KR101070534B1 - Organic Electro luminescence Device and fabrication method thereof - Google Patents

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KR101070534B1
KR101070534B1 KR20040067383A KR20040067383A KR101070534B1 KR 101070534 B1 KR101070534 B1 KR 101070534B1 KR 20040067383 A KR20040067383 A KR 20040067383A KR 20040067383 A KR20040067383 A KR 20040067383A KR 101070534 B1 KR101070534 B1 KR 101070534B1
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이재윤
김경만
이준석
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명에 의한 유기전계발광 소자는, 화상이 구현되는 영역인 서브픽셀이 정의되어 있으며, 서로 일정간격 이격되어 대향되게 배치된 제 1, 2 기판과; The organic electroluminescent device according to the present invention, and an image is a region of sub-pixels is defined to be implemented, and the first and second substrate disposed opposite to each other are spaced apart a certain distance; 상기 제 1기판에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자와; Array element having at least one thin film transistor formed in the sub-pixels on the first substrate; 상기 제 2기판 내부면에 위치하는 제 1전극과; A first electrode disposed on the second substrate and the interior surface; 상기 제 1전극 상부의 각 서브픽셀을 구획하는 외곽 영역에 형성된 버퍼와; A buffer formed in the outer region for partitioning each of the sub-pixels of the first electrode and the upper; 상기 버퍼 상에 형성된 제 1격벽 및 제 2격벽과; A first bank and a second bank formed on the buffer; 상기 각 서브 픽셀에서 상기 버퍼에 의해 정의된 영역 내에서 형성되는 유기전계 발광층과; An organic electroluminescent layer in the respective sub-pixels is formed within the area defined by the buffer; 상기 유기전계 발광층이 형성된 제 2기판 상에 형성되는 유기전계발광 다이오드의 제 2전극과; A second electrode of the organic light emitting diode formed on a second substrate on which the organic light emitting layer is formed and; 각 서브픽셀 별로 대응되는 상기 제 1기판 상의 박막트랜지스터와 제 2기판 상의 제 2전극을 전기적으로 연결시키는 전도성 스페이서가 포함되는 것을 특징으로 한다. It characterized in that the spacer comprises a conductive to electrically connect the second electrode on the thin film transistor and the second substrate on the first substrate corresponding to each subpixel.

Description

유기전계발광 소자 및 그 제조방법{Organic Electro luminescence Device and fabrication method thereof} The organic light emitting device and a method of manufacturing {Organic Electro luminescence Device and fabrication method thereof}

도 1은 종래의 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic electroluminescent device.

도 2는 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 개략적인 단면도. Figure 2 is a schematic cross-sectional view of the organic EL device of the dual-panel type.

도 3은 도 2의 특정 부분에 대한 상세 단면도. Figure 3 is a detailed cross-sectional view of a characteristic part of Fig.

도 4는 본 발명에 의한 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 개략적인 단면도. Figure 4 is a schematic cross-sectional view of the organic EL device of the dual-panel type according to the present invention.

도 5은 도 4의 특정 부분에 대한 상세 단면도. Figure 5 is a detailed cross-sectional view of a characteristic part in Fig.

도 6a 및 도 6b는 도 4에 도시된 본 발명에 의한 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 제 2기판에 대한 개략적인 평면도. Figure 6a and Figure 6b is a schematic plan view of a second substrate of the organic EL device of the dual-panel type according to the present invention shown in Fig.

도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 의한 유기전계발광 소자의 제조 공정을 나타내는 공정단면도. Figures 7a-7f are cross-sectional views showing steps of manufacturing the organic light emitting device according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Description of the Related Art>

530 : 제 2기판 533 : 버퍼 530: The second substrate 533: Buffer

534 : 제 1격벽 535 : 제 2격벽 534: first partition wall 535: second bank

본 발명은 유기전계발광 소자에 관한 것으로, 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to that, in the dual-panel type organic electroluminescent light emitting device and a method of manufacturing an organic electroluminescent device.

평판디스플레이(FPD ; Flat Panel Display) 분야에서, 지금까지는 가볍고 전력소모가 적은 액정표시장치(LCD ; Liquid Crystal Display Device)가 가장 주목받는 디스플레이 소자였지만, 상기 액정표시장치는 발광소자가 아니라 수광소자이며 밝기, 콘트라스트(contrast), 시야각, 그리고 대면적화 등에 기술적 한계가 있기 때문에 이러한 단점을 극복할 수 있는 새로운 평판디스플레이 소자에 대한 개발이 활발하게 전개되고 있다. Flat panel displays; in (FPD Flat Panel Display) applications, until light and power consumption are less liquid crystal display now; but the display device receives the most attention (LCD Liquid Crystal Display Device), the liquid crystal display device is a light-receiving element as a light-emitting element brightness, the development of a new flat panel display device that overcomes this drawback being actively developed because of the contrast (contrast), field of view, and there is a technical limitation such as large area.

새로운 평판디스플레이 중 하나인 상기 유기전계발광 소자는 자체발광형이기 때문에 액정표시장치에 비해 시야각, 콘트라스트 등이 우수하며 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하고, 소비전력 측면에서도 유리하다. New flat panel display, one of the organic light emitting device of which is excellent in viewing angle than liquid crystal display devices, contrast, etc. Since the self-emission type, and is advantageous in a lightweight, thin, and possible, the power consumption side since it does not need a back light.

그리고, 직류 저전압 구동이 가능하고 응답속도가 빠르며 전부 고체이기 때문에 외부충격에 강하고 사용 온도범위도 넓으며, 특히 제조비용 측면에서도 저렴한 장점을 가지고 있다. Then, this was a direct current low voltage driving is possible, and also resistant to a wide temperature range using an impact since the response speed fast and totally solid, in particular has an advantage in terms of low production cost.

특히, 상기 유기전계발광 소자의 제조공정에는, 액정표시장치나 PDP(Plasma Display Panel)와 달리 증착 및 봉지(encapsulation) 장비가 전부라고 할 수 있기 때문에, 공정이 매우 단순하다. In particular, in the manufacturing process of the organic light emitting device, because it can be said that the liquid crystal display device or a PDP (Plasma Display Panel) and the deposition and sealing (encapsulation) equipment is all different, the process is very simple.

또한, 각 화소마다 스위칭 소자인 박막트랜지스터를 가지는 액티브 매트릭스방식으로 유기전계발광 소자를 구동하게 되면, 낮은 전류를 인가하더라도 동일한 휘도를 나타내므로 저소비 전력, 고정세, 대형화가 가능한 장점을 가진다. Further, when the pixels for each to drive the switching element thin-film organic electroluminescent device with an active matrix system having a transistor, even if applying a low current since they represent the same luminance have the advantage that the low power consumption, fixed years, large-sized as possible.

도 1은 종래의 유기전계발광 소자에 대한 개략적인 단면도로서, 이는 하부 발광방식으로 동작하는 AMOLED의 단면 구조를 나타내고 있다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting device, which shows a sectional structure of the AMOLED operates with the bottom emission system.

도시한 바와 같이, 제 1, 2 기판(10, 30)이 서로 대향되게 배치되어 있고, 제 1, 2 기판(10, 30)의 가장자리부는 씰패턴(40 ; seal pattern)에 의해 봉지되어 있는 구조에 있어서, 제 1 기판(10)의 투명 기판(1) 상부에는 서브 픽셀별로 박막트랜지스터(T)가 형성되어 있고, 박막트랜지스터(T)와 연결되어 제 1 전극(12)이 형성되어 있고, 박막트랜지스터(T) 및 제 1 전극(12) 상부에는 박막트랜지스터(T)와 연결되어 제 1 전극(12)과 대응되게 배치되는 적(Red), 녹(Green), 청(Blue) 컬러를 띠는 발광물질을 포함하는 유기전계발광층(14)이 형성되어 있고, 유기전계발광층(14) 상부에는 제 2 전극(16)이 형성되어 있다. Structure that is sealed by; (seal pattern 40), the first and second substrates (10, 30) edge portions seal pattern for this are arranged facing each other, the first and second substrates 10 and 30 as shown according, a and a transparent substrate (1) upper part of the thin-film transistor for each subpixel (T) of the first substrate 10 is formed, connected to the thin film transistor (T) and the first electrode 12 is formed on the thin film a transistor (T) and the first electrode 12, the upper portion band enemy (Red), green (green), blue (blue) color that is connected to the thin film transistor (T) arranged to correspond with the first electrode 12 is and the organic electroluminescence layer 14 including a light-emitting substance is formed, and the second electrode 16 is formed on the organic electroluminescence layer 14, the upper part.

상기 제 1, 2 전극(12, 16)은 유기전계발광층(14)에 전계를 인가해주는 역할을 한다. The first and second electrodes (12, 16) serves that applying an electric field to the organic light emitting layer (14).

그리고, 전술한 씰패턴(40)에 의해서 제 2 전극(16)과 제 2 기판(30) 사이는 일정간격 이격되어 있으며, 도면으로 제시하지는 않았지만, 제 2 기판(30)의 내부면에는 외부로부터 인입되는 수분을 흡수하는 흡습제(미도시) 및 흡습제와 제 2 기판(30)간의 접착을 위한 반투성 테이프(미도시)가 포함된다. Then, from the outside the inner surface of the second electrode 16 and the second and between the second substrate 30 are spaced a predetermined interval, although not presented in the drawing, the second substrate 30 by the above-described seal pattern 40 for contact between the moisture absorbent to absorb water that is drawn (not shown) and a moisture absorbent and a second substrate 30, semipermeable it includes a tape (not shown).

한 예로, 하부발광방식 구조에서 상기 제 1 전극(12)을 양극(anode)으로, 제 2 전극(16)을 음극(cathode)으로 구성할 경우 제 1 전극(12)은 투명도전성 물질에서 선택되고, 제 2 전극(16)은 일함수가 낮은 금속물질에서 선택되며, 이런 조건 하에서 상기 유기전계발광층(14)은 제 1 전극(12)과 접하는 층에서부터 정공주입층(14a ; hole injection layer), 정공수송층(14b ; hole transporting layer), 발광층(14c ; emission layer), 전자수송층(14d ; electron transporting layer) 순서대로 적층된 구조를 이룬다. For example, in the bottom emission type structure, the first electrode 12 to the positive electrode (anode), in the case to configure the second electrode 16 as the negative electrode (cathode) a first electrode (12) is selected from a transparent conductive material (; hole injection layer 14a),, the second electrode 16 is the work function is selected from a low metal material, the organic light emitting layer 14 has a hole injection layer from the layer in contact with the first electrode 12. under these conditions a hole transport layer (14b; hole transporting layer), a light emitting layer (14c; emission layer), an electron transporting layer; in (14d electron transporting layer) in order to form the laminated structure.

이때, 상기 발광층(14c)은 서브픽셀별로 적, 녹, 청 컬러를 구현하는 발광물질이 차례대로 배치된 구조를 가진다. In this case, the luminescent layer (14c) has a structure arranged in this order a light emitting material that implement the red, green, and blue colors for each sub-pixel.

이와 같이, 기존의 유기전계발광 소자는 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드가 동일 기판 상에 적층된 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하였다. Thus, the conventional organic light emitting device was characterized in that the array elements and the organic light emitting diode comprising a stacked structure on the same substrate.

그러나, 앞서 설명한 종래의 하부 발광방식의 유기전계발광 소자는, 상기 어레이 소자 및 유기전계발광 다이오드가 형성된 기판과 별도의 인캡슐레이션용 기판의 합착을 통해 소자를 제작하는데, 이 경우 어레이 소자의 수율과 유기전계발광 다이오드의 수율의 곱이 유기전계발광 소자의 수율을 결정하기 때문에, 후반 공정에 해당되는 유기전계발광 다이오드 공정에 의해 전체 공정 수율이 크게 제한되는 문제점이 있다. However, the above conventional bottom emission type organic EL device described is to produce a device with a cementation of the array elements and the substrate and separate the substrate for encapsulation is formed of an organic light emitting diode, the yield of this case, the array element and since it determines the yield of the product of the yield of the organic EL device of the organic light emitting diode, there is a problem that the overall process yield is greatly limited by the organic light emitting diode corresponding to the second half of the process step. 예를 들어, 어레이 소자가 양호하게 형성되었다 하더라도, 1000㎛ 정도의 박막을 사용하는 유기전계발광층의 형성 시 이물이나 기타 다른 요소에 의해 불량이 발생하게 되면, 유기전계발광 소자는 불량 등급으로 판정된다. For example, even though the array elements were satisfactorily formed, When a defect caused by a foreign object during forming or any other element of the organic light emitting layer using a thin film of 1000㎛ degree, the organic light emitting element is determined to be bad grade .

이로 인하여, 양품의 어레이 소자를 제조하는데 소요되었던 제반 경비 및 재료비 손실이 초래되고, 생산수율이 저하되는 문제점이 있다. Due to this, the overall expense and material cost loss often required to manufacture the array elements of a non-defective product is caused, there is a problem that the production yield is lowered.

그리고, 하부발광방식은 인캡슐레이션에 의한 안정성 및 공정이 자유도가 높은 반면 개구율의 제한이 있어 고해상도 제품에 적용하기 어려운 문제점이 있고, 상부발광방식은 박막트랜지스터 설계가 용이하고 개구율 향상이 가능하기 때문에 제품수명 측면에서 유리하지만, 기존의 상부발광방식 구조에서는 유기전계발광층 상부에 통상적으로 음극이 위치함에 따라 재료선택폭이 좁기 때문에 투과도가 제한되어 광효율이 저하되는 등의 문제점이 있다. Then, the bottom emission system is the reliability and process by the encapsulation there is limited, while the aperture ratio degree of freedom is high, and is difficult to apply to high-resolution product issues, the top emission system is because it can be a thin film transistor design easier and improves opening ratio glass in the product life side, but the transmission rate is limited by the material selection width is narrow, as in the conventional top emission type structure in which a conventional cathode in the organic electroluminescent layer upper position, there is a problem such that light efficiency is lowered.

본 발명은 듀얼 패널 타입 유기전계발광 소자에 있어서, 버퍼 상에 형성된 역 테이퍼 형상의 격벽의 안측으로 라운드 테이퍼 형상의 격벽을 추가 형성함으로써, 고분자 물질로 이루어지는 유기전계발광층을 균일하게 형성할 수 있도록 하는 유기전계발광 소자 및 그 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다. The present invention is to allow in, formed by adding forming a reverse taper not round tapered toward the partition wall of the shaped barrier ribs formed on the buffer, a uniform organic light emitting layer made of a polymer material on a dual-panel type organic EL device to provide an organic electroluminescent device and a method of manufacturing it is an object.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 유기전계발광 소자는, 화상이 구현되는 영역인 서브픽셀이 정의되어 있으며, 서로 일정간격 이격되어 대향되게 배치된 제 1, 2 기판과; The organic electroluminescent device according to the present invention in order to achieve the above object, and an image is a region of sub-pixels is defined to be implemented, and the first and second substrate disposed opposite to each other are spaced apart a certain distance; 상기 제 1기판에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자와; Array element having at least one thin film transistor formed in the sub-pixels on the first substrate; 상기 제 2기판 내부면에 위치하는 제 1전극과; A first electrode disposed on the second substrate and the interior surface; 상기 제 1전극 상부의 각 서브픽셀을 구획하는 외곽 영역에 형성된 버퍼와; A buffer formed in the outer region for partitioning each of the sub-pixels of the first electrode and the upper; 상기 버퍼 상에 형성된 제 1격벽 및 제 2격벽과; A first bank and a second bank formed on the buffer; 상기 각 서브 픽셀에서 상기 버퍼에 의해 정의된 영역 내에서 형성되는 유기전계 발광층과; An organic electroluminescent layer in the respective sub-pixels is formed within the area defined by the buffer; 상기 유기전계 발광층이 형성된 제 2기판 상에 형성되는 제 2전극과; A second electrode formed on a second substrate on which the organic light emitting layer is formed and; 각 서브픽셀 별로 대응되는 상기 제 1기판 상의 박막트랜지스터와 제 2기판 상의 제 2전극을 전기적으로 연결시키는 전도성 스페이서가 포함되는 것을 특징으로 한다. It characterized in that the spacer comprises a conductive to electrically connect the second electrode on the thin film transistor and the second substrate on the first substrate corresponding to each subpixel.

여기서, 상기 제 1격벽은 역 테이퍼(taper) 형상으로, 상기 제 2격벽은 라운드 테이퍼 형상으로 형성되고, 상기 제 2 격벽은 상기 제 1격벽 내측에 구비되며, 상기 제 2격벽은 각 서브픽셀의 발광영역을 구획하는 버퍼의 상부에 각 서브픽셀을 둘러싸는 타입으로 형성됨을 특징으로 한다. Here, the first partition wall has a reverse taper (taper) shape, the second partition wall is formed as a round tapered shape, the second partition wall is provided on an inside of the first partition wall and the second partition wall each subpixel surrounding the respective sub-pixels on top of the buffer for partitioning light-emitting region is characterized by formed by type.

또한, 상기 유기전계발광층은 저분자 또는 고분자 물질로 형성됨을 특징으로 한다. In addition, the organic light emitting layer is characterized by formed of a low-molecular or high-molecular substance.

또한, 본 발명에 의한 유기전계발광 소자 제조방법은, 제 1기판 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 갖는 어레이 소자가 형성되는 단계와; In addition, the organic EL device manufacturing method according to the invention, the first step being the array element is formed with at least one thin film transistor formed in the sub-pixels on the interior surface and the first substrate; 제 2기판의 투명기판 상에 제 1전극이 형성되는 단계와; The step in which a first electrode on a transparent substrate of the second substrate and forming; 상기 제 1전극의 상부 영역 중 각 서브픽셀을 구획하는 서브픽셀의 외곽 영역에 버퍼가 형성되는 단계와; Step in which the buffer in the outer region of the sub-pixels defining each sub-pixel of the upper region of the first electrode is formed and; 상기 버퍼가 형성된 영역 상에 제 1격벽 및 제 2격벽이 형성되는 단계와; Step in which the first bank and a second bank formed on the area in which the buffer is formed and; 각 서브 픽셀에 있어 상기 버퍼에 의해 정의된 영역 내에서 유기전계 발광층이 형성되는 단계와; For each sub-pixel and a step in which the organic light emitting layer formed within the area defined by said buffer; 상기 유기전계 발광층이 형성된 제 2기판 상에 제 2전극이 형성되는 단계와; And a step in which a second electrode formed on the second substrate on which the organic light emitting layer is formed; 상기 제 1, 2기판이 합착되는 단계가 포함되는 것을 특징으로 한다. It is characterized in that comprises a step in which the first and second substrates are attached to each other.

앞서 설명한 종래의 하부발광 방식 및 상부발광 방식의 유기전계발광 소자의 문제점을 극복하게 위해 제시된 구조로 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자를 들 수 있으며, 이하 본 발명의 설명에 앞서 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에 대해 설명하도록 한다. To overcome the problems of the conventional bottom emission type and a top emission type organic EL device mentioned above may be in the organic EL device of the dual-panel type as shown structure, less organic dual-panel type prior to the description of the invention It will be described for the light-emitting diode.

도 2는 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 개략적인 단면도로서, 설명의 편의상 하나의 픽셀 영역을 중심으로 도시하였다. 2 is a schematic cross-sectional view of the organic EL device of the dual-panel type, is shown mainly for convenience of description a pixel region.

도시한 바와 같이, 서로 일정간격 이격 되게 제 1, 2 기판(110, 130)이 배치되어 있고, 제 1 기판(110)의 투명 기판(100) 내부면에는 어레이 소자(120)가 형성되어 있고, 제 2 기판(130)의 투명 기판(101) 내부면에는 유기전계발광 다이오드 소자(E)가 형성되어 있으며, 상기 제 1 및 2기판(110, 130)의 가장자리부는 씰패턴(140 ; seal pattern)에 의해 봉지 된다. As shown, and each other a predetermined interval the first and second substrates 110 and 130 spaced apart, inside the transparent substrate (100) surface of the first substrate 110 and the array element 120 is formed, the inner transparent substrate (101) surface of the second substrate 130, and is formed with an organic light emitting diode device (E), the edge portions seal pattern of the first and second substrates (110, 130) (140; seal pattern) to be sealed with.

상기 유기전계발광 다이오드(E)에는, 공통전극으로 이용되는 제 1 전극(132)과, 제 1 전극(132) 하부에서 서브픽셀별 경계부에 위치하는 격벽(134 ; second electrode separator)과, 격벽(134)내 영역에서 유기전계발광층(136), 제 2 전극(138)이 차례대로 서브픽셀 단위로 분리된 패턴으로 형성되어 있다. In the organic light emitting diode (E), and the first electrode 132 is used as a common electrode, a first electrode 132, the partition wall which is located in the sub-pixel-by-pixel boundary in the bottom (134; second electrode separator) and a partition wall ( 134) is formed in the organic light emitting layer 136, the second electrode 138 is in turn divided into sub-pixels, in areas pattern.

또한, 각 서브픽셀 내에 형성되는 유기전계발광층(136)을 구획 즉, 발광영역을 한정하고, 전도성 스페이서(114)에 의해 상기 제 1전극(132) 및 제 2전극(138)이 단락되는 것을 극복하기 위해 버퍼(133)가 형성된다. In addition, partitioning the organic light emitting layer 136 formed in the respective sub-pixel that is overcome to be limited to the light emitting region, the first electrode 132 and second electrode 138 is short-circuited by a conductive spacer (114) the buffer 133 is formed to.

상기 격벽(134)은 인접하는 각 서브픽셀을 분리하는 역할을 수행하는 것으로, 도시된 바와 같디 상기 버퍼(133) 상에 역 테이퍼(taper) 형상으로 형성된다. The partition wall 134 that serves to separate the sub-pixels adjacent to each other, are formed in the illustrated gatdi described reverse taper (taper) shape on the buffer 133.

상기 유기전계발광층(136)은 제 1 캐리어 전달층(136a), 발광층(136b), 제 2 캐리어 전달층(136c)가 차례대로 적층된 구조로 이루어지며, 상기 제 1, 2 캐리어 전달층(136a, 136c)은 발광층(136b)에 전자(electron) 또는 정공(hole)을 주입(injection) 및 수송(transporting)하는 역할을 한다. The organic light emitting layer 136 is a first carrier transfer layer (136a), a light emitting layer (136b), the second consists of the stacked structure as a carrier transport layer (136c) is in turn, the first and second carrier transport layer (136a , 136c) serves to infusion (injection) and transport (transporting) e (electron) or a hole (hole) in the light emitting layer (136b).

상기 제 1, 2 캐리어 전달층(136a, 136c)은 양극 및 음극의 배치구조에 따라 정해지는 것으로, 한 예로 상기 발광층(136b)이 고분자 물질에서 선택되고, 제 1 전극(132)을 양극, 제 2 전극(138)을 음극으로 구성하는 경우에는 제 1 전극(132)과 연접하는 제 1 캐리어 전달층(136a)은 정공주입층, 정공수송층이 차례대로 적층된 구조를 이루고, 제 2 전극(138)과 연접하는 제 2 캐리어 전달층(136c)은 전자주입층, 전자수송층이 차례대로 적층된 구조로 이루어진다. The first and second carrier transport layer (136a, 136c) is to be set according to the arrangement of the positive and negative electrodes, for example the light-emitting layer (136b) is selected from the polymer material, the positive electrode of the first electrode 132, the when configuring the second electrode 138 as a cathode, the first carrier transfer layer (136a) for concatenating the first electrode 132 may achieve a laminated structure in this order a hole injection layer, a hole transport layer, a second electrode (138 ), the second carrier transport layer (136c) and for connecting and is made of an electron injection layer, an electron transporting layer stacked in this order.

또한, 상기 유기전계발광층(136)은 고분자 물질 또는 저분자 물질로 형성할 수 있는데, 저분자 물질로 형성하는 경우는 진공 증착법을 통해 형성하고, 고분자 물질로 형성하는 경우는 잉크젯 방법을 통해 형성하게 된다. In addition, the organic light emitting layer 136 may be formed of a polymer material or a low-molecular substances, in the case of forming a low-molecular material is the case of forming by the vacuum deposition method to form a polymer material is formed over the ink-jet method.

그리고, 상기 어레이 소자(120)는 박막트랜지스터(T)를 포함하는 소자로써, 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 전류를 공급하기 위하여, 서브픽셀 단위로 제 2 전극(138)과 박막트랜지스터(T)를 연결하는 위치에 기둥형상의 전도성 스페이서(114)가 위치한다. In addition, the array elements 120 is a thin film as a device including a transistor (T), the organic light emitting diode in order to supply a current to (E), the second electrode 138 and a thin film transistor (T in the sub-pixels, ) the conductive spacer 114 of the pillar at a position located to connect.

상기 전도성 스페이서(114)는 일반적인 액정표시장치용 스페이서와 달리, 셀갭 유지 기능보다 두 기판을 전기적으로 연결시키는 것을 주목적으로 하는 것으로, 두 기판 간의 사이 구간에서 기둥형상으로 일정 높이를 가지는 특성을 갖는다. The conductive spacer 114 has a property having a contrast to a spacer for a typical liquid crystal display device, a predetermined height in a columnar shape as the primary purpose to electrically connecting the two substrates than the cell gap holding function, between the between the two substrate sections.

즉, 상기 전도성 스페이서(114)는 제 1기판(110)에 서브픽셀 단위로 구비된 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(112)과 제 2기판(130)에 구비된 제 2전극(138)을 전기적으로 연결하는 역할을 수행하는 것으로, 유기절연막 등으로 형성된 기둥형상의 스페이서에 금속이 입혀진 것이며, 이는 제 1, 2기판(110, 130)의 픽셀을 일대일로 합착하여 전류를 통하게 하는 역할을 한다. That is, the second electrode 138 provided in the conductive spacer 114 is a drain electrode 112 and the second substrate 130 of the thin film transistor (T) provided to the sub-pixels on the first substrate (110) to play a role of electrically connecting, is based on a metal to the spacer of the pillar formed of the organic insulation film coated, which serves to run through the current by laminating the pixels of the first and second substrate (110, 130) one-to-one .

상기 전도성 스페이서(114)와 박막트랜지스터(T)의 연결부위를 좀 더 상세히 설명하면, 박막트랜지스터(T)를 덮는 영역에 드레인 전극(112)을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(122)을 가지는 보호층(124)이 형성되어 있고, 보호층(124) 상부에는 드레인 콘택홀(122)을 통해 드레인 전극(112)과 연결되어 전도성 스페이서(114)가 위치한다. If more detail the connection portion of the conductive spacer 114 and the thin film transistor (T), a protective layer having a thin film transistor drain contact hole 122 which portion exposes the drain electrode 112 in a region that covers the (T) 124 is formed, and, the protective layer 124, the upper part is located a drain contact connected to the drain electrode 112 through the hole 122, the conductive spacer (114).

여기서, 상기 박막트랜지스터(T)는, 상기 유기전계발광 다이오드(E)와 연결되는 구동용 박막트랜지스터에 해당된다. Here, the thin film transistor (T) is, corresponds to a driving thin film transistor connected to the organic light emitting diode (E).

상기 전도성 스페이서(114)의 외부를 이루는 금속은 전도성 물질에서 선택되며, 바람직하기로는 연성을 띠고, 비저항값이 낮은 금속물질에서 선택되는 것이 바람직하다. Wherein the conductive metal forming the exterior of the spacer (114) is selected from conductive material, it is preferred that preferably tinged the malleable, the specific resistance value is selected in the lower metal material.

그리고, 상기 유기전계발광층(136)에서 발광된 빛을 제 2 기판(130) 쪽으로 발광시키는 상부발광방식인 것을 특징으로 한다. Then, the light emitted from the organic light emitting layer 136, wherein the top emission system to emit light toward the second substrate 130.

이에 따라, 상기 제 1 전극(132)은 투광성을 가지는 도전성 물질에서 선택되는 것을 특징으로 하고, 상기 제 2 전극(138)은 불투명 금속물질에서 선택되는 것이 바람직하다. Accordingly, the first electrode 132 is being selected from a conductive material having a light transmitting property and the second electrode 138 is preferably selected from non-transparent metallic material.

또한, 상기 제 1, 2 기판(110, 130)간의 이격공간(I)은 비활성 기체 또는 절연성 액체로 채워질 수 있다. Further, the spaced space (I) between the first and second substrates 110 and 130 may be filled with an inert gas or an insulating liquid.

도면으로 제시하지 않았지만, 상기 어레이 소자(120)는 주사선과, 주사선과 교차하며, 서로 일정간격 이격되는 신호선 및 전력 공급선과, 주사선과 신호선이 교차하는 지점에 위치하는 스위칭 박막트랜지스터 그리고, 스토리지 캐패시터를 더욱 포함한다. Although not presented in the figure, the array elements 120 has a switching thin film transistor which is located in the point that intersects the scan line and, to intersect the scanning lines, and a predetermined interval being spaced signal lines and the power supply line and the scanning line and the signal line to each other and, a storage capacitor further comprising.

이와 같은 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자는, 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드 소자를 서로 다른 기판 상에 구성하기 때문에, 기존의 어레이 소자와 유기전계발광 다이오드 소자를 동일 기판 상에 형성하는 경우와 비교할 때, 어레이 소자의 수율에 유기전계발광 다이오드 소자가 영향을 받지 않아 각 소자의 생산관리 측면에서도 양호한 특성을 나타낼 수 있다. The dual-panel organic electroluminescent device of the same type, the array elements and because the configuration of the organic light emitting diode devices on different substrate, compared to the case of forming a conventional array element and an organic light emitting diode devices on a common substrate when, it does not have the organic light emitting diode elements influence the yield of the array elements can exhibit good characteristics in terms of production management of each device.

또한, 전술한 조건 하에서 상부발광방식으로 화면을 구현하게 되면, 개구율을 염두하지 않고 박막트랜지스터를 설계할 수 있어 어레이 공정효율을 높일 수 있고, 고개구율/고해상도 제품을 제공할 수 있으며, 듀얼 패널(dual panel) 타입으로 유기전계발광 다이오드 소자를 형성하기 때문에, 기존의 상부발광방식보다 외기를 효과적으로 차단할 수 있어 제품의 안정성을 높일 수 있다. Furthermore, when the implementation of the screen to the top emission system under the above conditions, without contemplating the opening ratio can be designed for a thin film transistor can be increased to the array process efficiency, and can provide an opening ratio / High resolution product, the dual panel ( because of forming the organic light emitting diode device with dual panel) type, it is possible to block the outside air than the conventional top emission type effectively can increase the stability of the product.

또한, 종래의 하부발광방식 제품에서 발생되었던 박막트랜지스터 설계에 대해서도 유기전계발광 다이오드 소자와 별도의 기판에 구성함에 따라, 박막트랜지스터 배치에 대한 자유도를 충분히 얻을 수 있고, 유기전계발광 다이오드 소자의 제 1 전극을 투명 기판 상에 형성하기 때문에, 기존의 어레이 소자 상부에 제 1 전극을 형성하는 구조와 비교해볼 때, 제 1 전극에 대한 자유도를 높일 수 있는 장점을 가지게 된다. In addition, as also in the thin-film transistor design that were generated in the conventional bottom emission type product configuration to the organic light emitting diode device and a separate substrate, it is possible to sufficiently obtain a degree of freedom to the thin film transistor array, a first of the organic light emitting diode device because of forming an electrode on a transparent substrate, when compared to the structure that forms the first electrode of the array element in the conventional upper, and have the advantage of increasing the degree of freedom with respect to the first electrode.

상기 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에서, 상기 유기전계발광층(136)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 앞서 설명한 바와 같이 잉크젯 방식을 통해 형성하는데, 이 때 잉크젯 고분자 물질로 유기전계발광층(136)을 형성할 때는 잉크가 버퍼 외부로의 넘침(overflow) 현상을 방지하고, 버퍼 내의 발광영역 안에 한정시켜 필름의 프로파일(profile) 및 두께를 조절해야 하기 때문에 유기전계발광층의 소수처리가 필수적이다. In the organic electroluminescent device of the dual-panel type, the case of forming the organic light emitting layer 136, a polymer material, the organic electroluminescence layer 136 in this case an ink jet polymer material, to form over the ink-jet method, as described previously the small number of processes of the organic light emitting layer is necessary because when the ink is formed to prevent the overflow (overflow) of the developing buffer to the outside, which was limited in the light emitting region in the buffer need to adjust the profile (profile), and the thickness of the film.

그러나, 앞서 도 2에 도시된 구조의 경우 버퍼 상에 형성된 격벽이 역 테이퍼 형상으로 이루어져 있으므로, 측면의 소수처리가 어려우며, 이에 따라 상기 유기전계발광층을 이루는 고분자 물질 잉크가 상기 역 테이퍼 형상의 격벽 측면으로 편향되어 흘러 들어가기 쉬우며, 이로 인해 각 서브픽셀 간 overflow 및 제 2전극 연결로 인한 흑화 현상, 유기전계발광층 필름의 두께 조절 통제 어려움에 따른 발광 불균일이 발생되고, 이는 결과적으로 유기전계발광 소자의 화질 저하 등의 불량을 야기시키게 된다. However, since the above is also the case of the structure shown in the partition wall formed on the buffer consists of a reverse taper shape, it is difficult to few processing side, so that the partition wall side of the organic light emitting layer for forming high-molecular substance ink is the inverse tapered shape the easy entering biased flow, and which causes the emission unevenness of the respective sub-pixels between the overflow and a second electrode connected to the blackening phenomenon, the thickness adjustment control difficulty of the organic light emitting layer film due to the occurrence, which as a result of the organic EL device thereby causing defects such as image deterioration.

도 3은 도 2의 특정 부분(A)에 대한 상세 단면도이고, 도 3을 통해 이를 보다 상세히 설명하도록 한다. Figure 3 to be described in more detail with reference to FIG it is detailed cross-sectional view of a characteristic part (A) of Fig. 2, Fig.

도 3을 참조하면, 듀얼 패널 타입 유기전계발광 소자의 제 2기판(130)의 제 1 전극(132) 상에 형성되는 버퍼(133)는 각 서브픽셀 내의 발광영역을 구획하는 역할을 하는 것으로, 상기 버퍼(133) 내부 영역에 유기전계발광층(136)이 형성된다. 3, the buffer 133 is formed on the first electrode 132 of the dual-panel type of the second substrate 130 of the organic electroluminescent device that serves to divide the light-emitting region in each sub-pixel, the buffer 133, the organic electroluminescent layer 136 is formed inside the region.

또한, 상기 버퍼(133)의 상부영역에는 역 테이퍼 형상의 격벽(134)이 형성되는데, 상기 격벽(134)은 인접한 각 서브픽셀을 분리하는 역할을 하는 것으로, 상기 유기전계발광층(136) 상에 형성되는 제 2전극(138)이 각 서브픽셀 별로 연결되지 않아 전도성 스페이서(미도시)에 의해 그에 대응되는 제 1기판(110)의 박막트랜지스터로부터 소정의 독립된 화소 전압을 제공받게 된다. Further, on the upper area of ​​the buffer 133, the partition wall 134 of the inverse tapered shape is formed, the partition wall 134 that serves to separate the respective sub-pixels adjacent to the organic light emitting layer 136 the second electrode 138 to be formed is received from the transistor of the first substrate 110 corresponding thereto by a (not shown) conductive spacer not connected to each sub-pixel providing a predetermined voltage independent pixels.

단, 상기 구조로 제 2기판이 형성될 경우 상기 버퍼(133) 상에 형성된 격벽(134)이 역 테이퍼 형상으로 이루어져 있으므로, 측면의 소수처리가 어렵다는 문제가 있다. However, since if the second substrate formed of the structure of the partition wall 134 formed on the buffer 133 is composed of inverse tapered shape, it is the small number of treatment aspects difficult problem.

이에 따라 상기 유기전계발광층(136)을 이루는 고분자 물질 잉크가 상기 역 테이퍼 형상의 격벽 측면으로 편향되어 흘러 들어가기 쉬우며, 이로 인해 각 서브픽셀 간 overflow 및 제 2전극(138) 연결로 인한 흑화 현상, 유기전계발광층(136) 필름의 두께 조절 통제 어려움에 따른 발광 불균일이 발생되고, 이는 결과적으로 유기전계발광 소자의 화질 저하 등의 불량을 야기시키게 되는 것이다. Accordingly, it said polymer material ink forming the organic light emitting layer 136 is easy to flow is deflected by the partition wall side of the reverse tapered shape, resulting in blackening due to each sub-pixel connection between overflow and a second electrode 138, developer, the non-uniform light emission of the organic light emitting layer 136, the thickness control difficult control of the film is generated, as will be thereby consequently leading to defects such as image deterioration of an organic EL device.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 극복하기 위해 창출된 것으로 이하 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하도록 한다. The invention shall be described in more detail with reference to the drawings to be created in order to overcome the above problems.

도 4는 본 발명에 의한 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 개략적인 단면도이고, 도 5는 도 4의 특정 부분(B)에 대한 상세 단면도이다. 4 is a schematic cross-sectional view of the organic EL device of the dual-panel type according to the invention, Figure 5 is a detailed cross-sectional view of a characteristic part (B) of FIG.

단, 도 2와 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하며, 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하도록 한다. However, also uses the same reference numerals for the same components as the second, description of the same components will be omitted.

본 발명은 듀얼 패널 타입 유기전계발광 소자에 있어서, 제 2기판의 버퍼 상에 형성된 역 테이퍼 형상의 제 1격벽에 인접한 영역에 라운드 테이퍼 형상의 제 2격벽을 추가 형성함으로써, 고분자 물질로 이루어지는 유기전계발광층을 균일하게 형성할 수 있도록 함을 그 특징으로 한다. The present invention relates to a dual-panel type organic electroluminescent device, since the additional forming a second partition wall of a round tapered shape in an area adjacent to the first bank of the reverse tapered shape formed on the buffer of the second substrate, an organic electroluminescence comprising a polymer material and in that characterized in that to uniformly form a light emitting layer.

이 때, 상기 제 2격벽은 각 서브픽셀의 발광영역을 구획하는 버퍼의 상부에 각 서브픽셀을 둘러싸는 타입(well type)으로 형성되는 것으로, 상기 제 2 격벽은 역 테이퍼 형상의 제 1격벽 내측에 구비됨을 특징으로 한다. At this time, the second bank is to be formed to each sub-pixel type (well type) enclosing the in the upper part of a buffer for dividing a light emitting region of each sub-pixel, an inside of the second bank is the first bank of the inverse tapered shape and it characterized in that provided in the.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 유기전계발광 소자는, 제 2기판(530)의 투명 기판(101) 상에 유기전계발광 다이오드(E)의 제 1전극(132)이 전면에 형성되어 있으며, 상기 제 1전극(132)의 상부의 소정 영역 즉, 각 서브픽셀을 구획하는 서브픽셀의 외곽 영역에 버퍼(533)가 형성되고, 상기 버퍼(533)가 형성된 영역 상에 제 1격벽(534) 및 제 2격벽(535)이 형성된다. 4 and the organic light emitting device according to the present invention, the first electrode 132 of the second substrate an organic light emitting on a transparent substrate 101 of the 530 diodes (E) as shown in Figure 5 is is formed over the entire surface, the second, and the predetermined area, that is, the buffer 533 in the outer region of the sub-pixels defining each sub-pixel in the upper portion of the first electrode 132 formed on a region of the buffer 533 is formed claim the first bank 534 and the second bank 535 are formed.

여기서, 상기 버퍼(533)는 각각의 서브 픽셀 내의 유기전계발광층(136)이 형성되는 영역을 정의하는 역할을 수행한다. Here, the buffer 533 serves to define the region where the organic light emitting layer 136 in each of the sub-pixels forming.

즉, 버퍼(533)가 상기 제 1전극(132) 상의 소정의 영역에 형성됨으로써, 각 서브 픽셀의 영역을 구획하며, 또한, 유기전계 발광층(136)은 각 서브 픽셀에 있어서 상기 버퍼(533)에 의해 정의된 영역 내에서만 형성된다. That is, the buffer 533 is being formed in a predetermined area on the first electrode 132, and dividing the area of ​​each sub-pixel, and also, the organic electroluminescent layer 136 is the buffer 533 in each sub-pixel a is formed only within the area defined by the.

또한, 상기 제 1격벽(534) 및 제 2격벽(535)은 각 서브픽셀에 형성되는 제 2전극(138)을 각 서브픽셀 별로 분리하는 역할을 수행하며, 상기 제 1격벽(534)의 내측으로 제 2격벽(535)이 형성된다. Further, the inner side of the first bank 534 and the second bank 535, and serves to separate the second electrode 138 is formed on each of the sub-pixels in each sub-pixel, the first bank 534 with a second partition wall 535 is formed.

여기서, 상기 제 1격벽(534)은 역 테이퍼(taper) 형상으로 형성되고, 상기 제 2격벽(535)은 라운드 테이퍼 형상으로 이루어짐을 특징으로 한다. Here, the first partition wall 534 is formed with a reverse taper (taper) shape, the second partition wall 535 is characterized by a tapered shape constituted by any round.

앞서 설명한 바와 같이 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자에 있어, 상기 유기전계발광층(136)을 고분자 물질로 형성하는 경우 잉크젯 방식을 통해 형성하는데, 이 때 잉크젯 고분자 물질로 유기전계발광층(136)을 형성할 때는 잉크가 버퍼 외부로의 넘침(overflow) 현상을 방지하고, 버퍼 내의 발광영역 안에 한정시켜 필름의 프로파일(profile) 및 두께를 조절해야 하기 때문에 유기전계발광층의 소수처 리가 필수적이다. In the organic EL device of the dual-panel type, as described previously, to form over the ink-jet method in the case of forming the organic light emitting layer 136, a polymer material, this time to form an organic EL layer 136 to the ink jet polymer material ink prevent overflow (overflow) of the developing buffer to the outside when, which was limited in the light emitting region in the buffer because the need to adjust the profile (profile), and the thickness of the film is essentially small number to which the organic light emitting layer Riga.

이 경우 상기 버퍼(533) 상에 형성된 제 1격벽(534)은 도시된 바와 같이 역 테이퍼 형상으로 이루어져 있어 측면의 소수처리가 어려우며, 이에 따라 상기 유기전계발광층을 이루는 고분자 물질 잉크가 상기 역 테이퍼 형상의 격벽 측면으로 편향되어 흘러 들어가기 쉽게 된다는 문제가 있다. In this case, the first partition wall 534 formed on the buffer 533 is illustrated here consists of a reverse taper shape, as it is difficult to few processing side, whereby the high-molecular substance ink forming the organic light emitting layer wherein the reverse tapered along the partition wall is deflected into the side there is a problem that flow entering easily.

본 발명은 상기 문제를 극복하기 위해 상기 제 1격벽(534)의 내측에 라운드 테이퍼 형상의 제 2격벽(535)을 추가로 형성함으로써, 측면의 소수 처리가 가능하게 하였으며, 이를 통해 상기 유기전계발광층(136)을 이루는 고분자 물질 잉크가 역 테이퍼 형상의 제 1격벽(534) 측면으로 편향되어 흘러 들어가는 문제를 극복할 수 있도록 하였다. The present invention, by forming an additional inside the second bank (535) of a round tapered shape in the first partition wall 534 in order to overcome the above problems, was to enable a small number of processing on the side, which the organic light emitting layer through 136, the forming was to overcome the problems polymeric substance ink flows is deflected in a first partition wall 534, the side of the reverse tapered shape.

즉, 상기 제 2격벽(535)은 상기 역 테이퍼 형상의 제 1격벽(534)에 의한 잉크 편향(sttraction)의 차폐효과를 얻을 수 있게 되는 것이다. That is, the second partition wall 535 is to be possible to obtain the shielding effect of the ink deflector (sttraction) by the first partition wall 534 of the inverse tapered shape.

결과적으로 상기 제 2격벽(535)을 제 1격벽(534) 내측에 형성함으로써, 각 서브픽셀 간 overflow 및 제 2전극(138) 연결로 인한 흑화 현상, 유기전계발광층 필름의 두께 조절 통제 어려움에 따른 발광 불균일 문제를 극복할 수 있으며, 이를 통해 유기전계발광 소자의 화질 향상을 이룰 수 있게 된다. As a result, the second partition wall 535, the first partition wall 534 formed on the inner side, in accordance with each sub-pixel between the overflow and the second electrode 138 to the blackening phenomenon, the thickness adjustment control difficulty of the organic light emitting layer film due connected and to overcome the problem non-uniform light emission, it is possible to achieve the image quality enhancement of the organic EL device through.

또한, 상기 각 서브픽셀 별 버퍼(533) 내의 영역에 유기전계 발광층(136)이 형성되고, 상기 유기전계발광층(136)을 포함한 제 2기판 상에 제 2전극(138)이 형성된다. In addition, the organic light emitting layer 136 in the region in the respective sub-pixel-by-pixel buffer 533 is formed, a second electrode 138 on the second substrate including the organic light emitting layer 136 is formed.

여기서, 상기 유기전계발광층(136)은 고분자 물질로 형성됨을 특징으로 하 며, 상기 제 2전극(138)은 제 1, 2격벽(534, 535)에 의해 각 서브픽셀 별로 나뉘어 지므로 결과적으로 화소전극의 역할을 수행하게 된다. Here, the organic light emitting layer 136 is said to feature a formed of a polymer material, the second electrode 138 is therefore divided for each sub-pixel by the first and second partition walls (534, 535) As a result, the pixel electrode the role is performed. 또한, 전도성 스페이서(114)는 금속 재질로 형성되어 있으므로, 상기 제 2전극(138)과 전기적으로 연결된 상태에 있다. In addition, the conductive spacer 114, because it is formed of a metal material, and the second electrode 138 and electrically connected state.

또한, 제 1기판(110) 상에 형성된 어레이 소자(120)는 구동 박막트랜지스터(T)를 포함하는 소자로써, 제 2기판(530) 상에 형성된 상기 유기전계발광 다이오드(E)에 전류를 공급하기 위하여, 상기 전도성 스페이서(114)를 통해 각 서브픽셀에 구비된 구동 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(112)과 전기적으로 연결된다. Further, the first supply current to the substrate 110 is formed on the array device 120, a driving thin film transistor (T) the organic light emitting diode (E) formed on as a element, the second substrate 530 including the , it is electrically connected to the drain electrode 112 of the driving thin film transistor (T) provided in each sub-pixel through the conductive spacer 114 to.

즉, 소수화가 불충분한 역 테이퍼 형상의 제 1격벽 내측으로 라운드 테이퍼 형상의 제 2격벽을 추가로 형성함으로써, 측면 소수처리가 가능하게 되어 제 1격벽 측면에 의한 유기전계발광층을 형성하는 고분자 물질의 편향 현상을 극복함으로써, 발광영역을 한정하는 버퍼 내부에 상기 잉크가 한정되지 못하고 쉽게 넘치는 현상을 방지할 수 있게 되어, 결과적으로 도시된 바와 같이 각 서브픽셀 간 overflow 및 제 2전극 연결로 인한 흑화 현상, 유기전계발광층 필름의 두께 조절 통제 어려움에 따른 발광 불균일 문제를 극복할 수 있으며, 이를 통해 유기전계발광 소자의 화질 향상을 이룰 수 있게 된다. That is, by forming further the second bank of the round tapered shape with a first partition wall inside the hydrophobic Insufficient reverse tapered shape, it is capable of lateral few processing of the polymer material that forms the organic light emitting layer with the side first bank by overcoming the biasing phenomenon, not that the ink is not limited to a buffer inside to define a light emitting region easy to be able to prevent full development, resulting in showing a blackening phenomenon due to each of the sub-to-pixel overflow and a second electrode connected as , it is possible to overcome the problem non-uniform light emission in accordance with the thickness adjustment control difficulty of the organic light emitting layer film, it is possible to achieve the image quality enhancement of the organic EL device through.

도 6a 및 도 6b는 도 4에 도시된 본 발명에 의한 듀얼 패널 타입의 유기전계발광 소자의 제 2기판에 대한 개략적인 평면도로서, 설명의 편의상 하나의 픽셀 영역(즉, 3개의 서브픽셀)을 중심으로 도시하였다. Figure 6a and Figure 6b is a schematic plan view of a second substrate of the organic EL device of the dual-panel type according to the invention shown in Figure 4, the convenience, a pixel region (i.e., three sub-pixels) of the description It is shown as the center.

단, 이는 본 발명의 실시예에 불과한 것으로, 상기 구조 이외의 다양한 구조가 본 발명에 적용될 수 있는 것이다. However, this only as an embodiment of the present invention, there is a variety of structures other than the above structure can be applied to the present invention.

도 6a를 참조하면, 각각의 서브픽셀은 버퍼(533) 및 제1, 2격벽(534, 535)에 의해 서로 구획, 분리되어 있으며, 상기 각 서브픽셀의 버퍼(533) 내 영역에 발광영역(800)으로서의 유기전계발광층이 형성되어 있다. Referring to Figure 6a, each of the subpixel buffers 533, and the first and second partition walls (534, 535) by which the each compartment, and separate, each of the buffers of the sub-pixel 533, a light emitting region in the region ( 800) and the organic electroluminescent layer is formed as a.

즉, 상기 버퍼(533)는 각 서브픽셀의 발광영역(800)을 구획하도록 형성되고, 상기 버퍼(533)의 소정 영역에 상기 제 1, 2격벽(534, 535)이 형성되는 것이며, 상기 제 1, 2격벽(534, 535)은 각각의 서브픽셀을 분리하는 역할을 수행하는 것이다. That is, the buffer 533 is formed so as to partition the light-emitting region 800 of the sub-pixels, will in a predetermined area of ​​the buffer 533 at which the first and second partition walls (534, 535) formed in the first 1, the second bank (534, 535) is to perform a role of separating the respective sub-pixels.

여기서, 제 1기판의 각 서브픽셀에 구비된 전도성 스페이서와 접촉되는 부분(810)은, 상기 유기전계발광층이 고분자 물질로 형성되는 경우 고분자 잉크의 흐름을 방해하지 않아 균일한 필름을 얻을 수 있도록 제 2기판 상의 발광영역(800) 외부에 형성한다. Here, the part 810 in contact with the conductive spacer provided in each of the sub-pixels of the first substrate, in the case where the organic light emitting layer formed of a polymer material does not interrupt the flow of polymer inks claim to obtain a uniform film a light emitting region 800 on the second substrate to form on the outside.

또한, 도 6b를 참조하면, 각각의 서브픽셀은 각 서브픽셀에 대응하여 다각형 구조로 형성되는 버퍼(533)와, 각각의 서브픽셀이 분리되도록 상기 버퍼 상의 외곽 영역에 형성되는 제 1, 2격벽(534, 535)과, 상기 각 서브픽셀의 버퍼 내측에 위치하며, 모서리부가 라운드 처리된 발광영역(800)과, 상기 다각형 구조 버퍼의 일측으로부터 돌출된 영역 상에 위치하는 전도성 스페이서 접촉부(810)가 포함되어 구성된다. Also, Referring to Figure 6b, each sub-pixel and the buffer 533 to be in correspondence with each sub-pixel formed of a polygon structure, the first and second barrier ribs formed on the outer region of the buffer such that each sub-pixel is separated (534, 535) and, wherein located in the buffer inside of each sub-pixel, the edge portion conductive spacer contact portions 810 positioned on the projecting region from the round processing the light-emitting region 800, one side of the polygonal structure, the buffer is configured is contained.

상기 구조는 각 서브픽셀의 외곽이 다각형 구조로 형성되고, 상기 서브픽셀 내 발광영역(800)의 모서리가 라운드 처리되며, 제 1기판의 어레이 소자와 연결토 록 하는 전도성 스페이서의 접촉부(810)가 상기 다각형 구조의 서브픽셀 모서리 일측에 형성됨을 특징으로 한다. The structure of the contact portion 810 of the conductive spacer to each of the outside of the sub-pixel being formed of a polygon structure, the sub and the edge of the pixel within the light emitting region 800 is rounded, connected soil and the array element of the first substrate lock characterized by a formed on one side of the polygon edge sub-pixel structure.

단, 도 6a 및 6b에 도시된 실시예의 경우 상기 전도성 스페이서 접촉부(810)가 상기 발광영역(800) 내에 위치하지 않도록 하기 위해 제 1기판 및 제 2기판이 일정간격 미스얼라인(misalign) 되도록 합착될 수 있다. However, Figure 6a and the case of the embodiment shown in 6b and the conductive spacer contact portions 810 are attached to each other such that the first substrate and the second substrate is a predetermined distance miss alignment (misalign) in order not located within the light emitting region (800) It can be.

도 7a 내지 도 7f는 본 발명에 의한 유기전계발광 소자의 제조 공정을 나타내는 공정단면도이다. Figures 7a-7f are cross-sectional views showing steps of manufacturing the organic light emitting device according to the present invention. 단, 이는 도 4에 도시된 단면도를 중심으로 도시된 것이다. However, as will shown around the cross-section shown in FIG.

먼저 도 7a를 참조하면, 제 1 기판(110) 상에 어레이 소자(120)가 형성된다. Referring first to Figure 7a, the array elements 120 is formed on the first substrate (110).

일 례로 상기 어레이 소자(120)를 구성하는 박막트랜지스터(T)가 도시된 바와 같이 폴리 실리콘 박막트랜지스터인 경우, 상기 단계는 투명 기판(100) 상에 버퍼층을 형성하는 단계와, 버퍼층 상부에 반도체층 및 캐패시터 전극을 형성하는 단계와, 반도체층 상부에 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 캐패시터 전극 상부에 위치하며, 상기 소스 전극과 연결되는 파워 전극을 형성하는 단계를 포함한다. One in turn the array if the elements thin film transistors (T) constituting the (120) of the polysilicon thin film transistor As shown, the stage includes a semiconductor layer on the step and the buffer layer upper to form a buffer layer on a transparent substrate 100, and forming a capacitor electrode, and a gate electrode, it is located in step with the capacitor electrode above to form the source and drain electrode on the upper semiconductor layer, and forming a power electrode electrically connected with the source electrode.

또한, 상기 박막트랜지스터(T)를 덮는 영역에 드레인 전극(112)을 일부 노출시키는 드레인 콘택홀(122)을 가지는 보호층(124)이 형성되어 있고, 보호층(124) 상부에는 드레인 콘택홀(122)을 통해 드레인 전극(112)이 노출된다. Further, and thin film transistors protective layer 124 having a drain contact hole 122 which portion exposes the drain electrode 112 in a region that covers the (T) is formed, a protective layer 124, the upper part a drain contact hole ( 122) to the drain electrode 112 is exposed through.

상기 드레인 전극(112)은 추후 제 2기판 상에 형성될 전도성 스페이서(114)와 접촉되어 결과적으로 제 1기판(110)과 제 2기판을 전기적으로 연결하는 역할을 하게 된다. The drain electrode 112 is responsible for a second in contact with the conductive spacer 114 to be formed on the substrate resulting in electrically connecting the first substrate 110 and the second substrate later. 단, 상기 드레인 전극(112) 상에 전기적 연결패턴이 형성되어 상기 전기적 연결패턴이 전도성 스페이서(114)와 접촉되도록 형성할 수도 있다. However, this electrical connection pattern on the drain electrode 112 are formed may be formed such that the electrical connection pattern in contact with the conductive spacer (114).

상기 전도성 스페이서(114)는 제 1기판(110) 상의 어레이 소자(T)가 형성된 후 제 1기판(110) 상에 형성되는 것이 바람직하다. The conductive spacer 114 may be formed on the array device first substrate 110 after (T) is formed on the first substrate (110).

다음으로 도 7b에 도시된 바와 같이, 제 2기판의 투명기판(101) 상에 유기전계발광 다이오드의 제 1전극(132)이 형성된다. The Next, the first electrode 132 of the organic light emitting diode on a transparent substrate 101 of the second substrate as shown in Figure 7b is formed.

이 때, 상기 제 1전극(132)은 투명 도전물질로서 ITO(Indium-Tin-Oxide) 전극이 사용되는 것이 바람직하다. At this time, the first electrode 132 is preferably ITO (Indium-Tin-Oxide) electrode is used as a transparent conductive material.

다음으로 도 7c에 도시된 바와 같이 상기 제 1전극(132)의 상부의 소정 영역 즉, 각 서브픽셀을 구획하는 서브픽셀의 외곽 영역에 버퍼(533)가 형성되고, 상기 버퍼(533)가 형성된 영역 상에 제 1격벽(534) 및 제 2격벽(535)이 형성된다. Next is formed in the buffer 533 in the outer region of the sub-pixels for dividing the upper predetermined area that is, each sub-pixel of the first electrode 132 as shown in Figure 7c, the buffer 533 is formed the first bank 534 and the second bank 535 are formed on the region.

여기서, 상기 버퍼(533)는 각각의 서브 픽셀의 영역을 구획하는 역할 및 유기전계 발광층이 형성되는 영역을 정의하는 역할을 수행한다. Here, the buffer 533 serves to define the area in which the role and an organic electroluminescent layer which defines a region of each sub-pixel is formed.

즉, 버퍼(533)가 상기 제 1전극(132)의 외곽부에 형성됨으로써, 각 서브 픽셀의 영역을 구획하며, 또한, 유기전계 발광층은 각 서브 픽셀에 있어서 상기 버퍼(533)에 의해 정의된 영역 내에서만 형성된다. The words, the buffer 533 is being formed on the outer portion of the first electrode 132, and dividing the area of ​​each sub-pixel, and an organic electroluminescent layer is defined by the buffer 533 in each sub-pixel It is formed only in the region.

또한, 상기 제 1격벽(534) 및 제 2격벽(535)은 각 서브픽셀에 형성되는 제 2전극을 각 서브픽셀 별로 분리하는 역할을 수행하며, 상기 제 1격벽(534)의 내측으로 제 2격벽(535)이 형성된다. Further, the inside in the second of the first bank 534 and the second bank 535, and serves to separate the second electrode formed on each of the sub-pixels in each sub-pixel, the first bank 534 the partition wall 535 is formed.

여기서, 상기 제 1격벽(534)은 역 테이퍼(taper) 형상으로 형성되고, 상기 제 2격벽(535)은 라운드 테이퍼 형상으로 이루어짐을 특징으로 한다. Here, the first partition wall 534 is formed with a reverse taper (taper) shape, the second partition wall 535 is characterized by a tapered shape constituted by any round.

이와 같이 상기 제 1격벽(534)의 내측에 라운드 테이퍼 형상의 제 2격벽(535)을 추가로 형성함으로써, 측면의 소수 처리가 가능하며, 이를 통해 상기 유기전계발광층을 이루는 고분자 물질 잉크가 역 테이퍼 형상의 제 1격벽 측면으로 편향되어 흘러 들어가는 문제를 극복할 수 있게 된다. Thus, the first formed by adding the second bank (535) of a round tapered shape on the inner side of the first bank 534, it is possible a small number of treatment aspect, this constituting the organic electroluminescence layer polymer material ink is reverse tapered through It is deflected in the first bank side of the shape it is possible to overcome the problem that flows.

즉, 상기 제 2격벽(535)은 상기 역 테이퍼 형상의 제 1격벽(534)에 의한 잉크 편향(sttraction)의 차폐효과를 얻을 수 있다. That is, the second bank 535 may obtain the shielding effect of the ink deflector (sttraction) by the first partition wall 534 of the inverse tapered shape.

결과적으로 상기 제 2격벽(535)을 제 1격벽(534) 내측에 형성함으로써, 각 서브픽셀 간 overflow 및 제 2전극 연결로 인한 흑화 현상, 유기전계발광층 필름의 두께 조절 통제 어려움에 따른 발광 불균일 문제를 극복할 수 있으며, 이를 통해 유기전계발광 소자의 화질 향상을 이룰 수 있게 된다. As a result, the second partition wall 535, the first partition wall 534 cross to form the inner side, each subpixel overflow and second blackening due to electrode connection, the light emitting unevenness problem of the thickness adjustment control difficulty of the organic light emitting layer film It can be overcome, and it is possible to achieve the image quality enhancement of the organic EL device through.

다음으로는 도 7d에 도시된 바와 같이 유기전계 발광층(136)이 각 서브 픽셀에 있어 상기 버퍼(533)에 의해 정의된 영역 내에서 형성된다. Next it is formed within the area defined by the buffer 533, the organic electroluminescence layer 136 in each sub-pixel as shown in Figure 7d.

여기서, 상기 유기전계발광층(136)은 고분자 물질로 형성됨을 특징으로 하며, 상기 제 1전극(132)이 양극(anode), 제 2전극이 음극(cathode)로 가정할 경우, 정공 전달층(136a), 발광층(136b), 전자 전달층(136c)가 차례대로 적층된 구조로 이루어지며, 상기 정공/전자 전달층(136a, 136c)은 발광층(136b)에 정공(hole) 또는 전자(electron)를 주입(injection) 및 수송(transporting)하는 역할을 한다. Here, the organic light emitting layer 136 is characterized by formed of a polymer material, if it is assumed in the first electrode 132 is a positive electrode (anode), the second electrode is a negative electrode (cathode), a hole transport layer (136a ), a light emitting layer (136b), an electron transport layer (136c) is in turn composed of a laminated structure, the hole / electron transport layer (136a, 136c) has a hole (hole) or e (electron) in the light emitting layer (136b) It serves to injection (injection) and transport (transporting). 단, 상기 유기전계발광층(136)은 저분자 물질로 형성될 수도 있다. However, the organic light emitting layer 136 may be formed of a low-molecular substances.

이 때, 상기 제 1 전극(132)과 연접하는 정공 전달층(136a)은 정공주입층, 정공수송층이 차례대로 적층된 구조를 이루고, 추후 제 2 전극과 연접하는 제 전자 전달층(136c)은 전자주입층, 전자수송층이 차례대로 적층된 구조로 이루어 질 수 있다. Here, the first hole transport layer contiguous to the first electrode (132) (136a) is a hole injection layer, a hole transport layer in turn, forms a laminated structure, the electron transport layer (136c) for concatenation and further the second electrode as an electron injection layer, an electron transporting layer stacked in this order can be achieved.

이와 같이 상기 유기전계 발광층(136)이 상기 버퍼(533) 내 영역에 형성되면, 도 7e에 도시된 바와 같이, 그 상부에 유기전계발광 다이오드의 제 2전극(138)이 형성된다. When thus the organic light emitting layer 136 is formed in the inner region of the buffer 533, as shown in Figure 7e, the upper portion of the second electrode 138 of the organic light emitting diode is formed on.

상기 제 2전극(138)은 제 1, 2격벽(534, 535)에 의해 각 서브픽셀 별로 나뉘어 지므로 결과적으로 화소전극의 역할을 수행하게 되며, 상기 전도성 스페이서(114)는 금속 재질로 형성되어 있으므로, 상기 제 2전극(138)과 전기적으로 연결된 상태에 있는 것이다. The second electrode 138, so the first and second partition walls so divided for each sub-pixel by the (534, 535) as a result is to serve as the pixel electrode, the conductive spacer 114 is formed of a metallic material and will in the second electrode 138 and electrically connected state.

또한, 상기 제 2전극(138)은 일함수가 낮은 금속 중에서 선택되는 것이 바람직한 것으로, 그 예로 알루미늄(Al) 등을 들 수 있다. In addition, the second electrode 138 has a work function and the like can be given as desirable to be selected from the lower metal, and examples thereof include aluminum (Al).

그 후 도 7f에 도시된 바와 같이 상기 제 1, 2기판(110, 530)을 합착하고, 인캡슐레이션 하게 되면 상기 제 1, 2기판(110, 530)이 서로 전기적으로 연결되며, 이는 결과적으로 상기 제 2기판(530) 상에 형성된 유기전계발광 다이오드의 제 2전극(138)과, 제 1기판(410) 상에 형성된 구동 박막트랜지스터(T)의 드레인 전극(112)이 전기적으로 연결된다. Then as shown in Figure 7f, and cementation of the first and second substrate (110, 530), wherein when the encapsulation and the first and second substrates (110, 530) are electrically connected to each other, which as a result the drain electrode 112 of the second electrode 138 and the first substrate driving thin film transistor (T) formed on a (410) of an organic light emitting diode formed on the second substrate 530 are electrically connected.

이와 같은 본 발명에 의하면, 첫째, 생산수율 및 생산관리 효율을 향상시킬 수 있고, 둘째, 상부발광 방식이기 때문에 박막트랜지스터 설계가 용이해지고 고개구율/고해상도 구현이 가능하며, 셋째, 기판 상에 유기전계발광 다이오드용 전극을 구성하기 때문에, 재료선택 폭을 넓힐 수 있으며, 넷째, 상부발광 방식이면서 인 캡슐레이션 구조이기 때문에, 외기로부터 안정적인 제품을 제공할 수 있다는 장점이 있다. According to the present invention as follows: First, it is possible to improve the production yield and production control, and, secondly, can be a thin film transistor design is easy to become high opening ratio / High Resolution implemented because the top emission type and, third, organic light on the substrate since the configuration for the LED electrodes, it is possible to broaden the width of material selection. Fourth, there is an advantage that since the encapsulation structure, yet the top emission type, can provide a stable product from the outside air.

또한, 버퍼 상에 형성된 역 테이퍼 형상의 격벽의 안측으로 라운드 테이퍼 형상의 격벽을 추가 형성함으로써, 고분자 물질로 이루어지는 유기전계발광층을 균일하게 형성할 수 있도록 한다는 장점이 있다. In addition, there is an advantage that the addition of the reverse taper forming a not round tapered toward the partition wall of the partition wall shape is formed on the buffer, to uniformly form an organic EL layer formed of a polymer material.

Claims (10)

  1. 화상이 구현되는 영역인 서브픽셀이 정의되어 있으며, 서로 일정간격 이격되어 대향되게 배치된 제 1, 2 기판과; There are areas of sub-pixels are defined on which an image is implemented, and the first and second substrate disposed opposite to each other are spaced apart a certain distance;
    상기 제 1기판에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 가지는 어레이 소자와; Array element having at least one thin film transistor formed in the sub-pixels on the first substrate;
    상기 제 2기판 내부면에 위치하는 제 1전극과; A first electrode disposed on the second substrate and the interior surface;
    상기 제 1전극 상부의 각 서브픽셀을 구획하는 외곽 영역에 형성된 버퍼와; A buffer formed in the outer region for partitioning each of the sub-pixels of the first electrode and the upper;
    상기 버퍼 상에 형성된 제 1격벽 및 제 2격벽과; A first bank and a second bank formed on the buffer;
    상기 각 서브 픽셀에서 상기 버퍼에 의해 정의된 영역 내에서 형성되는 유기전계 발광층과; An organic electroluminescent layer in the respective sub-pixels is formed within the area defined by the buffer;
    상기 유기전계 발광층이 형성된 제 2기판 상에 형성되는 제 2전극과; A second electrode formed on a second substrate on which the organic light emitting layer is formed and;
    각 서브픽셀 별로 대응되는 상기 제 1기판 상의 박막트랜지스터와 제 2기판 상의 제 2전극을 전기적으로 연결시키는 전도성 스페이서가 포함되고, Corresponding to each of sub-pixels containing the conductive spacer to electrically connect the second electrode on the thin film transistor and a second substrate on the first substrate,
    상기 제 2격벽은 라운드 테이퍼 형상으로 형성되고, The second partition wall is formed as a round tapered shape,
    상기 제2 격벽은 소수 처리되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자. The organic electroluminescent device, characterized in that the second bank is a prime treatment.
  2. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제 1격벽은 역 테이퍼(taper) 형상으로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자. The organic electroluminescent device characterized in that formed in the first partition wall is reverse taper (taper) shape.
  3. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제 2 격벽은 상기 제 1격벽 내측에 구비됨을 특징으로 유기전계 발광 소자. The second bank is an organic electroluminescent device characterized in that provided on the inner side of the first partition wall.
  4. 제 3항에 있어서, 4. The method of claim 3,
    상기 제 2격벽은 각 서브픽셀의 발광영역을 구획하는 버퍼의 상부에 각 서브픽셀을 둘러싸는 타입으로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자. The organic electroluminescent device, characterized by the second partition wall is formed as a type which surrounds the respective sub-pixels on top of the buffer for partitioning light-emitting region of each sub-pixel.
  5. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 유기전계발광층은 저분자 또는 고분자 물질로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자. The organic electroluminescent device, characterized by the organic light emitting layer is formed of a low-molecular or high-molecular substance.
  6. 제 1기판 내부면에 서브픽셀 단위로 형성된 적어도 하나의 박막트랜지스터를 갖는 어레이 소자가 형성되는 단계와; The step in which the array elements are formed with at least one thin film transistor formed in the sub-pixels on the interior surface and the first substrate;
    제 2기판의 투명기판 상에 제 1전극이 형성되는 단계와; The step in which a first electrode on a transparent substrate of the second substrate and forming;
    상기 제 1전극의 상부 영역 중 각 서브픽셀을 구획하는 서브픽셀의 외곽 영역에 버퍼가 형성되는 단계와; Step in which the buffer in the outer region of the sub-pixels defining each sub-pixel of the upper region of the first electrode is formed and;
    상기 버퍼가 형성된 영역 상에 제 1격벽 및 제 2격벽이 형성되는 단계와; Step in which the first bank and a second bank formed on the area in which the buffer is formed and;
    상기 제2 격벽이 소수 처리되는 단계와; Step the second bank is to be processed with a small number;
    상기 각 서브 픽셀에 있어 상기 버퍼에 의해 정의된 영역 내에서 유기전계 발광층이 형성되는 단계와; The step in each subpixel is the organic light emitting layer formed within the area defined by said buffer;
    상기 유기전계 발광층이 형성된 제 2기판 상에 제 2전극이 형성되는 단계와; And a step in which a second electrode formed on the second substrate on which the organic light emitting layer is formed;
    상기 제 1, 2기판이 합착되는 단계가 포함되고, The first, and contains a step in which two substrates are attached to each other,
    상기 제 2격벽은 라운드 테이퍼 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법. The method of manufacturing an organic electroluminescent device, characterized in that the second partition wall is formed in a round tapered.
  7. 제 6항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    각 서브픽셀 별로 대응되는 상기 제 1기판 상의 박막트랜지스터와 제 2기판 상의 제 2전극을 전기적으로 연결시키는 전도성 스페이서가 형성되는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법. The method of manufacturing an organic electroluminescent device characterized in that further includes the step of conducting the spacer to electrically connect the second electrode on the thin film transistor and the second substrate on the first substrate to form corresponding to each sub-pixel.
  8. 제 6항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 제 1격벽은 역 테이퍼(taper) 형상으로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조방법. The method of manufacturing an organic electroluminescent device characterized by a formed in the first partition wall is reverse taper (taper) shape.
  9. 제 6항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 제 2 격벽은 상기 제 1격벽 내측에 구비됨을 특징으로 유기전계 발광 소자의 제조방법. The second bank is method for producing an organic electroluminescent device characterized in that provided on the inner side of the first partition wall.
  10. 제 6항에 있어서, 7. The method of claim 6,
    상기 제 2격벽은 각 서브픽셀의 발광영역을 구획하는 버퍼의 상부에 각 서브픽셀을 둘러싸는 타입으로 형성됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 소자의 제조방 법. The second partition wall is made in method of the organic electroluminescent device characterized by the type formed by surrounding the respective sub-pixels on top of the buffer for partitioning light-emitting region of each sub-pixel.
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