KR101155896B1 - Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하며, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키는 실런트 및 상기 제1 기판과 상기 실런트 사이 및 상기 제2 기판과 상기 실런트 사이 중 하나 이상에 위치하는 실런트 수축 보강용 보조 구조물을 포함한다.The organic light emitting diode display includes a first substrate including an organic light emitting diode, a second substrate facing the first substrate, and positioned between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate and the second substrate are disposed. And a sealant to be bonded and a sealant shrink reinforcing auxiliary structure positioned between at least one of the first substrate and the sealant and between the second substrate and the sealant.

실런트, 실런트 수축 보강용 보조 구조물 Sealant, auxiliary structure for sealant shrink reinforcement

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Organic light-emitting display device and manufacturing method of organic light-emitting display device {ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting diode display, and more particularly, to an organic light emitting diode display including an organic light emitting diode and a method of manufacturing the organic light emitting diode display.

표시 장치는 이미지를 표시하는 장치로서, 최근 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display)가 주목 받고 있다.BACKGROUND ART [0002] A display device is an apparatus for displaying an image. Recently, an organic light emitting diode (OLED) display has attracted attention.

유기 발광 표시 장치는 자체 발광 특성을 가지며, 액정 표시 장치(liquid crystal display device)와 달리 별도의 광원을 필요로 하지 않으므로 두께와 무게를 줄일 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치는 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도 등의 고품위 특성을 나타낸다.The OLED display has a self-emission characteristic, and unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not required, so that the thickness and weight can be reduced. Further, the organic light emitting display device exhibits high-quality characteristics such as low power consumption, high luminance, and high reaction speed.

유기 발광 표시 장치는 빛을 발광하는 유기 발광 소자를 포함하는 제1 기판, 제1 기판과 대향하는 제2 기판 및 제1 기판과 제2 기판 사이에서 유기 발광 소자를 둘러싸는 실런트를 포함한다.The OLED display includes a first substrate including an organic light emitting diode that emits light, a second substrate facing the first substrate, and a sealant surrounding the organic light emitting diode between the first substrate and the second substrate.

유기 발광 표시 장치는 제1 마더 기판에 복수개의 유기 발광 소자를 형성하 고, 유기 발광 소자를 둘러싸는 실런트가 형성된 제2 마더 기판을 실런트를 이용해 제1 마더 기판에 합착한 후, 레이저 등의 경화 수단을 이용해 실런트를 경화한 다음, 절단 수단을 이용해 제1 마더 기판 및 제2 마더 기판을 절단함으로써 제조되었다.In the organic light emitting diode display, a plurality of organic light emitting diodes are formed on a first mother substrate, a second mother substrate on which a sealant is formed surrounding the organic light emitting diode is bonded to the first mother substrate using a sealant, and then curing such as a laser is performed. It was made by curing the sealant using the means and then cutting the first mother substrate and the second mother substrate using the cutting means.

그런데, 실런트를 경화할 때, 실런트가 수축되는데, 실런트의 수축에 따라 실런트에 대응하는 제2 마더 기판이 뒤틀려 변형되는 문제점이 있었다.However, when the sealant is cured, the sealant shrinks, but the second mother substrate corresponding to the sealant is warped and deformed as the sealant shrinks.

특히, 제2 마더 기판과 실런트의 열팽창 계수가 상이할 경우, 상술한 제2 마더 기판의 뒤틀림이 더욱 심해짐으로써, 상호 합착된 제1 마더 기판 및 제2 마더 기판으로부터 유기 발광 표시 장치를 제조하기 위한 절단 공정 시 제2 마더 기판의 뒤틀림에 의해 제2 마더 기판이 파손되는 문제점이 발생될 뿐만 아니라, 상호 합착된 제1 마더 기판 및 제2 마더 기판으로부터 유기 발광 표시 장치를 절단하여 제조하였을 경우에도 제2 마더 기판의 뒤틀림에 따른 스트레스(stress)가 제2 기판에 잔존하여 약한 외부의 충격에도 제2 기판이 파손되는 문제점이 있었다.In particular, when the thermal expansion coefficients of the second mother substrate and the sealant are different, the warpage of the second mother substrate becomes more severe, thereby manufacturing the organic light emitting display device from the first mother substrate and the second mother substrate bonded to each other. In addition, the second mother substrate may be damaged due to the warpage of the second mother substrate during the cutting process, and the organic light emitting diode display may be manufactured by cutting the organic light emitting diode display from the bonded first mother substrate and the second mother substrate. The stress caused by the warpage of the second mother substrate remains on the second substrate, so that the second substrate is damaged even with a weak external impact.

본 발명은 전술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 외부의 충격에 의해 파손되는 것이 억제된 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하고자 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an organic light emitting display and a method of manufacturing the organic light emitting display, which are prevented from being damaged by an external impact.

본 발명의 제1 측면은 유기 발광 소자를 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하며, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키는 실런트 및 상기 제1 기판과 상기 실런트 사이 및 상기 제2 기판과 상기 실런트 사이 중 하나 이상에 위치하는 실런트 수축 보강용 보조 구조물을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.A first aspect of the present invention is a first substrate including an organic light emitting device, a second substrate facing the first substrate, positioned between the first substrate and the second substrate, the first substrate and the second substrate An organic light emitting display device includes a sealant for bonding a substrate and an auxiliary structure for sealant shrink reinforcement positioned between at least one of the first substrate and the sealant and between the second substrate and the sealant.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제2 기판과 상기 실런트 사이에만 위치할 수 있다.The sealant shrink reinforcing auxiliary structure may be positioned only between the second substrate and the sealant.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제2 기판 및 상기 실런트와 접촉할 수 있다. The sealant shrink reinforcing auxiliary structure may contact the second substrate and the sealant.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 상기 제2 기판의 열팽창 계수 내지 상기 실런트의 열팽창 계수일 수 있다.The thermal expansion coefficient of the auxiliary structure for shrinkage reinforcing reinforcement may be a thermal expansion coefficient of the second substrate to a thermal expansion coefficient of the sealant.

상기 제2 기판의 열팽창 계수는 35~40*10-6/K 이며, 상기 실런트의 열팽창 계수는 65~70*10-6/K 일 수 있다.The thermal expansion coefficient of the second substrate may be 35 to 40 * 10 −6 / K, and the thermal expansion coefficient of the sealant may be 65 to 70 * 10 −6 / K.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 40~65*10-6/K 일 수 있다.The coefficient of thermal expansion of the auxiliary structure for shrinkage reinforcement may be 40 ~ 65 * 10 -6 / K.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제1 기판과 상기 실런트 사이에만 위치할 수 있다. The sealant shrink reinforcing auxiliary structure may be positioned only between the first substrate and the sealant.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제1 기판 및 상기 실런트와 접촉할 수 있다. The sealant shrink reinforcing auxiliary structure may contact the first substrate and the sealant.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 상기 제1 기판의 열팽창 계수 내지 상기 실런트의 열팽창 계수일 수 있다.The thermal expansion coefficient of the auxiliary structure for shrinkage contraction reinforcement may be a thermal expansion coefficient of the first substrate to a thermal expansion coefficient of the sealant.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제1 기판과 상기 실런트 사이에 위치하는 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물 및 상기 제2 기판과 상기 실런트 사이에 위치하는 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물을 포함할 수 있다.The sealant shrink reinforcement auxiliary structure may include a first sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure positioned between the first substrate and the sealant, and a second sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure positioned between the second substrate and the sealant. It may include.

상기 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제1 기판 및 상기 실런트와 접촉하며, 상기 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제2 기판 및 상기 실런트와 접촉할 수 있다.The first sub-sealant shrink reinforcement auxiliary structure may contact the first substrate and the sealant, and the second sub-sealant shrink reinforcement auxiliary structure may contact the second substrate and the sealant.

상기 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 상기 제1 기판의 열팽창 계수 내지 상기 실런트의 열팽창 계수이며, 상기 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 상기 제2 기판의 열팽창 계수 내지 상기 실런트의 열팽창 계수일 수 있다.The thermal expansion coefficient of the first sub-sealant shrink reinforcement auxiliary structure is a thermal expansion coefficient of the first substrate to the thermal expansion coefficient of the sealant, and the thermal expansion coefficient of the second sub-sealant shrink reinforcement auxiliary structure is a thermal expansion coefficient of the second substrate. To the thermal expansion coefficient of the sealant.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제2 기판과 일체로 형성되어 있으며, 상기 제2 기판으로부터 돌출된 형태일 수 있다.The sealant shrink reinforcing auxiliary structure is integrally formed with the second substrate and may protrude from the second substrate.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 포토리소그래피(photolithography) 기술을 이용해 상기 제2 기판을 에칭함으로써 형성될 수 있다.The auxiliary structure for sealant shrink reinforcement may be formed by etching the second substrate using photolithography technology.

또한, 본 발명의 제2 측면은 복수개의 유기 발광 소자를 포함하는 제1 마더 기판을 마련하는 단계, 제2 마더 기판 상에 상기 복수개의 유기 발광 소자 각각을 둘러싸도록 형성되는 복수개의 실런트, 상기 실런트와 상기 제2 마더 기판 사이에 위치되는 복수개의 실런트 수축 보강용 보조 구조물 및 상기 실런트와 이웃하며 상기 실런트와 동일한 높이를 갖는 더미 구조물을 형성하는 단계, 상기 복수개의 실런트가 각각 상기 복수개의 유기 발광 소자를 둘러싸도록 상기 복수개의 실런트를 이용해 상기 제1 마더 기판과 상기 제2 마더 기판을 상호 합착하는 단계, 상기 실런트를 경화하는 단계 및 상기 실런트의 외곽을 따라 상기 제1 마더 기판 및 상기 제2 마더 기판을 절단하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.In addition, the second aspect of the present invention comprises the steps of providing a first mother substrate including a plurality of organic light emitting elements, a plurality of sealants formed to surround each of the plurality of organic light emitting elements on the second mother substrate, the sealant And forming a plurality of sealant shrink reinforcing auxiliary structures positioned between the second mother substrate and a dummy structure adjacent to the sealant and having a dummy height having the same height as the sealant, wherein the plurality of sealants are each of the plurality of organic light emitting devices. Bonding the first mother substrate and the second mother substrate to each other using the plurality of sealants to enclose a plurality of sealants; curing the sealant; and forming the first mother substrate and the second mother substrate along an outer edge of the sealant. It provides a method of manufacturing an organic light emitting display device comprising the step of cutting.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제2 마더 기판 및 상기 실런트와 접촉할 수 있다. The sealant shrink reinforcing auxiliary structure may contact the second mother substrate and the sealant.

상기 실런트를 경화하는 단계는 상기 제2 마더 기판 및 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물을 통해 상기 실런트에 레이저를 조사하여 수행할 수 있다.Curing the sealant may be performed by irradiating a laser to the sealant through the second mother substrate and the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 상기 제2 마더 기판의 열팽창 계수 내지 상기 실런트의 열팽창 계수일 수 있다.The thermal expansion coefficient of the auxiliary structure for shrinkage contraction reinforcement may be a thermal expansion coefficient of the second mother substrate to a thermal expansion coefficient of the sealant.

상기 제2 마더 기판의 열팽창 계수는 35~40*10-6/K 이며, 상기 실런트의 열팽창 계수는 65~70*10-6/K 일 수 있다.The thermal expansion coefficient of the second mother substrate may be 35 to 40 * 10 −6 / K, and the thermal expansion coefficient of the sealant may be 65 to 70 * 10 −6 / K.

상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 40~65*10-6/K 일 수 있다.The coefficient of thermal expansion of the auxiliary structure for shrinkage reinforcement may be 40 ~ 65 * 10 -6 / K.

본 발명에 따르면, 외부의 충격에 의해 파손되는 것이 억제된 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법이 제공된다.According to the present invention, there is provided an organic light emitting display device and a method of manufacturing the organic light emitting display device which are prevented from being damaged by an external impact.

이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1 실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.In addition, in the various embodiments, components having the same configuration are represented by the same reference symbols in the first embodiment. In the other embodiments, only components different from those in the first embodiment will be described .

본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly illustrate the present invention, parts not related to the description are omitted, and the same or similar components are denoted by the same reference numerals throughout the specification.

또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의 로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.In addition, since the size and thickness of each component shown in the drawings are arbitrarily shown for convenience of description, the present invention is not necessarily limited to the illustrated.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 “상에” 있다고 할 때, 이는 다른 부분 “바로 상에” 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. In the drawings, the thickness is enlarged to clearly represent the layers and regions. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. When a part of a layer, film, area, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only being in another part "on the fly" but also having another part in the middle.

또한, 첨부 도면에서는, 하나의 화소에 두개의 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 하나의 축전 소자(capacitor)를 구비하는 2Tr-1Cap 구조의 능동 구동(active matrix, AM)형 유기 발광 표시 장치를 도시하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 유기 발광 표시 장치는 박막 트랜지스터의 개수, 축전 소자의 개수 및 배선의 개수가 한정되지 않는다. 한편, 화소는 이미지를 표시하는 최소 단위를 말하며, 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 통해 이미지를 표시한다.In addition, in the accompanying drawings, an active matrix (AM) type organic light emitting display having a 2Tr-1Cap structure having two thin film transistors (TFTs) and one capacitor in one pixel. Although illustrated, the present invention is not limited thereto. Therefore, in the organic light emitting diode display, the number of thin film transistors, the number of power storage elements, and the number of wirings are not limited. The pixel refers to a minimum unit for displaying an image, and the organic light emitting diode display displays an image through a plurality of pixels.

이하, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)를 설명한다.Hereinafter, the organic light emitting diode display 101 according to the first exemplary embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따른 단면도이다.1 is a plan view of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 제1 기판(100), 제2 기판(200), 실런트(300) 및 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)을 포함한다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the organic light emitting diode display 101 according to the first exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 100, a second substrate 200, a sealant 300, and a sealant shrink reinforcement. And an auxiliary structure 400.

제1 기판(100)은 기판 본체부(110), 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)를 포함한다.The first substrate 100 includes a substrate main body 110, a driving circuit 120, and an organic light emitting element 130.

기판 본체부(110)는 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성된다. 그러나 본 발명의 일 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 기판 본체부(110)는 스테인리스 강 등으로 이루어진 금속성 기판으로 형성될 수도 있다.The substrate main body 110 is formed of an insulating substrate made of glass, quartz, ceramic, plastic, or the like. However, an embodiment of the present invention is not limited thereto, and the substrate main body 110 may be formed of a metallic substrate made of stainless steel.

기판 본체부(110)와 제2 기판(200) 사이에는 기판 본체부(110) 상에 형성된 구동 회로부(120) 및 유기 발광 소자(130)가 위치하고 있다.The driving circuit unit 120 and the organic light emitting element 130 formed on the substrate main body 110 are positioned between the substrate main body 110 and the second substrate 200.

구동 회로부(120)는 제1 및 제2 박막 트랜지스터(10, 20)(도 3에 도시)를 포함하며, 유기 발광 소자(130)를 구동한다. 유기 발광 소자(130)는 구동 회로부(120)로부터 전달받은 구동 신호에 따라 빛을 방출한다.The driving circuit unit 120 includes first and second thin film transistors 10 and 20 (shown in FIG. 3), and drives the organic light emitting element 130. The organic light emitting element 130 emits light according to the driving signal received from the driving circuit unit 120.

제2 기판(200)은 제1 기판(100) 대비 작은 넓이를 가지며, 제1 기판(100)을 덮고 있다. 제2 기판(200)은 유리, 석영, 세라믹 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연성 기판으로 형성된다. 제2 기판(200)은 절연성 기판 중 유리로 이루어지는 것이 바람직하며, 이 경우, 제2 기판(200)의 열팽창 계수는 35~40*10-6/K 이다.The second substrate 200 has a smaller area than the first substrate 100 and covers the first substrate 100. The second substrate 200 is formed of an insulating substrate made of glass, quartz, ceramic or plastic. It is preferable that the 2nd board | substrate 200 consists of glass among insulating boards, In this case, the thermal expansion coefficient of the 2nd board | substrate 200 is 35-40 * 10 <-6> / K.

이하, 도 3 및 도 4를 참조하여, 유기 발광 표시 장치(101)의 내부 구조에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the internal structure of the organic light emitting diode display 101 will be described in detail with reference to FIGS. 3 and 4.

이하에서 자세히 설명할 유기 발광 소자(130) 및 구동 회로부(120)의 구체적인 구조는 도 3 및 도 4에 나타나 있으나, 본 발명의 실시예가 도 3 및 도 4에 도 시된 구조에 한정되는 것은 아니다. 유기 발광 소자(130) 및 구동 회로부(120)는 해당 기술 분야의 전문가가 용이하게 변형 실시할 수 있는 범위 내에서 다양한 구조로 형성될 수 있다.Specific structures of the organic light emitting element 130 and the driving circuit unit 120 to be described below will be illustrated in FIGS. 3 and 4, but embodiments of the present invention are not limited to the structures illustrated in FIGS. 3 and 4. The organic light emitting element 130 and the driving circuit unit 120 may be formed in various structures within a range that can be easily modified by those skilled in the art.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 구조를 나타낸 배치도이다. 도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선을 따른 단면도이다.3 is a layout view illustrating a pixel structure of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3.

도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(101)는 하나의 화소마다 각각 형성된 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20), 축전 소자(80), 그리고 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)(130)를 포함한다. 여기서, 스위칭 박막 트랜지스터(10), 구동 박막 트랜지스터(20) 및 축전 소자(80)를 포함하는 구성을 구동 회로부(120)라 한다. 그리고, 구동 회로부(120)는 기판 본체부(110)의 일 방향을 따라 배치되는 게이트 라인(151), 게이트 라인(151)과 절연 교차되는 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 더 포함한다. 여기서, 하나의 화소는 게이트 라인(151), 데이터 라인(171) 및 공통 전원 라인(172)을 경계로 정의될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.3 and 4, the organic light emitting diode display 101 includes a switching thin film transistor 10, a driving thin film transistor 20, a power storage device 80, and an organic light emitting diode ( organic light emitting diode (OLED) 130. Here, the configuration including the switching thin film transistor 10, the driving thin film transistor 20, and the power storage element 80 is referred to as a driving circuit unit 120. The driving circuit unit 120 further includes a gate line 151 disposed along one direction of the substrate main body 110, a data line 171 and an common power line 172 that are insulated from and cross the gate line 151. Include. Here, one pixel may be defined as a boundary between the gate line 151, the data line 171, and the common power line 172, but is not necessarily limited thereto.

유기 발광 소자(130)는 제1 전극(710)과, 제1 전극(710) 상에 형성된 유기 발광층(720)과, 유기 발광층(720) 상에 형성된 제2 전극(730)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(710)은 정공 주입 전극인 양(+)극이며, 제2 전극(730)은 전자 주입 전극인 음(-)극이 된다. 그러나 본 발명의 일 실시예가 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 장치(101)의 구동 방법에 따라 제1 전극(710)이 음극이 되고, 제2 전극(730)이 양극이 될 수도 있다. 제1 전극(710) 및 제2 전극(730)으로부터 각각 정공과 전자가 유기 발광층(720) 내부로 주입되며, 유기 발광층(720) 내부로 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기상태로부터 기저상태로 떨어질 때 유기 발광층(720)의 발광이 이루어진다.The organic light emitting element 130 includes a first electrode 710, an organic emission layer 720 formed on the first electrode 710, and a second electrode 730 formed on the organic emission layer 720. Here, the first electrode 710 is a positive electrode, which is a hole injection electrode, and the second electrode 730 is a negative electrode, which is an electron injection electrode. However, an embodiment of the present disclosure is not necessarily limited thereto, and the first electrode 710 may be a cathode, and the second electrode 730 may be an anode, depending on the driving method of the display device 101. Holes and electrons are injected into the organic light emitting layer 720 from the first electrode 710 and the second electrode 730, respectively. An exciton in which holes and electrons are injected into the organic light emitting layer 720 is excited. When the organic light emitting layer 720 falls from the ground state, light emission is performed.

또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)는 제2 기판(200) 방향으로 빛을 방출한다. 즉, 유기 발광 소자(130)는 전면 발광형이다. 여기서, 유기 발광 소자(130)가 제2 기판(200) 방향으로 빛을 방출하기 위해, 제1 전극(710)이 광 반사성 도전 물질로 이루어지고, 제2 전극(730)이 광 투과성 도전 물질로 이루어진다.In addition, the organic light emitting diode display 101 according to the first exemplary embodiment emits light toward the second substrate 200. That is, the organic light emitting element 130 is a top emission type. Here, in order for the organic light emitting element 130 to emit light toward the second substrate 200, the first electrode 710 is made of a light reflective conductive material, and the second electrode 730 is made of a light transmissive conductive material. Is done.

축전 소자(80)는 층간 절연막(161)을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 축전판(158, 178)을 포함한다. 여기서, 층간 절연막(161)은 유전체가 되며, 축전 소자(80)에서 축전된 전하와 양 축전판(158, 178) 사이의 전압에 의해 축전 소자(80)의 축전 용량이 결정된다.The power storage element 80 includes a pair of power storage plates 158 and 178 disposed with an interlayer insulating film 161 therebetween. Here, the interlayer insulating film 161 becomes a dielectric, and the electrical storage capacity of the electrical storage element 80 is determined by the electric charges stored in the electrical storage element 80 and the voltage between the two electrical storage plates 158 and 178.

스위칭 박막 트랜지스터(10)는 스위칭 반도체층(131), 스위칭 게이트 전극(152), 스위칭 소스 전극(173) 및 스위칭 드레인 전극(174)을 포함한다. 구동 박막 트랜지스터(20)는 구동 반도체층(132), 구동 게이트 전극(155), 구동 소스 전극(176) 및 구동 드레인 전극(177)을 포함한다.The switching thin film transistor 10 includes a switching semiconductor layer 131, a switching gate electrode 152, a switching source electrode 173 and a switching drain electrode 174. The driving thin film transistor 20 includes a driving semiconductor layer 132, a driving gate electrode 155, a driving source electrode 176 and a driving drain electrode 177.

스위칭 박막 트랜지스터(10)는 발광시키고자 하는 화소를 선택하는 스위칭 소자로서 사용된다. 스위칭 게이트 전극(152)은 게이트 라인(151)에 연결된다. 스위칭 소스 전극(173)은 데이터 라인(171)에 연결된다. 스위칭 드레인 전극(174)은 스위칭 소스 전극(173)으로부터 이격 배치되며 어느 한 축전판(158)과 연결된 다.The switching thin film transistor 10 is used as a switching element for selecting a pixel to emit light. The switching gate electrode 152 is connected to the gate line 151. The switching source electrode 173 is connected to the data line 171. The switching drain electrode 174 is spaced apart from the switching source electrode 173 and connected to one capacitor plate 158.

구동 박막 트랜지스터(20)는 선택된 화소 내의 유기 발광 소자(130)의 유기 발광층(720)을 발광시키기 위한 구동 전원을 제1 전극(710)에 인가한다. 구동 게이트 전극(155)은 스위칭 드레인 전극(174)과 연결된 축전판(158)과 연결된다. 구동 소스 전극(176) 및 다른 한 축전판(178)은 각각 공통 전원 라인(172)과 연결된다. 구동 드레인 전극(177)은 컨택홀(contact hole)을 통해 유기 발광 소자(130)의 제1 전극(710)과 연결된다. The driving thin film transistor 20 applies driving power to the first electrode 710 to emit the organic light emitting layer 720 of the organic light emitting element 130 in the selected pixel. The driving gate electrode 155 is connected to the capacitor plate 158 connected to the switching drain electrode 174. The driving source electrode 176 and the other capacitor plate 178 are connected to the common power line 172, respectively. The driving drain electrode 177 is connected to the first electrode 710 of the organic light emitting element 130 through a contact hole.

이와 같은 구조에 의하여, 스위칭 박막 트랜지스터(10)는 게이트 라인(151)에 인가되는 게이트 전압에 의해 작동하여 데이터 라인(171)에 인가되는 데이터 전압을 구동 박막 트랜지스터(20)로 전달하는 역할을 한다. 공통 전원 라인(172)으로부터 구동 박막 트랜지스터(20)에 인가되는 공통 전압과 스위칭 박막 트랜지스터(10)로부터 전달된 데이터 전압의 차에 해당하는 전압이 축전 소자(80)에 저장되고, 축전 소자(80)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 구동 박막 트랜지스터(20)를 통해 유기 발광 소자(130)로 흘러 유기 발광 소자(130)가 발광하게 된다.By such a structure, the switching thin film transistor 10 operates by a gate voltage applied to the gate line 151 to transfer a data voltage applied to the data line 171 to the driving thin film transistor 20. . The voltage corresponding to the difference between the common voltage applied to the driving thin film transistor 20 from the common power supply line 172 and the data voltage transmitted from the switching thin film transistor 10 is stored in the power storage element 80, and the power storage element 80 The current corresponding to the voltage stored in the) flows through the driving thin film transistor 20 to the organic light emitting element 130, the organic light emitting element 130 emits light.

다시 도 1 내지 도 4를 참조하면, 실런트(300)는 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 위치하며, 제1 기판(100)과 제2 기판(200)의 가장자리를 따라 배치되어 유기 발광 소자(130)를 둘러싸고 있다. 실런트(300)는 제1 기판(100)과 제2 기판(200)을 서로 합착 밀봉시킨다. 실런트(300)는 제1 기판(100)과 제2 기판(200)의 합착 밀봉을 위해 경화될 때, 그 부피가 축소된다. 실런트(300)는 자외선 또는 레이저 등의 경화 수단에 의해 경화될 수 있으며, 경화 수단에 따라 수 지(resin) 또는 프릿(frit)의 형태일 수 있다. 실런트(300)의 열팽창 계수는 제2 기판(200)과 상이한 65~70*10-6/K 이다. 실런트(300)는 제1 기판(100)과 접촉하고 있으며, 실런트(300)가 접촉하는 제1 기판(100)의 일 부분에는 도 4에 도시된 바와 같은 절연층(IL)이 형성되어 실런트(300)와 접촉하고 있다. 도 4에서 실런트(300)와 접촉하는 절연층(IL)은 3개의 층이 적층되어 있으나, 본 발명의 절연층(IL)은 이에 한정되지 않고 1개, 2개 또는 4개 이상의 층으로 구성될 수 있다.Referring back to FIGS. 1 through 4, the sealant 300 is positioned between the first substrate 100 and the second substrate 200 and along edges of the first substrate 100 and the second substrate 200. It is disposed and surrounds the organic light emitting element 130. The sealant 300 bonds and seals the first substrate 100 and the second substrate 200 to each other. When the sealant 300 is cured for bonding sealing of the first substrate 100 and the second substrate 200, its volume is reduced. The sealant 300 may be cured by curing means such as ultraviolet rays or lasers, and may be in the form of resin or frit depending on the curing means. The coefficient of thermal expansion of the sealant 300 is 65˜70 * 10 −6 / K, which is different from that of the second substrate 200. The sealant 300 is in contact with the first substrate 100, and an insulating layer IL, as illustrated in FIG. 4, is formed on a portion of the first substrate 100 that the sealant 300 is in contact with. 300). In FIG. 4, three layers of the insulating layer IL contacting the sealant 300 are stacked. Can be.

실런트(300)는 제1 기판(100)과 접촉할 때, 절연층(IL) 중 유기층(OL)과 접촉하는 것이 바람직하다. 유기층(OL)은 가요성(flexibility)을 가지고 있기 때문에, 실런트(300)가 경화되어 수축될 때, 실런트(300)의 수축에 따라 실런트(300)와 접하는 유기층(OL)에 인가되는 스트레스(stress)가 완화된다.When the sealant 300 is in contact with the first substrate 100, the sealant 300 may be in contact with the organic layer OL of the insulating layer IL. Since the organic layer OL has flexibility, when the sealant 300 is cured and contracted, a stress applied to the organic layer OL contacting the sealant 300 as the sealant 300 shrinks. ) Is alleviated.

다른 실시예에서, 실런트(300)는 제1 기판(100)의 기판 본체부(110)와 직접 접촉할 수 있다. In another embodiment, the sealant 300 may be in direct contact with the substrate body 110 of the first substrate 100.

실런트(300)와 제2 기판(200) 사이에는 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)이 위치하고 있다.The auxiliary structure 400 for sealant shrink reinforcement is positioned between the sealant 300 and the second substrate 200.

실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)은 실런트(300)와 제2 기판(200) 사이에서 실런트(300) 및 제2 기판(200)과 접촉하고 있다. 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)의 높이는 실런트(300)의 경화 시 수축되는 실런트(300)의 높이와 더해져서 최초 설정된 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 간격을 유지하는 높이이다. 즉, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)의 높이는 실런트(300)의 수축된 높 이를 보상하는 높이이며, 실런트(300)가 수축되어도 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)로 인해 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 간격이 유지된다. 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)의 열팽창 계수는 제2 기판(200)의 열팽창 계수 내지 실런트(300)의 열팽창 계수이다. 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)은 열팽창 계수가 제2 기판(200)의 열팽창 계수와 실런트(300)의 열팽창 계수 사이인 것이 바람직하며, 이로 인해 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)이 제2 기판(200)과 실런트(300)의 사이에서 제2 기판(200)이 열팽창하는 정도와 실런트(300)가 열팽창하는 정도를 완화시킨다. 보다 상세하게는 제2 기판(200)의 열팽창 계수는 35~40*10-6/K 이고, 실런트(300)의 열팽창 계수가 65~70*10-6/K 일 때, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)의 열팽창 계수는 제2 기판(200)의 열팽창 계수와 실런트(300)의 열팽창 계수 사이인 40~65*10-6/K 이며, 이 중 52~53*10-6/K 인 것이 바람직하다. The auxiliary sealant 400 for shrinkage reinforcement is in contact with the sealant 300 and the second substrate 200 between the sealant 300 and the second substrate 200. The height of the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 400 is added to the height of the sealant 300 contracted upon curing of the sealant 300 to maintain a gap between the first substrate 100 and the second substrate 200 that are initially set. Height. That is, the height of the sealant contraction reinforcement auxiliary structure 400 is a height that compensates for the contracted height of the sealant 300, and the first substrate 100 may be due to the sealant contraction reinforcement auxiliary structure 400 even when the sealant 300 is contracted. ) And the second substrate 200 are maintained. The coefficient of thermal expansion of the auxiliary structure 400 for sealant shrinkage reinforcement is a coefficient of thermal expansion of the second substrate 200 to a coefficient of thermal expansion of the sealant 300. The sealant shrink reinforcing auxiliary structure 400 preferably has a coefficient of thermal expansion between the coefficient of thermal expansion of the second substrate 200 and the coefficient of thermal expansion of the sealant 300. The degree of thermal expansion of the second substrate 200 and the degree of thermal expansion of the sealant 300 are relaxed between the substrate 200 and the sealant 300. More specifically, when the thermal expansion coefficient of the second substrate 200 is 35 to 40 * 10 -6 / K, and the thermal expansion coefficient of the sealant 300 is 65 to 70 * 10 -6 / K, the auxiliary sealant for reinforcing sealant shrinkage The coefficient of thermal expansion of the structure 400 is 40-65 * 10 -6 / K, which is between the coefficient of thermal expansion of the second substrate 200 and the coefficient of thermal expansion of the sealant 300, of which 52-53 * 10 -6 / K It is preferable.

일 예로, 온도가 1K가 상승하여, 제2 기판(200)이 35~40*10-6 만큼 열팽창하고 실런트(300)가 65~70*10-6 만큼 열팽창할 경우, 제2 기판(200)과 실런트(300)가 상호 접촉하고 있으면 제2 기판(200)과 실런트(300)의 열팽창 정도가 서로 상이하기 때문에, 제2 기판(200)와 실런트(300) 사이의 계면에 스트레스가 잔존하여 외부의 약한 충격에도 제2 기판(200)과 실런트(300)가 상호 이격되거나, 제2 기판(200) 또는 실런트(300)가 파손될 수 있다. 특히, 온도가 상승하는 양에 따라 제2 기판(200)과 실런트(300) 사이의 열팽창 정도의 차이는 더 커진다. 그러나, 본 발명 에서는 온도가 1K가 상승하여, 제2 기판(200)이 35~40*10-6 만큼 열팽창하고 실런트(300)가 65~70*10-6 만큼 열팽창할 경우, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)이 제2 기판(200)과 실런트(300) 사이에서 52~53*10-6 만큼 열팽창하기 때문에, 제2 기판(200)과 실런트(300) 사이의 열팽창 정도의 차이를 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)이 줄여준다. 즉, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)의 열팽창 계수가 실런트(300)의 열팽창 계수와 제2 기판(200)의 열팽창 계수 사이의 중간값을 가짐으로써, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 실런트(300) 사이의 계면과 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 제2 기판(200) 사이의 계면에 잔존하는 스트레스가 최소화되며, 이로 인해 외부의 약한 충격에 의해 제2 기판(200)과 실런트(300)가 상호 이격되지 않는 동시에 제2 기판(200) 또는 실런트(300)가 파손되지 않는다.For example, when the temperature increases by 1K and the second substrate 200 thermally expands by 35 to 40 * 10 -6 and the sealant 300 thermally expands by 65 to 70 * 10 -6 , the second substrate 200 When the sealant 300 and the sealant 300 are in contact with each other, the degree of thermal expansion between the second substrate 200 and the sealant 300 is different from each other. Therefore, stress remains at an interface between the second substrate 200 and the sealant 300, and thus, The second substrate 200 and the sealant 300 may be spaced apart from each other, or the second substrate 200 or the sealant 300 may be damaged even by a weak impact. In particular, the difference in thermal expansion degree between the second substrate 200 and the sealant 300 becomes larger according to the amount of temperature rise. However, in the present invention, when the temperature rises by 1K and the second substrate 200 thermally expands by 35-40 * 10 -6 and the sealant 300 thermally expands by 65-70 * 10 -6 , the sealant shrinkage reinforcement Since the auxiliary structure 400 is thermally expanded by 52 to 53 * 10 −6 between the second substrate 200 and the sealant 300, the difference in the degree of thermal expansion between the second substrate 200 and the sealant 300 is sealed. Shrink reinforcement auxiliary structure 400 is reduced. That is, the thermal expansion coefficient of the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 has a median value between the thermal expansion coefficient of the sealant 300 and the thermal expansion coefficient of the second substrate 200, thereby reducing the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400. The stress remaining at the interface between the sealant 300 and the interface between the sealant shrinkage reinforcing auxiliary structure 400 and the second substrate 200 is minimized, which causes the second substrate 200 and While the sealant 300 is not spaced apart from each other, the second substrate 200 or the sealant 300 is not damaged.

한편, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)의 열팽창 계수가 제2 기판(200)의 열팽창 계수인 35~40*10-6 /K 보다 작은 경우, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)이 상술한 효과를 구현하지 못할 뿐만 아니라, 오히려 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 실런트(300) 사이의 열팽창 계수 차가 크기 때문에, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 실런트(300) 사이의 계면에 스트레스가 잔존하여 약한 충격에도 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 실런트(300)가 상호 이격되거나, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400) 또는 실런트(300)가 파손된다.On the other hand, when the thermal expansion coefficient of the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 is smaller than 35 to 40 * 10 −6 / K, which is the thermal expansion coefficient of the second substrate 200, the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 is described above. Not only does not realize the effect, but because the difference in coefficient of thermal expansion between the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 and the sealant 300 is large, the stress at the interface between the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 and the sealant 300 is large. There is still a small impact and the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 and the sealant 300 are spaced apart from each other, or the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 or sealant 300 is damaged.

또한, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)의 열팽창 계수가 실런트(300)의 열팽창 계수인 65~70*10-6/K 보다 큰 경우, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)이 상술한 효과를 구현하지 못할 뿐만 아니라, 오히려 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 제2 기판(200) 사이의 열팽창 계수 차가 크기 때문에, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 제2 기판(200) 사이의 계면에 스트레스가 잔존하여 약한 충격에도 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 제2 기판(200)이 상호 이격되거나, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400) 또는 제2 기판(200)이 파손된다.In addition, when the thermal expansion coefficient of the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 is greater than 65 to 70 * 10 −6 / K, which is the thermal expansion coefficient of the sealant 300, the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 may have the above-described effect. In addition, the interface between the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 400 and the second substrate 200 is large because the difference in coefficient of thermal expansion between the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 400 and the second substrate 200 is large. The stress remains so that the auxiliary structure 400 and the second substrate 200 for shrinkage reinforcement reinforcement and the second substrate 200 are spaced apart from each other, or the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 or the second substrate 200 is damaged.

이상과 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)에서 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)이 제2 기판(200)과 실런트(300) 사이에 위치하여 실런트(300)의 수축된 높이를 보상하는 동시에, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 실런트(300) 사이의 계면과 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 제2 기판(200) 사이의 계면에 잔존하는 스트레스가 최소화됨으로써, 외부의 충격에 의한 유기 발광 표시 장치(101)의 파손이 억제된다.As described above, in the OLED display 101 according to the first exemplary embodiment, the auxiliary structure 400 for reinforcing the sealant is positioned between the second substrate 200 and the sealant 300 to seal the sealant 300. The stress remaining at the interface between the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 400 and the sealant 300 and at the interface between the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 400 and the second substrate 200 while compensating for the contracted height of the sealant By minimizing, damage to the organic light emitting diode display 101 due to external impact is suppressed.

이하, 도 5 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 제조 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing the organic light emitting diode display 101 according to the first exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 through 11.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다. 도 6 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ 선을 따른 단면도이다.5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention. 6 to 11 are diagrams for describing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention. 9 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 8.

우선, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 제1 마더 기판(1000)을 마련한다(S110).First, as shown in FIGS. 5 and 6, the first mother substrate 1000 is provided (S110).

구체적으로, 제1 마더 기판 본체부(1100)에 복수개의 구동 회로부(120) 및 복수개의 유기 발광 소자(130)를 형성하여 복수개의 구동 회로부(120) 및 복수개의 유기 발광 소자(130)를 포함하는 제1 마더 기판(1000)을 마련한다. 여기서, 제1 마더 기판(1000)을 가상의 제1 절단선(CL1)을 따라 절단하면 제1 마더 기판(1000)으로부터 제1 기판(100)이 형성된다.In detail, the plurality of driving circuit units 120 and the plurality of organic light emitting elements 130 are formed on the first mother substrate main body unit 1100 to include the plurality of driving circuit units 120 and the plurality of organic light emitting elements 130. A first mother substrate 1000 is provided. Here, when the first mother substrate 1000 is cut along the virtual first cutting line CL1, the first substrate 100 is formed from the first mother substrate 1000.

다음, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 마더 기판(2000) 상에 실런트(300), 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400) 및 더미 구조물(DS)을 형성한다(S120).Next, as shown in FIG. 7, the sealant 300, the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400, and the dummy structure DS are formed on the second mother substrate 2000 (S120).

구체적으로, 제2 마더 기판(2000) 상에 복수개의 유기 발광 소자(130) 각각을 둘러싸도록 유기 발광 소자(130)와 대응하는 가상의 유기 발광 소자 선(OLEDL)을 둘러싸는 복수개의 실런트(300), 복수개의 실런트(300)와 제2 마더 기판(2000) 사이에 위치되는 복수개의 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400) 및 최외곽의 실런트(300)와 이웃하여 실런트(300)와 동일한 높이의 더미 구조물(DS)을 형성한다. 여기서, 제2 마더 기판(2000)을 가상의 제2 절단선(CL2)을 따라 절단하면 제2 마더 기판(2000)으로부터 제2 기판(200)이 형성되며, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)은 실런트(300) 및 제2 마더 기판(2000)과 접촉하고 있다. 더미 구조물(DS)은 제1 마더 기판(1000) 상에 제2 마더 기판(2000)이 대향 배치되었을 때, 제1 마더 기판(1000)과 제2 마더 기판(2000) 사이의 간격을 유지하는 역할을 한다. 제2 마더 기판(2000)의 열팽창 계수는 35~40*10-6/K 이고, 실런트(300)의 열팽창 계수는 65~70*10-6/K 이며, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)의 열팽창 계수는 제2 마더 기판(2000)의 열팽창 계수 내지 실런트(300)의 열팽창 계수인 40~65*10-6/K 이다.Specifically, the plurality of sealants 300 surrounding the organic light emitting element 130 and the virtual organic light emitting element line OLEDL corresponding to each of the plurality of organic light emitting elements 130 on the second mother substrate 2000. ), Adjacent to the plurality of sealant shrink reinforcing auxiliary structures 400 and the outermost sealant 300 positioned between the plurality of sealants 300 and the second mother substrate 2000, and having the same height as the sealant 300. The dummy structure DS is formed. Here, when the second mother substrate 2000 is cut along the virtual second cutting line CL2, the second substrate 200 is formed from the second mother substrate 2000, and the auxiliary structure 400 for sealant shrink reinforcement is formed. Is in contact with the sealant 300 and the second mother substrate 2000. The dummy structure DS maintains a gap between the first mother substrate 1000 and the second mother substrate 2000 when the second mother substrate 2000 is disposed to face the first mother substrate 1000. Do it. The thermal expansion coefficient of the second mother substrate 2000 is 35 to 40 * 10 -6 / K, the thermal expansion coefficient of the sealant 300 is 65 to 70 * 10 -6 / K, and the auxiliary structure 400 for reinforcing the sealant shrinkage The thermal expansion coefficient of is 40-65 * 10 <-6> / K which is the thermal expansion coefficient of the 2nd mother substrate 2000 to the thermal expansion coefficient of the sealant 300. As shown in FIG.

다른 실시예에서, 더미 구조물(DS)의 형성 위치는 한정되지 않으며, 이웃하는 실런트(300) 사이에 형성되거나, 가상의 제2 절단선(CL2)을 둘러싸도록 형성되거나 또는 제2 마더 기판(2000)의 가장자리 영역을 따라 복수개의 실런트(300)를 둘러싸도록 형성될 수 있다.In another embodiment, the formation position of the dummy structure DS is not limited, and may be formed between neighboring sealants 300, formed to surround the virtual second cutting line CL2, or the second mother substrate 2000. The sealant 300 may be formed to surround the plurality of sealants 300 along the edge region of the bottom surface.

다음, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 마더 기판(1000)과 제2 마더 기판(2000)을 상호 합착한다(S130).Next, as shown in FIGS. 8 and 9, the first mother substrate 1000 and the second mother substrate 2000 are bonded to each other (S130).

구체적으로, 제1 마더 기판(1000) 상에 제2 마더 기판(2000)을 정렬하여, 제1 마더 기판(1000)에 제2 마더 기판(2000)을 대향 배치한다. 이 때, 복수개의 실런트(300)는 각각 복수개의 유기 발광 소자(130)를 둘러싸게 되며, 실런트(300) 및 더미 구조물(DS)은 제1 마더 기판(1000)과 접촉하게 된다. 여기서, 실런트(300)와 더미 구조물(DS)이 동일한 높이를 가지고 있고, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)이 실런트(300)와 제2 마더 기판(2000) 사이에 위치하기 때문에, 실런트(300)와 대응하는 제2 마더 기판(2000)의 일 부분이 상 측으로 돌출된다.In detail, the second mother substrate 2000 is aligned on the first mother substrate 1000, and the second mother substrate 2000 is disposed to face the first mother substrate 1000. In this case, the plurality of sealants 300 surround the plurality of organic light emitting elements 130, and the sealant 300 and the dummy structure DS come into contact with the first mother substrate 1000. Here, since the sealant 300 and the dummy structure DS have the same height, and the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400 is located between the sealant 300 and the second mother substrate 2000, the sealant 300 ) And a portion of the second mother substrate 2000 protrudes upward.

다음, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 실런트(300)를 경화한다(S140).Next, as shown in FIGS. 10 and 11, the sealant 300 is cured (S140).

구체적으로, 제2 마더 기판(2000)과 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)을 통해 실런트(300)에 레이저를 조사하여 실런트(300)를 경화한다. 실런트(300)가 경화됨에 따라 실런트(300)가 수축되어 도 11에 도시된 바와 같이, 실런트(300) 및 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)의 전체 높이가 더미 구조물(DS)과 동일하게 되며, 이로 인해 제2 마더 기판(2000)의 판면이 플랫(flat)한 상태를 이루게 된다.Specifically, the sealant 300 is cured by irradiating a laser to the sealant 300 through the second mother substrate 2000 and the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 400. As the sealant 300 is hardened, the sealant 300 is contracted, and as shown in FIG. 11, the overall heights of the sealant 300 and the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 400 are the same as the dummy structure DS. As a result, the plate surface of the second mother substrate 2000 is flat.

이와 같이, 실런트(300)의 수축에 의한 실런트(300)의 높이 감소를 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)이 보상함으로써, 실런트(300)에 대응하는 제2 마더 기판(2000)의 판면이 플랫한 상태를 이루게 된다. 즉, 실런트(300)의 수축에 의해 실런트(300)에 대응하는 제2 마더 기판(2000)의 판면에 스트레스가 잔존하는 것이 억제된다.As such, the auxiliary structure 400 for sealant shrinkage reinforcement compensates for the height reduction of the sealant 300 due to shrinkage of the sealant 300, so that the plate surface of the second mother substrate 2000 corresponding to the sealant 300 is flat. A state is achieved. That is, the stress remaining on the plate surface of the second mother substrate 2000 corresponding to the sealant 300 is suppressed by the shrinkage of the sealant 300.

또한, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)의 열팽창 계수가 실런트(300)의 열팽창 계수와 제2 마더 기판(2000)의 열팽창 계수 사이의 중간값을 가짐으로써, 실런트(300)의 경화 수단인 레이저에 의해 열팽창하는 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 실런트(300) 사이의 계면과 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 제2 마더 기판(2000) 사이의 계면에 잔존하는 스트레스가 최소화된다. In addition, the thermal expansion coefficient of the auxiliary structure 400 for sealant shrinkage reinforcement has a median value between the thermal expansion coefficient of the sealant 300 and the thermal expansion coefficient of the second mother substrate 2000, so that the laser is a curing means of the sealant 300. As a result, the stress remaining at the interface between the sealant shrinkage supplementary auxiliary structure 400 and the sealant 300 and the interface between the sealant shrinkage supplementary supplementary structure 400 and the second mother substrate 2000 may be minimized.

다음, 제1 마더 기판(1000) 및 제2 마더 기판(2000)을 절단한다(S150).Next, the first mother substrate 1000 and the second mother substrate 2000 are cut (S150).

구체적으로, 실런트(300) 외곽의 제1 절단선(CL1) 및 제2 절단선(CL2)을 따라 제1 마더 기판(1000) 및 제2 마더 기판(2000)을 절단함으로써, 제1 마더 기판(1000) 및 제2 마더 기판(2000)으로부터 제1 실시예에 따른 복수개의 유기 발광 표시 장치(101)가 제조된다. 이 때, 제2 마더 기판(2000)이 플랫한 상태이고, 제2 마더 기판(2000)과 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400) 사이 및 실런트 수축 보 강용 보조 구조물(400)과 실런트(300) 사이의 각 계면에서 열팽창으로 인해 잔존되는 스트레스가 최소화되었기 때문에, 제1 마더 기판(1000) 및 제2 마더 기판(2000)의 절단 시 절단에 의한 충격으로 제2 마더 기판(2000) 또는 실런트(300)가 의도하지 않게 파손되지 않는다.Specifically, by cutting the first mother substrate 1000 and the second mother substrate 2000 along the first cutting line CL1 and the second cutting line CL2 outside the sealant 300, the first mother substrate ( The organic light emitting diode display 101 according to the first exemplary embodiment is manufactured from the 1000 and the second mother substrate 2000. At this time, the second mother substrate 2000 is in a flat state, between the second mother substrate 2000 and the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 400, and between the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 400 and the sealant 300. Since residual stress due to thermal expansion is minimized at each interface of the second mother substrate 2000 or the sealant 300 due to the impact caused by cutting when the first mother substrate 1000 and the second mother substrate 2000 are cut. Is not accidentally broken.

이상과 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(101)의 제조 방법은 절단 공정 시 절단에 의한 충격으로 인해 제2 마더 기판(2000) 및 실런트(300)가 파손되는 것이 억제됨으로써, 제조 수율이 향상되어 제조 비용이 감소된다.As described above, the method of manufacturing the organic light emitting diode display 101 according to the first embodiment of the present invention suppresses the damage of the second mother substrate 2000 and the sealant 300 due to the impact of the cutting during the cutting process. As a result, the production yield is improved and the production cost is reduced.

또한, 제1 마더 기판(1000) 및 제2 마더 기판(2000)으로부터 절단되어 제조된 유기 발광 표시 장치(101)의 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 실런트(300) 사이의 계면과 실런트 수축 보강용 보조 구조물(400)과 제2 기판(200) 사이의 계면에 잔존하는 스트레스가 최소화되기 때문에, 외부의 약한 충격에 의해 제2 기판(200)과 실런트(300)가 상호 이격되지 않는 동시에 제2 기판(200) 또는 실런트(300)가 파손되지 않는다.In addition, an interface between the auxiliary structure 400 for sealant shrinkage reinforcement and the sealant 300 and sealant shrinkage of the organic light emitting diode display 101 manufactured by cutting the first mother substrate 1000 and the second mother substrate 2000. Since the stress remaining at the interface between the reinforcing auxiliary structure 400 and the second substrate 200 is minimized, the second substrate 200 and the sealant 300 are not spaced apart from each other by a weak external shock. 2 The substrate 200 or the sealant 300 is not damaged.

이하, 도 12를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(102)를 설명한다.Hereinafter, the organic light emitting diode display 102 according to the second exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 12.

도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.12 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(102)의 실런트(300)는 제2 기판(200)과 접촉하고 있다.As illustrated in FIG. 12, the sealant 300 of the organic light emitting diode display 102 according to the second exemplary embodiment is in contact with the second substrate 200.

실런트(300)와 제1 기판(100) 사이에는 실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)이 위치하고 있다.The auxiliary structure 402 for shrinkage reinforcement is positioned between the sealant 300 and the first substrate 100.

실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)은 실런트(300)와 제1 기판(100) 사이에서 실런트(300) 및 제1 기판(100)과 접촉하고 있다. 실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)의 높이는 실런트(300)의 경화 시 수축되는 실런트(300)의 높이와 더해져서 최초 설정된 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 간격을 유지하는 높이이다. 즉, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)의 높이는 실런트(300)의 수축된 높이를 보상하는 높이이며, 실런트(300)가 수축되어도 실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)로 인해 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 간격이 유지된다. 실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)의 열팽창 계수는 제1 기판(100)의 열팽창 계수 내지 실런트(300)의 열팽창 계수이다. 실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)은 열팽창 계수가 제1 기판(100)의 열팽창 계수와 실런트(300)의 열팽창 계수 사이인 것이 바람직하며, 이로 인해 실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)이 제1 기판(100)과 실런트(300)의 사이에서 제1 기판(100)이 열팽창하는 정도와 실런트(300)가 열팽창하는 정도를 완화시킨다.The sealant shrink reinforcing auxiliary structure 402 is in contact with the sealant 300 and the first substrate 100 between the sealant 300 and the first substrate 100. The height of the sealant reinforcement auxiliary structure 402 is added to the height of the sealant 300 which shrinks upon curing of the sealant 300 to maintain a gap between the first substrate 100 and the second substrate 200 that are initially set. Height. That is, the height of the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 402 is a height that compensates for the contracted height of the sealant 300, and the first substrate 100 may be caused by the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 402 even when the sealant 300 is contracted. ) And the second substrate 200 are maintained. The coefficient of thermal expansion of the auxiliary structure 402 for sealant shrinkage reinforcement is a coefficient of thermal expansion of the first substrate 100 to a coefficient of thermal expansion of the sealant 300. The sealant contraction reinforcing auxiliary structure 402 preferably has a coefficient of thermal expansion between the coefficient of thermal expansion of the first substrate 100 and the coefficient of thermal expansion of the sealant 300. The degree of thermal expansion of the first substrate 100 and the degree of thermal expansion of the sealant 300 are relaxed between the substrate 100 and the sealant 300.

이상과 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(102)에서 실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)이 제1 기판(100)과 실런트(300) 사이에 위치하여 실런트(300)의 수축된 높이를 보상하는 동시에, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)과 실런트(300) 사이의 계면과 실런트 수축 보강용 보조 구조물(402)과 제1 기판(100) 사이의 계면에 잔존하는 스트레스가 최소화됨으로써, 외부의 충격에 의한 유기 발광 표시 장치(102)의 파손이 억제된다.As described above, in the organic light emitting diode display according to the second exemplary embodiment of the present invention, the auxiliary structure 402 for reinforcing the sealant shrinkage is positioned between the first substrate 100 and the sealant 300 to seal the sealant 300. Stresses remaining at the interface between the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 402 and the sealant 300 and at the interface between the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 402 and the first substrate 100 at the same time By minimizing, damage to the organic light emitting diode display 102 due to external impact is suppressed.

이하, 도 13을 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(103)를 설명한다.Hereinafter, the organic light emitting diode display 103 according to the third exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 13.

도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.13 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(103)의 실런트(300)는 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이에 위치하고 있다. 실런트(300)는 실런트 수축 보강용 보조 구조물(403)과 접촉하고 있다.As illustrated in FIG. 13, the sealant 300 of the organic light emitting diode display 103 according to the third exemplary embodiment is positioned between the first substrate 100 and the second substrate 200. The sealant 300 is in contact with the auxiliary structure 403 for sealant shrink reinforcement.

실런트 수축 보강용 보조 구조물(403)은 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410) 및 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(420)을 포함한다.The sealant shrink reinforcement auxiliary structure 403 includes a first sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure 410 and a second sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure 420.

제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410)은 실런트(300)와 제2 기판(200) 사이에서 실런트(300) 및 제2 기판(200)과 접촉하고 있으며, 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(420)은 실런트(300)와 제1 기판(100) 사이에서 실런트(300) 및 제1 기판(100)과 접촉하고 있다. 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410) 및 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(420)의 전체 높이는 실런트(300)의 경화 시 수축되는 실런트(300)의 높이와 더해져서 최초 설정된 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 간격을 유지하는 높이이다. 즉, 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410) 및 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410)의 전체 높이는 실런트(300)의 수축된 높이를 보상하는 높이이며, 실런트(300)가 수축되어도 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410) 및 제2 서브 실런트 수 축 보강용 보조 구조물(420)로 인해 제1 기판(100)과 제2 기판(200) 사이의 간격이 유지된다. 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410)의 열팽창 계수는 제2 기판(200)의 열팽창 계수 내지 실런트(300)의 열팽창 계수이다. 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410)은 열팽창 계수가 제2 기판(200)의 열팽창 계수와 실런트(300)의 열팽창 계수 사이인 것이 바람직하다. 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(420)의 열팽창 계수는 제1 기판(100)의 열팽창 계수 내지 실런트(300)의 열팽창 계수이다. 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(420)은 열팽창 계수가 제1 기판(100)의 열팽창 계수와 실런트(300)의 열팽창 계수 사이인 것이 바람직하다. 이로 인해 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410) 및 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(420) 각각은 제2 기판(200)과 실런트(300)의 사이 및 제1 기판(100)과 실런트(300) 사이 각각에서 제1 기판(100), 실런트(300) 및 제2 기판(200)이 열팽창하는 정도를 완화시킨다.The first sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure 410 is in contact with the sealant 300 and the second substrate 200 between the sealant 300 and the second substrate 200, and the second sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure The structure 420 is in contact with the sealant 300 and the first substrate 100 between the sealant 300 and the first substrate 100. The first height of the first sub-sealant shrink reinforcing auxiliary structure 410 and the second sub-sealant shrink reinforcing auxiliary structure 420 is added to the height of the sealant 300 that shrinks upon curing of the sealant 300. It is the height which maintains the space | interval between the board | substrate 100 and the 2nd board | substrate 200. FIG. That is, the overall height of the first sub-sealant shrink reinforcement auxiliary structure 410 and the second sub-sealant shrink reinforcement auxiliary structure 410 is a height that compensates for the contracted height of the sealant 300, and the sealant 300 shrinks. Even if the first sub-sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 410 and the second sub-sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 420 is maintained between the first substrate 100 and the second substrate 200. The thermal expansion coefficient of the first sub-sealant shrink reinforcing auxiliary structure 410 is a thermal expansion coefficient of the second substrate 200 to a thermal expansion coefficient of the sealant 300. In the first sub-sealant shrink reinforcing auxiliary structure 410, the thermal expansion coefficient is preferably between the thermal expansion coefficient of the second substrate 200 and the thermal expansion coefficient of the sealant 300. The coefficient of thermal expansion of the auxiliary structure 420 for shrinkage reinforcement of the second sub sealant is a coefficient of thermal expansion of the first substrate 100 to a coefficient of thermal expansion of the sealant 300. The second sub-sealant shrink reinforcement auxiliary structure 420 preferably has a coefficient of thermal expansion between the coefficient of thermal expansion of the first substrate 100 and the coefficient of thermal expansion of the sealant 300. As a result, each of the first sub-sealant shrink reinforcing auxiliary structure 410 and the second sub-sealant shrink reinforcing auxiliary structure 420 may be disposed between the second substrate 200 and the sealant 300 and between the first substrate 100 and the first substrate 100. The degree of thermal expansion of the first substrate 100, the sealant 300, and the second substrate 200 between each of the sealants 300 is relaxed.

이상과 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(103)에서 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410) 및 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(420)을 포함하는 실런트 수축 보강용 보조 구조물(403)이 제2 기판(200)과 실런트(300) 사이 및 제1 기판(100)과 실런트(300) 사이에 위치하여 실런트(300)의 수축된 높이를 보상하는 동시에, 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410)과 제2 기판(200) 사이, 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(410)과 실런트(300) 사이, 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(420)과 제1 기판(100) 사이 및 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물(420)과 실런트 사 이의 각 계면에 잔존하는 스트레스가 최소화됨으로써, 외부의 충격에 의한 유기 발광 표시 장치(103)의 파손이 억제된다.As described above, in the organic light emitting diode display 103 according to the third exemplary embodiment of the present invention, a sealant including a first sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure 410 and a second sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure 420. An auxiliary structure for shrink reinforcement 403 is positioned between the second substrate 200 and the sealant 300 and between the first substrate 100 and the sealant 300 to compensate for the contracted height of the sealant 300. Between the first sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure 410 and the second substrate 200, between the first sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure 410 and the sealant 300, and the second sub sealant shrink reinforcement auxiliary structure ( Since stress remaining between the 420 and the first substrate 100 and between the second sub-sealant shrink reinforcing auxiliary structure 420 and the sealant is minimized, the impact of external impact on the organic light emitting diode display 103 may be reduced. Breakage is suppressed.

이하, 도 14를 참조하여 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(104)를 설명한다.Hereinafter, the organic light emitting diode display 104 according to the fourth exemplary embodiment will be described with reference to FIG. 14.

도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.14 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

도 14에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(104)의 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)은 제2 기판(200)과 일체로 형성되어 있으며, 제2 기판(200)으로부터 돌출된 형태이다.As illustrated in FIG. 14, the sealant contraction-reinforcement auxiliary structure 404 of the organic light emitting diode display 104 according to the fourth exemplary embodiment of the present invention is integrally formed with the second substrate 200. It protrudes from the substrate 200.

실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)은 포토리소그래피(photolithography) 기술을 이용해 제2 기판(200)을 에칭함으로써 형성될 수 있다. 보다 상세하게는 제2 기판(200) 상에 포토레지스트층을 형성하고 마스크를 이용해 포토레지스트층을 노광한 후, 포토레지스트층을 현상하여 제2 기판(200) 상에서 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)과 대응하는 영역에 위치하는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이 후, 습식 에칭 또는 건식 에칭 공정을 이용해 포토레지스트 패턴에 의해 노출된 제2 기판(200)의 부분을 에칭하면 제2 기판(200)으로부터 돌출된 형태의 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)이 형성된다.The sealant shrink reinforcement auxiliary structure 404 may be formed by etching the second substrate 200 using photolithography techniques. More specifically, after forming a photoresist layer on the second substrate 200 and exposing the photoresist layer using a mask, the photoresist layer is developed to develop an auxiliary structure for sealant shrinkage reinforcement on the second substrate 200. ) And a photoresist pattern positioned in the region corresponding to the? Thereafter, by etching the portion of the second substrate 200 exposed by the photoresist pattern using a wet etching process or a dry etching process, the auxiliary structure 404 for reinforcing the sealant shrinkage reinforcement protruding from the second substrate 200 is formed. Is formed.

또한, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)에 불순물을 도핑하거나, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)을 열처리함으로써, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)의 열팽창 계수를 제2 기판(200)의 열팽창 계수 내지 실런트(300)의 열팽창 계수로 제어할 수 있다. 이 때, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)의 열팽창 계수를 제1 기판(100)의 열팽창 계수와 실런트(300)의 열팽창 계수 사이로 제어하는 것이 바람직하며, 이로 인해 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)이 제2 기판(200)과 실런트(300)의 사이에서 제2 기판(200)이 열팽창하는 정도와 실런트(300)가 열팽창하는 정도를 완화시킨다.In addition, the thermal expansion coefficient of the sealant shrinkage reinforcing auxiliary structure 404 may be obtained by doping impurities into the sealant shrinkage reinforcing auxiliary structure 404 or by heat treating the sealant shrinkage reinforcing auxiliary structure 404. The thermal expansion coefficient to the thermal expansion coefficient of the sealant 300 can be controlled. In this case, it is preferable to control the thermal expansion coefficient of the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 404 between the thermal expansion coefficient of the first substrate 100 and the thermal expansion coefficient of the sealant 300, and thus, the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure 404. ) Reduces the degree of thermal expansion of the second substrate 200 and the degree of thermal expansion of the sealant 300 between the second substrate 200 and the sealant 300.

이상과 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(104)에서 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)이 제2 기판(200)과 실런트(300) 사이에 위치하여 실런트(300)의 수축된 높이를 보상하는 동시에, 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)과 실런트(300) 사이의 계면과 실런트 수축 보강용 보조 구조물(404)과 제2 기판(200) 사이의 계면에 잔존하는 스트레스가 최소화됨으로써, 외부의 충격에 의한 유기 발광 표시 장치(104)의 파손이 억제된다.As described above, in the OLED display 104 according to the fourth embodiment of the present invention, the auxiliary structure 404 for reinforcing sealant shrinkage is positioned between the second substrate 200 and the sealant 300 to seal the sealant 300. Stresses remaining at the interface between the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 404 and the sealant 300 and at the interface between the sealant shrink reinforcing auxiliary structure 404 and the second substrate 200 at the same time By minimizing, damage to the organic light emitting diode display 104 due to external impact is suppressed.

본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.While the invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments thereof, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications may be made therein without departing from the spirit and scope of the following claims. Those who are engaged in the technology field will understand easily.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 평면도이다.1 is a plan view of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ선을 따른 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line II-II of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 구조를 나타낸 배치도이다.3 is a layout view illustrating a pixel structure of an organic light emitting diode display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 Ⅳ-Ⅳ선을 따른 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 순서도이다.5 is a flowchart illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.

도 6 내지 도 11은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다. 여기서, 도 9는 도 8의 Ⅸ-Ⅸ 선을 따른 단면도이다.6 to 11 are diagrams for describing a method of manufacturing an organic light emitting display device according to a first embodiment of the present invention. 9 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII of FIG. 8.

도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.12 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.13 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting diode display according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.14 is a cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to a fourth exemplary embodiment of the present invention.

Claims (20)

유기 발광 소자를 포함하는 제1 기판;A first substrate including an organic light emitting device; 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판;A second substrate facing the first substrate; 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하며, 상기 제1 기판과 상기 제2 기판을 결합시키는 실런트; 및A sealant disposed between the first substrate and the second substrate and coupling the first substrate and the second substrate; And 상기 제1 기판과 상기 실런트 사이 및 상기 제2 기판과 상기 실런트 사이 중 하나 이상에 위치하는 실런트 수축 보강용 보조 구조물Sealant reinforcement auxiliary structure positioned between at least one of the first substrate and the sealant and between the second substrate and the sealant 을 포함하며,/ RTI &gt; 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 상기 제1 기판의 열팽창 계수 내지 상기 실런트의 열팽창 계수 또는 상기 제2 기판의 열팽창 계수 내지 상기 실런트의 열팽창 계수인 유기 발광 표시 장치.And a thermal expansion coefficient of the sealant shrink reinforcing auxiliary structure is a thermal expansion coefficient of the first substrate to a thermal expansion coefficient of the sealant or a thermal expansion coefficient of the second substrate to a thermal expansion coefficient of the sealant. 제1항에서,In claim 1, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제2 기판과 상기 실런트 사이에만 위치하는 유기 발광 표시 장치.And the sealant shrink reinforcing auxiliary structure is positioned only between the second substrate and the sealant. 제2항에서,3. The method of claim 2, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제2 기판 및 상기 실런트와 접촉하는 유기 발광 표시 장치.The auxiliary structure for shrink reinforcing reinforcement is in contact with the second substrate and the sealant. 삭제delete 제3항에서,4. The method of claim 3, 상기 제2 기판의 열팽창 계수는 35~40*10-6/K 이며, 상기 실런트의 열팽창 계수는 65~70*10-6/K 인 유기 발광 표시 장치.The thermal expansion coefficient of the second substrate is 35 ~ 40 * 10 -6 / K, the thermal expansion coefficient of the sealant is 65 ~ 70 * 10 -6 / K. 제5항에서,The method of claim 5, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 40~65*10-6/K 인 유기 발광 표시 장치.The thermal expansion coefficient of the auxiliary structure for shrink reinforcing reinforcement is 40 ~ 65 * 10 -6 / K. 제1항에서,In claim 1, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제1 기판과 상기 실런트 사이에만 위치하는 유기 발광 표시 장치.And the sealant shrink reinforcing auxiliary structure is positioned only between the first substrate and the sealant. 제7항에서,8. The method of claim 7, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제1 기판 및 상기 실런트와 접촉하는 유기 발광 표시 장치.The auxiliary structure for shrink reinforcing reinforcement is in contact with the first substrate and the sealant. 삭제delete 제1항에서,In claim 1, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은,The sealant auxiliary structure for shrink reinforcement, 상기 제1 기판과 상기 실런트 사이에 위치하는 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물; 및An auxiliary structure for contracting and reinforcing a first sub sealant positioned between the first substrate and the sealant; And 상기 제2 기판과 상기 실런트 사이에 위치하는 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물Auxiliary structure for contracting and reinforcing a second sub sealant positioned between the second substrate and the sealant 을 포함하는 유기 발광 표시 장치.An organic light emitting display device comprising a. 제10항에서,In claim 10, 상기 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제1 기판 및 상기 실런트와 접촉하며,The first sub-sealant shrink reinforcing auxiliary structure is in contact with the first substrate and the sealant, 상기 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제2 기판 및 상기 실런트와 접촉하는 유기 발광 표시 장치.And the second sub-sealant shrink reinforcing auxiliary structure is in contact with the second substrate and the sealant. 제11항에서,12. The method of claim 11, 상기 제1 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 상기 제1 기판의 열팽창 계수 내지 상기 실런트의 열팽창 계수이며,The coefficient of thermal expansion of the auxiliary structure for shrinkage reinforcement of the first sub sealant is a coefficient of thermal expansion of the first substrate to a coefficient of thermal expansion of the sealant, 상기 제2 서브 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 상기 제2 기판의 열팽창 계수 내지 상기 실런트의 열팽창 계수인 유기 발광 표시 장치.And a thermal expansion coefficient of the second sub-sealant shrink reinforcing auxiliary structure, the thermal expansion coefficient of the second substrate to the thermal expansion coefficient of the sealant. 제1항에서,In claim 1, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제2 기판과 일체로 형성되어 있으며, 상기 제2 기판으로부터 돌출된 형태인 유기 발광 표시 장치.The auxiliary sealant for reinforcing shrinkage structure is integrally formed with the second substrate and protrudes from the second substrate. 제13항에서,The method of claim 13, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 포토리소그래피(photolithography) 기술을 이용해 상기 제2 기판을 에칭함으로써 형성되는 유기 발광 표시 장치.And the auxiliary structure for shrink reinforcing reinforcement is formed by etching the second substrate using photolithography. 복수개의 유기 발광 소자를 포함하는 제1 마더 기판을 마련하는 단계;Providing a first mother substrate including a plurality of organic light emitting elements; 제2 마더 기판 상에 상기 복수개의 유기 발광 소자 각각을 둘러싸도록 형성되는 복수개의 실런트, 상기 실런트와 상기 제2 마더 기판 사이에 위치되는 복수개의 실런트 수축 보강용 보조 구조물 및 상기 실런트와 이웃하며 상기 실런트와 동일한 높이를 갖는 더미 구조물을 형성하는 단계;A plurality of sealants formed to surround each of the plurality of organic light emitting elements on a second mother substrate, a plurality of sealant shrinkage reinforcement auxiliary structures positioned between the sealant and the second mother substrate, and adjacent to the sealant; Forming a dummy structure having a height equal to the height of the dummy structure; 상기 복수개의 실런트가 각각 상기 복수개의 유기 발광 소자를 둘러싸도록 상기 복수개의 실런트를 이용해 상기 제1 마더 기판과 상기 제2 마더 기판을 상호 합착하는 단계;Bonding the first mother substrate and the second mother substrate to each other using the plurality of sealants such that the plurality of sealants respectively surround the plurality of organic light emitting devices; 상기 실런트를 경화하는 단계; 및Curing the sealant; And 상기 실런트의 외곽을 따라 상기 제1 마더 기판 및 상기 제2 마더 기판을 절단하는 단계Cutting the first mother substrate and the second mother substrate along the periphery of the sealant 를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.Method of manufacturing an organic light emitting display device comprising a. 제15항에서,16. The method of claim 15, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물은 상기 제2 마더 기판 및 상기 실런트와 접촉하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The auxiliary structure for shrink reinforcing reinforcement is in contact with the second mother substrate and the sealant. 제16항에서,The method of claim 16, 상기 실런트를 경화하는 단계는 상기 제2 마더 기판 및 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물을 통해 상기 실런트에 레이저를 조사하여 수행하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The curing of the sealant is performed by irradiating a laser to the sealant through the second mother substrate and the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure. 제17항에서,The method of claim 17, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 상기 제2 마더 기판의 열팽창 계수 내지 상기 실런트의 열팽창 계수인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.And a thermal expansion coefficient of the sealant shrinkage reinforcing auxiliary structure being a thermal expansion coefficient of the second mother substrate to a thermal expansion coefficient of the sealant. 제18항에서,The method of claim 18, 상기 제2 마더 기판의 열팽창 계수는 35~40*10-6/K 이며,The thermal expansion coefficient of the second mother substrate is 35 ~ 40 * 10 -6 / K, 상기 실런트의 열팽창 계수는 65~70*10-6/K 인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The thermal expansion coefficient of the sealant is 65 ~ 70 * 10 -6 / K method of manufacturing an organic light emitting display device. 제19항에서,The method of claim 19, 상기 실런트 수축 보강용 보조 구조물의 열팽창 계수는 40~65*10-6/K 인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. And a thermal expansion coefficient of the sealant shrinkage reinforcement auxiliary structure of 40 to 65 * 10 −6 / K.
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