KR101303712B1 - 교정 데이터를 업데이트 하는 방법 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

대상물의 위치를 결정하도록 구성된 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법으로서, 상기 제1 위치 검출 시스템은 타겟 및 복수의 센서를 포함하고, 타겟 및 센서 중 하나가 대상물 상에 장착되며, 상기 교정 데이터는 실제 위치에 겉보기 측정 위치를 연관시키는 계수를 포함하고, 상기 계수는, 상기 겉보기 측정 위치를 실제 위치로 변환하여 상기 제1 위치 검출 시스템에서 물리적 결함을 정정하고 겉보기 측정 위치로부터 실제 위치를 결정할 수 있도록 하는데 이용될 수 있다.

Description

교정 데이터를 업데이트 하는 방법 및 디바이스 제조 방법{METHOD OF UPDATING CALIBRATION DATA AND A DEVICE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 대상물의 위치를 결정하도록 구성된 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.

리소그래피 장치는 기판, 통상적으로 기판의 타겟부 상에 요구되는 패턴을 부가하는 기기이다. 리소그래피 장치는 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 이용될 수 있다. 이러한 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클로 지칭되는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 이용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 일부, 하나 또는 몇몇 다이들을 포함함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사성 감광 물질(레지스트)의 층 상으로 이미징을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패턴화되는 인접한 타겟부의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각 타겟부가 조사(irradiate)되는 이른바 스텝퍼, 및 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 방사 빔을 통해 패턴을 스캔하는 동시에 이러한 방향에 평행 또는 반-평행하게 기판을 스캔함으로써 각 타겟부가 조사되는 이른바 스캐너를 포함한다. 또한 기판 상으로 패턴을 임프린트함으로써 패턴화 장치로부터 기판으로 패턴을 전사하는 것도 가능하다.

전통적으로, 리소그래피 장치에 있어서, 테이블, 예를 들어 기판 테이블의 위치는 레이저 간섭계(interferometer)를 이용하여 측정된다. 이러한 시스템에서는, 격자가 테이블의 에지 상에 배치되고 격자에 레이저 빔이 조사된다. 이의 반사가 레이저 광원에 인접하여 배치된 센서에 의해 측정된다. 이러한 측정 시스템에 있어서의 어려움은 빔이 나아가는 매질(예를 들어, 공기)의 굴절률의 변화를 겪을 수 있다는 점이다. 부가적으로, 이들의 장기간 안정성은 높지만, 정확성이 그리 높지는 않다.

최근 인코더라 지칭되는 새로운 유형의 위치 측정 유닛이 개발되었다. 예를 들어 인코더는 US 6,639,686(참조에 의해 전체로서 본원에 통합됨)에 기술되어 있다. 테이블의 정확한 위치 측정을 요구하는 프로세스를 위해 테이블 상에, 또는 테이블이 이용되고 있는 영역 위에 2D 격자 타겟이 위치된다. 방사기(emitter) 및 수신기를 포함하는 인코더는 테이블의 나머지 및 테이블 위에 위치된다. 이는 임의의 방사 빔이 이동해야 하는 거리가 감소될 뿐만 아니라(따라서 방사 빔이 통과하는 매질의 임의의 굴절률 변화가 보다 작은 영향을 미치게 된다) 필요한 경우 방사 빔이 통과하는 환경을 조절하는 것이 보다 용이해 진다는 장점을 갖는다.

두 가지 유형의 위치 측정 시스템은 예를 들어 US 2007/0288121 및 US 2008/0094592(양자 모두 참조에 의해 전체로서 본원에 통합됨)에서 병행하여 이용될 수 있는 것으로 개시된다. 두 가지 시스템을 이용하게 되면 투영 시스템 하에 테이블이 위치되는 동안 인코더를 이용하여 정확한 측정을 할 수 있게 되는 한편, 예를 들어 전체 이동 범위(이는 투영 시스템 하에 있지 않은 영역을 포함)를 통해 테이블의 위치 측정이 가능해 진다.

테이블 위치설정 디바이스의 상기 조합은 임의의 리소그래피 장치에서 이용될 수 있다. 이러한 시스템은 특히 액침 또는 EUV 리소그래피 장치에서 바람직하게 이용될 수 있다.

액침 리소그래피에서, 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물에 리소그래피 투영 장치 내의 기판을 액침시켜, 투영 시스템의 최종 엘리먼트와 기판 간의 공간을 채우는 방안이 제안되었다. 일 구현에서, 액체는 증류수이지만, 다른 액체가 이용될 수 있다. 그러나 또다른 유체 특히, 습윤 유체(wetting fluid), 비압축성 유체 및/또는 공기보다 높은 굴절률, 바람직하게는 물보다 높은 굴절률을 갖는 유체가 적합할 수 있다. 가스를 배제한 유체가 특히 바람직하다. 이점에 의해 보다 작은 특징의 이미지화가 가능해지고, 이는 노광 방사가 액체에서 보다 짧은 파장을 가질 것이기 때문이다(액체의 효과는 또한 시스템의 유효 개구수(NA)를 증가시키고 또한 초점 심도(depth of focus)를 증가시키는 것이라 여겨질 수 있다). 다른 액침액이 제안되었고, 이는 그 안에 부유 고형 입자(예를 들어, 수정)를 갖는 물, 또는 나노 입자 부유물(예를 들어, 10nm 이하의 최대 크기를 갖는 입자)을 갖는 액체를 포함한다. 부유 입자는 이들이 부유하고 있는 액체와 유사하거나 동일한 굴절률을 가질 수 있거나 그렇지 않을 수도 있다. 적합할 수 있는 다른 액체는 방향족과 같은 탄화수소, 불화탄화수소, 및/또는 수용액을 포함한다.

액침 장치에서, 액침 유체는 유체 핸들링 시스템, 디바이스 구조 또는 장치에 의해 처리된다. 일 구현에서 유체 핸들링 시스템은 액침 유체를 공급할 수 있고 따라서 유체 공급 시스템일 수 있다. 일 실시예에서 유체 핸들링 시스템은 적어도 부분적으로 액침 유체를 가둘 수 있고, 따라서 유체 제한 시스템일 수 있다. 일 구현에서 유체 핸들링 시스템은 액침 유체에 배리어(barrier)를 제공할 수 있고 따라서 유체 제한 시스템과 같은 배리어 엘리먼트일 수 있다. 일 구현에서 유체 핸들링 시스템은 가스의 흐름을 생성 또는 이용하여, 예를 들어 액침 유체의 흐름 및/또는 위치를 제어하는데 도움을 줄 수 있다. 가스의 흐름은 액침 유체를 가두기 위해 밀봉을 형성할 수 있어, 유체 핸들링 구조는 밀봉 부재로 지칭될 수 있다; 이러한 밀봉 부재는 유체 제한 구조일 수 있다. 일 구현에서 액침 액체가 액침 유체로 이용된다. 이러한 경우 유체 핸들링 시스템은 액체 핸들링 시스템일 수 있다. 상기 설명을 참조하여, 본 단락에서 유체에 관해 규정된 특징에 대해 언급하는 것은 액체에 관해 규정된 특징을 포함하는 것으로 이해될 수 있다.

인코더 유형 위치 측정 디바이스의 장기간 안정성은 그리 높지 않을 수 있다. 그러므로, 간섭계 시스템에 비하여, 인코더 시스템에 의해 허용되는 보다 높은 정확도를 이용하기 위해 교정 프로세스를 빈번하게 수행하는 것이 바람직할 수 있다.

예를 들어 장치에 많은 양의 정지 시간을 초래하지 않는 교정 방법을 제공하는 것이 바람직하다.

일 양상에 따르면, 대상물의 위치를 결정하도록 구성된 제1 위치 검출 시스템의 교정(calibration) 데이터를 업데이트하는 방법이 제공되고, 상기 제1 위치 검출 시스템은 타겟 및 복수의 센서를 포함하고, 타겟 및 센서 중 하나가 대상물 상에 장착되며, 상기 교정 데이터는 실제 위치에 겉보기 측정 위치를 연관시키는 계수를 포함하고, 상기 계수는, 상기 겉보기 측정 위치를 상기 실제 위치로 변환하여 상기 제1 위치 검출 시스템에서 물리적 결함을 정정하고 상기 대상물의 겉보기 측정 위치로부터 상기 실제 위치를 결정할 수 있도록 하는데 이용될 수 있으며, 상기 방법은: 상기 제1 위치 검출 시스템과 독립적인 제2 위치 검출 시스템을 이용하여 상기 대상물의 위치를 결정하는 단계; 상기 제2 위치 검출 시스템에 의해 검출된 위치와 상기 제1 위치 검출 시스템에 의해 결정된 위치 간의 차이를 계산하는 단계; 및 상기 제2 위치 검출 시스템에 의해 검출된 위치가 상기 대상물의 실제 위치라는 가정 하에, 상기 계산된 차이를 이용하여 개별적인 겉보기 측정 위치의 계수를 업데이트하는 단계를 포함하고, 상기 차이를 계산하는데 이용되는, 상기 대상물의 위치를 결정하기 위해 이루어진 측정은 상기 대상물의 통상적인 이용 기간 동안 이루어진다.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 개략도를 참조하여 단지 예로서 기술한다. 첨부된 개략도에서 대응되는 참조 부호는 대응되는 부분을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하고;
도 2 및 3은 리소그래피 투영 장치에서 이용하기 위한 액체 공급 시스템을 도시하며;
도 4는 리소그래피 투영 장치에서 이용하기 위한 추가적인 액체 공급 시스템을 도시하고;
도 5는 리소그래피 투영 장치에서 이용하기 위한 추가적인 액체 공급 시스템을 도시하며;
도 6은 기판 테이블 및 제1 및 제2 위치 검출 시스템을 평면도로 도시하고;
도 7은 제1 및 제2 위치 검출 시스템의 공통된 좌표 시스템을 평면도로 도시하고;
도 8은 도 7의 공통된 좌표 시스템에 대한 타겟의 가능한 오정렬을 평면도로 도시하며;
도 9는 임의의 주어진 실제 위치에서 기판 테이블의 위치를 측정하는데 어떤 인코더 조합이 이용되는지를 도시하고;
도 10은 인코더의 상대적인 위치의 교정을 도시하며;
도 11은 좌표 시스템에 대한 타겟의 교정을 도시하고; 그리고
도 12는 투영 시스템 하에서의 기판의 전형적인 이동을 평면도로 개략적으로 도시한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 도시한다. 장치는 다음을 포함한다:

- 방사 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 조절(condition)하도록 구성된 조명 시스템(조명기)(IL);

- 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키도록 구성되는 제 1 위치 설정기(PM)에 연결된 지지 구조(예를 들어, 마스크 테이블);

- 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 기판)을 유지하도록 구성되고 특정 파라미터에 따라 테이블, 예를 들어 기판(W)의 표면을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치 설정기(PW)에 연결된 지지 테이블, 예를 들어 하나 이상의 센서를 지지하기 위한 센서 테이블 또는 기판 테이블(WT); 및

- 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함) 상으로 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(PS)(예를 들어, 굴절형 투영 렌즈 시스템).

조명 시스템(IL)은 방사선을 지향시키거나, 형상화(shape)하거나, 또는 제어하기 위한 다양한 유형의 광학 컴포넌트, 예를 들어, 굴절형, 반사형, 자기형, 전자기형, 정전기형 또는 다른 유형의 광학 컴포넌트, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다.

지지 구조(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조(MT)는 패터닝 디바이스(MA)의 배향, 리소그래피 장치의 설계, 및 다른 조건, 예를 들어 패터닝 디바이스(MA)가 진공 환경에서 유지되는지 여부와 같은 조건에 종속되는 방식으로 패터닝 디바이스(MA)를 유지한다. 지지 구조(MT)는 패터닝 디바이스(MA)를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기 또는 다른 클램핑 기술을 이용할 수 있다. 지지 구조(MT)는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지 구조(MT)는 예를 들어 투영 시스템(PS)에 대하여 패터닝 디바이스가 요구되는 위치에 있도록 보장할 수 있다. "레티클" 또는 "마스크"와 같은 용어의 사용은 본원에서 "패터닝 디바이스"라는 보다 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 잇다.

본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하는 것과 같이, 방사 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 어떠한 장치도 지칭하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 패턴이 위상-반전 특징 또는 이른바 보조 특징(assist feature)을 포함하는 경우 기판의 타겟부에 있어서 요구되는 패턴에 정확히 대응하지 않을 수도 있음에 주목해야 한다. 일반적으로, 방사 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같은, 타겟부에 생성되는 디바이스 내의 특정 기능 층에 대응할 것이다.

패터닝 디바이스(MA)는 투과형 또는 반사형 모두 가능하다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능 미러 어레이, 및 프로그램가능 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리형, 교번 위상 반전형 및 감쇠 위상 반전형과 같은 마스크 유형뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 유형들을 포함한다. 프로그램가능 미러 어레이의 예는 소형 미러들의 매트릭스 배열을 채용하며, 그 각각의 미러들은 입사하는 방사 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지는 것이 가능하다. 경사진 미러는 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사 빔에 패턴을 부여한다.

본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 이용되고 있는 노광 방사선에 적합하거나 또는 액침액의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인들에 적합한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형(catadioptric), 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 어떠한 유형의 투영 시스템도 포함하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본원에서 용어 "투영 렌즈"의 사용은 보다 일반적인 용어 "투영 시스템"과 동의어로서 간주될 수 있다.

도시된 것처럼, 장치는 투과형이다(예를 들어, 투과형 마스크를 채용). 대안적으로, 장치는 반사형일 수 있다(예를 들어, 위에서 언급된 것과 같은 유형의 프로그램가능 미러 어레이를 채용하거나 반사형 마스크를 채용).

리소그래피 장치는 둘 이상의 테이블(또는 스테이지 또는 지지부), 예를 들어 둘 이상의 기판 테이블 또는 하나 이상의 기판 테이블 및 하나 이상의 센서 또는 측정 테이블의 조합을 갖는 유형일 수 있다. 이러한 "다중 스테이지" 기기에서는, 복수의 테이블을 병행하여 사용하거나, 또는 하나 이상의 테이블 상에서 예비 공정을 수행하면서 하나 이상의 기판 테이블을 노광용으로 사용하는 것이 가능하다. 리소그래피 장치는 기판, 센서 및 측정 테이블과 유사한 방식으로 평행하여 이용될 수 있는 둘 이상의 패터닝 디바이스 테이블(또는 스테이지 또는 지지부)을 가질 수 있다.

도 1을 참조하면, 조명기(IL)는 방사 소스(SO)로부터 방사 빔을 수신한다. 예컨대, 방사 소스(SO)가 엑시머 레이저인 경우, 방사 소스(SO) 및 리소그래피 장치는 별도의 구성요소일 수도 있다. 이러한 경우, 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사 빔은 예컨대 적합한 지향 미러 및/또는 빔 확장기(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)을 이용하여 방사 소스(SO)로부터 조명기(IL)로 전달된다. 다른 경우에, 예컨대 방사 소스(SO)가 수은 램프인 경우에, 이러한 방사 소스(SO)는 리소그래피 장치에 통합된 부품일 수도 있다. 방사 소스(SO) 및 조명기(IL)는 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사 시스템으로 지칭될 수도 있다.

조명기(IL)는 방사 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조정하기 위한 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 조명기(IL)의 퓨필 평면(pupil plane) 내의 세기 분포의 적어도 외측 반경 및/또는 내측 반경 범위(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 조명기(IL)는 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들(도 1b)을 포함할 수 있다. 조명기(IL)는 방사 빔의 단면에 요구된 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사 빔을 조절하는데 사용될 수 있다. 소스(SO)와 유사하게, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않을 수도 있다. 예를 들어, 조명기(IL)는 리소그래피 장치의 통합된 부분일 수 있거나 리소그래피 장치와는 별개의 구성요소일 수 있다. 후자의 경우, 리소그래피 장치는 조명기(IL)가 그 위에 장착되는 것을 허용하도록 구성될 수 있다. 선택적으로, 조명기(IL)는 탈부착가능하고, 별도로 제공될 수 있다(예를 들어, 리소그래피 장치 제조자 또는 다른 공급자에 의해).

방사 빔(B)은 지지 구조(MT)(예를 들어, 마스크 테이블) 상에 유지된 패터닝 디바이스(MA)(예를 들어, 마스크) 상에 입사되고, 패터닝 디바이스(MA)에 의해 패턴화된다. 마스크(MA)를 횡단한 후, 방사 빔(B)은 투영 시스템(PS)를 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상으로 빔을 집속(focus)시킨다. 제2 위치 설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 또는 용량형 센서)를 이용하여, 예컨대 상이한 타겟부(C)를 방사 빔(B)의 경로 내에 위치시키도록 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시킬 수 있다. 마찬가지로, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 인출(retrieval) 후에 또는 스캔 동안에, 방사 빔(B)의 경로에 대하여 패터닝 디바이스(MA)를 정확하게 위치시키기 위해 제1 위치 설정기(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에는 명확히 도시되어 있지 않음)가 이용될 수 있다. 일반적으로, 지지 구조(MT)의 이동은, 제1 위치 설정기(PM)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈(long-stroke module; 개략적 위치 설정) 및 숏-스트로크 모듈(short-stroke module; 미세 위치 설정)을 이용하여 실현될 것이다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치 설정기(PW)의 일부를 형성하는 롱-스트로크 모듈 및 숏-스트로크 모듈을 이용하여 실현될 수 있다. (스캐너와 대조적으로) 스테퍼의 경우, 지지 구조(MT)는 숏-스트로크 액추에이터에만 연결될 수도 있고, 또는 고정될 수도 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이 기판 정렬 마크들이 전용의 타겟부를 점하고 있지만, 이들 마크들은 타겟부 사이의 공간 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인(scribe-lane) 정렬 마크로 알려져 있음). 마찬가지로, 패터닝 디바이스(MA) 상에 둘 이상의 다이가 제공되는 상황에서는, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.

도시된 장치는 다음 중 적어도 하나의 모드로 이용될 수 있다:

1. 스텝 모드에서는, 지지 구조(MT) 및 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지하면서, 방사 빔(B)에 부여된 패턴 전체를 한 번에 타겟부(C) 상에 투영한다(즉, 단일 정지 노광). 그리고나서, 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 기판 테이블(WT)을 X 방향 및/또는 Y 방향으로 이동시킨다. 스텝 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 정지 노광에서 이미지화된 타겟부(C)의 크기를 제한한다.

2. 스캔 모드에서는, 지지 구조(MT) 및 기판 테이블(WT)을 동기적으로 스캐닝하면서, 방사 빔(B)에 부여된 패턴을 타겟부(C) 상에 투영한다(즉, 단일 동적 노광). 지지 구조(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서는, 노광 필드의 최대 크기가 단일 동적 노광에서 타겟부(C)의 폭(W)(비-스캐닝 방향)을 제한하는 한편, 스캐닝 이동의 길이는 타겟부(C)의 높이(스캐닝 방향)를 결정한다.

3. 또다른 모드에서는, 프로그램가능 패터닝 디바이스를 유지한 채로 지지 구조(MT)를 실질적으로 정지 상태로 하고, 또한 기판 테이블(WT)을 이동시키거나 스캐닝하면서, 방사 빔에 부여된 패턴을 타겟부(C) 상에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스형 방사 소스가 채용되고, 프로그램가능 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 각각의 이동 후에 또는 스캔 동안의 연속적인 방사 펄스들의 사이에서 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 본원에서 언급된 것과 같은 유형의 프로그램가능 미러 어레이와 같은 프로그래머블 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.

또한, 전술한 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 다른 사용 모드들도 채용될 수 있다.

본원에서는, 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용에 대해 특정하게 언급할 수 있지만, 본원에서 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은, 마이크로스케일 또는 나노스케일을 갖는 컴포넌트의 제조에 있어서 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다.

투영 시스템(PS)의 최종 엘리먼트와 기판 사이에 액체를 제공하기 위한 배열은 3가지 일반적인 카테고리로 분류될 수 있다. 이들은 배스(bath) 유형 배열, 이른바 국소적(localized) 액침 시스템 및 완전 습식 액침 시스템이다. 배스 유형 배열에서는 실질적으로 기판(W) 전체 및 선택적으로 기판 테이블(WT)의 일부를 액체 배스에 담근다.

국소적 액침 시스템은 액체가 기판의 국소 영역에만 제공되는 액체 공급 시스템을 이용한다. 액체에 의해 채워지는 공간은 평면도에서 기판의 최상부 표면보다 작고, 액체로 채워지는 영역이 투영 시스템(PS)에 대하여 실질적으로 고정된 채 남아 있는 동안 기판(W)은 이러한 영역 아래에서 이동한다. 도 2-7은 이러한 시스템에서 이용될 수 있는 상이한 공급 디바이스를 도시한다. 국소 영역에 액체를 밀봉하기 위한 밀봉 요소가 존재한다. 이를 위한 준비로서 제안된 한 가지 방법은 PCT 특허 출원 공개 WO99/49504호에 개시되어 있다.

완전 습식 배열에서 액체는 가둬지지 않는다. 기판의 전체 최상부 표면 및 기판 테이블의 모두 또는 일부가 액침액에 덮힌다. 적어도 기판을 덮고 있는 액체의 깊이는 작다. 액체는 기판 상에서 액체의 박막과 같은 막일 수 있다. 액침액은 투영 시스템의 영역 및 투영 시스템에 대면하고 있는 대향 표면(이러한 대향 표면은 기판의 표면 및/또는 기판 테이블일 수 있음)에 공급될 수 있다. 도 2-5의 액체 공급 디바이스 중 임의의 것이 이러한 시스템에서 이용될 수도 있다. 그러나 국소 영역에만 액체를 밀봉하기 위한 밀봉 요소가 존재하지 않거나, 활성화되지 않거나, 통상적인 것보다 효율적이지 않거나, 또는 효과적이지 못하다.

도 2 및 3에 도시된 것처럼, 액체는 적어도 하나의 유입구에 의해, 바람직하게는 최종 엘리먼트에 대한 기판의 이동 방향을 따라 기판 상으로 공급된다. 액체는 투영 시스템 하에서 통과된 후 적어도 하나의 유출구에 의해 제거된다. 기판이 -X 방향으로 최종 엘리먼트 아래에서 스캔됨에 따라, 액체는 최종 엘리먼트의 +X 측에서 공급되고 -X 측에서 소모된다. 도 2는 액체가 유입구를 통해 공급되어 저압 소스에 연결된 유출구에 의해 최종 엘리먼트의 다른 측 상에서 소모되는 배열을 개략적으로 도시한다. 도 2의 도시에서, 액체는 최종 엘리먼트에 대한 기판의 이동 방향을 따라 공급되지만, 반드시 이럴 필요는 없다. 최종 엘리먼트 주위에 배치된 다양한 방향 및 다양한 수의 유입구 및 유출구가 가능하다; 일례는 도 3에 도시되어 있고 여기서 양측에 유출구를 가진 유입구의 4개의 세트가 최종 엘리먼트 주위에 일정한 패턴으로 제공된다. 액체의 흐름 방향은 도 2 및 도 3에서 화살표로 도시되어 있다.

국소적 액체 공급 시스템을 갖는 추가적인 액침 리소그래피 해결책이 도 4에 도시되어 있다. 액체는 투영 시스템(PS)의 양측에서 2개의 홈 유입구에 의해 공급되고, 이러한 유입구의 반경방향 외측으로 배열된 복수의 불연속적인 유출구에 의해 제거된다. 유입구는 중심에 개구를 가지고 투영 빔이 투영되는 플레이트에 배열될 수 있다. 액체는 투영 시스템(PS)의 일 측 상에서 하나의 홈 유입구에 의해 공급되고 투영 시스템(PS)의 나머지 측 상에서 복수의 불연속적 유출구에 의해 제거되어, 투영 시스템(PS)과 기판(W) 간에 박막의 액체 흐름을 유발한다. 어느 유입구 및 유출구의 조합을 사용할지 선택하는 것은 기판(W)의 이동 방향에 달려 있을 수 있다(유입구 및 유출구의 나머지 조합은 비활성상태임). 기판 및 유체 흐름의 방향은 도 4에서 화살표로 도시되어 있음에 주목해야 한다.

제안된 또다른 배열은 투영 시스템의 최종 엘리먼트와 기판 테이블 간의 공간 경계 중 적어도 일부를 따라 연장되는 액체 제한 구조를 갖는 액체 공급 시스템을 제공하는 것이다. 이러한 배열은 도 5에 도시되어 있다.

도 5는 액체 제한 구조(12)를 갖는 국소적 액체 공급 시스템 또는 유체 핸들링 시스템을 개략적으로 도시하고, 이러한 액체 제한 구조(12)는 투영 시스템의 최종 엘리먼트와 기판 테이블(WT) 또는 기판(W) 간의 공간 경계 중 적어도 일부를 따라 연장된다. (다음의 내용에서 기판(W)의 표면에 대한 언급은, 명시적으로 달리 기술되지 않는 한 부가적으로 또는 대안적으로 기판 테이블의 표면에 대해서도 언급하고 있음에 주목해야 한다.) 액체 제한 구조(12)는 Z 방향(광축의 방향)으로 약간의 상대적인 이동이 있을 수 있지만, XY 평면에서 투영 시스템에 대해 실질적으로 고정되어 있다. 일 실시예에서, 액체 제한 구조(12)와 기판(W)의 표면 간에 밀봉이 형성되고 액체 밀봉 또는 가스 밀봉과 같은 비접촉 밀봉(예를 들어, 가스 밀봉을 갖는 이러한 시스템은 유럽 특허 출원 공개 EP-A-1,420,298호에 개시되어 있음)일 수 있다.

액체 제한 구조(12)는 투영 시스템(PS)의 최종 엘리먼트와 기판(W) 간의 공간(11)에 액체를 적어도 부분적으로 포함한다. 기판(W)에 대한 비접촉 밀봉(16)은 투영 시스템(PS)의 이미지 필드 주위에 형성되어, 기판(W) 표면과 투영 시스템(PS)의 최종 엘리먼트 간의 공간 내에 액체가 가두어 질 수 있다. 공간(11)은 투영 시스템(PS)의 최종 엘리먼트 아래에 위치되어 이를 둘러싸는 액체 제한 구조(12)에 의해 적어도 부분적으로 형성된다. 액체는 액체 유입구(13)에 의해 투영 시스템(PS) 아래 및 액체 제한 구조(12) 내의 공간으로 유도된다. 액체는 액체 유출구(13)에 의해 제거될 수 있다. 액체 제한 구조(12)는 투영 시스템의 최종 엘리먼트 위로 약간 연장될 수 있다. 액체 레벨은 액체의 버퍼액(buffer of liquid)이 제공되도록 최종 엘리먼트 위로 상승한다. 일 실시예에서, 액체 제한 구조(12)는 상단부에서 투영 시스템 또는 이의 최종 엘리먼트의 형상에 밀접하게 부합하는 내측 주변부를 갖고, 예를 들어 이는 원형일 수 있다. 바닥부에서, 내측 주변부는 이미지 필드의 형상에 밀접하게 부합하고, 예를 들어 직사각형이지만, 반드시 이럴 필요는 없다.

액체는 이용 중에 배리어 부재(12)의 바닥부와 기판(W)의 표면 사이에 형성되는 가스 밀봉(16)에 의해 공간(11)에 포함될 수 있다. 가스 밀봉은 가스에 의해 형성된다. 가스 밀봉 내의 가스는 유입구(15)를 통해 배리어 부재(12)와 기판(W) 사이의 갭에 가압하여 제공된다. 가스는 유출구(14)를 통해 추출된다. 가스 유입구 상의 과도압력, 유출구(14) 상의 진공 레벨 및 갭의 기하구조는 액체를 가두는 내측으로의 고속 가스 흐름(16)이 존재하도록 배열된다. 배리어 부재(12)와 기판(W) 간의 액체에 대해 가스가 미치는 힘은 공간(11)에 액체를 포함시킨다. 유입구/유출구는 공간(11)을 둘러싸는 환형 홈일 수 있다. 이러한 환형 홈은 연속 또는 불연속적일 수 있다. 가스의 흐름(16)은 공간(11)에 액체를 포함시키는데 효율적이다. 이러한 시스템은 미국 특허 출원 공개 제2004-0207824호에 개시되어 있고, 이는 참조에 의해 전체로서 본원에 통합된다. 일 실시예에서, 액체 제한 구조(12)는 가스 밀봉을 갖지 않는다.

도 1에 도시된 것처럼, 리소그래피 장치의 테이블, 예를 들어 기판 테이블(WT)에 제1 및 제2 위치 검출 시스템이 제공된다. 제1 위치 검출 시스템은 예를 들어, US 2007/0288121에 기술되어 있는 것과 같은 인코더 유형 시스템이다.

제1 위치 검출 시스템은 타겟(100) 및 방사기/수신기 조합(Y1-Y10 및 X1-X5)을 포함하는 복수의 인코더(110)를 포함한다. 타겟(100) 및 인코더(110) 중 하나가 기판 테이블(WT)에 장착된다. 도 1에 도시된 것처럼, 복수의 인코더(110)가 기판 테이블(WT) 상에 장착되고 타겟(100)은 투영 시스템에 대해 고정된 위치에 장착된다. 대안적인 실시예에서, 도 6에 도시된 것처럼, 타겟(100)은 기판 테이블(WT)에 장착되고 복수의 인코더(110)가 투영 시스템(PS)에 대해 고정된 위치에 기판 테이블(WT) 위에 장착된다.

타겟(100)은 2차원 그리드를 포함한다. 위치 검출 시스템은 적어도 3개의 인코더(110)가 어느 때든지 타겟(100) 상으로 방사 빔을 송신하고 반사 및/또는 굴절된 방사 빔을 수신할 수 있도록 구성되고 배열된다.

제2 위치 검출 시스템(IF)은 기판 테이블(WT)의 에지 상에 실질적으로 수직하게 장착된 적어도 2개의 그리드(130, 140) 및 3개의 방사기/수신기 조합(120)을 포함하는 간섭계를 포함한다.

방사기/수신기 조합(120)으로부터의 방사 빔은 그리드(130, 140)로 지향되어 다시 반사된다. 하나 또는 두 개의 방사기/수신기 조합(120)이 각 축에 대해 제공된다.

결정된 위치는 X, Y 및 Rz 자유도일 수 있다. 일 실시예에서 결정된 위치는 Rx 및 Ry 자유도를 부가적으로 포함한다.

제1 위치 검출 시스템은 특히 정확하고 제1 위치 검출 시스템의 고정된 컴포넌트에 근접하는 미세한 위치 측정을 위해 이용될 수 있다. 예를 들어, 타겟(100) 및 복수의 인코더(110)의 고정된 컴포넌트는 투영 시스템(PS)의 축을 둘러싸는 고정된 위치에 있을 수 있다.

그러나, 평면도 상으로, 기판 테이블(WT)의 제한된 크기 때문에 이러한 시스템은, 고정된 컴포넌트에 대해 큰 풋프린트(footprint)를 요구하거나(이는 통상 이용가능하지 않음) 단지 로컬 영역에서 위치설정을 위해 이용될 수 있다.

극도로 정확한 위치설정은 리소그래피 장치의 특정 영역, 특히 투영 시스템(PS)의 축 주위에서만 요구되기 때문에, 제1 위치 검출 시스템은 투영 시스템(PS)에 대한 기판 테이블(WT)의 위치를 결정하는데 이상적으로 적합하다. 그러나 기판 테이블(WT)의 이동 범위는 제1 위치 검출 시스템에 의해 덮이는 영역보다 클 필요가 있다. 이러한 이유로 제2 위치 검출 시스템 또한 장치에 포함된다. 이는 기판 테이블(WT)의 훨씬 큰 이동 범위를 허용하면서 여전히 위치를 측정하게 한다.

제2 위치 검출 시스템에 있어서의 어려움은 방사 빔이 통과하는 매질의 굴절률 변화(예를 들어, 방사 빔이 통과하는 가스의 온도, 압력 또는 조성의 변화)가 검출된 위치의 에러를 유발할 수 있다는 점이다. 이는 방사 빔이 이동해야 하는 거리가 길기 때문에 특히 문제가 된다. 대조적으로, 제1 위치 검출 시스템의 방사빔이 이동해야 하는 거리는 훨씬 작다. 그러나 제1 위치 검출 시스템은 제2 위치 검출 시스템에 비해 덜 안정적일 수 있다. 이는 사용 중의 변형(deformation)(예를 들어, 열 팽창 및 열 수축 변형)에 특히 취약한 2차원 타겟(100)의 이용 때문인데, 이것은 위치 판독에 있어서 에러를 유발할 수 있다.

이러한 이유로, 기판 테이블(WT)의 정확한 위치 정보가 제1 위치 검출 시스템에 의해 측정되는 것을 보장하도록 제1 위치 검출 시스템을 빈번하게 교정할 필요가 있다.

측정 시스템의 물리적 결함은 정정되지 않은 원시(raw) 측정 결과에 에러를 유발한다. 이러한 이유로 교정 데이터가 생성된다. 이러한 교정 데이터는 제1 위치 검출 시스템에 의해 검출된 겉보기 측정 위치(예를 들어, 정정되지 않은 원시 측정 데이터)로부터 기판 테이블(WT)의 실제 위치를 결정하는데 이용될 수 있다. 교정 데이터는 제1 위치 검출 시스템의 물리적 결함을 정정하는데 이용된다.

교정 데이터는 실제 위치에 겉보기 측정 위치를 연관시키는 계수를 포함한다. 따라서, 이러한 계수는 겉보기 측정 위치를 실제 위치로 변환하여 제1 위치 검출 시스템의 물리적 결함을 정정하는데 이용될 수 있다.

제1 위치 검출 시스템의 결함에 대한 예는 타겟(100)의 2차원 그리드에 있어서의 결함(예를 들어, 균등하게 이격되어 있지 않거나 직선이 아닌 그리드 라인), 장치의 인코더(110)(또는 기판 테이블(WT) 상에 장착된 경우 기판 테이블(WT))에 대한 타겟(100)의 비직교(non orthogonal) 장착, 및 인코더(110)가 일렬로 배열되지 않거나 서로 직교하여 배치되지 않을 수 있다는 점이다. 교정 데이터는 이러한 물리적 결함 및 다른 물리적 결함을 감안하여, 겉보기 측정 위치로부터 기판 테이블(WT)의 실제 위치의 결정을 가능하게 할 수 있다.

제2 위치 검출 시스템(IF)의 안정성은 제1 위치 검출 시스템의 안정성보다 높다. 그러나 제2 위치 검출 시스템 또한 직교하지 않는 그리드(130, 140)와 같은 물리적 결함으로 인해 문제가 생길 수도 있다. 그러나, 제2 위치 교정 시스템을 교정하기 위해 이용될 수 있는 비교적 간단한 교정 기술이 알려져 있다. 이런 식으로, 측정 빔이 통과하는 매질의 굴절률이 일정하다면, 제2 위치 검출 시스템은 신뢰할만하고 안정된 위치 측정을 생성할 수 있다.

본 발명의 실시예는 제2 위치 검출 시스템(IF)이 제1 위치 검출 시스템을 교정하는데 안정적이라는 점을 이용한다. 이는 제1 및 제2 위치 검출 시스템이 서로 독립적이기 때문에 가능하다.

교정 데이터가 최초로 생성된 후, 제1 및 제2 위치 검출 시스템은 동시에 기판 테이블(WT)의 위치를 측정한다. 결정된 위치들(제2 위치 검출 시스템에 의해 결정된 위치 및 제1 위치 검출 시스템에 의해 결정된 겉보기 측정 위치 또는 계산된 실제 위치) 간의 차이는, 제2 위치 검출 시스템(IF)에 의해 검출된 위치와 제1 위치 검출 시스템에 의해 결정된 겉보기 측정 위치 또는 실제 위치 간의 차이를 생성하도록 계산된다. 제2 위치 검출 시스템에 의해 검출된 위치가 실제 위치라는 가정 하에, 계산된 차이는 개별적인 겉보기 측정 위치의 계수를 업데이트하는데 이용된다. 계산된 차이는 프로세서를 이용하여 계산될 수 있다. 프로세서는 제1 및/또는 제2 위치 검출 시스템의 제어기의 일부일 수 있다. 일 실시예에서, 프로세서는 리소그래피 장치의 제어기의 일부일 수 있다.

차이를 계산하는데 이용되는 위치를 결정하기 위해 이루어지는 측정은 대상물의 통상적인 이용 기간 동안 이루어진다. 다시 말해서, 예를 들어, 투영 시스템(PS)을 통해 방사선으로 기판(W)을 조사하기 위한 방식(scheme) 동안 투영 시스템(PS) 하에서 기판(W)이 기판 테이블(WT) 상에 장착된 채로 기판 테이블(WT)이 이동하는 동안에 측정이 이루어진다. 다시 말해서, 예를 들어 스텝핑 이동 중에, 스캐닝 이동 중에, 또는 투영 시스템(PS) 하에서 기판(W)을 교체(swap)하기 위해 기판 테이블(WT)의 이동 중에 측정이 수행될 수 있다. 다시 말해서, 교정 데이터를 업데이트 하는 방법은 오프-라인 보다는 인-라인(in-line)으로 발생하고, 기판 테이블(WT)의 이동은 통상적인 동작 중에 수행되는 기판 테이블(WT)의 이동이며, 특별히 교정 데이터를 업데이트하는 목적을 위한 여분의(extra) 이동이 아니다.

제1 및 제2 위치 검출 시스템에 의해 이루어지는 측정은 동시에 이루어질 수 있다. 예를 들어, 위치 검출 시스템 양자 모두는 스텝핑, 스캐닝 및/또는 교체(swap) 동안 기판 테이블(WT)의 위치를 측정한다. 이는 제1 검출 시스템의 교정이 연속적으로 업데이트될 수 있어, 결과적으로 보다 정확한 교정을 낳을 수 있다는 장점을 가진다.

계산된 차이가 전혀 없다면, 개별적인 겉보기 측정 위치의 계수에 대해 업데이트도 취해질 필요가 없다. 계산된 차이가 일정 크기를 갖는다면, 이는 예를 들어 제1 위치 검출 시스템의 물리적 결함의 변화에 기인하여 교정 데이터가 부정확함을 나타낸다. 그러므로, 계산된 차이는 개별적인 겉보기 측정 위치의 계수를 업데이트하는데 이용될 수 있다.

제2 위치 검출 시스템(IF)에 의해 결정된 위치는 방사 빔이 통과하는 분위기(atmosphere)의 굴절률의 변화에 의해 유도되는 에러의 대상이 될 수 있기 때문에, 제2 위치 검출 시스템(IF)에 의해 검출된 위치에 있어서 에러가 있을 수 있다. 그러나, 유도된 임의의 이러한 에러는 본질적으로 체계적이라기 보다는 랜덤할 가능성이 높다. 그러므로, 시간에 걸쳐 기판 테이블(WT)의 주어진 위치에 대하여 제2 위치 검출 시스템(IF)에 의해 측정된 평균 위치는 실제 위치 근방에서 변화할 것이다. 그러므로, 요구된 변화의 일부만이 계수를 업데이트할 때마다 계수에 적용된다. 이러한 시스템을 이용하여, 시간에 걸쳐, 제1 위치 검출 시스템의 물리적 결함의 체계적인 변화는 정정될 것이지만, 제2 위치 검출 시스템(IF)의 랜덤한 에러들은 결국 평균적으로 서로 상쇄(subtract)될 것이다.

일 실시예에서, 계산된 차이가 계수를 업데이트하는데 이용되기 전에 저역 통과 필터를 통과하고, 굴절률의 변화에 기인하는 랜덤한 차이보다는, 개별적인 겉보기 측정 위치의 계수에 있어서 체계적인 오류만이 고려될 것이다. 저역 통과 필터를 이용하여, 신호의 저-주파수 부분이 이용된다.

저역 통과 필터에서, 제1 위치 검출 시스템의 겉보기 측정 위치를 제2 위치 검출 시스템에 의해 검출된 위치로 변환하기 위해 요구되는 계수에 있어서의 필요 변화를 계산하는데 이러한 계산된 차이가 이용될 수 있다.

대안적으로, 계산된 차이가 상기 필요 변화로서 이용될 수 있다.

일 실시예에서, 주어진 측정 위치에 대한 상기 필요 변화가 주어진 겉보기 측정 위치에 대하여 미리결정된 횟수 이상의 횟수에서 미리결정된 범위(예를 들어, 미리결정된 비율 이내)에 있는 것으로 계산된 후에만 단지 이러한 업데이트가 발생한다.

따라서, 이러한 저역 통과 필터를 이용하면 일관되게 검출되는 그러한 에러만이 정정될 것이다.

일 실시예에서 이러한 업데이트는 각각의 겉보기 측정 위치에 인접한 측정 위치에 대한 계수를 업데이트하는 것을 포함한다. 다시 말해서, 교정 계수가 계산된 차이에 기초하여 업데이트되는 겉보기 측정 위치 근방에 있는 측정 위치에 대한 계수는 또한, 측정 위치에 대한 계수가 인접한 측정 위치들 사이에서 평활하게 변화하도록, 자신의 값이 변화된다. 이는 장점이 있는데, 그렇지 않은 경우 기판 테이블(WT)이 투영 시스템(PS) 하에서 이동함에 따라 제1 위치 검출 시스템의 계산된 실제 위치가 평활하게 변화하기 보다는 점프(jump)할 수 있기 때문이다.

일 실시예에서, 계산된 차이는 단지, 기판 테이블(WT)의 제로(zero) 가속도의 기간 동안 제1 및 제2 위치 검출 시스템의 방사기/수신기 조합(120) 및 인코더(110)에 의해 이루어지는 측정에 기초하여 위치에 대해 계산될 때 계수를 업데이트하는데 이용된다. 기판 테이블(WT)의 가속 중에, 변형이 기판 테이블(WT)에 장착된 컴포넌트에 유도될 수 있고, 이는 정상(steady) 상태에서 존재하는 것 이상의 추가적인 물리적 결함을 유발할 수 있다. 그러므로, 단지 교정 데이터의 업데이트를 위해 제로 가속도 동안 이루어지는 측정을 이용함으로써, 동적인 이동에 기인하는 추가적인 에러의 유도를 피할 수 있다.

일 실시예에서, 이러한 교정 데이터는 각각의 겉보기 측정 위치에 대한 차이가 마지막으로 계산된 시기에 대한 지시자(indicator)를 포함한다. 이런 식으로, 기판 테이블(WT)의 특정 위치에 대한 교정 데이터가 얼마나 최근의 것인지를 추적할 수 있다. 예를 들어, 이용 중에 기판 테이블(WT)은 통상적으로 미리결정된 위치의 범위에 있고 기판 테이블(WT)은 단지 드물게 다른 위치에 있게 될 수 있다. 각각의 겉보기 측정 위치에 대한 차이가 마지막으로 계산된 시기에 대한 지시자는, 임의의 특정한 주어진 위치에 대한 교정 데이터가 얼마나 최근의 것인지를 결정하는데 이용될 수 있다. 그러므로, 이러한 지시자에 기초하여 측정된 위치가 얼마나 정확한지에 관한 판단이 내려질 수 있다. 또한, 필요한 경우, 이러한 차이가 적어도 미리결정된 기간 동안 계산되지는 않은 것이라고 교정된 데이터가 나타내는 겉보기 측정 위치로 기판 테이블(WT)을 이동시키고 이러한 차이를 계산하여 필요한 경우 각각의 계수를 업데이트하는 것이 가능하다. 이런 식으로, 이용되는 모든 측정 위치에 대한 교정 데이터가 유효하게 되도록 보장할 수 있다.

일 실시예에서, 이러한 교정 데이터는 시간 지연 계수를 포함한다. 시간 지연 계수는 제1 위치 검출 시스템이 위치를 측정하고 겉보기 측정 위치 및/또는 실제 위치를 출력하는데 소요되는 시간과, 제2 위치 검출 시스템이 위치를 측정하고 이러한 위치를 출력하는 사이에 소요되는 시간과의 차이를 나타낸다. 시간 지연 계수는 제1 위치 검출 시스템으로부터 제2 검출 시스템으로 핸드오버하는 동안, 예를 들어 기판 테이블(WT)이 투영 시스템(PS) 하부로부터 밖으로 이동할 때, 이용될 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로 일 실시예에서, 시간 지연 계수는 이러한 차이의 계산을 위해 제1 및 제2 위치 검출 시스템에 의해 이루어지는 측정이 동시에 이루어지도록 보장하는데 이용된다.

지연 계수를 교정하기 위해서, 기판 테이블(WT)은 그것이 정지하고 있는 위치로 또는 그러한 위치로부터 이동된다. 그 다음, 제1 및 제2 위치 검출 시스템에 의해 검출된 시간과 위치에 있어서의 변화로부터, 제1 위치 검출 시스템과 제2 위치 검출 시스템 간의, 측정으로부터 위치 출력까지의 시간 지연에 있어서의 차이를 결정하는 것이 가능하다. 측정된 차이는 시간 지연 계수를 업데이트하기 위해 이용될 수 있다.

이하의 최초 교정에 대한 설명으로부터 명백해지는 것처럼, 교정 데이터의 계수는, 예를 들어 대상물 상에서 기준점, 또는 투영 시스템(PS)에 대해 고정된 관계에 있는 기준점에 대해 타겟의 위치를 연관시키는 제1 세트를 포함한다. 계수는 복수의 센서의 상대적인 위치를 서로 연관시키는 제2 세트를 포함한다.

다음의 실시예는 최초 교정이 수행될 수 있는 방법 및 교정 계수의 의미를 설명한다.

우선 제2 위치 검출 시스템(IF)의 간섭계 시스템이 교정된다. 이러한 교정은 X 및 Y 미러(140, 130)에 있어서의 직교 상태로부터의 어떠한 편차도 해결(account for)할 수 있을 것이다. 기판 테이블(WT)은 Y 방향으로만 이동할 수 있고, 이는 X 미러(140)가 y 방향에 대해 수직이 아닌 경우 검출된 X 위치에 있어서 편이(shift)를 유발한다. 이는 X 및 Y 미러(140, 130)의 비-직교성의 정도에 관한 검출된 편이를 나타내는 교정 데이터를 생성하는데 이용될 수 있다. y 방향으로의 이동은 Y 미러(130)의 유사한 교정을 하는데 이용될 수 있다.

2개의 방사기/수신기 조합(120)이 Y 축 상에 제공되어 Z 축 주위로의 회전이 측정될 수 있다. 다시 말해서, 이러한 회전은 Y 방향으로 2개의 Y 방사기/수신기 조합(120)이 분리되는 거리만큼 분할된 2개의 Y 방사기/수신기 조합(120)의 판독값들 간의 차이와 동일하다. 이러한 교정 방법은 또한 X 및 Y 미러(140, 130)에 있어서의 완전한 평행(flat)으로부터의 어떠한 편차도 해결한다.

X 및 Y 미러(140, 130)에 대한 교정 데이터(예를 들어, 격자에서의 비-균일한 갭)는 어골형(fish bone) 구조, 스티칭 노광(stitched exposure), 및 기판 회전의 이용을 포함하여 임의의 방식으로 수집 분석(collate)될 수 있다.

도 7은 제1 및 제2 위치 검출 시스템에 대해 공통 좌표가 생성되는 방법을 도시한다. 볼 수 있는 것처럼, 제2 위치 측정 시스템(IF)의 방사기/수신기 조합(120)의 축은 제1 위치 검출 시스템의 인코더(110)의 축과 정렬된다. 동시에, 원점(origin)에서 규정될 때, 기판 테이블(WT)의 위치를 검출하기 위해 제1 위치 검출 시스템의 인코더(110)(X1-X5 및 Y1-Y10)가 이용된다. 도 7로부터 알 수 있는 것처럼, 이들은 X3, Y3 및 Y8 인코더이다. 도 7에서 이러한 센서의 이용 영역은 또한 타원형으로 표시되어 있다.

도 8에서 알 수 있는 것처럼, 대상물에 장착된 타겟(100)은 서로 직교하지 않을 수 있고 도 7의 규정된 좌표 시스템에 직교하지 않을 수 있다. 그러므로, 각 인코더(110)(X1-X5 및 Y1-Y10)에 대해, 이러한 인코더(110)에 의해 이용될 수 있는 각 타겟(100) 상의 영역이 규정된다(도 7에 도시된 타원형과 유사함). 이러한 방식으로 도 8에 개략적으로 도시된 것과 같은 관계가 어셈블링(assemble)된다. 다시 말해서, Y 축을 따라 인코더(Y1-Y10) 중 2개가 기판 테이블(WT)의 임의의 특정 위치에 대해 이용가능함을 알 수 있다. 전이(transition) 영역에서, 예를 들어 Y1 & Y6 에서 Y2 & Y7 까지 이동할 때, 위치 판독에 대한 영향은 (a) Y2 & Y7의 어떠한 영향도 없이 Y1 & Y6만에 의해 영향을 받는 상태로부터, (b) Y1 & Y6의 어떠한 영향도 없이 Y2 & Y7만에 의해 영향을 받는 상태까지 변화한다. 임의의 함수가 이러한 조합 사이에서 전이하는데 이용될 수 있고, 이는 선형이지만 보다 평활한 대기 함수(waiting function)를 포함하며, 예를 들어 가우스 가중 함수가 선호된다.

상기 규칙이 규정된 후, X 및 Y 인코더(110) 오프셋을 교정하는 것이 가능하다. 다시 말해서, 서로에 대한 인코더(110)의 위치를 규정하는 교정 데이터의 세트가 생성된다. Y 인코더(Y1-Y10)에 대해 이것이 어떻게 행해지는지는 도 10에 도시되어 있다. 동일한 시스템이 X 인코더(X1-X5)에 대해 이용될 수 있다. 도시된 실시예에서, 기준 마크(200)가 기판 테이블(WT) 상에 제공된다. 인코더는 기준 마크(200)를 볼 수 있다. 제1 인코더, 예를 들어 도시된 것처럼 Y3는 도 7에 규정된 축 상에 있는 것으로 규정된다. 그 다음 기판 테이블(WT)은 X 방향으로 제2 위치 측정 시스템(IF)(간섭계 버전)의 제어 하에 이동되고, 인코더(Y3)의 중심을 통과하는 축으로부터 인코더(Y1, Y2, Y4, Y5) 각각의 오프셋이 결정된다. 제2 위치 검출 시스템(IF)은 Y 방향으로 인코더(110) 간의 거리를 결정하는데 이용된다. 그러므로, 이러한 교정 데이터는 제1 위치 검출 시스템의 측정값에 대해 수정이 이루어질 수 있게 하여, 인코더(110)의 상대적인 위치설정에 있어서 물리적 결함을 해결한다.

도 11은, 도 7에 규정된 기판 테이블(WT)의 공유 좌표 시스템의 원점에 대해 타겟(100)의 임의의 X 및/또는 Y 편이를 연관시키는 교정 데이터의 제2 세트가 어떻게 생성되는지를 도시한다. 다시 말해서, 기판 테이블(WT)의 각 위치에 대해, 간섭계를 이용하는 제2 위치 검출 시스템(IF)은 X, Y 및 Rz 위치를 결정할 수 있다. 각 위치에 대해, 인코더(110)(Y1-Y10, X1-X5) 조합 및 가중치가 알려져 있다(도 9로부터). 서로에 대한 인코더(110)의 오프셋은 도 10에 관하여 수행된 교정으로부터 알려진다. 그러므로, 도 11 단계에서, 공통 좌표에 대해 규정된 실제 타겟(100) 위치가 계산될 수 있고, 이는 방사기/수신기 조합(120)에 대한 인코더(110)의 상대적 위치가 알려져 있기 때문이다. 타겟(100)의 위치는 단지 하나의 인코더(110)를 이용하여 교정될 수 있고, 이러한 정보는 이용 중인 모든 인코더(110)에 의해 이후 이용될 수 있다. 다시 말해서, 타겟(100)의 그리드 상의 그리드 점들 간의 X, Y 위치 간격을 규정하는 교정 데이터의 제2 세트를 규정하는데 하나의 인코더(110)가 이용된다. 이는 각 위치에 대해 수차례 수행되고 그 결과는 노이즈를 제거하도록 평균화된다.

이런 식으로, 타겟(100)은 이상적인 제2 위치 결정 시스템(IF)에 기초하여 교정될 수 있다. 일 실시예에서, 교정 데이터는 사용 중에 측정 위치에 어떠한 급격한 점프(jump)도 없도록 하기 위해 평활화된다.

제1 위치 검출 시스템은 인코더(110)를 이용하여 측정을 수행한다. 이러한 측정치는 겉보기 측정 위치를 계산하는데 이용된다. 그 다음 교정 데이터는 겉보기 측정 위치를 실제 위치로 변환하는데 이용된다. 제1 위치 검출 시스템에 의해 측정된 실제 위치는 제2 위치 검출 시스템(IF)에 의해 결정된 위치(도 6에 관해 위에서 기술된 것과 같은 교정 데이터를 이용)에 대응한다.

통상의 동작 중에 기판 테이블(WT)은 도 12에 도시된 것과 같은 경로(400)를 횡단할 것이고, 이에 의해 투영 시스템(PS)을 통한 방사선에 기판(W)의 모든 필드를 노광시킨다. 이러한 동작 중에 제1 및 제2 위치 검출 시스템 양자 모두가 기판 테이블(WT)의 위치를 측정하는데 이용될 수 있고, 교정 데이터를 업데이트하는 방법을 위해 위에서 기술된 것처럼 그 결과가 비교될 수 있다.

위에서 언급한 대상물은 예를 들어, 기판, 기판 테이블, 마스크, 또는 마스크 지지 구조일 수 있다.

본 명세서에서는, 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 사용예에 대해 특정하게 언급하였지만, 본원에서 설명된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 툴, 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 범위에서, 상기 기판 처리 장치와 여타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러 번 처리된 층들을 포함한 기판을 지칭할 수도 있다.

본원에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV) 방사선(예컨대, 365, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선을 포괄한다. 문맥이 허용하는 경우, "렌즈"라는 용어는 굴절성 및 반사성 광학 요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 지칭할 수도 있다.

이상에서 본 발명의 특정 실시예들이 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예는 위에서 개시된 것과 같은 방법을 기술하는 기계 판독가능 명령의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 내부에 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 나아가, 기계 판독가능 명령은 둘 이상의 컴퓨터 프로그램에서 구현될 수 있다. 이러한 둘 이상의 컴퓨터 프로그램은 하나 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체 상에 저장될 수 있다.

본 명세서에 설명된 임의의 제어기는, 하나 이상의 컴퓨터 프로그램이 리소그래피 장치의 적어도 하나의 구성요소 내에 위치된 하나 이상의 컴퓨터 프로세서에 의해 판독될 때에, 각각 또는 조합하여 동작할 수 있다. 제어기는 각각 또는 조합하여 신호를 수신, 처리 및 전송하기에 적합한 임의의 구성을 가질 수 있다. 하나 이상의 프로세서가 하나 이상의 제어기와 통신하도록 구성된다. 예컨대, 각각의 제어기는 전술한 방법을 위한 기계 판독가능 명령을 포함하는 컴퓨터 프로그램을 실행하기 위한 하나 이상의 프로세서를 포함할 수도 있다. 제어기는 이러한 컴퓨터 프로그램을 저장하기 위한 데이터 저장 매체 및/또는 이러한 저장 매체를 수용하기 위한 하드웨어를 포함할 수도 있다. 따라서, 제어기는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램의 기계 판독가능 명령에 따라 동작할 수 있다.

본 발명의 하나 이상의 실시예는, 액침액이 기판의 국소적 표면 영역 상에서만 배스 형태로 제공되는지 또는 비제한적(unconfined)인지와 무관하게, 임의의 액침 리소그래피 장치에 적용될 수 있지만, 특히 위에서 언급한 유형으로 제한되지 않는다. 비제한적 배열에서, 액침액은 기판 및/또는 기판 테이블의 표면 위로 흐를 수 있어, 실질적으로 기판 테이블 및/ 기판의 덮히지 않은 표면 전체가 젖는다(wet). 이러한 비제한적 액침 시스템에서, 액체 공급 시스템은 액침액을 가두지 못하거나, 소정 비율의 액침액 제한을 제공하지만 실질적으로 액침액의 완전한 제한을 제공하지 못할 수도 있다.

본원에서 예상되는 것처럼 액체 공급 시스템은 광범위하게 해석되어야 한다. 특정 실시예에서, 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 간의 공간에 액체를 제공하는 메커니즘 또는 구조의 조합일 수 있다. 이는 하나 이상의 구조의 조합을 포함할 수 있고, 하나 이상의 유체 개구는 하나 이상의 액체 개구, 하나 이상의 가스 개구 또는 2상(two phase) 흐름에 대한 하나 이상의 개구를 포함한다. 이러한 개구들은 각각 액침 공간으로의 유입구(또는 유체 핸들링 구조로부터의 유출구) 또는 액침 공간으로부터의 유출구(또는 유체 핸들링 구조로의 유입구)일 수 있다. 일 실시예에서, 이러한 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부일 수 있거나, 이러한 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수 있거나, 또는 이러한 공간은 기판 및/또는 기판 테이블을 감쌀(envelop) 수 있다. 액체 공급 시스템은 선택적으로 액체의 위치, 양, 질, 형태, 유속 또는 임의의 다른 특징을 제어하기 위한 하나 이상의 엘리먼트를 더 포함할 수 있다.

상기 명세서는 예시적인 것으로 의도되고, 제한적인 것으로 의도되지 않는다. 따라서, 이하 제시되는 청구의 범위로부터 벗어남이 없이, 기술된 본 발명에 대해 수정이 이루어질 수 있음은 당업자에게 명백할 것이다.

Claims (15)

  1. 대상물의 위치를 결정하도록 구성된 제1 위치 검출 시스템의 교정(calibration) 데이터를 업데이트하는 방법으로서,
    상기 제1 위치 검출 시스템은 타겟 및 센서를 포함하고, 상기 타겟 또는 상기 센서는 상기 대상물 상에 장착되고,
    상기 교정 데이터는 상기 대상물의 실제 위치에 상기 대상물의 겉보기 측정 위치를 연관시키는 계수를 포함하고,
    상기 계수는, 상기 겉보기 측정 위치를 상기 실제 위치로 변환하여 상기 제1 위치 검출 시스템에서 에러를 정정하고 상기 대상물의 겉보기 측정 위치로부터 상기 대상물의 실제 위치를 결정할 수 있도록 하는데 이용되고,
    상기 방법은:
    상기 제1 위치 검출 시스템과 독립적인 제2 위치 검출 시스템을 이용하여 상기 대상물의 위치를 결정하는 단계;
    상기 제2 위치 검출 시스템에 의해 검출된 위치와 상기 제1 위치 검출 시스템에 의해 결정된 상기 대상물의 위치 간의 차이를 계산하는 단계; 및
    상기 제2 위치 검출 시스템에 의해 결정된 위치가 상기 대상물의 실제 위치라는 가정 하에, 상기 계산된 차이를 이용하여 상기 제1 위치 검출 시스템에 의한 상기 대상물의 각각의 겉보기 측정 위치의 계수를 업데이트하는 단계
    를 포함하고,
    상기 차이를 계산하는데 이용되는, 상기 대상물의 위치를 결정하기 위해 이루어진 측정은 상기 대상물의 통상적인 이용 기간 동안 이루어지는,
    제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 위치 검출 시스템은 상기 대상물의 위치를 동시에 결정하는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 계산된 차이의 일부가 상기 계수를 업데이트할 때 상기 계수에 적용되는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 계산된 차이는 상기 계수를 업데이트하는데 이용되기 전에 저역 통과 필터로 필터링되는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 저역 통과 필터에서, 상기 계산된 차이는, 상기 제1 위치 검출 시스템의 겉보기 측정 위치를 상기 제2 위치 검출 시스템에 의해 검출된 위치로 변환하기 위해 요구되는 계수 변화를 계산하는데 이용되는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 업데이트하는 단계는, 주어진 측정 위치에 대한 상기 계산된 차이가 주어진 겉보기 측정 위치에 대하여 미리결정된 횟수 이상의 횟수에서 미리결정된 범위 내에 있는 것으로 계산된 후에만 발생하는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 업데이트하는 단계는, 인접한 겉보기 측정 위치들 간의 계수의 차이를 평활하게 하기 위해, 상기 각각의 겉보기 측정 위치에 인접한 측정 위치에 대한 계수를 업데이트하는 단계를 포함하는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 계산된 차이는 단지, 상기 대상물의 제로(zero) 가속도의 기간 동안 이루어진 측정에 기초하여 위치에 대해 계산될 때 상기 계수를 업데이트 하는데 이용되는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 교정 데이터는 각각의 겉보기 측정 위치에 대한 차이가 마지막으로 계산된 시기에 대한 지시자(indicator)를 포함하는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 교정 데이터는, 상기 제1 위치 검출 시스템에 의한 상기 대상물의 겉보기 측정 위치 및 상기 실제 위치 중 하나 또는 양자 모두의 계산과, 상기 제2 위치 검출 시스템에 의한 상기 대상물의 위치의 계산 간의 시간 지연의 차이를 나타내는 시간 지연 계수를 포함하는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 계수는 기준점에 대해 상기 타겟의 위치를 연관시키는 제1 세트를 포함하는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제2 위치 검출 시스템은 상기 대상물의 이동 범위를 통하여 상기 대상물의 위치를 검출하도록 구성되는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 대상물은 리소그래피 장치의 대상물인, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하는 방법.
  14. 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하기 위한 제어기로서,
    제2 위치 검출 시스템 및 프로세서를 포함하고,
    상기 제어기는 제1항 또는 제2항에 따른 방법을 수행하도록 구성되며,
    상기 제2 위치 검출 시스템은 상기 제1 위치 검출 시스템과 독립적으로 대상물의 위치를 결정하도록 구성되고,
    상기 프로세서는 상기 제2 위치 검출 시스템에 의해 검출된 위치와 상기 제1 위치 검출 시스템에 의해 결정된 상기 대상물의 위치 간의 차이를 계산하도록 구성되는, 제1 위치 검출 시스템의 교정 데이터를 업데이트하기 위한 제어기.
  15. 디바이스 제조 방법으로서,
    대상물 상에 위치된 기판 상으로 투영 시스템을 통해 패턴화된 방사빔을 지향시키는 단계, 및
    상기 지향 단계 동안의 기간, 및 동일한 기판 상으로의 불연속적인 지향 단계 사이의 기간 중 하나 또는 양자 모두의 기간에 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판을 이동시키는 단계
    를 포함하고,
    제1항 또는 제2항에 따른 방법이 상기 기판의 이동과 동시에 수행되는,
    디바이스 제조 방법.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2917785A1 (en) 2012-11-06 2015-09-16 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP6289181B2 (ja) * 2013-06-26 2018-03-07 キヤノン株式会社 描画装置、及び、物品の製造方法
JP6381184B2 (ja) 2013-07-09 2018-08-29 キヤノン株式会社 校正方法、測定装置、露光装置および物品の製造方法
EP3264030A4 (en) * 2015-02-23 2018-12-05 Nikon Corporation Measurement device, lithography system and exposure device, and device manufacturing method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007083758A1 (ja) * 2006-01-19 2007-07-26 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2010507804A (ja) * 2006-10-25 2010-03-11 ザイゴ コーポレーションZygo Corporation 光学測定における大気摂動の影響の補正
JP2010074075A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Nikon Corp 補正情報作成方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2010123949A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05134753A (ja) * 1991-11-14 1993-06-01 Hitachi Ltd 位置決め装置
WO1999049504A1 (en) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Projection exposure method and system
US6639686B1 (en) 2000-04-13 2003-10-28 Nanowave, Inc. Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams
KR100585476B1 (ko) 2002-11-12 2006-06-07 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법
EP2495613B1 (en) 2002-11-12 2013-07-31 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7256871B2 (en) 2004-07-27 2007-08-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for calibrating the same
JP2009096716A (ja) * 2006-01-19 2009-05-07 Eisai R & D Management Co Ltd 抗ccl20抗体による自己免疫疾患の治療
US7502096B2 (en) 2006-02-07 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, calibration method, device manufacturing method and computer program product
CN102520588B (zh) * 2006-08-31 2014-10-15 株式会社尼康 移动体驱动方法和移动体驱动系统、以及曝光方法和装置
US20080109178A1 (en) 2006-11-03 2008-05-08 Nikon Corporation Method and system for predicting and correcting signal fluctuations of an interferometric measuring apparatus
US7812964B2 (en) * 2006-11-15 2010-10-12 Zygo Corporation Distance measuring interferometer and encoder metrology systems for use in lithography tools
US8547527B2 (en) * 2007-07-24 2013-10-01 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method
US8493547B2 (en) 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8488106B2 (en) * 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007083758A1 (ja) * 2006-01-19 2007-07-26 Nikon Corporation 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2010507804A (ja) * 2006-10-25 2010-03-11 ザイゴ コーポレーションZygo Corporation 光学測定における大気摂動の影響の補正
JP2010074075A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Nikon Corp 補正情報作成方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2010123949A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

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Publication number Publication date
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TW201237742A (en) 2012-09-16
US20120156807A1 (en) 2012-06-21
US8903156B2 (en) 2014-12-02
KR20120069571A (ko) 2012-06-28
TWI463395B (zh) 2014-12-01

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