KR101063051B1 - 질화갈륨계 반도체 발광소자 - Google Patents
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- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 145
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 62
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
광추출효율이 높고, 패드필링현상이 감소되어 신뢰성이 향상된 발광소자가 제안된다. 제안된 질화갈륨계 반도체 발광소자는 기판과, 기판 상에 순차 적층된 n-GaN층, 활성층, p-GaN층, n전극 및 p전극을 포함하고, 발광소자의 측면에 노출된 n-GaN층에는 캐비티가 형성된다.
Description
본 발명은 질화갈륨계 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 광추출효율이 높고 신뢰성이 향상된 질화갈륨계 반도체 발광소자에 관한 것이다.
발광소자(Light emitting device, LED)는 소자 내에 포함되어 있는 물질이 빛을 발광하는 소자로서, 발광다이오드와 같이 다이오드를 이용하여 반도체를 접합한 형태로 전자/정공 재결합에 따른 에너지를 광으로 변환하여 방출하는 소자이다. 이러한 발광소자는 현재 조명이나 표시장치의 광원으로서 널리 이용되며 그 개발이 가속화되고 있는 추세이다.
특히, 최근 그 개발 및 사용이 활성화된 질화갈륨(GaN)계 발광소자를 이용한 휴대폰 키패드, 사이드 뷰어, 카메라 플래쉬 등의 상용화에 힘입어, LED를 이용한 일반 조명 개발이 활기를 띠고 있다. 대형 TV의 백라이트 유닛 및 자동차 전조등, 일반 조명 등 그의 응용제품이 소형 휴대제품에서 대형화, 고출력화, 고효율화, 신뢰성화된 제품으로 진행하여 해당 제품에 요구되는 특성을 나타내는 광원을 요구하게 되었다.
발광소자의 문제점으로 지적되는 것 중 하나는 낮은 발광 효율이다. 발광 효율은 광의 생성 효율과 소자 밖으로 방출되는 효율에 의하여 결정되는데, 발광소자의 내부양자 효율은 거의 100%에 이르지만, 실제 소자 밖으로 나오는 외부양자 효율은 매우 낮다.
외부양자 효율이 낮은 이유 중의 하나는 광이 외부로 진행하는 면이 평면이므로 발광소자의 표면에서 전반사되어 소자의 내부로 다시 귀환하기 때문이다. 발광소자의 표면을 빠져나가지 못한 광은 소자 내부를 이동하다가 열로서 소실될 수 있고, 이는 발광소자의 외부광추출효율을 낮출 뿐만 아니라 발광소자의 열 발생량을 늘려 발광소자의 수명을 단축시킬 수 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 광추출효율이 높고 신뢰성이 향상된 질화갈륨계 반도체 발광소자를 제공하는데 있다.
이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자는 기판; 기판 상에 순차 적층된 n-GaN층, 활성층, 및 p-GaN층; 및 n-GaN층 상의 n전극 및 p-GaN층 상의 p전극;을 포함하는 질화갈륨계 반도체 발광소자로서, 발광소자의 측면에 노출된 n-GaN층에는 캐비티가 형성된다.
캐비티는 내부가 곡면을 포함하고, 또는, 캐비티는 반구형일 수 있다.
캐비티는 내부에 형광물질이 충전되어 있을 수 있다.
본 발명에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자는 상면 및 측면에 형성된 형광체층;을 더 포함할 수 있다.
질화갈륨계 반도체 발광소자는 백색발광소자일 수 있다. 이 때, 활성층이 청색광을 발광하면, 형광물질은 황색 형광체를 포함하거나 또는, 적색 형광체 및 녹색 형광체를 포함할 수 있다.
형광체층은 캐비티의 내부에까지 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자는 기판 및 n-GaN층 사이에 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
버퍼층에는 캐비티가 형성될 수 있고, n-GaN층에 형성된 캐비티가 버퍼층에까지 걸쳐 형성될 수도 있다.
본 발명에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자는 측면에 광추출이 용이하도록 캐비티를 형성하여 광추출효율을 극대화할 수 있는 효과가 있다.
또한, 캐비티에 파장변환이 가능한 형광물질을 충전하여 캐비티로 추출되는 광과 반응시킬 수 있어 활성층에서 발생한 광이 지연시간없이 다른 파장의 광으로 변환되어 열손실을 감소시켜 질화갈륨계 반도체 발광소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1a는 본 발명의 일실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 사시도이고, 도 1b는 도 1a의 A-A'에서의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자에서 캐비티를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 본 발명의 다른 실시예들에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자들의 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자에서 캐비티를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 본 발명의 다른 실시예들에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자들의 단면도들이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.
도 1a는 본 발명의 일실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 사시도이고, 도 1b는 도 1a의 A-A'에서의 단면도이다. 본 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)는 기판(110); 기판(110) 상에 순차 적층된 n-GaN층(120), 활성층(130), 및 p-GaN층(140); 및 n-GaN층(120) 상의 n전극(150) 및 p-GaN층(140) 상의 p전극(160);을 포함하는데, 측면에 노출된 n-GaN층(120)에 캐비티(170)가 형성되어 있다.
기판(110) 상에는 n-GaN층(120), 활성층(130) 및 p-GaN층(140)이 순차적으로 형성되어 있다. 기판(110)은 n-GaN층(120), 활성층(130) 및 p-GaN층(140)이 성장하기 위한 성장기판으로서, 사파이어 또는 스피넬(MgAl2O4)과 같은 부전도성 기판 또는 SiC, Si, ZnO, GaAs, GaN 및 Ni나 Cu와 같은 금속기판과 같은 전도성 기판이 사용될 수 있다. 이 중, 반도체층과의 격자상수 일치 및 비용을 고려하여 사파이어 기판을 사용할 수 있다.
n-GaN층(120) 및 p-GaN층(140)은 GaN계반도체로서 각각 도핑되는 불순물에 따라 p-GaN층 및 n-GaN층으로 구현될 수 있다. GaN계 반도체층의 형성은 공지의 성막방법, 예를 들면, 예를 들면, 분자선 에피택시(Molecular beam epitaxy, MBE)방법, 유기금속 기상증착법(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 또는 하이드라이드 기상증착법(Hydride Vapor Phase Epitaxy, HVPE)을 이용하여 수행될 수 있다.
n-GaN층(120)의 불순물은 예를 들어, Si, Ge, Se, Te, 및 C 중 선택될 수 있다. 한편, p-GaN층(140)의 불순물은 예를 들어, Mg, Zn 및 Be 중 선택될 수 있다.
활성층(130)은 발광을 활성화시키는 층으로서, n-GaN층(120) 및 p-GaN층(140)의 에너지 밴드 갭보다 작은 에너지 밴드 갭을 갖는 물질을 이용하여 형성하면 에너지 우물이 형성된다. 활성층(130)은 n-GaN층(120) 및 p-GaN층(140)이 GaN계 반도체이므로, GaN계 반도체의 에너지 밴드 갭보다 적은 에너지 밴드 갭을 갖도록 In 또는 Al 함량이 조절된 InGaN계 화합물 반도체, AlGaN계 화합물 반도체 또는 AlInGaN계 화합물 반도체를 이용할 수 있다.
이 때, 활성층(130)은 그 특성상 불순물은 도핑되지 않는 것이 바람직하며, 장벽의 높이나 에너지 우물층의 두께, 조성, 우물의 개수를 조정하여 파장이나 양자효율을 조절할 수 있다. 예를 들어, InGaN계 화합물 반도체 및 AlGaN계 화합물 반도체에서는 In 및 Al의 함량을 조절하여 에너지 우물의 깊이를 조절할 수 있다. 또한, 2종 이상의 활성층 예를 들어, InGaN층 및 AlGaN층을 2 이상 형성하여 다중양자우물구조를 갖도록 할 수 있다.
n-GaN층(120) 상의 n전극(150) 및 p-GaN층(140) 상의 p전극(160)은 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)를 외부전원과 전기적으로 연결하기 위한 것으로, 전도성 물질, 예를 들면 금속으로 구성될 수 있다. 예를 들면, n전극(150)으로는 Ti를, p전극(160)으로는 Pd, Au, Ni 또는 Cr을 사용할 수 있다. 이 때, n전극(150)은 n-GaN층(120)과 전기적으로 연결되도록 n-GaN층(120) 상에 형성될 수 있는데, 기판(110)이 사파이어 기판과 같은 부전도성 기판인 경우, n-GaN층(120)이 상부로 노출되지 않으므로 도 1a에서와 같이 n-GaN층(120), 활성층(130) 및 p-GaN층(140)의 일부를 제거하여 n-GaN층(120)이 노출된 영역에 n전극(150)을 형성할 수 있다.
본 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)는 n-GaN층(120)에 형성된 캐비티(170)를 포함한다. 캐비티(170)는 n-GaN층(120) 중 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 측면에 노출된 n-GaN층(120)에 형성된다. 도 1a에서, 캐비티(170)는 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 일측면에만 형성된 것으로 도시되었으나, 이와 달리 4개의 측면 중 2이상의 측면에서 n-GaN층(120)에 형성될 수도 있고, 도 1a와 달리 일렬로 배열되지 않고 임의적으로 배열될 수도 있다.
캐비티(170)는 기판상에 GaN 반도체를 성막한 후, n-GaN층의 일부를 식각하여 형성할 수 있다. 또한, 캐비티(170)는 기판상에 GaN 반도체 성막공정 중에 형성될 수도 있는데, 캐비티 형상의 산화물 마스크를 반도체층에 포함시켜 성장시킨 후, 마스크만을 제거하여 캐비티 형상의 빈 공간을 형성할 수 있다.
도 1b는 도 1a의 질화갈륨계 반도체 발광소자에서 A-A'의 단면도이다. 도 1b에서 보면, n-GaN층(120)의 측면에 형성된 캐비티(170)는 개구를 갖고, 일정한 깊이를 갖는다.
n-GaN층(120)에 캐비티가 형성되어 있지 않은 경우, 활성층(130)에서 발생한 광 L1은 n-GaN층(120)의 측면에 도달하여 외부로 추출될 조건을 만족하지 못하는 경우 다시 내부로 귀환한다. n-GaN층(120)의 외부를 공기층이라 할 때, 밀한 매질인 GaN층에서 소한 매질인 공기층으로 빛이 진행하게 된다. 이 때, 입사각이 임계각을 초과하면 경계면에서 광은 굴절되어 공기층으로 진행하지 못하고 모두 반사되어 광 L2와 같이 발광소자쪽으로 다시 돌아오게 된다.
n-GaN층(120)의 측면이 평평한 경우 전반사가 일어날 확률이 높게 되고, 따라서 전반사된 광이 다시 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)의 내부로 진행할 확률이 높다. 활성층(130)에서 발생한 광이 소자 내부로 진행하는 경우, 소자 내부에서 여러 경로를 거쳐 다시 외부와의 경계면에서 추출될 수도 있지만, 또다시 전반사되어 내부로 귀환할 수 있고, 여러 경로를 거치는 경우 광량이 감소되어 결국 소자 내부에 갇힐 수 있다. 이로 인하여 광추출효율은 낮아지고, 광경로가 길어져 최초 발생한 광보다 낮은 광량의 광이 추출되고, 내부에서 계속 진행하는 광으로 인한 발열이 소자의 물성에 불리한 영향을 미칠 수 있다.
이와 달리, n-GaN층(120)에 캐비티(170)가 형성되는 경우, 활성층(130)에서 발생한 광 L3는 캐비티(170)에 도달하여 외부로 추출되기 용이하다. 즉, n-GaN층(120)이 평면이 아닌 캐비티(170)가 형성되어 있으므로, 전반사될 확률이 감소되어 외부로의 추출가능성이 높아지게 된다. 캐비티(170)의 내부가 특히 곡면을 포함하고 있는 경우, 예를 들어 캐비티(170)가 반구형인 경우, 전반사될 확률은 최소화되어 외부로 추출될 확률은 최대로 된다. 따라서, 질화갈륨계 반도체 발광소자(100)에서 활성층(130)으로부터 발생한 광이 측면으로 진행하는 경우, n-GaN층(120)에 형성된 캐비티(170)에 의하여 광추출효율이 증가하게 된다.
캐비티(170)는 측면으로 진행하는 광추출효율을 증가시키기 위하여 측면에 형성되는 구성이므로 n-GaN층(120), 활성층(130) 및 p-GaN층(140)에 형성될 수 있다. 그러나, 캐비티(170) 형성으로 인하여 캐비티(170)만큼 GaN층이 제거되어야 하고, 또한, 캐비티(170)는 식각 등의 방법을 통하여 형성될 수 있으므로 반도체층의 손상이 필수적이다. 따라서, 일반적으로 p-GaN층(140)보다는 식각 등에 더 강한 n-GaN층(20)에 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 활성층(130)의 경우에도 캐비티를 형성하지 않는 것이 바람직한데, 일반적으로 활성층(130)의 두께가 얇으므로 형성된 캐비티가 매우 작을 것이고, 또한 활성층(130)은 광을 발생시키는 층이므로 캐비티를 형성하여 광추출효율을 증가시키기보다는 손상없이 발광효율을 높이는 것이 더 바람직하기 때문이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자에서 캐비티를 나타낸 도면이다. 도 2에서, n-GaN층(220)에 형성된 캐비티(270) 내부에는 형광물질(280)이 충전되어 있다.
형광물질(280)은 제1파장의 광을 흡수하여 제1파장과는 다른 파장인 제2파장을 갖는 광을 방출할 수 있다. 형광물질(280)은 투명한 수지 등과 같은 분산물질에 파장변환을 위한 형광체를 균일하게 분산시키고, 이를 캐비티(270) 내에 채워넣어 쉽게 형성할 수 있다.
캐비티(270)내에 형광물질(280)이 채워져 있기 때문에, 소자 내부에서 진행하는 광 L5가 캐비티(270)에 도달하면, 형광물질(280)에서 다른 파장의 광으로 변환된 변환광 L6로 추출된다. 캐비티(270)로 인하여, 활성층에서 발생한 광이 지연시간 없이 바로 형광물질(280)을 만나 파장이 변환되므로 파장변환효율이 높아진다.
형광물질(280)을 사용하는 이유는 활성층에서 발생한 광의 파장을 변환시켜 원래의 색상과 다른 색상을 나타낼 수 있도록 하기 위한 것이다. 예를 들어, 활성층에서 발생한 광이 청색광인 경우, 형광물질(280)이 청색광을 흡수하여 황색광을 발광하는 경우, 청색광 및 황색광이 혼합되어 질화갈륨계 반도체 발광소자는 백색발광소자가 될 수 있다.
따라서, 활성층이 백색광을 발광할 수는 없으므로, 활성층이 청색광을 발광할 수 있으면, 형광물질(280)에 청색광을 흡수하여 황색광을 발광하는 황색 형광체를 포함시켜 백색발광소자를 얻을 수 있다. 또는 활성층이 청색광을 발광하면, 형광물질(280)에 청색광을 흡수하여 적색광을 발광하는 적색 형광체 및 청색광을 흡수하여 녹색광을 발광하는 녹색 형광체를 포함시켜, 청색광, 적색광 및 녹색광이 혼합된 백색광을 발광하는 백색발광소자를 얻을 수 있다.
형광물질(280)은 질화물계, 산화물계, 또는 황화물계 형광체 중 원하는 파장에 따라 형광체를 선택하여 사용할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자의 단면도이다. 본 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자(300)는 기판(310), n-GaN층(320), 활성층(330), p-GaN층(340), 및 p전극(360)을 포함한다. 질화갈륨계 반도체 발광소자(300)의 측면 중, n-GaN층(320)에는 캐비티(370)가 형성된다.
본 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자(300)는 상면 및 측면에 형광체층(380)을 더 포함한다. 형광체층(380)은 질화갈륨계 반도체 발광소자(300)의 상면 및 측면, 특히 캐비티(370)가 형성된 n-GaN층(320)을 덮도록 형성된다. 형광체층(380)은 도 2에서의 형광물질층(280)과 동일하게 분산물질에 형광체를 포함시켜 형성될 수 있다. 형광체층(380)은 캐비티(370)의 내부까지 형성된다.
n-GaN층(320)에 형성된 캐비티(370)의 내부에만 형광물질을 포함시키는 것이 아니라 칩 전체의 상면 및 측면에까지 형광체를 포함하는 형광체층(380)을 형성하여 활성층에서 발생한 광의 파장 변환 및 광의 혼합으로 인한 질화갈륨계 반도체 발광소자(300)의 발광이 보다 효율적으로 이루어질 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화갈륨계 반도체 발광소자(400)의 단면도들이다. 도 4a 및 도 4b에서, 질화갈륨계 반도체 발광소자(400)는 기판(410), n-GaN층(420), 활성층(430), p-GaN층(440), 및 p전극(460)을 포함하는데, 기판(410) 및 n-GaN층(420) 사이에 버퍼층(490)을 더 포함한다.
일반적으로 기판(410)의 격자상수 및 열팽창계수는 질화갈륨계 반도체의 격자상수 및 열팽창계수와는 차이가 있기 때문에 반도체의 성장을 위한 버퍼층(490)을 더 형성할 수 있다. 버퍼층(490)이 더 형성된 질화갈륨계 반도체 발광소자의 경우, 캐비티는 n-GaN층(420)에 형성된 것 이외에도 버퍼층(490)에도 더 형성될 수 있다. 본 실시예에서, n-GaN층(420) 상의 캐비티를 제1캐비티(471)라 하고, 버퍼층(490)이 형성된 캐비티를 제2캐비티(472)라 하자.
제1캐비티(471)는 n-GaN층(420) 상에 형성되어 n-GaN층(420) 상부의 활성층(430)으로부터의 광이나 소자 내부에서 진행하는 광의 추출효율을 높이게 된다. 그러나, 제1캐비티(471)가 형성되면 n-GaN층(420) 일부가 제거되게 되므로 n-GaN층(420) 자체의 유효면적이 작아져 소자의 내부양자효율이 감소할 수 있고, 캐비티로 인한 광추출효율 증대를 위하여 제1캐비티(471)를 다수 형성하는 경우 이러한 현상을 더욱 증가하게 된다. 특히 제1캐비티(471)를 형성하기 위하여 화학적 또는 물리적으로 n-GaN층(420)을 일부 제거하게 되므로 그로 인하여 GaN 반도체의 물성에 불리한 영향을 미칠 수 있다.
따라서, n-GaN층(420)에 형성할 캐비티 중 일부를 버퍼층(490)에 형성하는 경우, 버퍼층(490)은 반도체층의 성장을 위한 층이므로 반도체층이 모두 성장한 다음 제2캐비티(472)를 형성하여도 질화갈륨계 반도체 발광소자에 영향을 미치지 않는다. 버퍼층(490)에만 캐비티를 형성할 수도 있으나, 이 경우 n-GaN층(420)의 손상을 방지할 수는 있지만 활성층(430)과의 거리가 너무 멀어, 광추출효율이 원하는 만큼 증가하지 못할 수도 있으므로 캐비티는 n-GaN층(420)의 제1캐비티(471) 및 버퍼층(490)의 제2캐비티(472) 모두 형성되는 것이 바람직하다.
이와 달리, 도 4b의 경우, 캐비티(473)는 n-GaN층(420) 및 버퍼층(490) 양 층에 걸쳐 형성되어 있다. 도 4b와 같이 캐비티(473)가 2개의 층에 걸쳐 형성되는 경우, n-GaN층(420)의 손상을 최소로 하면서 캐비티(473)가 최대한 활성층(430)에 근접할 수 있게 하여 효과적으로 광추출효율을 증가시킬 수 있다.
본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니라, 첨부된 청구범위에 의해 해석되어야 한다. 또한, 본 발명에 대하여 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
100, 300, 400 발광소자
110, 310, 410 기판
120, 220, 320, 420 n-GaN층
130, 330, 430 활성층
140, 340, 440 p-GaN층
150 n전극
160, 360, 460 p전극
170, 270, 370, 471, 472, 473 캐비티
280 형광물질
380 형광체층
490 버퍼층
L1, L2, L3, L4, L5, L6 광
110, 310, 410 기판
120, 220, 320, 420 n-GaN층
130, 330, 430 활성층
140, 340, 440 p-GaN층
150 n전극
160, 360, 460 p전극
170, 270, 370, 471, 472, 473 캐비티
280 형광물질
380 형광체층
490 버퍼층
L1, L2, L3, L4, L5, L6 광
Claims (12)
- 기판;
상기 기판 상에 순차 적층된 n-GaN층, 활성층, 및 p-GaN층; 및
상기 n-GaN층 상의 n전극 및 상기 p-GaN층 상의 p전극;을 포함하는 질화갈륨계 반도체 발광소자로서,
상기 질화갈륨계 반도체 발광소자의 측면에 노출된 n-GaN층에 복수의 반구형의 캐비티가 서로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
상기 캐비티는 내부가 곡면을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 캐비티는 내부에 형광물질이 충전되어 있는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
상면 및 측면에 형성된 형광체층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자. - 청구항 5에 있어서,
상기 질화갈륨계 반도체 발광소자는 백색발광소자인 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자. - 청구항 6에 있어서,
상기 활성층은 청색광을 발광하고,
상기 형광체층은 황색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자. - 청구항 6에 있어서,
상기 활성층은 청색광을 발광하고,
상기 형광체층은 적색 형광체 및 녹색 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자. - 청구항 5에 있어서,
상기 형광체층은 상기 캐비티의 내부에까지 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자. - 청구항 1에 있어서,
상기 기판 및 상기 n-GaN층 사이에 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자. - 청구항 10에 있어서,
상기 버퍼층은 캐비티가 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자. - 청구항 10에 있어서,
상기 n-GaN층에 형성된 캐비티는 상기 버퍼층에까지 걸쳐 형성된 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 반도체 발광소자.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110030102A KR101063051B1 (ko) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | 질화갈륨계 반도체 발광소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110030102A KR101063051B1 (ko) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | 질화갈륨계 반도체 발광소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR101063051B1 true KR101063051B1 (ko) | 2011-09-07 |
Family
ID=44957050
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| KR1020110030102A KR101063051B1 (ko) | 2011-04-01 | 2011-04-01 | 질화갈륨계 반도체 발광소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101063051B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016517A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体ウェーハ、発光素子の製造方法および評価方法 |
-
2011
- 2011-04-01 KR KR1020110030102A patent/KR101063051B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009016517A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 化合物半導体ウェーハ、発光素子の製造方法および評価方法 |
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