KR101196441B1 - Repair Method for Electrostatic Chuck - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A method for repairing an electrostatic chuck is provided to prevent a reactive source from reaching a junction between a top plate and a bottom plate by processing a wafer when the junction between the top plate and the bottom plate is closed by a body. CONSTITUTION: A first electrode(320) is formed between a first top plate(310) and a bottom plate. A defective electrostatic chuck is provided to the first top plate. The first top plate and the first electrode are removed. A first step is formed in the edge of the bottom plate. A second top plate with a second electrode is made.

Description

정전 척의 리페어 방법{Repair Method for Electrostatic Chuck}Repair Method for Electrostatic Chuck

본 발명은 반도체 제조 장비에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 정전 척(Electrostatic Chuck; ESC)의 리페어 방법에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to semiconductor manufacturing equipment, and more particularly, to a repair method of an electrostatic chuck (ESC).

정전 척(ESC)은 정전기를 이용하여 대상물을 흡착하는 플레이트를 일컫는다. 특히, 정전 척은 반도체 소자의 제조 공정 중 웨이퍼를 클램핑하는 용도로 사용되며, 정전력을 이용하여 웨이퍼와 직접 접촉하지 않고 웨이퍼를 착탈할 수 있는 핵심 반도체 부품이다.An electrostatic chuck (ESC) refers to a plate that adsorbs an object using static electricity. In particular, the electrostatic chuck is used for clamping the wafer during the manufacturing process of the semiconductor device, and is a key semiconductor component capable of attaching and detaching a wafer without directly contacting the wafer using electrostatic power.

정전 척의 제조 방법은 크게 양극 산화(Anodizing) 방식, 가열 스프레이(Thermal spray, 용사) 방식, 세라믹 플레이트 방식으로 구분된다. 이 중 양극 산화 방식은 알루미늄 본체를 산화시켜 유전층을 형성하는 방식이다. 양극 산화 방식의 정전 척은 내구성이 강하고 유전율이 높은 장점이 있으나, 정전 척의 에지 부분에서 코팅층의 두께가 얇게 형성되고, 크랙이 발생하는 단점이 있다.The manufacturing method of the electrostatic chuck is largely divided into anodizing, thermal spray, and ceramic plate methods. Among these, anodization is a method of oxidizing an aluminum body to form a dielectric layer. The electrostatic chuck of the anodic oxidation method has advantages of strong durability and high dielectric constant, but has a disadvantage in that a thin coating layer is formed at an edge portion of the electrostatic chuck and cracks occur.

가열 스프레이 방식은 알루미늄 본체에 전극 물질을 용사 코팅하여 전극층을 형성하고, 전극층 상에 세라믹 분말을 용사 코팅하여 유전층을 형성하는 방식으로 제조된다. 가열 스프레이 방식은 그 제조 원리상 사용 중에 발생하는 부분적인 크랙 등에 대한 복구가 가능한 이점이 있다. 즉, 부분적인 크랙이 발생한 경우 세라믹 분말의 용사 코팅에 의해 피막을 재생시킬 수 있다. 하지만 세라믹 유전층이 완전히 치밀화되기 어렵기 때문에 공정 가스에 대한 노출 위험이 높고, 사용 연한이 증가함에 따라 유전층이 박리되는 등의 문제가 있다.The heating spray method is manufactured by spray coating an electrode material on an aluminum body to form an electrode layer, and spraying coating ceramic powder on the electrode layer to form a dielectric layer. The heated spray method has the advantage of being able to recover from partial cracks and the like that occur during use due to its manufacturing principle. That is, when a partial crack occurs, the coating may be regenerated by thermal spray coating of ceramic powder. However, since the ceramic dielectric layer is hardly densified, there is a high risk of exposure to the process gas, and the dielectric layer may be peeled off as the service life increases.

플레이트 방식의 정전 척은 세라믹 분말을 플레이트 형태로 소결하여 세라믹 플레이트를 형성하고, 이를 알루미늄 본체에 부착하는 방식으로 제작된다. 보다 구체적으로 설명하면 다음과 같다.The plate-type electrostatic chuck is manufactured by sintering ceramic powder in the form of a plate to form a ceramic plate and attaching it to an aluminum body. More specifically, it is as follows.

도 1a 및 도 1b는 일반적인 플레이트 방식 정전 척의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.1A and 1B are views for explaining a method of manufacturing a general plate type electrostatic chuck.

도 1a를 참조하면, 먼저 제 1 및 제 2 플레이트(10, 12)가 준비된다. 그리고, 제 2 플레이트(12)에 전극(12)이 형성된다.Referring to FIG. 1A, first and second plates 10 and 12 are prepared. Then, the electrode 12 is formed on the second plate 12.

이러한 상태에서, 도 1b에 도시한 것과 같이, 제 1 플레이트(10)와 제 2 플레이트(12)를 압착한다. 이때, 제 1 및 제 2 플레이트(10, 12)를 압착 결합하기 위해서는 접착제(16)가 이용될 수 있으며, 접착제(16)로는 산화 실리콘(SiO2) 접착제, 열 경화성 실리콘, 에폭시 또는 접합용 글래스 등이 이용될 수 있다.In this state, as shown in FIG. 1B, the first plate 10 and the second plate 12 are compressed. In this case, an adhesive 16 may be used to compress the first and second plates 10 and 12, and the adhesive 16 may be a silicon oxide (SiO 2) adhesive, a thermosetting silicone, an epoxy, a glass for bonding, or the like. This can be used.

이와 같이 제조된 정전 척은 공정 챔버 내에 설치된 바디 상에 안착되어 웨이퍼의 탈착을 제어한다.The electrostatic chuck thus manufactured is mounted on a body installed in the process chamber to control the detachment of the wafer.

플레이트 방식의 정전 척에서 상판 플레이트 즉, 제 2 플레이트(12)의 두께는 300~1000㎛로 매우 얇다. 그리고, 정전 척의 사용 연한이 증가함에 따라 상판 플레이트에 크랙이 발생할 수 있다. 더욱이 상판 플레이트의 두께가 매우 얇기 때문에 전극(14)이 외부로 노출되어 공정 상의 에러를 발생시킬 수 있다. 따라서, 크랙 등의 결함이 발생한 정전 척은 폐기 처리할 수 밖에 없다.In the plate type electrostatic chuck, the thickness of the upper plate, that is, the second plate 12, is very thin (300-1000 μm). As the service life of the electrostatic chuck increases, cracks may occur in the upper plate. Furthermore, because the top plate is very thin, the electrode 14 can be exposed to the outside, resulting in process errors. Therefore, the electrostatic chuck in which a defect such as a crack occurs has no choice but to be disposed of.

정전 척은 3 내지 6개월 정도 사용한 후 교체해야 하는 소모품으로 그 수명이 매우 짧다. 하지만 제조 단가는 높은 편이며, 정전 척의 하판 플레이트에는 공정 온도를 제어하기 위한 히터가 매설되는 경우가 대부분이어서 그 제조 단가는 더욱 증가한다.The electrostatic chuck is a consumable that needs to be replaced after 3 to 6 months of use and its life is very short. However, the manufacturing cost is high, the heater plate for controlling the process temperature is most often embedded in the lower plate of the electrostatic chuck, and the manufacturing cost increases further.

따라서 상판 플레이트에 크랙이 발생한 경우 정전 척 자체를 폐기할 수 밖에 없어 경제적인 이득이 취약한 현실이다.Therefore, if a crack occurs in the top plate, the electrostatic chuck itself has to be disposed of, so the economic benefit is weak.

대한민국 등록특허공보 제10-0943360호Republic of Korea Patent Publication No. 10-0943360

본 발명의 실시예는 결함을 복구할 수 있는 정전 척의 리페어 방법을 제공한다.Embodiments of the present invention provide a repair method of an electrostatic chuck that can repair a defect.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 의한 정전 척의리페어 방법은 제 1 상판 플레이트와 하판 플레이트 사이에 제 1 전극이 설치되며, 상기 제 1 상판 플레이트에 결함이 발생한 정전 척이 제공되는 단계; 상기 제 1 상판 플레이트를 제거하는 단계; 및 제 2 상판 플레이트를 제조하여, 상기 하판 플레이트와 결합하는 단계;를 포함할 수 있다.In the repairing method of an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention for achieving the above technical problem, a first electrode is installed between a first upper plate and a lower plate, and the electrostatic chuck having a defect in the first upper plate is provided. Becoming; Removing the first top plate; And manufacturing a second upper plate, and combining the lower plate.

여기에서, 상기 제 1 상판 플레이트를 제거한 후, 상기 하판 플레이트의 에지부분에 제1 단차부를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제 2 상판 플레이트는 상기 제 1 단차부와 체결되는 제 2 단차부를 갖도록 제조할 수 있다.Here, after removing the first upper plate, further comprising the step of forming a first stepped portion in the edge portion of the lower plate, wherein the second top plate has a second stepped portion to be engaged with the first stepped portion It can manufacture.

또한, 상기 제 1 상판 플레이트를 제거한 후, 상기 하판 플레이트의 에지 부분을 지정된 폭으로 제거하는 단계를 더 포함하고, 상기 제 2 상판 플레이트는 상기 하판 플레이트를 가둠 구조로 체결할 수 있도록 요형으로 제조할 수 있다.The method may further include removing the edge portion of the lower plate plate to a predetermined width after removing the first upper plate plate, and the second upper plate plate may be manufactured in a concave shape to fasten the lower plate plate in a confined structure. Can be.

본 기술에 의하면 정전 척의 일부, 예를 들어 상판 플레이트에 결함이 발생한 경우 이를 복구할 수 있어 정전 척의 수명을 증가시킬 수 있다. 이에 따라 정전 척의 제조 단가를 낮출 수 있고, 원자재의 불필요한 낭비를 방지할 수 있다.According to the present technology, when a part of the electrostatic chuck, for example, a top plate, is defective, it can be repaired, thereby increasing the life of the electrostatic chuck. Thereby, the manufacturing cost of an electrostatic chuck can be reduced and unnecessary waste of raw materials can be prevented.

도 1a 및 1b는 일반적인 정전 척의 제조 방법을 설명하기 위한 도면,
도 2a 내지 2d는 본 발명의 일 실시예에 의한 정전 척 리페어 방법을 설명하기 위한 도면,
도 3a 내지 3d는 본 발명의 다른 실시예에 의한 정전 척 리페어 방법을 설명하기 위한 도면,
도 4a 내지 4d는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 정전 척 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다.
1A and 1B are views for explaining a method of manufacturing a general electrostatic chuck,
2a to 2d are views for explaining the electrostatic chuck repair method according to an embodiment of the present invention,
3A to 3D are views for explaining an electrostatic chuck repair method according to another embodiment of the present invention;
4A to 4D are diagrams for describing the electrostatic chuck repair method according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail.

도 2a 내지 2d는 본 발명의 일 실시예에 의한 정전 척 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다.2A to 2D are diagrams for describing an electrostatic chuck repair method according to an embodiment of the present invention.

먼저, 도 2a는 플레이트 방식으로 제조된 정전 척에 크랙(A)이 발생한 상태를 나타낸다. 플레이트 방식으로 제조된 정전 척은 하판 플레이트(210), 상판 플레이트(220), 하판 플레이트(210)와 상판 플레이트(220) 간에 매설되는 전극층(230)를 포함한다. 그리고, 하판 플레이트(210) 및 상판 플레이트(220)는 접착제(240)에 의해 상호 접착된다.First, FIG. 2A shows a state in which a crack A has occurred in an electrostatic chuck manufactured by a plate method. The electrostatic chuck manufactured by the plate method includes a lower plate 210, an upper plate 220, an electrode layer 230 embedded between the lower plate 210 and the upper plate 220. In addition, the lower plate 210 and the upper plate 220 are bonded to each other by the adhesive 240.

이러한 정전 척에 크랙(A)이 발생한 경우, 크랙이 발생한 상판 플레이트(220) 및 전극층(230)을 제거한다.When cracks A occur in the electrostatic chuck, the top plate 220 and the electrode layer 230 in which the cracks are removed are removed.

도 2b는 상판 플레이트(220) 및 전극층(230)이 제거된 후의 상태를 나타낸다. 상판 플레이트(220) 및 전극층(230)은 연마 공정에 의해 제거될 수 있으며, 이때 접착제(240)가 함께 제거될 수 있다.2B illustrates a state after the upper plate 220 and the electrode layer 230 are removed. The upper plate 220 and the electrode layer 230 may be removed by a polishing process, and the adhesive 240 may be removed together.

또한, 상판 플레이트(220), 전극층(230) 및 접착제(240)만 선택적으로 제거하는 것이 바람직하지만, 하판 플레이트(210)의 상층부 일부 또한 함께 제거될 수도 있다.In addition, it is preferable to selectively remove only the upper plate 220, the electrode layer 230, and the adhesive 240, but a portion of the upper layer of the lower plate 210 may also be removed.

도 2c는 새롭게 제작된 상판 플레이트(310)를 나타낸다. 상판 플레이트(310)의 일 면에는 전극층(320)이 형성되어 있다. 전극층(320)은 상판 플레이트(310)의 일면에 형성되며, 저온 소성, 고온 소성, 에칭, 도금, 스퍼터 등 전극 패턴 형성 방법 중 어느 하나를 채택하여 형성할 수 있다.2C shows the newly manufactured top plate 310. The electrode layer 320 is formed on one surface of the upper plate 310. The electrode layer 320 is formed on one surface of the upper plate 310, and may be formed by adopting any one of electrode pattern forming methods such as low temperature baking, high temperature baking, etching, plating, and sputtering.

전극층(310)을 구비하는 새로운 상판 플레이트(310)는 도 2b에서와 같이 잔류되는 하판 플레이트(210)와 결합될 수 있다.The new upper plate 310 having the electrode layer 310 may be combined with the remaining lower plate 210 as shown in FIG. 2B.

도 2d는 도 2b에 도시한 하판 플레이트(210)와 도 2c에서 새롭게 제작한 상판 플레이트(310)를 결합한 상태를 나타낸다. 하판 플레이트(210)와 상판 플레이트(310)는 접착제(330)에 의해 결합될 수 있다. 아울러, 접착제(330)는 열 경화성 실리콘, 에폭시, 접합용 글래스 중에서 채택할 수 있으며, 하판 플레이트(210)와 상판 플레이트(310)의 압착 온도에 따라 압착 온도에 내성이 있는 접착제를 선택하여 사용할 수 있다. 일 예로, 열 경화성 실리콘은 300℃ 내외의 가공 온도에 적합하고, 에폭시는 500℃ 내외의 가공 온도에 적합하다. 아울러, 접합용 글래스는 150℃의 저온으로부터 1400℃의 고온에 이르기까지 가공 온도의 폭이 넓은 이점이 있다.FIG. 2D illustrates a state in which the lower plate 210 shown in FIG. 2B and the upper plate 310 newly manufactured in FIG. 2C are combined. The lower plate 210 and the upper plate 310 may be coupled by an adhesive 330. In addition, the adhesive 330 may be adopted among thermosetting silicone, epoxy, and bonding glass, and may select and use an adhesive resistant to the pressing temperature according to the pressing temperature of the lower plate 210 and the upper plate 310. have. For example, thermosetting silicone is suitable for processing temperatures of about 300 ° C, and epoxy is suitable for processing temperatures of about 500 ° C. In addition, the bonding glass has a wide range of processing temperatures from a low temperature of 150 ° C to a high temperature of 1400 ° C.

이와 같이, 본 발명에서는 상판 플레이트(220)에 크랙(A)과 같은 결함이 발생한 경우, 결함이 발생한 상판 플레이트(220)를 제거한 후, 새롭게 제작된 상판 플레이트(310)와 잔류하는 하판 플레이트(210)를 결합한다. 그리고, 결함이 발생한 상판 플레이트(220)를 제거할 때에는 전극층(230)까지 함께 제거하여 결함 발생 요소를 충분히 배제할 수 있다.As described above, in the present invention, when a defect such as crack A occurs in the upper plate 220, after removing the upper plate 220 in which the defect occurs, the newly formed upper plate 310 and the remaining lower plate 210 are removed. ). In addition, when removing the upper plate plate 220 in which a defect occurs, the electrode layer 230 may be removed together to sufficiently exclude a defect generating element.

한편, 플레이트 방식으로 제조되는 정전 척은 하판 플레이트(210) 내에 온도 조절부(250)가 매설될 수 있다. 종래에는 정전 척에 결함이 발생한 경우, 상판/하판 플레이트를 포함하는 모든 구성 요소를 폐기 처분하였다.On the other hand, in the electrostatic chuck manufactured by the plate method may be embedded in the lower plate 210 the temperature control unit 250. In the past, when a defect occurred in the electrostatic chuck, all components including the top plate / bottom plate were discarded.

하지만, 본 발명에서는 결함이 발생한 부분, 예를 들어 상판 플레이트만을 제거하고, 새롭게 제작된 상판 플레이트를 하판 플레이트에 결합한다. 따라서, 온도 조절부(250)가 매설된 하판 플레이트를 폐기 처분할 필요가 없어 정전 척의 제조 단가를 경감시킬 수 있다.However, in the present invention, only a portion where a defect occurs, for example, a top plate, is removed, and the newly manufactured top plate is joined to the bottom plate. Therefore, it is not necessary to dispose the bottom plate in which the temperature control part 250 is embedded, and the manufacturing cost of the electrostatic chuck can be reduced.

도 3a 내지 3d는 본 발명의 다른 실시예에 의한 정전 척 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다.3A to 3D are diagrams for describing an electrostatic chuck repair method according to another embodiment of the present invention.

도 3a에 도시한 정전 척은 플레이트 방식으로 제조되는 정전 척으로, 하판 플레이트(410), 상판 플레이트(420)를 포함하고, 두 플레이트(410, 420) 사이에 매설되는 전극층(430)을 더 포함한다. 아울러, 두 플레이트(410, 420)은 접착제(440)에 의해 압착 결합된다.The electrostatic chuck illustrated in FIG. 3A is a plate-type electrostatic chuck, which includes a lower plate 410 and an upper plate 420, and further includes an electrode layer 430 embedded between the two plates 410 and 420. do. In addition, the two plates 410 and 420 are press-bonded by the adhesive 440.

이러한 정전 척에 크랙(A)이 발생한 경우를 가정한다. 종래에는 크랙(A)과 같은 결함이 발생한 경우 정전 척 전체를 폐기 처분하였으나, 본 발명에서는 결함이 발생한 상판 플레이트(420), 바람직하게는 상판 플레이트(420)와 전극층(430)을 제거하고 이를 새로운 보수층으로 대체한다.It is assumed that a crack A has occurred in such an electrostatic chuck. Conventionally, when a defect such as crack A occurs, the entire electrostatic chuck is discarded. However, in the present invention, the defective upper plate 420, preferably the upper plate 420 and the electrode layer 430, are removed and replaced. Replace with conservative layer.

도 3b는 상판 플레이트(420) 및 전극층(430), 바람직하게는 접착제(440)까지 제거된 후 잔류하는 하판 플레이트(410)를 나타낸다.3B shows the top plate 420 and the electrode layer 430, preferably the bottom plate 410 remaining after removal to the adhesive 440.

상판 플레이트(420), 전극층(430) 및 접착제(440)는 연마 공정에 의해 제거될 수 있다. 그리고, 연마 공정 후 하판 플레이트(410)의 에지 부분에 제 1 단차부(460)를 형성한다. 즉, 잔류하는 하판 플레이트(410)의 에지 부분이 그 외의 부분보다 낮은 높이를 갖는 제 1 단차부(460)를 형성하는 것이다.The upper plate 420, the electrode layer 430, and the adhesive 440 may be removed by a polishing process. After the polishing process, the first stepped portion 460 is formed at the edge portion of the lower plate 410. That is, the edge portion of the remaining lower plate 410 forms the first stepped portion 460 having a lower height than the other portions.

도 3c는 도 3b와 같이 잔류하는 하판 플레이트(410)에 접착할 새로운 상판 플레이트(510)의 구성을 나타낸다.FIG. 3C shows the configuration of a new top plate 510 to be bonded to the remaining bottom plate 410 as shown in FIG. 3B.

새로운 상판 플레이트(510)는 하판 플레이트(410)의 제 1 단차부와 결합될 수 있도록 캡(cap)형상으로 제작될 수 있다. 즉, 새로운 상판 플레이트(510)는 에지 부분이 평판면으로부터 수직 방향으로 지정된 길이 연장되는 제 2 단차부(530)를 갖도록 형성된다.The new upper plate 510 may be manufactured in a cap shape so as to be coupled to the first stepped portion of the lower plate 410. That is, the new top plate 510 is formed such that the edge portion has a second stepped portion 530 extending in a vertical direction from the flat surface.

그리고, 제 2 단차부(530)에 의해 이루어지는 오목부의 저부에는 전극층(520)이 형성될 수 있다. 전극층(530)은 저온 소성, 고온 소성, 에칭, 도금, 스퍼터 등 전극 패턴 형성 방법 중 어느 하나를 채택하여 형성할 수 있다.In addition, an electrode layer 520 may be formed at the bottom of the recess formed by the second stepped portion 530. The electrode layer 530 may be formed by adopting any one of electrode pattern forming methods such as low temperature firing, high temperature firing, etching, plating, and sputtering.

도 3d는 도 3b의 하판 플레이트(410)와 도 3c의 새로운 상판 플레이트(510)가 결합된 상태를 나타낸다.3D illustrates a state in which the lower plate 410 of FIG. 3B and the new upper plate 510 of FIG. 3C are coupled.

잔류하는 하판 플레이트(410)의 제 1 단차부(460)와, 새롭게 제작된 상판 플레이트(510)의 제 2 단차부(530)가 상호 체결(B)되는 방식으로 결합되며, 두 플레이트(410, 510)는 접착제(540)에 의해 압착 결합된다. 본 발명의 바람직한 실시예에서, 제 1 단차부(460) 및 제 2 단차부(530)는 상호 체결될 수 있도록 단차의 높이 및 폭이 결정되어야 함은 물론이다.The first stepped portion 460 of the remaining lower plate 410 and the second stepped portion 530 of the newly manufactured upper plate 510 are coupled in such a manner as to be mutually fastened (B), and the two plates 410, 510 is press-bonded by adhesive 540. In the preferred embodiment of the present invention, the height and width of the step must be determined so that the first step 460 and the second step 530 can be fastened to each other.

접착제(540)는 열 경화성 실리콘, 에폭시, 접합용 글래스 중에서 채택할 수 있으며, 상판 플레이트(510)와 하판 플레이트(410)의 압착 온도에 따라 압착 온도에 내성이 있는 접착제를 선택하여 사용할 수 있다. 일 예로, 열 경화성 실리콘은 300℃ 내외의 가공 온도에 적합하고, 에폭시는 500℃ 내외의 가공 온도에 적합하다. 아울러, 접합용 글래스는 150℃의 저온으로부터 1400℃의 고온에 이르기까지 가공 온도의 폭이 넓은 이점이 있다.The adhesive 540 may be adopted among thermosetting silicone, epoxy, and bonding glass, and may select and use an adhesive resistant to the pressing temperature according to the pressing temperature of the upper plate 510 and the lower plate 410. For example, thermosetting silicone is suitable for processing temperatures of about 300 ° C, and epoxy is suitable for processing temperatures of about 500 ° C. In addition, the bonding glass has a wide range of processing temperatures from a low temperature of 150 ° C to a high temperature of 1400 ° C.

한편, 도 3a 내지 3d에 도시한 플레이트 방식의 정전 척은 하판 플레이트(410) 내에 온도 조절부(450)가 매설될 수 있다. 그리고, 정전 척에 결함이 발생한 경우, 온도 조절부(450)가 매설된 하판 플레이트(410)를 폐기 처분하지 않을 수 있어 불필요한 자원 낭비를 방지할 수 있다.Meanwhile, in the plate type electrostatic chuck illustrated in FIGS. 3A to 3D, the temperature controller 450 may be embedded in the lower plate 410. In addition, when a defect occurs in the electrostatic chuck, the lower plate 410 in which the temperature controller 450 is embedded may not be disposed of, and unnecessary waste of resources may be prevented.

더욱이, 본 실시예에 의한 정전 척 리페어 방식에서는 상판 플레이트(510)와 하판 플레이트(410)가 캡 구조로 체결된다. 따라서, 공정 중 발생하는 플라즈마 등이 정전 척 내부로 침투하는 현상을 방지할 수 있다.Further, in the electrostatic chuck repair method according to the present embodiment, the upper plate 510 and the lower plate 410 are fastened in a cap structure. Therefore, it is possible to prevent the plasma generated during the process from penetrating into the electrostatic chuck.

도 4a 내지 4d는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 정전 척 리페어 방법을 설명하기 위한 도면이다.4A to 4D are diagrams for describing the electrostatic chuck repair method according to another embodiment of the present invention.

먼저, 도 4a는 플레이트 방식의 정전 척에서 상판 플레이트(620)에 크랙(A)이 발생한 상태를 나타낸다.First, FIG. 4A illustrates a state in which a crack A is generated in the upper plate 620 in the plate type electrostatic chuck.

이 경우, 도 4b에 도시한 것과 같이 상판 플레이트(620), 전극층(630) 및 접착제(640)를 연마 공정 등에 의해 제거한다. 그리고, 이에 따라 잔류하는 하판 플레이트(610)의 에지 부분(660)을 지정된 폭으로 제거한다.In this case, as illustrated in FIG. 4B, the upper plate 620, the electrode layer 630, and the adhesive 640 are removed by a polishing process or the like. And, accordingly, the edge portion 660 of the remaining lower plate 610 is removed to a specified width.

도 4c는 잔류하는 하판 플레이트(610)에 결합할 새로운 상판 플레이트(710)의 구조를 나타낸다.4C shows the structure of a new top plate 710 to couple to the remaining bottom plate 610.

새로운 상판 플레이트(710)는 실질적으로 ㄷ자 형상을 가지며, 그 요부(凹部) 저면에 형성되는 전극층(720)을 포함한다. 전극층(720)은 소성(저온, 고온), 애칭, 도금 중 어느 하나의 방식을 이용하여 형성할 수 있다.The new top plate 710 has a substantially U shape and includes an electrode layer 720 formed on the bottom of the recess. The electrode layer 720 may be formed using any one of baking (low temperature, high temperature), nicking, and plating.

보다 구체적으로, 상판 플레이트(710)는 평판부로부터 수직 방향으로 지정된 길이 연장되는 캡부(730)를 포함할 수 있다. 그리고, 상판 플레이트(710) 요부의 직경은 잔류하는 한판 플레이트(610)의 직경에 대응하도록 형성될 수 있으며, 상판 플레이트(710)에 형성되는 캡부(730)의 높이는 전극층(720) 및 하판 플레이트(610)의 높이, 그리고 상판/하판 플레이트(710, 610)를 결합하는 데 사용되는 접착제의 개재 두께를 모두 커버할 수 있는 높이로 형성할 수 있다.More specifically, the upper plate 710 may include a cap portion 730 extending in a vertical direction from the flat plate portion. In addition, the diameter of the top plate 710 may be formed to correspond to the diameter of the remaining plate 610, the height of the cap 730 formed on the top plate 710 is the electrode layer 720 and the bottom plate ( The height of the 610 and the interposition thickness of the adhesive used to join the upper and lower plates 710 and 610 may be formed to a height capable of covering both.

도 4d는 도 4b에 도시한 하판 플레이트(610)와 도 4c에 도시한 상판 플레이트(710)를 결합하여 리페어된 정전 척의 구조를 나타낸다.4D illustrates the structure of the electrostatic chuck repaired by combining the lower plate 610 illustrated in FIG. 4B and the upper plate 710 illustrated in FIG. 4C.

하판 플레이트(610)의 에지 부분이 지정된 두께로 제거되도록 잔류되고, 새로운 상판 플레이트(710)가 캡 형으로 형성됨에 따라 상판 플레이트(710)와 하판 플레이트(610)를 상호 결합한다. 이에 따라, 캡부(730)의 종단면과 하판 플레이트(610)의 노출면이 동일 평면 상에 존재할 수 있게 된다(C). 다시 말해 상판 플레이트(710) 내에 하판 플레이트(610)가 가둠 구조로 체결되도록 리페어하는 것이다.The edge portion of the lower plate 610 is left to be removed to a predetermined thickness, and as the new upper plate 710 is formed in a cap shape, the upper plate 710 and the lower plate 610 are mutually coupled to each other. Accordingly, the longitudinal section of the cap 730 and the exposed surface of the lower plate 610 may exist on the same plane (C). In other words, the lower plate 610 is repaired in the upper plate 710 to be fastened in a confined structure.

따라서, 상판 플레이트(710)와 하판 플레이트(610)의 접합면이 바디에 의해 폐쇄된 상태로 웨이퍼를 가공할 수 있어, 웨이퍼 가공시 플라즈마와 같은 반응 소스가 상판 플레이트(710) 및 하판 플레이트(610)의 접합면에 도달하는 것을 원천적으로 방지할 수 있다.Therefore, the wafer can be processed with the bonding surface of the upper plate 710 and the lower plate 610 closed by the body, so that a reaction source such as plasma is formed on the upper plate 710 and the lower plate 610 during wafer processing. Reaching the joining surface of) can be prevented at the source.

본 실시예에 의한 정전 척 또한, 접착제(740)에 의해 상판 플레이트(710)와 하판 플레이트(610)가 압착 결합된다. 아울러, 하판 플레이트(610) 내에 매설되는 온도 조절부(650)를 더 포함할 수 있음은 물론이다.In the electrostatic chuck according to the present embodiment, the upper plate 710 and the lower plate 610 are press-bonded by the adhesive 740. In addition, of course, it may further include a temperature control unit 650 embedded in the lower plate 610.

이와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Thus, those skilled in the art will appreciate that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the embodiments described above are to be considered in all respects only as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

210, 410, 610 : 하판 플레이트
310, 510, 710 : 상판 플레이트
320, 520, 720 : 전극층
330, 540, 740 : 접착제
250, 450, 650 : 온도 조절부
210, 410, 610: lower plate
310, 510, 710: top plate
320, 520, 720: electrode layer
330, 540, 740: adhesive
250, 450, 650: temperature control unit

Claims (9)

제 1 상판 플레이트와 하판 플레이트 사이에 제 1 전극이 설치되며, 상기 제 1 상판 플레이트에 결함이 발생한 정전 척이 제공되는 단계;
상기 제 1 상판 플레이트 및 상기 제 1 전극을 제거하는 단계;
상기 하판 플레이트의 에지부분에 제 1 단차부를 형성하는 단계; 및
제 2 전극을 포함하는 제 2 상판 플레이트를 제조하되, 상기 제 1 단차부와 체결되는 제 2 단차부를 갖도록 제조하여, 상기 하판 플레이트와 결합하는 단계;
를 포함하는 정전 척의 리페어 방법.
A first electrode is provided between the first upper plate and the lower plate, and the electrostatic chuck having a defect formed on the first upper plate is provided;
Removing the first top plate and the first electrode;
Forming a first step portion at an edge portion of the lower plate; And
Manufacturing a second upper plate including a second electrode, wherein the second upper plate is manufactured to have a second stepped portion engaged with the first stepped portion, and coupled to the lower plate;
Repair method of the electrostatic chuck comprising a.
제 1 항에 있어서,
상기 하판 플레이트는 내부에 매설되는 온도 조절부를 더 포함하는 정전 척의 리페어 방법.
The method of claim 1,
The lower plate further includes a temperature control unit embedded therein.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 상판 플레이트와 하판 플레이트 사이에 제 1 전극이 설치되며, 상기 제 1 상판 플레이트에 결함이 발생한 정전 척이 제공되는 단계;
상기 제 1 상판 플레이트 및 상기 제 1 전극을 제거하는 단계;
상기 하판 플레이트의 에지부분을 지정된 폭으로 제거하는 단계; 및
제 2 전극을 포함하는 제 2 상판 플레이트를 제조하되, 상기 하판 플레이트를 가둠 구조로 체결할 수 있도록 요형으로 제조하여, 상기 하판 플레이트와 결합하는 단계;
를 포함하는 정전 척의 리페어 방법.
A first electrode is provided between the first upper plate and the lower plate, and the electrostatic chuck having a defect formed on the first upper plate is provided;
Removing the first top plate and the first electrode;
Removing the edge portion of the lower plate to a specified width; And
Preparing a second upper plate including a second electrode, and manufacturing the second upper plate in a concave shape so as to fasten the lower plate into a confinement structure, and combining the lower plate with the lower plate;
Repair method of the electrostatic chuck comprising a.
제 6 항에 있어서,
상기 하판 플레이트는 내부에 매설되는 온도 조절부를 더 포함하는 정전 척의 리페어 방법.
The method according to claim 6,
The lower plate further includes a temperature control unit embedded therein.
제 6 항에 있어서,
상기 제 2 상판 플레이트는 평판부로부터 수직 방향으로 지정된 길이 연장되는 캡부를 포함하고,
상기 하판 플레이트는 상기 캡부 내측면에 체결되는 정전 척의 리페어 방법.
The method according to claim 6,
The second top plate includes a cap portion extending in a vertical direction from the flat plate portion,
The lower plate is a repair method of the electrostatic chuck is fastened to the inner surface of the cap portion.
제 8 항에 있어서,
상기 캡부의 종단과 상기 하판 플레이트의 노출면은 동일 평면에 존재하는 정전 척의 리페어 방법.
The method of claim 8,
The end of the cap portion and the exposed surface of the lower plate is repairing method of the electrostatic chuck is in the same plane.
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