KR101212700B1 - Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제 1 기판 상에 서로 교차하여 표시영역 내에 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과; 상기 제 1 기판의 상기 화소영역에 위치하는 구동박막트랜지스터와; 상기 구동박막트랜지스터에 연결된 전원배선과; 상기 제 1 기판의 비표시영역에 위치하고, 상기 전원배선과 연결되는 전원전달배선과; 제 2 기판 상에 위치하고, 상기 전원전달배선과 연결되는 보조전원전달배선과; 상기 구동박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.The present invention provides a semiconductor device comprising: a gate wiring and a data wiring crossing each other on a first substrate to define a pixel area in a display area; A driving thin film transistor positioned in the pixel region of the first substrate; A power wiring connected to the driving thin film transistor; A power transfer wiring located in the non-display area of the first substrate and connected to the power wiring; An auxiliary power supply wiring located on a second substrate and connected to the power delivery wiring; Provided is an organic light emitting display device including an organic light emitting diode connected to the driving thin film transistor.

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same}Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same {Organic electroluminescent display device and method of fabricating the same}

도 1은 종래의 유기전계발광소자의 화소를 도시한 회로도. 1 is a circuit diagram showing a pixel of a conventional organic light emitting display device.

도 2는 종래의 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 도면.2 is a view schematically showing a conventional organic light emitting display device.

도 3과 4는 각각 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 어레이기판과 유기발광기판을 도시한 평면도.3 and 4 are plan views showing an array substrate and an organic light emitting substrate of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, respectively.

도 5와 6은 각각 도 3과 4의 절단선 "A-A"와 "B-B"를 따라 도시한 단면도.5 and 6 are cross-sectional views taken along cut lines "A-A" and "B-B" of FIGS. 3 and 4, respectively.

도 7a 내지 7c는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자용 어레이기판을 제조하는 방법을 도시한 단면도.7A to 7C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 8a 내지 8c는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자용 유기발광기판을 제조하는 방법을 도시한 단면도.8A to 8C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting substrate for an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 9 내지 11은 본발명의 실시예가 적용된 다양한 구조의 유기전계발광소자를 도시한 개략도.9 to 11 are schematic views showing organic light emitting diodes having various structures to which embodiments of the present invention are applied.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >Description of the Related Art

210 : 제 2 기판 220 : 제 1 전극210: second substrate 220: first electrode

241 : 제 1 격벽 243 : 제 2 격벽241: first partition 243: second partition

261 : 제 2 전극 263 : 보조전원전달배선261: second electrode 263: auxiliary power transmission wiring

271 : 화소연결패턴 273 : 전원연결패턴271: pixel connection pattern 273: power connection pattern

본 발명은 유기전계발광소자(Organic electroluminescent display device : OELD)에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 듀얼패널타입(dual-panel type) 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic electroluminescent display device (OELD), and more particularly, to a dual-panel type organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same.

최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기전계발광소자와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있다. Until recently, CRT (cathode ray tube) was mainly used as a display device. However, recently, flat panel display devices such as plasma display panels (PDPs), liquid crystal display devices (LCDs), and organic light emitting diodes, which can replace CRTs, have been widely studied and used.

위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기전계발광소자는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량박형이 가능하다. 그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대조비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하다. 또한, 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용온도범위도 넓으며, 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다. 특히, 액정표시장치나 플라즈마 표시장치와 달리, 공정이 매우 단순한데, 예를 들면, 증착 및 봉지(encapsulation) 공정이 대부분이라고 할 수 있다. Among the flat panel display devices as described above, the organic light emitting display device is a self-light emitting device, and since the backlight used in the liquid crystal display device, which is a non-light emitting device, is not necessary, it is possible to be light and thin. In addition, the viewing angle and contrast ratio are superior to those of the liquid crystal display, and are advantageous in terms of power consumption. In addition, DC low voltage driving is possible, the response speed is fast, and the internal component is solid, so it is resistant to external shock, the use temperature range is wide, and in particular, it has a low cost in terms of manufacturing cost. In particular, unlike a liquid crystal display or a plasma display, the process is very simple. For example, the deposition and encapsulation processes are mostly.

도 1은 종래의 유기전계발광소자의 화소를 도시한 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a pixel of a conventional organic light emitting display device.

도 1에 도시한 바와 같이, 화소의 스위칭박막트랜지스터(TS)는 게이트배선 및 데이터배선(GL, DL)과 연결되어 있다. 구동박막트랜지스터(TD)는 전원배선(VSSL)과 연결되어 있다. 커패시터(C)는 구동박막트랜지스터(TD)의 소스 및 게이트전극과 연결되어 있다. 유기발광다이오드(E)는 구동박막트랜지스터(TD)의 드레인전극에 연결되어 있다. As illustrated in FIG. 1, the switching thin film transistor T S of the pixel is connected to the gate line and the data line GL and DL. The driving thin film transistor T D is connected to the power supply line V SS L. The capacitor C is connected to the source and gate electrode of the driving thin film transistor T D. The organic light emitting diode E is connected to the drain electrode of the driving thin film transistor T D.

도 1에서는 N타입의 박막트랜지스터가 사용되므로, 저전압(VSS)전원이 구동박막트랜지스터에 인가되고, 고전압(VDD)전원은 유기발광다이오드(E)의 양극(anode)에 인가된다. 구동박막트랜지스터(TD)의 구동에 의해, 저전압(VSS)전원이 유기발광다이오드(E)에 인가되어, 유기발광다이오드(E)는 발광하게 된다.In FIG. 1, since an N type thin film transistor is used, a low voltage (V SS ) power is applied to the driving thin film transistor, and a high voltage (V DD ) power is applied to the anode of the organic light emitting diode (E). By driving the driving thin film transistor T D , a low voltage V SS power is applied to the organic light emitting diode E, and the organic light emitting diode E emits light.

유기전계발광소자에는 다수의 화소가 매트릭스 형태로 배치되어 있다. 따라서, 다수의 화소에 위치하는 유기발광다이오드를 정상적으로 발광하기 위해서는, 전체적으로 균일한 전원이 공급될 필요가 있다. 이를 위해, 전원배선에 전원을 전달하기 위한 전원공급배선이 유기전계발광소자의 양측에 구성된 듀얼뱅크구조(dual bank structure)가 제안되었다.In the organic light emitting diode, a plurality of pixels are arranged in a matrix form. Therefore, in order to normally emit light of the organic light emitting diodes positioned in the plurality of pixels, it is necessary to supply a uniform power as a whole. To this end, a dual bank structure has been proposed in which a power supply wiring for delivering power to the power wiring is formed on both sides of the organic light emitting diode.

도 2는 종래의 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 도면이다.2 is a view schematically showing a conventional organic light emitting display device.

도 2에 도시한 바와 같이, 유기발광소자(10)에는 영상을 표시하기 위한 표시영역(DR)과, 그 주변의 비표시영역(NR)이 정의되어 있다. 표시영역(DR)에는 다수의 화소가 매트릭스 형태로 배치되어 있다.As shown in FIG. 2, the organic light emitting diode 10 defines a display area DR for displaying an image and a non-display area NR around the display area DR. In the display area DR, a plurality of pixels are arranged in a matrix form.

각 화소에 전원을 공급하기 위해, 다수의 전원배선(VSSL)이 세로방향으로 연장되어 있다. 다수의 전원배선(VSSL)의 양끝단 각각에는, 전원배선(VSSL)에 전압전원을 전달하기 위한, 듀얼뱅크구조의 전원전달배선(VSSPL)이 가로방향으로 연장되어 있다. In order to supply power to each pixel, a plurality of power supply wirings V SS L extend in the vertical direction. Number has a extends in the both ends, the stage, respectively, the power source wiring (V SS L) for delivering a voltage source, power delivery wiring the dual bank structure (V SS PL) is transverse to the electrical supply lines (V SS L).

전원전달배선(VSSPL)의 전원입력단에서 입력된 저전압(VSS)전원은, 전원전달배선(VSSPL)을 통해 전원배선(VSSL)에 전달된다. 전원배선(VSSL)에 전달된 전원은, 각 화소의 구동박막트랜지스터에 인가된다.The low voltage input from the power input end of the power transmission wire (V SS PL) (V SS ) power is transmitted to the power line (V SS L) through the power transmission wire (V SS PL). The power delivered to the power supply wiring V SS L is applied to the driving thin film transistor of each pixel.

그런데, 전원전달배선의 저항에 의해, 전원전달배선을 따라 전압의 변화가 발생하게 된다. 즉, 저전압전원이 입력되는 경우에, 전원입력단에서 멀어질수록, 전원전달배선에서의 전압이 상승하게 되는 전압라이즈(voltage rise) 현상이 발생하게 된다. 이처럼, 전원전달배선을 따라 전압은 불균일한 분포를 보이게 되어, 화소들에 공급되는 전압은 균일하지 못하게 된다. 이는, 유기발광소자의 휘도 불균일을 초래하게 된다.However, the resistance of the power supply wiring causes a change in voltage along the power supply wiring. That is, when a low voltage power source is input, a voltage rise phenomenon occurs in which the voltage on the power transmission line increases as the distance from the power source input terminal increases. In this way, the voltage is unevenly distributed along the power supply wiring, so that the voltage supplied to the pixels is not uniform. This results in luminance unevenness of the organic light emitting element.

위와 같은 현상을 개선하기 위해, 전원전달배선을 저저항물질로 형성하거나, 전원전달배선의 두께 또는 선폭을 증가시킬 수 있다. 그러나, 이와 같은 경우에도, 재료적인 한계나, 비표시영역의 면적 증가, 또는 공정불량의 증가 등과 같은 문제가 발생될 수 있다.In order to improve the above phenomenon, the power transmission wiring may be formed of a low resistance material, or the thickness or line width of the power transmission wiring may be increased. However, even in this case, problems such as material limitations, an increase in the area of the non-display area, or an increase in process defects may occur.

본 발명은, 전술한 바와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 고품위의 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는 데 목적이 있다. The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide a high quality organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same.

전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 제 1 기판 상에 서로 교차하여 표시영역 내에 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과; 상기 제 1 기판의 상기 화소영역에 위치하는 구동박막트랜지스터와; 상기 구동박막트랜지스터에 연결된 전원배선과; 상기 제 1 기판의 비표시영역에 위치하고, 상기 전원배선과 연결되는 전원전달배선과; 제 2 기판 상에 위치하고, 상기 전원전달배선과 연결되는 보조전원전달배선과; 상기 구동박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 포함하는 유기전계발광소자를 제공한다.In order to achieve the object as described above, the present invention includes a gate wiring and a data wiring crossing each other on the first substrate to define a pixel region in the display area; A driving thin film transistor positioned in the pixel region of the first substrate; A power wiring connected to the driving thin film transistor; A power transfer wiring located in the non-display area of the first substrate and connected to the power wiring; An auxiliary power supply wiring located on a second substrate and connected to the power delivery wiring; Provided is an organic light emitting display device including an organic light emitting diode connected to the driving thin film transistor.

상기 유기발광다이오드는, 상기 제 2 기판 상에 형성될 수 있다.The organic light emitting diode may be formed on the second substrate.

상기 제 1, 2 기판 사이에 위치하여, 상기 유기발광다이오드와 상기 구동박막트랜지스터를 연결하는 화소연결패턴과; 상기 제 1, 2 기판 사이에 위치하여, 상기 보조전원전달배선과 상기 전원전달배선을 연결하는 전원연결패턴을 더욱 포함할 수 있다.A pixel connection pattern positioned between the first and second substrates to connect the organic light emitting diode to the driving thin film transistor; Located between the first and second substrates, it may further include a power connection pattern for connecting the auxiliary power transfer wiring and the power transfer wiring.

상기 화소연결패턴과 상기 전원연결패턴은 동일한 물질로 이루어질 수 있다.The pixel connection pattern and the power connection pattern may be made of the same material.

상기 제 2 기판 상에 형성된 제 1, 2 격벽을 더욱 포함하고, 상기 제 1 격벽은 상기 이웃하는 화소영역 사이에 위치하고, 상기 보조전원전달배선은 상기 제 2 격벽 사이에 위치할 수 있다.The display device may further include first and second barrier ribs formed on the second substrate, wherein the first barrier ribs are positioned between the neighboring pixel regions, and the auxiliary power transfer wiring is positioned between the second barrier ribs.

상기 유기전계발광소자는, 상기 제 2 기판 상의 표시영역 및 비표시영역에 위치하는 제 1 전극과; 상기 제 1 전극 상에 위치하고, 상기 제 1 격벽 내에 위치하는 유기발광층과; 상기 유기발광층 상에 위치하고, 상기 제 1 격벽 내에 위치하는 제 2 전극을 포함할 수 있다.The organic light emitting diode includes: a first electrode positioned in a display area and a non-display area on the second substrate; An organic light emitting layer on the first electrode and positioned in the first partition wall; Located on the organic light emitting layer, it may include a second electrode located in the first partition.

상기 제 2 격벽은 상기 제 1 전극 상에 위치할 수 있다.The second partition wall may be located on the first electrode.

상기 제 2 격벽 사이에 위치하고, 상기 제 1 전극과 보조전원전달배선 사이에 위치하는 보조유기발광층을 더욱 포함할 수 있다.It may further include an auxiliary organic light emitting layer positioned between the second partition wall and positioned between the first electrode and the auxiliary power transmission wiring.

상기 전원전달배선을 노출하는 전원콘택홀을 갖는 보호층을 더욱 포함하고, 상기 전원전달배선은 상기 전원콘택홀을 통해 상기 전원연결패턴과 접촉할 수 있다.The display device may further include a protective layer having a power contact hole exposing the power transfer wiring, wherein the power transfer wiring may contact the power connection pattern through the power contact hole.

상기 전원전달배선과 상기 데이터배선은 동일층에 위치할 수 있다.The power transmission wiring and the data wiring may be located on the same floor.

상기 전원전달배선과 교차하여 상기 데이터배선과 연결되는 데이터연결배선을 더욱 포함할 수 있다.The electronic device may further include a data connection wiring crossing the power transmission wiring and connected to the data wiring.

상기 보호층은 상기 데이터배선을 노출하는 데이터콘택홀을 더욱 포함하고, 상기 데이터연결배선은 상기 데이터콘택홀을 통해 상기 데이터배선과 연결될 수 있다.The protective layer may further include a data contact hole exposing the data line, and the data connection line may be connected to the data line through the data contact hole.

다른 측면에서, 본발명은, 제 1 기판 상에 서로 교차하여 표시영역 내에 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판의 상기 화소영역에 구동박막트랜지스터를 형성하는 단계와; 상기 구동박막트랜지스터에 연결된 전원배선을 형성하는 단계와; 상기 제 1 기판의 비표시영역에 위치하고, 상기 전원배선과 연결되는 전원전달배선을 형성하는 단계와; 제 2 기판 상에 위치하고, 상기 전원전달배선과 연결되는 보조전원전달배선을 형성하는 단계와; 상기 구동박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 형성하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자 제조방법을 제공한다.In another aspect, the present invention includes forming a gate wiring and a data wiring on the first substrate to cross each other to define a pixel region in a display area; Forming a driving thin film transistor in the pixel region of the first substrate; Forming a power wiring connected to the driving thin film transistor; Forming a power transmission wiring located in the non-display area of the first substrate and connected to the power wiring; Forming an auxiliary power transmission wiring disposed on a second substrate and connected to the power transmission wiring; It provides an organic light emitting device manufacturing method comprising the step of forming an organic light emitting diode connected to the driving thin film transistor.

상기 유기발광다이오드는, 상기 제 2 기판 상에 형성될 수 있다.The organic light emitting diode may be formed on the second substrate.

상기 제 1, 2 기판 사이에 위치하여, 상기 유기발광다이오드와 상기 구동박막트랜지스터를 연결하는 화소연결패턴과, 상기 보조전원전달배선과 상기 전원전달배선을 연결하는 전원연결패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.Forming a pixel connection pattern between the first and second substrates to connect the organic light emitting diode and the driving thin film transistor; and a power connection pattern connecting the auxiliary power transmission wiring and the power transmission wiring. It may include.

상기 화소연결패턴과 상기 전원연결패턴은 동일한 단계에서 형성될 수 있다.The pixel connection pattern and the power connection pattern may be formed in the same step.

상기 제 2 기판 상에 제 1, 2 격벽을 형성하는 단계를 더욱 포함하고, 상기 제 1 격벽은 상기 이웃하는 화소영역 사이에 위치하고, 상기 보조전원전달배선은 상기 제 2 격벽 사이에 위치할 수 있다.The method may further include forming first and second barrier ribs on the second substrate, wherein the first barrier rib is positioned between the neighboring pixel regions, and the auxiliary power transmission wiring is positioned between the second barrier ribs. .

상기 유기전계발광소자를 형성하는 단계는, 상기 제 2 기판 상의 표시영역 및 비표시영역에 위치하는 제 1 전극을 형성하는 단계와; 상기 제 1 전극 상에 위치하고, 상기 제 1 격벽 내에 위치하는 유기발광층을 형성하는 단계와; 상기 유기발광층 상에 위치하고, 상기 제 1 격벽 내에 위치하는 제 2 전극을 형성하는 단계 를 포함할 수 있다.The forming of the organic light emitting display device may include forming a first electrode on a display area and a non-display area on the second substrate; Forming an organic light emitting layer on the first electrode and positioned in the first partition wall; The method may include forming a second electrode on the organic light emitting layer and positioned in the first partition wall.

상기 제 2 격벽은 상기 제 1 전극 상에 위치할 수 있다.The second partition wall may be located on the first electrode.

상기 유기발광층 형성시, 상기 제 2 격벽 사이에 위치하고, 상기 제 1 전극과 보조전원전달배선 사이에 위치하는 보조유기발광층을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.When forming the organic light emitting layer, the method may further include forming an auxiliary organic light emitting layer between the second partition wall and positioned between the first electrode and the auxiliary power transmission wiring.

상기 전원전달배선을 노출하는 전원콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계를 더욱 포함하고, 상기 전원전달배선은 상기 전원콘택홀을 통해 상기 전원연결패턴과 접촉할 수 있다.The method may further include forming a protective layer having a power contact hole exposing the power transfer wiring, wherein the power transfer wiring may contact the power connection pattern through the power contact hole.

상기 전원전달배선과 상기 데이터배선은 동일한 단계에서 형성될 수 있다.The power transmission wiring and the data wiring may be formed in the same step.

상기 전원전달배선과 교차하여 상기 데이터배선과 연결되는 데이터연결배선을 형성하는 단계를 더욱 포함할 수 있다.The method may further include forming a data connection wiring connected to the data wiring by crossing the power transmission wiring.

상기 전원콘택홀 형성시, 상기 보호층에 상기 데이터배선을 노출하는 데이터콘택홀을 형성하는 단계를 더욱 포함하고, 상기 데이터연결배선은 상기 데이터콘택홀을 통해 상기 데이터배선과 연결될 수 있다.The method may further include forming a data contact hole exposing the data line in the protective layer when the power contact hole is formed, wherein the data connection line may be connected to the data line through the data contact hole.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3과 4는 각각 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 어레이기판과 유기발광기판을 도시한 평면도이다. 도 5와 6은 각각 도 3과 4의 절단선 "A-A"와 "B-B"를 따라 도시한 단면도이다. 도 3 내지 6에 도시한 바와 같이, 본발명의 유기 전계발광소자는, 박막트랜지스터를 포함하는 어레이소자와 유기발광다이오드가 서로 다른 두 기판에 개별적으로 형성된, 듀얼패널타입(dual-panel type) 유기전계발광소자에 해당된다. 두 기판은, 내면이 서로 마주보도록 합착된다.3 and 4 are plan views illustrating an array substrate and an organic light emitting substrate of an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention, respectively. 5 and 6 are cross-sectional views taken along cut lines "A-A" and "B-B" of FIGS. 3 and 4, respectively. 3 to 6, the organic electroluminescent device of the present invention is a dual-panel type organic, in which an array element including a thin film transistor and an organic light emitting diode are separately formed on two different substrates. Corresponds to the electroluminescent device. The two substrates are bonded so that their inner surfaces face each other.

도 3과 5을 참조하면, 제 1 기판(110) 내면 상에는, 제 1 방향으로 연장된 게이트배선(121)과, 이와 교차하는 제 2 방향으로 연장된 데이터배선(154)이 위치한다. 그리고, 제 2 방향을 따라 데이터배선(154)과 이격된 전원배선(152)이 위치한다. 게이트배선(121), 데이터배선(154), 전원배선(152)은 화소영역(P)을 정의한다.3 and 5, the gate wiring 121 extending in the first direction and the data wiring 154 extending in the second direction crossing the first substrate 110 are positioned on the inner surface of the first substrate 110. The power line 152 spaced apart from the data line 154 is positioned along the second direction. The gate line 121, the data line 154, and the power line 152 define the pixel area P.

표시영역(DR) 내의 화소영역(P)에는, 게이트배선 및 데이터배선(121, 154)과 연결되는 스위칭박막트랜지스터(TS)가 위치한다. 스위칭박막트랜지스터(TS)는 구동박막트랜지스터(TD)와 연결되어 있다. In the pixel area P in the display area DR, a switching thin film transistor T S connected to the gate line and the data line 121 and 154 is positioned. The switching thin film transistor T S is connected to the driving thin film transistor T D.

스위칭박막트랜지스터(TS)는, 게이트배선(121)과 연결되는 스위칭게이트전극(123)과, 스위칭게이트전극(123) 상부에 위치하는 스위칭반도체패턴(142)과, 데이터배선(154)과 연결되는 스위칭소스전극(155)과, 스위칭소스전극(155)과 이격된 스위칭드레인전극(156)을 포함한다. The switching thin film transistor T S is connected to the switching gate electrode 123 connected to the gate wiring 121, the switching semiconductor pattern 142 disposed on the switching gate electrode 123, and the data wiring 154. And a switching drain electrode 156 spaced apart from the switching source electrode 155.

구동박막트랜지스터(TD)는, 스위칭드레인전극(156)과 연결되는 구동게이트전극(125)과, 구동게이트전극(125) 상부에 위치하는 구동반도체패턴(146)과, 전원배선(151)에 연결된 구동소스전극(157)과, 구동소스전극(157)과 이격된 구동드레인전극(158)을 포함한다. 구동게이트전극(125)는, 게이트절연막(130)에 형성된 게이트 콘택홀(133)을 통해 스위칭드레인전극(156)과 연결된다.The driving thin film transistor T D may include a driving gate electrode 125 connected to the switching drain electrode 156, a driving semiconductor pattern 146 disposed on the driving gate electrode 125, and a power wiring 151. And a driving drain electrode 158 spaced apart from the driving source electrode 157. The driving gate electrode 125 is connected to the switching drain electrode 156 through the gate contact hole 133 formed in the gate insulating layer 130.

연결전극(181)은 화소영역(P)에 형성된다. 연결전극(181)은, 보호층(170)의 연결콘택홀(175)을 통해 구동드레인전극(158)과 연결되어 있다. The connection electrode 181 is formed in the pixel region P. The connection electrode 181 is connected to the driving drain electrode 158 through the connection contact hole 175 of the protective layer 170.

비표시영역(NR)에는, 전원배선(152)에 전압전원을 전달하기 위한, 전원전달배선(151)이 제 1 방향을 따라 연장되어 있다. 전원배선(152)은 전원전달배선(151)에 분기되어 있다.In the non-display area NR, a power supply wiring 151 for transferring voltage power to the power supply wiring 152 extends along the first direction. The power supply wiring 152 is branched to the power transmission wiring 151.

데이터연결배선(183)은, 보호층(170)의 데이터콘택홀(174)을 통해, 데이터배선(154)과 연결된다. 데이터연결배선(183)은, 데이터드라이버(미도시)로부터 공급되는 데이터전압을 데이터배선(154)에 전달하게 된다. 데이터배선(154)과 전원공급배선 및 전원배선(151, 152)은 동일층에 형성되므로, 데이터연결배선(183)은 전원공급배선(151)을 가로질러, 데이터콘택홀(174)을 통해 데이터배선(154)과 연결된다. The data connection wiring 183 is connected to the data wiring 154 through the data contact hole 174 of the protective layer 170. The data connection wiring 183 transfers the data voltage supplied from the data driver (not shown) to the data wiring 154. Since the data line 154 and the power supply line and the power line 151 and 152 are formed on the same layer, the data connection line 183 crosses the power supply line 151 and the data through the data contact hole 174. It is connected to the wiring 154.

구동게이트전극(125)과 연결되고 전원배선(152)과 중첩된 스토리지전극(127)은, 전원배선(152)과 스토리지커패시터(C)를 형성하게 된다. The storage electrode 127 connected to the driving gate electrode 125 and overlapping the power wiring 152 forms the power wiring 152 and the storage capacitor C.

도 4 와 6을 참조하면, 제 2 기판(210)의 화소영역(P)에는, 유기발광다이오드(E)가 형성되어 있다.4 and 6, an organic light emitting diode E is formed in the pixel region P of the second substrate 210.

유기발광다이오드(E)는, 제 1, 2 전극(220, 261)과, 제 1, 2 전극(220, 261) 사이에 위치하는 유기발광층(251)을 포함한다.The organic light emitting diode E includes the first and second electrodes 220 and 261 and the organic light emitting layer 251 positioned between the first and second electrodes 220 and 261.

제 2 기판(210) 내면 상에는 제 1 전극(220)이 형성되어 있다. 제 1 전극(220)은 표시영역(DR) 뿐만 아니라 비표시영역(NR)까지 확장되어 형성된다.The first electrode 220 is formed on the inner surface of the second substrate 210. The first electrode 220 extends not only the display area DR but also the non-display area NR.

제 1 전극(220) 상에는, 이웃하는 화소영역을 분리하는 제 1 격벽(241)이, 화소영역(P) 사이에 형성되어 있다. 한편, 비표시영역(NR)에는, 제 1 방향을 따라 제 2 격벽(243)이 형성되어 있다. 제 1, 2 격벽 하부 각각에는, 제 1, 2 버퍼층(231, 233)이 형성되어 있다.On the 1st electrode 220, the 1st partition 241 which isolates adjacent pixel area | region is formed between pixel area P. As shown in FIG. On the other hand, the second partition 243 is formed in the non-display area NR along the first direction. First and second buffer layers 231 and 233 are formed under the first and second partition walls, respectively.

제 1 격벽(241) 내에는, 유기발광층(251)과 제 2 전극(261)이 순차적으로 형성되어 있다. 그리고, 제 2 격벽(243) 내에는, 보조유기발광층(253)과 보조전원전달배선(263)이 순차적으로 형성되어 있다. 제 1, 2 격벽(241, 243)에 의해, 유기발광물질 및 제 2 전극물질은 증착과정에서 자동적으로 격벽에 의해 분리된다. 이에 따라, 유기발광층 및 제 2 전극(251, 261)은 화소영역(P)에, 보조유기발광층 및 보조전원전달배선(253, 263)은 비표시영역(NR)에 형성된다.In the first partition 241, the organic light emitting layer 251 and the second electrode 261 are sequentially formed. In the second partition 243, the auxiliary organic light emitting layer 253 and the auxiliary power transmission wiring 263 are sequentially formed. By the first and second barrier ribs 241 and 243, the organic light emitting material and the second electrode material are automatically separated by the barrier rib during the deposition process. Accordingly, the organic light emitting layer and the second electrodes 251 and 261 are formed in the pixel region P, and the auxiliary organic light emitting layer and the auxiliary power transmission wirings 253 and 263 are formed in the non-display area NR.

보조전원전달배선(263)은, 보조유기발광층(253)에 의해 제 1 전극(220)과 전기적으로 플로팅(floating)되어 있다.The auxiliary power transfer wiring 263 is electrically floating with the first electrode 220 by the auxiliary organic light emitting layer 253.

제 2 전극(261) 상에는 화소연결패턴(271)이 형성되고, 보조전원전달배선(263) 상에는 전원연결패턴(243)이 형성된다. The pixel connection pattern 271 is formed on the second electrode 261, and the power connection pattern 243 is formed on the auxiliary power transfer wiring 263.

화소연결패턴(271)은, 제 1, 2 기판(110, 210) 사이에서, 제 2 전극 및 연결전극(261, 181)과 접촉하여, 유기발광다이오드 및 구동박막트랜지스터(E, TD)를 연결하게 된다. The pixel connection pattern 271 contacts the second electrode and the connection electrodes 261 and 181 between the first and second substrates 110 and 210 to form an organic light emitting diode and a driving thin film transistor E and T D. Will be connected.

전원연결패턴(273)은, 제 1, 2 기판(110, 210) 사이에서, 보조전원전달배선및 전원전달배선(263, 151)과 접촉하게 된다. 전원연결패턴(273)은, 보호층(170)의 전원콘택홀(173)을 통해 전원전달배선(151)과 접촉하게 된다. The power connection pattern 273 is in contact with the auxiliary power transmission wiring and the power transmission wiring 263 and 151 between the first and second substrates 110 and 210. The power connection pattern 273 is in contact with the power transmission wiring 151 through the power contact hole 173 of the protective layer 170.

화소연결패턴(271)과 전원연결패턴(273)은, 제 2 기판(210) 상에 형성될 수 있다. 한편, 화소연결패턴(271)과 전원연결패턴(273)은, 제 1 기판(110) 상에 형성될 수 있는데, 예를 들면, 화소연결패턴(271)은 연결전극(181) 상에, 전원연결패턴(273)은 전원전달배선(151) 상에 형성될 수 있다.The pixel connection pattern 271 and the power connection pattern 273 may be formed on the second substrate 210. The pixel connection pattern 271 and the power connection pattern 273 may be formed on the first substrate 110. For example, the pixel connection pattern 271 may be formed on the connection electrode 181. The connection pattern 273 may be formed on the power transmission wiring 151.

화소연결패턴(271)과 전원연결패턴(273)은, 제 1, 2 기판(110, 210) 사이의 셀갭을 유지하는 기능 또한 하게 된다.The pixel connection pattern 271 and the power connection pattern 273 also function to maintain a cell gap between the first and second substrates 110 and 210.

제 1, 2 전극(220, 261) 중 하나는 양극, 나머지 하나는 음극에 해당된다. 예를 들어, N형 박막트랜지스터가 사용되는 경우에는, 제 1, 2 전극(220, 261)은 각각 양극과 음극에 해당되고, P형 박막트랜지스터가 사용되는 경우에는, 제 1, 2 전극(220, 261)은 각각 음극과 양극에 해당된다. 양극은 음극에 비해 높은 일함수를 갖는 물질로 이루어진다. 제 1 전극(220)이 투명한 경우에 제 2 전극(261)은 불투명할 수 있고, 제 1 전극(220)이 불투명한 경우에 제 2 전극(261)은 투명할 수 있다.One of the first and second electrodes 220 and 261 corresponds to an anode and the other corresponds to a cathode. For example, when the N-type thin film transistor is used, the first and second electrodes 220 and 261 correspond to the anode and the cathode, respectively, and when the P-type thin film transistor is used, the first and second electrodes 220 are used. And 261 correspond to a cathode and an anode, respectively. The positive electrode is made of a material having a higher work function than the negative electrode. The second electrode 261 may be opaque when the first electrode 220 is transparent, and the second electrode 261 may be transparent when the first electrode 220 is opaque.

전술한 바와 같이, 본발명의 실시예에서는, 유기발광기판에 전원전달배선과 연결되는 보조전원전달배선을 형성하게 된다. 이에 따라, 전압전원을 전달하기 위한 배선의 저항이 감소되어, 전원전달배선을 따라 전압은 균일한 분포를 갖게 된다. 즉, 저전압전원을 사용하는 경우에, 전압라이즈 현상을 감소시킬 수 있다. 한편, 고전압전원을 사용하는 경우에, 전원입력단에서 멀어질수록, 전원전달배선에서의 전압이 감소하는 전압드랍(voltage drop) 현상을 감소시킬 수 있다.As described above, in the embodiment of the present invention, the auxiliary power transmission wiring connected to the power transmission wiring is formed on the organic light emitting substrate. Accordingly, the resistance of the wiring for delivering the voltage power is reduced, so that the voltage has a uniform distribution along the power transmission wiring. That is, when using a low voltage power supply, the voltage rise phenomenon can be reduced. On the other hand, in the case of using a high voltage power supply, as the distance from the power supply input terminal, the voltage drop phenomenon that the voltage in the power transmission wiring is reduced can be reduced.

또한, 보조전원전달배선을 사용함에 따라, 저항을 낮추기 위해 전원전달배선의 선폭 및 두께를 증가시키지 않아도 된다. 이에 따라, 배선의 선폭 및 두께 증가에 따른 공정불량을 감소시킬 수 있다. 그리고, 많은 수의 배선 및 패턴이 형성되는 어레이기판의 외곽부 면적을 줄일 수 있다. In addition, by using the auxiliary power transmission wiring, it is not necessary to increase the line width and thickness of the power transmission wiring in order to lower the resistance. As a result, process defects due to the increase in the line width and thickness of the wiring can be reduced. In addition, the area of the outer periphery of the array substrate on which a large number of wirings and patterns are formed can be reduced.

도 7a 내지 7c는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자용 어레이기판을 제조하는 방법을 도시한 단면도로서, 도 3의 절단선 A-A를 따라 도시한 단면도이다.7A to 7C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an array substrate for an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 7a에 도시한 바와 같이, 제 1 기판(110) 내면 상에, 제 1 금속물질을 증착하고 패터닝하여, 게이트배선(121), 스위칭게이트전극(123), 구동게이트전극(125)을 형성한다. As illustrated in FIG. 7A, a gate metal 121, a switching gate electrode 123, and a driving gate electrode 125 are formed by depositing and patterning a first metal material on an inner surface of the first substrate 110. .

다음으로, 게이트배선(121)이 형성된 제 1 기판(110) 상에 게이트절연막(130)을 형성한다. 다음으로, 게이트절연막(130)을 패터닝하여, 구동게이트전극을 노출하는 게이트콘택홀(도 3의 133)을 형성한다.Next, a gate insulating film 130 is formed on the first substrate 110 on which the gate wiring 121 is formed. Next, the gate insulating layer 130 is patterned to form a gate contact hole (133 in FIG. 3) exposing the driving gate electrode.

다음으로, 게이트절연막(130) 상에 순수비정질실리콘(a:Si-H)과 불순물이 포함된 비정질실리콘(n+ 또는 p+ a-Si:H)을 증착하고 패터닝하여, 액티브층(147)과 오믹콘택층(148)을 형성한다. 액티브층(147)과 오믹콘택층(148)은 구동반도체패턴(146)을 이루게 된다. 한편, 스위칭반도체패턴(도 3의 142) 또한 액티브층과 오믹콘택층을 갖는다. Next, pure silicon (a: Si-H) and amorphous silicon (n + or p + a-Si: H) containing impurities are deposited and patterned on the gate insulating layer 130 to form an active layer 147 and an ohmic layer. The contact layer 148 is formed. The active layer 147 and the ohmic contact layer 148 form a driving semiconductor pattern 146. Meanwhile, the switching semiconductor pattern 142 of FIG. 3 also has an active layer and an ohmic contact layer.

다음으로, 구동반도체층(146)이 형성된 제 1 기판(110)에, 제 2 금속물질을 증착하고 패터닝하여, 전원전달배선(151), 전원배선(152), 데이터배선(154), 스위 칭소스전극(155), 스위칭드레인전극(156), 구동소스전극(157), 구동드레인전극(158)을 형성한다.Next, a second metal material is deposited and patterned on the first substrate 110 on which the driving semiconductor layer 146 is formed, and thus, power supply wiring 151, power wiring 152, data wiring 154, and switching. The source electrode 155, the switching drain electrode 156, the driving source electrode 157, and the driving drain electrode 158 are formed.

다음으로, 도 7b에 도시한 바와 같이, 데이터배선(154)이 형성된 제 1 기판(110)에 보호막(170)을 형성한다. 다음으로, 보호막(170)을 패터닝하여, 전원콘택홀(173), 데이터콘택홀(174), 연결콘택홀(175)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 7B, the passivation layer 170 is formed on the first substrate 110 on which the data line 154 is formed. Next, the passivation layer 170 is patterned to form a power contact hole 173, a data contact hole 174, and a connection contact hole 175.

다음으로, 도 7c에 도시한 바와 같이, 제 3 금속물질을 증착하고 패터닝하여, 연결전극 및 데이터연결배선(181, 183)을 형성한다. Next, as illustrated in FIG. 7C, a third metal material is deposited and patterned to form connection electrodes and data connection wirings 181 and 183.

전술한 바와 같은 공정을 통해, 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자용 어레이기판을 제조하게 된다.Through the process as described above, to produce an array substrate for an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 8a 내지 8c는 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자용 유기발광기판을 제조하는 방법을 도시한 단면도로서, 도 4의 절단선 B-B를 따라 도시한 단면도이다.8A to 8C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting substrate for an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention, and are taken along cut line B-B of FIG. 4.

도 8a에 도시한 바와 같이, 제 2 기판(210) 내면 상에, 제 5 금속물질을 증착하여 제 1 전극(220)을 형성한다. 다음으로, 제 1 전극(220) 상에 제 1, 2 버퍼층(231, 233))을 형성한다. 제 1 버퍼층(231)은 화소영역(P) 사이에 형성된다. 제 2 버퍼층(233)은, 비표시영역(NR)에 형성된다.As shown in FIG. 8A, a fifth metal material is deposited on the inner surface of the second substrate 210 to form the first electrode 220. Next, first and second buffer layers 231 and 233 are formed on the first electrode 220. The first buffer layer 231 is formed between the pixel regions P. As shown in FIG. The second buffer layer 233 is formed in the non-display area NR.

다음으로, 제 1, 2 버퍼층(231, 233) 상에 각각 제 1, 2 격벽(241, 243)을 형성한다. 제 1 격벽(241)은 화소영역(P)을 분리하게 된다. 제 2 격벽(243)은 비표시영역(NR)에 형성되는데, 외측의 제 2 격벽(243)은, 제 1 전극(220)의 외측선 내에 위치한다.Next, first and second partitions 241 and 243 are formed on the first and second buffer layers 231 and 233, respectively. The first partition 241 separates the pixel region P. As shown in FIG. The second partition 243 is formed in the non-display area NR, and the outer second partition 243 is positioned in the outer line of the first electrode 220.

다음으로, 도 8b에 도시한 바와 같이, 제 1, 2 격벽(241, 243)이 형성된 제 2 기판(210) 상에 유기발광물질을 증착하여, 유기발광층(251)과 보조유기발광층(253)을 형성한다. 유기발광물질은, 제 1, 2 격벽(241, 243)에 의해 자동적으로 분리된다. 이에 따라, 제 1 격벽(241) 내부에는 유기발광층(251)이 형성되고, 제 2 격벽(243) 사이에는 보조유기발광층(253)이 형성된다.Next, as illustrated in FIG. 8B, an organic light emitting material is deposited on the second substrate 210 on which the first and second partitions 241 and 243 are formed, and the organic light emitting layer 251 and the auxiliary organic light emitting layer 253 are formed. To form. The organic light emitting material is automatically separated by the first and second partitions 241 and 243. Accordingly, the organic light emitting layer 251 is formed in the first partition 241, and the auxiliary organic light emitting layer 253 is formed between the second partitions 243.

다음으로, 유기발광층(251)이 형성된 제 2 기판(210) 상에, 제 6 금속물질을 증착하여, 제 2 전극(261)과 보조전원전달배선(263)을 형성한다. 제 6 금속물질은, 유기발광물질과 마찬가지로, 제 1, 2 격벽(241, 243)에 의해 자동적으로 분리된다. 이에 따라, 제 1 격벽(241) 내부에는 제 2 전극(261)이 형성되고, 제 2 격벽(243) 사이에는 보조전원전달배선(263)이 형성된다. Next, a sixth metal material is deposited on the second substrate 210 on which the organic light emitting layer 251 is formed to form the second electrode 261 and the auxiliary power transmission wiring 263. Like the organic light emitting material, the sixth metal material is automatically separated by the first and second partitions 241 and 243. Accordingly, the second electrode 261 is formed in the first partition 241, and the auxiliary power transmission wiring 263 is formed between the second partitions 243.

다음으로, 도 8c에 도시한 바와 같이, 제 2 전극(261)이 형성된 제 2 기판 상에 제 7 금속물질을 증착하고 패터닝하여, 화소연결패턴(271)과 전원연결패턴(273)을 형성한다. 화소연결패턴(271)은 제 2 전극(261) 상에 형성되고, 전원연결패턴(273)은 보조전원전달배선(263) 상에 형성된다. Next, as illustrated in FIG. 8C, a seventh metal material is deposited and patterned on the second substrate on which the second electrode 261 is formed, thereby forming the pixel connection pattern 271 and the power connection pattern 273. . The pixel connection pattern 271 is formed on the second electrode 261, and the power connection pattern 273 is formed on the auxiliary power transfer wiring 263.

전술한 바와 같은 공정을 통해, 본발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자용 유기발광기판을 제조하게 된다.Through the process as described above, to produce an organic light emitting substrate for an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

위와 같은 제조된 어레이기판과 유기발광기판은, 화소연결패턴이 연결전극과 접촉하고, 전원연결패턴이 전원전달배선과 접촉하도록 얼라인되어, 두 기판은 합착된다. 도시하지는 않았지만, 두 기판은, 비표시영역의 외곽을 따라 위치하는 씰패턴을 통해 합착된다.The manufactured array substrate and the organic light emitting substrate as described above are aligned so that the pixel connection pattern is in contact with the connection electrode and the power connection pattern is in contact with the power transmission wiring. Although not shown, the two substrates are bonded together through a seal pattern located along the outside of the non-display area.

도 9 내지 11은 본발명의 실시예가 적용된 다양한 구조의 유기전계발광소자를 도시한 개략도이다.9 to 11 are schematic views illustrating organic light emitting diodes having various structures to which embodiments of the present invention are applied.

도 9의 유기전계발광소자(100)는, 전원전달배선(151)이 어레이기판의 일측에 형성되어 있는 싱글뱅크(single bank)구조 유기전계발광소자이다. 전원배선(152)은 전원전달배선(153)으로부터 수직하게 분기되어, 표시영역(DR)의 화소영역에 전압전원을 공급한다. 보조전원전달배선은, 전원전달배선에 대응하여, 유기발광기판에 형성된다.The organic light emitting display device 100 of FIG. 9 is a single bank structure organic light emitting display device in which a power supply wiring 151 is formed on one side of an array substrate. The power line 152 is vertically branched from the power transfer line 153 to supply voltage power to the pixel area of the display area DR. The auxiliary power transfer wiring is formed on the organic light emitting substrate in response to the power transfer wiring.

도 10의 유기전계발광소자(100)는, 전원전달배선(151)이 어레이기판의 마주보는 양측에 형성되어 있는 듀얼뱅크구조 유기전계발광소자이다. 전원배선(152)은 양측의 전원전달배선(151)으로부터 수직하게 분기되어, 표시영역(DR)의 화소영역에 전압전원을 공급한다. 보조전원전달배선은, 전원전달배선에 대응하여, 유기발광기판에 형성된다.The organic light emitting display device 100 of FIG. 10 is a dual bank structure organic light emitting display device in which a power transmission wiring 151 is formed on both sides of an array substrate facing each other. The power line 152 is vertically branched from the power transfer lines 151 on both sides to supply voltage power to the pixel area of the display area DR. The auxiliary power transfer wiring is formed on the organic light emitting substrate in response to the power transfer wiring.

도 11의 유기전계발광소자(100)는, 전원전달배선(151)이 어레이기판의 네측 모두에 형성되어 있는 메쉬(mesh)구조 유기전계발광소자이다. 전원배선(152)은 네측의 전원전달배선(151)으로부터 수직하게 분기되어, 화소영역에 전압전원을 공급한다. 보조전원전달배선은, 전원전달배선에 대응하여, 유기발광기판에 형성될 수 있다. The organic light emitting display device 100 of FIG. 11 is a mesh structure organic light emitting display device in which a power supply wiring 151 is formed on all four sides of an array substrate. The power supply wiring 152 is vertically branched from the four power transmission wirings 151 to supply voltage power to the pixel region. The auxiliary power transfer wiring may be formed on the organic light emitting substrate in response to the power transfer wiring.

전술한 본 발명의 실시예는 본 발명의 일예로서, 본 발명의 정신에 포함되는 범위 내에서 자유로운 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명은, 첨부된 특허청구범위 및 이와 등가되는 범위 내에서의 본 발명의 변형을 포함한다.The embodiment of the present invention described above is an example of the present invention, and variations are possible within the spirit of the present invention. Accordingly, the invention includes modifications of the invention within the scope of the appended claims and their equivalents.

전술한 바와 같이, 본발명의 실시예에서는, 유기발광기판에 전원전달배선과 연결되는 보조전원전달배선을 형성하게 된다. 이에 따라, 전압전원을 전달하기 위한 배선의 저항이 감소되어, 전원전달배선을 따라 전압은 균일한 분포를 갖게 된다. As described above, in the embodiment of the present invention, the auxiliary power transmission wiring connected to the power transmission wiring is formed on the organic light emitting substrate. Accordingly, the resistance of the wiring for delivering the voltage power is reduced, so that the voltage has a uniform distribution along the power transmission wiring.

또한, 보조전원전달배선을 사용함에 따라, 저항을 낮추기 위해 전원전달배선의 선폭 및 두께를 증가시키지 않아도 된다. 따라서, 배선의 선폭 및 두께 증가에 따른 공정불량을 감소시킬 수 있다. 그리고, 많은 수의 배선 및 패턴이 형성되는 어레이기판의 외곽부 면적을 줄일 수 있다. In addition, by using the auxiliary power transmission wiring, it is not necessary to increase the line width and thickness of the power transmission wiring in order to lower the resistance. Therefore, process defects due to the increase in the line width and thickness of the wiring can be reduced. In addition, the area of the outer periphery of the array substrate on which a large number of wirings and patterns are formed can be reduced.

Claims (24)

제 1 기판 상에 서로 교차하여 표시영역 내에 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선과;A gate wiring and a data wiring crossing each other on the first substrate to define a pixel area in the display area; 상기 제 1 기판의 상기 화소영역에 위치하는 구동박막트랜지스터와;A driving thin film transistor positioned in the pixel region of the first substrate; 상기 구동박막트랜지스터에 연결된 전원배선과;A power wiring connected to the driving thin film transistor; 상기 제 1 기판의 비표시영역에 위치하고, 상기 전원배선과 연결되는 전원전달배선과;A power transfer wiring located in the non-display area of the first substrate and connected to the power wiring; 제 2 기판 상에 위치하고, 상기 전원전달배선과 연결되는 보조전원전달배선과;An auxiliary power supply wiring located on a second substrate and connected to the power delivery wiring; 상기 구동박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드An organic light emitting diode connected to the driving thin film transistor 를 포함하는 유기전계발광소자.Organic electroluminescent device comprising a. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유기발광다이오드는, 상기 제 2 기판 상에 형성된 유기전계발광소자.The organic light emitting diode is formed on the second substrate. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제 1, 2 기판 사이에 위치하여, 상기 유기발광다이오드와 상기 구동박 막트랜지스터를 연결하는 화소연결패턴과;A pixel connection pattern positioned between the first and second substrates to connect the organic light emitting diode and the driving thin film transistor; 상기 제 1, 2 기판 사이에 위치하여, 상기 보조전원전달배선과 상기 전원전달배선을 연결하는 전원연결패턴A power connection pattern positioned between the first and second substrates to connect the auxiliary power transfer wiring and the power transfer wiring; 을 더욱 포함하는 유기전계발광소자.An organic light emitting display device further comprising. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 화소연결패턴과 상기 전원연결패턴은 동일한 물질로 이루어진 유기전계발광소자.The pixel connection pattern and the power connection pattern are made of the same material. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 제 2 기판 상에 형성된 제 1, 2 격벽을 더욱 포함하고, 상기 제 1 격벽은 상기 이웃하는 화소영역 사이에 위치하고, 상기 보조전원전달배선은 상기 제 2 격벽 사이에 위치하는 유기전계발광소자.The organic light emitting device of claim 1, further comprising first and second barrier ribs formed on the second substrate, wherein the first barrier ribs are positioned between the neighboring pixel regions, and the auxiliary power transmission wiring is positioned between the second barrier ribs. 제 5 항에 있어서, 6. The method of claim 5, 상기 유기전계발광소자는, The organic light emitting device, 상기 제 2 기판 상의 표시영역 및 비표시영역에 위치하는 제 1 전극과;A first electrode positioned in the display area and the non-display area on the second substrate; 상기 제 1 전극 상에 위치하고, 상기 제 1 격벽 내에 위치하는 유기발광층과;An organic light emitting layer on the first electrode and positioned in the first partition wall; 상기 유기발광층 상에 위치하고, 상기 제 1 격벽 내에 위치하는 제 2 전극A second electrode on the organic light emitting layer and positioned in the first partition wall 을 포함하는 유기전계발광소자.Organic electroluminescent device comprising a. 제 6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제 2 격벽은 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기전계발광소자.The second partition wall is an organic light emitting device positioned on the first electrode. 제 7 항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 제 2 격벽 사이에 위치하고, 상기 제 1 전극과 보조전원전달배선 사이에 위치하는 보조유기발광층을 더욱 포함하는 유기전계발광소자.And an auxiliary organic light emitting layer disposed between the second partition walls and positioned between the first electrode and the auxiliary power transmission wiring. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 전원전달배선을 노출하는 전원콘택홀을 갖는 보호층을 더욱 포함하고, 상기 전원전달배선은 상기 전원콘택홀을 통해 상기 전원연결패턴과 접촉하는 유기전계발광소자.And a protective layer having a power contact hole exposing the power transfer wiring, wherein the power transfer wiring contacts the power connection pattern through the power contact hole. 제 9 항에 있어서, The method of claim 9, 상기 전원전달배선과 상기 데이터배선은 동일층에 위치하는 유기전계발광소자.And the power transmission line and the data line are on the same layer. 제 10 항에 있어서, 11. The method of claim 10, 상기 전원전달배선과 교차하여 상기 데이터배선과 연결되는 데이터연결배선을 더욱 포함하는 유기전계발광소자.The organic light emitting device further comprises a data connection wiring crossing the power transmission wiring and connected to the data wiring. 제 11 항에 있어서, The method of claim 11, 상기 보호층은 상기 데이터배선을 노출하는 데이터콘택홀을 더욱 포함하고, 상기 데이터연결배선은 상기 데이터콘택홀을 통해 상기 데이터배선과 연결되는 유기전계발광소자.The protective layer further includes a data contact hole exposing the data line, and the data connection line is connected to the data line through the data contact hole. 제 1 기판 상에 서로 교차하여 표시영역 내에 화소영역을 정의하는 게이트배선 및 데이터배선을 형성하는 단계와;Forming a gate line and a data line on the first substrate to cross each other to define a pixel area in the display area; 상기 제 1 기판의 상기 화소영역에 구동박막트랜지스터를 형성하는 단계와;Forming a driving thin film transistor in the pixel region of the first substrate; 상기 구동박막트랜지스터에 연결된 전원배선을 형성하는 단계와;Forming a power wiring connected to the driving thin film transistor; 상기 제 1 기판의 비표시영역에 위치하고, 상기 전원배선과 연결되는 전원전달배선을 형성하는 단계와;Forming a power transmission wiring located in the non-display area of the first substrate and connected to the power wiring; 제 2 기판 상에 위치하고, 상기 전원전달배선과 연결되는 보조전원전달배선을 형성하는 단계와;Forming an auxiliary power transmission wiring disposed on a second substrate and connected to the power transmission wiring; 상기 구동박막트랜지스터와 연결되는 유기발광다이오드를 형성하는 단계Forming an organic light emitting diode connected to the driving thin film transistor 를 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.Organic electroluminescent device manufacturing method comprising a. 제 13 항에 있어서, The method of claim 13, 상기 유기발광다이오드는, 상기 제 2 기판 상에 형성되는 유기전계발광소자 제조방법.The organic light emitting diode is a method of manufacturing an organic light emitting device is formed on the second substrate. 제 14 항에 있어서, 15. The method of claim 14, 상기 제 1, 2 기판 사이에 위치하여, 상기 유기발광다이오드와 상기 구동박막트랜지스터를 연결하는 화소연결패턴과, 상기 보조전원전달배선과 상기 전원전달배선을 연결하는 전원연결패턴을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.Forming a pixel connection pattern between the first and second substrates to connect the organic light emitting diode and the driving thin film transistor; Organic electroluminescent device manufacturing method comprising a. 제 15 항에 있어서, 16. The method of claim 15, 상기 화소연결패턴과 상기 전원연결패턴은 동일한 단계에서 형성되는 유기전계발광소자 제조방법.The pixel connection pattern and the power connection pattern are formed in the same step. 제 14 항에 있어서, 15. The method of claim 14, 상기 제 2 기판 상에 제 1, 2 격벽을 형성하는 단계를 더욱 포함하고, Further comprising forming first and second barrier ribs on the second substrate, 상기 제 1 격벽은 상기 이웃하는 화소영역 사이에 위치하고, 상기 보조전원전달배선은 상기 제 2 격벽 사이에 위치하는 유기전계발광소자 제조방법.And the first barrier rib is positioned between the neighboring pixel regions, and the auxiliary power transmission wiring is positioned between the second barrier ribs. 제 17 항에 있어서, The method of claim 17, 상기 유기전계발광소자를 형성하는 단계는,Forming the organic light emitting device, 상기 제 2 기판 상의 표시영역 및 비표시영역에 위치하는 제 1 전극을 형성하는 단계와;Forming a first electrode on the display area and the non-display area on the second substrate; 상기 제 1 전극 상에 위치하고, 상기 제 1 격벽 내에 위치하는 유기발광층을 형성하는 단계와;Forming an organic light emitting layer on the first electrode and positioned in the first partition wall; 상기 유기발광층 상에 위치하고, 상기 제 1 격벽 내에 위치하는 제 2 전극을 형성하는 단계Forming a second electrode on the organic light emitting layer and positioned in the first partition wall 를 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.Organic electroluminescent device manufacturing method comprising a. 제 18 항에 있어서, The method of claim 18, 상기 제 2 격벽은 상기 제 1 전극 상에 위치하는 유기전계발광소자 제조방법.The second partition wall is an organic light emitting device manufacturing method located on the first electrode. 제 19 항에 있어서, 20. The method of claim 19, 상기 유기발광층 형성시, 상기 제 2 격벽 사이에 위치하고, 상기 제 1 전극과 보조전원전달배선 사이에 위치하는 보조유기발광층을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.And forming an auxiliary organic light emitting layer between the second partition wall and positioned between the first electrode and the auxiliary power transmission wiring when the organic light emitting layer is formed. 제 15 항에 있어서,16. The method of claim 15, 상기 전원전달배선을 노출하는 전원콘택홀을 갖는 보호층을 형성하는 단계를 더욱 포함하고, 상기 전원전달배선은 상기 전원콘택홀을 통해 상기 전원연결패턴과 접촉하는 유기전계발광소자 제조방법.And forming a protective layer having a power contact hole exposing the power transfer wiring, wherein the power transfer wiring is in contact with the power connection pattern through the power contact hole. 제 21 항에 있어서, 22. The method of claim 21, 상기 전원전달배선과 상기 데이터배선은 동일한 단계에서 형성되는 유기전계발광소자 제조방법.The power transmission wiring and the data wiring is formed in the same step of the organic light emitting device manufacturing method. 제 22 항에 있어서, 23. The method of claim 22, 상기 전원전달배선과 교차하여 상기 데이터배선과 연결되는 데이터연결배선을 형성하는 단계를 더욱 포함하는 유기전계발광소자 제조방법.And forming a data connection wiring connected to the data wiring by crossing the power transmission wiring. 제 23 항에 있어서, 24. The method of claim 23, 상기 전원콘택홀 형성시, 상기 보호층에 상기 데이터배선을 노출하는 데이터콘택홀을 형성하는 단계를 더욱 포함하고, The method may further include forming a data contact hole exposing the data line in the protective layer when the power contact hole is formed. 상기 데이터연결배선은 상기 데이터콘택홀을 통해 상기 데이터배선과 연결되는 유기전계발광소자 제조방법.And the data connection line is connected to the data line through the data contact hole.
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