KR101107639B1 - A Real Time Precursor Vapor Pressure Measuring System for Semiconductor Manufacturing Process and Method Using the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정에 있어서 화학 증착법에 이용되는 전구체의 증기압을 실시간으로 측정하기 위한 측정 시스템 및 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템에 의하면, 온도변화에 따른 전구체의 석출 및 전구체의 미소 탈기에 따른 압력 변화의 가능성을 현저하게 줄임으로써 보다 정확한 증기압을 실시간으로 측정할 수 있는 특징이 있다. 이에 따라 획득되는 증기압 관련 열역학적 데이터는 화학 증착법을 사용하는 반도체 제조공정 등에서 유용하게 활용할 수 있다.The present invention relates to a measurement system and method for measuring in real time the vapor pressure of precursors used in chemical vapor deposition in semiconductor manufacturing processes.
According to the real-time vapor pressure measurement system of the precursor for the semiconductor manufacturing process according to the present invention, it is possible to measure the more accurate vapor pressure in real time by significantly reducing the possibility of the pressure change due to the precipitation of the precursor and the micro-degassing of the precursor according to the temperature change There is a characteristic. The thermodynamic data related to the vapor pressure thus obtained may be usefully used in a semiconductor manufacturing process using chemical vapor deposition.

Description

반도체 제조 공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템 및 이를 이용한 방법{A Real Time Precursor Vapor Pressure Measuring System for Semiconductor Manufacturing Process and Method Using the Same}A Real Time Precursor Vapor Pressure Measuring System for Semiconductor Manufacturing Process and Method Using the Same}

본 발명은 반도체 제조 공정에 있어서 화학 증착법에 이용되는 전구체의 증기압을 실시간으로 측정하기 위한 측정 시스템 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a measurement system and method for measuring in real time the vapor pressure of precursors used in chemical vapor deposition in semiconductor manufacturing processes.

일반적으로 전구체는 반도체 제조 공정을 위한 화학 증착법에서 이용되고 있다. 이러한 전구체는 동일한 물질이더라도 조건에 따라 증착 공정상 서로 다른 거동이 나타나기 마련이다. In general, precursors are used in chemical vapor deposition for semiconductor manufacturing processes. Even if these precursors are the same material, different behaviors appear in the deposition process depending on the conditions.

특히 동일한 전구체 화합물이더라도 조건에 따라 증기압이 서로 다르게 나타나는데, 이러한 경우 일정한 원료가 투입되더라도 증착되는 박막에 질적 차이가 발생할 수 있다.In particular, even if the same precursor compound, the vapor pressure is different depending on the conditions, in this case, even if a certain raw material is input, the quality difference may occur in the deposited thin film.

그런데 이와 같은 반도체 제조 공정에서 소자의 집적화가 높아질 경우 3차원 배선구조를 이루게 되는 등 그 구조가 매우 복잡하게 되므로, 보다 우수한 박막의 질적 특성을 요구하게 된다.However, when the integration of devices in the semiconductor manufacturing process is increased, such a structure becomes very complicated, such as forming a three-dimensional wiring structure, and thus requires more excellent thin film quality characteristics.

또한 박막의 질적 특성은 이후의 노광 및 배선 공정에 영향을 주게 되는바, 박막의 질적 특성이 저하될 경우 반도체 정밀도 저하는 물론 생산 수율의 감소와 생산비용 증가의 원인이 될 수 있다.In addition, the quality of the thin film affects the subsequent exposure and wiring process. If the quality of the thin film is degraded, it may cause a decrease in semiconductor precision, a decrease in production yield, and an increase in production cost.

따라서 박막의 질적 특성을 높이기 위한 기술이 필요한바, 이를 위해 서로 다른 증기압 차이를 나타내는 당해 전구체의 증기압을 화학 증착법의 시행 전에 정확히 측정해야 한다.Therefore, there is a need for a technique for improving the qualitative properties of the thin film. For this purpose, the vapor pressure of the precursors having different vapor pressure differences must be accurately measured before the chemical vapor deposition.

하지만 전구체의 대부분은 공기 중에 노출될 경우 인화되는 특성이 있어 다루기가 어렵고, 반응 부산물 등에 의해 장비가 오염되는 경우가 빈번하여, 전구체의 증기압을 용이하게 측정하는 데에 어려움이 있었다.However, most of the precursors are difficult to handle because they are flammable when exposed to air, and equipment is often contaminated by reaction by-products, and thus, it is difficult to easily measure the vapor pressure of the precursor.

특히 전구체는 화학 증착 장비에 탑재되어 오랜 시간 머무르면서 분해되어 정상과는 상이한 특징을 보이기도 하는데, 이 때 나타나는 가장 큰 특징이 증기압이 정상치보다 상승 또는 감소되는 현상이다. 따라서 화학 증착 장비에 탑재된 전구체의 증기압에 대한 실시간 모니터링이 반도체 현장라인에서 필요한 실정이나 이러한 장치 및 기술은 전무한 형편이다.In particular, precursors are mounted on chemical vapor deposition equipment and decompose over a long period of time, showing different characteristics from the normal ones. The biggest characteristic at this time is a phenomenon in which the vapor pressure rises or decreases from the normal value. Therefore, real-time monitoring of the vapor pressure of precursors mounted in chemical vapor deposition equipment is required in the semiconductor field line, but such devices and techniques are not available.

본 발명은 반도체 제조 과정 중 화학 증착법에 있어서 전구체의 증기압을 실시간으로 정확하게 측정할 수 있는 실시간 증기압 측정 시스템 및 이를 이용한 측정 방법을 제공한다.The present invention provides a real-time vapor pressure measurement system and a measuring method using the same that can accurately measure the vapor pressure of the precursor in real time in the chemical vapor deposition method during the semiconductor manufacturing process.

상기 과제의 해결을 위해, 본 발명은 전구체 시료가 담긴 시료용기; 주유로에 의해 시료용기와 연결되는 화학증착 챔버; 및 주유로의 압력을 측정하기 위한 증기압 측정장치를 포함하고, 상기 증기압 측정장치는 주유로에서 분기된 분기유로; 분기유로에 연결된 압력측정부; 주유로에서 분기유로가 분기되는 유로 분기점 후단의 주유로에 설치되는 제1밸브; 및 분기유로에 설치되는 제2밸브를 포함하고, 상기 시료용기 및 증기압 측정장치는 시료의 항온이 유지되도록 단열 격벽체의 내실에 밀봉/배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템을 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention is a sample container containing a precursor sample; A chemical vapor deposition chamber connected to the sample container by a main passage; And a steam pressure measuring device for measuring a pressure in the oil feed passage, wherein the steam pressure measuring device comprises: a branch passage branched from the fuel passage; A pressure measuring unit connected to the branch passage; A first valve installed in a fuel passage at a rear end of the flow path branching point at which the branch flow passage branches from the fuel passage; And a second valve installed in the branch flow path, wherein the sample container and the vapor pressure measuring device are sealed / arranged in an inner chamber of the adiabatic partition wall so as to maintain a constant temperature of the sample. Provide a measurement system.

또한 본 발명은 유로 분기점 전단의 주유로에 설치되는 제3밸브를 추가로 포함하는 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a system for measuring the real-time vapor pressure of the precursor further comprising a third valve installed in the oil passage in front of the flow path branch point.

또한 본 발명은 분기유로에 설치된 제2밸브와 압력측정부 사이에 등압유지 챔버를 추가로 포함하는 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a system for measuring the real-time vapor pressure of the precursor further comprising an isostatic pressure holding chamber between the second valve and the pressure measuring unit installed in the branch flow path.

또한 본 발명은 상기 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템을 이용하여 반도체 제조공정에 있어서 전구체의 증기압을 실시간으로 측정하는 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a method for measuring the vapor pressure of the precursor in real time in the semiconductor manufacturing process using the real-time vapor pressure measurement system of the precursor.

본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템에 의하면, 온도변화에 따른 전구체의 석출 및 전구체의 미소 탈기에 따른 압력 변화의 가능성을 현저하게 줄임으로써 보다 정확한 증기압을 실시간으로 측정할 수 있는 특징이 있다. 이에 따라 획득되는 증기압 관련 열역학적 데이터는 화학 증착법을 사용하는 반도체 제조공정 등에서 유용하게 활용할 수 있다.According to the real-time vapor pressure measurement system of the precursor for the semiconductor manufacturing process according to the present invention, it is possible to measure the more accurate vapor pressure in real time by significantly reducing the possibility of the pressure change due to the precipitation of the precursor and the micro-degassing of the precursor according to the temperature change There is a characteristic. The thermodynamic data related to the vapor pressure thus obtained may be usefully used in a semiconductor manufacturing process using chemical vapor deposition.

도 1 은 본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템의 구성도를 나타낸 도면이다.
도 2 는 본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템의 다른 실시예에 따른 구성도를 나타낸 도면이다.
도 3 은 본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템을 이용하여 증기압을 측정한 결과를 나타낸 그래프이다.1 is a view showing the configuration of a real-time vapor pressure measurement system of a precursor for a semiconductor manufacturing process according to the present invention.
2 is a block diagram showing another embodiment of a real-time vapor pressure measurement system of a precursor for a semiconductor manufacturing process according to the present invention.
Figure 3 is a graph showing the results of measuring the vapor pressure using the real-time vapor pressure measurement system of the precursor for the semiconductor manufacturing process according to the present invention.

본 발명은 전구체 시료가 담긴 시료용기(100); 주유로(10)에 의해 시료용기와 연결되는 화학증착 챔버(200); 및 주유로의 압력을 측정하기 위한 증기압 측정장치(300)를 포함하고, 상기 증기압 측정장치는 주유로에서 분기된 분기유로(20); 분기유로에 연결된 압력측정부(400); 주유로에서 분기유로가 분기되는 유로 분기점 후단의 주유로에 설치되는 제1밸브(610); 및 분기유로에 설치되는 제2밸브(620)를 포함하고, 상기 시료용기 및 증기압 측정장치는 시료의 항온이 유지되도록 단열 격벽체(700)의 내실에 밀봉/배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템을 제공한다.The present invention is a sample container 100 containing a precursor sample; A chemical vapor deposition chamber 200 connected to the sample container by the gas passage 10; And a vapor pressure measuring device 300 for measuring a pressure in the oil feed passage, wherein the steam pressure measuring device comprises: a branch passage 20 branched from the fuel passage; A pressure measuring unit 400 connected to the branch passage; A first valve 610 which is installed in a gas passage at a rear end of the flow path branch point at which the branch flow passage branches from the gas passage; And a second valve 620 installed in the branch flow path, wherein the sample container and the vapor pressure measuring device are sealed / arranged in an inner chamber of the insulating partition wall 700 so that the constant temperature of the sample is maintained. It provides a real-time vapor pressure measurement system of the precursor for.

본 명세서에서 사용된 "주유로(10)"란 시료용기로부터 배출되는 전구체 증기가 화학증착 챔버로 전달될 수 있도록 연결된 통로를 의미하며, 이에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 관 형상의 통로일 수 있다.As used herein, the "fuel passage 10" means a passage connected to allow precursor vapors discharged from a sample container to be transferred to a chemical vapor deposition chamber, but is not limited thereto, and may be, for example, a tubular passage. have.

본 명세서에서 사용된 "분기유로(20)"란 시료용기로부터 배출된 전구체 증기가 증기압 측정장치의 압력측정부로 전달될 수 있도록 주유로에서 분기되어 압력측정부로 연결된 통로를 의미하며, 이에 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 관 형상의 통로일 수 있다.As used herein, the "branch flow path 20" refers to a passage branched from the main flow path to the pressure measurement part so that the precursor vapor discharged from the sample container can be delivered to the pressure measurement part of the vapor pressure measuring device. It may, for example, be a tubular passage.

본 명세서에서 사용된 "유로 분기점"이란 주유로에서 분기유로가 분기되는 지점을 의미하며, "유로 분기점 전단"이란 시료용기와 유로 분기점 사이를 의미하고, "유로 분기점 후단"이란 유로 분기점과 화학증착 챔버 사이를 의미한다."Euro branch point" as used herein refers to the point where the branch flow path diverges from the main flow path, "Euro branch point front end" means between the sample vessel and the flow path branch point, "Euro branch end end" means the euro branch point and chemical vapor deposition Means between chambers.

본 발명에 따르면 상기 시료용기 및 증기압 측정장치는 유동 위치에관계 없이 시료의 항온이 유지되도록 단열 격벽체(700)의 내실에 밀봉/배치되는 것을 특징으로 하는데, 이로 인해 전구체 시료의 온도 변화에 따른 석출 및 유동 과정에서의 탈기를 제어 또는 방지할 수 있고, 결과적으로 전구체 증기압을 보다 정확하게 측정할 수 있다.According to the present invention, the sample vessel and the vapor pressure measuring apparatus are sealed / arranged in an inner chamber of the insulating partition wall 700 so that the constant temperature of the sample is maintained regardless of the flow position. Degassing during precipitation and flow can be controlled or prevented, and as a result, precursor vapor pressure can be measured more accurately.

본 발명의 한 실시양태에 있어서, 상기 시료용기와 증기압 측정장치는 도 1 에 나타난 바와 같이 각각 분리되어 배치될 수 있는데, 이 경우 상기 시료용기(100) 및 증기압 측정장치(300)는 별도의 단열 격벽체(700)의 내실에 밀봉/배치될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the sample vessel and the vapor pressure measuring device may be disposed separately as shown in Figure 1, in this case the sample container 100 and the vapor pressure measuring device 300 is a separate insulation It may be sealed / arranged in the inner chamber of the partition body 700.

본 발명의 다른 실시양태에 있어서, 상기 시료용기와 증기압 측정장치는 도 2 에 나타난 바와 같이 서로 연접하여 배치될 수 있는데, 이 경우 상기 시료용기(100) 및 증기압 측정장치(300)가 각각 단열 격벽체(700)로 이루어질 수 있다.In another embodiment of the present invention, the sample container and the vapor pressure measuring device may be arranged in contact with each other as shown in Figure 2, in this case, the sample container 100 and the vapor pressure measuring device 300 are respectively adiabatic It may be made of the wall (700).

본 발명의 한 구체예에 따르면, 상기 제1밸브(610) 및 제2밸브(620)는 주유로와 분기유로를 선택적으로 개방시키는 것을 특징으로 한다.According to one embodiment of the present invention, the first valve 610 and the second valve 620 is characterized in that to selectively open the oil passage and the branch passage.

본 명세서에서 "주유로와 분기유로를 선택적으로 개방시킨다" 함은 주유로와 분기유로를 동시에 개방시키는 것이 아니라, 주유로 또는 분기유로 중 어느 하나만을 개방시키는 것을 의미한다. 즉, 주유로가 개방되면 분기유로는 폐쇄되며, 주유로가 폐쇄되면 분기유로는 개방된다.In the present specification, "selectively opening the gas passage and the branch passage" does not open the gas passage and the branch passage at the same time, but means opening only one of the fuel passage and the branch passage. That is, when the gas passage is opened, the branch passage is closed, and when the gas passage is closed, the branch passage is opened.

본 발명에 있어서 주유로에 설치된 제1밸브와 분기유로에 설치된 제2밸브는 주유로와 분기유로를 선택적으로 개방시킬 수 있다. 예를 들어 주유로에 설치된 제1밸브를 열고 분기유로에 설치된 제2밸브를 닫은 상태에서 화학증착 공정이 시작되면, 분기유로는 폐쇄되어 시료용기로부터 방출된 전구체 증기가 분기유로를 통과할 수 없지만, 주유로는 개방되어 주유로를 통해 전구체 증기가 화학증착 챔버로 전달되어 화학증착 공정이 이루어진다. 그러나 주유로에 설치된 제1밸브를 닫고 분기유로에 설치된 제2밸브를 열면, 주유로가 폐쇄되어 전구체 증기가 화학증착 챔버로 전달되지 못하며, 개방된 분기유로를 통해 전구체 증기가 압력측정부로 전달되게 되고, 이 때 압력측정부에서 화학증착 공정 시 전구체 증기의 증기압을 실시간으로 측정할 수 있다. 따라서 본 발명에 따르면, 화학증착 공정 시스템 내에서 제1밸브 및 제2밸브를 이용하여 주유로와 분기유로를 선택적으로 개방시킴으로써 반도체 제조 공정 중 화학증착 공정에 있어서 전구체의 증기압을 실시간으로 측정할 수 있다.In the present invention, the first valve provided in the main flow path and the second valve provided in the branch flow path can selectively open the main flow path and the branch flow path. For example, if the chemical vapor deposition process starts with the first valve installed in the main flow path and the second valve installed in the branch flow path closed, the branch flow path will be closed so that the precursor vapor released from the sample vessel cannot pass through the branch flow path. In this case, the gas passage is opened and the precursor vapor is transferred to the chemical vapor deposition chamber through the gas passage, whereby a chemical vapor deposition process is performed. However, if the first valve installed in the main flow path is closed and the second valve installed in the branch flow path is opened, the main flow path is closed so that the precursor vapor cannot be delivered to the chemical vapor deposition chamber, and the precursor vapor is transferred to the pressure measuring unit through the open branch flow path. At this time, the pressure measurement unit may measure the vapor pressure of the precursor vapor during the chemical vapor deposition process in real time. Therefore, according to the present invention, the vapor pressure of the precursor in the chemical vapor deposition process during the semiconductor manufacturing process can be measured in real time by selectively opening the main flow passage and the branch passage using the first valve and the second valve in the chemical vapor deposition process system. have.

본 발명의 다른 구체예에 따르면, 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템은 유로 분기점 전단의 주유로에 설치되는 제3밸브(630)를 추가로 포함할 수 있다. 상기 제3밸브는 시료용기로부터 배출되는 전구체 증기를 차단시킬 수 있으며, 화학증착 공정을 가동하지 않는 경우 제3밸브를 닫아 시료용기로부터 전구체 증기가 배출되는 것을 방지할 수 있다.According to another embodiment of the present invention, the real-time vapor pressure measurement system of the precursor for the semiconductor manufacturing process may further include a third valve 630 which is installed in the gas passage in front of the flow path branch point. The third valve may block the precursor vapor discharged from the sample container, and when the chemical vapor deposition process is not operated, the third valve may be closed to prevent the precursor vapor from being discharged from the sample container.

본 발명의 또 다른 구체예에 따르면, 상기 증기압 측정장치는, 분기유로(20)에 설치된 제2밸브(620)와 압력측정부(400) 사이에 등압유지 챔버(400)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다. According to another embodiment of the present invention, the vapor pressure measuring apparatus, further comprising an isostatic pressure holding chamber 400 between the second valve 620 and the pressure measuring unit 400 installed in the branch flow path (20). It features.

등압유지 챔버는 제2밸브가 열려 전구체 시료가 분기유로를 통해 배출될 경우 발생되는 전구체의 미소한 탈기로 인하여 시간에 따라 압력의 변화가 발생하는 것을 방지하기 위한 것으로서, 분기유로에 비해 상대적으로 큰 용적을 갖고 있는 구조이다. 따라서 전구체의 미소한 탈기로 압력 저하 등 변화가 발생할 경우 등압유지 챔버의 용적, 즉 전구체가 담긴 용적이 상대적으로 크므로 미소한 탈기에 따른 부족분이 보충되어 전반적인 압력 변화가 발생하는 것이 방지될 수 있는 구조가 마련된다. 즉, 전구체의 미소 탈기에 따른 압력 변화의 가능성을 줄임으로써 전구체의 증기압을 보다 정확하게 측정할 수 있다.The isostatic holding chamber is to prevent the pressure change over time due to the slight degassing of the precursor generated when the second valve is opened and the precursor sample is discharged through the branch channel, and is relatively larger than the branch channel. It is a structure having a volume. Therefore, when a change such as a pressure drop occurs due to a slight degassing of the precursor, the volume of the isostatic holding chamber, that is, a volume containing the precursor is relatively large, so that a deficiency caused by the small degassing can be compensated for, thereby preventing the overall pressure change from occurring. The structure is prepared. That is, the vapor pressure of the precursor can be measured more accurately by reducing the possibility of pressure change due to the micro-degassing of the precursor.

본 발명은 또한 전구체 시료가 담긴 시료용기(100); 주유로(10)에 의해 시료용기와 연결되는 화학증착 챔버(200); 및 주유로의 압력을 측정하기 위한 증기압 측정장치(300)를 포함하고, 상기 증기압 측정장치는 주유로에서 분기된 분기유로(20); 분기유로에 연결된 압력측정부(400); 주유로에서 분기유로가 분기되는 유로 분기점 후단의 주유로에 설치되는 제1밸브(610); 및 분기유로에 설치되는 제2밸브(620)를 포함하고, 상기 시료용기 및 증기압 측정장치는 시료의 항온이 유지되도록 단열 격벽체(700)의 내실에 밀봉/배치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템을 이용하여 전구체의 증기압을 실시간으로 측정함에 있어서, 제1밸브(610)를 잠그는 단계; 제2밸브(620)를 여는 단계; 및 압력측정부(400)에서 포화증기압을 측정하는 단계를 포함하는 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 방법을 제공한다.The present invention also comprises a sample container 100 containing a precursor sample; A chemical vapor deposition chamber 200 connected to the sample container by the gas passage 10; And a vapor pressure measuring device 300 for measuring a pressure in the oil feed passage, wherein the steam pressure measuring device comprises: a branch passage 20 branched from the fuel passage; A pressure measuring unit 400 connected to the branch passage; A first valve 610 which is installed in a gas passage at a rear end of the flow path branch point at which the branch flow passage branches from the gas passage; And a second valve 620 installed in the branch flow path, wherein the sample container and the vapor pressure measuring device are sealed / arranged in an inner chamber of the insulating partition wall 700 so that the constant temperature of the sample is maintained. In real-time measurement of the vapor pressure of the precursor using a real-time vapor pressure measurement system of the precursor for the step of locking the first valve (610); Opening the second valve 620; And it provides a real-time vapor pressure measurement method of the precursor for the semiconductor manufacturing process comprising the step of measuring the saturated steam pressure in the pressure measuring unit (400).

즉, 본 발명에 따른 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 방법에 의하면, 주유로에 설치된 제1밸브를 닫고 분기유로에 설치된 제2밸브를 열면, 주유로가 폐쇄되어 전구체 증기가 화학증착 챔버로 전달되지 못하고 대신 개방된 분기유로를 통해 압력측정부로 전달되게 된다. 따라서 이 때 압력측정부에서 전구체 증기의 포화증기압을 측정함으로써, 화학증착 공정 내에서 실시간으로 용이하게 전구체 증기의 증기압을 측정할 수 있다.That is, according to the method for measuring the real-time vapor pressure of the precursor for the semiconductor manufacturing process according to the present invention, when the first valve is installed in the main flow passage and the second valve is installed in the branch flow passage, the main flow passage is closed, the precursor vapor is chemical vapor deposition chamber It is not delivered to the pressure measuring unit through the open branch passage instead. Therefore, at this time, by measuring the saturated vapor pressure of the precursor vapor in the pressure measuring unit, it is possible to easily measure the vapor pressure of the precursor vapor in real time in the chemical vapor deposition process.

본 발명은 또한 유로 분기점 전단의 주유로에 설치되는 제3밸브(630)를 추가로 포함하는 상기 실시간 증기압 측정 시스템을 이용하여 전구체의 증기압을 실시간으로 측정함에 있어서, 제1밸브(610)를 잠그는 단계; 제2밸브(620) 및 제3밸브(630)를 여는 단계; 및 압력측정부(400)에서 포화증기압을 측정하는 단계를 포함하는 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 방법을 제공한다.The present invention also locks the first valve 610 in real time measuring the vapor pressure of the precursor using the real-time vapor pressure measuring system further includes a third valve 630 installed in the oil passage in front of the flow path branch point. step; Opening the second valve 620 and the third valve 630; And it provides a real-time vapor pressure measurement method of the precursor for the semiconductor manufacturing process comprising the step of measuring the saturated steam pressure in the pressure measuring unit (400).

본 발명은 또한 분기유로(20)에 설치된 제2밸브(620)와 압력측정부(400) 사이에 등압유지 챔버(500)를 추가로 포함하는 상기 실시간 증기압 측정 시스템을 이용하여 전구체의 증기압을 실시간으로 측정함에 있어서, 제1밸브(610)를 잠그는 단계; 제2밸브(620), 또는 제2밸브(620) 및 제3밸브(630)를 여는 단계; 및 압력측정부(400)에서 등압유지 챔버(500) 내부의 압력이 포화될 때의 포화증기압을 측정하는 단계를 포함하는 반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 방법을 제공한다.
The present invention also provides a real-time vapor pressure of the precursor using the real-time vapor pressure measuring system further comprises an isostatic pressure holding chamber 500 between the second valve 620 and the pressure measuring unit 400 installed in the branch flow path (20). In measuring by, the step of locking the first valve (610); Opening the second valve 620, or the second valve 620 and the third valve 630; And measuring a saturated vapor pressure when the pressure inside the isostatic holding chamber 500 is saturated in the pressure measuring unit 400.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 다만 하기의 실시예는 본 발명의 내용을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
Hereinafter, examples will be described in detail to help understand the present invention. However, the following examples are merely to illustrate the content of the present invention is not limited to the scope of the present invention. The embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

실시예Example 1: 실시간 증기압 측정 시스템을 이용한 전구체의 증기압 측정 1: Vapor pressure measurement of precursors using a real-time vapor pressure measurement system

도 2 에 나타난 구성을 갖는 실시간 증기압 측정 시스템을 이용하여 전구체의 증기압을 측정하였다. 먼저 실시간 증기압 측정 시스템의 제1밸브(610)를 잠그고 제2밸브(620)와 제3밸브(630)를 열었다. 그 후 압력측정부(400)에서 시간에 따른 등압유지 챔버(500) 내부의 압력 변화를 측정하면서 등압유지 챔버 내부 압력이 포화될 때의 포화증기압을 측정하였다.The vapor pressure of the precursor was measured using a real time vapor pressure measurement system having the configuration shown in FIG. 2. First, the first valve 610 of the real-time steam pressure measuring system was closed and the second valve 620 and the third valve 630 were opened. Thereafter, the pressure measuring unit 400 measured the saturation vapor pressure when the pressure inside the isostatic pressure holding chamber was saturated while measuring the pressure change inside the isostatic pressure holding chamber 500 with time.

그 결과 도 3 에 나타나듯이, 약 10분이 경과한 후에 증기압이 포화되어 3.33 torr 의 증기압을 갖는 것을 확인하였다.
As a result, as shown in FIG. 3, after about 10 minutes, it was confirmed that the vapor pressure was saturated and had a vapor pressure of 3.33 torr.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 상술한 실시예들은 모든 면에 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 이미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
As described above, those skilled in the art will understand that the present invention can be implemented in other specific forms without changing the technical spirit or essential features. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are to be considered in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the above description, and all changes or modifications derived from the already and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

10 : 주유로 20 : 분기유로
100 : 시료용기 200 : 화학증착 챔버
300 : 증기압 측정장치 400 : 압력측정부
500 : 등압유지 챔버 610 : 제1밸브
620 : 제2밸브 630 : 제3밸브
700 : 단열 격벽체10: fueling path 20: branching euro
100: sample container 200: chemical vapor deposition chamber
300: vapor pressure measuring device 400: pressure measuring unit
500: isostatic holding chamber 610: first valve
620: second valve 630: third valve
700: insulation bulkhead

Claims (9)

전구체 시료가 담긴 시료용기;
주유로에 의해 시료용기와 연결되는 화학증착 챔버; 및
주유로의 압력을 측정하기 위한 증기압 측정장치를 포함하고,
상기 증기압 측정장치는,
주유로에서 분기된 분기유로;
분기유로에 연결된 압력측정부;
주유로에서 분기유로가 분기되는 유로 분기점 후단의 주유로에 설치되는 제1밸브; 및
분기유로에 설치되는 제2밸브를 포함하고,
상기 시료용기 및 증기압 측정장치는 시료의 항온이 유지되도록 단열 격벽체의 내실에 밀봉되어 배치되는 것을 특징으로 하는
반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템.A sample container containing a precursor sample;
A chemical vapor deposition chamber connected to the sample container by a main passage; And
A vapor pressure measuring device for measuring the pressure in the main oil passage,
The vapor pressure measuring device,
A branching flow branch branched from the main flow passage;
A pressure measuring unit connected to the branch passage;
A first valve installed in a fuel passage at a rear end of the flow path branching point at which the branch flow passage branches from the fuel passage; And
A second valve installed in the branch passage;
The sample container and the vapor pressure measuring device is arranged to be sealed in the inner chamber of the insulating partition wall so that the constant temperature of the sample is maintained.
Real-time vapor pressure measurement system of precursor for semiconductor manufacturing process. 제1항에 있어서,
상기 제1밸브 및 제2밸브는 주유로와 분기유로를 선택적으로 개방시키는 것을 특징으로 하는
반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템.The method of claim 1,
The first valve and the second valve is characterized in that for selectively opening the main flow path and the branch flow path
Real-time vapor pressure measurement system of precursor for semiconductor manufacturing process. 제1항에 있어서,
유로 분기점 전단의 주유로에 설치되는 제3밸브를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는
반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템.The method of claim 1,
And further comprising a third valve installed in the oil supply passage in front of the flow passage branch point.
Real-time vapor pressure measurement system of precursor for semiconductor manufacturing process. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 증기압 측정장치는,
분기유로에 설치된 제2밸브와 압력측정부 사이에 등압유지 챔버를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는
반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템.The method according to claim 1 or 2,
The vapor pressure measuring device,
It characterized in that it further comprises an isostatic pressure holding chamber between the second valve and the pressure measuring unit installed in the branch flow path
Real-time vapor pressure measurement system of precursor for semiconductor manufacturing process. 제1항 또는 제2항에 따른 실시간 증기압 측정 시스템을 이용하여 전구체의 증기압을 실시간으로 측정함에 있어서,
제1밸브를 잠그는 단계;
제2밸브를 여는 단계; 및
압력측정부에서 포화증기압을 측정하는 단계를 포함하는
반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 방법.In measuring the vapor pressure of the precursor in real time using the real-time vapor pressure measuring system according to claim 1,
Locking the first valve;
Opening a second valve; And
Measuring the saturated steam pressure in the pressure measuring unit
Real-time vapor pressure measurement of precursors for semiconductor manufacturing processes. 제4항에 따른 실시간 증기압 측정 시스템을 이용하여 전구체의 증기압을 실시간으로 측정함에 있어서,
제1밸브를 잠그는 단계;
제2밸브를 여는 단계; 및
압력측정부에서 등압유지 챔버 내부의 압력이 포화될 때의 포화증기압을 측정하는 단계를 포함하는
반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 방법.In measuring the vapor pressure of the precursor in real time using the real-time vapor pressure measurement system according to claim 4,
Locking the first valve;
Opening a second valve; And
Comprising the step of measuring the saturated steam pressure when the pressure in the isostatic pressure holding chamber is saturated in the pressure measuring unit
Real-time vapor pressure measurement of precursors for semiconductor manufacturing processes. 제3항에 있어서,
상기 증기압 측정장치는,
분기유로에 설치된 제2밸브와 압력측정부 사이에 등압유지 챔버를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는
반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 시스템.The method of claim 3,
The vapor pressure measuring device,
It characterized in that it further comprises an isostatic pressure holding chamber between the second valve and the pressure measuring unit installed in the branch flow path
Real-time vapor pressure measurement system of precursor for semiconductor manufacturing process. 제3항에 따른 실시간 증기압 측정 시스템을 이용하여 전구체의 증기압을 실시간으로 측정함에 있어서,
제1밸브를 잠그는 단계;
제2밸브 및 제3밸브를 여는 단계; 및
압력측정부에서 포화증기압을 측정하는 단계를 포함하는
반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 방법.In measuring the vapor pressure of the precursor in real time using the real-time vapor pressure measuring system according to claim 3,
Locking the first valve;
Opening the second valve and the third valve; And
Measuring the saturated steam pressure in the pressure measuring unit
Real-time vapor pressure measurement of precursors for semiconductor manufacturing processes. 제7항에 따른 실시간 증기압 측정 시스템을 이용하여 전구체의 증기압을 실시간으로 측정함에 있어서,
제1밸브를 잠그는 단계;
제2밸브 및 제3밸브를 여는 단계; 및
압력측정부에서 등압유지 챔버 내부의 압력이 포화될 때의 포화증기압을 측정하는 단계를 포함하는
반도체 제조공정을 위한 전구체의 실시간 증기압 측정 방법.In measuring the vapor pressure of the precursor in real time using the real-time vapor pressure measuring system according to claim 7,
Locking the first valve;
Opening the second valve and the third valve; And
Comprising the step of measuring the saturated steam pressure when the pressure in the isostatic pressure holding chamber is saturated in the pressure measuring unit
Real-time vapor pressure measurement of precursors for semiconductor manufacturing processes.
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