching transistor T3 may include a gate connected to the first scan line Scan1 and one end connected to the other end of the second switching transistor T2. In addition, a fourth switching transistor T4 may include a gate connected to the second scan line Scan2 and one end connected to the other end of the third switching transistor T3. Also, a first driving transistor D1 having a gate connected to the other end of the first switching transistor T1, one end connected to the other end of the third switching transistor T3, and the other end connected to the first power supply line VDD. can do. Also, a second driving transistor D2 having a gate connected to the other end of the first switching transistor T1, one end connected to the other end of the second switching transistor T2, and the other end connected to the first power line VDD is included. can do. The capacitor C may include a capacitor C having one end connected to the first power line VDD and the other end connected to the gates of the first and second driving transistors D1 and D2 in common. The organic light emitting diode OLED may further include an organic light emitting diode OLED having a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor T4 and a second electrode connected to the second power line VSS.

이상 각 실시예에서 설명한 본 발명은 동일한 크기의 미러 트랜지스터를 갖는 서브 픽셀을 제공하여 문턱전압과 전류 이동도에 편차가 발생하지 않도록 문턱전압을 동시에 프로그래밍할 수 있는 전류 구동형 유기전계발광표시장치를 제공하는 효과가 있다. 이에 따라, 유기전계발광표시장치는 미러 트랜지스터 간의 부정합에 의한 오차를 줄일 수 있고 프로그래밍하는 전류를 스케일 다운하는 효과뿐만 아니라 서브 픽셀에서 트랜지스터가 차지하는 비중을 줄일 수 있는 서브 픽셀 구조를 제공하는 효과가 있다.The present invention described in the above embodiments provides a subpixel having mirror transistors having the same size, and provides a current-driven organic light emitting display device capable of simultaneously programming threshold voltages so that no deviation occurs in threshold voltages and current mobility. It is effective to provide. Accordingly, the organic light emitting display device can reduce the error caused by mismatch between the mirror transistors, scale down the programming current, and provide a sub pixel structure that can reduce the specific gravity of the transistor in the sub pixel. .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술 적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although the embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, the above-described technical configuration of the present invention may be embodied by those skilled in the art to which the present invention pertains without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be appreciated that the present invention may be practiced as. Therefore, the embodiments described above are to be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. In addition, the scope of the present invention is indicated by the following claims rather than the detailed description. Also, all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included within the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계발광표시장치의 개략적인 평면도.1 is a schematic plan view of an organic light emitting display according to an embodiment of the present invention.

도 2a는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 단면 예시도.FIG. 2A is an exemplary cross-sectional view of the subpixel shown in FIG. 1; FIG.

도 2b는 도 1에 도시된 서브 픽셀의 다른 단면 예시도.FIG. 2B is another cross-sectional exemplary view of the subpixel shown in FIG. 1; FIG.

도 3a내지 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 유기전계발광표시장치에서 컬러 영상을 구현하는 실시예들을 나타내는 도면.3A to 3B illustrate embodiments of implementing a color image in an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광다이오드의 계층 구조도.4 is a hierarchical structure view of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도.5 is a circuit diagram of a subpixel according to a first embodiment of the present invention;

도 6은 도 5에 도시된 서브 픽셀의 구동방법을 개략적으로 설명하기 위한 구동 파형도.FIG. 6 is a driving waveform diagram schematically illustrating a method of driving the subpixel illustrated in FIG. 5.

도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도.7 is a circuit diagram of a subpixel according to a second embodiment of the present invention;

도 8은 본 발명의 제3실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도.8 is a circuit diagram of a subpixel according to a third embodiment of the present invention;

도 9는 본 발명의 제4실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도.9 is a circuit configuration diagram of a subpixel according to the fourth embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제5실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도.10 is a circuit diagram of a subpixel according to a fifth embodiment of the present invention;

도 11은 본 발명의 제6실시예에 따른 서브 픽셀의 회로 구성도.Fig. 11 is a circuit diagram of a subpixel according to the sixth embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS

110: 기판 120: 표시부110: substrate 120: display unit

130: 밀봉기판 140: 접착부재130: sealing substrate 140: adhesive member

150: 구동부 P: 서브 픽셀150: driver P: subpixel

Claims (10)

제1스캔 배선으로부터 공급된 제1스캔 신호에 의해 동일하게 턴온하는 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터와, 제2스캔 배선으로부터 공급된 제2스캔 신호에 의해 턴온하는 제4스위칭 트랜지스터와, 상기 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터가 턴온되고 데이터 배선으로부터 데이터 신호가 공급되면 상기 데이터 신호에 의해 문턱전압이 동시에 프로그래밍되는 제1 및 제2구동 트랜지스터와, 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터에 동일한 데이터 전압을 공급하는 커패시터와, 상기 제1구동 트랜지스터가 턴온되고 상기 제4스위칭 트랜지스터가 턴온되면 발광하는 유기 발광다이오드를 포함하는 서브 픽셀;First, second and third switching transistors that are turned on in the same manner by the first scan signal supplied from the first scan wiring, fourth switching transistors turned on by the second scan signal supplied from the second scan wiring, First and second driving transistors in which threshold voltages are simultaneously programmed by the data signal when the first, second and third switching transistors are turned on and a data signal is supplied from a data line; A subpixel including a capacitor supplying the same data voltage to the organic light emitting diode and an organic light emitting diode emitting light when the first driving transistor is turned on and the fourth switching transistor is turned on; 상기 제1 및 제2스캔 배선에 상기 제1 및 제2스캔 신호를 공급하는 스캔 구동부; 및A scan driver configured to supply the first and second scan signals to the first and second scan wirings; And 상기 데이터 배선에 상기 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함하는 유기전계발광표시장치.And a data driver for supplying the data signal to the data line. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터는,The first and second driving transistors, 동일한 크기를 갖는 미러 트랜지스터인 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device which is a mirror transistor having the same size. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스캔 구동부는,The scan driver, 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터가 동시에 프로그래밍 되도록 상기 제1스캔 배선에 상기 제1스캔 신호를 공급하고, 상기 제1, 제2 및 제3스위칭 트랜지스터가 턴온되는 구간에 상기 제4스위칭 트랜지스터가 턴오프되도록 상기 제2스캔 배선에 상기 제2스캔 신호를 공급하는 유기전계발광표시장치.The first scan signal is supplied to the first scan wiring so that the first and second driving transistors are simultaneously programmed, and the fourth switching transistor is turned on in a period where the first, second and third switching transistors are turned on. And an organic light emitting display for supplying the second scan signal to the second scan line so as to be turned off. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서브 픽셀은,The sub- 상기 데이터 배선에 일단이 연결되고 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 상기 제1스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 데이터 배선에 일단이 연결된 상기 제2스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 데이터 배선에 일단이 연결된 상기 제3스위칭 트랜지스터와, 상기 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제4스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 상기 제1구동 트랜지스터와, 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 상기 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 상기 제1전원 배선에 일단이 연결되고 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 상기 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 상기 유기 발광다이오드를 포함하는 유기전계발광표시장치.The first switching transistor having one end connected to the data line and the gate connected to the first scan line, the second switching transistor having a gate connected to the first scan line and one end connected to the data line, A third switching transistor having a gate connected to one scan wiring and one end connected to the data wiring, a fourth switching transistor having a gate connected to the second scan wiring and one end connected to the other end of the third switching transistor; A gate connected to the other end of the first switching transistor, one end connected to the other end of the third switching transistor, and a gate connected to the other end of the first switching transistor; One end is connected to the other end of the second switching transistor and the other power line is connected to the first power line. The connected second driving transistor, a capacitor having one end connected to the first power line and the other end connected to the gate of the first and second driving transistors in common, and a first electrode connected to the other end of the fourth switching transistor. And the organic light emitting diode having a second electrode connected to a second power line. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서브 픽셀은,The sub- 상기 데이터 배선에 일단이 연결되고 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 상기 제1스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 데이터 배선에 일단이 연결된 상기 제2스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제3스위칭 트랜지스터와, 상기 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제4스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 상기 제1구동 트랜지스터와, 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 상기 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 상기 제1전원 배선에 일단이 연결되고 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 상기 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 상기 유기 발광다이오드를 포함하는 유기전계발광표시장치.The first switching transistor having one end connected to the data line and the gate connected to the first scan line, the second switching transistor having a gate connected to the first scan line and one end connected to the data line, The third switching transistor having a gate connected to one scan line and having one end connected to the other end of the second switching transistor, and the fourth having a gate connected to the second scan wiring and one end connected to the other end of the third switching transistor A switching transistor, the first driving transistor having a gate connected to the other end of the first switching transistor, one end connected to the other end of the third switching transistor, and the other end connected to a first power line, and the other end of the first switching transistor The gate is connected to one end of the second switching transistor, A second driving transistor having the other end connected to the first power line, a capacitor having one end connected to the first power line and having the other end connected to the gate of the first and second driving transistors in common, and the other end of the fourth switching transistor. An organic light emitting display device comprising: the organic light emitting diode having a first electrode connected thereto and a second electrode connected to a second power line. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서브 픽셀은,The sub- 상기 데이터 배선에 일단이 연결되고 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 상기 제1스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제2스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제3스위칭 트랜지스터와, 상기 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제4스위칭 트랜지스터와, 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 상기 제1구동 트랜지스터와, 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 상기 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 상기 제1전원 배선에 일단이 연결되고 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 상기 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 상기 유기 발광다이오드를 포함하는 유기전계발광표시장치.The first switching transistor having one end connected to the data line and the gate connected to the first scan line, and the second switching transistor having a gate connected to the first scan line and one end connected to the other end of the first switching transistor. And a third switching transistor having a gate connected to the first scan wiring and having one end connected to the other end of the second switching transistor, and a gate connected to the second scan wiring and having one end connected to the other end of the third switching transistor. The fourth switching transistor connected to the second driving transistor, a gate connected to the other end of the second switching transistor, one end connected to the other end of the third switching transistor, and the other end connected to a first power line, and the second driving transistor; A gate is connected to the other end of the switching transistor and one end of the other end of the first switching transistor is connected. A second driving transistor connected to the first power line and having a second end connected to the first power line, a first end connected to the first power line, and a capacitor connected at the other end to a gate of the first and second driving transistors in common; And an organic light emitting diode having a first electrode connected to the other end of the transistor and a second electrode connected to the second power line. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서브 픽셀은,The sub- 상기 데이터 배선에 일단이 연결되고 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 상기 제1스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제2스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제3스위칭 트랜지스터와, 상기 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제4스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 상기 제1구동 트랜지스터와, 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 상기 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 상기 제1전원 배선에 일단이 연결되고 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 상기 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 상기 유기 발광다이오드를 포함하는 유기전계발광표시장치.The first switching transistor having one end connected to the data line and the gate connected to the first scan line, and the second switching transistor having a gate connected to the first scan line and one end connected to the other end of the first switching transistor. And a third switching transistor having a gate connected to the first scan wiring and having one end connected to the other end of the second switching transistor, and a gate connected to the second scan wiring and having one end connected to the other end of the third switching transistor. The fourth switching transistor connected to the first driving transistor, a gate connected to the other end of the first switching transistor, one end connected to the other end of the third switching transistor, and the other end connected to a first power line, and the first driving transistor; A gate is connected to the other end of the switching transistor and once at the other end of the second switching transistor. A second driving transistor connected to the first power line and the other end connected to the first power line, a first end connected to the first power line, and a capacitor connected to the gate of the first and second driving transistors in common and the fourth switching circuit And an organic light emitting diode having a first electrode connected to the other end of the transistor and a second electrode connected to the second power line. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서브 픽셀은,The sub- 상기 데이터 배선에 일단이 연결되고 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 상기 제1스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제2스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결 된 상기 제3스위칭 트랜지스터와, 상기 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제4스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 상기 제1구동 트랜지스터와, 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 상기 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 상기 제1전원 배선에 일단이 연결되고 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 상기 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 상기 유기 발광다이오드를 포함하는 유기전계발광표시장치.The first switching transistor having one end connected to the data line and the gate connected to the first scan line, and the second switching transistor having a gate connected to the first scan line and one end connected to the other end of the first switching transistor. And a third switching transistor having a gate connected to the first scan line and having one end connected to the other end of the first switching transistor, and a gate connected to the second scan wiring and once at the other end of the third switching transistor. The fourth switching transistor connected to the first switching transistor, the first driving transistor having a gate connected to the other end of the first switching transistor, one end connected to the other end of the third switching transistor, and the other end connected to a first power supply wiring; A gate is connected to the other end of the first switching transistor and once at the other end of the second switching transistor. A second driving transistor connected to the first power line and having a second end connected to the first power line, a first end connected to the first power line, and a capacitor connected at the other end to a gate of the first and second driving transistors in common; And an organic light emitting diode having a first electrode connected to the other end of the transistor and a second electrode connected to the second power line. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 서브 픽셀은,The sub- 상기 데이터 배선에 일단이 연결되고 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결된 상기 제1스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 데이터 배선에 일단이 연결된 상기 제2스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제3스위칭 트랜지스터와, 상기 제2스캔 배선에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결된 상기 제4스위칭 트랜지스터와, 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제3스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결 되며 제1전원 배선에 타단이 연결된 상기 제1구동 트랜지스터와, 상기 제1스위칭 트랜지스터의 타단에 게이트가 연결되고 상기 제2스위칭 트랜지스터의 타단에 일단이 연결되며 상기 제1전원 배선에 타단이 연결된 제2구동 트랜지스터와, 상기 제1전원 배선에 일단이 연결되고 상기 제1 및 제2구동 트랜지스터의 게이트에 타단이 공통으로 연결된 커패시터와, 상기 제4스위칭 트랜지스터의 타단에 제1전극이 연결되고 제2전원 배선에 제2전극이 연결된 상기 유기 발광다이오드를 포함하는 유기전계발광표시장치.The first switching transistor having one end connected to the data line and the gate connected to the first scan line, the second switching transistor having a gate connected to the first scan line and one end connected to the data line, The third switching transistor having a gate connected to one scan line and having one end connected to the other end of the second switching transistor, and the fourth having a gate connected to the second scan wiring and one end connected to the other end of the third switching transistor A switching transistor, the first driving transistor having a gate connected to the other end of the first switching transistor, one end connected to the other end of the third switching transistor, and the other end connected to a first power line, and the other end of the first switching transistor The gate is connected to one end of the second switching transistor, A second driving transistor having the other end connected to the first power line, a capacitor having one end connected to the first power line and having the other end connected to the gate of the first and second driving transistors in common, and the other end of the fourth switching transistor. An organic light emitting display device comprising: the organic light emitting diode having a first electrode connected thereto and a second electrode connected to a second power line. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,10. The method according to any one of claims 1 to 9, 상기 서브 픽셀에 포함된 트랜지스터들은,The transistors included in the sub- p형 트랜지스터인 유기전계발광표시장치.An organic light emitting display device which is a p-type transistor.
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