KR101127745B1 - 빔 균일성 및 각도 분포 측정 시스템 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 빔 전류의 균일성 및 이온 빔(예를 들어, 리본 빔의 더욱 넓은 부분)에 걸쳐서 각종 위치들에서 입사각을 감시함으로써 반도체 장치 제조를 용이하게 한다. 하나 이상의 균일성 검출기들은 이온 주입 시스템(예를 들어, 단일 웨이퍼 기반으로 한 시스템 및/또는 다수의 웨이퍼 기반으로 한 시스템) 내에서 사용되고 다수의 소자들로 이루어진다. 각 소자들은 입사 이온 빔으로부터 빔렛을 선택적으로 얻는 개구 및 이온 빔의 인입 각의 함수에 따라서 빔 전류를 측정하는 다수의 빔 전류를 측정하는 한 쌍의 센서들을 포함한다. 특정 소자들을 위한 입사각은 센서들의 쌍에 의해 측정된 빔 전류로부터 적어도 부분적으로 결정될 수 있다. 따라서, 이온 빔의 발생은 조정되어 표시된 바와 같이 균일성을 개선시키고 이온 주입은 개선된 균일성 및 더욱 타이트한 공정 제어들 하에서 수행된다.
빔렛, 검출기, 이온 빔, 센서, 빔 전류
Description
본 발명은 일반적으로 이온 주입 장치에 관한 것이며, 특히, 이온 빔 균일성 및 각도 분포 측정 시스템 및 방법에 관한 것이다.
이온 주입은 화학적인 공정인 확산과 반대되는 바와 같은 물리적인 공정이며, 이 공정은 반도체 및/또는 웨이퍼 재료 내로 도펀트를 선택적으로 주입하기 위하여 반도체 장치 제조에 사용된다. 따라서, 주입의 동작은 도펀트와 반도체 재료 간의 화학적인 상호작용에 의존하지 않는다. 이온 주입의 경우에, 도펀트 원자/분자는 이온화되고 격리되며, 종종 가속되거나 감속되고, 빔으로 형성되어, 웨이퍼에 걸쳐 스윕(sweep)된다. 물리적으로 재료에 가해진 도펀트 이온은 표면에 들어가서 표면 아래에 있게 된다.
이온 주입 시스템은 도펀트 이온에 대한 특정 동작을 각각 수행하는 복잡한 서브시스템의 집합체이다. 기체 또는 고체 형태의 도펀트 원소는 이온화 챔버 내측에 위치되고 적절한 이온화 공정에 의하여 이온화된다. 하나의 예시적인 실시예에서, 챔버는 저압(진공)으로 유지된다. 챔버 내에 필라멘트가 위치되어 필라멘트 소스로부터 전자가 생성되는 지점까지 가열된다. 음으로 하전된 전자가 또한 챔버 내 의 반대로 하전된 애노드에 부착된다. 필라멘트로부터 애노드로 이동하는 동안, 전자는 도펀트 소스 원소(예를 들어, 분자 또는 원자)와 충돌하고 분자 내의 원소로부터 다수의 양으로 하전된 이온을 생성한다.
일반적으로, 소망하는 도펀트 이온 이외에, 다른 양의 이온이 생성된다. 소망하는 도펀트 이온은 분석, 질량 분석, 선택, 또는 이온 분리라 칭하는 공정에 의해 이온으로부터 선택된다. 선택은 이온화 챔버로부터의 이온을 이동시키는 자계를 생성하는 질량 분석기를 사용하여 이루어진다. 이온은 상당히 고속으로 이온화 챔버를 떠나고 자계에 의해 원호 내로 구부러진다. 원호의 반경은 개별적인 이온의 질량, 속도, 및 자계 강도에 의해 정해진다. 분석기의 출구는 단지 한 종류의 이온, 소망하는 도펀트 이온이 질량 분석기를 빠져나가도록 한다.
일부 경우에서, 선형 가속기라 칭하는 가속 시스템이 사용되어 소망하는 도펀트 이온을 소정 모멘텀(예를 들어, 자식의 속도만큼 승산된 도펀트 이온의 질량)으로 가속하거나 감속하여 웨이퍼 표면을 통과하도록 한다. 가속의 경우에, 상기 시스템은 일반적으로 환형의 전력을 공급받는 전극 및 자신의 축을 따른 4중 렌즈의 쌍을 갖는 선형 디자인으로 이루어진다. 4중 렌즈는 음 및 양 전위에 의해 전력을 공급받는다. 도펀트 이온이 그 안에 들어갈 때, 상기 도펀트 이온은 전력을 공급받는 전극에 의해 가속되고 4중 렌즈에 의해 선택적으로 포커싱(focusing)되고 디포커싱(defocusing)된다.
계속해서, 도펀트 이온은 엔드 스테이션에서의 목표 웨이퍼로 지향된다. 빔으로서의 도펀트 이온은 특정 빔 전류로 웨이퍼에 충돌한다. 목표에서 실질적으로 균일한 선량 분포를 달성하기 위하여, 빔은 실질적으로 균일해질 필요가 있고, 빔의 경사각이 또한 실질적으로 균일해질 필요가 있다. 따라서, 빔 균일성 및 각도 분포를 측정하는 적절한 시스템 및 방법이 필요로 된다.
다음에서 본 발명의 하나 이상의 양상의 기본적인 이해를 제공하기 위하여 간소화된 요약이 제공된다. 이러한 요약은 본 발명의 광범위한 개요가 아니며, 본 발명의 키 또는 중요한 소자를 식별하고자 하는 것도 아니며, 그 범위를 서술하고자 하는 것도 아니다. 오히려, 요약의 주요 목적은 이후에 제공되는 상세한 설명에 대한 서문으로서 간소화된 형태로 본 발명의 일부 개념을 제공하는 것이다.
본 발명은 이온 빔 전체에 걸쳐 다양한 위치(예를 들어, 리본 빔의 더 넓은 부분)에서 빔 전류의 균일성 및 경사각을 모니터링함으로써 반도체 장치 제조를 용이하게 한다. 이온 주입 시스템(예를 들어, 단일 웨이퍼 기반으로 한 시스템 및/또는 다수의 웨이퍼 기반으로 한 시스템) 내에서 하나 이상의 균일성 검출기가 사용된다. 상기 검출기(들)는 이온 주입 이전(예를 들어, 교정), 이온 주입 동안(예를 들어, 원위치), 및/또는 이온 주입 이후(예를 들어, 입증)에, 균일성 측정값을 제공하도록 동작한다. 균일성 측정값을 토대로, 이온 빔의 생성이 조정되어 나타낸 바와 같이, 균일성을 개선시킨다. 결과적으로, 이온 주입은 균일성이 개선되고 더 타이트한 공정 제어 하에서 수행될 수 있다.
상술된 목적 및 관련된 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 이하에 충분히 서술되고 특히 청구항에서 지적된 특성을 포함한다. 다음의 설명 및 첨부 도면은 본 발명의 어떤 예시적인 양상 및 구현예를 상세히 나타낸다. 그러나, 이것들은 본 발명의 원리가 사용될 수 있는 다양한 방식들 중 몇 개를 나타낸다. 본 발명의 다른 목적, 장점 및 새로운 특성은 도면을 참조하여 고려시, 다음의 상세한 설명으로부터 분명해질 것이다.
도1은 본 발명의 양상을 따른 단일 웨이퍼 이온 주입 시스템을 도시한 블럭도.
도2는 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기의 일부를 도시한 도면.
도3은 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기의 일부를 도시한 도면.
도4는 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기의 일부를 도시한 도면.
도5는 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기에 대한 구성을 도시한 평면도.
도6은 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기에 대한 구성을 도시한 평면도.
도7은 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기에 대한 구성을 도시한 평면도.
도8은 본 발명의 양상을 따른 예시적인 센서를 도시한 블럭도.
도9는 본 발명의 양상을 따른 실질적으로 균일한 이온 주입을 수행하는 방법을 도시한 흐름도.
도10은 본 발명의 양상을 따른 이온 빔의 균일성을 모니터링하는 방법을 도시한 흐름도.
도11은 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기를 도시한 사시도.
도12는 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기를 도시한 상면도.
도13은 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기를 도시한 단면도.
도14는 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기를 도시한 다른 단면도.
도15는 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기의 일부를 도시한 상세도.
본 발명이 지금부터 첨부 도면을 참조하여 설명될 것이며, 여기서, 전체적으로 동일한 소자에는 동일한 참조 번호가 병기되어 있다. 본 발명이 이하에 도시되고 설명되는 예시적인 구현예 및 양상에 국한되지 않는다는 것을 당업자들을 인식할 것이다.
본 발명은 이온 빔 전체에 걸쳐 다양한 위치(리본 빔의 더 광범위한 부분)에서 빔 전류의 균일성 및 경사각을 감시함으로써 반도체 장치 제조를 용이하게 한다. 이온 주입 시스템(예를 들어, 단일 웨이퍼 기반으로 한 시스템 및/또는 다수의 웨이퍼 기반으로 한 시스템) 내에서 하나 이상의 균일성 검출기가 사용된다. 상기 검출기(들)는 이온 주입 이전(예를 들어, 교정), 이온 주입 동안(예를 들어, 원위치), 및/또는 이온 주입 이후(예를 들어, 입증)에, 균일성 측정을 제공하도록 동작한다. 균일성 측정을 토대로, 이온 빔의 생성이 조정되어 나타낸 바와 같이, 균일성을 개선시킨다. 결과적으로, 이온 주입은 균일성이 개선되고 더 타이트한 공정 제어 하에서 수행될 수 있다.
균일성 검출기는 빔 전류 및 경사각 측정값을 구하기 위하여 사용되고, 각각이 일련의 또는 다수의 측정 소자를 포함하는 하나 이상의 층으로 이루어진다. 각각의 층은 선택된 방향에서 경사각 측정값을 구할 수 있다. 각각의 소자는 입력 이 온 빔에 대해 경사각 및/또는 빔 전류 측정값(들)을 구하도록 동작한다.
도1에는 본 발명의 양상을 따른 간소화된 예시적인 단일 웨이퍼 이온 주입 시스템(100)의 블럭도가 도시되어 있다. 시스템(100)은 챔버(102), 소스를 포함한 이온 주입 시스템(104), 균일성 검출기(106), 및 단일 웨이퍼(108)를 유지하는 페데스탈(pedestal) 또는 엔드 스테이션이라고 또한 칭해지는 모듈(110)을 포함한다. 도1에 도시된 시스템(100)은 설명을 위한 목적으로 제공되며, 이온 주입 시스템의 모든 양상, 구성요소, 및 특성을 포함하고자 하는 것이 아니다. 대신에, 시스템(100)은 본 발명을 더욱 잘 이해하는 것을 용이하게 하기 위하여 도시된다.
이온 주입 시스템(104)은 도펀트 유형, 도우즈, 빔 전류, 경사각, 에너지 등등을 포함한 다수의 특성을 갖는 이온 빔(112), 전형적으로 리본 빔을 발생시킨다. 이온 빔(112)이 웨이퍼(108)의 표면에 실질적으로 직교인 것으로 도시되어 있을지라도, 상기 이온 빔(112)은 웨이퍼(108)의 표면과 다른 경사각으로 될 수 있다(예를 들어 >0이고, 여기서 0은 표면에 수직인 빔이다).
상술된 바와 같이, 모듈(110)은 웨이퍼(108)를 유지한다. 부가적으로, 모듈(110)은 소망하는 주입 결과를 달성하기 위하여 제어된 속도로 이온 빔(112)을 통과하여 (나타낸 바와 같은) 웨이퍼를 이동시키도록 동작 가능하다. 일반적으로, 소정의 이온 주입은 이온 빔(112)을 통과하는 웨이퍼(108)의 단일 경로에서 수행된다. 이렇게 함으로써, 웨이퍼(108)에 걸친 실질적으로 균일한 주입이 얻어질 수 있는데, 그 이유는 웨이퍼(108)의 모든 부분이 거의 동일한 속도로 이온 빔(112)을 통과하여 이동하기 때문이다. 대조적으로, 다른 이온 주입 시스템은 본 발명을 또 한 통합할 수 있는 공정 디스크를 사용한다.
본 예의 균일성 검출기(106)는 모듈(110) 아래에 위치되고 이온 빔(112)과 일렬로 위치된다. 검출기(106)는 고정 위치에서 도시되어 있다. 본 발명의 대안적인 양상은 임의의 적절한 수의 검출기, 다른 위치에 위치된 검출기, 및 이동 가능한 검출기를 포함한다는 것이 이해된다. 예를 들어, 검출기(106)는 모듈 또는 페데스탈(110) 상으로 집적되고 실질적으로 웨이퍼(108)와 동일한 평면에 있을 수 있다. 검출기(106)는 다수의 위치들에서 이온 빔(112) 양단에 빔 전류의 균일성을 측정한다. 게다가, 검출기(106)는 다수의 위치들에서 이온 빔(112)의 입사각 측정값을 구한다. 빔 전류 균일성 및 입사각 측정값은 이온 주입 시스템(104)에 의해 발생된 이온 빔(112)을 수정하여 균일성을 개선하는데 사용될 수 있다. 게다가, 이들 측정값은 이 측정값이 실질적인 편차들을 나타낼 때 웨이퍼들에 대한 손상을 나타내도록 사용될 수 있다.
검출기(106)는 개구 및 한쌍의 빔 전류 센서들을 각각 포함하는 일련의 소자들을 포함한다. 개구는 빔렛(beamlet)이라 칭하는 이온 빔(112)의 단지 일부가 빔 전류 센서들의 쌍으로 통과되도록 한다. 센서들 각각에 의해 측정된 빔 전류는 빔렛의 입사각 및 이온 빔(112)의 일부를 표시하도록 사용된다. 따라서, 각 소자는 입사각 측정값을 구하도록 사용될 수 있고 이 소자의 측정값은 이온 빔(112)에 걸쳐서 입사각의 균일성을 결정하도록 사용될 수 있다. 본 발명을 따른 적절한 검출기들의 부가적인 상세한 설명 예들이 설명된다.
지금부터 도2를 참조하면, 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기(200)의 일부의 도면이 도시되어 있다. 검출기(200)는 마스크(206) 및 일련의 센서 쌍들(212)(S1 및 S2)을 포함하여, 제 1 방향에서 입사각 측정값 및 빔 균일성 측정값을 구하도록 동작될 수 있는 다수의 소자들을 정한다. 균일성 검출기(200)는 이온 빔(208)의 다양한 위치에서 이들 균일성 측정값을 구하여 빔 전류 및 입사각에 대해서 이온 빔의 균일성을 표시한다.
각 소자는 개구(214), 제 1 빔 전류 센서(202), 및 제 2 빔 전류 센서(204)로 이루어진다. 개구(214)는 마스크(206)에 의해 한정되고 개구(214)의 폭(w)에 따라서 이온 빔(208)으로부터 빔렛(210)을 얻는다. 제 1 빔 전류 센서(202) 및 제 2 빔 전류 센서(204)는 거리(g)를 두고 개구(214) 아래에 대칭적으로 위치되고 갭(215)에 의해 서로 분리된다. 센서(202 및 204)는 빔렛(210)으로부터 빔 전류 측정값(제 1 및 제 2 측정값)을 구한다. 이들의 위치지정 때문에, 제 1 센서(202) 및 제 2 센서(204)는 빔렛(210) 및 이온 빔(208)의 입사각에 따라서 서로 다른 빔 전류량을 측정한다. 예로서, 도2에 도시된 빔렛(210)은 제 1 센서(202)와 비교하여 제 2 센서(204)에 의해 더욱 큰 측정 빔 전류를 산출한다. 입사각(A)이 거의 제로(예를 들면, 빔은 실질적으로 검출기에 수직)이면, 센서(202 및 204)의 측정된 빔 전류는 거의 동일하다는 것이 공지되어 있다.
빔렛(210)의 입사각(A)은 제 1 측정 및 제 2 측정의 함수이다. 입사각을 결정하기 위하여 본 발명에 따라서 사용될 수 있는 적절한 식은 다음과 같다.
여기서 A는 입사각, S1은 제 1 측정된 빔 전류, S2는 제 2 측정된 빔 전류, w는 개구 폭, g는 센서들이 마스크(206) 또는 개구(214) 아래에 위치되는 거리이다. 입사각 및/또는 입사각의 표시를 얻기 위하여 여전히 본 발명에 따라서 다른 적절한 식이 사용될 수 있다. 게다가, 제 1 측정된 빔 전류 및 제 2 측정된 빔 전류는 모두(S1+S2) 가산되어 소자에서 빔전류 표시를 제공한다.
소자의 수로부터 입사각 측정값은 분석되어 빔 전체에 걸쳐서 이온 빔의 입사각의 균일성을 결정한다. 게다가, 소자의 수로부터 빔 전류 측정값이 분석되어 이온 빔 전체에 걸쳐서 빔 전류의 균일성을 결정한다. 이들 측정값을 토대로, 교정 작용(corrective actions)이 이온 빔(208)의 균일성을 개선시키도록 취해진다.
도3은 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기(300)의 일부를 도시한 도면이다. 검출기(300)는 제 1 방향에서 입사각 측정값 및 빔 전류를 얻는 제 1 층(350) 및 상기 제 1 방향과 직교되는 제 2 방향에서 입사각 측정값 및 빔 전류를 얻는 제 2 층(352)으로 이루어진다. 제 1 층(350)은 마스크(306) 및 일련의 센서 쌍(318)으로 이루어져, 입사각 측정값 및 빔 균일성 측정값을 구하도록 동작될 수 있는 다수의 소자를 한정한다. 제 2 층(352)은 또한 마스크(308) 및 일련의 센서 쌍(310)으로 이루어지고 제 1 층(350)에 직교하여 그 아래에 배치된다. 균일성 검출기(300)는 각종 위치 및 이온 빔(312)의 양 방향(예를 들어, "x" 및 "y")에서 이들 균일성 측정값을 구하여 빔 전류 및 입사각에 대해서 이온 빔의 균일성을 표시한다.
제 1 층(350)의 각 소자는 개구(316), 제 1 빔 전류 센서(302) 및 제 2 빔 전류 센서(304)로 이루어진다. 개구(314)는 마스크(306)로 한정되고 폭(w1)에 따라서 이온 빔(312)으로부터 빔렛(314)을 얻는다. 제 1 빔 전류 센서(302) 및 제 2 빔 전류 센서(304)는 거리(g1)를 두고 개구(314) 아래에 대칭적으로 위치된다. 센서(302 및 304)는 빔렛(314)으로부터 빔 전류 측정값(제 1 및 제 2 측정값)을 구한다. 상술된 바와 같이, 제 1 센서(302) 및 제 2 센서(304)는 자신들의 위치지정 때문에 제 1 방향에서 이온 빔(312) 및 빔렛(314)의 입사각에 따라서 상이한 빔 전류의 량을 측정한다. 이들 측정값으로부터, 입사각(A1)은 제 1 방향(예를 들어, 리본 빔의 길이를 따라서 신장되는 제 1 방향)에 대해서 결정될 수 있다.
제 2 층(352)의 각 소자는 또한 마스크(308) 내에서 한정된 개구(도시되지 않음) 및 일련의 센서 쌍(310) 내에서 한정된 제 1 빔 센서 및 제 2 빔 센서(도시되지 않음)로 이루어진다. 마찬가지로, 제 1 빔 전류 센서 및 제 2 빔 전류 센서는 거리(g2)를 두고 개구 아래에 대칭적으로 위치된다. 이 센서는 개구 폭(w2)(도시되지 않음)에 의해 한정된 빔렛(314)의 부분으로부터 빔 전류 측정값(제 1 및 제 2 측정값)을 구한다. 제 1 센서 및 제 2 센서는 제 2 방향에서 이온 빔(312)의 입사각을 토대로 서로에 대해 가변하는 제 1 및 제 2 빔 전류를 측정한다. 이들 제 2 층(352) 측정들로부터, 입사각(A2)은 제 2 방향(예를 들어, 리본 빔의 폭을 따라서 신장하는 제 2 방향)에 대해서 결정될 수 있다.
총괄적으로, 제 1 층(350)의 소자는 제 1 방향에서 이온 빔(312) 전체에 걸쳐서 각도 균일성을 나타내고 제 2 층(352)의 소자는 제 2 방향에서 이온 빔(312) 전체에 걸쳐서 각도 균일성을 나타낸다. 게다가, 두 층의 소자는 빔 전류 측정값(예를 들어, 센서 쌍에 의해 측정된 빔 전류의 합)을 제공하도록 동작되어 이온 빔(312) 전체에 걸쳐서 빔 전류 균일성 또는 이의 부족을 나타낸다. 검출된 균일성 및 이의 부족을 토대로, 이온 빔(312)은 조정 및/또는 교정되어 균일성을 개선한다.
도4는 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기(400)의 또 다른 부분을 도시한 도면이다. 이 도면은 도3에 도시된 도면과 직교한다. 검출기(400)는 제 1 방향에서 입사각 측정값 및 빔 전류를 얻는 제 1 층(450) 및 상기 제 1 방향과 직교하는 제 2 방향에서에서 입사각 측정값 및 빔 전류를 얻는 제 2 층(452)으로 이루어진다. 제 1층(450)은 마스크(406) 및 일련의 센서 쌍(403)으로 이루어져, 입사각 측정값 및 빔 균일성 측정값을 구하도록 동작할 수 있는 다수의 소자를 한정한다. 제 2 층(452)은 또한 마스크(408) 및 일련의 센서 쌍(416)으로 이루어져 제 1층(450)과 직교하여 그 아래에 배치된다. 균일성 검출기(400)는 이온 빔(412)의 각종 위치 및 두 방향에서 이들 균일성 측정값을 구하여 빔 전류 및 입사각에 대해서 이온 빔의 균일성을 표시한다.
제 1 층(450)의 각 소자는 개구(도시되지 않음), 제 1 빔 전류 센서(도시되지 않음), 및 제 2 빔 전류 센서(도시되지 않음)으로 이루어진다. 개구는 마스크(406)에 의해 한정되고 폭(w1)에 따라서 이온 빔(412)으로부터 빔렛을 얻는다. 제 1 빔 전류 센서 및 제 2 빔 전류 센서는 거리(g1)를 두고 개구 아래에 대칭적으로 위치된다. 센서는 빔렛으로부터 빔 전류 측정값(제 1 및 제 2 측정값)을 구한다. 이들의 위치지정 때문에, 제 1 센서 및 제 2 센서는 제 1 방향에서 이온 빔(412) 및 빔렛의 입사각에 따라서 상이한 빔 전류의 량을 측정한다. 이들 측정으로부터 입사각(A1)은 제 1 방향에 대해서 결정될 수 있다.
제 2 층(452)의 각 소자는 또한 마스크(408) 내에 한정된 개구(420) 및 일련의 센서 쌍들(410) 내에 한정된 제 1 빔 센서(409) 및 제 2 빔 센서(410)로 이루어진다. 마찬가지로, 제 1 빔 전류 센서 및 제 2 빔 전류 센서는 거리(g2)를 두고 개구 아래에 대칭적으로 위치된다. 센서는 개구폭(w2)에 의해 한정된 빔렛(414)의 부분으로부터 빔 전류 측정값(제 1 및 제 2 측정값)을 구한다. 제 1 센서(409) 및 제 2 센서(410)는 제 2 방향에서 이온 빔(412)의 입사각을 토대로 서로에 대해서 가변하는 제 1 및 제 2 빔 전류를 측정한다. 이들 제 2 층(452)의 측정으로부터, 입사각(A2)은 제 2 방향에 대해서 결정될 수 있다.
도3의 균일성 검출기(300)와 마찬가지로, 제 1 층(450)의 소자는 제 1 방향에서 이온 빔(412) 전체에 걸쳐서 각도 균일성을 표시하고 제 2 층(452)의 소자는 제 2 방향에서 이온 빔(412)에 걸쳐서 각도 균일성을 표시한다. 게다가, 두 층의 소자는 이온 빔(412) 전체에 걸쳐서 빔 전류 균일성 또는 이의 부족을 나타내도록 빔 전류 측정(예를 들어, 센서 쌍에 의해 측정된 빔 전류의 합)을 제공하도록 동작될 수 있다. 검출된 균일성 또는 이의 부족을 토대로, 이온 빔(412)은 조정 및/또는 교정되어 균일성을 개선시킨다.
지금부터 도5를 참조하면, 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기의 구성(500)을 도시한 평면도가 도시된다. 이 구성(500)은 도2에 대해서 설명된 바와 같은 단일 계층화된 균일성 검출기에 적합하다.
이 구성(500)은 일련의 소자를 위한 일련의 개구(504) 및 마스크(502)를 도시한다. 개구(504)는 이온 빔으로부터 빔렛을 선택적으로 얻는 규정된 폭(w1)을 갖는다. 개구(들) 아래의 센서의 쌍은 "y" 방향을 따라서 입사각 측정값을 구하기 위하여 사용된다.
도6에 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기의 구성(600)을 도시한 또 다른 평면도가 도시된다. 이 구성(600)은 도3 및 도4에 대해서 설명된 바와 같이 2 계층화된 균일성 검출기에 적합하게 된다.
이 구성(600)은 제 1 일련의 소자를 위한 일련의 개구(604) 및 마스크(602)를 도시한다. 이 개구(604)는 이온 빔으로부터 빔렛을 선택적으로 얻는 규정된 폭(w1)을 갖는다. 개구(들) 아래의 센서의 쌍들(도시되지 않음)은 "y" 방향에서 입사각 측정값을 구하기 위하여 사용된다. 게다가, 제 2 마스크(도시되지 않음)이지만 마스크(602) 아래에 제 2 일련의 소자를 위한 제 2 일련의 개구(606)가 포함된다. 이 개구(606)는 이온 빔으로부터 제 2 빔렛을 선택적으로 얻는 규정된 폭(w2)을 갖는다. 개구(606) 아래의 센서(도시되지 않음)의 제 2 쌍은 "x" 방향에서 입사각 측정값을 구하도록 사용되는데, 이 "x" 방향은 이 구성에서, "y" 방향에 직교 또는 수직되는 것으로 도시된다. 이 균일성 검출기(600)에 의해 측정될 수 있는 전형적인 리본 이온 빔은 직사각형 영역(608)으로 표시된다. 따라서, 이 구성(600)은 "x" 및 "y" 방향 둘 다에서 이온 빔의 각종 위치들에서 입사각 측정값을 구하도록 한다.
이 도면은 본 발명을 부가 예시하지만 반드시 원래 크기로 될 필요가 없다는 것을 인지하여야 한다. 게다가, 제공된 개구의 수 및 크기는 본 발명의 구현방식들에서 크게 가변할 수 있다. 전형적인 구현방식은 일반적으로 도6을 따른다. 리본 이온 빔은 "y" 방향에서 신장되고 약 30㎝×5cm이다. 또한 "y" 방향에서 신장되는 전형적인 균일성 검출기는 약 35㎝×10cm이다. "x" 방향 또는 축에서, 개구들은 짧게되고 "y" 방향 도는 축상에서 지향된다. 이 예에서, 10cm 길이이고 0.62cm 이격된 48개의 개구들 또는 슬롯들은 이들 뒤에서 센서들의 48쌍들과 "y"방향을 따라서 정렬된다. 직교 방향 "x" 방향에서, 30cm 길이이고 0.55cm 이격된 18개의 개구들 또는 슬롯들은 이들 뒤에서 센서들의 18개의 쌍들과 배열된다.
도7은 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기의 구성(700)을 도시한 평면도이다. 이 구성(700)에서, 제 1 마스크(702)는 제 1 방향을 위한 개구로 도시되고 제 2 마스크(704)는 제 2 방향(예를 들어, x)을 위한 개구로 도시된다. 이 구성(700)은 "x" 및 "y" 방향 둘 다에서 입사각 측정값을 구하기 용이하다는 점에서 도6과 유사하다. 그러나, 제 2 마스크(704)는 제 1 일련의 소자 및 제 1 마스크(702) 아래에 반드시 위치될 필요는 없다.
제 1 마스크(702)의 개구는 이온 빔으로부터 제 1 빔렛을 선택적으로 얻는 규정된 폭(w1)을 갖는다. 개구(들) 아래의 센서들의 쌍(도시되지 않음)은 "y" 방향에서 입사각 측정값을 구하도록 사용된다. 제 2 마스크(704)의 개구는 제 1 빔렛 대신에 이온 빔으로부터 제 2 빔렛을 선택적으로 얻는 규정된 폭(w2)을 갖는다. 제 2 마스크(704)의 개구(들) 아래의 제 2 센서들의 쌍(도시되지 않음)은 "x" 방향에서 입사각 측정값을 구하도록 사용되는데, 이 "x" 방향은 이 구성에서 "y" 방향에 직교 또는 수직하는 것으로 도시된다. 따라서, 이 구성(700)은 "x" 및 "y" 방향 둘 다에서 이온 빔의 각종 위치들에서 입사각 측정값을 구하도록 한다.
도8은 본 발명의 양상을 따른 전형적인 센서(800)를 도시한 블록도이다. 센서(800)는 상술된 바와 같이 이온 빔을 입력하는 입사각 및 빔전류를 측정하도록 사용될 수 있다. 다른 적절한 빔 센서들이 본 발명에 따라서 사용될 수 있다는 것을 인지한다.
제 1 도전층(804)은 회로 보드(802) 또는 다른 적절한 기판상에 형성된다. 제 1 도전층은 구리 또는 알루미늄과 같은 도전성 재료로 이루어진다. 도전층(804)은 회로 보드(802) 상에 전하를 축적시키는 빔렛 또는 이온 빔으로부터 인입하는 이온들을 수신하도록 동작될 수 있다. 전하 축적은 이온 빔의 빔 전류 또는 이온들의 량에 비례하여 빔 전류의 표시 또는 측정를 제공할 수 있다. 하나 이상의 갭들(810)은 센서(800)에 제공되어 개별적인 센서 소자들을 격리시키고 이온 빔의 부분이 밑에 놓이는 층으로 통과되도록 한다.
상술되고 후술되는 구조 및 기능적인 특징들의 관점에서, 본 발명의 각종 양상들을 따른 방법론들은 도9-10과 관련하여 더욱 잘 이해될 것이다. 설명을 간략하 게 하기 위하여, 도9-10의 방법론들은 일렬로 실행하는 바와 같이 도시되고 설명되었지만, 본 발명에 따라서 일부 양상들이 상이한 순서들 및/또는 본원에 도시되고 설명된 바와 다른 양상과 동시에 발생할 수 있기 때문에 본 발명이 도시된 순서로 제한되는 것이 아니라는 점을 이해하고 인지하여야 한다. 게다가, 도시된 특징들이 반드시 본 발명의 양상에 따른 방법론을 구현하는데 필요로되는 것이 아니다.
지금부터 도9을 참조하면, 본 발명의 양상을 따른 이온 주입을 수행하는 방법(900)을 도시한 순서도가 도시되어 있다. 이 방법(900)은 주입 공정 동안 균일성을 개선 및/또는 입증하기 위하여 주입 전, 후에 이온 빔의 균일성을 감시 및 조정한다.
본 방법(900)은 이온 빔이 소망의 빔 전류, 소망의 빔 전류 균일성, 입사각 및 각도 균일성을 포함하지만 이에 제한되지 않는 다수의 특성들로 발생되는 블록(900)에서 시작한다. 빔의 다른 특성들은 도우즈, 도펀트 유형, 등을 포함한다. 블록(904)에서, 이온 빔은 균일성 검출기로 지향되는데, 이 검출기는 일반적으로 타겟 웨이퍼에 인접하여 위치된다. 균일성 검출기는 빔 전류를 측정할 수 있고 하나 이상의 방향들에서 입사각을 측정할 수 있는 일련의 소자들을 포함한다. 균일성 검출기를 위한 적절한 구성들이 상술되어 있다.
균일성 검출기는 블록(906)에서 이온 빔의 입사각 균일성 및 빔 전류 균일성을 측정하고 이온 빔에 대한 교정은 필요한 경우 수행될 수 있다. 구해진 측정값은 입사각 및 예측된 빔 전류값과 비교되어 이들이 적절하거나 적합한지를 결정한다. 게다가, 이 측정값은 균일성 및 분포를 위하여 분석된다. 이온 빔의 교정은 이온 빔 발생기의 구성요소(예를 들어, 선형 가속기, 질량 분석기, 이온 소스 추출 등) 및/또는 하나 이상의 파라미터를 조정함으로써 성취될 수 있다.
블록(908)에서 계속되면, 이온 빔은 타겟 웨이퍼상에서 수행된다. 일반적으로, 타겟 웨이퍼는 웨이퍼 상의 이온 주입의 시작 전 균일성 검출기 위로 이동되거나 위치된다. 게다가, 타겟 웨이퍼는 이온 빔을 통해서 제어가능하게 이동되어 소망의 주입 특성(예를 들어, 도펀트 농도, 주입 깊이 등)을 성취한다. 이온 주입 다음에, 균일성 검출기는 또다시 입사각 균일성 및 빔전류 균일성을 측정하여 이온 빔이 이온 주입을 통해서 균일하게 유지되는지를 입증한다.
도10은 본 발명의 양상을 따라서 이온 빔의 균일성을 감시하는 방법(1000)을 도시한 순서도이다. 이 방법(1000)은 이온 빔 길이 전체에 걸쳐서 빔 전류 및 각도 균일성을 측정 및 분석하도록 동작될 수 있다.
이 방법(100)은 다수의 측정 소자를 갖는 균일성 검출기가 제공되는 블록(1002)에서 시작한다. 검출기의 각 소자는 얻어진 빔렛의 폭을 규정하는 개구 및 한쌍의 센서들로 이루어진다. 각 빔 전류는 블록(1004)에서 각 쌍의 센서들을 위하여 얻어진다. 복합 빔 전류 측정값은 각 소자를 위하여 블록(1006)에서 측정된 빔 전류로부터 발생된다. 일반적으로, 복합 빔 전류 측정값은 소자에서 각 센서의 측정된 빔 전류의 합이지만, 다른 적절한 메커니즘들이 복합 빔 전류 측정값을 산출하도록 사용될 수 있다.
다음에, 입사각 측정값은 각 소자를 위하여 블록(1008)에서 측정된 빔 전류로부터 발생된다. 입사각 측정값은 또한 개별적인 측정 빔 전류의 함수이다. 입사 각 측정값을 구하기 위한 적절한 전형적인 식이 도1과 관련하여 상술되었다.
계속해서, 복합 빔 전류 측정값(각 소자를 위한 한 측정값)은 블록(1010)에서 균일성을 위하여 분석된다. 전형적으로, 적절한 임계 량 또는 편차 레벨이 허용된다. 임계량을 넘는 전류들의 편차 및 변화는 수용불가능하다고 간주되어 교정 작용을 필요로 한다. 유사하게, 입사각 측정값(각 소자를 위한 한 측정값)은 블록(1012)에서 균일성 및/또는 각도 분포를 위하여 분석된다. 또 다시, 적절한 임계 편차량은 각도 분포를 위하여 허용된다. 수용불가능한 변화들은 교정 작용을 필요로 한다.
후술되는 도11-15는 본 발명에 따라서 전형적인 적절한 균일성 검출기를 도시하기 위하여 제공된다. 이 검출기뿐만 아니라 입사각 측정값을 구하도록 동작될 수 있는 다른 적절한 균일성 검출기의 변화는 본 발명에 따라서 사용될 수 있다.
도11에 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기(1100)를 도시한 사시도가 제공된다. 균일성 검출기(1100)는 다양한 위치에서 제 1 및 제 2 방향에서 입사각 측정값을 구할 수 있는 2개의 층을 포함한다. 입사각 측정값 이외에, 균일성 검출기(1100)는 또한 각종 위치에서 빔 전류 측정값을 구하도록 동작될 수 있다.
하우징(1102)은 검출기(1100)를 위한 일반적인 지지 및 구조를 제공한다. 제 1 마스크(1104)는 검출기(1100)의 최상부에 위치된다. 다수의 직사각형 형상의 개구(1106)는 제 1 마스크에서 형성된다. 개구(1106)는 인입하는 이온 빔을 수신하도록 동작되고 상술된 소망의 폭 및 직사각형 형상에 따라서 다수의 빔렛을 선택적으로 통과시킨다. 억제층(1108)은 마스크(1104) 아래에 위치되어 센서로 또는 센서로부터의 전자 전류를 금지하도록 작용한다. 이 억제층(1108)은 측정 정확도를 개선시킬 수 있다. 제 1 회로 보드(1109)는 억제층(1108) 아래에 선택된 거리를 두고 위치된다. 이 제 1 회로 보드(1109)는 상술된 바와 같은 빔 전류 측정값을 구하고 센서에 의해 측정된 빔 전류를 제어하여 분석하는 회로를 포함할 수 있는 다수의 센서를 포함한다. 이 회로는 센서 측정값으로부터 빔 전류 및 입사각을 결정할 수 있다. 일반적으로, 한 쌍의 센서는 마스크(1104)의 각 개구에 대응하도록 제공된다. 센서들의 쌍의 동작은 위에 상세하게 설명되었음으로, 여기선 간결성을 위하여 생략된다. 센서의 쌍은 제 1 방향에서 입사각 측정값을 구하는 것을 용이하게 한다.
제 2 마스크(1110)는 회로 보드(1109) 아래에 위치되고 제 1 마스크(1104)에 포함되는 개구와 직교하는 다수의 개구(도시되지 않음)를 포함한다. 이들 개구는 특정 폭을 갖는 직사각형 형상이고 제 1 회로 보드(1109)에서 갭을 통과하는 이온 빔의 부분들로부터 제 2 빔렛을 선택적으로 얻는다. 억제층은 제 2 층에 대해선 사용되지 않지만, 본 발명의 다른 변형들 및 양상들에 사용될 수 있다. 제 2 회로 보드(1112)는 제 2 마스크 아래에 선택된 거리를 두고 위치되고 또한 제 2 방향에서 입사각 측정값을 구하는 것을 용이하게 하는 빔 전류 센서들의 쌍들을 포함한다. 게다가, 제 2 회로 보드(1112)는 센서에 의해 측정되는 빔 전류를 제어 및 분석하는 회로를 선택적으로 포함할 수 있다.
도시되지 않았지만, 균일성 검출기는 또한 측정된 정보를 구성 및 보고하는 회로를 포함할 수 있는데, 이는 구해진 측정값을 추가 분석, 구해진 측정값을 저장, 구해진 측정값을 예측된 측정값과 비교 등을 할 수 있는 제어 시스템(예를 들 어, 프로세서 기반으로 한 제어 시스템)에 보고될 수 있다.
도12에 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기(1100)의 상부도가 도시되어 있다. 상부도는 검출기(1110)의 일반적인 형상을 도시하고 제 1 층 마스크(1104)의 구성을 도시한다. 절단 선(A-A 및 B-B)은 또한 도13 및 도14 각각에 도시되어 있다.
도13은 도12의 A-A를 따라서 본 발명의 양상에 따라서 균일성 검출기(1100)를 도시한 단면도이다. 제 1 층 마스크(1104)는 검출기의 최상부에 위치되고 개구(1106)를 포함한다. 이 단면도로부터, 개별적인 개구가 도시될 수 있다. 억제층(1108)은 제 1 층 마스크 (1104) 아래에 위치된다. 계속해서, 센서의 쌍을 포함하는 제 1 회로 보드(1109)는 선택된 거리(예를 들어, g1)를 두고 제 1 층 마스크 아래에 위치된다. 제 2 층 마스크(1110)는 회로 보드(1109) 아래에 위치된다. 제 2 회로 보드(1112)는 또한 선택된 거리(예를 들어, g2)를 두고 제 2 층 마스크(1110) 아래에 있게 된다. 상세한 영역(1500)이 도13에 도시되고 도15와 관련하여 부가 설명된다.
도14는 도12의 B-B에 따라 본 발명의 양상을 따른 균일성 검출기(1100)를 도시한 또 다른 단면도이다. 도14에 제공된 도면은 도13에 제공된 도면과 유사하지만, 도13의 도면과 직교한다. 따라서, 제 2 층 마스크(1110) 내의 각 개구는 가시화되고 제 1 층 마스크(1104) 내에서 가시화되지 않는다.
도15는 본 발명의 양상에 따른 균일성 검출기(1100)를 도시한 클로즈업 도면이다. 도면(1500)은 도13에 나타난 영역의 클로즈업 도면이다. 제 1 층 마스크(1104)는 보다 상세히 나타낸 개구(1106)와 함께 도시된다. 개구(1106)는 사다리꼴과 같은 형상(1522)으로 도시되어 있다. 본 발명이 단지 사다리꼴 형상의 개구에 국한되는 것이 아니라, 다른 크기/형상의 개구를 포함할 수 있다는 것이 인식된다. 빔렛이 통과할 수 있는 구멍(1524)을 나타내기 위하여 억제 층(1108)이 더 상세히 도시되어 있다. 이러한 구멍(1524)은 빔렛을 통과하는 이온의 통로를 제한하거나 선택하고자 하는 것이 아니며, 빔렛과 간섭하지 않도록 하기 위하여 충분히 크다. 제 1 회로 보드(1109)는 억제 층 아래에 위치되는 것으로 도시되어 있다. 제 1 회로 보드(1109) 내에서 센서를 격리시키고 어떤 이온 또는 이온 빔의 일부가 제 1 마스크(1110)(도15에 도시되지 않음)로 통과하도록 하는 역할을 하는 회로 보드(1109) 내의 갭(1526)을 볼 수 있다.
본 발명이 하나 이상의 구현예와 관련하여 도시되고 설명되었을지라도, 본 명세서 및 첨부 도면을 판독하고 이해시, 당업자들에 의해 등가의 변경 및 변형이 행해질 것이다. 특히, 상술된 구성요소(어셈블리, 장치, 회로, 시스템 등등)에 의해 수행된 다양한 기능과 관련하여, 이와 같은 구성요소를 설명하는데 사용된 ("수단"에 대한 관계를 포함한) 용어들은 본 발명의 설명된 예시적인 구현예에서 기능을 수행하는 개시된 구조에 구조적으로 등가이지 않을지라도, 만약 나타내지 않는 경우, 서술된 구성요소의 특정 기능을 수행하는(예를 들어, 기능적으로 등가인) 임의의 구성요소에 대응하도록 의도된다. 게다가, 본 발명의 특정한 특성이 몇 개의 구현예들 중 단지 하나와 관련하여 설명될 수 있지만, 이와 같은 특성은 임의의 소정 또는 특정 애플리케이션에 바람직하고 유용할 수 있기 때문에, 다른 구현예의 하나 이상의 다른 특성과 결합될 수 있다. 더구나, "포함한다", "갖는", "갖는다", "가진"이라는 용어, 또는 그 변형이 상세한 설명 및 청구항 중 하나에서 사용된다는 점에서, 이와 같은 용어는 "포함하는"이라는 용어와 유사한 방식으로 포함되도록 의도된다.
Claims (22)
- 빔 균일성 측정 시스템으로서,이온 빔으로부터 빔렛을 선택적으로 얻는 개구,적어도 하나의 센서 쌍을 포함하는 균일성 검출기를 포함하고,상기 적어도 하나의 센서 쌍은, 빔 전류 측정값을 생성하며,상기 빔렛의 제 1 빔 전류 측정값을 구하는 상기 개구 아래에 위치된 제 1 빔 전류 센서, 및상기 개구 아래에 위치되고 상기 빔렛의 제 2 빔 전류 측정값을 구하는 상기 제 1 빔 전류 센서에 인접한 제 2 빔 전류 센서를 포함하고,상기 제 1 빔 전류 측정값과 상기 제 2 빔 전류 측정값의 비교는, 상기 제 1 빔 전류 측정값 및 제 2 빔 저류 측정값의 함수로서, 상기 이온 빔의 입사각에 관계하는 정보를 산출하는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 빔 전류 센서 및 상기 제 2 빔 전류 센서는 상기 개구 아래에 거리를 두고 위치되는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 2 항에 있어서,상기 개구는 상기 빔렛의 폭을 규정하는 선택된 폭을 갖는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 3 항에 있어서,상기 입사각은 상기 제 1 빔 전류 측정값, 상기 제 2 빔 전류 측정값, 상기 개구 아래의 거리, 및 상기 개구의 폭의 함수인, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 4 항에 있어서,상기 입사각은 A=((S1-S2)/(S1+S2))*w/2g에 의해 구해지는데, 여기서 A는 입사각, S1은 제 1 빔 전류 측정값, S2는 제 2 빔 전류 측정값, w는 개구 폭, g는 개구 아래의 거리인, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 개구는 마스크 내의 슬릿에 의해 한정되는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 빔 전류 센서 및 상기 제 2 빔 전류 센서는 상기 빔렛의 이온들에 의해 충돌되도록 동작 가능하고 기판상에 전하를 축적하는 도전층을 포함하는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 이온 주입 시스템에 이용하기 위한 빔 균일성 측정 시스템으로서,상기 빔 균일성 측정 시스템은,각각이 개구를 한정하는 마스크 및 대응하는 센서 쌍을 포함하는 제 1 방향을 따라서 배열된 제 1 일련의 소자들로서, 상기 제 1 일련의 소자들은 상기 제 1 방향을 따라서 이온 빔의 입사각 측정값들을 구하는, 제 1 일련의 소자들, 및각각이 개구를 한정하는 마스크 및 대응하는 센서 쌍을 포함하는 제 2 방향을 따라 배열된 제 2 일련의 소자들로서, 상기 제 2 일련의 소자들은 상기 제 2 방향을 따라서 이온 빔의 입사각 측정값을 구하는, 제 2 일련의 소자들을 포함하는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 9 항에 있어서,상기 이온 빔은 리본 빔인, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 10 항에 있어서, 상기 리본 빔의 넓은 부분은 상기 제 1 방향을 따르는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 9 항에 있어서, 상기 제 2 방향은 상기 제 1 방향과 직교되는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 일련의 소자들 및 상기 제 2 일련의 소자들은 빔 전류 측정값 들을 구하도록 부가 동작 가능한, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 2 일련의 소자들은 상기 제 1 일련의 소자들 아래에 위치되는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 일련의 소자들의 각 소자들은,이온 빔으로부터 빔렛을 선택적으로 얻는 개구,상기 빔렛의 제 1 빔 전류 측정값을 구하는 상기 개구 아래에 위치된 제 1 빔 전류 센서, 및상기 개구 아래에 위치되고 상기 빔렛의 제 2 빔 전류 측정값을 구하는 상기 제 1 빔 전류 센서에 인접한 제 2 빔 전류 센서로서, 상기 제 1 빔 전류 측정값 및 상기 제 2 빔 전류 측정값은 상기 이온 빔의 입사각에 관계하는 정보를 산출하는, 제 2 빔 전류 센서를 포함하는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 제 9 항에 있어서,상기 제 1 일련의 소자들은 상기 이온 빔으로부터 제 1 폭을 갖는 빔렛을 얻고 상기 제 2 일련의 소자들은 상기 이온 빔으로부터 제 2 폭을 갖는 빔렛을 얻는, 빔 균일성 측정 시스템.
- 이온 주입 시스템에서 이온 빔의 균일성을 감시하는 방법으로서,소망의 입사각 및 소망의 입사각 균일성에 따라서 이온 빔을 발생시키는 단계,각각이 대응하는 센서 쌍을 갖는 다수의 개구를 한정하는 마스크를 포함하는 균일성 검출기 쪽으로 이온 빔을 지향하는 단계,상기 균일성 검출기에 의해 상기 이온 빔 전체에 걸쳐서 다수의 입사각 측정값들을 구하는 단계,균일성을 위하여 상기 다수의 입사각 측정값들을 분석하는 단계불균일시에, 측정된 균일성에 따라서 이온 빔의 발생을 수정하는 단계를 포함하는, 이온 빔의 균일성 감시 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 이온 빔을 발생시키는 단계는 소망의 빔 전류 및 소망의 빔 전류 균일성에 따라서 상기 이온 빔을 발생시키는 단계를 더 포함하는, 이온 빔의 균일성 감시 방법.
- 제 18 항에 있어서,상기 균일성 검출기에 의해 상기 이온 빔 전체에 걸쳐서 다수의 빔 전류 측정값을 구하는 단계를 더 포함하는, 이온 빔의 균일성 감시 방법.
- 삭제
- 제 17 항에 있어서,이온 주입을 수행하기 위하여 선택된 속도로 상기 이온 빔을 통해서 타겟 웨이퍼를 이동시키는 단계를 더 포함하는, 이온 빔의 균일성 감시 방법.
- 제 17 항에 있어서,상기 균일성 검출기는 제 1 방향에서 상기 다수의 입사각 측정값을 구하는 다수의 소자들을 포함하는, 이온 빔의 균일성 감시 방법.
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