KR101170035B1 - 기판 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판의 연속 진공 세정 방법에 관한 것으로, 이는 낮은 분사 성능을 가지며 오염물에 대해 화학적으로 반응하는 종을 선택하고; 적어도 하나 이상의 선형 이온원에 의해 상기 낮은 분사 성능을 갖는 종으로 주로 구성된 가스 혼합물, 특히 산소를 기재로 하는 가스 혼합물로부터 플라즈마를 생성하며; 상기 이온화된 종이 상기 표면 일부에 흡수 또는 위치할 수 있는 오염물을 적어도 부분적으로 화학 작용에 의해 제거하도록 상기 기판의 적어도 표면 일부를 상기 플라즈마 내에 주입하는 것을 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판 세정 방법{METHOD FOR CLEANING A SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 세정하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 박막 증착 장치 내로 혼입되고 공업용 사이즈(운동 방향에 수직인 치수가 1.5m 이상, 또는 심지어 2m)인 장치처럼 진공하에서 작동하도록 의도된 세정 방법에 관한 것이다. 본 발명은 또한 세정되고 다양한 기능을 갖는 층(태양광선 조절층, 낮은 방사율층, 전자기적 차폐층, 열처리층, 친수성층, 소수성층 및 광촉매층), 가시광에서의 반사 수준을 개질하는 층(반사 방지층 또는 거울층) 또는 활성 시스템과 혼합되는 층(전기 크롬층, 전기발광층 또는 광전류층)으로 구성된 다층으로 코팅된 기판에 관한 것이다.
통상적인 음극 스퍼트링 증착 라인, 즉 기판, 특히 유리 기판 상에 박막(thin film)을 증착시키는 장치 내에서의 통상적으로 알려진 세정 방법들은 세척 기계(washing machines), 상세하게는 본 용도로 고안된 세척 기계 내에서, 기판의 세척, 브러싱(솔질) 및 헹굼 기법들을 사용한다.
본 기판은 적절한 장치 그립핑 부재(흡입 컵)를 구비한 조종 로봇에 의해 저장 랙(선반)으로부터 제거되고 챔버 내로 이를 이송하는 운반 로울러의 트레인 상에 놓여져 실제 증착 챔버의 상류부분(upstream)에 배치되며, 상기 증착 챔버의 제 1 챔버 내에서, 상기 기판은 주기적으로, 수차례의 세척, 브러싱, 헹굼 및 건조 사이클들을 거치고, 이러한 각각의 싸이클들은 특히, 브러쉬(솔질)의 품질, 물, 계면활성제 및 싸이클 시간의 특별한 선택에 의해 특히 다른것들과 다르며, 이들 모든 사이클들은 상기 기판의 표면을 가능한한 깨끗하고, 다양한 오염물로부터의 오염이 없게 하도록 의도된다.
그러나, 이러한 세정 방법들을 실행할 때, 크게 주의함에도 불구하고, 소규모로 세정의 질을 향상시키기 위해서 여전히 지속적 주의로 개선이 가능하며, 이러한 목적은 박막이 증착된 후, 및 선택적 강인화, 만곡 또는 굽힘의 열처리가 수행된 전 또는 후에 상기 기판을 부서지게 하는 결함(flaws)의 수를 줄이는데 있다.
이들 잔류 결함들은 다음의 원인으로 생성된다.
- (i) 흡입 컵으로부터의 자국(상기 흡입 컵의 원료에 따라, 실리콘 또는 네오프렌의 잔류물), 유지(oil) 절단 자국, 다양한 형태의 오염물질, 특히 유기원(organic origin), 먼지, SiO2 및 아연 잔류물과 같은 오염물질 (SO2 및 Zn은 플로트 라인(float line)의 단부에서 유리 보호를 위한 처리로 부터 생성된다.), 장갑(gloves)로부터의 자국 (특히, 고정된 측정값을 위한 보호구), 루실(lucile)의 잔류물 (PMMA), 무지개현상(iridescence, 예를 들면, 구연산 아연)으로부터 유리 표면을 보호하기 위해 상기 유리 위에 증착되는 것과 같은 유기 또는 무기 잔류물; 및
- (ii) 세정 기계로부터의 세정수 또는 (세척 기계에서 사용된 경우) 상기 유리의 표면에 흡수된 계면활성제 (특히, 양이온의 계면활성제)의 부수적인 건조.
(i)의 경우에, 몇 나노미터 내지 수 마이크론의 다양한 사이즈의 두께의 잔류물들은 상기 유리 상에서는 볼 수 없으나, 후속의 박막 다층의 증착에 의해 드러나고, 이들의 총 두께는 임의의 오염물의 평균 두께보다 훨씬 더 작게 유지된다. 특히 이들 잔류물은 상기 결점에서 열악한 코팅 접착력을 야기하여 상기 코팅의 박리(delamination)을 야기하고, 따라서 상기 결함의 주변 부분이 대기 부식에 노출된다(특히 은 층인 경우). 또한, 특히, 열처리를 수행해야만 하는 코팅들의 경우에, 상기 잔류물들이 산화(순수 유기 오염물인 경우)되거나 또는 상기 코팅 내로 확산(부분적으로 무기 오염물인 경우)되기 때문에 은의 튐(dewetting) 또는 유전성 층의 박리에 의해 다층에서 용납할 수 없는 부식이 야기되는 것이 사실이다.
이것의 주요 결론은 상기 결함이 허용 가능한 임계 크기보다 더 큰 크기를 갖기 때문에 상기 기판이 부서진다는 점이다.
(ii)의 경우, 물방울(droplet)의 건조로부터 야기되는 상기 광물염(mineral salt) 침전 형태의 잔류물이 실질적으로 전도성을 갖기 때문에, 상기 유리의 표면에 흡수된 다량의 유기 분자 또는 물의 존재는, 특히 열처리를 수행해야만 하는 코팅의 경우에, 특히 열처리 후에 허용할 수 없는 헤이즈(haze) 타입의 결함이나 부식 스폿을 야기한다. 여기서 다시, 상기 기판 및 그 다층은 파괴된다.
이 현상, 즉 기판의 표면에 흡수된 분자의 존재는 더욱 임계적일수록 더 높은 기판의 구동 속도를 나타낸다. 상세하게는, 이 유리 기판의 단위 시간당 속도는 5m/min에 달하거나 또는 심지어 이를 초과할 수도 있으므로 흡수된 분자의 상당량 이 상기 분자들의 높은 잠재 부분압을 이용하여, 라인 상에 들어간다. 증착 공정의 효과는 이들 분자들이 상기 장치 내에서 방출되는 것이다. 물 흡수의 경우(가장 빈번한 경우), 수증기 분자가 펌핑 시스템(pumping system)을 통해 제거되기 매우 어렵다는 것은 잘 알려져 있다. 너무 높은 물의 부분압은 코팅 및 증착 조건의 제어할 수 없는 변화를 가져온다(스퍼터링 효율의 변동, 층간 부착력의 결여, 굴절률들의 변화, 등).
상기 종래의 세척 기술의 단점들을 개선하기 위하여, 진공하에서 상기 기판들을 세척하는 기법들이 개발되었다.
따라서, 예를 들어, 미국특허 제 6,002,208 호(Keem 및 Maishev)는 선형 이온원(linear ion source)을 사용한 기판의 세정 및 에칭 방법을 개시하고 있다. 이 특허는 기판의 너비 이상인 기판의 상당한 두께를 제거할 수 있고 이는 운반 가스로서 아르곤을 사용하여 감압 (약간의 mTorr) 하에서 작동하는 선형 이온원 형태의 장치에 의해 스퍼터(sputtered) 된다는 사실을 보여준다. 그러나, 이 공정을 수행하는 경우, 세 가지의 주요한 단점이 존재한다.
(i) 효율성의 측면에서 매우 효과적인 스퍼터링 가스로 알려진 아르곤의 사용은 이온원 음극(ion source cathode, 일반적으로는 적어도 부분적으로 철을 함유)의 바람직하지 않은 부식을 야기할 것이다. 생성된 상기 오염물질은 상기 기판의 표면상에 스퍼터될 것이고 증착 전에 추가 오염을 더할 것이다. 상기 증착된 물질이 주로 금속성이기 때문에, 상기 기판의 표면을 불완전하게 적셔서 마디(nodules)의 형태로 수집할 것이다. 이들 마디들은 박막 다층에서, 특히 열처리 후에 결함들을 야기할 수 있으며, 또한 음극의 급속한 마모를 야기할 수 있으므로, 상기 음극의 공정 조건에서의 변화를 야기할 수 있다;
(ii) 기판으로부터 생성된 다량의 물질의 스퍼터링은 이들 물질 층을 이온 원의 환경 도처에 드러나게 한다. 유리의 경우, 이러한 재증착 층(redeposition layer)은 절연층이며, 이것은 플라즈마와 전기적으로 접지된 벽들 사이의 장벽으로 구성되고, 이로써 공정의 안정성(stability) 및 장비의 수명(높은 유지 비용)에 대해 불리한 전기적 불안정성들을 가져올 수 있는 공간 전하의 출현을 야기한다; 또한
(iii) 상기 기판을 형성하는 물질의 특정 두께 이상의 스퍼터링은 상기 기판의 최상부 표면의 화학적 조성을 변경시킬 것이다. 플로트 유리로 제조된 기판의 다양한 구성분들(Si, Na, Ca, O, Mg 등)이 각기 다른 스퍼터링 계수를 갖는다는 것은 알려져 있다. 따라서, 고에너지(> 1 keV)의 아르곤 빔으로 상기 유리를 가격하는 것은 칼슘의 표면농도, 특히 산화 칼슘의 표면 농도를 증가시키고, 후자는 Si 보다 훨씬 더 낮은 스프터링 속도(sputtering rate)를 갖는다는 것이 입증되었다. 특히 강인화 후에는, 상기 층들의 광학 품질에 대해, 알칼리 토금속으로의 어느 정도의 농축(enrichment)이 금지된다는 것이 또한 알려져 있다.
상기 생산 라인 내에서 물 분자를 제거하는 문제를 개선하기 위하여, 수증기가 진공하에서 상기 기판을 가열함으로써 상기 기판(예를 들면, 유리 기판)으로부터 탈착될 수 있다는 것이 알려져 있다. 이러한 공정은 소요시간이 길며 (기판의 온도에 따라 수 분이 소요됨) 진공 하에서 수행되기가 어렵다.{큰 유리시트, 무빙 유리, 방사선으로 감소된 열전이(heat transfer)}
또한, “화학적” 세정 방법은 오존(O3)에 의해 발생된 산소 라디칼 또는 산소를 함유한 무선 주파수 플라즈마를 사용하는 것이 알려져 있다. 이들 방법들은 적어도 부분적으로 유기 오염 물질(산화작용에 의해 제거될 수 있는)에 효과적이며, 상기 언급된 단점들을 방지하지만 비유기성 오염물의 제거는 허용되지 않으며 건축 유리 또는 기판의 사이즈를 갖는 기판은 처리할 수 없다. 일반적으로, 산소 라디칼을 이용한 이들 세정 방법은 살균 세정 단계들로 한정되며 일반적으로 배치 공정(batch process)에서 사용된다.
따라서, 본 발명의 목적은 선형 이온원을 사용하여 기판, 특히 유리 기판을 세정하는 연속법(continuous method)을 제안하여 상기에 언급된 방법들의 결점들을 향상시키는 것으로, 이는 오염 물질의 선택적 제거를 용이하게 하는 플라즈마 조건을 제공하며, 극히 제한된 기판 표면의 스퍼터링 또는 기판 표면의 스퍼터링이 전혀 없는 것을 보장하며, 흡수된 물 또는 계면활성제가 탈착되도록 하며, 또한 매우 중요하게, 이온원 음극의 부식으로 인하고/인하거나 상기 장치상에서 스퍼터된 물질의 재증착에 의한 기판의 오염을 제한한다.
이러한 목적을 위하여, 본 발명에 따른, 기판의 연속적인 진공 세정 방법은 하기의 점들을 특징으로 한다.
- 선택된 종(species)들은 낮은 스퍼터링 효율을 가지며, 오염물에 대해 화학적 활성을 갖는다;
- 적어도 하나 이상의 선형 이온원을 사용하며, 플라즈마는 주로 낮은 스퍼터링 효율을 갖는 종들, 특히 산소 기재의 종들로 구성된 가스 혼합물로부터 발생된다; 그리고
- 상기 이온화된 종들이 상기 표면의 일부에 흡수 또는 위치할 수 있는 오염 물질을 화학반응에 의해 적어도 부분적으로 제거하도록, 층과 선택적으로 결합한 적어도 하나 이상의 상기 기판의 표면 일부가 상기 플라즈마에 주입된다.
상기 항목들 덕분에, 박막 증착 장치 내에서 기판의 표면 일부를 세정할 수 있고, 이 장치는 공업용 사이즈이며 진공 하에서 작동한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 하나 또는 그 이상의 다음의 조항들이 선택적으로 적용될 수 있다.
- 상기 세정 방법은 진공 차단(breaking vacuum) 없이 상기 기판의 상기 표면 일부에서 적어도 하나의 박막을 증착시키는 적어도 하나 이상의 단계(phase)가 뒤따르며, 이 증착 단계는 진공 증착 공정에 의해 수행되고;
- 상기 증착 공정은 음극 스퍼터링 공정, 특히 전자기적으로 강화된 스퍼터링으로 구성된다;
- 상기 진공 증착 공정은 CVD(Chemical Vapor Depostion; 화학 기상 증착)을 기본으로 하는 공정으로 구성되며;
- 이온원과 상기 기판 사이의 상대 운동을 야기하는 단계가 수행되며;
- 선형 이온원은 이온화된 종의 평균 스퍼터링 효율이 상기 표면 일부의 스퍼터링을 허용하지 않는 방법으로 기판의 표면 일부에 대해 위치되며;
- 상기 선형 이온원은 공업용 사이즈의 기계장치(plant) 내에 위치되며;
- 상기 선형 이온원은 0.5 내지 2.5 keV, 바람직하게는 1 내지 2 keV, 특히 약 1.5 keV인 에너지로 조준된 이온 빔을 발생시키며;
- 상기 세정 방법은 진공 스퍼터링에 의해 박막을 증착시키기 위해 의도된 적어도 하나의 챔버에서, 음극 대신 펌핑 챔버 내에서, 상기 후자 항목들 사이에 위치한 중간 챔버 내에서, 또는 상기 기판을 주입하기 위한 에어록(airlock) 내에서 수행되며; 및
- 기판의 두 개의 다른 표면 부분들은 적어도 선형 이온원을 사용하여 동시에 또는 연속해서 세정된다.
본 발명의 또 다른 양상에 따르면, 이는 상기에 설명된 방법에 의해 서정된 적어도 하나의 표면 일부에서의 기판, 특히 유리 기판에 관한 것으로, 상기 표면 일부는 다른 기능을 갖는 층들(태양광선 조절층, 낮은 방사율층, 전자기적 차폐층, 열처리층, 친수성층, 소수성층 및 광촉매층), 가시광에서의 반사 수준을 개질하는 층(거울 및 반사 방지층) 또는 활성 시스템과 혼합되는 층(전기 크롬층, 전기발광층 또는 광전류층)으로 덮여진다.
본 발명의 다른 특징 및 이점들은 비제한적 예시를 통해 제시된, 다음 설명의 과정을 통해 명백해질 것이다. 이하에 주어진 것은 단일 도면으로 흡입 컵의 자국을 제거하는 효능을 도시하고 있다:
- 단일 도면은 흡입 컵의 자국 상에서 이온 빔 처리의 효능을 도시한 시험 견본을 도시한다.
본 발명의 과제인 상기 방법을 구현하는 바람직한 수단은, 음극 스퍼터링, 특히 전자기적으로 강화된 스퍼터링 및 특히 산소 및/또는 질소 존재 하에서의 반응성 스퍼터링에 의해, 기판상에 박막을 증착하기 위해 공업용 사이즈의 라인 내로 적어도 하나 이상의 선형 이온원이 삽입되는 것에 있다.
또한 상기 박막 증착은 당업자에게 잘 알려져 있는 CVD (화학 기상 증착, Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD (플라즈마 화학기상증착, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)을 기초로 한 공정에 의해 수행될 수도 있으며, 그 실시예는 유럽특허 제 0 149 408 호에 도시되어 있다.
본 발명의 내용에서, "공업용 사이즈"라는 표현은 한편으로는 연속적으로 작동하는 생산라인에 적합한 사이즈 및, 또 다른 한편으로는 특징적인 치수들 중 하나를 갖는 기판을 다루는 생산 라인에 적합한 사이즈에 적용되는 것을 의미하며, 예를 들면, 상기 기판이 구동하는 방향에 수직인 너비는 적어도 1.5m 이다.
선형 이온원은 음극 대신에 두 개의 증착 챔버와 연결된 에어록(airlock), 상기 라인의 시발점, 또는 최종 입구(inlet) 에어록, 보다 상세하게는 높은 진공 내로 주입되는 증착 라인의 일부를 형성하는 챔버 (예를 들면, 1×10-5 mbar의 서열 값을 갖는 챔버) 내에 장착될 수 있다.
제조 라인 내에서 몇몇 소스들을 혼합할 수 있으며, 상기 소스는 기판의 일 측면 바로 위에 또는 기판의 각 측면 상에서 (예를 들면, 업-앤-다운 스퍼터링 라인), 동시에 또는 연속해서 작동할 수 있다.
하기의 작동 원리를 갖는 적어도 하나의 선형 이온원이 사용된다.
상기 선형 이온원은, 매우 개략적으로, 음극, 양극, 자기 디바이스 및 가스 주입을 위한 소스를 포함한다. 이러한 타입의 소스의 예는 러시아 특허 제 2 030 807호, 미국특허 제 6 002 208 또는 국제특허 제 WO 02/093987호에 기재되어 있다. 양극은 DC 공급에 의해 양성 전위로 상승하고, 상기 양극과 음극 사이의 전위 차는 근처로 주입된 가스를 이온화되게 한다.
이후 상기 가스 플라즈마는 (영구적 또는 비영구적인 자석에 의해 생성된) 자기장에 주입되고, 이온 빔을 가속화하고 집중시킨다.
따라서, 상기 이온은 이온원의 바깥쪽을 향해 조준되고 가속화되며, 그 강도는 특히 이온 소스의 형상, 가스 유속, 그들의 특성 및 양극에 가해진 전압에 따른다.
하기에 주어진 것은 다양한 압력과 가스 형태에 대한 평균 자유 경로(mean free path)의 다양한 값이다.
압력
가스 0.5 mtorr 1.0 mtorr 2.5 mtorr 5.0 mtorr
H2 17.3 8.7 3.5 1.7
HE 26.2 13.1 5.2 2.6
Ne 19.1 9.6 3.8 1.9
N2 8.9 4.5 1.8 0.9
O2 9.7 4.9 1.9 1.0
Ar 9.7 4.9 1.9 1.0
Kr 7.3 3.7 1.5 0.7
Xe 5.4 2.7 1.1 0.5
H2O 10.2 5.1 2.0 1.0
CO 9.0 4.5 1.8 0.9
CO2 6.0 3.0 1.2 0.6
NH3 6.4 3.2 1.3 0.6
이 경우, 본 발명의 주제인 방법에 따르면, 선형 이온원은 조준 모드(collimated mode)에서 주로 산소와 소량 성분인 25 미만의 원자 질량을 갖는 불활성 가스(noble gas), 예를 들면 네온 또는 헬륨을 함유한 가스 혼합물로 작동한다.
제한 없는 실시예로서, 산소는 150sccm 의 유량 속도, 3kV의 전극 및 1.8A의 전류 사이의 전압에 따른 5400W의 소비 전력으로 주입되었다. (이 특징들은 1m 소스 길이에 관한 것이다.)
산소를 포함하는 가스 혼합물에 의해 제공된 이점은 산소가 예를 들어, 높은 스퍼터링 효율을 갖는 종과는 반대로 아르곤과 비교할 때, 낮은 스퍼터링 효율을 갖는 종으로 구성된다는 사실이다.
본 발명의 내용상에서, 질량(mass) 때문에 과속화된 결과로서, 높은 효율이 단면부 및 그 에너지에 영향을 준 경우,종들은 높은 스퍼터링 효율을 가지며, 이들 종들은 기판과의 충돌 영향으로 기판의 표면으로부터 물질을 제거하기에 충분한 에너지를 갖는다.
이 소스는 낮은 스퍼터링 효율을 갖는 종의 조준된 플라즈마가 처리 챔버를 관통하는 기판의 적어도 일부면에 도달하는 방법으로 상기에 언급된 조건 하에서 챔버 내에 위치된다. 주로 산소를 함유하고 상기 소스에 주입된 가스 혼합물을 사용하는 본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 가스가 이온화할 때, 오염 물질을 매우 강하게 산화시킬 수 있는 O+ 및 O- 종의 형태로 존재한다.
따라서, 본 발명에 따른 세정 방법은 기계적 세정 방법 (스퍼터링) 보다는 화학적 방법을 선호하고, 이는 선형 이온원을 사용하는 종래 기술의 공지된 방법의 경우로, 높은 스퍼터링 효율을 갖는 종들(예를 들어, 아르곤)을 기재로 한 플라즈마를 이용한다.
따라서, 기판의 일 측면 또는 동일한 기판의 양 측면에 위치한 기판의 일부 표면상에서 (몇몇 이온원이 사용가능할 경우):
- 적어도 부분적으로 유기 오염 물질을 산화시키고,
- 휘발성 종을 제거하며 (물, 계면활성제, 탄화수소), 그리고
- 낮은 승화 에너지를 갖고 상기 기판의 표면을 본래의 상태로 그대로 두는 잔류물을 스퍼터하는 것이 가능하다.
따라서, 처리된 기판은 굽어진 유리판의 형태일 수 있으며, "공업용" 치수를 갖는다. 본 발명의 내용상에서, "공업용" 치수는 프랑스의 PLF {즉, 전폭 플로트(full-width float)}, 또는 DLF (즉, 반폭 플로트(half-width float)}로 통상적으로 불리우는 유리 시트의 특징적 치수, 즉 각각 너비가 3m 및 2m 이상인 것을 의미하는 것으로 이해된다.
특히 유리로 만들어진 기판은 거의 스퍼터 되지 않거나 또는 전혀 스퍼터 되지 않아서 SiO2 스퍼터링이 없다. 따라서 이 종으로 어떠한 환경 오염도 있을 수 없다. 알칼리 토금속으로의 농축이 없으며, 상기 기판의 표면 증착이 개질되지 않는다. 그러나, 이 세정 방법은 화학적으로 기판의 표면 일부를 활성화 시킨다(기판을 친수성이 되게 한다).
반면, 낮은 스퍼터링 효율을 갖는 종의 에너지는 이온원의 음극 및 특히 철로 만들어진 프레임 성형 부품들을 부식시키는데 불충분하고, 상기 철 분자 상에 존재하는 O- 종들의 산화 작용은 스퍼터를 어렵게 하는 것으로 또한 알려진 산화철의 형성을 야기한다. 따라서, 음극 물질에 의한 오염을 매우 제한하며, 이는 2가지의 이점을 갖는다: 이는 오염된 기판상에 증착된 코팅에 결함(flaws)이 발생하는 것을 방지하며, 이 음극이 교체되어야 하는 빈도를 감소시킨다.
유기 오염을 처리하는 일 실시예는, 창유리(glazing) 유닛의 자정작용(광촉매 효과)에 적용된 표준 시험 동안에 유리 견본 상에 증착된 스테아르산의 일부의 이온원에 의한 제거이다.
상기 층은 적외선 분광법(spectroscopy){2800 내지 2980 cm- 1 의 산 작용(acid function)에 대응하는 신호의 통합}에 의해, 이온 빔에 노출되기 전 및 후에 분석된다. 대조 견본은 상기 처리 동안 증발 현상을 측정하기 위해 챔버 내로 동시에 주입된다.
동일한 전력 조건 하에서 이온원 내로 주입된 두개의 다른 가스들에 의해 수득된 결과는 다음과 같이 나타낸다.: 상기 두 개의 다른 가스 중 하나는, 높은 스퍼터링 효율을 갖는 가스인 아르곤이고, 다른 하나는 낮은 스퍼터링 효율을 갖는 가스인 산소이다.
상기 소스의 플라즈마 특성 및 상기 시스템의 형상은 두 개의 경우에서 유사한데, 압력은 약 2 mtorr; 상기 소스의 말단을 가로지르는 전압은 3kV, 전류는 약 0.25 A 이다.
처리 전의
신호 강도		 처리 후의신호 강도 증발된
스테아르산		 이온원에
의해 제거된
스테아르산
견본 1 (산소; 1회 통과; 1.2m/분) 1.964 0.21606 0.5711 1.17684
견본 2 (대조 견본, 진공 하에서 통과, 1회 통과, 1.2m/분 1.9794 1.4083 0.5711
견본 3 (아르곤, 1회 통과, 1.2m/분) 1.9231 0.2182 0.656 1.0486
견본 4 (대조견본, 진공하에서 통과, 1회 통과, 1.2m/분) 1.9268 1.2708 0.656
이로써, 이전 가스의 낮은 스퍼터링 효율에도 불구하고, 지방산에 의해 만들어진 유기 오염물을 제거하는데 산소로 처리하는 것은 아르곤으로 처리한 것보다 더 효과적이라는 것이 명백해 졌다.
특히 접착 테이프의 자국, 세척 기계 후에 미비한 건조로 인한 잔류 수분 자국, 흡입 컵으로부터의 자국, 손가락 자국 (독자는 단일 손가락을 참고로 할 수도 있다)과 같은 다양한 다른 타입의 오염물은 산소 이온의 조준된 빔을 사용하여 제거될 수 있다.
상기 마자막 형태의 자국은 쥘 수 있는 흡입 컵을 사용하여 공업용 사이즈의 유리 시트를 다룰 때 야기되며, 이는 상기 유리 표면상에 탄성 중합체 잔류물 또는 다른 흔적을 남길 수 있다.
따라서, 세정된 기판은, 진공 차단(breaking vacuum) 없이 (즉 기판이 진공 증착 장치 내에서 방치된다.), 다양한 기술의 공지된 방법 {PECVD, CVD (화학 증기 증착법), 마그네트론 스퍼터링 또는 이와 다른 이온 도금, 이온 빔 스퍼터링 및 이중 이온 빔 스퍼터링}에 의해 박막 증착에 적합한 챔버를 통과하여 그들의 경로를 유지한다.
기판, 바람직하게는 유리 또는 플라스틱 (PMMA, PC 등)으로 제조된, 투명하며, 편평한 또는 굽어진 기판은 상기에 언급된 진공 증착 장치 내에서 상기 기판 상에 다양한 기능을 부여하는 적어도 하나의 박막 다층으로 코팅될 수 있다.
따라서, 이들 코팅된 기판은 자동차 공업용으로 적합한 창유리 유닛(glazing units), 특히, 선루프, 측창(side window), 전면유리, 후면유리, 또는 빌딩용 단일 또는 이중 창유리, 특히 빌딩용 내부 또는 외부창유리, 굽어질 수도 있는 상점의 쇼케이스 또는 카운터 유리, 페인팅 타입의 물건을 보호하기 위한 창유리, 눈부심 방지 컴퓨터 스크린 또는 유리 가구 등을 형성한다.
따라서, 본 발명의 제 1실시예에 따르면, 상기 기판은 "강화된 단열성" 또는 낮은-E (저-복사율) 형태의 코팅을 갖는다. 이 코팅은 적어도 5개의 연속하는 층들로 된 적어도 하나의 일련의 서열, 즉 특히 산화주석, 산화 티타늄 및 산화 아연으로부터 선택된 금속 산화물 또는 반도체를 기재로 하는 제 1층 (10 내지 30nm 의 두께); 상기 제 1층에 증착되고, 특히 산화 아연 또는 산화 티타늄을 기재로 하는 금속 산화물 또는 반도체 층(5 내지 15nm 의 두께); 은층(5 내지 10nm 의 두께 ); 선택적으로 질화되며 상기 은층 위에 증착되는, 특히 니켈 크롬, 티타늄, 니오븀 및 지르코늄으로부터 선택된 금속층(5nm 미만의 두께); 및 선택적으로 보호 코팅(overcoat)으로 불리우는 보호층인, 상기 금속 층위에 증착되는 특히 산화 주석, 산화 티타늄 및 산화 아연으로부터 선택된 금속 산화물 또는 반도체를 포함하는 적어도 하나의 상부층(5 내지 40nm 의 두께)으로 구성된다.
이하에 주어진 것은 낮은-E 다층으로 코팅된 기판의 예이다.: 기판/SnO2/ZnO/Ag/NiCr/SnO2
따라서, 제 2실시예에서, 상기 기판은 열 처리를 수행하기에 적합한 "강화된단열성" 코팅(강인화 형태)을 갖거나 낮은-E 타입 또는 태양광선-제어 타입의 코팅 또는 특정 자동차 산업용으로 고안된 코팅(또한 열 처리를 수행하는데 적합하다)을 갖는다.
상기 코팅은 적외선 및/또는 태양광선에 반사 특성을 가지며, 특히 은(5 내지 15 nm 두께)을 기재로 하는 n개의 기능성 층(A) 및 (n+1) 개의 코팅(B)(n≥1)이 교차로 구성된 박막 다층으로 구성되며, 상기 코팅(B)는, 각각의 기능성 층(A)가 2개의 코팅들(B) 사이에 놓이도록, 질화 규소(5 내지 80nm 의 두께), 또는 실리콘과 알루미늄의 혼합물, 산질화규소, 또는 산화아연를 기재로 한 절연체로 제조된 층(5 내지 20nm의 두께) 또는 중첩(superpostion)층으로 구성되며, 상기 다층은 또한 가시광을 흡수하고, 특히 티타늄, 니켈 크롬 또는 지르코늄을 기재로 하는 층들(C)을 포함하며, 이들 층들은 선택적으로 질화되고, 상기 기능성 층의 상부 및/또는 하부 에 위치한다.
다음에 주어진 것은 이러한 형태의 다층으로 코팅된 기판들의 예이다.:
기판/Si3N4/ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4;
기판/Si3N4/ZnO/Ti/Ag/ZnO/Si3N4/ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4
따라서, 제 3실시예에서, 상기 기판은 태양광선 조절 형태의 코팅을 갖는다.
상기 기판은 특히 금속성(metallic nature)으로, 적외선 및/또는 태양광선 반사선에 반사 특성을 갖는 한개 이상의 n 기능성층들, 및 (n+1) "코팅들(n≥1)"이 교차로 구성된 박막 다층으로 구성되며, 한편으로는, 상기 다층은 특히 산화 주석을 기재로 한 유전체로 제조된 층(20 내지 80nm의 두께) 또는 산 니켈 크롬을 기재로 한 유전체로 제조된 층(5 내지 30nm의 두께)을 적어도 하나 이상 포함하는 하나 또는 그 이상의 층으로 구성되며, 다른 한편으로는, 은 또는 은을 포함하는 금속 합금으로 제조된 기능성 층(5 내지 30nm의 두께)을 적어도 하나 이상 포함하며, 상기 (각) 기능성 층은 두 개의 유전체 층 사이에 위치된다.
다음에 주어진 것은 이러한 형태의 다층으로 코팅된 기판의 예이다. :
기판/SnO2/Ag/NiCr/SiO2;
기판/SiO2/Ag/NiCr/SnO2/Ag/NiCr/SnO2
따라서, 제 4 실시예에서, 상기 기판은 열 처리를 수행하기에 적합한 태양열 조절 타입의 코팅(예를 들면 인장 타입)을 갖는다.
이것은 이 코팅은 적어도 5개의 연속하는 층들로 된 적어도 하나의 서열로 구성되며, 이는 특히 질화 규소를 기재로 하는 제 1층(20 내지 60nm의 두께), 상기 제 1층 위에 증착되는 특히 니켈 크롬 또는 티타늄을 기재로 한 유전층(10nm 이하의 두께), 적외선 및/또는 태양광선 방사선에 반사 특성을 갖는 특히 은을 기재로 한 기능성 층(10nm 미만의 두께), 상기 은층 위에 증착되며 특히 티타늄, 니오븀, 지르코늄 및 니켈크롬으로부터 선택된 금속층(10nm 미만의 두께), 및 상기 금속층 위에 증착된 질화 규소를 기재로 한 상부층(2 내지 60nm의 두께)으로 구성된다.
다음에 주어진 것은 이러한 형태의 다층으로 코팅된 기판의 예이다.
기판/Si3N4/NiCr/Ag/Ti/Si3N4
따라서, 제 5실시예에서, 상기 기판은 제3 실시예에서 설명된 것과는 다른 태양광선 조절 타입의 코팅을 갖는다.
변형예로서, 상기 층들에 흡수되기 쉬운 잔류 수분을 제거하기 위해 본 발명의 과제인 세정 방법을 사용하는 것이 가능하다. 이 경우, 다층의 세정에 사용된 선형 이온원은 상기 라인의 전방에 위치하지 않고 마그네트론 라인의 두 음극 위치 사이에 존재한다. 이 경우, 그것은 상기 선형 이온원에 주입되는 적어도 하나의 코팅과 결합된 상기 기판의 표면 일부이다.
따라서, 상기 이온원은 Si3N4 또는 ZnO의 층착 후에 다음의 다층의 예에 사용될 수 있다.
기판/Si3N4/ZnO/Ti/Ag/ZnO/Si3N4/ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N4; 또는
예를 들어, SnO2 또는 ZnO의 층착 후, 다음 다층의 예에 사용될 수 있다.
기판/SnO2 /ZnO/Ag/NiCr/SnO2
이것은 부분적으로 또는 완전히 질화된 금속을 기재로한 기능성 층(10 내지 50nm 의 두께)을 적어도 하나 이상 포함하는 태양광선 방사선에 작용하는 박막 다층으로, 상기 금속은 니오븀, 탄탈륨 및 지르코늄으로 구성된 그룹에 속하며, 상기 기능성 층은 질화 알루미늄 또는 산질화 알루미늄, 질화 실리콘 또는 산질화 실리콘, 또는 적어도 2개 이상의 이들 복합물의 혼합물을 기재로 한 적어도 하나의 외부 층(overlayer, 5 내지 10nm의 두께)에 의해 뒤덮이며, 상기 다층은 또한 상기 기판과 상기 기능성 층 사이에, 특히 실리콘 및/또는 질화 알루미늄, 실리콘 및/또는 산질화 알루미늄 및 산화 실리콘으로부터 선택된 투명한 유전체로 제조된 적어도 하나 이상의 하부 층(underlayer, 5 내지 20nm의 두께)을 포함한다.
다음에 주어진 것은 이러한 형태의 다층으로 코팅된 기판의 예이다.
기판/Si3N4/Nb/Si3N4;
기판/Si3N4/NbN/Si3N4;
따라서, 제 6실시예에서, 상기 기판은 반사 방지 기능을 갖는 코팅을 갖는다.
이것은 적어도 하나 이상의 기판 면 상에, 높고 낮은 굴절률들을 교차로 갖는 유전체들로 제조된 박막 다층으로 구성된 반사 방지 코팅을 포함하는 기판으로, 고굴절률의 제 1층 및/또는 고굴절률의 제 3층은 산화 아연, 산화 주석, 산화 티타늄 및 산화 지르코늄으로부터 선택된 하나 이상의 금속 산화물을 기재로 하며, 이 들은 그들의 광학, 기계적 및/또는 화학적 특성들을 개선시키기 위하여 선택적으로 도프(doped)되거나, 또는 질화 규소 및/또는 질화 알루미늄으로부터 선택된 하나 이상의 질화물, 주석/아연/안티몬 혼합의 산화물, 규소/티타늄 또는 티타늄/아연 혼합 질화물, 또는, 질화 규소 또는 질화 지르코늄으로부터 선택된 혼합 질화물을 기재로 하며, 이들 층 모두는 그들의 광학적, 기계적 및/또는 화학적 특성들을 개선시키기 위하여 선택적으로 도프되고, 또한 저굴절률의 제 2층 및/또는 저-(굴절률) 지수의 제 4층은 산화 규소, 산질화 규소 및/또는 옥시카바이드, 또는 실리콘 알루미늄 혼합 산화물을 기재로 하며, 상기 제 1 및 제 2층은 5 내지 50nm의 두께를 갖고, 제 3 및 제 4층은 10 내지 150nm의 두께를 갖는다.
다음에 주어진 것은 이러한 형태의 다층으로 코팅된 기판의 예이다.
기판/Si3N4/SiO2/Si3N4/SiO2;
기판/Sn2Zn8SbO12/SiO2/Sn2Zn8SbO12/SiO2
따라서, 제 7실시예에서, 상기 기판은 전기 변색(electrochromic) 기능성 코팅을 갖는다.
이 활성 다층은 100 내지 300 nm의 ITO 기재의 상부 전도성 층과 하부 전도성 층 사이에 증착된다.
상기 활성 다층은 예를 들어 다음과 같이 구성된다.
- 40 내지 100nm 두께의 수화된 산화 이리듐으로 제조된 양성 전기 변색 물질 층은 다른 금속과 합금 될 수 있거나 합금 되지 않을 수도 있다. (이것은 40 내 지 300nm 두께의 수치화된 산화 니켈층으로 대체될 수 있다) ;
- 100nm 의 산화 텅스텐 층;
- 100nm의 수화된 산화 탄탈륨, 또는 수화된 산화 규소 또는 수화된 산화 지르코늄층; 및
- 수화된 산화 텅스텐을 기재로 한 370nm의 음성 전기 변색 물질 층
그러나, ㅊ다른 실시예들에 따르면, 상기 기판은, 기판의 면들 중 적어도 하나의 면에, 광기전성 장치(photovoltaic device) 또는 전기 발광 장치(electroluminescent device) 내에 존재하는 전기화학 장치, 특히 창유리 타입으로 다양한 광학 및/또는 에너지 특성들을 갖는 전기적으로 조절 가능한 시스템을 포함한다.
이하에, 이들 기판의 일부는 열처리(굽힘, 강인화 또는 어닐링 열처리)를 수행할 수 있고 자동차 산업, 특히 선루프, 측창(side window), 전면유리, 후면유리 혹은 백미러(rearview mirror), 또는 빌딩용 단일 또는 이중 창유리, 특히 빌딩의 내부 또는 외부 창유리, 굽어질 수도 있는 상점의 쇼케이스 또는 카운터 유리, 페인팅 타입의 물건을 보호하기 위한 창유리, 눈부심 방지 컴퓨터 스크린 혹은 유리 가구, 또는 일반적으로 특히 투명한 임의의 유리 기판 등에 사용될 수 있도록 의도된다.
상기에 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명은 기판 세정 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박막 증착 장치 내로 혼입되고 공업용 사이즈인 장치처럼 진공 하 에서 작동하도록 의도된 세정 방법에 관한 것이다.

Claims (19)

1.5m보다 크고 이동 방향에 수직인 치수를 갖는 기판의 연속 진공 세정 방법으로서, 추가로 상기 기판 상에 박막을 증착시키는, 기판의 연속 진공 세정 방법에 있어서,
- 적어도 하나의 선형 이온원은, 진공 내로 주입되는 증착 라인의 일부를 형성하는 챔버에서, 음극 스퍼터링에 의해 기판 상에 박막을 증착시키기 위한 공업용 사이즈의 라인에 삽입되고,
- 상기 이온원과 상기 기판 사이에서 상대 운동을 야기하는 단계가 수행되고;
- 종(species)은, 아르곤의 효율보다 낮은 스퍼터링 효율을 가지며, 오염 물질에 대해 화학 반응을 하는 것으로 선택되고;
- 상기 적어도 하나의 선형 이온원을 사용하여, 플라즈마는 상기 낮은 스퍼터링 효율을 갖는 종으로 구성된 산소를 포함하는 가스 혼합물로부터 발생하며, 상기 선형 이온원은 기판의 표면으로부터 물질을 제거하지 않고도 조준된 이온 빔을 발생시키고,
- 한 층과 선택적으로 결합된 상기 기판의 적어도 하나의 표면 일부가, 상기 종이 상기 표면 일부 상에 흡착되거나 또는 위치할 수 있는 오염 물질을 화학 반응에 의해 부분적으로 제거하도록 상기 플라즈마의 처리를 받고,
- 적어도 하나의 박막은 상기 기판의 상기 세정된 표면 일부 상에 증착되고, 상기 증착은 상기 진공 차단 없이 진공 증착 공정에 의해 상기 공업용 사이즈의 라인 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는, 기판의 연속 진공 세정 방법.
제 1항에 있어서, 상기 증착 공정은, 자기적으로 강화된 음극 스퍼터링으로 구성되는 것을 특징으로 하는,
기판의 연속 진공 세정 방법.
제 1항에 있어서, 상기 진공 증착 공정은 CVD를 기초로 하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는,
기판의 연속 진공 세정 방법.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선형 이온원은 상기 종의 평균 스퍼터링 효율이 상기 표면 일부의 스퍼터링을 허용하지 않는 방법으로, 상기 기판의 표면 일부에 대해 위치되는 것을 특징으로 하는,
기판의 연속 진공 세정 방법.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선형 이온원은 공업용 사이즈의 플랜트(plant) 내에 위치되는 것을 특징으로 하는,
기판의 연속 진공 세정 방법.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선형 이온원은 0.5 내지 2.5 keV의 에너지로 조준된 이온 빔을 발생시키는 것을 특징으로 하는,
기판의 연속 진공 세정 방법.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 진공 스퍼터링에 의해 박막이 증착되도록 의도된 적어도 하나의 챔버에서, 음극 대신 펌핑 챔버 내에서, 또는 상기 음극 챔버와 펌핑 챔버 사이에 위치한 중간 챔버 내에서, 또는 상기 기판을 주입하기 위한 에어록(airlock) 내에서 수행되는 것을 특징으로 하는,
기판의 연속 진공 세정 방법.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 기판의 두 개의 다른 표면 일부가 적어도 하나의 상기 선형 이온원을 사용하여 동시에 또는 연속해서 세정되는 것을 특징으로 하는,
기판의 연속 진공 세정 방법.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에서 청구된 방법을 수행하여 수득되는 기판에 있어서,
상기 기판은 적외선 또는 태양 복사선에 반사 특성을 갖는 다층 코팅을 구비하며, 상기 코팅은 적어도 5개의 연속층들로 된 적어도 하나의 서열, 즉
- 산화 주석, 산화 티타늄 및 산화 아연으로부터 선택된 금속 산화물 또는 반도체를 기재로 하는 제 1층;
- 상기 제 1층에 증착되고, 산화 아연을 기재로 하는 금속 산화물 또는 반도체 층;
- 은층;
- 상기 은층 위에 증착되고, 니켈 크롬, 티타늄, 니오븀 및 지르코늄으로부터 선택된 금속층; 및
- 상기 금속 층위에 증착되고, 산화 주석, 산화 아연 및 산화 티타늄으로부터 선택된 금속 산화물 또는 반도체로 구성된 상부층으로 구성되는 것을 특징으로 하는,
기판.
제1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 청구된 방법을 수행하여 수득되는 기판에 있어서,
상기 기판은 적외선 또는 태양 복사선에 반사 특성을 가지며, 은을 기재로 하는 n개의 기능성 층(A) 및 (n+1) 개의 코팅(B)(n≥1)을 교대로 포함하는 박막 다층을 구비하고, 상기 코팅(B)은, 각각의 기능성 층(A)이 2개의 코팅들(B) 사이에 놓이도록, 질화 규소, 또는 실리콘과 알루미늄의 혼합물, 산질화규소, 또는 산화 아연을 기재로 한 유전체 층 또는 유전체 층의 중첩을 포함하고, 또한 상기 다층은 가시광 내에서 흡착하고 티타늄, 니켈 크롬 또는 지르코늄을 기재로 하는 층들(C)로 구성되며, 이들 층들은 선택적으로 질화되고, 상기 기능성 층의 상부 또는 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는,
기판.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 청구된 방법을 수행하여 수득되는 기판에 있어서,
상기 기판은 금속성(metallic nature)이고, 적외선 또는 태양복사선에 반사 특성을 갖는 하나 또는 그 이상의 n개의 기능성 층들, 및 (n+1) "코팅들(n≥1)"을 교대로 포함하는 박막 다층으로 구성되고, 상기 다층은 한편으로는, 산화 주석 또는 산화 니켈 크롬을 기재로 한 유전체로 제조된 층을 적어도 하나 포함하는 하나 또는 그 이상의 층으로 구성되며, 다른 한편으로는, 은 또는 은을 포함하는 금속 합금으로 제조된 기능성 층을 적어도 하나 이상 포함하고, 상기 (각) 기능성 층은 두 개의 유전체 층 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는,
기판.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 청구된 방법을 수행하여 수득되는 기판에 있어서,
적어도 5개의 연속층, 즉
- 질화 규소를 기재로 하는 제 1층;
- 상기 제 1층 위에 증착되며 니켈 크롬 또는 티타늄을 기재로 한 유전체 층;
- 적외선 또는 태양복사선에 반사 특성을 갖는 은을 기재로 한 기능성 층;
- 상기 은 층 위에 증착되며 니켈 크롬, 티타늄, 니오븀 및 지르코늄으로부터 선택된 금속층; 및
- 상기 금속층 위에 증착되며, 질화 규소를 기재로 한 상부층
으로 구성된 적어도 하나의 서열을 포함하는 박막 다층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에서 청구된 방법을 수행하여 수득되는 태양복사선에 작용하는 박막 다층을 구비하는 기판에 있어서,
상기 다층은 부분적으로 또는 완전히 질화된 금속을 기재로 하는 적어도 하나 이상의 기능성 층을 포함하고, 상기 금속은 니오븀, 탄탈륨 및 지르코늄으로 구성된 그룹에 속하며, 상기 기능성 층은 질화 알루미늄 또는 산질화 알루미늄, 질화 실리콘 또는 산질화 실리콘, 또는 적어도 2개 이상의 이들 복합물의 혼합물을 기재로 한 적어도 하나 이상의 외부층에 의해 뒤덮이며, 또한 상기 다층은 상기 기판과 상기 기능성 층 사이에, 질화 실리콘 또는 질화 알루미늄, 산질화 실리콘 또는 산질화 알루미늄 및 산화 실리콘으로부터 선택된 투명한 유전체로 제조된 적어도 하나의 하부층을 포함하는 것을 특징으로 하는,
기판.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 청구된 방법을 수행하여 수득되는 기판으로서, 기판의 면들 중 적어도 하나 이상의 면에, 높고 낮은 굴절률들을 교차로 갖는 유전체로 제조된 박막 다층으로 구성된 반사 방지 코팅을 포함하는 기판에 있어서,
상기 고굴절률의 제 1층 또는 고굴절률의 제 3층은 산화 아연, 산화 주석 및 산화 지르코늄으로부터 선택된 하나 이상의 금속 산화물, 질화 규소 또는 질화 알루미늄으로부터 선택된 하나 이상의 질화물, 주석/아연/안티몬 혼합의 산화물, 규소/티타늄 또는 티타늄/아연 혼합 산화물, 또는, 질화 규소 및 질화 지르코늄으로부터 선택된 혼합 질화물을 기재로 하고, 저굴절률의 제 2층 또는 저굴절률의 제 4층은 산화 규소, 산질화 규소 또는 실리콘 옥시카바이드, 또는 실리콘 알루미늄 혼합 산화물을 기재로 하는 것을 특징으로 하는,
기판.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 청구된 방법을 수행하여 수득되는 기판에 있어서,
상기 기판은 그 면들 중 적어도 하나의 면에, 광기전성 장치(photovoltaic device) 또는 전기 발광 장치(electroluminescent device) 내에 존재하는 전기화학 장치, 창유리 타입으로 다양한 광학 또는 에너지 특성들을 갖는 전기적으로 조절 가능한 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는,
기판.
제 9항에 있어서, 상기 기판은 선루프, 측창(side window), 전면유리, 후면유리 혹은 백미러(rearview mirror)를 포함하는 자동차 산업, 또는 빌딩용 내부 또는 외부창유리, 굽어질 수도 있는 상점의 쇼케이스 또는 카운터 유리, 페인팅 타입의 물건을 보호하기 위한 창유리, 눈부심 방지 컴퓨터 스크린 혹은 유리 가구를 포함하는 빌딩용 단일 또는 이중 창유리에 사용될 수 있도록 의도되는 기판인 것을 특징으로 하는,
기판.
제 16항에 있어서, 상기 기판은 굽어진 것을 특징으로 하는,
기판.
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