KR101223022B1 - ＣｄＴｅ 박막형 태양전지 모듈 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000005524 ceramic coating Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010951 brass Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N aluminium sulfide Chemical compound [Al+3].[Al+3].[S-2].[S-2].[S-2] COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 229920002215 polytrimethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 230000000191 radiation effect Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/052—Cooling means directly associated or integrated with the PV cell, e.g. integrated Peltier elements for active cooling or heat sinks directly associated with the PV cells
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/02—Details
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/049—Protective back sheets
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
본 발명은 후면전극의 외부에 방열 백시트를 부착하고, 후면전극 및 방열 백시트 사이에 절연막을 형성시킨 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈에 관한 것으로, 태양전지 모듈에서 발생하는 열을 효율적으로 제거하고, 후면전극과 방열 백시트 사이에 절연막을 형성시켜 쇼트(short) 현상을 차단하여 모듈의 파손을 예방함으로써, 특히 사막과 같은 고온지역에서 사용시에도 높은 열 변형 특성에 의해 내구성이 우수한 것이 장점이다.
Description
본 발명은 후면전극의 외부에 방열 백시트를 부착하여 태양전지 모듈에서 발생하는 열을 효율적으로 제거하고, 후면전극과 방열 백시트 사이에 절연막을 형성시켜 쇼트(short) 현상을 차단하여 모듈의 파손을 예방함으로써, 특히 사막과 같은 고온지역에서 사용시에도 높은 열 변형 특성에 의해 내구성이 우수한 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈에 관한 것이다.
태양광 발전시스템은 청정 에너지로서 미래의 에너지원으로 각광을 받으며 세계적인 주요 선진국들을 중심으로 성장 발전하고 있는 기술분야이다. 태양전지는 사용되는 반도체 소재의 형상에 따라 결정형(입체형)과 박막형(평면형)으로 구별되며, 결정형 태양전지는 실리콘 웨이퍼를 기반으로 하는 반면, 박막형 태양전지는 기판 위에 형성한 소재 박막을 기반으로 한다.
그리고, 결정형 실리콘 태양전지 모듈은 실리콘 원소재를 사용하여 웨이퍼를 제작하고, 이를 이용하여 셀을 제조한 다음 모듈을 제작하는 과정이 이루어진다. 이에 반해 박막형 태양전지 모듈은 결정질 실리콘 태양전지 모듈에 비해 대체로 발전 효율이 낮은 문제점이 있지만, 반도체 박막을 이용하기 때문에 제조공정이 매우 단순하여 소재를 적게 사용하고 자동화를 통해 모듈 공정까지 일관화시킬 수 있다는 장점과 함께, 특히 근래에는 결정질 실리콘의 가격이 폭등함에 따라 결정질 실리콘이 사용되는 결정형 태양전지 모듈보다 박막형 태양전지 모듈에 대한 관심이 높아지고 있지만, 모듈의 수명에 관한 검증이 부족하고, 특히 사막과 같은 고온 지역에 설치할 경우에는 태양전지 모듈 자체 및 주변기기에서 발생하는 열에 의한 내구성이 저하되는 문제점들이 발생할 우려가 있다.
현재 상용화된 박막형 태양전지 모듈은 소재의 종류에 따라 비정질 실리콘(a-Si:H) 박막형 태양전지와 다결정(poly-crystalline) 화합물 박막형 태양전지 가 있다. 그리고 다결정(poly-crystalline) 화합물 박막형 태양전지는 광흡수체의 소재에 따라 3원소 반도체인 CuInSe 원소로 이루어진 광흡수체를 사용하는 CIS 광흡수체와, 3원소 반도체에 갈륨(Ga) 원소를 In치환으로 도핑한 4원소 반도체의 CIGS 광흡수체 및 2원소 반도체의 CdTe 광흡수체로 구분되어진다.
통상적인 CdTe 광흡수체를 이용한 박막형 태양전지의 구조는 도 1에 도시된 바와 같이 기판, 전면전극(TCO), n-CdS 광투과층, p-CdTe 광흡수층, 후면전극(Back contact)으로 이루어진다.(비특허문헌 1 참조)
그리고 특허문헌 1에 도 2에 도시된 바와 같이, 기판(110), TCO박막층(120), 고저항 박막층(130), CdS 박막층(140), CdTe 박막층(150), Te 박막층(160), 후면접촉 박막층(172) 및 Mo 박막층(174)로 이루어진 CdTe 박막형 태양전지가 알려져 있지만, 상기와 같은 구조의 CdTe 박막형 태양전지는 모듈 내에서 발생하는 열에 의해 특히 사막과 같은 고온지역에서는 사용할 수 없는 문제점이 있었다.
따라서, 본 출원인은 피막층을 형성시킨 방열 백시트를 태양전지 모듈에 적용시켜 태양광 발전 효율을 향상시킨 기술에 대하여 특허문헌 2 및 특허문헌 3와 같이 특허 등록받은 바 있으며, 이와 같은 기술과 절연막을 본 발명에 적용함으로써, 상기와 같은 문제점들을 해결할 수 있었다.
: 안병태, CdTe 박막태양전지 기술동향, 태양에너지 제4권 제3호, 33~39. 2005
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점들을 해결하기 위한 방안으로 CdTe 박막형 태양전지 모듈에서 후면전극의 외부에 방열 백시트를 부착하여 모듈 내에서 발생하는 열을 외부로 발산시킴으로써, 사막과 같은 고온지역에서 사용시에도 높은 열 변형 특성에 의해 내구성이 우수한 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈을 제공함을 과제로 한다
그리고 본 발명은 상기 방열 백시트의 표면에 피막층을 형성시킴으로써, 방열효과를 더욱 향상시킨 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈을 제공함을 다른 과제로 한다
또한 본 발명은 후면전극과 직접 접촉하는 방열 백시트 사이에 절연막을 형성시킴으로써, 후면전극과 방열 백시트의 접촉에 의해 발생하는 쇼트(short) 현상을 차단하여 모듈의 파손을 예방할 수 있는 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈을 제공함을 또 다른 과제로 한다
상기의 과제를 달성하기 위한 본 발명은 기판, 전면전극, n-CdS 광투과층, p-CdTe 광흡수층 및 후면전극의 순으로 적층된 구조로 이루어진 CdTe 박막형 태양전지 모듈에 있어서,
상기 후면전극의 외면에 절연막 및 방열 백시트가 구비된 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈을 과제 해결 수단으로 한다.
상기 방열 백시트는 일면 또는 양면에 피막층이 형성되고, 상기 피막층은 산화피막층 또는 세라믹 코팅층 또는 내열도료 코팅층을 형성시킨 구조이다.
그리고, 상기 산화피막층은 외면에 세라믹 코팅층을 형성시킨 구조이거나 또는 상기 산화피막층 또는 세라믹 코팅층은 외면에 내열도료 코팅층을 형성시킨 구조이다.
또한 상기 절연막은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리트리메틸렌 테레프탈레이트(PTT), 폴리에테르 에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르술폰(PES) 중에서 1 종을 선택하여 사용하고,
상기 방열 백시트는 알루미늄, 동, 황동, 강판, 스테인리스 금속 박판 중에서 1 종을 선택하여 사용한다.
또한 상기 산화피막층은 양극산화법, 화성피막법 중에서 한 가지 방법을 선택하여 피막층을 형성시키며,
상기 세라믹 코팅층은 알루미나, 지르코니아, 산화티탄, 실리카, 산화알루미늄, AlN(질화알루미늄), AlS(황화알루미늄)의 금속 세라믹 소재, 또는 유기실란, 무기실란, 실란커플링제, CNT의 비금속 세라믹 소재 중에서 1종 또는 그 이상을 선택하여 형성시킨다.
상기의 과제 해결 수단에 의한 본 발명은 후면전극의 외부에 방열 백시트를 부착하여 태양전지 모듈에서 발생하는 열을 효율적으로 제거하고, 후면전극과 방열 백시트 사이에 절연막을 형성시켜 쇼트(short) 현상을 차단하여 모듈의 파손을 예방함으로써, 특히 사막과 같은 고온지역에서 사용시에도 높은 열 변형 특성에 의해 내구성이 우수한 것이 장점이다.
도 1은 일반적인 CdTe 박막형 태양전지의 단면 구조를 나타낸 단면도이고,
도 2는 종래의 CdTe 박막형 태양전지의 단면 구조를 나타낸 단면도이고,
도 3은 본 발명에 따른 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 단면 구조를 나타낸 단면도이며,
도 4는 본 발명에 따른 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 방열 백시트에 피막층이 형성된 단면을 나타낸 단면도이고,
도 5는 본 발명에 따른 실시 예의 방열 백시트의 박막층 구조를 나타낸 단면도이고,
도 6은 본 발명에 따른 다른 실시 예의 방열 백시트의 박막층 구조를 나타낸 단면도이며,
도 7은 본 발명에 따른 또 다른 실시 예의 방열 백시트의 박막층 구조를 나타낸 단면도이고,
도 8은 본 발명에 따른 다결정 화합물 박막형 태양전지의 방열온도를 측정하는 설비를 찍은 사진에 관한 것이다.
도 2는 종래의 CdTe 박막형 태양전지의 단면 구조를 나타낸 단면도이고,
도 3은 본 발명에 따른 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 단면 구조를 나타낸 단면도이며,
도 4는 본 발명에 따른 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 방열 백시트에 피막층이 형성된 단면을 나타낸 단면도이고,
도 5는 본 발명에 따른 실시 예의 방열 백시트의 박막층 구조를 나타낸 단면도이고,
도 6은 본 발명에 따른 다른 실시 예의 방열 백시트의 박막층 구조를 나타낸 단면도이며,
도 7은 본 발명에 따른 또 다른 실시 예의 방열 백시트의 박막층 구조를 나타낸 단면도이고,
도 8은 본 발명에 따른 다결정 화합물 박막형 태양전지의 방열온도를 측정하는 설비를 찍은 사진에 관한 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면인 도 3 내지 도 8에 의거하여 상세히 설명하며, 각 도면 및 상세한 설명에서 CdTe 박막형 태양전지 모듈 분야의 종사자들이 용이하게 알 수 있는 구성 및 작용에 대한 도시 및 언급은 간략히 하거나 생략하였다. 그리고, 도면의 도시에 있어서 요소들 사이의 크기 비가 다소 상이하게 표현되거나 서로 결합하는 부품들 사이의 크기가 상이하게 표현된 부분도 있으나, 이와 같은 도면의 표현 차이는 이 분야의 종사자들이 용이하게 이해할 수 있는 부분들이므로 별도의 설명을 생략한다.
본 발명은 도 3에 도시된 바와 같이, 기판(10), 전면전극(20), n-CdS 광투과층(30), p-CdTe 광흡수층(40) 및 후면전극(50)의 순으로 적층된 구조로 이루어진 CdTe 박막형 태양전지 모듈에 있어서,
상기 후면전극(50)의 외면에 절연막(60) 및 방열 백시트(70)가 구비된 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 CdTe 박막형 태양전지 모듈은 후면전극(50)의 외부에 방열 백시트(70)를 부착하여 태양전지 모듈에서 발생하는 열을 효율적으로 제거하고, 후면전극(50)과 방열 백시트(70) 사이에 절연막을 형성시켜 쇼트(short) 현상을 차단하여 모듈의 파손을 예방함으로써, 특히 사막과 같은 고온지역에서 사용시에도 높은 열 변형 특성에 의해 내구성이 우수한 것을 특징이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 적층구조를 상세히 설명하되, 통상적인 구조에 대해서는 그 설명을 간략히 하거나 생략하였다.
본 발명에 따른 CdTe 박막형 태양전지 모듈은 기판(10)으로 유리 소재로서 소다 라임 유리(soda-lime glass) 또는 무알칼리 유리(alkali-free glass)가 사용된다.
전면전극(20)은 기판(10) 위에 먼저, ITO(indium tin oxide), IFO(fluorine doped indium oxide) 또는 FTO(fluorine doped tin oxide)으로 전면 접촉층을 형성시킨 후 이 전도성 막 위에 TCO(transparent conducting oxide), ZnO(zinc oxide) 또는 Ga2O3(gallium oxide) 버퍼층을 전면 코팅한 구조로서, 빛을 투과시키고 전자를 모으는 작용을 한다.
n-CdS 광투과층(30)은 p-n 접합의 n 층을 구성하며, 빛이 투과되는 층으로 광전류를 최대화하기 위해서는 CdS 막의 두께는 최소화로 증착시켜야 하며, 증착방법으로는 진공증착법, 스퍼터링, 화학기상증착법, 열분해법 등과 같은 다양한 방법에 의해 증착시킨다.
p-CdTe 광흡수층(40)은 CSS(closed-spaced sublimation) 방법에 의해 증착시키며, 후면전극(50)은 Au, Cu/Au, Te, Ni/Al 등의 소재를 사용하여 증착시킨다.
절연막(60)은 후면전극(50)과 금속 소재의 방열 백시트(70)의 직접적인 접촉에 의한 쇼트(short) 현상을 차단하기 위한 막으로써, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리트리메틸렌 테레프탈레이트(PTT), 폴리에테르 에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르술폰(PES) 중에서 1 종을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.
상기 절연막(60)의 두께는 10~100 ㎛인 것이 바람직하며, 절연막의 두께가 상기에서 한정한 범위 미만이 될 경우에는 외부에서 충격이 가해질 경우 절연막이 쉽게 파손되어 쇼트(short) 현상이 발생할 우려가 있고, 절연막의 두께가 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 절연막의 두께가 두꺼워서 모듈 내에서 발생하는 열의 방출을 방해하여 방열효과가 저하할 우려가 있다.
상기 방열 백시트(70)는 태양광 발전용 모듈을 보호하는 역할과 함께 모듈 내에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 방열기능을 하는 수단으로 금속성 소재를 사용한다. 구체적인 금속소재로는 알루미늄, 동, 황동, 강판, 스테인리스 금속 박판 중에서 1 종을 선택하여 사용하는 것이 바람직하다.
또한 상기 방열 백시트(70)는 도 4에 도시된 바와 같이, 방열 백시트(70)의 일면(70a) 또는 양면(70a, 70b)에 피막층을 형성시키고, 상기 피막층은 산화피막층(a) 또는 세라믹 코팅층(b) 또는 내열도료 코팅층(c)을 형성시킴으로써, 방열효과를 더욱 향상시킨 것이 특징이다.
상기 방열 백시트(70)의 두께는 0.1~2 mm인 것이 바람직하다. 방열 백시트의 두께가 상기에서 한정한 범위 미만이 될 경우에는 모듈 내에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 방열기능이 저하할 우려가 있고, 방열 백시트의 두께가 상기에서 한정한 범위를 초과할 경우에는 방열 백시트의 두께에 비례하여 방열효율은 현저히 더 이상 향상되지는 않는다.
그리고, 상기 방열 백시트(70)는 방열효과를 높이기 위해 도 5에 도시된 바와 같이, 산화피막층(a)의 외면에 세라믹 코팅층(b)을 형성시키거나 또는 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 산화피막층(a) 또는 세라믹 코팅층(b)은 외면에 내열도료 코팅층(c)을 형성시킬 수 있다.
또한 상기 산화피막층(a)은 양극산화법, 화성피막법 중에서 한 가지 방법을 선택하여 피막층을 형성시키며, 상기 산화피막층(a)은 본 발명자가 이미 특허 등록받은 바 있는 국내 등록특허 제0999460호의 피막층 형성방법과 동일한 방법인 양극산화법, 화성피막법 중에서 한 가지 방법을 선택하여 형성시킨다.
상기 세라믹 코팅층(b)은 알루미나, 지르코니아, 산화티탄, 실리카, 산화알루미늄, AlN(질화알루미늄), AlS(황화알루미늄)의 금속 세라믹 소재, 또는 유기실란, 무기실란, 실란커플링제, CNT의 비금속 세라믹 소재 중에서 1종 또는 그 이상을 선택하여 형성시킨다.
본 발명에서 사용하는 세라믹 조성물은 특정 성분 및 성분비를 갖는 조성물에만 반드시 한정하지 않고 제조자의 필요나 또는 소비자의 요구에 따라 적절히 조정되어 질 수 있다.
상기 내열도료 코팅층(c)은 내열성이 있는 도료, 즉 실리콘 폴리에스테르도료, 내열유기도료 등을 사용하여 코팅층을 형성시킬 수 있다.
그리고 산화피막층(a)의 두께는 5~20㎛, 세라믹 코팅층(b)의 두께는 10~50㎛, 내열도료 코팅층(c)의 두께는 40~60㎛인 것이 바람직하며, 상기 두께는 상기의 범위 내에 반드시 한정되는 것이 아니며, 필요에 따라 적절히 조정되어 질 수도 있다.
참고로 본 발명에 따른 CdTe 박막형 태양전지 모듈은 각 적층구조의 두께는 기판이 3±0.5mm, 후면전극 및 전면전극이 0.5~3.0㎛, CdS 광투과층이 70~120nm, CdTe 광흡수층이 4~7㎛인 것이 바람직하지만, 상기 각 적층구조의 두께는 상기에서 설명한 두께에만 반드시 한정되지 아니하고, 필요에 따라 적절히 조정되어 질 수 있다.
이하 본 발명에 따른 CdTe 박막형 태양전지 모듈을 하기의 실시 예를 통해 구체적으로 설명하면 다음과 같으며, 본 발명은 하기의 실시 예에 의해서만 반드시 한정되는 것이 아니다.
1. CdTe 박막형 태양전지 모듈의 제작
(실시 예 1) : 산화 피막층 형성 방열 백시트 구비 모듈의 제작
도 3의 구조를 갖는 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 기판 외부에 양면에 양극산화 피막층을 형성시킨 두께 0.5mm의 알루미늄 소재 방열 백시트를 부착한 모듈을 제작하였다. 상기 모듈을 구성하는 각 적층구조의 두께는 기판 3mm, 전면전극 및 후면전극이 1㎛, CdS 광투과층이 100nm, CdTe 광흡수층이 5㎛로 하고, 방열 백시트는 양면에 양극산화 피막층의 두께를 5㎛ 형성시켰다.
(실시 예 2) : 세라믹 코팅층 형성 방열 백시트 구비 모듈의 제작
실시 예 1과 동일한 구조의 CdTe 박막형 태양전지 모듈로서, 양면에 세라믹 코팅층을 형성시킨 알루미늄 소재의 방열 백시트가 구비된 모듈을 제작하였다.
모듈의 각 적층구조는 상기 실시 예 1과 동일하며, 단 방열 백시트의 두께는 0.5mm이고, 세라믹 코팅층의 두께는 10㎛이고, 세라믹 코팅층은 (주)더몰론코리아에서 특허 등록받은 제10-0871877호에서 사용한 세라믹 코팅제를 사용하여 스프레이 코팅방법으로 세라믹코팅처리를 하고 20~30분간 280℃ 이상의 열처리를 통하여 코팅층을 형성시켰다.
(실시 예 3) : 내열도료 코팅층 형성 방열 백시트 구비 모듈의 제작
실시 예 1과 동일한 구조의 CdTe 박막형 태양전지 모듈로서, 양면에 내열도료 코팅층을 형성시킨 방열 백시트가 구비된 모듈을 제작하였다.
모듈의 각 적층구조는 상기 실시 예 1과 동일하며, 단 상기 방열 백시트의 두께는 0.5mm이고, 내열도료 코팅층의 두께는 40㎛이고, 내열도료 코팅층은 실리콘 폴리에스테르도료 코팅층을 형성시켰다.
(비교 예 1) : 방열 백시트 미구비 모듈의 제작
도 1에 도시된 바와 같이 기판, 전면전극, n-CdS 광투과층, p-CdTe 광흡수층 및 후면전극의 순으로 적층된 구조로 이루어진 CdTe 박막형 태양전지 모듈을 사용하였다. 모듈의 각 적층구조의 두께는 상기 실시 예 1과 같다.
(비교 예 2) : 절연막이 형성되지 않은 방열 백시트 구비 모듈의 제작
상기 비교예 1의 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 후면전극 외부에 산화피막층이 형성된 알루미늄 소재의 방열백시트를 부착시킨 CdTe 박막형 태양전지 모듈을 제작하였다. 모듈의 각 적층구조의 두께는 상기 실시 예 1과 같다.
2. 태양광 발전용 모듈의 방열효과 측정설비
측정설비는 본 출원인이 선출원한 국내 특허출원 제2011-49557호에서 사용한 측정설비와 동일한 설비로써, 도 8의 사진에 나타난 바와 같이 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 방열효과를 측정하기 위한 설비는 본 출원인이 자체 제작한 설비이며, 아크릴 챔버 내에 두 개의 CdTe 박막형 태양전지 모듈을 설치하고, 아크릴 챔버의 표면온도를 측정하는 표면 측정 온도계와 아크릴 챔버 내부의 온도를 측정하는 챔버 내부측정 온도계 및 두 개의 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 표면의 온도를 각각 측정할 수 있도록 한 센스부착형 온도측정기를 구비한 설비를 사용하였다.
상기와 같은 구조를 갖는 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 방열효과 측정설비는 도 8의 사진에 나타난 바와 같은 구조를 갖는 설비로서, 태양광 모듈 효율 장치를 이용하여 발전량 및 전압, 전류를 동시에 측정할 수 있도록 되어져 있으며 내부온도 조절이 가능하도록 설계되어 있으며, 본 발명에서 사용한 측정설비는 실험수준의 표면온도 측정설비이다.
3. CdTe 박막형 태양전지 모듈의 방열효과 측정
본 발명에 따른 실시 예 1 내지 3 및 비교 예 1, 2의 CdTe 박막형 태양전지 모듈의 표면온도를 2011년 5월 중 맑은 날을 선택하여 10 일간 씩 주간(9시부터 5시까지)에 상기 2의 측정설비를 이용하여 측정한 다음 대조 모듈에 대한 상대적인 온도 차이에 의해 방열효과를 환산한 평균값의 결과는 아래 [표 1]의 내용과 같다.
| 실시예 | 비교예 | 비고 | |||
| 1 | 2 | 3 | 1 | 2 | |
| -11~-16 | -12~-17 | -8~-11 | -3~-8 | 쇼트(short) 현상 발생 | 모듈기준온도 20 ~ 90 ℃ |
상기 [표 1]의 내용에 의하면, 실시예 1, 2, 3의 모듈 경우 모두 비교예 1의 모듈에 비해 대체로 방열효과가 우수한 것으로 나타났다. 그리고 비교예 2의 모듈은 전면전극과 무반사층 사이에 절연막을 적층시키지 않음에 따라 쇼트(short) 현상이 발생하여 방열효과를 측정할 수 없었다.
또한 실시예 1, 2, 3의 방열효과를 대비하여보면, 실시예 2의 모듈과 같이 방열 백시트의 표면에 세라믹 코팅층을 형성시킨 모듈이 실시예 1의 모듈과 같이 백시트의 표면에 피막층을 형성시킨 모듈과 실시예 3의 내열도료 코팅층을 형성시킨 모듈에 비해 방열효과가 다소 우수한 것을 확인할 수 있었다.
상술한 바와 같은, 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 CdTe 박막형 태양전지 모듈을 상기한 설명 및 도면에 따라 도시하였지만, 이는 예를 들어 설명한 것에 불과하며 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다는 것을 이 분야의 통상적인 기술자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
10 : 기판 20 : 전면전극
30 : n-CdS 광투과층 40 : p-CdTe 광흡수층
50 : 후면전극 60 : 절연막
70 : 방열 백시트
a : 산화피막층 b : 세라믹 코팅층
c : 내열도료 코팅층
30 : n-CdS 광투과층 40 : p-CdTe 광흡수층
50 : 후면전극 60 : 절연막
70 : 방열 백시트
a : 산화피막층 b : 세라믹 코팅층
c : 내열도료 코팅층
Claims (9)
- 삭제
- 삭제
- 기판, 전면전극, n-CdS 광투과층, p-CdTe 광흡수층 및 후면전극의 순으로 적층된 구조로 이루어진 CdTe 박막형 태양전지 모듈에 있어서,
상기 후면전극의 외면에 절연막 및 방열 백시트가 구비되고,
상기 방열 백시트는 일면 또는 양면에 피막층이 형성되며,
상기 피막층은 산화피막층 또는 세라믹 코팅층 또는 내열도료 코팅층을 형성시킨 구조이되,
상기 방열 백시트는 알루미늄, 동, 황동, 강판, 스테인리스 금속 박판 중에서 1 종을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈.
- 제 3항에 있어서,
상기 산화피막층은 외면에 세라믹 코팅층을 형성시킨 구조인 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈.
- 제 3항에 있어서,
상기 산화피막층 또는 세라믹 코팅층은 외면에 내열도료 코팅층을 형성시킨 구조인 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈.
- 제 3항에 있어서,
상기 절연막은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리트리메틸렌 테레프탈레이트(PTT), 폴리에테르 에테르케톤(PEEK), 폴리이미드(PI), 폴리에테르술폰(PES) 중에서 1 종을 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈.
- 삭제
- 제 3항에 있어서,
상기 산화피막층은 양극산화법, 화성피막법 중에서 한 가지 방법을 선택하여 피막층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈.
- 제 3항에 있어서,
상기 세라믹 코팅층은 알루미나, 지르코니아, 산화티탄, 실리카, 산화알루미늄, AlN(질화알루미늄), AlS(황화알루미늄)의 금속 세라믹 소재, 또는 유기실란, 무기실란, 실란커플링제, CNT의 비금속 세라믹 소재 중에서 1종 또는 그 이상을 선택하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 CdTe 박막형 태양전지 모듈.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101223022B1 true KR101223022B1 (ko) | 2013-01-17 |
Family
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| KR (1) | KR101223022B1 (ko) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020024490A (ko) * | 2000-09-25 | 2002-03-30 | 채문식 | ＩＴＯ／ｎ형 반도체층 계면에서 터널링 접합을 이용한박막 광전지 및 그 제조방법 |
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-
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