KR101330751B1 - Two-stage operational amplifier with class AB output stage - Google Patents
Two-stage operational amplifier with class AB output stage Download PDFInfo
- Publication number
- KR101330751B1 KR101330751B1 KR1020070082244A KR20070082244A KR101330751B1 KR 101330751 B1 KR101330751 B1 KR 101330751B1 KR 1020070082244 A KR1020070082244 A KR 1020070082244A KR 20070082244 A KR20070082244 A KR 20070082244A KR 101330751 B1 KR101330751 B1 KR 101330751B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- voltage
- current
- transistor
- power supply
- branch
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/45—Differential amplifiers
- H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
- H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
- H03F3/45183—Long tailed pairs
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0261—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the polarisation voltage or current, e.g. gliding Class A
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
- H03F3/3001—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
- H03F3/3022—CMOS common source output SEPP amplifiers
- H03F3/3023—CMOS common source output SEPP amplifiers with asymmetrical driving of the end stage
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
- H03F2203/45311—Indexing scheme relating to differential amplifiers the common gate stage of a cascode dif amp being implemented by multiple transistors
Abstract
연산 증폭기가 개시된다. 상기 연산 증폭기는 액티브 로드를 포함하는 차동 증폭기와, 제1브랜치와 제2브랜치를 포함하는 전류 미러와, 제1전원과 출력 노드 사이에 접속되고 상기 차동 증폭기의 제1출력 단자의 전압에 응답하여 스위치되는 제1스위치와, 상기 차동 증폭기의 제2출력 단자의 전압에 응답하여 상기 제1브랜치를 흐르는 기준 전류의 양을 조절하기 위한 제1바이어스 회로와, 상기 제1출력 단자의 전압에 응답하여 미러 전류가 흐르는 상기 제2브랜치의 전압을 제어하기 위한 제2바이어스 회로와, 상기 출력 노드와 제2전원 사이에 접속되고 상기 제2브랜치의 상기 전압에 응답하여 스위치되는 제2스위치와, 상기 출력 노드와 상기 제1출력 단자 사이에 접속된 커패시터를 포함한다.An operational amplifier is disclosed. The operational amplifier comprises a differential amplifier comprising an active load, a current mirror comprising a first branch and a second branch, a first power supply and an output node and in response to a voltage at a first output terminal of the differential amplifier. A first bias circuit for adjusting an amount of a reference current flowing through the first branch in response to a first switch to be switched, a voltage at a second output terminal of the differential amplifier, and a voltage in response to a voltage of the first output terminal A second bias circuit for controlling a voltage of the second branch through which mirror current flows, a second switch connected between the output node and a second power supply and switched in response to the voltage of the second branch, and the output And a capacitor connected between the node and the first output terminal.
연산 증폭기, 레일-투-레일 증폭기, 투- 스테이지 증폭기 Operational Amplifiers, Rail-to-Rail Amplifiers, Two-Stage Amplifiers
Description
본 발명은 연산 증폭기에 관한 것으로, 특히 클래스 AB 출력 스테이지를 갖는 투-스테이지 연산 증폭기에 관한 것이다.The present invention relates to operational amplifiers, and more particularly to two-stage operational amplifiers having a class AB output stage.
일반적인 전자 장치들, 예컨대 LCD 패널(Liquid Crystal Display panel)을 구동하기 위한 소스 드라이버의 출력 버퍼에 접지 전압에서부터 전원 전압까지 풀 스윙(full swing)하는 출력 전압을 얻기 위하여 레일-투-레일(rail-to-rail) 연산 증폭기가 주로 이용된다.Rail-to-rail to obtain a full swing output voltage from the ground voltage to the supply voltage in the output buffer of a source driver for driving a typical electronic device, such as a liquid crystal display panel. to-rail op amps are commonly used.
그러나, 레일-투-레일 연산 증폭기의 레이아웃(layout) 면적은 상당히 크므로, 다수의 레일-투-레일 연산 증폭기들을 포함하는 소스 드라이버의 출력 버퍼의 크기도 커진다. 따라서, 소스 드라이버의 크기를 줄이는 경향하에서, 소스 드라이버의 출력 버퍼에 사용되는 연산 증폭기의 크기를 줄일 필요가 있다.However, since the layout area of the rail-to-rail operational amplifier is quite large, the size of the output buffer of the source driver including a plurality of rail-to-rail operational amplifiers is also large. Therefore, under the tendency to reduce the size of the source driver, it is necessary to reduce the size of the operational amplifier used for the output buffer of the source driver.
소스 드라이버의 출력 버퍼에 투-스테이지 연산 증폭기가 사용되고 있으나, 상기 투-스테이지 연산 증폭기의 폴링 특성이 나쁘므로, 소스 드라이버로부터 출력되는 신호들 사이에서 편차들이 발생한다. 따라서, 상기 편차들 때문에 영상을 디 스플레이하기 위한 LCD 패널에서 세로줄 무늬 또는 물결 무늬가 발생할 수 있다.Although a two-stage operational amplifier is used for the output buffer of the source driver, since the polling characteristic of the two-stage operational amplifier is bad, deviations occur between signals output from the source driver. Therefore, vertical stripes or waves may occur in the LCD panel for displaying an image due to the deviations.
또한, 소스 드라이버의 출력 버퍼에 레일-투-레일 연산 증폭기 대신에 투-스테이지 연산 증폭기를 사용할 경우, 상기 출력 버퍼의 출력 전압의 폴링 특성 (falling characteristic) 또는 라이징(rising) 특성은 나빠질 수 있다.In addition, when using a two-stage operational amplifier instead of a rail-to-rail operational amplifier as an output buffer of the source driver, a falling characteristic or a rising characteristic of the output voltage of the output buffer may be deteriorated.
레일-투-레일 연산 증폭기의 출력 스테이지는 클래스 AB로 동작하므로, 상기 레일-투-레일 연산 증폭기는 상기 레일-투-레일 연산 증폭기의 출력 로드(load)를 클래스 AB(또는 푸쉬-풀(push-pull))로 동작시킬 수 있다. 그러나, 투-스테이지 연산 증폭기의 출력 스테이지의 한쪽(예컨대 PMOSFET으로 구현된 풀-업 회로)은 공통 소스 증폭기로서 동작하고 다른 한쪽(예컨대 NMOSFET으로 구현된 풀-다운 회로)은 전류 원으로서 동작하기 때문에, 상기 투-스테이지 연산 증폭기는 상기 투-스테이지 연산 증폭기의 출력 로드를 클래스 AB(또는, 푸쉬-풀)로 동작시키기 어렵다. 따라서, 적은 레이아웃 면적을 갖고, 폴링 특성 또는 라이징 특성을 개선할 수 있는 연산 증폭기가 요구된다.Since the output stage of a rail-to-rail operational amplifier operates in class AB, the rail-to-rail operational amplifier applies the output load of the rail-to-rail operational amplifier to class AB (or push-push). -pull)). However, since one side of the output stage of a two-stage operational amplifier (e.g., a pull-up circuit implemented with a PMOSFET) operates as a common source amplifier and the other side (e.g., a pull-down circuit implemented with an NMOSFET) operates as a current source. The two-stage operational amplifier is difficult to operate the output load of the two-stage operational amplifier in class AB (or push-pull). Therefore, there is a need for an operational amplifier having a small layout area and capable of improving polling or rising characteristics.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 적은 레이아웃 면적을 갖으면서 폴링 특성 또는 라이징 특성을 개선하고, 투-스테이지 연산 증폭기이면서도 레일-투-레일 증폭기처럼 동작할 수 있는 연산 증폭기를 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem to be achieved by the present invention is to provide an operational amplifier which has a small layout area and improves polling or rising characteristics, and which can operate as a rail-to-rail amplifier while being a two-stage operational amplifier.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 연산 증폭기는 액티브 로드를 포함하는 차동 증폭기, 제1브랜치와 제2브랜치를 포함하는 전류 미러, 제1전원과 출력 노드 사이에 접속되고 상기 차동 증폭기의 제1출력 단자의 전압에 응답하여 스위치되는 제1스위치, 상기 차동 증폭기의 제2출력 단자의 전압에 응답하여 상기 제1브랜치를 흐르는 기준 전류의 양을 조절하기 위한 제1바이어스 회로, 상기 제1출력 단자의 전압에 응답하여 미러 전류가 흐르는 상기 제2브랜치의 전압을 제어하기 위한 제2바이어스 회로, 상기 출력 노드와 제2전원 사이에 접속되고 상기 제2브랜치의 상기 전압에 응답하여 스위치되는 제2스위치, 및 상기 출력 노드와 상기 제1출력 단자 사이에 접속된 커패시터를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, an operational amplifier includes a differential amplifier including an active load, a current mirror including a first branch and a second branch, a first power supply and an output node, and connected to a first output terminal of the differential amplifier. A first switch switched in response to a voltage, a first bias circuit for adjusting an amount of a reference current flowing through the first branch in response to a voltage of a second output terminal of the differential amplifier, and a voltage of the first output terminal A second bias circuit for controlling a voltage of the second branch in response to a mirror current, a second switch connected between the output node and a second power supply and switched in response to the voltage of the second branch; A capacitor connected between an output node and the first output terminal.
상기 전류 미러는 NMOSFET 전류 미러이고, 상기 제1전원의 전압은 상기 제2전원의 전압보다 높고, 상기 제1스위치는 PMOSFET이고, 상기 제2스위치는 NMOSFET이다.The current mirror is an NMOSFET current mirror, the voltage of the first power supply is higher than the voltage of the second power supply, the first switch is a PMOSFET, and the second switch is an NMOSFET.
또한, 상기 전류 미러는 PMOSFET 전류 미러이고, 상기 제1전원의 전압은 상기 제2전원의 전압보다 낮고, 상기 제1스위치는 NMOSFET이고, 상기 제2스위치는 PMOSFET이다. 연산 증폭기는 투- 스테이지 연산 증폭기이다.The current mirror is a PMOSFET current mirror, the voltage of the first power supply is lower than the voltage of the second power supply, the first switch is an NMOSFET, and the second switch is a PMOSFET. The operational amplifier is a two-stage operational amplifier.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 연산 증폭기는 제1전원과 제1제어 노드 사이에 접속되고 기준 전류 브랜치와 미러 전류 브랜치를 포함하는 제1전류 미러, 제2전원과 제2제어 노드 사이에 접속된 제2전류 미러, 상기 제1전원과 출력 노드 사이에 접속되고 상기 제1제어 노드의 전압에 응답하여 온/오프되는 제1트랜지스터, 상기 출력 노드와 상기 제2전원 사이에 접속되고 상기 제2제어 노드의 전압에 응답하여 온/오프되는 제2트랜지스터, 전류 원을 통하여 상기 제2전원에 접속되고, 상기 기준 전류 브랜치에 접속된 드레인을 갖는 제3트랜지스터와 상기 미러 전류 브랜치에 접속된 드레인을 갖는 제4트랜지스터를 포함하는 트랜지스터 쌍, 상기 제1제어 노드와 제2제어 노드 사이에 접속되고 다수의 바이어스 제어 전압들에 응답하여 상기 제1트랜지스터와 상기 제2트랜지스터의 바이어스를 위한 바이어스 회로, 및 상기 제1미러 전류 브랜치와 상기 출력 노드 사이에 접속된 커패시터를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, an operational amplifier includes a first current mirror connected between a first power supply and a first control node and a first current mirror including a reference current branch and a mirror current branch, and a second current connected between a second power supply and a second control node. A second current mirror, a first transistor connected between the first power supply and the output node and on / off in response to a voltage of the first control node, connected between the output node and the second power supply and the second control node A second transistor turned on / off in response to a voltage of the third transistor; a third transistor having a drain connected to the second power supply through a current source and connected to the reference current branch; and a drain having a drain connected to the mirror current branch. A transistor pair comprising four transistors, the first transistor connected between the first control node and the second control node and responsive to a plurality of bias control voltages; It comprises a capacitor connected between a bias circuit for the bias of the second transistor, and with the first current mirror branch, the output node.
상기 제1전원의 전압은 상기 제2전원의 전압보다 높고, 상기 제1전류 미러는 PMOSFET 캐스코드 전류 미러이고, 상기 제2전류 미러는 NMOSFET 전류 미러이고, 상기 제1트랜지스터는 PMOSFET이고, 상기 제2트랜지스터, 상기 제3트랜지스터, 및 상기 제4트랜지스터는 NMOSFET이다.The voltage of the first power supply is higher than the voltage of the second power supply, the first current mirror is a PMOSFET cascode current mirror, the second current mirror is an NMOSFET current mirror, the first transistor is a PMOSFET, The second transistor, the third transistor, and the fourth transistor are NMOSFETs.
또는, 상기 제1전원의 전압은 상기 제2전원의 전압보다 낮고, 상기 제1전류 미러는 NMOSFET 캐스코드 전류 미러이고, 상기 제2전류 미러는 PMOSFET 전류 미러이고, 상기 제1트랜지스터는 NMOSFET이고, 상기 제2트랜지스터, 상기 제3트랜지스터, 및 상기 제4트랜지스터는 PMOSFET이다.Alternatively, the voltage of the first power supply is lower than the voltage of the second power supply, the first current mirror is an NMOSFET cascode current mirror, the second current mirror is a PMOSFET current mirror, and the first transistor is an NMOSFET, The second transistor, the third transistor, and the fourth transistor are PMOSFETs.
상기 연산 증폭기는 상기 출력 노드와 상기 제3트랜지스터의 게이트가 서로 접속된 단위 이득 버퍼이다. 상기 연산 증폭기는 디스플레이 구동 장치의 일부로서 구현된다.The operational amplifier is a unit gain buffer in which the output node and the gate of the third transistor are connected to each other. The operational amplifier is implemented as part of a display drive device.
본 발명의 실시 예에 따른 연산 증폭기는 출력 전압의 폴링 특성 또는 라이징 특성을 개선함과 동시에 레이아웃 면적을 감소시킬 수 있는 효과가 있다.The operational amplifier according to the embodiment of the present invention has the effect of reducing the layout area while improving the polling or rising characteristics of the output voltage.
본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 첨부도면 및 첨부 도면에 기재된 내용을 참조하여야만 한다. 이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.In order to fully understand the present invention, the operational advantages of the present invention, and the objects achieved by the practice of the present invention, reference should be made to the accompanying drawings, which illustrate preferred embodiments of the present invention. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the preferred embodiments of the present invention with reference to the accompanying drawings. Like reference symbols in the drawings denote like elements.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 소스 드라이버를 포함하는 디스플레이 장치의 블락 도이다. 도 1을 참조하면, LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel) 장치, 또는 OLED(organic light emitting diode) 장치와 같은 평판 디스플레이 장치(50)는 LCD 패널(100), 소스 드라이버(200), 및 게이트 드라이버(300)를 포함한다. LCD 패널(100)은 다수의 게이트 라인들(G1~Gm; m은 자연수), 다수의 소스 라인들(S1~Sn; n은 자연수), 및 다수의 화소들(미 도시)을 포함한다.1 is a block diagram of a display device including a source driver according to an exemplary embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a flat
데이터 라인 드라이버라고도 불리는 소스 드라이버(300)는 디지털 영상 데이터(DATA)에 응답하여 다수의 소스 라인들(S1~Sn)을 구동하고, 게이트 드라이버 (300)는 다수의 게이트 라인들(G1~Gm)을 구동한다. 상기 다수의 화소들은 소스 드라이버(200)와 게이트 드라이버(300)의 동작에 기초하여 원하는 영상을 디스플레이한다.The
도 2는 도 1에 도시된 소스 드라이버의 블락 도이다. 도 2를 참조하면, 디스플레이 구동 장치인 소스 드라이버(200)는 컨트롤러(205), 극성 제어회로(210), 래치 회로(220), 디지털-아날로그 변환기(Digital to Analog Converter, 230, 이하 "DAC"이라 함), 및 출력 버퍼(240)를 포함한다. 구현 예에 따라서 컨트롤러(205)는 소스 드라이버(200)의 내부 또는 외부에 구현될 수 있다.FIG. 2 is a block diagram of the source driver shown in FIG. 1. Referring to FIG. 2, the
컨트롤러(205)는 극성 제어신호(CSP) 및 래칭 신호(LS)를 발생한다.The controller 205 generates the polarity control signal CSP and the latching signal LS.
도 1에 도시된 LCD 패널(100)의 다수의 액정들로 일정한 전압이 계속해서 공급될 경우, 상기 다수의 액정들은 경화될 우려가 있다. 따라서, LCD 패널(100)의 다수의 액정들의 경화를 방지하기 위하여, 극성 제어회로(210)는 극성 제어신호 (CSP)에 응답하여 디지털 영상 데이터(DATA)의 극성을 제어한다. 여기서, 극성을 제어한다는 것은 일정한 주기마다 LCD 패널(100)로 공급되는 공통 전압을 기준으로 디지털 영상 데이터(DATA)의 위상을 반전시키는 것을 의미한다.When a constant voltage is continuously supplied to the plurality of liquid crystals of the
래치 회로(220)는 래칭 신호(LS)에 응답하여 극성 제어회로(210)로부터 출력된 디지털 영상 데이터(DATA)를 래치한다. DAC(230)은 래치 회로(220)로부터 출력되는 디지털 영상 데이터(DATA)를 다수의 아날로그 전압들(Vang)로 변환한다. 다수의 아날로그 전압들(Vang) 각각의 위상은 상기 공통 전압을 기준으로 일정한 주기마다 반전될 수 있다.The
본 발명의 실시 예들, 즉 도 4 내지 도 7에 도시된 연산 증폭기를 다수개 포함하는 출력 버퍼(240)는 다수의 아날로그 전압들(Vang) 각각을 증폭(또는, 버퍼링)하고, 증폭(또는 버퍼링)된 각각의 전압을 다수의 소스 라인들(S1~Sn) 중에서 대응하는 소스 라인으로 출력한다. 일반적인 소스 드라이버(200) 내의 출력 버퍼 (240)는 다수의 소스 라인들(S1~Sn) 각각으로 증폭(또는 버퍼링)된 전압을 출력하기 위하여 다수의 레일-투-레일 연산 증폭기를 포함한다.Embodiments of the present invention, that is, the
그러나, 본 발명의 실시 예에 따른 출력 버퍼(240)는, 일반적인 레일-투-레일 연산 증폭기를 이용하는 대신에, 폴링 특성을 개선하기 위하여 NMOSFET 입력 스테이지를 포함하는 투-스테이지 연산 증폭기(도 4 또는 도 6의 260)와 라이징 특성을 개선하기 위하여 PMOSFET 입력 스테이지를 포함하는 투-스테이지 연산 증폭기(도 5 또는 도 7의 270)를 포함한다.However, instead of using a typical rail-to-rail operational amplifier, the
도 3은 도 2에 도시된 출력 버퍼의 회로도이다. 도 3에서는 설명의 편의를 위하여 제1스위칭 부(250), 두 개의 투-스테이지 연산 증폭기들(260과 270), 및 제2스위칭 부(280)을 도시한다. 두 개의 투-스테이지 연산 증폭기들(260과 270) 각각은 단위 이득 버퍼로서 기능을 수행할 수 있도록, 각각의 출력 전압(OUT1과 OUT2)은 각각의 음의 입력 단자(-)로 피드백된다.FIG. 3 is a circuit diagram of the output buffer shown in FIG. 2. 3 illustrates a
다수의 입력 라인들(INL1과 INL2) 각각은 일정한 주기(예컨대, 극성 제어신호의 주기)마다 위상이 반전되는 다수의 아날로그 전압들(Vang1과 Vang2)을 수신한다. 한 쌍의 아날로그 전압들(Vang1과 Vang2) 각각의 극성은 서로 상보적으로 반전된다고 가정한다.Each of the plurality of input lines INL1 and INL2 receives a plurality of analog voltages Vang1 and Vang2 whose phases are inverted every predetermined period (eg, the period of the polarity control signal). It is assumed that the polarities of each of the pair of analog voltages Vang1 and Vang2 are inverted complementarily to each other.
제1입력 라인(INL1)으로 입력되는 제1아날로그 전압(Vang1)은 제1버퍼(260)를 통하여 제1소스 라인(Sx)로 출력될 아날로그 전압이고, 제2입력 라인(INL2)으로 입력되는 제2아날로그 전압(Vang2)은 제2버퍼(270)를 통하여 제2소스 라인(Sy)으로 출력될 아날로그 전압이다.The first analog voltage Vang1 input to the first input line INL1 is an analog voltage to be output to the first source line Sx through the
제1연산 증폭기(260)는 다수의 아날로그 전압들(Vang1과 Vang2) 중에서 위상이 반전되지 않은 아날로그 전압을 다수의 소스 라인들(Sx와 Sy) 중에서 어느 하나 의 소스 라인으로 버퍼링한다. 여기서, x와 y는 1보다 크고 n보다 작은 자연수이고, y가 x보다 1만큼 크다.The first
제2연산 증폭기(270)는 다수의 아날로그 전압들(Vang1과 Vang2) 중에서 위상이 반전된 아날로그 전압을 다수의 소스 라인들(Sx와 Sy) 중에서 어느 하나의 소스 라인으로 버퍼링한다.The second
본 발명의 실시 예에 따른 출력 버퍼(240)의 제1연산 증폭기(260)는 폴링 특성을 개선하기 위하여 NMOSFET 입력 스테이지를 갖는 투-스테이지 연산 증폭기이고, 제2연산 증폭기(270)는 라이징 특성을 개선하기 위하여 PMOSFET 입력 스테이지를 갖는 투- 스테이지 연산 증폭기이다.The first
제1스위칭 부(250)는, 일정한 주기마다 다수의 제1스위칭 제어 신호들 (CTRL1)에 응답하여, 제1입력 라인(INL1)과 제1연산 증폭기(260)의 제1입력 단자 (+)를 접속시키고 제2입력 라인(INL2)과 제2연산 증폭기(270)의 제1입력 단자(+)를 접속시킨다. 또한, 제1스위칭 부(250)는, 상기 일정한 주기마다 상기 다수의 제1스위칭 제어 신호들(CTRL1)에 응답하여, 제1입력 라인(INL1)과 제2연산 증폭기(270)의 제1입력(+) 단자를 크로스-접속하고 제2입력 라인(INL2)과 제1연산 증폭기(260)의 제1입력(+) 단자를 크로스-접속한다.The
제2스위칭 부(280)는, 일정한 주기마다 다수의 제2스위칭 제어신호들(CTRL2)에 응답하여, 제1연산 증폭기(260)의 출력 단자와 제1소스 라인(Sx)을 접속시키고 제2연산 증폭기(270)의 출력 단자와 제2소스 라인(Sx)을 접속시킨다. 또한, 제2스위칭 부 (280)는, 상기 일정한 주기마다 상기 다수의 제2스위칭 제어신호들(CTRL2) 에 응답하여, 제1연산 증폭기(260)의 출력 단자와 제2소스 라인(Sy)을 크로스-접속하고 제2연산 증폭기(270)의 출력 단자와 제1소스 라인(Sx)을 크로스-접속한다.The
또한, 제2스위칭 부(280)는, 일정한 주기마다 다수의 제3스위칭 제어신호들(CTRL3)에 응답하여, 제1소스 라인(Sx)과 제2소스 라인(Sy)을 서로 접속시켜 전하 공유(charge sharing) 동작을 수행할 수도 있다.In addition, the
출력 버퍼(240)에서, 위상이 반전되지 않은 아날로그 전압은 폴링 특성을 개선하기 위한 제1연산 증폭기(260)에 의하여 버퍼링되고, 위상이 반전된 아날로그 전압은 라이징 특성을 개선하기 위한 제2연산 증폭기(270)에 의하여 버퍼링된다. 그러나, 그 반대로 버퍼링될 수 있다.In the
예컨대, 제1아날로그 전압(Vang1)이 반전되지 않은 위상(non-inverted phase)을 갖고 제2아날로그 전압(Vang2)이 반전된 위상(inverted phase)을 갖는 경우, 제1스위칭 부(250)의 스위칭 동작에 따라 제1입력 라인(INL1)은 제1연산 증폭기(260)의 제1입력 단자에 접속되고 제2입력 라인(INL2)은 제2연산 증폭기(270)의 제1입력 단자에 접속된다. 이 경우, 제2스위칭 부(280)의 스위칭 동작에 따라, 제1연산 증폭기(260)의 출력 단자는 제1소스 라인(Sx)에 접속되고 제2연산 증폭기(270)의 출력 단자는 제2소스 라인(Sy)에 접속된다.For example, when the first analog voltage Vang1 has a non-inverted phase and the second analog voltage Vang2 has an inverted phase, the switching of the
그러나, 제1아날로그 전압(Vang1)이 반전된 위상을 갖고 제2아날로그 전압 (Vang2)이 반전되지 않은 위상을 갖는 경우, 제1스위칭 부(250)의 스위칭 동작에 따라 제1입력 라인(INL1)은 제2연산 증폭기(270)의 제1입력 단자에 크로스-접속되고 제2입력 라인(INL2)은 제1연산 증폭기(260)의 제1입력 단자에 크로스-접속된다.However, when the first analog voltage Vang1 has an inverted phase and the second analog voltage Vang2 has an inverted phase, the first input line INL1 may operate according to the switching operation of the
이 경우, 제2스위칭 부(280)의 스위칭 동작에 따라, 제1연산 증폭기(260)의 출력 단자는 제2소스 라인(Sy)에 크로스-접속되고 제2연산 증폭기(270)의 출력 단자는 제1소스 라인(Sx)에 크로스-접속된다.In this case, according to the switching operation of the
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 NMOSFET 입력 스테이지를 갖는 제1연산 증폭기의 회로도이다. 도 4를 참조하면, NMOSFET 입력 스테이지(261)를 갖는 제1연산 증폭기(260)는 전류 미러(263), 제1바이어스 회로(265), 제2바이어스 회로(267), 출력 스테이지(269), 및 보상 커패시터(C1)를 포함한다.4 is a circuit diagram of a first operational amplifier having an NMOSFET input stage according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, the first
NMOSFET 입력 스테이지(261), 전류 미러(263), 제1바이어스 회로(265), 및 제2바이어스 회로(267)를 포함하는 제1폴디드 캐스코드 연산 증폭 회로는 출력 전압(OUT1)의 폴링 특성을 개선할 수 있다.The first folded cascode operational amplifier circuit including the
액티브 로드(active load)를 갖는 차동 증폭기, 또는 커런트 미러 형(current mirror type) 차동 증폭기라고도 불리는 NMOSFET 입력 스테이지(261)는 바이어스 제어 전압(VB1)에 의하여 제어되는 전류 원(3)을 통하여 제2전원, 예컨대 접지 전압(VSS)을 공급하는 전원에 접속된 다수의 NMOSFET들(1과 2), 및 전류 미러를 구성하는 다수의 PMOSFET들(4와 5)을 포함한다.
다수의 NMOSFET들(1, 2, 및 3)은 차동 증폭기를 구성한다. 제1연산 증폭기 (260)가 단위 이득 버퍼로서 사용될 경우, 출력 단자(NO)와 제2입력 단자(-)는 서로 접속된다. 상기 차동 증폭기는 제1입력 전압(INP1)과 제2입력 전압(INN1)의 차이를 증폭하여 차동 출력 전류들을 발생한다.
NMOSFET들(6과 7)을 포함하는 전류 미러(263)는 기준 전류가 흐르는 제1브랜 치(branch)와 미러 전류, 즉 상기 기준 전류가 미러링된 전류가 흐르는 제2브랜치를 포함한다.The
제1바이어스 회로(265)는 차동 증폭기의 제2출력 단자(ODA2)와 전류 미러 (263)의 제1브랜치에 접속된 제2노드(ND2) 사이에 접속된다. 제1바이어스 회로 (265)는 제2출력 단자(ODA2)와 제2노드(ND2) 사이에 병렬로 접속된 PMOSFET(10)와 NMOSFET(11)를 포함하며, 바이어스 제어 전압들(VB4와 VB5)과 제2출력 단자(ODA2)의 전압에 응답하여 상기 제1브랜치에 흐르는 기준 전류의 양을 조절한다.The
제2바이어스 회로(267)는 차동 증폭기의 제1출력 단자(ODA1)와 전류 미러 (263)의 제2브랜치에 접속된 제1노드(ND1) 사이에 접속된다. 제2바이어스 회로 (267)는 제1출력 단자(ODA1)와 제1노드(ND1) 사이에 병렬로 접속된 PMOSFET(8)와 NMOSFET(9)를 포함하며, 바이어스 제어 전압들(VB2와 VB3)과 제1출력 단자(ODA1)의 전압에 응답하여 상기 제1브랜치의 전압, 즉 노드(ND1)의 전압을 조절한다.The
출력 스테이지(269)는 제1전원, 예컨대 전원 전압(VDD)을 공급하는 전원과 출력 노드(NO) 사이에 접속되는 제1스위치 (12), 및 출력 노드(NO)와 제2전원 사이에 접속되는 제2스위치(13)를 포함한다. 제1스위치(12)는 차동 증폭기의 제1출력 단자(ODA1)의 전압에 응답하여 온/오프되고, 제2스위치(13)는 제1노드(ND1)의 전압에 응답하여 온/오프된다. 제1스위치(12)는 PMOSFET로 구현될 수 있고, 제2스위치(13)는 NMOSFET로 구현될 수 있다. 보상 커패시터(C1)는 제1출력 단자(ODA1)와 출력 노드(NO) 사이에 접속된다.The
도 3과 도 4를 참조하여, 출력 전압(OUT1)의 폴링 특성 개선을 위한 제1연산 증폭기(260)의 동작을 설명하면 다음과 같다.3 and 4, the operation of the first
첫째, 제1입력신호(INP1)의 전압 레벨(예컨대, 하이 레벨, 또는 VDD)이 제2입력신호(INN1)의 전압 레벨(예컨대, 로우 레벨, 또는 VSS)보다 높은 경우, NMOSFET(1)는 턴-온 되고, NMOSFET(2)는 턴-오프 된다. 그러므로, 제1출력단자 (ODA1)의 전압 레벨은 로우 레벨로 되고, 제2출력단자(ODA2)의 전압 레벨은 하이 레벨로 된다.First, when the voltage level (eg, high level or VDD) of the first input signal INP1 is higher than the voltage level (eg, low level or VSS) of the second input signal INN1, the
따라서, 출력 스테이지(267)의 PMOSFET(12)는 턴-온 되므로, 출력 단자(NO)의 출력 전압(OUT1)은 하이 레벨로 된다.Therefore, since the
제1입력신호(INP1)의 전압 레벨이 하이 레벨로 상승하면, 바이어스 트랜지스터(3)에 의한 제1바이어스 전류(I1)의 대부분은 NMOSFET(1)로 흐른다.When the voltage level of the first input signal INP1 rises to a high level, most of the first bias current I1 by the
또한, 제2출력 단자(ODA2)의 전압 레벨이 상승하므로, 제1바이어스 회로 (265)의 PMOSFET(10)의 소스-게이트 전압이 상승한다. PMOSFET(10)의 소스-드레인 전류가 증가하므로, 전류 미러(263)의 제1브랜치의 NMOSFET(7)의 드레인-소스 전류, 즉 기준 전류가 증가한다. 전류 미러링에 의하여, 전류 미러(263)의 제2브랜치의 NMOSFET(6)의 드레인-소스 전류, 즉 미러 전류도 증가한다.In addition, since the voltage level of the second output terminal ODA2 increases, the source-gate voltage of the
그러나, 제2출력 단자(ODA2)의 전압 레벨이 상승하면, 차동 증폭기의 전류 미러의 PMOSFET(5)의 소스-게이트 전압이 감소하므로, PMOSFET(5)의 소스-드레인 전류, 즉 기준 전류는 감소한다. 전류 미러링에 의하여, 전류 미러의 PMOSFET(4)의 소스-드레인 전류, 즉 미러 전류도 감소한다.However, when the voltage level of the second output terminal ODA2 rises, the source-gate voltage of the
결과적으로, NMOSFET(1)을 흐르는 전류 량과 PMOSFET(4)를 흐르는 전류 량의 합으로부터 NMOSFET(6)을 흐르는 전류 량을 뺀 전류 량에 상응하는 전하가 커패시터(C1)에 충전되면서 포워드 슬루가 형성된다. 여기서 포워드 슬루란 0.5VDD에서 0.75VDD로 변하는 경우 또는 0.75VDD에서 VDD로 변하는 경우를 의미할 수도 있다.As a result, a forward slew is charged while the electric charge corresponding to the amount of current minus the amount of current flowing through the
커패시터(C1)에 충전되는 전류 또는 전하에 의하여 출력 단자(NO)의 전압(OUT1)은 더욱 빠르게 상승하면서 출력 전압(OUT1)의 포워드 슬루가 형성된다. 그러므로, 본 발명의 실시 예에 따른 제1연산 증폭기(260)는 우수한 라이징 특성을 갖는다.The voltage OUT1 of the output terminal NO rises faster by a current or charge charged in the capacitor C1, and a forward slew of the output voltage OUT1 is formed. Therefore, the first
또한, 제1출력 단자(ODA1)의 전압 레벨이 낮아지면, 제2바이어스 회로(267)의 PMOSFET(8)의 소스-게이트 전압이 낮아지므로, PMOSFET(8)의 소스-드레인 전류는 감소한다.Further, when the voltage level of the first output terminal ODA1 is lowered, the source-gate voltage of the
그러나, 전류 미러(263)의 제2브랜치의 NMOSFET(6)의 드레인-소스 전류, 즉 미러 전류는 전류 미러링에 기초하여 항상 일정해야 하므로, 제2바이어스 회로 (267)의 NMOSFET(9)의 드레인-소스 전류는 증가해야 한다. 제2바이어스 회로(267)의 NMOSFET(9)의 게이트-소스 전압이 증가해야 하므로, 제1노드(ND1)의 전압은 하강한다.However, since the drain-source current of the
제1노드(ND1)의 전압 레벨이 하강하면, NMOSFET(13)는 빠르게 턴-오프되고 출력 노드(NO)로부터 제2전원으로 흐르는 전류는 빠르게 차단되므로, 출력 전압(OUT1)의 라이징 특성은 더욱 개선된다. 이때, 제1출력 단자(ODA1)의 전압 레벨과 제1노드(N1)의 전압 레벨은 함께 증가하거나 함께 감소한다.When the voltage level of the first node ND1 falls, the
둘째, 제1입력 신호(INP1)의 전압 레벨(예컨대, 로우 레벨)이 제2입력신호 (INN1)의 전압 레벨(예컨대, 하이 레벨)보다 낮아지는 경우, NMOSFET(1)는 턴-오프 되고, NMOSFET(2)는 턴-온 된다. 따라서, 제1출력단자(ODA1)의 전압 레벨은 하이 레벨로 되고, 제2출력단자(ODA2)의 전압 레벨은 로우 레벨로 된다.Second, when the voltage level (eg, low level) of the first input signal INP1 is lower than the voltage level (eg, high level) of the second input signal INN1, the
그러므로, 출력 스테이지(269)의 PMOSFET(12)는 턴-오프 되고, NMOSFET(13)는 턴-온 된다. 따라서, 출력 단자(NO)의 전압(OUT1)은 접지 전압(VSS)으로 된다.Therefore, the
이때, 바이어스 전류(I1)의 대부분은 NMOSFET(2)로 흐른다. 따라서, 제2출력 단자(ODA2)의 전압 레벨은 낮아지므로, 제1바이어스 회로(265)의 PMOSFET(10)의 소스-게이트 전압은 낮아진다. 따라서, PMOSFET(10)의 소스-드레인 전류가 감소하므로, 전류 미러(263)의 제1브랜치의 NMOSFET(7)의 드레인-소스 전류, 즉 기준 전류가 감소한다. 전류 미러링에 기초하여, 전류 미러(266)의 제2브랜치의 NMOSFET(6)의 드레인-소스 전류, 즉 미러 전류도 감소한다.At this time, most of the bias current I1 flows to the
그러나, 제2출력 단자(ODA2)의 전압 레벨이 하강함에 따라, 차동 증폭기의 전류 미러의 PMOSFET(5)의 소스-게이트 전압은 증가하므로, PMOSFET(5)의 소스-드레인 전류, 즉 기준 전류는 증가한다. 전류 미러링에 기초하여, 차동 증폭기의 전류 미러의 PMOSFET(4)의 드레인-소스 전류, 즉 미러 전류도 증가한다.However, as the voltage level of the second output terminal ODA2 falls, the source-gate voltage of the
결과적으로, 차동 증폭기의 전류 미러의 PMOSFET(4)를 흐르는 전류 량과 전류 미러(263)의 NMOSFET(6)을 흐르는 전류 량과의 차이에 상응하는 전류 량이 제1출력 단자(ODA1)에서 커패시터(C1)로 흘러야 한다.As a result, the amount of current corresponding to the difference between the amount of current flowing through the
그러므로, 출력 단자(NO)의 출력 전압(OUT1)이 빠르게 하강하면서, 출력 전압(OUT1)의 리버스 슬루(reverse slew)가 형성되므로, 출력 전압(OUT1)의 폴링 특 성은 개선된다. 여기서 리버스는 제1전압이 VDD에서 0.75VDD로 변하거나 또는 0.75VDD에서 0.5VDD로 변하는 것을 의미할 수 있다.Therefore, while the output voltage OUT1 of the output terminal NO falls rapidly, reverse slew of the output voltage OUT1 is formed, so that the polling characteristic of the output voltage OUT1 is improved. In this case, the reverse may mean that the first voltage is changed from VDD to 0.75VDD or from 0.75VDD to 0.5VDD.
또한, 제1출력 단자(ODA1)의 전압 레벨이 상승하면, 제2바이어스 회로(267)의 PMOSFET(8)의 소스-게이트 전압이 증가하므로, PMOSFET(8)의 소스-드레인 전류는 증가한다.Further, when the voltage level of the first output terminal ODA1 increases, the source-gate voltage of the
그러나, 전류 미러(263)의 제2브랜치의 NMOSFET(6)의 드레인-소스 전류, 즉 미러 전류는 전류 미러링에 기초하여 항상 일정하여야 한다. 따라서, 제2바이어스 회로(267)의 NMOSFET(9)의 드레인-소스 전류는 감소해야 한다. 제2바이어스 회로 (267)의 NMOSFET(9)의 게이트-소스 전압이 낮아져야 하므로, 제1노드(ND1)의 전압은 상승한다. 제1출력 단자(ODA1)의 전압 레벨과 제1노드(ND1)의 전압 레벨은 같이 상승한다.However, the drain-source current of the
제1출력 단자(ODA1)의 전압 레벨이 상승하므로, PMOSFET(12)는 빠르게 턴-오프 되어, 제1전원으로부터 출력 노드(NO)로 공급되는 전류는 빠르게 차단된다. 또한, 제1노드(ND1)의 전압 레벨이 상승하므로, NMOSFET(13)는 턴-온되어, 출력 노드(NO)의 전압 레벨은 제1전원의 전압, 예컨대 접지 전압(VDD)으로 낮아진다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 제1연산 증폭기(260)의 출력 전압(OUT1)의 폴링 특성은 더욱 개선된다.Since the voltage level of the first output terminal ODA1 rises, the
도 4를 참조하여 상술한 바와 같이, 출력 스테이지(269)의 NMOSFET(13)의 게이트의 전압과 PMOSFET(12)의 게이트의 전압은 같이 증가하거나 또는 같이 감소하므로, 본 발명의 실시 예에 따른 투-스테이지 연산 증폭기인 제1연산 증폭기(260) 는 클래스 AB 연산 증폭기, 예컨대 레일-투-레일 연산 증폭기와 같이 클래스 AB 동작을 수행할 수 있다.As described above with reference to FIG. 4, the voltage of the gate of the
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 PMOSFET 입력 스테이지를 갖는 제2연산 증폭기의 회로도이다. 도 5를 참조하면, PMOSFET 입력 스테이지(271)를 갖는 제2연산 증폭기(270)는 전류 미러(273), 제1바이어스 회로(275), 제2바이어스 회로(277), 출력 스테이지(279), 및 보상 커패시터(C2)를 포함한다.5 is a circuit diagram of a second operational amplifier having a PMOSFET input stage according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the second
PMOSFET 입력 스테이지(271), 전류 미러(273), 제1바이어스 회로(275), 및 제2바이어스 회로(277)를 포함하는 제2폴디드 캐스코드 연산 증폭 회로는 출력 전압(OUT1)의 라이징 특성을 개선한다.The second folded cascode operational amplifier circuit including the
액티브 로드를 갖는 차동 증폭기, 또는 커런트 미러 형 차동 증폭기라고도 불리는 PMOSFET 입력 스테이지(271)는 바이어스 제어 전압(VB6)에 의하여 제어되는 전류 원(16)을 통하여 제1전원에 접속된 다수의 PMOSFET들(14과 16), 및 전류 미러를 구성하는 다수의 NMOSFET들(17과 18)을 포함한다.A
다수의 PMOSFET들(14, 15, 및 16)은 차동 증폭기를 구성한다. 제2연산 증폭기(270)가 단위 이득 버퍼로서 사용될 경우, 출력 단자(NO)와 제2입력 단자(-)는 서로 접속된다. 상기 차동 증폭기는 제1입력 전압(INP2)과 제2입력 전압(INN2)의 차이를 증폭하여 차동 출력 전류들을 발생한다.
PMOSFET들(19와 20)을 포함하는 전류 미러(273)는 기준 전류가 흐르는 제1브랜치와 미러 전류, 즉 상기 기준 전류가 미러링된 전류가 흐르는 제2브랜치를 포함한다.The
제1바이어스 회로(275)는 차동 증폭기의 제2출력 단자(ODA4)와 전류 미러 (273)의 제1브랜치에 접속된 제4노드(ND4) 사이에 접속된다. 제1바이어스 회로 (275)는 제2출력 단자(ODA4)와 제4노드(ND4) 사이에 병렬로 접속된 PMOSFET(23)와 NMOSFET(24)를 포함하며, 바이어스 제어 전압들(VB9와 VB10)과 제2출력 단자(ODA4)의 전압에 응답하여 상기 제1브랜치에 흐르는 기준 전류의 양을 조절한다.The
제2바이어스 회로(277)는 차동 증폭기의 제1출력 단자(ODA3)와 전류 미러 (273)의 제2브랜치에 접속된 제3노드(ND3) 사이에 접속된다. 제2바이어스 회로 (277)는 제1출력 단자(ODA3)와 제3노드(ND3) 사이에 병렬로 접속된 PMOSFET(21)와 NMOSFET(22)를 포함하며, 바이어스 제어 전압들(VB7와 VB8)과 제1출력 단자(ODA3)의 전압에 응답하여 상기 제1브랜치의 전압, 즉 제3노드(ND3)의 전압을 조절한다.The
출력 스테이지(279)는 제2전원과 출력 노드(NO) 사이에 접속되는 제1스위치 (25), 및 출력 노드(NO)와 제1전원 사이에 접속되는 제2스위치(26)를 포함한다.The
제1스위치(25)는 차동 증폭기의 제1출력 단자(ODA3)의 전압에 응답하여 온/오프되고, 제2스위치(26)는 제2브랜치의 전압, 즉 제3노드(ND3)의 전압에 응답하여 온/오프된다. 제1스위치(25)는 NMOSFET로 구현될 수 있고, 제2스위치(26)는 PMOSFET로 구현될 수 있다. 보상 커패시터(C2)는 제1출력 단자(ODA3)와 출력 노드(NO) 사이에 접속된다.The
도 3과 도 5를 참조하여, 제2연산 증폭기(270)의 폴링 특성 개선을 위한 동작을 설명하면 다음과 같다.3 and 5, the operation for improving the polling characteristic of the second
첫째, 제1입력신호(INP2)의 전압 레벨(예컨대, 로우 레벨)이 제2입력신 호(INN2)의 전압 레벨(예컨대, 하이 레벨)보다 낮아지면, 차동 증폭기의 PMOSFET (14)는 턴-온 되고 PMOSFET(15)는 턴-오프 된다. 따라서, 바이어스 전류(I2)의 대부분은 PMOSFET(14)로 흐른다.First, when the voltage level (eg, low level) of the first input signal INP2 is lower than the voltage level (eg, high level) of the second input signal INN2, the
제1출력 단자(ODA3)의 전압 레벨은 하이 레벨로 되므로 NMOSFET(25)은 턴-온되고, 제3노드(ND3)의 전압 레벨은 하이 레벨로 되므로 PMOSFET(26)는 턴-오프 된다. 따라서, 출력 단자(NO)의 전압 레벨(OUT2)은 로우 레벨로 된다.Since the voltage level of the first output terminal ODA3 is at a high level, the
제1출력 단자(ODA3)의 전압 레벨이 상승하면, 제2바이어스 회로(277)의 NMOSFET(22)의 게이트-소스 전압은 하강한다. 따라서, NMOSFET(22)의 드레인-소스 전류는 감소한다.When the voltage level of the first output terminal ODA3 rises, the gate-source voltage of the
또한, 제2출력 단자(ODA4)의 전압 레벨이 하강하므로, 차동 증폭기의 전류 미러의 제1브랜치의 NMOSFET(18)의 게이트-소스 전압이 감소하므로, NMOSFET(18)의 드레인-소스 전류, 즉 기준 전류는 감소한다. 커런트 미러링에 의하여, 차동 증폭기의 전류 미러의 NMOSFET(17)의 드레인-소스 전류, 즉 미러 전류도 감소한다.In addition, since the voltage level of the second output terminal ODA4 falls, the gate-source voltage of the
차동 증폭기의 PMOSFET(14)을 흐르는 전류 량과 차동 증폭기의 전류 미러를 흐르는 전류 량을 합한 전류 량에서 전류 미러(273)를 흐르는 전류 량을 뺀 만큼의 전류 량이 제1출력 단자(ODA3)로부터 보상 커패시터(C2)로 흐른다.The amount of current obtained by subtracting the amount of current flowing through the
그러면, 출력 단자(NO)의 출력 전압(OUT2)이 빠르게 하강하면서, 출력 전압(OUT2)의 리버스 슬루(reverse slew)가 형성되므로, 본 발명의 실시 예에 따른 제2연산 증폭기(270)는 우수한 폴링 특성을 가진다.Then, while the output voltage OUT2 of the output terminal NO is rapidly decreased, a reverse slew of the output voltage OUT2 is formed, so that the second
또한, 제2출력 단자(ODA4)의 전압 레벨이 하강함에 따라, 제1바이어스 회로 (275)의 NMOSFET(24)의 게이트-소스 전압은 상승하므로, NMOSFET(24)의 드레인-소스 전류는 증가한다. 따라서, 전류 미러(273)의 기준 전류와 미러 전류는 증가한다.Also, as the voltage level of the second output terminal ODA4 decreases, the gate-source voltage of the
제1출력 단자(ODA3)의 전압 레벨 상승하므로, 제2바이어스 회로(277)의 NMOSFET(22)의 드레인-소스 전류는 감소한다. 전류 미러(276)의 미러 전류는 항상 일정해야 하므로, 제2바이어스 회로(277)의 PMOSFET(21)의 소스 전압인 제3노드 (ND3)의 전압은 상승하여야 한다. 제3노드(ND3)의 전압이 상승함에 따라, PMOSFET (26)은 빠르게 오프되어, 제1전원으로부터 공급되는 전류가 빠르게 차단되므로, 본 발명의 실시 예에 따른 제2연산 증폭기(270)의 폴링 특성은 더욱 개선된다.Since the voltage level of the first output terminal ODA3 rises, the drain-source current of the
둘째, 제1입력신호(INP2)의 전압 레벨이 하이 레벨로 상승하고 제2입력신호 (INN2)의 전압 레벨이 로우 레벨로 하강하면, PMOSFET(14)는 턴-오프 되고 PMOSFET (15)는 턴-온 된다.Second, when the voltage level of the first input signal INP2 rises to the high level and the voltage level of the second input signal INN2 falls to the low level, the
제1출력 단자(ODA3)의 전압 레벨이 로우 레벨로 되므로 NMOSFET(25)는 턴-오프되고, 제3노드(ND3)의 전압 레벨이 로우 레벨이 되어 PMOSFET(26)는 턴-온 된다. 그러므로, 출력 단자(NO)의 출력 전압(OUT2)은 하이 레벨(즉, 제1전원의 전압 레벨)로 된다.Since the voltage level of the first output terminal ODA3 is at a low level, the
이 경우, 바이어스 전류(I2)의 대부분은 PMOSFET(15)로 흐른다. 제1출력 단자(ODA3)의 전압 레벨이 로우 레벨로 하강함에 따라, 제2바이어스 회로(277)의 NMOSFET(22)의 게이트-소스 전압은 증가한다. 따라서, NMOSFET(22)의 드레인-소스 전류는 증가한다.In this case, most of the bias current I2 flows into the
제2출력 단자(ODA4)의 전압 레벨이 상승함에 따라, 차동 증폭기의 전류 미러의 NMOSFET(18)의 게이트-소스 전압은 증가하므로, NMOSFET(18)의 드레인-소스 전류도 증가한다. 커런트 미러링에 의하여, NMOSFET(17)의 드레인-소스 전류도 증가한다.As the voltage level of the second output terminal ODA4 increases, the gate-source voltage of the
차동 증폭기의 전류 미러의 NMOSFET(17)을 흐르는 전류 량과 전류 미러 (273)의 PMOSFET(19)를 흐르는 전류량과의 차이에 상응하는 전류 량이 보상 커패시터(C2)에 충전되면서 포워드 슬루가 형성된다. 따라서, 출력 전압(OUT2)의 라이징 특성이 개선된다.A forward slew is formed while the amount of current corresponding to the difference between the amount of current flowing through the
제1출력 단자(ODA3)의 전압 레벨이 하강함에 따라, NMOSFET(25)는 빠르게 턴-오프 된다. 따라서, 출력 노드(NO)로부터 제2전원으로 흐르는 전류는 빠르게 차단되므로, 본 발명의 실시 예에 따른 제2연산 증폭기(270)의 출력 전압(OUT2)의 라이징 특성은 더욱 개선된다.As the voltage level of the first output terminal ODA3 falls, the
도 5를 참조하여 상술한 바와 같이, NMOSFET(25)의 게이트의 전압과 PMOSFET(26)의 게이트의 전압은 같이 방향으로 움직이므로, 투-스테이지 연산 증폭기인 제2연산 증폭기는 클래스 AB 연산 증폭기와 같이 클래스 AB 동작을 수행할 수 있다.As described above with reference to FIG. 5, since the voltage of the gate of the
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 NMOSFET 입력 스테이지를 갖는 연산 증폭기의 회로도이다. 도 6을 참조하면, NMOSFET 입력 스테이지(261')를 포함하는 투-스테이지 연산 증폭기(260)는 제1전류 미러(262), 제2전류 미러(264), 바이어스 회로(266), 출력 스테이지, 및 보상 커패시터(C1)를 포함한다.6 is a circuit diagram of an operational amplifier having an NMOSFET input stage according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, a two-stage
차동 증폭기의 구조를 갖는 NMOSFET 입력 스테이지(261')는 NMOSFET(N3)를 통하여 제2전원, 예컨대 접지 전압(VSS)을 공급하는 전원에 접속된 차동 NMOSFET들(N1과 N2)를 포함한다. 전류 원의 기능을 수행하는 NMOSFET(N3)는 바이어스 제어 전압(VB1)에 기초하여 제어된다.The
상기 차동 증폭기는 입력 전압들(INP1와 INN1)의 차이를 증폭하여 차동 출력 전류들을 출력한다. 제1연산 증폭기(260)가 단위 이득 버퍼로서 사용되는 경우, 출력 전압(OUT1)은 제1연산 증폭기(260)의 제2입력 단자(-)로 피드백된다.The differential amplifier amplifies the difference between the input voltages INP1 and INN1 and outputs differential output currents. When the first
즉, NMOSFET(N1)의 드레인은 제1전류 미러(262)의 미러 전류 브랜치, 예컨대, PMOSFET(P7)의 소스-드레인 전류가 흐르는 브랜치에 접속되고, NMOSFET(N2)의 드레인은 기준 전류 브랜치, 예컨대 PMOSFET(P5)의 소스-드레인 전류가 흐르는 브랜치에 접속된다.That is, the drain of the NMOSFET N1 is connected to the mirror current branch of the first
PMOSFET 캐스코드 전류 미러로 구현될 수 있는 제1전류 미러(262)는 제1전원, 예컨대 전원 전압(VDD)을 공급하는 전원과 제1제어 노드(PU) 사이에 접속되고, 기준 전류 브랜치와 미러 전류 브랜치를 포함한다. 즉, 제1전류 미러(262)는 다수의 PMOSFET들(P4, P5, P6, 및 P7)로 구현되고, 기준 전류는 상기 기준 전류 브랜치를 통하여 흐르고, 미러 전류, 즉 상기 기준 전류가 미러링된 전류는 미러 전류 브랜치를 통하여 흐른다.The first
NMOSFET 전류 미러로 구현될 수 있는 제2전류 미러(264)는 제2전원과 제2제어 노드(PD) 사이에 접속된다. 제2전류 미러(264)는 기준 전류가 흐르는 기준 전류 브랜치, 예컨대 NMOSFET(N5)의 드레인-소스 전류가 흐르는 브랜치, 및 미러 전류가 흐르는 미러 전류 브랜치, 예컨대 NMOSFET(N7)의 드레인-소스 전류가 흐르는 브랜치를 포함한다.The second current mirror 264, which may be implemented as an NMOSFET current mirror, is connected between the second power supply and the second control node PD. The second current mirror 264 includes a reference current branch through which the reference current flows, for example, a branch through which the drain-source current of the NMOSFET N5 flows, and a drain-source current through a mirror current branch, such as the NMOSFET N7 through which the mirror current flows. It includes a flowing branch.
출력 스테이지는 제1전원과 출력 노드(NO) 사이에 접속된 제1트랜지스터 (P10)와 출력 노드(NO)와 제2전원 사이에 접속된 제2트랜지스터(N10)을 포함한다. 제1트랜지스터(P10)는 PMOSFET로 구현될 수 있고 제2트랜지스터(N10)는 NMOSFET로 구현될 수 있다.The output stage includes a first transistor P10 connected between the first power supply and the output node NO and a second transistor N10 connected between the output node NO and the second power supply. The first transistor P10 may be implemented with a PMOSFET, and the second transistor N10 may be implemented with an NMOSFET.
바이어스 회로(266)는 제1전류 미러(262)와 제2전류 미러(264)에 사이에 접속되고, 다수의 바이어스 제어 전압들(VB7과 VB8), 제1제어 노드(PU)의 전압, 및 제2제어 노드(PD)의 전압에 응답하여 제1트랜지스터(P10)와 제2트랜지스터(N10) 각각을 바이어스(bias) 한다.The
바이어스 회로(266)는 제1바이어스 회로(266A)와 제2바이어스 회로(266B)를 포함하고, 제1바이어스 회로(266A)는 제5노드(ND5)와 제6노드(ND6) 사이에 병렬로 접속되는 PMOSFET(P8)와 NMOSFET(N8)을 포함한다. 제2바이어스 회로(266B)는 제1제어 노드(PU)와 제2제어 노드(PD) 사이에 병렬로 접속되는 PMOSFET(P9)와 NMOSFET (N9)을 포함한다. 바이어스 제어 전압(VB7)은 PMOSFET들(P8과 P9)을 바이어스하고, 바이어스 제어 전압(VB8)은 NMOSFET들(N8과 N9)을 바이어스한다.The
제1바이어스 회로(266A)는 플로팅 전류 원이라고 불린다. 제2바이어스 회로(266B)는 제1트랜지스터(P10)와 상기 제2트랜지스터(N10)가 클래스 AB로 동작할 수 있도록 제1트랜지스터(P10)와 제2트랜지스터(N10) 각각을 바이어스(bias) 한다.The
제1트랜지스터(P10)는 제1제어 노드(PU)의 전압에 응답하여 온/오프되고, 제 2트랜지스터(N10)는 제2제어 노드(PD)의 전압에 응답하여 온/오프된다.The first transistor P10 is turned on / off in response to the voltage of the first control node PU, and the second transistor N10 is turned on / off in response to the voltage of the second control node PD.
보상 커패시터(C1)는 제1전류 미러(262)의 미러 전류 브랜치와 출력 노드(NO) 사이에 접속된다.The compensation capacitor C1 is connected between the mirror current branch of the first
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 PMOSFET 입력 스테이지를 갖는 연산 증폭기의 회로도이다. 도 7을 참조하면, PMOSFET 입력 스테이지(271')를 포함하는 투-스테이지 연산 증폭기(270)는 제1전류 미러(272), 제2전류 미러(274), 바이어스 회로(276), 출력 스테이지, 및 보상 커패시터(C2)를 포함한다.7 is a circuit diagram of an operational amplifier having a PMOSFET input stage according to another embodiment of the present invention. Referring to FIG. 7, a two-stage
차동 증폭기의 구조를 갖는 PMOSFET 입력 스테이지(271')는 PMOSFET(P3)를 통하여 제1전원, 예컨대 전원 전압(VDD)을 공급하는 전원에 접속된 차동 PMOSFET들(P1과 P2)를 포함한다. 전류 원의 기능을 수행하는 PMOSFET(P3)는 바이어스 제어 전압(VB2)에 기초하여 제어된다.The
상기 차동 증폭기는 입력 전압들(INP2와 INN2)의 차이를 증폭하여 차동 출력 전류들을 출력한다. 제2연산 증폭기(270)가 단위 이득 버퍼로서 사용되는 경우, 출력 전압(OUT2)은 제2연산 증폭기(270)의 제2입력 단자(-)로 공급된다.The differential amplifier amplifies the difference between the input voltages INP2 and INN2 and outputs differential output currents. When the second
즉, PMOSFET(P1)의 드레인은 제1전류 미러(272)의 미러 전류 브랜치에 접속되고, PMOSFET(P2)는 기준 전류 브랜치에 접속된다.That is, the drain of the PMOSFET P1 is connected to the mirror current branch of the first
NMOSFET 캐스코드 전류 미러로 구현될 수 있는 제1전류 미러(272)는 제2전원, 예컨대 접지 전압(VSS)을 공급하는 전원과 제2제어 노드(PD) 사이에 접속되고, 기준 전류 브랜치와 미러 전류 브랜치를 포함한다. 즉, 제1전류 미러(272)는 다수의 NMOSFET들(N4, N5, N6, 및 N7)로 구현되고, 기준 전류는 상기 기준 전류 브랜치 를 통하여 흐르고, 미러 전류, 즉 상기 기준 전류가 미러링된 전류는 미러 전류 브랜치를 통하여 흐른다.The first
PMOSFET 전류 미러로 구현될 수 있는 제2전류 미러(274)는 제1전원과 제1제어 노드(PU) 사이에 접속된다. 제2전류 미러(274)는 기준 전류가 흐르는 기준 전류 브랜치 (예컨대, 제8노드(ND8)가 접속된 브랜치)와 미러 전류가 흐르는 미러 전류 브랜치(예컨대, 제1제어 노드(PU)가 접속된 브랜치)를 포함한다.The second
출력 스테이지는 제1전원과 출력 노드(NO) 사이에 접속된 제1트랜지스터 (P10)와 출력 노드(NO)와 제2전원 사이에 접속된 제2트랜지스터(N10)을 포함한다. 제1트랜지스터(P10)는 PMOSFET로 구현될 수 있고, 제2트랜지스터(N10)는 NMOSFET로 구현될 수 있다.The output stage includes a first transistor P10 connected between the first power supply and the output node NO and a second transistor N10 connected between the output node NO and the second power supply. The first transistor P10 may be implemented with a PMOSFET, and the second transistor N10 may be implemented with an NMOSFET.
바이어스 회로(276)는 제1전류 미러(272)와 제2전류 미러(274)에 사이에 접속되고, 다수의 바이어스 제어 전압들(VB7과 VB8), 제1제어 노드(PU)의 전압, 및 제2제어 노드(PD)의 전압에 응답하여 제1트랜지스터(P10)와 제2트랜지스터(N10) 각각을 바이어스(bias) 한다.The
바이어스 회로(276)는 제1바이어스 회로(276A)와 제2바이어스 회로(276B)를 포함하고, 제1바이어스 회로(276A)는 제7노드(ND7)와 제8제어 노드(ND8) 사이에 병렬로 접속되는 PMOSFET(P8)와 NMOSFET(N8)을 포함한다. 제2바이어스 회로(276B)는 제1제어 노드(PU)와 제2제어 노드(PD) 사이에 병렬로 접속되는 PMOSFET(P9)와 NMOSFET(N9)을 포함한다. 바이어스 제어 전압(VB7)은 PMOSFET들(P8과 P9)을 바이어스하고, 바이어스 제어 전압(VB8)은 NMOSFET들(N8과 N9)을 바이어스한다.The
제1바이어스 회로(276A)는 플로팅 전류 원이라고 불린다. 제2바이어스 회로(276B)는 제1트랜지스터(P10)와 상기 제2트랜지스터(N10)가 클래스 AB로 동작할 수 있도록 제1트랜지스터(P10)와 제2트랜지스터(N10) 각각을 바이어스(bias) 한다.The
제1트랜지스터(P10)는 제1제어 노드(PU)의 전압에 응답하여 온/오프되고, 제2트랜지스터(N10)는 제2제어 노드(PD)의 전압에 응답하여 온/오프된다. 보상 커패시터(C1)는 제1전류 미러(272)의 미러 전류 브랜치와 출력 노드(NO) 사이에 접속된다.The first transistor P10 is turned on / off in response to the voltage of the first control node PU, and the second transistor N10 is turned on / off in response to the voltage of the second control node PD. The compensation capacitor C1 is connected between the mirror current branch of the first
도 6과 도 7을 참조하여 상술한 바와 같이, PMOSFET(P10)의 게이트의 전압과 NMOSFET(N10)의 게이트의 전압은 같이 방향으로 움직이므로, 투-스테이지 연산 증폭기인 제2연산 증폭기(260) 또는 제2연산 증폭기(270)는 클래스 AB 연산 증폭기와 같이 클래스 AB 동작을 수행할 수 있다. 본 명세서에서 사용된 제1전원, 제2전원, 제1스위치, 및 제2스위치 등은 설명이 편의를 위하여 예시적으로 부여된 것이다.As described above with reference to FIGS. 6 and 7, since the voltage of the gate of the PMOSFET P10 and the voltage of the gate of the NMOSFET N10 move in the same direction, the second
본 발명에 따른 실시 예는 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.An embodiment according to the present invention has been described with reference to an embodiment shown in the drawings, but this is only an example, and those skilled in the art may make various modifications and other equivalent embodiments therefrom. Will understand. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.
본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS A brief description of each drawing is provided to more fully understand the drawings recited in the description of the invention.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 소스 드라이버를 포함하는 디스플레이 장치의 블락도이다.1 is a block diagram of a display device including a source driver according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 2는 도 1에 도시된 소스 드라이버의 블락도이다.FIG. 2 is a block diagram of the source driver shown in FIG. 1.
도 3은 도 2에 도시된 출력 버퍼의 회로도이다.FIG. 3 is a circuit diagram of the output buffer shown in FIG. 2.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 NMOSFET 입력 스테이지를 갖는 연산 증폭기의 회로도이다.4 is a circuit diagram of an operational amplifier having an NMOSFET input stage according to an embodiment of the present invention.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 PMOSFET 입력 스테이지를 갖는 연산 증폭기의 회로도이다.5 is a circuit diagram of an operational amplifier having a PMOSFET input stage according to an embodiment of the present invention.
도 6은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 NMOSFET 입력 스테이지를 갖는 연산 증폭기의 회로도이다.6 is a circuit diagram of an operational amplifier having an NMOSFET input stage according to another embodiment of the present invention.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 PMOSFET 입력 스테이지를 갖는 연산 증폭기의 회로도이다.7 is a circuit diagram of an operational amplifier having a PMOSFET input stage according to another embodiment of the present invention.
Claims (8)
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/972,339 US7551030B2 (en) | 2007-02-08 | 2008-01-10 | Two-stage operational amplifier with class AB output stage |
CN2008100048024A CN101242160B (en) | 2007-02-08 | 2008-01-31 | Two-stage operational amplifier with class ab output stage |
US12/468,124 US7855600B2 (en) | 2007-02-08 | 2009-05-19 | Two-stage operational amplifier with class AB output stage |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20070013429 | 2007-02-08 | ||
KR1020070013429 | 2007-02-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080074689A KR20080074689A (en) | 2008-08-13 |
KR101330751B1 true KR101330751B1 (en) | 2013-11-18 |
Family
ID=39883984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070082244A KR101330751B1 (en) | 2007-02-08 | 2007-08-16 | Two-stage operational amplifier with class AB output stage |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101330751B1 (en) |
CN (1) | CN101242160B (en) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8188955B2 (en) * | 2008-10-27 | 2012-05-29 | Himax Technologies Limited | Source driving circuit with output buffer |
TWI420473B (en) * | 2009-02-05 | 2013-12-21 | Himax Tech Ltd | Output buffer and source driver using the same |
CN103051161B (en) * | 2011-10-12 | 2016-03-09 | 昂宝电子(上海)有限公司 | For driving the system and method for the transistor with high threshold voltage |
CN105932972B (en) * | 2012-03-22 | 2019-01-15 | 联咏科技股份有限公司 | Output-stage circuit |
US9680430B2 (en) * | 2013-04-22 | 2017-06-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Mismatched differential circuit |
KR101627606B1 (en) * | 2013-11-26 | 2016-06-07 | 포항공과대학교 산학협력단 | Class AB Amplifier apparatus and method using Common-gate Switch |
US9674015B2 (en) * | 2015-07-13 | 2017-06-06 | Xilinx, Inc. | Circuits for and methods of generating a modulated signal in a transmitter |
KR20170075892A (en) * | 2015-12-23 | 2017-07-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Differential amplifier circuit, voltage regulator and semiconductor memory device including the same |
CN110212880B (en) * | 2019-07-04 | 2024-03-22 | 深圳贝特莱电子科技股份有限公司 | Charge amplifier circuit and time sequence control method thereof |
CN112468102B (en) * | 2019-09-06 | 2022-02-22 | 深圳市赛元微电子有限公司 | Class AB amplifier |
KR20220033255A (en) * | 2020-09-09 | 2022-03-16 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Analog to digital convertor circuit and image sensor |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003229725A (en) | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Seiko Epson Corp | Operational amplifier circuit, drive circuit, and method of controlling the amplifier circuit |
KR20040018838A (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-04 | 학교법인 한양학원 | Low Quiescent Current and High Slew-Rate OP-AMP for Flat Panel Display |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100560413B1 (en) * | 2003-10-13 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | Class-AB Rail-to-Rail Operational Amplifier |
JP2007116497A (en) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Operational amplifier |
-
2007
- 2007-08-16 KR KR1020070082244A patent/KR101330751B1/en active IP Right Grant
-
2008
- 2008-01-31 CN CN2008100048024A patent/CN101242160B/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003229725A (en) | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Seiko Epson Corp | Operational amplifier circuit, drive circuit, and method of controlling the amplifier circuit |
KR20040018838A (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-04 | 학교법인 한양학원 | Low Quiescent Current and High Slew-Rate OP-AMP for Flat Panel Display |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101242160B (en) | 2012-06-27 |
KR20080074689A (en) | 2008-08-13 |
CN101242160A (en) | 2008-08-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101330751B1 (en) | Two-stage operational amplifier with class AB output stage | |
US7551030B2 (en) | Two-stage operational amplifier with class AB output stage | |
US7154332B2 (en) | Differential amplifier, data driver and display device | |
US7764121B2 (en) | Differential amplifier, method for amplifying signals of differential amplifier, and display driving device having differential amplifier | |
US8217925B2 (en) | Display panel driver and display device | |
US8390609B2 (en) | Differential amplifier and drive circuit of display device using the same | |
US8237693B2 (en) | Operational amplifier, drive circuit, and method for driving liquid crystal display device | |
US8466909B2 (en) | Output buffer having high slew rate, method of controlling output buffer, and display driving device including output buffer | |
KR101832491B1 (en) | Output circuit, data driver, and display device | |
US9147361B2 (en) | Output circuit, data driver and display device | |
US20080180174A1 (en) | Output buffer with a controlled slew rate offset and source driver including the same | |
US6897726B2 (en) | Differential circuit, amplifier circuit, and display device using the amplifier circuit | |
US20110007058A1 (en) | Differential class ab amplifier circuit, driver circuit and display device | |
US20110199360A1 (en) | Differential amplifier architecture adapted to input level conversion | |
US20090289703A1 (en) | Offset cancellation circuit and display device | |
US11263966B2 (en) | Display device, CMOS operational amplifier, and driving method of display device | |
KR100753151B1 (en) | Operational amplifier for output buffer and signal processing circuit using thereof | |
KR20040066546A (en) | Operational amplifier | |
Marano et al. | Low-power dual-active class-AB buffer amplifier with self-biasing network for LCD column drivers | |
JP2014078804A (en) | Semiconductor device | |
KR102441180B1 (en) | Buffer amplifier | |
Marano et al. | Self-biased dual-path push-pull output buffer amplifier topology for LCD driver applications |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181031 Year of fee payment: 6 |