KR101354353B1 - Flexible display device and manufacturing method thereof - Google Patents

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KR101354353B1 KR1020060124342A KR20060124342A KR101354353B1 KR 101354353 B1 KR101354353 B1 KR 101354353B1 KR 1020060124342 A KR1020060124342 A KR 1020060124342A KR 20060124342 A KR20060124342 A KR 20060124342A KR 101354353 B1 KR101354353 B1 KR 101354353B1
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이경묵
강수혁
김성환
박용인
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는 상기 기판 상에 형성된 게이트전극; A flexible display device according to the present invention includes a gate electrode formed on the substrate; 상기 게이트전극의 동일층에 형성된 정렬패턴; Alignment pattern formed in the same layer of the gate electrode; 상기 게이트전극과 상기 정렬패턴을 포함하며, 상기 기판 전면에 형성된 게이트절연막; It includes the gate electrode and the alignment pattern, a gate insulating film formed on the front substrate; 상기 게이트절연막 상에 형성된 반도체층; A semiconductor layer formed on the gate insulating film; 상기 반도체층 상에 소정간격 이격되어 형성된 소스/드레인전극을 포함하고, 상기 정렬패턴은 상기 반도체층과 동일물질로 형성되는 것을 특징으로 한다. It said alignment pattern includes a source / drain electrode is formed a predetermined distance apart on the semiconductor layer may be formed in the semiconductor layer with the same material.
따라서 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는 반도체물질로 형성되는 정렬패턴을 마련함으로써 정렬패턴을 이용하여 기판의 형상변형 현상으로 부터 발생될 수 있는 스위칭소자의 패턴정렬 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다. Therefore, the flexible display device in accordance with the present invention has the effect capable of preventing a pattern misalignment of the switching device which can be generated from the shape deformation of the substrate using an alignment pattern by providing the alignment pattern is formed of a semiconductor material.
또한 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 반도체물질로 형성되는 정렬패턴을 마련함으로써 유연성을 갖는 기판 상에 박막패턴을 적층할 때, 기판의 변형에 의한 패턴정렬공정의 안정성을 확보할 수 있는 효과가 있다. In addition, in the manufacturing method of a flexible display according to the present invention can ensure the stability of the pattern alignment process due to the substrate deformation, when laminating a thin film pattern on a substrate having flexibility by providing the alignment pattern is formed of a semiconductor material there is an effect.

Description

플렉서블 표시장치 및 그 제조방법{FLEXIBLE DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF} A flexible display device and a method of manufacturing {FLEXIBLE DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

도 1a 내지 도 1d는 종래의 플렉서블 표시장치를 형성하는 공정도를 도시한 단면도. Figure 1a to 1d are cross-sectional views showing a process chart of forming the conventional flexible display device.

도 2a 내지 도 2d는 종래의 플렉서블 표시장치를 형성하는 공정도를 도시한 평면도. Figures 2a-2d is a plan view showing a process chart of forming the conventional flexible display device.

도 3은 본 발명의 따른 플렉서블 표시장치의 평면도. 3 is a plan view of a flexible display device according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 단면도. Figure 4 is a cross-sectional view of a flexible display device according to the present invention.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 도시한 단면. Figures 5a through 5d are cross-section showing a method of manufacturing a flexible display device according to the present invention.

도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 도시한 평면도. Figure 6a to Figure 6d is a plan view showing a method of manufacturing a flexible display device according to the present invention.

(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명) (Description of the Related Art)

1 : 플렉서블 표시장치 5 : 스위칭소자 1: a flexible display device 5 is the switching element

10 : 플렉서블기판 20 : 게이트패턴 10: flexible substrate 20: gate pattern

23 : 게이트라인 27 : 게이트전극 23: Gate line 27: Gate electrode

30 : 게이트절연막 40 : 반도체층 30: Gate insulating film 40: Semiconductor layer

50 : 데이터패턴 53a/53b : 소스/드레인전극 50: pattern data 53a / 53b: source / drain electrodes

57 : 데이터라인 60 : 보호막 57: data line 60: protective layer

100 : 정렬패턴 100 Sort pattern

본 발명은 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a flexible display device and a method of manufacturing the same.

최근 전자소자 분야에서의 기술방향은 가볍고, 얇으며, 내충격성이 우수한 플렉서블 기판 위에서의 소자제작의 필요성이 점차 대두되고 있다. It was recently electronics device in the direction of the field is thin and lightweight, the need for a device fabricated on a flexible substrate having excellent impact resistance are gradually emerging.

액정표시장치, 유기전계발광표시장치 등의 플렉서블기판으로 형성하는 플렉서블 표시장치의 연구가 가속화되어 진행되고 있으며, 스마트 카드, 착용컴퓨터, 전자종이 등이 기본적으로 플렉서블기판을 사용함으로 상기 플렉서블기판 위에 트랜지스터를 용이하게 제작할 수 있는 가능성의 핵심 중추에 플렉서블 전자소자기술이 자리잡고 있다. A liquid crystal display device, and the procedure proceeds the study of the flexible display device is formed with a flexible substrate such as an organic light emitting display device is accelerated, smart cards, wearable computer, an electronic paper or the like is used for the flexible substrate basically by a transistor on the flexible substrate the holding is readily flexible electronic device technologies in the core backbone of the possibility of creating places.

도 1a 내지 도 1d는 종래의 플렉서블 표시장치를 형성하는 공정도를 도시한 단면도이고, 도 2a 내지 도 2d는 종래의 플렉서블 표시장치를 형성하는 공정도를 도시한 평면도이다. Figure 1a to 1d is showing a process chart of forming the conventional flexible display device cross sectional view, FIG. 2a to 2d is a plan view showing a process chart of forming the conventional flexible display device. 도 1a 내지 도 1d는 도 2a 내지 도 2d를 각각 매치시켜 설명하기로 한다. Figure 1a to 1d will be described to match to Figure 2a to 2d, respectively.

플렉서블 표시장치를 형성하기 위해서는 유연특성을 갖는 플렉서블기판 상에 상기 플렉서블 표시장치를 구동시켜 영상을 표시할 수 있는 박막트랜지스터 등을 상기 플렉서블기판 상에 형성시킨다. In order to form a flexible display device by driving the flexible display device on a flexible substrate having flexibility characteristics to form a thin film transistor or the like that it can display an image on the flexible substrate.

상기 플렉서블 표시장치를 형성하는 제조공정은 기존의 제조공정에 큰 수정 없이 유리기판에서 상기 플렉서블기판을 대체하여 공정을 수행할 수 있는 것이 중요하다. Manufacturing process of forming the flexible display device, it is important to perform the process by replacing the flexible substrate from the glass substrate without significant modification to the existing manufacturing process. 즉, 기존의 인프라(infra)가 구축된 제조시설을 그대로 사용할 수 있는 것이 중요하다. In other words, it is important to use the manufacturing facility has existing infrastructure (infra) the building intact.

도 1a 및 도 2a를 참조하면, 플렉서블 표시장치를 형성하기 위해서 기판을 유연하거나 휘어질 수 있는 특성을 갖는 플렉서블기판(510)을 마련할 수 있다. 1a there is shown with reference to Figure 2a, it is possible to provide a flexible printed wiring board 510 having the properties that can be flexible or bending the substrate so as to form a flexible display apparatus.

상기 플렉서블 기판(510) 상에 적층구조를 갖는 박막트랜지스터(참조 도 1d및 도 2d의 505)를 형성하기 위해서 게이트패턴(520)을 형성한다. A gate pattern 520 to form the flexible substrate thin-film transistor having a multilayer structure on a (510) (see Fig. 1d and 505 of FIG. 2d). 상기 게이트패턴(520)은 게이트라인(527)과 일체로 형성되는 게이트전극(523)을 포함한다. The gate pattern 520 includes a gate electrode 523 that is integrally formed with the gate line 527.

적층구조를 갖는 상기 박막트랜지스터를 형성하기 위해서 상기 플렉서블 기판(510)의 소정영역에는 정렬키(600)를 형성시킨다. A predetermined area of ​​the flexible substrate 510 to form the thin film transistor having a multilayer structure, to form the alignment key 600 is. 상기 정렬키(600)는 게이트패턴(520)과 동시에 게이트금속물질로 형성할 수 있다. The alignment key 600 may be at the same time as the gate pattern 520 formed of a gate metal material. 여기서 상기 정렬키(600)는 상기 플렉서블기판(510)의 가장자리 등에 형성할 수 있다. Wherein the alignment key 600 may be formed like the edge of the flexible substrate (510).

도 1b 및 도 2b를 참조하면, 상기 게이트패턴(520) 및 상기 정렬키(600)가 포함된 상기 플렉서블기판(510) 상에 게이트절연막(530) 및 반도체층 등을 형성할 수 있는 무기막(540a)을 형성하게 된다. When FIG. 1b and FIG. 2b, capable of forming the gate pattern 520 and the alignment key 600, the on the flexible substrate 510, the gate insulating film 530 and the semiconductor layer containing the inorganic film ( to form a 540a).

상기 게이트절연막(530)은 질화실리콘, 산화실리콘 및 이들을 혼합한 산/질화 실리콘으로 형성할 수 있으며, 상기 무기막(540a)은 비정질실리콘 등을 상기 게 이트절연막(530) 상에 형성할 수 있다. The gate insulating film 530 may be formed of silicon nitride, silicon oxide, and an acid mixture thereof / a silicon nitride, it said inorganic film (540a) may be formed on the gate insulating film 530, an amorphous silicon .

여기서 상기 게이트절연막(530) 및 비정질실리콘 등의 무기막(540a)은 화학기상증착장치를 이용하여 상기 플렉서블기판(510) 상에 증착시킬 수 있다. The inorganic film (540a), such as the gate insulating film 530 and the amorphous silicon can be deposited on the flexible substrate 510 using a chemical vapor deposition apparatus. 상기 화학기상증착법은 상기 게이트절연막(530) 및 무기막(540a) 등의 무기물을 기화시켜 상기 플렉서블기판(510) 상에 증착시키게 되는데 상기 무기물을 기화시키기 위해 제공되는 열은 상기 플렉서블기판(510)에 가해질 수 있다. The chemical vapor deposition method is heat the flexible substrate 510 is provided to vaporize an inorganic material such as the gate insulating film 530 and the inorganic film (540a) there is thereby deposited on the flexible substrate 510 in order to vaporize the inorganic on may be applied.

따라서 제공되는 열에 의해서 유연특성을 갖고 있는 상기 플렉서블기판(510)은 팽창될 수 있다. Therefore, the flexible substrate 510 to have a flexible property by the heat provided can be expanded. 상기 플렉서블기판(510)이 열에 노출되었을 경우, 팽창 및 수축하는 현상이 발생될 수 있다. If the flexible substrate 510 has been exposed to heat, there is a phenomenon in which the expansion and contraction may be generated. 상기 현상은 플렉서블 표시장치 구현 시 공정적으로 걸림돌이 되고 있다. The phenomenon has been an obstacle to the process ever implementation flexible display device.

게다가 상기 게이트절연막(530) 물질 및 비정질 실리콘 등의 무기막(540a)은 서로 다른 팽창율 때문에 상기 플렉서블기판(510)에 막스트레스를 제공할 수 있게 된다. In addition, the inorganic film (540a), such as the gate insulating film 530 and the amorphous silicon material is able to each other to provide a film stress in the flexible substrate 510 due to the different expansion coefficient. 즉, 상기 게이트절연막(530) 및 비정질실리콘의 무기막(540a)으로 인해 발생되는 막스트레스는 상기 플렉서블기판(510)을 팽창 및 벤딩(bending)시킬 수 있다. That is, the film stress caused by the gate insulating layer 530 and the inorganic film (540a) of the amorphous silicon may be expanded and bending (bending) the flexible printed wiring board (510).

이와 같이, 상기 무기막(540a), 게이트절연막(530)을 상기 플렉서블기판(510)에 증착함으로써, 막스트레스와 제공되는 열에 의해서 상기 플렉서블기판(510)은 팽창 및 벤딩이 발생될 수 있다. In this way, the inorganic film (540a), by depositing a gate insulating film 530 on the flexible substrate 510, the film stress and heat the flexible substrate 510 by means provided may be expanded and bending occurs.

그런데 상기 플렉서블기판(510) 상에는 적층구조의 박막트랜지스터(505)를 형성하기 위해 상기 정렬키(600)를 구비하고 있다. By the way and provided with the alignment key 600 to form the thin film transistor 505 formed on the laminated structure wherein the flexible substrate (510). 상기 정렬키(600) 또한 상기 플렉서블기판(510)의 팽창 및 벤딩에 의해서 상기 정렬키(600)의 위치가 변경될 수 있다. The alignment key 600 may also be the position of the alignment key 600 is changed by the expansion and bending of the flexible substrate (510). 상기 위치가 변경된 정렬키를 오정렬키(610)로 정의한다. Wherein the position is changed to define the alignment key to the misalignment key 610.

상기 무기막(540a)들이 도포된 플렉서블기판(510)은 벤딩 및 팽창되어 상기 정렬키(600)가 상기 오정렬키(610) 위치로 이동되어 있다. The inorganic film flexible substrate 510 a (540a) are applied is the alignment key 600 is moved to the misalignment key 610 is positioned for bending and expansion.

도 1c 및 도 2c를 참조하면, 상기 오정렬키(610)에 마스크를 정렬시켜 노광 및 현상 등을 거쳐 포토레지스터패턴을 형성하고 상기 무기막(540a)을 식각하여 반도체층(540)을 형성하게 된다. When FIG. 1c and FIG. 2c, to align the mask to the misalignment key 610 to form a photoresist pattern after the exposure and development etching the inorganic film (540a) to form a semiconductor layer 540 .

상기 반도체층(540)은 채널을 형성하기 위해 상기 게이트전극(523)영역을 커버되도록 형성되어야 한다. The semiconductor layer 540 should be formed to cover the gate electrode 523 to form a channel region. 상기 반도체층(540)은 상기 게이트전극(523) 상에 배치되어 소정의 게이트전압으로 상기 반도체층(540)에 채널이 형성되도록 하고, 추후에 형성되는 상기 박막트랜지스터가 구동되도록 할 수 있다. The semiconductor layer 540 may be such that the driving thin film transistor is arranged on the gate electrode 523, and such that the channel in the semiconductor layer 540 is formed at a predetermined gate voltage, formed at a later date.

상기 플렉서블기판(510)이 벤딩 및 팽창으로 인해 상기 오정렬키(610)를 기준으로 상기 반도체층(540)을 형성함으로써, 상기 반도체층(540)은 원하는 위치에서 시프트되어 상기 게이트전극(527) 주변에 오정렬되어 형성될 수 있다. The flexible substrate 510 by the formation of the semiconductor layer 540 on the basis of the misalignment key 610 due to bending and expanding, the semiconductor layer 540 is then shifted in the desired location from the gate electrode 527 surrounding It is misaligned to be formed.

상기 무기막(540a)을 식각하게 되면 상기 무기막(540a)으로 인해 발생된 막스트레스가 해제되어 상기 플렉서블기판(510)을 팽창 및 벤딩시키는 힘이 해제되고, 상기 플렉서블기판(510)은 다시 원상태로 돌아오게 된다. When etching the inorganic film (540a), the generated due to the inorganic film (540a), the film stress is released the force is released to expand, and bending the flexible substrate 510, the flexible substrate 510 is the original state again, It is returned to.

도 1d 및 도 2d를 참조하면, 상기 반도체층(540) 상에 데이터패턴(550)을 형성한다. When Fig. 1d and FIG. 2d, to form the data pattern (550) on the semiconductor layer 540. 상기 데이터패턴(550)은 데이터라인(557)과, 상기 데이터라인(557)과 일체로 형성된 소스전극(553a)과 상기 소스전극(553a)과 소정간격 이격되어 형성되는 드레인전극(553b)을 포함한다. The data pattern 550 includes a data line 557 and the data line (557) integral with the source electrode (553a) formed in and the source electrode (553a) and a drain electrode (553b) that is spaced apart a predetermined distance do.

따라서 상기 게이트패턴(520), 반도체층(540), 데이터패턴(550)을 형성하여 박막트랜지스터(505)를 형성하게 된다. Therefore, by forming the gate pattern 520, the semiconductor layer 540, a data pattern (550) to form a thin-film transistor 505. 상기 박막트랜지스터(505) 상에는 상기 박막트랜지스터(505)를 보호하는 보호막 등을 더 형성할 수 있다. On the thin film transistor 505 can be further formed on the protective film, etc. which protects the thin film transistor 505.

상기 박막트랜지스터(505)는 상기 게이트패턴(520)에 입력되는 게이트전압으로 상기 반도체층(540)에 채널을 형성하고 상기 데이터패턴(550)에 인가되는 데이터전압으로 상기 박막트랜지스터(505)를 구동하게 된다. The thin film transistor 505 for driving the thin film transistor 505 as the data voltage to the gate voltage input to the gate pattern 520 forms a channel in the semiconductor layer (540) applied to the data pattern (550) It is.

그런데 상기 채널이 형성되는 반도체층(540)이 게이트전극(523) 상에서 오정렬됨에 따라 상기 게이트패턴(520)에 게이트전압을 입력해도 상기 반도체층(540)이 채널을 형성하기 어렵게 된다. However, as the semiconductor layer 540 to which the channel formation misalignments on the gate electrode 523 may be input to the gate voltage to the gate pattern 520, the semiconductor layer 540 is difficult to form the channel. 따라서 상기 박막트랜지스터(505)를 구동시킬 수 없게 된다. Therefore can not be driving the thin film transistor 505.

이와 같이, 무기막 등에 발생되는 막스트레스 및 도포할 때 제공되는 열 등으로 인해 유연한 특성을 갖는 상기 플렉서블기판(510)은 팽창 및 벤딩될 수 있게 된다. In this way, the flexible printed wiring board 510 has a flexible characteristic due to heat such as is provided when the film stress is applied and resulting inorganic film or the like is able to be expanded and bending.

따라서 상기 플렉서블기판(510) 상에 박막트랜지스터(505) 등을 형성할 때, 상기 팽창 및 벤딩 등으로 인해 상기 게이트패턴(520), 반도체층(540), 데이터패턴(540)의 정렬이 어려울 수 있다. Therefore be difficult to align the flexible substrate 510 in forming the thin film transistor 505 and the like on the gate pattern 520 due to the expansion and bending or the like, the semiconductor layer 540, a data pattern (540) have. 즉, 상기 오정렬로 인해 상기 박막트랜지스터(505)등의 패턴형성 불량 등이 발생할 수 있다. In other words, the light pattern forming defect such as the thin film transistor 505 may be caused by the misalignment.

본 발명은 플렉서블기판 상에 박막을 적층할 때 플렉서블기판의 열변형에 의 한 패턴정렬을 안정적으로 확보할 수 있는 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다. An object of the present invention is to provide a flexible display which can be stably secured to a pattern alignment of the thermal deformation of the flexible printed wiring board device, and a manufacturing method when laminating a thin film on a flexible substrate.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 플렉서블 표시장치는 유연성을 갖는 기판; In order to achieve the above aspect the flexible display of the present invention is a substrate having flexibility; 상기 기판 상에 형성된 게이트전극; A gate electrode formed on the substrate; 상기 게이트전극의 동일층에 형성된 정렬패턴; Alignment pattern formed in the same layer of the gate electrode; 상기 게이트전극과 상기 정렬패턴을 포함하며, 상기 기판 전면에 형성된 게이트절연막; It includes the gate electrode and the alignment pattern, a gate insulating film formed on the front substrate; 상기 게이트절연막 상에 형성된 반도체층; A semiconductor layer formed on the gate insulating film; 상기 반도체층 상에 소정간격 이격되어 형성된 소스/드레인전극을 포함하고, 상기 정렬패턴은 상기 반도체층과 동일물질로 형성되는 것을 특징으로 한다. It said alignment pattern includes a source / drain electrode is formed a predetermined distance apart on the semiconductor layer may be formed in the semiconductor layer with the same material.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 플렉서블 표시장치 제조방법은 유연한 기판 상에 제1반도체물질을 증착하는 단계-상기 제1반도체물질에 의해 상기 기판이 벤딩됨-; The technical problem to realize a flexible display device manufacturing method of the present invention to the step of depositing a first semiconductor material on a flexible substrate, said substrate being a semiconductor material by the first bending; 상기 제1반도체물질을 패터닝하여 정렬패턴을 형성하는 단계-상기 정렬패턴에 의해 상기 기판은 원상복귀됨-; Wherein the step of forming the first alignment pattern by patterning the semiconductor material by the alignment search pattern returns the substrate is a circle; 상기 기판 상에 정렬패턴과 동일층에 게이트전극을 형성하는 단계; Forming a gate electrode on the alignment pattern and the same layer on the substrate; 상기 게이트전극 상에 게이트절연막과 제2반도체물질을 순차적으로 형성하는 단계-상기 제2반도체물질로 상기 기판이 벤딩됨-; Forming a gate insulating film and the second semiconductor material on the gate electrode in sequence-the first being the substrate is bent by the second semiconductor material; 상기 정렬패턴을 기준으로 상기 제2반도체물질을 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계-상기 반도체층에 의해 상기 기판이 원상복귀됨-; The step of patterning the second semiconductor material on the basis of the alignment pattern formed in the semiconductor layer being the substrate is returned to the original state by the semiconductor layer; 상기 반도체층을 포함하는 상기 기판 상에 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1, 2반도체물질은 동일한 물질인 것을 특징으로 한다. The first and second semiconductor material, and forming a source / drain electrode on the substrate including the semiconductor layer is characterized in that the same material.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법에 대하여 상세하게 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예들에 제한되는 것은 아니며, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양한 다른 형태로 구현할 수 있을 것이다. Detailed description will be given of the flexible display device and a method of manufacturing the same in accordance with the following, embodiments of the invention with reference to the accompanying drawings, but not limited to the embodiments of to the present invention, ordinary skill in the art those of will be able to implement the present invention may be made without departing from the scope of the present invention in various other forms. 첨부된 도면에 있어서, 기판, 스위칭소자, 정렬패턴의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. In the accompanying drawings, the substrate, the dimensions of the switching device, the alignment pattern shows an enlarged than the actual for clarity of the invention. 본 발명에 있어서, 기판, 스위칭소자, 정렬패턴 및 기타 구조물들이 "상에", "상부에" 또는 "하부"에 형성되는 것으로 언급되는 경우에는 기판, 스위칭소자, 정렬패턴 및 기타 구조물들이 직접 기판, 스위칭소자, 정렬패턴 및 기타 구조물들 위에 형성되거나 아래에 위치하는 것을 의미하거나, 다른 기판, 스위칭소자, 정렬패턴 및 기타 구조물들이 기판 상에 추가로 형성될 수 있다. In the present invention, a substrate, a switching element, the alignment patterns, and other structures are "phase to", "the upper part of the" or "lower" is a substrate, a switching element, the alignment patterns, and other structure is directly the substrate when referred to as being formed in the It may be a switching element, the alignment patterns, and other structures formed on, or means which is located below, or other substrate, a switching element, the alignment patterns, and other structures are to be formed additionally on the substrate.

도 3은 본 발명의 따른 플렉서블 표시장치의 평면도, 도 4는 본 발명에 따른 플렉서블기판 표시장치의 단면도이다. 3 is a plan view of a flexible display device according to the present invention, Figure 4 is a cross-sectional view of a flexible printed wiring board display device according to the present invention.

도 3 및 도 4를 참조하면, 본 발명의 플렉서블 표시장치(1)는 유연성을 갖는 기판(10)과, 상기 표시장치를 구동시키기 위해 적층구조를 갖는 다수의 스위칭소자(5)와, 상기 스위칭소자(5)를 정렬시킬 수 있는 정렬패턴(100)을 포함한다. 3 and 4, the flexible display device 1 of the present invention and a plurality of switching elements (5) having a stacked structure for driving the substrate 10 having flexibility, the display device, the switching It comprises an alignment pattern 100 in which the element 5 can be aligned.

상기 기판(10)은 유연한 특성을 갖는 플라스틱 재질, 금속(Metal) 재질로 형성할 수 있다. The substrate 10 may be formed of a plastic material, metal (Metal) material having flexible characteristics.

상기 스위칭소자(5)는 소자의 스위칭 기능을 하기 위해 다수의 박막패턴이 적층된 적층구조를 하고 있다. The switching element (5) has a laminated structure laminating a plurality of thin film patterns to the switching function of the device. 상기 스위칭소자(5)는 게이트라인(27), 게이트전 극(23), 게이트절연막(30), 채널층(40), 데이터라인(57), 소스/드레인전극(53a, 53b)이 적층된 구조로 형성할 수 있으며, 상기 스위칭소자(5)를 보호하기 위해 상기 스위칭소자(5) 상에 보호막(60) 등을 더 형성할 수 있다. The switching element (5) includes a gate line 27, a gate electrode 23, gate insulating film 30, a channel layer 40, a data line 57, the source / drain electrodes (53a, 53b) are laminated to form a structure, and may further form a protective film 60 and the like on the switching element (5) to protect the switching element (5).

상기 게이트전극(23)과 게이트라인(27)에는 게이트전압을 인가하여 상기 반도체층(40)에 채널이 형성될 수 있도록 한다. The gate electrode 23 and the gate line 27 is to ensure that by applying a gate voltage of the channel formed in the semiconductor layer 40. 상기 게이트전극(23)은 상기 게이트라인(27)에서 연장된 형상으로 형성된다. The gate electrode 23 is formed in a shape extending from the gate line 27. 여기서 상기 게이트전극(23), 게이트라인(27)의 동일층에는 상기 정렬패턴(100)이 형성될 수 있다. The same layer of the gate electrode 23, the gate line 27, it can be said alignment pattern 100 is formed.

상기 게이트절연막(30)은 상기 게이트전극(23), 게이트라인(27) 및 정렬패턴(100)이 형성된 상기 기판(10) 전면에 형성할 수 있다. The gate insulating film 30 may be formed on the substrate 10 over the gate electrodes 23, gate lines 27 and the alignment pattern 100 is formed.

상기 게이트절연막(30) 상에는 반도체층(40)이 형성된다. The semiconductor layer 40 is formed on the gate insulating film 30 is formed. 상기 반도체층(40)은 상기 게이트전극(23)이 대응되는 영역을 커버하도록 형성된다. The semiconductor layer 40 is formed so as to cover the region in which the gate electrode 23 corresponds. 상기 반도체층(40)은 상기 게이트전극(23)에 인가되는 게이트전압을 인가받아 채널을 형성할 수 있다. The semiconductor layer 40 is received applying a gate voltage to the gate electrode 23 may form a channel.

상기 반도체층(40)은 비정질실리콘 등을 포함하는 반도체물질로 형성할 수 있다. The semiconductor layer 40 can be formed of a semiconductor material, including amorphous silicon. 상기 반도체층(40)으로 사용되는 물질은 상기 정렬패턴(100)의 물질과 동일한 물질로 형성할 수 있다. The material used as the semiconductor layer 40 can be formed of the same material as the material of the alignment pattern 100.

추후에 설명할 플렉서블 표시장치(1)를 형성할 때, 상기 비정질실리콘 및 게이트절연막(30)의 무기물은 막스트레스 때문에 상기 기판(10)의 팽창 및 벤딩 등이 유발될 수 있다. When forming a flexible display device (1), described later, of inorganic material of the amorphous silicon and the gate insulating film 30 has the expansion and bending, etc. of the substrate 10 may be caused due to the film stress. 상기 기판(10)의 벤딩 등은 추후 플렉서블 표시장치 제조방법에서 상세히 설명한다. Bending, etc. of the substrate 10 will be described in detail later in the flexible display device manufacturing method.

상기 데이터라인(57)은 상기 소스전극(53a)과 일체로 형성되며, 상기 소스전극(53a)은 상기 반도체층(40)을 사이에 두고 소정간격 이격되어 드레인전극(53b)이 형성된다. The data line 57 is formed integrally with the source electrode (53a), said source electrode (53a) are spaced apart with a predetermined distance between the semiconductor layer 40 is formed with a drain electrode (53b). 여기서 상기 소스/드레인전극(53a, 53b)은 상기 반도체층(40)에 소정영역과 중첩되도록 형성할 수 있다. Here, the source / drain electrodes (53a, 53b) can be formed to overlap with a predetermined region in the semiconductor layer (40).

상기 소스/드레인전극(53a, 53b)은 상기 채널층(40)에서 형성된 채널을 통해 상기 데이터라인(57)에 인가되는 데이터전압을 소스전극(53a)을 통해 상기 드레인전극(53b)으로 전달하게 된다. The source / drain electrodes (53a, 53b) is to transfer the data voltage to the data line 57 through a channel formed in the channel layer 40 to the drain electrode (53b) through the source electrode (53a) do. 즉, 상기 소스전극(53a)은 상기 반도체층(40)에서 형성된 채널을 통해 인가되는 데이터전압을 드레인전극(53b)에 공급한다. That is, the source electrode (53a) supplies a data voltage applied through a channel formed in the semiconductor layer 40 to the drain electrode (53b).

그리고, 상기 보호막(60)은 상기 스위칭소자(5)를 포함하는 상기 기판(10) 전면에 형성할 수 있다. In addition, the protective film 60 may be formed on the entire surface of the substrate 10 including the switching element (5). 상기 보호막(60)은 스위칭기능을 하는 영역을 보호할 수 있게 된다. The protective film 60 is able to protect a region in which a switching function.

한편, 상기 플렉서블 표시장치(1)는 상기 스위칭소자(5)의 적층구조를 형성하기 위해서 다수의 박막패턴을 정렬시킬 수 있는 상기 정렬패턴(100)을 구비하고 있다. On the other hand, the flexible display unit 1 is provided with the alignment pattern 100, which can sort a plurality of thin-film pattern in order to form a laminate structure of the switching element (5).

상기 정렬패턴(100)은 상기 기판(10)의 가장자리 등에 다수개를 마련할 수 있다. The alignment pattern 100 may be provided a plurality of edges or the like of the substrate 10. 그리고 상기 정렬패턴(100)은 상기 반도체층(40)을 형성할 수 있는 반도체물질 등과 동일한 물질로 형성할 수 있으며, 상기 게이트전극(23)과 동일층에 형성할 수 있다. And said alignment pattern 100 may be formed of the same material as a semiconductor material capable of forming the semiconductor layer 40 can be formed on the gate electrode 23 and the same layer.

상기 반도체물질 등과 같은 무기막은 상기 기판(10)을 팽창 및 벤딩시킬 수 있다. An inorganic film substrate 10 such as a semiconductor material can be expanded and bending. 그래서 팽창 및 벤딩되는 상기 기판(10)에 대응할 수 있도록 상기 반도체물 질로 상기 정렬패턴(100)을 형성하여 적층구조의 정렬불량을 최소화할 수 있다. So it is possible to form the alignment pattern 100, the semiconductor water quality to minimize the misalignment of the laminated structure to cope with the substrate 10 to be expanded and bending.

따라서 상기 정렬패턴(100)을 반도체물질로 형성함으로 막스트레스로 인한 상기 기판(10)의 팽창 및 벤딩에 대응하여 보상설계 없이 상기 반도체층(40)의 배치를 용이하게 할 수 있게 된다. Therefore, in correspondence with the alignment pattern 100, the expansion and bending of the substrate 10 due to the film stress by forming a semiconductor material it is possible to facilitate the layout of the semiconductor layer 40 without the compensation design. 상기 정렬패턴(100)을 반도체물질로 형성하는 이유는 플렉서블 표시장치 제조방법에서 보다 상세히 설명하기로 한다. The reason for forming the alignment pattern (100) of a semiconductor material is to be described in more detail in the method for manufacturing a flexible display device.

즉, 상기 정렬패턴(100)은 상기 플렉서블 표시장치(1)의 특징인 유연특성으로 인해 발생되는 상기 기판(10)의 팽창 및 벤딩현상 등의 형상변형에 대응하여 상기 스위칭소자(5)의 적층구조의 오정렬을 방지할 수 있게 된다. That is, the alignment pattern 100 is laminated on the substrate 10 is expanded and the bending phenomenon, such as the switching in response to the deformation of the element (5) of which is caused by the characteristic of flexible characteristics of the flexible display unit 1 misalignment of the structure can be prevented.

이와 같이, 상기 정렬패턴(100)은 상기 스위칭소자(5)의 적층구조의 패턴을 형성하는데 기준으로하여 다수의 적층구조의 패턴이 오정렬되는 것을 방지할 수 있다. In this way, the alignment pattern 100 may be prevented from being misaligned pattern of the plurality of the laminated structure on the basis to form the pattern of the laminate structure of the switching element (5).

따라서 상기 정렬패턴(100)을 이용하여 상기 기판(10)의 형상변형 현상으로 부터 발생될 수 있는 상기 스위칭소자(5)의 패턴정렬불량을 방지할 수 있게 된다. Therefore, it is possible by using the alignment pattern 100 to prevent the pattern misalignment of the substrate 10, the switching element (5) which can be generated from the deformation of the shape.

도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 도시한 단면이고, 도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법을 도시한 평면도이다. Figures 5a through 5d is showing a method of manufacturing a flexible display device according to the invention cross-section, Figure 6a to Figure 6d is a plan view showing a method of manufacturing a flexible display device according to the present invention. 여기서 상기 도 5a 내지 도 5d 및 도 6a 내지 도 6d는 공정에 따라 각각 매칭시켜 설명하기로 한다. Wherein Fig. 5a to 5d and 6a to Figure 6d is a description to each of the matching according to the process.

도 5a 및 도 6a에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치를 형성하기 위해서는 유연성을 갖는 기판(10)을 마련한다. As shown in Figures 5a and 6a, in order to form a flexible display device according to the present invention is providing a substrate 10 having flexibility. 상기 플렉서블 표시장치는 스위칭기능을 하기 위해 적층구조를 갖는 스위칭소자를 필요로 한다. The flexible display device requires a switching element having a layered structure to a switching function. 상기 기 판(10) 상에 적층구조를 정렬시킬 수 있는 정렬패턴(100)을 필요로 한다. Requires the alignment pattern 100 may help align the laminated structure on the plate group 10. FIG.

상기 정렬패턴(100)을 형성하기 위해서 상기 기판(10) 상에 제1반도체물질을 도포하여 제1반도체물질막(40a)을 형성한다. To form the substrate 10 is coated on the first semiconductor material a first semiconductor material layer (40a) to form the alignment pattern 100. 그런데 상기 제1반도체물질막(40a)은 상기 기판(10)에 막스트레스를 발생시켜 상기 플렉서블기판(10)의 팽창 및 벤딩을 발생시킬 수 있다. However, the first semiconductor material layer (40a) may produce expansion and bending of the flexible substrate 10 to generate the film stress to the substrate 10.

여기서 상기 기판(10)의 유연성으로 변형되는 형상에 따라 상기 기판(10)을 평평한 상태의 제1플렉서기판으로 정의하고(기판은 제1플렉서블기판과 동일한 평평한 형상으로 함) 각기 다른 플렉서블기판의 형상에 따라 제2, 3...플렉서블기판 등으로 명칭을 정의하여 설명한다. Here, the substrate 10 according to the shape to be deformed in a flexible definition of the substrate 10 in a flat state the first Multiplexers substrate (the substrate is also the same flat shape as the first flexible substrate) different flexible substrates depending on the shape will be described by defining the names in the second, third ... flexible substrate, or the like.

상기 제1반도체물질로 인해 벤딩된 형상의 기판을 제2플렉서블기판(10a)으로 정의한다. It defines the bending shape of the substrate due to the first semiconductor material with a second flexible substrate (10a).

도시된 도면에서와 같이, 상기 제1반도체물질을 도포하기 위해 사용되는 화학기상증착장치 등에서 제공되는 열과 물질도포 후 형성되는 막스트레스로 인해 팽창 및 벤딩이 발생된 상기 기판(10)은 상기 제2플렉서블기판(10a)의 형상으로 형성될 수 있다. As in the illustrated figures, the first substrate 10 due to the film stress to be formed after applying heat and material provided, etc. The chemical vapor deposition device used to apply the semiconductor material is expanded and bending occurs is the second It may be formed in the shape of a flexible substrate (10a).

상기 제1반도체물질막(40a)을 식각하여 상기 정렬패턴(100)을 형성할 수 있는 포토레지스트를 도포한다. By the etching of the first semiconductor material layer (40a) is coated with a photoresist to form the alignment pattern 100. 여기서 상기 포토레지스트를 마스크를 이용하여 노광하고 현상하여 포토레지스트패턴을 형성한다. Here, by the photoresist exposure and development using a mask to form a photoresist pattern. 그리고 상기 제1반도체물질막(40a)을 식각하여 상기 정렬패턴(100)을 형성할 수 있다. And it is possible to form the alignment pattern 100 by etching the first semiconductor material layer (40a).

상기 정렬패턴(100)을 형성하기 위해 상기 제1반도체물질막(40a)을 식각하게 되면 상기 제2플렉서블기판(10a)과 상기 제1반도체물질막(40a)에 존재하는 막스트레스가 해제되면서 상기 제2플렉서블기판(10a)는 수축하면서 원상태의 상기 기판(10)으로 회복될 수 있다. To form the alignment pattern 100, the first When etching the semiconductor material layer (40a) while the film stress release is present in the second flexible substrate (10a) and said first semiconductor material layer (40a) the a second flexible substrate (10a) can be recovered into the substrate 10 in the original state and shrinkage.

즉, 상기 정렬패턴(100)은 상기 기판(10)이 상기 제1반도체물질막(40a)으로 인해 벤딩된 상태(즉, 제2플렉서블기판(10a) 상태)에서 형성될 수 있다. That is, the alignment pattern 100 may be formed in the substrate 10, the first bending state due to the semiconductor material layer (40a) (i.e., the second flexible substrate (10a) state). 따라서 상기 정렬패턴(100)은 추후에 제1반도체물질과 동일한 물질을 사용하여 형성하는 반도체층(40)을 형성할 때, 상기 반도체층(40)이 상기 게이트전극(23)에서 오정렬되는 것을 방지할 수 있다. Therefore, the alignment pattern 100 for forming a semiconductor layer 40 formed using the same material as the first semiconductor material at a later time, to prevent the semiconductor layer 40 is misaligned from the gate electrode 23 can do.

도 5b 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 정렬패턴(100)이 형성된 상기 기판(10) 상에 게이트전극(23) 및 게이트라인(27)을 형성한다. As shown in Figure 5b and 6b, a gate electrode 23 and the gate line 27 on the substrate 10, the alignment pattern 100 is formed.

상기 게이트전극(23) 및 게이트라인(27)은 게이트금속물질을 증착하고 마스크법을 사용하여 패턴을 형성할 수 있도록 포토레지스트를 도포하고, 노광 및 현상 등의 공정을 거쳐 형성할 수 있다. The gate electrode 23 and the gate line 27 may be deposited the gate metal material, and by using the mask method applying a photoresist to form a pattern, and formed through a process such as exposure and development.

도 5c 및 도 6c에 도시된 바와 같이, 상기 게이트라인(23), 게이트전극(27) 및 상기 정렬패턴(100)이 형성된 기판(10) 상에 화학기상증착법 등으로 게이트절연막(30)과 제2반도체물질막(40b)을 형성하게 된다. As shown in Figure 5c and 6c, the gate line 23, a gate electrode 27 and the alignment pattern 100, such as chemical vapor deposition on the substrate 10 formed with a gate insulating film 30 and the 2 to form a semiconductor material layer (40b). 상기 제2반도체물질막(40b)을 형성할 수 있는 상기 제2반도체물질은 상기 제1반도체물질과 동일한 물질일 수 있다. The second and the second semiconductor material capable of forming a semiconductor material layer (40b) may be the same material as that of the first semiconductor material.

상기 기판(10)에는 상기 제2반도체물질막(40b)의 막스트레스 때문에 도 5a 및 도 6a에서와 같이 다시 팽창 및 벤딩현상이 발생될 수 있다. The substrate 10 may be a re-expansion and bending phenomenon as in the second film due to stress of the semiconductor material layer (40b) Figures 5a and 6a occurs.

따라서 상기 기판(10)은 상기 막스트레스로 인해 벤딩되어 제3플렉서블기 판(10b)으로 변형될 수 있다. Therefore, the substrate 10 is bent due to the film stress can be modified in the third group the flexible plate (10b). 여기서 상기 제3플렉서블기판(10b)은 상기 제2플렉서블기판(10a)과 동일한 반도체물질과의 막스트레스로 벤딩되기 때문에 상기 제2플렉서블기판(10a)과 상기 제3플렉서블기판(10b)은 동일한 가변폭으로 벤딩 및 팽창된 형상일 수 있다. Wherein the third flexible substrate (10b) is a second flexible substrate (10a) and, since the bending to a film stress of the same semiconductor material and the second flexible substrate (10a) and the third flexible substrate (10b) is equal to the variable It may be in the bent shape and the expansion in the width.

그리고 상기 제2반도체물질막(40b) 상에 포토레지스트를 도포하여 마스크 공정을 실시하게 된다. And by applying a photoresist on the second semiconductor material layer (40b) is carried out a masking process.

상기 제2반도체물질막(40b)을 식각하여 형성할 수 있는 반도체층(40)은 상기 도 5a 및 도 6a에서 형성된 상기 정렬패턴(100)에 마스크를 정렬시켜 노광 및 현상하고 상기 제2반도체물질막(40b)을 식각하여 상기 반도체층(40)을 형성할 수 있다. The second semiconductor layer 40 can be formed by etching the semiconductor material layer (40b) is to align a mask on the alignment pattern 100 formed in the Figs. 5a and 6a is exposed and developed, and the second semiconductor material etching the film (40b) it can be formed in the semiconductor layer (40).

따라서 상기 정렬패턴(100)을 반도체물질로 형성하여 상기 반도체층(40)을 형성할 때, 상기 정렬패턴(100)의 위치를 정렬오차 범위 내로 형성할 수 있게 된다. Therefore, when the formation of the alignment pattern 100 of a semiconductor material forming the semiconductor layer 40, it is possible to form the position of the alignment pattern 100 into alignment error range.

이와 같이, 상기 정렬패턴(100)을 정렬 오차범위 내로 형성하여 상기 정렬패턴(100)을 이용하여 상기 반도체층(40)을 형성함으로써 상기 게이트전극(27) 상에 상기 반도체층(40)을 배치시킬 수 있게 된다. In this way, disposing the semiconductor layer 40 on the gate electrode 27. By forming the alignment pattern (100) into alignment error range using the alignment pattern 100 formed in the semiconductor layer 40 It is able to.

따라서 상기 정렬패턴(100)이 제2플렉서블기판(10a) 상태에서 형성되었기 때문에 동일한 이유로 벤딩 및 팽창으로 형상이 변경된 제3플렉서블기판(10b) 상에 상기 반도체층(40)을 형성할 때 상기 반도체층(40)이 오정렬되는 것을 방지할 수 있게 된다. Therefore, the semiconductor to form the alignment pattern 100, the second flexible substrate (10a) the same said semiconductor layer (40) on a third flexible substrate (10b), the shape is changed by bending, and expansion two euros because formed in a state layer 40 can be prevented from being misaligned.

여기서도 5a와 마찬가지로 상기 제3플렉서블기판(10b)에서 상기 제2반도체물 질막(40b)이 식각되면 상기 제3플렉서블기판(10b)과 상기 제2반도체물질막(40b) 간의 막스트레스가 해제되어 상기 제3플렉서블기판(10b)은 상기 기판(10) 형상으로 원상태로 복귀될 수 있다. Here again the same manner as 5a in the third flexible substrate (10b) When the second semiconductor water plasma membrane (40b) is etched when the film stress between the third flexible substrate (10b) and said second semiconductor material layer (40b) is turned off, the a third flexible substrate (10b) may be returned to its original position by the substrate 10-like.

도 5d 및 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 반도체층(40)이 형성된 상기 기판(10) 상에 데이터금속을 도포하고, 마스크공정을 위해 포토레지스트를 도포한다. As shown in Fig. 5d and Fig. 6d, the semiconductor layer 40, applying the data onto the metal substrate 10 is formed, and a photoresist is applied to a masking process. 그리고 마스크공정을 실시하여 데이터라인(57) 및 소스/드레인전극(53a, 53b)을 형성할 수 있다. And it can be formed by performing a masking process to the data line 57 and the source / drain electrodes (53a, 53b).

이와 같이, 상기 게이트전극(23), 게이트라인(27), 반도체층(40), 데이터라인(57), 소스/드레인전극(53a, 53b)을 형성하여 스위칭소자(5)를 형성할 수 있다. In this way, by forming the gate electrode 23, gate lines 27, the semiconductor layer 40, data line 57, the source / drain electrodes (53a, 53b) may form a switching device (5) .

그리고 다수의 상기 스위칭소자(5)를 보호할 수 있는 보호막(60)을 상기 기판(10) 전면에 더 형성할 수 있다. And a plurality of the protective film 60 for protecting the switching element (5) can be further formed on the entire surface of the substrate (10).

이와 같이, 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치(1)는 상기 정렬패턴(100)을 통해 상기 반도체층(40)의 오정렬 방지할 수 있게 됨으로써 상기 반도체층(40)을 형성하기 위한 보상설계할 필요가 없게 되고, 상기 반도체층(40)을 형성할 때 상기 기판의 형상변형으로 인해 발생되는 패턴정렬불량을 해결할 수 있다. In this way, the flexible display device 1 according to the invention is necessary to reward designed to form the misalignment can be prevented whereby the semiconductor layer 40 of the semiconductor layer 40 via the alignment pattern 100 not being, it is possible to solve a pattern misalignment that is caused by deformation of the substrate when forming the semiconductor layer (40).

이와 같이, 본 발명에 따른 상기 플렉서블 표시장치(1)는 반도체물질로 형성되는 상기 정렬패턴(100)을 마련함으로써 유연성을 갖는 상기 기판(10) 상에 박막패턴을 적층할 때, 상기 기판(10)의 변형에 의한 패턴정렬공정의 안정성을 확보할 수 있게 된다. In this way, the flexible display device according to the present invention (1), the substrate (10 to stack the thin film pattern on the substrate 10 having the flexibility by providing the alignment pattern 100 formed of a semiconductor material ) variant is possible to ensure the stability of the pattern alignment process by the.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치는 반도체물질로 형성되는 정렬패턴을 마련함으로써 정렬패턴을 이용하여 기판의 형상변형 현상으로 부터 발생될 수 있는 스위칭소자의 패턴정렬 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다. As described above, in the flexible display device in accordance with the present invention can prevent the pattern misalignment of the switching device which can be generated from the shape deformation of the substrate using an alignment pattern by providing the alignment pattern is formed of a semiconductor material there is an effect.

또한 본 발명에 따른 플렉서블 표시장치의 제조방법은 반도체물질로 형성되는 상기 정렬패턴을 마련함으로써 유연성을 갖는 기판 상에 박막패턴을 적층할 때, 기판의 변형에 의한 패턴정렬공정의 안정성을 확보할 수 있는 효과가 있다. In addition, the manufacturing method of a flexible display according to the present invention can ensure the stability of the pattern alignment process due to the substrate deformation, when laminating a thin film pattern on a substrate having flexibility by providing the alignment pattern formed of a semiconductor material that there is an effect.

상기에서는 본 발명의 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Wherein the can has been described with reference to an embodiment of the present invention, various changes and modifications to the invention without departing from the spirit and scope of the invention defined in the claims of the skilled in the art is to in the art that will be appreciated.

Claims (6)

  1. 유연성을 갖는 기판; A substrate having flexibility;
    상기 기판 상에 형성된 게이트전극; A gate electrode formed on the substrate;
    상기 게이트전극의 동일층에 형성된 정렬패턴; Alignment pattern formed in the same layer of the gate electrode;
    상기 게이트전극과 상기 정렬패턴을 덮으며, 상기 기판 전면에 형성된 게이트절연막; It covers the said gate electrode and said alignment pattern, a gate insulating film formed on the front substrate;
    상기 게이트절연막 상에 형성된 반도체층; A semiconductor layer formed on the gate insulating film;
    상기 반도체층 상에 소정간격 이격되어 형성된 소스 및 드레인전극을 포함하고, And including a source and a drain electrode formed with a predetermined distance apart on the semiconductor layer,
    상기 정렬패턴은 상기 반도체층과 동일물질로 형성되며, 상기 정렬패턴의 위치는 상기 정렬패턴 형성시 팽창된 상태의 기판을 기준으로 정해진 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치. The alignment pattern is formed in the semiconductor layer with the same material, the position of the alignment pattern is a flexible display device, characterized in that fixed, based on the substrate of the expanded state when forming the alignment pattern.
  2. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 정렬패턴은 상기 기판의 가장자리 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치. The alignment pattern is a flexible display device, characterized in that formed in the edge region of the substrate.
  3. 제 2항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 정렬패턴은 다수개로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치. The alignment pattern is a flexible display device, characterized in that formed multiple pieces.
  4. 유연한 기판 상에 제1반도체물질을 증착하는 단계-상기 제1반도체물질에 의해 상기 기판이 벤딩됨-; Depositing a first semiconductor material on a flexible substrate, the first being the substrate is bent by the first semiconductor material;
    상기 제1반도체물질을 패터닝하여 정렬패턴을 형성하는 단계-상기 정렬패턴에 의해 상기 기판은 원상복귀됨-; Wherein the step of forming the first alignment pattern by patterning the semiconductor material by the alignment search pattern returns the substrate is a circle;
    상기 기판 상에 정렬패턴과 동일층에 게이트전극을 형성하는 단계; Forming a gate electrode on the alignment pattern and the same layer on the substrate;
    상기 게이트전극 상에 게이트절연막과 제2반도체물질을 순차적으로 형성하는 단계-상기 제2반도체물질로 상기 기판이 벤딩됨-; Forming a gate insulating film and the second semiconductor material on the gate electrode in sequence-the first being the substrate is bent by the second semiconductor material;
    상기 정렬패턴을 기준으로 상기 제2반도체물질을 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계-상기 반도체층에 의해 상기 기판이 원상복귀됨-; The step of patterning the second semiconductor material on the basis of the alignment pattern formed in the semiconductor layer being the substrate is returned to the original state by the semiconductor layer;
    상기 반도체층을 포함하는 상기 기판 상에 소스/드레인전극을 형성하는 단계를 포함하고, Comprising the semiconductor layer and forming a source / drain electrode on the substrate;
    상기 제1, 2반도체물질은 동일한 물질인 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치 제조방법. The first and second semiconductor material is a flexible method for manufacturing a display device, characterized in that the same material.
  5. 제 4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 제1, 2반도체물질에 의해 상기 기판은 동일한 가변폭으로 팽창(벤딩)된 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치 제조방법. The first and second substrate by a semiconductor material is a flexible display device, characterized in that the expansion (bending) in the same proportional method.
  6. 제 4항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    상기 정렬패턴과 상기 반도체층에 의해 상기 기판은 동일한 가변폭으로 원상복귀되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 표시장치 제조방법. The alignment pattern and the substrate by the semiconductor layer is a flexible display device characterized in that the circle returns to the same proportional method.
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