KR101101364B1 - Device of generating multi plasma for processing - Google Patents

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Abstract

웨이퍼의 처리 효율 및 품질을 향상하고, 플라즈마 가스가 효율적으로 반응하여 웨이퍼에 증착되도록 한 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치가 제시된다. 제시된 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치는, 웨이퍼 처리 장치의 외부 실린더의 외주면을 따라 권취되어 웨이퍼 처리 장치의 내부 실린더 내부로 주입되는 증착용 가스를 가열하는 외부 코일; 및 외부 실린더 및 내부 실린더 사이에 형성되어 증착용 가스에 플라즈마를 발생시키는 내부 코일을 포함한다.A multi-plasma generating device for wafer processing which improves the processing efficiency and quality of the wafer and allows the plasma gas to react efficiently and be deposited on the wafer is proposed. The multi-plasma generating device for the presented wafer processing comprises: an outer coil which is wound along the outer circumferential surface of the outer cylinder of the wafer processing apparatus and heats the deposition gas injected into the inner cylinder of the wafer processing apparatus; And an inner coil formed between the outer cylinder and the inner cylinder to generate plasma in the deposition gas.

Description

웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치{DEVICE OF GENERATING MULTI PLASMA FOR PROCESSING}Multi-Plasma Generator for Wafer Processing {DEVICE OF GENERATING MULTI PLASMA FOR PROCESSING}

본 발명을 웨이퍼에 박막 증착 및 회로 패턴 식각에 있어서 사용되는 플라즈마 발생 장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는, 플라즈마를 다중 주파수로 발생시켜 웨이퍼 처리 효율 및 품질을 높이는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma generator for use in thin film deposition and circuit pattern etching on a wafer. More particularly, the present invention relates to a multiple plasma generator for wafer processing in which plasma is generated at multiple frequencies to improve wafer processing efficiency and quality. will be.

일반적으로 플라즈마(Plasma)는 고체, 액체, 기체가 아닌 제4의 물질로서, 기체의 일부가 전리된 가스를 의미한다. 플라즈마는 전기적으로 중성을 띄고 있으나, 양성 또는 음성으로 하전된 입자에 의해 전도도를 띄게 되고, 이에 따라서 전자장에 매우 민감한 반응을 보인다.In general, plasma is a fourth material that is not solid, liquid, or gas, and means a gas in which part of gas is ionized. Plasma is electrically neutral, but is conducting by positively or negatively charged particles, and thus very sensitive to electromagnetic fields.

따라서, 플라즈마는 플라즈마에 인가되는 전자장을 조절하여 인위적인 제어가 가능하다. 이에 따라서, 반도체 소자, 디스플레이 장치, 및 기타 회로 제조 공정에 널리 사용될 수 있다.Therefore, the plasma can be artificially controlled by adjusting the electromagnetic field applied to the plasma. Accordingly, it can be widely used in semiconductor devices, display devices, and other circuit manufacturing processes.

이 중 반도체 웨이퍼의 박막 증착과 회로 패턴 식각 공정에 있어서 플라즈마를 사용하는 기술에 대한 연구가 널리 이루어지고 있다. 예를 들어 RF 등의 고주파 전원을 반응로의 양 전극에 인가하고, 반응 가스를 내부로 주입하여 글로우 방전을 시켜, 웨이퍼 등의 표면을 식각 또는 박막 증착을 할 수 있는 것이다.Among them, researches on the technique of using plasma in the thin film deposition and circuit pattern etching process of semiconductor wafers have been widely conducted. For example, a high frequency power source such as RF can be applied to both electrodes of the reactor, a reaction gas can be injected into the glow discharge, and the surface of the wafer or the like can be etched or thin film deposited.

반도체 웨이퍼의 박막 증착 및 식각 등의 처리에 있어서의 플라즈마 발생을 위한 장치에 대한 연구가 이루어지고 있으며, 대표적으로 솔레노이드 방식, 돔 방식, 평면 방식 등이 있으며, 효율적으로 웨이퍼를 처리하는 플라즈마 발생 장치에 대한 필요성이 증가하고 있다.Researches have been made on apparatuses for plasma generation in the process of thin film deposition and etching of semiconductor wafers. Representatively, there are solenoid, dome, planar, etc., and plasma generators that efficiently process wafers. The need for it is increasing.

본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼의 박막 증착 및 식각 등의 처리에 있어서 사용되는 플라즈마 발생 장치를 웨이퍼 처리 장치에 설치하는 데 있어서, 웨이퍼의 처리 효율 및 품질을 향상하고, 플라즈마 가스가 효율적으로 반응하여 웨이퍼에 증착되도록 한 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.DISCLOSURE OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus for use in a process such as thin film deposition and etching of a semiconductor wafer in a wafer processing apparatus, which improves the processing efficiency and quality of the wafer, and effectively reacts the plasma gas to the wafer. To provide a multi-plasma generating device for processing a wafer to be deposited on.

본 발명의 다른 목적은, 실린더형 웨이퍼 처리 장치에 있어서 처리실 내부의 플라즈마 가스의 반응을 촉진하여 증착 과정의 효율을 높이도록 한 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치를 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a multiple plasma generating apparatus for wafer processing in which a cylindrical wafer processing apparatus promotes the reaction of plasma gas inside a processing chamber to increase the efficiency of the deposition process.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치는, 웨이퍼 처리 장치의 외부 실린더의 외주면을 따라 권취되어 웨이퍼 처리 장치의 내부 실린더 내부로 주입되는 증착용 가스를 가열하는 외부 코일; 및 외부 실린더 및 내부 실린더 사이에 형성되어 증착용 가스에 플라즈마를 발생시키는 내부 코일을 포함한다.In order to achieve the above object, a multi-plasma generating device for wafer processing according to an embodiment of the present invention, the deposition gas is wound along the outer circumferential surface of the outer cylinder of the wafer processing apparatus and injected into the inner cylinder of the wafer processing apparatus. External coil heating; And an inner coil formed between the outer cylinder and the inner cylinder to generate plasma in the deposition gas.

내부 코일은 웨이퍼 처리 장치의 내부 실린더 또는 프레임의 외부에 형성된다.The inner coil is formed outside the inner cylinder or frame of the wafer processing apparatus.

외부 코일은 증착용 가스를 설정 범위 내의 온도로 가열한다.The outer coil heats the deposition gas to a temperature within a set range.

내부 코일은 외부 실린더의 내부에 배치되는 내부 실린더의 외주면을 따라 권취되어 형성된다.The inner coil is formed by being wound along the outer circumferential surface of the inner cylinder disposed inside the outer cylinder.

내부 코일은 복수의 권선을 갖는 코일 형태로 형성된다.The inner coil is formed in the form of a coil with a plurality of windings.

내부 실린더의 내부에 척에 의해 지지되는 웨이퍼에 증착용 가스를 분사하는 적어도 하나의 샤워 헤드를 더 포함한다.It further comprises at least one shower head for injecting the deposition gas to the wafer supported by the chuck inside the inner cylinder.

샤워 헤드는 웨이퍼를 지지하는 척에 웨이퍼를 향해 형성된 다공층으로 구성된다.The shower head consists of a porous layer formed toward the wafer at the chuck supporting the wafer.

샤워 헤드는 웨이퍼를 지지하는 척에 웨이퍼를 향해 형성된 다공층으로 구성된다.The shower head consists of a porous layer formed toward the wafer at the chuck supporting the wafer.

척은, 웨이퍼와 이격되어 형성되는 제1 척; 및 웨이퍼의 반대 방향으로 제1척에 적층되는 제2 척을 포함하고, 샤워 헤드는 제1 척에 형성된다.The chuck includes: a first chuck spaced apart from the wafer; And a second chuck stacked on the first chuck in the opposite direction of the wafer, wherein the shower head is formed on the first chuck.

외부 코일을 가열하는 온도 발생 장치를 더 포함한다.The apparatus further includes a temperature generator for heating the external coil.

외부 코일은 상호 이격되는 복수의 코일로 형성되며, 온도 발생 장치는 복수의 코일을 다른 온도로 가열한다.The outer coil is formed of a plurality of coils spaced apart from each other, and the temperature generator heats the plurality of coils to different temperatures.

내부 코일에 소정 주파수의 RF 신호를 인가하는 RF 전원을 더 포함한다.It further comprises an RF power source for applying an RF signal of a predetermined frequency to the internal coil.

내부 코일은 상호 이격되는 복수의 코일로 형성되며, RF 전원은 복수의 코일에 다른 주파수의 RF 신호를 인가한다.The internal coils are formed of a plurality of coils spaced apart from each other, and the RF power source applies RF signals of different frequencies to the plurality of coils.

본 발명에 의하면, 내부에 플라즈마 발생용 코일이 존재하고 외부에 증착용 가스 가열용 코일이 따로 존재하여 증착용 가스의 플라즈마 발생을 원활하게 할 수 있고, 작업 능률의 향상 및 품질의 향상을 기대할 수 있다.According to the present invention, there is a coil for generating plasma inside and a coil for heating gas for deposition separately exists so that plasma generation of the deposition gas can be made smooth, and work efficiency and quality can be expected to be improved. have.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치의 웨이퍼 처리 장치를 설명하기 위한 도면.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치의 외부 코일을 설명하기 위한 도면.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치의 내부 코일을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining a wafer processing apparatus of a multi-plasma generating device for wafer processing according to an embodiment of the present invention.
2 to 4 are diagrams for explaining an external coil of a multiple plasma generating apparatus for wafer processing according to an embodiment of the present invention.
5 to 7 are views for explaining the internal coil of the multi-plasma generating device for the wafer processing according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
Hereinafter, the preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. . First of all, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are used as much as possible even if displayed on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 아래와 같다. 도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치의 웨이퍼 처리 장치를 설명하기 위한 도면이다. 도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치의 외부 코일을 설명하기 위한 도면이다. 도 5 내지 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치의 내부 코일을 설명하기 위한 도면이다.
Hereinafter, a multi-plasma generating device for wafer processing according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a view illustrating a wafer processing apparatus of a multiple plasma generating apparatus for wafer processing according to an embodiment of the present invention. 2 to 4 are diagrams for explaining an external coil of a multiple plasma generating apparatus for wafer processing according to an embodiment of the present invention. 5 to 7 are views for explaining an internal coil of a multiple plasma generating apparatus for wafer processing according to an embodiment of the present invention.

웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치는 웨이퍼 처리 장치와, 외부 코일 및 내부 코일을 포함하여 구성된다.
The multiple plasma generating apparatus for wafer processing includes a wafer processing apparatus, an outer coil and an inner coil.

도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 처리 장치(100)는 실린더(120), 샤워 헤드(140), 척(160), 프레임(180) 등을 포함하여 구성된다. 플라즈마를 발생하여 증착용 가스가 웨이퍼에 증착되도록 하기 위해서는 웨이퍼 주변 또는 표면에 가스가 존재해야한다. 따라서, 웨이퍼에 가스를 분사하기 위한 샤워 헤드(140)가 설치된다. 이때, 샤워 헤드(140)는 척(160)에 의해 지지되는 웨이퍼의 상부면을 향해 증착용 가스를 분사하기 위해 웨이퍼를 지지하는 척(160)의 상부에 설치된다. 이외에도, 증착용 가스를 웨이퍼로 분사할 수 있는 구성이라면 어느 것이나 가능하다.
As shown in FIG. 1, the wafer processing apparatus 100 includes a cylinder 120, a shower head 140, a chuck 160, a frame 180, and the like. In order to generate a plasma so that the deposition gas is deposited on the wafer, a gas must exist around or on the surface of the wafer. Therefore, the shower head 140 for injecting gas to the wafer is provided. At this time, the shower head 140 is installed on the upper portion of the chuck 160 for supporting the wafer in order to spray the deposition gas toward the upper surface of the wafer supported by the chuck 160. In addition, any structure can be used as long as it can inject the vapor deposition gas onto the wafer.

도 2에 도시된 바와 같이, 외부 코일(200)은 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치에는 웨이퍼 처리 장치(100)의 외주면을 따라 코일 형태로 형성되어, 실린더(120) 내부에 주입되는 증착용 가스가 소정 범위의 온도 범위로 가열되도록 열을 공급한다. 외부 코일(200)은 웨이퍼 처리 장치(100)인 실린더(120)형 장치의 가장 외벽, 즉 조립된 상태에서 볼 수 있는 외부 표면에 감겨 있다. 외부 코일(200)은 각 척(160) 내부에 존재하는 증착용 가스의 온도를 소정 범위의 온도 범위로 가열될 수 있는 구성이라면 코일 형태가 아니더라도 어느 것이나 가능하다.As illustrated in FIG. 2, the external coil 200 is formed in a coil shape along the outer circumferential surface of the wafer processing apparatus 100 in the multiple plasma generating apparatus for wafer processing, and the deposition gas injected into the cylinder 120. Heat is supplied such that is heated to a temperature range in a predetermined range. The outer coil 200 is wound on the outermost wall of the cylinder 120 type device, which is the wafer processing apparatus 100, that is, the outer surface that can be seen in the assembled state. The external coil 200 may be any type of coil, as long as the external coil 200 may be heated to a temperature range of a deposition gas existing in each chuck 160.

외부 코일(200)은 증착 가스에 열을 공급하기 위해서 열을 공급하는 외부 장치와 연결될 수도 있다. 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 외부 코일(200)은 외부의 온도 발생 장치(300)와 연결될 수도 있다. 이때, 온도 발생 장치(300)는 외부 코일(200)에 열을 공급하고, 외부 코일(200)은 전달된 열을 코일을 통해 웨이퍼 처리 장치(100)의 내부로 주입한다. 그에 따라, 외부 코일(200)은 증착용 가스가 주입구로부터 내부의 실린더(120)를 통해 샤워 헤드(140)로 분사되고 웨이퍼 주변 또는 표면에서 증착용 가스가 웨이퍼에 증착될 때까지의 일련의 처리 과정에 있어서 가스를 소정 온도 범위로 가열하는 기능을 수행한다. 여기서, 소정 온도 범위는 가스의 플라즈마 발생 및 웨이퍼로의 적층이 가장 활발할 때를 의미한다.The external coil 200 may be connected to an external device for supplying heat to supply heat to the deposition gas. That is, as shown in FIG. 3, the external coil 200 may be connected to an external temperature generator 300. In this case, the temperature generator 300 supplies heat to the external coil 200, and the external coil 200 injects the transferred heat into the wafer processing apparatus 100 through the coil. Accordingly, the outer coil 200 is a series of processes until the deposition gas is injected from the injection port through the inner cylinder 120 to the shower head 140 and the deposition gas is deposited on the wafer around or on the surface of the wafer. In the process of heating the gas to a predetermined temperature range. Here, the predetermined temperature range means when the plasma generation of the gas and the lamination to the wafer are most active.

도 4에 도시된 바와 같이, 외부 코일(200)은 복수 개의 코일로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 각 웨이퍼가 적층되는 척(160)의 범위마다 코일이 분리되어 감겨 있을 수 있다. 이에 따라서 온도 발생 장치(300) 역시 각 외부 코일(200)마다 따로 존재하거나, 온도 발생 장치(300)는 하나이나 각 외부 코일(200)마다 다른 온도로 각 외부 코일(200)을 가열할 수 있는 구성을 취할 수 있다. 이에 따라서, 각 웨이퍼에 분사되는 가스를 다르게 하여, 웨이퍼로의 가스 증착 종류 및 증착 정도에 따라서 유연한 대응이 가능하게 할 수 있다.
As shown in FIG. 4, the external coil 200 may be configured of a plurality of coils. For example, coils may be separated and wound around a range of the chucks 160 in which each wafer is stacked. Accordingly, the temperature generator 300 may also exist separately for each external coil 200, or the temperature generator 300 may heat each external coil 200 at a different temperature for each one or each external coil 200. The configuration can be taken. As a result, the gas injected to each wafer may be different so that a flexible response can be made according to the type and degree of deposition of the gas onto the wafer.

도 5에 도시된 바와 같이, 내부 코일(400)은 외부 실린더(122)와 내부 실린더(124) 사이에 설치되며, 실린더(120) 내부에서 웨이퍼를 향해 분사되는 증착용 가스에 소정 주파수의 신호를 인가한다. 그에 따라, 내부 코일(400)은 플라즈마를 발생시켜 웨이퍼에 증착용 가스를 증착시킨다. 여기서, 내부 코일(400)은 본 발명의 실시 예에서 이중 실린더(120)로 구성된 웨이퍼 처리 장치(100)의 외부 실린더(122)와 내부 실린더(124) 사이에 감겨있는 구성을 취할 수 있다. 내부 코일(400)은 증착용 가스를 웨이퍼에 증착하도록 RF 신호를 인가하여 플라즈마를 발생시킬 수 있는 구성이라면 어느 것이나 가능할 것이다.As shown in FIG. 5, the inner coil 400 is installed between the outer cylinder 122 and the inner cylinder 124 and transmits a signal of a predetermined frequency to the deposition gas injected into the wafer from the cylinder 120. Is authorized. Accordingly, the internal coil 400 generates a plasma to deposit the deposition gas on the wafer. Here, the inner coil 400 may have a configuration wound between the outer cylinder 122 and the inner cylinder 124 of the wafer processing apparatus 100 configured as the double cylinder 120 in the embodiment of the present invention. The internal coil 400 may be any structure that can generate a plasma by applying an RF signal to deposit the deposition gas on the wafer.

내부 코일(400)에서는 전자장이 발생하는 동시에 소정 주파수의 RF신호를 발생하게 된다. 이를 위해, 도 6에 도시된 바와 같이, 내부 코일(400)은 RF 전원을 공급하는 전원공급부(500)를 더 포함할 수도 있다. 여기서, RF 신호의 주파수는 증착용 가스와 함께 플라즈마를 발생하여 웨이퍼에 증착용 가스가 증착되도록 하기 위한 소정의 주파수로서, 증착용 가스의 종류에 따라서 그 주파수 역시 달라질 수 있음은 당연할 것이다.The internal coil 400 generates an electromagnetic field and generates an RF signal of a predetermined frequency. To this end, as shown in FIG. 6, the internal coil 400 may further include a power supply unit 500 for supplying RF power. Here, the frequency of the RF signal is a predetermined frequency for generating a plasma along with the deposition gas to deposit the deposition gas on the wafer, it will be natural that the frequency may also vary depending on the type of deposition gas.

내부 코일(400)은 복수 개 존재할 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 각 웨이퍼를 지지하는 척(160)의 범위마다 코일이 분리되어 감겨 있을 수 있다. 이에 따라서 내부 코일(400)에 소정 주파수의 RF 신호를 인가하기 위하여 RF 신호를 발생시키는 전원공급부(500) 역시 복수 개로 구성되거나, 하나의 전원공급부(500)로 각 내부 코일(400)마다 다른 주파수의 RF신호를 인가할 수 있는 구성을 취할 수 있을 것이다.
There may be a plurality of internal coils 400. For example, as illustrated in FIG. 7, coils may be separately wound and wound for each range of the chuck 160 supporting each wafer. Accordingly, a plurality of power supply units 500 for generating an RF signal for applying an RF signal having a predetermined frequency to the internal coil 400 may also be provided, or one frequency may be different for each internal coil 400 with one power supply unit 500. It may take a configuration that can apply the RF signal of.

상술한 바와 같이, 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치는 내부에 플라즈마 발생용 코일이 존재하고 외부에 증착용 가스 가열용 코일이 따로 존재하여 증착용 가스의 플라즈마 발생을 원활하게 할 수 있고, 작업 능률의 향상 및 품질의 향상을 기대할 수 있다.As described above, the multi-plasma generating device for wafer processing has a plasma generation coil inside and a deposition gas heating coil outside to facilitate the plasma generation of the deposition gas, thereby improving work efficiency. Can be expected to improve quality and quality.

이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예에 대해 설명하였으나, 다양한 형태로 변형이 가능하며, 본 기술분야에서 통상의 지식을 가진자라면 본 발명의 특허청구범위를 벗어남이 없이 다양한 변형예 및 수정예를 실시할 수 있을 것으로 이해된다.While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but many variations and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. It will be understood that the invention may be practiced.

100: 웨이퍼 처리 장치 120: 실린더
122: 외부 실린더 124: 내부 실린더
140: 샤워 헤드 160: 척
180: 프레임 200: 외부 코일
300: 온도 발생 장치 400: 내부 코일
500: 전원공급부100: wafer processing apparatus 120: cylinder
122: outer cylinder 124: inner cylinder
140: shower head 160: chuck
180: frame 200: outer coil
300: temperature generator 400: internal coil
500: power supply

Claims (10)

웨이퍼 처리 장치의 외부 실린더의 외주면을 따라 권취되어 상기 웨이퍼 처리 장치의 내부 실린더 내부로 주입되는 증착용 가스를 가열하는 외부 코일; 및
상기 외부 실린더의 내주면에 형성되어 상기 증착용 가스에 플라즈마를 발생시키는 내부 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치.An external coil wound along an outer circumferential surface of an outer cylinder of the wafer processing apparatus and heating the deposition gas injected into the inner cylinder of the wafer processing apparatus; And
And an inner coil formed on an inner circumferential surface of the outer cylinder to generate a plasma in the deposition gas. 청구항 1에 있어서,
상기 내부 코일은 상기 웨이퍼 처리 장치의 내부 실린더 또는 프레임의 외부에 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치.The method according to claim 1,
And the inner coil is formed outside the inner cylinder or the frame of the wafer processing apparatus. 청구항 1에 있어서,
상기 외부 코일은 상기 증착용 가스를 설정 범위 내의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치.The method according to claim 1,
And the external coil heats the deposition gas to a temperature within a predetermined range. 청구항 1에 있어서,
상기 내부 코일은 상기 외부 실린더의 내부에 배치되는 내부 실린더의 외주면을 따라 권취되어 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치.The method according to claim 1,
And the inner coil is wound along the outer circumferential surface of the inner cylinder disposed inside the outer cylinder. 청구항 1에 있어서,
상기 내부 코일은 복수의 권선을 갖는 코일 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치.The method according to claim 1,
And the inner coil is formed in the form of a coil having a plurality of windings. 청구항 1에 있어서,
상기 내부 실린더의 내부에 척에 의해 지지되는 웨이퍼에 증착용 가스를 분사하는 적어도 하나의 샤워 헤드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치.The method according to claim 1,
And at least one shower head for injecting a deposition gas to a wafer supported by the chuck inside the inner cylinder. 청구항 1에 있어서,
상기 외부 코일을 가열하는 온도 발생 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치.The method according to claim 1,
And a temperature generator for heating the external coil. 청구항 7에 있어서,
상기 외부 코일은 상호 이격되는 복수의 코일로 형성되며,
상기 온도 발생 장치는 상기 복수의 코일을 다른 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치.The method according to claim 7,
The outer coil is formed of a plurality of coils spaced apart from each other,
And the temperature generator is configured to heat the plurality of coils to different temperatures. 청구항 1에 있어서,
상기 내부 코일에 소정 주파수의 RF 신호를 인가하는 RF 전원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치.The method according to claim 1,
And a RF power source for applying an RF signal of a predetermined frequency to the internal coil. 청구항 9에 있어서,
상기 내부 코일은 상호 이격되는 복수의 코일로 형성되며,
상기 RF 전원은 상기 복수의 코일에 다른 주파수의 RF 신호를 인가하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리를 위한 다중 플라즈마 발생 장치.The method according to claim 9,
The inner coil is formed of a plurality of coils spaced apart from each other,
The RF power supply is a multi-plasma generating device for wafer processing, characterized in that for applying the RF signal of a different frequency to the plurality of coils.
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