KR101328134B1 - Low voltage lc voltage controlled oscillator - Google Patents

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Abstract

LC 전압제어 발진기가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 양단이 출력 노드에 연결되는 1 이상의 인덕터 및 상기 인덕터와 병렬 연결되는 1 이상의 커패시터를 포함하는 LC 공진회로, 및 한 쌍 이상의 스위칭 트랜지스터를 포함하는 증폭회로를 포함하고, 상기 쌍을 이루는 스위칭 트랜지스터의 드레인은 각각 상기 출력 노드에 연결되며, 각각의 게이트와 드레인은 입력 신호에 따라 다른 특성을 나타내는 가변 커패시턴스 블록을 통해 상호 연결되는 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기가 제공된다. An LC voltage controlled oscillator is disclosed. According to an embodiment of the present invention, an LC resonant circuit including at least one inductor connected at both ends to an output node and at least one capacitor connected in parallel with the inductor, and an amplifier circuit including at least one pair of switching transistors, And the drains of the paired switching transistors are each connected to the output node, and each gate and drain are interconnected through a variable capacitance block having different characteristics according to the input signal. do.

Description

저전압 LC 전압제어 발진기{LOW VOLTAGE LC VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR}LOW VOLTAGE LC VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR}

본 발명은 LC 전압제어 발진기에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 발진을 위해 필요한 전원전압 크기의 제한을 완화할 수 있으며, 버랙터 소자가 없이도 발진이 가능한 LC 전압제어 발진기에 관한 것이다.The present invention relates to an LC voltage controlled oscillator, and more particularly, to an LC voltage controlled oscillator capable of mitigating a limitation of a power supply voltage magnitude required for oscillation, and capable of oscillation without a varactor element.

본 발명은 지식경제부의 원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호:2008-S-006-04, 과제명:유비쿼터스 단말용 부품 모듈].The present invention is derived from a study performed as part of the original technology development project of the Ministry of Knowledge Economy [Task management number: 2008-S-006-04, Task name: ubiquitous terminal component module].

전압제어 발진기(VCO : Voltage-Controlled Oscillator)는 외부에서 인가되는 전압에 따라 발진 신호의 주파수가 변화될 수 있는 회로로 무선 송수신기에서 중요한 구성 요소로 사용되고 있다. Voltage-controlled oscillator (VCO) is a circuit that can change the frequency of oscillation signal according to externally applied voltage and is used as an important component in wireless transceiver.

이러한 전압제어 발진기 중 LC 형태의 전압제어 발진기는 회로의 양성 피드백에 따른 부성저항을 이용하는 형태의 발진기이다. 이러한 발진기에 있어서는 제어 신호를 통해 회로 상에 존재하는 버랙터(varactor) 소자의 커패시턴스 값을 제어함으로써 발진 주파수를 제어할 수 있다. Among these voltage-controlled oscillators, the LC-type voltage-controlled oscillator is an oscillator using negative resistance according to the positive feedback of the circuit. In such an oscillator, the oscillation frequency can be controlled by controlling the capacitance value of the varactor element existing on the circuit through a control signal.

LC 형태의 전압제어 발진기로서는 트랜지스터에 의한 양성 피드백에 따른 부성저항 특성을 이용하는 음성 컨덕턴스 LC 발진기가 널리 알려져 있다. As an LC type voltage controlled oscillator, a negative conductance LC oscillator using negative resistance characteristics according to positive feedback by a transistor is widely known.

도 1은 통상적인 LC 전압제어 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.1 is a circuit diagram showing the configuration of a conventional LC voltage controlled oscillator.

도 1에 도시되는 바와 같이, 통상적인 LC 전압제어 발진기는 1 이상의 인덕터(L1), 인덕터(L1)와 병렬 연결되는 커패시터(C1) 및 1 이상의 버랙터 소자에 포함되는 가변 커패시터(C2, C3)를 포함하는 LC 공진회로(110), 게이트와 드레인이 서로 연결되는 2개의 트랜지스터(M1, M2)로 이루어지는 양성 피드백 회로를 포함하는 증폭회로(120) 및 전류원(I1)을 갖는 전류원 회로(130)를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in FIG. 1, a typical LC voltage controlled oscillator includes at least one inductor L 1 , a capacitor C 1 connected in parallel with the inductor L 1 , and a variable capacitor C included in at least one varactor element. 2, C 3), the LC resonance circuit including the 110, the gate and the two transistors having a drain connected to each other (M 1, M 2) amplification comprising a positive feedback circuit formed of the circuit 120 and the current source (I 1 It may be configured to include a current source circuit 130 having a).

또한, 인덕터(L1) 및 직렬 연결된 가변 커패시터(C2, C3)의 양단은 출력 노드(outp, outn)에 연결되고, 증폭회로(120)에 포함되는 트랜지스터(M1, M2)의 드레인 또한 각각 출력 노드(outp, outn)에 연결된다.In addition, both ends of the inductor L 1 and the variable capacitors C 2 and C 3 connected in series are connected to the output nodes outp and outn of the transistors M 1 and M 2 included in the amplifying circuit 120. The drain is also connected to the output nodes outp and outn respectively.

이러한 LC 전압제어 발진기는 증폭회로(120)를 구성하는 양성 피드백 회로의 입력 임피던스 Rin = -2/gm 의 절대값 |Rin|이 LC 공진회로(110)의 등가 저항값 이하이면 발진하게 된다. 한편, 출력 신호의 발진 주파수는 다음과 같은 수학식 1로 표현될 수 있다. 여기서, CT는 커패시터(C1)와 가변 커패시터(C2, C3)의 합성 커패시턴스 값이다.The LC voltage controlled oscillator oscillates when the absolute value | R in | of the input impedance R in = -2 / g m of the positive feedback circuit constituting the amplifier circuit 120 is equal to or less than the equivalent resistance value of the LC resonant circuit 110. do. On the other hand, the oscillation frequency of the output signal can be represented by the following equation (1). Here, C T is a combined capacitance value of the capacitor C 1 and the variable capacitors C 2 and C 3 .

Figure 112010019664898-pat00001
Figure 112010019664898-pat00001

수학식 1에서 알 수 있는 바와 같이, 전압제어 발진기의 출력신호의 발진 주파수는 LC 공진회로(110)에 포함되는 인덕터(L1)의 인덕턴스 값 또는 합성 커패시턴스 값 CT에 따라 달라지게 된다. 통상적으로 인덕터(L1)로서는 스파이럴 형상의 배선과 인출선 배선으로 이루어지는 스파이럴 인덕터가 이용되며, 트랜지스터(M1, M2)소자와 함께 동일 기판 상에 형성되게 되는데, 이러한 인덕터(L1) 인덕턴스 값은 이산적으로 변화될 수 밖에 없다. 따라서, 그 값 조절을 통해 발진 주파수를 조절하는 데에는 많은 어려움이 따르게 되고, 이에 따라, 인덕터(L1)의 인덕턴스 값으로서는 고정된 값을 사용하게 되며, 버랙터 소자를 구성하는 가변 커패시터(C2, C3)에 제어 신호(vc)를 인가하여 가변 커패시터(C2, C3)의 커패시턴스 값을 조절함으로써 발진 주파수를 제어하는 방식이 널리 이용되고 있다. 이 때, 버랙터 소자의 커패시턴스 값의 가변 범위가 곧 발진 주파수의 가변 범위에 대응되게 된다.As can be seen from Equation 1, the oscillation frequency of the output signal of the voltage controlled oscillator is dependent on the inductance value or the synthesized capacitance value C T of the inductor L 1 included in the LC resonance circuit 110. Typically the inductor (L 1) as is used the wire and the lead wire spiral inductor formed of a wire of the spiral shape, the transistors (M 1, M 2) there is to be formed on the same substrate with the element, this inductor (L 1) inductance The value can only be changed discretely. Therefore, it is difficult to adjust the oscillation frequency by adjusting the value. Accordingly, a fixed value is used as the inductance value of the inductor L 1 , and the variable capacitor C 2 constituting the varactor element is used. , C 3 ) has been widely used to control the oscillation frequency by applying the control signal vc to adjust the capacitance values of the variable capacitors C 2 and C 3 . At this time, the variable range of the capacitance value of the varactor element soon corresponds to the variable range of the oscillation frequency.

한편, 도 1에 도시되는 전압제어 발진기가 동작하기 위해서는 전류원 회로(130)의 전류원(I1)을 구동할 수 있는 전압과 증폭회로(120)에 포함되는 양성 피드백 회로를 동작시키기 위한 전압이 필요하다. 즉, 도 1의 전압제어 발진기의 동작을 위해서는 위 두 전압을 합한 것 만큼의 전압이 최소의 전원전압(VDD)으로서 요구된다. 따라서, 낮은 전원전압(VDD)만으로도 전압제어 발진기를 동작시키기 위해서는 전류원(I1)을 제거할 필요가 있다.Meanwhile, in order to operate the voltage controlled oscillator illustrated in FIG. 1, a voltage capable of driving the current source I 1 of the current source circuit 130 and a voltage for operating the positive feedback circuit included in the amplification circuit 120 are required. Do. That is, for the operation of the voltage controlled oscillator of FIG. 1, a voltage equal to the sum of the two voltages is required as the minimum power supply voltage VDD. Therefore, in order to operate the voltage controlled oscillator even at the low power supply voltage VDD, it is necessary to remove the current source I 1 .

도 2는 이러한 이유에 따라 도 1의 전압제어 발진기에서 전류원(I1)을 제거한 모습을 나타낸다. 그러나, 증폭회로(120)에서 양성 피드백에 의해 부성저항을 갖기 위해서는 트랜지스터(M1, M2)의 게이트-소스 전압이 임계 전압 이상의 값을 가져야 하는데, 도 2의 전압제어 발진기에 있어서는 전원전압(VDD)이 트랜지스터(M1, M2)의 게이트-소스 전압에 해당하게 되므로, 전원전압(VDD)이 트랜지스터(M1, M2)의 임계 전압 이상의 값을 가져야 하는 한계가 존제한다.FIG. 2 shows the removal of the current source I 1 from the voltage controlled oscillator of FIG. 1 for this reason. However, in order to have a negative resistance by positive feedback in the amplifier circuit 120, the gate-source voltage of the transistors M 1 and M 2 should be greater than or equal to a threshold voltage. In the voltage controlled oscillator of FIG. VDD) the gates of the transistors (M 1, M 2) -, so that the source voltage, a limit to the power supply voltage (VDD) and the transistor (have a value more than the threshold voltage of M 1, M 2) and jonje.

또한, 도 1 및 도 2에 도시되는 전압제어 발진기에 있어서는 버랙터 소자를 통해 발진 주파수가 조절되는데, 이에 따라 버랙터 소자로 인해 전압제어 발진기의 특성이 제한받을 수 있는 가능성이 생긴다. 그리고, 버랙터 소자가 제공되지 않는 공정 하에서는 전압제어 발진기의 설계 자체가 불가능해지는 문제점이 존재한다. In addition, in the voltage controlled oscillator illustrated in FIGS. 1 and 2, the oscillation frequency is adjusted through the varactor element, which may cause the characteristics of the voltage controlled oscillator to be limited by the varactor element. In addition, there is a problem in that the design of the voltage controlled oscillator itself is impossible under the process in which the varactor element is not provided.

본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, LC 전압제어 발진기에 있어서, 전원전압 값이 소정의 임계 전압 값 이하가 되더라도 발진 신호를 출력할 수 있도록 하는 것을 그 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to enable an oscillation signal to be output even when a power supply voltage value is less than a predetermined threshold voltage value in an LC voltage controlled oscillator.

또한, 본 발명의 다른 목적은 버랙터 소자가 제공되지 않는 환경 하에서도 LC 전압제어 발진기의 구현을 가능하도록 하는 것이다. In addition, another object of the present invention is to enable the implementation of an LC voltage controlled oscillator even in an environment in which no varactor device is provided.

한편, 본 발명의 또 다른 목적은 LC 전압제어 발진기의 1/f 잡음을 최소화시켜 전체적인 위상잡음을 개선하는 것이다. On the other hand, another object of the present invention is to minimize the 1 / f noise of the LC voltage controlled oscillator to improve the overall phase noise.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따르면, 양단이 출력 노드에 연결되는 1 이상의 인덕터 및 상기 인덕터와 병렬 연결되는 1 이상의 커패시터를 포함하는 LC 공진회로, 및 한 쌍 이상의 스위칭 트랜지스터를 포함하는 증폭회로를 포함하고, 상기 쌍을 이루는 스위칭 트랜지스터의 드레인은 각각 상기 출력 노드에 연결되며, 각각의 게이트와 드레인은 입력 신호에 따라 다른 특성을 나타내는 가변 커패시턴스 블록을 통해 상호 연결되는 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기가 제공된다. According to an embodiment of the present invention for achieving the above object, an LC resonant circuit comprising at least one inductor connected to an output node and at least one capacitor connected in parallel with the inductor, and at least one switching transistor And a drain circuit of the paired switching transistors, each of which is connected to the output node, and each gate and drain are interconnected through a variable capacitance block having different characteristics according to an input signal. An LC voltage controlled oscillator is provided.

상기 가변 커패시턴스 블록은, 게이트 노드에 상기 입력 신호가 인가되는 제어용 트랜지스터, 및 상기 제어용 트랜지스터의 소스와 드레인에 대해 병렬로 연결되는 커패시터를 포함할 수 있다. The variable capacitance block may include a control transistor to which the input signal is applied to a gate node, and a capacitor connected in parallel with a source and a drain of the control transistor.

상기 가변 커패시턴스 블록은, 상기 제어용 트랜지스터의 소스 또는 드레인에 추가되는 저항을 더 포함할 수 있다. The variable capacitance block may further include a resistor added to a source or a drain of the control transistor.

상기 제어용 트랜지스터는 n형 또는 p형 트랜지스터일 수 있다. The control transistor may be an n-type or p-type transistor.

상기 LC 전압제어 발진기는, 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 일정 바이어스 전압을 공급해주는 바이어스 전압 공급회로를 더 포함할 수 있다. The LC voltage controlled oscillator may further include a bias voltage supply circuit for supplying a predetermined bias voltage to the gate of the switching transistor.

상기 바이어스 전압 공급회로는 바이어스 전압 공급용 트랜지스터를 포함하고, 상기 바이어스 전압 공급용 트랜지스터의 게이트는 드레인과 상호 연결되어 저항을 통해 상기 쌍을 이루는 스위칭 트랜지스터의 게이트와 연결됨과 동시에 커패시터를 통해 소스와 연결될 수 있다. The bias voltage supply circuit includes a bias voltage supply transistor, and a gate of the bias voltage supply transistor is connected to a drain and connected to a gate of the paired switching transistor through a resistor and simultaneously connected to a source through a capacitor. Can be.

상기 바이어스 전압 공급회로는 상기 바이어스 전압 공급용 트랜지스터의 드레인에 전류를 공급하는 전류소스를 더 포함할 수 있다. The bias voltage supply circuit may further include a current source for supplying current to the drain of the bias voltage supply transistor.

상기 1 이상의 인덕터는 전원단자에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 소스는 그라운드에 연결되며, 상기 스위칭 트랜지스터는 n형 트랜지스터일 수 있다. The at least one inductor may be connected to a power supply terminal, the source of the switching transistor may be connected to ground, and the switching transistor may be an n-type transistor.

상기 1 이상의 인덕터는 그라운드에 연결되고, 상기 스위칭 트랜지스터의 소스는 전원단자에 연결되며, 상기 스위칭 트랜지스터는 p형 트랜지스터일 수 있다. The at least one inductor may be connected to ground, the source of the switching transistor may be connected to a power supply terminal, and the switching transistor may be a p-type transistor.

상기 LC 전압제어 발진기는, 상기 쌍을 이루는 스위칭 트랜지스터의 소스에 연결되는 전류소스를 갖는 전류원 회로를 더 포함할 수 있다. The LC voltage controlled oscillator may further include a current source circuit having a current source connected to a source of the paired switching transistor.

상기 LC 공진회로는, 직렬 연결된 상태로 상기 1 이상의 인덕터와 병렬 연결되며, 입력 신호에 따라 다른 특성을 나타내는 1 이상의 버랙터 소자를 더 포함할 수 있다. The LC resonant circuit may further include one or more varactor elements connected in parallel with the one or more inductors in series connection and exhibiting different characteristics according to input signals.

본 발명에 따르면, LC 전압제어 발진기에 포함되는 트랜지스터의 게이트-소스 전압이 전원전압 값과는 무관하게 결정되기 때문에, 발진을 위한 전원전압 값의 제한이 없어지게 되며, 트랜지스터의 임계 전압 수준 또는 그보다 낮은 전원전압이 가해지더라도 정상적으로 동작할 수 있게 된다. According to the present invention, since the gate-source voltage of the transistor included in the LC voltage controlled oscillator is determined irrespective of the power supply voltage value, the limitation of the power supply voltage value for oscillation is eliminated, and the threshold voltage level of the transistor or higher is increased. Normal operation is possible even when a low power supply voltage is applied.

또한, 본 발명에 따르면, 트랜지스터와 커패시터를 포함하는 가변 커패시턴스 블록이 버랙터 소자를 대체하기 때문에, 버랙터 소자가 제공되지 않는 환경 하에서도 LC 전압제어 발진기의 구현이 가능해진다. Further, according to the present invention, since the variable capacitance block including the transistor and the capacitor replaces the varactor element, the LC voltage controlled oscillator can be implemented even in an environment in which no varactor element is provided.

한편, 본 발명에 따르면, LC 전압제어 발진기에 있어서, 1/f 잡음의 원인이 되었던 전류소스가 제거되기 때문에 1/f 잡음을 최소화되고, 이에 따라 전체적인 위상잡음이 개선될 수 있게 된다. Meanwhile, according to the present invention, since the current source that caused the 1 / f noise is removed in the LC voltage controlled oscillator, the 1 / f noise can be minimized, and thus the overall phase noise can be improved.

도 1 및 도 2는 종래 LC 전압제어 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 커패시턴스 블록의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가변 커패시턴스 블록의 특성을 설명하기 위한 등가회로도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기에 있어서 제어 전압에 따른 커패시턴스 값을 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기에 인가되는 제어 전압에 따른 발진 주파수를 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다.
1 and 2 are circuit diagrams showing the configuration of a conventional LC voltage controlled oscillator.
3 is a circuit diagram showing the configuration of an LC voltage controlled oscillator according to a first embodiment of the present invention.
4A to 4D are circuit diagrams illustrating a configuration of a variable capacitance block according to an embodiment of the present invention.
5 is an equivalent circuit diagram illustrating the characteristics of a variable capacitance block according to an embodiment of the present invention.
6 is a graph illustrating capacitance values according to control voltages in an LC voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention.
7 is a graph showing oscillation frequency according to a control voltage applied to an LC voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention.
8 is a circuit diagram showing the configuration of an LC voltage controlled oscillator according to a second embodiment of the present invention.
9 is a circuit diagram showing the configuration of an LC voltage controlled oscillator according to a third embodiment of the present invention.
10 is a circuit diagram showing the configuration of an LC voltage controlled oscillator according to a fourth embodiment of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다. 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략하거나 간략하게 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, so that those skilled in the art can easily carry out the technical idea of the present invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail.

[본 발명의 바람직한 실시예][Preferred Embodiment of the Present Invention]

제1 실시예First Embodiment

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다. 3 is a circuit diagram showing the configuration of an LC voltage controlled oscillator according to a first embodiment of the present invention.

도 3에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 LC 전압제어 발진기는 LC 공진회로(310), 증폭회로(320) 및 바이어스 전압 공급회로(330)로 구성될 수 있다.As shown in FIG. 3, the LC voltage controlled oscillator of the present invention may be composed of an LC resonant circuit 310, an amplifier circuit 320, and a bias voltage supply circuit 330.

먼저, LC 공진회로(310)는 전원단자(VDD)에 연결되는 1 이상의 인덕터(L1), 인덕터(L1)와 병렬 연결되는 1 이상의 커패시터(C1)를 포함하여 구성될 수 있다. 상기 인덕터(L1) 및 커패시터(C1)의 양단은 모두 출력 노드(outp, outn)에 연결된다. First, the LC resonant circuit 310 may include one or more inductors L 1 connected to the power supply terminal VDD and one or more capacitors C 1 connected in parallel with the inductor L 1 . Both ends of the inductor L 1 and the capacitor C 1 are connected to the output nodes outp and outn.

또한, 증폭회로(320)는 한 쌍의 트랜지스터(M1, M2)를 포함하여 구성될 수 있다. 트랜지스터(M1, M2)의 게이트 노드는 각각 저항(R1, R2)를 통해서 바이어스 전압에 연결됨과 동시에 각각 가변 커패시턴스 블록(321)을 통해 서로의 드레인 노드와 연결된다. 구체적으로, 트랜지스터(M1)의 게이트 노드가 가변 커패시턴스 블록(321)을 통해 트랜지스터(M2)의 드레인 노드에 연결되고, 트랜지스터(M2)의 게이트 노드는 가변 커패시턴스 블록(321)을 통해 트랜지스터(M1)의 드레인 노드에 연결된다. 트랜지스터(M1, M2)의 드레인 노드는 각각 출력 노드(outp, outn)에 연결되고, 소스 노드는 그라운드에 연결된다. 도 3에서는 증폭회로(320)가 한 쌍의 트랜지스터(M1, M2)를 포함하는 것으로 도시되었으나, 두 쌍 이상의 트랜지스터가 포함될 수도 있다. 가변 커패시턴스 블록(321)에는 제어 전압(vc)이 인가되어 전체적인 가변 커패시턴스 블록(321)의 임피던스가 조절된다. 이에 대해서는 후에 상세히 설명하기로 한다. In addition, the amplifier circuit 320 may include a pair of transistors M 1 and M 2 . Gate nodes of the transistors M 1 and M 2 are connected to the bias voltage through the resistors R 1 and R 2 , respectively, and to the drain nodes of each other through the variable capacitance block 321, respectively. Specifically, the transistor gate nodes of the transistors (M 1) with variable capacitance block 321, the transistor (M 2) coupled to the drain node, and a transistor gate node, a variable capacitance block 321 of the (M 2) of the through Is connected to the drain node of (M 1 ). Transistor M 1 , The drain node of M 2 ) is connected to the output nodes outp and outn, respectively, and the source node is connected to ground. In FIG. 3, the amplifier circuit 320 includes a pair of transistors M 1 and M 2 , but two or more pairs of transistors may be included. A control voltage vc is applied to the variable capacitance block 321 to adjust the impedance of the overall variable capacitance block 321. This will be described later in detail.

한편, 바이어스 전압 공급회로(330)는 전류소스(I1), 드레인 노드와 게이트 노드가 공통노드로 형성되어 저항(R1, R2)을 통해 각각 트랜지스터(M1, M2)의 게이트 노드와 연결되며, 게이트 노드가 커패시터(C2)를 통해 소스 노드와 연결되는 트랜지스터(M3)를 포함하여 구성될 수 있다. 바이어스 전압 공급회로(330)에 있어서는 전류소스(I1)에 의해 트랜지스터(M3)의 게이트 노드가 일정한 DC 전압 값을 가지게 된다. 도 3에서는 위에 설명한 바와 같은 전류소스(I1) 및 트랜지스터(M3)를 포함하는 바이어스 전압 공급회로(330)를 예로 들어 설명하였으나 이러한 구성에 제한되는 것은 아니며, 트랜지스터(M1, M2)의 게이트 노드에 일정 DC 전압을 잡아주기 위한 바이어스 전압 공급회로는 당업자의 필요에 따라 다양한 형태로 변형 설계될 수 있다.On the other hand, in the bias voltage supply circuit 330, the current source I 1 , the drain node, and the gate node are formed as common nodes, and the gate nodes of the transistors M 1 and M 2 are formed through the resistors R 1 and R 2 , respectively. And a gate node connected to the source node through a capacitor C 2 , and may include a transistor M 3 . In the bias voltage supply circuit 330, the gate node of the transistor M 3 has a constant DC voltage value by the current source I 1 . In FIG. 3, the bias voltage supply circuit 330 including the current source I 1 and the transistor M 3 as described above has been described as an example, but is not limited thereto. The transistors M 1 and M 2 are described. The bias voltage supply circuit for applying a constant DC voltage to the gate node of may be modified in various forms according to the needs of those skilled in the art.

한편, 증폭회로(320)에 포함되는 가변 커패시턴스 블록(321)은 다양한 형태로 구현 가능한데, 그 구현예들을 도 4a 내지 도 4d에 나타내었다. On the other hand, the variable capacitance block 321 included in the amplifier circuit 320 can be implemented in various forms, the implementations are shown in Figures 4a to 4d.

도 4a 내지 도 4d에 도시되는 바와 같이 가변 커패시턴스 블록(321)은 기본적으로 게이트 노드에 제어 전압(vc)이 인가되는 트랜지스터(M4), 및 트랜지스터(M4)의 드레인 노드와 소스 노드 사이에 연결되는 커패시터(C3)를 포함할 수 있다. 그러나, 이는 하나의 예에 불과할 뿐이며, 다른 종류의 집중 소자 또는 이와는 다른 종류의 소자로 구현되어, 인가되는 제어 전압(vc)에 따라 다른 전기적 특성을 보일 수 있는 회로라면 얼마든지 가변 커패시턴스 블록(321)으로 적용될 수 있다.As shown in FIGS. 4A to 4D, the variable capacitance block 321 basically includes a transistor M 4 to which a control voltage vc is applied to a gate node, and a drain node and a source node of the transistor M 4 . Capacitor C 3 may be connected. However, this is only one example, and the variable capacitance block 321 can be implemented as long as the circuit is embodied in another kind of lumped element or a different kind of element and can exhibit different electrical characteristics according to the applied control voltage vc. ) Can be applied.

일례로, 도 4a에 도시되는 바와 같이, n형 트랜지스터(M4) 및 n형 트랜지스터(M4)의 드레인 노드와 소스 노드 사이에 연결되는 커패시터(C3)를 포함할 수도 있고, 도 4b에 도시되는 바와 같이, n형 트랜지스터(M4)의 소스 노드가 1 이상의 저항(R3)을 통해 커패시터(C3)의 일단과 연결될 수도 있다. 한편, 도 4c 및 도 4d에 도시되는 바와 같이, 도 4a 및 도 4b에 도시되는 가변 커패시턴스 블록(321)의 구성에서 n형 트랜지스터(M4)가 p형 트랜지스터(M4)로 대체되어 구현될 수도 있다. 본 명세서에서는 도 4a 내지 도 4d에 도시되는 구성을 갖는 가변 커패시턴스 블록(321)을 예로 들어 설명하였으나, 제어 전압(vc) 등의 요소에 따라 임피던스가 달라질 수 있는 구성을 갖는 회로이면 얼마든지 가변 커패시턴스 블록(321)이 될 수 있다.For example, as shown in FIG. 4A, an n-type transistor M 4 and a capacitor C 3 connected between the drain node and the source node of the n-type transistor M 4 may be included. As shown, the source node of the n-type transistor M 4 may be connected to one end of the capacitor C 3 through one or more resistors R 3 . On the other hand, is replaced with, n-type transistors in the structure of the variable capacitance block 321 shown in Fig. 4a and 4b (M 4) is a p-type transistor (M 4) as shown in Figure 4c and Figure 4d be implemented It may be. In the present specification, the variable capacitance block 321 having the configuration illustrated in FIGS. 4A to 4D has been described as an example. However, as long as the circuit has a configuration in which the impedance may vary depending on elements such as the control voltage vc, the variable capacitance may be used. Block 321 may be.

본 발명에 따른 LC 전압제어 발진기에 있어서 출력 신호의 발진 주파수는 다음과 같은 수학식 2로 표현될 수 있다. 여기서는, 가변 커패시턴스 블록(321)이 도 4c에 도시되는 회로로 구현되는 경우를 예로 들기로 한다. In the LC voltage controlled oscillator according to the present invention, the oscillation frequency of the output signal can be expressed by Equation 2 below. Here, the case where the variable capacitance block 321 is implemented by the circuit shown in FIG. 4C is taken as an example.

Figure 112010019664898-pat00002
Figure 112010019664898-pat00002

여기서, CT 값은 회로 전체에 존재하며 특정 제어 전압(vc) 조건에 따라 달라질 수 있는 커패시턴스 값에 따라 결정되는데, 이러한 CT 값은 아래의 수학식 3과 같이 나타낼 수 있다. Here, the C T value is determined according to a capacitance value present in the entire circuit and which may vary according to a specific control voltage vc condition. The C T value may be expressed as Equation 3 below.

Figure 112010019664898-pat00003
Figure 112010019664898-pat00003

여기서, Cgm은 다음의 과정에 의해 구해지는데, 이 값을 구하기 위해 증폭회로(320)에 포함되는 가변 커패시턴스 성분의 특성을 설명하기 위한 등가회로를 도 5와 같이 나타내었다. Here, C gm is obtained by the following process, and an equivalent circuit for explaining the characteristics of the variable capacitance component included in the amplifier circuit 320 is obtained as shown in FIG. 5 to obtain this value.

도 5의 등가회로에서, CP1 및 CP2 는 각각 노드(P1 또는 P2)와 출력 노드(outn 또는 outp)에서의 기생 커패시턴스를 나타내는 것이고, RM4는 트랜지스터(M4)의 채널 저항 및 오프(off) 상태에서의 저항을 나타낸다. In the equivalent circuit shown in Fig. 5, C P1 and C P2 are controlled by the nodes (P1 or P2) and the output node will represent the parasitic capacitance at (outn or outp), R M4 has a channel resistance and off of the transistor (M 4) ( off).

도 5의 왼쪽 반쪽 회로에서 Cgm 값을 구할 수 있다. 출력 노드(outn)에서 바라다보이는 어드미턴스는 다음의 수학식 4로 나타낼 수 있다. The C gm value can be obtained from the left half circuit of FIG. 5. The admittance seen by the output node outn can be represented by the following equation (4).

Figure 112010019664898-pat00004
Figure 112010019664898-pat00004

수학식 4에서 RM4 값이 0으로 접근하면, Ygm 값은 sCP1+sCP2가 되기 때문에, Cgm=CP1+CP2가 된다. 한편, RM4 값이 무한대로 접근하면, Ygm 값은 sCP1C3/(CP1+C3)+sCP2가 되기 때문에, Cgm=CP1C3/(CP1+C3)+CP2가 된다.When R M4 approaches 0 in Equation 4, since Y gm becomes sC P1 + sC P2 , C gm = C P1 + C P2 . On the other hand, if R M4 approaches infinity, Y gm becomes sC P1 C 3 / (C P1 + C 3 ) + sC P2 , so C gm = C P1 C 3 / (C P1 + C 3 ) + C P2 is obtained.

RM4 값이 0으로 접근하는 것은 제어 전압(vc)이 0V인 경우이고, 무한대로 접근하는 것은 제어 전압(vc)이 전원 전압인 경우이다. 제어 전압(vc)이 0V와 전원 전압 사이의 값일 때에는 그 값에 따라 Cgm 값이 달라지게 된다. Approaching the value of R M4 to 0 is when the control voltage vc is 0V, and approaching to infinity is when the control voltage vc is the power supply voltage. When the control voltage vc is a value between 0V and the power supply voltage, the C gm value is changed according to the value.

도 6은 제어 전압(vc)에 따른 Cgm 값의 변화를 나타내는 그래프이다. 여기서는, 제어 전압(vc)이 0V 내지 1.0V 사이에서 가변하는 것으로 가정하여 도시하였다. 한편, 제어 전압(vc)이 달라짐에 따라 CP1 및 CP2 값도 달라지게 되는데, 이 경우에도 도 6의 그래프는 제어 전압(vc)의 크기에 따른 단조 감소 형태로서 그대로 유지될 수 있다. 이렇게 제어 전압(vc)의 크기에 따라 Cgm 값이 달라짐에 따라 CT 값이 달라지게 되고, 발진 주파수가 조절될 수 있게 된다. 즉, 가변 커패시턴스 블록(321)에 포함되는 트랜지스터(M4)의 게이트 노드에 입력되는 제어 전압(vc)에 따라 트랜지스터(M4)가 온(on) 또는 오프(off) 상태로 되며, 그 중간 영역에서도 동작하게 되는데 이에 따라 LC 전압제어 발진기의 공진 주파수가 원하는 값으로 조절될 수 있다. 6 is a graph illustrating a change in the C gm value according to the control voltage vc. Here, it is assumed that the control voltage vc varies between 0V and 1.0V. Meanwhile, as the control voltage vc is changed, the values of C P1 and C P2 also vary. In this case, the graph of FIG. 6 may be maintained as a monotonic reduction form according to the size of the control voltage vc. As the C gm value is changed according to the magnitude of the control voltage vc, the C T value is changed and the oscillation frequency can be adjusted. That is, the transistor M 4 is turned on or off according to the control voltage vc input to the gate node of the transistor M 4 included in the variable capacitance block 321. In this case, the resonance frequency of the LC voltage controlled oscillator can be adjusted to a desired value.

도 7는 도 3에 도시되는 LC 전압제어 발진기 회로의 동작 특성으로서 제어 전압(vc)에 따른 출력 신호의 발진 주파수를 나타내는 그래프이다. 여기에서 역시 전원전압은 0.5V인 것으로 가정하였고, 제어 전압(vc)은 0V 내지 1.0V 사이에서 가변하는 것으로 가정하여 도시하였다. 도 7의 그래프를 얻기 위해 상용회사(TSMC)의 CMOS 모델을 사용하여 도 3의 LC 전압제어 발진기를 구현하였다.FIG. 7 is a graph showing the oscillation frequency of the output signal according to the control voltage vc as an operating characteristic of the LC voltage controlled oscillator circuit shown in FIG. Here, it is also assumed that the power supply voltage is 0.5V, and it is assumed that the control voltage vc varies between 0V and 1.0V. The LC voltage controlled oscillator of FIG. 3 was implemented using a CMOS model of a commercial company (TSMC) to obtain the graph of FIG. 7.

도 7를 참조하면, 가변 커패시턴스 블록(321)에 가해지는 제어 전압(vc)에 따라 발진 주파수가 가변한다는 것을 알 수 있다. 따라서, 버랙터 소자를 사용하지 않고도 가변 커패시턴스 블록(321)에 가해지는 제어 전압(vc)을 적절히 조절하여 원하는 발진 주파수를 갖는 출력 신호를 얻을 수 있게 된다.Referring to FIG. 7, it can be seen that the oscillation frequency varies according to the control voltage vc applied to the variable capacitance block 321. Accordingly, an output signal having a desired oscillation frequency can be obtained by appropriately adjusting the control voltage vc applied to the variable capacitance block 321 without using a varactor element.

한편, LC 전압제어 발진기의 발진 상태에서의 발진 신호 진폭(VOSC)은 아래의 수학식 5와 같이 표현될 수 있다. On the other hand, the oscillation signal amplitude (V OSC ) in the oscillation state of the LC voltage controlled oscillator may be expressed by Equation 5 below.

Figure 112010019664898-pat00005
Figure 112010019664898-pat00005

여기서, Ztotal=(1/gm)//Ztank이고, 1/gm은 회로의 양성 피드백에 따른 부성저항, Ztank는 LC 공진회로(310)의 임피던스 값이다. 한편, gm 값과 I1 값은 다음 수학식 6과 같은 관계를 갖는다. Here, Z total = (1 / g m ) / / Z tank , 1 / g m is the negative resistance according to the positive feedback of the circuit, Z tank is the impedance value of the LC resonant circuit (310). Meanwhile, the g m value and the I 1 value have a relationship as shown in Equation 6 below.

Figure 112010019664898-pat00006
Figure 112010019664898-pat00006

여기서, β 값은 트랜지스터 특성에 따라 변화하는 값으로서, 상수값이고, k는 증폭회로(320)에 포함되는 트랜지스터(M1, M2)의 너비/길이(W/L)와 바이어스 전압 공급회로(330)에 포함되는 트랜지스터(M3)의 너비/길이(W/L)의 비를 나타낸다. Here, β value is a value that changes according to transistor characteristics, and is a constant value, k is a width / length (W / L) and a bias voltage supply circuit of the transistors M 1 and M 2 included in the amplifier circuit 320. The ratio of the width / length (W / L) of the transistor M 3 included in 330 is shown.

제어 전압 범위에서는 양성 피드백에 의한 부성저항 특성을 얻을 수 있는데, 따라서 수학식 5에 따른 발진은 항상 유지될 수 있게 된다. In the control voltage range, the negative resistance characteristic due to the positive feedback can be obtained, so that the oscillation according to Equation 5 can be maintained at all times.

한편, 증폭회로(320)에 포함되는 트랜지스터(M1, M2)의 게이트-소스 전압은 바이어스 전압 공급회로(330)에 의해 결정된다. 즉, 바이어스 전압 공급회로(330)에서 트랜지스터(M3)의 게이트 노드는 전류소스(I1)에 의해 일정 DC 전압 값을 가지게 되는데, 이러한 게이트 노드가 저항(R1, R2)을 통해 트랜지스터(M1, M2)의 게이트 노드와 연결되므로, 트랜지스터(M1, M2)의 게이트 노드 전위는 바이어스 전압 공급회로(330)에 의해 결정된다고 할 수 있다. 따라서, 바이어스 전압 공급회로(330)가 제공하는 바이어스 전압을 적절히 제어하면 증폭회로(320)에 포함되는 트랜지스터(M1, M2)의 게이트-소스 전압을 조절할 수 있게 된다. 증폭회로(320)에서 발진을 위한 부성저항을 갖기 위해서는 트랜지스터(M1, M2)의 게이트-소스 전압이 임계 전압 이상의 값을 가져야 하는데, 바이어스 전압 공급회로(330)에 의해 트랜지스터(M1, M2)의 게이트-소스 전압이 결정되므로, 전원전압(VDD)을 종래 LC 전압제어 발진기 구조에서 사용하던 값보다 낮게 설정하더라도, 발진을 유지할 수 있게 된다. 나아가서는, 발진을 위해 트랜지스터(M1, M2)에서 필요로 하는 최소전류를 보장한다면, 트랜지스터(M1, M2)의 임계 전압 이하의 전원전압(VDD) 조건 하에서도 발진이 가능해진다.Meanwhile, the gate-source voltage of the transistors M 1 and M 2 included in the amplifier circuit 320 is determined by the bias voltage supply circuit 330. That is, in the bias voltage supply circuit 330, the gate node of the transistor M 3 has a constant DC voltage value by the current source I 1 , which is a transistor through the resistors R 1 and R 2 . therefore connected to the gate node of the (M 1, M 2), the gate node voltage of transistor (M 1, M 2) can be said to be determined by the bias voltage supply circuit (330). Therefore, when the bias voltage provided by the bias voltage supply circuit 330 is properly controlled, the gate-source voltage of the transistors M 1 and M 2 included in the amplifier circuit 320 can be adjusted. In order to have a negative resistance for oscillation in the amplifier circuit 320, the gate-source voltage of the transistors M 1 and M 2 should have a value greater than or equal to a threshold voltage. The bias voltage supply circuit 330 causes the transistors M 1 ,. Since the gate-source voltage of M 2 ) is determined, oscillation can be maintained even if the power supply voltage VDD is set lower than that used in the conventional LC voltage controlled oscillator structure. Furthermore, if the guarantee the minimum current needed by the transistors (M 1, M 2) for the oscillation, it is under the transistors (M 1, M 2) the supply voltage (VDD) of less than or equal to the threshold voltage conditions can do the oscillation.

즉, 도 2에 도시되는 바와 같은 LC 전압제어 발진기에 있어서는 전원전압(VDD)이 트랜지스터(M1, M2)의 게이트-소스 전압에 해당하게 되므로, 발진을 위해서는 전원전압(VDD)이 트랜지스터(M1, M2)의 임계 전압 이상의 값을 가져야 하는데, 본 발명의 LC 전압제어 발진기에 따르면, 트랜지스터(M1, M2)의 게이트-소스 전압이 전원전압(VDD)과 무관하기 때문에, 전원전압(VDD)은 트랜지스터(M1, M2)의 임계 전압 값 이하이더라도 발진이 가능해진다. 다만, 트랜지스터(M1, M2)의 드레인-소스전압에 따라 회로에 흐르는 전류값이 달라지기 때문에, 발진을 위한 최소 전류는 보장할 만큼이어야 함은 물론이다. That is, in the LC voltage controlled oscillator as shown in FIG. 2, since the power supply voltage VDD corresponds to the gate-source voltage of the transistors M 1 and M 2 , the power supply voltage VDD is the transistor ( M 1 , M 2 ) should be above the threshold voltage. According to the LC voltage controlled oscillator of the present invention, since the gate-source voltage of the transistors M 1 , M 2 is independent of the power supply voltage VDD, Even when the voltage VDD is equal to or less than the threshold voltage values of the transistors M 1 and M 2 , oscillation is possible. However, since the current value flowing in the circuit varies according to the drain-source voltages of the transistors M 1 and M 2 , the minimum current for oscillation must of course be guaranteed.

한편, LC 전압제어 발진기의 위상잡음 L(Δf) 지표는 다음의 수학식 4와 같이 표현될 수 있다. Meanwhile, the phase noise L (Δf) index of the LC voltage controlled oscillator may be expressed as Equation 4 below.

Figure 112010019664898-pat00007
Figure 112010019664898-pat00007

여기서, Psig(fo)은 발진 주파수의 전력값, Pnoise(Δf)는 특정 오프셋(offset) 주파수만큼 떨어진 위치에서의 전력값이다. 즉, 위상잡음 지표는 Psig(fo)와 Pnoise(f)의 차이로 정의되며, 발진 주파수의 신호 크기를 증가시키거나 특정 오프셋 주파수에서의 전력값을 감소시킴으로써 위상잡음 성능을 개선시킬 수 있다. 특정 오프셋 주파수에서의 전력값 Pnoise(Δf)을 증가시켜 위상잡음을 악화시키는 요인 중의 하나가 전류소스의 플리커 잡음, 즉, 1/f 잡음인데, 이 잡음은 업 컨버전(Up Conversion) 매커니즘에 의해서 발진 주파수 근처로 이동하게 되고, 이에 따라 위상잡음이 악화되게 된다. 도 1에 도시되는 전압제어 발진기는 증폭회로(120)와 그라운드 사이에 전류원 회로(130)가 포함되어 있어 이에 따라 1/f 잡음이 크게 발생하였는데, 도 3의 전압제어 발진기에 있어서는 전류원 회로(130) 대신 한 쌍의 트랜지스터(M1, M2)가 구비되어 전류소스로서의 기능과 함께 증폭기로서도 동작하기 때문에 1/f잡음이 개선될 수 있으며, 이에 따라 Pnoise(Δf) 값이 작아져 전체적인 위상잡음이 개선될 수 있게 된다.Here, P sig (f o ) is a power value of the oscillation frequency, and P noise (Δf) is a power value at a position separated by a specific offset frequency. That is, the phase noise indicator is defined as the difference between P sig (f o ) and P noise (f), and can improve phase noise performance by increasing the signal size of the oscillation frequency or reducing the power value at a specific offset frequency. have. One of the factors that aggravate phase noise by increasing the power value P noise (Δf) at a specific offset frequency is flicker noise, or 1 / f noise, of the current source, which is caused by the Up Conversion mechanism. Moving near the oscillation frequency, the phase noise deteriorates. The voltage controlled oscillator shown in FIG. 1 includes a current source circuit 130 between the amplifying circuit 120 and the ground, thereby generating a large 1 / f noise. In the voltage controlled oscillator of FIG. 1 / f noise can be improved because a pair of transistors (M 1 , M 2 ) are provided and operate as an amplifier together with the function as a current source, thereby reducing the P noise (Δf) value and thus the overall phase. Noise can be improved.

제2 실시예Second Embodiment

도 8은 본 발명의 제2 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다. 8 is a circuit diagram showing the configuration of an LC voltage controlled oscillator according to a second embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기는 도 3에 도시되는 본 발명의 제1 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기에 포함되는 n형 트랜지스터가 모두 p형 트랜지스터로 대체되었고, 전원단자(VDD)와 그라운드의 위치가 서로 바뀌었다는 점을 알 수 있다. Referring to FIG. 8, the LC voltage controlled oscillator according to the second embodiment of the present invention includes all the n-type transistors included in the LC voltage controlled oscillator according to the first embodiment of the present invention as shown in FIG. 3. It has been replaced, and the positions of the power supply terminal (VDD) and the ground are reversed.

구체적으로 본 발명의 제2 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기의 구성을 살펴보면, 제2 실시예의 LC 전압제어 발진기 또한 LC 공진회로(810), 증폭회로(820) 및 바이어스 전압 공급회로(830)를 포함하여 구성된다. Specifically, referring to the configuration of the LC voltage controlled oscillator according to the second embodiment of the present invention, the LC voltage controlled oscillator of the second embodiment also includes the LC resonant circuit 810, the amplifier circuit 820, and the bias voltage supply circuit 830. It is configured to include.

먼저, LC 공진회로(810)의 구성을 살펴보면, 1 이상의 인덕터(L1)가 전원단자(VDD)에 연결되는 대신 그라운드에 연결된다는 점 외에는 도 3에 도시되는 LC 전압제어 발진기의 LC 공진회로(810) 구성과 동일하다.First, referring to the configuration of the LC resonant circuit 810, except that one or more inductors (L 1 ) is connected to the ground instead of being connected to the power supply terminal (VDD) LC resonant circuit of the LC voltage controlled oscillator shown in FIG. 810 is the same as the configuration.

또한, 증폭회로(820)는 한 쌍의 트랜지스터(M1, M2)가 모두 p형 트랜지스터로 구성되는 점, 트랜지스터(M1, M2)의 소스 단자가 전원단자(VDD)에 연결된다는 점 외에는 도 3에 도시되는 LC 전압제어 발진기의 증폭회로(820) 구성과 동일하다. 여기서의 가변 커패시턴스 블록(821) 역시 도 4a 내지 도 4d에 도시되는 형태의 회로 또는 제어 전압(vc)의 크기에 따라 다른 특성을 나타내는 이와는 다른 별도의 회로가 될 수 있다. In addition, the amplifier circuit 820 is a pair of transistors (M 1 , M 2 ) are all composed of a p-type transistor, the source terminal of the transistors M 1 , M 2 is connected to the power supply terminal (VDD) The configuration is the same as that of the amplifier circuit 820 of the LC voltage controlled oscillator shown in FIG. The variable capacitance block 821 may also be a circuit of the type shown in FIGS. 4A to 4D or a separate circuit showing other characteristics according to the size of the control voltage vc.

한편, 바이어스 전압 공급회로(830)는 이에 포함되는 트랜지스터(M3)가 p형 트랜지스터로 구성되는 점, 트랜지스터(M3)의 소스 노드가 전원단자(VDD)에 연결되는 점 외에는 도 3에 도시되는 LC 전압제어 발진기의 바이어스 전압 공급회로(330) 구성과 동일하다. Meanwhile, the bias voltage supply circuit 830 is illustrated in FIG. 3 except that the transistor M 3 included in the bias voltage supply circuit 830 is formed of a p-type transistor, and the source node of the transistor M 3 is connected to the power supply terminal VDD. The configuration of the bias voltage supply circuit 330 of the LC voltage controlled oscillator is the same.

도 8의 LC 전압제어 발진기 역시 가변 커패시턴스 블록(821)에 가해지는 제어 전압(vc)을 제어함으로써 출력 신호의 발진 주파수 또는 그 진폭을 원하는 값으로 조절할 수 있다. The LC voltage controlled oscillator of FIG. 8 may also adjust the oscillation frequency or amplitude of the output signal to a desired value by controlling the control voltage vc applied to the variable capacitance block 821.

제3 실시예Third Embodiment

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다. 9 is a circuit diagram showing the configuration of an LC voltage controlled oscillator according to a third embodiment of the present invention.

도 9에 도시되는 LC 전압제어 발진기는 도 1에 도시되는 종래 LC 전압제어 발진기를 개선한 것이다. The LC voltage controlled oscillator shown in FIG. 9 is an improvement on the conventional LC voltage controlled oscillator shown in FIG.

도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기는 LC 공진회로(910), 증폭회로(920) 및 전류원 회로(930)를 포함하여 구성될 수 있다. Referring to FIG. 9, the LC voltage controlled oscillator according to the third embodiment of the present invention may include an LC resonant circuit 910, an amplifier circuit 920, and a current source circuit 930.

먼저, LC 공진회로(910)는 전원단자(VDD)에 연결되는 1 이상의 인덕터(L1), 인덕터(L1)와 병렬 연결되는 1 이상의 커패시터(C1)를 포함하여 구성될 수 있다. First, the LC resonant circuit 910 may include one or more inductors L 1 connected to the power supply terminal VDD and one or more capacitors C 1 connected in parallel with the inductor L 1 .

또한, 증폭회로(920)는 한 쌍 이상의 트랜지스터(M1, M2)를 포함하여 구성될 수 있고, 트랜지스터(M1, M2)의 게이트 노드와 드레인 노드는 서로 가변 커패시턴스 블록(921)을 통해 연결된다. 구체적으로 트랜지스터(M1)의 게이트 노드가 가변 커패시턴스 블록(921)을 통해 트랜지스터(M2)의 드레인 노드에 연결되고, 트랜지스터(M2)의 게이트 노드가 가변 커패시턴스 블록(921)을 통해 트랜지스터(M1)의 드레인 노드에 연결된다. 이 가변 커패시턴스 블록(921) 역시 도 4a 내지 도 4d에 도시되는 형태의 회로 또는 제어 전압(vc)의 크기에 따라 다른 특성을 나타내는 이와는 다른 별도의 회로가 될 수 있다. In addition, the amplifying circuit 920 may include one or more pairs of transistors M 1 and M 2 , and the gate node and the drain node of the transistors M 1 and M 2 may form a variable capacitance block 921. Connected through. In detail, the gate node of the transistor M 1 is connected to the drain node of the transistor M 2 through the variable capacitance block 921, and the gate node of the transistor M 2 is connected to the drain node of the transistor M 1 through the variable capacitance block 921. M 1 ) is connected to the drain node. The variable capacitance block 921 may also be a circuit of the type shown in FIGS. 4A to 4D or a separate circuit showing other characteristics according to the magnitude of the control voltage vc.

한편, 전류소스(I1)를 포함하는 전류원 회로(930)는 증폭회로(920)와 그라운드 사이에 구비된다. 즉, 전류원 회로(930)에 포함되는 전류소스(I1)가 증폭회로(920)의 트랜지스터(M1, M2)의 소스와 그라운드 사이에 배치된다.Meanwhile, the current source circuit 930 including the current source I 1 is provided between the amplifier circuit 920 and the ground. That is, the current source I 1 included in the current source circuit 930 is disposed between the source and the ground of the transistors M 1 and M 2 of the amplifier circuit 920.

제4 실시예Fourth Embodiment

도 10은 본 발명의 제4 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기의 구성을 나타내는 회로도이다. 10 is a circuit diagram showing the configuration of an LC voltage controlled oscillator according to a fourth embodiment of the present invention.

도 10에 도시되는 LC 전압제어 발진기는 도 7에 도시되는 LC 전압제어 발진기에 버랙터 소자가 더 포함된 구성이다.The LC voltage controlled oscillator shown in FIG. 10 is configured to further include a varactor element in the LC voltage controlled oscillator shown in FIG. 7.

도 10을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 LC 전압제어 발진기 또한 LC 공진회로(1010), 증폭회로(1020) 및 전류원 회로(1030)를 포함하여 구성될 수 있다. LC 공진회로(1010)는 전원단자(VDD)와 연결되는 1 이상의 인덕터(L1), 인덕터(L1)와 병렬 연결되는 1 이상의 커패시터(C1), 인덕터(L1) 및 커패시터(C1)와 병렬 연결되며 상호 직렬 연결되는 1 이상의 버랙터 소자를 포함하여 구성될 수 있다. 도 10에서는 버랙터 소자가 가변 커패시터(C2, C3)로 등가화 되어 표현되었다. LC 공진회로(1010)를 제외한 증폭회로(1020) 및 전류원 회로(1030)의 구성은 도 9의 LC 전압제어 발진기와 동일하기 때문에 그 설명을 생략하기로 한다.Referring to FIG. 10, an LC voltage controlled oscillator according to a fourth embodiment of the present invention may also include an LC resonant circuit 1010, an amplifier circuit 1020, and a current source circuit 1030. The LC resonant circuit 1010, an inductor or more connected to the power supply terminal (VDD) (L 1), the inductor capacitor or more in parallel connected to the (L 1) (C 1), an inductor (L 1) and capacitor (C 1, ) And one or more varactor elements connected in parallel with each other in series. In FIG. 10, the varactor device is represented by being equivalent to the variable capacitors C 2 and C 3 . Since the configurations of the amplifier circuit 1020 and the current source circuit 1030 except for the LC resonant circuit 1010 are the same as those of the LC voltage controlled oscillator of FIG. 9, description thereof will be omitted.

도 10의 LC 전압제어 발진기에 있어서는 LC 공진회로(1010)에 포함되는 버랙터 소자(C2, C3) 및 증폭회로(1020)에 포함되는 가변 커패시턴스 블록(1021)에 제어 전압(vc, vc2)이 인가된다. 즉, 제어 전압(vc, vc2) 인가를 통해 가변 커패시턴스 블록(1021) 뿐만 아니라 버랙터 소자에 포함되는 가변 커패시터(C2, C3)의 커패시턴스 값 또한 가변시킬 수 있고, 이에 따라 발진 주파수의 가변 범위가 더욱 넓어지게 된다.In the LC voltage controlled oscillator of FIG. 10, the control voltages vc and vc2 are applied to the varactor elements C 2 and C 3 included in the LC resonant circuit 1010 and the variable capacitance block 1021 included in the amplification circuit 1020. ) Is applied. That is, by applying the control voltages vc and vc2, not only the variable capacitance block 1021 but also the capacitance values of the variable capacitors C 2 and C 3 included in the varactor elements may be varied, thereby changing the oscillation frequency. The range becomes wider.

이상에서는 도 2, 도 8, 도 9 및 도 10에 도시되는 LC 전압제어 발진기만을 예시하였으나, 다양하게 변형된 형태의 LC 전압제어 발진기의 구현도 가능하다. 예를 들어, 도 9 및 도 10에 도시되는 LC 전압제어 발진기에 포함되는 n형 트랜지스터를 p형 트랜지스터로 대체하는 실시예 또한 가능하며, 도 2 및 도 8의 LC 공진회로에 1 이상의 버랙터 소자를 도 10에서와 같이 포함시키는 실시예 또한 가능하다.In the above, only the LC voltage controlled oscillator illustrated in FIGS. 2, 8, 9 and 10 is illustrated, but various modifications of the LC voltage controlled oscillator may be implemented. For example, an embodiment in which an n-type transistor included in the LC voltage controlled oscillator shown in FIGS. 9 and 10 is replaced with a p-type transistor is also possible, and one or more varactor elements in the LC resonant circuit of FIGS. It is also possible to include an embodiment as in FIG. 10.

이상에서 본 발명이 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Those skilled in the art will appreciate that various modifications, additions and substitutions are possible, without departing from the scope and spirit of the invention as disclosed in the accompanying claims.

따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다. Therefore, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the above-described embodiments, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, I will say.

310, 810, 910, 1010: LC 공진회로
320, 820, 920, 1020: 증폭회로
330, 830: 바이어스 전압 공급회로
730, 1030: 전류원 회로
321, 821, 921, 1021: 가변 커패시턴스 블록
310, 810, 910, 1010: LC resonant circuit
320, 820, 920, 1020: amplification circuit
330, 830: bias voltage supply circuit
730, 1030: current source circuit
321, 821, 921, 1021: variable capacitance block

Claims (11)

양단이 출력 노드들에 연결되는 1 이상의 인덕터, 및 상기 인덕터와 병렬 연결되는 1 이상의 커패시터를 포함하는 LC 공진회로; 및
한 쌍 이상의 스위칭 트랜지스터들을 포함하는 증폭회로를 포함하고,
상기 쌍을 이루는 스위칭 트랜지스터들의 드레인들은 각각 상기 출력 노드들에 각각 연결되며, 각각의 게이트와 드레인은 입력 신호에 따라 공진 주파수가 원하는 값으로 변경되도록 다른 특성을 나타내는 가변 커패시턴스 블록들을 통해 상호 연결되는 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
An LC resonant circuit including at least one inductor connected at both ends to output nodes, and at least one capacitor connected in parallel with the inductor; And
An amplifier circuit comprising a pair of switching transistors,
The drains of the paired switching transistors are each connected to the output nodes, and the respective gates and drains are interconnected through variable capacitance blocks having different characteristics so that the resonant frequency is changed to a desired value according to the input signal. LC voltage controlled oscillator.
제1항에 있어서,
상기 가변 커패시턴스 블록은,
게이트 노드에 상기 입력 신호가 인가되는 제어용 트랜지스터; 및
상기 제어용 트랜지스터의 소스와 드레인에 대해 병렬로 연결되는 커패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
The method of claim 1,
The variable capacitance block,
A control transistor to which the input signal is applied to a gate node; And
And a capacitor connected in parallel with the source and the drain of the control transistor.
제2항에 있어서,
상기 가변 커패시턴스 블록은,
상기 제어용 트랜지스터의 소스 또는 드레인에 추가되는 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
3. The method of claim 2,
The variable capacitance block,
LC voltage controlled oscillator further comprises a resistor added to the source or drain of the control transistor.
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제어용 트랜지스터는 n형 또는 p형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
The method according to claim 2 or 3,
The control transistor is an LC voltage controlled oscillator, characterized in that the n-type or p-type transistor.
제1항에 있어서,
상기 스위칭 트랜지스터의 게이트에 일정 바이어스 전압을 공급해주는 바이어스 전압 공급회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
The method of claim 1,
And a bias voltage supply circuit for supplying a predetermined bias voltage to the gate of the switching transistor.
제5항에 있어서,
상기 바이어스 전압 공급회로는 바이어스 전압 공급용 트랜지스터를 포함하고,
상기 바이어스 전압 공급용 트랜지스터의 게이트는 드레인과 상호 연결되어 저항을 통해 상기 쌍을 이루는 스위칭 트랜지스터의 게이트와 연결됨과 동시에 커패시터를 통해 소스와 연결되는 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
The method of claim 5,
The bias voltage supply circuit includes a bias voltage supply transistor,
And the gate of the bias voltage supply transistor is connected to a gate of the paired switching transistors through a resistor connected to a drain and connected to a source through a capacitor.
제6항에 있어서,
상기 바이어스 전압 공급회로는 상기 바이어스 전압 공급용 트랜지스터의 드레인에 전류를 공급하는 전류소스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
The method according to claim 6,
The bias voltage supply circuit further comprises a current source for supplying current to the drain of the bias voltage supply transistor.
제1항에 있어서,
상기 1 이상의 인덕터는 전원단자에 연결되고,
상기 스위칭 트랜지스터의 소스는 그라운드에 연결되며,
상기 스위칭 트랜지스터는 n형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
The method of claim 1,
The at least one inductor is connected to a power terminal,
The source of the switching transistor is connected to ground,
And said switching transistor is an n-type transistor.
제1항에 있어서,
상기 1 이상의 인덕터는 그라운드에 연결되고,
상기 스위칭 트랜지스터의 소스는 전원단자에 연결되며,
상기 스위칭 트랜지스터는 p형 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
The method of claim 1,
The at least one inductor is connected to ground,
The source of the switching transistor is connected to the power supply terminal,
And said switching transistor is a p-type transistor.
제1항에 있어서,
상기 쌍을 이루는 스위칭 트랜지스터의 소스와 그라운드 사이에 연결되는 전류소스를 갖는 전류원 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
The method of claim 1,
And a current source circuit having a current source connected between the source and the ground of the paired switching transistors.
제1항에 있어서,
상기 LC 공진회로는,
직렬 연결된 상태로 상기 1 이상의 인덕터와 병렬 연결되며, 입력 신호에 따라 다른 특성을 나타내는 1 이상의 버랙터 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 LC 전압제어 발진기.
The method of claim 1,
The LC resonant circuit,
And one or more varactor elements connected in parallel with the one or more inductors in series and exhibiting different characteristics according to input signals.
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