KR101355777B1 - Prepreg, laminate, printed wiring board, and semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명에 관한 프리프레그는 스트랜드에 의해 구성되는 섬유 직포에 수지 조성물을 함침시켜서 이루어지는 프리프레그(40)이다. 또, 본 발명에 관한 프리프레그에서 상기 스트랜드 중에는 실리카 입자가 존재한다. 이것에 의해, 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성이 뛰어난 프리프레그를 얻을 수 있다. 또, 상기 프리프레그 및/또는 상기 프리프레그를 사용해 제조한 금속 부착 적층판을 사용하여 프린트 배선판 및 반도체 장치를 제조할 수 있다.The prepreg which concerns on this invention is the prepreg 40 formed by impregnating a resin composition in the fiber woven fabric comprised by strand. In the prepreg according to the present invention, silica particles are present in the strand. Thereby, the prepreg excellent in the impregnation of the resin composition with respect to a fiber woven fabric can be obtained. Moreover, a printed wiring board and a semiconductor device can be manufactured using the said prepreg and / or the laminated board with metal manufactured using the said prepreg.

Description

프리프레그, 적층판, 프린트 배선판 및 반도체 장치{PREPREG, LAMINATE, PRINTED WIRING BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}Prepregs, laminates, printed wiring boards and semiconductor devices {PREPREG, LAMINATE, PRINTED WIRING BOARD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE}

본 발명은 프리프레그, 적층판, 프린트 배선판 및 반도체 장치에 관한 것이다.
The present invention relates to prepregs, laminates, printed wiring boards and semiconductor devices.

최근, 전자기기의 고기능화 등의 요구에 수반해 전자 부품의 고밀도 집적화, 또한 고밀도 실장화 등이 진행되고 있다. 이 때문에, 이들에 사용되는 고밀도 실장 대응의 프린트 배선판은 회로 배선의 미세화 및 스루홀 및 비어 구멍의 축소화가 요구되고 있다. Background Art In recent years, with the demand for higher functionality of electronic devices, higher density integration and higher density mounting of electronic components have been advanced. For this reason, the printed wiring boards corresponding to the high density mounting used for these are required to miniaturize the circuit wiring and to reduce the through holes and via holes.

스루홀 및 비어 구멍은 드릴이나, 탄산 가스 레이저 등의 레이저를 사용해 형성되지만, 특히 소경의 구멍 뚫기에는 레이저가 사용된다. 레이저에 의한 구멍 뚫기 가공에서는 구멍을 형성하는 절연층 벽면의 요철이 클수록, 구멍 지름이나 형상이 흐트러지기 쉬워 가공의 정밀도가 저하해 버린다. Through-holes and via holes are formed using a drill or a laser such as a carbon dioxide laser. In particular, lasers are used to drill small diameter holes. In the punching process by a laser, the larger the unevenness | corrugation of the insulating-layer wall surface which forms a hole, the more easily a hole diameter and a shape become distorted, and the precision of a process will fall.

프린트 배선판의 절연층은 프리프레그를 1매 또는 복수매 포개어 겹친 것을 가열 가압함으로써 형성할 수 있다. 프리프레그는 일반적으로, 열경화성 수지를 주성분으로 하는 수지 조성물을 용제에 함유시켜서 이루어지는 바니시를 유리 클로스 등의 기재에 함침시켜, 이것을 가열 건조시킴으로써 제작된다. 레이저 가공에 의해 구멍을 형성하는 절연층 벽면 중, 기재 부분과 수지 조성물 부분에서 레이저에 의한 용융성에 차이가 있다. 이 때문에, 기재의 밀도가 작아 눈이 성기면 구멍 지름, 형상이 흐트러지기 쉬워지는 경향이 있다. 한편, 눈이 막힌 고밀도의 기재를 사용함으로써, 절연층의 레이저에 의한 구멍 뚫기 가공성을 향상시킬 수 있다(특허 문헌 1, 2).The insulating layer of a printed wiring board can be formed by heat-pressing what laminated | stacked one or multiple sheets of prepreg. The prepreg is generally produced by impregnating a varnish formed by containing a resin composition containing a thermosetting resin in a solvent in a substrate such as glass cloth and heating and drying it. There exists a difference in meltability by a laser in a base material part and a resin composition part among the insulating-layer wall surfaces which form a hole by laser processing. For this reason, the density of a base material is small, and there exists a tendency for a hole diameter and a shape to be disturbed easily when a snow is genital. On the other hand, by using the high-density base material with an eye blocked, the punching workability by the laser of an insulating layer can be improved (patent document 1, 2).

또, 프린트 배선판 위로의 부품 실장의 고밀도화에 대응하기 위해서, 프린트 배선판의 열팽창에 의한 휨을 작게 해 접속 신뢰성을 확보하는 것이 요구되고 있다. 반도체 장치(반도체 패키지)는 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재해서 이루어지지만, 반도체 소자는 열팽창율이 3~6ppm/℃으로 일반적인 반도체 패키지용 프린트 배선판의 열팽창율보다 작다. 이 때문에, 반도체 패키지에 열충격이 가해졌을 때에 반도체 소자와 반도체 패키지용 프린트 배선판의 열팽창율 차이에 의해 반도체 패키지에 휨이 발생해 버리는 경우가 있다. 이 경우, 반도체 소자와 반도체 패키지용 프린트 배선판의 사이나, 반도체 패키지와 실장되는 프린트 배선판의 사이에 접속 불량이 발생하는 일이 있다.Moreover, in order to cope with the high density of component mounting on a printed wiring board, the curvature by thermal expansion of a printed wiring board is reduced, and securing connection reliability is calculated | required. A semiconductor device (semiconductor package) is formed by mounting a semiconductor element on a printed wiring board, but the semiconductor element has a thermal expansion rate of 3 to 6 ppm / 占 폚, which is smaller than that of a general printed circuit board for semiconductor packages. For this reason, when a thermal shock is applied to a semiconductor package, curvature may generate | occur | produce in a semiconductor package by the difference in the thermal expansion rate of a semiconductor element and the printed wiring board for semiconductor packages. In this case, a connection failure may occur between a semiconductor element and the printed wiring board for semiconductor packages, or between the semiconductor package and the printed wiring board mounted.

열팽창율이 작은 절연성 재료를 절연층에 사용함으로써, 프린트 배선판의 열팽창에 의한 휨을 작게 할 수 있다. 절연성 재료가 되는 프리프레그를 저선팽창화하기 위해서, 프리프레그의 제조에 사용되는 수지 조성물로서 무기 충전재를 고충전화시킨 것이 사용되고 있다(특허 문헌 3).
By using the insulating material with a small thermal expansion coefficient for an insulating layer, the curvature by the thermal expansion of a printed wiring board can be made small. In order to low-expansion the prepreg used as an insulating material, what filled the inorganic filler with high filling as a resin composition used for manufacture of a prepreg is used (patent document 3).

일본 특개 2001-38836호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2001-38836 일본 특개 2000-22302호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-22302 일본 특개 2009-138075호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2009-138075

그렇지만, 고밀도의 기재를 사용해 프리프레그를 제작하면 기재에 대한 수지 조성물의 함침성이 뒤떨어져, 특히 충전재를 다량으로 함유한 수지 조성물에서는 충전재가 기재의 섬유 사이로 비집고 들어갈 수 없기 때문에 수지 조성물의 함침이 곤란해진다. 또, 함침성을 향상시키기 위해서, 예를 들면 충전재의 함유량의 저감 등을 실시했을 경우 프리프레그가 갖는 다른 여러 특성을 유지하는 것이 곤란해지는 일이 있다.However, prepreg fabrication using a high density substrate is poor in impregnation of the resin composition with respect to the substrate, and particularly in resin compositions containing a large amount of filler, impregnation of the resin composition is difficult because the filler cannot enter through the fibers of the substrate. Become. In addition, in order to improve the impregnation, for example, when the content of the filler is reduced, it may be difficult to maintain various other properties of the prepreg.

본 발명은 상기 문제점을 해소하기 위해 이루어진 것이며, 본 발명의 목적은 프리프레그가 갖는 여러 특성을 유지하면서, 섬유 직포에 대한 열경화성 수지 조성물의 함침성이 뛰어난 프리프레그를 제공하는 것이다. 또, 본 발명의 목적은 상기 프리프레그를 사용한 금속 부착 적층판, 또한 이들을 사용해 얻어진 프린트 배선판 및 반도체 장치를 제공하는 것이다.
This invention is made | formed in order to solve the said problem, The objective of this invention is providing the prepreg excellent in the impregnation of the thermosetting resin composition with respect to a fiber woven fabric, maintaining the various characteristic which a prepreg has. Moreover, the objective of this invention is providing the laminated board with a metal using the said prepreg, the printed wiring board obtained using these, and a semiconductor device.

본 발명에 따르면 스트랜드에 의해 구성되는 섬유 직포에 수지 조성물을 함침시켜서 이루어지는 프리프레그로서, 상기 스트랜드 중에 실리카 입자가 존재하는 프리프레그가 제공된다.According to the present invention, there is provided a prepreg obtained by impregnating a fiber composition composed of strands with a resin composition, wherein a prepreg having silica particles in the strands is provided.

본 발명에 따르면 프리프레그가 갖는 여러 특성을 유지하면서, 섬유 직포에 대한 열경화성 수지 조성물의 함침성이 뛰어난 프리프레그를 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a prepreg excellent in impregnation of the thermosetting resin composition with respect to a fiber woven fabric while maintaining various properties of the prepreg.

또, 본 발명에 따르면 상기 프리프레그 및/또는 상기 프리프레그를 사용해 제조한 금속 부착 적층판을 사용하여 프린트 배선판 및 반도체 장치를 제조할 수 있다.
Moreover, according to this invention, a printed wiring board and a semiconductor device can be manufactured using the said prepreg and / or the laminated board with metal manufactured using the said prepreg.

앞서 말한 목적 및 그 외의 목적, 특징 및 이점은 이하에 기재하는 바람직한 실시 형태 및 그것에 부수하는 이하의 도면에 의해 더욱 분명해진다.
도 1은 본 발명의 금속 부착 적층판의 제조 방법의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 본 발명의 금속 부착 적층판의 제조 방법의 다른 일례를 나타내는 개략도이다.
도 3은 실시예 1에서 얻어진 프리프레그의 단면도의 사진이다.
도 4는 비교예 4에서 얻어진 프리프레그의 단면도의 사진이다.
도 5는 실시예 1에서 얻어진 금속 부착 적층판의 동박을 전면 에칭한 표면의 사진이다.
도 6은 비교예 6에서 얻어진 금속 부착 적층판의 동박을 전면 에칭한 표면의 사진이다.
도 7은 도 6에서 관찰된 보이드의 확대도의 SEM 사진이다.
도 8은 도 7에서 관찰된 보이드의 단면의 확대도의 SEM 사진이다.
도 9는 실시예 1에서 얻어진 프리프레그의 섬유 직포를 구성하는 스트랜드의 일부를 나타내는 단면도의 SEM 사진이다.
도 10은 실시예 1에서 얻어진 프리프레그의 섬유 직포를 구성하는 스트랜드의 일부를 나타내는 단면도의 SEM 사진이다.
도 11은 실시예 1에서 얻어진 프리프레그의 섬유 직포를 구성하는 스트랜드의 일부를 나타내는 단면도의 SEM 사진이다.
도 12는 실시예 1에서 얻어진 프리프레그의 섬유 직포를 구성하는 스트랜드의 일부를 나타내는 단면도의 SEM 사진이다.
The foregoing and other objects, features, and advantages will become more apparent from the preferred embodiments described below and the accompanying drawings attached thereto.
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram which shows an example of the manufacturing method of the laminated plate with a metal of this invention.
It is a schematic diagram which shows another example of the manufacturing method of the laminated plate with a metal of this invention.
3 is a photograph of a cross-sectional view of a prepreg obtained in Example 1. FIG.
4 is a photograph of a cross-sectional view of a prepreg obtained in Comparative Example 4. FIG.
It is a photograph of the surface which etched the copper foil of the laminated sheet with a metal obtained in Example 1 in the whole surface.
It is a photograph of the surface which etched the copper foil of the laminated plate with metal obtained by the comparative example 6 in full surface.
FIG. 7 is an SEM photograph of an enlarged view of the voids observed in FIG. 6.
FIG. 8 is an SEM photograph of an enlarged view of a cross section of the void observed in FIG. 7. FIG.
9 is a SEM photograph of a cross-sectional view showing a part of the strands forming the fiber woven fabric of the prepreg obtained in Example 1. FIG.
10 is a SEM photograph of a cross-sectional view showing a part of the strands constituting the fiber woven fabric of the prepreg obtained in Example 1. FIG.
11 is a SEM photograph of a cross-sectional view showing a part of the strands constituting the fiber woven fabric of the prepreg obtained in Example 1. FIG.
12 is a SEM photograph of a cross-sectional view showing a portion of the strand constituting the fiber woven fabric of the prepreg obtained in Example 1. FIG.

이하에, 본 발명의 프리프레그, 금속 부착 적층판, 프린트 배선판 및 반도체 장치에 대해서 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the prepreg of this invention, the laminated board with a metal, a printed wiring board, and a semiconductor device are demonstrated in detail.

1. 프리프레그1. Prepreg

본 발명의 프리프레그는 스트랜드에 의해 구성되는 섬유 직포에 수지 조성물을 함침시켜서 이루어지는 프리프레그이다. 또, 섬유 직포를 구성하는 스트랜드 중에는 실리카 입자가 존재한다. 또한, 스트랜드란, 섬유 직포를 구성하는 섬유의 다발이다. 스트랜드를 후술하는 방직 구조가 되도록 엮음으로써, 섬유 직포가 형성된다.The prepreg of this invention is a prepreg formed by impregnating a resin composition in the fiber woven fabric comprised by strand. Moreover, silica particle exists in the strand which comprises a fiber woven fabric. In addition, a strand is a bundle of the fiber which comprises a fiber woven fabric. A fiber woven fabric is formed by weaving a strand so that it may become the textile structure mentioned later.

본 발명자는 스트랜드 중에 실리카 입자가 존재하도록 프리프레그를 형성했을 경우, 프리프레그가 갖는 여러 특성을 유지하면서 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성을 향상시킬 수 있는 것을 알아냈다. 여기서, 여러 특성이란, 예를 들면 후술하는 프린트 배선판의 절연 신뢰성, 프리프레그의 레이저 가공성 또는 프리프레그의 저열팽창성 등이다. The present inventors found that when the prepreg is formed so that silica particles are present in the strand, the impregnability of the resin composition to the fiber woven fabric can be improved while maintaining various properties of the prepreg. Here, various characteristics are the insulation reliability of the printed wiring board mentioned later, the laser workability of a prepreg, the low thermal expansion property of a prepreg, etc., for example.

섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성이 양호한 경우, 얻어진 프리프레그에 보이드가 발생하는 것을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 상기 프리프레그를 절연층에 사용한 프린트 배선판에서 절연 신뢰성의 향상을 도모할 수 있다. When the impregnation property of the resin composition with respect to a fiber woven fabric is favorable, it can suppress that a void generate | occur | produces in the obtained prepreg. Thereby, insulation reliability can be improved in the printed wiring board which used the said prepreg for the insulating layer.

또, 고밀도의 섬유 직포를 사용한 경우에도 높은 함침성을 얻을 수 있다. 이 때문에, 고밀도의 섬유 직포를 사용하여 레이저 가공성이 뛰어난 프리프레그를 형성할 수 있다. Moreover, high impregnation property can be obtained also when a high-density fiber woven fabric is used. For this reason, the prepreg excellent in laser workability can be formed using a high density fiber woven fabric.

또한, 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성을 향상시킴으로써, 섬유 직포 내에 충전재를 고충전하는 것이 가능해진다. 이 때문에, 프리프레그의 저열팽창화를 도모할 수 있다. 이것에 의해, 상기 프리프레그를 절연층에 사용한 프린트 배선판에 휨이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 반도체 장치에서의 접속 신뢰성을 향상시키는 것이 가능해진다.Moreover, it becomes possible to high-fill a filler in a fiber woven fabric by improving the impregnation property of the resin composition with respect to a fiber woven fabric. For this reason, the low thermal expansion of a prepreg can be aimed at. Thereby, it can suppress that a curvature generate | occur | produces in the printed wiring board which used the said prepreg for the insulating layer. Therefore, it becomes possible to improve the connection reliability in a semiconductor device.

프리프레그를 구성하는 수지 조성물은 적어도 열경화성 수지 및 충전재를 포함하는 열경화성 수지 조성물(이하, 단순히 「수지 조성물」로 칭하는 일이 있다)이다. The resin composition constituting the prepreg is a thermosetting resin composition (hereinafter, simply referred to as a "resin composition") containing at least a thermosetting resin and a filler.

프리프레그를 구성하는 수지 조성물은, 예를 들면 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자를 충전재의 1~20질량%의 비율로 함유하고 있는 것이 바람직하다. 본 발명자는 다량의 충전재를 함유하는 수지 조성물을 고밀도의 섬유 직포에 함침시켜 얻어진 프리프레그여도, 상기 충전재에 1~20질량%의 비율로 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자를 함유시킴으로써, 수지 조성물의 함침성이 양호해지는 것을 알아냈다. 이것은 상기 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자가 섬유 직포의 섬유 사이, 즉 스트랜드 내로 비집고 들어가 섬유 사이를 넓히기 때문에, 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자 이외의 충전재도 섬유 직포로 비집고 들어갈 수 있게 되기 때문이라고 생각된다. 이와 같이, 평균 입경 5~100nm의 나노 사이즈의 실리카 입자를 충전재로 사용함으로써, 스트랜드 중에 실리카 입자를 갖는 프리프레그를 얻을 수 있다. It is preferable that the resin composition which comprises a prepreg contains the silica particle of 5-100 nm of average particle diameters, for example in the ratio of 1-20 mass% of a filler. MEANS TO SOLVE THE PROBLEM Even if it is the prepreg obtained by impregnating the resin composition containing a large amount of filler in a high-density fiber woven fabric, this filler contains the silica particle of an average particle diameter of 5-100 nm in the ratio of 1-20 mass% of a resin composition. It was found that the impregnation became good. This is because the silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm are entangled between fibers of the fiber woven fabric, i.e., the strands, and the fibers are widened, so that fillers other than the silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm can be squeezed into the fiber fabric. I think. Thus, the prepreg which has a silica particle in a strand can be obtained by using the silica particle of the nanosize of an average particle diameter of 5-100 nm as a filler.

또, 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자의 표면 전위와 그 외의 충전재의 표면 전위의 서로 다름으로 인해, 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자와 상기 충전재가 상호작용에 의해 끌어당길 수 있다. 이 때문에, 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자가 상기 충전재의 주위에 존재하게 되어 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자가 스페이서적인 작용을 갖는다. 이와 같이, 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자가 상기 충전재의 주위에 존재하여 스페이서로 작용함으로써, 상기 충전재의 반데르발스력에 의한 끌어당기는 힘을 저감시켜, 응집을 방지한다. 이것에 의해, 상기 충전재가 보다 고분산 상태가 되어 유동성의 저하를 방지할 수 있다. Moreover, due to the difference between the surface potential of the silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm and the surface potential of the other fillers, the silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm and the filler can be attracted by interaction. For this reason, silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm are present around the filler, and silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm have a spacer effect. As described above, silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm are present around the filler to act as spacers, thereby reducing the pulling force due to van der Waals force of the filler and preventing aggregation. Thereby, the said filler becomes a high dispersion state and can prevent the fall of fluidity | liquidity.

상기 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자는 미리 유기용매에 분산된 슬러리로 하여 사용하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 충전재의 분산성을 향상시킬 수 있어 그 외의 충전재를 사용했을 때에 발생하는 유동성의 저하를 억제할 수 있다. 이 이유는 다음과 같이 생각된다. 우선, 나노 사이즈의 실리카와 같은 나노 사이즈의 입자는 응집하기 쉬워 수지 조성물에 배합할 때에 2차 응집체 등을 형성해 버리는 것이 많지만, 슬러리상인 것을 사용함으로써, 이와 같은 2차 응집을 방지할 수 있고, 그것에 의해 유동성이 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또, 본 발명에 사용되는 충전재는 응집 방지 및 분산성을 높이기 위해, 미리 표면 처리가 실시되는 것이 바람직하다. It is preferable to use the said silica particle of average particle diameter 5-100 nm as a slurry previously disperse | distributed to the organic solvent. Thereby, the dispersibility of a filler can be improved and the fall of the fluidity which arises when using other filler can be suppressed. This reason is considered as follows. First, nano-sized particles such as nano-sized silica tend to aggregate and often form secondary aggregates when blended into a resin composition, but such secondary aggregation can be prevented by using a slurry. This can prevent the fluidity from being lowered. Moreover, it is preferable that the filler used for this invention is surface-treated beforehand in order to improve aggregation prevention and dispersibility.

또한, 본 발명에서 고밀도의 섬유 직포란, 실을 박아 넣는 개수를 올릴 뿐만 아니라, 섬유 1개 1개를 균질하게 고개섬화하여, 편평화에 의해 두께를 저감시키는 등의 처리를 한 섬유 직포를 의미한다. 고밀도의 섬유 직포는, 예를 들면 부피 밀도가 1.05g/cm3 이상이다. 이것에 의해, 보다 더 섬유 1개 1개의 사이에 수지 조성물을 함침시킬 수 있기 때문에, 충전재의 고충전화를 더욱 도모할 수 있다. 나아가서는, 섬유 직포 위의 수지량을 충분히 확보할 수 있기 때문에, 프리프레그 위에 동박을 적층하고 동장(銅張) 적층판으로 할 때, 또는 동장 적층판의 표면의 평활화시의 성형성을 유지할 수 있다.In addition, in the present invention, the high-density fiber woven fabric means a fiber woven fabric which is treated not only to increase the number of yarns, but also to uniformly open one fiber and reduce the thickness by flattening. do. High-density fiber woven fabrics have a bulk density of at least 1.05 g / cm 3 , for example. Thereby, since the resin composition can be impregnated further by one fiber, the high filling of a filler can further be aimed at. Furthermore, since the amount of resin on a fiber woven fabric can be sufficiently secured, the moldability at the time of laminating | stacking copper foil on a prepreg to make a copper clad laminated board, or the smoothing of the surface of a copper clad laminated board can be maintained.

이와 같이, 본 발명의 프리프레그는 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성이 양호하기 때문에 보이드의 발생이 적다. 또, 수지 조성물 중에 다량의 충전재가 함유되어 있기 때문에, 저열팽창성이며 본 발명의 프리프레그를 사용해 얻어진 프린트 배선판은 휨이 작다. 또한, 본 발명에서 프리프레그의 열팽창성이란, 프리프레그를 경화시킨 상태에서의 열팽창성을 의미한다. As described above, the prepreg of the present invention is less likely to generate voids because the impregnation of the resin composition to the fiber woven fabric is good. Moreover, since a large amount of filler is contained in a resin composition, the printed wiring board obtained by using the prepreg of this invention with low thermal expansion is small in curvature. In addition, in this invention, thermal expansion property of a prepreg means the thermal expansion property in the state which hardened the prepreg.

또, 본 발명의 프리프레그는 충전재를 고충전화시킴으로써, 내열성이 뛰어나며 고강성이다. 또한 본 발명의 프리프레그를 구성하는 섬유 직포의 부피 밀도는 1.05~1.30g/cm3인 것이 바람직하다. 부피 밀도가 1.05~1.30g/cm3로 고밀도의 섬유 직포를 사용함으로써, 프린트 배선판의 절연층으로 사용했을 때에 레이저 가공에 의한 구멍 지름 및 형상의 정밀도가 좋고, 또한 섬유의 돌출을 억제한 구멍을 형성할 수 있다.Moreover, the prepreg of this invention is excellent in heat resistance and high rigidity by high filling a filler. Moreover, it is preferable that the bulk density of the fiber woven fabric which comprises the prepreg of this invention is 1.05-1.30 g / cm <3> . By using a high-density fiber woven fabric with a bulk density of 1.05 to 1.30 g / cm 3 , the hole diameter and shape accuracy by laser processing are good when used as an insulating layer of a printed wiring board, Can be formed.

또, 일반적으로 충전재를 다량으로 함유한 수지 조성물을 사용해 얻어진 프리프레그는 기재에 대한 수지 조성물의 함침성이 악화되는 것으로부터, 기재가 수지 조성물을 균일한 두께로 유지하는 것이 어렵고, 상기 프리프레그를 절연층에 사용해 프린트 배선판을 작성할 때에, 상기 절연층이 표면 평활성이나 도체층과의 밀착성이 뒤떨어져, 미세 배선 가공이 곤란하다는 문제점이 있다. 이것은 프리프레그를 박형화시키면 더욱 악화되는 경향이 있다. 한편, 본 발명의 프리프레그는 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성이 양호하기 때문에, 섬유 직포가 수지 조성물을 균일한 두께로 유지할 수 있어 표면 평활성이나 도체층과의 밀착성이 양호하고, 또한 박형화에도 대응 가능하다. 또, 본 발명의 프리프레그는 충전재를 다량으로 함유한 수지 조성물을 사용함으로써, 고내열성, 고강성이 된다.Moreover, in general, the prepreg obtained by using the resin composition containing a large amount of filler deteriorates the impregnation of the resin composition with respect to a base material, and it is difficult for a base material to hold a resin composition at a uniform thickness, and the said prepreg When creating a printed wiring board for use in an insulating layer, there is a problem that the insulating layer is inferior in surface smoothness and adhesion to a conductor layer, and thus fine wiring processing is difficult. This tends to get worse when the prepreg is thinned. On the other hand, since the prepreg of the present invention has good impregnation of the resin composition with respect to the fiber woven fabric, the fiber woven fabric can maintain the resin composition at a uniform thickness, and the surface smoothness and adhesion with the conductor layer are good, It is possible. Moreover, the prepreg of this invention becomes high heat resistance and high rigidity by using the resin composition containing a large amount of filler.

우선, 본 발명에 사용되는 섬유 직포에 대해서 설명한다.First, the fiber woven fabric used for this invention is demonstrated.

본 발명에 사용되는 섬유 직포로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 유리 섬유, 아라미드, 폴리에스테르, 방향족 폴리에스테르, 불소 수지 등의 합성 섬유, 금속 섬유, 카본 섬유, 광물 섬유 등으로 이루어진 섬유 직포를 들 수 있다. 이 중에서도, 저열팽창성, 고강성이며, 치수 안정성이 뛰어난 것으로부터, 유리 섬유로 이루어진 유리 섬유 직포가 바람직하다.Although it does not specifically limit as a fiber woven fabric used for this invention, For example, the fiber woven fabric which consists of synthetic fiber, such as glass fiber, aramid, polyester, aromatic polyester, fluororesin, metal fiber, carbon fiber, mineral fiber, etc. Can be mentioned. Among these, the glass fiber woven fabric which consists of glass fiber is preferable because it is low thermal expansion property, high rigidity, and is excellent in dimensional stability.

상기 유리 섬유는 특별히 한정되지 않지만, 적어도 SiO2를 50질량%~100질량%, Al2O3를 0질량%~30질량%, CaO를 0질량%~30질량%의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 특히 T 유리(「S 유리」로 칭해지는 경우도 있다), D 유리, E 유리, NE 유리, 석영 유리로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 유리를 사용해서 이루어지는 것이 바람직하고, 이 중에서도, T 유리(S 유리), 석영 유리, D 유리가 보다 바람직하며, 저열팽창성이 뛰어나 고강도인 점에서, T 유리(S 유리), 석영 유리가 더욱 바람직하다.The glass fiber is not particularly limited, but preferably contains at least SiO 2 of 50 mass% to 100 mass%, Al 2 O 3 0% by mass to 30% by weight, CaO in a proportion of from 0% by mass to 30% by weight Especially, it is preferable to use at least 1 sort (s) of glass chosen from the group which consists of T glass (it may be called "S glass"), D glass, E glass, NE glass, and quartz glass, Among these, , T glass (S glass), quartz glass, and D glass are more preferable, and T glass (S glass) and quartz glass are more preferable at the point which is excellent in low thermal expansion property and is high strength.

또한, 본 발명에서 T 유리(S 유리)란, SiO2를 62질량%~65질량%, Al2O3를 20질량%~25질량%, CaO를 0질량%~0.01질량%, MgO를 10질량%~15질량%, B2O3를 0질량%~0.01질량%, Na2O 및 K2O를 합해서 0질량%~1질량%의 비율로 함유하는 조성의 유리이고, D 유리란, SiO2를 72질량%~76질량%, Al2O3를 0질량%~5질량%, CaO를 0질량%~1질량%, MgO를 0질량%~1질량%, B2O3를 20질량%~25질량%, Na2O 및 K2O를 합해서 3질량%~5질량%의 비율로 함유하는 조성의 유리이며, E 유리란, SiO2를 52질량%~56질량%, Al2O3를 12질량%~16질량%, CaO를 15질량%~25질량%, MgO를 0질량%~6질량%, B2O3를 5질량%~10질량%, Na2O 및 K2O를 합해서 0~0.8질량%의 비율로 함유하는 조성의 유리이고, NE 유리란, SiO2를 52질량%~56질량%, Al2O3를 10질량%~15질량%, CaO를 0질량%~10질량%, MgO를 0질량%~5질량%, B2O3를 15질량%~20질량%, Na2O 및 K2O를 합해서 0질량%~1질량%, TiO2를 0.05질량%~5질량%의 비율로 함유하는 조성의 유리이며, 석영 유리란, SiO2를 99.0질량%~100질량%의 비율로 함유하는 조성의 유리이다.Further, in the present invention, T glass (S glass) is, SiO 2 of 62 mass% to 65 mass%, Al 2 O 3 to 20 mass% to 25 mass%, CaO 0 wt.% To 0.01 mass%, the MgO 10 % by mass to 15% by weight, B 2 O 3 0% by mass to 0.01% by mass, the glass of the composition Altogether the Na 2 O and K 2 O contained in an amount of 0% by mass to 1% by weight, D glass column, 72% by mass to 76% by mass of SiO 2 , 0% by mass to 5% by mass of Al 2 O 3 , 0% by mass to 1% by mass of CaO, 0% to 1% by mass of MgO, and B 2 O 3 to 20 mass% to 25 mass%, Na 2 O and a glass of the following composition containing K 2 O in a ratio of rolled 3% by mass to 5% by weight, E glass is 52% by mass to 56% by weight of SiO 2, Al 2 O 3 12% by mass to 16% by weight, CaO 15% by mass to 25% by weight, 0% by mass to 6% by weight MgO, B 2 O 3 5% by mass to 10% by weight, Na 2 O and K 2 Altogether the O and the glass of the following composition containing a proportion of 0 to 0.8% by weight, NE glass is, SiO 2 of 52 mass% to 56 mass%, Al 2 O 3 to 10 mass% to 15 mass%, CaO 0 wt % To 10 %, The MgO 0% by mass to 5% by weight, B 2 O 3 to 15 mass% to 20 mass%, Na 2 O and 1-5 K 2 O a rolled 0% by mass to 1% by weight, 0.05% by weight of TiO 2 the glass of the following composition containing a ratio of mass%, a silica glass is a glass of the following composition containing SiO 2 in a proportion of 99.0% by mass to 100% by weight.

상기 유리 섬유는 특별히 한정되지 않지만, 판상으로 했을 때의 영률(Young's modulus)이 50~100GPa, 판상으로 했을 때의 인장 강도가 25GPa 이상, 섬유 직포로 했을 때의 긴 방향의 인장 강도가 30N/25mm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 판상으로 했을 때의 영률이 80~100GPa, 판상으로 했을 때의 인장 강도가 35GPa 이상, 섬유 직포로 했을 때의 긴 방향의 인장 강도가 45N/25mm 이상이다. 이것에 의해, 치수 안정성이 뛰어난 프리프레그를 얻을 수 있다. 또한, 상기 영률은 JIS R1602에 준거하여 일반적으로 사용되는 공지된 3점 굽힘 시험기에 의해 측정되는 값이고, 상기 인장 강도는 JIS R3420에 준거하여 일반적으로 사용되는 공지된 정속 신장형 인장 시험기에 의해 측정되는 값이며, 상기 긴 방향의 인장 강도는 JIS R3420에 준거하고, 유리 섬유를 직포로 하여 상기와 같은 정속 신장형 인장 시험기에 의해 측정되는 값이다.Although the said glass fiber is not specifically limited, The tensile strength of the Young's modulus at the time of plate shape is 50-100 GPa, the tensile strength at the time of plate shape is 25 GPa or more, and the tensile strength of the long direction when the fiber woven fabric is 30 N / 25mm. It is preferable that it is more than the above, More preferably, the Young's modulus at the time of plate shape is 80-100 GPa, The tensile strength at the time of plate shape is 35 GPa or more, and the tensile strength of the long direction when it is made into a fiber woven fabric is 45 N / 25 mm or more. Thereby, the prepreg excellent in dimensional stability can be obtained. In addition, the Young's modulus is a value measured by a known three-point bending tester generally used in accordance with JIS R1602, and the tensile strength is measured by a known constant speed extension type tensile tester generally used in accordance with JIS R3420. The tensile strength of the said long direction is a value measured by the constant speed elongation type tensile tester as mentioned above based on JISR3420, and using glass fiber as a woven fabric.

또한, 상기 영률의 측정 및 상기 인장 강도의 측정에 있어서, 「판상」이란, 유리 섬유와 동일한 조성의 유리 조성물을 두께 0.5~1.0mm의 유리판으로 한 상태를 의미한다. 또, 상기 긴 방향의 인장 강도의 측정에 대해 「긴 방향」이란, 경사(날실) 방향을 의미한다.In addition, in the measurement of the said Young's modulus and the measurement of the said tensile strength, "plate shape" means the state which made the glass composition of the composition similar to glass fiber into the glass plate of thickness 0.5-1.0 mm. Moreover, about the measurement of the tensile strength of the said long direction, a "long direction" means the diagonal (warp) direction.

상기 유리 섬유는 특별히 한정되지 않지만, JIS R3102에 준거해 측정되는 날실 방향의 열팽창 계수가 10ppm/℃ 이하인 것이 바람직하고, 특히 3ppm/℃ 이하인 것이 바람직하다. 이것에 의해 프린트 배선판의 열팽창에 의한 휨을 작게 할 수 있다.Although the said glass fiber is not specifically limited, It is preferable that the thermal expansion coefficient of the warp direction measured according to JIS R3102 is 10 ppm / degrees C or less, and it is especially preferable that it is 3 ppm / degrees C or less. Thereby, the curvature by the thermal expansion of a printed wiring board can be made small.

상기 섬유 직포의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10~200㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10~140㎛이며, 더욱 바람직하게는 20~90㎛이다. 이것에 의해, 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성이 양호해져, 박형화에도 대응 가능해진다.Although the thickness of the said fiber woven fabric is not specifically limited, It is preferable that it is 10-200 micrometers, More preferably, it is 10-140 micrometers, More preferably, it is 20-90 micrometers. Thereby, the impregnation of the resin composition with respect to a fiber woven fabric becomes favorable, and it becomes possible to respond to thickness reduction.

상기 섬유 직포의 부피 밀도는 1.05~1.30g/cm3인 것이 바람직하고, 특히 1.10~1.25g/cm3인 것이 바람직하다. 부피 밀도가 상기 하한값 미만이면 절연층의 레이저 가공성이 뒤떨어지고, 상기 상한값을 넘으면 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성이 악화된다. 또한, 섬유 직포의 부피 밀도의 조정은 경사와 횡사를 박아 넣는 개수와 개섬·편평처리한 섬유의 두께를 조정함으로써 실시한다.It is preferable that the bulk density of the said fiber woven fabric is 1.05-1.30g / cm <3> , and it is especially preferable that it is 1.10-1.25g / cm <3> . If the bulk density is less than the lower limit, the laser workability of the insulating layer is inferior. If the bulk density is exceeded, the impregnation of the resin composition with respect to the fiber woven fabric is deteriorated. In addition, adjustment of the bulk density of a fiber woven fabric is performed by adjusting the number of in which a warp and a horizontal thread are infiltrated, and the thickness of the fiber which it opened and flattened.

상기 섬유 직포는 특별히 한정되지 않지만, 통기도가 1~80cc/cm2/sec인 것이 바람직하고, 3~50cc/cm2/sec인 것이 특히 바람직하다. 통기도가 상기 하한값 미만이면 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성이 악화되고, 상기 상한값을 넘으면 절연층의 레이저 가공성이 뒤떨어진다.The fibrous web is not particularly limited, but it is particularly preferred air permeability is from 1 to preferably a 80cc / cm 2 / sec, and 3 ~ 50cc / cm 2 / sec . If air permeability is less than the said lower limit, the impregnation property of the resin composition with respect to a fiber woven fabric will worsen, and if it exceeds the said upper limit, the laser workability of an insulating layer will be inferior.

상기 섬유 직포는 특별히 한정되지 않지만, 평량이 10~160g/m2인 것이 바람직하고, 15~130g/m2인 것이 특히 바람직하다. 평량이 상기 하한값 미만이면 프리프레그의 저열팽창성이 뒤떨어지고, 상기 상한값을 넘으면 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성이 악화되거나 절연층의 레이저 가공성이 뒤떨어지거나 한다.The fibrous web is not particularly limited, but it is particularly preferred basis weight of 10 ~ 160g / m 2 is preferable, and the 15 ~ 130g / m 2. When the basis weight is less than the lower limit, the low thermal expansion property of the prepreg is inferior. When the basis weight is exceeded, the impregnability of the resin composition to the fiber woven fabric is deteriorated or the laser workability of the insulating layer is inferior.

또, 상기 섬유 직포에 사용되는 섬유는 특별히 한정되지 않지만, 편평률이 1:2~1:50인 것이 바람직하고, 1:5~1:30인 것이 특히 바람직하다. 섬유 직포에 사용되는 섬유의 편평률을 상기 범위 내로 함으로써, 상기 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성·습윤성이 더욱 뛰어나기 때문에 스루홀간의 절연 신뢰성을 향상 및 절연층의 레이저 가공성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서 편평률이란, 실의 두께:실의 폭으로 표현되는 값이다.Moreover, although the fiber used for the said fiber woven fabric is not specifically limited, It is preferable that flatness is 1: 2-1: 50, It is especially preferable that it is 1: 5-1: 30. By carrying out the flatness of the fiber used for a fiber woven fabric in the said range, since the impregnation and wettability of the resin composition with respect to the said fiber woven fabric are more excellent, the insulation reliability between through-holes can be improved and the laser workability of an insulating layer can be improved. . In addition, in this invention, a flat rate is a value represented by thickness of a thread: width of a thread.

또, 상기 섬유 직포의 방직 구조는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 평직, 어자직(魚子織), 주자직, 능직 등의 방직 구조 등을 들 수 있고, 이 중에서도 레이저 가공성, 강도, 비어 구멍의 층간 절연 신뢰성이 뛰어난 점에서, 평직 구조가 바람직하다.Moreover, although the textile structure of the said fiber woven fabric is not specifically limited, For example, textile structures, such as a plain weave, aza weave, a runner weave, a twill weave, etc. are mentioned, Among these, laser workability, strength, and a hole hole are mentioned. A plain weave structure is preferable at the point which is excellent in interlayer insulation reliability.

다음으로, 본 발명에 사용되는 열경화성 수지 조성물에 대해서 설명한다. Next, the thermosetting resin composition used for this invention is demonstrated.

본 발명에 사용되는 열경화성 수지 조성물은 적어도 열경화성 수지 및 충전재를 포함한다. 상기 충전재는 상기 열경화성 수지 조성물의 고형분의 50~85질량%의 비율로 함유된다. 또, 상기 열경화성 수지 조성물은 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자를 상기 충전재의 1~20질량%의 비율로 함유한다. 또한 상기 열경화성 수지 조성물은 필요에 따라서, 경화제, 커플링제 등을 더 포함하고 있어도 된다.The thermosetting resin composition used for this invention contains at least a thermosetting resin and a filler. The said filler is contained in the ratio of 50-85 mass% of solid content of the said thermosetting resin composition. Moreover, the said thermosetting resin composition contains the silica particle of average particle diameter 5-100 nm in the ratio of 1-20 mass% of the said filler. Moreover, the said thermosetting resin composition may further contain a hardening | curing agent, a coupling agent, etc. as needed.

(충전재) (filling)

상기 충전재는 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자를 상기 충전재 전체의 1~20질량%의 비율로 함유한다. The filler contains silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm in a proportion of 1 to 20% by mass of the whole filler.

상기 실리카 입자로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 VMC(Vaporized Metal Combustion)법, PVS(Physical Vapor Synthesis)법 등의 연소법, 파쇄 실리카를 화염 용융하는 용융법, 침강법, 겔법 등의 방법에 의해 제조한 것을 사용할 수 있다. 이들 중에서도 VMC법이 특히 바람직하다. 상기 VMC법이란, 산소 함유 가스 중에서 형성시킨 화학염 중에 실리콘 분말을 투입해 연소시킨 후, 냉각함으로써, 실리카 미립자를 형성시키는 방법이다. 상기 VMC법에서는 투입하는 실리콘 분말의 입자 지름, 투입량, 화염 온도 등을 조정함으로써, 얻어진 실리카 미립자의 입자 지름을 조정할 수 있다. 또, 상기 실리카 입자로는 NSS-5N(토쿠야마(주) 제), Sicastar43-00-501(Micromod사 제) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.Although it does not specifically limit as said silica particle, For example, by the combustion method, such as the VMC (Vaporized Metal Combustion) method, PVS (Physical Vapor Synthesis) method, the melting method of flame-melting crushed silica, the sedimentation method, the gel method, etc. What was manufactured can be used. Among these, VMC method is especially preferable. The VMC method is a method of forming silica fine particles by adding silicon powder into a chemical salt formed in an oxygen-containing gas and burning it, followed by cooling. In the said VMC method, the particle diameter of the silica fine particle obtained can be adjusted by adjusting the particle diameter, injection amount, flame temperature, etc. of the silicon powder to introduce | pour. Moreover, as said silica particle, commercial items, such as NSS-5N (made by Tokuyama Corporation) and Sicastar43-00-501 (made by Micromod), can also be used.

상기 평균 입경 5~100nm 실리카 입자는 함침성의 점에서, 특히 평균 입경 10~75nm인 것이 특히 바람직하다. 실리카 입자의 평균 입자 지름이 5nm 미만에서는 섬유 직포의 섬유 사이를 넓히지 못하고, 또 100nm보다 큰 경우는 섬유 사이로 비집고 들어갈 수 없는 경우가 있다고 생각된다.It is especially preferable that the said average particle diameters 5-100 nm silica particle is an average particle diameter 10-75 nm especially from an impregnation point. When the average particle diameter of a silica particle is less than 5 nm, it is thought that it may not spread between the fibers of a fiber woven fabric, and when larger than 100 nm, it may not be able to squeeze into between fibers.

상기 실리카 입자의 평균 입경은, 예를 들면 레이저 회절 산란법 및 동적 광 산란법 등에 의해 측정할 수 있다. 상기 평균 입경 5~100nm 실리카 입자의 경우는 입자를 수중에서 초음파에 의해 분산시켜 동적 광 산란식 입도 분포 측정 장치(HORIBA제, LB-550)에 의해 입자의 입도 분포를 체적 기준으로 측정하고, 그 메디안 지름(D50)을 평균 입경으로 한다.The average particle diameter of the said silica particle can be measured by a laser diffraction scattering method, a dynamic light scattering method, etc., for example. In the case of the silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm, the particles are dispersed by ultrasonic waves in water and the particle size distribution of the particles is measured on a volume basis by a dynamic light scattering particle size distribution measuring apparatus (manufactured by HORIBA, LB-550). Let median diameter (D50) be an average particle diameter.

또, 상기 실리카 입자는 특별히 한정되지 않지만, 소수성인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 실리카 입자의 응집을 억제할 수 있어 본 발명의 수지 조성물 중에 실리카 입자를 양호하게 분산시킬 수 있다. 또, 열경화성 수지와 실리카 입자의 친화성이 향상되어 상기 열경화성 수지와 상기 실리카 입자의 표면의 밀착성이 향상되기 때문에, 기계 강도가 뛰어난 절연층을 얻을 수 있다.Moreover, the said silica particle is not specifically limited, It is preferable that it is hydrophobic. Thereby, aggregation of a silica particle can be suppressed and a silica particle can be disperse | distributed favorably in the resin composition of this invention. Moreover, since the affinity of a thermosetting resin and a silica particle improves, and the adhesiveness of the surface of the said thermosetting resin and a said silica particle improves, the insulating layer excellent in mechanical strength can be obtained.

실리카 입자를 소수성으로 하는 방법으로는, 예를 들면 실리카 입자를 미리 관능기 함유 실란류 및/또는 알킬실라잔류로 표면 처리하는 방법 등을 들 수 있다. 상기 관능기 함유 실란류로는 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들면 에폭시실란, 아미노실란, 비닐실란, 아크릴실란, 머캅토실란, 이소시아네이트실란, 설피드실란, 우레이드실란 등을 들 수 있다. 상기 알킬실라잔류로는, 예를 들면 헥사메틸디실라잔(HMDS), 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실라잔, 옥타메틸트리실라잔, 헥사메틸시클로트리실라잔 등을 들 수 있다. 또, 실리카 입자에 상기 표면 처리를 함으로써, 충전재의 응집 방지 및 분산성을 높이는 효과도 발휘한다.As a method of making a silica particle hydrophobic, the method of surface-treating a silica particle with functional group containing silanes and / or alkylsilazane beforehand, etc. are mentioned, for example. As the functional group-containing silanes, known ones can be used, and examples thereof include epoxy silane, amino silane, vinyl silane, acrylic silane, mercapto silane, isocyanate silane, sulfide silane and ureide silane. Examples of the alkylsilazanes include hexamethyldisilazane (HMDS), 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisilazane, octamethyltrisilazane, and hexamethylcyclotri Silazane and the like. Moreover, the said surface treatment is given to a silica particle, and also the effect of preventing aggregation of a filler and dispersibility is exhibited.

상기 실리카 입자에 미리 표면 처리하는 관능기 함유 실란류 및/또는 알킬실라잔류의 양은 특별히 한정하지 않지만, 상기 실리카 입자 100중량부에 대해서 0.01중량부 이상, 5중량부 이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 0.1중량부 이상, 3중량부 이하가 바람직하다. 관능기 함유 실란류 및/또는 알킬실라잔류의 함유량이 상기 상한값을 넘으면 프린트 배선판 제조시에 절연층에 크랙이 들어가는 경우가 있고, 상기 하한값 미만이면 수지 성분과 실리카 입자의 결합력이 저하되는 경우가 있다.Although the quantity of the functional group containing silanes and / or alkylsilazanes which surface-treat on the said silica particle beforehand is not specifically limited, It is preferable that they are 0.01 weight part or more and 5 weight part or less with respect to 100 weight part of said silica particles. More preferably, 0.1 weight part or more and 3 weight part or less are preferable. When content of functional group containing silane and / or alkyl silazane exceeds the said upper limit, a crack may enter into an insulating layer at the time of manufacture of a printed wiring board, and if it is less than the said lower limit, the bonding force of a resin component and a silica particle may fall.

상기 실리카 입자를 미리 관능기 함유 실란류 및/또는 알킬실라잔류로 표면 처리하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 습식 방식 또는 건식 방식이 바람직하다. 특히 바람직하게는 습식 방식이 바람직하다. 습식 방식이 건식 방식과 비교했을 경우, 상기 실리카 입자의 표면에 균일하게 처리할 수 있다. Although the method of surface-treating the said silica particle with functional group containing silanes and / or alkylsilazane beforehand is not specifically limited, A wet system or a dry system is preferable. Especially preferably, a wet system is preferable. When the wet method is compared with the dry method, the surface of the silica particles can be treated uniformly.

또, 상기 표면 처리는 비표면적의 50% 이상으로 실시하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable to perform the said surface treatment in 50% or more of a specific surface area.

상기 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자는 충전재 전체의 1~20질량%의 비율로 함유된다. 함유량이 상기 하한값 미만이면 함침성을 향상시키는 효과가 불충분해지고, 함유량이 상기 상한값을 넘으면 반대로 함침성의 악화나, 프리프레그의 성형성이 뒤떨어질 우려가 있다. 또한, 상기 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자의 함유량은 충전재 전체의 3~15질량%인 것이 보다 바람직하다.The said silica particle of the average particle diameter of 5-100 nm is contained in the ratio of 1-20 mass% of the whole filler. If content is less than the said lower limit, the effect of improving impregnation will become inadequate, and if content exceeds the said upper limit, conversely, impregnation may deteriorate and the moldability of a prepreg may be inferior. Moreover, it is more preferable that content of the silica particle of the said average particle diameter of 5-100 nm is 3-15 mass% of the whole filler.

본 발명에 사용되는 충전재는 상기 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자 외에 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 탈크, 소성 클레이, 미소성 클레이, 운모, 유리 등의 규산염, 산화 티탄, 알루미나, 평균 입경이 100nm보다 큰 실리카 입자 등의 산화물, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 히드로탈사이트 등의 탄산염, 수산화 알루미늄, 베마이트(AlO(OH), 「모조」베마이트로 통상 불리는 베마이트(즉, Al2O3·xH2O, 여기서, x=1 내지 2)), 수산화 마그네슘, 수산화 칼슘 등의 금속 수산화물, 황산 바륨, 황산 칼슘, 아황산 칼슘 등의 황산염 또는 아황산염, 붕산 아연, 메타붕산 바륨, 붕산 알루미늄, 붕산 칼슘, 붕산 나트륨 등의 붕산염, 질화 알루미늄, 질화 붕소, 질화 규소, 질화 탄소 등의 질화물, 티탄산스트론튬, 티탄산바륨 등의 티탄산염 등의 무기 충전재를 함유할 수 있다. 상기 무기 충전재는 이들 중의 1종류를 단독으로 사용할 수도 있고, 2종류 이상을 병용할 수도 있다. 이들 중에서도 수산화 마그네슘, 수산화 알루미늄, 베마이트, 평균 입경이 100nm보다 큰 구상 실리카 입자, 탈크, 소성 탈크, 알루미나가 바람직하고, 저열팽창성, 함침성의 점에서 특히 베마이트, 평균 입경이 100nm보다 큰 구상 실리카 입자, 구상 알루미나가 바람직하다.The filler used in the present invention is not particularly limited to silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm, but, for example, silicates such as talc, calcined clay, unbaked clay, mica, glass, titanium oxide, alumina, and average particle diameter are 100 nm. Oxides such as larger silica particles, carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate, hydrotalcite, aluminum hydroxide, boehmite (AlO (OH), boehmite commonly referred to as "imitation" boehmite (i.e., Al 2 O 3 xH 2 O, where x = 1 to 2)), metal hydroxides such as magnesium hydroxide and calcium hydroxide, sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite, zinc borate, barium metaborate, aluminum borate and calcium borate And inorganic fillers such as borate salts such as sodium borate, aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, nitrides such as carbon nitride, and titanates such as strontium titanate and barium titanate. . The said inorganic filler may be used individually by 1 type, and may use two or more types together. Among these, magnesium hydroxide, aluminum hydroxide, boehmite, spherical silica particles having an average particle diameter of more than 100 nm, talc, calcined talc, and alumina are preferable, and spherical silica having a particularly good boehmite and an average particle diameter of more than 100 nm in terms of low thermal expansion and impregnation. Particles and spherical alumina are preferable.

전술한 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자 이외의 무기 충전재(이하, 「그 외의 무기 충전재」로 칭하는 일이 있다)로는 특별히 한정되지 않지만, 평균 입경이 단분산인 무기 충전재를 사용할 수도 있고, 평균 입경이 다분산인 무기 충전재를 사용할 수도 있다. 또한 평균 입경이 단분산 및/또는 다분산인 무기 충전재를 1종류 또는 2종류 이상 병용할 수도 있다. 본 발명에서 평균 입경이 단분산이라는 것은 입경의 표준 편차가 10% 이하인 것을 의미하고, 다분산이라는 것은 입경의 표준 편차가 10% 이상인 것을 의미한다. Although it does not specifically limit as inorganic fillers other than the silica particle of the average particle diameter of 5-100 nm mentioned above (Hereinafter, it may be called "other inorganic filler."), The inorganic filler whose average particle diameter is monodisperse can also be used, and an average particle diameter This polydisperse inorganic filler can also be used. Moreover, you may use together one type or two types or more of inorganic fillers whose average particle diameter is monodispersion and / or polydispersion. In the present invention, the average particle diameter means monodispersion means that the standard deviation of the particle size is 10% or less, and polydispersion means that the standard deviation of the particle size is 10% or more.

상기 그 외의 무기 충전재의 평균 입경은 특별히 한정되지 않지만, 0.1㎛~5.0㎛가 바람직하고, 특히 0.1㎛~3.0㎛가 바람직하다. 그 외의 무기 충전재의 입경이 상기 하한값 미만이면 수지 조성물의 점도가 높아지기 때문에, 프리프레그 제작시 작업성에 영향을 주는 경우가 있다. 또, 상기 상한값을 넘으면 수지 조성물 중에서 무기 충전재의 침강 등의 현상이 일어나는 경우가 있다. 또한, 평균 입경은 레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치(시마즈 제작소 SALD-7000 등의 일반적인 기기)를 사용해 측정할 수 있다.Although the average particle diameter of the said other inorganic filler is not specifically limited, 0.1 micrometer-5.0 micrometers are preferable, and 0.1 micrometer-3.0 micrometers are especially preferable. Since the viscosity of a resin composition becomes it high that the particle size of another inorganic filler is less than the said lower limit, workability may be influenced at the time of prepreg preparation. Moreover, when it exceeds the said upper limit, the phenomenon, such as sedimentation of an inorganic filler, may arise in a resin composition. In addition, an average particle diameter can be measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus (general apparatuses, such as SALD-7000 by Shimadzu Corporation).

또한 소경 구멍의 가공, 구멍의 좁은 피치 가공 및 세선 가공을 하는 경우는 상기 그 외의 무기 충전재는 조립 절단되어 있는 것이 바람직하다. 그 중에서도 45㎛ 이상의 조립(粗粒) 절단되어 있는 것이 바람직하고, 20㎛ 이상의 조립 절단되어 있는 것이 또한 바람직하며, 10㎛ 이상의 조립 절단되어 있는 것이 특히 바람직하다. 또한, 「조립 절단」이란, 그 입경 이상의 크기의 조립이 배제되고 있는 것을 의미한다.Moreover, when processing small diameter hole, narrow pitch process of a hole, and thin wire processing, it is preferable that the said other inorganic filler is granulated and cut. Especially, it is preferable that the granules cut | disconnected 45 micrometers or more, It is also preferable that the granules cut | disconnected 20 micrometers or more, It is especially preferable that the granules cut | disconnected 10 micrometers or more are especially preferable. In addition, "assembly cutting | disconnection" means that granulation of the size more than the particle diameter is excluded.

또, 본 발명에 사용되는 충전재는 상기 무기 충전재 이외에 고무 입자 등의 유기 충전재 등도 함유하는 것이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 고무 입자의 바람직한 예로는 코어 쉘형 고무 입자, 가교 아크릴로니트릴부타디엔 고무 입자, 가교 스티렌부타디엔 고무 입자, 아크릴 고무 입자, 실리콘 입자 등을 들 수 있다. Moreover, it is preferable that the filler used for this invention contains organic fillers, such as rubber particles, in addition to the said inorganic filler. Preferred examples of the rubber particles that can be used in the present invention include core-shell rubber particles, crosslinked acrylonitrile butadiene rubber particles, crosslinked styrenebutadiene rubber particles, acrylic rubber particles, silicon particles and the like.

코어 쉘형 고무 입자는 코어층과 쉘층을 갖는 고무 입자이며, 예를 들면 외층의 쉘층이 유리상 폴리머로 구성되고, 내층의 코어층이 고무상 폴리머로 구성되는 2층 구조, 또는 외층의 쉘층이 유리상 폴리머로 구성되고, 중간층이 고무상 폴리머로 구성되며, 코어층이 유리상 폴리머로 구성되는 3층 구조의 것 등을 들 수 있다. 유리상 폴리머층은, 예를 들면 메타크릴산메틸의 중합물 등으로 구성되고, 고무상 폴리머층은, 예를 들면 부틸 아크릴레이트 중합물(부틸 고무) 등으로 구성된다. 코어 쉘형 고무 입자의 구체적인 예로는 스타피로이드 AC3832, AC3816N(상품명, 간츠화성(주) 제), 메타브렌 KW-4426(상품명, 미츠비시 레이온(주) 제)을 들 수 있다. 가교 아크릴로니트릴부타디엔 고무(NBR) 입자의 구체적인 예로는 XER-91(평균 입자 지름 0.5㎛, JSR(주) 제) 등을 들 수 있다. The core-shell rubber particles are rubber particles having a core layer and a shell layer, for example, a two-layer structure in which the shell layer of the outer layer is made of a glassy polymer, and the core layer of the inner layer is made of a rubbery polymer, or the shell layer of the outer layer is a glassy polymer. And a three-layer structure in which the intermediate layer is composed of a rubbery polymer and the core layer is composed of a glassy polymer. The glassy polymer layer is composed of, for example, a polymer of methyl methacrylate, and the like, and the rubbery polymer layer is composed of, for example, a butyl acrylate polymer (butyl rubber). Specific examples of the core-shell rubber particles include starpiroid AC3832 and AC3816N (trade name, manufactured by Gantz Chemical Co., Ltd.), and metabrene KW-4426 (trade name, manufactured by Mitsubishi Rayon Corporation). As a specific example of crosslinked acrylonitrile butadiene rubber (NBR) particle | grains, XER-91 (average particle diameter 0.5 micrometer, JSR Corporation make), etc. are mentioned.

가교 스티렌부타디엔 고무(SBR) 입자의 구체적인 예로는 XSK-500(평균 입자 지름 0.5㎛, JSR(주) 제) 등을 들 수 있다. 아크릴 고무 입자의 구체적인 예로는 메타브렌 W300A(평균 입자 지름 0.1㎛), W450A(평균 입자 지름 0.2㎛)(미츠비시 레이온(주) 제) 등을 들 수 있다. Specific examples of the crosslinked styrene-butadiene rubber (SBR) particles include XSK-500 (average particle diameter of 0.5 µm, manufactured by JSR Corporation), and the like. Specific examples of the acrylic rubber particles include metabrene W300A (average particle diameter of 0.1 µm), W450A (average particle diameter of 0.2 µm) (manufactured by Mitsubishi Rayon Corporation), and the like.

상기 실리콘 입자는 오르가노폴리실록산으로 형성된 고무 탄성 미립자이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 실리콘 고무(오르가노폴리실록산 가교 엘라스토머) 그 자체로 이루어진 미립자 및 이차원 가교 주체의 실리콘으로 이루어진 코어부를 삼차원 가교형 주체의 실리콘으로 피복한 코어 쉘 구조 입자 등을 들 수 있다. 상기 실리콘 입자로는 KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594(신에츠 화학(주) 제), 트레이닝 필 E-500, 트레이닝 필 E-600(토오레·다우코닌구(주) 제) 등의 시판품을 사용할 수 있다.The silicone particles are not particularly limited as long as they are rubber elastic fine particles formed of organopolysiloxane, and for example, the core part composed of fine particles made of silicone rubber (organopolysiloxane crosslinked elastomer) itself and silicon of a two-dimensional crosslinked main body is used. And core shell structural particles coated with silicon. As said silicon particle, KMP-605, KMP-600, KMP-597, KMP-594 (made by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), training pillar E-500, training pillar E-600 (Toray Doukoning Co., Ltd.) Commercial items, such as (i), can be used.

본 발명에 사용되는 충전재 중, 평균 입경이 5~100nm인 실리카 입자 이외의 충전재에서도, 응집 방지 및 분산성을 높이기 위해 미리 표면 처리가 실시되는 것이 바람직하다. 표면 처리제는 공지된 실란 커플링제를 사용할 수 있고, 예를 들면 에폭시실란, 아미노실란, 비닐실란, 아크릴실란, 머캅토실란 등을 들 수 있다. 또, 표면 처리는 비표면적의 50% 이상이 바람직하다.Among the fillers used in the present invention, fillers other than silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm are also preferably subjected to surface treatment in advance in order to increase aggregation prevention and dispersibility. A well-known silane coupling agent can be used for a surface treating agent, For example, an epoxy silane, an amino silane, a vinyl silane, an acryl silane, a mercapto silane, etc. are mentioned. Moreover, as for surface treatment, 50% or more of a specific surface area is preferable.

본 발명에 사용되는 수지 조성물 중의 충전재의 함유량은 수지 조성물 전체의 고형분 기준으로 50~85질량%인 것이 바람직하고, 특히 65~75질량%인 것이 바람직하다. 충전재 함유량이 상기 상한값을 넘으면 수지 조성물의 유동성이 극히 나쁘고, 프리프레그 제조시의 작업성이 뒤떨어진다. 상기 하한값 미만이면 열팽창율이 높고, 절연층의 강도가 충분하지 않은 경우가 있다.It is preferable that it is 50-85 mass% on the solid content basis of the whole resin composition, and, as for content of the filler in the resin composition used for this invention, it is especially preferable that it is 65-75 mass%. When filler content exceeds the said upper limit, the fluidity | liquidity of a resin composition is extremely bad, and workability at the time of prepreg manufacture is inferior. If it is less than the said lower limit, thermal expansion coefficient is high and the strength of an insulating layer may not be enough.

(열경화성 수지)(Thermosetting resin)

상기 열경화성 수지로는 특별히 한정되지 않지만, 에폭시 수지, 시아네이트 수지, 비스말레이미드 수지, 페놀 수지, 벤조옥사진 수지, 비닐벤질에테르 수지, 벤조시클로부텐 수지 등이 사용되고, 통상은 에폭시 수지에 다른 열경화성 수지를 적당히 조합해서 사용된다.Although it does not specifically limit as said thermosetting resin, Epoxy resin, cyanate resin, bismaleimide resin, a phenol resin, benzoxazine resin, vinyl benzyl ether resin, benzocyclobutene resin, etc. are used, Usually, thermosetting other than epoxy resin It is used by combining resin suitably.

상기 에폭시 수지로는 특별히 한정되지 않지만, 실질적으로 할로겐 원자를 포함하지 않는 것이 바람직하다. 여기서, 「실질적으로 할로겐 원자를 포함하지 않는다」란, 에폭시 수지의 합성 과정에서 사용된 할로겐계 성분으로부터 유래하는 할로겐이 할로겐 제거 공정을 거쳐도 또한, 에폭시 수지에 잔존하고 있는 것을 허용하는 것을 의미한다. 통상, 에폭시 수지 중에 30ppm을 넘는 할로겐 원자를 포함하지 않는 것이 바람직하다.Although it does not specifically limit as said epoxy resin, It is preferable that it does not contain a halogen atom substantially. Here, "substantially does not contain a halogen atom" means that the halogen derived from the halogen-based component used in the synthesis process of the epoxy resin is allowed to remain in the epoxy resin even after the halogen removal process. . Usually, it is preferable not to contain more than 30 ppm of halogen atoms in an epoxy resin.

상기 실질적으로 할로겐 원자를 포함하지 않는 에폭시 수지로는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 E형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 Z형 에폭시 수지(4,4'-시클로헥시디엔비스페놀형 에폭시 수지), 비스페놀 P형 에폭시 수지(4,4'-(1,4)-페닐렌디이소프로필리덴)비스페놀형 에폭시 수지), 비스페놀 M형 에폭시 수지(4,4'-(1,3-페닐렌디이소프로필리덴)비스페놀형 에폭시 수지) 등의 비스페놀형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등의 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 크실릴렌형 에폭시 수지, 페놀 아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐아랄킬형 에폭시 수지, 비페닐디메틸렌형 에폭시 수지, 트리스페놀메탄노볼락형 에폭시 수지, 1,1,2,2-(테트라페놀)에탄의 글리시딜에테르류, 3관능, 또는 4관능의 글리시딜아민류, 테트라메틸비페닐형 에폭시 수지 등의 아릴 알킬렌형 에폭시 수지, 나프탈렌 골격 변성 에폭시 수지, 메톡시 나프탈렌 변성 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 메톡시 나프탈렌 디메틸렌형 에폭시 수지, 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지 등의 나프탈렌형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 페녹시형 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 노르보넨형 에폭시 수지, 아다만탄형 에폭시 수지, 플루오렌형 에폭시 수지, 상기 에폭시 수지를 할로겐화한 난연화 에폭시 수지 등을 들 수 있다.Examples of the epoxy resins substantially free of halogen atoms include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol E type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, and bisphenol Z type epoxy resins (4, 4). '-Cyclohexydienebisphenol type epoxy resin), bisphenol P type epoxy resin (4,4'-(1,4) -phenylenediisopropylidene) bisphenol type epoxy resin), bisphenol M type epoxy resin (4,4 Bisphenol-type epoxy resins such as'-(1,3-phenylenediisopropylidene) bisphenol-type epoxy resins), novolak-type epoxy resins such as phenol novolak-type epoxy resins, cresol novolak-type epoxy resins, and biphenyl-type epoxy resins Resin, xylylene type epoxy resin, phenol aralkyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, biphenyl dimethylene type epoxy resin, trisphenol methane novolak type epoxy resin, 1,1,2,2- (tetraphenol) Ethane Aryl alkylene type epoxy resins, such as a lycidyl ether, a trifunctional or tetrafunctional glycidylamine, and a tetramethyl biphenyl type epoxy resin, a naphthalene skeleton modified epoxy resin, a methoxy naphthalene modified cresol novolak-type epoxy resin, and memeth Naphthalene type epoxy resins, such as a methoxy naphthalene dimethylene type | mold epoxy resin and a naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, a phenoxy type epoxy resin, a dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, and adamantane type epoxy resin And a fluorene type epoxy resin, a flame retardant epoxy resin obtained by halogenating the epoxy resin, and the like.

이들 중의 1종류의 에폭시 수지를 단독으로 사용할 수도 있고, 상이한 중량 평균 분자량을 갖는 2종류 이상의 에폭시 수지를 병용할 수도 있으며, 1종류 또는 2종류 이상의 에폭시 수지와 에폭시 수지의 프리폴리머를 병용할 수도 있다.One kind of these epoxy resins may be used alone, two or more kinds of epoxy resins having different weight average molecular weights may be used in combination, and one or two or more kinds of epoxy resins and prepolymers of epoxy resins may be used in combination.

이들 에폭시 수지 중에서도 특히, 비페닐 디메틸렌형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌 변성 크레졸 노볼락 에폭시 수지 및 안트라센형 에폭시 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이 바람직하다. 이들 에폭시 수지를 사용함으로써, 얻어진 적층판 및 프린트 배선판의 흡습 납땜 내열성 및 난연성을 향상시킬 수 있다.Especially among these epoxy resins, at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a biphenyl dimethylene type | mold epoxy resin, a novolak-type epoxy resin, a naphthalene-modified cresol novolak epoxy resin, and an anthracene type epoxy resin is preferable. By using these epoxy resins, the moisture absorption solder heat resistance and flame retardance of the obtained laminated board and printed wiring board can be improved.

또, 이들 에폭시 수지 중에서도 나프틸렌 에테르형 에폭시 수지를 사용함으로써, 얻어진 적층판 및 프린트 배선판의 내열성, 저열팽창성 및 저열수축성을 향상시킬 수 있다.Moreover, the heat resistance, the low thermal expansion property, and the low heat shrinkability of the obtained laminated board and printed wiring board can be improved by using a naphthylene ether type epoxy resin among these epoxy resins.

나프틸렌 에테르형 에폭시 수지는, 예를 들면 하기 일반식 (1)로 나타낼 수 있다.A naphthylene ether type epoxy resin can be represented by following General formula (1), for example.

Figure 112013075968812-pct00001
Figure 112013075968812-pct00001

(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~4의 알킬기, 아랄킬기, 나프탈렌기 또는 글리시딜에테르기 함유 나프탈렌기를 나타내며, o 및 m는 각각 0~2의 정수이고, 또한 o 또는 m 중 어느 한쪽은 1 이상이다.)(In formula, R <1> represents a hydrogen atom or a methyl group, R <2> represents a hydrogen atom, a C1-C4 alkyl group, an aralkyl group, a naphthalene group, or a glycidyl ether group containing naphthalene group each independently, o and m is an integer of 0-2, respectively, and either one of o or m is 1 or more.)

상기 에폭시 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 상기 수지 조성물 전체의 고형분 기준으로 5~60중량%로 하는 것이 바람직하다. 함유량이 상기 하한값 미만이면 수지 조성물의 경화성이 저하되거나 상기 수지 조성물을 사용해 얻어진 프리프레그, 또는 프린트 배선판의 내습성이 저하되거나 하는 경우가 있다. 또, 상기 상한값을 넘으면 프리프레그, 또는 프린트 배선판의 선열 팽창율이 커지거나 내열성이 저하되거나 하는 경우가 있다. 상기 에폭시 수지의 함유량은, 특히 바람직하게는 수지 조성물 전체의 고형분 기준으로 10~50중량%가다.Although content of the said epoxy resin is not specifically limited, It is preferable to set it as 5 to 60 weight% on the solid content basis of the whole said resin composition. When content is less than the said lower limit, sclerosis | hardenability of a resin composition may fall, or the moisture resistance of the prepreg obtained using the said resin composition, or a printed wiring board may fall. Moreover, when the said upper limit is exceeded, the linear thermal expansion rate of a prepreg or a printed wiring board may become large, and heat resistance may fall. Content of the said epoxy resin becomes like this. Especially preferably, it is 10-50 weight% on the solid content basis of the whole resin composition.

상기 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 1.0×102~2.0×104가 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한값 미만이면 프리프레그의 표면에 점착(tack)성이 발생하는 경우가 있고, 상기 상한값을 넘으면 프리프레그의 납땜 내열성이 저하되는 경우가 있다. 중량 평균 분자량을 상기 범위 내로 함으로써, 이들 특성의 밸런스가 뛰어난 것으로 할 수 있다. Although the weight average molecular weight of the said epoxy resin is not specifically limited, 1.0 * 10 <2> -2.0 * 10 <4> is preferable. If a weight average molecular weight is less than the said lower limit, the tack property may generate | occur | produce on the surface of a prepreg, and if it exceeds the said upper limit, the soldering heat resistance of a prepreg may fall. By carrying out a weight average molecular weight in the said range, it can be set as the outstanding balance of these characteristics.

본 발명에서, 상기 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은, 예를 들면 겔 침투 크로마토그래피(GPC)로 측정하여 폴리스티렌 환산의 중량 분자량으로 특정할 수 있다.In this invention, the weight average molecular weight of the said epoxy resin can be specified by the weight molecular weight of polystyrene conversion, for example by measuring by gel permeation chromatography (GPC).

상기 수지 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 시아네이트 수지를 포함함으로써, 난연성을 향상시키고, 열팽창 계수를 작게 하며, 또한 프리프레그의 전기 특성(저유전율, 저유전정접) 등을 향상시킬 수 있다. Although the said resin composition is not specifically limited, By containing a cyanate resin, a flame retardance can be improved, a thermal expansion coefficient can be made small, and the electrical characteristics (low dielectric constant, low dielectric loss tangent), etc. of a prepreg can be improved.

상기 시아네이트 수지는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 할로겐화 시안 화합물과 페놀류나 나프톨류를 반응시키고, 필요에 따라서 가열 등의 방법으로 프리폴리머화함으로써 얻을 수 있다. 또, 이와 같이 하여 조제된 시판품을 사용할 수도 있다.Although the said cyanate resin is not specifically limited, For example, it can obtain by making a cyanide halide compound, phenols, and naphthols react, and prepolymerizing by methods, such as a heating, as needed. Moreover, the commercial item prepared in this way can also be used.

상기 시아네이트 수지의 종류로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 노볼락형 시아네이트 수지, 비스페놀 A형 시아네이트 수지, 비스페놀 E형 시아네이토 수지, 테트라메틸 비스페놀 F형 시아네이트 수지 등의 비스페놀형 시아네이트 수지 등을 들 수 있다.Although it does not specifically limit as a kind of said cyanate resin, For example, bisphenol-types, such as novolak-type cyanate resin, bisphenol-A cyanate resin, bisphenol-E cyanate resin, and tetramethyl bisphenol F-cyanate resin, etc. Cyanate resin etc. are mentioned.

상기 시아네이트 수지는 분자 내에 2개 이상의 시아네이트기(-O-CN)를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면 2,2'-비스(4-시아네이토페닐)이소프로필리덴, 1,1'-비스(4-시아네이토페닐)에탄, 비스(4-시아네이토-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이토페닐-1-(1-메틸에티리덴))벤젠, 디시클로펜타디엔형 시아네이토에스테르, 페놀 노볼락형 시아네이트에스테르, 비스(4-시아네이토페닐)티오에테르, 비스(4-시아네이토페닐)에테르, 1,1,1-트리스(4-시아네이토페닐)에탄, 트리스(4-시아네이토페닐)포스파이트, 비스(4-시아네이토페닐)설폰, 2,2-비스(4-시아네이토페닐)프로판, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2,6- 또는 2,7-디시아네이토나프탈렌, 1,3,6-트리시아네이토나프탈렌, 4,4-디시아네이토비페닐 및 페놀 노볼락형, 크레졸 노볼락형의 다가 페놀류와 할로겐화 시안의 반응으로 얻어진 시아네이트 수지, 나프톨 아랄킬형의 다가 나프톨류와 할로겐화 시안의 반응으로 얻어진 시아네이트 수지 등을 들 수 있다.It is preferable that the said cyanate resin has two or more cyanate groups (-O-CN) in a molecule | numerator. For example, 2,2'-bis (4-cyanatophenyl) isopropylidene, 1,1'-bis (4-cyanatophenyl) ethane, bis (4-cyanato-3,5-dimethyl Phenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatophenyl-1- (1-methylethylidene)) benzene, dicyclopentadiene-type cyanatoester, phenol novolac-type cyanate ester, bis ( 4-cyanatophenyl) thioether, bis (4-cyanatophenyl) ether, 1,1,1-tris (4-cyanatophenyl) ethane, tris (4-cyanatophenyl) phosphite, Bis (4-cyanatophenyl) sulfone, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, 1,3-, 1,4-, 1,6-, 1,8-, 2,6- Or cyan obtained by the reaction of polyhydric phenols of 2,7-dicyanatonaphthalene, 1,3,6-tricyanatonatophthalene, 4,4-dicyanatobiphenyl and phenol novolak type and cresol novolak type with cyanide halide Nate resin, obtained by reaction of naphthol aralkyl type polyhydric naphthol and cyanide halide Oh, there may be mentioned carbonate resins.

이들 중에서, 페놀 노볼락형 시아네이트 수지가 난연성 및 저열팽창성이 뛰어나고, 2,2'-비스(4-시아네이토페닐)이소프로필리덴 및 디시클로펜타디엔형 시아네이토에스테르가 가교 밀도의 제어 및 내습 신뢰성이 뛰어나다. 특히, 페놀 노볼락형 시아네이트 수지가 저열팽창성의 점에서 바람직하다. 또, 다른 시아네이트 수지를 1종류 혹은 2종류 이상 더 병용하거나 할 수도 있으며, 특별히 한정되지 않는다.Among these, phenol novolac-type cyanate resin is excellent in flame retardancy and low thermal expansion property, and 2,2'-bis (4-cyanatophenyl) isopropylidene and dicyclopentadiene type cyanatoester control the crosslinking density. And excellent moisture resistance. In particular, a phenol novolak-type cyanate resin is preferable at the point of low thermal expansion. Moreover, you may use together 1 type or 2 or more types of other cyanate resin, and it is not specifically limited.

상기 시아네이트 수지는 단독으로 사용해도 된다. 또, 중량 평균 분자량이 상이한 시아네이트 수지를 2종 이상 병용하거나 상기 시아네이트 수지와 그 프리폴리머를 병용하거나 할 수도 있다.The cyanate resin may be used alone. Moreover, you may use together 2 or more types of cyanate resin from which a weight average molecular weight differs, or may use together the said cyanate resin and its prepolymer.

상기 프리폴리머는, 통상 상기 시아네이트 수지를 가열 반응 등에 의해, 예를 들면 3량화함으로써 얻어진 것이며, 수지 조성물의 성형성, 유동성을 조정하기 위해서 바람직하게 사용되는 것이다. The said prepolymer is normally obtained by trimerizing the said cyanate resin by a heating reaction etc., for example, and is used suitably in order to adjust the moldability and fluidity of a resin composition.

상기 프리폴리머는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 3량화율이 20~50중량%인 프리폴리머를 사용했을 경우, 양호한 성형성, 유동성을 발현할 수 있다.Although the said prepolymer is not specifically limited, For example, when the prepolymer whose trimerization rate is 20-50 weight% is used, favorable moldability and fluidity can be expressed.

상기 시아네이트 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 전체의 고형분 기준으로 5~60중량%인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10~50중량%가다. 시아네이트 수지의 함유량이 상기 범위 내에 있으면, 보다 효과적으로 프리프레그의 내열성 및 난연성을 향상시킬 수 있다. 시아네이트 수지의 함유량이 상기 하한 미만이면 프리프레그의 열팽창성이 커져 내열성이 저하되는 경우가 있고, 상기 상한값을 넘으면 프리프레그의 강도가 저하되는 경우가 있다.Although content of the said cyanate resin is not specifically limited, It is preferable that it is 5-60 weight% on the solid content basis of the whole resin composition, More preferably, it is 10-50 weight%. When content of cyanate resin exists in the said range, the heat resistance and flame retardance of a prepreg can be improved more effectively. When content of cyanate resin is less than the said minimum, the thermal expansion property of a prepreg may become large, and heat resistance may fall, and when exceeding the said upper limit, the strength of a prepreg may fall.

상기 시아네이트 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않지만, 5.0×102~4.5×103이 바람직하고, 특히 6.0×102~3.0×103이 바람직하다. 중량 평균 분자량이 상기 하한값 미만이면 프리프레그의 표면에 점착성이 생기거나 기계적 강도가 저하되거나 하는 경우가 있다. 또, 중량 평균 분자량이 상기 상한값을 넘으면 수지 조성물의 경화 반응이 빨라져, 도체층과의 밀착성이 악화되는 경우가 있다.Although the weight average molecular weight of the said cyanate resin is not specifically limited, 5.0 * 10 <2> -4.5 * 10 <3> is preferable and 6.0 * 10 <2> -3.0 * 10 <3> is especially preferable. If a weight average molecular weight is less than the said lower limit, adhesiveness may arise in the surface of a prepreg, or mechanical strength may fall. Moreover, when a weight average molecular weight exceeds the said upper limit, hardening reaction of a resin composition may accelerate and adhesiveness with a conductor layer may deteriorate.

본 발명에서, 상기 시아네이트 수지의 중량 평균 분자량은, 예를 들면 겔 침투 크로마토그래피(GPC)로 측정해 폴리스티렌 환산의 중량 분자량으로 특정할 수 있다.In the present invention, the weight average molecular weight of the cyanate resin can be determined by, for example, gel permeation chromatography (GPC) and specified by the weight molecular weight in terms of polystyrene.

상기 수지 조성물은 특별히 한정되지 않지만, 비스말레이미드 수지를 포함함으로써, 내열성을 향상시킬 수 있다.Although the said resin composition is not specifically limited, Heat resistance can be improved by including bismaleimide resin.

상기 비스말레이미드 수지로는 특별히 한정되지 않지만, N,N'-(4,4'-디페닐메탄)비스말레이미드, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스[4-(4-말레이미드 페녹시)페닐]프로판 등의 비스말레이미드 수지를 들 수 있다. 상기 비스말레이미드 수지는, 다른 비스말레이미드 수지를 1종류 혹은 2종류 이상 더 병용하거나 할 수도 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 또, 상기 비스말레이미드 수지는 단독으로 사용해도 된다. 또, 중량 평균 분자량이 상이한 비스말레이미드 수지를 병용하거나 상기 비스말레이미드 수지와 그 프리폴리머를 병용하거나 할 수도 있다.Although it does not specifically limit as said bismaleimide resin, N, N '-(4,4'- diphenylmethane) bismaleimide, bis (3-ethyl-5-methyl-4- maleimide phenyl) methane, 2 And bismaleimide resins such as 2-bis [4- (4-maleimide phenoxy) phenyl] propane. The said bismaleimide resin can also use together 1 type (s) or 2 or more types of other bismaleimide resin, and is not specifically limited. Moreover, you may use the said bismaleimide resin independently. Moreover, you may use together the bismaleimide resin from which a weight average molecular weight differs, or use the said bismaleimide resin and its prepolymer together.

상기 비스말레이미드 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 수지 조성물 전체의 고형분 기준으로 1~35중량%인 것이 바람직하고, 특히 5~20중량%가 바람직하다.Although content of the said bismaleimide resin is not specifically limited, It is preferable that it is 1 to 35 weight% on the basis of solid content of the whole resin composition, and 5-20 weight% is especially preferable.

(경화제, 경화촉진제) (Hardener, hardening accelerator)

본 발명에 사용되는 수지 조성물은 경화제를 병용해도 된다. 경화제로는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 상기 열경화성 수지로 에폭시 수지를 사용하는 경우는 에폭시 수지의 경화제로 일반적으로 사용되는 페놀계 경화제, 지방족 아민, 방향족 아민, 디시안디아미드, 디카르복시산디히드라지드 화합물, 산무수물 등을 사용할 수 있다.The resin composition used for this invention may use a hardening | curing agent together. It does not specifically limit as a hardening | curing agent, For example, when using an epoxy resin as said thermosetting resin, the phenolic hardening | curing agent, aliphatic amine, aromatic amine, dicyandiamide, dicarboxylic acid dihydrazide generally used as a hardening | curing agent of an epoxy resin A compound, an acid anhydride, etc. can be used.

또, 본 발명에 사용되는 수지 조성물은 필요에 따라서 경화촉진제를 첨가할 수 있다. 상기 경화촉진제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 유기 금속염, 3급 아민류, 이미다졸류, 유기산, 오늄염 화합물 등을 들 수 있다. 경화촉진제로는, 이들 중의 유도체도 포함해 1종류를 단독으로 사용할 수도 있고, 이들 유도체도 포함해 2종류 이상을 병용하거나 할 수도 있다.Moreover, the hardening accelerator can be added to the resin composition used for this invention as needed. The curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include organometallic salts, tertiary amines, imidazoles, organic acids, and onium salt compounds. As a hardening accelerator, one type may be used independently including these derivatives, and two or more types may be used together including these derivatives.

(커플링제)(Coupling agent)

상기 수지 조성물은 커플링제를 더 함유해도 된다. 커플링제는 열경화성 수지와 충전재의 계면의 습윤성을 향상시키기 위해서 배합된다. 이것에 의해, 섬유 직포에 대해서 수지 및 충전재를 균일하게 정착시켜, 프리프레그의 내열성, 특히 흡습 후의 납땜 내열성을 개량할 수 있다.The said resin composition may contain a coupling agent further. A coupling agent is mix | blended in order to improve the wettability of the interface of a thermosetting resin and a filler. Thereby, resin and filler can be fixed uniformly with respect to a fiber woven fabric, and the heat resistance of a prepreg, especially the soldering heat resistance after moisture absorption can be improved.

상기 커플링제는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 에폭시실란 커플링제, 양이온성 실란 커플링제, 아미노실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 실리콘 오일형 커플링제 등을 들 수 있다. 이것에 의해, 충전재의 계면과의 습윤성을 높게 할 수 있고, 그것에 따라 프리프레그의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.Although the said coupling agent is not specifically limited, For example, an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, an aminosilane coupling agent, a titanate coupling agent, a silicone oil type coupling agent, etc. are mentioned. Thereby, wettability with the interface of a filler can be made high, and the heat resistance of a prepreg can be improved more by it.

상기 커플링제의 첨가량은 특별히 한정되지 않지만, 충전재 100중량부에 대해서 0.05~3중량부가 바람직하고, 특히 0.1~2중량부가 바람직하다. 함유량이 상기 하한값 미만이면 충전재를 충분히 피복할 수 없기 때문에 내열성을 향상시키는 효과가 저하되는 경우가 있다. 또, 함유량이 상기 상한값을 넘으면 반응에 영향을 주어 굴곡 강도 등이 저하되는 경우가 있다.Although the addition amount of the said coupling agent is not specifically limited, 0.05-3 weight part is preferable with respect to 100 weight part of fillers, and 0.1-2 weight part is especially preferable. When content is less than the said lower limit, since a filler cannot fully be coat | covered, the effect of improving heat resistance may fall. Moreover, when content exceeds the said upper limit, reaction may be influenced and bending strength etc. may fall.

(그 외)(etc)

또, 상기 수지 조성물에는 필요에 따라서, 소포제, 레벨링제, 자외선 흡수제, 발포제, 산화 방지제, 난연제, 인계, 포스파젠 등의 난연조제, 이온 포착제 등의 상기 성분 이외의 첨가물을 첨가해도 된다.Moreover, you may add additives other than the said components, such as an antifoamer, a leveling agent, a ultraviolet absorber, a foaming agent, antioxidant, a flame retardant, phosphorus system, a phosphazene, an ion trapping agent, to the said resin composition as needed.

본 발명의 프리프레그는 상술한 열경화성 수지 조성물을 용제에 함유하는 바니시를 섬유 직포에 보유시킨 후, 상기 용제를 제거함으로써 얻을 수 있다. 상기 바니시의 조제 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 열경화성 수지 및 충전재를 용매에 분산시킨 슬러리를 조제하고, 상기 슬러리에 그 외의 수지 조성물의 성분을 첨가하며, 또한 상기 용매를 가해 용해·혼합시키는 방법이 바람직하다. 이것에 의해, 충전재의 분산성을 향상시켜, 상기 충전재에 포함되는 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자를 섬유 직포로 비집고 들어가기 쉽게 할 수 있어 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성을 향상시킬 수 있다.The prepreg of this invention can be obtained by removing the said solvent, after hold | maintaining the varnish containing the above-mentioned thermosetting resin composition in a textile fabric. Although the method for preparing the varnish is not particularly limited, for example, a slurry obtained by dispersing a thermosetting resin and a filler in a solvent is prepared, and other components of the resin composition are added to the slurry, and the solvent is added to dissolve and mix. The method is preferred. As a result, the dispersibility of the filler can be improved, and silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm contained in the filler can be easily picked up into the fiber woven fabric, and the impregnability of the resin composition in the fiber woven fabric can be improved.

또한, 본 발명에서 열경화성 수지 조성물을 용제에 함유하는 것은 상기 열경화성 수지 조성물에 포함되는 가용성의 수지 등은 용제에 용해되고, 불용성의 충전재 등은 용제에 분산되어 있는 것을 의미한다.In addition, in this invention, containing a thermosetting resin composition in a solvent means that the soluble resin contained in the said thermosetting resin composition is melt | dissolved in a solvent, and an insoluble filler etc. are disperse | distributed in a solvent.

상기 용매로는 특별히 한정되지 않지만, 상기 수지 조성물에 대해서 양호한 용해성을 나타내는 용매가 바람직하고, 예를 들면 아세톤, 메틸에틸케톤(MEK), 시클로헥산온(ANON), 메틸이소부틸케톤(MIBK), 시클로펜탄온, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다. 또한, 악영향을 미치지 않는 범위에서 빈용매를 사용해도 상관없다.Although it does not specifically limit as said solvent, The solvent which shows favorable solubility with respect to the said resin composition is preferable, For example, acetone, methyl ethyl ketone (MEK), cyclohexanone (ANON), methyl isobutyl ketone (MIBK), Cyclopentanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone and the like. Moreover, you may use a poor solvent in the range which does not adversely affect.

상기 바니시가 포함하는 수지 조성물의 고형분(바니시로부터 용제를 제외한 성분)은 특별히 한정되지 않지만, 30~80중량%가 바람직하고, 특히 40~70중량%가 바람직하다. 이것에 의해, 수지 조성물의 섬유 직포에 대한 함침성이 향상된다. 또, 코팅시의 표면 평활성, 두께 격차 등을 억제할 수 있다.Although solid content (component except a solvent from a varnish) of the resin composition which the said varnish contains is not specifically limited, 30-80 weight% is preferable and 40-70 weight% is especially preferable. Thereby, the impregnation property with respect to the fiber woven fabric of a resin composition improves. Moreover, surface smoothness, thickness gap, etc. at the time of coating can be suppressed.

상기 바니시를 상기 섬유 직포에 함침시키는 방법은, 예를 들면 섬유 직포를 바니시에 침지하는 방법, 각종 코터에 의해 도포하는 방법, 스프레이에 의해 분사하는 방법, 바니시를 기재에 도포·건조시켜 수지 시트를 제작하고, 상기 수지 시트를 수지층이 섬유 직포에 접하도록 배치해 압착시키는 방법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 섬유 직포를 바니시에 침지하는 방법이 바람직하다. 이것에 의해, 섬유 직포에 대한 열경화성 수지 조성물의 함침성을 향상시킬 수 있다. 또한, 섬유 직포를 바니시에 침지하는 경우, 통상의 함침 도포 설비를 사용할 수 있다. 또, 상기 바니시의 용제를, 예를 들면 90~180℃에서, 1~10분간 건조시킴으로써 반경화된 프리프레그를 얻을 수 있다.The method of impregnating the varnish into the fiber woven fabric includes, for example, a method of immersing the fiber woven fabric into the varnish, a method of applying by various coaters, a method of spraying by spray, and applying and drying the varnish to a substrate to form a resin sheet. The method of manufacturing and arrange | positioning the resin sheet so that a resin layer may contact a fiber woven fabric, etc. are mentioned. Among these, the method of immersing a fiber woven fabric in a varnish is preferable. Thereby, the impregnation property of the thermosetting resin composition with respect to a fiber woven fabric can be improved. Moreover, when immersing a fiber woven fabric in a varnish, a normal impregnation application | coating installation can be used. In addition, the prepreg which was semi-hardened can be obtained by drying the solvent of the said varnish, for example at 90-180 degreeC for 1 to 10 minutes.

상기 프리프레그는 섬유 직포로 이루어진 섬유 직포층과 상기 섬유 직포층의 양면에 형성되는 수지 조성물로 이루어진 수지층으로 구성된다. 상기 섬유 직포층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 10~200㎛인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10~140㎛이며, 더욱 바람직하게는 20~90㎛이다. 상기 수지층의 두께(한 면만의 한층분의 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 0.5~20㎛인 것이 바람직하고, 2~10㎛인 것이 특히 바람직하다. 섬유 직포층의 두께 및 수지층의 두께를 상기 범위 내로 함으로써, 도체층과의 밀착성 및 표면 평활성이 더욱 양호해진다.The prepreg is composed of a fiber woven layer made of a fiber woven fabric and a resin layer made of a resin composition formed on both sides of the fiber woven layer. Although the thickness of the said fiber woven fabric layer is not specifically limited, It is preferable that it is 10-200 micrometers, More preferably, it is 10-140 micrometers, More preferably, it is 20-90 micrometers. Although the thickness (thickness only for one side only) of the said resin layer is not specifically limited, It is preferable that it is 0.5-20 micrometers, and it is especially preferable that it is 2-10 micrometers. By making the thickness of a fiber woven fabric layer and the thickness of a resin layer into the said range, adhesiveness and surface smoothness with a conductor layer become further more favorable.

상기 프리프레그의 전체 두께는 특별히 한정되지 않지만, 30~220㎛인 것이 바람직하고, 특히 40~165㎛인 것이 바람직하다. 이것에 의해, 프리프레그의 취급성이 양호하고, 박형화에도 대응 가능해진다.Although the total thickness of the said prepreg is not specifically limited, It is preferable that it is 30-220 micrometers, and it is especially preferable that it is 40-165 micrometers. Thereby, the handleability of a prepreg is favorable and it can respond to thickness reduction.

상기 프리프레그에서, 섬유 직포를 구성하는 스트랜드 중에는 스트랜드를 구성하는 섬유가 연신하는 방향에서 50㎛ 이상의 길이를 갖는 공극이 존재하지 않는다. 이것에 의해, 프리프레그를 절연층에 사용한 프린트 배선판의 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 나아가서는, 섬유 직포를 구성하는 스트랜드 중에는 스트랜드를 구성하는 섬유가 연신하는 방향에서 20㎛ 이상, 특히 10㎛ 이상의 길이를 갖는 공극이 존재하지 않는 것이 바람직하다. In the prepreg, there are no voids having a length of 50 µm or more in the strands constituting the fiber woven fabric in the direction in which the fibers constituting the strands extend. Thereby, the insulation reliability of the printed wiring board which used the prepreg for the insulating layer can be improved. Furthermore, in the strand which comprises a fiber woven fabric, it is preferable that the space | gap which has a length of 20 micrometers or more, especially 10 micrometers or more exists in the direction which the fiber which comprises a strand extends.

또, 상기 프리프레그에서 섬유 직포를 구성하는 스트랜드 중에서 직경이 50㎛ 이상인 공극의 수밀도는 50cm-3 이하이다. 이 경우에도, 프리프레그를 절연층에 사용한 프린트 배선판의 절연 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또, 섬유 직포를 구성하는 스트랜드 중에서 직경이 50㎛ 이상인 공극의 수밀도는 20cm-3 이하, 특히 10cm-3 이하인 것이 바람직하다. Moreover, the water density of the space | gap whose diameter is 50 micrometers or more in the strand which comprises a fiber woven fabric in the said prepreg is 50 cm <-3> or less. Also in this case, the insulation reliability of the printed wiring board which used the prepreg for the insulating layer can be improved. Moreover, it is preferable that the water density of the space | gap whose diameter is 50 micrometers or more in the strand which comprises a fiber woven fabric is 20 cm <-3> or less, especially 10 cm <-3> or less.

또한, 상술한 스트랜드 중에서 공극의 길이나 수밀도는 스트랜드 중에 존재하는 실리카 입자의 평균 입경이나 섬유 직포의 부피 밀도 등을 적당히 조정함으로써 실현된다.The length and water density of the voids in the strands described above are realized by appropriately adjusting the average particle diameter of the silica particles present in the strands, the bulk density of the fiber woven fabric, and the like.

2. 적층판2. Laminate

다음으로, 적층판에 대해서 설명한다.Next, a laminated board is demonstrated.

본 발명의 적층판은 상기 본 발명에 관한 프리프레그를 경화해 얻어진 것을 특징으로 한다. 또, 본 발명의 적층판은 상기 본 발명에 관한 프리프레그의 적어도 한쪽의 외측의 면에 도체층이 설치되어서 이루어지는 것이 바람직하다. The laminate of the present invention is obtained by curing the prepreg according to the present invention. Moreover, it is preferable that the laminated board of this invention is provided by the conductor layer provided in the surface of at least one outer side of the prepreg which concerns on the said invention.

상기 프리프레그는 1매로 사용해도 되고, 2매 이상 적층한 적층체를 사용해도 된다. 도체층이 설치되어서 이루어지는 적층판(이하, 「금속 부착 적층판」으로 칭하는 일이 있다)의 경우는 상술한 프리프레그 위에 금속박을 적층하고 가열 가압해 얻을 수 있다. 프리프레그를 1매로 사용할 때는 그 상하 양면 혹은 한면에 금속박을 포개고, 프리프레그를 2매 이상 적층한 적층체를 사용할 때는 해당 적층체의 가장 외측의 상하 양면 혹은 한면에 금속박을 포갠다. 다음으로, 프리프레그와 금속박을 포갠 것을 가열 가압 성형함으로써 금속 부착 적층판을 얻을 수 있다.The said prepreg may be used by 1 sheet, and the laminated body laminated | stacked 2 or more sheets may be used. In the case of the laminated board which a conductor layer is provided (henceforth a "laminate board with a metal"), metal foil is laminated | stacked on the prepreg mentioned above, and it can obtain by heating and pressing. When using a single prepreg, the metal foil is laminated on both upper and lower surfaces or one side thereof, and when using a laminate in which two or more prepregs are laminated, the metal foil is stacked on the upper and lower sides or one side of the outermost layer of the laminate. Next, the laminated sheet with a metal can be obtained by heat-press-molding the thing which prepreg and metal foil were wrapped.

상기 금속박으로는, 예를 들면 동, 동계 합금, 알루미늄, 알루미늄계 합금, 은, 은계 합금, 금, 금계 합금, 아연, 아연계 합금, 니켈, 니켈계 합금, 주석, 주석계 합금, 철, 철계 합금 등의 금속박을 들 수 있다. 또, 상기와 같은 동, 동계 합금 등의 도체층을 도금에 의해 형성해도 된다.Examples of the metal foil include copper, copper alloys, aluminum, aluminum alloys, silver, silver alloys, gold, gold alloys, zinc, zinc alloys, nickel, nickel alloys, tin, tin alloys, iron, and iron alloys. Metal foil, such as an alloy, is mentioned. Moreover, you may form conductor layers, such as copper and copper alloy as mentioned above by plating.

금속 부착 적층판의 제조시, 가열하는 온도는 특별히 한정되지 않지만, 120~220℃가 바람직하고, 특히 150~200℃가 바람직하다. 가압하는 압력은 특별히 한정되지 않지만, 0.5~5MPa가 바람직하고, 특히 1~3MPa가 바람직하다. 또, 필요에 따라서 고온조 등으로 150~300℃의 온도에서 후경화를 실시해도 상관없다.Although the temperature to heat at the time of manufacture of a laminated plate with a metal is not specifically limited, 120-220 degreeC is preferable and 150-200 degreeC is especially preferable. Although the pressure to pressurize is not specifically limited, 0.5-5 MPa is preferable and 1-3 MPa is especially preferable. Moreover, you may perform postcure at the temperature of 150-300 degreeC with a high temperature tank etc. as needed.

또, 본 발명의 금속 부착 적층판을 제조하는 다른 방법으로서, 도 1에 나타내는 수지층 부착 금속박을 사용한 금속 부착 적층판의 제조 방법을 들 수 있다. 우선, 금속박(11)에 균일한 수지층(12)을 코터로 도공한 수지층 부착 금속박(10)을 준비한다. 그 다음으로, 섬유 직포(20)의 양측에 수지층 부착 금속박(10), (10)을 수지층(12)을 안쪽으로 하여 배치하고(도 1(a)), 진공 중에서 가열 60~130℃, 가압 0.1~5MPa로 라미네이트 함침시킨다. 이것에 의해, 금속박 부착 프리프레그(41)를 얻는다(도 1(b)). 그 다음으로, 금속박 부착 프리프레그(41)를 직접 가열 가압 성형함으로써, 금속 부착 적층판(51)을 얻을 수 있다(도 1(c)).Moreover, as another method of manufacturing the laminated sheet with a metal of this invention, the manufacturing method of the laminated sheet with a metal using the metal foil with a resin layer shown in FIG. 1 is mentioned. First, the metal foil 10 with a resin layer which coated the uniform resin layer 12 on the metal foil 11 with the coater is prepared. Subsequently, the metal foils 10 and 10 with the resin layer were disposed on both sides of the fiber woven fabric 20 with the resin layer 12 inward (FIG. 1 (a)), and heated in vacuum at 60 to 130 ° C. The laminate is impregnated with 0.1-5 MPa under pressure. Thereby, the prepreg 41 with metal foil is obtained (FIG. 1 (b)). Subsequently, the laminated sheet 51 with a metal can be obtained by directly heating and pressing the prepreg 41 with a metal foil (FIG. 1 (c)).

또한 본 발명의 금속 부착 적층판을 제조하는 다른 방법으로 도 2에 나타내는 수지층 부착 고분자 필름 시트를 사용한 금속 부착 적층판의 제조 방법도 들 수 있다. 우선, 고분자 필름 시트(31)에 균일한 수지층(32)을 코터로 도공한 수지층 부착 고분자 필름 시트(30)을 준비한다. 그 다음으로, 섬유 직포(20)의 양측에 수지층 부착 고분자 필름 시트(30), (30)을 수지층(32)를 안쪽으로 하여 배치하고(도 2(a)), 진공 중에서 가열 60~130℃, 가압 0.1~5MPa로 라미네이트 함침시킨다. 이것에 의해, 고분자 필름 시트 부착 프리프레그(42)를 얻을 수 있다(도 2(b)). 그 다음으로, 고분자 필름 시트 부착 프리프레그(42)의 적어도 한면의 고분자 필름 시트(31)를 박리 후(도 2(c)에서는 양면을 박리), 고분자 필름 시트(31)를 박리한 면에 금속박(11)을 배치해(도 2(d)) 가열 가압 성형한다. 이것에 의해, 금속 부착 적층판(52)을 얻을 수 있다(도 2(e)). 또한 양면의 고분자 필름 시트를 박리하는 경우는 전술한 프리프레그 같이 2매 이상 적층할 수도 있다. 프리프레그를 2매 이상 적층할 때는 적층한 프리프레그의 가장 외측의 상하 양면 혹은 한면에 금속박 또는 고분자 필름 시트를 배치해 가열 가압 성형함으로써 금속 부착 적층판을 얻을 수 있다. 이와 같은 제조 방법으로 얻어진 금속 부착 적층판은 두께 정밀도가 높고, 두께가 균일하며, 또한 표면 평활성이 뛰어나다. 또 성형 왜곡이 작은 금속 부착 적층판을 얻을 수 있기 때문에, 상기 제조 방법에 의해 얻어진 금속 부착 적층판을 사용해 제작한 프린트 배선판 및 반도체 장치는 휨이 작고, 휨 격차도 작다. 또한 프린트 배선판 및 반도체 장치를 수율이 좋게 제조할 수 있다.Moreover, as another method of manufacturing the laminated plate with metal of this invention, the manufacturing method of the laminated plate with metal using the polymer film sheet with a resin layer shown in FIG. 2 is also mentioned. First, the polymer film sheet 30 with a resin layer which coated the uniform resin layer 32 with the coater on the polymer film sheet 31 is prepared. Subsequently, the polymer film sheets 30 and 30 with the resin layer are disposed on both sides of the fiber woven fabric 20 with the resin layer 32 inward (FIG. 2 (a)). The laminate is impregnated at 130 ° C. with a pressure of 0.1 to 5 MPa. Thereby, the prepreg 42 with a polymer film sheet can be obtained (FIG. 2 (b)). Next, after peeling the polymer film sheet 31 of at least one surface of the prepreg 42 with a polymer film sheet (peel both sides in FIG.2 (c)), the metal foil on the surface which peeled the polymer film sheet 31 (11) is arrange | positioned (FIG. 2 (d)), and heat press molding. Thereby, the laminated plate 52 with a metal can be obtained (FIG. 2 (e)). In addition, when peeling a polymer film sheet of both surfaces, you may laminate | stack two or more sheets like the prepreg mentioned above. When laminating | stacking two or more prepregs, the laminated sheet with a metal can be obtained by arrange | positioning and heating and molding metal foil or a polymer film sheet in the upper and lower surfaces or one side of the outermost prepreg laminated | stacked. The laminated sheet with a metal obtained by such a manufacturing method has high thickness precision, uniform thickness, and excellent surface smoothness. Moreover, since the laminated board with a metal with a small shaping | molding distortion can be obtained, the printed wiring board and semiconductor device produced using the laminated board with a metal obtained by the said manufacturing method have a small warpage, and a curvature gap is also small. Moreover, a printed wiring board and a semiconductor device can be manufactured with a good yield.

상기 가열 가압 성형하는 조건으로는 온도는 특별히 한정되지 않지만, 120~250℃가 바람직하고, 특히 150~220℃가 바람직하다. 상기 가압하는 압력은 특별히 한정되지 않지만, 0.1~5MPa가 바람직하고, 특히 0.5~3MPa가 바람직하다. 또한 필요에 따라서 고온조 등으로 150~300℃의 온도에서 후 경화를 실시해도 상관없다.Although the temperature is not specifically limited as conditions for the said hot press molding, 120-250 degreeC is preferable and 150-220 degreeC is especially preferable. Although the pressure to pressurize is not specifically limited, 0.1-5 Mpa is preferable and 0.5-3 Mpa is especially preferable. Moreover, you may perform post-cure at the temperature of 150-300 degreeC with a high temperature tank etc. as needed.

도 1~2 등의 금속 부착 적층판은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 수지층 부착 금속박을 제조하는 장치 및 금속 부착 적층판을 제조하는 장치를 사용해 제조된다. Although the laminated board with metal, such as FIGS. 1-2, is not specifically limited, For example, it is manufactured using the apparatus which manufactures the metal foil with a resin layer, and the apparatus which manufactures a laminated board with metal.

상기 수지층 부착 금속박을 제조하는 장치에서 금속박은, 예를 들면 길이가 긴 시트 제품을 두루마리 형태로 한 것 등을 사용하고, 이것에 의해 연속적으로 권출(卷出)함으로써 공급할 수 있다. 수지의 공급 장치에 의해, 수지 바니시가 소정량 연속적으로 금속박 위에 공급된다. 여기서 수지 바니시로는 본 발명의 수지 조성물을 용제에 용해, 분산시킨 도포액이 사용된다. 수지 바니시의 도공량은 콤마 롤과 상기 콤마 롤의 백업 롤의 클리어런스에 의해 제어할 수 있다. 소정량의 수지 바니시가 도공된 금속박은 횡반송형의 열풍 건조 장치의 내부를 이송해, 수지 바니시 안에 함유되는 유기용제 등을 실질적으로 건조 제거하고, 필요에 따라서 경화 반응을 도중까지 진행한 수지층 부착 금속박으로 할 수 있다. 수지층 부착 금속박은 그대로 권취할 수도 있지만 라미네이트 롤에 의해 수지층이 형성된 측에 보호 필름을 포개어 겹치고, 상기 보호 필름이 라미네이트된 수지층 부착 금속박을 권취해서 두루마리 형태의 절연 수지층 부착 금속박을 얻는다. 도 1~2 등의 제조 방법을 사용했을 경우, 종래의 바니시를 함침시키는 제조 방법보다, 균일한 수지량의 제어 및 면내 두께 정밀도가 뛰어나기 때문에, 반도체 소자를 탑재한 반도체 장치의 휨 격차가 작고, 제품 수율이 향상된다.In the apparatus for producing the metal foil with the resin layer, the metal foil can be supplied by continuously unwinding it, for example, by using a sheet having a long length in the form of a roll or the like. The resin varnish is continuously supplied on the metal foil by a predetermined amount by the supply device of the resin. As a resin varnish, the coating liquid which melt | dissolved and disperse | distributed the resin composition of this invention is used. The coating amount of the resin varnish can be controlled by the clearance between the comma roll and the backup roll of the comma roll. The metal foil coated with a predetermined amount of resin varnish transfers the inside of the transverse conveyance type hot air drying apparatus, substantially removes the organic solvent contained in the resin varnish, and removes the resin layer. It can be set as attached metal foil. Although the metal foil with a resin layer can be wound as it is, a protective film is piled up on the side in which the resin layer was formed by the lamination roll, and the metal foil with a resin layer with which the said protective film was laminated is wound up, and the metal foil with insulation resin layer of a roll form is obtained. When using the manufacturing methods, such as FIGS. 1-2, since the control of uniform resin amount and the in-plane thickness precision are superior to the conventional manufacturing method which impregnates a varnish, the bending gap of the semiconductor device which mounts a semiconductor element is small. , Product yield is improved.

또, 이와 같은 제조 방법에 의해 금속 부착 적층판을 얻었을 경우, 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성을 고려할 필요가 있다. 충전재는 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자를 사용함으로써, 특히 섬유 기재에 대한 함침성이 향상되기 때문에, 가열 가압 성형시에 금속 부착 적층판 내에서의 수지 조성물의 플로우를 억제해 용융 수지의 불균일한 이동이 억제되기 때문에, 금속 부착 적층판 표면의 줄무늬 상의 얼룩짐을 방지하고, 또한 균일한 두께로 할 수 있다.Moreover, when the laminated plate with a metal is obtained by such a manufacturing method, it is necessary to consider the impregnation of the resin composition with respect to a fiber woven fabric. Since the filler is improved in impregnation with respect to the fibrous substrate, in particular, by using silica particles having an average particle diameter of 5 to 100 nm, the flow of the resin composition in the laminate with a metal at the time of heat press molding is suppressed and the nonuniform movement of the molten resin Since this is suppressed, the unevenness | corrugation on the stripe of the surface of a laminated plate with metal can be prevented, and it can be set as uniform thickness.

3. 프린트 배선판3. Printed wiring board

다음으로, 본 발명의 프린트 배선에 대해서 설명한다. Next, the printed wiring of this invention is demonstrated.

본 발명의 프린트 배선판은 상기의 프리프레그 및/또는 상기의 적층판을 내층 회로 기판에 사용해서 이루어진다. The printed wiring board of this invention uses said prepreg and / or said laminated board for an inner layer circuit board.

또는, 본 발명의 프린트 배선판은 상기의 프리프레그를 내층 회로 위의 절연층에 사용해서 이루어진다. Or the printed wiring board of this invention uses said prepreg for the insulating layer on an inner layer circuit.

또한, 내층 회로 기판에 본 발명의 프리프레그 또는 본 발명의 적층판을 사용한 프린트 배선판의 경우, 내층 회로 기판 내의 프리프레그가 경화하여 생긴 층은 절연층이다.Moreover, in the case of the printed wiring board which used the prepreg of this invention or the laminated board of this invention for an inner-layer circuit board, the layer which hardened | cured the prepreg in an inner-layer circuit board is an insulating layer.

본 발명에서 프린트 배선판이란, 절연층 위에 금속박 등의 도체층을 마련해 도체 회로층을 형성한 것이며, 한면 프린트 배선판(한층판), 양면 프린트 배선판(2층판) 및 다층 프린트 배선판(다층판) 중 어느 것이어도 된다. 다층 프린트 배선판이란, 도금 스루홀법이나 빌드업법 등에 의해 3층 이상으로 포갠 프린트 배선판이며 내층 회로 기판에 절연층을 포개어 겹쳐 가열 가압 성형함으로써 얻을 수 있다. 상기 내층 회로 기판으로는, 예를 들면 본 발명의 적층판 및/또는 본 발명의 프리프레그를 사용해서 이루어지는 것을 사용할 수 있다. 본 발명의 적층판을 사용해서 이루어지는 내층 회로 기판으로는, 예를 들면 금속박을 가지지 않는 본 발명의 적층판에 세미 애디티브법 등에 의해 소정 패턴의 도체 회로를 형성해 상기 도체 회로 부분을 흑화 처리한 것이나, 본 발명의 금속 부착 적층판의 금속박에 소정 패턴의 도체 회로를 형성해 해당 도체 회로 부분을 흑화 처리한 것을 매우 적합하게 사용할 수 있다.In the present invention, a printed wiring board is formed by forming a conductor circuit layer such as a metal foil on an insulating layer, and forming a conductor circuit layer, and any one of a single-sided printed wiring board (one layer board), a double-sided printed wiring board (two layer board) and a multilayer printed wiring board (multilayer board) May be used. A multilayer printed wiring board is a printed wiring board laminated | stacked in three or more layers by the plating through-hole method, a buildup method, etc., and can be obtained by laminating | stacking an insulating layer on an inner layer circuit board, and heat-molding. As the inner layer circuit board, for example, one formed by using the laminate of the present invention and / or the prepreg of the present invention can be used. As an inner layer circuit board which uses the laminated board of this invention, the conductor circuit of a predetermined pattern was formed in the laminated board of this invention which does not have a metal foil, for example by the semiadditive method etc., and the said conductor circuit part blackened, What formed the conductor circuit of a predetermined pattern on the metal foil of the laminated plate with a metal of this invention, and blackened the said conductor circuit part can be used suitably.

또, 본 발명의 프리프레그를 사용해서 이루어지는 내층 회로 기판으로는 경화 수지 등으로 이루어진 절연성의 지지체 위에 콘덴서, 저항, 칩 등의 전기/전자 부품을 탑재하고, 그 위에 본 발명의 프리프레그를 적층해 가열 가압 경화해 얻어진 부품 내장 기판에 세미 애디티브법 등에 의해 소정 패턴의 도체 회로를 형성해 해당 도체 회로 부분을 흑화 처리한 것을 사용할 수도 있다. Moreover, as an inner circuit board which uses the prepreg of this invention, electric / electronic components, such as a capacitor | condenser, a resistor, and a chip | tip, are mounted on the insulating support body which consists of cured resin, etc., and the prepreg of this invention is laminated | stacked on it. The thing which blacked the said conductor circuit part by forming the conductor circuit of a predetermined pattern by the semiadditive method etc. on the board | substrate with a component obtained by heat press hardening can also be used.

또한 본 발명에서는 이와 같은 본 발명의 적층판 및/또는 본 발명의 프리프레그를 사용해서 이루어지는 내층 회로 기판이나, 종래 공지된 내층 회로 기판의 도체 회로 위에, 또한 본 발명의 프리프레그를 적층해 가열 가압 경화시킨 것을 내층 회로 기판으로 할 수도 있다. 상기 내층 회로 위의 절연층으로는 본 발명의 프리프레그를 사용할 수 있다. 또한, 상기 내층 회로 위의 절연층으로서, 본 발명의 프리프레그를 사용하는 경우 상기 내층 회로 기판은 본 발명의 프리프레그 또는 적층판을 사용해서 이루어지는 것이 아니어도 된다.Moreover, in this invention, the prepreg of this invention is further laminated | stacked on the inner circuit board which consists of such a laminated board of this invention, and / or the prepreg of this invention, and the conventionally well-known inner layer circuit board, and it heat-cured-cured What was made may be made into an inner layer circuit board. The prepreg of the present invention can be used as the insulating layer on the inner layer circuit. In addition, when using the prepreg of this invention as an insulating layer on the said inner layer circuit, the said inner layer circuit board does not need to be made using the prepreg or laminated board of this invention.

이하, 본 발명의 프린트 배선판의 대표예로서 본 발명의 금속 부착 적층판을 내층 회로 기판으로 사용하고, 본 발명의 프리프레그를 절연층으로서 사용하는 경우의 다층 프린트 배선에 대해서 설명한다. Hereinafter, as a representative example of the printed wiring board of the present invention, multilayer printed wiring in the case of using the laminated board with a metal of the present invention as an inner layer circuit board and using the prepreg of the present invention as an insulating layer will be described.

내층 회로 기판은 상기 금속 부착 적층판의 한면 또는 양면에 소정 패턴의 도체 회로를 형성하고, 상기 도체 회로 부분을 흑화 처리함으로써 제작한다. 상기 도체 회로의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 서브트랙티브법, 애디티브법, 세미 애디티브법 등의 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다. 또, 내층 회로 기판에는 드릴 가공, 레이저 가공 등에 의해 스루홀을 형성하고 도금 등으로 양면의 전기적 접속을 취할 수 있다. 상기 내층 회로 기판은 본 발명의 금속 부착 적층판으로 이루어지기 때문에, 특히 레이저 가공에 의해, 구멍 지름, 형상 등의 정밀도가 뛰어난 스루홀을 형성할 수 있다. 상기 레이저는 엑시머 레이져(excimer laser), UV 레이저 및 탄산 가스 레이저 등을 사용할 수 있다.An inner circuit board is formed by forming a conductor circuit of a predetermined pattern on one side or both sides of the laminate with a metal, and blackening the conductor circuit portion. The formation method of the said conductor circuit is not specifically limited, It can carry out by well-known methods, such as a subtractive method, an additive method, a semiadditive method. In addition, through-holes are formed in the inner circuit board by drilling, laser processing, or the like, and electrical connection on both sides can be made by plating or the like. Since the said inner layer circuit board consists of the laminated board with a metal of this invention, especially through laser processing, the through hole excellent in the precision, such as a hole diameter and a shape, can be formed. The laser may use an excimer laser, a UV laser, a carbon dioxide laser, or the like.

다음으로, 이 내층 회로 기판에 상기 프리프레그를 포개어 겹쳐 가열 가압 성형하고, 또한 가열 경화함으로써 절연층을 형성한다. 구체적으로는, 상기 프리프레그와 상기 내층 회로 기판을 포개고, 진공 가압식 라미네이터 장치 등을 사용해 진공 가열 가압 성형한 후 열풍 건조 장치 등으로 절연층을 가열 경화시킨다. 여기서 가열 가압 성형하는 조건으로는 특별히 한정되지 않지만, 일례를 들면 온도 60~160℃, 압력 0.2~3MPa에서 실시할 수 있다. 또, 가열 경화시키는 조건으로는 특별히 한정되지 않지만, 일례를 들면 온도 140~240℃, 시간 30~120분 사이에서 실시할 수 있다.Next, the said prepreg is piled up on this inner layer circuit board, and it heat-press-moldes and heat-cure, and an insulating layer is formed. Specifically, the prepreg and the inner circuit board are stacked, vacuum heated and press molded using a vacuum pressurized laminator apparatus or the like, and then the insulating layer is heat-cured by a hot air drying apparatus or the like. Although it does not specifically limit as conditions to heat press-molding here, For example, it can carry out at the temperature of 60-160 degreeC, and a pressure of 0.2-3 MPa. Moreover, it does not specifically limit as conditions to heat-harden, For example, it can carry out between temperature 140-240 degreeC and time 30-120 minutes.

다음으로, 적층한 절연층에 레이저를 조사하고, 개공부(비어 구멍)를 형성한다. 상기 레이저는 스루홀 형성에 사용되는 레이저와 동일한 것을 사용할 수 있다. 상기 절연층은 본 발명의 프리프레그로 이루어지기 때문에 레이저 가공에 의해, 구멍 지름, 형상 등의 정밀도가 뛰어난 개공부를 형성할 수 있다.Next, a laser is irradiated to the laminated insulating layer, and a opening part (empty hole) is formed. The laser may be the same as the laser used for forming the through hole. Since the said insulating layer consists of the prepreg of this invention, a hole part excellent in the precision, such as a hole diameter and a shape, can be formed by laser processing.

레이저 조사 후의 수지 잔사(스미어) 등은 과망간산염, 중크롬산염 등의 산화제 등에 의해 제거하는 처리, 즉 데스미어 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 데스미어 처리가 불충분하고 데스미어성이 충분히 확보되어 있지 않으면, 개공부에 금속 도금 처리를 실시해도, 스미어가 원인으로 상층 도체 회로층과 하층 도체 회로층의 통전성이 충분히 확보되지 않게 될 우려가 있다. 또, 데스미어 처리를 실시함으로써, 평활한 절연층의 표면을 동시에 조화할 수 있기 때문에, 금속 도금 처리에 의해 절연층 표면에 도체층을 형성했을 때에 절연층 표면과 도체층의 밀착성이 뛰어나다. 또한, 레이저 조사에 의한 개공부 형성 전에 절연층 표면에 도체층을 형성해도 된다.It is preferable to perform the process which removes the resin residue (smear) etc. after laser irradiation with oxidizing agents, such as a permanganate, a dichromate, etc., ie, a desmear process. If the desmear treatment is insufficient and the desmearability is not sufficiently secured, there is a possibility that the conduction of the upper conductor circuit layer and the lower conductor circuit layer may not be sufficiently secured due to the smear even if the metal plating treatment is performed in the openings. . Moreover, since the surface of the smooth insulating layer can be matched simultaneously by performing a desmear process, when the conductor layer is formed in the insulating layer surface by metal plating process, it is excellent in the adhesiveness of an insulating layer surface and a conductor layer. In addition, you may form a conductor layer on the surface of an insulating layer before formation of the aperture part by laser irradiation.

다음으로, 개공부 및 절연층 표면에 금속 도금 처리를 실시해 도체층을 형성한다. 상기 절연층 표면에는 또한 전술한 공지된 방법 등에 의해 도체 회로 형성을 실시한다. 또한, 개공부에 금속 도금 처리를 실시해 도체층을 형성함으로써, 상층 도체 회로층과 하층 도체 회로층의 도전을 도모할 수 있다.Next, a metal plating process is performed on the opening part and the insulating layer surface, and a conductor layer is formed. The surface of the insulating layer is further subjected to conductor circuit formation by the above-described known method or the like. In addition, the upper layer conductor circuit layer and the lower layer conductor circuit layer can be electrically conductive by forming a conductor layer by applying a metal plating treatment to the openings.

또한 절연층을 적층해 상기와 같이 도체 회로 형성을 실시해도 되지만, 다층 프린트 배선판에서는 도체 회로 형성 후, 최외층에 솔더 레지스트막을 형성한다. 솔더 레지스트막의 형성 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 드라이필름 타입의 솔더 레지스트를 적층(라미네이트)해 노광 및 현상에 의해 형성하는 방법 또는 액상 레지스트를 인쇄한 것을 노광 및 현상에 의해 형성하는 방법에 의해 이루어진다. 얻어진 다층 프린트 배선판을 반도체 장치에 사용하는 경우는 반도체 소자를 실장 하기 위한 접속용 전극부를 마련한다. 접속용 전극부는 금 도금, 니켈 도금 및 납땜 도금 등의 금속 피막으로 적당히 피복할 수 있다.Moreover, although an insulating layer may be laminated | stacked and conductor circuit formation may be performed as mentioned above, in a multilayer printed wiring board, a soldering resist film is formed in outermost layer after conductor circuit formation. Although the formation method of a soldering resist film is not specifically limited, For example, the method of laminating | stacking (laminating) a dry film type soldering resist and forming it by exposure and image development, or the method of forming what printed the liquid resist by exposure and image development is carried out. Is made by When using the obtained multilayer printed wiring board for a semiconductor device, the connection electrode part for mounting a semiconductor element is provided. The connecting electrode portion can be appropriately coated with a metal film such as gold plating, nickel plating and solder plating.

4. 반도체 장치4. Semiconductor device

다음으로, 본 발명의 반도체 장치에 대해서 설명한다.Next, the semiconductor device of the present invention will be described.

상기에서 얻어진 프린트 배선판에 납땜 범프를 갖는 반도체 소자를 실장하고 납땜 범프를 통하여, 상기 프린트 배선판과의 접속을 도모한다. 그리고, 프린트 배선판과 반도체 소자의 사이에는 밀봉 수지를 충전해 반도체 장치를 형성한다. 납땜 범프는 주석, 납, 은, 동, 비스무트 등으로 이루어진 합금으로 구성되는 것이 바람직하다.A semiconductor element having solder bumps is mounted on the printed wiring board obtained above, and the connection with the printed wiring board is achieved through the solder bumps. Then, a sealing resin is filled between the printed wiring board and the semiconductor element to form a semiconductor device. It is preferable that a solder bump is comprised from the alloy which consists of tin, lead, silver, copper, bismuth, etc.

반도체 소자와 프린트 배선판의 접속 방법은 플립 칩 본더 등을 사용하고, 프린트 배선판 위의 접속용 전극부와 반도체 소자의 납땜 범프의 위치 맞춤을 실시한 뒤, IR 리플로우 장치, 열판, 그 외 가열 장치를 사용해 납땜 범프를 융점 이상으로 가열해 프린트 배선판과 납땜 범프를 용융 접합함으로써 접속한다. 또한, 접속 신뢰성을 좋게 하기 위해, 미리 프린트 배선판 위의 접속용 전극부에 납땜 페이스트 등, 비교적 융점이 낮은 금속의 층을 형성해 두어도 된다. 이 접합 공정에 앞서, 납땜 범프 및/또는 프린트 배선판 위의 접속용 전극부의 표층에 플럭스를 도포함으로써 접속 신뢰성을 향상시킬 수도 있다.Connect the semiconductor element and the printed wiring board using a flip chip bonder or the like, and after aligning the solder bumps of the semiconductor electrode with the connection electrode portion on the printed wiring board, the IR reflow apparatus, the hot plate, and other heating devices are replaced. Use to heat the solder bumps above the melting point and connect them by fusion bonding the printed wiring board and the solder bumps. In addition, in order to improve connection reliability, a relatively low melting point metal layer, such as solder paste, may be formed in advance on the electrode portion for connection on the printed wiring board. Prior to this joining step, the connection reliability may be improved by applying flux to the surface layer of the electrode portion for connection on the solder bumps and / or the printed wiring board.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 근거해 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail based on Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited thereto.

실시예 및 비교예에서 사용한 섬유 직포는 JIS R3413로 규정되는 유리 섬유가 평직 제직된 직포로 이하의 유리 섬유 직포 A~L이다.The fiber woven fabric used by the Example and the comparative example is the woven fabric which the glass fiber prescribed | regulated to JISR3413 was woven into the woven fabric, and is the following glass fiber woven fabrics A-L.

A: T 유리, E1101/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 44.5개, 42개, 개섬·편평 처리한 두께 130㎛, 평량 155g/m2 A: T glass, E1101 / 0 using a glass fiber yarn, the number of Merc per 25mm of the warp and 44.5 hoengsa dog, 42, the flat carding process · 130㎛ thickness, basis weight of 155g / m 2

B: E 유리, DE1501/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 46.5개, 44개, 개섬·편평처리한 두께 95㎛, 평량 121g/m2 B: 46.5 pieces, 44 pieces, insulated / flattened thickness 95 µm, basis weight 121g / m 2 , with E glass and glass fiber yarn of DE1501 / 0 per 25mm of warp and cross yarns

C: T 유리, E2251/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 65개, 64개, 개섬·편평처리한 두께 95㎛, 평량 121g/m2 C: T glass, E2251 / 0 using a glass fiber yarn, the number of Merc per 25mm of warp and hoengsa 65, 64, the flat carding process, a thickness 95㎛, basis weight 121g / m 2

D: D 유리, E2251/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 65개, 64개, 개섬·편평처리한 두께 95㎛, 평량 121g/m2 D: D glass, 65 pieces, 64 pieces, insulated and flattened thickness of 95m, basis weight 121g / m 2 per 25mm of warp and cross thread using glass fiber yarn of E2251 / 0

E: T 유리, D4501/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 59개, 59개, 개섬·편평처리한 두께 46㎛, 평량 53g/m2 E: T glass, D4501 / 0 using a glass fiber yarn, the number of Merc per 25mm of warp and hoengsa 59, 59, the flat carding process, a thickness 46㎛, basis weight 53g / m 2

F: T 유리, BC15001/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 90개, 90개, 개섬·편평처리한 두께 20㎛, 평량 24g/m2 F: T glass, BC15001 / 0 using a glass fiber yarn, the number of Merc per 25mm of warp and hoengsa 90, 90, the flat carding process, a thickness 20㎛, basis weight 24g / m 2

G: T 유리, C12001/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 74개, 77개, 개섬·편평처리한 두께 25㎛, 평량 31g/m2 G: T glass, C12001 / 0 using a glass fiber yarn, the number of Merc per 25mm of warp and hoengsa 74, 77, the flat carding process, a thickness 25㎛, basis weight 31g / m 2

H: T 유리, E1101/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 44.5개, 42개, 개섬·편평처리한 두께 115㎛, 평량 155g/m2 H: 44.5 pieces, 42 pieces of perforated and 25 mm inclined and cross yarns using T glass and glass fiber yarn of E1101 / 0, 115 micrometers of open and flattened thickness, basis weight 155 g / m 2

I: T 유리, E1101/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 43개, 40개, 개섬·편평처리한 두께 145㎛, 평량 150g/m2 I: T glass, E1101 / 0 using a glass fiber yarn, the number of Merc per 25mm of warp and hoengsa 43, 40, the flat carding process, a thickness 145㎛, basis weight 150g / m 2

J: T 유리, E2251/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 59개, 54개, 개섬·편평처리한 두께 97㎛, 평량 100g/m2 J: 59 pieces, 54 pieces of permeation and flattening per 25mm of the warp and cross yarns using T glass and glass fiber yarn of E2251 / 0, 97 µm thick, open and flat, 100 g / m 2

K: T 유리, D4501/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 60개, 47개, 개섬·편평처리한 두께 50㎛, 평량 48g/m2 K: 60 pieces, 47 pieces, 50 micrometers of thickness that opened and flattened the insulated and flat yarns per 25mm using T glass and D4501 / 0 glass fiber yarn, basis weight 48g / m 2

L: T 유리, C12001/0의 유리 섬유사를 사용해 경사와 횡사의 25mm 당 박아 넣은 개수가 68개, 72개, 개섬·편평처리한 두께 27㎛, 평량 25g/m2 L: T glass, C12001 / 0 using a glass fiber yarn, the number of Merc per 25mm of warp and hoengsa 68, 72, · opening 27㎛ flat processing thickness, basis weight 25g / m 2

실시예 및 비교예에서 사용한 바니시는 이하의 바니시 제조예 1~7에 의해 수지 조성물을 용제에 함유·혼합시켜 제조된 것이다.The varnish used by the Example and the comparative example is manufactured by containing and mixing a resin composition in a solvent by the following varnish manufacture examples 1-7.

(바니시 제조예 1) (Varnish production example 1)

에폭시 수지(DIC사 제 HP-5000)를 6중량부, 페놀 노볼락형 시아네이트 수지(론자사 제 PT30) 12중량부, 페놀계 경화제(메이와화성사 제 MEH-7851-4L)를 6중량부, 실리카 입자(토쿠야마사 제 NSS-5N, 평균 입경 70nm)를 10중량부, 구상 실리카(아드마텍스사 제 SO-31R, 평균 입경 1.0㎛)를 65중량부, 에폭시실란(신에츠화학공업사 제 KBM-403E) 1.0중량부를 메틸에틸케톤 중에 함유·혼합시키고, 고속교반장치를 사용해 교반하여, 에폭시 수지 조성물이 고형분 기준으로 70중량%인 바니시를 얻었다. 또한, 바니시에 함유·혼합시킨 수지 조성물에 포함되는 충전재 전체를 100질량%로 하면 상기 충전재에 포함되는 실리카 입자는 13질량%, 구상 실리카는 87질량%였다.6 parts by weight of epoxy resin (HP-5000 manufactured by DIC Corporation), 12 parts by weight of phenol novolac-type cyanate resin (PT30 manufactured by Lonza Corporation) and 6 parts by weight of phenolic curing agent (MEH-7851-4L manufactured by Meiwa Chemical) 10 parts by weight of silica particles (NSS-5N manufactured by Tokuyama Co., Ltd., 70 nm average particle diameter), 65 parts by weight of spherical silica (SO-31R manufactured by Admatex Co., Ltd., 1.0 μm average particle size) and epoxy silane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 1.0 weight part of KBM-403E) was contained and mixed in methyl ethyl ketone, and it stirred using the high speed stirrer, and obtained the varnish whose epoxy resin composition is 70 weight% based on solid content. Moreover, when the whole filler contained in the resin composition mixed and mixed with varnish was 100 mass%, the silica particle contained in the said filler was 13 mass%, and spherical silica was 87 mass%.

(바니시 제조예 2) (Varnish production example 2)

에폭시 수지로 비페닐아랄킬형 에폭시 수지(일본화약사 제 NC-3000) 9중량부, 비스말레이미드 수지(케이아이카세이공업사 제 BMI-70) 17중량부, 4,4'-디아미노디페닐메탄 3중량부, 실리카 입자(토쿠야마사 제 NSS-5N, 평균 입경 70nm)를 10중량부, 베마이트(카와이석회사 제 BMB, 평균 입경 0.5㎛) 60중량부, 에폭시실란(신에츠화학공업사 제 KBM-403E) 1.0중량부를 디메틸포름아미드에 함유·혼합시켰다. 그 다음으로, 고속교반장치를 사용해 교반하여 불휘발분 70중량%되도록 조정해 수지 바니시를 조제했다. 또한, 바니시에 함유·혼합시킨 수지 조성물에 포함되는 충전재 전체를 100질량%로 하면 상기 충전재에 포함되는 실리카 입자는 14질량%, 베마이트는 86질량%였다.9 parts by weight of biphenyl aralkyl type epoxy resin (NC-3000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 17 parts by weight of bismaleimide resin (BMI-70 manufactured by Keika Chemical Co., Ltd.), 4,4'-diaminodiphenylmethane 3 parts by weight, 10 parts by weight of silica particles (NSS-5N manufactured by Tokuyama Co., Ltd., average particle diameter: 70 nm), 60 parts by weight of boehmite (BMB manufactured by Kawaii Co., Ltd., average particle diameter: 0.5 μm), epoxy silane (KBM manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) -403E) 1.0 part by weight was contained and mixed in dimethylformamide. Subsequently, the mixture was stirred using a high speed stirrer and adjusted to 70% by weight of a nonvolatile content to prepare a resin varnish. Moreover, when the whole filler contained in the resin composition mixed and mixed with varnish was 100 mass%, the silica particle contained in the said filler was 14 mass%, and boehmite was 86 mass%.

(바니시 제조예 3)(Varnish production example 3)

비페닐아랄킬형 에폭시 수지(일본화약사 제 NC-3000FH) 20중량부, 나프탈렌형 에폭시 수지(DIC(주) 제 HP4032D) 5중량부, 시아네이트 수지(토토 화성(주) 제 SN485의 유도체, 나프톨형) 17중량부, 비스말레이미드 수지(게이아이카세 공업사 제 BMI-70) 7.5중량%, 실리카 입자(토쿠야마사 제 NSS-5N, 평균 입경 70nm)를 7중량부, 구상 실리카(아드마텍스사 제 SO-31R, 평균 입경 1.0㎛) 35.5중량부, 실리콘 입자(신에츠 화학공업(주) 제 KMP600, 평균 입경 5㎛) 7.5중량부, 옥틸산아연 0.01중량, 에폭시실란(신에츠 화학공업사 제 KBM-403E) 0.5중량을 메틸에틸케톤에 함유·혼합시켰다. 그 다음으로, 고속교반장치를 사용해 교반하여 불휘발분 70중량%되도록 조정해 수지 바니시를 조제했다. 또한, 바니시에 함유·혼합시킨 수지 조성물에 포함되는 충전재 전체를 100질량%로 하면 상기 충전재에 포함되는 실리카 입자는 14질량%, 구상 실리카는 71질량%, 실리콘 입자는 15질량%였다.20 parts by weight of biphenyl aralkyl type epoxy resin (NC-3000FH manufactured by Nippon Chemical Co., Ltd.), 5 parts by weight of naphthalene type epoxy resin (HP4032D manufactured by DIC Corporation), cyanate resin (derivatives of Tohto Chemical Co., Ltd. SN485, naphthol 17 parts by weight, 7 parts by weight of bismaleimide resin (BMI-70 manufactured by Kei-Akasei Kogyo Co., Ltd.), silica particles (NSS-5N manufactured by Tokuyama Co., Ltd., average particle diameter: 70 nm), and spherical silica (admatex) 35.5 weight part of SO-31R by the company, 1.0 micrometer of average particle diameters, 7.5 weight part of silicon particles (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KMP600, 5 micrometers of average particle diameters), 0.01 weight of zinc octylate, epoxy silane (KBM by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) -403E) 0.5 weight was contained and mixed in methyl ethyl ketone. Subsequently, the mixture was stirred using a high speed stirrer and adjusted to 70% by weight of a nonvolatile content to prepare a resin varnish. Moreover, when the whole filler contained in the resin composition mixed and mixed with varnish was 100 mass%, the silica particle contained in the said filler was 14 mass%, spherical silica was 71 mass%, and the silicon particle was 15 mass%.

(바니시 제조예 4)(Varnish production example 4)

에폭시 수지로 비페닐아랄킬형 에폭시 수지(일본화약사 제 NC-3000) 18.5중량부, 비스말레이미드 수지(케이아이카세이공업사 제 BMI-70) 34.9중량부, 4,4'-디아미노디페닐메탄 6.1중량부, 실리카 입자(토쿠야마사 제 NSS-5N, 평균 입경 70nm)를 5중량부, 베마이트(카와이석회사 제 BMB, 평균 입경 0.5㎛) 35중량부, 에폭시실란(신에츠 화학공업사 제 KBM-403E) 0.5중량부를 디메틸포름아미드에 함유·혼합시켰다. 그 다음으로, 고속교반장치를 사용해 교반하여 불휘발분 70중량%되도록 조정해 수지 바니시를 조제했다. 또한, 바니시에 함유·혼합시킨 수지 조성물에 포함되는 충전재 전체를 100질량%로 하면 상기 충전재에 포함되는 실리카 입자는 12.5질량%, 베마이트는 87.5질량%였다.18.5 parts by weight of biphenyl aralkyl type epoxy resin (NC-3000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 34.9 parts by weight of bismaleimide resin (BMI-70, manufactured by Keika Chemical Co., Ltd.), 4,4'-diaminodiphenylmethane 6.1 parts by weight, 5 parts by weight of silica particles (NSS-5N manufactured by Tokuyama Co., Ltd., average particle diameter: 70 nm), 35 parts by weight of boehmite (BMB manufactured by Kawaii Co., Ltd., average particle diameter: 0.5 μm), epoxy silane (KBM manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) -403E) 0.5 weight part was contained and mixed in dimethylformamide. Subsequently, the mixture was stirred using a high speed stirrer and adjusted to 70% by weight of a nonvolatile content to prepare a resin varnish. In addition, when the whole filler contained in the varnish containing-mixed resin was 100 mass%, the silica particle contained in the said filler was 12.5 mass%, and boehmite was 87.5 mass%.

(바니시 제조예 5) (Varnish production example 5)

에폭시 수지로 비페닐아랄킬형 에폭시 수지(일본화약사 제 NC-3000) 2.80중량부, 비스말레이미드 수지(케이아이카세이공업사 제 BMI-70) 5.27중량부, 4,4'-디아미노디페닐메탄 0.93중량부, 실리카 입자(토쿠야마사 제 NSS-5N, 평균 입경 70nm)를 10중량부, 베마이트(카와이석회사 제 BMB, 평균 입경 0.5㎛) 80중량부, 에폭시실란(신에츠 화학공업사 제 KBM-403E) 1.0중량부를 디메틸포름아미드에 함유·혼합시켰다. 그 다음으로, 고속교반장치를 사용해 교반하여 불휘발분 70중량%되도록 조정해 수지 바니시를 조제했다. 또한, 바니시에 함유·혼합시킨 수지 조성물에 포함되는 충전재 전체를 100질량%로 하면 상기 충전재에 포함되는 실리카 입자는 11질량%, 베마이트는 89질량%였다.2.80 parts by weight of biphenyl aralkyl type epoxy resin (NC-3000 manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), 5.27 parts by weight of bismaleimide resin (BMI-70, manufactured by Keika Chemical Co., Ltd.), 4,4'-diaminodiphenylmethane 0.93 parts by weight, 10 parts by weight of silica particles (NSS-5N manufactured by Tokuyama Co., Ltd., average particle diameter: 70 nm), 80 parts by weight of boehmite (BMB manufactured by Kawaii Corporation, average particle diameter of 0.5 μm), epoxy silane (KBM manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) -403E) 1.0 part by weight was contained and mixed in dimethylformamide. Subsequently, the mixture was stirred using a high speed stirrer and adjusted to 70% by weight of a nonvolatile content to prepare a resin varnish. Moreover, when the whole filler contained in the resin composition mixed and mixed with varnish was 100 mass%, the silica particle contained in the said filler was 11 mass%, and boehmite was 89 mass%.

(바니시 제조예 6) (Varnish production example 6)

에폭시 수지(DIC사 제 HP-5000)를 6중량부, 페놀 노볼락형 시아네이트 수지(론자사 제 PT30) 12중량부, 페놀계 경화제(메이와화성사 제 MEH-7851-4L)를 6중량부, 실리카 입자(토쿠야마사 제 NSS-5N, 평균 입경 70nm)를 30중량부, 구상 실리카(아드마텍스사 제 SO-31R, 평균 입경 1.0㎛)를 45중량부, 에폭시실란(신에츠 화학공업사 제 KBM-403E) 1.0중량부를 메틸에틸케톤 중에 함유·혼합시켜, 고속교반장치를 사용해 교반하여 에폭시 수지 조성물이 고형분 기준으로 70중량%의 바니시를 얻었다. 또한, 바니시에 함유·혼합시킨 수지 조성물에 포함되는 충전재 전체를 100질량%로 하면 상기 충전재에 포함되는 실리카 입자는 40질량%, 구상 실리카는 60질량%였다.6 parts by weight of epoxy resin (HP-5000 manufactured by DIC Corporation), 12 parts by weight of phenol novolac-type cyanate resin (PT30 manufactured by Lonza Corporation) and 6 parts by weight of phenolic curing agent (MEH-7851-4L manufactured by Meiwa Chemical) 30 parts by weight of silica particles (NSS-5N manufactured by Tokuyama Co., Ltd., average particle diameter: 70 nm), 45 parts by weight of spherical silica (SO-31R manufactured by Admatex, 1.0 μm), epoxy silane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 1.0 weight part of KBM-403E) was contained and mixed in methyl ethyl ketone, and it stirred using the high speed stirrer, and the epoxy resin composition obtained 70 weight% of varnish on the basis of solid content. Moreover, when the whole filler contained in the resin composition mixed and mixed with varnish was 100 mass%, the silica particle contained in the said filler was 40 mass%, and spherical silica was 60 mass%.

(바니시 제조예 7) (Varnish production example 7)

에폭시 수지(일본화약사 제 NC-3000)를 6중량부, 페놀 노볼락형 시아네이트 수지(론자사 제 PT30) 12중량부, 페놀계 경화제(메이와화성사 제 MEH-7851-4L)를 6중량부, 구상 실리카(아드마텍스사 제 SO-31R, 평균 입경 1.0㎛)를 75중량부, 에폭시실란(신에츠 화학공업사 제 KBM-403E) 1.0중량부를 메틸에틸케톤 중에 함유·혼합시키고, 고속교반장치를 사용해 교반하여 에폭시 수지 조성물이 고형분 기준으로 70중량%의 바니시를 얻었다. 또한, 바니시에 함유·혼합시킨 수지 조성물에 포함되는 충전재 전체를 100질량%로 하면 상기 충전재에 포함되는 실리카 입자는 0질량%, 구상 실리카는 100질량%였다.6 parts by weight of epoxy resin (NC-3000 manufactured by Nippon Chemical Co., Ltd.), 12 parts by weight of phenol novolac-type cyanate resin (PT30 manufactured by Lonza), and 6 parts by weight of phenol-based curing agent (MEH-7851-4L manufactured by Meiwa Chemical) 75 parts by weight of spherical silica (SO-31R manufactured by Admatex, 1.0 μm in average particle size) and 1.0 part by weight of epoxy silane (KBM-403E manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) were mixed and mixed in methyl ethyl ketone, followed by high speed stirring. It stirred using the apparatus and the epoxy resin composition obtained the varnish of 70 weight% on a solid content basis. Moreover, when the whole filler contained in the resin composition contained and mixed in the varnish was 100 mass%, the silica particle contained in the said filler was 0 mass%, and spherical silica was 100 mass%.

바니시 제조예 1~7에 사용되는 수지 조성물의 조성을 표 1에 나타낸다. 또한, 각 성분의 배합량은 중량부로 나타낸다.The composition of the resin composition used for varnish manufacture examples 1-7 is shown in Table 1. In addition, the compounding quantity of each component is shown by weight part.

Figure 112013075968812-pct00002
Figure 112013075968812-pct00002

상기 유리 섬유 직포 및 상기 바니시를 사용하여, 프리프레그, 금속 부착 적층판, 프린트 배선판(내층 회로 기판), 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치를 제작했다.Using the said glass fiber woven fabric and the said varnish, the prepreg, the laminated board with a metal, the printed wiring board (inner layer circuit board), the multilayer printed wiring board, and the semiconductor device were produced.

<실시예 1>&Lt; Example 1 &gt;

(1) 프리프레그의 제작(1) Preparation of prepreg

제조예 1에서 얻어진 바니시를 두께 38㎛의 폴리에틸렌 테레프탈레이트 기재(이하, PET 기재) 위에 유연 도포하고, 온도 140℃에서 시간 10분에 용제를 휘발 건조시켜, 수지층의 두께가 30㎛가 되도록 했다. 상기 수지층 부착 기재를 유리 직포 A의 양면에 수지층이 유리 직포에 접하도록 배치하고, 압력 0.5MPa, 온도 140℃에서 1분간의 조건으로 진공 가압식 라미네이터(메이키제작소사 제 MLVP-500)에 의해 가열 가압하여 수지 조성물을 함침시켰다. 이것에 의해, 양면에 PET 기재를 갖는 두께 150㎛의 프리프레그(수지층(한면): 10㎛, 섬유 직포층: 130㎛)를 얻었다.The varnish obtained in the manufacture example 1 was apply | coated flexibly on the polyethylene terephthalate base material (hereinafter PET base material) of thickness 38micrometer, the solvent was volatilized and dried at the temperature of 140 degreeC for 10 minutes, and the thickness of the resin layer was set to 30 micrometers. . The base material with the resin layer was disposed on both surfaces of the glass cloth A so that the resin layer was in contact with the glass cloth, and was placed in a vacuum pressurized laminator (MLVP-500 manufactured by Miki Manufacturing Co., Ltd.) under a condition of 1 minute at a pressure of 0.5 MPa and a temperature of 140 ° C. It heated and pressurized and impregnated the resin composition. This obtained the prepreg (resin layer (one side): 10 micrometers, fiber woven fabric layer: 130 micrometers) of thickness 150micrometer which has a PET base material on both surfaces.

(2) 금속 부착 적층판의 제작(2) Manufacture of Laminates with Metal

상기 프리프레그의 양면에 캐리어 부착 2㎛의 동박(미츠이금속광업사 제, 마이크로신 MT18Ex-2)을 포개고, 압력 3MPa, 온도 220℃에서 2시간 가열 가압 성형했다. 이것에 의해, 프리프레그가 경화해서 이루어지는 두께 150㎛의 절연층의 양면에 동박을 갖는 금속 부착 적층판을 얻었다.2 micrometers copper foil with a carrier (Microsine MT18Ex-2 by Mitsui Metal Co., Ltd.) was piled on both surfaces of the said prepreg, and it heat-molded for 2 hours at the pressure of 3 Mpa and the temperature of 220 degreeC. This obtained the laminated board with a metal which has copper foil on both surfaces of the 150-micrometer-thick insulating layer which prepreg hardens | cures.

(3) 다층 프린트 배선판 절연층용 프리프레그의 제작(3) Preparation of prepreg for multilayer printed wiring board insulation layer

상기 제조예 1에서 얻어진 바니시를 유리 직포(두께 16㎛, 유니치카사 제 E 유리 직포, E02Z, 평량 17.5g/m2)에 함침하고, 180℃의 가열로에서 2분간 건조하여 프리프레그 중의 수지 조성물이 고형분 기준으로 약 78중량%인 프리프레그(두께 40㎛)를 얻었다. 또한, 상기 유리 직포는 부피 밀도 1.09g/cm3, 통기도 41cc/cm2/sec, 편평률(두께:폭) 1:16이었다. 또, 상기 유리 직포는 판상으로 했을 때의 영률이 93GPa, 판상으로 했을 때의 인장 강도가 48GPa, 섬유 직포로 했을 때의 긴 방향의 인장 강도가 90N/25mm의 유리 섬유로 이루어진 것이었다.The varnish obtained in Production Example 1 was impregnated into a glass woven fabric (thickness 16 µm, manufactured by Unichika Co., Ltd. E glass woven fabric, E02Z, basis weight 17.5 g / m 2 ), dried in a heating furnace at 180 ° C. for 2 minutes, and resin in a prepreg. The composition obtained the prepreg (40 micrometers in thickness) which is about 78 weight% based on solid content. Further, the glass woven fabric had a bulk density of 1.09 g / cm 3 , an air permeability of 41 cc / cm 2 / sec, and a flatness (thickness: width) of 1:16. The glass woven fabric was made of glass fibers having a Young's modulus of 93 GPa and a plate-like tensile strength of 48 GPa and a long-woven tensile strength of 90 N / 25 mm.

(4) 프린트 배선판(내층 회로 기판)의 제조(4) Production of printed wiring boards (inner layer circuit boards)

상기 금속 부착 적층판으로부터 캐리어박을 박리하고, 탄산 가스 레이저(미츠비시전기사 제, ML605GTX3-5100U2)를 사용하여 애퍼쳐(aperture) Φ1.4mm, 빔 지름 약 120㎛, 에너지 7~9mJ, 쇼트 수 6의 조건으로, Φ100㎛의 관통 스루홀을 형성했다. 그 다음으로, 상기 금속 부착 적층판을 70℃의 팽윤액(아트텍크재팬사 제, 스웰링딥 시큐어리간트 P)에 5분간 침지하고, 또한 80℃의 과망간산칼륨 수용액(아트텍크재팬사 제, 콘센트레이트컴팩트 CP)에 10분 침지 후, 중화해 조화 처리를 실시했다. 다음으로, 무전해 도금(카미무라공업사 제, 스루커퍼(through-cupper) PEA 프로세스)으로 상하 동박간의 도전을 도모했다. Carrier foil is peeled from the said laminated board with metal, and it uses aperture carbon laser (ML605GTX3-5100U2 by Mitsubishi Electric Corporation) with aperture Φ1.4mm, beam diameter about 120 micrometers, energy 7-9mJ, number of shots 6 On the condition of, a through-hole of Φ 100 µm was formed. Subsequently, the laminated sheet with metal was immersed in a swelling liquid at 70 ° C. (manufactured by Arttec Japan, Swelling Deep Secure P) for 5 minutes, and further subjected to an aqueous solution of potassium permanganate at 80 ° C. (manufactured by Arttec Japan, Inc.). After immersion in compact CP) for 10 minutes, it neutralized and performed the roughening process. Next, the upper and lower copper foils were challenged by electroless plating (Kamimura Industries Co., Ltd., through-cupper PEA process).

그 다음으로, 이 무전해 도금층의 표면에 두께 25㎛의 자외선 감광성 드라이 필름(아사히화성사 제, 산포트 UFG-255)을 핫롤 라미네이터에 의해 첩합하였다. 그 다음으로, 최소 선폭/선간이 20/20㎛인 패턴이 그려진 유리 마스크(토픽사 제)의 위치를 맞추었다. 그 다음에 상기 유리 마스크를 사용하여 노광 장치(오노소키 EV-0800)로 노광한 후, 탄산소다 수용액으로 현상해 레지스트 마스크를 형성했다. 다음으로, 무전해 도금층을 급전층 전극으로 하여 전해 동도금(오쿠노제약사 제81-HL)을 3A/dm2, 25분간 실시했다. 이것에 의해, 두께 약 20㎛인 동배선의 패턴을 형성했다. 다음으로, 박리기를 사용하여 모노에탄올아민 용액(미츠비시가스화학사 제 R-100)으로 상기 레지스트 마스크를 박리했다. 그리고, 급전층인 패턴 형상 이외의 불필요한 동박 및 무전해 도금층을 플래시 에칭(에바라전산사 제 SAC-702M와 SAC-701R35의 순수 용액)에 의해 제거하여, L/S=20/20㎛의 패턴을 형성했다. Subsequently, an ultraviolet photosensitive dry film (manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd., Sanport UFG-255) having a thickness of 25 µm was bonded to the surface of the electroless plating layer by a hot roll laminator. Next, the position of the glass mask (made by the topic company) in which the pattern with the minimum line width / line between 20/20 micrometers was drawn was matched. Then, after exposing with the exposure apparatus (Onosoki EV-0800) using the said glass mask, it developed by the sodium-carbonate aqueous solution and formed the resist mask. Next, the electroless plated layer as a power feeding layer for electrolytic copper plating was performed electrode (Okuno Pharmaceutical the 81-HL) to 3A / dm 2, 25 minutes. This formed the pattern of the copper wiring which is about 20 micrometers in thickness. Next, the said resist mask was peeled off with the monoethanolamine solution (R-100 by Mitsubishi Gas Chemical Corporation) using a peeler. And unnecessary copper foil and electroless plating layer other than the pattern shape which is a power supply layer were removed by flash etching (pure solution of SAC-702M and SAC-701R35 by Ebara Computer Co., Ltd.), and the pattern of L / S = 20 / 20micrometer. Formed.

그 다음으로, 도체 회로의 조화 처리(멕크사 제, 멕크에이치본드 CZ-8100)를 실시했다. 상기 조화 처리는 액온 35℃, 스프레이압 0.15MP의 조건으로 스프레이 분무 처리해, 동표면에 조도 3㎛ 정도의 조면화를 실시함으로써 행해졌다. 그 다음으로, 도체 회로의 표면 처리(멕크사 제, 멕크에이치본드 CL-8300)를 실시했다. 상기 표면 처리에서는 액온 25℃, 침지 시간 20초간의 조건으로 침지하고, 동표면에 방녹 처리를 실시했다. 이와 같이 하여 프린트 배선판(내층 회로 기판)을 제작했다.Subsequently, the roughening process of the conductor circuit (Mech Hbond CZ-8100) was performed. The said roughening process was performed by spray-spraying on condition of 35 degreeC of liquid temperature, and 0.15 MP of spray pressure, and roughening about 3 micrometers of roughness on the same surface. Subsequently, the surface treatment of conductor circuits (manufactured by Meck H. Bond CL-8300) was performed. In the said surface treatment, it immersed on the conditions of 25 degreeC of liquid temperature, and 20 second immersion time, and performed antirust process on the same surface. Thus, the printed wiring board (inner layer circuit board) was produced.

(5) 다층 프린트 배선판의 제조(5) Manufacture of multilayer printed wiring board

다음으로, 상기에서 얻어진 프린트 배선판을 내층 회로 기판으로 하여 그 양면에 상기 다층 프린트 배선판 절연층용 프리프레그와 캐리어 부착 2㎛의 동박(미츠이금속광업사 제, 마이크로신 MT18Ex-2)을 포개어 배치하고 적층 진공 적층 장치를 사용해 적층하고, 온도 200℃, 압력 3MPa, 시간 120분간 가열 경화해 다층 적층체를 얻었다. 다음으로, 외층 회로 형성을 상기 (4) 프린트 배선판(내층 회로 기판)의 제조 방법과 동일하게 실시하고, 마지막으로 회로 표면에 솔더 레지스트(태양잉크사 제, PSR4000/AUS308)를 형성해 다층 프린트 배선판을 얻었다.Next, the printed wiring board obtained above is used as an inner layer circuit board, and the said prepreg for multilayer printed wiring board insulating layers and 2 micrometers copper foil (microsin MT18Ex-2 by Mitsui Metal Co., Ltd.) with a carrier are piled up on both surfaces, and laminated | stacked. It laminated | stacked using the vacuum lamination apparatus, it heat-hardened for temperature 200 degreeC, pressure 3MPa, and time 120 minutes, and obtained the multilayer laminated body. Next, an outer layer circuit is formed in the same manner as in the above (4) manufacturing method of a printed wiring board (inner layer circuit board), and finally a solder resist (PSR4000 / AUS308, manufactured by Solar Ink, Inc.) is formed on the circuit surface to form a multilayer printed wiring board. Got it.

상기 다층 프린트 배선판은 반도체 소자의 납땜 범프 배열에 상당하는 접속용 전극부에 ENEPIG 처리를 실시했다. ENEPIG 처리는 [1] 클리너 처리, [2] 소프트 에칭 처리, [3] 산세 처리, [4] 프리딥 처리, [5] 팔라듐 촉매 부여, [6] 무전해 니켈 도금 처리, [7] 무전해 팔라듐 도금 처리, [8] 무전해 금 도금 처리의 공정으로 행해졌다.The said multilayer printed wiring board gave ENEPIG process to the connection electrode part corresponded to the solder bump array of a semiconductor element. ENEPIG treatment includes [1] cleaner treatment, [2] soft etching treatment, [3] pickling treatment, [4] pre-dip treatment, [5] palladium catalysis, [6] electroless nickel plating treatment, [7] electroless It carried out by the process of palladium plating process and [8] an electroless gold plating process.

(6) 반도체 장치의 제조(6) Manufacturing of semiconductor devices

반도체 장치는 ENEPIG 처리가 실시된 프린트 배선판 위에 납땜 범프를 갖는 반도체 소자(TEG 칩, 사이즈 10mm×10mm, 두께 0.1mm)를 플립 칩 본더 장치로 가열 압착에 의해 탑재하고, 다음으로 IR 리플로우 로에서 납땜 범프를 용융 접합한 후, 액상 밀봉 수지(스미토모 베이클리트사 제, CRP-4152S)를 충전해 액상 밀봉 수지를 경화시킴으로써 얻었다. 또한, 액상 밀봉 수지는 온도 150℃, 120분의 조건으로 경화시켰다. 또한, 상기 반도체 소자의 납땜 범프는 Sn/Pb 조성의 공정으로 형성된 것을 사용했다. 마지막으로 14mm×14mm의 사이즈로 라우터(router)로 개편화해 반도체 장치를 얻었다.The semiconductor device mounts a semiconductor device (TEG chip, size 10mm x 10mm, thickness 0.1mm) having solder bumps by heat compression bonding with a flip chip bonder on a printed wiring board subjected to ENEPIG treatment, and then in an IR reflow furnace. After melt-bonding a solder bump, it obtained by filling liquid sealing resin (CRP-4152S by Sumitomo Bak Cleat Co., Ltd.), and hardening liquid sealing resin. In addition, the liquid sealing resin was hardened on the conditions of the temperature of 150 degreeC, and 120 minutes. In addition, the solder bump of the said semiconductor element used what was formed by the process of Sn / Pb composition. Finally, the semiconductor device was obtained by reorganization into a router having a size of 14 mm x 14 mm.

<실시예 2~3 및 비교예 1~6> <Examples 2-3 and Comparative Examples 1-6>

표 4에 나타낸 섬유 직포 및 바니시의 제조예에 의해 얻어진 바니시를 사용하여, 실시예 1과 동일하게 프리프레그, 두께 150㎛인 절연층의 양면에 동박을 갖는 금속 부착 적층판, 프린트 배선판(내층 회로 기판), 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치를 얻었다.Using the varnish obtained by the manufacture example of the fiber woven fabric and varnish shown in Table 4, the prepreg and the laminated board with metal which have copper foil on both surfaces of the insulating layer of 150 micrometers in thickness similar to Example 1, a printed wiring board (inner-layer circuit board) ), A multilayer printed wiring board and a semiconductor device.

<실시예 4~6 및 비교예 7> <Examples 4-6 and Comparative Example 7>

프리프레그 제작시에 수지층 부착 기재의 수지층의 두께를 표 5에 기재된대로 한 것 이외에는, 표 5에 나타내는 섬유 직포 및 바니시의 제조예에 의해 얻어진 바니시를 사용하여, 실시예 1과 동일하게 하여 프리프레그, 두께 100㎛인 절연층의 양면에 동박을 갖는 금속 부착 적층판, 프린트 배선판(내층 회로 기판), 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치를 얻었다. Except having made the thickness of the resin layer of the base material with a resin layer at the time of prepreg manufacture as it described in Table 5, it carried out similarly to Example 1 using the varnish obtained by the manufacture example of the fiber woven fabric and varnish shown in Table 5 The prepreg, the laminated board with metal which has copper foil on both surfaces of the insulating layer of thickness 100micrometer, the printed wiring board (inner layer circuit board), the multilayer printed wiring board, and the semiconductor device were obtained.

또한, 프린트 배선판의 관통 스루홀 형성은 탄산 가스 레이저(미츠비시 전기사 제, ML605GTX3-5100U2)를 사용하고, 애퍼쳐 Φ1.1mm, 빔 지름 약 110㎛, 에너지 7~9mJ, 쇼트 수 6의 조건으로 행하여 직경 100㎛인 관통 스루홀을 형성했다.In addition, through-hole formation of a printed wiring board uses a carbon dioxide laser (ML605GTX3-5100U2, manufactured by Mitsubishi Electric Corporation), under the conditions of aperture Φ1.1 mm, beam diameter of about 110 μm, energy 7 to 9 mJ, and the number of shots 6. A through-hole having a diameter of 100 µm was formed.

<실시예 7, 8 및 비교예 8><Example 7, 8 and Comparative Example 8>

실시예 7 및 비교예 8은 프리프레그 제작시에 수지층 부착 기재의 수지층의 두께를 표 6에 기재된대로 한 것 이외에는, 표 6에 나타내는 섬유 직포 및 바니시의 제조예에 의해 얻어진 바니시를 사용하여, 실시예 1과 동일하게 프리프레그, 두께 60㎛인 절연층의 양면에 동박을 갖는 금속 부착 적층판, 프린트 배선판(내층 회로 기판), 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치를 얻었다.Example 7 and Comparative Example 8 were made using the varnish obtained by the manufacture example of the fiber woven fabric and varnish shown in Table 6 except having made the thickness of the resin layer of the base material with a resin layer at the time of prepreg preparation as described in Table 6. In the same manner as in Example 1, a prepreg, a laminate with a metal having a copper foil on both surfaces of an insulating layer having a thickness of 60 µm, a printed wiring board (inner layer circuit board), a multilayer printed wiring board, and a semiconductor device were obtained.

실시예 8은 프리프레그 제작시에 수지층 부착 기재의 수지층의 두께를 표 6에 기재된대로 한 것 이외에는, 표 6에 나타내는 섬유 직포 및 바니시의 제조예에 의해 얻어진 바니시를 사용하여, 실시예 1과 동일하게 프리프레그(전체 두께 30㎛), 상기 30㎛의 프리프레그를 2매 적층해, 경화해서 이루어지는 두께 60㎛인 절연층의 양면에 동박을 갖는 금속 부착 적층판, 내층 회로 기판, 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치를 얻었다.Example 8 used Example 1 using the varnish obtained by the manufacture example of the fiber woven fabric and varnish shown in Table 6 except having made the thickness of the resin layer of the base material with a resin layer at the time of prepreg manufacture as described in Table 6. In the same manner as the prepreg (30 μm in total thickness) and two prepregs of 30 μm, the laminated plate with a metal having copper foil on both surfaces of an insulating layer having a thickness of 60 μm formed by curing, an inner layer circuit board, and a multilayer printed wiring board And a semiconductor device.

또한, 프린트 배선판의 관통 스루홀 형성은 탄산 가스 레이저(미츠비시 전기 사 제, ML605GTX3-5100U2)를 사용하고, 애퍼쳐 Φ1.1mm, 빔 지름 약 110㎛, 에너지 6~8mJ, 쇼트 수 6의 조건으로 행하여 직경 100㎛의 관통 스루홀을 형성했다.In addition, through-hole formation of a printed wiring board uses a carbon dioxide laser (ML605GTX3-5100U2, manufactured by Mitsubishi Electric Corporation), under the conditions of aperture Φ1.1 mm, beam diameter of about 110 μm, energy 6 to 8 mJ, and the number of shots 6. And through-holes having a diameter of 100 µm were formed.

<실시예 9 및 비교예 9> <Example 9 and Comparative Example 9>

프리프레그 제작시에 수지층 부착 기재의 수지층의 두께를 표 7에 기재된대로 한 것 이외에는, 표 7에 나타내는 섬유 직포 및 바니시의 제조예에 의해 얻어진 바니시를 사용하여, 실시예 1과 동일하게 프리프레그, 두께 40㎛인 절연층의 양면에 동박을 갖는 금속 부착 적층판, 프린트 배선판(내층 회로 기판), 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치를 얻었다.Except having made the thickness of the resin layer of the base material with a resin layer at the time of prepreg manufacture as it showed in Table 7, it carried out similarly to Example 1 using the varnish obtained by the manufacture example of the fiber woven fabric and varnish shown in Table 7. The leg, the laminated board with metal which has copper foil on both surfaces of the insulating layer of 40 micrometers in thickness, the printed wiring board (inner layer circuit board), the multilayer printed wiring board, and the semiconductor device were obtained.

또한, 프린트 배선판의 관통 스루홀 형성은 탄산 가스 레이저(미츠비시 전기 사 제, ML605GTX3-5100U2)를 사용하고, 애퍼쳐 Φ1.1mm, 빔 지름 약 110㎛, 에너지 6~8mJ, 쇼트 수 6의 조건으로 행하여 직경 100㎛의 관통 스루홀을 형성했다.In addition, through-hole formation of a printed wiring board uses a carbon dioxide laser (ML605GTX3-5100U2, manufactured by Mitsubishi Electric Corporation), under the conditions of aperture Φ1.1 mm, beam diameter of about 110 μm, energy 6 to 8 mJ, and the number of shots 6. And through-holes having a diameter of 100 µm were formed.

실시예 및 비교예에서 얻어진 프리프레그, 금속 부착 적층판, 프린트 배선판(내층 회로 기판) 및 반도체 장치에 대해서, 이하의 평가를 실시했다. 평가 항목을 내용과 함께 나타낸다. 또 얻어진 평가 결과를 표 4~7에 나타낸다. The following evaluation was performed about the prepreg obtained by the Example and the comparative example, the laminated board with a metal, the printed wiring board (inner layer circuit board), and a semiconductor device. Evaluation items are shown together with contents. Moreover, the obtained evaluation result is shown to Tables 4-7.

또한, 후술하는 PKG 휨의 측정 결과가 금속 부착 적층판의 절연층의 두께에 의존하기 때문에, 금속 부착 적층판의 절연층의 두께가 150㎛인 실시예 및 비교예의 평가 결과를 표 4에 나타내고, 금속 부착 적층판의 절연층의 두께가 100㎛인 실시예 및 비교예의 평가 결과를 표 5에 나타내며, 금속 부착 적층판의 절연층의 두께가 60㎛인 실시예 및 비교예의 평가 결과를 표 6에 나타내고, 금속 부착 적층판의 절연층의 두께가 40㎛인 실시예 및 비교예의 평가 결과를 표 7에 나타냈다.In addition, since the measurement result of the PKG curvature mentioned later depends on the thickness of the insulating layer of the laminated plate with metal, the evaluation result of the Example and comparative example whose thickness of the insulating layer of the laminated plate with metal is 150 micrometers is shown in Table 4, and with metal The evaluation result of the Example and comparative example whose thickness of the insulating layer of a laminated board is 100 micrometers is shown in Table 5, The evaluation result of the Example and comparative example whose thickness of the insulating layer of a laminated plate with metal is 60 micrometers is shown in Table 6, and with metal Table 7 shows the evaluation results of Examples and Comparative Examples in which the thickness of the insulating layer of the laminate was 40 μm.

또, 표 4~7 중에서 수지 조성물 중의 충전재량(질량%)은 수지 조성물 전체를 100질량%로 했을 때의 충전재량을 나타낸 것이며, 충전재의 조성(질량)%은 충전재 전체를 100질량%로 했을 때의 각 성분의 비율을 나타낸 것이다.In addition, in Tables 4-7, the filler amount (mass%) in a resin composition shows the filler amount when the whole resin composition is 100 mass%, and the composition (mass)% of the filler made the whole filler 100 mass%. The ratio of each component at time is shown.

<평가방법><Evaluation method>

(1) 수지 조성물의 함침성(1) Impregnation of Resin Composition

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 프리프레그를 170℃의 온도에서 1시간 경화 후, 단면(폭 방향의 단면부 300mm의 범위에 대해서)을 SEM(주사형 전자현미경)으로 관찰해 섬유 내부에서의 보이드의 유무를 평가했다. 보이드는 화상 위, 섬유 단면에서의 백색 입상의 점으로 관찰된다. After curing the prepreg obtained in the above Examples and Comparative Examples for 1 hour at a temperature of 170 ° C., the cross section (for the range of 300 mm in the cross section in the width direction) was observed by SEM (scanning electron microscope) to void the inside of the fiber. Was evaluated. The voids are observed as white granular spots on the fiber cross section, on the image.

각 부호는 다음과 같다.The respective codes are as follows.

○: 수지 조성물이 모두 양호하게 함침해 섬유 내부에 보이드가 없는 경우(Circle): When resin composition impregnates all well and there is no void inside a fiber

×: 섬유 내부에 보이드가 있는 경우×: when there is a void inside the fiber

(2) 성형성(2) formability

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 금속 부착 적층판의 동박을 전면 에칭한 후에, 500mm×500mm의 범위를 SEM(주사형 전자현미경)에 의해 관찰해 절연층(섬유 직포층의 표면에 있는 수지층)의 표면에서의 보이드의 유무를 평가했다. 보이드는 화상 위, 백색 입상의 점으로 관찰된다. After etching the copper foil of the laminated sheet with metal obtained in the above Examples and Comparative Examples, the range of 500 mm x 500 mm was observed by SEM (scanning electron microscope) to determine the insulation layer (resin layer on the surface of the fiber woven layer). The presence or absence of voids on the surface was evaluated. The voids are observed as white granular spots on the image.

각 부호는 다음과 같다.The respective codes are as follows.

○: 보이드 없음 ○: no void

×: 보이드 있음×: void

(3) 흡습 납땜 내열성(3) moisture absorption soldering heat resistance

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 금속 부착 적층판을 50mm×50mm 사각형으로 절단한 샘플을 사용하여, JIS C-6481에 근거하여 상기 샘플의 한면의 반 이외의 전체 동박을 에칭 제거해, 프레셔 쿠커(pressure cooker) 시험기(에스펙사 제)로 121℃, 2 기압에서 2시간 처리 후, 260℃의 납땜조에 30초간 침지시키고, 외관 변화의 이상의 유무를 육안으로 관찰했다.Using a sample obtained by cutting a 50 mm × 50 mm square of the laminated sheet with a metal obtained in the above Examples and Comparative Examples, all copper foils other than half of one side of the sample were etched away according to JIS C-6481, and a pressure cooker ) After 2 hours of treatment at 121 ° C. and 2 atmospheres with a tester (manufactured by Espe Co.), it was immersed in a soldering bath at 260 ° C. for 30 seconds, and the presence or absence of abnormality in appearance change was visually observed.

각 부호는 다음과 같다.The respective codes are as follows.

○: 이상이 없는 경우 ○: no abnormality

×: 팽창, 벗겨짐이 있음×: there is expansion, peeling

(4) 선열팽창 계수(CTE)(ppm/K)(4) Coefficient of Thermal Expansion (CTE) (ppm / K)

선열팽창 계수(CTE)는 TMA(열기계적 분석) 장치(TA인스트루먼트사 제, Q400)를 사용하고, 4mm×20mm의 시험편을 제작해 온도 범위 30~300℃, 10℃/분, 하중 5g의 조건으로 2 사이클 째의 50~100℃에서의 CTE를 측정했다. 또한, 샘플은 각 실시예 및 비교예에서 얻어진 금속 부착 적층판의 동박을 에칭 제거한 것을 사용했다.The coefficient of linear thermal expansion (CTE) is made by using a TMA (thermomechanical analysis) device (manufactured by TA Instruments Co., Ltd., Q400), and fabricating a test piece of 4 mm x 20 mm to obtain a temperature range of 30 to 300 ° C, 10 ° C / min, and a load of 5 g. CTE in 50-100 degreeC of the 2nd cycle was measured. In addition, the sample used what removed the copper foil of the laminated sheet with a metal obtained by each Example and the comparative example.

(5) 레이저 가공성(5) laser processability

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 프린트 배선판(내층 회로 기판)을 사용해 탄산 레이저 가공 후의 관통 스루홀의 클로스 돌출량, 구멍 지름의 진원도를 측정했다. 클로스 돌출량 및 진원도의 측정은 칼라 3D 레이저 현미경(키엔스사 제, 장치명 VK-9710)을 사용하고, 클로스 돌출량의 측정은 레이저 입사측의 구멍의 바로 위에서 관찰해 구멍 벽면으로부터의 돌출 길이를 측정함으로써 실시하고, 진원도의 측정은 레이저 입사측의 구멍의 바로 위에서 관찰하여 구멍 최고 지름의 장경과 단경을 측정해 장경÷단경을 산출함으로써 실시했다. 또한, 샘플은 상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 프린트 배선판(내층 회로 기판)을 사용해 하기 표 2에 나타낸 탄산 가스 레이저 조건으로 직경 100㎛의 구멍 가공 직후의 기판을 바로 위에서 관찰해 관통공 10개의 평균값으로 했다.Using the printed wiring board (inner layer circuit board) obtained by the said Example and the comparative example, the cloth protrusion amount of the through-through hole after carbonic acid laser processing, and the roundness of the hole diameter were measured. The cloth protrusion amount and roundness were measured using a color 3D laser microscope (manufactured by Keyence, apparatus name VK-9710), and the cloth protrusion amount was measured just above the hole on the laser incident side to measure the protrusion length from the hole wall surface. The roundness was measured by observing directly above the hole on the laser incident side, measuring the long and short diameters of the maximum hole diameters, and calculating the long diameter and short diameter. In addition, the sample used the printed wiring board (inner-layer circuit board) obtained by the said Example and a comparative example, observed the board | substrate immediately after the hole processing of diameter 100 micrometers on the carbon dioxide laser conditions shown in following Table 2, and showed the average value of ten through holes. I did.

Figure 112013075968812-pct00003
Figure 112013075968812-pct00003

장치: 미츠비시 전기사 제, ML605GTX3-5100U2Device: Mitsubishi Electric Corporation, ML605GTX3-5100U2

펄스 길이 : 10μsec/1쇼트+97μsec/2~6쇼트Pulse length: 10μsec / 1 shot + 97μsec / 2 ~ 6 shot

각 부호는 다음과 같다.The respective codes are as follows.

○: 클로스 돌출량이 10㎛ 이내, 또는 진원도가 0.85 이상이었을 경우(Circle): When cloth protrusion amount is less than 10 micrometers, or roundness is 0.85 or more

△: 클로스 돌출량이 10㎛ 이상, 또는 진원도가 0.85 미만이었을 경우 (Triangle | delta): When cloth protrusion amount is 10 micrometers or more, or roundness is less than 0.85.

×: 클로스 돌출량이 10㎛ 이상, 또는 진원도가 0.85 미만이었을 경우X: When cloth protrusion amount was 10 micrometers or more, or roundness was less than 0.85

(6) 관통 스루홀의 절연 신뢰성(6) Insulation reliability of through-hole

상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 프린트 배선판(내층 회로 기판)을 사용해 관통 스루홀간의 절연 신뢰성을 평가했다. The insulation reliability between through-holes was evaluated using the printed wiring board (inner layer circuit board) obtained by the said Example and the comparative example.

프린트 배선판의 스루홀 벽면 0.1mm 부분을 사용해 인가 전압 10V, 온도 130℃ 습도 85%의 조건에서 연속 측정으로 평가했다. 또한, 측정은 고도 가속 수명 시험 장치(에스펙사 제 EHS-211(M), AMI 이온 마이그레이션 시스템)을 사용해 실시하고, 절연 저항값이 108Ω 미만이 되는 시점에서 종료했다.Using the 0.1 mm part of the through-hole wall surface of a printed wiring board, it evaluated by continuous measurement on the conditions of the applied voltage 10V and temperature of 130 degreeC, and 85% of humidity. In addition, the measurement was performed using the high acceleration life test apparatus (ESP Co., Ltd. EHS-211 (M), AMI ion migration system), and it finished when the insulation resistance value became less than 10 <8> .

각 부호는 다음과 같다.The respective codes are as follows.

◎: 200시간을 넘었다.(Double-circle): It exceeded 200 hours.

○: 100시간 이상 200 이하였다.(Circle): 100 or more and 200 or less.

△: 50시간 이상 100시간 미만이었다.(Triangle | delta): It was 50 hours or more and less than 100 hours.

×: 50시간 미만이었다.X: It was less than 50 hours.

(7) PKG 휨(7) PKG bending

실시예 및 비교예에서 얻어진 반도체 장치(14mm×14mm)를 온도 가변 레이저 삼차원 측정기(히타치 테크놀로지 앤 서비스사 제, 형식 LS220-MT100MT50)의 샘플 챔버에 반도체 소자면을 아래로 하여 설치하고, 상기 측정기를 사용해 반도체 장치의 실온(25℃) 및 260℃에서의 휨을 측정했다. 휨의 측정은 높이 방향의 변위를 측정해 변위 차이가 가장 큰 값을 휨 양으로 했다. 또한, 측정 범위는 13mm×13mm 사이즈였다.The semiconductor device (14 mm x 14 mm) obtained in Examples and Comparative Examples was placed in a sample chamber of a temperature-variable laser three-dimensional measuring instrument (Model LS220-MT100MT50 manufactured by Hitachi Technology & Service Co., Ltd.) with the semiconductor element face down. The warpage at room temperature (25 ° C) and 260 ° C of the semiconductor device was measured. The measurement of the warp measured the displacement of the height direction, and made the value with the largest displacement difference the deflection amount. In addition, the measurement range was 13 mm x 13 mm size.

각 부호는 이하의 표 3대로이다. 또한, PKG 휨의 측정은 금속 부착 적층판의 절연층의 두께에 의존하므로, 금속 부착 적층판의 절연층의 두께별로 표 3에 나타내는 바와 같이 판정했다.Each code | symbol is as Table 3 below. In addition, since the measurement of PKG curvature depends on the thickness of the insulating layer of the laminated plate with metal, it determined as shown in Table 3 for every thickness of the insulating layer of the laminated plate with metal.

Figure 112013075968812-pct00004
Figure 112013075968812-pct00004

Figure 112013075968812-pct00005
Figure 112013075968812-pct00005

Figure 112013075968812-pct00006
Figure 112013075968812-pct00006

Figure 112013075968812-pct00007
Figure 112013075968812-pct00007

Figure 112013075968812-pct00008
Figure 112013075968812-pct00008

상기 (1) 수지 조성물의 함침성의 관찰 결과의 대표예로서 실시예 1에서 얻어진 프리프레그의 단면도의 사진을 도 3에 나타내고, 비교예 4에서 얻어진 프리프레그의 단면도의 사진을 도 4에 나타냈다. The photograph of the cross section of the prepreg obtained in Example 1 was shown in FIG. 3, and the photograph of the cross section of the prepreg obtained in the comparative example 4 was shown in FIG. 4 as a representative example of the observation result of the impregnation property of said (1) resin composition.

도 4에서 알 수 있듯이, 비교예 4에서는 수지 조성물의 함침성이 나쁘기 때문에 섬유 직포 중에 보이드가 관찰되었다. 한편, 도 3에서 알 수 있듯이, 실시예 1에서는 수지 조성물의 함침성이 양호하기 때문에 섬유 직포 중에 보이드가 없었다.As can be seen from FIG. 4, in Comparative Example 4, voids were observed in the fiber woven fabric because of poor impregnation of the resin composition. On the other hand, as shown in FIG. 3, in Example 1, since the impregnation property of the resin composition was favorable, there was no void in a fiber woven fabric.

실시예 1에서는 나노 사이즈의 실리카 입자가 스트랜드 중으로 비집고 들어감으로써, 수지 조성물의 함침성이 향상된 것이라고 생각된다. 이것에 대해, 비교예 4에서는 나노 사이즈의 실리카 입자를 함유하고 있지 않기 때문에, 수지 조성물의 함침성의 향상을 도모할 수 없었던 것을 알 수 있다.In Example 1, it is thought that the impregnability of a resin composition improved by the nanosized silica particle sticking in a strand. On the other hand, in the comparative example 4, since the silica particle of the nanosize is not contained, it turns out that the impregnation property of the resin composition could not be aimed at.

상기 (2) 금속 부착 적층판의 성형성 관찰 결과의 대표예로서 실시예 1에서 얻어진 금속 부착 적층판의 동박을 전면 에칭한 표면의 사진을 도 5에 나타내고, 비교예 6에서 얻어진 금속 부착 적층판의 동박을 전면 에칭한 표면의 사진을 도 6에 나타내며, 또한 도 6에서 관찰되는 보이드(화상 위에서 백색 입상의 점)의 확대도의 SEM 사진을 도 7에 나타내고, 도 7에서 관찰되는 보이드의 단면의 확대도의 SEM 사진을 도 8에 나타냈다. 도 6, 7, 8에서 알 수 있듯이, 비교예 6에서는 금속 부착 적층판을 전면 에칭한 표면에 보이드가 관찰되었다. 한편, 도 5에서 알 수 있듯이, 실시예 1에서는 전면 에칭한 표면에 보이드가 없었다.As a representative example of the moldability observation result of the said (2) laminated sheet with metal, the photograph of the surface which etched the copper foil of the laminated sheet with metal obtained in Example 1 in whole is shown in FIG. 5, and the copper foil of the laminated sheet with metal obtained by the comparative example 6 is shown The photograph of the surface etched by the front surface is shown in FIG. 6, and the SEM photograph of the enlarged view of the void (a white granular point on an image) observed in FIG. 6 is shown in FIG. 7, and the enlarged view of the cross section of the void observed in FIG. The SEM photograph of the is shown in FIG. As can be seen from FIGS. 6, 7 and 8, in Comparative Example 6, voids were observed on the surface of the laminate with the metal on the entire surface. On the other hand, as shown in FIG. 5, in Example 1, there was no void in the surface etched all over.

도 9~12는 실시예 1에서 얻어진 프리프레그의 섬유 직포를 구성하는 스트랜드의 일부를 나타내는 단면도의 SEM 사진이다. 도 9는 스트랜드의 연신 방향과 평행한 단면을 나타내고 있다. 도 10~12는 스트랜드의 연신 방향과 수직인 단면을 나타내고 있다.9-12 is a SEM photograph of sectional drawing which shows a part of strand which comprises the fiber woven fabric of the prepreg obtained in Example 1. FIG. 9 has shown the cross section parallel to the extending direction of a strand. 10-12 has shown the cross section perpendicular | vertical to the extending | stretching direction of a strand.

도 9~12에 나타내는 바와 같이, 실시예 1에서 얻어진 프리프레그에서 스트랜드 중에 실리카 입자가 존재하는 것을 알 수 있다.As shown to FIGS. 9-12, it turns out that a silica particle exists in strand in the prepreg obtained in Example 1.

표 4~7에 나타내는 실시예 1~9에서는 양호한 프리프레그 함침성을 얻을 수 있었다. 또, 다른 여러 특성에 대해서도 모두 양호한 결과를 얻을 수 있는 것을 알 수 있다. 이것은 실리카 입자가 섬유 직포를 구성하는 스트랜드 중으로 비집고 들어가는 조건에서 프리프레그의 작성을 실시했던 것에 기인한다고 생각된다.In Examples 1-9 shown to Tables 4-7, favorable prepreg impregnation property was obtained. Moreover, it turns out that all the other various characteristics can obtain a favorable result. It is thought that this is due to the preparation of the prepreg under the condition that the silica particles enter the strand constituting the fiber woven fabric.

또한, 스트랜드 중의 실리카 입자가 비집고 들어가는 것을 제어하는 인자로는, 예를 들면 실리카 입자의 평균 입경, 충전재 중의 실리카 입자의 함유량, 수지 조성물 중의 충전재의 함유량, 섬유 직포의 부피 밀도 등, 여러 가지 것을 들 수 있다.In addition, various factors, such as the average particle diameter of a silica particle, content of the silica particle in a filler, content of the filler in a resin composition, and the bulk density of a fiber woven fabric, are mentioned as a factor which controls that a silica particle in a strand enters, for example. Can be.

표 4~7에서 알 수 있듯이, 실시예 1~9에서는 바니시에 함유되는 수지 조성물이 충전재를 상기 수지 조성물 전체의 50~85질량% 함유하고, 상기 충전재 중 평균 입경이 5~100nm인 실리카 입자를 1~20질량% 함유하며, 또한 섬유 직포의 부피 밀도가 1.05~1.30g/cm3였다. 이 경우, 상기 모든 평가 항목에서 뛰어난 평가 결과가 되었다. 즉 본 실시예와 관련된 프리프레그는 섬유 직포에 대한 수지 조성물의 함침성이 뛰어나고 저열팽창성이며, 프린트 배선판의 절연층으로 사용했을 때에 레이저 가공성이 뛰어나고, 레이저에 의해 형성된 구멍이 구멍 지름 및 형상의 정밀도가 좋고, 또한, 섬유의 돌출을 억제하는 구멍을 형성할 수 있는 것을 알 수 있었다. 게다가 본 실시예와 관련된 프리프레그는 흡습 납땜 내열성이 뛰어난 것으로부터 고내열성이고, 성형성이 뛰어난 것으로부터 표면 평활성도 뛰어나며, 나아가서는 도체층과의 밀착성이 뛰어나다고 말할 수 있다. 또, 본 발명의 반도체 장치에서의 PKG 휨이 작은 것으로부터 본 실시예와 관련된 프리프레그는 저열팽창성임과 함께 고강성인 것도 알 수 있다.As can be seen from Tables 4-7, in Examples 1-9, the resin composition contained in a varnish contains 50-85 mass% of fillers in the whole said resin composition, and the silica particle whose average particle diameter is 5-100 nm in the said filler is used. It contained 1-20 mass%, and the bulk density of the fiber woven fabric was 1.05-1.30 g / cm <3> . In this case, the evaluation result was excellent in all the said evaluation items. In other words, the prepreg according to this embodiment is excellent in impregnation of the resin composition to the fiber woven fabric, low thermal expansion properties, excellent laser workability when used as an insulating layer of a printed wiring board, and the hole formed by the laser is the precision of the hole diameter and shape It turned out that the hole can suppress the protrusion of the fiber and can be formed. Furthermore, it can be said that the prepreg concerning this Example is excellent in moisture absorption solder heat resistance, high heat resistance, excellent moldability, and excellent surface smoothness, and also excellent adhesiveness with a conductor layer. Moreover, since the PKG curvature in the semiconductor device of this invention is small, it turns out that the prepreg which concerns on a present Example is low thermal expansion and is high rigidity.

비교예 1에서도 양호한 프리프레그 함침성을 얻었다. Good prepreg impregnation was also obtained in Comparative Example 1.

그렇지만, 비교예 1에서는 CTE 및 패키지 휨에 있어서 양호한 결과를 얻을 수 없었다. 이것은 충전재의 함유량이 낮기 때문에 수지 조성물의 수지 성분만이 스트랜드 내로 비집고 들어감으로써, 실리카 입자가 스트랜드 중으로 들어오는 것이 억제되기 때문이라고 생각된다. 이것에 의해, 충전재를 고충전화하지 못해, 프리프레그의 CTE가 높아져, 패키지 휨이 발생한 것이라고 생각된다. However, in Comparative Example 1, good results were not obtained in CTE and package warpage. It is considered that this is because the content of the filler is low, so that only the resin component of the resin composition is gathered into the strand, whereby the silica particles are prevented from entering the strand. Thereby, it is thought that the filling material cannot be hardly filled, the CTE of the prepreg increases, and package warpage has occurred.

또, 비교예 6에서는 양호한 결과를 얻을 수 없었다. 이것은 부피 밀도가 낮음으로 인해 충분한 양의 수지 조성물을 함침시킬 수 없기 때문에, 수지 조성물 중에 포함되는 실리카 입자에 대해서도 스트랜드 중으로 들어오는 것이 억제되어 버리는 것에 기인한다고 생각된다. 또, 섬유 직포의 부피 밀도가 작기 때문에 두꺼운 섬유 기재가 되는 것으로부터, 프리프레그의 표층의 수지층의 두께가 얇아진다. 이 때문에, 성형성, 흡습 납땜 내열성이 뒤떨어져서 CTE는 양호하지만 PKG 휨이 생긴 것이라고 생각된다.In Comparative Example 6, good results could not be obtained. Since this cannot impregnate a sufficient amount of the resin composition due to the low bulk density, it is considered that the silica particles contained in the resin composition are suppressed from entering into the strands. Moreover, since the bulk density of a fiber woven fabric is small, it becomes a thick fiber base material, and the thickness of the resin layer of the surface layer of a prepreg becomes thin. For this reason, although CTE is favorable because of inferior moldability and moisture absorption solder heat resistance, it is thought that PKG curvature arose.

비교예 4 및 7~9에서는 프리프레그의 함침성에 대해 양호한 결과를 얻을 수 없었다. 비교예 4 및 7~9에서는 프리프레그를 구성하는 수지 조성물 중에 나노 사이즈의 실리카 입자가 함유되어 있지 않다. 이 때문에, 실리카 입자가 스트랜드 중으로 비집고 들어가지 못해, 수지 조성물의 함침성의 향상을 도모할 수 없었던 것이라고 생각된다. 또, 이것에 의해, CTE 및 패키지 휨 등, 다른 여러 특성에 대해서도 양호한 결과를 얻을 수 없었다. In Comparative Examples 4 and 7 to 9, good results were not obtained with respect to the impregnation of the prepreg. In Comparative Examples 4 and 7 to 9, no nano-sized silica particles were contained in the resin composition constituting the prepreg. For this reason, it is thought that a silica particle did not get into a strand and the impregnation property of the resin composition was not able to be aimed at. In addition, good results could not be obtained for various other properties such as CTE and package warpage.

비교예 7에서는 섬유 직포의 부피 밀도가 작은 것으로부터 레이저 가공성이 뒤떨어지고, 함침성이 나쁜 것으로부터 관통 스루홀의 절연 신뢰성이 뒤떨어진다. 또, 비교적 두꺼운 섬유 직포를 사용했기 때문에 프리프레그의 수지층의 두께가 얇아져, 성형성, 흡습 납땜 내열성이 뒤떨어져서 PKG 휨이 생겼다. In the comparative example 7, laser workability is inferior because the bulk density of a fiber woven fabric is small, and insulation reliability of a through-hole is inferior because of poor impregnation. Moreover, since the relatively thick fiber woven fabric was used, the thickness of the resin layer of the prepreg became thin, inferior in moldability and moisture absorption solder heat resistance, and PKG curvature arose.

비교예 8 및 9에서는 금속 부착 적층판의 절연층 두께가 비교적 얇기 때문에, 성형성, 흡습 납땜 내열성, 관통 스루홀의 절연 신뢰성이 뛰어나다. 그렇지만, 섬유 직포의 부피 밀도가 작기 때문에, 레이저 가공성에서 양호한 결과를 얻을 수 없었다.In Comparative Examples 8 and 9, the thickness of the insulating layer of the laminate with metal is relatively thin, so that the moldability, the moisture absorption solder heat resistance, and the insulation reliability of the through-through hole are excellent. However, since the bulk density of the fiber woven fabric was small, good results could not be obtained in laser workability.

비교예 2, 3 및 5에서도 프리프레그의 함침성에 대해 양호한 결과를 얻을 수 없었다. 또, 다른 여러 특성에 대해서도 양호한 결과는 얻을 수 없었다. 비교예 2에서는 충전재의 함유량이 너무 많은 것으로부터, 수지 조성물 중에서의 실리카 입자의 유동성을 얻지 못하고, 결과 스트랜드 중에 실리카 입자가 비집고 들어가는 것이 억제된 것이라고 생각된다. 비교예 3에서는 나노 사이즈의 실리카 입자의 함유량이 많기 때문에, 나노 사이즈의 실리카 입자가 응집해 버려서, 결과 스트랜드 중으로 실리카 입자가 비집고 들어가는 것이 억제된 것이라고 생각된다. 비교예 5에서는 섬유 직포의 부피 밀도가 크기 때문에, 실리카 입자가 스트랜드 중으로 비집고 들어가는 것이 억제된 것이라고 생각된다. Also in Comparative Examples 2, 3 and 5, good results could not be obtained with respect to the impregnation of the prepreg. In addition, good results could not be obtained for other various properties. In the comparative example 2, since the content of a filler is too large, the fluidity | liquidity of the silica particle in a resin composition is not acquired, and it is thought that it is suppressed that a silica particle enters in a resultant strand. In Comparative Example 3, since the content of the nano-sized silica particles is large, it is considered that the nano-sized silica particles aggregate to suppress the silica particles from entering into the resultant strands. In the comparative example 5, since the bulk density of a fiber woven fabric is large, it is thought that it is suppressed that a silica particle enters into a strand.

비교예 5에서는 섬유 직포의 부피 밀도가 너무 크기 때문에, 수지 조성물의 함침성이 나쁘고 흡습 납땜 내열성이 뒤떨어져, 레이저 가공성 및 관통 스루홀의 절연 신뢰성도 뒤떨어졌다.In the comparative example 5, since the bulk density of a fiber woven fabric was too large, the impregnation property of the resin composition was inferior, and the moisture absorption solder heat resistance was inferior, and also the laser workability and the insulation reliability of a through-through hole were inferior.

비교예 6에서는 섬유 직포의 부피 밀도가 작기 때문에, 레이저 가공성 및 관통 스루홀의 절연 신뢰성이 뒤떨어졌다. 또한 섬유 직포의 부피 밀도가 작기 때문에 두꺼운 섬유 기재가 되는 것으로부터, 프리프레그의 표층의 수지층의 두께가 얇아진다. 이 때문에, 성형성, 흡습 납땜 내열성이 뒤떨어져서 PKG 휨이 생겼다.In the comparative example 6, since the bulk density of a fiber woven fabric was small, the laser workability and the insulation reliability of through-through hole were inferior. Moreover, since the bulk density of a fiber woven fabric is small, it becomes a thick fiber base material, and the thickness of the resin layer of the surface layer of a prepreg becomes thin. For this reason, PKG curvature generate | occur | produced because of inferior moldability and moisture absorption solder heat resistance.

이 출원은 2011년 1월 24일에 출원된 일본 출원 특원 2011-012166호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시된 전부를 여기에 삽입한다.This application claims the priority based on Japanese Patent Application No. 2011-012166 for which it applied on January 24, 2011, and inserts all the indications here.

Claims (18)

스트랜드에 의해 구성되는 섬유 직물에 수지 조성물을 함침시켜서 이루어지는 프리프레그로서,
상기 섬유 직물의 부피 밀도는 1.05~1.30g/cm3이고,
상기 수지 조성물은 적어도 열경화성 수지 및 충전재를 포함하며,
상기 충전재는 상기 수지 조성물의 고형분에 대하여 50~85중량%의 비율로 함유되고, 또한 평균 입경 5~100nm의 실리카 입자를 상기 충전재에 대해 1~20중량%의 비율로 함유하며,
상기 스트랜드 중에 상기 실리카 입자가 존재하고 있는 프리프레그.
As a prepreg formed by impregnating a resin composition in the fiber fabric comprised by strands,
The bulk density of the fiber fabric is 1.05 ~ 1.30g / cm 3 ,
The resin composition comprises at least a thermosetting resin and a filler,
The filler is contained in a proportion of 50 to 85% by weight relative to the solid content of the resin composition, and also contains silica particles having an average particle diameter of 5 to 100nm in a ratio of 1 to 20% by weight relative to the filler,
The prepreg in which the said silica particle exists in the said strand.
청구항 1에 있어서,
상기 스트랜드 중에 상기 스트랜드를 구성하는 섬유가 연신하는 방향에서 50㎛ 이상의 길이를 갖는 공극이 존재하지 않는 프리프레그.
The method according to claim 1,
The prepreg in which the space | gap which has a length of 50 micrometers or more does not exist in the said strand in the direction which the fiber which comprises the said strand extends.
청구항 1에 있어서,
상기 스트랜드 중에서의 직경이 50㎛ 이상인 공극의 수밀도는 50cm-3 이하인 프리프레그.
The method according to claim 1,
The prepreg whose water density of the space | gap whose diameter in a strand is 50 micrometers or more is 50 cm <-3> or less.
청구항 1에 있어서,
전체 두께가 30~220㎛인 프리프레그.
The method according to claim 1,
Prepreg with a total thickness of 30 to 220 µm.
청구항 1에 있어서,
상기 스트랜드는 적어도 SiO2를 50~100질량%, Al2O3를 0~30질량%, CaO를 0~30질량%의 비율로 함유하는 유리 섬유에 의해 구성되는 프리프레그.
The method according to claim 1,
The strand prepreg composed of a glass fiber containing at least SiO 2 of 50 to 100 mass%, Al 2 O 3 0 to 30 weight%, CaO in a proportion of 0 to 30% by weight.
청구항 5에 있어서,
상기 유리 섬유는 T 유리, S 유리, D 유리, E 유리, NE 유리, 석영 유리로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종류의 유리를 사용해서 이루어지는 프리프레그.
The method according to claim 5,
The said glass fiber is the prepreg which uses at least 1 sort (s) of glass chosen from the group which consists of T glass, S glass, D glass, E glass, NE glass, and quartz glass.
청구항 5에 있어서,
상기 유리 섬유는 판상으로 했을 때의 영률이 50~100GPa, 판상으로 했을 때의 인장 강도가 25GPa 이상, 섬유 직포로 했을 때의 긴 방향의 인장 강도가 30N/25mm 이상인 프리프레그.
The method according to claim 5,
The said glass fiber is the prepreg whose Young's modulus when it is plate shape is 50-100 GPa, the tensile strength when it is plate shape is 25 GPa or more, and the tensile strength of the longitudinal direction when it is made into a fiber woven fabric is 30 N / 25 mm or more.
청구항 5에 있어서,
상기 섬유 직포의 통기도는 1~80cc/cm2/sec인 프리프레그.
The method according to claim 5,
The air permeability of the fiber woven fabric is 1 ~ 80 cc / cm 2 / sec prepreg.
청구항 1에 있어서,
상기 실리카 입자는 관능기 함유 실란류 또는 알킬실라잔류에 의해 표면 처리가 실시되는 프리프레그.
The method according to claim 1,
The said silica particle is the prepreg which surface-treats by functional group containing silanes or alkylsilazane.
청구항 1에 기재된 프리프레그를 경화해 얻어진 적층판.The laminated board obtained by hardening | curing the prepreg of Claim 1. 청구항 10에 있어서,
상기 프리프레그의 적어도 한쪽의 외측의 면에 도체층이 설치되어 있는 적층판.
The method of claim 10,
The laminated board with which the conductor layer is provided in the at least one outer side surface of the said prepreg.
청구항 1에 기재된 프리프레그 혹은 청구항 10에 기재된 적층판을 내층 회로 기판에 사용해서 이루어지는 프린트 배선판.The printed wiring board which uses the prepreg of Claim 1, or the laminated board of Claim 10 for an inner layer circuit board. 청구항 12에 있어서,
청구항 1에 기재된 프리프레그가 상기 내층 회로 기판 위에 절연층으로 설치되어 있는 프린트 배선판.
The method of claim 12,
The printed wiring board in which the prepreg of Claim 1 is provided as an insulating layer on the said inner-layer circuit board.
청구항 12에 기재된 프린트 배선판에 반도체 소자를 탑재해서 이루어지는 반도체 장치.The semiconductor device which mounts a semiconductor element in the printed wiring board of Claim 12. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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