KR101313117B1 - System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator - Google Patents

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KR101313117B1
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KR20127028281A
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브라이언 제이. 갤리
윌리엄 제이. 커밍스
밍-하우 퉁
클라렌스 추이
Original Assignee
퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크.
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    • G02B26/001Optical devices or arrangements using movable or deformable optical elements for controlling the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light, e.g. switching, gating, modulating based on interference in an adjustable optical cavity
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    • B81B2201/04Optical MEMS
    • B81B2201/042Micromirrors, not used as optical switches

Abstract

간섭 변조기는 고정층과 상기 고정층에 대향하는 미러에 의해 형성된다. Interference modulator is formed by a mirror facing the fixed layer and the fixing layer. 상기 미러는 비구동 위치와 구동 위치 사이에서 이동가능하다. The mirror is movable between a non-driving position to the driving position. 랜딩 패드, 범프 또는 스프링 클립이 상기 고정층과 상기 미러 중 적어도 하나 위에 형성된다. The landing pad, bump or the spring clip is formed on at least one of the fixed layer and the mirror. 랜딩 패드, 범프 또는 스프링 클립에 의해 상기 미러가 구동 위치에 있을 때 상기 고정층과 상기 미러가 서로 접촉하는 것을 방지할 수 있다. When by the landing pad, a bump or a spring clip to the mirror driving position and the fixed bed and the mirror can be prevented from contacting each other. 상기 스프링 클립은 상기 미러가 구동 위치에 있고 스프링 클립과 접촉하고 있을 때 상기 미러가 상기 비구동 위치쪽으로 이동하도록 힘을 인가한다. The spring clip applies a force to the mirror moving towards the non-operative position when said mirror is in a driving position in contact with the spring clip.

Description

간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR MICRO-ELECTROMECHANICAL OPERATING OF AN INTERFEROMETRIC MODULATOR} System and method for micro-electromechanical operation of the interference modulator {SYSTEM AND METHOD FOR MICRO-ELECTROMECHANICAL OPERATING OF AN INTERFEROMETRIC MODULATOR}

본 출원은 2004년 7월 29일에 출원된 미국출원 제10/909,228호와 2005년 1월 27일에 출원된 미국출원번호 제11/048,662호에 부분적으로 이어지는 것이며, 상기 문헌들은 그 전체 내용이 여기에 원용된다. This application is in part leading to the US Application No. 10 / 909,228 calls and US Application No. 11 / 048,662, filed on January 27, 2005 filed on July 29, 2004, the literature, the entire contents here it is incorporated in. 본 출원은 또한 2004년 9월 27일에 출원된 미국가출원 제60/613,466호와, 2004년 9월 27일에 출원된 미국가출원 제60/613,499호와, 2005년 3월 4일에 출원된 제60/658,867호의 우선권을 청구하며, 상기 문헌들의 전체 내용은 여기에 원용된다. This application is also filed on March 4 and the filed September 27, 2004 migukga Application No. 60 / 613,466 calls, filed on September 27, 2004 migukga Application No. 60 / 613,499 calls in 2005, the 60 / 658,867, and claims priority to favor, the entire contents of the above documents are incorporated herein.

본 발명은 간섭 변조기로서 사용하기 위한 미소기전 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a micro-electromechanical system for use as an interference modulator. 더욱 구체적으로, 본 발명은 간섭 변조기의 미소기전 동작을 향상시키기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다. More particularly, the present invention relates to systems and methods for improving the micro-electromechanical operation of the interference modulator.

미소 기전 시스템(MEMS)은 미소 기계 소자, 액추에이터, 및 전자 기기를 포함한다. Micro-electromechanical system (MEMS) includes a minute mechanical elements, actuators, and electronics. 미소 기계 소자는 침적(deposition), 에칭, 및/또는, 기판 및/또는 침적된 재료 층의 일부를 에칭으로 제거하거나 전기 기기 및 기전 기기를 만들기 위해 층을 부가하는 그 밖의 기타 미소 기계 가공 공정을 이용하여 제조될 수 있다. Smile machine element is deposited (deposition), etching, and / or the substrate and / or removing a portion of the deposited material layer by etching, or any other other smile machining step of adding a layer to make the electric apparatus and the mechanism unit It can be prepared using. 미소 기전 시스템 기기의 한 형태로서 간섭 변조기가 있다. As a form of micro-electromechanical systems device is an interference modulator. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 간섭 변조기 또는 간섭 광변조기는 광 간섭의 원리를 이용하여 광을 선택적으로 흡수하거나 반사하는 기기를 말한다. As used herein, the interference modulator or interference light modulator refers to a device that selectively absorb or reflect the light using the principles of optical interference. 특정한 실시예에서, 간섭 변조기는 한 쌍의 도전성 플레이트를 포함하고, 이들 중 하나 또는 양자 모두는 전체적으로 또는 부분적으로 투명하거나 및/또는 반사성을 가지고 있을 수 있고, 적절한 전기 신호가 인가되면 상대적으로 이동할 수 있다. In a particular embodiment, the interference modulator includes a pair comprises a conductive plate of, one or both of which may be wholly or in part with a transparent and / or reflective, the relatively moves when applying a suitable electrical signal have. 특별한 실시예에서, 하나의 플레이트는 기판상에 배치된 고정층을 포함하여 구성되고, 다른 하나의 플레이트는 에어갭에 의해 상기 고정층으로부터 이격된 금속막을 포함하여 구성될 수 있다. In a particular embodiment, one plate is configured to include a fixed bed disposed on the substrate, the other plate may be configured by including the air gap a film of metal away from the fixed bed. 본 명세서에 더욱 상세히 기재된 바와 같이, 하나의 플레이트 위치는 다른 하나의 플레이트의 위치와 관련하여 간섭 변조기 상에 입사하는 광의 광 간섭을 변화시킬 수 있다. As described more fully disclosed herein, a single plate position may change the optical interference of light incident on the interference modulator in relation to the position of the other of the plates. 이러한 기기는 그 응용분야가 넓고, 이러한 형태의 기기의 특성을 활용 및/또는 개조하여, 그 특성이 기존의 제품을 개선하고 아직까지 개발되지 않은 새로운 제품을 창출하는 데에 이용될 수 있도록 하는 것은 해당 기술분야에서 매우 유익할 것이다. This unit is spacious and its applications, utilizing and / or modify the characteristics of this type of equipment, its characteristics is that to be used to create new products, improve existing products and have not yet been developed to It would be very beneficial in the art.

본 발명의 시스템, 방법 및 기기 각각은 몇 가지의 관점을 가지고 있으며, 하나의 관점이 단독으로 그 원하는 특성에 책임이 있는 것은 아니다. Each system, method, and devices of the present invention may have some point of view of, not a single point of view is responsible for the desired properties by itself. 본 발명의 범주에 제한 없이, 그 더욱 현저한 특징들에 대해 요약할 것이다. Without limiting the scope of the present invention, it will be summarized for its more salient features. 본 요약을 고려한 후, 특히 제목이 "Detailed Description of Certain Embodiments"인 장(section)을 읽은 후, 본 발명의 특징들이 다른 디스플레이 기기에 대해 어떻게 이점을 제공하는지를 이해하게 될 것이다. After considering the present summary, especially after reading the title "Detailed Description of Certain Embodiments" in chapter (section), it will understand how features of the present invention provide advantages over other display devices do.

본 발명의 한 관점은 제1 층, 제2 층 및 부재를 포함하는 간섭 변조기를 제공한다. One aspect of the present invention provides an interference modulator that includes a first layer, a second layer and the member. 제1 층은 제1 반사 평면부를 포함한다. The first layer comprises the first reflecting plane portions. 제2 층은 상기 제1 반사 평면부에 실질적으로 평행하게 위치하는 제2 반사 평면부를 포함한다. The second layer comprises the second reflecting plane portion substantially parallel to the plane of the first reflection portion. 상기 제2 층은 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동가능하다. The second layer is movable between a first position and a second position. 상기 제1 위치는 상기 제1 층으로부터의 제1 거리에 위치한다. The first position is located at a first distance from the first layer. 상기 제2 위치는 상기 제1 층으로부터의 제2 거리에 위치한다. The second position is located at a second distance from the first layer. 상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 크다. The second distance being greater than the first distance. 상기 부재는 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 위치한 표면을 가진다. The member has a surface located between the first layer and the second layer. 상기 부재는 상기 제2 층이 상기 제1 위치에 있을 때 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 하나 이상의 갭 영역을 형성하며, 상기 하나 이상의 갭 영역 내에서 상기 제2 층은 상기 제1 층 및 상기 부재의 어느 것과도 접촉하지 않는다. Wherein the member is the second layer and the second layer is in the first layer and the second forming at least one gap region between layers, the one or more gap region when in the first position is the first layer and it does not make contact with any of the members.

본 발명의 다른 관점은 제1 표면, 제2 표면 및 제3 표면을 포함하는 미소 기전 기기를 제공한다. Another aspect of the present invention provides a micro-electromechanical device comprising a first surface, a second surface and a third surface. 제2 표면은 상기 제1 표면에 실질적으로 평행하게 위치한다. The second surface is substantially parallel to the to the first surface. 상기 제2 표면은 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동가능하다. The second surface is movable between a first position and a second position. 상기 제1 위치는 상기 제1 표면으로부터의 제1 거리에 위치한다. The first position is located at a first distance from the first surface. 상기 제2 위치는 상기 제1 표면으로부터의 제2 거리에 위치한다. The second position is located at a second distance from the first surface. 상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 크다. The second distance being greater than the first distance. 상기 제3 표면은 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 사이에 위치한다. The third surface is positioned between the first surface and the second surface. 상기 제3 표면은 상기 제2 표면이 상기 제1 위치에 있을 때 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 사이에 하나 이상의 갭 영역을 형성하며, 상기 하나 이상의 갭 영역 내에서 상기 제2 표면은 상기 제1 표면 및 상기 제3 표면의 어느 것과도 접촉하지 않는다. The third surface is the second surface of the first and the second surface in the first surface and the second forming at least one gap region between the surfaces, the one or more gap region when in said first position first surface and does not make contact with any of the third surface.

본 발명의 다른 관점은 제1 층, 제2 층 및 복수의 부재를 포함하는 미소 기전 기기를 제공한다. Another aspect of the present invention provides a micro-electromechanical device comprising a first layer, a second layer and a plurality of members. 상기 제2 층은 상기 제1 층에 실질적으로 평행하게 위치한다. The second layer is substantially parallel position to the first layer. 상기 제2 층은 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동가능하다. The second layer is movable between a first position and a second position. 상기 제1 위치는 상기 제1 표면으로부터의 제1 거리이다. The first position is a first distance from the first surface. 상기 제2 위치는 상기 제1 표면으로부터의 제2 거리이다. The second position is a second distance from the first surface. 상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 크다. The second distance being greater than the first distance. 상기 복수의 부재 각각은 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 위치하는 표면을 포함한다. Each of the plurality of members comprises a surface positioned between the first layer and the second layer. 상기 복수의 부재는 상기 제2 층이 상기 제1 위치에 있을 때 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 하나 이상의 갭 영역을 형성하며, 상기 하나 이상의 갭 영역 내에서 상기 제2 층은 상기 제1 층 및 상기 복수의 부재의 어느 것과도 접촉하지 않는다. Said plurality of members is the second layer and the second layer is in the first layer and the second forming at least one gap region between layers, the one or more gap region when in the first position is the first the first layer and does not make contact with any of said plurality of members.

본 발명의 또 다른 관점은 제1 표면, 제2 표면, 및 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 중 적어도 하나 위에 있는 적어도 하나의 구조체를 포함하는 미소 기전 기기를 제공한다. Another aspect of the invention provides a first surface, a second surface, and a micro-electromechanical device comprising at least one structure in which on the first surface and the second at least one of the surfaces. 상기 제2 표면은 상기 제1 표면에 실질적으로 평행하게 위치한다. The second surface is substantially parallel position to the first surface. 상기 제2 표면은 구동 위치와 비구동 위치 사이에서 상기 제1 표면과 관련해서 이동가능하다. The second surface is movable with respect to the first surface between the driving position and a non-operative position. 상기 구동 위치는 상기 비구동 위치보다 상기 제1 표면에 더 가깝다. The drive position is closer to the first surface than the non-driven position. 상기 적어도 하나의 구조체는 상기 제2 표면이 상기 구동 위치에 있을 때 상기 제1 표면과 상기 제2 표면에 의해 압축된다. The at least one structure is compressed by the second surface and the first surface when the second surface is in the driving position. 상기 적어도 하나의 구조체는 상기 제2 표면이 상기 구동 위치에 있을 때 상기 제2 표면에 힘을 제공한다. The at least one structure and provides a force to the second surface when the second surface is in the driving position. 상기 힘은 상기 제2 표면이 상기 구동 위치로부터 상기 비구동 위치로 이동하게 원조한다. The power assist to the second surface moves in the non-operative position from the driving position.

본 발명의 또 다른 관점은 간섭 변조기를 제조하는 방법을 제공한다. Another aspect of the invention provides a method for producing the interference modulator. 상기 방법은 제1 층을 제공하는 단계, 제2 층을 형성하는 단계 및 표면을 포함하는 부재를 형성하는 단계를 포함한다. The method includes forming a member including a step surface and the step of forming the second layer to provide a first layer. 상기 제1 층은 제1 반사 평면부를 포함한다. And wherein the first layer comprises the first reflecting plane portions. 상기 제2 층은 제2 반사 평면부를 포함한다. The second layer comprises the second reflecting plane portions. 상기 제2 반사 평면부는 상기 제1 반사 평면부에 실질적으로 평행하게 위치한다. The second reflecting plane portion substantially parallel position to the first reflecting plane surface. 상기 제2 층은 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동가능하다. The second layer is movable between a first position and a second position. 상기 제1 위치는 상기 제1 층으로부터의 제1 거리이다. The first position is a first distance from the first layer. 상기 제2 위치는 상기 제1 층으로부터의 제2 거리이다. The second position is a second distance from the first layer. 상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 크다. The second distance being greater than the first distance. 상기 부재의 표면은 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 위치한다. Surface of said member is positioned between the first layer and the second layer. 상기 부재는 상기 제2 층이 상기 제1 위치에 있을 때 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 하나 이상의 갭 영역을 형성하며, 상기 하나 이상의 갭 영역 내에서 상기 제2 층은 상기 제1 층 및 상기 부재의 어느 것과도 접촉하지 않는다. Wherein the member is the second layer and the second layer is in the first layer and the second forming at least one gap region between layers, the one or more gap region when in the first position is the first layer and it does not make contact with any of the members.

본 발명의 추가의 관점은 방법에 의해 제조된 미소 기전 기기를 제공한다. Further aspect of the present invention provides a micro-electromechanical devices produced by the method. 상기 방법은 제1 층을 제공하는 단계, 제2 층을 제공하는 단계 및 표면을 포함하는 부재를 제공하는 단계를 포함한다. The method comprises providing a member comprising a step surface and to provide a step, the second layer providing a first layer. 상기 제1 층은 제1 반사 평면부를 포함한다. And wherein the first layer comprises the first reflecting plane portions. 상기 제2 층은 제2 반사 평면부를 포함한다. The second layer comprises the second reflecting plane portions. 상기 제1 반사 평면부와 상기 제2 반사 평면부 중 하나는 부분적인 반사성이 될 수 있다. One of the first reflecting plane surface and the second reflecting plane surface may be partial reflectivity. 상기 제2 반사 평면부는 상기 제1 반사 평면부에 실질적으로 평행하게 위치한다. The second reflecting plane portion substantially parallel position to the first reflecting plane surface. 상기 제2 층은 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동가능하다. The second layer is movable between a first position and a second position. 상기 제1 위치는 상기 제1 층으로부터의 제1 거리이다. The first position is a first distance from the first layer. 상기 제2 위치는 상기 제1 층으로부터의 제2 거리이다. The second position is a second distance from the first layer. 상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 크다. The second distance being greater than the first distance. 상기 부재의 표면은 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 위치한다. Surface of said member is positioned between the first layer and the second layer. 상기 부재는 상기 제2 층이 상기 제1 위치에 있을 때 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 하나 이상의 갭 영역을 형성하며, 상기 하나 이상의 갭 영역 내에서 상기 제2 층은 상기 제1 층 및 상기 부재의 어느 것과도 접촉하지 않는다. Wherein the member is the second layer and the second layer is in the first layer and the second forming at least one gap region between layers, the one or more gap region when in the first position is the first layer and it does not make contact with any of the members.

본 발명의 추가의 관점은 미소 기전 기기를 동작시키는 방법을 제공한다. Further aspect of the invention provides a method of operating a micro-electromechanical device. 여기서, 상기 기기는 제1 층, 제2 층 및 부재를 포함한다. Here, the device comprises a first layer, a second layer and the member. 상기 기기의 제2 층은 상기 제1 층에 실질적으로 평행하게 위치한다. The second layer of the device is substantially positioned parallel to the first layer. 상기 부재는 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 위치한 표면을 포함한다. It said member comprises a surface located between the first layer and the second layer. 상기 부재의 표면은 상기 제1 층과 상기 제2 층의 유일한 부분들 사이에 위치한다. Surface of said member is located between the sole portion of the first layer and the second layer. 상기 기기를 동작시키는 방법은, 비구동 위치로부터 구동 위치 쪽으로 상기 제1 층에 대해 제2 층을 이동시키는 단계를 포함한다. And a step of a method of operating the device is moved to the second layer to the first layer toward the driving position from the non driving position. 상기 구동 위치는 상기 비구동 위치보다 상기 제1 층에 더 가깝다. The drive position is closer to the first layer than that of the non-driven position. 상기 방법은, 상기 제2 층의 이동을 상기 구동 위치에서 정지시키기 위해 상기 제1 층과 상기 제2 층 중 적어도 하나와 상기 부재를 접촉시키는 단계를 더 포함하며, 상기 부재는 상기 제2 층이 상기 구동 위치에 있을 때 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 하나 이상의 갭 영역을 형성하며, 상기 하나 이상의 갭 영역 내에서 상기 제2 층은 상기 제1 층 및 상기 부재의 어느 것과도 접촉하지 않는다. The method, wherein further comprising the step of contacting at least one and the member of the first layer and the second layer to stop the movement of the second layer in said drive position, said member is a second layer in the first layer and the second layer over the one, forming at least one gap region gap between zone when in the driving position and the second layer is not in contact also with any of the first layer and the member no.

본 발명의 추가의 관점은 미소 기전 기기를 제공한다. Further aspect of the present invention provides a micro-electromechanical device. 상기 기기는 입사광을 부분적으로 반사시키고 부분적으로 투과시키는 제1 수단 및 입사광을 실질적으로 반사시키는 제2 수단을 포함한다. And wherein the device comprises a second means for reflecting the first means and the incident light that reflects incident light partially and partially transmitting substantially. 상기 기기는 구동 위치와 비구동 위치 사이에서 상기 제2 수단에 대해 상기 제1 수단을 이동시키는 수단을 더 포함한다. And said apparatus comprises means for moving said first means to said second means further between the drive position and a non-operative position. 상기 기기는 상기 제2 수단이 상기 구동 위치에 있을 때 상기 제1 수단과 상기 제2 수단 사이를 분리하는 수단을 더 포함한다. And the apparatus comprises a means for separating between the first means and the second means further when the second means is in said driving position. 상기 구동 위치는 상기 비구동 위치보다 상기 제1 수단에 더 가깝다. The drive position is closer to the first means than the non-driven position. 상기 제1 수단은 예를 들어 부분 미러 표면을 포함할 수 있다. The first means may include a portion containing a mirror surface, for example. 상기 제2 수단은 예를 들어 완전 미러 표면을 포함할 수 있다. The second means, for example, may include a complete mirror surface. 상기 이동시키는 수단은 예를 들어 변형가능한 층을 포함할 수 있다. Means for the mobile may contain include a deformable layer, for example. 상기 분리하는 수단은 예를 들어 범프, 랜딩 패드 또는 스프링 클립 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. It means for the separation can include at least one of, for example bumps, the landing pad or spring clip.

본 발명의 추가의 관점은 미소 기전 기기를 제공한다. Further aspect of the present invention provides a micro-electromechanical device. 상기 기기는 입사광을 부분적으로 반사시키고 부분적으로 투과시키는 제1 수단 및 입사광을 실질적으로 반사시키는 제2 수단을 포함한다. And wherein the device comprises a second means for reflecting the first means and the incident light that reflects incident light partially and partially transmitting substantially. 상기 기기는 The device is

구동 위치와 비구동 위치 사이에서 상기 제2 수단에 대해 상기 제1 수단을 이동시키는 수단 및 상기 제2 수단이 상기 구동 위치에 있을 때 상기 비구동 위치쪽으로 이동하도록 상기 제2 수단에 힘을 인가하는 수단을 더 포함한다. Between the drive position and a non-operative position means, and wherein the moving the first means to the second means 2 means that the force on the second means is to move toward the non-driving position when in the driving position and further including means. 상기 제1 수단은 예를 들어 부분 미러 표면을 포함할 수 있다. The first means may include a portion containing a mirror surface, for example. 상기 제2 수단은 예를 들어 완전 미러 표면을 포함할 수 있다. The second means, for example, may include a complete mirror surface. 상기 이동시키는 수단은 예를 들어 변형가능한 층을 포함할 수 있다. Means for the mobile may contain include a deformable layer, for example. 상기 힘을 인가하는 수단은 예를 들어, 스프링 클립을 포함할 수 있고, 다른 예로서는 탄성 중합체를 포함하는 범프 또는 랜딩 패드를 포함할 수 있다. Means for applying the force, for example, may comprise a spring clip, other examples may include a bump or landing pad comprising the elastic polymer.

본 발명의 또 다른 추가의 관점은 간섭 변조기를 제공한다. Another further aspect of the present invention provides an interference modulator. 상기 간섭 변조기는 제1 층, 제2 층 및 상기 제1 층과 상기 제2 층 중 적어도 하나 위에 적어도 하나의 범프를 포함한다. Wherein the interference modulator includes at least one bump on at least one of the first layer, the second layer and the first layer and the second layer. 상기 제1 층은 제1 반사 평면부를 포함한다. And wherein the first layer comprises the first reflecting plane portions. 상기 제2 층은 상기 제1 반사 평면부에 실질적으로 평행하게 위치하는 제2 반사 평면부를 포함한다. The second layer comprises the second reflecting plane portion substantially parallel to the plane of the first reflection portion. 상기 제2 층은 구동 위치와 비구동 위치 사이에서 이동가능하다. The second layer is movable between a driving position and a non-operative position. 상기 구동 위치는 상기 비구동 위치보다 상기 제1 층에 더 가깝다. The drive position is closer to the first layer than that of the non-driven position. 상기 적어도 하나의 범프는 상기 제1 층과 상기 제2 층이 서로 접촉하는 것을 방지하도록 구성되어 있다. The at least one bump is configured to prevent the first layer and the second layer contact each other.

본 발명의 또 다른 추가의 관점은 제1 층, 제2 층 및 상기 제1 층과 상기 제2 층 상에 위치하는 적어도 하나의 랜딩 패드를 포함하는 간섭 변조기를 제공한다. Another further aspect of the present invention provides an interference modulator comprising at least one landing pad positioned on the first layer, the second layer and the first layer and the second layer. 상기 제1 층은 제1 반사 평면부를 포함한다. And wherein the first layer comprises the first reflecting plane portions. 상기 제2 층은 상기 제1 반사 평면부에 실질적으로 평행하게 위치하는 제2 반사 평면부를 포함한다. The second layer comprises the second reflecting plane portion substantially parallel to the plane of the first reflection portion. 상기 제2 층은 구동 위치와 비구동 위치 사이에서 이동가능하다. The second layer is movable between a driving position and a non-operative position. 상기 구동 위치는 상기 비구동 위치보다 상기 제1 층에 더 가깝다. The drive position is closer to the first layer than that of the non-driven position. 상기 적어도 하나의 랜딩 패드는 상기 제2 층이 상기 구동 위치에 있을 때, 상기 제1 층과 상기 제2 층 중 하나가 접촉하고 있지 않은 동안 접촉하는 접촉 영역을 포함한다. It said at least one landing pad comprises a contact region in contact for the first and second layers are not in contact when in the driving position, wherein the one of the first layer and the second layer are.

본 발명의 또 다른 추가의 관점은 간섭 변조기를 제공한다. Another further aspect of the present invention provides an interference modulator. 상기 간섭 변조기는 제1 층, 제2 층 및 상기 제1 층과 상기 제2 층 중 적어도 하나 사이에 위치하는 적어도 하나의 스프링 부재를 포함한다. Wherein the interference modulator includes at least one spring member located between the first layer and the second layer and the at least one of the first layer and the second layer. 상기 제1 층은 제1 반사 평면부를 포함한다. And wherein the first layer comprises the first reflecting plane portions. 상기 제2 층은 상기 제1 반사 평면부에 실질적으로 평행하게 위치하는 제2 반사 평면부를 포함한다. The second layer comprises the second reflecting plane portion substantially parallel to the plane of the first reflection portion. 상기 제1 반사 평면부와 상기 제2 반사 평면부 중 하나는 부분적인 반사성이 될 수 있다. One of the first reflecting plane surface and the second reflecting plane surface may be partial reflectivity. 상기 제2 층은 구동 위치와 비구동 위치 사이에서 이동가능하다. The second layer is movable between a driving position and a non-operative position. 상기 구동 위치는 상기 비구동 위치보다 상기 제1 층에 더 가깝다. The drive position is closer to the first layer than that of the non-driven position. 상기 적어도 하나의 스프링 부재는 상기 제2 층이 상기 구동 위치로 이동할 때 상기 제1 층 및 상기 제2 층 중 적어도 하나에 의해 압착된다. The at least one spring member is pressed by at least one of the first layer and the second layer when the second layer to move to the drive position. 상기 적어도 하나의 스프링 부재는 상기 제2 층이 상기 구동 위치에 있을 때 상기 비구동 위치쪽으로 상기 제2 층에 힘을 가하도록 구성되어 있다. The at least one spring member is configured to exert a force on the second layer towards the non-operative position when the second layer is in the driving position.

다른 실시예는 간섭 변조기, 디스플레이, 프로세서 및 메모리 기기를 포함하는 디스플레이 시스템을 제공한다. Another embodiment provides a display system including the interference modulator, a display, a processor and a memory device. 상기 프로세서는 상기 디스플레이와 전기적으로 연결되어 있고, 이미지 데이터를 처리하도록 구성되어 있다. The processor is connected to the display and electrically, so as to process the image data. 상기 메모리 기기는 상기 프로세서와 전기적 통신 상태에 있다. The memory device is in electrical communication with the processor.

다른 실시예는 간섭 변조기를 포함하는 미소 기전 시스템(MEMS) 기기 제조 방법을 제조 방법을 제공한다. Other embodiments the micro-electromechanical system (MEMS) device manufacturing method comprising the interference modulator provides a process for producing the same. 상기 방법은 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극의 적어도 일부 위에 유전 재료를 침적시키는 단계, 및 가변 두께 유전층을 형성하기 위해 상기 제1 전극 위로부터 상기 유전 재료의 일부를 제거하는 단계를 포함한다. The method from the first electrode to the top to form a step, and a variable thickness dielectric layer of deposited dielectric material on at least a portion of the step, the first electrode forming a first electrode for removing a portion of the dielectric material, It includes. 상기 방법은 상기 가변 두께 유전층의 적어도 일부 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함한다. The method further comprises the step of forming a second electrode over at least a portion of the variable thickness of the dielectric layer. 실시예에서, 상기 제1 전극 위에 있는 상기 유전 재료의 적어도 일부 위에 희생층이 침적된다. In an embodiment, a sacrificial layer is deposited over at least a portion of the dielectric material on the first electrode. 상기 희생층 및 상기 유전 재료의 적어도 일부는 나중의 에칭 단계 동안 제거될 수 있다. The sacrificial layer and at least a portion of the dielectric material can be removed during the etching step of the latter. 다른 실시예는 이러한 방법에 의해 제조된 간섭 변조기를 제공한다. Another embodiment provides an interference modulator produced by such methods.

다른 실시예는 간섭 변조기를 제조하는 방법을 제공한다. Another embodiment provides a method for producing the interference modulator. 상기 방법은 제1 전극을 형성하는 단계 및 상기 제1 전극의 적어도 일부 위에 유전층을 침적시키는 단계를 포함한다. The method comprises the step and the step of depositing a dielectric layer over at least a portion of the first electrode to form a first electrode. 상기 방법은 가변 두께 유전층을 형성하기 위해 상기 유전층의 일부를 제거하는 단계, 상기 가변 두께 유전층 위에 희생층을 침적시키는 단계, 상기 희생층을 평탄화하는 단계; The method includes the step of depositing the step of removing a portion of the dielectric layer, a sacrificial layer over the variable thickness of the dielectric layer to form a variable thickness dielectric layer, planarizing the sacrificial layer; 및 상기 희생층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함한다. And further comprising the step of forming a second electrode on the sacrificial layer. 다른 실시예는 이러한 방법에 의해 제조된 간섭 변조기를 제공한다. Another embodiment provides an interference modulator produced by such methods.

다른 실시예는 간섭 변조기를 제조하는 방법을 제공한다. Another embodiment provides a method for producing the interference modulator. 상기 방법은 제1 전극을 형성하는 단계 및 상기 제1 전극의 적어도 일부 위에 유전층을 침적시키는 단계를 포함한다. The method comprises the step and the step of depositing a dielectric layer over at least a portion of the first electrode to form a first electrode. 상기 방법은 가변 두께 유전층을 형성하기 위해 상기 유전층의 일부를 제거하는 단계, 상기 가변 두께 유전층 위에 희생층을 침적시키는 단계, 상기 희생층 위에 평탄화 층을 침적시키는 단계, 및 상기 평탄화 층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함한다. The method includes a second electrode on the step of removing a portion of the dielectric layer, comprising: depositing a sacrificial layer over the variable thickness of the dielectric layer, comprising: depositing a planarization layer over the sacrificial layer, and the planarization layer to form a variable thickness dielectric a further comprises the step of forming. 다른 실시예는 이러한 방법에 의해 제조된 간섭 변조기를 제공한다. Another embodiment provides an interference modulator produced by such methods.

도 1은 제1 간섭 변조기의 이동가능한 반사층이 해방 위치에 있고, 제2 간섭 변조기의 이동가능한 반사층은 작동 위치에 있는, 간섭 변조기 디스플레이의 일실시예의 일부를 도시한 등각투영도이다. 1 is the first to move the reflective layer as possible of the interference modulator is in the release position, the second movable reflective layer of the interference modulator is an isometric perspective view illustrating one embodiment of a portion of the interference modulator display in the operating position.
도 2는 3x3 간섭 변조기 디스플레이를 포함하는 전자 기기의 일실시예를 나타낸 시스템 블록도이다. Figure 2 is a system block diagram illustrating one embodiment of an electronic apparatus including the 3x3 interference modulator display.
도 3은 도 1의 간섭 변조기의 일실시예에서, 인가된 전압에 대응한 이동가능한 미러의 위치를 나타낸 도면이다. Figure 3 is a view showing the position of the movable mirror corresponding to the In one embodiment of the interference modulator of Figure 1, an applied voltage.
도 4는 간섭 변조기 디스플레이를 구동하기 위해 사용될 수 있는 한 세트의 수평열 및 수직열 전압을 나타낸 것이다. Figure 4 shows a horizontal and a vertical column open a set of voltages that may be used to drive the interference modulator display.
도 5a 및 도 5b는 도 2의 3x3 간섭 변조기 디스플레이에 디스플레이 데이터 프레임을 기록하는데 사용될 수 있는 수평열 신호와 수직열 신호에 대한 예시적인 시간선도이다. Figures 5a and 5b is an exemplary timing chart for the horizontal column signal and a vertical column signals that may be used to write the display data to the 3x3 frame interference modulator display of Figure 2;
도 6a 및 도 6b는 복수의 간섭 변조기를 포함하는 비주얼 디스플레이 기기의 실시예를 나타내는 시스템 블록도이다. Figure 6a and Figure 6b is a system block diagram showing an embodiment of a visual display device comprising a plurality of interference modulators.
도 7a는 도 1의 기기의 단면도이다. Figure 7a is a cross-sectional view of the device of Figure 1;
도 7b는 간섭 변조기의 다른 실시예의 단면도이다. Figure 7b is a cross-sectional view of another embodiment of the interference modulator.
도 7c는 간섭 변조기의 또 다른 실시예의 단면도이다. Figure 7c is a sectional view of another embodiment of a interference modulator.
도 7d는 간섭 변조기의 또 다른 실시예의 단면도이다. Figure 7d is a sectional view of another embodiment of a interference modulator.
도 7e는 간섭 변조기의 추가의 다른 실시예의 단면도이다. Figure 7e is a cross-sectional view of another embodiment of the additional interference modulator.
도 8은 미소 기전 시스템 기술을 사용하는 간섭 변조기 어레이의 투시도이다. 8 is a perspective view of the interference modulator array using a micro-electromechanical system technology.
도 9a는 도 7의 선 8A-8A를 따라 절취한 도 7의 간섭 변조기 어레이의 개략 단면도이다. Figure 9a is a schematic side view of the interference modulator array of Figure 7 taken along the line 8A-8A of Fig.
도 9b는 미소 기전 시스템 기술을 사용하는, 간섭 변조기의 다른 실시예에 대한 개략 단면도이다. Figure 9b is a schematic cross-sectional view of another embodiment of the interference modulator using a micro-electromechanical system technology.
도 10a는 간섭 변조기가 비구동 상태에 있을 때 랜딩 패드를 포함하는 간섭 변조기의 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 10a is a cross-sectional side view of an embodiment of a interference modulator comprising a landing pad when the interference modulator is in the non-operative state.
도 10b는 구동 상태에서의 도 9a의 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 10b is a cross-sectional side view of an embodiment of Figure 9a in the drive state.
도 10c 내지 도 10i는 랜딩 패드의 다양한 구성을 나타내는, 간섭 변조기의 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 10c to Figure 10i is a cross-sectional side view of an embodiment of showing the different configuration of the landing pad, the interference modulator.
도 10j는 도 9a의 선 9J-9J를 따라 절취하고 랜딩 패드의 다양한 형상을 나타내는 간섭 변조기의 실시예에 대한 상부 단면도이다. FIG 10j is a top cross-sectional view of an embodiment of the interference modulator, and taken along line 9J-9J of Figure 9a showing a different shape of the landing pad.
도 11은 가변 두께 유전층을 갖는 MEMS를 제조하는 방법을 나타내는 흐름도이다. 11 is a flow chart illustrating a method for manufacturing a MEMS having a variable thickness dielectric layer.
도 12는 가변 두께 유전층을 갖는 MEMS의 다른 실시예를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 12 is a cross-sectional view schematically illustrating another embodiment of a MEMS having a variable thickness dielectric layer.
도 13은 실시예에 따라 하부 전극(502)의 형성을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 13 is a schematic cross-sectional view showing the formation of the lower electrode 502 in accordance with an embodiment.
도 14는 도 13의 고정층(502)과 기판(500) 위에 걸쳐 유전층(540)(하부 부분(550)과 상부 부분(560)을 포함함)의 형성을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 14 is a cross-sectional view schematically showing the formation of the dielectric layer 540 (including the bottom portion 550 and top portion 560) spans over a fixed bed 502 and the substrate 500 of FIG.
도 15 및 도 16은 도 14의 유전층(540)의 상부 부분(560)의 부분들을 제거함으로써 도 13의 고정층(502) 위에 가변 두께 유전층(570)("정지층"(565)을 포함함)의 형성을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 15 and 16 are 13 fixed layer 502 a variable thickness dielectric layer 570, on top of, by removing portions of the top portion 560 of the dielectric layer 540 of FIG. 14 (including "stop layer" 565) of a cross-sectional view schematically showing the formation.
도 17은 간섭 변조기의 희생층(710), 지지 구조체(720) 및 상부 전극(730)의 형성을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 17 is a sectional view showing the formation of the sacrificial layer 710, the support structure 720 and the upper electrode 730 of the interference modulator. FIG.
도 18은 희생층의 제거 및 도 17의 유전층(570)의 하부 부분(550)의 부분들의 제거를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 18 is a sectional view schematically showing the removal of part of the lower portion 550 of the removal of the sacrificial layer and the dielectric layer 570 of FIG.
도 19는 제1 전극(502), 제2 전극(506) 및 상기 제1 전극(502)과 상기 제2 전극(506)이 실질적으로 접촉하는 것을 방지하는 가변 두께 유전층(920)을 포함하는 간섭 변조기(1800)를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 19 is interference comprising a first electrode 502, second electrode 506 and the first electrode 502 and the second electrode 506, variable thickness dielectric layer 920 to prevent a contact with a substantially a cross-sectional view schematically illustrating a modulator (1800).
도 20은 간섭 변조기의 희생층, 지지 구조체(720) 및 상부 전극(731)의 형성을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 20 is a sectional view showing the formation of the sacrificial layer, the support structure 720 and the upper electrode 731 of the interference modulator. FIG.
도 21은 간섭 변조기를 개략적으로 나타내는 단면도이다. 21 is a sectional view schematically showing a interference modulator.
도 22a는 간섭 변조기가 비구동 상태에 있을 때 범프를 갖는 간섭 변조기의 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 22a is a cross-sectional side view of an embodiment of a interference modulator having bumps when the interference modulator is in the non-operative state.
도 22b는 구동 상태에 있을 때 도 22a의 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 22b is a cross-sectional side view of the embodiment of Figure 22a when it is in the driving state.
도 22c 내지 도 22e는 다양한 범프 구성을 나타내는 간섭 변조기의 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 22c to Figure 22e is a cross-sectional side view of an embodiment of a interference modulator showing various bump configuration.
도 23a는 간섭 변조기가 비구동 상태에 있을 때 스프링 클립을 가진 간섭 변조기의 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 23a is a cross-sectional side view of an embodiment of a modulator interference with the spring clip when the interference modulator is in the non-operative state.
도 23b는 구동 상태에 있을 때 도 23a의 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 23b is a cross-sectional side view of the embodiment of Figure 23a when it is in the driving state.
도 23c 내지 도 23f는 다양한 스프링 클립 구성을 나타내는 간섭 변조기의 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 23c to Figure 23f is a cross-sectional side view of an embodiment of a interference modulator illustrating various spring clip configuration.
도 24a는 비구동 상태에서 3 상태 간섭 변조기의 일실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 24a is a side cross-sectional view of one embodiment of a tri-state modulator interference from a non-drive state.
도 24b는 구동 상태에서 도 24a의 3 상태 간섭 변조기의 측 단면도이다. Figure 24b is a side cross-section of a third state interference modulator of Figure 24a in the driving state.
도 24c는 역 구동 상태에서 도 24a의 3 상태 간섭 변조기의 측 단면도이다. Figure 24c is a side cross-section of a third state interference modulator of Figure 24a in the reverse drive state.
도 24d는 비구동 상태에서 간섭 변조기의 다른 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 24d is a cross-sectional side view of another embodiment of the interference modulator in the non-operative state.
도 24e는 비구동 상태에서 간섭 변조기의 다른 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 24e is a cross-sectional side view of another embodiment of the interference modulator in the non-operative state.
도 25a는 비구동 상태에 있는 간섭 변조기의 대안의 실시예에 대한 측 단면도이다. Figure 25a is a cross-sectional side view of the alternate embodiment of the interference modulator in the non-operative state.
도 25b는 비구동 상태에 있는, 도 25a의 간섭 변조기의 평면도이다. Figure 25b is a top view of the interference modulator of Figure 25a in a non-driven state.
도 25c는 비구동 상태에 있는, 도 25a의 간섭 변조기의 측면도이다. Figure 25c is a side view of the interference modulator of Figure 25a in a non-driven state.
도 25d는 비구동 상태에 있는, 도 20c의 간섭 변조기의 평면도이다. Figure 25d is a top view of the interference modulator of Figure 20c in the non-operative state.

이하의 상세한 설명은 본 발명의 구체적인 실시예에 관한 것이다. The following detailed description relates to a specific embodiment of the present invention. 그러나 본 발명은 여러 가지 다른 방법과 방식으로 구현될 수 있다. However, the present invention can be implemented in many different ways and manner. 이하의 설명에서, 도면이 참조되는데, 전체 도면에 걸쳐 동일한 부분에 대해 동일한 번호가 사용된다. In the following description, there is a reference drawing, the same numerals are used for like parts throughout the figures thereof. 이하의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명은 동화상(예컨대, 비디오)이든 정지화상(예컨대, 스틸 이미지)이든, 또는 텍스트이든 그림이든, 이미지를 디스플레이하도록 구성된 것이라면 어떠한 기기에든 구현될 수 있다. As it is apparent from the following description, the invention, whether the moving image (e.g., video) or still images, whether (e.g., still image) or, or a text, illustration, if configured to display an image can be implemented Eden any device. 보다 상세하게는, 본 발명은 한정되지는 않지만, 예컨대, 이동전화기, 무선 기기, 개인 휴대용 정보 단말기(PDA), 손에 들고다니거나 휴 대할 수 있는 컴퓨터, GPS 수신기/내비게이터, 카메라, MP3 플레이어, 캠코더, 게임 콘솔, 손목 시계, 시계, 계산기, 텔레비전 모니터, 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 자동차 디스플레이(예컨대, 주행 거리계 디스플레이), 조종석 제어 장치 및/또는 디스플레이, 감시 카메라의 디스플레이(예컨대, 자동차에서의 후방 감시 카메라의 디스플레이), 전자 사진 액자, 전자 게시판 또는 전자 표시기, 프로젝터, 건축 구조물, 포장물, 및 미적 구조물(예컨대, 보석 상의 이미지 디스플레이) 등과 같은 다양한 전자 기기에서 실현되거나 관련되는 것으로 고려된다. More specifically, the present invention is limited not, but, for example, mobile telephones, wireless devices, personal digital assistants (PDA), a computer that can treat carry or Hue in hand, GPS receivers / navigators, cameras, MP3 players, rear in camcorders, game consoles, wrist watches, clocks, calculators, television monitors, flat panel displays, computer monitors, auto displays (e.g., odometer display), cockpit controls and / or displays, display of the monitor camera (e.g., car is considered to be realized in or associated with a variety of electronic devices such as a display monitor of the camera), an electronic picture frame, the electronic bulletin board or an electronic display, a projector, architectural structures, packaging, and aesthetic structures (e.g., display an image on the gem). 또한, 여기서 개시한 미소 기전 시스템 기기와 유사한 구조의 기기를 전자 스위칭 기기와 같은 비(非)디스플레이 분야에 사용할 수도 있다. It is also possible to use the structure of the device is similar to a micro-electromechanical system devices disclosed herein in a non-(非) display applications such as electronic switching devices.

간섭 변조기를 구동하는 것은 변형가능한 층과 고정층 사이에 접촉을 야기할 수 있다. It drives the interference modulator may cause contact between the deformable layer and the fixing layer. 이러한 접촉은 바람직하지 않으며 기기에 손상을 입힐 수 있고, 잠재적으로 성능 저하를 일으킬 수 있다. Such contact is undesirable and could cause damage to the device, it can lead to a potentially poor performance. 다양한 실시예는 이러한 손상을 감소시키는 (랜딩 패드, 범프 및 스프링 클립과 같은) 구조 및 방법을 제공한다. Various embodiments provide a (landing pads, and bumps such as a spring clip) structure and a method to reduce such damage.

간섭계 미소 기전 시스템 디스플레이 소자를 포함하여 구성된 간섭 변조기 디스플레이의 일실시예가 도 1에 도시되어 있다. One embodiment of the mechanism is configured to include an interferometer system minute display element interference modulator display is shown in Fig. 이러한 기기에서, 픽셀은 밝은 상태 또는 어두운 상태 중 하나의 상태로 된다. In these devices, the pixels are in a state of the light state or dark state. 밝은 상태("온 상태" 또는 "개방 상태")에서는, 디스플레이 소자가 입사되는 가시광의 대부분을 사용자에게 반사한다. In a bright state ( "on-state" or "open"), and reflects most of the visible light incident on the display device to the user. 어두운 상태("오프 상태" 또는 "폐쇄 상태")에서는, 디스플레이 소자가 입사되는 가시광을 사용자에게 거의 반사하지 않는다. In the dark state ( "off-state" or "closed"), it does not substantially reflect visible light is incident on the display device to the user. 실시예에 따라서는, "온 상태"와 "오프 상태"의 광 반사 특성이 반대로 바뀔 수도 있다. Depending upon the embodiment, it may also be light reflective properties of the "on-state" and "OFF state" change in reverse. 미소 기전 시스템 픽셀은 선택된 컬러를 두드러지게 반사하여 흑백뿐 아니라 컬러 디스플레이도 가능하도록 구성될 수 있다. Micro-electromechanical system, the pixel can be configured to reflect the selected color stand out black and white as well as color display possible.

도 1은 영상 디스플레이의 일련의 픽셀들에서 인접하는 두 개의 픽셀을 나타낸 등각투영도다. Figure 1 is an isometric view showing a projection Toda two pixels adjacent in a series of pixels of a display. 여기서, 각 픽셀은 미소 기전 시스템의 간섭 변조기를 포함하여 구성된다. Here, each pixel is configured to include the interference modulator of the micro-electromechanical system. 일부 실시예에서, 간섭 변조기 디스플레이는 이들 간섭 변조기들의 행렬 어레이를 포함하여 구성된다. In some embodiments, the interference modulator display is configured to include a matrix array of these interference modulator. 각각의 간섭 변조기는, 적어도 하나의 치수가 가변적인 공진 광학 캐비티를 형성하도록 서로 가변적이고 제어가능한 거리를 두고 배치되어 있는 한 쌍의 반사층을 포함한다. Each interference modulator includes a pair of the reflective layer that is disposed with a variable and controllable distance from each other to form at least one optical resonant cavity, the dimensions of the variable. 일실시예에서, 이 반사층들 중 하나가 두 개의 위치 사이에서 이동될 수 있다. In one embodiment, one of the reflective layer can be moved between two positions. 제1 위치에서(여기서는 "해방 상태"라고 한다), 이동가능한 층은 부분적으로 반사하는 고정된 층으로부터 상대적으로 먼 거리에 위치한다. (I say herein, "released state") 1 in the position, the movable layer is positioned at a relatively far distance from a fixed partially reflective layer to the. 제2 위치에서, 이동가능한 층은 부분적으로 반사하는 층에 보다 가까이 인접하여 위치한다. In the second position, the movable layer is positioned closer than the adjacent layer that partially reflected. 두 개의 층으로부터 반사되는 입사광은 이동가능한 반사층의 위치에 따라 보강적으로 또는 상쇄적으로 간섭하여, 각 픽셀을 전체적으로 반사 상태 또는 비반사 상태로 만든다. Incident light that is reflected from the two layers interferes with the reinforcement, or in offset ever according to the position of the movable reflective layer, makes each of the pixels as a whole with a reflective state or a non-reflective state.

도 1에 도시된 부분의 픽셀 어레이는 두 개의 간섭 변조기(12a, 12b)를 포함한다. The pixel array of the portion shown in Figure 1 comprises two interference modulator (12a, 12b). 좌측에 있는 간섭 변조기(12a)에서는, 이동가능한 반사층(14a)이 광학 스택(16a)으로부터 소정의 거리를 두고 해방 위치에 있는 것이 도시되어 있으며, 이 광학 스택(16a)은 부분적으로 반사층이다. The interference modulator (12a) to the left, a movable reflective layer (14a) is with a predetermined distance from an optical stack (16a) is shown to be in the release position, the optical stack (16a) is a partially reflective layer. 우측에 있는 간섭 변조기(12b)에서는, 이동가능한 반사층(14b)이 광학 스택(16b)에 인접한 작동 위치에 있는 것이 도시되어 있다. The interference modulator (12b) to the right, the movable reflective layer (14b) are shown to be in the working position adjacent to the optical stack (16b).

광학 스택(16a, 16b)(광학 스택(16)으로 총칭함)은 본 명세서에서 언급된 바와 같이, 통상적으로, 인듐주석산화물(ITO)과 같은 전극층을 포함할 수 있는 수개의 기폭층(fused layer), 크롬과 같은 부분 반사층, 및 투명 유전체를 포함한다. Optical stack (16a, 16b) (hereinafter collectively referred as optical stack 16) it is, as referred to herein, typically, indium tin oxide (ITO) may, which may include an electrode layer, such as one detonation layer (fused layer ), and a partially reflecting layer, and a transparent dielectric material such as chromium. 그러므로 광학 스택(16)은 전기적으로 도전성이고 부분적으로 투명하며 또한 부분적으로 반사성이며, 예를 들어 하나 이상의 상기 층들을 투명 기판(20) 위에 침적시킴으로써 제조될 수 있다. Thus, the optical stack 16 is electrically conductive and partially transparent and partially reflective, and also in, for example, can be prepared by deposition of one or more of the layers on a transparent substrate 20. 일부의 실시예에서, 상기 층들을 병렬 스트립으로 패턴화하여, 상세히 후술하는 바와 같이 디스플레이 기기의 수평열 전극(row elelctode)을 형성할 수 있다. In some embodiments, the pattern of the layer in a parallel screen strips, it is possible to form the horizontal column electrode (row elelctode) for a display device as described in detail below. 이동가능한 반사층(14a, 14b)은, 포스트(18)들의 상부와 이 포스트들 사이에 개재된 희생 재료의 표면에 침적된 금속층(들)으로 된 일련의 병렬 스트립(수평열 전극(16a, 16b)에 수직)으로 형성될 수 있다. A movable reflective layer (14a, 14b) has a series of parallel strips of a metal layer (s) deposited on the surface of the sacrificial material disposed between the top and the post of the posts 18 (horizontal column electrodes (16a, 16b) to be formed in the vertical). 희생 재료를 에칭하여 제거하면, 이동 가능한 반사층(14a, 14b)이 규정된 갭(19)만큼 광학 스택으로부터 이격된다. Removing by etching the sacrificial material, it is spaced from the optical stack as the movable reflective layer (14a, 14b) a gap 19 is defined. 반사층(14)들은 알루미늄과 같이 도전성과 반사성이 높은 재료를 이용하여 형성할 수 있고, 이것들의 스트립은 디스플레이 기기의 수직열 전극(column electrode)을 형성할 수 있다. Reflective layer 14 's may be formed using a highly conductive and reflective material such as aluminum, and these strips may form the vertical column electrode (column electrode) of the display device.

전압이 인가되지 않으면, 이동 가능한 반사층(14a)과 광학 스택(16a) 사이에 캐비티(19)가 그대로 존재하게 되고, 이동 가능한 층(14a)은 도 1의 픽셀(12a)로 도시된 바와 같이, 기계적으로 해방된 상태로 있게 된다. If the voltage is applied, moves between the possible reflection layer (14a) and the optical stack (16a) and the cavity (19) is present as it is, the movable layer (14a), as shown in pixels (12a) of Figure 1, it is possible to release the state mechanically. 그러나 선택된 행과 열에 전위차가 인가되면, 해당하는 픽셀에서 수평열 전극과 수직열 전극이 교차하는 지점에 형성된 커패시터가 충전되어, 정전기력이 이들 전극을 서로 당기게 된다. However, if the column and the selected row and a potential difference is applied, a capacitor formed on the column electrode to the horizontal and the vertical column electrodes at the corresponding pixel is filled with the point of intersection, the electrostatic force to pull each other to the electrodes. 만일 전압이 충분히 높다면, 이동 가능한 반사층(14)이 변형되어 광학 스택에 저항하는 힘을 받게 된다. If the voltage is high enough, the movable reflective layer 14 is deformed is urged to resist the optical stack. 광학 스택(16) 내의 유전층(이 도면에는 도시되지 않음)은 도 1에서 우측에 도시된 픽셀(12b)과 같이, 단락을 방지하고 층들(14 및 16) 사이의 이격 거리를 제어할 수 있다. Optical stack dielectric layer (not shown in the figure) in the (16) may control the separation distance between, to prevent short circuits and layers 14 and 16, as the pixel (12b) shown on the right side in FIG. 이러한 양상은 인가된 전위차의 극성에 관계없이 동일하다. This aspect is the same regardless of the polarity of the applied potential difference. 이러한 방식으로, 반사 대 비반사의 픽셀 상태를 제어할 수 있는 수평열/수직열 구동은 종래의 액정 디스플레이나 다른 디스플레이 기술에서 사용되었던 방식과 여러 가지 면에서 유사하다. In this way, the reflections against the horizontal open / vertical column drive, which can control the status of the pixels of the non-reflection is similar in many ways and methods were used in the conventional liquid crystal display or other display technology.

도 2 내지 도 5는 디스플레이 응용분야에서 간섭 변조기의 어레이를 사용하는 하나의 예시적 공정 및 시스템을 나타낸다. 2 to 5 show one exemplary process and system for using an array of interference modulator in a display application.

도 2는 본 발명의 여러 측면을 포함할 수 있는 전자 기기의 일실시예를 나타낸 시스템 블록도이다. Figure 2 is a system block diagram illustrating one embodiment of an electronic apparatus, which may include various aspects of the invention. 본 실시예에서는, 전자 기기가 프로세서(21)를 포함한다. In this embodiment, the electronic device includes a processor 21. 이 프로세서(21)는 ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium II®, Pentium IV®, Pentium®Pro, 8051, MIPS®, Power PC®, ALPHA® 등과 같은 범용의 단일칩 또는 멀티칩 마이크로프로세서나, 또는 디지털 신호 처리기, 마이크로컨트롤러, 프로그래머블 게이트 어레이 등과 같은 특정 목적의 마이크로프로세서일 수 있다. The processor 21 ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium II®, general purpose single-chip or multi-chip, such as the Pentium IV®, Pentium®Pro, 8051, MIPS®, Power PC®, ALPHA® microprocessor or the like, or a digital signal processor, a microcontroller, a programmable gate array may be a microprocessor, for a specific purpose. 해당 기술 분야에서 알려진 바와 같이, 프로세서(21)는 하나 이상의 소프트웨어 모듈을 실행하도록 구성될 수 있다. As is known in the art, processor 21 may be configured to execute one or more software modules. 오퍼레이팅 시스템을 실행하는 것 외에도, 프로세서는 웹 브라우저, 전화 응용프로그램, 이메일 프로그램, 또는 임의의 다른 소프트웨어 응용프로그램을 포함하여 하나 이상의 소프트웨어 응용프로그램을 실행하도록 구성될 수 있다. In addition to running the operating system, the processor may be configured to execute one or more software applications, including a web browser, a telephone application, an email program, or any other software application.

일실시예에서, 프로세서(21)는 또한 어레이 컨트롤러(22)와 통신하도록 구성된다. In one embodiment, the processor 21 is also configured to communicate with an array controller (22). 일실시예에서, 어레이 컨트롤러(22)는 디스플레이 어레이 또는 패널(30)에 신호를 제공하는 수평열 구동 회로(24) 및 수직열 구동 회로(26)를 포함한다. In one embodiment, the array controller 22 includes a horizontal column drive circuit 24 and the vertical column driver circuit 26 that provide signals to a display array or panel 30. 도 2에서 1-1의 선을 따라 절단한 어레이의 단면도가 도 1에 도시되어 있다. Also has a cross-sectional view of the array taken along the line 1-1 in 2 is shown in Fig. 미소 기전 시스템의 간섭 변조기에 대한 수평열/수직열 구동 프로토콜은 도 3에 도시된 기기의 히스테리시스 특성을 이용할 수 있다. Horizontal heat / vertical column drive protocol for the interference modulator of the micro-electromechanical system may use a hysteresis characteristic of the device shown in Fig. 이동가능한 층을 해방 상태에서 작동 상태로 변형시키기 위해, 예컨대, 10볼트의 전위차가 요구될 수 있다. To transform a movable layer to the operating state in a released state, for example, there is a potential difference of 10 volts may be required. 그러나 전압이 그 값으로부터 감소할 때, 전압이 10볼트 이하로 떨어지더라도 이동가능한 층은 그 상태를 유지한다. However, when the voltage is reduced from that value, even if the voltage falls below 10 volts, the movable layer maintains its state. 도 3의 실시예에서, 이동가능한 층은 전압이 2볼트 이하로 떨어질 때까지는 완전히 해방되지 않는다. In the embodiment of Figure 3, the movable layer does not release completely until the voltage drops below 2 volts. 따라서, 기기가 해방 상태 또는 작동 상태 중 어느 하나의 상태로 안정되는 인가 전압 영역이 존재하는 전압의 범위가 있다. Therefore, there is a range of voltage that the device is applied to the voltage region in which stability of any one of the state of the release state or operating condition is present. 도 3에서는 약 3~7볼트가 예시되어 있다. In Figure 3 is illustrated, about 3 to 7 volts. 이것을 여기서는 "히스테리시스 영역" 또는 "안정 영역"이라고 부른다. Here, this is called a "hysteresis zone" or "stable region". 도 3의 히스테리시스 특성을 가진 디스플레이 어레이에서는, 수평열/수직열 구동 프로토콜은, 수평열 스트로브(row strobe)가 인가되는 동안에 스트로브가 인가된 수평열에 있는 픽셀들 중에 작동되어야 픽셀들은 약 10볼트의 전위차에 노출되고, 해방되어야 할 픽셀들은 0(영)볼트에 가까운 전위차에 노출되도록 설계될 수 있다. The display array having the hysteresis characteristics of Figure 3, the horizontal open / vertical column drive protocol horizontal column strobe (row strobe) is to be activated during the application of pixels in a horizontal row of application of the strobe while the pixels are potential difference of about 10 volts being exposed to the pixel to be liberated may be designed so as to be exposed to a potential difference close to 0 (zero) volt. 스트로브를 인가한 후에는, 픽셀들이 수평열 스트로브에 의해 어떠한 상태가 되었든지 간에 그 상태로 유지되도록 약 5볼트의 정상 상태 전압차를 적용받는다. After applying a strobe, be subject to a steady state voltage difference of about 5 volts to be maintained as it is, whether pixels were any state by the horizontal column strobe. 기록된 후에, 각 픽셀은 본 실시예에서는 3-7볼트인 "안정 영역" 내의 전위차를 가진다. After it has been written, each pixel in the present embodiment has a potential difference within the "stable region" of 3-7 volts. 이러한 구성으로 인해, 도 1에 도시된 픽셀 구조가 동일한 인가 전압의 조건 하에서 작동 상태든 해방 상태든 기존의 상태로 안정되게 된다. Due to this structure, the pixel structure shown in Figure 1 to be applied to the same operating state either stable state to release the existing state under any conditions of voltage. 작동 상태로 있든 해방 상태로 있든, 간섭 변조기의 각 픽셀은 필연적으로 고정된 반사층과 이동하는 반사층에 의해 형성되는 커패시터이기 때문에, 이 안정된 상태는 히스테리시스 영역 내의 전압에서 거의 전력 낭비 없이 유지될 수 있다. Whether the operating state, whether a freed state, the respective pixels of the interference modulator is a capacitor formed by the reflection layer to inevitably move the fixed layer and, this stable state can be maintained with little power dissipation in the voltage within the hysteresis region. 인가 전위가 고정되어 있으면, 필연적으로 픽셀에 유입되는 전류는 없다. If the applied potential is fixed, there is no current inevitably flows into the pixel.

전형적인 응용예로서, 첫 번째 수평열에 있는 소정 세트의 작동된 픽셀에 따라 한 세트의 수직열 전극을 어서팅(asserting)함으로써 디스플레이 프레임을 만들 수 있다. As a typical application example, it is possible to create the first horizontal display frame by putting (asserting) come on the vertical column electrodes of a set according to the operation of pixels of a given set of columns. 그런 다음, 수평열 펄스를 수평열 1의 전극에 인가하여 어서트된 수직열 라인에 대응하는 픽셀들을 작동시킨다. Then, the operation of the pixel corresponding to the vertical column lines by applying a heat pulse to the horizontal electrodes of the horizontal column 1 asserted. 그러면, 수직열 전극의 어서트된 세트가 두 번째 수평열에 있는 소정 세트의 작동된 픽셀에 대응하도록 변경된다. Then, the change is asserted set of column electrodes perpendicular to two pixels corresponding to the operation of a predetermined set of second horizontal row. 그런 다음, 펄스를 수평열 2의 전극에 인가하여 어서트된 수직열 전극에 따라 수평열 2에서의 해당하는 픽셀을 작동시킨다. Then, the operation of the pixels in the horizontal column 2 along the vertical pulse on the column electrodes to be applied to the electrodes in the horizontal column 2 asserted. 수평열 1의 픽셀들은 수평열 2의 펄스에 영향을 받지 않고, 수평열 1의 펄스에 의해 설정되었던 상태를 유지한다. Pixels in the horizontal column 1 are not affected by the horizontal pulses of the column 2, and maintains the state that was set by a pulse of the horizontal column 1. 이러한 동작을 순차적으로 전체 수평열에 대해 반복하여 프레임을 생성할 수 있다. Repeat for the entire horizontal row of these operations sequentially is possible to create a frame. 일반적으로, 이러한 프레임들은 초당 소정 수의 프레임에 대해 이러한 처리를 계속해서 반복함으로써 리프레시(refresh)되거나, 및/또는 새로운 디스플레이 데이터로 갱신된다. In general, these frames are updated to continue to refresh (refresh), or, and / or new display data by repeating this process for a predetermined number of frames per second. 수평열 및 수직열 전극을 구동하여 디스플레이 프레임을 생성하는 많은 다양한 프로토콜이 잘 알려져 있고, 본 발명과 관련하여 사용될 수 있다. There are many different protocols for generating a display frame by driving the horizontal and vertical columns column electrodes is well known, may be used in accordance with the present invention;

도 4 및 도 5는 도 2의 3x3 어레이에 디스플레이 프레임을 생성할 수 있는 하나의 구동 프로토콜을 나타낸다. 4 and 5 show one of the driving protocol that can generate a display frame on the 3x3 array of Figure 2; 도 4는 도 3의 히스테리시스 곡선을 보여주는 픽셀들에 사용될 수 있는 수직열 및 수평열의 가능한 전압 레벨 세트를 보여준다. Figure 4 shows the voltage levels set of vertical columns and horizontal columns that can be used for the pixels showing the hysteresis curve of FIG. 도 4의 실시예에서, 픽셀을 작동시키기 위해, 해당하는 수직열은 -V bias 로 설정하고 해당하는 수평열은 +△V로 설정한다. In the embodiment of Figure 4, the vertical columns to operate the pixel, that is set to -V bias, and the horizontal column for is set to + △ V. 각각의 전압은 -5볼트 및 +5볼트에 대응할 수 있다. Each voltage can correspond to -5 volts and +5 volts. 픽셀을 해방시키기 위해서는, 해당하는 수직열은 +V bias 로 설정하고 해당하는 수평열은 동일한 값의 +△V로 설정하여, 픽셀에 걸리는 전위차가 0(영)볼트가 되도록 한다. In order to free the pixel, and the vertical column for is set to + V bias, and the horizontal column for △ V + is set to the same value, and the potential difference across the pixel equal to 0 (zero) volt. 수평열의 전압이 0(영)볼트로 되어 있는 수평열에서는, 수직열이 +V bias 이든 -V bias 이든 관계없이 픽셀들이 원래의 상태로 안정된다. In the horizontal column with a column voltage level is 0 (zero) volt, or a vertical column is + V or -V bias bias pixels are stable to the original state, regardless. 도 4에도 도시된 바와 같이, 전술한 것과는 반대 극성의 전압을 사용할 수 있는데, 예컨대, 적절한 수직열을 +V bias 에 설정하고 적절한 수평열을 -△V에 설정하여 픽셀의 작동을 향상시킬 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. That by setting the △ V to improve the operation of the pixel as shown in the illustrated 4, from those described above you may use a voltage of the opposite polarity, for example, setting the proper vertical column to + V bias, and the appropriate horizontal heat it will be appreciated that. 본 실시예에서, 적절한 수직열을 -V bias 에 설정하고 적절한 수평열을 동일한 -△V에 설정하여, 픽셀 양단에서 0(영) 볼트 전위차를 생성함으로써 픽셀의 해방이 수행될 수 있다. In this embodiment, setting the appropriate column to -V bias, and the appropriate vertical columns the same horizontal-set to △ V, there is a release of the pixels can be performed by generating a 0 (zero) volt potential difference across the pixel.

도 5b는 도 2의 3x3 어레이에 인가되는 일련의 수평열 및 수직열 신호를 보여주는 타이밍도이며, 그 결과로서 작동된 픽셀들이 비반사성인 도 5a에 도시된 디스플레이 배열이 얻어진다. Figure 5b shows the display arrangement illustrated in a series of horizontal columns and a vertical column shows the signal timing diagram, and as a result the pixels are non-reflective to Figure 5a operating as applied to the 3x3 array of Figure 2 is obtained. 도 5a에 도시된 프레임을 기록하기 전에, 픽셀들은 어떤 상태로 되어 있어도 무방하다. Prior to writing the frame illustrated in Figure 5a, but may have pixel may be in any state. 본 예에서는, 모든 수평열들이 0(영)볼트이고, 모든 수직열들이 +5볼트이다. In this example, all horizontal and the columns are 0 (zero) volt, and all vertical columns are at +5 volts. 이러한 인가 전압으로, 모든 픽셀들은 기존의 작동 상태 또는 해방 상태로 안정되어 있다. With this applied voltage, all pixels are stable in the existing operating state or released state.

도 5a의 프레임에서, (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) 및 (3,3)의 픽셀들이 작동된다. In the frame shown in Fig. 5a, (1,1), (1,2), (2,2), to the pixels of (3,2) and (3,3) it is operated. 이를 구현하기 위해, 수평열 1에 대한 "라인 시간" 동안, 수직열 1과 2는 -5볼트로 설정되고, 수직열 3은 +5볼트로 설정된다. To implement this, for a "line time" for the horizontal column 1, vertical column 1 and 2 are set to-5 volts, the vertical column 3 is set to +5 volts. 이것은 어느 픽셀의 상태도 바꾸지 않는다. This does not change the state of any pixels. 왜냐하면, 모든 픽셀들이 3-7볼트의 안정영역 내에 있기 때문이다. This is because there in a stable region of all pixels are 3-7 volts. 그런 다음, 수평열 1에 0볼트에서 5볼트로 상승한 후 다시 0볼트로 되는 펄스를 가진 스트로브를 인가한다. Then, to apply the strobe with a pulse back to zero volts and then increased to 5 volts at zero volts on the horizontal column 1. 이것은 (1,1) 및 (1,2)의 픽셀을 작동시키고 (1,3)의 픽셀을 해방시킨다. This thereby releases the pixels in the (1,1) and (1,2) pixels and the operation (1, 3) of the. 어레이의 다른 픽셀들은 영향을 받지 않는다. The other pixels in the array are affected. 수평열 2를 원하는 대로 설정하기 위해, 수직열 2를 -5볼트로 설정하고, 수직열 1 및 3은 +5볼트로 설정한다. To set as desired, the horizontal column 2, set the vertical column 2 to-5 volts, and the vertical columns 1 and 3 are set to +5 volts. 동일한 스트로브를 수평열 2에 인가하면, (2,2)의 픽셀이 작동되고, (2,1) 및 (2,3)의 픽셀이 해방된다. When the same strobe applied to the horizontal column 2, the pixel of the (2,2) it is enabled, and the pixel of the (2,1) and (2,3) is released. 여전히, 어레이의 다른 픽셀들은 영향을 받지 않는다. Still, other pixels in the array are affected. 수직열 2 및 3을 -5볼트로 설정하고 수직열 1을 +5볼트로 설정함으로써, 수평열 3도 마찬가지의 방법으로 설정될 수 있다. By setting the vertical columns 2 and 3 to -5 volts and the vertical column 1 to +5 volts, the horizontal column 3 it can also be set in a similar way. 수평열 3에 대한 스트로브로 인해 수평열 3의 픽셀들도 도 5a에 도시된 바와 같이 설정된다. Due to the strobe pixels in the horizontal column 3 for the horizontal column 3 is also a setup as shown in Figure 5a. 프레임을 기록한 후에, 수평열 전위는 0(영)이고, 수직열 전위는 +5볼트 또는 -5볼트로 남아있으므로, 디스플레이는 도 5a의 배열로 안정된다. After writing the frame, the horizontal column voltage is 0 (zero), the vertical thermal potential, so remains a +5 volt or -5 volts, the display is stable in the arrangement of Figure 5a. 수십 또는 수백의 수평열 및 수직열로 된 어레이에 대해 동일한 처리가 행해질 수 있다는 것은 잘 알 수 있을 것이다. For tens or even hundreds of arrays in the horizontal and vertical column of the column will be appreciated is that the same processing can be performed. 또한, 수평열 및 수직열의 구동을 위해 사용되는 전압의 타이밍, 순서 및 레벨은 위에서 설명한 전반적인 원리 내에서 다양하게 변경될 수 있고, 상술한 예는 예시에 불과하고, 임의의 구동 전압 방법을 본 명세서에 서술한 시스템 및 방법에 적용하여도 무방하다. In addition, the timing of the voltage to be used for the horizontal column and driving the vertical column, the order and the level may be changed in various ways within the general principles outlined above, the above example is for exemplary purposes only, the description, the arbitrary driving voltage method applied to the systems and methods described it is also to mubang.

도 6a 및 6b는 디스플레이 기기(40)의 실시예를 나타내는 시스템 블록도이다. Figures 6a and 6b is a system block diagram showing an embodiment of a display device 40. 디스플레이 기기(40)는, 예컨대, 휴대 전화기일 수 있다. Display device 40 is, for example, may be a portable telephone. 그러나 텔레비전이나 휴대용 미디어 플레이어와 같이 디스플레이 기기(40)와 동일한 구성품이나 약간 변형된 것도 디스플레이 기기의 여러 가지 형태의 예에 해당한다. However, for the various types of example of a television or portable media player, and the same components or be slightly modified display unit and the display device 40 as shown.

디스플레이 기기(40)는 하우징(41), 디스플레이(30), 안테나(43), 스피커(45), 입력 기기(48), 및 마이크(46)를 포함한다. The display device 40 comprises a housing 41, a display 30, an antenna 43, a speaker 45, an input device 48, and a microphone (46). 하우징(41)은 일반적으로 사출 성형이나 진공 성형을 포함하여 해당 기술분야에서 잘 알려진 여러 가지 제조 공정 중 어느 것에 의해서도 제조될 수 있다. Housing 41 may generally include injection molding or vacuum molding may be prepared by any of various manufacturing processes well-known in the art. 또한, 하우징(41)은, 한정되는 것은 아니지만, 플라스틱, 금속, 유리, 고무, 및 세라믹 또는 이들의 조합을 포함하여 여러 가지 재료 중 어느 것으로도 만들어질 수 있다. In addition, the housing 41 is, but not limited to, plastic, metal, glass, rubber, and ceramic, or as any of a number of materials, including combinations thereof also can be made. 일실시예에서, 하우징(41)은 분리가능한 부분(도시되지 않음)을 포함하고, 이 분리가능한 부분은 다른 색깔이나 다른 로고, 그림 또는 심벌을 가진 다른 분리가능한 부분으로 교체될 수 있다. In one embodiment, housing 41 is separable portion includes a (not shown), and the separable parts may be replaced by other removable portions having a different color or different logos, pictures, or symbols.

본 예의 디스플레이 기기(40)의 디스플레이(30)는, 여기서 개시한 쌍안정(bi-stable) 디스플레이를 포함하여, 여러 가지 디스플레이 중 어느 것이어도 무방하다. Display 30 of the present embodiment the display device 40, including a bi-stable (bi-stable), the display disclosed herein, but may be any one of a number of display it. 다른 실시예에서, 디스플레이(30)는, 상술한 바와 같은, 플라즈마, EL, OLED, STN LCD, 또는 TFT LCD 등과 같은 평판 디스플레이와, 해당 기술분야에서 당업자에게 잘 알려진 바와 같은, CRT나 다른 튜브 디스플레이 기기 등과 같은 비평판 디스플레이를 포함한다. In another embodiment, the display 30, such as plasma, EL, OLED, STN LCD, or a flat panel display and,, CRT or other tube display as is well known to those skilled in the art, such as TFT LCD as described above and a review board displays such as instrument. 그러나 본 실시예를 설명하기 위해, 디스플레이(30)는 여기서 설명하는 바와 같이 간섭 변조기 디스플레이를 포함한다. However, to describe the present embodiment, the display 30 includes an interference modulator display, as described herein.

예시된 디스플레이 기기(40)의 일실시예에서의 구성요소가 도 6b에 개략적으로 도시되어 있다. The component according to the embodiment of the exemplary display device 40, for example, is shown schematically in Figure 6b. 도시된 예의 디스플레이 기기(40)는 하우징(41)을 포함하고, 적어도 부분적으로 하우징 내에 배치되어 있는 구성요소들을 추가로 포함할 수 있다. The example display device 40 shown comprises a housing 41 and can include additional components that are disposed within the housing, at least in part. 예컨대, 일실시예에서, 본 예의 디스플레이 기기(40)가 송수신기(47)와 연결된 안테나(43)를 포함하는 네트워크 인터페이스(27)를 포함할 수 있다. For example, in one embodiment, the display device of this example (40) may comprise a network interface 27 that includes an antenna 43 connected to the transceiver (47). 송수신기(47)는 프로세서(21)에 연결되어 있고, 프로세서(21)는 컨디셔닝 하드웨어(conditioning hardware)(52)에 연결되어 있다. The transceiver 47 is coupled to processor 21, processor 21 is connected to conditioning hardware (conditioning hardware) (52). 컨디셔닝 하드웨어(2052)는 신호를 고르게 하도록(예컨대, 신호를 필터링하도록) 구성될 수 있다. Conditioning hardware 2052 may be configured (e.g., to filter signal) to the signal evenly. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 스피커(45)와 마이크(46)에 연결되어 있다. Conditioning hardware 52 is connected to a speaker 45 and a microphone 46. The 프로세서(2021)는 입력 기기(48)와 드라이버 컨트롤러(29)에도 연결되어 있다. Processor 2021 is also coupled to input device 48 and the driver controller 29. 드라이버 컨트롤러(29)는 프레임 버퍼(28)와 어레이 드라이버(22)에 연결되어 있고, 어레이 드라이버는 또한 디스플레이 어레이(30)에 연결되어 있다. Driver controller 29 is coupled to a frame buffer 28 and the array driver 22, the array driver is also connected to the display array 30. 전원(50)은 예시된 디스플레이 기기(40)의 특정 설계에 따라 요구되는 모든 구성요소에 전력을 공급한다. Power supply 50 provides power to all components as required by the specific design of the exemplary display device 40.

네트워크 인터페이스(27)는 예시된 디스플레이 기기(40)가 네트워크를 통해 하나 이상의 기기들과 통신할 수 있도록 안테나(43)와 송수신기(47)를 포함한다. The network interface 27 includes the antenna 43 and the transceiver 47 so that the exemplary display device 40 can communicate with one or more devices over a network. 일실시예에서, 네트워크 인터페이스(27)는 프로세서(21)의 부담을 경감하기 위해 어느 정도의 처리 능력을 가질 수도 있다. In one embodiment, network interface 27 may also have some degree of processing power in order to reduce the burden of the processor 21. 안테나(43)는 신호를 송수신하는 것으로서, 해당 기술분야의 당업자에게 알려진 어떠한 안테나라도 무방하다. Antenna 43 but may as for transmitting and receiving a signal, any antenna known to those skilled in the art. 일실시예에서, 안테나는 IEEE 802.11(a), (b), 또는 (g)를 포함하여 IEEE802.11 표준에 따라 RF 신호를 송수신한다. In one embodiment, the antenna transmits and receives RF signals according to the IEEE802.11 standard, including IEEE 802.11 (a), (b), or (g). 다른 실시예에서, 안테나는 블루투스 표준에 따라 RF 신호를 송수신한다. In another embodiment, the antenna transmits and receives RF signals according to the Bluetooth standard. 휴대 전화기의 경우, 안테나는 CDMA, GSM, AMPS 또는 무선 휴대폰 네트워크를 통한 통신에 사용되는 공지의 다른 신호를 수신하도록 설계된다. In the case of a portable telephone, the antenna is designed to receive another signal known to be used for communication over the CDMA, GSM, AMPS or wireless phone network. 송수신기(47)는 안테나(43)로부터 수신한 신호를, 프로세서(2021)가 수신하여 처리할 수 있도록 전처리한다. The transceiver unit 47 for pre-processing a signal received from the antenna 43, so that the processor 2021 can receive and process. 또한, 송수신기(47)는 프로세서(21)로부터 수신한 신호를, 안테나(43)를 통해 본 예의 디스플레이 기기(40)로부터 전송될 수 있도록 처리한다. In addition, the transceiver 47 is processed so as to be transmitting a signal received from the processor 21, from this example the display device 40 via the antenna 43.

다른 실시예에서, 송수신기(47)를 수신기로 대체할 수 있다. In another embodiment, it is possible to replace the transmitter 47 to the receiver. 또 다른 실시예에서, 네트워크 인터페이스(27)는 프로세서(21)로 전송될 이미지 데이터를 저장하거나 생성할 수 있는 이미지 소스로 대체될 수 있다. In yet another embodiment, network interface 27 can be replaced by an image source, which can store or generate image data to be transmitted to the processor 21. 예컨대, 이미지 소스는 이미지 데이터를 담고 있는 DVD나 하드디스크 드라이브일 수도 있고, 이미지 데이터를 생성하는 소프트웨어 모듈일 수도 있다. For example, the image source may be a DVD or a hard disk drive that contains image data, or may be a software module that generates image data.

프로세서(21)는 일반적으로 본 예의 디스플레이 기기(40)의 전반적인 동작을 제어한다. Processor 21 generally controls the overall operation of the present example the display device 40. 프로세서(21)는 네트워크 인터페이스(27)나 이미지 소스로부터 압축된 이미지 데이터 등을 수신하여, 이를 본래의 이미지 데이터 또는 본래의 이미지 데이터로 처리될 수 있는 포맷으로 가공한다. Processor 21 is processed into a format which can be received by the image data compression, etc. from the network interface 27 or an image source, and treat them as the original image data or the original image data. 그런 다음, 프로세서(21)는 가공된 데이터를 드라이버 컨트롤러(29)나 저장을 위한 프레임 버퍼(28)로 보낸다. Then, the processor 21 sends the processed data to the frame buffer 28 for the driver controller 29 or storage. 전형적으로, 본래의 데이터는 이미지 내의 각 위치에 대한 이미지 특성을 나타내는 정보를 말한다. Typically, original data refers to information indicating an image characteristic for each position in the image. 예컨대, 그러한 이미지 특성은 컬러, 포화도(채도), 명도(그레이 스케일 레벨)를 포함할 수 있다. For example, such image characteristics can include color, saturation (saturation), brightness (gray scale levels).

일실시예에서, 프로세서(21)는 마이크로컨트롤러, CPU, 또는 예시된 디스플레이 기기(40)의 동작을 제어하는 논리 유닛을 포함한다. In one embodiment, the processor 21 comprises a logic unit for controlling the operation of a microcontroller, CPU, or the exemplary display device 40. 일반적으로, 컨디셔닝 하드웨어(52)는, 스피커(45)로 신호를 보내고 마이크(46)로부터 신호를 받기 위해, 증폭기와 필터를 포함한다. In general, the conditioning hardware 52 is to send a signal to the speaker (45) to receive the signal from the microphone 46, and includes an amplifier and a filter. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 예시된 디스플레이 기기(40) 내의 별도의 구성요소일 수도 있고, 또는 프로세서(21)나 다른 구성요소 내에 통합되어 있을 수도 있다. Conditioning hardware 52 may be incorporated in a separate configuration may be an element, or the processor 21 or other components within the exemplary display device 40.

드라이버 컨트롤러(29)는 프로세서(21)에 의해 생성된 본래의 이미지 데이터를 이 프로세서(21)로부터 직접 또는 프레임 버퍼(28)로부터 받아서, 이를 어레이 드라이버(22)에 고속으로 전송하기에 적합한 포맷으로 재구성한다. Driver controller (29) is a format that is suitable for transmission at a high speed in a direct or a frame buffer 28, the array driver 22 it receives from the original image data from the processor 21 is generated by the processor 21 The reconstructed. 구체적으로, 드라이버 컨트롤러(29)는 디스플레이 어레이(30)를 가로질러 스캐닝하기에 적합한 시간 순서를 가지도록 본래의 이미지 데이터를 래스터(raster)와 같은 포맷을 가진 데이터 흐름으로 재구성한다. Specifically, the driver controller 29 reconstructs the original image data into a data flow having a raster format, such as (raster) so as to have an appropriate time in order to scan across the display array 30. 그런 다음, 드라이버 컨트롤러(29)는 재구성된 정보를 어레이 드라이버(22)로 보낸다. Then, the driver controller 29 sends the reconfigured information to the array driver 22. 종종 액정 디스플레이의 컨트롤러 등과 같은 드라이버 컨트롤러(29)가 독립형 집적 회로(stand-alone IC)로서 시스템 프로세서(21)와 통합되기도 하지만, 이러한 컨트롤러는 여러 가지 방법으로 구현될 수 있다. Often also integrated with the system processor 21, the driver controller 29 is a stand-alone integrated circuit (stand-alone IC) such as a liquid crystal display controller, but such controllers may be implemented in a number of ways. 이러한 컨트롤러는 프로세서(21)에 하드웨어로서 내장될 수도 있고, 또는 어레이 드라이버(22)와 함께 하드웨어로 완전히 통합될 수도 있다. These controllers can be fully integrated in hardware with the processor and to 21 can also be built as hardware, or an array driver 22.

전형적으로, 어레이 드라이버(22)는 드라이버 컨트롤러(29)로부터 재구성된 정보를 받아서, 이 비디오 데이터를 디스플레이의 xy 행렬의 픽셀들로부터 이어져 나온 수백 때로는 수천 개의 리드선에 초당 수 회에 걸쳐 인가되는 병렬의 파형 세트로 변환한다. Typically, the array driver 22 is in parallel to be applied over a period of several per second times to hundreds and sometimes thousands of leads from leads from the receiving information, pixels in the xy matrix of video data display reconstructed from the driver controller 29 It converts the waveform set.

일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(29), 어레이 드라이버(22), 및 디스플레이 어레이(30)는 여기서 기술한 어떠한 형태의 디스플레이에 대해서도 적합하다. In one embodiment, the driver controller 29, array driver 22, and display array 30 are suitable even for the display of any type described herein. 예컨대, 일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(29)는 종래의 디스플레이 컨트롤러 또는 쌍안정 디스플레이 컨트롤러(예컨대, 간섭 변조기 컨트롤러)이다. For example, an in one embodiment, driver controller 29 is a conventional display controller or a bi-stable display controller (e.g., the interference modulator controller). 다른 실시예에서, 어레이 드라이버(22)는 종래의 드라이버 또는 쌍안정 디스플레이 드라이버(예컨대, 간섭 변조기 디스플레이)이다. In another embodiment, array driver 22 is a conventional driver or a bi-stable display driver (e.g., the interference modulator display). 일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(29)는 어레이 드라이버(22)와 통합되어 있다. In one embodiment, driver controller 29 is integrated with the array driver 22. 그러한 예는 휴대폰, 시계 및 다른 소형 디스플레이와 같은 고집적 시스템에서는 일반적인 것이다. Such examples are common in highly integrated systems such as cellular phones, watches, and other small displays. 또 다른 실시예에서, 디스플레이 어레이(30)는 전형적인 디스플레이 어레이 또는 쌍안정 디스플레이 어레이(예컨대, 간섭 변조기 어레이를 포함하는 디스플레이)이다. In yet another embodiment, display array 30 is a (display containing, for example, interference modulator array), a typical display array or a bi-stable display array.

입력 기기(48)는 사용자로 하여금 예시된 디스플레이 기기(40)의 동작을 제어할 수 있도록 한다. Input device 48 is to control the operation of the display device 40 illustrated allows a user. 일실시예에서, 입력 기기(48)는 쿼티(QWERTY) 키보드나 전화기 키패드 등의 키패드, 버튼, 스위치, 터치 스크린, 압력 또는 열 감지 막을 포함한다. In one embodiment, input device 48 includes film QWERTY (QWERTY) keyboard or the keypad on the phone keypad, such as buttons, switches, touch screen, pressure or heat-sensitive. 일실시예에서, 마이크(46)는 예시된 디스플레이 기기(40)의 입력 기기이다. In one embodiment, the microphone 46 is an input device for the exemplary display device 40. 기기에 데이터를 입력하기 위해 마이크(46)가 사용되는 경우에, 예시된 디스플레이 기기(40)의 동작을 제어하기 위해 사용자는 음성 명령을 제공할 수 있다. In the case where the microphone 46 to input data to the device used to control the operation of the exemplary display device 40, the user may provide voice commands.

전원(50)은 해당 기술분야에서 잘 알려진 다양한 에너지 저장 기기를 포함할 수 있다. Power (50) can include a variety of energy storage devices well known in the art. 예컨대, 일실시예에서, 전원(50)은 니켈-카드뮴 전지나 리튬-이온 전지와 같은 재충전가능한 전지이다. For example, in one embodiment, power supply 50 is a nickel-ion battery is a rechargeable battery, such as a-cadmium battery or a lithium. 다른 실시예에서, 전원(50)은 재생가능한 에너지원, 커패시터, 또는 플라스틱 태양 전지와 태양 전지 도료를 포함하는 태양 전지이다. In another embodiment, power supply 50 is a solar cell including a renewable energy source, a capacitor, or a plastic solar cell, and solar coating. 다른 실시예에서, 전원(50)은 콘센트로부터 전력을 공급받도록 구성된다. In another embodiment, power supply 50 is configured to receive power from a wall outlet.

몇몇 구현예에서는, 상술한 바와 같이, 전자 디스플레이 시스템 내의 여러 곳에 위치될 수 있는 드라이버 컨트롤러의 제어를 프로그래머블하게 구성할 수 있다. In some implementations, it may be, configured to be programmable for the control of the driver controller which can be located in several places in the electronic display system, as described above. 어떤 경우에는, 어레이 드라이버(2022)의 제어를 프로그래머블하게 구성할 수도 있다. In some cases, it may be configured to be programmable to control the array driver 2022. 해당 기술분야의 당업자라면 임의의 수의 하드웨어 및/또는 소프트웨어 구성요소로도 상술한 최적화 상태를 구현할 수 있고, 또 여러 가지 다양한 구성으로 구현할 수도 있다는 것을 인식할 수 있을 것이다. Those skilled in the art will recognize that there may also implement the above-mentioned optimized in hardware and / or software components of the random number, and may be implemented in many different configurations.

전술한 원리에 따라 동작하는 간섭 변조기에 대한 상세한 사항은 폭넓게 변할 수 있다. For details about the interference modulators that operate in accordance with the above-described principle it can be varied widely. 예를 들어, 도 7a 내지 도 7e는 이동 가능한 반사층(14)과 그것을 지지하는 구조에 대한 5가지 상이한 실시예를 도시하고 있다. For example, Fig. 7a-7e show five different embodiments of the structure supporting it and the moveable reflective layer 14. 도 7a는 도 1의 실시예의 단면도이며, 여기서 금속 재료(14)의 스트립은 수직으로 연장하는 지지체(18) 위에 침적되어 있다. Figure 7a is a cross-sectional view of the embodiment of Figure 1, where a strip of metal material 14 is deposited on a support 18 extending vertically. 도 7b에서, 상기 이동 가능한 반사층(14)은 모서리만 지지되도록 사슬(tether)(32)에 부착되어 있다. In Figure 7b, the movable reflective layer 14 as possible is attached to the chain (tether) (32) such that the support edges only. 도 7c에서, 상기 이동 가능한 반사층(14)은 유연성 있는 금속을 포함하는 변형 가능한 층(34)으로부터 현수되어 있다. In Figure 7c, the movable reflective layer 14 as possible are suspended from a deformable layer 34 comprising a flexible metal. 변형 가능한 층(34)은 그 주위가 기판(20)에 직간접적으로 연결되어 있다. Strained layer (34) is possible around that is directly or indirectly connected to the substrate 20. 이러한 연결을 본 명세서에서는 지지 포스트라 칭한다. In the present specification, such a connection is referred to as support posts. 도 7d에 도시된 실시예에서는 상기 변형 가능한 층(34)이 얹혀 있는 지지 포스트 플러그(42)가 도시되어 있다. In the embodiment shown in Figure 7d is the deformable layer 34 rests a support post plugs 42, which are shown. 상기 이동 가능한 반사층(14)은 도 7a 내지 도 7c에 도시되어 있는 것과 같이 캐비티에 현수된 상태에 있지만, 상기 변형 가능한 층(34)은 그 자신과 광학 스택(16) 사이의 홀을 채움으로써 지지 포스트를 형성하지 않는다. It said moving reflective layer 14 as possible are also 7a to, but in the suspended state to the cavity, as shown in Figure 7c, the deformable layer 34 is supported by filling holes between itself and the optical stack 16 It does not form a post. 오히려, 상기 지지 포스트들은 평면화 재료(planarization material)로 형성되는데, 이 평탄화 재료는 지지 포스트 플러그(42)를 형성하는데 사용된다. Rather, the support posts are formed of a planarization material there is (planarization material), the flattening material is used to form support post plugs 42. The 도 7e에 도시된 실시예는 도 7d에 도시된 실시예에 기반을 두고 있지만, 도 7a 내지 도 7c에 도시된 실시예들 중 어느 것뿐만 아니라 도시되지 않은 추가의 실시예에도 적용될 수 있다. The embodiment shown in Figure 7e example may also be applied to the embodiment, but based on the embodiment, Fig. 7a to the embodiment a further embodiment of which of the embodiments that are not shown, as well as shown in Figure 7c shown in Figure 7d. 도 7e에 도시된 실시예에서, 금속 또는 다른 도전성 재료로 이루어진 여분의 층은 버스 구조체(44)를 형성하는데 사용되어 왔다. In the embodiment shown in Figure 7e, an extra layer of metal or other conductive material has been used to form a bus structure (44). 이에 따라 신호가 간섭 변조기의 뒤를 따라 루팅될 수 있고, 기판(20) 상에 형성되어야만 하였던 많은 수의 전극이 필요 없어지게 된다. Accordingly, a large number of electrodes who signals may be routed along the back of the interference modulator, be formed on the substrate 20 becomes not necessary.

도 7에 도시된 것과 같은 실시예에서, 간섭 변조기는 다이렉트-뷰 기기(direct-view device)와 같은 기능을 하는데, 이것은 투명 기판(20)의 전면으로부터 이미지가 보이고 그 반대편에 간섭기가 배열되어 있는 구조이다. In the embodiment as shown in FIG. 7, the interference modulator is a direct-view device (direct-view device) and for the same function, which shows the image from the front surface of the transparent substrate 20 that is the interferer is arranged on the other side a structure. 이러한 실시예에서, 변형 가능한 층(34)도 포함하여, 기판(20)의 반대편에 있는 반사층 쪽에서 반사층(14)은 간섭 변조기의 부분들을 광학적으로 차폐한다. In this embodiment, the reflective layer side, the reflective layer 14 on the other side of the deformable layer 34. The substrate 20, including also the optically shielded part of the interference modulator. 이에 의해, 차폐된 영역은 화질에 부정적인 영향을 주지 않으면서 구성되고 동작될 수 있다. As a result, the shielded area may be being configured without causing a negative effect on the quality operation. 이러한 차폐는 도 7e에 도시된 버스 구조를 가능하게 하는데, 이러한 버스 구조는 변조기의 광학적 특성을, 어드레싱 및 이러한 어드레싱으로 인해 생기는 이동과 같은 변조기의 전자기적 특성과 구별될 수 있게 한다. This shield is able to be distinguished from the electromagnetic characteristics of the modulator, such as a bus to enable the structure shown, this bus structure, the optical properties of the modulator in Figure 7e, the movement caused by this addressing and addressed. 이러한 구별 가능한 변조기 아키텍처로 인해, 구조적 설계 및 변조기의 전자기적 관점과 광학적 관점에 사용되는 재료가 선택되고 서로 독립적으로 기능할 수 있다. Because of these distinguishable modulator architecture, the materials used in the electromagnetic point of view and the point of view of the optical modulator and the structural design and selection can function independently of each other. 또한, 도 7c 내지 도 7e에 도시된 실시예들은, 반사층(14)의 광학적 특성을, 변형 가능한 층(34)에 의해 수행되는 그 기계적 특성과는 분리함으로써 생기는 추가의 이점을 갖는다. Also, The embodiment shown in Fig. 7c to 7e it is, have the further advantage caused by the optical properties of the reflective layer 14, separate from the mechanical properties is carried out by the deformable layer (34). 이에 의해, 그 구조적 설계 및 반사층(14)에 사용되는 재료를 상기 광학적 특성과 관련해서 최적화할 수 있고, 상기 구조적 설계 및 상기 변형 가능한 층(34)에 사용되는 재료를 원하는 기계적 특성과 관련해서 최적화할 수 있다. This makes it possible to optimize to the connection with the optical properties of the material used in the structural design and the reflective layer 14, optimized in relation to the mechanical properties desired for the material used for the structural design and the deformable layer 34 can do.

도 8은 예시적 간섭 변조기 어레이(601)의 일부를 개략적으로 도시한다. Figure 8 schematically depicts a portion of an exemplary interference modulator array 601. 간섭 변조기 어레이(601)는 기판(500) 위에 형성되며, 상기 기판(500)은 소정의 광 스펙트럼에 투명하고 하부 표면(400)을 갖는다. Interference modulator array 601 is formed on the substrate 500, the substrate 500 has a transparent and a bottom surface 400 with a predetermined light spectrum. 이에 제한되지는 않지만, 기판(500)은 유리로 제조되는 것이 바람직하다. This is not so limited, the substrate 500 is preferably made of glass. 단일 층(502) 또는 이 단일 층(502)의 스택의 적어도 하나의 서브층(도시되지 않음)은 도전성 재료로 제조된다. A single layer 502 or at least one sub-layer (not shown) of the stack of a single layer 502 is made of a conductive material. 층(502) 또는 서브층은 둘 모두가 입사하는 광의 일부를 반사 및 투과시킬 때 부분 미러로서 기능한다. Layer 502 or the sub-layer functions to both the portion of light is incident as a partial mirror when the reflection and transmission. 편의상, 특정한 용어가 사용되지 않는다면, 상기 단일 층 또는 서브층(502)을 "고정층(502)"이라 한다. For convenience, unless a specific term is used, and the single-layer or sub-layer 502 is referred to as "fixed layer 502". 고정층(502) 위에는 변형가능한 층들(506)이 위치한다. The deformable layers 506 above the fixed bed 502 is positioned. 기판(500)과 층들(506) 사이에는 지지 포스트(504)가 형성되어, 변형가능한 층들(506)이 기판(500) 및 고정층(502)과 분리되게 한다. Between the substrate 500 and the layers 506, the support post 504 is formed, the deformable layers 506 should be separated from the substrate 500 and the fixed layer 502. The 변형가능한 층들(506)은 고정층(502)의 면에 대해 대체적으로 평행한 면으로 높인다. Transformation layers 506 are possible increases in a plane parallel to the substantially to the plane of the fixed bed 502. The 고정층(502)과 대향하는 변형가능한 층(506)의 표면은 소정의 광 스펙트럼에 대해 높은 반사성이므로 완전 미러로서 기능한다. The surface of the fixed bed 502, the deformable layer 506 is because it is opposite to the high reflectivity for a given optical spectral functions as a full mirror.

간섭 변조기(501)는 고정층(502)의 도전부와 변형가능한 층들(506) 사이에 전기 전위치를 인가하거나 인가하지 않음으로써 동작한다. Interference modulator 501 operates as an electric former positioned between the conductive parts and the deformable layers 506 of the fixed layer 502 is not applied or applied. 이것들 사이에 소정의 전기 전위차, 예를 들어 7볼트를 인가하면, 변형가능한 층(506)은 간섭 변조기(501b)의 경우에서와 같이 고정층(502) 쪽으로 변형되어 접촉하게 된다. When applying a predetermined electrical potential difference, for example, 7 volts between these, the deformable layer 506 is deformed toward the fixed layer 502 in contact, as in the case of the interference modulator (501b). 이러한 구동 상태에서, 간섭 변조기(501b)는 예를 들어 감소된 흡수 모드에 있고, 이러한 모드에서는 입사광의 대부분이 간섭 변조기(501b)에 의해 흡수된다. In this driving state, the interference modulator (501b), for example, be in a reduced absorption mode, such a mode is taken up by the majority of incident light interference modulator (501b). 간섭 변조기(501b)가 가시광 스펙트럼에서 동작하도록 설계된 경우에는, 간섭 변조기(501b)의 영역에 대응하는 기판(500)의 표면(400)이 구동 상태에서 검게 변한다. If the interference modulator (501b) is designed to operate in the visible spectrum, the surface 400 of the substrate 500 corresponding to the area of ​​the interference modulator (501b), the turns black in the drive state.

한편, 간섭 변조기(501a)는, 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 사이에 전압이 인가되지 않을 때 생성된 구조에서 도시된 것이다. On the other hand, the interference modulator (501a) is, the voltage between the deformable layer 506, and fixed layer 502 will be shown in the resulting structure, when it is applied. 이러한 구조를 "비구동 상태"라 한다. Such a structure is referred to as "non-operative state." 이러한 상태에서, 변형가능한 층(506)은 고정층과(502)과는 떨어져서 유지되어, 이들 사이에 "간섭 캐비티(interferometric cavity)"이라 하는 공간(499)을 형성한다. In this state, the deformable layer 506 to form a space that is maintained as a fixed bed and is off and 502, the "interference cavity (interferometric cavity)" therebetween (499). 더 정확하게는, 간섭 캐비티(499)는 변형가능한 층(506)과 반사성 표면과 고정층(502)의 부분 미러 표면 사이의 거리로서 정의된다. More precisely, the interference cavity (499) is defined as the distance between the portion of the mirror surface of the deformable layer 506 and the reflective surface of the fixed bed (502). 기판(500)을 통해 간섭 변조기(501a)에 입사하는 광은 캐비티(499)를 통해 간섭적으로 변조된다. Light incident on the interference modulator (501a) through the substrate (500) is modulated by intrusively through the cavity (499). 고정층(502)의 부분 미러 표면과 변형가능한 층(506)의 완전 미러 표면 사이의 거리인 캐비티(499)의 깊이에 의존하여, 간섭 변조는 소정의 광의 파장을 선택하고, 이 광은 기판(500)의 하부 표면(400)으로부터 반사된다. Depending on the depth of the fixed bed 502, part of the mirror surface and the deformable layer distance of the cavity (499) between a full mirror surface 506 of the interference modulation is selected for a given wavelength of light, and the light board (500 ) of it it is reflected from the lower surface (400). 선택된 광의 파장이 가시적이면, 기판(500)의 하부 표면(400)은 상기 파장에 대응하는 가시광을 디스플레이한다. If the selected wavelength of the light is visible, the lower surface 400 of the substrate 500 will display the visible light corresponding to the wavelength. 당업자는 간섭 변조기(501)에서 생성된 간섭 변조를 잘 이해할 것이다. Those skilled in the art will understand the interference generated by the modulation interference modulator 501.

도 9a는 선 9A-9A를 따라 절취한 도 8의 간섭 변조기(501)의 단면도이다. Figure 9a is a cross-sectional view of the interference modulator 501 of Fig. 8 taken along the line 9A-9A. 도 9a는 간섭 변조기(501b)의 측면 방향으로 배열된 추가의 간섭 변조기(501c-501e)를 도시한다. Figure 9a shows the interference modulator interference modulator (501c-501e) is added arranged in a lateral direction of the (501b). 도시된 실시예에서, 고정층(502)은 예를 들어 유전층(413), 미러층(415) 및 도전체 층(417)을 포함하는 서브층들로 구성된다. In the embodiment shown, the fixed layer 502, for example, consists of a sub-layer comprising a dielectric layer 413, mirror layer 415 and conductor layer 417. 도시된 바와 같이, 변형가능한 층(506)은 포스트들(504)에 의해 측면으로 떨어져 있고 고정층(502)과는 실질적으로 평행하여, 이들 사이에는 간섭 캐비티(418)가 생긴다. As shown, the deformable layer 506 is in substantially parallel, produces the interference cavity 418 between them and away from the side and fixed layer (502) by the posts (504). 도시되어 있지는 않지만, 변형가능한 층(506) 위에는 추가의 층들이 형성될 수 있다. Although not shown, additional layers may be formed on the deformable layer 506. 기판(500) 위에 형성된 전체적인 미소-구조는 간섭 변조기의 어레이 또는 어레이(411)를 구성한다. Whole smile formed on a substrate (500) structure is to configure the array or arrays (411) of the interference modulator. 간섭 변조기(501c)는 간섭 캐비티(418)의 깊이에 의존하여 기판(500)을 통해 소정의 광을 대체적으로 반사하는 비구동 상태로 도시되어 있다. Interference modulator (501c) may, depending on the depth of the interference cavity 418 is shown in a non-operative state for reflecting light in a generally predetermined through the substrate 500. 다시, 이러한 깊이는 기판(400) 상에서 반사된 광의 파장을 결정한다. Again, this depth is determined by the wavelength of the light reflected on the substrate 400. 간섭 변조기(501b)는 표면(400) 상에 대체적으로 광을 반사하지 않는 구동 상태로 도시되어 있다. Interference modulator (501b) is shown in its driven state do not reflect light generally on the surface 400. 간섭 변조기(501b 및 501c)의 동작은 당업자에 의해 잘 이해될 것이다. Operation of the interference modulator (501b and 501c) will be well understood by those skilled in the art.

도 9b는 간섭 변조기(501)의 다른 실시예에 대한 미소-구성을 도시한다. It shows the configuration - Figure 9b smile of another embodiment of the interference modulator (501). 본 실시예에서, 변형가능한 층(50)은 변형 가능한 층(506)과 고정층(502) 사이에 위치하는 미러에 연결되어 있다. In this embodiment, the deformable layer 50 is connected to a mirror positioned between the deformable layer 506, and fixed layer (502). 모든 다른 특징은 도 9a의 실시예에 동일하다. All other features are the same as in the embodiment of Figure 9a. 일실시예에서, 미러(419)는 실질적으로 리지드(rigid)이며 고정층(502)에 대향하는 높은 반사성 표면을 갖는다. In one embodiment, the mirror 419 is substantially rigid (rigid) has a highly reflective surface opposite to the fixing layer (502). 변형가능한 층(505)은 고정층(502)과 관련해서 미러(419)의 위치를 제어하는 기능을 하며 리지드 미러(419)는 이 프로세스에서는 어떠한 상당한 구부러짐이나 변형이 이루어지지 않는다. Deformable layer 505 is a function of with respect to a fixed bed (502) controlling the position of mirror 419, and a rigid mirror 419 does not have any significant bending or deformation is done in the process. 본 실시예에서, 간섭 캐비티(418)는 미러(419), 더 정확하게는 미러 층(415)과 고정층(502) 사이의 공간에 의해 형성된다. In this embodiment, the interference cavity 418 is formed by a space between the mirror 419, more accurately, the mirror layer 415, and fixed layer (502). 간섭 변조기(501c)는 비구동 상태로 도시되어 있지만, 간섭 변조기(501b)는 구동 상태로 도시되어 있다. Although interference modulator (501c) are shown as a non-driven state, the interference modulator (501b) is shown in its drive state.

도 9a 및 도 9b에 도시된 실시예들에서, 고정층(502)은 도전체와 미러로서 기능하는 단일 층에 의해 형성될 수 있다. In the embodiments shown in Figures 9a and 9b, the fixed bed 502 can be formed by a single layer that functions as a conductor and the mirror. 대안적으로, 고정층(502)은 예를 들어 미러층과 도전층으로 이루어지는 쌍과, 전극과 미러의 2기능의 층과 유전층으로 이루어지는 쌍의, 2층으로 형성될 수 있다. Alternatively, the fixed bed 502, for example, be composed of a conductive layer and a mirror layer pair and a pair of electrodes and composed of a dielectric layer and a second function of the mirror, formed in a second layer. 또한, 다른 실시예에서, 하나 이상의 추가의 층이 고정층(502) 외에 또는 층들(413, 415 및 417) 사이에 형성될 수 있다. Further, in another embodiment, one or more additional layers can be formed between the fixed layer 502 or in addition to the layers (413, 415 and 417). 또한, 도시되지는 않았지만, 도 9a 및 도 9b의 실시예들의 변형가능한 층 및 미러(419)는 적층된 구성을 가질 수 있다. In addition, although not shown, it Figures 9a and a deformable layer and a mirror 419 of the embodiment of Figure 9b may have a laminated structure. 예를 들어, 유전층은 변형가능한 층(도 9a)의 표면이나 미러(419)(도 9b) 위에 형성될 수 있고, 특히 고정층(502)에 대향하는 표면 위에 형성될 수 있다. For example, the dielectric layer may be formed on the surface or mirror 419 (FIG. 9b) of the deformable layer (Fig. 9a), in particular it can be formed on the surface opposite to the fixing layer (502). 변형가능한 층(506)(도 9a) 또는 미러(419)(도 9b) 위의 유전층은 고정층(502)이 유전층(413)을 포함하지 않는 구조를 가질 때 유용할 수 있다. Dielectric layer above the deformable layer 506 (FIG. 9a), or the mirror 419 (Fig. 9b) may be useful when a fixed bed 502 have a structure that does not include the dielectric layer 413. 당업자는 변형가능한 층(506) 또는 미러(419) 위에 형성될 수 있는 고정층(502) 및/또는 추가의 층들을 제조하는 다양한 막 또는 층의 형성을 이해할 것이다. Those skilled in the art will appreciate the formation of various films or layers for producing a fixed bed (502) and / or further layers that may be formed over the deformable layer 506 or the mirror 419.

전형적인 구성에서, 도 8, 도 9a 및 도 9b에 도시된 바와 같이, 변형가능한 층(506) 또는 미러(419)는 그 동작 동안 특히 간섭 변조기(501)가 그 구동 상태에 있을 때 고정층(502)과 물리적으로 접촉할 수 있다. In a typical configuration, 8, a, a fixed bed 502 when the deformable layer 506 or the mirror 419, in particular interference modulator 501 for its operation is in the drive state, as shown in Figures 9a and 9b and it may be in physical contact with. 2층간의 물리적 접촉이나 상호작용으로 인해 어떤 역효과가 생길 수 있으며, 특히 간섭 캐비티를 형성하는 표면들 사이에 상호작용이 있으면 역효과가 생기는데, 상기 표면은 고정층(502)과 변형가능한 층(506)(또는 미러 419)의 미러 표면들이다. Because of the physical contact or interaction of the second interlayer can lead to any adverse effect, especially if the interaction between the surface to form an interference cavity causes a backfire, said surface layer capable fixing layer 502 and the strain 506 ( or they are the mirror surface of the mirror 419). 미러층(415) 위의 유전층(413)은 간섭 캐비티를 형성하는 표면들 사이의 기계적 및/또는 전기적 상호작용을 최소화 또는 감소시키기 위해 제공된다. Dielectric layer 413 above the mirror layer 415 is provided to minimize or reduce the mechanical and / or electrical interaction between the surfaces that form the interference cavity. 같은 이유로, 유전층(도시되지 않음)은 변형가능한 층(506) 또는 미러(419)의 표면 상에 형성될 수 있다. For the same reason, a dielectric layer (not shown) may be formed on the surface of the deformable layer 506 or the mirror 419. 그렇지만, 구동 상태와 비구동 상태 사이의 반복된 변화는 결국 이러한 유전층의 기계적 및/또는 전기적 저하를 가져올 수 있다. However, the repeated changes between the driven state and the undriven state can eventually lead to mechanical and / or electrical deterioration of the dielectric layer.

또한, 유전층들은 제조 프로세스의 불완전성으로 인해 그 내부에 약간의 전하를 포함할 수 있으며, 이것은 제조 프로세스에 제한되지 않는다. In addition, the dielectric layers may include some charges therein due to imperfections in the manufacturing process, this is not limited to the manufacturing process. 유전층 내의 전하는 변형가능한 층(506)(또는 미러(419))과 고정층(502) 사이에 인력이 생기게 한다. Charge in the dielectric layer and causing the attraction between the deformable layer 506 (or the mirror 419) and a fixed bed (502). 간섭 변조기(501)의 유닛이 그 구동 상태에서 비구동 상태로 동작할 때 변형가능한 층(506)(또는 미러(419))을 고정층(502)과 분리시키기 위해서는 약간의 추가적인 힘이 필요하다. A little extra force is required for when the unit of the interference modulator 501 is operable in a non-drive state at the driving condition the deformable layer 506 (or the mirror 419) to separate from the fixed bed (502). 또한, 유전층(413)이 변형가능한 층(또는 미러(419))과 접촉할 때, 이 2개의 접촉하는 층들의 재료 사이에 다른 형태의 인력이 있을 수 있다. In addition, the dielectric layer 413 can be other forms of attraction between the material of the deformable layer when in contact with (or mirror 419), the two contact layers. 또한, 고정층(502)이 구동 상태에서 변형가능한 층(506)(또는 미러(419))과 접촉하지 않는 실시예에서조차도, 이들 사이의 갭은 일반적으로 매우 작은데, 예를 들어 200Å(20nm) 정도이다. Further, the fixed bed 502, the extent of non-contact with the driving state the deformable layer 506 (or the mirror 419) in the example, even in the gap between them is usually very jakeunde, for example, 200Å (20nm) . 소정의 조건에서, 주위 환경으로부터의 수분이 이 작은 갭에 밀집되어 액정층을 형성할 수 있다. In certain conditions, the moisture from the surrounding environment to form a liquid crystal layer is concentrated in this small gap. 상기 층들을 이러한 상태에서 떨어뜨리기 위해서는, 상기 액정층의 표면 장력을 극복할 추가의 힘이 필요하다. In order to drop the layers in such a state, there is a need for additional force to overcome the surface tension of the liquid crystal layer.

유전층(들)의 저하 및 추가의 힘의 필요성은 랜딩 패드, 범프 및 스프링과 같은 구성요소의 사용을 포함하는, 여기에서 서술한 실시예들의 다양한 기술 및 특징들에 의해 극복될 수 있다. Need for reduced and more of the dielectric layer (s) force can be overcome by various techniques and features of the embodiments described herein, including the use of components such as the landing pad, a bump and a spring. 유전층의 저하 및 추가의 힘의 그 관련 필요성과 관련해서 도입하였지만, 이하에 서술된 기술적 특징들은 그러한 저하나 추가의 힘의 필요성 없이 MEMS 기술을 이용하는 간섭 변조기의 임의의 구성에 사용될 수 있다. Although the introduction with respect to the associated need for a lowering of the dielectric strength and further, the technical features described below can be used in any configuration of the interference modulator using a MEMS technology without the need for such a low one additional power. 설명의 편의상, 간섭 변조기에 대한 이하의 서술은 도 8 및 도 9a에 도시된 일반적인 아키텍처를 갖는다. The following description for the sake of convenience, the interference modulator of the description has the general architecture shown in Figure 8 and 9a. 그렇지만, 도 9b에 도시된 실시예를 포함하는, 간섭 변조기의 어떠한 다른 아키텍처에도 모든 특징이 적용될 수 있다. However, it is possible to apply any characteristic, any other architecture of interference modulators, including the embodiment shown in Figure 9b.

실시예는 간섭 변조기를 제공하며, 상기 간섭 변조기는 제1 반사 평면부를 포함하는 제1 층; Embodiment provides the interference modulator, the first layer of the interference modulator comprises a first reflecting plane portion; 상기 제1 반사 평면부에 실질적으로 평행하게 위치하는 제2 반사 평면부를 포함하고 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동가능한 제2 층으로서, 상기 제1 위치는 상기 제1 층으로부터의 제1 거리이고, 상기 제2 위치는 상기 제1 층으로부터의 제2 거리이며, 상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 큰, 제2 층; 2 as comprising reflective plane portion and the second layer is movable between a first position and a second position, said first position substantially parallel to the to the first reflecting plane portion is a first distance from the first layer and the second position is a second distance and said second distance is the greater than the first distance, the second layer from the first layer; 및 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 위치한 표면을 가지며, 상기 제2 층이 상기 제1 위치에 있을 때 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 하나 이상의 갭 영역을 형성하는 부재를 포함하며, 상기 하나 이상의 갭 영역 내에서 상기 제2 층은 상기 제1 층 및 상기 부재의 어느 것과도 접촉하지 않는다. And including a member for forming the first at least one gap area between the first layer and the second having a surface located between the layer, the second layer is the first position of the first layer and the second layer when the and it said second layer in said at least one gap area is not in contact also with any of the first layer and the member. 본 실시예의 다양한 관점은 이하에 상세히 서술한다. Example various aspects of the present embodiment will be described below in detail.

랜딩 패드 Landing pad

도 10a 및 도 10b는 랜딩 패드(513)를 포함하는 간섭 변조기(301)의 실시예를 도시한다. Figs. 10a and 10b shows an embodiment of the interference modulator 301 comprising a landing pad (513). 도시된 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 고정층(502)의 상부 표면을 넘어 고정층(502)을 통해 기판(500)으로부터 연장한다. In the illustrated embodiment, the landing pad 513 over the top surface of the fixed layer 502 to extend from the substrate 500 through the fixed bed (502). 따라서, 간섭 변조기(301)가 그 비구동 상태(도 10a)로부터 구동 상태(도 10b)로 구동되면, 변형가능한 층(506)의 이동은 랜딩 패드(513)에 의해 방해를 받고, 이에 의해 변형가능한 층(506)이 고정층(502) 쪽으로 더 이동하지 못하게 되어 이 층들(502 및 506) 사이에 물리적 접촉이 일어나지 않게 되며, 층들(506 및 502) 사이의 원하는 분리 거리가 유지된다. Therefore, when the interference modulator 301 is driven with the drive state (Fig. 10b) from its non-operative state (FIG. 10a), movement of the deformable layer 506 has been interrupted by the landing pad 513, and thus modified by possible layer 506 so that it no longer is a fixed bed prevents further movement towards the (502) a physical contact occurs between the layers (502 and 506) and, the layers maintain the desired separation distance between (506 and 502). 도 9a 및 도 9b를 참조하여 전술한 바와 같이, 고정층(502)은 단일의 층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있다. As described with reference to Figures 9a and 9b above, the fixed bed 502 can be formed in a single layer or multiple layers. 또한, 고정층(502)은 유전층(413)을 포함할 수도 있고 포함하지 않을 수도 있다. Further, the fixed bed 502 may not be included and may comprise a dielectric layer (413). 랜딩 패드(513)는 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 사이에 위치한 표면(514)을 갖는 부재들의 예임을 이해할 수 있을 것이다. Landing pad 513. It will be appreciated that the example of the member having a surface 514 located between the deformable layer 506, and fixed layer (502). 랜딩 패드(513)는 간섭 변조기(301)가 구동 상태(도 10b)에 있을 때 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 사이의 갭 영역(418a)을 형성한다. Landing pad 513 to form a gap region (418a) between the interference when modulator 301 is in the drive state (Fig. 10b), the deformable layer 506 and the fixed layer 502. The 갭 영역(418a) 내의 변형가능한 층(506)은 고정층(502) 및 랜딩 패드(513)의 어느 것과도 접촉하지 않는다. A deformable layer 506 in the gap region (418a) is not in contact also with any of the fixed bed 502 and the landing pad (513).

도 10c에 도시된 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 고정층(502)의 상부 표면 위에 형성될 수 있다. The another embodiment, the landing pad 513, shown in Figure 10c may be formed on the upper surface of the fixed bed (502). 도 10d에 도시된 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 하나 이상의 다른 서브층들(413)을 통해 고정층(502)의 서브층(415)으로부터 연장할 수 있다. In the other embodiment shown in Figure 10d, the landing pad 513 may extend from the sub-layer 415 of the fixed layer 502 via the one or more other sub-layer (413). 도 10e에 도시된 또 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 기판(500)과 일체로 형성되어 고정층(502)을 통해 연장할 수 있다. In another embodiment shown in Figure 10e, landing pad 513 is formed integrally with the substrate 500 can extend through the fixed bed (502). 다른 실시예에서, 도 10f에 도시된 바와 같이, 랜딩 패드(513)는 기판(500)과 고정층(502) 사이의 경계 아래로부터 기판(500)과 고정층(502)을 모두를 통해 연장할 수 있다. In another embodiment, as shown in Figure 10f, the landing pad 513 may extend through both the substrate 500 and the fixed layer 502 from beneath the boundary between the substrate 500 and the fixed bed 502 .

도 10g에 도시된 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 변형가능한 층(506) 또는 미러(419)(도시되지 않음) 위에 형성될 수 있다. In Figure 10g the other embodiment shown in e.g., the landing pad 513 may be formed over the deformable layer 506 or the mirror 419 (not shown). 도 10h 및 도 10i에 도시된 다른 실시예들에서, 랜딩 패드(513)는 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 모두의 위에 형성될 수 있다. Figure 10h, and in the Figure an alternative embodiment shown in 10i, landing pad 513 may be formed on both of the deformable layer 506, and fixed layer (502). 하나 이상의 랜딩 패드가 변형가능한 층(506) 위에 형성되는 전술한 실시예들에서, 도시되지는 않았지만, 랜딩 패드(513)가 도 10a - 도 10f에 도시된 고정층(502)의 다양한 서브층 또는 기판(500)으로부터 연장하는 것과 같이, 연장하는 경우가 있다면, 랜딩 패드(513)는 변형가능한 층(506)의 다양한 서브층으로부터 연장할 수 있다. One or more landing pads are deformable layer 506 described above in one embodiment, although not shown, a landing pad 513 is Figure 10a formed on the-FIG various sub-layers or substrates of the fixed bed 502 shown in 10f as extending from 500, if there is a case of extending, the landing pad 513 may extend from the various sub-layer of the deformable layer 506.

랜딩 패드(513)는 고정층(502) 또는 변형가능한 층(506) 위에, 또는 간섭 캐비티(418) 내의, 다양한 위치에 위치할 수 있다. Landing pad 513 may be located at various positions in the fixed layer 502 or the deformable layer 506 on top, or interference cavity 418. 도 10j는 선 10J-10J(도 10a)을 따라 절취한 도 10a의 실시예의 상부 단면도이다. Figure 10j is a cross-sectional view of one embodiment of the upper Figure 10a taken along line 10J-10J (FIG. 10a). 도 10j에 도시된 다른 실시예에서, 예를 들어, 랜딩 패드(513)는 일반적으로 간섭 캐비티(418) 내의 고정층(502) 및/또는 변형가능한 층(506)의 주변부 위에 위치한다. Also in the other embodiment shown in 10j, for example, landing pad 513 is typically positioned above the peripheral portion of the fixed layer 502 and / or the deformable layer 506 in the interference cavity 418. 선택적으로, 랜딩 패드(513)의 존재가 간섭 변조기(301)의 광학적 특성에 아무런 영향을 주지 않을 고정층(502) 및/또는 변형가능한 층(506)의 부분들에 랜딩 패드(513)가 위치한다. Alternatively, the landing pad 513, on the portions of the landing pad 513, the interference modulator 301 yet not affect the fixed bed 502 and / or the deformable layer 506 in the optical properties of the presence of the position . (도시되지 않은) 다른 실시예에서, 랜댕 패드(513)는 간섭 캐비티(418) 내의 고정층(502) 및/또는 변형가능한 층(513)의 중심부에 위치할 수 있다. In another embodiment (not shown), raendaeng pad 513 may be located in the center of the fixed layer 502 and / or the deformable layer 513 in the interference cavity 418. (도시되지 않은) 또 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 간섭 캐비티(418) 내의 고정층(502) 및/또는 변형가능한 층(513)의 중심부 및 주변부 모두에 위치할 수 있다. In the (non-shown) further embodiment, the landing pad 513 may be located in both central and peripheral portions of the fixed layer 502 and / or the deformable layer 513 in the interference cavity 418. (도시되지 않은) 추가의 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 변형가능한 층(506)이 먼저 고정층(502)에 접촉하는 곳에 위치할 수 있다. In a further embodiment (not shown), a landing pad 513 may be located where the deformable layer 506 is in contact with the first fixed layer 502.

도 10a 및 도 10g를 다시 참조하면, 랜딩 패드가 고정층(도 10a) 또는 변형가능한 층(도 10g)의 표면을 넘어 519로 표시된 높이만큼 연장한다는 것을 알 수 있다. When FIG. 10a and FIG again to 10g, it can be seen that the landing pad is extended beyond the displayed 519 to as high as the surface of the fixed bed (FIG. 10a) or deformable layer (Fig. 10g). 일실시예에서, 랜딩 패드 높이(519)는 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 사이에 물리적 접촉이 이루어지지 않도록 선택된다. In one embodiment, the height of the landing pad (519) is selected to prevent the physical contact made between the deformable layer 506 and the fixed layer 502. The 다른 실시예에서, 높이(519)는 그러한 접촉이 이루어지지 않도록 선택될 뿐만 아니라, 간섭 변조기(301)의 원하는 광학적 특성의 생성될 수 있도록 하기 위해, 간섭 변조기(310)의 구동 상태에서 간섭 캐비티(418)의 깊이를 형성하도록 선택된다. To allow another embodiment, the height 519 may be created of the desired optical properties, as well as be chosen so that it does not have such contact achieved, interference modulator 301, interference cavity in the driving condition of the interference modulator (310) ( 418) is selected so that the forming depth. 일실시예에서, 랜딩 패드(513)는 2개의 층(506 및 502) 사이의 거리를 정확하게 형성하도록 구성된다. In one embodiment, a landing pad (513) is configured to accurately form the distance between the two layers (506 and 502). 그러므로 랜딩 패드(513)를 사용하여 간섭 캐비티(418)의 최소 크기를 매우 정확하고 정밀하게 제어할 수 있다. Therefore, it is possible to very accurately and precisely control the minimum size of the interference cavity 418, with the landing pad (513).

디스플레이 소자로서 사용하기 위한 간섭 변조기(301)의 일실시예에서, 구동 상태에서의 간섭 캐비티 깊이는 전부는 아니지만 가시광의 대부분을 흡수할 수 있을 정도로 충분히 짧다. In one embodiment of the interference modulator 301 for use as a display element, the interference depth of the cavity in the driving state, but not all, it is short enough to absorb most of the visible light. 디스플레이 소자로서 사용하기 위한 간섭 변조기(301)의 다른 실시예에서, 구동 상태에서의 간섭 캐비티 깊이는 입사광의 선택된 가시 파장을 반사한다. In another embodiment of the interference modulator 301 for use as a display element, the interference depth of the cavity in the driving condition is to reflect incident light of a visible wavelength is selected. 구동 상태에서의 간섭 캐비티 깊이가 층들(502 및 506)의 반사 표면들 사이에 위치한 다양한 층들 및/또는 구조의 두께에 의해 결정되기 때문에, 랜딩 패드(513)의 높이(519)는 기판(500) 상에 디스플레이되는 컬러와 관련해서 설계된다. Because they are determined by the various layers and / or structure thickness in the interference cavity depth in the driving state among the reflection surfaces of the layers (502 and 506), the height 519 of the landing pad (513) includes a substrate (500) It is designed with regard to the color being displayed on. 이러한 디스플레이 실시예에서, 높이(519)는 예를 들어 약 50Å 내지 약 1500Å이며 바람직하게는 약 100Å 내지 약 300Å이다. In this display example, the height 519, for example, from about 50Å to about 1500Å preferably from about 100Å to about 300Å.

일실시예에서, 랜딩 패드(513)의 랜딩 표면(514)은 도 10a에 도시된 바와 같이 실질적으로 평면이다. In one embodiment, the landing surface 514 of the landing pad (513) is substantially planar as shown in Figure 10a. 또한, 도 10a에 설명된 실시예에서와 같이, 랜딩 표면(514)은 이 랜딩 표면(514) 위에 있는 변형가능한 층(506) 또는 고정층의 표면과 실질적으로 평행하다. Furthermore, as in the embodiments described 10a, the landing surface 514 is a landing surface (514) substantially parallel to the surface of the deformable layer 506 or a fixed bed in the upper. 본 실시예에서, 랜딩 표면(514)의 크기는 약 0.1미크론 내지 약 25미크론이며, 바람직하게는 약 3미크론 내지 약 10미크론이다. In this embodiment, the size of the landing surface 514 is about 0.1 microns to about 25 microns, preferably from about 3 microns to about 10 microns. 도 10c에 설명된 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)의 랜딩 표면(514)은 거칠거나 울퉁불퉁하거나 돋아나 있다. In the alternative embodiment illustrated in Figure 10c for example, the landing surface of the landing pad 513, 514 may or rough or rugged or sprouting. 도 10f에 설명된 바와 같은 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)의 랜딩 표면(514)은 랜딩 표면(514) 위에 있는 대응 표면에 평행한 평면으로부터 경사져 있다. In other embodiments as described in 10f, the landing surface 514 of the landing pad (513) is inclined from a plane parallel to the corresponding surface in the upper landing surface (514). 도 10d에 설명된 바와 같은 다른 실시예에서, 랜딩 표면(514)은 실질적으로 둥글게 되어 있다. In another embodiment as described in Fig. 10d for example, the landing surface 514 is substantially round with.

랜딩 패드(513)는 금속, 합금, 유전 재료, 및 탄성 중합체 재료를 포함하는 다양한 재료로 제조될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. Landing pad 513 can be made from a variety of materials including a metal, an alloy, a dielectric material, and the elastomeric material, but are not limited to. 예를 들어, 이러한 재료들은 알루미늄을 포함하는 금속, 반도체, 금속 또는 반도체로 이루어진 산화물, 금속 또는 반도체로 이루어진 질화물, 및 금속 또는 반도체로 이루어진 산화질화물을 포함한다. For example, such materials include the oxynitride of a nitride, and a metal or a semiconductor formed of an oxide, a metal or a semiconductor made of a metal, a semiconductor, a metal or semiconductor containing aluminum. 양호하게, 랜딩 패드(513)를 형성하는 재료는 간섭 변조기(301)의 전기적 또는 광학적 특성에 영향을 끼치지 않거나 사소하게 끼치는 것들이다. Material well, forming a landing pad 513 does not affect the electrical or optical properties of the interference modulator 301 is what the damaging trivial.

일실시예에서, 랜딩 패드(513)는 간섭 변조기(301)가 선택할 수 있는 광 스펙트럼에 광학적으로 투명하다. In one embodiment, a landing pad (513) is optically transparent to the light spectrum of the interference modulator 301 can be selected. 선택적으로, 광 스펙트럼이 가시광을 포함하는 경우에, 랜딩 패드(513)에 사용될 수 있는 투명 재료는 예를 들어 금속 또는 반도체로 이루어진 산화물, 금속 또는 반도체로 이루어진 질화물, 금속 또는 반도체로 이루어진 산화질화물을 포함한다. Alternatively, in the case where the light spectrum, including visible light, transparent material which can be used in the landing pad 513, for example, an oxynitride of a nitride, a metal or a semiconductor formed of an oxide, a metal or a semiconductor made of a metal or semiconductor It includes. 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 간섭 변조기(301)가 선택할 수 있는 광 스펙트럼을 흡수하는 재료로 제조될 수 있다. In another embodiment, the landing pad 513 may be made of a material that absorbs light spectra that can be selected the interference modulator 301. 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 광 흡수 재료로 덮일 수 있다. In another embodiment, the landing pad 513 may be covered with light absorbing material. 선택적으로, 광 스펙트럼이 가시광을 포함하는 경우에, 랜딩 패드(513)에 사용될 수 있는 광 흡수 재료는 예를 들어, 크롬, 니켈, 티타늄, 몰리브덴 등과 같은 중합체 재료 또는 금속을 포함할 수 있다. Alternatively, in the case where the light spectrum, including visible light, and light absorbing material that can be used in the landing pad 513 may comprise a polymer material or metal, such as, for example, chromium, nickel, titanium, molybdenum. 또 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 간섭 변조기(301)가 선택할 수 있는 광 스펙트럼을 반사하는 재료로 제조될 수 있다. In yet another embodiment, the landing pad 513 may be made of a material that reflects light in the interference spectrum modulator 301 can be selected. 또 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 광 반사 재료로 덮일 수 있다. In yet another embodiment, the landing pad 513 may be covered with light reflecting material. 선택적으로, 광 스펙트럼이 가시광을 포함하는 경우에, 랜딩 패드(513)에 사용될 수 있는 광 반사 재료는 예를 들어 은, 알루미늄, 금, 플래티늄 등과 같은 중합체 재료 또는 금속을 포함한다. Alternatively, in the case where the light spectrum, including visible light, the light reflecting material which can be used in the landing pad 513, for example, include a polymeric material or a metal such as aluminum, gold, platinum.

간섭 변조기의 유닛에서, 복수의 랜딩 패드(513)를 사용할 수 있다. In the unit of the interference modulator, it is possible to use a plurality of the landing pad (513). 그러므로 간섭 변조기(301)의 층들의 랜딩 표면들을 제공하도록 2, 3, 4, 5, 6 및 그 이상의 랜딩 패드(513)를 제조할 수 있다. Therefore, interference modulators can be prepared landing surface 2, 3, 4, 5, 6 and above the landing pad 513 to provide a layer of 301. 양호하게, 복수의 랜딩 패드(513)는 고정층(502) 또는 변형가능한 층(506) 위에 서로 가능한 한 떨어지도록 배열된다. Preferably, a plurality of the landing pad (513) is arranged to fall as possible each other on the fixed layer 502 or the deformable layer 506. 일실시예에서, 간섭 변조기(301)의 유닛 당 단일의 랜딩 패드(513)가 사용될 수 있다. In one embodiment, a landing pad 513 in a single sugar unit of the interference modulator 301 may be used.

랜딩 패드(513)는 고정층(502)에 평행한 평면에 높이는 임의의 단면 형상으로 위치할 수 있다. Landing pad 513 may be located in an arbitrary cross-sectional shape in a plane parallel to the height of the fixed bed (502). 도 10j에 설명된 실시예에서, 랜딩 패드(513)의 단면 형상은 실질적으로 원형, 타원형, 직사각형 및 오각형일 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. In the embodiment described in 10j, the cross-sectional shape of the landing pad 513 may be substantially circular, oval, rectangular, and pentagonal, not limited to this.

랜딩 패드(513)는 다양한 구성으로 제조될 수 있으며 전술한 바와 같이 다양한 구성성분으로 제조될 수 있으며, 재료를 침적시키고 선택적으로 에칭하는 현재의 기술을 이용할 수 있다. Landing pad 513 may be made in a variety of configurations, and the deposition material may be prepared in a variety of ingredients, as described above, and take advantage of the selective current technology for etching a. 일실시예에서, 랜딩 패드(513)는 또한 간섭 변조기(310)의 층들의 변형으로부터 생성될 수 있다. In one embodiment, a landing pad (513) can also be produced from the strain of the layers of the interference modulator (310). 다른 실시예에서, 랜딩 패드(513)는 종래의 반도체 제조 기술을 사용하여 생성될 수 있다. In another embodiment, the landing pad 513 may be generated using conventional semiconductor manufacturing techniques.

MEMS 기기는 종종 전압 전위의 인가에 의해 활성화되는 개별 소자들의 어레이를 포함한다. And MEMS devices often comprise an array of discrete elements which are activated by the application of the voltage potential. 소자들은 미러, 스위치, 기어 모터 등을 포함하는, 많은 서로 다른 유형의 구조체를 포함한다. Devices include, many different types of structures including a mirror, a switch, the gear motor or the like. 전압 전위의 인가는 구조체에 전위를 직접 인가하거나 구조체 주의의 전기장 또는 자기장을 조작함으로써 수행될 수 있다. Application of a voltage potential may be performed by applying the voltage directly to the structure or operation of an electric field or magnetic field of the structure, attention. 예를 들어, 어떤 소자와 전압이 인가되는 다른 구조체 사이의 정전기력(electrostatic attraction)에 의해 그 소자는 활성화될 수 있다. For example, the element by an electrostatic force (electrostatic attraction) between any elements and the voltage is applied to the other structures that may be activated. 본 설명의 목적상, 전압이 인가되는 구조체를 전극으로 칭하기로 한다. For purposes of this explanation, it is referred to a structure in which voltage is applied to the electrode.

이러한 유형의 기기에서, 소자와 전극 사이에는 일반적으로 갭이 존재한다. In this type of device, and between the element and the electrodes, there is typically a gap. 이러한 갭에 의해 소자와 전극 사이에 용량성 전하(capacitive charge)가 발생한다. There occurs a capacitive charge (charge capacitive) between the device and the electrode by such a gap. 이러한 유형의 구조를 갖는 대부분의 MEMS 구조에 있어서, 그 기기의 성능은 갭에 존재하는 캐패시턴스를 감소시킴으로써 향상된다. In most MEMS structure having a structure of this type, the performance of the device is improved by reducing the capacitance present in the gap. 이러한 캐패시턴스의 감소는 더욱 예측가능한 성능을 생성하여, 상기 소자나 주위의 소자들에 손상을 입힐 수 있는 용량성 방전의 위험이 감소된다. This reduction in capacitance will create a more predictable performance, the risk of capacitive discharge, which could cause damage to the elements around the elements or is reduced.

흑과 백 사이를 스위치하는 디스플레이와 같은 2색 디스플레이에서, 하나의 간섭 변조기 소자는 하나의 픽셀에 대응한다. In the two-color display, such as a display that switches between black and white, one interference modulator element corresponds to one pixel. 컬러 디스플레이에서, 3 이상의 간섭 변조기 소자가 각각의 픽셀을 형성하는데, 예를 들어, 각각이 적, 녹, 청을 형성한다. To display in color, three or more interference the modulator element is formed for each pixel, for example, each formed in the red, green, and blue. 개별의 간섭 변조기 소자들은 원하는 픽셀 반사성을 생성하도록 개별적으로 제어된다. Interference modulator element of each are controlled separately to produce the desired pixel reflectivity. 통상적으로, 캐비티의 이동가능한 벽(wall) 또는 소자에 전압이 인가되고, 그것이 다른 전극에 정전기적으로 이끌려지게 되어, 뷰어(viewer)에게 보이는 픽셀의 컬러가 변하게 된다. Typically, the voltage is applied to the movable wall (wall), or elements of the cavity, it is be drawn by the electrostatic electrode in the other, it is changed the color of the pixel seen by the viewer (viewer).

간섭 변조기는 전극과는 떨어져 있는 소자를 갖는 능동 MEMS 기기의 하나의 유형에 불과하며, 상기 전극은 능동 MEMS 기기를 활성화하는데 사용된다. Interference modulator is merely one type of active device having a MEMS element is detached and the electrode, the electrode is used to enable the active MEMS devices. 다른 예는 MEMS 스위치가 될 수 있다. Another example can be a MEMS switch. 이러한 기기들은 그 동작에 영향을 끼치는 높은 캐패시턴스를 겪게 된다. These devices are subjected to high capacitance which affect the operation. 어떤 기기가 기계적 해방 상태에서 높은 캐패시턴스를 갖는다면, 인력의 전하(attractive charge)가 기기를 활성화하는데 더 오래 걸리게 되어 기기의 응답 시간이 느려질 수 있다. If any device having a high capacitance in a mechanically released state, the charge of the force (attractive charge) is it takes longer to activate a device can slow down the response time of the device.

기기의 캐패시턴스는 C = εA/d와 같이 주어진, 이상적인 평행-플레이트 캐패시터의 캐패시턴스에 의해 근사될 수 있으며, 여기서 ε는 이동가능한 벽과 전극 사이의 재료의 전기적 허용도(electrical primitivity)이고, A는 전극의 표면 영역이고, d는 이동가능한 벽과 전극 사이의 갭 거리이다. The capacitance of the device is C = εA / d as given above, an ideal parallel-and electrical tolerances (electrical primitivity) of the material between, and can be approximated by the capacitance of the plate capacitor, where ε is a movable wall and the electrode, A is the surface area of ​​the electrodes, d is the gap distance between the movable wall and the electrode. 재료의 전기적 허용도 ε는 진공의 전기적 허용도 ε 0 를 곱한 재료의 유전 상수 κ와 같다. Electrical allow the material ε is also electrically allow a vacuum also equal to the dielectric constant κ of the material multiplied by the ε 0. 다양한 실시예에서, 이동가능한 벽과 전극 사이의 캐패시턴스는 전극과 이동가능한 벽 사이의 갭의 크기를 감소시키거나 상기 갭 내의 재료의 유전 상수를 낮추면(즉, 상기 식에서 ε를 감소시키면) 감소된다. Capacitance between, in various embodiments, the moveable wall and the electrodes is decreased to reduce the gap size between the electrode and the movable wall or by lowering the dielectric constant of the material in the gap (ie, decreasing the expression ε). 예를 들어, 상기 갭은 가스 또는 가스 혼합물(예를 들어 공기)과 같이, 낮은 유전 상수를 갖는 재료를 포함할 수 있다. For example, the gap is as a gas or gas mixture (e.g. air), and may include a material having a low dielectric constant. 감소된 유전 상수를 갖는 갭 내의 재료의 이러한 사용은 유전 표면의 용량적 충전을 낮추는 효과를 일으키고 이에 캐패시턴스가 낮아진다. This use of the material in the gap having a reduced dielectric constant is lowered is causing the effect of lowering the capacitive charging of the dielectric surface of this capacitance.

MEMS 기기에 대한 처리 흐름의 실시예가 도 11에 도시되어 있다. An embodiment of process flow for a MEMS device is shown in FIG. 본 실시예에서, 단계 150에서 기판 위에 전극이 형성된다. In this embodiment, the electrodes on the substrate at the step 150 is formed. 단계 152에서, 다층 유전 스택이 침적되고, 단계 154에서 패턴화된다. In step 152, the multi-layer dielectric stack is deposited, and patterned in step 154. 단계 156에서, 다층 유전 스택의 부분들, 예를 들어 얇은 산화 정지층이 제거된다. At step 156, portions of the multilayer dielectric stack, for example, a thin oxide stop layer is removed. 그런 다음 단계 158에서, MEMS 기기는 그 적절한 처리가 수행되는데, 상기 처리에는 희생층을 사용하여 갭을 형성하는 것이 포함된다. Then, in step 158, the MEMS device is accomplished that the appropriate treatment, the process involves forming a gap by using a sacrificial layer. 단계 160에서, 상기 희생층, 및 산화 정지층 아래에 있지 않은 다층 유전 스택의 일부는 제거된다. In step 160, the sacrificial layer, and a portion of the multi-layer dielectric stack that is not under the oxidation stop layer is removed. 다른 실시예에서, 분류된 유전 재료(graded dielectric material)는 단계 152에서 다층 유전 스택 대신에 침적된다. In another embodiment, the classification dielectric material (graded dielectric material) is deposited in place of the multi-layer dielectric stack in step 152. 도 11에 설명된 처리의 나머지는 유사한 방식으로 계속되고, 단계 156에서 상기 분류된 유전 재료의 상부 부분을 제거하는 단계와, 단계 160에서 상기 분류된 유전 재료의 하부 부분을 상기 희생층과 함께 제거하는 단계를 포함한다. The rest of the processing described in Figure 11 continues in a similar manner, removing the upper portion of the classification dielectric material at step 156, to remove the lower portion of the classification dielectric material with the sacrificial layer at step 160 and a step of.

다층 유전 스택을 갖는 간섭 변조기의 실시예가 도 12에 도시되어 있다. An embodiment of the interference modulator having a multi-layer dielectric stack is shown in Fig. 본 실시예에서, 제거되지 않은 유전 스택(513)의 부분들은 지지 포스트(18)의 바로 아래가 아닌 기기(140)를 가로질러 나타난다. Parts of the present embodiment, that have not been removed the dielectric stack (513) appear across the device 140 is just not the bottom of the support post (18). 상기 산화 정지층을 형성하는 처리는 유전 스택의 부분들을 원하는 곳에 남겨 두기를 원하는 대로 수정될 수 있다. Process of forming the oxidation stop layer may be modified as desired to leave where desired portions of the dielectric stack.

도 13 내지 도 19는 포토리소그래피, 침적, 마스킹, 에칭(예를 들어, 플라즈마 에칭과 같은 건식 방법 및 습식 에칭) 등과 같은 종래의 반도체 제조 기술을 사용하여, 랜딩 패드(513)를 포함하는 간섭 변조기의 제조를 위한 처리의 실시예를 나타낸다. And 13 to 19 using conventional semiconductor manufacturing techniques such as photolithography, deposition, masking, etching (e.g., dry method and wet etching, such as plasma etching), the interference modulator comprising a landing pad (513) a view showing an embodiment of a process for the preparation. 침적은 화학적 진공 침적(CVD, 플라즈마-향상 CVD 및 열 CVD를 포함함)및 스퍼터 코팅과 같은 "건식" 방법 및 스핀 코팅과 같은 습식 방법을 포함한다. Deposition is a chemical vacuum deposition - comprises a wet method such as a "dry" method, and spin coating such as (CVD, plasma enhanced CVD, and includes a heat CVD) and sputter coating. 도 13은 전술한 바와 같은 단일 층 구조 또는 복수의 서브층 구조가 될 수 있는, 고정층(502)의 형성을 나타낸다. Figure 13 shows the formation of a single layer structure or to be a multiple sub-layer structure, the fixed bed 502, as described above. 층(502)이 전극 및 미러의 양쪽 역할을 하는 단일 층 구조에서, 층(502)은 기판(500) 위에 전극 재료(410)를 침적하고 계속해서 패터닝 및 에칭에 의해 형성된다. Layer 502 is a single-layer structure of both the role of the electrode and mirror layer 502 is deposited by continuing the electrode material 410 on the substrate 500 is formed by patterning and etching. 전극 재료(410)는 도전성이고 원하는 도전성을 갖기 위해 도핑된 금속 또는 (실리콘과 같은) 반도체가 될 수 있다. Electrode material 410 may be a conductive semiconductor, and in order to have the desired conductive or doped metal (such as silicon). (도 13에 도시되지 않은) 일실시예에서, 전극 층(410)(및 대응하는 제1 전극(502))은 (산화 인듐 주석과 같은) 투명한 도전체 및 (크로미늄과 같은) 제1 미러를 포함하는 다층 구조이다. In one embodiment (not shown in Fig. 13) for example, the electrode layer 410 (and the corresponding first electrode 502) has a first mirror (such as indium tin oxide) transparent conductive material, and (Black, such as minyum) a multi-layer structure including the.

도 14는 기판(500) 위에 유전층(540)을 형성하고 침적, 양호하게는 CVD에 의해 고정(502)을 형성하는 것을 나타낸다. 14 shows the formation of a dielectric layer 540 on the substrate 500 to form a fixing unit 502 by the deposition, preferably CVD. 유전층(540)의 하부 또는 "벌크(bulk)" 부분(550)은 유전 재료가 될 필요가 없으며 양호하게는 나중의 에칭 단계에서 제거될 재료이며, 따라서 몰리브덴, 실리콘 함유 재료(예를 들어, 실리콘, 질화 실리콘, 산화 실리콘 등), 텅스텐, 또는 티타늄, 양호하게는 산화 실리콘이 될 수 있다. Lower or "bulk (bulk)" portion 550 of the dielectric layer 540 is a material to be removed from the well is etched a later stage does not need to be a dielectric material, therefore, molybdenum, silicon-containing materials (e.g., silicon , silicon nitride, silicon oxide, etc.), as tungsten, or titanium, preferably may be a silicon oxide. 유전층(540)의 상부 또는 "정지(stop)" 부분(560)은 양호하게 상기 벌크 부분(550)보다는 나중의 에칭 단계에 대해 더 내성이 있는 재료이며, 금속(예를 들어, 티타늄, 알루미늄, 은, 크로미늄) 또는 유전 재료, 양호하게는 산화 금속, 예를 들어 산화 알루미늄이 될 수 있다. The top or the dielectric layer 540, the "Stop (stop)" portion 560 is more material that is resistant to an etching step in the later than satisfactorily the bulk portion 550, a metal (e.g., titanium, aluminum, It is, for croissant minyum) or a dielectric material, preferably a metal oxide, for example, can be an aluminum oxide. 산화 알루미늄은 직접적으로 또는 뒤이어지는 산화에 의한 알루미늄 층의 침적에 의해 침적될 수 있다. Aluminum oxide may be deposited by the deposition of an aluminum layer by oxidation or directly leading to the rear. 유전층(540)의 상부 및 하부 부분(550, 560)은 동일한 재료로 구성될 수도 있고 또는 다른 재료로 구성될 수도 있다. The upper and lower parts (550, 560) of the dielectric layer 540 may be configured to also be of the same material and or other materials. 예를 들어, (도시되지 않은) 실시예에서, 고정층(502)의 적어도 일부 위에 중간층이 형성되고, 상기 유전층은 상기 중간층 위에 그리고 상기 중간층 아래에 있는 고정층(502) 위에 형성된다. For example, in an embodiment (not shown) for example, the intermediate layer over at least part of the fixed layer 502 is formed, the dielectric layer is formed over the fixed bed 502 at the bottom and the intermediate layer over the intermediate layer. 고정층(502)과 유전층(540) 사이에 형성된 이러한 중간층(들)은 다양한 목적을 위해 이용된다. The intermediate layer (s) formed between the fixed layer 502 and dielectric layer 540 is used for various purposes. 예를 들어, 상기 중간층은 광학층, 장벽층 및/또는 (제2 유전층과 같은) 비도전층이 될 수 있다. For example, the intermediate layer has an optical layer, a barrier layer and / or (such as the second dielectric layer) may be a non-conductive layer. 실시예에서, 임의의 특정한 유전층(540)에서, 부분들(550, 560) 중 적어도 하나는 전기적 유전체이다. In an embodiment, at any particular dielectric layer 540, at least one of the parts (550, 560) it is an electrical dielectric.

상부 부분(560)은 하부 부분(550)보다 얇거나 두꺼울 수 있다. The top portion 560 may be thinner or thicker than the lower portion 550. The 예를 들어, 일실시예에서, 상부 부분(560)은 약 50Å 내지 약 500Å 범위의 두께를 가질 수 있다. For example, in one embodiment, the top portion 560 may have a thickness of about 50Å to about 500Å range. 상세히 후술되는 바와 같이, 상부 또는 "정지" 부분(560)은 나중에 에칭 프로세스 동안 에칭 장벽(예를 들어, 포토마스크와 다소 유사한 방식으로 기능함)의 기능을 하고, 하부 부분(550)의 일부는 제거될 "희생"층의 기능을 한다. As will be discussed in detail below, a portion of the top or "stop" portion 560 is etched for a later etching process, the barrier function, and lower portion 550 of the (e.g., function in a somewhat similar manner to the photo-mask) is and the "sacrifice" of the functional layer to be removed. 본 실시예에서, 상부 부분(560)은 하부 부분(550)보다 (예를 들어, 에칭에 의한) 제거에 더 내성이 있다. In this embodiment, the top portion 560 than the lower portion 550 is more resistant to removal (e.g., by etching). 특정한 실시예에서, 상부 부분(560)은 산화 알루미늄이고 하부 부분(550)은 산화 실리콘이다. In a specific embodiment, the top portion 560 is made of aluminum and a lower part 550, oxide is silicon oxide. 상부 및 하부 부분(560, 550)은 별개의 층일 필요는 없으며 따라서 유전층(540)은 분류된 층일 수도 있다. Not necessarily the top and bottom portions (560, 550) is a separate layer according dielectric layer 540 may be classified layer. 예를 들어, 유전층(540)은 그 조성이 유전층 내의 위치 기능(예를 들어 도 14에서 수직 위치의 기능)에 따라 변하도록 조성적으로 분류될 수 있다. For example, the dielectric layer 540 can be classified as a crude grade such that the composition varies depending on the position function (e.g. function of the vertical position in FIG. 14) in the dielectric layer. 예를 들어, 유전층(540)은 분류된 질화 실리콘층이 될 수 있으며 실리콘과 질소의 상대적 양은 상부 표면(420, 421)으로부터 제1 전극층(502)과 기판(500)과의 경계면(421, 422)으로 갈수록 변한다. For example, dielectric layer 540 may be classified silicon nitride layer and the interface between the first electrode layer 502 and the substrate 500 from the relative amounts of silicon and nitrogen top surface (420, 421, 421, 422 ) it turns toward the. 일실시예에서, 예를 들어, 상기 분류된 질화 실리콘의 전체 조성과 관련해서 상기 분류된 질화 실리콘층은 제1 전극(502)과의 경계면(421)에서 실리콘이 풍부하게 된다. In one embodiment, for example, in relation to the overall composition of the sorted silicon nitride wherein the silicon nitride layer is classified as a silicon-rich at the interface 421 between the first electrode 502. 다른 실시예에서, 유전층(540)은 분류된 산화 실리콘 층이 될 수 있으며 실리콘과 질소의 상대적 양은 상부 표면(420, 421)으로부터 제1 전극층(502)과 기판(500)과의 경계면(421, 422)으로 갈수록 변한다. In another embodiment, dielectric layer 540 may be classified silicon oxide layer and the interface between the first electrode layer 502 and the substrate 500 from the relative amounts of silicon and nitrogen top surface (420, 421, 421, It varies toward the 422). 일실시예에서, 예를 들어, 상기 분류된 산화 실리콘의 전체 조성과 관련해서 상기 분류된 산화 실리콘층은 상기 제1 전극층(502)과의 경계면(421)에서 실리콘이 풍부하게 된다. In one embodiment, for example, in relation to the overall composition of the sorted silicon oxide wherein the silicon oxide layer category is rich in silicon at the interface 421 between the first electrode layer 502.

도 15는 상부 부분(560)의 부분들을 제거하고 포토마스크(610)를 이용 상부 부분(560)을 마스킹함으로써 "정지"층(565)을 형성한 다음, 선택적으로 에칭하여 유전층(540)의 상부 부분(560)의 노출된 부분을 제거함으로써 도 16에 도시된 바와 같은 가변 두께 유전층(570)을 형성하는 것을 도시하고 있다. Figure 15 is an upper portion of the upper portion 560 by removing portions to form a photo mask 610, "stop" layer 565 by masking the use of the upper part 560 and then, by selectively etching the dielectric layer 540 of the It illustrates the formation of a variable thickness dielectric layer 570, as shown in Figure 16 by removing the exposed portion of the part 560. 상기 에칭은 상기 유전층(540)의 하부 부분(550)의 상당한 부분이 남도록 제어된다. It said etching is controlled in a significant portion of the lower portion 550 of the dielectric layer 540 remain. 예를 들어, 상기 하부 부분(550)의 작은 부분은 에칭 동안 제거되지만 하부 부분(550)의 대부분은 양호하게 후술되는 후속의 처리 동안 제거될 때까지 남고, 이에 의해 유전층의 불균질성이 증가하고 유전층의 평균 피크/밸리 표면 변동이 증가하게 된다. For example, a small portion of the lower part 550, but removed during etching most of the lower part 550 is left until it is removed during subsequent processing of the well will be described later, thereby increasing the heterogeneity of the dielectric layer by the dielectric layer this increases the average peak / valley surface variations.

제조 프로세스는 도 17에 도시된 바와 같이 계속되고, 침적, 패터닝 및 에칭에 의한 희생층(710)의 형성(이것은 나중에 제거되어 간섭 캐비티(418)를 형성함);포스트(504)의 형성; The formation of the post 504; manufactured and the process is continued, the formation of the sacrificial layer 710 by the deposition, patterning and etching as shown (this is removed later to form an interference cavity 418) shown in Figure 17; 및 침적, 패터닝 및 에칭에 의한 변형가능한 층(506)의 형성을 포함한다. And it includes the formation of the deformable layer 506 by the deposition, patterning and etching. 실시예에서 변형가능한 층(506)은 상부 전극이다. Example deformable layer 506 is in the upper electrode. 이러한 단계들이 가변 두께 유전층(570)에 걸쳐 수행되기 때문에, 희생층(710)과 변형가능한 층(506) 사이의 경계면은 완전하게 편평할 필요는 없다. For this step to be performed over a variable thickness dielectric layer 570, the interface between the sacrificial layer 710 and the deformable layer 506 need not be completely flat. 예를 들어, 도시된 실시예에서, 변형가능한 층(506)의 하부 표면 윤곽(741, 742)은 가변 두께 유전층(570)의 단계에서, 그 아래에 있는 층들을 실질적으로 평행하게 하는 경향이 있다. For example, in the illustrated embodiment, it modified lower surface contour of the possible layer 506 (741, 742) tends to be substantially parallel to the layers in the following step of the variable-thickness dielectric 570, . 그렇지만, 당업자는 가변 두께 유전층(570)은 단지 100Å의 두께를 가지고 있으며 그러므로 도 17(축척대로 도시되지 않음)은 하부 윤곽(741, 742)에서의 굽이침을 과장한 것임을 이해할 것이다. However, those skilled in the art variable thickness dielectric layer 570 is only (not shown to scale), has a thickness of 100Å, and therefore it will be appreciated that Figure 17 is a exaggerated bend the needle in the bottom contour (741, 742).

도 18은 "희생"층들, 즉 희생층(710)과 하부 부분(550)의 노출된 부분을 제거하기 위해 에칭제로 에칭하는 단계를 나타낸다. 18 shows the step of etching the etching agent to remove the exposed portion of the "sacrificial" layers, i.e., the sacrificial layer 710 and the lower portion 550. The 에칭제로서는, XeF 2 , F 2 또는 HF를 단독으로 또는 조합으로 사용할 수 있다. As the etchant, it can be used as XeF 2, F 2 or HF alone or in combination. 상부 또는 "정지" 부분(565)은, 그 아래에 있는 하부 부분(550)의 부분이 에칭에 의해 제거되는 것을 실질적으로 방지하고, 포토마스크와 다소 유사한 방식으로 기능한다. An upper, or "stop" portion 565 is, substantially prevent a part of the lower portion 550 below it to be removed by etching, and acts as a somewhat similar manner to the photomask. 도 19에 도시된 결과적인 간섭 변조기(1800)는 간섭 캐비티(418), (상부 가변 두께 유전층(565) 및 가변 두께 하부 부분(550)을 포함하는) 가변 두께 유전층(920)에 의해 덮이지 않은 고정층(502)의 부분(910)을 포함한다. The resulting interference modulator 1800 shown in Figure 19 is the interference cavity 418, (including the upper variable-thickness dielectric layer 565, and a variable thickness of the bottom portion 550) that are not covered by a variable thickness dielectric 920 It includes a portion 910 of the fixed bed (502). 하부 부분(550)은 에칭에 의해 완전하게 제거될 필요가 없으며 따라서 하부 부분(550)의 일부는 고정층(502) 위에 유지되며, 여기서 고정층(502)은 양호하게 단일의 도전체 층이다. A lower portion (550) is part of the not need to be completely removed by etching, thus the lower portion 550 is held over a fixed bed (502), wherein the fixed bed 502 is preferably a single conductor layer.

본 발명은 이론에 제한되지는 않지만, XeF 2 는 F 2 가스의 편리한 소스로서 기능한다. The present invention is not limited by theory, XeF 2 serves as a convenient source of F 2 gas. F 2 및 HF와 같은 다른 에칭제는 XeF 2 Other etchant, such as F 2 and HF is XeF 2 대신 또는 추가하여 사용될 수 있다. Instead of or in addition can be used. 실시예에서, 에칭제는 상부 부분(565)을 제거하는 에칭 속도보다 빠른 에칭 속도로 하부 부분(550)을 제거한다. In an embodiment, the etchant removes the lower portion 550 at a faster etching rate than the etching rate of removing the upper part 565. 그러므로 실시예에서, 변형가능한 층(506)의 하부 표면 윤곽(741, 742)과 가변 두께 유전층(570)의 상부 윤곽 사이의 평균 두께 변동의 차이는 에칭 속도에 따라, 예를 들어 가변 두께 유전층(570)이 에칭되어 가분 두께 유전층(920)을 형성하는 것에 따라 증가하는 경향이 있다. Therefore, in the embodiment, the average thickness variations between the deformed lower surface contour of the possible layer 506 (741, 742) and the upper contour of the variable thickness of the dielectric layer 570, the difference is, for, example, according to the etching rate of the variable thickness of the dielectric layer ( 570.) is etched tends to increase as the thickness of the dielectric layer to form a gabun 920.

가변 두께 유전층(920)은 랜딩 패드(513)를 포함한다. A variable thickness dielectric 920 includes a landing pad (513). 랜딩 패드(513)는 고정층(502)으로부터 돌출하여, 구동 상태 및 비구동 상태에서, 고정층(502)과 변형가능한 층(506)이 실질적으로 접촉하는 것을 방지한다. Landing pad 513 to protrude from the fixed bed 502, thereby preventing the condition in the driving and non-driving state, the fixed bed 502 and the deformable layer 506 in contact with the substantially. 가변 두께 유전층은 예를 들어 도 19의 유전층으로 도시된 바와 같이, 불연속층이 될 수도 있으며, 또는 두께 변동이 층의 표면 위의 피크 및 밸리에 따라 변화하는 연속층이 될 수도 있다. Variable thickness dielectric layer may, for example, may be a continuous layer that may be a discontinuous layer, or the thickness change varies with the peaks and valleys on the surface of the layer as shown by the dielectric layer of Fig.

가변 두께 유전층(920)이, 하부 전극으로부터 돌출하여, 예를 들어 도 12에 도시된 바와 같이, 구동 상태 및 비구동 상태에서, 제1 및 제2 전극이 실질적으로 접촉하는 방지하는 복수의 유전 재료의 컬럼을 포함할 수 있다는 것을 당업자는 이해할 것이다. And a variable thickness dielectric layer 920, protrude from the lower electrode, for example, in a driving state and a non-driving state 12, the first and the plurality of dielectric material to prevent the second electrode substantially in contact with that the column can contain one of ordinary skill in the art would understand. 그러므로 하부 전극의 나머지 표면 영역(예를 들어 그러한 컬럼에 의해 덮이지 않은 표면 부분(910))은 절연층에 의해 코팅되거나 덮일 필요가 없다. Therefore, the remaining surface area of ​​the lower electrode (e. G. Surface portion (910 not covered by such a column)) need not be coated or covered by an insulating layer. 그러므로 상당한 캐패시턴스가 향상되는데, 왜냐하면 공기의 유전 상수(약 1)는 미국 특허 제5,835,255호에 개시된 산화 금속과 같은 유전 재료의 유전 상수보다 작기 때문이다. Therefore, a significant capacitance is improved, because it is smaller than the dielectric constant of the dielectric constant of air (about 1) is dielectric, such as a metal oxide disclosed in US Patent No. 5,835,255 the material. 가변 두께 유전층은 예를 들어 도 15의 유전층(920)에 도시된 바와 같이, 불연속층이 될 수도 있고, 또는 두께 변동이 층의 표면 위의 피크 및 밸리에 따라 변하는 연속층이 될 수도 있다. Variable thickness dielectric layer, for example, may be a continuous layer varies with peaks and valleys on the surface of this may be a discontinuous layer, or layer thickness variation, as shown in the dielectric layer 920 of FIG. 어느 경우이든, 랜딩 패드(513)의 상부와 예를 들어 밸리의 하부 또는 갭(910) 사이의 거리는 예를 들어 약 50Å 이상이고 더 바람직하게는 약 100Å 내지 약 3,000Å의 범위이다. In either case, the distance for example between the top and the landing pad for the lower gap or valley of 910 g of 513 g at least about 50Å and more preferably in the range of about 100Å to about 3,000Å.

도 18에 도시되 실시예에서, 하부 또는 "벌크" 부분(550) 위에서 패턴화된 상부 또는 "정지" 부분(565)은 (이전의 층들을 패턴화하기 위해 사용되는 마스킹 정지 부분과 유사하게) 벌크 층이 XeF 2 에 의해 완전히 에칭되어 버리는 것을 방지한다는 것을 당업자는 이해할 것이다. In the embodiment being shown in Figure 18 for example, the lower or "bulk" portion 550 on the patterned upper or "suspended" portion 565 (similar to the masking of stops used for patterning the previous layer) Those skilled in the art that prevents the bulk layer ll is completely etched by XeF 2 will be understood. 정지 부분(565)에 의해 보호되지 못하는 벌크 층(550)의 영역은 나중에 제거되는 희생 부분을 형성하고, 정지 부분(565) 아래에 있는 벌크 재료(925)의 부분들은 남아, (상부층(565)과 하부층(925)을 포함하는) 가변 두께 유전층(920)을 형성하고, 제1 및 제2 전극이 실질적으로 접촉하는 것을 방지하는 하나 이상의 아일랜드(island) 또는 복수의 유전 재료의 컬럼을 포함한다. Portion of the bulk material (925) in the area of ​​the still part of the bulk layer does not protected by the (565) (550) forming a sacrificial portion that is removed later on, and below the stationary part 565 are the left, (the upper layer 565 and forming a comprising a lower layer 925), a variable thickness dielectric 920, and the first and second electrodes is substantially free of at least one island (island) or a plurality of columns of the dielectric material to prevent contact. 도 18에 도시된 변형가능한 층(506)의 하부측의 하부 윤곽(741, 742)이 가변 두께 유전층(570)의 상부 윤곽과 실질적으로 평행하게 되는 경향이 있어도, 도 19에 도시된 가변 두께 유전층(920)의 상부 윤곽과는 실질적으로 평행하지 않는데 왜냐하면 가변 두께 유전층(570)의 상부 부분(565)에 의해 보호되지 못하는 하부 부분(550)의 적어도 일부를 에칭으로 제거하기 때문이다. The variable thickness of the dielectric layer shown in Figure 18, the modified upper contour and substantially parallel to, Fig. 19 may tend to be of possible layer 506, the lower side the lower contour (741, 742) with variable thickness dielectric layer 570 of the shown in 920, because the upper profile and is substantially in parallel because does not remove at least a portion of the lower portion (550) that can not be covered by the upper part 565 of the variable thickness of the dielectric layer 570 by etching. 하부 부분(550)의 노출된 부분을 제거하는 이러한 에칭으로, 변형가능한 층(506)의 하부 윤곽과 고정층(502)의 표면 부분(910) 사이에 여유 공간(extra space)이 생성된다. The exposed portion of the lower portion 550. In this etching to remove a surface portion (extra space) space between (910) of the lower contour and the fixed layer 502 of the deformable layer 506 is generated.

도 19는 활성화된 간섭 변조기(1801)를 도시한다. Figure 19 illustrates an active interference modulator 1801. 활성화 동안, 활성화된 변형가능한 층(506a)의 하부 윤곽(741)은 예를 들어 도시된 실시예에서의 랜딩 패드(513)에서 정지 부분(565)의 상부와 접촉하고 이에 의해 변형가능한 층(506)의 하부 윤곽(741)이 하부 전극(502)의 표면 부분(910)과 떨어지게 되는 영역들을 생성한다. During activation, the lower contour (741) of the active deformable layer (506a), for example in the landing pad 513 in the embodiment shown in contact with the upper portion of the stationary part 565 and thereby deformable layer (506 by ) lower contour (741) and generates a region which drops with the surface portion 910 of the lower electrode 502. 이러한 영역들은 활성화된 변형가능한 층(506a)의 하부 윤곽(742)과 고정층(502)의 표면 부분(910) 사이의 저 유전 일정 갭(418a)을 포함한다. These areas comprise a low dielectric constant gap (418a) between the surface portion 910 of the lower contour (742) and a fixed bed 502 of activated deformable layer (506a). 그러므로 도 19에 도시된 바와 같이, 활성화된 변형가능한 층(506a)의 하부측의 프로파일은 가변 두께 유전층(920)의 하부측의 프로파일과 다르며, 이에 따라 저 유전 상수 갭(418a)은 동작 동안 상기 활성화된 변형가능한 층과 고정층(502) 사이에 존재한다. Thus, the bottom side profile of the active deformable layer (506a) is different from the underside of the profile of a variable thickness dielectric layer 920, whereby the low dielectric constant gap (418a) as shown in Figure 19 is the during operation It exists between the active deformable layer and fixed layer (502). 그러므로 변형가능한 층(506)의 하부 표면은 가변 두께 유전층(920)의 표면 프로파일 변동보다 작은 표면 프로파일 변동(741, 742)을 갖는다. Therefore, the lower surface of the deformable layer 506 has a small surface profile variations (741, 742) than the surface profile variations in a variable thickness dielectric 920. 소정의 실시예들에서, 표면 프로파일 변동은 평균 피크/밸리 표면 프로파일 변동과 같다. In some embodiments, the surface profile change is equal to the average peak / valley surface profile variations. 상부 전극의 하부 표면의 평균 피크/밸리 표면 프로파일 변동은 약 50Å 내지 약 200Å의 범위에 있을 수 있다. The average peak / valley surface profile variations on the lower surface of the upper electrode may be in the range of about 50Å to about 200Å. 평균 피크/밸리 표면 프로파일 변동은 전자 현미경 및/또는 원자력 현미경을 스캐닝함으로써 결정될 수 있다. The average peak / valley surface profile change can be determined by scanning electron microscopy and / or atomic force microscopy. 소정의 실시예에서, 평균 피크/밸리 표면 프로파일 변동은 선택된 영역 위의 층의 평균 피크 높이와 평균 밸리 깊이 사이의 차이이다. In some embodiments, the average peak / valley surface profile variation is the difference between the average peak height and valley average depth of the layer above the selected area.

랜딩 패드(513)는 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 사이에 위치한 상부 표면을 갖는 부재의 예임을 이해할 것이다. Landing pad 513, it will be understood that the example of a member having a top surface located between the deformable layer 506, and fixed layer (502). 랜딩 패드(513)는 간섭 변조기(1801)가 구동 상태에 있을 때(도 19), 변형가능한 층(506a)과 고정층(502) 사이의 갭 영역(418a)을 형성한다. Landing pad 513 to form a gap region (418a) between the interference when the modulator 1801 is in the driving state (19), a deformable layer (506a) and a fixed bed (502). 갭 영역(418a) 내의 변형가능한 층(506a)의 하부 표면 윤곽(742)은 고정층(502) 및 랜딩 패드(513)의 어느 것과도 접촉하지 않는다. The lower surface contour of the gap area deformable layer (506a) in (418a) (742) are not in contact also with any of the fixed bed 502 and the landing pad (513).

도 20은 희생층이 상부 전극의 침적 전에 평탄화된 다른 실시예를 도시한다. Figure 20 illustrates a further embodiment the sacrificial layer is planarized prior to deposition of the upper electrode. 도 20에 도시된 구조체(1900)는 희생층(710)을 평탄화하여 비교적 편평한 표면(746)을 형성함으로써 도 17에 도시된 구조체(1600)로부터 형성될 수 있다. The structure shown in Figure 20 (1900) may be formed from the structure 1600 shown in Figure 17, by forming a sacrificial layer 710 is planarized by a relatively flat surface 746. 대안의 실시예(도시되지 않음)에서, 상기 비교적 편평한 표면은 희생층(710)을 평탄화하는 대신에 또는 평탄화하는 것에 추가하여, 희생층(710) 위에 평탄화 층을 침적시킴으로써 형성된다. In an alternative embodiment (not shown), and the relatively flat surface is formed by depositing a planarizing layer over the sacrificial layer 710 in addition to or instead of the flattening of planarizing the sacrificial layer 710. 그런 다음 변형가능한 층(506)은 도 16에 도시된 바와 같이 표면(746) 위에 형성된다. Then, the deformable layer 506 is formed on the surface 746 as shown in FIG. 실시예에서, 변형가능한 층(506)은 상부 전극이다. In an embodiment, the deformable layer 506 is a top electrode. 그런 다음 희생층(710)은, 도 18에 도시된 것과 일반적으로 유사한 방식으로 도 21에 도시된 바와 같이 갭(418)을 형성하기 위해 제거될 수 있다. Then, the sacrificial layer 710, can be removed to form a gap 418, as shown in a generally similar to that 21 in the manner shown in Fig. (도 18에 도시된 바와 같은) 가변 두께 절연층의 상부 부부(565)에 의해 보호되지 못하는 하부 부분(550)의 부분의 제거는 도 20 내지 도 21에 도시된 구성에 대해 선택적인데 왜냐하면 변형가능한 층(506)의 하부 윤곽(747)은 비교적 평면이기 때문이다. (As shown in Fig. 18) inde selective for the configuration shown in part removed, Figs. 20 to 21 of the lower part 550 that can not be covered by the upper couple (565) of variable thickness insulating layer because the deformable lower contour (747) of the layer 506 because it is relatively flat. 그러므로 변형가능한 층(506)의 하부측의 프로파일은 (가변 두께 유전층(570)의 상부 부분(565)에 의해 보호되지 못하는 하부 부분(550)의 부분이 제거되든 제거되지 않은 간에 관계없이) 가변 두께 유전층(570)의 상부측의 프로파일과는 다르므로 저 유전 상수 갭(들)은 동작 동안 변형가능한 층(506)과 저 고정층(502) 사이에 존재한다. Thus modified bottom side profile of a possible layer 506 (irrespective between the portion of the lower part (550) that can not be covered by the upper part 565 of the variable thickness of the dielectric layer 570 that were not removed for anything removed) variable thickness varies with the upper side of the profile of the dielectric layer 570 exists between the low dielectric constant gap (s) is operating the deformable layer 506 and the low-fixing layer (502) for. 그러므로 변형가능한 층(506)의 하부 윤곽은 가변 두께 유전층(570)의 표면 프로파일 변동보다 작은 표면 프로파일 변동을 갖는다. Therefore, the lower contour of the deformable layer 506 has a smaller surface than the surface profile change profile variation of the variable-thickness dielectric layer 570.

도시된 실시예에서, 가변 두께 유전층(920)은 고정층(502) 위에 형성된다(본 문장에서, "위에"는 도 19에 도시된 방향에 있어서 상대적 위치를 말한다). In the illustrated embodiment, the variable thickness of the dielectric layer 920 is formed on the fixed layer 502 (in this sentence, "top" refers to the relative position in the direction shown in Fig. 19). 가변 두께 유전층은 캐비티(418) 내의 다른 곳에 형성될 수 있는데, 예를 들어 변형가능한 층(506) 아래에 형성될 수 있다. Variable thickness dielectric layer may be formed elsewhere in the cavity 418, for example, can be formed below the deformable layer 506. 그러므로 예를 들어, 가변 두께 유전층은 간섭 변조기의 제1 전극 및/또는 제2 전극 위에 형성될 수 있다. Thus, for example, a variable thickness dielectric can be formed on the first electrode and / or the second electrode of the interference modulator. 간섭 변조기는 3개 이상의 전극을 포함할 수 있고, 따라서 2개 이상의 가변 두께 유전층, 예를 들어 각각의 전극들 사이의 가변 두께 유전층을 포함할 수 있다는 것을 당업자는 이해할 수 있을 것이다. Interference modulator may include three or more electrodes, and thus two or more variable thick dielectric layer, for example, it will be appreciated by those skilled in the art that it is possible to include a variable thickness dielectric between the electrodes.

도시된 실시예에서, 캐비티의 부분들은 저 유전 상수 재료를 포함할 수 있는데, 예를 들어 캐비티(418)의 내부 벽들(interior walls)의 일부 또는 전부가 저 유전 상수 재료로 코팅되거나 덮일 수 있다. In the illustrated embodiment, the portion of the cavity may be may comprise a low dielectric constant material, for example a part or all of the internal walls (interior walls) of the cavity (418), or coated with a low dielectric constant material to be covered. 예를 들어, 도 19에 도시된 간섭 변조기를 형성하기 위해 에칭한 후, 저 유전 상수 재료의 층(도시되지 않음)은 고정층(502)의 표면 부분(910) 위에 형성될 수 있다. For example, after etching to form the interference modulator shown in Fig. 19, a layer (not shown) of the low dielectric constant material may be formed on a surface portion 910 of the fixed bed (502). 양호하게, 임의의 이러한 저 유전 상수 재료의 층은 비교적 얇고 따라서 구동 상태와 비구동 상태 동안 상부 전극과 저 유전 상수 재료 사이에 갭이 유지된다. Preferably, any such layer of low dielectric constant material is a gap is maintained between the relatively thin and thus the driving state and the non-drive state while the upper electrode and the lower dielectric constant material. 저 유전 상수 재료로 덮이는 캐비티(418)의 다른 내부 벽들은 (상부 전극이 될 수 있는) 변형가능한 층(506)과 가변 두께 유전층(565)을 포함한다. Covered with a low dielectric constant material is a different inner wall of the cavity 418 may include (which can be a top electrode), the deformable layer 506 and a variable thickness dielectric 565.

이산화 실리콘은 대략 3.8의 유전 상수를 갖는다. Silicon dioxide has a dielectric constant of approximately 3.8. 양호한 저 유전 상수 재료는 산화 실리콘의 유전 상수보다 작은, 즉 3.8보다 작은 유전 상수를 갖는다. A preferred low dielectric constant material has a small, that is, a dielectric constant less than 3.8 than the dielectric constant of silicon oxide. 여기서 서술하는 실시예들과 양립할 수 있는 예시적 재료들로는 침투성 유전 재료(예를 들어, 에어로겔(aerogels)) 및 변형된 산화 실리콘을 들 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. Examples of illustrative materials include permeability dielectric material that is compatible with that described herein (e. G., Aerogels (aerogels)) and a modified but are silicon oxide, are not limited. 예를 들어 미국 특허 제6,171,945호 및 제6,666,656호를 참조하라. For example, see the U.S. Patent No. 6,171,945 and No. 6,666,656 arc. 상기 문헌들에는 저 유전 상수 재료 및 이것들을 제조하는 방법에 대해 기재되어 있으며, 상기 제조 방법은 여기서 서술하는 실시예들과 양립할 수 있다. Supra s has been described for a process for preparing a low dielectric constant material, and of these, the method is compatible with embodiments described herein to. 양호한 저 유전 상수 재료는 약 3.3 이하의 유전 상수를 가지며, 더욱 정확하게는 약 3.0을 가지며, 가장 정확하게는 약 2.0 이하를 갖는다. A preferred low dielectric constant material has a of about 3.0 has a dielectric constant of about 3.3 or less, more exactly, has a most accurate is about 2.0 or less.

다른 실시예(도시되지 않음)에서, 가변 두께 유전층은 제1 및/또는 제2 전극 위에(예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같은 고정층(502) 위에) 비교적 일정한 두께를 갖는 유전층을 침적시키고, 도 14 내지 도 16에 도시된 바와 같은 제로 프로세스를 계속 수행하되, 도 15에 도시된 마스킹 단계를 하지 않음으로써 형성된다. Other embodiments (not shown), the variable thickness of the dielectric layer and depositing the dielectric layer having a first and / or second electrode on the (e. G., The fixed bed 502, on as shown in Fig. 13) a relatively constant thickness , but continue to perform the zero process, as shown in FIGS. 14 to 16, is formed by not a masking step shown in Fig. 그런 다음, (예를 들어, 도 18 내지 도 19에 도시된 바와 같은) 후속의 에칭 동안, 에칭제의 흐름은, 비교적 일정한 두께를 갖는 유전층이 다른 영역들보다 일부의 영역들에서 더 많이 에칭되고 그 결과 가변 두께 유전층이 생기게 되도록 제어된다. Then, (e. G., 18 to as shown in FIG. 19) during the subsequent etching of the flow of etchant is that the dielectric layer having a relatively constant thickness is further etched much in some regions than other regions the result is controlled so causing a variable thickness dielectric layer.

예를 들어 하부 전극으로부터 위쪽으로 돌출하는 유전 재료의 복수의 컬럼을 포함하는 가변 두께 유전체는 또한 동작 동안 간섭 변조기의 댐핑을 감소시키고 따라서 캐비티로부터 댐핑 매체(예를 들어, 공기)의 배출을 용이하게 함으로써 증가된 기기 스위치 속도를 제공할 수 있다는 것을 당업자는 이해할 것이다. For example, the varying thickness of the dielectric including a plurality of columns of dielectric material protruding upward are also reduces the damping of the interference modulator for operation from the lower electrode and thus facilitate the discharge of the damping medium (e.g., air) from the cavity Those skilled in the art that it is possible to provide an increased speed by the switch device will appreciate. 또한, 가변 두께 유전층은 이 가변 두께 유전층과 동일한 전체적인 두께의 비교될만한 일정한 두께 유전층에 비해 감소된 유전 상수를 갖는다는 것도 이해할 것이다. Further, it will be appreciated is a variable thickness dielectric layer has a dielectric constant lower than the dielectric constant thickness comparable with the same overall thickness as the variable thickness of the dielectric layer. 감소된 유전 상수는, 시간 = 저항 x 캐패시턴스 관계에 기초하여, 통합되는 간섭 변조기의 RC 시정수를 이롭게 감소시키며 따라서 기기 스위칭 속도를 증가시킨다. The reduced dielectric constant, on the basis of the time = resistance x capacitance relationship, advantageously reduces the RC time constant of the interference modulator Incorporated thereby increasing the switching speed of the device. 소정의 실시예들은 여기서 서술하는 프로세스에 의해 제조된 간섭 변조기를 제공하며, 상기 간섭 변조기는 가변 두께 유전층을 포함한다. Some embodiments provide an interference modulator manufactured by a process described herein, the interference modulator comprises a variable thickness dielectric layer. 이러한 간섭 변조기는 가변 두께 유전층 대신에 일정 두께 유전층을 갖는 비교될만한 간섭 변조기보다 낮은 캐패시턴스를 갖는다. This interference modulator has a lower capacitance than the interference modulator comparable with the thickness of the dielectric constant in the dielectric instead of variable thickness. 이러한 간섭 변조기는 또한, 가변 두께 유전층 대신 일정 두께 유전층을 갖는 비교될만한 간섭 변조기보다 증가된 성능(예를 들어 감소된 댐핑으로부터 및/또는 감소된 RC 시정수로부터 이루어지는 향상된 스위칭 속도)을 갖는다. This interference modulator also has an increased compared that might interfere with the modulator having a dielectric constant thickness instead of a variable thickness dielectric performance (e.g., increased switching speed and made from the from the reduced damping and / or reduced RC time constant). 또한, 여기서 서술하는 바와 같은 가변 두께 유전층의 사용으로, MEMS 기기의 이동하는 부분들 사이의 감소된 접촉 영역, 예를 들어 유전층과 이동가능한 전극 사이에 감소된 접촉 영역이 생긴다는 것을 이해할 수 있을 것이다. In addition, where the use of variable-thickness dielectric layer such as that described, it will be appreciated that the reduced contact area between the moving parts of MEMS devices, for example, caused the contact area decreases between the dielectric layer and movable electrodes . 이러한 접촉 영역의 감소로 기계적 신뢰도가 향상되고 및/또는 사용이 감소된다. Such as a reduction in the contact area and improved mechanical reliability and / or use are reduced. 상기 이동가능한 전극과 함께 전기적 접촉 영역이 감소하게 되는 가변 두께 유전층의 사용으로 전기적 신뢰도 역시 향상된다. The use of variable-thickness dielectric layer to reduce the electrical contact area with the movable electrode is also improved electrical reliability. 이러한 전기적 접촉 영역의 감소에 따라 유전층의 전기적 충전이 감소하게 된다. The electric charge of the dielectric layer is reduced according to the reduction in the electrical contact region.

범프 Bump

도 22a 및 22b는 범프(511)를 포함하는 간섭 변조기(401)의 실시예를 나타낸다. Figure 22a and 22b shows an embodiment of the interference modulator 401 comprises a bump 511. 도시된 실시예에서, 고정층(502)의 상부 표면 위에 복수의 범프(511)가 형성된다. That in the illustrated embodiment, a plurality of bumps 511 on the upper surface of the fixed layer 502 is formed. 따라서, 간섭 변조기(401)가 그 비구동 상태(도 22a)에서 그 구동 상태(도 22b)로 구동되면, 변형가능한 층(506)은 범프(511)와 접촉하게 되고, 이것은 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 간의 물리적 접촉을 방지하거나 최소화하게 한다. Therefore, the interference modulator 401 has its non-operative state (FIG. 22a) in the driving state (Fig. 22b), the deformable layer 506 into contact with the bumps 511, which is a deformable layer (506 when the drive ) and to prevent or minimize physical contact between the fixed layer 502. the 범프의 존재로 인해, 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 간의 접촉 영역은 감소될 수 있다. Due to the presence of the bumps, the contact area between the deformable layer 506, and fixed layer 502 may be reduced.

도 9a 및 9b를 참조하여 설명한 바와 같이, 고정층(502)은 적어도 하나의 도전층을 포함하지만 단일 층 또는 복수의 층을 포함하여 구성될 수 있다. As described with reference to Figures 9a and 9b, the fixed bed 502 can be configured to include at least one conductive layer, but a single layer or plural layers. 고정층(502)의 임의의 구성에서, 범프(511)는 고정층(502)의 상부 표면 위에 양호하게 위치한다. In any configuration of the fixed bed 502, the bump 511 is preferably located on the upper surface of the fixed bed (502). 일실시예에서, 상부 표면은 절연 재료로 만들어지며 범프(511)는 절연 표면 위에 위치한다. In one embodiment, the top surface is made of an insulating material, the bumps 511 are located on an insulating surface. 다른 실시예에서, 고정층(520)의 상부 표면은 도전층으로 만들어지며, 범프(511)는 도전성 표면 위에 위치한다. In another embodiment, the top surface of the fixed layer 520 is made of a conductive layer, it bumps 511 are located on the conductive surface.

도 22c에 도시된 바와 같은 다른 실시예에서, 범프(511)는 변형가능한 층(506) 또는 미러(419)(도시되지 않음) 위에 위치한다. In a further embodiment as shown in Figure 22c, the bump 511 located on the deformable layer 506 or the mirror 419 (not shown). 다시, 변형가능한 층(506)(또는 미러(419))은 복수의 서브층을 포함할 수 있다. Again, the deformable layer 506 (or the mirror 419) may include a plurality of sub-layers. 임의의 구성에서, 범프(511)는 고정층(502)에 대향하는 변형가능한 층(506)(또는 미러(419))의 표면 위에 양호하게 위치한다. In any configuration, the bumps 511 are preferably located on the surface of the deformable layer 506 (or the mirror 419) opposite to the fixed bed (502). 도 22d에 도시된 바와 같은 다른 실시예에서, 범프(511)는 변형가능한 층 및 고정층(502) 모두 위에 위치할 수 있다. The another embodiment, the bump 511 as shown in Figure 22d may be located on both the deformable layer and fixed layer (502).

복수의 범프(511)는 간섭 캐비티(418) 내의 고정층(502) 및/또는 변형가능한 층(506) 위의 다양한 위치에 위치할 수 있다. A plurality of bumps 511 may be located in a fixed bed (502) and / or the deformable layer 506 in the different positions on the interference cavity 418. 일실시예에서, 범프(511)는 고정층(502) 및/또는 변형가능한 층(506)의 표면 위에 걸쳐 위치한다. In one embodiment, it bumps 511 are located over on the surface of the fixed layer 502 and / or the deformable layer 506. 다른 실시예에서, 범프(511)는 고정층(502) 또는 변형가능한 층(506)의 중심부에 우선적으로 위치한다. In another embodiment, the bump 511 is first positioned in the center of the fixed layer 502 or the deformable layer 506. 범프(511)가 위치하는 영역에서, 범프(511)는 고정층(502) 또는 변형가능한 층(506)의 표면 위에 규칙적으로, 산발적으로 또는 무작위로 있을 수 있다. In the region in which the bump 511 where the bump 511 is regularly on the surface of the fixed layer 502 or the deformable layer 506, there may be a sporadically or randomly.

범프(511)는 다양한 형상으로 제조될 수 있다. Bump 511 may be manufactured in various shapes. 도 22e에 도시된 바와 같은 실시예에서, 범프(511)는 일정한 형상을 가질 수도 있고 고정층(502)이나 변형가능한 층(506)으로부터의 불규칙한 돌출부를 포함할 수도 있다. In the embodiment as shown in Figure 22e, the bumps 511 may have a certain shape, and may comprise an irregular projection from the fixed bed 502 and deformable layer 506. 다른 실시예들에서, 범프(511)는 도 22a 내지 도 22d에 도시된 바와 같이 하나 이상의 일정한 형상을 가질 수도 있다. In other embodiments, the bump 511 may have one or more regular shape as shown in Figure 22a to Figure 22d. 일정한 형상의 범프에 대한 실시예들에서, 범프(511)는 말단 표면(distal surface)(도 22a)을 갖는다. In embodiments of the bumps of the regular shape, the bump 511 has a distal surface (distal surface) (Figure 22a). 도시된 실시예에서, 말단 표면(512)은 실질적으로 평면이고 변형가능한 층(506)의 한쪽 표면(또는 도 22c의 실시예에서의 고정층(502) 또는 도 22d의 실시예에서 한쪽 범프)에 평행하다. In the illustrated embodiment, the distal surface 512 is substantially planar and parallel to one surface (or the fixed bed 502 or one bump in the embodiment of Figure 22d in an embodiment of Figure 22c for example) of the deformable layer 506 Do. 다른 실시예에서, 말단 표면(512)은 편평하지만 상기 한쪽 표면에 대해 경사져 있을 수 있다(도시되지 않음). In another embodiment, the distal surface 512 is flat, but it may be inclined with respect to the one surface (not shown). 또 다른 실시예에서, 범프(511)의 말단 표면은 둥글거나 거칠다(도시되지 않음). In yet another embodiment, the distal surface of the pad 511 is round or rough (not shown).

범프(511)는 도 22a의 515로 표시된 높이만큼 고정층(502) 또는 변형가능한 층(506)으로부터 돌출한다. Bumps 511 protrude from the fixed layer 502 or the deformable layer 506 by the height indicated by 515 in Fig. 22a. 범프(511)의 높이(515)는 범프(511)의 말단부(도 22a의 말단 표면(512))와 범프(511)가 돌출하는 표면 사이의 거리로서 정의된다. The height of the bumps 511, 515 is defined as the distance between the distal end (the distal surface (512 of FIG. 22a)) and the bump surface 511 is protrusion of the bump 511. 범프가 하부 층과 같은 재료로 형성되고 불규칙하게 형상을 이루는 일부의 상황에서는, 기준 표면을 결정하기가 어려울 수 있다. In some of the bumps are formed of a material such as irregular and the lower layer serving as the shape circumstances, it may be difficult to determine a reference surface. 이러한 경우에, 범프(511)의 높이(515)는 범프의 말단부와 고정층(502) 및/또는 변형가능한 층(506)의 표면 사이의 가장 먼 거리이다. In this case, the height 515 of the pad 511 is the distance between the distal end and the fixed layer 502 and / or the surface of the deformable layer 506 of the pad. 일부의 실시예에서, 범프(511)는 실질적으로 동일한 높이(515)를 갖는다. In some embodiments, the bumps 511 have substantially the same height as 515. 다른 실시예들에서, 각각의 범프(515)는 서로 다른 높이를 갖는다. In other embodiments, each of the bump 515 has a different height to each other.

일실시예에서, 높이(515)는 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 사이의 물리적 접촉이 되지 않도록 선택된다. In one embodiment, the height 515 is selected to prevent the physical contact between the deformable layer 506, and fixed layer (502). 다른 실시예에서, 높이(515)는 이러한 접촉이 이루어지지 않도록 선택될 뿐만 아니라, 간섭 변조기(401)의 원하는 광학적 특성을 생성하기 위해 간섭 변조기(410)의 구동 상태에서 간섭 캐비티(418)의 깊이를 형성하도록 선택된다. In another embodiment, the height 515 is the depth of not only be selected so that it does not have such contact achieved, interference modulator 401 interference cavity 418 in the driven condition of the interference modulator 410 to produce the desired optical properties of They are selected to form a. 디스플레이 소자로서 사용하기 위한 간섭 변조기의 실시예들에서, 구동 상태에서의 간섭 캐비티 깊이는 전부는 아니더라도 가시광의 대부분을 충분히 흡수할 만큼 짧게 설계된다. In embodiments of the interference modulator, for use as a display element, the interference depth of the cavity in the driving state is designed as short as, if not all, sufficient to absorb most of the visible light. 이렇게 제한되지는 않지만, 범프(511)의 높이(515)는 랜딩 패드(513)의 높이(519)보다 상당히 작을 수 있다. To do this, but are not limited, the height 515 of the bump 511 may be significantly less than the height 519 of the landing pad (513). 높이(511)는 약 50Å 내지 500Å이고 양호하게는 약 100Å 내지 약 200Å이다. Height 511 is about 50Å to about 500Å and preferably about 100Å to about 200Å.

간섭 변조기(401)의 유닛에서, 일련의 범프(511)가 제공될 수 있다. In the unit of the interference modulator 401, a series of bumps 511 may be provided. 전술한 바와 같이, 범프(511)는 고정층(502)과 변형가능한 층(506)이 서로 직접적으로 접촉하지 않도록 하고, 또한 이러한 2층(502 및 506)의 접촉 영역을 감소시키기 위해 제공되는 것이다. As described above, the bump 511 and not to the fixed bed 502 and the deformable layer 506 is in direct contact with each other, it is also provided to reduce the contact area of ​​the two layers (502 and 506). 간섭 변조기(401)의 유닛에서의 범프(511)의 수는 높이(515)와 관련해서 결정된다. The number of bumps 511 on the unit of the interference modulator 401 is determined with respect to height 515. 예를 들어, 범프(511)의 높이(515)가 상당히 높으면, 고정층(502)과 변형가능한 층(506) 사이를 효과적으로 방지하는 데는 적은 수의 범프(511)가 필요한데, 왜냐하면 키가 큰 범프(511)와 접촉하는 변형가능한 층(506)은 고정층(502)과도 접촉할 것이기 때문이다. For example, need the height 515 is significantly high, the fixed bed 502 and the deformable layer fewer bumps 511 of There effectively prevented between 506 of the bump 511, for a tall bump ( 511), a deformable layer 506 in contact with is because excessive contact the fixed bed 502. the 한편, 범프(511)의 높이(515)가 낮을 때는 더 많은 수의 범프(511)가 필요하다. On the other hand, a larger number of bumps 511 is required when the height 515 of the bump 511 is low.

복수의 범프(5111)는 다양한 재료로 제조될 수 있다. A plurality of bumps (5111) may be made from a variety of materials. 일실시예에서, 범프(511)는 유전 재료로 만들어진다. In one embodiment, the bump 511 is made of a dielectric material. 범프(511)가 고정층(502) 또는 변형가능한 층(506)의 절연 표면으로부터 연장하는 경우에, 범프(511)는 동일한 유전 재료로 만들어져도 된다. When the bump 511 is extended from the insulating surface of the fixed layer 502 or the deformable layer 506, the bump 511 it is also made of the same dielectric material. 대안적으로, 범프(511)는 이 범프들이 연장하는 표면의 다른 유전 재료로 형성될 수도 있다. Alternatively, the bumps 511 may be formed from different dielectric materials on the surface of the bump will extend. 다른 실시예에서, 범프(511)는 도전성 재료로 만들어진다. In another embodiment, the bump 511 is made of a conductive material. 양호하게, 범프(511)를 형성하는데 사용되는 재료는 간섭 변조기의 전기적 또는 광학적 특성에 상당한 영향을 미치지 않는 재료이다. Preferably, the material used to form the bump 511 is a material that does not have a significant effect on the electrical or optical properties of the interference modulator. 예를 들어, 범프(511)용 재료는 산화물, 질화물 및 산화질화물을 포함한다. For example, the material for the bump 511 comprises an oxide, nitride and oxy-nitride. 양호하게, 범프(511)는 소정의 광의 파장에 대해 실질적으로 투명하다. Preferably, the bump 511 is substantially transparent to a given wavelength of light.

범프(511)는 다양한 방식으로 생성될 수 있다. Bump 511 may be generated in various ways. 일실시예에서, 범프(511)는 랜딩 패드(513)의 생성을 위해 전술한 프로세스에 의해 형성된다. In one embodiment, it bumps 511 are formed by the above-described process for the production of the landing pad (513). 일실시예에서, 고정층(502) 또는 변형가능한 층(506) 위에 재료가 침적되고, 상기 재료는 에칭되어 층(502 또는 506) 위에 범프(511)가 형성된다. In one embodiment, the material is deposited on the fixed layer 502 or the deformable layer 506, the material is etched to the bumps 511 is formed on the layer (502 or 506). 범프를 형성하기 위해 에칭되는 층은 고정층(502) 또는 변형가능한 층(506)의 상부층 또는 단일층과 동일한 재료를 포함할 수 있다. Layer is etched to form the bumps may include the same material as the top layer or a single layer of the fixed bed 502 or the deformable layer 506. 예를 들어, 고정층(502) 위에 형성된 노출된 Si0 2 층을 에칭제로 에칭하여 거친 표면을 형성하고 이에 의해 범프(511)를 형성할 수 있다. For example, forming a rough surface by etching the exposed Si0 2 layer formed on the fixed layer 502 and the etching agent to form a bump 511, thereby. 에칭 프로세스는 무작위일 수 있거나, 또는 특정한 에칭 장벽을 사용하여 특정한 형상이 되도록 더 진행할 수 있다. The etching process may be carried further to a particular shape by using either be random, or a specific etch barrier. 이에 의해 범프의 크기 및 형상을 제어할 수 있게 하며, 고정층(502)과 변형가능한 층(506)의 접촉에 의해 생기는 역 충격을 감소시키거나 방지하는데 최적화될 수 있는 패턴을 생성할 수 있다. As a result, and can control the size and shape of the bump, it is possible to create a pattern that may be optimized to reduce or prevent reverse impact caused by the contact of the fixed layer 502 and deformable layer 506.

스프링 클립 Spring Clips

도 23a 내지 23f는 스프링 클립(509)을 포함하는 간섭 변조기(501)의 실시예를 나타낸다. Figure 23a through 23f shows an embodiment of the interference modulator (501) including a spring clip (509). 예를 들어, 도 8, 9a 및 9b에 도시된 바와 같이, 간섭 변조기의 통상적인 구성에서, 변형가능한 층(506)은 그 변형된(구동된) 상태에서 장력을 갖고, 이 장력을 감소시키기 위해 그 비변형된(비구동) 상태로 복원하려는 경향을 갖는다. For example, as shown in Fig. 8, 9a and 9b, in the typical configuration of the interference modulator, a deformable layer 506, has a tensile force in that the deformation (the drive) state, in order to reduce the tension having the unmodified (non-driven) tend to restore to the state. 그 변형된 상태에서 변형가능한 층(506)의 장력은 고정층(502)으로부터 멀어지려는 방향으로 상기 변형가능한 층(506)에서 발휘되는 기계적 복원력을 생성한다. That in the deformed state tension of the deformable layer (506) produces a mechanical restoring force exerted from above is deformed in a direction possible layer 506 about to move away from the fixed bed (502). 상기 기계적 복원력이 상기 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 사이에 인가된 전위에 의해 생긴 인력을 극복할 때 상기 변형가능한 층(506)은 그 변형된 상태(501b)로부터 비변형된 상태(501c)로 복귀한다. That the mechanical recovery force unmodified from the deformable layer 506 and the fixed bed wherein the deformable layer 506 is that the deformed state (501b) to overcome caused personnel by an applied potential between the 502 state ( it returns to 501c). 상세히 후술되는 바와 같이, 스프링 클립(509)은 고정층(502)으로부터 멀어지는 방향으로 상기 변형가능한 층(506)에 추가의 힘의 요소를 인가함으로써 상기 변형가능한 층(506)이 그 구동 상태로부터 그 비구동 상태로 복귀하는데 원조하기 위해 제공된다. As will be described later in detail, the spring clip 509 is the ratio said deformable layer (506) by applying an element of the additional force to the deformable layer 506 in a direction away from the fixed bed 502 from the driven state It is provided to assist in the return to the drive state. 상기 변형가능한 층(506)의 기계적 복원력과 결합할 때, 상기 추가의 힘의 요소는 상기 복원이 요망될 때 상기 구동 상태로의 상기 변형가능한 층(506)의 복원의 가능성 및/또는 속도를 증가시킬 수 있다. When combined with mechanical restoring forces of the deformable layer 506, the element of the additional force will increase the restoring potential and / or the speed of the deformable layer 506 into the drive state when the restore desired can.

도 23a 및 23b의 도시된 실시예에서, 스프링 클립(509)은 간섭 변조기(501)의 고정층(502) 위에 제공된다. In the illustrated embodiment of Figure 23a and 23b embodiment, the spring clip 509 is provided on a fixed bed 502 of the interference modulator (501). 비구동 상태를 나타내는 도 23a를 참조하면, 스프링 클립(509)의 일부가 고정층(502)의 상부 표면 위에 위치하고, 스프링 클립(509)의 팁(510)은 간섭 캐비티(418)로 연장해서 변형가능한 층(506) 쪽으로 구부려지도록 되어 있다. Referring to represent Figure 23a the non-driven state, a portion of the spring clip 509 is possible by the tip 510 of the located on the upper surface of the fixed bed 502, the spring clip 509 is extended to the interference cavity 418 strain It is so bent into the layer 506. 이 비구동 상태에서, 스프링 클립(509)은 힘이 전혀 인가되지 않을 때 그 정상적인 구성에 있게 된다. In the non-operative state, the spring clip 509 when power is not at all be applied to be in the normal configuration. 상기 변형가능한 층(506)이 그 변형된 상태로 변형될 때, 상기 변형가능한 층(506)은 먼저 상기 스프링 클립(509)의 팁(510)과 접촉하고 상기 팁(510)을 도 23b에 도시된 바와 같이 실질적으로 편평한 구성으로 되도록 억압한다. The deformable layer 506 is then be transformed into a deformed state, the deformable layer 506 is first brought into contact with the tip 510 of the spring clip 509 and the tip 510 shown in Figure 23b the suppresses to a substantially flat configuration as shown. 이러한 편평한 구성의 스프링 클립(509)은 그 원래의 구성으로 복원하려는 경향이 있다. Spring clip 509 of this planar configuration tends to restore to its original configuration. 이러한 경향은 상기 변형가능한 층(506) 상에서 상기 팁(510)에 의해 발휘되는 힘을 생성한다. This trend creates a force exerted by the tip (510) on said deformable layer (506). 상기 변형가능한 층(506)이 상기 변형된 상태에서 그 편평한 상태로 활성화할 때, 상기 변형가능한 층(506) 상에서 발휘되는 스프링 클립(509의 힘은 상기 활성화를 원조하고 상기 변형가능한 층(506)의 복원 가능성 및/또는 속도를 높인다. When the deformable layer 506 is to be activated in the flat condition in said deformed state, said deformable layer a spring clip (509 force exerted on 506 aid and the strained layer (506 possible the activation) increase the chances of recovery and / or speed.

도 23c 및 23d에 도시된 실시예는 상기 스프링 클립(509)이 상기 변형가능한 층(506) 상에 형성된다는 것을 제외하고는 도 23a 및 23b의 실시예와 동일하다. The embodiment shown in Figure 23c and 23d examples are the same as the embodiment of Figure 23a and 23b, except that the spring clip 509 is being formed on the deformable layer 506. 도 23a 내지 23d의 실시예에서, 스프링 클립(509)은 또한 고정층(502)과 변형가능한 층(506) 사이의 원하는 거리를 유지하는, 전술한 랜딩 패드 및/또는 범프의 역할을 한다. In the embodiment of Figure 23a to 23d for example, spring clips 509 may also serves as the fixed layer 502 and deformable layer 506, a landing pad and / or a bump that, above maintain the desired distance between.

도 23e 및 23f는 스프링 클립(509)을 포함하는 다른 실시예를 나타낸다. Figure 23e and 23f show another embodiment including a spring clip (509). 비구동 상태에서 간섭 변조기(501)를 나타내는 도 23e를 참조하면, 고정층(502)은 리세스(520)를 포함하고 스프링 클립(509)은 상기 리세스(520) 내에 부착된 부분을 갖는다. Referring to Figure 23e represents the interference modulator (501) in the non-driven state, the fixed bed 502 includes a recess 520 and spring clip 509 has an attachment portion within said recess (520). 상기 스프링 클립(509)의 팁(510)은 상기 리세스(520) 내에 포함된 상기 클립(509)의 상기 부분과 관련해서 구부려져 있고 상기 고정층(502)의 상부 표면을 넘어 위쪽으로 간섭 캐비티 쪽으로 연장한다. Tip 510 of the spring clip 509 has the recess toward the side of the clip and bent with respect to the portion of 509, beyond interfering with the top cavity, the upper surface of the fixed bed 502 is contained within a 520 It extends. 구동 상태를 나타내는 도 23f를 참조하면, 스프링 팁(509)의 팁(510)은 변형가능한 층(506)과 고정층(502)에 의해 실질적으로 편평하게 된다. Referring to Figure 23f representing the drive state, the tip 510 of the spring tip 509 is made substantially flat by the deformable layer 506, and fixed layer (502). 다시, 이 팁(510)은 도 23e에 도시된 그 정상적인 구조로 복귀하려는 경향을 가지며 따라서 고정층(502)으로부터 멀어지는 방향에 있는 변형가능한 층(506) 상에서 힘을 발휘한다. Again, the tip (510) exerts a force on the deformable layer 506 in the direction away from the fixed bed has a tendency therefore 502 to return to the its normal configuration shown in Figure 23e.

도 23e 및 23f의 실시예에서, 스프링 클립(509)의 두께는 리세스(520)의 깊이와 같거나 얇다. In the embodiment of Figure 23e and 23f, the thickness of the spring clip 509 is thinner than or equal to the depth of the recess 520. 그 결과, 변형가능한 층(506)은 도 23f에 도시된 바와 같이 구동 상태에서 고정층(502)의 표면과 접촉한다. As a result, the deformable layer 506 is in contact with the surface of the fixed bed 502 in the driving state as shown in Figure 23f. 다른 실시예에서, 팁(510)에서 및/또는 리세스(520) 내에 포함된 부분에서 스프링 클립(509)의 두께(521)는 리세스(520)의 깊이보다 크다. In another embodiment, the thickness 521 of spring clip 509 in the portion included in the tip 510 and / or the recess 520 is greater than the depth of the recess 520. 이러한 실시예에서, 간섭 변조기(501)의 구동 상태에서, 변형가능한 층(506)은 리세스(520)의 깊이보다 큰 두께(521)를 갖는 영역에서 특히 스프링 클립(509)과 접촉하는 반면 고정층(502)과는 접촉하지 않는다. In this embodiment, in the driving condition of the interference modulator (501), while in contact with the deformable layer 506 is in particular a spring in a region having a large thickness 521 than the depth of the recess 520, clip 509, a fixed bed 502 and does not contact. 이러한 구성에서, 스프링 클립(509)은 전술한 랜딩 패드 및 범프의 역할을 할 뿐만 아니라 스프링 클립(509)은 고정층(502)과 변형가능한 층(506)이 직접 접촉하지 않게 한다. In this configuration, the spring clip 509 is not in contact, as well as to serve as the above-mentioned landing pad and the bump the spring clip 509 is directly to the fixed layer 502 and deformable layer 506.

당업자가 이해하는 바와 같이, 스프링 클립(509)은 반드시 도 23a 내지 23f에 도시된 바와 같은 구성일 필요는 없다. As those skilled in the art will understand, the spring clip 509 is not necessarily a need to configure one as shown in Figure 23a to 23f. 또한, 많은 다른 유형의 바이어싱 메커니즘 및 스프링을 클립(509) 대신에 사용할 수 있다. In addition, you can use many different types of biasing mechanism and spring clip in place (509). 또한, 바이어싱 특징을 갖는 재료를 사용할 수도 있다. It is also possible to use a material having a biasing feature. 예를 들어 하나 이상의 탄성 중합체 재료를 포함하는 랜딩 패드를 클립(509) 대신에 사용할 수도 있다. For example, the landing pad comprises one or more elastomeric materials may be used instead of the clip 509. 편의상, 그 구동 상태로의 방향으로 변형가능한 층(506) 상에 힘을 발휘하는 기능을 갖는 임의의 모든 메커니즘을 "스프링 클립"이라고 한다. For convenience, any and all of the mechanism has a function to exert a force on the deformable layer 506 in the direction of the driving state is called a "spring clip". 2개의 스프링 클립을 도 23a 내지 23f에 도시하였으나, 단일의 스프링 클립이나 3개 이상의 스프링 클립을 사용할 수도 있다. Although two springs shown in Figure 23a to 23f the clip, it is also possible to use a single spring clip and three or more spring clips. 선택적으로, 2개 이상의 스프링 클립(509)을 간섭 캐비티(418) 내에 배열함으로써 스프링 클립(509)에 의해 변형가능한 층(506) 상에 발휘되는 힘들이, 변형가능한 층(506)의 로컬 영역 상에 그 힘들이 모여지는 것이 아닌, 실질적으로 서로 균형을 이루게 된다. Alternatively, the forces exerted on the deformable layer 506 by a spring clip 509 by arranging the at least two spring clips (509) in the interference cavity 418, the local area of ​​the deformable layer 506 rather than that the forces are gathered in, and constitute a substantially balanced with one another.

당업자가 이해하는 바와 같이, 스프링 또는 바이어싱 소자의 배치 및 세기는 모두 간섭 변조기의 원하는 특성에 따라 변할 수 있다. As those skilled in the art will understand, arrangement and strength of the spring or biasing element may all vary depending upon the desired properties of the interference modulator. 스프링이 더 강할수록 변형하능한 층(506)은 더 빠르고 더 신뢰성 있게 그 비구동 평면 위치로 복귀하게 된다. The more the spring is stronger layer 506 deform as possible is able to more quickly and reliably returns to its non-operative flat position. 물론 이것은 또한, 고정층(502) 쪽으로의 접근 동안 변형가능한 층(506)은 스프링 클립(509)에 대항하는 저항력이 커지는 경향이 있기 때문에, 간섭 변조기(501)가 그 완전한 구동 상태로 구동되도록 하기 위해 초기의 전압 입력을 조정할 필요가 있다. Of course, this also, for because the fixed bed deformable layer 506 for access to the side 502 there is a tendency of enlarging the resistance against the spring clip 509, the interference modulator 501 is to be driven to the full powered state it is necessary to adjust the initial voltage input.

몇몇 실시예에서, 스프링 클립(509)은, 변형가능한 층(506)이 고정층(502)에 가까이 근접하거나 접촉할 때 생길 수 있는 정지 마찰력(stictional forces)(static friction)을 극복하는데 유용하다. In some embodiments, the spring clip 509 is useful in overcoming the deformable layer 506 is a fixed bed (502) approaches or static friction which can occur when the contact (stictional forces) (static friction) close to. 이러한 정지 마찰력은 Vna der Waals 또는 정전기력을 포함할 뿐만 아니라, 당업자가 이해하는 바와 같은 다른 가능성도 포함한다. This traction does not only include Vna der Waals or electrostatic forces, and includes other possible as those skilled in the art will understand. 자연에서의 정지 마찰력은 변형가능한 층(506)이 고정층(502)으로부터 분리되는 것을 방해한다. Traction in nature will prevent the deformable layer 506 is separated from the fixed bed (502). 스프링 클립(509)은 변형가능한 층(506)이 고정층(502)으로부터 분리될 수 있도록 추가의 힘을 제공하기 때문에, 스프링 클립(509)의 힘은 정지 마찰력이 균형을 이루게 하거나 극복할 수 있다. Spring clip 509 is because it provides additional strength to the deformable layer 506 can be separated from the fixed bed 502, the force of the spring clip 509 has a static friction can be formed or overcome the balance.

몇몇 실시예에서, 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 사이의 정지 마찰력은, 스프링 클립을 갖거나 갖지 않는 정지 마찰력을 감소시키는 중합체로 이 층들을 덮음으로써 감소될 수 있다. In some embodiments, the strain available static friction between layer 506 and the fixed layer 502, and a polymer to reduce the static friction with or without the spring clip may be reduced by covering these layers. 예를 들어, 변형가능한 층과 고정층을 반정지마찰 중합체 코팅(anti-stiction polymer coating coating)으로 코팅될 수 있는데, 이러한 중합체 코팅으로 변형가능한 층(506)과 고정층(502) 사이의 부착력이 감소할 수 있다. For example, variations there a possible layer and fixing layer can be coated with an anti-static friction polymer coating (anti-stiction polymer coating coating), to the adhesion between the deformable layer 506, and fixed layer 502 reduced to such a polymer coating can. 일실시예에서, 이러한 코팅을 스프링 클립(509), 범프(511) 또는 랜딩 패드(513)와 같은 기기의 다른 관점에 적용한다. In one embodiment, the application of these coatings to a further aspect of the device, such as a spring clip 509, the bump 511 or the landing pad 513.

당업자가 이해하는 바와 같이, 랜딩 패드(513), 범프(511) 또는 스프링 클립(509)은 개별적으로 적용될 수도 있고 하나의 실시예에서 함께 적용될 수도 있다. As those skilled in the art will understand, the landing pad 513, a bump 511, or a spring clip 509 may be applied individually or may be applied together in a single embodiment. 예를 들어, 간섭 변조기는 이러한 특징들 중 하나, 둘 또는 셋 모두를 가질 수 있다. For example, the interference modulator can have all of one of these features, two or three. 또한, 서술한 바와 같이, 소정의 특징들은, 변형가능한 층(506)의 그 비구동 상태로의 복귀를 원조할 수 있고, 변형가능한 층(506)과 고정층(502)이 랜딩 패드(513)와 스프링 클립(509)이 기능하는 것과 같이, 서로 불리하게 접촉하는 가능성을 감소시킬 수 있다. Further, as described, certain features are, it is possible to assist the return to the non-driven state of the deformable layer 506, deformable layer 506, and fixed layer 502, a landing pad (513) and such as a spring clip 509, this function can reduce the possibility that a disadvantage in contact with each other.

다중 상태 간섭 변조기 Multi-mode interference modulator

몇몇 실시예에서, 간섭 변조기는 2 이상의 상태(구동 및 비구동)를 제공한다. In some embodiments, the interference modulator provides at least two states (the driving and non-driving). 이러한 예가 도 24a 내지 24c의 도면에 도시된 실시예에 나타나 있다. This example is shown in the embodiment illustrated in the drawings of Fig. 24a-24c. 본 실시예에서, 간섭 변조기는 도 24b에 도시된 바와 같은 구동 상태에서, 변형가능한 층(506)이 층(503) 쪽으로 굴절될 수 있을 뿐만 아니라, 간섭 변조기도 또한 도 24c에 도시된 바와 같이, 반대의 방향으로 층(506)의 방향을 역으로 할 수 있다. In this embodiment, the interference modulator, as in the driven state as illustrated in Fig 24b, the deformable layer 506 is not only can be refracted toward the layer 503, the interference modulator is also shown in Figure 24c, in the opposite direction to the direction of the layer 506 in reverse. "위쪽으로" 굴절된 상태를 "역 구동 상태"라 한다. The "upward" refraction is referred to as "reverse drive state".

당업자가 이해하는 바와 같이, 이러한 역 구동 상태는 다양한 방식으로 달성될 수 있다. As those skilled in the art will understand, this reverse driven state can be achieved in a number of ways. 일실시예에서, 상기 역 구동 상태는 도 23c에 도시된 바와 같이, 위 방향으로 변형가능한 층(506)을 끌어당길 수 있는 추가의 고정층(502')을 사용하면 달성된다. In one embodiment, the reverse driven state is achieved by using the addition of a fixed bed (502 ') that may attract the deformable layer 506 in the upward direction as shown in Figure 23c. 이러한 특정한 실시예에서, 기본적으로 단일 층(506)을 중심으로 대칭으로 위치한 2개의 간섭 변조기가 존재한다. In this particular embodiment, basically there are two interference modulator located symmetrically around a single layer 506. 이에 의해 고정층(502 및 502') 각각은 층(506)을 반대의 방향으로 끌어당길 수 있게 된다. Thus, each fixed bed (502 and 502 ') are able to pull the layer 506 in the opposite direction. 그러므로 초기 전압 명령이 층(506)에 정상 구동 상태(도 24b)로 이동하도록 보내는 반면, 그 다음의 전압 명령은 상기 층을 상기 역 구동 상태로 구동시킴으로써 변형가능한 층(506)의 복원을 가속할 수 있다. Thus while sending the initial voltage command layer 506 to move to a normal driving state (Fig. 24b), then the voltage command to accelerate the restoration of the deformable layer 506 by driving the layer to the reverse drive state of can. 그런 다음 이 모드에서, 변형가능한 층(506)은 반대의 방향으로 고정층(502')에 끌어당겨진다. Then, in this mode, the deformable layer 506 is attracted to the fixed bed in the opposite direction (502 '). 본 실시예에서, 고정층(502 및 502')은 본 명세서에서 전술한 바와 같이 다양한 구성이 될 수 있고 동시에 동일한 구성으로 되어서는 안 된다. In this embodiment, the fixed bed (502 and 502 ') is not to be in this may be varied at the same time, the same configuration as described above in this specification. 예를 들어, 고정층(502 및 502')은 단일 층 구성 또는 복수 서브층 구성으로 될 수 있다. For example, a fixed bed (502 and 502 ') may be a single layer structure or multiple sub-layer structure. 도시된 실시예에서, 지지 표면(500')은 지지체(504')의 제2의 세트를 통해 변형가능한 층(506) 위에 일정한 거리를 두고 유지된다. In the illustrated embodiment, the support surface (500 ') has a support (504' is maintained with a certain distance above the deformable layer 506 through a second set of).

당업자가 이해하는 바와 같이, 이들 소자들 전부가 모든 실시예에 필요한 것은 아니다. As those skilled in the art will understand, that all of these elements are not required for all embodiments. 예를 들어, 도 24a 또는 24b에 비교되는 도 24c에 도시된 바와 같은 상부 굴절의 정밀한 상대적 양이 기기의 동작에서 관련이 없다면, 고정층(502')은 변형가능한 층(506)으로부터 다양한 거리를 두고 위치할 수 있다. For example, if the relevant in the operation of the precise relative amounts of the upper refraction device as shown in Figure 24c compared to Figure 24a or 24b, a fixed bed (502 ') has left a range of distance from the deformable layer 506 It may be located. 그러므로 지지 소자(504') 또는 개별의 기판(500')이 필요 없을 수 있다. Therefore, it may not require a supporting element (504 ') or each of the substrate (500'). 이러한 실시예들에서, 변형가능한 층(506)이 얼마나 위쪽으로 연장하는 것이 반드시 중요한 것이 아니라, 고정층(502')이 적절한 시간에 변형가능한 층(506)을 끌어당기도록 구성되는 것이 중요하다. In such embodiments, the modification is not necessarily relevant to possible layer 506 is extended to how the top, it is important to be configured to pull the fixing layer (502 '), the deformable layer 506 at the appropriate time. 다른 실시예들에서, 도 23c에 도시된 바와 같은 변형가능한 층(506)의 위치는 간섭 변조기의 광학적 특성을 바꿀 수도 있다. In other embodiments, the location of the deformable layer 506 as shown in Figure 23c may change the optical properties of the interference modulator. 이러한 실시예들에서, 위쪽으로의 층(506)의 굴절의 정밀한 거리는 기기의 화질을 향상시키는데 관련이 있을 수 있다. In such embodiments, to enhance the refractive precise definition of the distance of the device layer 506 of the top of the can relate.

당업자가 이해하는 바와 같이, 고정층(502')(또는 그 서브층)과 기판(500')을 제조하는데 사용되는 재료들은 대응하는 층(502)과 기판(500)을 제조하는데 사용되는 재료와 유사할 필요는 없다. As those skilled in the art will understand, a fixed bed (502 ') (or a sub-layer and the substrate 500, the material used to manufacture a) are similar to that used to prepare the corresponding layer 502 and the substrate 500 for the material there is no need to. 예를 들어, 몇몇 실시예에서, 층(500')을 통해 광이 투과할 필요가 없는 반면 층(500)을 통해서는 광이 투과할 수 있어야 한다. For example, in some embodiments, while not necessary to the light transmitted through the layer (500 ') through the layer 500 should be capable of light is transmitted. 또한, 층(502')이 그 변형된 위쪽 위치에서 층(506)의 도달 범위를 넘어 위치하는 경우에는, 층(506)이 층(502')의 도전 부분과 접촉할 염려가 거의 없기 때문에 절연 서브층이 고정층(502')에 필요하지 않을 수 있다. Further, the layer (502 ') is that in the modified upper position is positioned beyond the reach of the layer 506, the layer 506 is a layer (502' since there is little concern that contact with the conductive portion of) isolated the sub-layer may not be needed in a fixed bed (502 '). 따라서, 층(502' 및 506)에 인가되는 전압은 전술한 차이에 근거하여 다를 수 있다. Therefore, the voltage applied to the layer (502 'and 506) may be different on the basis of the aforementioned difference.

당업자가 이해하는 바와 같이, 도 24b에 도시된 구동 상태로부터 도 24a에 도시된 비구동 상태로 변형가능한 층(506)을 구동시키기 위해 인가되는 전압은, 플레이트(502' 및 506)가 2가지 상태에서 다른 것처럼, 도 24a에 도시된 상태로부터 도 24c에 도시된 위쪽 또는 역 구동 상태로 변형가능한 층(506)을 구동하는데 필요한 전압과는 다를 수 있다. , The non-driving voltage condition applied to drive the deformable layer 506 as is, the plate (502 'and 506), two states shown in Figure 24a from a driving state shown in Figure 24b, as those skilled in the art will understand as other, it may be different from the voltage required for driving the the deformable layer 506 to the upper or reverse driving state shown in Figure 24c from the state shown in Figure 24a at. 그러므로 인가되는 전압의 양은 원하는 애플리케이션 및 굴절량에 근거하여 결정된다. Therefore, the amount of voltage to be applied is determined based on the desired application and the amount of refraction.

몇몇 실시예에서, 층(502')과 층(506) 사이에 인가되는 힘의 양 또는 힘의 지속 기간은 단순히 간섭 변조기가 구동 상태와 비구동 상태 사이를 천이하는 속도를 증가시키기 위해 필요한 힘으로 제한된다. In some embodiments, the force necessary to increase the speed at which the transition between the layer (502 ') and the layer (506) the duration of the amount or strength of the force to be applied between simply interference modulator is driven state and a non-driven state It is limited. 변형가능한 층(506)은 층(506)의 대향하는 쪽에 위치하는 층(502 또는 502') 중 어느 하나로 끌어당겨지도록 될 수 있기 때문에, 층(506)과 그 반대의 층과의 상호작용을 약하게 하는데 매우 짧은 구동력이 제공될 수 있다. The deformable layer 506 is weak interaction with the because it can be so that pulling of the pull to either opposing layer (502 or 502 ') which is located on the side of the layer 506 and the opposite of the layer 506 layer for there is a very short drive force can be provided. 예를 들어, 층(506)이 층(506)과의 상호작용을 위해 구동될 때, 대향하는 층(502')에 대한 에너지 펄스를 사용하여 층(506)과 층(502')과의 상호작용을 약할 수 있고 이에 의해 변형가능한 층(506)은 비구동 상태로 더 쉽게 이동할 수 있다. For example, the cross of the layer 506. The layer 506 when driven for interaction with, the Layers using energy pulses for the 506 and the layer (502 opposing layer 502 ") the action to be weak and deformable layer 506, by may be more easily moved to a non-driven state.

오프셋 전압 제어 An offset voltage control

통상적으로, 간섭 변조기 기기는 서로 관련된 최소의, 또는 전혀 없는 고정된 전기 전하(fixed electrical charge)가 존재하도록 설계되어 왔다. Typically, the interference modulator device has been designed to have minimal, or no electrical charge fixed (fixed electrical charge) related to each other there. 그렇지만, 전류 제조 기술이 "전혀 없는 고정된 전하 표준(no fixed charge standard)"을 달성하지는 못하였기 때문에, 변형가능한 층(506)을 제어하는데 사용되는 동작 전압을 언제 선택할 것인지를 고려하여 보상하는 그 결과적인 고정된 전하를 갖도록 하는 것이 바람직하다. However, those that current manufacturing techniques are compensated considering whether because it did not achieve a "fixed charge standard no (no fixed charge standard)", when selecting an operating voltage which is used to control the deformable layer 506 to have a resultant fixed charge is preferred.

층의 다양한 구성을 테스트하는 것과 다양한 침적 기술을 통해, 서로 관련 있는 고정된 전하량은 모델화되어, 간섭 변조기에 부여된 총 오프셋 전압량을 최소화하는 재료 및 층 구성을 선택하기 위한 설계 기준으로서 사용될 수 있다. Through a variety of different deposition techniques to those for testing the configuration, the model is a fixed amount of charge associated with each other, can be used as the design criteria for selecting the material and layer structure to minimize the total offset voltage amount applied to the interference modulator of the layer . 예를 들어, 전체의 간섭 변조기 기기의 전기적 특성을 변경하기 위해 간섭 변조기 층들에서 하나 이상의 재료를 대체할 수 있다. For example, in the interference modulator layers may be substituted for one or more ingredients to modify the electrical properties of the overall interference modulator device.

도 23d를 참조하면, 몇몇 실시예에서, 고정층(502)의 절연 서브층(413) 또는 다른 서브층을 충전된 구성성분으로 변화시켜 중립적으로 충전된 시스템을 얻는다. Referring to Figure 23d, in some embodiments, to obtain a neutral-filled system by changing the sub-insulation layer 413 or another sub-layer of the fixed bed 502 with the charged component. 도시된 실시예에서, 고정층(502)은 2개의 서브층 구성 내에 있고, 절연 서브층(413)은 미러 및 도전 전극으로서 기능하는 서브층(416) 위에 위치하며, 절연 서브층(413)은 충전된 구성성분(514)을 포함한다. In the embodiment shown, the fixed layer 502 was 2, and in the sub-layer structure, the insulating sublayer (413) is located on the sub-layer 416 that functions as a mirror and a conductive electrode, the insulating sublayer 413 is charged It comprises a component (514). 다시, 고정층(502)은 전술한 바와 같이 다양한 구성으로 될 수 있다. Again, the fixed bed 502 can be in a variety of configurations, as described above.

상기 충전된 구성성분(514)의 통합은 다양한 방식으로 달성될 수 있다. The integration of the charged component 514 may be accomplished in a number of ways. 예를 들어, 절연 서브층(413)이 하부 서브층(416) 위에 형성될 때 추가의 충전된 구성성분(514)을 절연 재료에 추가할 수 있다. For example, it may be added in the charge composition 514 in insulation material when the insulating sublayer (413) is to be formed on the lower sub-layer 416. 당업자가 이해하는 바와 같이, 사용될 수 있는 충전된 구성성분은 다양하게 있으며, 이러한 충전된 구성성분의 양 및 특정한 특징은 간섭 변조기의 원하는 특성에 따라 변할 수 있다. The filled composition, which, as those skilled in the art will understand, may be used may vary, and amount of a particular feature of the filled composition can vary depending upon the desired characteristics of the interference modulator. 예를 들면, 화학적 진공 침적 프로세스에 비교될 수 있는, (네거티브가 될 수 있는) 스퍼터 툴에 절연층을 형성하는 것, 또는 층의 수소량을 변환시키는 것을 들 수 있다. For example, those that could be compared to the chemical vacuum deposition process, to form the insulating layer in a sputtering tool (which can be negative), or to convert the small number of layers.

몇몇 실시예에서, 간섭 변조기에서 충전된 구성성분(514)의 양에 대한 제어는 층들의 침적 방법을 바꾸거나 전체적으로 새로운 층들을 부가하는 것을 통해 달성될 수 있다. In some embodiments, control of the amount of the component (514) filled in the interference modulator can be achieved through that the replaced or added as a whole new layer deposition method of the layers. 다른 실시예에서는, 재료의 전기화확적 특성을 최적화하는 목표를 가지고 특정한 재료를 선택한다. In another embodiment, selecting the particular material with the aim to optimize the electrochemical properties of the material hwakjeok. 그러므로 간섭 변조기의 최종 오프셋 전압을 제어하기 위해 다양한 일 함수 차이를 사용할 수 있거나 기기의 동작 동안 기기 내의 전하 누적 속도를 변화시킬 수 있다. It is therefore either to use the difference between the various work function can be changed to the charge accumulated in the speed during the operation of the equipment devices in order to control the final offset voltage of the interference modulator. 예를 들어, 변형가능한 층(506)은 고정층(502)과 접촉할 수 있는 표면을 가질 수 있고, 상기 표면은 층들 간의 전자 전달을 최소화하기 위해 높은 일 함수를 가질 수 있다. For example, the modified layer 506 as possible may have a surface that can be brought into contact with a fixed bed 502, the surface may have a high work function in order to minimize the electron transfer between the layers. 다른 실시예에서, 희생 재료를 재제거할 때 변형가능한 층(506) 및/또는 고정층(502)에 전하를 부여하지 않도록 간섭 변조기의 제조 시에 사용되는 희생층을 변화시킬 수 있다. In another embodiment, it is possible to change the sacrificial layer to be used in the production of so as not to impart an electrical charge to the deformable layer 506 and / or a fixed bed 502 to remove the sacrificial material re interference modulator. 다른 실시예에서, 프로세스 시에 층들(502 및 506)을 연결하는데 사용되는 재료들을 그 일 함수 특성에 근거하여 선택할 수 있다. In another embodiment, it is possible to select on the basis of the work function of the material properties that are used to connect the layers (502 and 506) during the process. 다른 실시예에서, 커넥터 로드(333)용으로 선택된 재료(도 25a 및 25b)는 그 일 함수 특성에 근거한다. In another embodiment, the connector rod 333 to a selected material (Fig. 25a and 25b) for its work function is based on the characteristic.

일실시예에서, 간섭 변조기의 제조 시, 고정층(502) 및 변형가능한 층(506)은 전기적으로 접속되어 두 층 간의 전하 차이를 최소화한다. In one embodiment, the preparation of the interference modulator, the fixed bed 502 and the deformable layer 506 is electrically connected to the charge to minimize the difference between the two layers. 이에 의해 최종적인 간섭 변조기의 생산 수율을 더 높이고 신뢰도를 더 높일 수 있다. Thus further increase in the production yield of the final interference modulator can increase the reliability further. 일실시예에서, 상기 두 층들간의 이러한 접속은 변형가능한 층(506)이 생성되는 재료와 동일한 재료로부터 생성된다. In one embodiment, the connection between these two layers are produced from the same material as the material to create a deformable layer 506.

변형가능한 층(506)의 이동을 감소시키기 To reduce the movement of the deformable layer 506

몇몇 실시예에서, 지지체(504)의 상부 엔드(37)와 층(506)의 하부 표면의 직접 접촉을 통해 지지체(504)는 변형가능한 층(506)과 상호작용한다. In some embodiments, the support body 504 through direct contact of the lower surface of the upper end 37 and the layer 506 of the support 504 to interact with the deformable layer 506. 특정한 상황에서, 지지체(504)의 상부 엔드(37)를 따라 변형가능한 층(506)의 슬라이딩 또는 미끄러짐이 일어날 수 있다. In certain circumstances, along the upper end 37 of the support body 504 it may take place in sliding or slipping of the deformable layer 506. 이러한 이동은 다양한 방식으로 감소될 수 있다. This movement can be reduced in a number of ways. 일실시예에서, 상기 이동은 지지체(504)의 상부 엔드(37)의 표면 특성을 바꿈으로써 감소된다. In one embodiment, the movement is reduced by altering the surface characteristics of the upper end 37 of the support body 504. The 예를 들어, 도 24d 및 24e에 도시된 바와 같이, 변형가능한 층(506) 및/또는 지지체(504)를 이 두 층이 교차하는 포인트(505)에서 거칠게 할 수 있다. For example, it may be rough at the as shown in Figure 24d and 24e, the deformable layer 506 and / or the point 505 where the two layers intersects a support (504). 예를 들어, 이것은 변형가능한 층(506)의 침적 전에 산소 플라즈마 번 다운(oxygen plasma burn down) 또는 스퍼터 에칭에 의해 수행될 수 있다. For example, this can be carried out by an oxygen plasma burndown (oxygen plasma burn down) or sputter etching prior to deposition of the deformable layer 506.

구동 상태로부터 복원하기 위한 다른 힘들 Other forces to restore from the driving state

몇몇 실시예에서는, 변형가능한 층(506)의 변형 방식을 기능을 향상시키기 위해 변경할 수 있다. In some embodiments, it is possible to change the deformation mode of the deformable layer 506 to enhance functionality. 종래의 간섭 변조기(501)에서, 변형가능한 층(506)은 지지 부재들(504)을 걸쳐 팽팽하게 켕긴 단일의 연속적 시트이다. In the conventional interference modulator 501, a deformable layer 506 is a continuous sheet of taut kenggin single across the support members (504). 상기 층은 팽팽하게 켕겨 있기 때문에, 층에 있는 잔류 응력(residual stress)에 의해 상기 층은 구성 상태에서 비구동 상태로 "되튀기(spring)" 또는 "반발(snap back)"될 수 있다. Since the layer is kenggyeo taut, the layer by the residual stress (residual stress) in the layer may be "resiliency (spring)" or "rebound (snap back)," a non-operative state in the configured state. 그렇지만, 이러한 특별한 배치는 가변성(variability) 처리에 민감하다. However, this particular arrangement is sensitive to variability (variability) process.

변형가능한 층(506)을 (잔영 응력을 생성하기 위해) 팽팽하게 켕겨서 배치하는 것 대신에, 재료가 우선적으로 어떻게 배열되고 처리되는지에 관한 것보다는 재료에 기반한 상수인, 재료의 탄성률에 의지할 수 있다. A deformable layer 506, instead of tightly Keng gyeoseo disposed (to produce a ghosting stress), the material is also dependent on the elastic modulus of the constant, the material based on the material, rather than on how the array is processed preferentially can. 그러므로 한 관점에서, 변형가능한 층(506)은 층이 만들어진 재료의 재료 상수를 통해 그 탄성을 유지하고 제공한다. Thus, in one aspect, the deformable layer 506 is provided to keep the elastic constant of the material through the material layer is made. 일실시예에서, 이것은 팽팽하게 켕긴 막보다는 캔틸레버 스프링의 탄성과 유사하다. In one embodiment, this is stretched in analogy to the cantilever spring elasticity than kenggin film. 이러한 설계의 예가 도 25a 내지 25d에 도시되어 있다. An example of such design is shown in Figure 25a to 25d. 도 25a는 비구동 상태의 간섭 변조기(501)의 일실시예의 측면을 도시하고 도 25b는 평면을 도시한다. Figure 25a is a side, and illustrates an example embodiment of the interference modulator 501 of the non-driven state 25b illustrates a plane. 도 25c는 구동 상태의 간섭 변조기(501)의 일실시예의 측면을 도시하고 도 25b는 평면을 도시한다. Figure 25c is a side, and illustrates an example embodiment of the interference modulator 501 of the driving state 25b illustrates a plane.

본 실시예에서, 변형가능한 층(506)은 2개의 별개의 부분으로 나누어지는데, 그 탄성률을 통해 층의 이동을 위한 유연성과 탄성을 제공하는 로드 베어링부(506a)와, 간섭 변조기를 위한 제2 미러로서 기능하는 실질적 평면부(506b)이다. In this embodiment, the deformable layer 506 is the second to the load bearing portion (506a) and the interference modulator divided into two distinct parts, provided the modulus of flexibility and elasticity for the movement of the layer through a substantially plane portion (506b) functioning as a mirror. 상기 두 부분(506a 및 506b)은 커넥터 로드(333)를 통해 서로 연결되어 있다. It said two parts (506a and 506b) are connected to each other via a connector rod (333). 일실시예에서, 상기 커넥터 로드(333)는 로드 베어링부(506a) 및/또는 실질적 평면부(506b)와 동일한 재료로 만들어진다. In one embodiment, the connector rod 333 is made of the same material as the load bearing portion (506a) and / or a substantially flat surface portion (506b). 다른 실시예에서, 커넥터 로드(333)는 로드 베어링부(506a) 및/또는 실질적 평면부(506b)와 다른 재료로 만들어진다. In another embodiment, the connector rod 333 is made of a load bearing portion (506a) and / or a substantially flat surface portion (506b) with other materials. 몇몇 실시예에서, 커넥터 로드(333)는 로드 베어링부(506a)와는 달리, 시스템에 유연성과 탄성을 제공하는 부품이다. In some embodiments, the connector rod 333, unlike the load bearing portion (506a), a part which provides flexibility and elasticity to the system. 몇몇 실시예에서, 로드 베어링 구조(506a)는 이전의 실시예에서의 변형가능한 층(506)보다 두껍다. In some embodiments, the load bearing structure (506a) is thicker than the deformable layer 506 in the previous embodiment.

도 25b에 도시된 바와 같이, 로드 베어링부(506a)는 그 탄성 중합체 특성을 제공하기 위해 그 4개의 코너(70, 71, 72, 73)에서 지지되는 "X"형으로 구성되어 있다. , The load bearing portion (506a) as shown in Figure 25b is composed of "X" type is supported at its four corners (70, 71, 72, 73) to provide its elastomeric properties. 구동 상태에서, 로드 베이링부(506a)는 변형가능한 층(506)의 평면부(506b)로부터 끌어당겨져서 아래로 고정층(502) 쪽으로 구부려진다. In the driven state, the load bay ring portion (506a) is bent towards the fixing layer (502) down so pulled from the flat surface portion (506b) of the deformable layer 506. 당업자가 이해하는 바와 같이, 시스템을 위한 탄성을 제공하는데 사용되는 특별한 재료 또는 재료들은 특별히 원하는 시스템의 특성에 따라 변할 수 있다. As those skilled in the art will understand, a special material or a material that is used to provide elasticity to the system may vary depending on the particular properties of the desired system.

전술한 변형에 의해 프로세스 가변성을 제거할 수 있고 더욱 단단한 설계 및 제조를 유도할 수 있다. It can be removed by the aforementioned process variable variations, and can lead to more solid design and manufacture. 부가적으로, 전술한 관점들은 간섭 변조기의 선택된 실시예들에 관하여 서술하였으나 당업자는 전술한 관점으로부터 많은 다른 간섭 변조기의 실시예들이 이로울 수 있다는 것을 이해할 것이다. It will be appreciated that the addition, the view of the foregoing are examples of the many different interference modulator from the viewpoint described above, but a person skilled in the art is described with respect to selected embodiments of the interference modulator to be beneficial. 물론, 당업자 이해할 수 있는 바와 같이, 부가의 다른 간섭 변조기의 실시예들도 적용될 수 있다. Of course, as it will be understood by those skilled in the art, and can be applied also to embodiments of the interference modulator of the other portion. 간섭 변조기의 다양한 층들은 반도체 및 전자-기계 기기 제조의 분야에서 일반적으로 잘 알려진 폭넓은 도전성 및 비도전성 재료들로부터 제조될 수 있다. The various layers of the interference modulator are semiconductor and electronics may be manufactured from a wide range of conductive and non-conductive material generally well known in the field of machines for manufacturing the device.

이상의 설명에서는 여러 가지 실시예에 적용된 본 발명의 신규한 특징을 보여주고, 설명하고 또 지적하였지만, 본 발명의 사상으로부터 이탈하지 않는 범위 내에서 당업자가 예시된 기기 또는 공정의 상세한 구성이나 형태로부터 다양하게 생략하고 대체하고 변경하는 것이 가능하다는 것을 알아야 한다. Above description illustrates the novel features of the present invention is applied to various embodiments, the description is also noted however, vary from the detailed structure and shape of the person skilled in the art to illustrate the device or process within the scope without departing from the spirit of the invention it should be noted that it omitted that it is possible to replace and change. 인식하고 있는 바와 같이, 몇몇 특징은 다른 특징들과 분리되어 사용되거나 실현될 수 있으므로, 본 발명은 여기에 개시된 특징과 장점을 모두 가지고 있지는 않은 형태로 구현될 수도 있다. As is recognized, and some features may be implemented or used separately from the other aspects, the present invention may be implemented in a form that is not have all of the features and advantages disclosed herein.

Claims (12)

  1. 입사광을 부분적으로 반사시키고 부분적으로 투과시키는 제1 수단; First means for reflecting and partially transmitting the incident light in part;
    입사광을 실질적으로 반사시키는 제2 수단; Second it means for substantially reflecting the incident light;
    구동 위치와 비구동 위치 사이에서 상기 제1 수단에 대해 상기 제2 수단을 이동시키는 수단으로서, 상기 구동 위치는 상기 비구동 위치보다 상기 제1 수단에 더 가까운, 제2 수단을 이동시키는 수단; As a means for moving said second means to said first means between a driving position and a non-operative position, the drive means for moving the position closer to the second means to the first means than the non-operative position; And
    상기 제2 수단이 상기 구동 위치에 있을 때 상기 비구동 위치쪽으로 상기 제2 수단에 힘을 인가하는 수단 Said second means is means for applying a force to the second means towards the non-operative position when it is in said driving position
    을 포함하고, And including,
    상기 힘을 인가하는 수단은 상기 제2 수단이 상기 구동 위치에 있을 때 상기 제1 수단 및 상기 제2 수단 양쪽과 접촉하는, 미소 기전 기기. It means the second means is the first means and, micro-electromechanical device which is in contact with both sides of the second means when in the driving position for applying the force.
  2. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 힘을 인가하는 수단은 스프링 클립을 포함하는, 미소 기전 기기. It means for applying the force comprises a spring clip, micro-electromechanical devices.
  3. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 힘을 인가하는 수단은, 탄성 중합체 재료를 포함하는 범프 또는 랜딩 패드를 포함하는, 미소 기전 기기. Means for applying the force, micro-electromechanical device comprising a resilient bumps or landing pad comprising a polymeric material.
  4. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제1 수단은 부분 미러 표면(partial mirror surface)을 포함하는, 미소 기전 기기. It said first means includes micro-electromechanical device comprising a mirror surface part (partial mirror surface).
  5. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제2 수단은 완전 미러 표면(full mirror surface)을 포함하는, 미소 기전 기기. It said second means includes micro-electromechanical device comprising a full mirror surface (full mirror surface).
  6. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제2 수단을 이동시키는 수단은 변형가능한 층을 포함하는, 미소 기전 기기. It means for moving said second means comprising a deformable layer, micro-electromechanical devices.
  7. 간섭 변조기를 포함하는 디스플레이; Display comprising the interference modulator;
    상기 디스플레이와 전기적으로 연결되어 있고, 이미지 데이터를 처리하도록 구성된 프로세서; A processor configured to and is connected to the display and electrically processing the image data; And
    상기 프로세서와 전기적으로 연결되어 있는 메모리 기기 A memory device that is electrically connected to the processor
    를 포함하고, And including,
    상기 간섭 변조기는: Wherein the interference modulator comprises:
    제1 반사 평면부를 포함하는 제1 층; A first layer including the first reflecting plane portion;
    상기 제1 반사 평면부에 실질적으로 평행하게 위치하는 제2 반사 평면부를 포함하고 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동가능한 제2 층으로서, 상기 제1 위치는 상기 제1 층으로부터 제1 거리에 있고, 상기 제2 위치는 상기 제1 층으로부터 제2 거리에 있으며, 상기 제2 거리는 상기 제1 거리보다 큰, 제2 층; 2 as comprising reflective plane portion and the second layer is movable between a first position and a second position, said first position substantially parallel to the to the first reflecting plane portion is at a first distance from the first layer and, the second position is a second distance from the first layer, the second distance being the greater than the first distance, the second layer; And
    상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 위치하는 표면을 포함하며, 상기 제2 층이 상기 제1 위치에 있을 때 상기 제1 층과 상기 제2 층 사이에 하나 이상의 갭 영역을 형성하는 복수의 부재 Wherein the plurality of forming at least one gap area between the first layer and the second comprises a surface located between the layer, the second layer is the first position of the first layer and the second layer when the absence
    를 포함하며, It includes,
    상기 하나 이상의 갭 영역 내에서 상기 제2 층은 상기 제1 층 및 상기 복수의 부재의 어느 것과도 접촉하지 않으며, Within the one or more gap region and the second layer is not in contact also with any of the first layer and the plurality of members,
    상기 복수의 부재는 바이어스부, 범프 및 랜딩 패드 중에서 선택된 적어도 하나를 포함하도록 구성되며, 상기 랜딩 패드 및 상기 범프는 상기 제2 층이 상기 제1 위치에 있을 때 상기 하나 이상의 갭 영역 내에서 상기 제1 층과 상기 제2 층이 접촉하지 않도록 선택된 높이를 갖는, 디스플레이 시스템. Said plurality of members is said in the bias unit, the bumps and the landing pad is configured to include at least one selected from, the landing pad and the bump is said second layer is at least one gap region when in the first position a display system having a selected height of the first layer and the second layer so as not to contact.
  8. 제7항에 있어서, The method of claim 7,
    상기 디스플레이에 적어도 하나의 신호를 송신하도록 구성된 제1 컨트롤러; A first controller configured to send at least one signal to said display; And
    상기 제1 컨트롤러에 상기 이미지 데이터의 적어도 일부를 송신하도록 구성된 제2 컨트롤러를 더 포함하는 디스플레이 시스템. The display system further includes a second controller configured to send at least a portion of said image data to said first controller.
  9. 제7항에 있어서, The method of claim 7,
    상기 프로세서에 상기 이미지 데이터를 송신하도록 구성된 이미지 소스 모듈을 더 포함하는 디스플레이 시스템. The display further comprising an image source module configured to send said image data to said processor.
  10. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 이미지 소스 모듈은 수신기, 송수신기, 및 송신기 중 하나 이상을 포함하는, 디스플레이 시스템. It said image source module, the display system comprising a receiver, transceiver, and one or more of the transmitters.
  11. 제7항에 있어서, The method of claim 7,
    입력 데이터를 수신하여 상기 입력 데이터를 상기 프로세서에 전달하도록 구성된 입력 기기를 더 포함하는 디스플레이 시스템. It receives the input data display system further comprising an input device configured to deliver the input data to the processor.
  12. 삭제 delete
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