KR101065876B1 - Coating method and coating apparatus - Google Patents

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KR101065876B1
KR101065876B1 KR1020040072641A KR20040072641A KR101065876B1 KR 101065876 B1 KR101065876 B1 KR 101065876B1 KR 1020040072641 A KR1020040072641 A KR 1020040072641A KR 20040072641 A KR20040072641 A KR 20040072641A KR 101065876 B1 KR101065876 B1 KR 101065876B1
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가와노유키히로
다나카시노부
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기다란 형태의 도포 노즐에 양호한 웨트라인을 항상 안정적으로 얻을 수 있도록 하여, 피처리기판상에 막두께가 일정하고 도포 얼룩이 없는 도포막을 형성한다.

웨트라인 바탕처리부(125)는, 앞면으로부터 레지스트액이 스며 나오도록 구성된 도포 패드(162)에 유틸리티 유니트(172)내의 레지스트액 공급부로부터 레지스트액 또는 희석레지스트액을 공급하면서, 유틸리티 유니트(172)내의 누름부에 의해 도포 패드(162)를 노즐부 배면(160)의 하반부에 소정의 압력으로 압착하면서, 직진구동부(176)의 직진구동에 의해 도포 패드(162)를 노즐길이 방향(Y방향)으로 레지스트 노즐(120)의 일끝단으로부터 다른 끝단까지 직선적으로 또한 한번에 미끄럼동작시킨다.

Figure R1020040072641

A good wet line can always be stably obtained at an elongate application nozzle, thereby forming a coating film having a constant film thickness and no coating unevenness on the substrate to be processed.

The wet line background processing unit 125 supplies the resist liquid or the diluting resist liquid from the resist liquid supply unit in the utility unit 172 to the application pad 162 configured to seep out the resist liquid from the front surface thereof. While pressing the coating pad 162 to the lower half of the nozzle portion back surface 160 by the pressing portion at a predetermined pressure, the coating pad 162 is moved in the nozzle length direction (Y direction) by the linear driving of the linear driving section 176. It slides linearly and at once from one end of the resist nozzle 120 to the other end.

Figure R1020040072641

Description

도포방법 및 도포장치{COATING METHOD AND COATING APPARATUS}Coating method and coating device {COATING METHOD AND COATING APPARATUS}

도 1은 본 발명을 적용할 수 있는 도포현상처리 시스템의 구성을 나타내는 평면도이다. 1 is a plan view showing the configuration of a coating and developing treatment system to which the present invention can be applied.

도 2는 실시형태의 도포현상처리 시스템에 있어서의 열적처리부의 구성을 나타내는 측면도이다. 2 is a side view showing the configuration of a thermal processing unit in the coating and developing processing system of the embodiment.

도 3은 실시형태의 도포현상처리 시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타내는 플로우챠트이다. 3 is a flowchart showing a procedure of a process in the coating and developing processing system of the embodiment.

도 4는 실시형태의 도포현상처리 시스템에 있어서의 도포 프로세스부의 구성을 나타내는 평면도이다. 4 is a plan view showing the structure of a coating process unit in the coating and developing treatment system of the embodiment.

도 5는 실시형태의 도포 프로세스부에서의 도포처리부의 구성을 나타내는 도면이다. It is a figure which shows the structure of the coating process part in the coating process part of embodiment.

도 6은 하나의 실시예에 의한 레지스트 노즐의 외관구성과 웨트라인 바탕처리부의 구성을 나타내는 사시도이다. 6 is a perspective view showing the appearance of the resist nozzle and the structure of the wet background processing unit according to one embodiment.

도 7은 하나의 실시예에 의한 레지스트 노즐의 주요부의 구성과 웨트라인 바탕처리부의 주요부의 구성을 나타내는 주요부단면도이다. FIG. 7 is a cross-sectional view of a main portion showing the configuration of the main portion of the resist nozzle and the main portion of the wet line processing portion according to one embodiment. FIG.

도 8은 실시예에 있어서의 웨트라인 바탕처리부의 작용을 모식적으로 나타내는 측면도이다. It is a side view which shows typically the action of the wet line background processing part in an Example.                 

도 9는 실시예에 있어서의 웨트라인 바탕처리의 작용효과를 나타내는 단면도이다.9 is a cross-sectional view showing the effect of the wet line background treatment in the embodiment.

도 10은 실시예에 있어서의 웨트라인 바탕처리의 작용효과를 나타내는 사시도이다. 10 is a perspective view showing the effect of the wet line background treatment in the embodiment.

도 11은 하나의 변형예에 의한 웨트라인 바탕처리부의 주요부의 구성과 작용을 나타내는 사시도이다. Fig. 11 is a perspective view showing the structure and action of the main part of the wet line background processing unit according to one modification.

도 12는 다른 실시예에 의한 웨트라인 바탕처리부의 주요부의 구성과 작용을 나타내는 사시도이다. 12 is a perspective view showing the configuration and action of the main part of the wet line background processing unit according to another embodiment.

도 13은 종래의 슬릿형 레지스트 노즐의 외관구성과 작용을 나타내는 사시도이다. Fig. 13 is a perspective view showing the appearance and operation of a conventional slit-type resist nozzle.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

16 : 프로세스 스테이션 28 : 도포 프로세스부16: process station 28: coating process unit

82 : 레지스트도포유니트(CT) 118 : 스테이지82: resist coating unit (CT) 118: stage

120 : 레지스트 노즐 122 : 도포처리부 120: resist nozzle 122: coating treatment unit

125 : 웨트라인 바탕처리부 150 : 노즐본체125: wet line background processing unit 150: nozzle body

152 : 토출구 156 : 노즐부 152: discharge port 156: nozzle portion

158 : 노즐부 앞면 160 : 노즐부 배면158: nozzle part front side 160: nozzle part back side

162 : 도포 패드 163 : 마찰 패드 162: coating pad 163: friction pad

168 : 패드부재 170 : 지지관168: pad member 170: support tube

171 : 지지부재 172 : 유틸리리 유니트 171: support member 172: utility unit                 

176 : 직진구동부 184 : 오목부 176: straight drive 184: concave

본 발명은, 기다란 형태의 도포 노즐을 사용하여 피처리기판상에 액체를 도포하여 도포막을 형성하는 도포방법 및 도포장치에 관한 것이다. The present invention relates to a coating method and a coating apparatus for forming a coating film by applying a liquid onto a substrate to be treated using an elongated coating nozzle.

종래부터, LCD나 반도체 디바이스 등의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피공정에서는, 피처리기판(유리기판, 반도체 웨이퍼 등) 상에 레지스트액을 도포하기 위해서 사용하는 레지스트 노즐의 한 형식으로서, 예를 들면 특허문헌 1에 개시된 바와 같은 슬릿형상의 토출구를 가진 기다란 형태의 레지스트 노즐이 알려져 있다. Background Art Conventionally, in photolithography processes in manufacturing processes such as LCDs and semiconductor devices, as a type of resist nozzle used to apply a resist liquid onto a substrate to be processed (glass substrate, semiconductor wafer, etc.), for example, The elongate resist nozzle which has a slit-shaped discharge port as disclosed in patent document 1 is known.

이러한 기다란 형태의 노즐을 사용하는 레지스트도포장치에서는, 도 13에 나타낸 바와 같이, 얹어놓음대 또는 유지판(도시하지 않음) 상에 수평으로 놓여지는 기판(G)과 기다란 형태의 레지스트 노즐(200)의 하단면의 토출구의 사이에 수백㎛ 이하의 미소한 갭을 설정하고, 기판(G)의 위쪽으로 레지스트 노즐(200)을 주사방향(일반적으로 노즐길이 방향과 직교하는 수평방향)으로 이동시키면서 기판(G) 상에 레지스트액을 토출시킨다. 그 때, 기판(G) 상에 토출된 레지스트액이 젖음(wet)현상에 의해 레지스트 노즐(200)의 배면하부(200a)에 부착하여 높이 방향으로 확대되고(부풀어오르고), 노즐길이 방향으로 이어지는 볼록면형상의 메니스커스가 형성된다. 이 메니스커스의 형상은 레지스트액의 표면장력 및 점도나 노즐토출부 내지 배면부의 형상 등에 의해서 정해지고, 정상상태(定常狀態)에서는 메니스커스의 정상(頂上)위치가 어떤 일정한 높이의 라인, 즉 웨트라인(WL)에서 안정된다. 이 웨트라인(WL)이 일정한 높이 위치에서 수평으로 있는 한, 기판(G) 상에는 일정한 막두께로 레지스트액의 도포막이 형성된다. In the resist coating apparatus which uses such an elongate nozzle, as shown in FIG. 13, the board | substrate G placed horizontally on a mounting stand or a holding plate (not shown), and the elongate resist nozzle 200 are shown. A micro-gap of several hundred micrometers or less is set between the ejection openings of the lower surface of the substrate, and the resist nozzle 200 is moved above the substrate G in the scanning direction (typically in the horizontal direction orthogonal to the nozzle length direction). The resist liquid is discharged onto (G). At that time, the resist liquid discharged onto the substrate G adheres to the bottom lower portion 200a of the resist nozzle 200 by a wet phenomenon and expands (inflates) in the height direction, and continues in the nozzle length direction. A convex meniscus is formed. The shape of the meniscus is determined by the surface tension and viscosity of the resist liquid, the shape of the nozzle ejection part and the back part, and the like. In a steady state, the meniscus's top position is a line having a certain height, That is, it is stabilized in the wet line WL. As long as this wetline WL is horizontal at a constant height position, a coating film of a resist liquid is formed on the substrate G at a constant film thickness.

[특허문헌 1][Patent Document 1]

일본 특개평8-138991Japanese Patent Laid-Open No. 8-138991

상기한 바와 같이, 기다란 형태의 레지스트 노즐(200)을 사용하는 레지스트 도포장치에서는, 도포처리중에 레지스트 노즐(200)의 배면하부에 젖음 현상으로 부착하는 레지스트액의 정상(頂上)라인 또는 웨트라인(WL)이 기판상의 레지스트도포막의 프로파일에 관계되고, 웨트라인(WL)이 일정한 높이 위치에서 수평일직선으로 유지되고 있는 한 기판상에는 일정한 막두께로 레지스트도포막이 형성된다. 그러나, 종래 이러한 종류의 레지스트 도포장치에 있어서는, 수평일직선의 웨트라인(WL)을 항상 안정적으로 얻는 것이 어렵다고 하는 문제나, 레지스트액의 종류에 따라서는 물결형상의 메니스커스가 형성되기 쉬운 것이 있고, 도 13에 나타낸 바와 같이 그러한 물결형상 메니스커스의 파두부(波頭部, 202)에 대응하는 기판(G) 상의 위치에서 주사방향으로 이어지는 줄무늬모양의 도포얼룩(204)이 생긴다고 하는 문제가 있었다. As described above, in the resist coating apparatus using the elongate resist nozzle 200, the top line or the wet line of the resist liquid which adheres to the bottom surface of the resist nozzle 200 by wet phenomenon during the coating process. WL is related to the profile of the resist coating film on the substrate, and a resist coating film is formed on the substrate with a constant film thickness as long as the wet line WL is maintained in a horizontal straight line at a constant height position. However, in the conventional resist coating apparatus of this kind, there is a problem that it is difficult to always stably obtain the horizontal straight line WL, or some kinds of resist liquids tend to form wavy meniscus. As shown in Fig. 13, there is a problem that a stripe-shaped coating stain 204 that runs in the scanning direction occurs at a position on the substrate G corresponding to the wave head 202 of the wavy meniscus. there was.

본 발명은, 이러한 종래 기술의 문제점에 비추어 이루어진 것으로, 기다란 형태의 도포 노즐에 양호한 웨트라인을 항상 안정적으로 얻을 수 있도록 하여, 피 처리기판상에 막두께가 일정하고 도포 얼룩이 없는 도포막을 형성할 수 있도록 하는 도포방법 및 도포장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the problems of the prior art, so that a good wetline can always be stably obtained at an elongated coating nozzle, so that a coating film having a constant film thickness and no coating stain can be formed on a substrate to be processed. An object of the present invention is to provide a coating method and a coating apparatus.

상기의 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 도포방법은, 거의 수평인 피처리기판과 기다란 형상의 도포 노즐의 하단면에 설치된 토출구의 사이에 원하는 미소한 갭을 설정하고, 도포처리중에 상기 토출구로부터 상기 기판상에 토출된 도포액으로 상기 도포 노즐의 배면 하단부가 젖은 상태에서 상기 도포 노즐을 노즐길이방향과 거의 직교하는 수평방향으로 상대적으로 이동시켜, 상기 기판상에 상기 도포액을 도포하는 도포방법으로서, 도포처리에 앞서 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 도포액 또는 이것을 희석한 희석도포액을 노즐길이 방향으로 바르는 웨트라인 바탕처리공정을 가진다. In order to achieve the above object, the coating method of the present invention sets a desired minute gap between a substantially horizontal substrate to be processed and a discharge port provided on the lower surface of an elongated coating nozzle, and A coating method for applying the coating liquid onto the substrate by relatively moving the coating nozzle in a horizontal direction substantially orthogonal to the nozzle length direction while the lower end of the back surface of the coating nozzle is wet with the coating liquid discharged onto the substrate. As a prior art, there is a wet line base treatment step of applying a coating liquid or a dilution coating liquid obtained by diluting it in the nozzle length direction at the lower end of the rear surface of the coating nozzle.

본 발명의 도포장치는, 하단면에 토출구를 가진 기다란 형상의 도포 노즐과, 상기 도포 노즐에 도포액을 공급하기 위한 제 1 도포액공급부와, 피처리기판을 거의 수평으로 지지하기 위한 기판지지부와, 도포처리중에 상기 기판지지부에 지지되는 상기 기판에 대하여 원하는 미소한 갭을 사이에 두고 상기 도포 노즐을 지지하기 위한 노즐지지부와, 도포처리중에 상기 도포 노즐의 토출구로부터 상기 기판상에 토출된 도포액으로 상기 도포 노즐의 배면 하단부가 젖은 상태에서 상기 도포 노즐을 노즐길이 방향과 거의 직교하는 수평방향으로 상대적으로 이동하도록 상기 기판지지부와 상기 노즐지지부의 사이에서 상대적인 수평이동을 행하게 하기 위한 주사부와, 도포처리에 앞서 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 도포액 또는 이것을 희석한 희석도포액을 노즐길이 방향으로 바르기 위한 웨트라인 바탕처리부를 가진다. The coating device of the present invention includes an elongated coating nozzle having a discharge port on its lower surface, a first coating liquid supply portion for supplying a coating liquid to the coating nozzle, a substrate support portion for substantially horizontally supporting the substrate to be processed; A nozzle support for supporting the coating nozzle with a desired small gap therebetween with respect to the substrate supported by the substrate supporting portion during the coating process, and a coating liquid discharged onto the substrate from the discharge port of the coating nozzle during the coating process. A scanning unit for performing relative horizontal movement between the substrate support and the nozzle support so that the application nozzle is relatively moved in a horizontal direction substantially orthogonal to the nozzle length direction while the bottom lower end of the application nozzle is wet; Prior to the coating treatment, a coating liquid or a diluted coating of the diluted solution is applied to the bottom lower part of the coating nozzle. The line has a wet-on processing unit for applying to the nozzle longitudinal direction.

본 발명에서는, 도포처리에 앞서 웨트라인 바탕처리부에 있어서, 도포 노즐의 배면 하단부에 도포액 또는 이것을 희석한 희석도포액을 노즐길이 방향으로 바르는 것에 의해, 도포처리시에 도포 노즐로부터 토출된 도포액의 젖음 현상에 의한 도포 노즐배면 하단부에서의 확대를 원활하게 하는 동시에 액면정상위치 또는 웨트라인을 바르는 방향에 따라 안정화시킬 수 있다. In the present invention, the coating liquid discharged from the coating nozzle at the time of the coating treatment by applying the coating liquid or the diluted coating liquid diluted thereto in the nozzle length direction at the bottom end of the coating nozzle in the wet line base treatment portion prior to the coating treatment. It is possible to smoothly enlarge at the lower end of the coating nozzle back surface due to the wet phenomenon and to stabilize it according to the liquid level normal position or the direction of applying the wetline.

본 발명의 바람직한 하나의 형태에 의하면, 웨트라인 바탕처리공정에 있어서, 도포 노즐의 배면 하단부에 대하여, 도포액 또는 희석도포액이 스며 나오는 도포 패드를 눌러 놓으면서 노즐길이 방향으로 상대적으로 미끄럼동작시킨다. 이 경우, 도포 패드는 도포 노즐의 배면 하단부에 도포액 또는 희석도포액이 스며 나와 마찰하면서 노즐길이 방향으로 미끄럼동작하는 것에 의해, 웨트라인을 일직선으로 따르게 하기 위한 마찰 라인을 포함하는 도포액 바름 영역을 양호하고 또한 효과적으로 형성할 수가 있다. 바람직하게는, 도포 패드가 해면상물질 또는 다공질물질로 이루어지는 패드부재를 가지며, 도포 노즐의 배면 하단부에 해당 패드부재를 접촉시켜 미끄럼동작하도록 하여도 좋다. 또한, 양호한 직선적 마찰 라인을 얻기 위해서, 도포 패드를 도포 노즐의 배면 하단부의 일끝단으로부터 다른 끝단까지 한번에 미끄럼동작시키는 것이 바람직하다. According to one preferred aspect of the present invention, in the wet background treatment step, the application pad or the dilution coating solution is pressed against the lower end of the back surface of the coating nozzle while sliding relatively in the nozzle length direction. In this case, the coating pad is a coating liquid applying region including a friction line for straightening the wetline by sliding the coating liquid or the diluted coating liquid in the nozzle length direction while rubbing the coating liquid or the diluted coating liquid into the lower end of the coating nozzle. Can be formed satisfactorily and effectively. Preferably, the coating pad may have a pad member made of a sponge material or a porous material, and the pad member may be brought into sliding contact with the lower end of the back surface of the coating nozzle. In addition, in order to obtain a good linear friction line, it is preferable to slide the application pad at once from one end to the other end of the rear lower end of the application nozzle.

본 발명의 바람직한 하나의 형태에 의하면, 도포 패드가 도포 노즐의 배면 하단부와 접촉하는 패드 주면의 하단부에 노즐길이 방향과 평행하게 이어지는 오목 부를 가지며, 도포 노즐의 배면 하단부에 노즐길이 방향으로 이어지는 도포액 또는 희석도포액의 액체저장부가 형성되도록 한다. 도포 노즐의 배면 하단부에 이렇게 도포액 또는 희석도포액의 액체저장부를 붙인 상태에서 다음의 도포처리를 개시함으로써, 도포 노즐의 토출구로부터 기판상에 토출된 도포액이 젖음 현상에 의해 노즐부 배면의 하단부에 부착하여 높이 방향으로 확대되는 시간을 단축하여, 노즐주사의 개시를 빠르게 할 수 있다. According to one preferred aspect of the present invention, the coating pad has a concave portion extending in parallel with the nozzle length direction at the lower end of the pad main surface in contact with the lower end of the back surface of the coating nozzle, and the coating liquid extending in the nozzle length direction at the lower end of the back surface of the coating nozzle. Alternatively, the liquid reservoir of the diluted coating liquid may be formed. By starting the next coating process with the liquid storage part of the coating liquid or the dilution coating liquid attached to the lower end of the back surface of the coating nozzle in this way, the lower part of the back of the nozzle portion is caused by the phenomenon that the coating liquid discharged from the discharge port of the coating nozzle is wetted. It is possible to shorten the time to be extended in the height direction by adhering to the pressure gauge, and thus to quickly start the nozzle scanning.

본 발명의 바람직한 하나의 형태에 의하면, 웨트라인 바탕처리공정에 있어서, 도포 노즐의 배면 하단부에 대하여, 도포액 또는 희석도포액을 공급하면서 마찰 패드를 눌러 놓으면서 노즐길이 방향으로 상대적으로 미끄럼동작시킨다. 이 경우, 마찰 패드는 먼저 도포 노즐의 배면 하단부에 부착하고 있는 도포액 또는 희석도포액을 노즐길이 방향으로 이어지게 하면서 미끄럼동작시키는 것에 의해, 웨트라인을 일직선으로 따르게 하기 위한 마찰라인을 포함하는 도포액 바름 영역을 양호하고 또한 효과적으로 형성할 수가 있다. 바람직하게는, 마찰 패드가 해면상물질 또는 다공질물질로 이루어지는 패드부재를 가지며, 도포 노즐의 배면 하단부에 해당 패드부재를 접촉시켜 미끄럼동작하도록 하여도 좋다. 또한, 양호한 직선적 마찰 라인을 얻기 위해서, 마찰 패드를 도포 노즐의 배면 하단부의 일끝단으로부터 다른 끝단까지 한번에 미끄럼동작시키는 것이 바람직하다. According to one preferred aspect of the present invention, in the wet line base treatment step, the friction pad is pressed in the nozzle length direction while supplying the coating liquid or the dilution coating liquid to the lower end of the back surface of the coating nozzle. In this case, the friction pad first includes a coating liquid including a friction line for straightening the wetline by sliding the coating liquid or the dilution coating liquid attached to the lower end of the back surface of the coating nozzle in the nozzle length direction. It is possible to form the coating area well and effectively. Preferably, the friction pad may have a pad member made of a sponge material or a porous material, and the pad member may be brought into sliding motion by contacting the pad member with the lower end portion of the rear surface of the coating nozzle. Further, in order to obtain a good linear friction line, it is preferable to slide the friction pad at once from one end to the other end of the rear lower end of the application nozzle.

본 발명에 있어서, 웨트라인 바탕처리공정에서 도포 노즐의 배면 하단부에 바르는 도포액은 기판상에 도포하는 도포액과 같은 것이 가장 바람직하지만, 기본성분을 같게 한 것이면 성분비나 농도 등에 다소의 차이가 있어도 된다. In the present invention, the coating liquid to be applied to the bottom lower end of the coating nozzle in the wet background treatment step is most preferably the same as the coating liquid to be applied onto the substrate. However, if the basic components are the same, there may be some differences in the component ratio or concentration. do.                     

<발명의 실시형태>Embodiment of the Invention

이하, 도 1 ∼도 12를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태를 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described with reference to FIGS.

도 1에, 본 발명의 도포방법 및 도포장치를 적용할 수 있는 한 구성예로서의 도포현상처리 시스템을 나타낸다. 이 도포현상처리시스템(10)은, 크린룸내에 설치되고, 예를 들면 LCD 기판을 피처리기판으로 하여, LCD 제조 프로세스에 있어서 포토리소그래피공정의 중간 세정, 레지스트도포, 프리베이크, 현상 및 포스트베이크 등의 일련의 처리를 하는 것이다. 노광처리는, 이 처리 시스템에 인접하여 설치되는 외부의 노광장치(12)로 행하여진다. 1 shows a coating and developing treatment system as one configuration example in which the coating method and the coating apparatus of the present invention can be applied. The coating and developing processing system 10 is installed in a clean room, for example, using an LCD substrate as a substrate to be treated, and in the LCD manufacturing process, intermediate cleaning of a photolithography process, resist coating, prebaking, development, postbaking, and the like. To do a series of processing. An exposure process is performed by the external exposure apparatus 12 provided adjacent to this processing system.

이 도포현상처리시스템(10)은, 중심부에 가로길이의 프로세스 스테이션(P/S) (16)을 배치하고, 그 길이 방향(X방향) 양 끝단부에 카세트 스테이션(C/S)(14)과 인터페이스 스테이션(I/F)(18)을 배치하고 있다. This coating and developing processing system 10 arranges a horizontal process station (P / S) 16 at a central portion thereof, and a cassette station (C / S) 14 at both ends thereof in the longitudinal direction (X direction). And an interface station (I / F) 18 are arranged.

카세트 스테이션(C/S)(14)은, 시스템(10)의 카세트 반출입 포트이며, 각형의 유리기판(G)을 다단으로 적층하도록 하여 복수매 수용가능한 카세트(C)를 수평방향 예를 들면 Y방향으로 4개까지 나열하여 얹어 놓을 수 있는 카세트 스테이지(20)와, 이 스테이지(20)상의 카세트(C)에 대하여 기판(G)을 출입시키는 반송기구(22)를 구비하고 있다. 반송기구(22)는, 기판(G)을 유지할 수 있는 수단, 예를 들면 반송아암(22a)을 가지며, X, Y, Z, θ의 4축으로 동작가능하고, 인접한 프로세스 스테이션(P/S)(16)쪽과 기판(G)을 주고받을 수 있도록 되어 있다. The cassette station (C / S) 14 is a cassette carrying in / out port of the system 10. The cassette station (C / S) 14 allows stacking of rectangular glass substrates (G) in multiple stages so that a plurality of cassettes (C) accommodating a plurality of sheets can be placed in a horizontal direction, for example, Y. The cassette stage 20 which can be arranged in the direction up to four, and the conveyance mechanism 22 which let the board | substrate G enter and exit with respect to the cassette C on this stage 20 are provided. The conveyance mechanism 22 has means which can hold | maintain the board | substrate G, for example, the conveyance arm 22a, is operable by four axes of X, Y, Z, and (theta), and is adjacent to the process station P / S 16) and the substrate (G) can be exchanged.

프로세스 스테이션(P/S)(16)은, 시스템 길이방향(X방향)으로 연재하는 평행하고 또한 역방향의 한 쌍의 라인(A, B)에 각 처리부를 프로세스 플로우 또는 공정 순으로 배치하고 있다. 보다 상세하게는, 카세트 스테이션(C/S)(14)쪽에서 인터페이스 스테이션(I/F)(18)쪽을 향하는 상류부의 프로세스라인(A)에는, 세정프로세스부(24)와, 제 1 열적처리부(26)와, 도포 프로세스부(28)와, 제 2 열적처리부(30)를 가로 일렬로 배치하고 있다. 한편, 인터페이스 스테이션(I/F)(18)쪽으로부터 카세트 스테이션(C/S)(14)쪽을 향하는 하류부의 프로세스라인(B)에는, 제 2 열적처리부(30)와, 현상프로세스부(32)와, 탈색프로세스부(34)와, 제 3 열적처리부(36)를 가로 일렬로 배치하고 있다. 이러한 라인형태에서는, 제 2 열적처리부(30)가, 상류측의 프로세스라인(A)의 최후미에 위치함과 동시에 하류측의 프로세스라인(B)의 선두에 위치하고 있으며, 양 라인 A, B 사이에 걸쳐 있다. The process station (P / S) 16 arrange | positions each process part in process flow or process order in a pair of parallel and reverse lines A and B which extend in a system longitudinal direction (X direction). More specifically, in the process line A of the upstream portion from the cassette station (C / S) 14 toward the interface station (I / F) 18, the cleaning process part 24 and the first thermal processing part are provided. (26), the application | coating process part 28, and the 2nd thermal processing part 30 are arrange | positioned in a horizontal line. On the other hand, in the process line B downstream of the interface station (I / F) 18 toward the cassette station (C / S) 14, the second thermal processing unit 30 and the developing process unit 32 ), The bleaching process part 34, and the 3rd thermal processing part 36 are arrange | positioned in a horizontal line. In such a line form, the second thermal processing unit 30 is located at the end of the upstream process line A and at the beginning of the downstream process line B, between the lines A and B. On.

양 프로세스라인(A, B)의 사이에는 보조반송공간(38)이 설치되어 있고, 기판(G)을 1매 단위로 수평으로 얹어 놓을 수 있는 셔틀(40)이 도시하지 않은 구동기구에 의해서 라인방향(X방향)으로 쌍방향으로 이동할 수 있도록 되어 있다. An auxiliary transport space 38 is provided between both process lines A and B, and a shuttle 40 capable of placing the substrate G horizontally on a single sheet basis is driven by a drive mechanism (not shown). It can be moved in both directions in the direction (X direction).

상류부의 프로세스라인(A)에서, 세정프로세스부(24)는, 스크러버 세정유니트(SCR)(42)를 포함하고 있고, 이 스크러버 세정유니트(SCR)(42)내의 카세트스테이션(C/S)(14)과 인접한 장소에 엑시머 UV 조사유니트(e-UV)(41)를 배치하고 있다. 스크러버 세정유니트(SCR)(42)내의 세정부는, 기판(G)을 롤러 반송 또는 벨트 반송에 의해 수평자세로 라인(A) 방향으로 반송하면서 기판(G)의 윗면(피처리면)에 브러싱세정이나 블로우세정을 실시하도록 되어 있다. In the upstream process line A, the cleaning process part 24 includes a scrubber cleaning unit (SCR) 42, and the cassette station (C / S) (in the scrubber cleaning unit (SCR) 42) ( An excimer UV irradiation unit (e-UV) 41 is disposed at a location adjacent to 14). The cleaning unit in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is brushed and cleaned on the upper surface (to-be-processed surface) of the substrate G while conveying the substrate G in the direction of the line A in a horizontal position by roller conveyance or belt conveyance. Or blow cleaning.

세정프로세스부(24)의 하류측에 인접하는 제 1 열적처리부(26)는, 프로세스라인(A)을 따라 중심부에 종형의 반송기구(46)를 설치하고, 그 전후양쪽에 복수의 낱장식 오븐 유니트를 기판 주고받음용의 패스유니트와 함께 다단으로 적층배치하여 이루어지는 다단유니트부 또는 오븐 타워(TB)(44, 48)를 설치하고 있다. The first thermal processing section 26 adjacent to the downstream side of the cleaning process section 24 is provided with a vertical conveying mechanism 46 at the center along the process line A, and a plurality of single-piece ovens at both front and rear sides thereof. A multi-stage unit portion or oven tower (TB) 44, 48 formed by stacking units in multiple stages together with a pass unit for substrate transfer is provided.

예를 들면, 도 2에 나타낸 바와 같이, 상류측의 오븐 타워(TB)(44)에는, 기판반입용의 패스유니트(PASSL)(50), 탈수베이크용의 가열유니트(DHP)(52, 54) 및 어드히젼유니트(AD)(56)가 아래로부터 차례로 적층된다. 여기서, 패스유니트(PASSL)(50)는, 스크러버세정유니트(SCR)(42)로부터의 세정처리가 끝난 기판(G)을 제 1 열적처리부(26)내로 반입하기 위한 스페이스를 제공한다. 하류측의 오븐 타워(TB)(48)에는, 기판반출용의 패스유니트(PASSR)(60), 기판온도조정용의 냉각유니트(COL)(62, 64) 및 어드히젼유니트(AD)(66)가 아래에서부터 차례로 적층된다. 여기서, 패스유니트(PASSR)(60)는, 제 1 열적처리부(26)에서 소요의 열처리가 끝난 기판(G)을 하류측의 도포 프로세스부(28)로 반출하기 위한 스페이스를 제공한다. For example, as shown in FIG. 2, the upstream oven tower (TB) 44 has a pass unit (PASS L ) 50 for substrate loading and a heating unit (DHP) 52 for dehydration baking. 54) and Advance Unit (AD) 56 are stacked in sequence from below. Here, the pass unit PASS L 50 provides a space for carrying the cleaned substrate G from the scrubber cleaning unit SCR 42 into the first thermal processing unit 26. The downstream oven tower (TB) 48 has a pass unit (PASS R ) 60 for carrying out the substrate, a cooling unit (COL) 62 and 64 for adjusting the temperature of the substrate, and an advice unit (AD) 66. ) Are stacked in order from the bottom. Here, the pass unit PASS R 60 provides a space for carrying out the required heat treatment substrate G from the first thermal processing unit 26 to the downstream coating process unit 28.

도 2에 있어서, 반송기구(46)는, 연직방향으로 연재하는 가이드레일(68)을 따라 승강이동가능한 승강반송체(70)와, 이 승강반송체(70)상에서 θ방향으로 회전 또는 선회가능한 선회반송체(72)와, 이 선회반송체(72)상에서 기판(G)을 지지하면서 전후방향으로 전진후퇴 또는 신축가능한 반송아암(74) 또는 핀셋을 가지고 있다. 승강반송체(70)를 승강구동하기 위한 구동부(76)가 수직가이드레일(68)의 기초끝단쪽에 설치되고, 선회반송체(72)를 선회구동하기 위한 구동부(78)가 승강반송체(70)에 부착되고, 반송아암(74)을 전진후퇴구동하기 위한 구동부(80)가 선회반송체(72)에 부착되어 있다. 각 구동부(76, 78, 80)는 예를 들면 전기모터 등으로 구 성되어도 좋다. In FIG. 2, the conveyance mechanism 46 is the lifting carrier 70 which can move up and down along the guide rail 68 which extends in the perpendicular direction, and is rotatable or turnable on the lifting carrier 70 in (theta) direction. The pivoting carrier 72 and the carrier arm 74 or the tweezers which can move forward and backward or stretch in the front-rear direction while supporting the substrate G on the pivoting carrier 72. A driving unit 76 for elevating and driving the lifting carrier 70 is provided at the base end side of the vertical guide rail 68, and the driving unit 78 for turning the turning carrier 72 is a lifting carrier 70. ), And a drive unit 80 for forward and backward driving the transfer arm 74 is attached to the swing carrier 72. Each drive part 76, 78, 80 may be comprised, for example with an electric motor.

상기한 바와 같이 구성된 반송기구(46)는, 고속으로 승강 내지 선회운동하여 양 인접한 오븐 타워(TB)(44, 48) 중의 임의의 유니트에 억세스가능하고, 보조반송공간(38)쪽의 셔틀(40)과도 기판(G)을 주고받을 수 있도록 되어 있다. The conveying mechanism 46 configured as described above is accessible to any unit in both adjacent oven towers (TB) 44, 48 by raising and lowering at a high speed, and by turning the shuttle ( The substrate G can also be exchanged with 40.

제 1 열적처리부(26)의 하류측에 인접하는 도포 프로세스부(28)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 레지스트도포유니트(CT)(82)와 감압건조유니트(VD)(84)를 프로세스라인(A)을 따라 일렬로 배치하고 있다. 도포 프로세스부(28)내의 구성은 후에 상세히 설명한다. As shown in FIG. 1, the coating process unit 28 adjacent to the downstream side of the first thermal processing unit 26 includes a resist coating unit (CT) 82 and a reduced pressure drying unit (VD) 84 in a process line. It is arrange | positioned along (A). The structure in the application | coating process part 28 is demonstrated in detail later.

도포 프로세스부(28)의 하류측에 인접하는 제 2 열적처리부(30)는, 상기 제 1 열적처리부(26)와 같은 구성을 가지며, 양 프로세스라인(A, B) 사이에 종형의 반송기구(90)를 설치하여, 프로세스라인(A)쪽(최후미)에 한쪽의 오븐 타워(TB)(88)를 설치하고, 프로세스라인(B)쪽(선두)에 다른 쪽의 오븐 타워(TB)(92)를 설치하고 있다. The second thermal processing unit 30 adjacent to the downstream side of the coating process unit 28 has the same configuration as the first thermal processing unit 26 and has a vertical conveying mechanism (between the two process lines A and B). 90), one oven tower (TB) 88 is installed on the process line (A) side (end), and the other oven tower (TB) (on the process line (B) side (head)). 92) is installed.

도시는 생략하지만, 예를 들면, 프로세스라인(A)쪽의 오븐 타워(TB)(88)에는, 최하단에 기판반입용의 패스유니트(PASSL)가 배치되고, 그 위에 프리베이크용의 가열유니트(PREBAKE)가 예를 들면 3단으로 적층되어도 좋다. 또한, 프로세스라인(B)쪽의 오븐 타워(TB)(92)에는, 최하단에 기판반출용의 패스유니트(PASSR)가 배치되고, 그 위에 기판온도조정용의 냉각유니트(COL)가, 예를 들면 1단 포개어지고, 그 위에 프리베이크용의 가열유니트(PREBAKE)가, 예를 들면 2단으로 적층되어도 좋 다. Although not shown, for example, a pass unit PASS L for loading a substrate is disposed at the bottom of the oven tower (TB) 88 on the process line A side, and a heating unit for prebaking is disposed thereon. (PREBAKE) may be stacked in three stages, for example. In the oven tower (TB) 92 on the process line B side, a pass unit PASS R for transporting the substrate is disposed at the bottom thereof, and a cooling unit COL for adjusting the substrate temperature is placed thereon. For example, one stage may be stacked, and a heating unit for prebaking (PREBAKE) may be stacked in two stages, for example.

제 2 열적처리부(30)에 있어서의 반송기구(90)는, 양 오븐 타워(TB)(88, 92)의 각각의 패스유니트(PASSL), (PASSR)을 통해 도포 프로세스부(28) 및 현상 프로세스부(32)와 기판(G)을 1매 단위로 주고받을 수 있을 뿐만 아니라, 보조반송공간(38)내의 셔틀(40)이나 후술하는 인터페이스 스테이션(I/F)(18)과도 기판(G)을 1매 단위로 주고받을 수 있도록 되어 있다. The conveyance mechanism 90 in the 2nd thermal processing part 30 is the application | coating process part 28 through each pass unit PASS L and PASS R of both oven towers TB, 88 and 92. And the substrate 40 and the substrate G, as well as the substrate 40, and the shuttle 40 in the auxiliary transport space 38 or the interface station (I / F) 18 described later. It is possible to send and receive (G) by one unit.

하류부의 프로세스라인(B)에 있어서, 현상 프로세스부(32)는, 기판(G)을 수평자세로 반송하면서 일련의 현상처리공정을 행하는 소위 수평흐름방식의 현상유니트(DEV)(94)를 포함하고 있다. In the downstream process line B, the developing process part 32 includes a so-called horizontal flow developing unit (DEV) 94 which performs a series of developing treatment steps while conveying the substrate G in a horizontal posture. Doing.

현상 프로세스부(32)의 하류측에는 탈색 프로세스부(34)를 끼워 제 3 열적처리부(36)가 배치된다. 탈색 프로세스부(34)는, 기판(G)의 피처리면에 i선(파장 365nm)을 조사하여 탈색처리를 하기 위한 i선 UV조사유니트(i-UV)(96)를 구비하고 있다. On the downstream side of the developing process part 32, the 3rd thermal processing part 36 is arrange | positioned with the decolorization process part 34 fitted. The decolorization process part 34 is equipped with the i-line UV irradiation unit (i-UV) 96 for irradiating i line | wire (wavelength 365nm) to the to-be-processed surface of the board | substrate G, and performing a decoloring process.

제 3 열적처리부(36)는, 상기 제 1 열적처리부(26)나 제 2 열적처리부(30)와 같은 구성을 가지고 있으며, 프로세스라인(B)을 따라 종형의 반송기구(100)와 그 전후양쪽에 한 쌍의 오븐 타워(TB)(98, 102)를 설치하고 있다. The third thermal processing unit 36 has the same configuration as the first thermal processing unit 26 or the second thermal processing unit 30, and the longitudinal conveyance mechanism 100 along the process line B and both front and rear thereof. A pair of oven towers (TB) 98, 102 are provided in the chamber.

도시는 생략하지만, 예를 들면, 상류측의 오븐 타워(TB)(98)에는, 최하단에 기판반입용의 패스유니트(PASSL)가 놓여지고, 그 위에 포스트베이킹용의 가열유니트(POBAKE)가, 예를 들면 3단으로 적층되어도 좋다. 또한, 하류측의 오븐 타워 (TB)(102)에는, 최하단에 포스트베이킹·유니트(POBAKE)가 놓여지고, 그 위에 기판반출 및 냉각용의 패스·쿨링유니트(PASSR·COL)가 1단 포개어지고, 그 위에 포스트베이킹용의 가열유니트(POBAKE)가 2단으로 적층되어도 좋다. Although not shown, for example, an upstream oven tower (TB) 98 is provided with a pass unit PASS L for loading the substrate at the bottom thereof, and a heating unit POBAKE for postbaking is placed thereon. For example, it may be laminated in three stages. In addition, a post-baking unit (POBAKE) is placed in the lowermost oven tower (TB) 102, and a pass cooling unit (PASS R / COL) for carrying out and cooling the substrate is stacked thereon. The heating unit (POBAKE) for postbaking may be laminated in two stages.

제 3 열적처리부(36)에 있어서의 반송기구(100)는, 양 오븐 타워(다단유니트부)(TB)(98, 102)의 패스유니트(PASSL) 및 패스·쿨링유니트(PASSR·COL)를 통해 각각 i선 UV 조사유니트(i-UV)(96) 및 카세트 스테이션(C/S)(14)과 기판(G)을 1매 단위로 주고받을 수 있을 뿐만 아니라, 보조반송공간(38)내의 셔틀(40)과도 기판(G)을 1매 단위로 주고받을 수 있도록 되어 있다. The conveyance mechanism 100 in the third thermal processing unit 36 includes a pass unit PASS L and a pass cooling unit PASS R / COL of both oven towers (stage unit units) (TB) 98 and 102. The i-ray UV irradiation unit (i-UV) 96 and the cassette station (C / S) 14 and the substrate G can be transmitted and received in units of units, respectively, as well as the auxiliary transport space (38). The board | substrate G can also exchange with the shuttle 40 in (circle).

인터페이스 스테이션(I/F)(18)은, 인접한 노광장치(12)와 기판(G)의 주고받기를 하기 위한 반송장치(104)를 가지며, 그 주위에 버퍼·스테이지(BUF)(106), 엑스텐션·쿨링스테이지(EXT·COL)(108) 및 주변장치(110)를 배치하고 있다. 버퍼·스테이지(BUF)(106)에는 정치형(定置型)의 버퍼카세트(도시하지 않음)가 놓여진다. 엑스텐션·쿨링스테이지(EXT·COL)(108)는, 냉각기능을 구비한 기판 주고받음용의 스테이지이고, 프로세스 스테이션(P/S)(16)쪽과 기판(G)을 주고받기할 때에 사용된다. 주변장치(110)는, 예를 들면 타이틀러(TITLER)와 주변노광장치(EE)를 상하로 적층한 구성으로 하여도 좋다. 반송장치(104)는, 기판(G)을 유지할 수 있는 수단, 예를 들면 반송아암(104a)을 가지며, 인접한 노광장치(12)나 각 유니트(BUF)(106), (EXT·COL)(108), (TITLER/EE) (110)와 기판(G)을 주고받을 수 있도록 되어 있다. The interface station (I / F) 18 has a conveying apparatus 104 for exchanging the adjacent exposure apparatus 12 with the substrate G, and has a buffer stage (BUF) 106 around it. An extension cooling stage (EXT COL) 108 and a peripheral device 110 are disposed. In the buffer stage (BUF) 106, a stationary buffer cassette (not shown) is placed. The extension cooling stage (EXT / COL) 108 is a stage for exchanging substrates having a cooling function and is used when exchanging substrates G with a process station (P / S) 16. . The peripheral device 110 may have a configuration in which, for example, a titler TITLER and a peripheral exposure device EE are stacked up and down. The conveying apparatus 104 has means which can hold | maintain the board | substrate G, for example, the conveying arm 104a, and adjoins the exposure apparatus 12, each unit (BUF) 106, (EXT * COL) ( 108), (TITLER / EE) 110 and the substrate (G) can be exchanged.

도 3에, 이 도포현상처리시스템에 있어서의 처리의 순서를 나타낸다. 먼저, 카세트 스테이션(C/S)(14)에 있어서, 반송기구(22)가, 스테이지(20)상의 어느 하나의 카세트(C)중에서 1개의 기판(G)을 꺼내어, 프로세스 스테이션(P/S)(16)의 세정 프로세스부(24)의 엑시머 UV 조사유니트(e-UV)(41)에 반입한다(스텝 S1). 3 shows the procedure of the processing in this coating and developing processing system. First, in the cassette station (C / S) 14, the conveyance mechanism 22 pulls out one board | substrate G from any cassette C on the stage 20, and a process station (P / S) ) it is brought to an excimer UV irradiation unit (UV-e) (41) of the cleaning process unit 24 of the 16 (step S 1).

엑시머 UV 조사유니트(e-UV)(41)내에서 기판(G)은 자외선조사에 의한 건식세정이 실시된다(스텝 S2). 이 자외선세정으로는 주로 기판표면의 유기물이 제거된다. 자외선세정의 종료후에, 기판(G)은, 카세트 스테이션(C/S)(14)의 반송기구(22)에 의해서 세정 프로세스부(24)의 스크러버 세정유니트(SCR)(42)로 옮겨진다. In the excimer UV irradiation unit (e-UV) 41, the substrate G is subjected to dry cleaning by ultraviolet irradiation (step S 2 ). Ultraviolet cleaning mainly removes organic substances from the surface of the substrate. After completion | finish of ultraviolet-ray cleaning, the board | substrate G is moved to the scrubber washing | cleaning unit (SCR) 42 of the washing | cleaning process part 24 by the conveyance mechanism 22 of the cassette station (C / S) 14.

스크러버 세정유니트(SCR)(42)에서는, 상기한 바와 같이 기판(G)을 롤러반송 또는 벨트반송에 의해 수평자세로 프로세스라인(A) 방향으로 수평흐름으로 반송하면서 기판(G)의 윗면(피처리면)에 브러싱세정이나 블로우세정을 실시함으로써, 기판표면에서 입자상태의 오염을 제거한다(스텝 S3). 그리고, 세정후에도 기판(G)을 수평흐름으로 반송하면서 린스처리를 실시하고, 마지막에 에어 나이프 등을 사용하여 기판(G)을 건조시킨다. In the scrubber cleaning unit (SCR) 42, as described above, the upper surface (feature) of the substrate G while conveying the substrate G in a horizontal flow in the process line A direction in a horizontal position by roller conveyance or belt conveyance. Brushing or blow cleaning to remove particulate contamination from the surface of the substrate (step S 3 ). Then, even after washing, the substrate G is rinsed while being conveyed in a horizontal flow, and finally, the substrate G is dried using an air knife or the like.

스크러버 세정유니트(SCR)(42)내에서 세정처리가 끝난 기판(G)은, 제 1 열적처리부(26)의 상류측 오븐 타워(TB)(44)내의 패스유니트(PASSL)(50)에 수평흐름으로 반입된다. The substrate G which has been cleaned in the scrubber cleaning unit (SCR) 42 is transferred to the pass unit PASS L 50 in the upstream oven tower TB 44 of the first thermal processing unit 26. Imported in a horizontal flow.

제 1 열적처리부(26)에 있어서, 기판(G)은 반송기구(46)에 의해 소정의 시퀀스로 소정의 오븐유니트로 차례로 이송된다. 예를 들면, 기판(G)은, 제일 먼저 패 스유니트(PASSL)(50)로부터 가열유니트(DHP)(52, 54)의 하나로 옮겨지고, 거기서 탈수처리를 받는다(스텝 S4). 다음에, 기판(G)은, 냉각유니트(COL)(62, 64)의 하나로 옮겨지고, 거기서 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S5). 이후, 기판(G)은 어드히젼유니트(AD) (56)로 옮겨지고, 거기서 소수화처리를 받는다(스텝 S6). 이 소수화처리의 종료후에, 기판(G)은 냉각유니트(COL)(62, 64)의 하나로 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S7). 마지막으로, 기판(G)은 하류측 오븐 타워(TB)(48)내의 패스유니트(PASSR)(60)로 옮겨진다. In the first thermal processing unit 26, the substrate G is sequentially transferred to the predetermined oven unit by the transfer mechanism 46 in a predetermined sequence. For example, the substrate G is first moved from the pass unit PASS L 50 to one of the heating units DHP 52 and 54 and subjected to dehydration therefrom (step S 4 ). Subsequently, the substrate G is transferred to one of the cooling units (COLs) 62 and 64, where it is cooled to a constant substrate temperature (step S 5 ). Subsequently, the substrate G is transferred to the adventure unit AD 56 and subjected to hydrophobic treatment therein (step S 6 ). After the end of this hydrophobization treatment, the substrate G is cooled to a constant substrate temperature by one of the cooling units (COL) 62, 64 (step S 7 ). Finally, the substrate G is transferred to a pass unit PASS R 60 in the downstream oven tower TB 48.

이와 같이, 제 1 열적처리부(26)내에서는, 기판(G)이, 반송기구(46)를 통해 상류측의 다단 오븐 타워(TB)(44)와 하류측의 오븐 타워(TB)(48)의 사이에서 임의로 왕래할 수 있도록 되어 있다. 또, 제 2 및 제 3 열적처리부(30, 36)에서도 같은 기판반송동작이 행하여진다. Thus, in the 1st thermal processing part 26, the board | substrate G is an upstream multistage oven tower (TB) 44 and the downstream oven tower TB (TB) 48 via the conveyance mechanism 46. As shown in FIG. You can come and go arbitrarily. The same substrate transfer operation is also performed in the second and third thermal processing units 30 and 36.

제 1 열적처리부(26)에서 상기와 같은 일련의 열적 또는 열계의 처리를 받은 기판(G)은, 하류측 오븐 타워(TB)(48)내의 패스유니트(PASSR)(60)로부터 레지스트도포유니트(CT)(82)로 옮겨진다. The substrate G subjected to the above-described series of thermal or thermal treatments in the first thermal processing unit 26 is applied to the resist coating unit from the pass unit PASS R 60 in the downstream oven tower TB 48. It is moved to (CT) 82.

레지스트도포유니트(CT)(82)에 있어서, 기판(G)은, 후술하는 바와 같이 슬릿형의 레지스트 노즐을 사용하는 스핀레스법에 의해 기판 윗면(피처리면)에 레지스트액이 도포된다. 이어서, 기판(G)은, 하류측에 인접한 감압건조유니트(VD)(84)로 감압에 의한 건조처리를 받는다(스텝 S8). In the resist coating unit (CT) 82, the resist liquid is coated on the upper surface (to-be-processed surface) of the substrate G by a spinless method using a slit-type resist nozzle as described later. Subsequently, the substrate G is subjected to a drying process under reduced pressure in a vacuum drying unit (VD) 84 adjacent to the downstream side (step S 8 ).

상기와 같은 레지스트도포처리를 받은 기판(G)은, 감압건조유니트(VD)(84)로부터 인접한 제 2 열적처리부(30)의 상류측 오븐 타워(TB)(88)내의 패스유니트(PASSL)에 반입된다. The substrate G subjected to the resist coating process as described above is a pass unit PASS L in the upstream oven tower TB 88 of the second thermal processing unit 30 adjacent from the reduced pressure drying unit VD 84. It is brought in.

제 2 열적처리부(30)내에서, 기판(G)은, 반송기구(90)에 의해 소정의 시퀀스로 소정의 유니트로 차례로 이송된다. 예를 들면, 기판(G)은, 제일 먼저 패스유니트(PASSL)로부터 가열유니트(PREBAKE)의 하나로 옮겨지고, 거기서 프리베이킹의 가열처리를 받는다(스텝 S9). 다음에, 기판(G)은, 냉각유니트(COL)의 하나로 옮겨지고, 거기서 일정한 기판온도까지 냉각된다(스텝 S10). 이후, 기판(G)은 하류측 오븐 타워(TB)(92)쪽의 패스유니트(PASSR)를 경유하여, 혹은 경유하지 않고서 인터페이스 스테이션(I/F) (18)쪽의 엑스텐션·쿨링스테이지(EXT ·COL)(108)에 받아 넘겨진다. In the second thermal processing unit 30, the substrate G is sequentially transferred to the predetermined unit in a predetermined sequence by the transport mechanism 90. For example, the substrate (G) is, the best path is first moved in one unit of the heating unit (PREBAKE) from (PASS L), where subjected to the heat treatment of pre-baked (step S 9). Next, the substrate G is transferred to one of the cooling units COL, where it is cooled to a constant substrate temperature (step S 10 ). Subsequently, the substrate G passes through the extension cooling stage at the interface station I / F 18 via or without a pass unit PASS R on the downstream oven tower TB 92 side. EXT COL) 108 is passed on.

인터페이스 스테이션(I/F)(18)에 있어서, 기판(G)은, 엑스텐션·쿨링스테이지(EXT·COL)(108)로부터 주변장치(110)의 주변노광장치(EE)에 반입되고, 거기서 기판(G)의 주변부에 부착하는 레지스트를 현상시에 제거하기 위한 노광을 받은 후에, 인접한 노광장치(12)로 보내진다(스텝 S11). In the interface station (I / F) 18, the substrate G is carried from the extension cooling stage (EXT COL) 108 to the peripheral exposure apparatus EE of the peripheral device 110, where the substrate After receiving the exposure for removing the resist attached to the periphery of (G) at the time of development, it is sent to the adjacent exposure apparatus 12 (step S 11 ).

노광장치(12)에서는 기판(G) 상의 레지스트에 소정의 회로패턴이 노광된다. 그리고, 패턴노광을 끝낸 기판(G)은, 노광장치(12)로부터 인터페이스 스테이션(I/F)(18)에 복귀되면(스텝 S11), 먼저 주변장치(110)의 타이틀러(TITLER)에 반입되 고, 거기서 기판상의 소정의 부위에 소정의 정보가 기록된다(스텝 S12). 이후, 기판(G)은 엑스텐션·쿨링스테이지(EXT·COL)(108)에 복귀된다. 인터페이스 스테이션(I/F)(18)에 있어서의 기판(G)의 반송 및 노광장치(12)와의 기판(G)의 주고받음은 반송장치(104)에 의해서 행하여진다. In the exposure apparatus 12, a predetermined circuit pattern is exposed to the resist on the substrate G. Subsequently, when the substrate G, which has finished pattern exposure, returns to the interface station (I / F) 18 from the exposure apparatus 12 (step S 11 ), the substrate G is first applied to the titler TITLER of the peripheral apparatus 110. being imported, there is the predetermined information recorded in a predetermined area on the substrate (step S 12). Subsequently, the substrate G is returned to the extension cooling stage (EXT COL) 108. The conveyance of the board | substrate G in the interface station (I / F) 18, and the exchange of the board | substrate G with the exposure apparatus 12 are performed by the conveyance apparatus 104. FIG.

프로세스 스테이션(P/S)(16)에서는, 제 2 열적처리부(30)에 있어서 반송기구(90)가 엑스텐션·쿨링스테이지(EXT·COL)(108)로부터 노광이 끝난 기판(G)을 받아들여, 프로세스라인(B)쪽의 오븐 타워(TB)(92)내의 패스유니트(PASSR)를 통해 현상 프로세스부(32)에 받아 넘겨진다. In the process station (P / S) 16, the conveyance mechanism 90 receives the exposed substrate G from the extension cooling stage (EXT COL) 108 in the second thermal processing unit 30. , And is passed to the developing process unit 32 via a pass unit PASS R in the oven tower TB 92 on the process line B side.

현상 프로세스부(32)에서는, 해당 오븐 타워(TB)(92)내의 패스유니트(PASSR)에서 받아들인 기판(G)을 현상유니트(DEV)(94)에 반입한다. 현상유니트(DEV)(94)에 있어서 기판(G)은 프로세스라인(B)의 하류를 향하여 수평흐름 방식으로 반송되고, 그 반송중에 현상, 린스, 건조의 일련의 현상처리공정이 행하여진다(스텝 S13). In the developing process part 32, the board | substrate G received in the pass unit PASS R in the oven tower TB 92 is carried in to the developing unit DEV 94. As shown in FIG. In the developing unit (DEV) 94, the substrate G is conveyed in a horizontal flow manner downstream of the process line B, and a series of development processes of developing, rinsing and drying are performed during the conveyance (step). S 13 ).

현상 프로세스부(32)에서 현상처리를 받은 기판(G)은 하류측에 인접한 탈색 프로세스부(34)로 수평흐름으로 반입되고, 거기서 i선 조사에 의한 탈색처리를 받는다(스텝 S14). 탈색처리가 끝난 기판(G)은, 제 3 열적처리부(36)의 상류측 오븐 타워(TB) (98)내의 패스유니트(PASSL)에 반입된다. The substrate G subjected to the developing process in the developing process part 32 is carried in the horizontal flow to the decolorizing process part 34 adjacent to the downstream side, and is subjected to the decolorizing process by i-line irradiation there (step S 14 ). The board | substrate G after the decolorization process is carried in to the pass unit PASS L in the upstream oven tower TB 98 of the 3rd thermal processing part 36. As shown in FIG.

제 3 열적처리부(36)에 있어서, 기판(G)은, 제일 먼저 해당 패스유니트(PASSL)에서 가열유니트(POBAKE)의 하나로 옮겨지고, 거기서 포스트베이킹의 가열처 리를 받는다(스텝 S15). 다음에, 기판(G)은, 하류측 오븐 타워(TB)(102)내의 패스쿨링·유니트(PASSR·COL)로 옮겨지고, 거기서 소정의 기판온도로 냉각된다(스텝 S16). 제 3 열적처리부(36)에 있어서의 기판(G)의 반송은 반송기구(100)에 의해서 행하여진다. In the third thermal processing unit 36, the substrate G is first moved from the pass unit PASS L to one of the heating units POBAKE, and is subjected to post-baking heating treatment (step S 15 ). . Subsequently, the substrate G is transferred to a pass cooling unit (PASS R COL) in the downstream oven tower (TB) 102, where it is cooled to a predetermined substrate temperature (step S 16 ). The conveyance of the board | substrate G in the 3rd thermal processing part 36 is performed by the conveyance mechanism 100. FIG.

카세트 스테이션(C/S)(14)쪽에서는, 반송기구(22)가, 제 3 열적처리부(36)의 패스쿨링·유니트(PASSR·COL)로부터 도포현상처리의 전체공정을 끝낸 기판(G)을 받아들이고, 받아들인 기판(G)을 스테이지(20)상의 어느 하나의 카세트(C)에 수용한다(스텝 S1). On the cassette station (C / S) 14 side, the conveyance mechanism 22 finishes the whole process of the coating and developing process from the pass cooling unit (PASS R COL) of the third thermal processing unit 36 (G). ) Is received and the accepted substrate G is placed in any one cassette C on the stage 20 (step S 1 ).

이 도포현상처리 시스템(10)에 있어서는, 도포 프로세스부(28), 특히 레지스트도포유니트(CT)(82)에 본 발명을 적용할 수가 있다. 이하, 도 4 ∼도 12를 참조하여 본 발명을 도포 프로세스부(28)에 적용한 하나의 실시형태를 설명한다. In this coating and developing processing system 10, the present invention can be applied to the coating process unit 28, in particular, a resist coating unit (CT) 82. Hereinafter, one embodiment which applied this invention to the application | coating process part 28 is described with reference to FIGS.

도 4에 나타낸 바와 같이, 도포 프로세스부(28)는, 지지대(112) 위에 레지스트도포유니트(CT)(82)와 감압건조유니트(VD)(84)를 X방향으로{프로세스라인(A)을 따라} 일렬로 배치하고 있다. X방향으로 이어지는 한 쌍의 가이드레일(114, 114)이 지지대(112)의 양 끝단부에 평행하게 부설되고, 양 가이드레일(114, 114)로 안내되어 이동하는 1조(組) 또는 복수 조(組)의 반송아암(116, 116)에 의해, 레지스트도포유니트(CT)(82)로부터 감압건조유니트(VD)(84)로 기판(G)을 전송할 수 있도록 되어 있다. 더욱이, 양 가이드레일(114, 114)은, 도포 프로세스부(28)와 인접 하는 상류측 및 하류측의 유니트, 즉 제 1 열적처리부(26)의 하류측 오븐 타워(TB)(48)에 속하는 패스유니트(PASSR)(60)와, 제 2 열적처리부(30)의 상류측 오븐 타워(TB)(88)에 속하는 패스유니트(PASSL)에 밀어 넣어지고, 반송아암(116, 116)이 양측의 패스유니트(PASSR), (PASSL)에 출입 가능하게 되어 있다. 이렇게 해서, 반송아암(116, 116)에 의해, 오븐 타워(TB) (48)의 패스유니트(PASSR)로부터 도포처리전의 기판(G)을 레지스트도포유니트(CT)(82)에 반입하고, 감압건조유니트(VD)(84)로부터 오븐 타워(TB)(88)의 패스유니트(PASSL)로 도포처리가 끝난 기판(G)을 반출하도록 되어 있다. As shown in FIG. 4, the application | coating process part 28 puts the resist coating unit (CT) 82 and the pressure reduction drying unit (VD) 84 on the support 112 in the X direction (process line A). } Along the lines. A pair of guide rails 114 and 114 extending in the X direction are laid parallel to both ends of the support 112 and guided and moved to both guide rails 114 and 114. The transfer arms 116 and 116 (i) allow the substrate G to be transferred from the resist coating unit (CT) 82 to the reduced pressure drying unit (VD) 84. Moreover, both guide rails 114 and 114 belong to upstream and downstream units adjacent to the application process section 28, that is, belonging to the downstream oven tower (TB) 48 of the first thermal processing section 26. The pass units (PASS R ) 60 and the pass units (PASS L ) belonging to the upstream oven tower (TB) 88 of the second thermal processing unit 30 are pushed into the carrier arms 116, 116. The pass units (PASS R ) and (PASS L ) on both sides are accessible. In this way, the conveyance arms 116 and 116 carry the board | substrate G before application | coating process into the resist coating unit (CT) 82 from the pass unit PASS R of oven tower (TB) 48, The coated substrate G is carried out from the vacuum drying unit VD 84 to the pass unit PASS L of the oven tower TB 88.

레지스트도포유니트(CT)(82)는, 기판(G)을 수평으로 얹어 놓고 유지하기 위한 스테이지(118)와, 이 스테이지(118)상에 놓여지는 기판(G)의 윗면(피처리면)에 기다란 형태의 레지스트 노즐(120)을 사용하여 스핀레스법으로 레지스트액을 도포하기 위한 도포처리부(122)와, 레지스트 노즐(120)의 레지스트액 토출기능을 정상상태로 유지 또는 리프레쉬하기 위한 노즐 리프레쉬부(124)와, 도포처리시에 레지스트 노즐(120)에 있어서 수평일직선의 웨트라인(WL)을 안정적으로 확실히 얻기 위한 웨트라인 바탕처리를 하기 위한 웨트라인 바탕처리부(125) 등을 가지고 있다. 이 실시형태에서는, 웨트라인 바탕처리부(125)가 노즐 리프레쉬부(124)내에 설치된다. 레지스트도포유니트(CT)(82)내의 각 부의 구성 및 작용은 도 5∼도 12를 참조하여 후에 상술한다. The resist coating unit (CT) 82 is elongated on the stage 118 for placing and holding the substrate G horizontally, and on the upper surface (processing surface) of the substrate G placed on the stage 118. A coating processing unit 122 for applying the resist liquid by the spinless method using the resist nozzle 120 of the type, and a nozzle refresh unit for maintaining or refreshing the resist liquid discharge function of the resist nozzle 120 in a normal state ( 124 and a wetline base treatment unit 125 for performing wetline base treatment for stably obtaining a horizontal straight line wet line WL at the resist nozzle 120 during the coating process. In this embodiment, the wet line background processing unit 125 is provided in the nozzle refresh unit 124. The structure and operation of each part in the resist coating unit (CT) 82 will be described later with reference to FIGS. 5 to 12.                     

감압건조유니트(VD)(84)는, 윗면이 개구하고 있는 트레이 또는 바닥이 얕은 용기형의 하부챔버(126)와, 이 하부챔버(126)의 윗면에 기밀로 밀착 또는 끼워맞춤가능하게 구성된 덮개형상의 상부챔버(도시하지 않음)를 가지고 있다. 하부챔버(126)는 거의 사각형으로, 중심부에는 기판(G)을 수평으로 얹어 놓아 지지하기 위한 스테이지(128)가 배치되고, 바닥면의 네 모서리에는 배기구(130)가 설치되어 있다. 각 배기구(130)는 배기관(도시하지 않음)을 통해 진공펌프(도시하지 않음)에 통하고 있다. 하부챔버(126)에 상부챔버를 씌운 상태로, 양 챔버내의 밀폐된 처리공간을 해당 진공펌프에 의해 소정의 진공도까지 감압할 수 있도록 되어 있다. The pressure reduction drying unit (VD) 84 is a lid having a top opening or a container bottom bottom chamber 126 having a shallow bottom, and a lid configured to be airtightly fitted or fitted on the top surface of the bottom chamber 126. It has an upper chamber (not shown) in shape. The lower chamber 126 has a substantially rectangular shape, and a stage 128 for horizontally supporting the substrate G is disposed at the center thereof, and an exhaust port 130 is provided at four corners of the bottom surface. Each exhaust port 130 communicates with a vacuum pump (not shown) through an exhaust pipe (not shown). With the upper chamber covered with the lower chamber 126, the closed processing spaces in both chambers can be decompressed to a predetermined degree of vacuum by the vacuum pump.

도 5에, 레지스트도포유니트(CT)(82)에 있어서의 도포처리부(122)의 구성을 나타낸다. 도포처리부(122)는, 레지스트 노즐(120)을 포함하는 레지스트액공급부(132)와, 도포처리시에 레지스트 노즐(120)을 스테이지(118)의 위쪽으로 화살표방향(X-방향)으로 수평이동, 즉 주사시키는 주사부(134)를 가진다. 레지스트액공급부(132)에 있어서, 레지스트 노즐(120)은, 스테이지(118)상의 기판(G)을 일끝단으로부터 다른 끝단까지 커버할 수 있는 길이로 Y방향으로 이어지는 기다란 형상의 노즐본체(150)를 가지며, 레지스트액 공급원(도시하지 않음)으로부터의 레지스트액 공급관(136)에 접속되어 있다. 노즐본체(150)의 하단면에는 노즐길이 방향(Y방향)으로 이어지는 슬릿형상의 토출구(152)가 형성되어 있다. 주사부(134)는, 레지스트 노즐(120)을 수평으로 지지하는 '??'자형상의 지지체(138)와, 이 지지체(138)를 X방향에서 쌍방향으로 직진이동시키는 주사구동부(14O)를 가진다. 이 주사구동부(140)는, 예를 들면 가이드가 부착된 리니어모터기구 또는 볼나사기구로 구성되어 도 좋다. X방향으로 지지체(138)를 고정하고, 스테이지(118)쪽을 직진이동시키는 구성도 가능하다. 지지체(138)와 레지스트 노즐(120)을 접속하는 죠인트부(142)에는, 레지스트 노즐(120)의 높이 위치를 변경 또는 조절하기 위한 가이드가 부착된 승강기구를 설치하는 것이 바람직하다. 레지스트 노즐(120)의 높이 위치를 조절함으로써, 레지스트 노즐(120)의 하단면 또는 토출구(152)와 스테이지(118)상의 기판(G)의 윗면(피처리면)과의 사이의 거리간격, 즉 갭의 크기를 임의로 설정 또는 조정할 수 있다. 5, the structure of the coating process part 122 in the resist coating unit (CT) 82 is shown. The coating processing unit 122 horizontally moves the resist liquid supplying unit 132 including the resist nozzle 120 and the resist nozzle 120 in the arrow direction (X-direction) above the stage 118 during the coating processing. That is, it has the scanning part 134 to scan. In the resist liquid supply unit 132, the resist nozzle 120 has an elongated nozzle body 150 extending in the Y direction to cover the substrate G on the stage 118 from one end to the other end. And a resist liquid supply pipe 136 from a resist liquid supply source (not shown). A slit-shaped discharge port 152 extending in the nozzle length direction (Y direction) is formed on the bottom surface of the nozzle body 150. The scanning unit 134 includes a '??' shaped support 138 supporting the resist nozzle 120 horizontally, and a scan driving unit 14O for moving the support 138 straight in the X direction in both directions. . This scanning drive part 140 may be comprised, for example with the linear motor mechanism or the ball screw mechanism with a guide. It is also possible to fix the support 138 in the X direction and to move the stage 118 straight. The joint portion 142 connecting the support 138 and the resist nozzle 120 is preferably provided with a lifting mechanism with a guide for changing or adjusting the height position of the resist nozzle 120. By adjusting the height position of the resist nozzle 120, the distance interval, i.e., the gap between the lower surface of the resist nozzle 120 or the discharge port 152 and the upper surface of the substrate G on the stage 118 (surface to be processed) The size of can be set or adjusted arbitrarily.

도 6 및 도 7에, 하나의 실시예에 의한 레지스트 노즐(120) 및 웨트라인 바탕처리부(125)의 구성을 나타낸다. 웨트라인 바탕처리부(125)는, 스테이지(118)와 노즐주사방향의 하류측(상류측이어도 좋다)에서 인접하는 노즐 리프레쉬부(124)내에 설치되어 있다. 6 and 7 show the configuration of the resist nozzle 120 and the wet line background processing unit 125 according to one embodiment. The wet line background processing unit 125 is provided in the nozzle refresh unit 124 adjacent to the stage 118 on the downstream side (which may be an upstream side) in the nozzle scanning direction.

레지스트 노즐(120)에 있어서, 노즐본체(150)는, 예를 들면 스텐레스강 등의 내부식성과 가공성에 뛰어난 금속으로 이루어지며, 각통형상의 버퍼부(154)와, 이 버퍼부(154)로부터 하단면의 토출구(152)를 향하여 테이퍼형상으로 이어지는 노즐부(156)를 가진다. 노즐부(156)가 서로 대향하는 테이퍼면(158, 160)중, 한쪽의 테이퍼면(158)이 앞면이고, 다른쪽의 테이퍼면(160)이 배면이 된다. 즉, 레지스트 노즐(120)은, 도포처리중에 노즐부(156)의 앞면(158)을 노즐주사방향(X-방향)의 앞쪽을 향하여, 노즐부(156)의 배면(160)을 같은 방향의 뒤쪽을 각각 향하여 이동시킨다(도 5, 도 9, 도 10). 버퍼부(154)의 내부에는, 레지스트액공급관(136)으로부터 도입한 레지스트액을 일단 저장하고 노즐길이 방향의 압력을 균일화하기 위한 버퍼실 또는 캐비티(도시하지 않음)가 형성된다. 노즐부(156)의 내부에는, 버퍼부(154)내의 캐비티로부터 하단의 토출구(152)까지 수직아래쪽으로 이어지는 슬릿형상의 유로(161)가 형성된다. In the resist nozzle 120, the nozzle body 150 is made of a metal excellent in corrosion resistance and workability, such as stainless steel, for example, and is formed from a square cylindrical buffer portion 154 and the buffer portion 154. It has the nozzle part 156 which continues to taper toward the discharge port 152 of the lower surface. Of the tapered surfaces 158 and 160 where the nozzle portions 156 face each other, one of the tapered surfaces 158 is the front surface, and the other tapered surface 160 is the rear surface. That is, the resist nozzle 120 faces the front surface 158 of the nozzle portion 156 toward the front side of the nozzle scanning direction (X-direction) during the coating process, and faces the back surface 160 of the nozzle portion 156 in the same direction. It is moved back toward each (FIGS. 5, 9, 10). Inside the buffer portion 154, a buffer chamber or cavity (not shown) is formed for storing the resist liquid introduced from the resist liquid supply pipe 136 once and equalizing the pressure in the nozzle length direction. Inside the nozzle portion 156, a slit-shaped flow path 161 extending downward from the cavity in the buffer portion 154 to the discharge port 152 at the lower end is formed.

웨트라인 바탕처리부(125)는, 앞면으로부터 레지스트액이 스며 나오도록 구성된 도포 패드(162)와, 이 도포 패드(162)를 레지스트 노즐(120)의 노즐부(156)의 배면(160)의 하반부에 눌러 놓고 노즐길이 방향으로 상대적으로 미끄럼동작시키기 위한 도포 패드 미끄럼동작부(164)를 가지고 있다. The wet line background processing unit 125 includes an application pad 162 configured to exude a resist liquid from the front surface, and the application pad 162 is formed on the lower half of the back surface 160 of the nozzle unit 156 of the resist nozzle 120. It has a coating pad sliding part 164 for pressing it and sliding it relatively in a nozzle length direction.

도포 패드(162)는, 도 7에 나타낸 바와 같이, 앞면이 개구한 상자체(166)와, 이 상자체(166)내에 충전된 패드부재(168)를 가지고 있다. 패드부재(168)는, 팽윤성과 탄력성을 구비한 섬유질의 물질이 바람직하고, 예를 들면 해면상물질 또는 다공성물질로 이루어지는 것이어도 좋다. 상자체(166)의 배면에는 강성의 중공관으로 이루어지는 지지관(170)이 결합되어 있다. 웨트라인 바탕처리중에는, 후술하는 유틸리티 유니트(172)내의 레지스트액공급부로부터의 레지스트액이 이 지지관(170)의 유로를 통하여 상자체(166)내의 패드부재(168)에 공급되도록 되어 있다. 패드부재(168)의 내부에는, 상자체(166)의 배후쪽으로부터 도입된 레지스트액을 패드부재 전체에 균일하게 확대시키기 위한 캐비티(168a)가 형성되어도 좋다. As shown in FIG. 7, the application pad 162 has a box body 166 having an open front face and a pad member 168 filled in the box body 166. The pad member 168 is preferably a fibrous material having swelling and elasticity, and may be made of, for example, a sponge material or a porous material. The support tube 170 made of a rigid hollow tube is coupled to the rear surface of the box 166. During the wet line background processing, the resist liquid from the resist liquid supply unit in the utility unit 172, which will be described later, is supplied to the pad member 168 in the box 166 through the flow path of the support tube 170. In the pad member 168, a cavity 168a may be formed for uniformly expanding the resist liquid introduced from the rear side of the box body 166 over the entire pad member.

도포 패드미끄럼동작부(164)는, 노즐 리프레쉬부(124)내에 설치된 웨트라인 바탕처리용의 스테이션에서 레지스트 노즐(120)의 노즐배면부(160)와 대면하는 위치에 배치되어 있고, 각종 구동부나 용력부 등을 포함하는 유틸리티 유니트(172)와, 이 유틸리티 유니트(172)를 얹어 놓은 캐리지(174)와, 이 캐리지(174)를 레지 스트 노즐(120)의 길이 방향(Y 방향)으로 평행한 수평방향으로 일직선으로 이동시키기 위한 직진구동부(176)를 가지고 있다. 직진구동부(176)는, 예를 들면 가이드(도시하지 않음)가 부착된 볼나사 기구로 구성되어도 좋고, 혹은 리니어 모터기구나 벨트 기구 등으로 구성되어도 좋다. Y방향에서 유틸리티 유니트(172)쪽을 고정하고, 레지스트 노즐(120)을 직진이동시키는 구성도 가능하다. 유틸리티 유니트(172)내에는, 도포 패드(162)에 지지관(170)내의 유로를 통해 레지스트액을 공급하기 위한 레지스트액 공급부나, 도포 패드(162)를 지지관(170)을 통해 전후방향에서 이동가능하고 또한 수평으로 지지하는 지지부나, 도포 패드(162)를 지지관(170)과 일체로 앞쪽으로 밀어내기 위한 누름부 등이 수용되어 있다. 도시한 예에서는, 도포 패드(162)와 유틸리티 유니트(172)쪽의 스프링받음부(도시하지 않음)와의 사이에 지지관(170)을 지지축으로 하는 코일스프링(178)이 가설되어 걸쳐 있다. 유틸리티 유니트(172)내의 상기 누름부는, 예를 들면 에어실린더를 가지며, 코일스프링(178)의 스프링변형량에 따른 원하는 압력으로 도포 패드(162)를 레지스트 노즐(120)의 노즐부 배면(160)의 하반부에 압착하도록 되어 있다. The coating pad sliding portion 164 is disposed at a position facing the nozzle back portion 160 of the resist nozzle 120 at a station for wet line processing provided in the nozzle refresh portion 124, and is provided with various driving portions and a force. A utility unit 172 including a portion, a carriage 174 on which the utility unit 172 is placed, and the carriage 174 are horizontally parallel to the longitudinal direction (Y direction) of the resist nozzle 120. It has a straight drive part 176 for moving to a straight line in the direction. The linear drive part 176 may be comprised with the ball screw mechanism with a guide (not shown), for example, or may be comprised with a linear motor mechanism, a belt mechanism, etc. It is also possible to fix the utility unit 172 side in the Y direction and to move the resist nozzle 120 straight. In the utility unit 172, a resist liquid supply unit for supplying the resist liquid to the application pad 162 through a flow path in the support tube 170, or the application pad 162 in the front-rear direction through the support tube 170. The support part which is movable and horizontally supports, the press part, etc. which push the application pad 162 forward with the support pipe 170 integrally are accommodated. In the example shown, the coil spring 178 which supports the support pipe 170 as a support shaft is hypothesized between the application | coating pad 162 and the spring receiving part (not shown) of the utility unit 172 side. The pressing portion in the utility unit 172 has, for example, an air cylinder, and the application pad 162 of the nozzle portion rear surface 160 of the resist nozzle 120 at a desired pressure according to the spring deformation of the coil spring 178. It is compressed to the lower half.

여기서, 도 6∼도 8에 대하여 웨트라인 바탕처리부(125)에 있어서의 작용을 설명한다. 스테이지(118)상의 기판(G)에 대한 도포처리가 끝나면, 다음 피처리기판(G)에 대한 도포처리를 위해서 주사부(134)가 레지스트 노즐(120)을 노즐 리프레쉬부(124)까지 이송하여, 웨트라인 바탕처리용의 스테이션에서 위치결정한다. 웨트라인 바탕처리부(125)에서는, 위치 결정된 레지스트 노즐(120)의 일끝단에 근접한 장소에서, 도포 패드미끄럼동작부(164)가 도포 패드(162)를 노즐부 배면(160)의 하반부에 대향시킨다. 그리고, 유틸리티 유니트(172)내의 레지스트액 공급부로부터 도포 패드(162)에 레지스트액을 공급하면서, 유틸리티 유니트(172)내의 누름부에 의해 도포 패드(162)를 노즐부 배면(160)의 하반부에 소정의 압력으로 압착하면서, 직진구동부(176)의 직진구동에 의해 도포 패드(162)를 노즐길이 방향(Y 방향)으로 레지스트 노즐(120)의 일끝단으로부터 다른 끝단까지 직선적으로 또한 한번에 미끄럼동작시킨다. 바람직하게는, 도포 패드(162)를 일정한 속도로 미끄럼동작시켜, 레지스트 노즐(120)의 다른 끝단부근에서 멈추거나 감속하지 않고 지나가게 하여도 좋다. 6 to 8, the operation of the wet line background processing unit 125 will be described. After the coating process on the substrate G on the stage 118 is finished, the scanning unit 134 transfers the resist nozzle 120 to the nozzle refresh unit 124 for the next coating process on the substrate G to be processed. Position at the station for wetline background processing. In the wet line background processing unit 125, the application pad sliding part 164 opposes the application pad 162 to the lower half of the nozzle unit rear surface 160 at a position close to one end of the positioned resist nozzle 120. . Then, while the resist liquid is supplied from the resist liquid supply portion in the utility unit 172 to the coating pad 162, the pressing pad in the utility unit 172 is applied to the lower half of the nozzle portion rear surface 160 by the pressing portion. The application pad 162 is slid linearly and at once from one end of the resist nozzle 120 to the other end in the nozzle length direction (Y direction) by pressing the straight driving unit 176 in a straight line while pressing at a pressure of. Preferably, the application pad 162 may be slid at a constant speed so as to pass without stopping or decelerating near the other end of the resist nozzle 120.

그 결과, 도 8에 나타낸 바와 같이, 노즐부 배면(160)의 하반부에는 도포 패드(162)와 통과하여 지나간 영역(180)에 레지스트액이 노즐길이 방향(Y방향)으로 발려진다. 이 노즐부 배면(160)에 있어서의 레지스트액이 발려지는 영역(180)내에는, 도포 패드(162)의 패드부재(168)가 마찰흔적으로서 노즐길이 방향(Y 방향)에 평행하고 또한 수평일직선으로 이어지는 다수 내지 무수한 라인(182)이 형성된다. 이들 마찰 라인(182)은, 다음 도포처리를 개시할 때에 기판(G) 상에 토출된 레지스트액이 젖음 현상으로 레지스트액이 발려지는 영역(180) 위를 높이 방향으로 확대될 때의 액면정상위치를 수평일직선으로 규제하기 위한 수평 가이드 라인 기능을 발휘하는 것이다. 여기서, 레지스트 노즐(120)의 하단면{토출구(152)}을 기준으로 하여, 레지스트액이 발려지는 영역(180)의 상단높이 위치(H)를 웨트라인(WL)의 높이 위치(예상치)(h)보다도 충분히 높게(예를 들면 2배 이상) 하는 것이 바람직하다. 일례로서, h=0.5mm에 대하여 H= 1.0∼2.0mm로 설정하여도 좋다. As a result, as shown in FIG. 8, the resist liquid is applied to the nozzle length direction (Y direction) to the area | region 180 which passed through the application pad 162 to the lower half part of the nozzle part back surface 160. As shown in FIG. In the region 180 where the resist liquid on the nozzle portion back surface 160 is applied, the pad member 168 of the coating pad 162 is parallel to the nozzle length direction (Y direction) with friction traces and is horizontally straight. Numerous to myriad lines 182 are formed that lead to. These friction lines 182 are at the liquid level normal position when the resist liquid discharged on the substrate G is expanded in the height direction on the region 180 where the resist liquid is applied due to the wet phenomenon at the start of the next coating process. It functions as a horizontal guideline to regulate the horizontal straight line. Here, on the basis of the bottom surface (discharge port 152) of the resist nozzle 120, the upper height position H of the region 180 where the resist liquid is applied is determined as the height position (estimated value) of the wet line WL ( It is preferable to make it high enough (for example, twice or more) than h). As an example, you may set H = 1.0-2.0mm with respect to h = 0.5mm.                     

이 레지스트도포유니트(CT)(82)에 있어서, 웨트라인 바탕처리부(125)에서 상기와 같은 웨트라인 바탕처리가 행하여진 후, 레지스트 노즐(120)을 주사부(134)에 의해 스테이지(118)의 상류쪽으로 이송해 놓는다. 그리고, 다음 미처리의 피처리기판(G)이 스테이지(118)상에 놓여지면, 주사부(134)에 의해 레지스트 노즐(120)을 해당 기판(G) 상의 상류측단부에 위치맞춤하고, 이어서 도 5에 나타낸 바와 같이 스테이지(118)의 위쪽을 X-방향에서 종단하도록 레지스트 노즐(120)을 일정한 속도로 주사시키면서, 레지스트액 공급부(132)에 있어서 레지스트 노즐(120)의 토출구(152)로부터 노즐길이 방향(Y 방향)으로 이어지는 라인형상의 토출흐름으로 레지스트액(R)을 스테이지(118) 상의 기판(G)의 윗면에 공급한다. In the resist coating unit (CT) 82, the wet line base processing unit 125 performs the above-described wet line base processing, and then the resist nozzle 120 is moved by the scanning unit 134 to the stage 118. To the upstream side of the When the next unprocessed substrate G is placed on the stage 118, the scanning unit 134 positions the resist nozzle 120 at an upstream side end on the substrate G. As shown in FIG. 5, the resist nozzle 120 is scanned at a constant speed so that the top of the stage 118 is terminated in the X-direction, and the nozzle from the discharge port 152 of the resist nozzle 120 in the resist liquid supply unit 132. The resist liquid R is supplied to the upper surface of the substrate G on the stage 118 in a line-like discharge flow in the longitudinal direction (Y direction).

그 때, 도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 노즐토출구(152)로부터 기판(G) 상에 토출된 레지스트액(R)이 젖음 현상에 의해 레지스트 노즐(120)의 노즐부 배면(160)의 하단부에 부착하여 높이 방향으로 확대되고, 노즐길이 방향으로 이어지는 볼록면형상의 메니스커스가 형성된다. 이 때, 노즐부 배면(160)의 하반부에는 앞서의 웨트라인 바탕처리에 의해 레지스트액이 발려지는 영역(180)이 형성되어 있기 때문에, 기판(G) 상의 레지스트액(R)은 노즐부 배면(160)의 하단에서 레지스트액이 발려지는 영역(180)을 따라 동일영역내의 무수한 수평일직선의 마찰 라인(182)에 의한 수평 가이드 라인의 규제를 받으면서 높이 방향으로 확대되고, 어느 하나의 마찰 라인(182)을 따르도록 하여 액면정상위치가 안정화되어, 수평일직선의 웨트라인(WL)이 확립된다. 이에 따라 웨트라인(WL)의 하류측에서 기판(G) 상에 형성되는 레지스트도포막(RM)의 막두께(d)가 소기의 값으로 일정하게 유지된다. At that time, as shown in FIGS. 9 and 10, the resist liquid R discharged from the nozzle discharge port 152 onto the substrate G is wetted so that the surface of the nozzle portion rear surface 160 of the resist nozzle 120 is wetted. It attaches to a lower end part and expands in a height direction, and the convex-shaped meniscus which extends in a nozzle length direction is formed. At this time, since the region 180 where the resist liquid is applied by the wet background treatment is formed in the lower half of the nozzle portion back 160, the resist liquid R on the substrate G is formed on the back surface of the nozzle portion ( At the lower end of 160, the resist liquid is expanded in the height direction under the restriction of the horizontal guide line by the countless horizontal straight friction lines 182 in the same region along the region 180 where the resist liquid is applied, and any one friction line 182. ), The liquid level steady position is stabilized, and the horizontal straight line WL is established. As a result, the film thickness d of the resist coating film RM formed on the substrate G on the downstream side of the wetline WL is constantly maintained at a desired value.                     

또한, 도포처리에 사용되는 레지스트액의 종류에 따라 점성이 불안정하고 물결형상의 메니스커스가 형성되기 쉬운 경우에도, 본 실시형태에 의하면 상기와 같은 레지스트액이 발려지는 영역(180)에 있어서의 수평 가이드 라인 기능에 의해 메니스커스의 정상위치를 수평일직선으로 규제할 수가 있다. 이에 따라 레지스트도포막(RM)상에 줄무늬모양의 도포얼룩이 생길 가능성을 대폭 저감할 수 있다. Further, even when the viscosity is unstable and the wavy meniscus tends to be formed depending on the type of the resist liquid used for the coating treatment, according to the present embodiment, in the region 180 where the resist liquid is applied as described above, The horizontal guide line function can regulate the normal position of the meniscus in a horizontal straight line. As a result, the possibility of streaked coating spots on the resist coating film RM can be greatly reduced.

노즐 리프레쉬부(124)에 있어서는, 도시는 생략하지만, 레지스트 노즐(120)의 노즐부(156)를 세정하기 위한 노즐세정부나, 레지스트 노즐(120)에 노즐내의 레지스트액을 토출하여 교체하게 하게 하기 위한 더미 디스펜스부 등도 설치된다. 노즐세정 또는 더미 디스펜스를 할 때는, 그 후에 상기와 같은 웨트라인 바탕처리부(125)에 의한 웨트라인 바탕처리를 하여도 좋다. Although not shown in the nozzle refresh unit 124, the nozzle cleaner for cleaning the nozzle unit 156 of the resist nozzle 120 or the resist liquid in the nozzle is discharged and replaced by the resist nozzle 120. A dummy dispensing unit is also provided. When performing nozzle cleaning or dummy dispensing, the wet line base treatment section 125 may then perform the wet line base treatment.

도 11에, 상기한 실시예에 있어서의 웨트라인 바탕처리부(125)의 한 변형예를 나타낸다. 이 변형예는, 도포 패드(162)의 앞면(주면)의 하단부에 노즐길이 방향과 평행하게 이어지는 오목부(184)를 형성하고 있다. 도시한 예에서는, 도 11의 (A), (B)에 나타낸 바와 같이, 상자체(166) 및 패드부재(168)의 쌍방에 각각 오목부(184)를 형성하고 있다. 11 shows a modification of the wet line background processing unit 125 in the above-described embodiment. In this modified example, the recessed part 184 which runs in parallel with the nozzle length direction is formed in the lower end part of the front surface (main surface) of the application pad 162. As shown in FIG. In the illustrated example, as shown in FIGS. 11A and 11B, recesses 184 are formed in both the box body 166 and the pad member 168, respectively.

이러한 구성에 의하면, 도포 패드(162)를 노즐부 배면(160)의 하단부에 압착하면서 노즐길이 방향으로 미끄럼동작시킬 때에, 패드부(168)로부터 스며 나온 레지스트액이 오목부(184)에 고인 상태로 노즐부 배면(160)의 하단부에 부착한다. 그 결과, 도 11의 (C)에 나타낸 바와 같이, 노즐부 배면(160)의 하단부에 노즐길이 방향으로 이어지는 레지스트액의 액체저장부(186)가 형성된다. 이 상태에서 다음 도포처리를 개시하면, 레지스트 노즐(120)의 토출구(152)로부터 기판(G) 상에 토출된 레지스트액이 젖음 현상에 의해 노즐부 배면(160)의 하단부에 부착하여 높이 방향으로 확대되는 시간이 단축된다. 이에 따라, 노즐주사의 개시를 빨리 할 수 있다. According to this configuration, when the application pad 162 is slid in the nozzle length direction while pressing the lower end portion of the nozzle portion rear surface 160, the resist liquid that has leaked from the pad portion 168 is accumulated in the recess 184. To the lower end of the nozzle unit back surface 160. As a result, as shown in FIG. 11C, the liquid storage portion 186 of the resist liquid extending in the nozzle length direction is formed at the lower end of the nozzle portion rear surface 160. When the next coating process is started in this state, the resist liquid discharged from the discharge port 152 of the resist nozzle 120 onto the substrate G adheres to the lower end of the nozzle back surface 160 due to the wet phenomenon and is in the height direction. The enlargement time is shortened. As a result, the nozzle scanning can be started earlier.

도 12에, 다른 실시예에 의한 웨트라인 바탕처리부(125)의 주요부의 구성을 나타낸다. 이 실시예는, 레지스트액이 스며 나오는 도포 패드(162)에 대신하여 마찰 전용의 마찰 패드(163)를 사용한다. 이 마찰 패드(163)를 지지하는 지지부재(171)에 레지스트액을 통과시키는 유로를 형성할 필요는 없다. 대신에, 레지스트 노즐(120)의 노즐부 배면(160)의 하단부에 레지스트액을 예를 들면 뿌려 공급하기 위한 레지스트액 부여부(188)를 마찰 패드(163)의 미끄럼동작방향상류측에 배치하고, 레지스트액부여부(188)와 마찰 패드(163)를 공통의 직진구동부(176)(도 6)에 의하여 노즐길이 방향으로 병진구동한다. 레지스트액 부여부(188)는 유틸리티 유니트(172)(도 6)내의 레지스트액 공급부에 접속되어 있어도 좋다. 마찰 패드(163)는, 상기 실시예의 도포 패드(162)와 같이 상자체내에 예를 들면 해면상물질 또는 다공질물질로 이루어지는 패드부재를 충전한 것이어도 좋고, 먼저 레지스트액부여부(188)로부터 노즐부 배면(160)에 붙어 있는 레지스트액을 노즐길이 방향으로 이어져 가면서 미끄럼동작한다. 이 마찰 패드(163)를 노즐부 배면(160)의 하반부에 소정의 압력으로 압착하면서, 노즐길이 방향으로 레지스트 노즐(120)의 일끝단으로부터 다른 끝단까지 일정한 속도로 직선적으로 또한 한번에 미끄럼동작시켜도 좋다. 12, the structure of the principal part of the wet line background processing part 125 by another embodiment is shown. In this embodiment, a friction pad 163 dedicated to friction is used in place of the application pad 162 through which the resist liquid is exuded. It is not necessary to form a flow path for passing the resist liquid through the support member 171 supporting the friction pad 163. Instead, the resist liquid applying portion 188 for spraying and supplying the resist liquid to the lower end of the nozzle back surface 160 of the resist nozzle 120, for example, is disposed on the upstream side of the friction pad 163 in the sliding direction. The resist liquid applying part 188 and the friction pad 163 are translated in the nozzle length direction by the common straight driving part 176 (FIG. 6). The resist liquid supply unit 188 may be connected to the resist liquid supply unit in the utility unit 172 (FIG. 6). The friction pad 163 may be filled with a pad member made of, for example, a sponge-like material or a porous material in the box like the coating pad 162 of the above embodiment, and first, the back surface of the nozzle portion from the resist liquid applying portion 188. The resist liquid adhering to 160 is slid while continuing in the nozzle length direction. The friction pad 163 may be slid linearly and once at a constant speed from one end to the other end of the resist nozzle 120 in the nozzle length direction while pressing the friction pad 163 at a predetermined pressure on the lower half of the nozzle back surface 160. .                     

이 실시예에서도, 노즐부 배면(160)의 하반부에는 마찰 패드(163)가 통과하여 지나간 후에, 상기 실시예와 같이 노즐길이 방향에 평행하고 또한 수평일직선으로 이어지는 다수 내지 무수한 마찰흔적 라인(도시하지 않음)을 포함하는 레지스트액이 발려지는 영역(180)이 형성된다. 따라서, 레지스트 노즐(120)에 있어서 수평일직선의 웨트라인(WL)을 항상 안정적으로 확립할 수 있는 동시에, 피처리기판상에 막두께가 일정하고 도포얼룩이 없는 레지스트도포막을 형성할 수 있다. Also in this embodiment, after the friction pad 163 passes through the lower half of the nozzle back surface 160, a plurality of to numerous friction trace lines (not shown) which are parallel to the nozzle length direction and continue in a horizontal straight line as in the above embodiment. And a region 180 on which the resist liquid is applied is formed. Therefore, the resist nozzle 120 can always stably establish the horizontal straight line WL, and can form a resist coating film having a constant film thickness and no coating stain on the substrate to be processed.

상기한 실시형태에서는, 웨트라인 바탕처리부(125)에 있어서 레지스트 노즐(120)의 노즐부 배면(160)의 하단부에 바르는 액으로서 레지스트액을 사용하였지만, 레지스트액을 적당한 용제로 희석하여 이루어지는 희석레지스트액도 사용할 수 있다. 웨트라인 바탕처리부(125)로 사용하는 레지스트액은 도포처리부(122)에서 사용하는 레지스트액과 동일한 것이 가장 바람직하지만, 주성분을 같이 하는 것이면 성분비나 농도 등에 다소의 차이가 있더라도 좋다. In the above-described embodiment, although the resist liquid is used as the liquid to be applied to the lower end of the nozzle portion rear surface 160 of the resist nozzle 120 in the wet background treatment unit 125, the dilution resist formed by diluting the resist liquid with a suitable solvent. Liquids can also be used. The resist liquid used for the wetline base treatment unit 125 is most preferably the same as the resist liquid used for the coating treatment unit 122. However, if the main component is used as the main component, there may be a slight difference in component ratio, concentration, and the like.

또한, 상기 실시형태에서는, 레지스트 노즐(120)의 노즐부 앞면(158)과 노즐부 배면(160)을 고정하고, 한 면의 노즐부 배면(160)쪽에만 웨트라인 바탕처리를 실시하도록 하였다. 그러나, 쌍방향(X-방향, X+방향)의 노즐주사로 도포처리를 하는 경우에는, 노즐부(156)의 양면(158, 160)에 상기 실시형태의 웨트라인 바탕처리를 실시하여도 좋다. 또한, 한방향 또는 고정식의 경우라도, 노즐부 배면(160)과 함께 노즐부 앞면(158)에도 웨트라인 바탕처리를 실시하는 것은 상관없다. In addition, in the said embodiment, the nozzle part front surface 158 and the nozzle part back surface 160 of the resist nozzle 120 were fixed, and the wet line background processing was performed only to the nozzle part back surface 160 of one surface. However, when the coating treatment is performed by nozzle scanning in both directions (X-direction, X + direction), the wet line background treatment of the above embodiment may be applied to both surfaces 158 and 160 of the nozzle portion 156. In addition, even if it is a unidirectional or fixed type | mold, it is not cared about to perform the wet line background processing on the nozzle part front surface 158 with the nozzle part back surface 160.

또한, 본 발명에 있어서의 레지스트액이 발려지는 영역(180)에 있어서의 마찰 라인(182)은, 통상은 상기 실시형태와 같이 노즐길이 방향으로 수평일직선으로 이어지게 하는 것이 바람직하지만, 어플리케이션에 따라서 비스듬하게 일직선으로 이어지게 하는 형태나 만곡하여(예를 들면 중심부보다도 주변부쪽이 높아지도록) 이어지게 하는 형태 등도 가능하다. In addition, although the friction line 182 in the area | region 180 to which the resist liquid is apply | coated in this invention is preferably made to continue in a horizontal straight line in the nozzle length direction like the said embodiment, it is oblique depending on an application. It is also possible to form a straight line or to bend (for example, the peripheral portion higher than the center portion) to be connected.

또한, 웨트라인 바탕처리에 있어서, 노즐부 배면(160)에 레지스트액을 바른 후, 예를 들면 CCD 카메라 등의 촬상장치로 노즐부 배면(160)을 촬상하여 레지스트액의 칠이 남아져 있는지 아닌지를 검사하여도 좋다. 칠이 남아 있을 때는, 노즐부 배면(160)을 노즐세정부(도시하지 않음)로 세정하고, 그 후에 노즐부 배면(160)에 레지스트액을 다시 도포한다. 촬상장치는, 노즐 리프레쉬부(124) 또는 그 근방에 배치되어도 좋다. 이러한 검사기능 및 재도포기능에 의해, 웨트라인 바탕처리의 신뢰성을 한층 더 향상시키고, 나아가서는 도포막 품질의 신뢰성을 한층 더 향상시킬 수 있다. In addition, in the wet background treatment, after applying the resist liquid to the nozzle part back surface 160, for example, the nozzle part back surface 160 is picked up by an imaging device such as a CCD camera, and whether the fill of the resist liquid remains. You may check. When the chill remains, the nozzle back surface 160 is cleaned with a nozzle cleaner (not shown), and then the resist liquid is applied again to the nozzle back surface 160. The imaging device may be disposed at or near the nozzle refresh unit 124. By such an inspection function and a reapplication function, the reliability of the wetline base treatment can be further improved, and further, the reliability of the coating film quality can be further improved.

상기한 실시형태는 슬릿형상의 토출구를 가진 기다란 형태의 도포 노즐에 관한 것이었지만, 본 발명은 노즐길이 방향으로 배열된 다수의 미세구멍으로 이루어지는 토출구를 가진 기다란 형태의 도포 노즐에도 적용가능하다. 또한, 상기 실시형태는 LCD 제조의 도포현상처리 시스템에 있어서의 레지스트도포장치에 관한 것이었지만, 본 발명은 피처리기판상에 도포액을 공급하는 임의의 어플리케이션에 적용할 수 있다. 본 발명에 있어서의 도포액으로는, 레지스트액 이외에도, 예를 들면 층간절연재료, 유전체재료, 배선재료 등의 여러가지 도포액이 포함된다. 본 발명에 있어서의 피처리기판에는 LCD 기판에 한정되지 않고, 다른 플랫 패널 디스플레이용 기판, 반도체웨이퍼, CD기판, 유리기판, 포토마스크, 프린트기판 등도 포함된 다. Although the above embodiment relates to an elongated coating nozzle having a slit-shaped ejection opening, the present invention is also applicable to an elongated coating nozzle having a ejection opening consisting of a plurality of micropores arranged in the nozzle length direction. Further, although the above embodiment relates to a resist coating apparatus in a coating and developing treatment system for LCD production, the present invention can be applied to any application for supplying a coating liquid onto a substrate to be processed. The coating liquid in the present invention includes, in addition to the resist liquid, various coating liquids such as an interlayer insulating material, a dielectric material and a wiring material. The substrate to be processed in the present invention is not limited to an LCD substrate, but also includes other flat panel display substrates, semiconductor wafers, CD substrates, glass substrates, photomasks, printed substrates, and the like.

본 발명의 도포방법 및 도포장치에 의하면, 상기와 같은 구성과 작용에 의해, 기다란 형태의 도포 노즐에 양호한 웨트라인을 항상 안정적으로 얻는 것이 가능하고, 이에 따라 피처리기판상에 막두께가 일정하고 도포 얼룩이 없는 도포막을 형성할 수가 있다. According to the coating method and the coating apparatus of the present invention, it is possible to stably obtain a good wet line in an elongated coating nozzle at all times by the configuration and action as described above, and thus the film thickness is uniform and coated on the substrate to be processed. A coating film without spots can be formed.

Claims (17)

수평인 피처리기판과 기다란 형상의 도포 노즐의 하단면에 설치된 토출구의 사이에 원하는 미소한 갭을 설정하고, 도포처리중에 상기 토출구로부터 상기 기판상에 토출된 도포액으로 상기 도포 노즐의 배면 하단부가 젖은 상태로 상기 도포 노즐을 노즐길이 방향과 직교하는 수평방향으로 상대적으로 이동시켜, 상기 기판상에 상기 도포액을 도포하는 도포방법으로서, A desired small gap is set between the horizontal substrate to be processed and the discharge port provided on the lower surface of the elongated application nozzle, and the lower end of the rear surface of the application nozzle is coated with the coating liquid discharged from the discharge port on the substrate during the coating process. A coating method for applying the coating liquid on the substrate by moving the coating nozzle in a wet state relatively in a horizontal direction perpendicular to the nozzle length direction, 도포처리에 앞서 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 도포액 또는 이것을 희석한 희석도포액을 노즐길이 방향으로 바르는 웨트라인 바탕처리공정을 가진 도포방법. A coating method having a wet line base treatment step of applying a coating liquid or a diluted coating liquid diluted thereto in the nozzle length direction to a lower end portion of the rear surface of the coating nozzle prior to the coating treatment. 제 1 항에 있어서, 상기 웨트라인 바탕처리공정이, 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 대하여, 상기 도포액 또는 희석도포액이 스며 나오는 도포 패드를 눌러 놓으면서 노즐길이 방향으로 상대적으로 미끄럼동작시키는 도포방법. The coating method according to claim 1, wherein the wet line base treatment step is relatively slid in the nozzle length direction while pressing the coating pad through which the coating liquid or the dilution coating liquid exudes against the lower end of the back surface of the coating nozzle. 제 2 항에 있어서, 상기 도포 패드가, 해면상물질 또는 다공질물질로 이루어지는 패드부재를 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 접촉시켜 미끄럼동작하는 도포방법. 3. The coating method according to claim 2, wherein the coating pad slides by bringing a pad member made of a sponge material or a porous material into contact with a lower end of the back surface of the coating nozzle. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 도포 패드를 상기 도포 노즐의 배면 하단부의 일끝단으로부터 다른 끝단까지 한번에 미끄럼동작시키는 도포방법. 4. The coating method according to claim 2 or 3, wherein the application pad is slid at a time from one end to the other end of the lower end of the rear surface of the application nozzle. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 노즐길이 방향으로 이어지는 상기 도포액 또는 희석도포액의 액체저장부가 형성되는 도포방법. The coating method according to claim 2 or 3, wherein the liquid storage portion of the coating liquid or the dilution coating liquid which extends in the nozzle length direction is formed in the lower end of the rear surface of the coating nozzle. 제 1 항에 있어서, 상기 웨트라인 바탕처리공정이, 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 대하여, 상기 도포액 또는 희석도포액을 공급하면서 마찰 패드를 눌러 놓으면서 노즐길이 방향으로 상대적으로 미끄럼동작시키는 도포방법. The coating method according to claim 1, wherein the wet line base treatment step is relatively slid in the nozzle length direction while pressing the friction pad while supplying the coating liquid or the diluting coating liquid to the lower end of the back surface of the coating nozzle. 제 6 항에 있어서, 상기 마찰 패드가, 해면상물질 또는 다공질물질로 이루어지는 패드부재를 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 접촉시켜 미끄럼동작하는 도포방법. 7. The coating method according to claim 6, wherein the friction pad slides by bringing a pad member made of a sponge material or a porous material into contact with a lower end of the back surface of the coating nozzle. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서, 상기 마찰 패드를 상기 도포 노즐의 배면 하단부의 일끝단으로부터 다른 끝단까지 직선적으로 또한 한번에 미끄럼동작시키는 도포방법. 8. The coating method according to claim 6 or 7, wherein the friction pad is slid linearly and once at one end from the other end to the other end of the rear lower end of the application nozzle. 하단면에 토출구를 가진 기다란 형태의 도포 노즐과,An elongated spray nozzle with a discharge port on the bottom surface, 상기 도포 노즐에 도포액을 공급하기 위한 제 1 도포액공급부와, A first coating liquid supply unit for supplying a coating liquid to the coating nozzle; 피처리기판을 수평으로 지지하기 위한 기판지지부와, A substrate support for horizontally supporting the substrate to be processed; 도포처리중에 상기 기판지지부에 지지되는 상기 기판에 대하여 원하는 미소한 갭을 사이를 두고 상기 도포 노즐을 지지하기 위한 노즐지지부와, A nozzle support for supporting the application nozzle with a desired small gap therebetween with respect to the substrate supported by the substrate support during the coating process; 도포처리중에 상기 도포 노즐의 토출구로부터 상기 기판상에 토출된 도포액으로 상기 도포 노즐의 배면 하단부가 젖은 상태에서 상기 도포 노즐을 노즐길이 방향과 직교하는 수평방향으로 상대적으로 이동하도록 상기 기판지지부와 상기 노즐지지부의 사이에서 상대적인 수평이동을 행하게 하기 위한 주사부와, The substrate support and the substrate support to relatively move the application nozzle in a horizontal direction perpendicular to the nozzle length direction while the lower end of the back surface of the application nozzle is wet with the application liquid discharged onto the substrate from the discharge port of the application nozzle during the application process. A scanning section for performing relative horizontal movement between the nozzle supporting sections, 도포처리에 앞서 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 도포액 또는 이것을 희석한 희석도포액을 노즐길이 방향으로 바르기 위한 웨트라인 바탕처리부를 가진 도포장치. A coating apparatus having a wet line base treatment portion for applying a coating liquid or a diluted coating liquid diluted therein to the nozzle length direction at a lower end of the rear surface of the coating nozzle prior to the coating treatment. 제 9 항에 있어서, 상기 웨트라인 바탕처리부가, 상기 도포액 또는 희석도포액이 스며 나오는 도포 패드와, 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 상기 도포 패드를 눌러 놓으면서 노즐 길이 방향으로 상대적으로 미끄럼동작시키기 위한 도포패드 미끄럼동작부를 가진 도포장치. 10. The method of claim 9, wherein the wet line base treatment unit, the application pad or the dilution coating liquid is applied to the coating pad and the lower end of the application nozzle for pressing the application pad relatively to the nozzle length direction while pressing An applicator having an applicator pad sliding part. 제 10 항에 있어서, 상기 웨트라인 바탕처리부가, 상기 도포 패드에 상기 도포액 또는 희석도포액을 공급하는 제 2 도포액공급부를 가진 도포장치. The coating apparatus according to claim 10, wherein the wet line base treatment unit has a second coating liquid supply unit for supplying the coating liquid or the dilution coating liquid to the coating pad. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 도포 패드가 해면상물질 또는 다공 질물질로 이루어지는 패드부재를 가지며, 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 상기 패드부재가 접촉하는 도포장치. The applicator according to claim 10 or 11, wherein said applicator pad has a pad member made of a sponge material or a porous material, and said pad member makes contact with a lower end of said back surface of said applicator nozzle. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 도포 패드가, 상기 도포 노즐의 배면 하단부와 접촉하는 패드주면의 하단부에 노즐길이 방향과 평행하게 이어지는 오목부를 가진 도포장치. The coating device according to claim 10 or 11, wherein the coating pad has a concave portion extending in parallel to the nozzle length direction at a lower end portion of a pad main surface in contact with a lower lower end portion of the coating nozzle. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 도포 패드 미끄럼동작부가, 상기 도포 패드를 상기 도포 노즐의 배면 하단부의 일끝단으로부터 다른 끝단까지 직선적으로 또한 한번에 미끄럼동작시키기 위한 직진구동부를 가진 도포장치. The applicator according to claim 10 or 11, wherein the applicator pad sliding part has a linear driving part for sliding the applicator pad linearly and at once from one end to the other end of the rear lower end of the applicator nozzle. 제 9 항에 있어서, 상기 웨트라인 바탕처리부가, 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 상기 도포액 또는 희석도포액을 부여하기 위한 도포액 부여수단과, 상기 도포 노즐의 배면 하단부를 마찰하기 위한 마찰 패드와, 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 상기 마찰 패드를 눌러 놓아 노즐길이 방향으로 상대적으로 미끄럼동작시키기 위한 마찰 패드 미끄럼동작부를 가진 도포장치. 10. The coating apparatus according to claim 9, wherein the wet line base treatment unit includes coating liquid applying means for applying the coating liquid or the dilution coating liquid to the lower rear surface of the coating nozzle, a friction pad for rubbing the lower surface of the rear surface of the coating nozzle; And a friction pad sliding part for pressing and sliding the friction pad in the lower end portion of the rear surface of the coating nozzle so as to relatively slide in the nozzle length direction. 제 15 항에 있어서, 상기 마찰 패드가 해면상물질 또는 다공질물질로 이루어지는 패드부재를 가지며, 상기 도포 노즐의 배면 하단부에 상기 패드부재가 접촉하는 도포장치. The applicator according to claim 15, wherein the friction pad has a pad member made of a sponge material or a porous material, and the pad member makes contact with a lower end portion of the rear surface of the coating nozzle. 제 15 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 마찰 패드 미끄럼동작부가, 상기 마찰 패드를 상기 도포 노즐의 배면 하단부의 일끝단으로부터 다른 끝단까지 한번에 미끄럼동작시키기 위한 직진구동부를 가진 도포장치. The applicator according to claim 15 or 16, wherein the friction pad sliding part has a linear driving part for sliding the friction pad from one end to the other end of the lower end of the rear surface of the application nozzle at one time.
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