KR101072430B1 - 전도구, 디스플레이 장치용 필터 어셈블리 및 이를구비하는 디스플레이 장치 - Google Patents

전도구, 디스플레이 장치용 필터 어셈블리 및 이를구비하는 디스플레이 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치용 필터의 전자파차폐층에 집속된 전자파를 외부로 방출시키는 전도구로서, 상기 전자파차폐층은, 금속층을 포함하는 다층으로 형성되는 도전막이고, 상기 전도구는 상기 도전막에 침투하여 상기 금속층과 접촉되는 요철을 구비하는 것을 특징으로 하는 전도구를 제공한다. 또한, 본 발명은, 전자파차폐층을 구비하는 디스플레이 장치용 필터와 상기 전자파차폐층에 집속된 전자파를 외부로 방출시키는 전도구를 구비하되, 상기 전자파차폐층은, 금속층을 포함하는 다층으로 형성되는 도전막이고, 상기 전도구는 상기 도전막에 침투하여 상기 금속층과 접촉되는 요철을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리를 제공한다. 바람직하게는, 상기 금속층은 1층 이상이 구비되고, 상기 요철은 적어도, 마지막 상기 금속층과 접촉되는 깊이까지 침투된다. 바람직하게는, 상기 전도구는 상기 디스플레이 장치용 필터를 디스플레이 장치에 조립하기 위한 브라켓이다. 또한, 본 발명은, 상기 디스플레이 장치용 필터 어셈블리를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.

Description

전도구, 디스플레이 장치용 필터 어셈블리 및 이를 구비하는 디스플레이 장치{CONDUCTING MEMBER, FILTER ASSEMBLY FOR DISPLAY DEVICE AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은 전도구, 디스플레이 장치용 필터 어셈블리 및 이를 구비하는 디스플레이 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 우수한 전자파 차폐 효율을 제공할 수 있는 전도구, 디스플레이 장치용 필터 어셈블리 및 이를 구비하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
현대 사회가 고도로 정보화 되어감에 따라서 광일렉트로닉스 (photoelectronics) 관련부품 및 기기가 현저하게 진보하고 보급되고 있다. 그 중에서, 화상을 표시하는 디스플레이 장치는 텔레비전 장치용, 퍼스널 컴퓨터의 모니터 장치용 등으로서 현저하게 보급되고 있으며, 또한 이러한 디스플레이 장치의 대형화와 동시에 박형화가 진행되고 있다.
일반적으로 PDP 장치는 기존의 디스플레이 장치를 대표하는 CRT 장치에 비해 대형화 및 박형화를 동시에 만족할 수 있어 차세대 디스플레이 장치로서 각광받고 있다. 이러한 PDP 장치는 가스 방전 현상을 이용하여 화상을 표시하는 것으로서, 표시 용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 시야각 등의 각종 표시 능력이 우수하다. 그리고, PDP 장치는 다른 표시 장치보다 대형화가 용이하고, 박형의 발광형 표시 장치로써 향후 고품질 디지털 텔레비젼으로서 가장 적합한 특성을 갖추고 있는 것으로 평가되고 있어 CRT 장치를 대체할 수 있는 디스플레이 장치로 각광받고 있다.
PDP 장치는 전극에 인가되는 직류 또는 교류 전압에 의하여 전극 사이의 가스에서 방전이 발생하고, 여기에서 수반되는 자외선의 방사에 의하여 형광체를 여기시켜 발광하게 된다.
그러나, PDP 장치는 그 구동 특성상 전자파 및 근적외선의 방출량이 많고 형광체의 표면 반사가 높을 뿐 아니라 봉입 가스인 헬륨(He)이나 제논(Xe)에서 방출되는 오렌지광으로 인해 색순도가 음극선관에 미치지 못하는 단점이 있다.
따라서, PDP 장치에서 발생되는 전자파 및 근적외선은 인체에 유해한 영향을 미치고 무선 전화기나 리모콘 등의 정밀 기기의 오동작을 유발할 수도 있다. 따라서 PDP 장치로부터 방출되는 전자파와 근적외선의 방출을 소정치 이하로 억제하는 것이 요구되고 있다. 이를 위해, 전자파차폐층, 등의 다양한 기능성 층들을 포함한 필터를 채용하고 있다. 필터는 PDP 장치의 전면부에 장착되는 관계로 투명성도 동시에 만족해야 한다.
이러한 각각의 특성을 만족하기 위해 개발된 종래의 일반적인 전자파차폐층은 금속 메쉬(Mesh) 타입과 투명 도전막 타입으로 구분할 수 있다. 먼저, 메쉬 타입의 전자파차폐층은 전자파를 차폐하는 데는 뛰어난 특성을 나타내지만 상대적으로 투명성이 저하되거나 화면의 왜곡이 발생할 수 있는 문제점이 있으며, 메쉬 자 체가 고가이기 때문에 전반적으로 제품의 단가가 상승되는 문제점이 있다.
따라서, 이를 대체하기 위한 방법으로서 투명 도전막을 이용한 전자파차폐층이 널리 사용되고 있다.
도 1은 종래의 디스플레이 장치용 필터(100)를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1의 디스플레이 장치용 필터(100)가 디스플레이 장치에 조립되는 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도전막(140)을 구비하는 디스플레이 장치용 필터는, 접지 전극부를 위하여 Ag 페이스트(141)를 사용하고 있으며, 금속 브라켓(200)을 이용하여 디스플레이 장치에 조립되고 있다.
디스플레이 패널에서 발생된 전자파는 시청자에게 도달하기 전에, 전자파차폐층에 집속된 후 Ag 페이스트(141) 및 금속 브라켓(200)을 순차적으로 거쳐 케이스에 접지된다.
도전막(140)에 대한 금속 브라켓(200)의 밀착성을 높이고 완충 효과를 주기 위하여 도전막과 금속 브라켓 사이에는 도전성 스폰지(가스켓)(300)가 개재된다.
그러나 상기 도전막 타입의 전자파차폐층은 금속 메쉬 타입 전자파차폐층보다 전자파 차폐율이 좋지 못한 한계를 갖는다. 따라서 도전막 타입의 전자파차폐층에 있어, 전자파 차폐율을 향상시키고자 하는 연구 개발이 계속되어 오고 있다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적 은 도전막 타입의 전자파차폐층에 있어, 전자파 차폐율을 향상시키는데 있다.
또한 본 발명은 구성부를 줄임으로써, 원가 절감, 공정수의 절감, 등을 통하여 제품 경쟁력을 배가하는데 또 다른 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 디스플레이 장치용 필터의 전자파차폐층에 집속된 전자파를 외부로 방출시키는 전도구로서, 상기 전자파차폐층은, 금속층을 포함하는 다층으로 형성되는 도전막이고, 상기 전도구는 상기 도전막에 침투하여 상기 금속층과 접촉되는 요철을 구비하는 것을 특징으로 하는 전도구를 제공한다.
또한, 본 발명은, 전자파차폐층을 구비하는 디스플레이 장치용 필터와 상기 전자파차폐층에 집속된 전자파를 외부로 방출시키는 전도구를 구비하되, 상기 전자파차폐층은, 금속층을 포함하는 다층으로 형성되는 도전막이고, 상기 전도구는 상기 도전막에 침투하여 상기 금속층과 접촉되는 요철을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리를 제공한다.
바람직하게는, 상기 금속층은 1층 이상이 구비되고, 상기 요철은 적어도, 마지막 상기 금속층과 접촉되는 깊이까지 침투된다.
바람직하게는, 상기 전도구는 상기 디스플레이 장치용 필터를 디스플레이 장치에 조립하기 위한 브라켓이다.
또한, 본 발명은, 상기 디스플레이 장치용 필터 어셈블리를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치를 제공한다.
상기한 구성에 따르면, 본 발명은 도전막 타입의 전자파차폐층에 있어서, 우수한 전자파 차폐율을 제공할 수 있는 효과가 있다.
또한 본 발명은 구성부를 줄임으로써, 원가 절감, 공정수의 절감, 등을 통하여 제품 경쟁력을 배가시킬 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다.
본 발명의 디스플레이 장치용 필터 어셈블리는 디스플레이 장치용 필터와 전도구를 포함하여 이루어진다.
전도구(Conducting Member)는 도 3과 관련하여, 디스플레이 장치용 필터는 도 4 및 도 5를 통하여 예시할 것이나, 이 밖에도 다양한 실시예가 있을 수 있다. 예컨대, 필터는 전자파차폐층 및 기판(110) 외에도, 도 1에 도시한 반사방지층(160) 및 색보정층(150), 등을 포함할 수 있고, 이 밖에도 외광차폐층, 네온광 차폐층, 근적외선 차폐층, 등 다양한 구성층을 가질 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전도구를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3에서는 필터를 디스플레이 장치에 조립하기 위한 브라켓(200)이 전도구로 사용되는 실시예를 보여준다. 그러나, 브랏켓과 별도로 전용 전도구가 사용될 수도 있다.
전도구는 전자파차폐층에 집속된 전자파를 전도에 의하여 외부, 예컨대 케이 스에 접지시켜 방출시키는 기능을 수행한다.
전도구는 전자파의 전도를 위하여 도전성을 가질 것이 요구된다. 따라서 금속 전도구가 사용되는 것이 바람직하다.
전도구는 요철(201)을 구비한다. 요철은 도전막(140)에 침투하여 후술하는 도전막(140)의 금속층과 집적 접촉되어 전자파가 금속층으로부터 전도구를 통하여 외부로 전도될 수 있도록 한다.
요철(201)은 전도구에 일체로 형성되는 것이 전형적일 것이나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 도 2의 종래의 브라켓을 그대로 사용하되, 브라켓과 도전막 사이에 독립체로 존재하는 요철을 개재하여 유사한 효과를 얻을 수도 있을 것이다. 이 경우, 독립체인 요철을 전도구의 본체에 위치 고정할 수 있는 고정수단을 마련하는 것이 바람직할 수 있다. 예컨대 전도구의 본체에 오목한 자리(seat)를 마련하여 요철이 안착될 수 있도록 하여 두는 것도 가능하다. 이러한 실시예에는 종래의 브라켓을 그대로 사용할 수 있다는 이점을 가질 수 있으나, 독립체인 요철과 브라켓 사이에 접촉 저항을 최소화하는 것이 요구된다.
본 발명에서는, 도전막(140)과 전도구 사이에 개재되는 스폰지(300)가 삭제될 수 있다. 또한, 스폰지(300)가 개재되더라도 비도전성 스폰지가 사용될 수 있다. 이를 통하여 원가 절감을 달성할 수 있다. 물론, 도전성 스폰지가 개재되는 것을 배제하지는 않는다.
본 발명의 전도구는 도전막(140)에 밀착되는 것이 전형적일 것이나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도전막(140) 상에 다른 층이 형성되고, 그 다 른 층에 전도구가 밀착될 수 있다. 그러나, 이러한 경우라도, 전도구의 요철(201)은 그 다른 층을 관통하여 적어도 도전막(140)의 금속층까지 접촉될 수 있는 깊이까지 침투되어야 한다.
도 4는 디스플레이 장치용 필터(100)의 일 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4를 참조하면, 필터(100)는 기판(110)과 기판(100) 상에 형성된 전자파차폐층을 포함한다.
기판(110)은 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들어 PET 등의 플라스틱 필름, 아크릴 수지 등으로 만들어진 플라스틱 시트 또는 디스플레이용으로 사용되는 유리, 플라스틱 필름 및 플라스틱 시트 등이 될 수 있다. 특히 투명한 기판일 수 있다.
전자파차폐층은 다층으로 형성되는 도전막(140)이다. 여기서, 상기 다층에는 금속층(123)이 포함되고, 전도구 측 표면, 예컨대 도전막(140)의 후면에는 유전체층(130)이 형성된다.
분설하면, 전자파차폐층은 금속층(123)이 포함되는 적층체(120) 및 유전체층(130)을 포함한다.
기판(110) 상에는 적층체(120)가 형성된다. 적층체(120)는 유전체층(121), 제1금속산화물층(122) 및 금속층(123)의 순서로 1회 이상, 바람직하게는 3회 이상 반복 형성된다. 도 4에서는 3회 반복 형성된 실시예를 보여준다.
유전체층(121)은 니오브 산화물(Nb2O5)만으로 구성될 수도 있고, 니오브 이외의 다른 원소 성분이 소량 함유될 수도 있다. 다른 원소 성분으로는, 예를 들어, Ti, Cr 또는 Zr 등을 사용할 수 있다.
적층체(120) 중에 포함되는 유전체층(121)들의 조성은 동일 조성을 갖는 층일 수도 있고, 다른 조성을 갖는 층일 수도 있다.
유전체층(121)의 두께는 15 내지 80nm의 범위로 형성될 수 있고, 특히 기판(110)과 인접하여 형성되어 있는 유전체층(121)의 경우에는 15 내지 40nm일 수 있다. 이는 가시광 반사율을 감소시키고 낮은 반사율을 얻을 수 있는 파장 범위를 증가시키는 관점에서, 기판(110)과 인접한 유전체층(121)을 다른 유전체층보다 얇은 두께(특히, 1/2 정도의 두께)를 갖도록 하는 것이 바람직하기 때문이다.
유전체층(121) 상에는 ZnO를 주성분으로 하는 제1금속산화물층(122)이 형성된다. 금속산화물층(122)은 금속산화물층(122) 상에 형성되는 금속층(123)을 보호하여 내구성을 향상시키는 역할을 하게 된다. 또한, 금속산화물층은 금속층에 의해 나타나는 전기전도성을 증진시켜 전자파 차폐 성능을 향상시킨다. 금속산화물층(122)은 ZnO에 Al 또는 Al2O3가 소량 포함되어 있는 산화물(이하, AZO라 함)로 형성되고, 예를 들면 ZnO : Al2O3의 비는 90 내지 99.9 : 10 내지 0.1 일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
적층체(120) 중에 포함되는 복수의 금속산화물층(122)의 조성은 동일 조성을 갖는 층일 수도 있고, 다른 조성을 갖는 층일 수도 있다.
또한, 금속산화물층(122)은 금속층(123) 및 유전체층(121) 사이의 계면에서 발생되는 표면 플라즈몬의 형성을 억제하여 표면 플라즈몬에 의한 광흡수로 인해 발생하는 적층체(120) 내의 가시광 손실을 감소시킨다. 동시에, 가시광 반사율을 감소시키고 저반사율이 얻어질 수 있는 파장 대역을 증가시키는 역할을 하게 된다. 이러한 역할을 수행하기 위하여 금속산화물층(122)의 두께는 1 내지 10nm일 수 있다.
이어서, 금속산화물층(122) 상에는 금속층(123)이 형성된다. 금속층(123)은 은 또는 은을 주성분으로 하는 합금(Ag가 무게비로 90% 이상)으로 이루어진다. 은(Ag)은 우수한 연성 및 도전성을 갖고, 박막 형성 시에도 도전성을 유지하는 특성이 우수하다. 또한, 가격이 저렴하고 다른 금속에 비하여 가시광 흡수가 적어 투명한 박막을 얻기가 용이하다는 장점이 있다. 은(Ag)은 이런 장점에도 불구하고, 화학 물질에 취약하기 때문에 전자파차폐층의 금속층(123)에 은을 사용함에 있어 제약이 있었다. 그러나, 본 발명에서는 이러한 금속층(123)의 일면에 금속산화물층(122)을 형성함으로써, 은으로 금속층(123)을 형성하는 경우에도 전자파차폐층의 내구성이 저하되지 않는다.
적층체(120) 중에 포함되는 복수개의 금속층(123)의 조성은 동일 조성을 갖는 층일 수도 있고, 다른 조성을 갖는 층일 수도 있다.
금속층(123)의 두께는 7 내지 20 nm 일 수 있다. 가시광 반사율을 감소시키고 저반사율을 얻을 수 있는 파장 대역을 증가시킨다는 관점에서, 기판(110)에서 가장 가까운 금속층(123) 및 기판(110)에서 가장 먼 금속층(123)의 두께는 다른 금 속층 두께의 0.5 내지 1.0 배 일 수 있다.
상기한 바와 같은 적층체(120) 상에는 유전체층(130)이 형성되어 있다. 유전체층(130)은 니오브 산화물만으로 구성될 수도 있고, 니오브 이외의 다른 원소 성분이 소량 함유될 수도 있다. 다른 원소 성분으로는, 예를 들어, Ti, Cr, Zr, Bi, Al 또는 B 등을 사용할 수 있다.
적층체(120) 상에 유전체층(130)의 두께는 가시광 반사율을 감소시키고 낮은 반사율을 얻을 수 있는 파장 범위를 증가시키는 관점에서 15 내지 40nm의 범위로 형성될 수 있다.
본 발명에서는 접지 전극부인 Ag 페이스트(141)가 삭제될 수 있다.
종래의 Ag 페이스트(141)와 브라켓(200)의 면접촉을 브라켓(200)의 요철(201)에 의한 점접촉으로 변경하여 전계효과를 이용하여 전기 전도도를 향상시킴으로써, 전자파 차폐 효율을 높일 수 있다.
그러나 본 발명의 필터가 Ag 페이스트(141)와 같은 도전성 페이스트를 구비하는 것을 배제하는 것은 아니다. 이 경우, 도전성 페이스트는 전도구와 반대측의 도전막(140)의 표면 가장자리에 형성되는 것이 전형적이다.
기판(110)의 후면에 도전막(140)이 형성되고, 도전막(110)의 후방에 전도구가 구비되는 것이 전형적일 것이나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
전도구의 요철은 도전막(140)에 더욱 깊게 침투되는 것이 바람직하다. 도 4에서와 같이 복수의 금속층(123)이 존재하는 경우, 요철(201)은 적어도 마지막 금속층(123)과 접촉되는 깊이까지는 침투되는 것이 바람직하다.
도 5는 디스플레이 장치용 필터의 또 다른 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5를 참조하면, 필터(100)는 기판(110) 및 전자파차폐층을 포함하고, 전자파차폐층은 적층체(120) 및 유전체층(130)을 포함한다.
도 5의 기판(110) 및 유전체층(130)은 도 4의 기판(110) 및 유전체층(130)과 동일하다. 다만, 적층체(120)는 유전체층(121), 금속산화물층(122), 금속층(123) 및 금속산화물층(124)의 순서로 3회 이상 반복 형성된 층들을 포함한다. 즉, 금속층(123) 상에 금속산화물층(124)이 더 형성되어 있을 수 있다. 여기서의 금속산화물층(124)은 후속 공정인 유전체층(121)을 형성하는 과정에서 산소 플라즈마로 인하여 금속층의 전기전도성이 소멸되는 것을 방지하기 위한 일종의 블로커(Blocker)로서의 역할을 한다. 즉, 금속층(123)을 형성한 후에 유전체층(121)을 형성하기 위하여 직류 스퍼터링 방법으로 사용하게 되면, 산소 플라즈마에 의해 이전에 형성된 금속층이 손상될 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 AZO 또는 ITO을 이용하여 금속산화물층을 형성한다.
적층체(120) 중에 포함되는 복수개의 금속산화물층(124)의 조성은 동일 조성을 갖는 층일 수도 있고, 다른 조성을 갖는 층일 수도 있다.
또한, 금속산화물층(124)은 금속층(123) 및 유전체층(121) 사이의 계면에서 발생되는 표면 플라즈몬의 형성을 억제하여 표면 플라즈몬에 의한 광흡수로 인해 발생하는 적층체(120) 내의 가시광 손실을 감소시킨다. 동시에, 가시광 반사율을 감소시키고 저반사율이 얻어질 수 있는 파장 대역을 증가시키는 역할을 하게 된다. 이러한 역할을 수행하기 위하여 금속산화물층(124)의 두께는 1 내지 10nm일 수 있다.
도 4의 필터의 제조 방법은 다음과 같다.
먼저 기판 상에 적층체(120)를 형성한다. 여기서 적층체는 유전체층, 금속산화물층 및 금속층의 순서로 3회 이상 반복 형성된 층들을 포함하여 이루어진 층상 구조물을 의미한다.
기판(110) 상에 적층체(120)를 형성하기 위하여 우선 유전체층(121)을 형성한다. 유전체층(121)의 형성은, 예를 들어 전기전도성이 우수한 니오브 산화물 타겟을 사용하는 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 방법, 반응성 스퍼터링 방법, 이온 플레이팅 방법, 기상 증착 방법 또는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법에 의해서 수행될 수 있다. 이들 중에서, 대면적에 빠른 속도로 균일한 형성을 수행할 수 있는 직류 스퍼터링 방법에 의해 유전체층(121)을 형성할 수 있다.
니오브 산화물 타겟은 니오브 산화물의 화학양론적인 조성에 대해 산소를 부족하게 만들거나 다른 물질을 첨가하여 직류 스퍼터링에 충분히 사용할 수 있을 정도의 전기전도성을 갖도록 만든 타겟이다. 니오브 산화물 타겟을 사용하는 경우, 스퍼터링 기체로서 0.1 내지 10 부피%의 산화성 기체를 함유한 불활성 기체를 사용하는 것이 바람직하다. 스퍼터링 기체로서 이러한 범위 내의 농도로 산화성 기체를 함유한 불활성 기체를 사용하면, 유전체층(121)이 형성될 때 생기는 산화성 플라즈마에 의한 금속층(123)의 산화를 억제하는 데 효과적이고, 낮은 방사율 및 높은 전 기전도성을 갖는 적층체(120)를 제조하는 데 효과적이다. 특히, 0.1 내지 5 부피% 의 산화성 기체를 함유하는 불활성 기체를 사용하는 것이 바람직하다.
산화성 기체로서, 산소 기체가 일반적으로 사용될 수도 있고, 일산화질소, 이산화질소, 일산화탄소, 이산화탄소 또는 오존이 사용될 수도 있다. 이때, 유전체층(121)은 15 내지 40nm로 형성될 수 있다.
계속해서, 유전체층(121) 상에 ZnO를 주성분으로 하는 AZO로 이루어진 금속산화물층(122)을 형성한다. 금속산화물층(122)의 형성 방법은 형성될 층의 조성에 따라 적절히 선택된 방법에 의해 수행될 수 있다. 예를 들면, 스퍼터링 방법, CVD 방법 또는 기상 증착 방법 등으로 수행될 수 있다.
AZO로 이루어진 금속산화물층(122)을 스퍼터링 방법에 의하여 형성하는 경우, 산화 아연(ZnO)에 산화 알루미늄(Al2O3)이 소량 혼입되어 있는 타겟을 사용하여 산화성 기체의 공급 없이 불활성 기체의 공급만에 의해 금속산화물층(122)을 형성하게 된다. AZO의 경우 산화성 기체가 공급되지 않아도 금속산화물층(122)에 투명성이 저하되는 문제가 발생하지 않으므로, O2와 같은 산화성 기체의 공급이 불필요하다. 따라서, 후술하는 금속층(123)의 형성시 산화성 기체에 의한 금속층(123)의 산화 문제가 발생하지 않게 된다.
이때 금속산화물층(122)의 두께는 1 내지 10nm일 수 있다.
이어서, 금속산화물층(122) 상에 금속층(123)을 형성한다. 금속층(123)은 은 또는 은을 주성분으로 하는 합금 성분으로 형성될 수 있고, 금속층(123)의 형성 방 법은 예를 들어 스퍼터링 방법, CVD 방법 또는 기상 증착 방법 등에 의해 수행될 수 있다. 막 형성 속도가 빠르고 대면적에 균일한 특성을 갖는 층을 형성하기 위해, 특히 직류 스퍼터링 방법에 의해 금속층(123)을 형성하는 것이 바람직하다.
이때 금속층(123)의 두께는 7 내지 20nm일 수 있다.
상기한 방법에 의해 상기한 바와 동일한 순서로 니오브 산화층(121), 금속산화물층(122) 및 금속층(123)을 3회 이상 반복하여 적층함으로써 적층체(120)를 형성한다. 이때, 적층체(120) 중 기판(110)에 인접하여 형성되어 있는 유전체층(121) 이외에는 그 두께를 30 내지 80nm로 형성할 수 있다.
계속해서, 적층체(120) 상에 유전체층(130)을 형성한다(S2). 유전체층(130)의 형성은, 예를 들어 니오브 산화물의 환원성 타겟을 사용하는 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 방법, 반응성 스퍼터링 방법, 이온 플레이팅 방법, 기상 증착 방법 또는 CVD 방법에 의해서 수행될 수 있다. 그들 중에서, 유전체층(130)이 금속층(123) 상에 형성될 때 금속층(123)의 산화를 방지할 수 있고 대면적에 빠른 속도로 균일한 형성을 수행할 수 있으므로, 니오브 산화물의 환원성 타겟을 사용하는 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 방법이 바람직하다. 금속층(123)의 산화를 방지할 수 있으므로, 그 결과 얻어진 전자파차폐층의 가시광 투과율을 향상시킬 수 있고 반사율을 감소시킬 수 있다. 이때, 유전체층(130)은 15 내지 40nm로 형성될 수 있다.
도 5의 필터의 제조 방법은 다음과 같다.
먼저 기판(110) 상에 적층체(120)를 형성한다. 여기서 적층체(120)는 유전체 층(121), 금속산화물층(122), 금속층(123) 및 금속산화물층(124)의 순서로 3회 이상 반복 형성된 층들을 포함하여 이루어진 층상 구조물을 의미한다.
기판(110) 상에 적층체(120)를 형성하기 위하여 우선 유전체층(121)을 형성한다. 유전체층(121)의 형성은 니오브 산화물의 타겟을 사용하는 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
이때, 유전체층(121)은 15 내지 40nm로 형성될 수 있다.
계속해서, 유전체층(121) 상에 금속산화물층(122)을 형성한다. 이 금속산화물층(122)은 ZnO를 주성분으로 하는 AZO 성분으로 형성될 수 있고, 금속산화물층(122)의 형성 방법은 형성될 층의 조성에 따라 적절히 선택된 방법에 의해 수행될 수 있다. 예를 들면, 스퍼터링 방법, CVD 방법 또는 기상 증착 방법 등으로 수행될 수 있다.
AZO층을 스퍼터링 방법에 의하여 형성하는 경우, 산화 아연(ZnO)에 산화 알루미늄(Al2O3)이 소량 혼입되어 있는 타겟을 사용하여 산화성 기체의 공급 없이 불활성 기체의 공급만에 의해 금속산화물층(122)을 형성하게 된다. AZO의 경우 산화성 기체가 공급되지 않아도 금속산화물층(122)에 투명성이 저하되는 문제가 발생하지 않으므로, O2와 같은 산화성 기체의 공급이 불필요하다. 따라서, 후술하는 금속층(123)의 형성 시 산화성 기체에 의한 금속층(123)의 산화 문제가 발생하지 않게 된다.
이때 금속산화물층(122)의 두께는 1 내지 10nm일 수 있다.
이어서, 금속산화물층(122) 상에 금속층(123)을 형성한다. 금속층(123)은 은 또는 은을 주성분으로 하는 합금 성분으로 형성될 수 있고, 금속층(123)의 형성 방법은 예를 들어 스퍼터링 방법, CVD 방법 또는 기상증착 방법 등에 의해 수행될 수 있다. 막형성 속도가 빠르고 대면적에 균일한 특성을 갖는 층을 형성하기 위해, 특히 직류 스퍼터링 방법에 의해 금속층(123)을 형성하는 것이 바람직하다.
이때 금속층(123)의 두께는 7 내지 20nm일 수 있다.
금속층(123) 상에 금속산화물층(124)을 더 형성한다. 금속산화물층(124)은 AZO 또는 ITO 성분으로 형성될 수 있고, 금속산화물층(124)의 형성 방법은 형성될 층의 조성에 따라 적절히 선택된 방법에 의해 수행될 수 있다. 예를 들면, 스퍼터링 방법, CVD 방법 또는 기상증착 방법 등으로 수행될 수 있다. 이때 금속산화물층(124)의 두께는 1 내지 10nm일 수 있다.
상기한 방법에 의해 상기한 바와 동일한 순서로 니오브 산화층(121), 금속산화물층(122), 금속층(123) 및 금속산화물층(124)을 3회 이상 반복하여 적층함으로써 적층체(120)를 형성한다. 이때, 적층체(120) 중 기판(110)에 인접하여 형성되어 있는 유전체층(121) 이외에는 그 두께가 30 내지 80nm로 형성하는 것이 바람직하다.
계속해서, 적층체(120) 상에 유전체층(130)을 형성한다(S2). 유전체층(130)의 형성은, 예를 들어 니오브 산화물의 환원성 타겟을 사용하는 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 방법, 반응성 스퍼터링 방법, 이온 플레이팅 방법, 기상 증착 방법 또는 CVD 방법에 의해서 수행될 수 있다. 상기한 바와 같은 유전체층(130)은 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 이때, 유전체층(130)은 15 내지 40nm로 형성될 수 있다.
도 6은 디스플레이 장치의 일 구성을 개략적으로 보여주는 분해사시도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 메인 케이스(510), 메인 케이스(510)의 상부를 덮는 프론트 케이스(540), 메인 케이스(510) 내에 수용되는 구동 회로 기판(520), 가스방전현상이 일어나는 방전셀을 포함하는 패널 어셈블리(Panel assembly)(530) 및 필터(100)를 포함하여 이루어진다. 도 3의 전도구는 도시를 생략하였다.
전자파차폐층에 집속된 전자파는 전도구를 통하여 케이스로 접지된다. 즉, 패널 어셈블리(530)로부터 발생된 전자파를 사용자에게 도달하기 전에, 전도구를 통하여 케이스로 접지시키는 것이다.
이상에서는 설명의 편의를 위하여 디스플레이 장치로 플라즈마 디스플레이 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명의 필터가 액정 표시 장치, 등 기타 다양한 디스플레이 장치에 적용될 수 있음은 물론이다.
도 1은 종래의 디스플레이 장치용 필터를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 디스플레이 장치용 필터가 디스플레이 장치에 조립되는 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전도구를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4는 디스플레이 장치용 필터의 일 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 디스플레이 장치용 필터의 또 다른 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 디스플레이 장치의 일 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 전자파차폐층을 구비하는 디스플레이 장치용 필터와 상기 전자파차폐층에 집속된 전자파를 외부로 방출시키는 전도구를 구비하되,
    상기 전자파차폐층은, 금속층을 포함하는 다층으로 형성되는 도전막이고,
    상기 전도구는 상기 도전막에 침투하여 상기 금속층과 접촉되는 요철을 구비하고,
    상기 금속층은 1층 이상이 구비되고,
    상기 요철은 적어도, 마지막 상기 금속층과 접촉되는 깊이까지 침투되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 도전막은,
    상기 전도구 측 표면에 유전체층을 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 도전막은,
    유전체층, 제1금속산화물층 및 상기 금속층의 순서로 1회 이상 반복 형성되는 적층체와,
    상기 적층체 상에 형성되는 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 도전막은,
    유전체층, 제1금속산화물층, 상기 금속층 및 제2금속산화물층의 순서로 1회 이상 반복 형성되는 적층체와,
    상기 적층체 상에 형성되는 유전체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 유전체층은 니오브산화물을 포함하고,
    상기 제1금속산화물층 및 제2금속산화물층은 AZO를 포함하고,
    상기 금속층은 Ag를 포함하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  8. 삭제
  9. 제3항에 있어서,
    상기 전도구는 금속 전도구인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 전도구는 상기 디스플레이 장치용 필터를 디스플레이 장치에 조립하기 위한 브라켓인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  11. 제3항에 있어서,
    상기 도전막과 상기 전도구 사이에는 스폰지가 개재되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 스폰지는 도전성 또는 비도전성 스폰지인 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  13. 제3항에 있어서,
    상기 요철은 상기 전도구의 본체와 일체로 형성되거나 또는 독립체로 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  14. 제3항에 있어서,
    상기 디스플레이 장치용 필터는 기판을 포함하고,
    상기 도전막은 상기 기판의 후면에 형성되고,
    상기 전도구는 상기 도전막의 후방에 구비되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  15. 제3항에 있어서,
    상기 전도구와 반대측의 상기 도전막의 표면 가장자리에 도전성 페이스트가 형성되는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치용 필터 어셈블리.
  16. 제3항 내지 제7항 및 제9항 내지 제15항 중 어느 한 항의 디스플레이 장치용 필터 어셈블리를 구비하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 장치.
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