KR101192754B1 - 횡전계방식 액정표시소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단위픽셀 상하단에서의 공통전극 및 화소전극의 에지부 구조를 변경시켜 액정방향자의 불균일한 배열에 의한 결함을 줄이고 디스클리네이션 영역을 축소시켜 소자의 투과율을 향상시키고자 하는 횡전계방식 액정표시소자에 관한 것으로서, 특히 제 1 기판 상에 수직 교차하여 단위픽셀을 정의하는 복수개의 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 게이트 배선에 평행하는 공통배선과, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 콘택되고 일끝단이 서로 일체형으로 연결되며 다른 일끝단이 일정한 각도로 꺽어지는 구조를 가지는 복수개의 화소전극과, 상기 화소전극에 평행하고 일끝단이 서로 일체형으로 연결되어 상기 공통배선에 콘택되는 복수개의 공통전극과, 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 구비하며, 상기 일정한 각도로 꺽어진 상기 화소 전극의 다른 일 끝단의 단변은 상기 화소 전극이 꺽이지는 방향의 공통 전극 연결부의 모서리와 마주보며, 상기 일정한 각도로 꺽어진 상기 화소 전극의 다른 일 끝단의 장변은 상기 화소전극이 꺽어지는 방향과 반대 방향의 공통전극 연결부의 모서리와 마주보며, 상기 화소전극이 꺽어지는 방향의 상기 공통 전극 연결부의 모서리와, 상기 화소전극이 꺽어지는 방향과 반대 방향의 상기 공통전극 연결부의 모서리는 사선방향으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
IPS, 디스클리네이션, 투과율

Description

횡전계방식 액정표시소자{IN-PLANE SWITCHING MODE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

도 1은 종래 기술에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 평면도.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 단위픽셀 평면도.

도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 절단면도.

도 4는 도 2의 Ⅱ에서의 상세평면도.

도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 액정분자의 배열방향을 나타낸 도면.

도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 소자의 투과율을 나타낸 도면.

도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 단위픽셀 평면도.

도 8은 도 7의 Ⅲ에서의 상세평면도.

도 9은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정분자의 배열방향을 나타낸 도면.

도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 소자의 투과율을 나타낸 도면.

*도면의 주요 부분에 대한 부호설명

12 : 게이트 배선 15 : 데이터 배선

15b : 드레인 전극 17 : 화소전극

18 : 제 1 콘택홀 19 : 제 2 콘택홀

24 : 공통전극 25 : 공통배선

본 발명은 액정표시소자(LCD ; Liquid Crystal Display Device)에 관한 것으로, 특히 단위 픽셀 상,하단부의 전극 에지부에서의 디스클리네이션 현상을 최소화시켜 소자의 투과율을 향상시키고자 하는 횡전계방식 액정표시소자에 관한 것이다.

최근, 계속해서 주목받고 있는 평판표시소자 중 하나인 액정표시소자는 액체의 유동성과 결정의 광학적 성질을 겸비하는 액정에 전계를 가하여 광학적 이방성을 변화시키는 소자로서, 종래 음극선관(Cathod Ray Tube)에 비해 소비전력이 낮고 부피가 작으며 대형화 및 고정세가 가능하여 널리 사용하고 있다.

상기 액정표시소자는 액정의 성질과 패턴의 구조에 따라서 여러 가지 다양한 모드가 있다.

구체적으로, 액정 방향자가 90도 트위스트 되도록 배열한 후 전압을 가하여 액정 방향자를 제어하는 TN 모드(Twisted Nematic Mode)와, 한 화소를 여러 도메인으로 나눠 각각의 도메인의 주시야각 방향을 달리하여 광시야각을 구현하는 멀티도메인 모드(Multi-Domain Mode)와, 보상필름을 기판 외주면에 부착하여 빛의 진행방향에 따른 빛의 위상변화를 보상하는 OCB 모드(Optically Compensated Birefringence Mode)와, 한 기판 상에 두개의 전극을 형성하여 액정의 방향자가 배향막의 나란한 평면에서 꼬이게 하는 횡전계방식(In-Plane Switching Mode)과, 네가티브형 액정과 수직배향막을 이용하여 액정 분자의 장축이 배향막 평면에 수직 배열되도록 하는 VA 모드(Vertical Alignment) 등 다양하다.

이중, 상기 횡전계방식 액정표시소자는 통상, 서로 대향 배치되어 그 사이에 액정층을 구비한 컬러필터 어레이 기판과 박막트랜지스터 어레이 기판으로 구성된다.

즉, 상기 컬러필터 어레이 기판에는 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스와, 상기 블랙 매트릭스 상에 색상을 구현하기 위한 R,G,B의 컬러필터층이 형성된다.

그리고, 상기 박막트랜지스터 어레이 기판에는 단위픽셀을 정의하는 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성된 스위칭소자와, 서로 엇갈리게 교차되어 횡전계를 발생시키는 공통전극 및 화소전극이 형성된다. 상기 스위칭 소자는 박막트랜지스터로 한다.

이하, 도면을 참조하여 종래 기술의 횡전계방식 액정표시소자를 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 기술에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 평면도이다.

구체적으로, 횡전계방식 액정표시소자의 박막트랜지스터 어레이 기판은, 도 1에 도시된 바와 같이, 일렬로 배치된 복수개의 게이트 배선(112)과 이에 수직 교차하는 복수개의 데이터 배선(115)에 의해 단위픽셀이 정의되고, 상기 단위 픽셀에는 스위칭 역할을 하는 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 데이터 배선(115)에 평행하는 복수개의 공통전극(124)과, 상기 공통전극(124) 사이에 교번되도록 형성되어 상기 공통전극(124)에 평행하는 화소전극(117)으로 구성된다.

이때, 상기 공통전극(124)은 공통배선(125)에 연결되어 외부 구동회로로부터 Vcom 신호를 전달받는다.

그리고, 상기 화소전극(117)은 그 일단이 일체형으로 연결되어 콘택홀(118)을 통해 상기 박막트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(115b)에 연결되어 픽셀 신호를 전달받는데, 화소전극의 연결부분의 소정 영역을 드레인 전극의 연장부에 오버랩되어 스토리지 커패시터를 구성한다.

여기서, 상기 공통배선(125), 공통전극(124), 및 게이트 배선(112)은 저저항 금속 물질로 기판 상의 동일층에 형성되고, 그 상부에 게이트 절연막(도시하지 않음)을 사이에 두고 데이터 배선(115)이 형성되며, 그 상부에 보호막(도시하지 않음)을 사이에 두고 상기 화소전극(117)이 ITO 등의 투명한 도전물질로 동일층에 형성된다.

그러나, 단위픽셀 상하단의 전극 에지 부분에 전계왜곡이 발생하여 이 영역에서 디스클리네이션이 발생하는 문제점이 있었다.

화소전극(117) 에지 부분에서의 전계왜곡을 구체적으로 살펴보면, 공통전극(124)에 0V를 걸어주고 화소 전극(117)에 5V를 걸어주면 두 전극 사이에서 수평전기장인 횡전계가 발생하는데, 러빙방향으로 초기 배열되어 있던 액정분자가 횡전계의 전기장 방향으로 재배열되어 빛의 투과가 조절된다.

그러나, A영역에서의 액정분자의 회전방향과 C영역에서 액정분자의 회전방향이 서로 반대 방향이므로 B영역에서의 액정분자의 회전방향이 원하는 방향으로 제 어되지 못하여 이 부분에서는 액정분자의 회전이 뒤틀리게 된다. 이런 이유로 B영역에서는 편광이 거의 투과가 되지 않는 현상이 발생하고 이로 인하여 셀의 투과율이 많이 저하된다.

즉, 단위픽셀 상하단의 전극 에지부 주변에서 전계 불균일에 의한 디스클리네이션 영역이 발생되어 소자의 투과율이 떨어지는 문제점이 있었다.

전술한 바와 같이, 종래기술에 의한 횡전계방식 액정표시소자는 불균일한 전계로 인하여 전극 에지 영역에 존재하는 액정방향자의 방향이 무질서하게 되는 문제가 있었는바, 액정방향자 무질서에 의해 디스클리네이션이 발생하고 이로인해 소자의 투과율이 저하되어 휘도가 떨어지는 문제가 있었다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 단위픽셀 상하단의 전극 에지부에서의 공통전극 및 화소전극의 끝단의 구조를 변경시켜 액정방향자의 불균일한 배열에 의한 결함을 줄이고 디스클리네이션 영역을 축소시켜 소자의 투과율을 향상시키고자 하는 횡전계방식 액정표시소자를 제공하는 것에 그 목적이 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자는 제 1 기판 상에 수직 교차하여 단위픽셀을 정의하는 복수개의 게이트 배선 및 데이터 배선과, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 게이트 배선에 평행하는 공통배선과, 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 콘택되고 일끝단이 서로 일체형으로 연결되며 다른 일끝단이 일정한 각도로 꺽어지는 구조를 가지는 복수개의 화소전극과, 상기 화소전극에 평행하고 일끝단이 서로 일체형으로 연결되어 상기 공통배선에 콘택되는 복수개의 공통전극과, 상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 구비하며, 상기 일정한 각도로 꺽어진 상기 화소 전극의 다른 일 끝단의 단변은 상기 화소 전극이 꺽이지는 방향의 공통 전극 연결부의 모서리와 마주보며, 상기 일정한 각도로 꺽어진 상기 화소 전극의 다른 일 끝단의 장변은 상기 화소전극이 꺽어지는 방향과 반대 방향의 공통전극 연결부의 모서리와 마주보며, 상기 화소전극이 꺽어지는 방향의 상기 공통 전극 연결부의 모서리와, 상기 화소전극이 꺽어지는 방향과 반대 방향의 상기 공통전극 연결부의 모서리는 사선방향으로 형성되는 것을 특징으로 한다.

즉, 단위픽셀 상,하단(공통전극의 연결부와 화소전극의 연결부)에서 발생하는 디스클리네이션 영역을 최소화하기 위해, 화소전극의 끝단부분을 일정각도로 꺽인 구조로 형성하고 화소전극의 끝단이 꺽인 부분에서의 공통전극 연결부 모서리를 사선방향으로 형성하는 것을 특징으로 한다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 횡전계방식 액정표시소자를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 단위픽셀 평면도이고, 도 3은 도 2의 Ⅰ-Ⅰ'선상에서의 절단면도이고, 도 4는 도 2의 Ⅱ에서의 상세평면도이고, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 의한 액정분자의 배열방향을 나타낸 도면이며, 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 소자의 투과율을 나타낸 도면이다.

그리고, 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 단위픽셀 평면도이고, 도 8은 도 7의 Ⅲ에서의 상세평면도이고, 도 9은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 액정분자의 배열방향을 나타낸 도면이며, 도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 의한 소자의 투과율을 나타낸 도면이다.

본 발명에 의한 횡전계방식 액정표시소자의 박막트랜지스터 어레이 기판에는, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 일렬로 배치된 복수개의 게이트 배선(12)과 이에 수직 교차하는 복수개의 데이터 배선(15)에 의해 단위픽셀이 정의되고, 상기 단위 픽셀에는 스위칭 역할을 하는 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 게이트 배선에 평행하고 Vcom 전압을 전달하는 공통배선(25)과, 제 1 콘택홀(18)을 통해 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(15b)에 콘택되어 픽셀전압이 흐르며 일끝단이 서로 일체형으로 연결되고 다른 일끝단이 일정한 각도로 꺽어지는 구조의 복수개의 화소전극(17)과, 제 2 콘택홀(19)을 통해 상기 공통배선에 콘택되어 Vcom 전압이 흐르고 상기 화소전극(17)에 평행하며 일끝단이 서로 일체형으로 연결되는 복수개의 공통전극(24)이 형성되어 있다.

이 때, 상기 박막트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 배선(12)의 소정 영역인 게이트 전극(12a)과, 상기 게이트 전극(12a)을 포함한 전면에 형성된 게이트 절연막(13)과, 상기 게이트 전극(12a) 상부의 게이트 절연막 상에 형성된 반도체층(14)과, 상기 데이터 배선(15)에서 분기되어 상기 반도체층 상에 형성되는 소스 전극(15a) 및 드레인 전극(15b)으로 구성되며, 이러한 박막트랜지스터를 포함한 전면에는 절연막인 보호막(16)이 더 형성되고, 상기 보호막 상에 공통전극(24) 및 화소전극(17)이 구비된다. 상기 공통전극과 화소전극은 단위 픽셀 내에서 서로 평행하도록 형성되어 횡전계를 발생시킴으로써 액정분자의 구동을 제어한다.

그리고, 상기 공통배선(25)의 소정 부위가 커패시터 하부전극 역할을 하고, 상기 화소전극(17)의 소정 부위가 커패시터 상부전극 역할을 하는데, 상기 화소전 극(17)이 게이트 절연막(13) 및 보호막(16)을 사이에 두고 상기 공통배선(25)에 오버랩되어 스토리지 커패시터(Cst)를 구성한다.

여기서, 상기 공통배선(25)은 상기 게이트 배선에 평행하게 형성되며, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd : Aluminum Neodymium), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴-텅스텐(MoW) 등의 불투명한 도전물질로 형성한다.

그리고, 상기 공통전극(24) 및 화소전극(17)은 동일층에 서로 평행하도록 구비되는데, 통상 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 도전물질을 사용하여 형성한다. 다만, 상기 공통전극(24)을 공통배선(25)과 동일층에 일체형이 되도록 형성할 수 있는데, 이 경우 공통전극은 게이트 배선과 같은 불투명한 금속물질로 형성된다.

이때, 상기 공통전극의 일끝단이 서로 일체형으로 연결되어 상기 제 2 콘택홀(19)을 통해 공통배선(25)에 전기적으로 연결되어 Vcom 전압을 전받는다.

그리고, 상기 화소전극(17)은 일끝단이 서로 일체형으로 연결되고, 다른 일끝단은 공통전극 사이로 삽입되어 상기 공통전극과 평행하게 형성된다. 이때, 공통전극 사이로 삽입되는 화소전극의 끝단이 게이트 배선 방향을 기준으로 일정각도로 꺽어져 전극 에지부에서의 액정방향자가 원하지 않는 방향으로 왜곡되는 것을 방지한다.

즉, 단위 픽셀 상단(공통전극의 연결부)에서의 화소전극의 끝단을 임의의 각도로 꺽인 구조로 형성함으로써, 꺽어진 부분의 화소전극 끝단과 공통전극 사이에서 횡전계와 유사한 방향의 전계가 형성되도록 하는 것이다. 특히, 도 6에 도시된 바와 같이, 화소전극의 끝단이 게이트 배선 방향을 기준으로 45도의 각도를 가질때 화소전극 에지부에서의 액정방향자의 방향 변화가 가장 왜곡이 없어 개선효과가 좋았다.

또한, 상기 화소전극이 꺽어지는 방향과 마주보는 공통전극 연결부의 모서리가 사선방향으로 형성되어 화소전극의 에지부와 공통전극 연결부의 모서리 사이에 보다 안정된 전계가 형성된다.

상기에서와 같이, 화소전극의 일끝단을 꺽어지는 구조로 형성하고 상기 화소전극의 끝단이 꺽어지는 부분과 마주보는 공통전극 연결부의 모서리를 사선방향으로 형성하는 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 화소전극(17)의 꺽어진 끝단부분과 공통전극(24) 사이에 횡전계와 유사한 방향의 전계가 형성되어 디스클리네이션 영역을 축소할 수 있게 된다.

따라서, 종래의 액정분자 배열방향을 나타낸 도 3에서와는 달리, 본 발명에서는 도 5에 도시된 바와 같이, 전극 에지부위의 액정분자(11)가 보다 넓은 영역에 대해서 횡전계 방향 또는 그에 유사한 방향으로 배열됨을 확인할 수 있다.

투과율을 조사한 결과, 도 6에 도시된 바와 같이, 투과율이 보다 향상되었다.

한편, 상기 실시예에서는 화소전극의 끝단이 일정각도로 꺽어지는 방향과 마주보는 공통전극의 연결부에 한하여 공통전극을 사선방향으로 형성하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정하지 않고, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 공통전극(524)이 일체형으로 연결되는 공통전극 연결부의 모서리가 모두 사선방향으로 형성되도록 형성할 수 있다.

즉, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 서로 수직교차하여 단위 픽셀을 정의하는 복수개의 게이트 배선(512) 및 데이터 배선(515)과, 상기 두 배선의 교차 지점에 형성되어 스위칭 소자 역할을 하는 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 게이트 배선에 평행하고 Vcom 전압을 전달하는 공통배선(525)과, 제 1 콘택홀(518)을 통해 상기 박막트랜지스터의 드레인 전극(515b)에 콘택되어 픽셀전압이 흐르며 일끝단이 서로 일체형으로 연결되고 다른 일끝단이 일정한 각도로 꺽어지는 복수개의 화소전극(517)과, 제 2 콘택홀(519)을 통해 상기 공통배선에 콘택되어 Vcom 전압이 흐르고 상기 화소전극(517)에 평행하며 상기 화소전극이 꺽어지는 방향 및 그 반대방향의 연결부 모서리가 모두 사선방향으로 형성되는 복수개의 공통전극(524)으로 구성되어 있다.

이때, 상기 화소전극(517)은 일끝단이 서로 일체형으로 연결되고, 다른 일끝단은 공통전극 사이로 평행하도록 삽입된 후 그 끝단에서 게이트 배선 방향을 기준으로 일정각도로 꺽어지는 구조로 형성되어, 전극 에지부에서의 액정방향자가 원하지 않는 방향으로 왜곡되는 것을 방지한다.

상기 화소전극의 끝단을 꺽어지는 구조로 형성할 때, 임의의 각도로 꺽어 형성할 수 있지만, 게이트 배선 방향을 기준으로 45도의 각도로 꺽어지는 구조를 가질때 에지부 액정방향자의 방향 변화가 가장 왜곡이 없어 개선효과가 좋았다.(도 8참고)

또한, 상기 화소전극이 꺽어지는 방향과 마주보는 공통전극 연결부의 모서리에 한하여 사선방향으로 형성되는 것이 아니라, 상기 화소전극이 꺽어지는 방향과 반대방향의 공통전극 연결부의 모서리도 사선방향으로 형성되어 화소전극의 에지부와 공통전극 연결부의 모서리 사이에 보다 안정된 전계가 형성된다.

상기에서와 같이, 화소전극의 일끝단을 꺽어지는 구조로 형성하고 상기 화소전극이 꺽어지는 방향과 그 반대방향의 공통전극 연결부의 모서리를 전부 사선방향으로 형성함으로써, 도 8에 도시된 바와 같이, 화소전극(517)의 꺽어진 끝단부분과 공통전극(524) 사이에 횡전계와 유사한 방향의 전계가 형성되어 디스클리네이션 영역을 축소할 수 있다.

따라서, 본 발명에서는 도 9에 도시된 바와 같이, 화소전극 에지부위의 액정분자(11)가, 보다 넓은 영역에 대해서 횡전계 방향으로 배열됨을 확인할 수 있다.

투과율을 조사한 결과, 도 10에 도시된 바와 같이, 투과율이 보다 향상되었다.

한편, 상기 실시예에서의 공통전극(24, 524), 화소전극(17, 517) 및 데이터 배선(15, 515)은 일직선 형태로 형성할 수도 있고, 지그재그(zigzag) 모양으로 형성할 수도 있으며, 도 2 및 도 7에 도시된 바와 같이, 2-도메인을 구현하기 위해 상기 공통전극(24, 524), 화소전극(17, 517), 및 데이터 배선(15, 515)을 단위 픽셀 중간부분에서 꺽어지도록 형성할 수 있다.

마지막으로, 도시하지는 않았으나, 상기의 박막트랜지스터 어레이 기판에는 블랙 매트릭스, 컬러필터층 및 오버코트층이 형성된 컬러필터 어레이 기판이 대향 합착되고, 상기 두 기판 사이에는 액정층이 형성된다.

상기와 같이, 대향 합착된 박막트랜지스터 어레이 기판 및 컬러필터 어레이 기판의 외주면에는 각각 제 1 ,제 2 편광판이 부착되는데, 그 투과축이 서로 직교되도록 한다. 이 때, 상기 액정의 초기 배향 방향은 어느 한 편광판의 투과축과 나란하게 함으로써 흑색바탕모드(normally black mode)가 되게 한다.

한편, 이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

즉, 상기 실시예에서는 화소전극의 끝단을 일정각도로 꺽인 구조로 형성하고 공통전극 연결부의 모서리를 사선방향으로 형성하는 것에 한정하여 설명하였으나, 이에 한정하지 않고, 공통전극의 끝단을 일정각도로 꺽인 구조로 형성한 다음 화소전극 연결부의 모서리를 사선방향으로 형성하여 단위픽셀 하단(화소전극의 연결부)에서의 디스클리네이션 영역을 축소할 수 있다.

구체적으로, 공통전극의 일끝단이 서로 일체형으로 연결되고, 다른 일끝단은 화소전극 사이로 평행하게 삽입된 후 게이트 배선 방향을 기준으로 공통전극의 끝단이 일정각도로 꺽어지는 구조로 형성되어 단위픽셀 하단(화소전극의 연결부)에서의 액정방향자가 원하지 않는 방향으로 왜곡되지 않도록 한다.

이때, 단위 픽셀 하단의 공통전극 끝단을 꺽어지는 구조로 형성할 때 임의의 각도로 꺽어 형성할 수 있으나, 보다 개선된 효과를 얻기 위해 게이트 배선 방향을 기준으로 45도의 각도를 가지도록 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 화소전극 연결부의 모서리를 사선방향으로 형성함에 있어서, 상기 공통전극이 꺽어지는 방향과 마주보는 공통전극 연결부의 모서리가 사선방향이 되도록 형성하는 것은 물론, 상기 공통전극이 꺽어지는 방향과 반대방향의 공통전극 연결부의 모서리도 사선방향이 되도록 형성할 수 있다. 즉, 단위 픽셀 하단에서 서로 일체형으로 연결되는 공통전극 연결부의 모서리 전체를 사선방향으로 형성하여 소자의 투과율을 보다 향상시킬 수 있다.

상기와 같은 본 발명의 횡전계방식 액정표시소자는 다음과 같은 효과가 있다.

즉, 화소전극의 끝단부분을 일정각도로 꺽인 구조로 형성하고 화소전극의 끝단이 꺽인 부분에서의 공통전극 연결부 모서리를 사선방향으로 형성함으로써, 화소전극의 끝단과 공통전극 연결부 사이에 횡전계 또는 그와 유사한 방향의 전계를 형성하여 보다 넓은 영역의 액정분자를 균일하게 재배열시키고 결국, 불가피하게 형성되었던 디스클리네이션 영역을 축소할 수 있게 되었다.

그리고, 화소전극의 끝단부분을 꺽인구조로 형성하여 단위 픽셀 상단(공통전극의 연결부)에서의 디스클리네이션 영역을 축소함은 물론, 공통전극의 끝단부분을 꺽인구조로 형성하여 단위픽셀 하단(화소전극의 연결부)에서의 디스클리네이션 영역도 축소할 수 있게 된다.

따라서, 소자의 투과율이 보다 개선되어 소자의 휘도가 향상된다.

Claims (12)

  1. 제 1 기판 상에 수직 교차하여 단위픽셀을 정의하는 복수개의 게이트 배선 및 데이터 배선과,
    상기 게이트 배선 및 데이터 배선의 교차 지점에 형성된 박막트랜지스터와,
    상기 게이트 배선에 평행하는 공통배선과,
    상기 박막트랜지스터의 드레인 전극에 콘택되고 일끝단이 서로 일체형으로 연결되며 다른 일끝단이 일정한 각도로 꺽어지는 구조를 가지는 복수개의 화소전극과,
    상기 화소전극에 평행하고 일끝단이 서로 일체형으로 연결되어 상기 공통배선에 콘택되는 복수개의 공통전극과,
    상기 제 1 기판과 대향하는 제 2 기판 사이에 형성된 액정층을 구비하며,
    상기 일정한 각도로 꺽어진 상기 화소 전극의 다른 일 끝단의 단변은 상기 화소 전극이 꺽이지는 방향의 공통 전극 연결부의 모서리와 마주보며,
    상기 일정한 각도로 꺽어진 상기 화소 전극의 다른 일 끝단의 장변은 상기 화소전극이 꺽어지는 방향과 반대 방향의 공통전극 연결부의 모서리와 마주보며,
    상기 화소전극이 꺽어지는 방향의 상기 공통 전극 연결부의 모서리와, 상기 화소전극이 꺽어지는 방향과 반대 방향의 상기 공통전극 연결부의 모서리는 사선방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소전극의 다른 일끝단이 게이트 배선 방향을 기준으로 45도로 꺽어지는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극의 다른 일끝단은 에지부가 일정한 각도로 꺽어지는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 공통전극의 다른 일끝단이 게이트 배선 방향을 기준으로 45도로 꺽어지는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 공통전극이 꺽어지는 방향의 화소전극 연결부의 모서리가 사선방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 공통전극이 꺽어지는 방향 및 그 반대방향의 화소전극 연결부의 모서리 가 사선방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극 및 공통배선은 상기 게이트 배선과 동일층에 구비되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극은 상기 화소전극과 동일층에 구비되는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 공통전극 및 화소전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 공통전극, 화소전극 및 데이터 배선은 일직선 형태로 형성되거나 지그재그(zigzag) 모양으로 형성되거나 또는 단위 픽셀 중간부분에서 꺽어지는 것을 특징으로 하는 횡전계방식 액정표시소자.
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