KR101353538B1 - Method of manufacturing transparent thin film transistor - Google Patents

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Abstract

본 발명은 투명 산화물 반도체로 이루어지는 액티브층과 소오스 및 드레인 전극 사이의 콘택 특성을 개선함과 동시에 제조 비용을 절감할 수 있는 투명 TFT의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 투명 TFT의 제조 방법은, 기판 위에 게이트 전극과 게이트 절연막을 순차적으로 형성하고, 게이트 절연막 상에 투명 산화물 반도체층을 형성하고, 투명 산화물 반도체층을 패터닝하여 액티브층을 형성하고, 게이트 절연막 상에 액티브층과 콘택하는 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계들을 포함한다. 그리고, 액티브층을 형성하는 단계와 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 사이에, 소오스 및 드레인 전극과 콘택하는 부분의 액티브층 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더욱 포함한다.The present invention provides a method for manufacturing a transparent TFT that can reduce the manufacturing cost while improving contact characteristics between an active layer made of a transparent oxide semiconductor and a source and drain electrode. In the method for manufacturing a transparent TFT according to the present invention, a gate electrode and a gate insulating film are sequentially formed on a substrate, a transparent oxide semiconductor layer is formed on the gate insulating film, a transparent oxide semiconductor layer is patterned to form an active layer, and a gate Forming a source and a drain electrode in contact with the active layer on the insulating film. And plasma forming the active layer surface of the portion in contact with the source and drain electrodes between forming the active layer and forming the source and drain electrodes.

투명박막트랜지스터, 투명산화물반도체, 콘택, 액티브층, 플라즈마처리 Transparent Thin Film Transistor, Transparent Oxide Semiconductor, Contact, Active Layer, Plasma Treatment

Description

투명 박막 트랜지스터의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT THIN FILM TRANSISTOR}Method of manufacturing a transparent thin film transistor {METHOD OF MANUFACTURING TRANSPARENT THIN FILM TRANSISTOR}

도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 실시예에 따른 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법을 설명하기 위한 순차적 공정 단면도들이다.1A through 1F are sequential process cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a transparent thin film transistor according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 투명 박막 트랜지스터를 구비한 표시 장치의 일 예를 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating an example of a display device including a transparent thin film transistor manufactured by a manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 발명은 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액티브층으로 투명 산화물 반도체를 사용하는 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a thin film transistor, and more particularly, to a method for manufacturing a transparent thin film transistor using a transparent oxide semiconductor as an active layer.

유기 발광 표시 장치 및 액정 표시 장치 등의 매트릭스형 표시 장치는 매트릭스 형태로 배열된 화소와 각 화소에 구동 전압을 인가하는 스위칭 소자를 구비하여 스위칭 소자의 온/오프를 통해 화소를 독립적으로 제어한다. 이러한 스위칭 소자로서 낮은 턴온 전압과 높은 트랜스 컨덕턴스 특성을 가지는 박막 트랜지스터(thin film transistor; TFT)가 널리 사용되고 있으며, 박막 트랜지스터의 액티브층으로 비정질 실리콘이 적용되고 있다.A matrix type display device such as an organic light emitting display device and a liquid crystal display device includes a pixel arranged in a matrix form and a switching element applying a driving voltage to each pixel to independently control the pixel through on / off of the switching element. As such a switching element, a thin film transistor (TFT) having a low turn-on voltage and a high transconductance property is widely used, and amorphous silicon is applied as an active layer of the thin film transistor.

그런데, 비정질 실리콘은 광의 조사에 의해 도전성을 나타내어 광전류를 유발하므로 별도의 채널 차광층이 요구되기 때문에 제조 비용이 높고 개구율을 높이는데 한계가 있다. 또한, 온도에 민감한 플라스틱 기판 등에 적용하기가 어려워 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 액정 표시 장치 등의 스위칭 소자로 사용하는데에는 한계가 있다. However, since amorphous silicon exhibits conductivity by causing light to generate a photocurrent, a separate channel light shielding layer is required, and thus, manufacturing cost is high and there is a limit in increasing the aperture ratio. In addition, since it is difficult to apply to a plastic substrate sensitive to temperature, there is a limit to using it as a switching element such as a flexible organic light emitting display device and a liquid crystal display device.

이에 대하여 TFT의 액티브층으로 비정질 실리콘과 같이 우수한 전기적 특성을 가지면서 개구율 확보가 유리하고 플라스틱 기판에서의 적용이 용이한 투명 산화물 반도체를 사용하는 투명 TFT가 제시되었다. 이때, 투명 산화물 반도체 물질로 아연산화물(ZnO), 인듐아연산화물(InZnO), 아연주석산화물(ZnSnO) 등이 적용될 수 있으며, 통상의 비정질 실리콘 TFT에서와 마찬가지로 액티브층과 소오스 및 드레인 전극 사이의 콘택이 중요한 요소로 작용한다. On the other hand, a transparent TFT using a transparent oxide semiconductor having an excellent electrical property such as amorphous silicon and advantageously securing an aperture ratio and being easily applied to a plastic substrate has been proposed as an active layer of the TFT. In this case, zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (InZnO), zinc tin oxide (ZnSnO), or the like may be applied as the transparent oxide semiconductor material, and the contact between the active layer and the source and drain electrodes is similar to that of a typical amorphous silicon TFT. This is an important factor.

따라서, 투명 TFT에서도 통상의 TFT와 마찬가지로 액티브층과 소오스 및 드레인 전극 사이에 N+ 도핑층과 같은 오믹층을 도입하는 것이 제시되었으나, 이 경우 도핑 마스크의 추가로 인해 제조 비용이 높아지게 된다. Therefore, the introduction of an ohmic layer, such as an N + doping layer, between the active layer and the source and drain electrodes is proposed in the transparent TFT like the conventional TFT, but in this case, the manufacturing cost is increased due to the addition of the doping mask.

본 발명은 투명 산화물 반도체로 이루어지는 액티브층과 소오스 및 드레인 전극 사이의 콘택 특성을 개선함과 동시에 제조 비용을 절감할 수 있는 투명 TFT의 제조 방법을 제공하는데그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a transparent TFT that can reduce manufacturing costs while improving contact characteristics between an active layer made of a transparent oxide semiconductor and a source and drain electrode.

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 투명 TFT의 제조 방법은, 기판 위에 게이트 전극과 게이트 절연막을 순차적으로 형성하고, 게이트 절연막 상에 투명 산화물 반도체층을 형성하고, 투명 산화물 반도체층을 패터닝하여 액티브층을 형성하고, 게이트 절연막 상에 액티브층과 콘택하는 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계들을 포함한다. 그리고, 액티브층을 형성하는 단계와 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계 사이에, 소오스 및 드레인 전극과 콘택하는 부분의 액티브층 표면을 플라즈마 처리하는 단계를 더욱 포함한다.In order to achieve the above object, in the method of manufacturing a transparent TFT according to an embodiment of the present invention, a gate electrode and a gate insulating film are sequentially formed on a substrate, a transparent oxide semiconductor layer is formed on the gate insulating film, and a transparent oxide semiconductor layer Patterning the active layer to form an active layer, and forming source and drain electrodes contacting the active layer on the gate insulating layer. And plasma forming the active layer surface of the portion in contact with the source and drain electrodes between forming the active layer and forming the source and drain electrodes.

여기서, 플라즈마 처리는 산소와 수소의 혼합 가스를 이용하여 수행할 수 있다.Here, the plasma treatment may be performed using a mixed gas of oxygen and hydrogen.

또한, 투명 산화물 반도체층이 아연산화물(ZnO), 인듐아연산화물(InZnO) 및 아연주석산화물(ZnSnO) 중 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다.In addition, the transparent oxide semiconductor layer may be made of any one material selected from zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (InZnO), and zinc tin oxide (ZnSnO).

상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 위에 게이트 전극과 게이트 절연막을 순차적으로 형성하고, 게이트 절연막 상에 투명 산화물 반도체층을 형성하고, 투명 산화물 반도체층 상에 게이트 전극에 대응하는 부분에서 다른 부분보다 두꺼운 두께를 가지는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하고, 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 투명 산화물 반도체층을 식각하여 액티브층을 형성함과 동시에 포토레지스트 패턴의 다른 부분을 제거하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성하고, 제2 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 액티브층의 표면을 플라즈마 처리하고, 제2 포토레지스트 패턴을 제거하고, 게이트 절연막 상에 플라즈마 처리된 액티브층의 표면과 콘택하는 소오스 및 드레 인 전극을 형성하는 단계들을 포함한다.In order to achieve the above object, in the method of manufacturing a transparent thin film transistor according to an embodiment of the present invention, a gate electrode and a gate insulating film are sequentially formed on a substrate, a transparent oxide semiconductor layer is formed on the gate insulating film, and a transparent oxide semiconductor At the portion corresponding to the gate electrode, a first photoresist pattern having a thickness greater than that of the other portions is formed on the layer, and the transparent oxide semiconductor layer is etched using the first photoresist pattern as a mask to form an active layer and at the same time Another portion of the resist pattern is removed to form a second photoresist pattern, plasma treatment of the surface of the active layer exposed by the second photoresist pattern, removal of the second photoresist pattern, and plasma treatment on the gate insulating film. Source and drain electrodes in contact with the surface of the active layer Includes the steps.

여기서, 플라즈마 처리는 산소와 수소의 혼합 가스를 이용하여 수행할 수 있다.Here, the plasma treatment may be performed using a mixed gas of oxygen and hydrogen.

또한, 투명 산화물 반도체층이 아연산화물(ZnO), 인듐아연산화물(InZnO) 및 아연주석산화물(ZnSnO) 중 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어질 수 있다.In addition, the transparent oxide semiconductor layer may be made of any one material selected from zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (InZnO), and zinc tin oxide (ZnSnO).

또한, 제1 포토레지스트 패턴은 하프톤 마스크를 이용한 노광 공정에 의해 형성할 수 있다.In addition, the first photoresist pattern may be formed by an exposure process using a halftone mask.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 1a 내지 도 1f를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 투명 TFT의 제조 방법을 설명한다.A method of manufacturing a transparent TFT according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A to 1F.

도 1a를 참조하면, 기판(100) 상에 게이트 전극 물질을 증착하고 패터닝하여게이트 전극(110)을 형성한다. 기판(100)은 유리나 플라스틱과 같은 절연 재질 또는 스테인레스 스틸(stainless steel; SUS)과 같은 금속 재질로 이루어질 수 있고, 기판(100)이 스테인레스 스틸로 이루어지는 경우 기판(100) 위에 절연막이 더 형성될 수 있다. 게이트 전극(110)은 금속 재질, 일례로 탄탈륨(Ta), 알루미늄(Al) 또는 크롬(Cr)으로 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 1A, a gate electrode material is deposited and patterned on a substrate 100 to form a gate electrode 110. The substrate 100 may be made of an insulating material such as glass or plastic or a metal material such as stainless steel (SUS). When the substrate 100 is made of stainless steel, an insulating film may be further formed on the substrate 100. have. The gate electrode 110 may be made of a metal material, for example, tantalum (Ta), aluminum (Al), or chromium (Cr).

그 다음, 게이트 전극(110)을 덮도록 기판(100)의 전면 상에 게이트 절연막(120)을 형성하고, 그 위로 투명 산화물 반도체층(130)을 형성한다. 게이트 절 연막(120)은 실리콘 질화물(SiO2)과 실리콘 질화물(SiN)의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 투명 산화물 반도체층(130)은 아연산화물(ZnO), 인듐아연산화물(InZnO) 또는 아연주석산화물(ZnSnO)로 이루어질 수 있다.Next, a gate insulating film 120 is formed on the entire surface of the substrate 100 to cover the gate electrode 110, and a transparent oxide semiconductor layer 130 is formed thereon. The gate insulation layer 120 may have a stacked structure of silicon nitride (SiO 2 ) and silicon nitride (SiN). The transparent oxide semiconductor layer 130 may be made of zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (InZnO), or zinc tin oxide (ZnSnO).

도 1b를 참조하면, 투명 산화물 반도체층(130) 상에 포토레지스트막(140)을 도포하고, 하프톤 마스크(half tone mask; 300)를 이용한 노광 공정에 의해 포토레지스트막(140)을 노광한다. 도 1b에서와 같이, 하프톤 마스크(300)는 투명 기판(310) 위에 차광층(321)과 반차광층(322, 323)이 배치되는 구조로 이루어질 수 있다. 이때, 차광층(321)은 게이트 전극(110)에 대응하여 배치되고, 반차광층(322, 323)은 이후 형성되는 액티브층(131, 도 1d 참조)과 소오스 및 드레인 전극(151, 152, 도 1f 참조) 사이의 콘택 부분에 대응하여 배치된다.Referring to FIG. 1B, the photoresist film 140 is coated on the transparent oxide semiconductor layer 130, and the photoresist film 140 is exposed by an exposure process using a half tone mask 300. . As illustrated in FIG. 1B, the halftone mask 300 may have a structure in which light blocking layers 321 and semi-light blocking layers 322 and 323 are disposed on the transparent substrate 310. In this case, the light blocking layer 321 is disposed in correspondence with the gate electrode 110, and the semi-shielding layers 322 and 323 are formed after the active layer 131 (see FIG. 1D) and the source and drain electrodes 151, 152 and FIG. 1f).

도 1c를 참조하면, 노광된 포토레지스트막(140)을 현상하여 게이트 전극(110)에 대응하는 부분에서 다른 부분보다 두꺼운 두께를 가지는 제1 포토레지스트 패턴(141)을 형성한다. Referring to FIG. 1C, the exposed photoresist layer 140 is developed to form a first photoresist pattern 141 having a thickness greater than that of other portions in the portion corresponding to the gate electrode 110.

도 1d를 참조하면, 제1 포토레지스트 패턴(141)을 마스크로하여 투명 산화물 반도체층(130)을 식각하여 액티브층(131)을 형성한다. 이때, 제1 포토레지스트 패턴(141)의 다른 부분도 동시에 제거되어 게이트 전극(110)에 대응하는 부분에만 제1 포토레지스트 패턴(142)이 형성된다. Referring to FIG. 1D, the transparent oxide semiconductor layer 130 is etched using the first photoresist pattern 141 as a mask to form the active layer 131. At this time, other portions of the first photoresist pattern 141 are also removed at the same time, so that the first photoresist pattern 142 is formed only at the portion corresponding to the gate electrode 110.

도 1e를 참조하면, 수소(H2)와 산소(O2)의 혼합 가스를 이용하여 포토레지스트 패턴(142)에 의해 노출된 액티브층(131)의 표면(132, 133)을 플라즈마 처리한 다. 그러면, 노출된 액티브층(131)의 표면(132, 133)이 매끄러워지고 댕글링 본드(dangling bond)도 포획되는 등 표면 특성이 개선된다. Referring to FIG. 1E, the surfaces 132 and 133 of the active layer 131 exposed by the photoresist pattern 142 are plasma-treated using a mixed gas of hydrogen (H 2 ) and oxygen (O 2 ). . As a result, the surface characteristics of the exposed active layer 131 are smoothed, and dangling bonds are also trapped.

도 1f를 참조하면, 공지된 방법에 의해 제2 포토레지스트 패턴(142, 도 1e 참조)을 제거한다. 그 다음, 기판(100)의 전면 위에 소오스 및 드레인 전극 물질을 증착하고 패터닝하여, 액티브층(131)의 표면(132, 133)과 콘택하는 소오스 및 드레인 전극(151, 152)를 형성하여 투명 TFT를 완성한다. 이때, 플라즈마 처리에 의해 개선된 액티브층(131)의 표면 특성에 의해 액티브층(131)과 소오스 및 드레인 전극(151, 152)의 콘택 특성이 개선됨을 예상할 수 있다.Referring to FIG. 1F, the second photoresist pattern 142 (see FIG. 1E) is removed by a known method. Then, the source and drain electrode materials are deposited and patterned on the entire surface of the substrate 100 to form source and drain electrodes 151 and 152 in contact with the surfaces 132 and 133 of the active layer 131 to form a transparent TFT. To complete. In this case, it is expected that the contact characteristics of the active layer 131 and the source and drain electrodes 151 and 152 may be improved by the surface characteristics of the active layer 131 improved by the plasma treatment.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 의한 투명 TFT의 제조 방법은 플라즈마 처리를 도입하여 액티브층(131)의 표면 특성을 개선함으로서 액티브층(131)과 소오스 및 드레인 전극(151, 152) 사이의 우수한 콘택 특성을 확보할 수 있다.As described above, the method of manufacturing the transparent TFT according to the present embodiment improves the surface characteristics of the active layer 131 by introducing plasma treatment, thereby improving the quality between the active layer 131 and the source and drain electrodes 151 and 152. Contact characteristics can be secured.

또한, N+ 도핑층과 같은 별도의 오믹층을 도입할 필요가 없을 뿐만 아니라 플라즈마 처리를 별도의 마스크 공정 없이 액티브층 형성 시 사용된 포토레지스트 패턴을 이용하여 수행하므로 제조 비용을 절감할 수 있다.In addition, there is no need to introduce a separate ohmic layer, such as an N + doping layer, and plasma manufacturing may be performed using a photoresist pattern used in forming an active layer without a separate mask process, thereby reducing manufacturing costs.

다음으로, 도 2를 참조하여 상술한 제조 방법에 의해 제조된 투명 TFT를 구비한 표시 장치를 설명한다. 본 실시예에서는 표시 장치의 일례로 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명하며, 도 2에서 도 1f에서와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 부여하고 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Next, with reference to FIG. 2, the display apparatus provided with the transparent TFT manufactured by the manufacturing method mentioned above is demonstrated. In the present exemplary embodiment, the organic light emitting diode display is described as an example of the display device. In FIG. 2, the same components as in FIG. 1F are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

도 2를 참조하면, 스위칭 소자로서 도 1의 투명 TFT(T1)가 형성되고, 투명 TFT(T1) 위로 절연층(160)을 사이에 두고 투명 TFT(T1)의 일부와 전기적으로 연결되는 유기 발광 다이오드(L1)가 발광 소자로 형성되어 화소를 구성한다.Referring to FIG. 2, as a switching element, the transparent TFT T1 of FIG. 1 is formed, and the organic light emitting diode is electrically connected to a part of the transparent TFT T1 with an insulating layer 160 interposed therebetween. The diode L1 is formed of a light emitting element to constitute a pixel.

유기 발광 다이오드(L1)는 제1 화소 전극(210), 유기 발광층(230) 및 제2 화소 전극(240)이 순차적으로 적층된 구조로 이루어지고, 절연층(160)에 구비된 비아홀(161)을 통하여 투명 TFT(T1)의 드레인 전극(152)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 화소 전극(210)은 화소 정의막(220)에 의해 인접 화소의 제1 화소 전극(미도시)과 전기적으로 분리되며 화소 정의막(220)에 구비된 개구부(221)를 통하여 유기 발광층(230)과 접촉한다. 또한, 제1 화소 전극(210)은 정공을 주입하는 기능을 수행하고 제2 화소 전극(240)은 전자를 주입하는 기능을 수행할 수도 있고, 반대로 제1 화소 전극(210)이 전자를 주입하는 기능을 수행하고 제2 화소 전극(240)이 정공을 주입하는 기능을 수행할 수도 있다.The organic light emitting diode L1 has a structure in which the first pixel electrode 210, the organic emission layer 230, and the second pixel electrode 240 are sequentially stacked, and the via hole 161 provided in the insulating layer 160. It may be electrically connected to the drain electrode 152 of the transparent TFT (T1) through. The first pixel electrode 210 is electrically separated from the first pixel electrode (not shown) of the adjacent pixel by the pixel defining layer 220 and is formed through the opening 221 provided in the pixel defining layer 220. 230). In addition, the first pixel electrode 210 may inject holes and the second pixel electrode 240 may inject electrons. On the contrary, the first pixel electrode 210 injects electrons. A function may be performed and the second pixel electrode 240 may perform a function of injecting holes.

일례로, 제1 화소 전극(210)은 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide)로 이루어지는 제1 투명 전극으로 이루어질 수도 있고, 유기 발광 다이오드(L1)의 발광 방향에 따라 제1 투명 전극 위에 도전성 반사막과 제2 투명 전극을 더 포함할 수 있다. 이때, 반사막은 유기 발광층(230)에서 발생되는 빛을 반사하여 발광 효율을 높이면서 전기 전도도(electrical conductivity)를 개선하는 기능을 수행하며, 일례로 알루미늄(Al), 알루미늄-합금(Al-alloy), 은(Ag), 은-합금(Ag-alloy), 금(Au) 또는 금-합금(Au-alloy)으로 이루어질 수 있다. 제2 투명 전극은 반사막의 산화를 억제하면서 유기 발광층(230)과 반사막 사이의 일함수 관계를 개선하는 기능을 수행하며 제1 투명 전극과 마찬가지로 ITO 또는 IZO로 이루 어질 수 있다.For example, the first pixel electrode 210 may be formed of a first transparent electrode made of indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), or the first transparent electrode according to the emission direction of the organic light emitting diode L1. A conductive reflective film and a second transparent electrode may be further included thereon. In this case, the reflective film reflects the light generated from the organic light emitting layer 230 and improves the electrical conductivity while improving the luminous efficiency. For example, aluminum (Al), aluminum-alloy (Al-alloy) , Silver (Ag), silver-alloy (Ag-alloy), gold (Au) or gold-alloy (Au-alloy). The second transparent electrode functions to improve the work function relationship between the organic light emitting layer 230 and the reflective film while suppressing oxidation of the reflective film, and may be made of ITO or IZO like the first transparent electrode.

유기 발광층(230)은 실제 발광이 이루어지는 발광층(EML)과 발광층의 상하부에 위치하여 정공이나 전자 등의 캐리어를 발광층까지 효율적으로 전달시켜 주기 위한 유기층을 더 포함할 수 있다. 일례로, 유기층은 발광층과 제1 화소 전극(210) 사이에 형성되는 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)과, 발광층과 제2 화소 전극(240) 사이에 형성되는 전자 수송층(ETL)과 전자 주입층(EIL) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.The organic emission layer 230 may further include an emission layer (EML) that actually emits light and an organic layer positioned to upper and lower portions of the emission layer to efficiently transfer carriers such as holes and electrons to the emission layer. For example, the organic layer may include a hole injection layer HIL and a hole transport layer HTL formed between the emission layer and the first pixel electrode 210, and an electron transport layer ETL formed between the emission layer and the second pixel electrode 240. And an electron injection layer EIL.

제2 화소 전극(240)은 유기 발광 다이오드(L1)의 발광 방향에 따라 투명 도전막 또는 불투명 도전막으로 이루어질 수 있고, 투명 도전막은 IZO, ITO 또는 MgAg로 이루어질 수 있고 불투명 도전막은 Al으로 이루어질 수 있다. The second pixel electrode 240 may be made of a transparent conductive film or an opaque conductive film according to the light emitting direction of the organic light emitting diode L1, the transparent conductive film may be made of IZO, ITO or MgAg, and the opaque conductive film may be made of Al. have.

그리고, 도시되지는 않았지만 상기 화소는 기판(100) 위에 매트릭스 형태로 배열될 수 있고 봉지 기판에 의해 봉지되어 보호될 수 있다.Although not shown, the pixels may be arranged in a matrix form on the substrate 100 and may be encapsulated and protected by the encapsulation substrate.

이와 같이 액티브층(131)과 소오스 및 드레인 전극(151, 152) 사이의 콘택 특성이 개선된 투명 TFT(T1)를 유기 발광 표시 장치의 스위칭 소자로 적용하면 유기 발광 표시 장치의 구동 특성을 개선할 수 있어 표시 품질을 높일 수 있다.As such, when the transparent TFT T1 having improved contact characteristics between the active layer 131 and the source and drain electrodes 151 and 152 is applied as a switching element of the organic light emitting diode display, driving characteristics of the organic light emitting diode display may be improved. The display quality can be improved.

본 실시예에서는 도 1f의 투명 TFT(T1)가 유기 발광 표시 장치의 스위칭 소자로 적용되는 경우에 대해서만 설명하였지만, 액정 표시 장치 등의 다른 표시 장치의 구동 소자로도 적용될 수 있다.In the present embodiment, only the case where the transparent TFT T1 of FIG. 1F is applied as a switching element of the organic light emitting display device has been described. However, the transparent TFT T1 of FIG.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications and changes can be made within the scope of the claims and the detailed description of the invention and the accompanying drawings. Naturally, it belongs to the range of.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 투명 TFT의 제조 방법은 투명 산화물 반도체로 이루어지는 액티브층과 소오스 및 드레인 전극 사이의 콘택 특성을 개선할 수 있을 뿐만 아니라 제조 비용을 절감할 수 있다.As described above, the manufacturing method of the transparent TFT according to the present invention can not only improve the contact characteristics between the active layer made of the transparent oxide semiconductor and the source and drain electrodes, but also reduce the manufacturing cost.

또한, 유기 발광 표시 장치 등의 표시 장치에 상술한 투명 TFT를 스위칭 소자로 적용하여 표시 품질을 개선할 수 있다.In addition, the display quality can be improved by applying the above-described transparent TFT as a switching element to a display device such as an organic light emitting display device.

Claims (7)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 기판 위에 게이트 전극과 게이트 절연막을 순차적으로 형성하는 단계,Sequentially forming a gate electrode and a gate insulating film on the substrate, 상기 게이트 절연막 상에 투명 산화물 반도체층을 형성하는 단계,Forming a transparent oxide semiconductor layer on the gate insulating film, 상기 투명 산화물 반도체층 상에 상기 게이트 전극에 대응하는 부분에서 다른 부분보다 두꺼운 두께를 가지는 제1 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,Forming a first photoresist pattern on the transparent oxide semiconductor layer, the first photoresist pattern having a thickness greater than that of other portions in a portion corresponding to the gate electrode; 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로하여 상기 투명 산화물 반도체층을 식각하여 액티브층을 형성함과 동시에 상기 포토레지스트 패턴의 상기 다른 부분을 제거하여 제2 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,Forming a second photoresist pattern by etching the transparent oxide semiconductor layer using the first photoresist pattern as a mask to form an active layer and simultaneously removing other portions of the photoresist pattern; 상기 제2 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 상기 액티브층의 표면을 플라즈마 처리하는 단계,Plasma treating the surface of the active layer exposed by the second photoresist pattern; 상기 제2 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계, 및 Removing the second photoresist pattern, and 상기 게이트 절연막 상에 상기 플라즈마 처리된 상기 액티브층의 표면과 콘택하는 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 단계Forming a source and a drain electrode on the gate insulating layer and in contact with the surface of the plasma-treated active layer 를 포함하는 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법.Method of manufacturing a transparent thin film transistor comprising a. 제4 항에 있어서, 5. The method of claim 4, 상기 플라즈마 처리는 산소와 수소의 혼합 가스를 이용하여 수행하는 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법.The plasma treatment is performed using a mixed gas of oxygen and hydrogen. 제4 항에 있어서, 5. The method of claim 4, 상기 투명 산화물 반도체층이 아연산화물(ZnO), 인듐아연산화물(InZnO) 및 아연주석산화물(ZnSnO) 중 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법.The transparent oxide semiconductor layer is a method for manufacturing a transparent thin film transistor comprising any one material selected from zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (InZnO) and zinc tin oxide (ZnSnO). 제4 항에 있어서, 5. The method of claim 4, 상기 제1 포토레지스트 패턴은 하프톤 마스크를 이용한 노광 공정에 의해 형성하는 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법.The first photoresist pattern is formed by an exposure process using a halftone mask.
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