KR101168154B1 - 탄산세륨 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 세륨 전구체와 우레아(Urea)의 혼합, 침전반응을 통해 탄산세륨을 제조하는 방법에 있어서, (a) 우레아의 온도, 또는 우레아 및 세륨 전구체의 온도 모두를 각각 50~150℃로 조절하는 단계; (b) 상기 (a)의 우레아 및 세륨 전구체를 연속식 반응기에 도입하는 단계;를 포함하는 것이 특징인 탄산세륨 제조 방법.; 및 상기 방법으로 제조된 탄산세륨 분말을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 탄산세륨 분말을 소성시켜 제조된 산화세륨 분말; 및 상기 산화세륨 분말을 연마재로 포함하는 CMP 슬러리를 제공한다.
본 발명은 연속식 반응기에서 세륨 전구체와 우레아(Urea)의 침전반응을 통해 탄산세륨을 높은 수율로 제조할 수 있을 뿐 아니라, 탄산세륨의 결정구조를 조절할 수도 있다.

Description

탄산세륨 제조방법{METHOD FOR PREPARING CERIUM CARBONATE}
본 발명은 연속식 반응기에서 세륨 전구체와 우레아(Urea)의 침전반응을 통해 탄산세륨을 높은 수율로 제조할 수 있을 뿐 아니라, 탄산세륨의 결정구조를 조절할 수도 있는 탄산세륨 제조 방법에 관한 것이다.
산화세륨은 촉매, 형광체, 화장품, 연마재 등에 널리 사용되고 있는 고기능성 세라믹 물질로서, 최근 반도체 소자의 STI(Shallow Trench Isolation) 공정 및 광학용 유리 연마재로 각광을 받고 있다.
이러한 산화세륨은 일반적으로 액상법, 기상법, 또는 고상법에 의해 제조될 수 있다.
액상법은 3가 혹은 4가의 세륨염 출발물질에 암모니아 등의 pH 조정제를 첨가하여, 세륨염으로부터 산화세륨을 직접 제조하는 방법이다. 상기 방법은 원료 단가와 장치비가 비교적 적게 들어 경제적이라는 장점이 있으나, 출발물질 간의 반응이 핵 생성단계부터 쉽게 일어나 입자 성장을 조절하는 데 어려움이 있다. 또한 액상법을 통해 제조된 미세 산화세륨은 연마재로 사용될 경우, 연마속도가 낮아 연속공정에 매우 불리하며, 생산성이 떨어진다.
기상법은 세륨 금속염 전구체를 기화시킨 후 산소 등과 결합시켜 직접 산화세륨을 제조하는 방법으로서, 화염연소 분해법, 기체응축 분해법, 플라즈마 기화법, 레이저 기화법 등이 있다. 그러나, 상기 방법은 세륨 금속염 전구체의 단가 및 장치비가 고가이어서 대량화에 어렵다는 문제점이 있으며, 아직 연구단계에 미치고 있는 실정이다.
한편, 고상법은 전구 물질을 고온에서 소성시켜 산화세륨을 제조하는 방법이다. 특히, 전구 물질로는 탄산세륨이 널리 이용되고 있는데, 이경우 탄산세륨의 종류와 형상 등에 따라 산화세륨의 물성과 형상이 달라질 수 있는 것으로 알려져, 이에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
본 발명자들은 연속식 반응기에서 세륨 전구체와 우레아(Urea)의 침전반응을 통해 탄산세륨을 제조할 때, 50~150℃ 온도의 우레아를 사용하면, 바람직하게는 세륨 전구체도 50~150℃의 온도로 조절하여 사용하면, 탄산세륨의 수율이 현저히 증가할 뿐 아니라, 우레아의 온도, 또는 우레아 및 세륨 전구체의 온도에 따라, 제조되는 탄산세륨의 결정구조가 달라진다는 것을 발견하였다.
이에, 본 발명은 연속식 반응기에서 세륨 전구체와 우레아(Urea)의 침전반응을 통해 탄산세륨을 높은 수율로 제조할 수 있을 뿐 아니라, 탄산세륨의 결정구조를 조절할 수도 있는 탄산세륨 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 세륨 전구체와 우레아(Urea)의 혼합, 침전반응을 통해 탄산세륨을 제조하는 방법에 있어서, (a) 우레아의 온도, 또는 우레아 및 세륨 전구체의 온도 모두를 각각 50~150℃로 조절하는 단계; (b) 상기 (a)의 우레아 및 세륨 전구체를 연속식 반응기에 도입하는 단계;를 포함하는 것이 특징인 탄산세륨 제조 방법.; 및 상기 방법으로 제조된 탄산세륨 분말을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 탄산세륨 분말을 소성시켜 제조된 산화세륨 분말; 및 상기 산화세륨 분말을 연마재로 포함하는 CMP 슬러리를 제공한다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
고상법을 통해 산화세륨 제조시, 산화세륨의 전구 물질로 탄산세륨이 널리 이용되고 있다. 이러한 탄산세륨은 고온, 고압 환경 하에서 세륨 전구체와 탄산 전구체를 침전 반응시킴으로써 제조될 수 있으며, 이는 통상적으로 batch 타입의 반응기에서 수행된다. 그러나, 이 경우 제조에 장시간이 소요되고, 후속 공정이 연속적으로 이루어지기 어렵기 때문에 공정 자동화에 제약이 있다는 문제가 있다.
한편, 상기 탄산 전구체로는 우레아가 사용될 수 있는데, 이 경우 침전 반응이 매우 안정적일 뿐 아니라, 침전이 균일하게 형성되어 탄산세륨 분말의 물성 균일성이 향상되는 등 여러 장점이 있다.
그러나, 상기 우레아가 세륨 전구체와 침전 반응을 일으키기 위해서는 우레아가 분해되어 탄산 이온을 형성하는 반응이 선행되어야 하기 때문에, 이를 위한 일정한 공간 시간이 요구된다. 따라서, 반응 물질의 체류시간이 짧은 연속식 반응기에 세륨 전구체와 우레아를 도입하여 탄산세륨을 제조하는 경우, 세륨 이온과 탄산 이온의 반응이 일어날 수 있는 공간 시간을 충분히 확보하기 어려우며, 이는 필연적으로 탄산세륨 수율의 감소를 초래할 수 있다.
상기 문제를 해결하기 위해, 본 발명은 세륨 전구체와 우레아(Urea)의 혼합, 침전반응을 통해 탄산세륨을 제조함에 있어서, (a) 우레아, 또는 우레아 및 세륨 전구체의 온도를 각각 50~150℃로 조절한 후, (b) 상기 (a)의 우레아 및 세륨 전구체를 연속식 반응기에 도입하는 것을 특징으로 한다. 즉, 본 발명의 탄산세륨 제조 방법은 연속식 반응기에 반응 물질(세륨 전구체 및 우레아)을 도입하기 전에, 상기 반응 물질의 온도를 조절하는 단계를 추가함으로써, 반응 물질, 특히 우레아의 반 응 활성을 높이는 것이 특징이다.
상기 특징으로 인해, 본 발명은 우레아 분해에 소요되는 공간 시간을 최소화할 수 있으며, 그 결과 연속 공정 하에서 높은 수율로 탄산세륨을 제조할 수 있어, 생산성을 향상시킬 수 있다.
이 때, 세륨 전구체 및 우레아(Urea)가 도입되는 농도비는 1:0.5 이상 1:5 이하인 것이 바람직하다. 우레아의 농도가 상기 농도비 범위보다 낮으면 탄산.세륨의 수득율이 떨어질 수 있고, 상기 농도비보다 높으면 잉여 반응 물질이 다량 생기기 쉽다.
또한, 통상 80℃ 이상에서 분해되는 우레아의 특성을 고려하여, 상기 침전반응의 반응 온도는 100 내지 300℃ 범위인 것이 바람직하다. 이때 상기 반응 온도는 반응기에 반응 물질을 도입하기 전에, 초순수를 원하는 반응 온도로 반응기에 먼저 도입하고, 유지함으로써 조절할 수 있다.
한편, 본 발명이 적용되는 연속식 반응기는 반응 물질의 체류 시간이 짧으므로 세륨 전구체와 우레아의 반응 시간을 최소화하기 위해, 상기 침전 반응은 10bar 이상, 바람직하게는 10 내지 200bar 범위의 반응 압력 하에서 수행되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 세륨 전구체는 세륨을 포함하는 화합물이라면 특별히 제한되지는 않으며, 3가 또는 4가의 세륨을 포함하는 세륨염이 사용될 수 있다. 이의 비제한적인 예로는 Cerium nitrate(Ce(NO3)3?xH2O), Cerium sulfate(Ce(SO4)3? xH2O), Ce(SO4)2?xH2O), Cerium chloride(CeCl3?xH2O), Diammonium cerium nitrate(Ce(NH4)2(NO3)6), 및 Diammonium cerium nitrate(Ce(NH4)2(NO3)5?xH2O) (여기서, x는 0 ~ 10까지의 상수) 등이 있다.
또한, 본 발명의 우레아 (CO(NH2)2)는 탄산이온(CO3 2-)을 공급할 뿐 아니라, pH 조정제의 역할을 할 수도 있다.
한편, 본 발명에서 상기 세륨 전구체 및 우레아는 용액 형태로 도입될 수도 있으며, 이 때 용매는 세륨 전구체 및/또는 우레아를 용해시킬 수 있다면 특별히 제한되지 않으며, 물, 유기 용매 등이 사용 가능하다.
또한, 상기에서 세륨 전구체의 농도는 0.01 내지 10 mol/L인 것이 바람직하다.세륨 전구체와 우레아는 농도가 낮을 수록 용매에 잘 용해되며, 균일한 침전 반응이 진행되므로, 결과적으로 균일한 입도의 분말을 제조할 수 있는 장점이 있으나, 상기 범위보다 낮은 농도의 경우에는 수율이 낮은 단점이 있어 실제 공정에 적용하기 부적절하다는 문제점이 있다. 또한, 상기 범위보다 농도가 높을 경우에는 용해 시간이 오래 걸리고, 반응이 격렬해지며, 끓어오름 현상이 발생하여 반응이 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명이 수행되는 연속식 반응기는 연속 공정이 가능한 반응기라면 특별히 제한되지 않으며, 이의 예로는 연속교반탱크반응기(CSTR), 플러그흐름반응기(PER) 등이 있다.
한편, 본 발명자들은 상기 (a)단계에서 우레아, 또는 우레아 및 세륨 전구체 의 온도에 따라, 제조되는 탄산세륨의 결정구조가 달라지는 것을 발견하였다. 이에, 본 발명의 탄산세륨 제조 방법은 반응 물질인 우레아, 또는 우레아 및 세륨 전구체 의 도입 온도를 조절함으로써, 제조되는 탄산세륨이 사방정계(Orthorhombic) 또는 육방정계(Hexagonal) 결정구조를 갖도록 제어할 수 있는 것을 또 다른 특징으로 한다.
예컨대, 본 발명은 상기 (a)단계에서 우레아, 또는 우레아 및 세륨 전구체의 온도를 50℃이상 100℃미만 범위로 조절하여 사방정계 결정구조의 탄산세륨을 제조하거나, 100℃이상 150℃이하 범위로 조절함으로써, 육방정계 결정구조의 탄산세륨을 제조할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 상기 (b)단계에서 세륨 전구체와 우레아가 도입되는 농도비, 반응 압력, 및 반응 온도 중 어느 하나 이상을 조절함으로써, 제조되는 탄산세륨이 사방정계(Orthorhombic) 또는 육방정계(Hexagonal) 결정구조를 갖도록 제어할 수도 있다.
즉, 상기 (b)단계에서 세륨 전구체와 우레아가 도입되는 농도비를 조절하여, 제조되는 탄산세륨의 결정구조를 제어할 수 있다. 예컨대, 상기의 농도비를 1:0.5 이상 1:1.5 미만의 범위로 조절하여 사방정계 결정구조의 탄산세륨을 제조하거나, 1:1.5 이상 1:5 이하 범위로 조절하여 육방정계 결정구조의 탄산세륨을 제조할 수 있다.
또한, 상기 (b)단계에서의 반응 압력을 조절하여, 제조되는 탄산세륨의 결정구조를 제어할 수 있다. 예컨대, 반응 압력을 10 이상 50bar이하의 범위로 조절하여 사방정계 결정구조의 탄산세륨을 제조하거나, 50 초과 200bar이하의 범위로 조절하여 육방정계 결정구조의 탄산세륨을 제조할 수 있다.
게다가, 본 발명에서는 상기 (b)단계에서의 반응 온도를 조절하여, 제조되는 탄산세륨의 결정구조를 제어할 수도 있다. 예컨대, 반응 온도를 100 이상 160℃ 미만의 범위로 조절하여 사방정계 결정구조의 탄산세륨을 제조하거나, 160 이상 300℃ 이하의 범위로 조절하여 육방정계 결정구조의 탄산세륨을 제조할 수 있다.
상기 방법에 의해 제조된 탄산세륨은 분리 단계; 세정 단계; 및 건조 단계를 추가로 거치는 것이 바람직하다. 상기 분리는 당업계에 통상적인 분리 방법, 예컨대 냉각 분리, 또는 원심 분리 방법에 의할 수 있다. 또한, 상기 세정은 DI water를 이용하여, 이온 수치가 3 mS 이하가 되도록 하는 것이 바람직하다. 이를 통해 소성 후 분말의 결정크기를 조절과 분쇄에서 발생되는 문제를 방지할 수 있다. 한편, 상기 건조는 약 60 ℃ 이상에서 24시간 동안 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 상기 방법에 따라 제조된 탄산세륨 분말을 제공한다. 본 발명의 탄산세륨 분말은 상기에 따라 탄산세륨의 결정구조가 제어되어, 사방정계 또는 육방정계 탄산세륨을 일정 부피(vol%) 이상 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 탄산세륨 분말을 소성시켜 제조되는 것이 특징인 산화세륨 분말을 제공한다. 이 때 상기 소성은 당업계에 알려진 분말 제조시의 소성 방 법에 따를 수 있으며, 300℃ 내지 1500℃, 바람직하게는 400℃ 내지 1000℃에서 에서 열처리하는 소성 단계를 포함할 수 있다. 상기 범위를 벗어날 경우, 제조되는 산화세륨의 강도가 지나치게 커져, CMP 공정의 연마재로 사용할 경우 연마 성능이 저하될 수 있다.
한편, 본 발명의 CMP 슬러리는 연마재, 분산제, 및/또는 물을 포함하고, 연마재로 상기 산화세륨 분말을 사용하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 슬러리 내 산화세륨 분말의 함량은 슬러리 100 중량부 당 0.1 내지 50 중량부인 것이 바람직하다. 연마재인 산화세륨 분말의 슬러리 내 함량이 0.1 중량부 미만이면, 피연마면이 연마되기 어렵고, 50 중량부 초과시에는 슬러리의 점성이 높아져 안정성이 떨어지는 문제가 있다.
분산제는 비이온성 고분자 분산제 또는 음이온성 고분자 분산제를 사용할 수 있다. 상기 비이온성 고분자 분산제는 폴리 비닐 알코올(PAA), 에틸렌 글리콜(EG), 글리세린, 폴리 에틸렌 글리콜(PEG), 폴리 프로필렌 글리콜(PPG) 및 폴리 비닐 피롤리돈(PVP)으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택될 수 있으며, 상기 음이온성 고분자 분산제는 폴리 아크릴산, 폴리 아크릴산 암모늄염 및 폴리 아크릴 말레익산으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택될 수 있다. 그러나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 분산제는 연마재 100 중량부를 기준으로 0.5 내지 10 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 분산제의 함량이 0.5 중량부 미만인 경우에는 분산력이 낮아 침전이 빨리 진행되므로, 연마액의 이송시 침전이 발생되어 연마재의 공급이 균일하지 못할 수 있다. 10 중량부를 초과하는 경우에는 연마재 입자 주변에 일종의 쿠션역할을 하는 분산제 층이 두텁게 형성되어, 연마재 표면이 피연마면에 접촉되기가 어려워져 연마 속도가 낮아질 수 있다.
상기 CMP 슬러리는 산화세륨 분말 및 분산제를 물에 혼합한 후 pH 6 내지 8로 적정하는 것이 바람직하다. 적정 시에는 1N KOH 또는 1N HNO3 등이 이용될 수 있다.
pH 적정이 끝나면 분산 및 저장안정성을 향상시키기 위하여 분산안정화 공정을 거치는 것이 바람직하다. 상기 분산안정화 공정은 입자크기를 미세하고 정확하게 제어할 수 있는 습식분쇄분산 방법으로 실시되는 것이 바람직하며, 상기 예로는 볼 밀, 어트리션 밀 등이 있다.
이 때, 상기 분산안정화 공정에 의해 최종 제조된 CMP 슬러리 조성물에 있어서, 산화세륨 분말은 입도분포가 3 ㎛ 미만이고, 평균입경이 50 내지 1,000 ㎚인 것이 바람직하다. 50 nm 미만이면 피연마면에 대한 연마속도가 매우 낮은 문제가 있으며, 1000 nm 초과시 피연마면의 미세긁힘이 발생하거나, 슬러리의 저장안정성이 문제될 수 있다. 상기 입도는 입도분포측정기(Horiba LA-910)로 측정된 값이다.
한편, 본 발명의 CMP슬러리는 슬러리의 연마 성능 또는 분산 안정성 향상을 위해서 기타 첨가제를 포함할 수 있다.
본 발명은 연속식 반응기에서 세륨 전구체와 우레아(Urea)의 침전반응을 통해 탄산세륨을 높은 수율로 제조할 수 있을 뿐 아니라, 탄산세륨의 결정구조를 조절할 수도 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
< 탄산세륨 및 산화세륨의 제조>
실시예 1
증류수에 세륨 질산염(Cerium nitrate)를 3 mol/L의 농도, 우레아를 9 mol/L의 농도로 용해시킨 후, 이들을 각각 150℃로 유지하면서 50ml/min의 속도로 연속식 반응기에 투입하였다. 이 때 연속식 반응기의 압력 및 온도는 150bar, 200 ℃이고, 교반 속도는 150 rpm으로 설정하였다.
상기 연속식 반응기의 출구에서 탄산세륨을 분리하여 XRD분석을 실시하였으며, 그 결과를 도 2에 도시하였다. 이로부터 육방정계(Hexagonal) 결정구조의 탄산세륨이 제조되었음을 확인할 수 있었다.
또한, 상기에서 제조된 탄산세륨을 900℃, 2시간 열처리하여 산화세륨 분말을 제조하고, 이를 XRD를 이용하여 분석하여 그 결과를 도 3에 도시하였다. 이로부터, 상기 탄산세륨이 산화세륨으로 전이되었음을 확인할 수 있었다.
실시예 2~4
하기 표 1에 제시한 바와 같이, 세륨 질산염 및 우레아의 도입 농도비, 반응 압력, 및 반응 온도 중 어느 하나를 변화시켜, 탄산세륨의 결정구조를 조절한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법으로 탄산세륨; 및 산화세륨 분말을 제조하였다.
제조된 탄산세륨에 대해 XRD분석을 실시하고, 그 결과를 도 2에 도시하였다. 이로부터 실시예 2~4에서 사방정계(Orthorhombic) 결정구조의 탄산세륨이 제조되었음을 확인할 수 있었다.
또한, 제조된 산화세륨 분말 에 대해 XRD분석을 실시하고, 그 결과를 도 3에 도시하였다. 이로부터, 상기 탄산세륨이 산화세륨으로 전이되었음을 확인할 수 있었다.
세륨질산염 농도 우레아 농도 반응 물질 도입 온도 반응 압력 반응 온도 탄산세륨 결정구조
실시예 1 3 mol/L 9 mol/L 150℃ 150bar 200 ℃ Hexagonal
실시예 2 3 mol/L 1.5 mol/L 150℃ 150bar 200 ℃ Orthorhombic
실시예 3 3 mol/L 9 mol/L 150℃ 50bar 200 ℃ Orthorhombic
실시예 4 3 mol/L 9 mol/L 150℃ 150bar 100 ℃ Orthorhombic
< CMP 슬러리 제조>
실시예 5
실시예 1 ~ 4에서 제조된 산화세륨 분말 0.5 kg, 폴리아크릴산 분산제(Aldrich) 25g, 및 순수 5L를 혼합하여 산화세륨 분산액을 제조하였다. 제조된 산화세륨 분산액을 암모니아수를 사용하여 pH 7.0로 적정한 후 ball- mill을 이용하여 분산안정성 향상 및 입도 조절공정을 실행 하였다. 이 때, ball- mill은 1 mm 크기의 지르코니아 비이드 100g를 사용하고, 250 rpm의 속도로 2시간 동안 실시하였다.
상기 분산액을 1㎛ 필터로 여과한 후, 상기 산화세륨 분말의 함량이 전체 슬러리 100 중량부 당 1중량부가 되도록 순수를 첨가하여 CMP 슬러리를 제조하였다. 이때, 상기 산화세륨은 177nm의 평균입경, 약 70～300 ㎚의 입도분포를 가지며, 이는 입도분포측정기(Horiba LA-910)로 측정된 값이다.
실험예 1: 연마 성능 평가
상기 실시예 5에서 제조된 각각의 CMP 슬러리를 하기 조건에서 1분간 연마한 후 기판을 깨끗이 세척하여 연마에 의해 발생한 두께 변화를 측정하고, 연마 성능을 평가하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[연마 조건]
연마 장비: GNP POLY 400 (GNP Technology)
패드: 폴리우레탄계열
플레이튼 속도: 90 rpm
캐리어 속도: 90 rpm
압력: 4 psi
슬러리 유속: 100 ml/min
[연마 대상]
PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition)에 의해 7000Å 증착된 산화규소 웨이퍼
LPCVD(Low pressure chemical vapor deposition)에 의해 1500Å 증착된 질화규소 웨이퍼
[평가]
연마 전후의 두께 변화는 광학 두께 측정 장비인 Nanospec 6100(Nanometeics 사)을 이용하여 측정하였다.
광역평탄도(Delta WIWNU: Within Wafer Non-Uniformity)는 Standard deviation University (ASTM) 방식에 의해 산출하였다.
탄산세륨
결정구조		 산화규소막
연마속도(Å/nm)		 질화규소막 연마속도(Å/min) 선택비 (Delta WIWNU(%))
실시예 1 Hexagonal 3894 111 35 5.67
실시예 2 Orthorhombic 4387 151 29 10.22
실시예 3 Orthorhombic 4266 158 27 11.25
비교예 4 Orthorhombic 4246 152 28 9.88
상기 실험 결과로부터, 본 발명에 따라 제조된 산화세륨은 전구 물질인 탄산세륨의 결정구조에 따라 상이한 연마 성능을 나타냄을 알 수 있었다.
도 1은 본 발명에 따른 탄산세륨 제조 공정의 개략도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
101, 102, 103: 세륨 전구체, 우레아, 초순수 feed
104: 연속식 반응기
105: 분리 장치
106: 후속 공정
도 2는 실시예 1 내지 4에서 제조된 탄산세륨의 XRD 분석 결과이다.
도 3은 실시예 1 내지 4에서 제조된 산화세륨의 XRD 분석 결과이다.

Claims (16)

  1. 세륨 전구체와 우레아(Urea)의 혼합, 침전반응을 통해 탄산세륨을 제조하는 방법에 있어서,
    (a) 우레아의 온도, 또는 우레아 및 세륨 전구체의 온도 모두를 각각 100℃이상 150℃이하 범위로 조절하는 단계;
    (b) 상기 (a)의 우레아 및 세륨 전구체를 세륨 전구체와 우레아가 도입되는 농도비를 1:1.5 이상 1:5 이하 범위로 조절하고, 반응 압력을 50 초과 200bar이하의 범위로 조절하고, 반응 온도를 160 이상 300℃ 이하의 범위로 조절하여 연속식 반응기에 도입하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄산세륨 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 탄산 세륨 제조 방법은 육방정계 결정구조의 탄산세륨을 제조하는 것을 특징으로 하는 탄산세륨 제조 방법.
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  13. 제1항 또는 제2항에 기재된 방법으로 제조되는 것이 특징인 육방정계 결정구조의 탄산세륨 분말.
  14. 제13항에 기재된 탄산세륨 분말을 소성시켜 제조되는 것이 특징인 산화세륨 분말.
  15. 제14항에 있어서, 상기 소성은 300℃ 내지 1500℃의 온도 범위에서 수행되는 것이 특징인 산화세륨 분말.
  16. 제14항에 기재된 산화세륨 분말을 연마재로 사용하는 것이 특징인 CMP 슬러리.
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