KR101216937B1 - A plurality of cells are combined and the light emitting device and a method of manufacturing the light emitting device using the same. - Google Patents

A plurality of cells are combined and the light emitting device and a method of manufacturing the light emitting device using the same. Download PDF

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Abstract

본 발명은 다수의 셀이 어레이된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한 조명용 발광장치에 관한 것으로, 전극과 발광 반도체층을 포함하는 수직형의 다수의 발광 셀 및 상기 발광 셀이 직렬 접속된 호스트 기판을 포함하는 발광 소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. The present invention provides a large number of cells, the array of light emitting device and relates to a method of manufacturing and lighting a light emitting device using the same, a number of light emitting elements and the light emitting cell of the vertical, including the electrode and the light emitting semiconductor layer connected in series to the host substrate It provides a light emitting device and a method comprising a. 이로써, 고전압 또는 가정용 교류 전원을 사용하는 조명용 발광 장치의 제작 공정을 단순화시킬 수 있고, 조명용 발광 장치의 제작시 발생하는 불량률을 줄일 수 있으며, 조명용 발광 장치를 대량 생산할 수 있다. Thus, it is possible to simplify the manufacturing steps of the illumination light-emitting device using a high voltage or a household AC power source, it is possible to reduce the error rate occurring during the production of lighting the light emitting device, can be mass-produced light-emitting device for illumination. 또한, 발광 소자 외부에 소정의 정류 회로를 둠으로 인해 교류 동작시 직류 구동 효율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다. In addition, there is an advantage to improve efficiency in the direct current drive due to the exchange operation of the rectifying circuit to a predetermined external placing the light emitting element.

Description

다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치{Luminous element having arrayed cells and method of manufacturing thereof and luminous apparatus using the same} A plurality of cells are combined with a light emitting device and a method of manufacturing the light emitting device using the same, and {Luminous element having arrayed cells and method of manufacturing thereof and luminous apparatus using the same}

본 발명은 다수의 셀이 결합된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치에 관한 것으로, 특히, 단일 기판상에 다수의 발광용 셀이 배열된 단일의 발광 소자와 이의 제조 방법에 관한 것이고, 또한, 이를 이용하여 제조된 발광장치에 관한 것이다. The present invention relates to a plurality of cells are combined light-emitting device and its manufacturing method and, more particularly, a plurality of light emitting cells are light-emitting device of a single arrangement for and a method of manufacturing on a single substrate of the light emitting device using the same. in addition, the present invention relates to a light emitting device manufactured by using this.

발광 다이오드는 반도체의 pn 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 소정의 빛을 발산하는 소자를 지칭한다. Light emitting diodes, creating a small number of carriers injected by using a pn-junction structure of a semiconductor (an electron or electron hole), it refers to a device that emits predetermined light by recombination of these. 이러한 발광 다이오드는 표시 소자 및 백라이트로 이용되고 있으며, 최근 일반 조명용도로 이를 적용하기 위해 활발한 연구가 진행중이다. The light emitting diode is an active research under way to apply it to the display device and which is used as a back light, in recent years for general lighting purposes.

이는 발광 다이오드가 기존의 전구 또는 형광등에 비해 소모 전력이 작고 수명이 길기 때문이다. This is because the longer the smaller the light emitting diode power consumption compared to conventional light bulbs or fluorescent lifetime. 즉, 발광 다이오드의 소모 전력이 기존의 조명 장치에 비해 수 내지 수 십분의 1에 불과하고, 수명이 수 내지 수십배에 이르러, 소모 전력의 절감과 내구성 측면에서 월등하기 때문이다. That is, the power consumption of the LED is due to be be compared to the conventional lighting apparatus, and only one-tenth, life came to this number to several orders of magnitude, to superior in durability and reduction in power consumption side.

일반적으로, 발광 다이오드를 조명용으로 사용하기 위해서는 별도의 패키징 공정을 통해 발광 소자를 형성하고, 다수의 개별 발광소자를 와이어 본딩을 통해 직렬 연결하고, 외부에서 보호 회로 및 교류/직류 변환기 등을 설치하여 램프의 형태로 제작하였다. In general, in order to use light-emitting diodes for illumination is formed of a light emitting device in a separate packaging step, through a plurality of bonding wires, individual light emitting elements in series connection, by installing a protective circuit and the AC / DC converter from the outside It was produced in the form of a lamp.

도 1은 종래의 발광 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 1 is a conceptual diagram illustrating a conventional light emitting device.

도 1을 참조하면, 발광 칩이 실장된 다수의 발광 소자(1)를 직렬 접속시켜 일반 조명 용도의 발광 장치를 제작하였다. Referring to Figure 1, by a plurality of light-emitting element 1 is a light emitting chip mounting connected in series was produced in a light emitting device in the general lighting purposes. 이를 위해 다수의 발광 소자(1)를 직렬로 배열한 다음, 금속배선 공정을 통해 각기 다른 발광 소자(1)내부의 발광 칩을 전기적으로 직렬 연결하였다. By arranging the plurality of light emitting elements (1) in series for this purpose by the following, metal wiring process were each electrically connected in series to the light-emitting chip inside the other light emitting element (1). 이러한, 제조 공정에 관해서는 미국 공개 특허 제 5,463,280호에 개시되어 있다. These, are disclosed in U.S. Patent Publication No. 5.46328 million with respect to the manufacturing process. 하지만, 상술한 구조를 통한 종래의 기술로 조명 용도의 발광 장치를 제작하였을 경우, 많은 갯수의 소자에 일일이 금속 배선 공정을 수행하여야 하기 때문에 공정단계가 많아지고 복잡해지는 문제가 발생한다. However, there is a problem that is getting more complex processing step due to be performed when the light emitting device hayeoteul produced, having to process the metal wire element of the large number of lighting applications in the prior art through the above-described structure. 또한, 공정의 단계가 증가할수록 이에 따른 불량 발생률 또한, 높아지게 되어 대량 생산에 걸림돌이 되고 있다. Further, also the more the phase of the process increased the percentage of defective according to this, the higher is an obstacle to mass production. 또한, 소정의 충격에 의해 금속배선이 단락 되어 발광 소자의 동작이 종료되는 경우가 발생할 수 있다. Further, the metal wiring is short-circuited by a predetermined shock may occur if the end the operation of the light emitting element. 또한, 개개의 발광 소자를 직렬로 배열하여야 함으로 인해 차지하게 되는 공간이 커지게 되어 램프의 크기가 상당히 커지는 단점이 발생하였다. In addition, the space occupied by due be arranged for individual light-emitting elements in series becomes large occurred a drawback considerably increases the size of the lamp.

또한, 앞서 설명한 소자 레벨의 발광 칩 어레이가 아닌 웨이퍼 레벨에서의 마이크로칩을 어레이함에 관해서는 한국 공개특허공보 제2004-9818호에 개시되어 있다. Further, it is is disclosed in Korea Laid-Open Patent Publication No. 2004-9818 call comes as an array of micro-chips in the wafer-level non-light-emitting array chips in the above-described device level. 이는, 표시 장치에 관한 것으로 각각의 화소에 발광을 유도하는 발광 다이오드가 배치 되도록 발광 셀을 매트릭스 형태로 배열한다. This is, so that the LED for inducing the light emission in each of the pixels arranged on the display device that arranges the light emitting cells in a matrix form. 하지만, 상술한 매트릭스 형태로 배열된 구조의 소자를 발광시키기 위해서는 세로 방향과 가로 방향으로 각기 서로 다른 전기적 신호를 인가하여야할 뿐만 아니라, 전기적 신호를 어드레스 방식으로 인가하여야 하기 때문에 이를 제어하기가 극히 어렵다. But it is extremely difficult to do this control because it should be applied to, an electrical signal, as well as to be applied for each different electrical signals in the vertical direction and the horizontal direction in order to fire the elements of the structure arranged in the aforementioned matrix forms the address scheme . 또한, 매트릭스 형태의 배열로 인해 배선간의 단선이 우려되고, 배선간의 중첩영역에 많은 간섭이 발생하게 된다. In addition, the disconnection between the wiring concerns an arrangement in a matrix form, thereby a lot of interference in the overlapping area between the wires. 또한, 상술한 매트릭스 형태의 구조로는 고전압이 인가 되는 조명용 발광장치에 적용할 수 없는 문제점이 있었다. In addition, there is a problem that can not be applied to a light emitting device for lighting a high voltage is applied to the structure of the aforementioned matrix.

따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 다수의 발광 셀이 직렬 접속된 단일칩 형태로 발광 소자를 사용하여 발광 다이오드 램프를 제작할 수 있고, 웨이퍼 레벨에서 다수의 발광 셀을 전기적으로 연결하기 때문에 램프의 제작 공정을 단순화 할 수 있으며, 불량률을 감소시킬 수 있어 대량 생산에 유리한 다수의 셀이 어레이된 발광 소자 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한 발광 장치를 제공함을 그 목적으로 한다. Accordingly, the present invention can be produced a plurality of light-emitting diode to the light emitting cells using the light emitting device in a single chip form connected in series in order to solve the above problems, since the electrically connecting a plurality of light emitting cells at the wafer level can simplify the manufacturing steps of the lamp, and to reduce the failure rate it beneficial number of cells that the light emitting element array and a method for mass production, and provide a light emitting device using the same and for that purpose.

본 발명에 따른 호스트기판 및 상기 호스트기판상에 직렬 또는 직병렬 연결된 다수의 수직형 발광셀을 포함하여 구성된 발광소자를 제공한다. Including a host substrate, and serial or serial-to-parallel a plurality of vertical light emitting cells connected on the host substrate according to the present invention provides a light emitting device configured.

여기서, 상기 호스트기판은, 도체, 부도체, 및 반도체 기판중 어느 일측으로 구성되는 것을 특징으로 한다. Here, the host substrate is characterized in that the conductor, non-conductor, and configured to either side of the semiconductor substrate. 이때, 상기 부도체 호스트기판과 상기 다수의 발광셀 사이에는 전극패턴층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하고, 상기 도체 또는 반도체 호스트기판과 상기 발광셀 사이에는, 상기 호스트기판측에 절연층이, 상기 다수의 발광셀측에 전극패턴층이 개재되어 있는 것을 특징으로 한다. At this time, characterized in that the electrode pattern layer between the plurality of light emitting cells and the non-conductive host substrate is formed, and between the conductive or semiconductor host substrate and the light emitting cells, the insulating layer on the host substrate side, said plurality in that the cell side of the electrode pattern on the light emitting layer is interposed and characterized.

그리고 상기 다수의 수직형 발광셀은 각각 GaN계 반도체를 포함한다. And the vertical light emitting cell of the plurality includes a GaN-based semiconductor, respectively.

또한, 본 발명에 따른 모체기판에 화합물반도체를 성장시키는 단계와, 상기 화합물반도체를 다수의 수직형 발광셀로 형성한 후, 상기 각각의 수직형 발광셀의 상부에 제 1전극을 형성하는 단계와, 상기 수직형 발광셀의 상부에 호스트기판을 부착하는 단계와, 상기 모체기판을 제거한 후 상기 각 수직형 발광셀의 하부에 제 2전극을 형성하는 단계 및 상기 각 수직형 발광셀의 제 1전극들과 인접하는 수직형 발광셀의 제 2전극들을 직렬 또는 직병렬로 연결하는 단계를 포함하는 발광소자 제조방법을 제공한다. Further, the method of growing a compound semiconductor on a matrix substrate according to the present invention, after the formation of the compound semiconductor into a plurality of vertical light emitting cells comprises: forming a first electrode on a top of the each vertical light emitting cells and a first electrode in the step of attaching the host substrate at the upper portion of the vertical light emitting cell, and then removing the matrix substrate stage, and each of the vertical light emitting cells forming the second electrode on the bottom of each of the vertical light emitting cells It provides a light emitting device manufacturing method comprising the step of connecting the second electrode of the vertical light emitting cells adjacent to and in series or in series-parallel.

여기서, 상기 호스트기판이 도체 또는 반도체기판인 경우, 상기 호스트기판과 상기 수직형 발광셀의 제 1전극 사이에 절연층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Here, when the host substrate as a conductor or semiconductor substrate, characterized in that said method further comprises forming an insulating layer between the first electrode of the host substrate and the vertical light emitting cell.

또한, 본 발명에 따른 모체기판에 화합물반도체를 성장시키는 단계와, 상기 화합물반도체를 다수의 수직형 발광셀로 형성하는 단계와, 상기 다수의 수직형 발광셀의 상부에 호스트기판을 부착하는 단계 및 상기 각 수직형 발광셀을 인접하는 수직형 발광셀들과 직렬 또는 직병렬로 연결하는 단계를 포함하는 발광소자 제조방법을 제공한다. Further, the step of attaching the host substrate the stage and, the compound semiconductor to grow a compound semiconductor on a matrix substrate according to the present invention on top of the stage, and a vertical light emitting cells of the plurality of forming a plurality of vertical light emitting cells, and It provides a light emitting device manufacturing method comprising the connection in each vertical light emitting cells in series or parallel adjacent to the vertical light emitting cell.

이때, 상기 모체기판은 레이져를 이용한 리프트오프공정, 식각공정, 또는 CMP공정으로 제거되는 것을 특징으로 한다. In this case, the mother substrate is characterized in that removing the lift-off process, an etching process, or a CMP process using a laser.

상술한 바와 같이, 본 발명은 수직 타입의 다수의 발광 셀이 직렬 접속된 발광 셀 블록을 포함하는 발광 소자를 통해 조명용으로 사용할 수 있는 발광 장치를 제작할 수 있다. As described above, the present invention can be produced a light-emitting device that can be used for illumination by a light emitting device including a plurality of light emitting cell block, the light emitting cells are connected in series in the vertical type.

또한, 웨이퍼 레벨에서 다수의 발광 셀을 전기적으로 연결하기 때문에 고전원 또는 가정용 교류 전원에서 발광할 수 있는 발광 소자를 제작할 수 있다. In addition, since the electrically connecting a plurality of light emitting cells at the wafer level can be produced a light-emitting device capable of emitting light in the high-power or household AC power source.

또한, 다수의 발광 셀이 기판상에서 전기적으로 연결된 발광 소자를 사용하기 때문에 조명용 발광 장치의 제작 공정을 단순화시킬 수 있고, 조명용 발광 장치이 제작시 발생하는 불량률을 줄일 수 있으면, 조명용 발광 장치를 대량 생산할 수 있다. Further, since the plurality of light emitting cells is to use a light emitting device electrically connected on the substrate it is possible to simplify the manufacturing steps of the illumination light-emitting device, if it can reduce the defect rate caused upon making the illumination light emitting Television, mass production of lighting the light emitting device have.

또한, 발광 소자 칩의 전극과 소정의 정류 회로를 연결하여 교류 동작시 리플 요소를 최소화 하여 발광 효율을 극대화하고 저하체의 설치를 통해 LED 어레이에 걸리는 부하를 조절하여 발광 소자 칩을 보호할 수 있다. In addition, by connecting the electrodes with a predetermined commutation circuit of the light emitting device to minimize the ripple factor in AC operation to maximize the efficiency of light emission and adjusting the load applied to the LED array via the installation of a low lower body can protect the light emitting device chip .

도 1은 종래의 발광 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 1 is a conceptual diagram illustrating a conventional light emitting device.
도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. 2 and 3 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.
도 4는 본 발명에 따른 다른 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. Figure 4 is a sectional view for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to another embodiment of the present invention.
도 5 내지 도 11은 각기 본 발명의 제 1 내지 제 7 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도들이다. Figures 5 to 11 are each a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to the first to seventh embodiments of the present invention.
도 12는 본 발명에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 12 is a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to the invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. With reference to the accompanying drawings, the present will be described in more detail in an embodiment of the invention. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. However, the present invention is not limited to the embodiments set forth herein will be embodied in many different forms, but the embodiment are also the teachings of the present invention to complete, and will fully convey the concept of the invention to those of ordinary skill It will be provided to make known. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다. Same numerals in the drawings refers to the same element.

본 발명은 기판상에 각기 분리된 다수의 수직형 발광 셀이 형성된다. The present invention is formed with a plurality of vertical light emitting cells each separated on the substrate. 이후, 다수의 수직형 발광 셀의 상부에 호스트 기판을 본딩한 다음, 하부의 모체 기판을 제거한다. After the bonding the host substrate on top of the plurality of vertical light emitting cells, and then removing the matrix of the lower substrate. 이후 다수의 수직형 발광 셀의 인접한 셀간의 서로 다른 전극간을 전기적으로 연결한다. After electrically connecting the plurality of different inter-electrode between adjacent cells in the vertical light emitting cell. 즉, 발광 셀간을 직렬 연결하여 발광 소자를 형성한다. That is, the series connection between cells to form a light emission of a light emitting device. 이러한 수직형 발광 셀의 구조를 간략히 살펴보면, 발광 반도체층과, 발광 반도체층 상하에 위치한 제 1 및 제 2 전극과, 제 1 전극과 접속된 전극 패턴을 포함하는 호스트 기판을 포함하고 있다. Referring briefly the structure of the vertical light emitting cell, and includes a host board including an electrode pattern connected to the first and second electrodes, the first electrode located on the light emitting semiconductor layer, a light emitting semiconductor layer and down. 물론 호스트 기판의 특성에 따라 전극 패턴과 호스트 기판 사이에 별도의 절연층을 더 포함할 수도 있다. Of course it may further include a separate insulating layer between the electrode pattern and the host substrate, depending on the nature of the host substrate. 이러한 구조의 발광 셀들이 직렬 접속된 발광 소자를 제조하기 위해서는 다양한 제조 방법들이 제공될 수 있다. In order to manufacture the light emitting cells of such a construction it is serially connected light-emitting element may be provided with a variety of production methods.

이에 관한 구체적인 설명은 하기의 도면을 참조하여 설명한다. The specific description will be described with reference to the drawings.

도 2 및 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. Figure 2 and Figure 4 is a sectional view for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 모체기판(10)상에 반도체층(20)과 제 1 전극(30)을 포함하는 복수개의 분리된 발광 셀(100)을 형성하고, 소정의 전극 패턴(50)이 형성된 호스트 기판(40)을 마련한다. To Figure 2 when, to form a matrix substrate 10 a plurality of discrete light-emitting cell 100 including the semiconductor layer 20 and first electrode 30 on, and a predetermined electrode pattern 50 is formed and providing the host board 40.

모체 기판(10)으로는 반도체 소자의 제조가 가능한 모든 기판이 사용될 수 있고, 본 실시예에서는 사파이어 기판 또는 실리콘 기판을 사용한다. A matrix substrate 10 may be any substrate on which the production of semiconductor elements as possible, in the present embodiment uses a sapphire substrate or a silicon substrate.

상기의 발광 반도체층(20)은 다수의 물질층으로 이루어진 구조를 갖는다. The light emitting semiconductor layer 20 has a structure consisting of a plurality of material layers. 즉, 본 실시예에서는 버퍼층(미도시), N형 반도체층(미도시), 활성층(미도시) 및 P형 반도체층(미도시)이 순차적으로 적층된 형태의 구조를 갖는다. That is, this embodiment has the structure of a buffer layer (not shown) (not shown), N-type semiconductor layer, an active layer (not shown) and a P-type semiconductor layer (not shown) are sequentially stacked form. 또한, 제 1 전극(30)은 소정의 도전성 패드를 지칭하는 것이며, 각각의 발광 반도체층(20)은 소정간격 이격되어 있다. In addition, the first electrode 30 is to refer to a predetermined conductive pads, each of the light emitting semiconductor layer 20 are spaced at predetermined intervals.

이를 위해, 모체 기판(10)상에 버퍼층, N형 반도체층, 활성층 및 P형 반도체층을 순차적으로 형성한다. To this end, to form a matrix on a substrate 10, a buffer layer, N-type semiconductor layer, an active layer and a P-type semiconductor layer sequentially. 이때 버퍼층은 결정 성장시에 모체기판(10)과 후속층들의 격자 부정합을 줄위기 위한 층으로서, 반도체 재료인 GaN을 포함하여 이루어진다. The buffer layer is a layer for crisis have a lattice mismatch of the mother substrate 10 and the subsequent layers during crystal growth, and comprises a semiconductor material of GaN. 물론 이때, 버퍼층을 형성하지 않을 수도 있다. At this time, of course, it may or may not form a buffer layer. 또한, 상기의 N형 반도체층은 전자가 생성되는 층으로서, N형 화합물 반도체층과 N형 클래드층으로 형성된다. Further, N-type semiconductor layer is a layer of the electrons are generated, it is formed in N-type compound semiconductor layer and the N-type clad layer. 이때, N형 화합물 반도체 층은 N형 불순물이 도핑되어 있는 GaN을 사용한다. At this time, the N-type compound semiconductor layer using the GaN in the N-type impurity is doped. 그리고, P형 반도체층은 전공이 생성되는 층으로서, P형 클래드층과 P형 화합물 반도체층으로 형성된다. And, the P-type semiconductor layer is a layer to be studied is generated, are formed in a P-type clad layer and a P-type compound semiconductor layer. 이때, P형 화합물 반도체층은 P형 불순물이 도핑되어 있는 AlGaN을 사용한다. At this time, the P-type compound semiconductor layer is used in the AlGaN P-type impurities are doped. 마지막으로 활성층은 소정의 밴드 갭과 양자 우물이 만들어져 전자 및 정공이 재결합되는 영역으로서, InGaN을 포함하여 이루어진다. Finally, the active layer is made as an area with a predetermined bandgap and the quantum well that is the electron and hole recombination, comprise a InGaN. 이때 활성층을 이루는 물질의 종류에 따라 전자 및 전공이 결합하여 발생하는 발광 파장이 변화된다. At this time, the light emission wavelength caused by a combination of electronic and major changes according to the type of material of the active layer. 따라서, 목표로 하는 파장에 따라 활성층에 포함되는 반도체 재료를 조절하는 것이 바람직하다. Therefore, it is desirable to control the semiconductor material contained in the active layer according to the wavelength of a target.

이후 P형 반도체층 상에 소정의 전극막을 형성한 후, 소정의 마스크를 이용한 식각공정을 통해 전극막, P형 반도체층, 활성층, N형 반도체층 및 버퍼층을 식각하여 각기 분리된 제 1 전극(30) 및 발광 반도체층(20)을 형성한다. Since after forming a predetermined electrode film on a P-type semiconductor layer, the first electrode through an etching process using a predetermined mask, etching the electrode film, the P-type semiconductor layer, an active layer, N-type semiconductor layer and the buffer layer of each separation ( 30) and to form a light emitting semiconductor layer 20.

한편, 표면에 소정의 전극 패턴(50)이 형성된 호스트 기판(40)은 호스트 기판(40)의 하부 면상에 도전성 물질막을 형성한 다음, 이를 소정의 마스크를 이용하여 제거함으로써 제작된다. On the other hand, the host substrate (40) having a predetermined electrode pattern 50 on the surface is produced by forming a film of conductive material on the lower surface of the host substrate (40), and remove it by using a predetermined mask. 물론 이뿐만 아니라 호스트 기판(40)상에 소정의 시드 패턴을 형성한 다음, 금속도금 방법을 통해 형성할 수도 있다. Of course, the addition to this to form the desired oxide pattern on the host board 40 may be formed through the following metal plating method. 또한, 인쇄회로 방법을 이용하여 형성할 수도 있다. It may also be formed using a printed circuit method.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기와 같이 전극 패턴(50)이 형성된 호스트 기판(40)의 전극 패턴(50)에 상기 제 1 전극(30)을 본딩한다. 3 and 4, and the electrode pattern 50 of the host board 40 is formed an electrode pattern 50, such as the bonding of the first electrode 30. 이를 위해 호스트 기판(40)의 표면에 형성되는 전극패턴(50)은 하부의 제 1 전극(30)보다 더 크게 형성되고, 각각은 서로 인접한 전극패턴(50) 및 제 1 전극(30)과 물리적 및 전기적으로 분리되어 있게 된다. To this end, the electrode pattern 50 formed on the surface of host substrate 40 is formed larger than that of the first electrode 30 of the lower portion, each of the adjacent electrode pattern 50 and the first electrode 30 and the physical and thereby it is electrically disconnected from each other. 또한, 호스트 기판(40) 표면의 전극 패턴(50)과 제 1 전극(30)간을 본딩하기 위해 별도의 도전성 페이스트를 이용하여 접착한다. In addition, the adhesive using a separate conductive paste for bonding a host substrate 40, the surface of the electrode pattern 50 and the first electrode 30 cross. 물론, 이외의 다양한 본딩방법을 이용하여 이둘간을 접착할 수 있다. Of course, it is possible using a variety of bonding means other than to bond the yidul liver. 또한, 도 3에서보는 바와 같이 제 1 전극(30) 상부의 일측방향으로 전극 패턴(50)의 일부가 돌출되도록 하여 후속 전극간의 연결을 좀더 양호하게 할 수 있다. Further, it is possible to ensure that a portion of the first electrode 30 in one direction of the upper electrode pattern 50 is projected as shown in Figure 3 to be in more improve the connection between the subsequent electrode.

다음으로, 하부의 모체기판(10)을 제거하고 모체 기판(10)이 제거된 영역의 발광 반도체층(20)의 하부에 제 2 전극(60)을 형성하여 호스트 기판(40) 하부에 다수의 수직형 발광 셀(100)을 형성한다. Next, by removing the lower mother substrate 10 and forming the second electrode 60 in the lower portion of the light emitting semiconductor layer 20 of the mother substrate 10 is removed, the area number of the lower host board 40 vertical form a light emitting cell 100. 이때, 하부의 모체기판(10)의 제거는 레이져를 이용한 리프트 오프 공정을 통해 제거된다. At this time, the removal of the lower mother substrate 10 is removed through the lift-off process using a laser. 물론, 반도체 제조 공정에서 사용되는 식각공정 또는 CMP 공정을 통해 제거할 수도 있다. Of course, it may be removed through an etching process or a CMP process used in the semiconductor manufacturing process. 모체 기판(10)이 제거됨으로 인해 모체 기판(10)상부의 발광 반도체층(20)이 노출된다. Matrix substrate 10 is removed due to exposure to the matrix substrate 10, the light emitting semiconductor layer 20 of the upper. 이후 소정의 전극 패드 형성공정을 통해 모체기판(10)이 제거됨으로서 노출된 발광 반도체층(20) 상에 제 2 전극(60)을 형성하여 개개의 수직형 발광 셀(100)을 제조한다. After forming the second electrode 60 on the light emitting semiconductor layer 20 exposed by being matrix substrate 10 is removed through a predetermined electrode pad forming step to prepare the individual vertical light emitting cells 100.

마지막으로, 인접한 개개의 수직형 발광 셀(100)의 서로 다른 전극간을 배선(70)을 이용하여 전기적으로 연결한다. Finally, the adjacent electrically connected with the wiring 70, the different between the electrodes of each vertical light emitting cells 100. 즉, 도 3에서와 같이 모체 기판(10)의 하부에 형성된 전극 패턴(50)과 이와 인접한 발광 셀(100)의 제 2 전극(60)간을 연결함으로써, 다수의 수직형 발광 셀(100)이 직렬 접속된 발광 소자를 형성한다. That is, the second electrode 60, a plurality of vertical light emitting cells 100, by connecting the electrode pattern 50 and this adjacent light emitting cells 100 formed in the lower portion of the mother substrate 10, as shown in Figure 3 this forms a series connected light emitting elements. 이때, 양측 가장자리의 발광 셀(100) 각각의 전극 패턴(50)과 제 2 전극(60)은 별도의 외부 단자를 더 포함할 수 있다. At this time, the light emitting cells 100, each of the electrode pattern 50 and the second electrode 60 of the opposite side edges may further comprise a separate external terminal.

또한, 상술한 전극은 도전성의 물질막을 사용하되, 모든 전기 전도성을 갖는 물질을 사용할 수 있다. Further, the above-described electrodes are used, but a film of conductive material, may be used a material having all electrically conductive.

상술한 본 발명의 일 실시예에서는 호스트 기판으로 전기 전도성이 없는 부도체물질일 경우에 관해 설명하였다. In one embodiment of the present invention described above it has been described about the case of non-conductive materials without the electrical conductivity to a host substrate. 하지만 이에 한정되지 않고 호스트 기판으로 전기 전도성을 갖는 도체 물질 또는 반도체 물질을 사용할 수도 있다. But it is not limited to this may be used a conductive material or a semiconductor material having electric conductivity as the substrate host. 또한, 제 1 전극을 형성하지 않고, 호스트 기판의 전극 패턴을 제 1 전극으로 사용할 수도 있고, 호스트 기판에 전극 패턴을 형성하지 않고, 제 1 전극이 형성된 발광 셀을 직접 호스트 기판에 실장할 수 있다. Further, without forming the first electrode, may be used an electrode pattern of the host substrate with the first electrode, may not form an electrode pattern on the host substrate, directly mounted on the host substrate to the light-emitting cell is a first electrode formed . 이에 관해 하기에서 설명한다. This will be described below with respect.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따른 다른 일 실시예들에 따른 발광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다. Figure 5a to Figure 5c is a cross-sectional view for explaining a method of manufacturing a light emitting device according to other embodiments of the present invention.

도 5a를 참조하면, 호스트 기판(40)으로 SiC, Si 또는 금속을 사용할 경우, 그 표면에 부도체의 절연물질로 이루어진 소정의 절연층(45)을 형성한 다음, 절연층(45) 상에 앞선 실시예에서 설명하였던 전극패턴(50)을 형성한다. Reference to Figure 5a when, the use of SiC, Si, or a metal to a host substrate 40, to form a predetermined insulating layer 45 made of an insulating material of a non-conductive on its surface, and then advanced on the insulating layer 45 to form an electrode pattern (50) previously described in the embodiment. 또한, 도 2에서 설명하였던 모체기판(도 2의 10번 참조)상에 형성된 발광 반도체층(20)과 제 1 전극(30)을 전극 패턴(50)에 본딩한다. In addition, bonding the light emitting semiconductor layer 20 and first electrode 30 formed on the mother board (see Fig. 10 2) previously described in Figure 2, the electrode pattern 50. 이후, 하부의 모체 기판을 제거한 다음 노출된 발광 반도체층(20) 하부에 제 2 전극(60)을 형성한다. Then, the removal of the matrix substrate of the lower and then forming the second electrode 60 on the lower exposed light emitting semiconductor layer 20.

그런다음, 와이어 본딩 또는 금속배선공정을 통해 이웃하는 발광 셀간의 서로 다른 전극들을 연결한다. Then, connect the different electrode between the light emitting cells adjacent via a wire bonding or a metal wiring process. 이때 인접한 셀의 제 1 전극(30) 및 제 2 전극(60)은 호스트 기판(40)의 전극 패턴(50)과 별도의 배선(70)을 통해 전기적으로 직렬 연결한다. At this time, the first electrode 30 and second electrode 60 of adjacent cells are electrically connected in series through the electrode patterns 50 and the additional wiring 70 of the host board 40.

도 5b를 참조하면, 소정의 전극 패턴(50)이 형성된 호스트 기판(40)을 마련하고, 도 2에서 설명한 모체기판(도 2의 10번 참조) 상에 발광 반도체층(20)만을 형성한다. Referring to Figure 5b, providing a predetermined electrode pattern host substrate 40, 50 is formed, and forms only a matrix substrate (see Fig. 10 in Fig. 2) light emitting semiconductor on the layer 20 described in FIG. 본 실시예에서는 제 1 전극(도 2의 30번 참조)을 형성하지 않는다. In this embodiment does not form the first electrode (see Fig. 30 times a second). 다음으로, 호스트 기판(40)의 전극 패턴(50)에 발광 반도체층(20)을 본딩한다. Next, the bonding of the light emitting semiconductor layer 20, the electrode pattern 50 on the host substrate (40). 이때, 도전성 페이스트를 이용하여 본딩한다. At this time, the bonding using a conductive paste. 이후, 하부의 모체 기판을 제거한 다음 노출된 발광 반도체층(20) 하부에 제 2 전극(60)을 형성한다. Then, the removal of the matrix substrate of the lower and then forming the second electrode 60 on the lower exposed light emitting semiconductor layer 20.

그 후에 와이어 본딩 또는 금속배선공정을 통해 이웃하는 발광 셀(100)의 전극 패턴(50)과 제 2 전극(60)을 별도의 배선(70)을 이용하여 전기적으로 직렬 연결한다. After the electrode pattern 50 and the second electrode 60 of the light emitting cell 100, the neighboring via a wire bonding or a metal wiring process using a separate wire 70 is electrically connected in series.

도 5c를 참조하면, 호스트 기판(40)을 마련하고, 도 2에서 설명한 반도체층(20)과 제 1 전극(30)을 포함하는 복수개의 분리된 셀을 마련한다. Referring to Figure 5c, providing the host board 40, and providing a plurality of discrete cells containing the semiconductor layer 20 and first electrode 30 described in Figure 2. 다음으로, 호스트 기판(40)에 제 1 전극(30)을 본딩한다. Next, the bonding of the first electrode 30 to the host substrate (40). 이후, 하부의 모체 기판을 제거한 다음, 노출된 발광 반도체층(20)의 일부를 제거하여 제 1 전극(30)의 일부를 노출시킨다. Then, removal of the mother substrate on the lower, and then to remove a portion of the exposed light emitting semiconductor layer 20 to expose a portion of the first electrode 30. 그후, 제 1 전극(30)의 반대편 발광 반도체층(20)에 제 2 전극(60)을 형성한다. Then, the first to form a second electrode 60 on the other side of the light emitting semiconductor layer 20 of the first electrode 30.

다음으로, 와이어 본딩 또는 금속배선공정을 통해 이웃하는 발광 셀(100)간의 서로 다른 전극들을 연결한다. Next, connect the different electrode between the light emitting cell 100, the neighboring via a wire bonding or a metal wiring process. 이때 인접한 셀의 제 1 전극(30)과 제 2 전극은 별도의 배선(70)을 통해 전기적으로 직렬 연결한다. At this time, the first electrode 30 and the second electrode of an adjacent cell are electrically connected in series through a separate wire (70).

상술한 본 발명의 실시예는 각각의 실시예에 한정되지 않고 다양한 형태의 변형이 가능하다. Embodiments of the present invention can be various types of modifications is not limited to each embodiment. 즉, 발광 반도체층(20)의 형성에 있어서도 다수의 반도체막들이 더 추가 될 수도 있고, 인접한 발광 셀(100)간을 연결하기 위해서 별도의 절연막을 형성하여 인접한 셀간을 전기적으로 고립시킨 다음, 각각의 전극을 노출하여 이들간을 소정의 배선(70)으로 연결할 수도 있다. That is, that even in numerous may be semiconductor films are more and more, to form a separate insulation film electrically isolated by the adjacent inter-cell to connecting the adjacent light emitting cell 100 to form the light emitting semiconductor layer 20, and then, each It has to be connected to the electrode exposed between them in a predetermined wiring (70). 이뿐만 아니라 브리지(Bridge) 공정 또는 스탭 커버리지(Step Coverage) 등의 공정을 통해 각기 인접한 발광 셀(100)의 제 1 전극/전극패턴(30/50)과 제 2 전극(60)간을 전기적으로 연결하는 도전성 배선(70)을 형성한다. In addition to this the electrical bridge (Bridge) process or a staff coverage (Step Coverage) including the step of respectively adjacent light emitting cell 100, a first electrode / electrode pattern (30/50) and the second electrode 60 through the inter- to form the conductive wiring 70 for connection.

상술한 브리지 공정은 에어브리지 공정이라고도 하며, 서로 연결할 칩 간에 포토 공정을 이용해 감광액을 도포하고 현상하여 감광막 패턴을 형성하고, 그 위에 금속 등의 물질을 진공 증착등의 방법으로 먼저 박막으로 형성하고, 다시 그 위에 도금 또는 금속증착등의 방법으로 금을 포함하는 도전성 물질을 일정 두께로 도포한다. The above-described bridge process is also known as an air bridge process, and forming a photoresist pattern by applying a photoresist and developed using a photo process between each other to connect the chip to form a material, such as that on the metal as the first thin film by a method such as vacuum vapor deposition, again applying a conductive material containing gold, for example by coating or a metal deposited thereon to a predetermined thickness. 이후, 솔벤트등의 용액으로 감광막 패턴을 제거하면 도전성 물질의 하부는 다 제거되고 브리지 형태의 도전성 물질 만이 공간에 형성된다. Then, by removing the photoresist pattern with a solution of a solvent such as a lower portion of the conductive material is removed is formed in the conductive material of the bridge forms the only space.

또한, 스텝커버리지 공정은 서로 연결할 칩 간에 포토공정을 이용해 감광액을 도포하고, 현상하여 서로 연결될 부분만을 남기고 다른 부분은 감광막 패턴으로 뒤덮고, 그 위에 도금 또는 금속증착 등의 방법으로 금을 포함하는 도전성 물질을 일정두께로 도포한다. In addition, the conductive material containing gold by methods such as step coverage step is a step using a photo process between each other to connect the chip to leave only a portion coated with photoresist and the developer to be associated with different parts covering the photosensitive film pattern, the above plating or metal deposition a is coated to a predetermined thickness. 이어서, 솔벤트 등의 용액으로 감광막 패턴을 제거하면 도전성 물질이 덮인 이외의 부분은 다 제거되고 이 덮혀진 부분 만이 남아 연결할 칩 사이를 전기적으로 연결시키는 역할을 하게 되다. Then, by removing the photoresist pattern with a solution of a solvent such as a non-covered portion is a conductive material is to be removed, and the role of electrical connection between only the binary covered parts remain connected to the chip. 또한, 상기의 배선으로는 금속뿐만 아니라 전도성을 갖는 모든 물질들을 사용할 수 있다. Further, in the above-described wiring may use any material having conductivity as well as metal.

본 발명의 발광 소자 일단부에 위치한 발광 셀(100)의 제 1 전극(30)과 접속해 있는 전극 패턴(50)과 제 2 전극(60) 각각에 별도의 패드(즉, 외부 단자 전극)를 형성하여 외부로 부터 소정의 전원을 입력받을 수 있도록 한다. A separate pad (that is, external terminal electrodes) to the first electrode 30 and to the electrode pattern 50 and the second electrode 60, which connect each of the light emitting cells 100 located in the light-emitting element one end of the Invention formed so that from the outside can be input to a predetermined power.

그리고 본 발명의 발광 소자를 구성하는 수직형 발광 셀(100)의 개수는 교류 구동이 가능한 전압의 숫자 만큼 형성하는 것이 효과적이다. Incidentally, the number of vertical light emitting cells 100 constituting the light-emitting device of the present invention, it is effective to form as long as the number of the alternating voltage driving possible. 즉, 본 발명에서는 단일 발광 셀(100)을 구동하기 위한 전압/전류와 조명용 발광소자에 인가되는 교류 구동전압에 따라 직렬 접속되는 발광 셀(100)의 개수가 매우 다양할 수 있다. That is, in the present invention may be the number of light emitting cells 100 connected in series in accordance with the AC drive voltage applied to the voltage / current and the illumination light emitting element for driving a single light emitting cell 100 vary. 물론 바람직하게는 10 내지 1000개의 발광 셀을 직렬 접속한다. As well as preferably connected in series to the light emitting cells 10 to 1,000. 더욱 바람직하게는 30 내지 70개의 셀을 직렬 접속하는 것이 효과적이다. It is effective to further preferably connected in series to a 30 to 70 cells. 예를 들어, 가정용 220V 교류 구동에서는 일정 구동 전류에 3.3V 짜리 단위 발광 다이오드 셀을 66 내지 67개를 직렬로 연결하여 발광 소자를 제작한다. For example, in a household 220V AC driving by connecting a 66 to 67-old a 3.3V light emitting diode unit cell in series, to produce a constant drive current to the light emitting element. 또한, 110V 교류 구동에서는 일정 구동 전류에 3.3V 짜리 단위 발광 다이오드 셀을 33 내지 34개를 직렬로 연결하여 발광 소자를 제작한다. In 110V AC driving by connecting a 33 to 34-old a 3.3V light emitting diode unit cell in series, to produce a constant drive current to the light emitting element.

또한, 상술한 발광 소자는 외부 교류전압을 정류하기 위한 정류용 제 1 내지 제 4 다이오드(미도시)가 형성될 수 있다. In addition, a light-emitting device described above may be formed in the first to fourth rectifier diode (not shown) for for rectifying the external AC voltage. 제 1 내지 제 4 다이오드는 정류 브리지형태로 배열된다. First to fourth diodes are arranged as a rectifier bridge form. 제 1 내지 제 4 다이오드간의 정류 노드들이 각기 발광 셀의 N형 패드와 P형 패드에 접속될 수 있다. The pad may be connected to the N-type and P-type pads of first to fourth rectifying diodes between the nodes to the light emitting cells, respectively. 상기 제 1 내지 제 4 다이오드로 발광 셀을 사용할 수 있다. The first to the light emitting cells can be used as the fourth diode. 이에 관해서는 후술하도록 한다. This is to be described later.

이하 소정의 회로 개념도를 통해 본 발명의 발광 소자에 관해 설명한다. Hereinafter will be described a device of the present invention through a predetermined circuit schematic diagram.

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도이다. 6 is a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예의 발광 소자(200)는 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100) 블록이 외부와 전기적으로 연결된다. 6, the present embodiment light emitting device 200 includes a plurality of series connected light emitting cells 100 block is connected to the external devices electrically. 도 2 내지 도 4에서 설명한 본 발명의 발광 소자(200)에 와이어 공정을 통해 N형 패드 및 P형 패드에 각기 외부 단자 전극(210 및 220)을 형성한다. Also each of the N-type pad and the P-type pad through the wire the process to the light emitting device 200 of the present invention described in Figures 2 to 4 forming the external terminal electrodes 210 and 220. 외부 단자 전극(210 및 220)은 애노드전극(210) 및 캐소드전극(220)을 지칭한다. External terminal electrodes 210 and 220 refer to the anode electrode 210 and cathode electrode 220. 이로써, 다수의 발광 셀(100)이 직렬 접속된 단일의 발광소자(200)를 제조한다. Thus, to produce a plurality of light emitting cells 100 in series single light emitting device 200 of the connection. 뿐만 아니라, 교류 구동시에도 동작할 수 있도록 별도의 제어부가 추가된 발광 소자를 제공할 수 있다. In addition, the old exchange at the same time can also provide a separate light-emitting device the control unit is added for operation.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도이다. 7 is a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 본 실시예의 발광 소자(200)는 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100)과, 발광 셀 블록과 접속되고 발광 셀(100)에 소정의 전류를 인가하기 위한 정류 브리지부(150)와 상기 정류 브리지부(150)와 접속된 외부 단자 전극들(210 및 220)을 포함한다. 7, the present embodiment light emitting device 200 includes a rectifier bridge for applying a predetermined current to the plurality of light emitting cells 100, connected to the light emitting cell block and the light emitting cells 100 connected in series part ( 150) and includes the external terminal electrodes 210 and 220 connected to the rectifier bridge 150.

본 실시예에서는 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100)이 외부의 전원과 집적 접속되지 않고, 제 1 및 제 2 외부 단자 전극(210 및 220)에 접속된 정류 브리지부(150)를 통해 외부의 전원과 전기적으로 접속된다. In this embodiment, a plurality of light emitting cells 100 connected in series is not connected to an external power source and the integrated, external through the rectifier bridge 150 connected to the first and second external terminal electrodes 210 and 220 It is connected to the power source and electrically. 상기의 정류 브리지부(150)는 제 1 외부 단자 전극(210)과 발광 셀(100)의 에노드 단자에 접속된 제 1 다이오드(D1)와, 발광 셀(100)의 에노드단자와 제 2 외부 단자 전극(220)에 접속된 제 2 다이오드(D2)와, 제 2 외부 단자 전극(220)과 발광 셀(100)의 캐소드에 접속된 제 3 다이오드(D3)와, 발광 셀(100)의 캐소드와 제 1 외부 단자 전극(210)에 접속된 제 4 다이오드(D4)를 포함하여 이루어진다. Wherein a rectifying bridge portion 150 has a first and a first diode (D1) connected to the node terminal to an external terminal electrode 210 and the light emitting cell 100, and the node terminals of the light emitting cell 100, the second of the second diode (D2), a second, a third diode (D3) and the light emitting cells 100 connected to the cathode of the external terminal electrodes 220 and the light emitting cells 100 connected to the external terminal electrode 220 It comprises a fourth diode (D4) connected to the cathode of the first external terminal electrode 210. 따라서, 정류 브리지부(150)는 교류 구동중 순방향 전압 인가시 순방향으로 정렬된 브리지 다이오드(D1 및 D3)에 의해 전류가 직렬 접속된 발광 셀(100)에 인가되고, 역방향 전압 인가시 역방향으로 정렬된 정류브리지 다이오드(D2 및 D4)에 의해 전류가 직렬 접속된 발광 셀(100)에 인가된다. Thus, the rectifier bridge 150, the AC of the driving is applied to the light emitting cell 100, the current is connected in series by the forward voltage forward the bridge diodes (D1 and D3) arranged in an applied, the reverse voltage reverse aligned in an applied a rectifying bridge diode is applied to the light emitting cell 100, the current is connected in series by (D2 and D4). 이로써, 교류전원에 상관없이 계속적으로 발광 소자(200)가 발광하게 된다. Thus, the continuously light-emitting device (200) independent of the AC power source to emit light.

또한, 외부의 전원이 정류 브리지와 직렬 접속된 발광 셀에 동시에 인가될 수도 있다. It may also be an external power source is applied at the same time the light emitting cells connected in series and the rectifier bridges.

도 8은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도이다. 8 is a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 본 실시예의 발광 소자(200)는 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100)과, 직렬 접속된 발광 셀(100) 블록에 소정의 전류를 인가하기 위한 정류 브리지부(150)와, 상기 발광 셀(100)과 정류 브리지부(150)에 각기 접속된 외부 단자 전극들(210 내지 240)을 포함한다. 8, the present embodiment light emitting device 200 includes a rectifier bridge 150, for applying a predetermined current to the plurality of light emitting cells 100 connected in series, connected in series to the light emitting cell 100 in block and includes the light emitting cell 100 and the rectifier bridge portion of the external terminal electrodes (210 to 240) each connected to 150.

본 실시예에서는 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100)이 제 2 및 제 4 외부 단자 전극(220 및 240)에 의해 외부의 전원과 직접 접속되고, 제 1 및 제 3 외부 단자 전극(210 및 230)에 접속된 정류 브리지부(15)에 의해 외부 전원과 전기적으로 접속되어 있다. In this embodiment, a plurality of light emitting the series-connected cells 100, the second and fourth are directly connected with the external power source by the external terminal electrodes (220 and 240), the first and third external terminal electrodes (210 and 230 ) it is connected to an external power source and electrically by the bridge rectifier unit 15 connected to the. 상기의 발광 셀(110)과 접속되는 전원과 정류 브리지부(150)와 접속되는 전원은 동일한 전원일 수도 있고, 각기 다른 전원일 수도 있다. Power source connected with the power source and the rectifier bridge 150 is connected to the above-mentioned light-emitting cell 110 may be a same power supply may be a different power.

상기의 정류 브리지부(150)는 제 1 외부 단자 전극(210)과 제 2 외부 단자 전극(220)사이에 접속된 제 1 다이오드(D1)와, 제 2 외부 단자 전극(220)과 제 3 외부 단자 전극(230) 사이에 접속된 제 2 다이오드(D2)와, 제 3 외부 단자 전극(230)과 제 4 외부 단자 전극(240) 사이에 접속된 제 3 다이오드(D3)와, 제 4 외부 단자 전극(240)과 제 1 외부 단자 전극(210) 사이에 접속된 제 4 다이오드(D4)를 포함하여 구성하되, 제 2 외부 단자 전극(220) 및 제 4 외부 단자 전극(240)은 각기 발광 칩(100)의 에노드 및 캐소드에 접속된다. Rectifying bridge portion 150 of the first external terminal electrode 210 and the second to the first diode (D1) connected between the external terminal electrode 220, the second external terminal electrodes 220 and the first external a second diode (D2) and a second and a third diode (D3) connected between the third external terminal electrodes 230 and the fourth external terminal electrode 240, a fourth external terminal connected to between the terminal electrode 230 electrode 240 and the first of the fourth, but comprises a diode (D4), a second external terminal electrode 220 and the fourth external terminal electrodes 240 are each a light emitting chip connected between the external terminal electrode 210 It is connected to the node and the cathode of the 100. the

본 실시예에서는 교류 전원은 정류 브리지부(150)를 통해 인가되고, 제 2 외부 단자 전극(220) 및 제 4 외부 단자 전극(240)은 외부로부터 RC필터를 연결하여 사용할 용도로 따로 마련된 것이다. In this embodiment, the AC power supply is applied through the rectifier bridge 150, a second external terminal electrode 220 and the fourth external terminal electrode 240 is provided separately for the purpose to connect and use an RC filter from the outside. 직류 전원은 발광 셀(100)에 직접 인가된다. DC power is applied directly to the light emitting cell 100. 이로써, 본 발명의 발광 소자(200)의 전체 입출력 전극 단자수는 4개가된다. Thus, the total number of input and output electrode terminals of the light emitting device 200 of the present invention is four. 이때, 2개는 교류 구동용 이고, 나미지 2개는 RC 필터를 병렬로 연결할 용도로 준비되어 있다. In this case, two are for the AC-driven, and image 2 is ready for use to connect the RC filter in parallel. RC 필터의 역활은 전류 성분중 리플 요소(Ripple Factor)를 최소화 하기 위함이다. Role of the RC filter is to minimize the ripple component (Ripple Factor) of the current component.

도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도이다. 9 is a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 실시예의 발광 소자(200)는 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100)과, 발광 셀(100)에 소정의 전류를 인가하기 위한 정류 브리지부(150)와, 상기 정류 브리지부(150)에 접속된 외부 단자 전극들(210 및 220)과, 상기 정류 브리지부(150)에 접속되고, LED 어레이의 저항을 조절하기 위한 외부 연결용 음전극(250)과 상기 발광 셀(100)에 접속된 직류용 양전극(260)을 포함한다. 9, the present embodiment light emitting device 200 is connected in series to a plurality of light emitting cells 100, the rectifier bridge 150, and the rectifier for applying a predetermined current to the light emitting cell 100, the external terminal electrodes 210 and 220 and is connected to the rectifier bridge 150, an external connection negative electrode 250 and the light emitting cell for to control the resistance of the LED array connected to the bridge portion 150 ( 100) comprises a direct current positive electrode (260) for a connection to.

도시되지는 않았지만, 본 실시예에서는 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100)의 양전극(260)과 외부 연결용 음전극(250) 사이에 저항체를 임으로 직렬 연결하여 과부하를 방지할 수 있다. Although not shown, in this embodiment, by arbitrarily connected in series a resistor between the positive electrode 260 and negative electrode 250 for external connection of a plurality of light emitting cells 100 connected in series can be prevented from being overloaded.

상기의 정류 브리지부(150)는 제 1 외부 단자 전극(210)과 외부 연결용 음전극(250)사이에 접속된 제 1 다이오드(D1)와, 외부 연결용 음전극(250)과 제 2 외부 단자 전극(220) 사이에 접속된 제 2 다이오드(D2)와, 제 2 외부 단자 전극(220)과 발광 셀(100)의 캐소드 사이에 접속된 제 3 다이오드(D3)와, 발광 셀(100)의 캐소드와 제 1 외부 단자 전극(210) 사이에 접속된 제 4 다이오드(D4)를 포함하여 구성된다. Rectifying bridge portion 150 of the includes a first diode (D1) and, external connecting the negative electrode 250 and the second external terminal electrodes connected between the first external terminal electrode 210 and negative electrode 250 for external connection the cathode of the second diode (D2), a second, a third diode (D3) and the light emitting cells 100 connected between the cathode of the external terminal electrodes 220 and the light emitting cells 100 connected between the 220 and it is configured to claim 1 comprising a fourth diode (D4) connected between the external terminal electrode 210.

도 10은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도이다. 10 is a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.

도 10을 참조하면, 본 실시예의 발광 소자(200)는 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100)과, 발광 셀(100)에 소정의 전류를 인가하기 위한 정류 브리지부(150)와, 정류 브리지부(150)와 발광 셀(100)에 각기 접속된 외부 단자 전극들(210 내지 240)과, 상기 정류 브리지부(150)에 접속된 외부 연결용 음전극(250)을 포함한다. 10, in the present embodiment light emitting device 200 is connected in series to a plurality of light emitting cells 100, the rectifier bridge 150, for applying a predetermined current to the light emitting cell 100, rectifier bridge It includes a portion 150 and the light emitting cells connected to each of the external terminal electrodes to 100 (210 to 240), and a negative electrode 250 for external connection connected to the rectifier bridge 150.

자세히 도시되지는 않았지만, 본 실시예에서는 정류브리지부(150)의 두 외부 단자(210 및 230)가 교류 전원에 연결되고 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100)이 연결된 제 2 및 제 4 외부 단자 전극(220 및 240)에는 병렬로 RC회로가 연결되어 교류 성분의 리플 요소를 최소화 하고, 외부 연결용 음전극(250)에는 직렬로 저항체를 연결하여 발광 셀(100)에 걸리는 과부하를 방지할 수 있는 특징이 있다. Although not detailed shown, the second and the fourth external terminal in this embodiment, the two external terminals (210 and 230) of the rectifier bridge 150 is coupled to the AC power source connected to the plurality of light emitting cells 100 connected in series the electrode is an RC circuit connected to, the parallel (220 and 240) to minimize the ripple component of the AC component and, connected to prevent the overload applied to the light emitting cell 100 to include resistors in series with the external connection negative electrode 250 for It is characterized.

상기의 정류 브리지부(150)는 제 1 외부 단자 전극(210)과 외부 연결용 음전극(250)사이에 접속된 제 1 다이오드(D1)와, 외부 연결용 음전극(250)과 제 3 외부 단자 전극(230) 사이에 접속된 제 2 다이오드(D2)와, 제 3 외부 단자 전극(230)과 제 4 외부 단자 전극(240) 사이에 접속된 제 3 다이오드(D3)와, 제 4 외부 단자 전극(240)과 제 1 외부 단자 전극(210) 사이에 접속된 제 4 다이오드(D4)를 포함하여 구성하되, 제 4 외부 단자 전극(240)은 발광 칩(100)의 캐소드에 접속된다. Rectifying bridge portion 150 of the includes a first diode (D1) and, external connecting the negative electrode 250 and the third external terminal electrodes connected between the first external terminal electrode 210 and negative electrode 250 for external connection 230, a second diode (D2), a third and a third diode (D3) connected between the external terminal electrode 230 and the fourth external terminal electrode 240, a fourth external terminal electrodes connected between the ( 240) and the first of the fourth, but comprises a diode (D4), a fourth external terminal electrodes (240 connected between the external terminal electrode 210) is connected to the cathode of the light emitting chip 100.

본 실시예에서는 전체 입출력 전극 단자수는 5개가 되고, 교류 전원은 정류 브리지부(150)를 통해 인가되고, 나머지 전극들은 각각 외부 연결용 음전극(250), 병렬로 RC회로가 연결되는 두 외부 단자 전극(220 및 240)으로 구성된다. In this embodiment, the total number of input and output electrode terminals are dog 5, AC power supply is applied through the rectifier bridge 150, and the other electrode are both external terminals, respectively an RC circuit connected to the external connection negative electrode 250, the parallel It consists of the electrodes (220 and 240).

상술한 바와 같이 브리지부(150)의 외부에 본 발명의 발광 칩(100)이 배치될 수도 있고, 브리지부(150) 내부에 발광 칩(100)이 배치될 수도 있다. The bridge portion may be placed light emitting chip 100 of the present invention on the outside of the unit 150, the bridge portion 150 may be placed light emitting chip 100 therein, as described above. 또한, 브리지부(150)를 사용하지 않고, 다수의 발광 칩(100)을 병렬 연결할 수도 있다. Further, without using the bridge section 150, and it may connect in parallel a plurality of the light emitting chip 100.

이하 이에 관해 좀더 구체적으로 설명한다. The hereinafter more specifically described with respect.

본 발명의 다른 일 실시예로 직렬 접속된 다수의 발광 셀로 이루어진 발광 셀 블록을 브리지부 내부 즉, 브리지부의 마주보는 접점(직렬 접점들) 사이에 접속시켜 발광 소자의 집적도를 높일 수 있고, 교류전압에서 발광 셀 블록을 구동하도록 하여 조명용 밝기를 갖는 발광 소자를 제공한다. By connecting the series connection of a plurality of light emitting cells consisting of a light emitting cell block to another embodiment of the present invention between the bridge portion inside that is, facing the contact parts of the bridge (s serial contact) it is possible to increase the degree of integration of light-emitting elements, the AC voltage to provide a light emitting device having the illumination brightness so as to drive the light emitting cell block in. 또한, 브리지부를 이용하지 않고, 적어도 2개 이상의 발광 셀 블록을 병렬 연결시켜 교류 전압에서 엇갈려가며 발광 셀 블록이 발광하도록 하여 조명용 밝기를 갖는 발광 소자를 제공한다. In addition, the bridge without using parts of the at least two or more light emitting cell block, a parallel connection to the light emitting cell block in a staggered gamyeo AC voltage to emit light provides a light emitting device having the illumination brightness.

먼저, 브리지부 내에 다수의 발광 셀이 직렬 접속된 발광 셀 블록이 형성된 발광 소자를 살펴보면 다음과 같다. First, look at the light-emitting device having a plurality of light emitting cells are connected in series to the light emitting cell block in the bridge portion as follows.

도 11은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도이다. 11 is a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100)을 포함하는 발광 셀 블록(1000)과, 직렬 접점에 상기 발광 셀 블록(1000)이 접속된 브리지 회로를 포함한다. 11, it comprises a series of a plurality of the light emitting cell block 1000 including the light emitting cell 100, the light emitting cell block 1000, a serial connection is connected to the contact bridge circuit.

브리지부는 4개의 다이오드 블록(310 내지 340)을 포함하고 있고, 제 1 및 제 2 다이오드 블록(310 및 320)은 제 1 직렬 노드(SN1)에 의해 직렬 접속되고, 제 3 및 제 4 다이오드 블록(330 및 340)은 제 2 직렬 노드(SN2)에 의해 직렬 접속된다. The bridge portion is included in the four diode blocks (310 to 340), the first and second diode blocks 310 and 320 are connected in series by the first serial nodes (SN1), the third and the fourth diode block ( 330 and 340) are connected in series by a second series node (SN2). 또한, 각기 직렬 접속된 제 1 및 제 2 다이오드 블록(310 및 320)과 제 3 및 제 4 다이오드 블록(330 및 340)은 제 1 및 제 2 병렬 노드(PN1 및 PN2)에 의해 병렬 접속된다. In addition, the series connected first and second diode blocks 310 and 320 and third and fourth diode blocks 330 and 340 each are connected in parallel by the first and second parallel node (PN1 and PN2). 여기서, 제 1 및 제 2 병렬 노드(PN1 및 PN2)는 외부의 교류전원과 접속하기 위한 소정의 전원 패드(410 및 420)에 접속된다. Here, the first and second parallel node (PN1 and PN2) is connected to a predetermined power supply pads 410 and 420 for connecting to an external AC power source.

이때, 제 1 내지 제 4 다이오드 블록(310 내지 340) 각각은 적어도 한개 이상의 다이오드(311)를 포함하여 이루어진다. In this case, the first through the fourth diode block (310 to 340) each comprise at least one or more diodes (311). 도 4에서는 2개의 발광 다이오드를 하나의 다이오드 블록으로 구성하였다. In Figure 4 was constituted by the two light-emitting diode as a diode block. 또한, 제 1 및 제 2 다이오드 블록(310 및 320) 각각은 직렬 노드에서 병렬 노드로 소정의 전류가 흐르게 하고, 제 3 및 제 4 다이오드 블록(330 및 340) 각각은 병렬 노드에서 직렬 노드로 소정의 전류가 흐르게 구성하는 것이 바람직하다. In addition, each of the first and second diode blocks 310 and 320 each of which a predetermined current to flow in serial nodes in parallel node, and the third and fourth diode blocks 330 and 340 is given in parallel nodes in series to node of it is preferable to configure the current to flow. 물론 이에 한정되지 않고 다양한 실시예가 가능하다. The present invention is not limited thereto may be various embodiments.

상술한 구성의 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자는 소정의 전원부(미도시)를 포함하여 발광 장치로써 구동한다. A light emitting device according to an embodiment of the present invention of the above-described configuration is to drive as a light emitting device including a predetermined power source (not shown). 이러한 발광 장치의 구동을 상기 도 12의 회로도를 통해 설명하면, 먼저 외부의 전원패드(410 및 420)를 통해 교류 전압이 인가되면 브리지부의 제 1 및 제 2 병렬노드(PN1 및 PN2)에 소정의 교류 전압이 인가된다. Referring to the driving of the light emitting device via the circuit diagram of Figure 12, the first on when AC voltage is applied through the external power supply pad 410 and 420 bridge portion first and second parallel node (PN1 and PN2) predetermined the AC voltage is applied. 만일, 제 1 병렬 노드(PN1)에 +전압이 인가되고, 제 2 병렬 노드(PN2)에 -전압이 인가될 경우, 전류가 제 1 병렬 노드(PN1), 제 3 다이오드 블록(330), 발광 셀 블록(1000), 제 2 다이오드 블록(320) 및 제 2 병렬 노드(PN2)를 통해 흐르게 되어 발광 셀 블록(1000)을 발광시킨다. If, first the + voltage to the parallel node (PN1) is applied to the second to the parallel node (PN2), - if the voltage is applied, the current is a first parallel node (PN1), the third diode block 330, the light emitting is caused to flow through a cell block 1000, the second diode block 320, and a second parallel node (PN2) to emit the light emitting cell block 1000. 한편, 제 1 병렬 노드(PN1)에 -전압이, 제 2 병렬 노드(PN2)에 +전압이 인가될 경우는, 전류가 제 2 병렬 노드(PN2), 제 4 다이오드 블록(340), 발광 셀 블록(1000), 제 1 다이오드 블록(310) 및 제 1 병렬 노드(PN1)를 통해 흐르게 되어 발광 셀 블록(1000)을 발광시킨다. On the other hand, the first parallel node (PN1) to-voltage, a second parallel node if the (PN2) is a + voltage, the current is the second parallel node (PN2), the fourth diode block 340, the light emitting cells block 1000, a block is caused to flow through the first diode 310 and the first parallel node (PN1) to emit the light emitting cell block 1000. 이와 같이 외부의 교류 전원의 전압 상태에 상관없이 본 실시예의 발광 소자는 외부 전원이 인가되면 계속적인 발광을 할 수 있다. Thus, in this embodiment light emitting element regardless of the voltage state of the external AC power source may be a continuous light emission when external power is applied.

다음으로, 브리지부를 이용하지 않고, 적어도 2개 이상의 발광 셀 블록(다수의 발광 셀이 직렬 접속된)을 병렬 연결시켜 제작된 발광 소자를 살펴본다. Next, the bridge does not use parts, looks at the light-emitting element formed by at least a parallel connection of (a plurality of light emitting cells are connected in series) at least two light emitting cell block.

도 12는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도이다. 12 is a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 직렬 접속된 다수의 발광 셀(100)을 포함하는 적어도 2개 이상의 발광 셀 블록(1000a 및 1000b)이 병렬 접속된다. 12, the series connected at least two or more light emitting cell block including a plurality of light emitting cells (100) (1000a and 1000b) are connected in parallel.

상기의 도 12에서는 제 1 발광 셀 블록(1000a)과 제 2 발광 셀 블록(1000b)이 제 10 및 제 20 병렬 노드(PN10 및 PN20) 사이에 병렬 접속되어 있다. In the above Fig. 12 is connected in parallel between the first light emitting cell blocks (1000a) and the second light emitting cell blocks (1000b) The tenth and parallel nodes 20 (PN10 and PN20). 제 10 및 제 20 병렬 노드(PN10 및 PN20) 각각은 제 1 및 제 2 전원 패드(410 및 420)에 접속된다. Claim 10 and 20 parallel nodes (PN10 and PN20) each of which is connected to the first and second power supply pads (410 and 420). 이때, 제 1 발광 셀 블록(1000a)의 캐소드는 제 10 병렬 노드(PN10)에 접속되고, 애노드는 제 20 병렬 노드(PN20)에 접속되며, 제 2 발광 셀 블록(1000b)의 캐소드는 제 20 병렬 노드(PN20)에 접속되고, 애노드는 제 10 병렬 노드(PN10)에 접속된다. At this time, the cathode of the first light emitting cell blocks (1000a) is connected to the 10th parallel nodes (PN10), the anode is connected to the 20th parallel nodes (PN20), the cathode of the second light emitting cell blocks (1000b) is 20 is connected to the parallel nodes (PN20), the anode is connected to the parallel nodes 10 (PN10). 이는 일 실시예일뿐, 2개 이상의 발광 셀 블록(1000)이 병렬 연결될 수도 있다. This may be connected in parallel as an example of one embodiment, two or more light emitting cell block 1000. 또한, 병렬 연결된 두개의 발광 셀 블록(1000a 및 1000b) 각각은 도 3에서 언급한 전체 발광 셀 블록(1000)의 발광 셀(100) 개수의 절반 정도의 개수의 발광 셀(100)이 포함되어 구성될 수도 있다. Further, connected in parallel two of the light emitting cell blocks (1000a and 1000b) respectively comprises a number of light emitting cells (100) of the half of the light emitting cell 100, the total number of the light emitting cell block 1000 is referred to in Figure 3 configuration It may be. 즉, 발광 소자에 포함된 발광 셀 블록(1000)내의 발광 셀이 40이면, 제 1 발광 셀 블록(1000a)내에 20개, 제 2 발광 셀 블록(1000b)내에 20개로 나누어질 수 있다. In other words, if the light emitting cells 40 in the light emitting cell block 1000 included in the light emitting element 20 in the first light emitting cell blocks (1000a), first it can be divided to 20, in the second light emitting cell blocks (1000b). 물론 제 1 및 제 2 발광 셀 블록(1000a 및 1000b)내의 발광 셀(100)의 개수는 이와 같이 한정되지 않는다. Of course, the number of first and second light emitting cell block, the light emitting cells 100 in the (1000a and 1000b) are not limited in this way. 하지만, 발광소자의 밝기의 변화를 최소화하기 위해 제 1 및 제 2 발광 셀 블록(1000a 및 1000b) 내의 발광 셀(100)의 개수가 동일한 것이 바람직하다. However, it is preferred that the number of light emitting cells 100 in the first and second light emitting cell blocks (1000a and 1000b), the same in order to minimize the change in the brightness of the light emitting element.

상술한 구성의 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 발광 소자는 소정의 전원부(미도시)를 포함하여 발광 장치로써 구동한다. A light emitting device according to another embodiment of the present invention of the above-described configuration is to drive as a light emitting device including a predetermined power source (not shown).

이러한 발광 장치의 구동을 상기 도 12의 회로도를 통해 설명하면, 먼저 외부의 전원패드(410 및 420)를 통해 교류 전압이 인가된다. Referring to the driving of the light emitting device through a circuit diagram of the Fig. 12, is first applied to the alternating-current voltage through an external power supply pads 410 and 420. 이경우 만일, 제 10 병렬 노드(PN10)에 +전압이 인가되고, 제 20 병렬 노드(PN20)에 -전압이 인가될 경우, 제 2 발광 셀 블록(1000b)이 발광하게 된다. In this case, If, 10th the + voltage to the parallel nodes (PN10) is applied, the parallel nodes 20 (PN20) - When a voltage is applied, the second light emitting cell blocks (1000b) is to emit light. 또한, 제 10 병렬 노드(PN10)에 -전압이, 제 20 병렬 노드(PN20)에 +전압이 인가될 경우, 제 1 발광 셀 블록(1000a)이 발광하게 된다. In addition, the 10th to the parallel nodes (PN10) - a voltage, 20 if the + voltage to the parallel nodes (PN20) is applied, the first light emitting cell blocks (1000a) is to emit light. 즉, 외부의 교류 전원이 발광 소자에 인가되더라도 제 1 및 제 2 발광 셀 블록(1000a 및 1000b)이 번갈아 가면서 발광하기 때문에 교류전원에서도 충분히 사용이 가능하다. That is, since the application of an external AC power is a light emitting element even when the first and second light emitting cell block going to alternately emit light (1000a and 1000b) can be sufficiently used even in the AC power supply. 또한 가정에서 사용되는 전원은 60Hz 이므로 두개의 발광 셀 블록(1000a 및 1000b)이 번갈아 가면서 발광하여도 아무런 문제가 없다. Also, a power source used in a home is not any problem even if the light emitting alternately two light emitting cell blocks (1000a and 1000b), so 60Hz.

이로써, 별도의 정류회로 없이도 교류에서 구동가능하고, 단일 셀만을 이용하기 때문에 공정을 간소화할 수 있다. Thus, drivable in alternating current without a separate rectifying circuit, it is possible to simplify the process because the use of only a single cell. 또한, 이와 같이 웨이퍼 레벨에서 다수의 발광 셀이 결합된 발광 소자를 이용하여 조명용 장치를 제조할 수 있다. Further, it is possible to manufacture a lighting apparatus in this manner using a plurality of light emitting cells are bonded at the wafer level, the light emitting element. 즉 본 발명의 발광 소자를 종래의 발광 장치에 사용할 수 있다. That is, to use the device of the present invention to the conventional light emitting device. 예를 들어 본 발명의 발광 소자의 전원 패드에 소정의 전압을 인가하는 전원부 접속시켜 발광 장치를 형성할 수 있다. For example, by connecting a power supply for applying a predetermined voltage to the power supply pad of the light emitting device of the present invention can form a light-emitting device. 상기 전원부로는 1V 내지 500V를 인가하는 장치가 가능하고, 통상적으로 가정에서 사용하는 전압 및 손전등과 같은 발광 장치에서 사용하는 전압을 발생하는 장치를 사용할 수 있다. The power supply to the apparatus may be used for generating a voltage to be used in light emitting devices, such as voltage and flashlight to an apparatus for applying a 1V to 500V available and typically used in the home. 또한, 전원 패드와 전원부 사이에는 전압강하를 위한 소정의 전압 분배부를 더 포함할 수도 있다. It is also possible to further include a predetermined voltage divider for the voltage drop between the power pad and the power source. 이와같이 본 발명의 발광 소자는 종래의 전구와 같은 조명소자를 대신할 수 있다. Thus the light emitting device of the present invention may take the place of illumination elements, such as conventional light bulbs.

상술한 제 1 내지 제 7 실시예에 따른 발광 소자는 다양한 형상의 어레이가 가능하다. A light emitting device according to the above-described first to seventh examples are possible in various forms array. 즉, 발광 소자는 다수의 발광 셀이 매트릭스 배열된 발광 셀 블록과, 발광 셀 블록의 양측면에 각기 형성된 브리지용 제 1 내지 제 4 다이오드 블록을 포함한다. That is, the light emitting device comprises a bridge in the first to fourth diode blocks each formed on both sides of the plurality of light emitting cells arranged in a matrix light emitting cell block and the light emitting cell block. 구체적으로, 제 1 및 제 3 다이오드 블록은 상기 발광 셀 블록의 일측면(좌측)에 형성되고, 제 2 및 제 4 다이오드 블록은 상기 발광 셀 블록의 다른 일 측면(우측)에 형성되었다. Specifically, the first and third diode blocks are formed on one side (left side) of the light emitting cell block, the second and fourth diode blocks formed on another side (right side) of the light emitting cell block. 이때, 만일 제 7 실시예와 같이 병렬 연결일 경우에는 전원패드(즉, 병렬노드)에 병렬 접속되고 각기 다수의 발광 셀을 포함하는 제 1 및 제 2 발광 셀 블록을 포함하되, 상기 제 1 및 제 2 발광 셀 블록내의 다수의 발광 셀들은 매트릭스 배열되어 있고, 각각의 발광 셀 블록 별로 직렬 접속되어 있다. At this time, if the case of parallel connection as shown in the seventh embodiment include, but the first and second light emitting cell block including a parallel connection and a plurality of light emitting cells each of the power supply pads (i.e., the parallel nodes), the first and first and the plurality of light emitting cells are arranged in matrix in the second light emitting cell block, it is connected in series for each light emitting cell block. 물론 이에 한정되지 않고, 전기적 연결의 편의를 위해 다양한 배치가 가능하다. The present invention is not limited to, the various arrangements are possible, for convenience of electrical connection. 이때 제 1 내지 제 4 다이오드와 발광 셀 블록간은 도 7 내지 10에서 도시된 바와 같이 연결되기 위한 별도의 패드와 같은 연결부를 가질수 있다. At this time, the to-one to the fourth diode and the light emitting cell block can have a connecting portion such as a separate pad for connection as illustrated in Figures 7 to 10.

다음으로, 이러한 발광 소자를 이용한 발광 장치에 관해 설명하면 다음과 같다. Next described, with respect to the light-emitting device using such light-emitting device as follows.

도 13은 본 발명에 따른 발광 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 13 is a conceptual diagram illustrating a light emitting device according to the invention.

본 발명의 전원부와, 다수의 발광 셀이 직렬 접속된 발광 셀 블록을 포함하는 발광 소자와, 발광 소자에 인가되는 전압 및 전류의 파형을 조절하기 위한 제어부를 포함한다. And a power supply unit of the present invention, includes a plurality of light emitting cells are connected in series with a light emitting device including a light-emitting cell block, the control unit for adjusting the waveform of the voltage and current applied to the light emitting element.

상기 도 13에서는 전원부(510)로 교류 전원이 인가되고, 제어부(520)에 구성된 병렬 RC회로와 직렬 저항체를 발광소자(200)부에 연결하는 형태로 구성된다. In the Figure 13 and the AC power supplied to the power supply section 510, and is of a type for connecting the parallel RC circuit consisting of a resistor in series with the control section 520 in the light-emitting element 200.

제어부(520)는 발광 소자(200) 내부의 발광 셀(100)과 각기 병렬 접속된 커패시터(C1) 및 제 1 저항(R1)을 포함한다. The control section 520 includes a light emitting element 200 emit light within the cell 100, and each connected in parallel to the capacitor (C1) and first resistor (R1). 발광 셀(100)과 직렬 접속된 제 2 저항(R2)을 더 포함할 수도 있다. The light emitting cell 100 and a series connection of claim may further include a second resistor (R2).

이를 도 13을 참조하여 조명용 발광 장치의 구조 및 동작에 관해 구체적으로 설명한다. This reference to FIG. 13 will be described in detail about the structure and operation of the light emitting device for illumination.

발광 소자(200)의 정류 브리지부(150)는 제 1 및 제 2 외부 단자 단자를 통해 교류 전원과 접속된다. Rectifying bridge portion 150 of the light emitting element 200 is connected to the AC power source through the first and second external terminal terminal. 제 1 및 제 2 외부 단자 단자가 접속되지 않는 정류 브리지부(150)의 두 노드 사이에 제 2 저항(R2)과 발광 셀(100)부가 직렬 접속된다. The first and second portion is a second resistor connected in series (R2) and the light emitting cells 100 between two nodes of the bridge rectifier external terminal section 150 has terminals that are not connected. 또한, 제 1 및 제 2 외부 단자가 접속되지 않는 정류 브리지부(150)의 두 노드에 제 1 커패시터(C1)와 제 1 저항(R1)이 각기 병렬 접속된다. Further, the first and second first capacitor (C1) and first resistor (R1) to the two nodes of the bridge rectifier unit 150, the external terminal is not connected are connected in parallel respectively. 즉, 직렬 접속된 제 2 저항(R2)과 발광 셀(100)부가 제 1 커패시터(C1) 및 제 1 저항(R1)과 각기 병렬 접속된다. That is, the second resistor (R2) and the light emitting cell 100, a series connecting portion is connected to the first capacitor (C1) and first resistor (R1) and respectively parallel.

따라서, 본 발광 장치에 교류 전원을 인가시키면 발광 소자(200)내의 정류 브리지부(150)를 통해 양과 음으로 구분된 전류가 발광 셀(100)부의 양방향으로 인가되고, 이로써, 순차적으로 발광을 하게 된다. Thus, when applying an alternating-current power to the light emitting device is applied to a two-way rectifier bridge 150, the positive and negative as in separated current light-emitting cells 100 parts through in the light-emitting element 200, and thereby, to the emission in sequence do. 또한, 각각 병렬로 접속된 커패시터(C1)와, 저항(R1 및 R2)으로 인해 전류의 파형이 조절된다. Further, due to the capacitor (C1) and a resistor (R1 and R2) respectively connected in parallel with the waveform of the current is adjusted.

1, 200 : 발광 소자 10 : 모체 기판 1, 200: light emitting device 10: mother board
20 : 발광 반도체층 30, 50, 60 : 전극 20: light-emitting semiconductor layer 30, 50, 60: electrode
40 : 호스트 기판 70 : 배선 40: The host substrate 70: Wiring
100 : 발광 셀 150 : 정류 브리지부 100: light-emitting cell 150: rectification bridge unit
210 내지 260 : 외부 단자 전극 210 to 260: external terminal electrode
310 내지 340 : 다이오드 블록 310 to 340: diode block
410, 420 : 전원패드 510 : 전원부 410, 420: power supply pad 510: power source
520 : 제어부 520: control unit

Claims (17)

  1. 전극 패턴들이 형성된 호스트기판; Host substrate electrode patterns are formed;
    상기 전극 패턴들에 연결되도록 상기 호스트기판 상의 상기 전극 패턴들 상에 배치되는 복수의 발광셀을 포함하며; To be connected to said electrode pattern comprises a plurality of light emitting cells is disposed on the electrode pattern on the host substrate;
    상기 복수의 발광셀에 의해 브리지부와 발광셀 어레이부가 구성되며, The bridge portion and the light emitting cell array part is configured by the plurality of light emitting cells,
    상기 브리지부는 적어도 하나의 발광셀을 포함하는 4개의 발광셀 블록을 포함하고, The bridge unit may include four light emitting cell block, including at least one light emitting cell,
    상기 발광셀 어레이부는 상기 브리지부의 내부에 형성되고 적어도 하나의 발광셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자. It said light emitting cell array unit light-emitting element comprising the formation and at least one of the light emitting cells within the bridge portion.
  2. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 발광셀 어레이부의 일단에 있는 발광셀의 제 1 전극이 상기 브리지부 내 4개의 발광셀 블록중 제 1 발광셀 블록 및 제 2 발광셀 블록내 발광셀의 제 2 전극에 접속되며, And a first electrode of the light emitting cells in the one end of the light emitting cell array section is connected to the second electrode of the light emitting cells within the bridge portion within the four light emitting cell block of the first light emitting cell block and the second light emitting cell block,
    상기 발광셀 어레이부의 타단에 있는 발광셀의 제 2 전극이 상기 브리지부 내 4개의 발광셀 블록중 제 3 발광셀 블록 및 제 4 발광셀 블록내 발광셀의 제 1 전극에 접속됨을 특징으로 하는 발광소자. Light emission, characterized in that the second electrode of the light emitting cells in the other end of the light emitting cell array portion is the bridge portion within the four light emitting cell block of the third light emitting cell block and the fourth light emitting cell block connected to the first electrode within the light emitting cells device.
  3. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 발광셀 어레이부의 일단에 있는 발광셀의 제 1 전극이 상기 브리지부 내 4개의 발광셀 블록중 제 1 발광셀 블록 및 제 2 발광셀 블록내 발광셀의 제 2 전극에 접속되는 제 1 접점과, First contacts the first electrode of the light emitting cells in the one end of the light emitting cell array section is connected to the second electrode within the light emitting cells the bridge portion within the four light emitting cell block of the first light emitting cell block and the second light emitting cell block and ,
    상기 발광셀 어레이부의 타단에 있는 발광셀의 제 2 전극이 상기 브리지부 내 4개의 발광셀 블록중 제 3 발광셀 블록 및 제 4 발광셀 블록내 발광셀의 제 1 전극에 접속되는 제 2 접점이 기판상에서 서로 대향하여 배치됨을 특징으로 하는 발광소자. The second electrode is a second contact connected to the first electrode within the light emitting cells the bridge portion within the four light emitting cell block of the third light emitting cell block and the fourth light emitting cell block of the light-emitting cells in the other end of the light emitting cell array portion is a light emitting device, characterized by disposed opposite to each other on the substrate.
  4. 제 2 항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 제 1 발광셀 블록 및 제 3 발광셀 블록 사이에 제 3 접점과, And a third contact point between the first light emitting cell block and the third light emitting cell block,
    상기 제 2 발광셀 블록 및 제 4 발광셀 블록 사이에 제 4 접점을 구비하며, Includes a fourth contact point between the second light emitting cell block and the fourth light emitting cell block,
    상기 제 3 접점과 제 4 접점은 기판상에서 서로 대향하여 배치됨을 특징으로 하는 발광소자. A light emitting device according to claim arranged to the third contact and the fourth contact point are opposed to each other on the substrate.
  5. 제 4 항에 있어서, 5. The method of claim 4,
    외부의 교류전원과 접속하기 위한 2개의 전원패드를 추가로 구비함을 특징으로 하는 발광소자. Light-emitting device characterized in that it comprises two additional power pad for connecting an external AC power source and.
  6. 제 5 항에 있어서, 6. The method of claim 5,
    상기 제 3 접점 및 제 4 접점이 상기 2개의 전원패드에 접속됨을 특징으로 하는 발광소자. A light emitting element, characterized in that the third contact and the fourth contact is connected to the two power supply pad.
  7. 제 1 항에 있어서, According to claim 1,
    상기 발광셀 어레이부는 복수의 발광셀이 직렬 연결된 것임을 특징으로 하는 발광소자. A light emitting element, characterized in the light emitting cell array section that a plurality of light emitting cells connected in series.
  8. 전극 패턴들이 형성된 호스트기판; Host substrate electrode patterns are formed;
    상기 전극 패턴들에 연결되도록 상기 호스트기판 상의 상기 전극 패턴들 상에 배치되는 복수의 발광셀을 포함하며; To be connected to said electrode pattern comprises a plurality of light emitting cells is disposed on the electrode pattern on the host substrate;
    상기 복수의 발광셀에 의해 브리지부와 발광셀 어레이부가 구성되며, The bridge portion and the light emitting cell array part is configured by the plurality of light emitting cells,
    상기 발광셀 어레이부는 상기 복수의 발광셀 중 적어도 하나의 발광셀을 포함하되 상기 브리지부의 내측에 형성되고, Said light emitting cell array portion comprising at least one light emitting cell of the light emitting cell of the plurality being formed on an inside of the bridge portion,
    상기 브리지부는 상기 발광셀 어레이부에 대해 외곽에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광소자. It said bridge portion, characterized in that the light emitting element disposed on the outer portion for the light emitting cell array.
  9. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8,
    상기 브리지부는 제 1 발광셀 블록, 제 2 발광셀 블록, 제 3 발광셀 블록 및 제 4 발광셀 블록을 포함함을 특징으로 하는 발광소자. Light-emitting device, characterized in that said bridge portion includes a first light emitting cell block, the second light emitting cell block, and the third light emitting cell block and the fourth light emitting cell block.
  10. 제 9 항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 발광셀 어레이부의 일단에 있는 발광셀의 제 1 전극이 상기 브리지부 내 4개의 발광셀 블록중 제 1 발광셀 블록 및 제 2 발광셀 블록내 발광셀의 제 2 전극에 접속되며, And a first electrode of the light emitting cells in the one end of the light emitting cell array section is connected to the second electrode of the light emitting cells within the bridge portion within the four light emitting cell block of the first light emitting cell block and the second light emitting cell block,
    상기 발광셀 어레이부의 타단에 있는 발광셀의 제 2 전극이 상기 브리지부 내 4개의 발광셀 블록중 제 3 발광셀 블록 및 제 4 발광셀 블록내 발광셀의 제 1 전극에 접속됨을 특징으로 하는 발광소자. Light emission, characterized in that the second electrode of the light emitting cells in the other end of the light emitting cell array portion is the bridge portion within the four light emitting cell block of the third light emitting cell block and the fourth light emitting cell block connected to the first electrode within the light emitting cells device.
  11. 제 10 항에 있어서, 11. The method of claim 10,
    상기 발광셀 어레이부의 일단에 있는 발광셀의 제 1 전극이 상기 브리지부 내 4개의 발광셀 블록중 제 1 발광셀 블록 및 제 2 발광셀 블록내 발광셀의 제 2 전극에 접속되는 제 1 접점과, First contacts the first electrode of the light emitting cells in the one end of the light emitting cell array section is connected to the second electrode within the light emitting cells the bridge portion within the four light emitting cell block of the first light emitting cell block and the second light emitting cell block and ,
    상기 발광셀 어레이부의 타단에 있는 발광셀의 제 2 전극이 상기 브리지부 내 4개의 발광셀 블록중 제 3 발광셀 블록 및 제 4 발광셀 블록내 발광셀의 제 1 전극에 접속되는 제 2 접점이 기판상에서 서로 대향하여 배치됨을 특징으로 하는 발광소자. The second electrode is a second contact connected to the first electrode within the light emitting cells the bridge portion within the four light emitting cell block of the third light emitting cell block and the fourth light emitting cell block of the light-emitting cells in the other end of the light emitting cell array portion is a light emitting device, characterized by disposed opposite to each other on the substrate.
  12. 제 10 항에 있어서, 11. The method of claim 10,
    상기 제 1 발광셀 블록 및 제 3 발광셀 블록 사이에 제 3 접점과, And a third contact point between the first light emitting cell block and the third light emitting cell block,
    상기 제 2 발광셀 블록 및 제 4 발광셀 블록 사이에 제 4 접점을 구비하며, Includes a fourth contact point between the second light emitting cell block and the fourth light emitting cell block,
    상기 제 3 접점과 제 4 접점은 기판상에서 서로 대향하여 배치됨을 특징으로 하는 발광소자. A light emitting device according to claim arranged to the third contact and the fourth contact point are opposed to each other on the substrate.
  13. 제 12 항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    외부의 교류전원과 접속하기 위한 2개의 전원패드를 추가로 구비함을 특징으로 하는 발광소자. Light-emitting device characterized in that it comprises two additional power pad for connecting an external AC power source and.
  14. 제 13 항에 있어서, 14. The method of claim 13,
    상기 제 3 접점 및 제 4 접점이 상기 2개의 전원패드에 접속됨을 특징으로 하는 발광소자. A light emitting element, characterized in that the third contact and the fourth contact is connected to the two power supply pad.
  15. 제 9 항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 제 1 발광셀 블록과 상기 제 3 발광셀 블록이 하나의 쌍을 이루고 상기 제 2 발광셀 블록 및 상기 제 4 발광셀 블록이 다른 쌍을 이뤄 기판상에서 대향하여 배치됨을 특징으로 하는 발광소자. A light emitting device according to claim arranged to the first light emitting cell block and the second light emitting cell blocks constitute a single pair of the third and the second light emitting cell block and the fourth light emitting cell block to face on the substrate accomplished the other pair.
  16. 제 15 항에 있어서, 16. The method of claim 15,
    상기 제 1 발광셀 블록 및 제 3 발광셀 블록이 기판의 동일변에 배치되며, Is disposed on the same side of the first light emitting cell block and the third light emitting cell block substrate,
    상기 제 2 발광셀 블록 및 제 4 발광셀 블록이 기판의 다른 동일변에 배치됨을 특징으로 하는 발광소자. Light emitting elements disposed on the other, characterized by the same side of the second light emitting cell block and the fourth light emitting cell block substrate.
  17. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8,
    상기 발광셀 어레이부는 복수의 발광셀이 직렬 연결된 것임을 특징으로 하는 발광소자. A light emitting element, characterized in the light emitting cell array section that a plurality of light emitting cells connected in series.
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