KR101051619B1 - 습식 현상가능한 반사방지 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반사방지 조성물 및 이러한 조성물을 이용하여 회로를 형성하는 방법을 제공한다. 상기 조성물은 용매계에 용해 또는 분산된 중합체를 포함한다. 바람직한 실시양태에서, 상기 중합체는 하기 화학식 1 및 화학식 2로 구성되는 군에서 선택된 구조를 갖는 광감쇠 부분을 포함한다:
[화학식 1]
Figure 712011001004300-pct00023
[화학식 2]
Figure 712011001004300-pct00024
상기 식에서, X1 및 Y는 각각 전자 끄는기들로 구성되는 군에서 선택되고, R2는 알킬렌 및 아릴렌으로 구성되는 군에서 선택되고, R3는 수소 및 알킬로 구성되는 군에서 선택된다. 상기 조성물은 스핀 보울 상용성이고(즉, 상기 조성물은 마이크로리소그래피 공정의 베이킹 단계 이전에 또는 실온 저장 동안에 가교되지 않음), 습식 현상가능하고, 우수한 광학 특성을 갖는다.
Figure R1020047021099
반사방지, 조성물, 회로, 스핀 보울 상용성, 마이크로리소그래피, 습식 현상

Description

습식 현상가능한 반사방지 조성물{WET-DEVELOPABLE ANTI-REFLECTIVE COMPOSITIONS}
(관련 출원)
본 출원은 본 출원에 참조로 통합되는 것으로, 2002년 6월 25일 자로 일련번호 60/391,661 호로서 출원된 "습식 현상가능한 반사방지 조성물"이란 명칭이 부여된 분할 출원의 우선권을 주장한다.
본 발명은 포토리소그래피 및 반도체 집적 회로 제조에 사용하기 위한 세로운 반사 반지 조성물에 관한 것이다. 특히, 상기 조성물은 포토레지스트 층의 아래에 위치하는 바닥부 반사방지 코팅제로 사용되어 인가된 광 방사선의 반사에 의한 간섭을 최소화한다.
집적 회로 제조업자들은 실리콘 웨이퍼 사이즈를 최대화하고 소자 피쳐 사이즈(device feature size)를 최소화하여 수율을 증대하고, 단위 케이스를 감소시키고 온칩 컴퓨팅 전력(on-chip computing power)을 증가시키기 위하여 꾸준히 노력하고 있다. 집적 회로의 임계 치수가 감소함에 따라, 포토레지스트를 노광시키는데 사용된 방사선이 파장이 짧아졌다. 짧은 파장의 방사선을 사용하는 것은 회로의 비교적 작은 피쳐(feature)를 한정하기 위하여 필요한 것이며, 365 nm의 파장을 갖는 이른바 i-라인 방사선이 대표적으로 사용되고 있다. 이러한 방사선의 사용 결과, 포토레지스트 층과 하부 층의 계면에서 방사선의 반사가 증가함으로써, 회로 피쳐의 임계 치수의 바람직하지 않은 변화를 초래할 수 있는 정지파가 발생한다.
이러한 문제를 해결하기 위한 한 가지 방법은 기판의 포토레지스트 층의 아래에 도포되는 반사방지 코팅제를 사용하는 것이다. 이러한 코팅제는 두 부류, 즉 무기 코팅제 및 유기 코팅제로 분류된다. 티타늄 니트라이드 또는 실리콘 옥시니트라이드 코팅제와 같은 무기 코팅제는 플라즈마 화학 기상 증착에 의하여 쉽게 증착될 수 있지만, 실리콘 웨이퍼 기판으로부터 제거하기가 어려울 수 있다. 이와 대조로, 유기 코팅제는 굴절률, 스핀온 도포(spin-on application) 및 재가공 능력의 측면에서 이점이 있지만, 흔히 스핀 보울 비상용성을 가짐으로써 추가의 처리 및 증가된 제조 비용을 필요로 한다. 유기 및 무기 반사 방지 코팅제 모두는 반사를 방지 또는 최소화하는데 효과적이지만, 이를 사용하는 경우 이의 제거를 위하여 공정중에 추가의 파괴(break-through) 단계가 필요하다. 따라서, 제조 공정 비용을 상당히 증가시킬 수 있는 추가의 플라즈마 식각 단계가 대표적으로 요구된다.
이러한 문제에 대한 한 가지 해결 방법은 습식 현상가능한 반사방지 코팅제를 사용하는 것이었다. 이러한 유형의 코팅제는 포토레지스트 재료의 노광 영역을 따라 제거될 수 있다. 즉, 포토레지스트 층이 패턴화 마스크를 통해 노광된 후, 포토레지스트의 노광 영역이 습식 현상가능하게 된 다음, 수성 현상액으로 제거됨으로써 원하는 트렌치 및 홀 패턴을 남긴다. 습식 현상가능한 코팅제는 이러한 현상 단계 동안에 제거됨으로써 추가의 제거 단계의 필요성을 배제시킨다. 불운하게 도, 습식 현상가능한 반사방지 코팅제는 반사방지 코팅제로서 유용하게 되는 우수한 스핀 보울 상용성(spin bowl compatibility) 및 우수한 광학 특성을 나타내야 한다는 사실 때문에 광범위하게 사용되지 않았었다. 따라서, 통상의 포토레지스트 현상액에 의해서 제거되는 동시에 우수한 코팅 및 광학 특성을 나타내는 반사 방지 코팅 조성물이 필요하다.
광범위하게, 본 발명은 스핀 보울 상용성이 있고, 습식 식각가능하고, i-라인 리소그래피(예, 365nm)에 사용하기에 적당한 신규한 반사방지 코팅 조성물을 포함한다.
더욱 구체적으로, 본 발명은 용매계에 용해 또는 분산된 중합체를 포함한다. 상기 중합체는 바람직하게 약 500-10,000 달톤, 더욱 바람직하게는 약 1,000-2,000 달톤의 중량 평균 분자량을 갖는다. 바람직한 중합체는 하기 화학식을 갖는 반복 단위체들을 포함한다:
Figure 112004061195235-pct00001
상기 식에서, X는 광감쇠 부분 또는 발색단이고, M은 금속이고, 각각의 R은 수소, 알킬(바람직하게는 탄소수 1 내지 8), 아릴(바람직하게는 탄소수 1 내지 10), 알콕시(바람직하게는 탄소수 1 내지 8), 및 페녹시로 구성되는 군에서 선택된 다.
바람직하게 상기 중합체는 하기 화학식을 갖는 반복 단위체를 추가로 포함한다:
Figure 112004061195235-pct00002
상기 식에서, 각각의 R'은 수소, 알킬(바람직하게는 탄소수 1 내지 8), 아릴(바람직하게는 탄소수 1 내지 10), 알콕시(바람직하게는 탄소수 1 내지 8), 및 페녹시로 구성되는 군에서 선택되고, M1은 금속이다.
전술한 반복 단위체들중 어느 하나에 있어서, 가장 바람직한 금속은 Ti, Zr, Si 및/또는 Al 이다. X는 약 10,000-50,000 cm-1M-1의 몰흡광 계수(molar absorption coefficient)를 가져야 한다. 바람직한 X는 i-라인 발색단(즉, 약 365 nm 파장을 갖는 광의 약 90% 이상을 흡수하는 것)인데, 하기 화학식 1 및 화학식 2로 구성되는 군에서 선택되는 것이 특히 바람직하다:
Figure 112004061195235-pct00003
Figure 112004061195235-pct00004
상기 식에서,
각각의 X1는 전자 끄는기(EWG)로 구성되는 군에서 선택되는데, 카르보닐, 니트릴, 시안(cyanics), 설폰, 및 -CO2R4(여기서 R4는 알킬, 바람직하게는 탄소수가 1 내지 6인 알킬임)가 특히 바람직한 EWG이고,
R2는 알킬렌(바람직하게는 탄소수 1 내지 8) 및 아릴렌(바람직하게는 탄소수 1 내지 10)으로 구성되는 군에서 선택되고,
R3는 수소 및 알킬(바람직하게는 탄소수 1 내지 4)로 구성되는 군에서 선택된다.
또한, 상기 부분(즉, X)은 100 중량%로 취한 상기 중합체의 전체 중량을 기준으로 바람직하게는 약 5-50 중량%, 더욱 바람직하게는 약 20-30 중량%의 수준으로 상기 중합체내에 존재한다.
또 다른 실시양태에서, 상기 중합체는 중합체성 금속 알콕사이드를 유기 화합물 및 발색단과 반응시킴으로써 형성된다. 상기 중합체성 금속 알콕사이드는 하기 화학식 3의 반복 단위체를 포함한다.
Figure 112004061195235-pct00005
상기 식에서, M은 금속이고, 각각의 L은 디케토 및 알콕사이드 리간드로 구성되는 군에서 선택된다. 바람직한 L기는 하기 화학식을 갖는다:
Figure 112004061195235-pct00006
상기 식에서, 각각의 R은 수소, 알킬(바람직하게는 탄소수 1 내지 8), 아릴(바람직하게는 탄소수 1 내지 10), 알콕시(바람직하게는 탄소수 1 내지 8), 및 페녹시로 구성되는 군에서 선택되는데, -CH3 및 -OC2H5가 가장 바람직한 R기 이다. 에틸 아세토이세테이트의 부분(moiety)이 가장 바람직한 L기 이다. 가장 바람직한 금속 원자는 전술한 바와 동일한 것들이다.
이러한 실시양태에서, 상기 화학식 3의 구조를 갖는 중합체성 금속 알콕사이드는 중합체성 금속 알콕사이드(예, 폴리(디부틸티타네이트))를 디케토 또는 알콕사이드 리간드(예, 에틸 아세토아세테이트)와 반응시킴으로써 형성될 수 있다. 선택적으로, 상기 디케토 또는 알콕사이드 리간드를 그 구조의 일부로서 포함하고 있 는 출발 단량체를 가수분해한 다음 상기 단량체를 축합함으로써 원하는 중합체로 형성될 수 있다. 이러한 유형의 출발 단량체의 한 가지 예는 티타늄 디이소프로폭사이드 비스(에틸아세토아세테이트)이다.
상기 화학식 3의 구조를 갖는 중합체성 금속 알콕사이드와 반응하는 유기 화합물은 상기 중합체성 금속 알콕사이드의 금속 원자와의 배위에 적당한 작용기를 포함하여야 한다. 적당한 작용기로는 알콜, 페놀, 티오알콜, 티오페놀, 및 카르보닐이 있다. 가장 바람직한 유기 화합물은 트리메틸올 에톡시레이트, 4-히드록시벤즈알데히드, 및 2-시아노-3-(4-히드록시페닐)-아크릴산 에틸 에스테르이다.
상기 실시양태와 상관없이, 상기 반사 방지 조성물은 바람직하게는 주위 조건에서, 실질적으로 균일한 분산액을 형성하기에 충분한 시간동안, 상기 중합체들을 적당한 용매계에 단순히 분산 또는 용해시킴으로써 형성된다. 상기 중합체는 100 중량%로 취한 상기 조성물의 고형분의 전체 중량을 기준으로 2-50 중량%, 바람직하게는 약 5-30 중량%, 더욱 바람직하게는 약 7-15 중량%의 수준으로 상기 조성물내에 존재하게 된다. 이러한 중합체의 점도는 바람직하게는 약 2,000-5,000 cS, 더욱 바람직하게는 약 3,200-3,500 cS이다.
바람직한 용매계로는 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌 글리콜 메틸 에테르(PGME), 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르(PnP), 에틸 락테이트 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 용매가 있다. 상기 용매계는 바람직하게는 약 50-250 ℃, 더욱 바람직하게는 약 100-175 ℃의 비점을 가져야 한다. 또한, 상기 용매계는 100 중량%로 취한 상기 조성물의 고형분의 전체 중량 을 기준으로 약 70-95 중량%, 바람직하게는 약 80-90 중량%의 수준으로 이용되어야 한다.
어떤 추가의 성분이 상기 중합체와 함께 상기 용매계에 분산되는 것이 바람직하다. 이러한 추가적인 성분중 한 가지 바람직한 성분은 에폭시 노볼락 수지(예, Epon 164®, Araldite로부터 입수가능함), 중합된 아미노플라스트(예, Cytec Industries로부터 입수가능한 Cymel® 제품), 아크릴레이트, 글리코우릴, 비닐 에테르, 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 것들과 같은 제 2 중합체 또는 중합체 바인더이다. 이러한 추가적인 중합체의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 약 1,000-25,000 달톤, 더욱 바람직하게는 약 1,000-5,000 달톤이다. 추가적인 중합체가 이용되는 실시양태에서, 상기 조성물은 100 중량%로 취한 상기 조성물의 고형분의 전체 중량을 기준으로 약 1-50 중량%, 더욱 바람직하게는 약 5-25 중량%의 수준으로 상기 추가의 중합체를 포함하게 된다.
또한, 다수의 다른 임의적 성분들이 상기 조성물에 포함될 수 있음을 알 수 있다. 대표적인 임의적 성분으로는 광감쇠 화합물, 계면활성제, 촉매 및 접착 촉진제가 있다.
기판에 상기 매립 또는 반사 방지 코팅 조성물을 도포하는 방법은 어떤 공지된 방법(스핀 코팅 포함)에 따라 기판에 다량의 조성물을 도포하는 것을 포함한다. 상기 기판은 어떠한 통상적인 회로 기판, 예를 들어, 실리콘, 알루미늄, 텅스텐, 텅스텐 실릭사이드, 갈륨 아르세나이드, 게르마늄, 탄탈륨, 탄탈륨 니트라이트, 혼합된 금속 염, 및 SiGe 기판일 수 있다.
원하는 커버리지가 달성된 후, 얻어지는 층은 약 100-250 ℃까지 가열되어 가교를 유도한다. 이로써, 상기 용매계가 증발될 뿐만 아니라 상기 조성물의 유기 성분중 최소한 일부분이 기화됨으로써 금속과 산소 원자가 번갈아 있는 경화된 층이 얻어진다. 약 365 nm의 파장에서, 상기 경화된 반사방지층 또는 코팅층의 굴절률(n값)은 약 1.4 이상, 바람직하게는 약 1.5-2.0, 더욱 바람직하게는 약 1.6-1.7 이다.
토포그래피 기판(topographical substrate)에 사용되는 때, 콘택 또는 비아 홀의 에지에 이웃한 기판 표면상의 상기 경화된 층의 두께는 상기 홀의 직경과 대등한 거리만큼 콘택 또는 비아 홀의 에지로부터 이격된 기판 표면상의 막 두께의 약 60% 이상, 바람직하게는 75% 이상, 더욱 바람직하게는 약 85% 이상이다.
상기 경화된 층에 포토레지스트가 도포된 다음, 상기 포토레지스트가 노광, 현상 및 식각된다. 본 발명의 방법에 따라 전술한 바람직한 특성을 갖는 듀얼 다마신 및 기타 마이크로리소그래피 공정용 전구 구조체가 얻어진다.
상기 경화된 본 발명의 조성물은 습식 현상가능하다는 것을 알 수 있다. 즉, 상기 경화된 조성물은 테트라메틸 암모늄 히드록사이드 또는 KOH 현상액과 같은 통상적인 수성 현상액에 의해 제거될 수 있다. 이러한 현상액들중 일부는 MF-319(메사츄세츠주에 소재한 Shipley로부터 입수가능함), MF-320(Shipley로부터 입수가능함), 및 NMD3(일본국 TOK로부터 입수가능함)의 상품명으로 상업적으로 입수가능하다. 본 발명의 코팅 조성물의 약 95% 이상, 바람직하게는 약 99% 이상이 테트라메틸 암모늄 히드록사이드 및 KOH 현상액과 같은 베이스 현상액에 의해 제거될 수 있다. 상업적으로 이용가능한 현상액에서의 이러한 용해도%는 제조 공정을 단축시키고 공정 비용을 감소시키기 때문에 종래 기술과 비교하여 상당한 이점이다.
끝으로, 전술한 많은 이점외에도, 본 발명의 조성물은 스핀 보울 상용성이 있다. 이것은 4 인치 실리콘 웨이퍼에 상기 조성물을 코팅함으로써 측정된다. 코팅 후, 상기 웨이퍼를 베이킹하지 않고 위쪽에 배치하여 막이 유동하는 것을 방지한다. 상기 시편을 클린룸에서 약 24 시간 동안 건조시켜서 약 1200-1300 Å 두께의 막을 얻는다. 다음에, 상기 시편의 두께를 5 개의 위치에서 측정하여 평균 초기 시편 두께를 측정한다.
상기 코팅된 웨이퍼를 특정의 테스트 용매(예, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트)에 노출시킨다. 이것은 시편 표면에 용매를 3분±5초간 플러딩(flooding)한 다음 1,500 rpm으로 15 초간 스피닝한 다음, 2500 rpm으로 30 초간 스피닝함으로써 달성된다. 다시 상기 시편의 두께를 5 개의 위치에서 측정하여 평균 최종 시편 두께를 측정한다.
용해도%는 하기와 같이 계산된다:
용해도%=[(평균 초기 시편 두께-평균 최종 시편 두께)/초기 시편 두께] x 100
본 발명의 조성물은 약 75% 이상, 바람직하게는 약 90% 이상, 더욱 바람직하게는 약 95% 이상의 용해도%를 나타낸다.
도 1은 여러가지 기판에 도포된 경우의 실시예 2에 따라 제조한 본 발명의 경화된 반사방지 코팅 조성물의 반사율 곡선을 도시하는 그래프이다.
도 2는 여러가지 기판에 도포된 경우의 실시예 3에 따라 제조한 본 발명의 경화된 반사방지 코팅 조성물의 반사율 곡선을 도시하는 그래프이다.
도 3은 상업적으로 이용가능한 i-라인 포토레지스트 및 실시예 2에 따라 제조한 본 발명의 경화된 반사방지 코팅 조성물의 프로필을 도시하는 주사전자 현미경(SEM) 사진이다.
도 4은 상업적으로 이용가능한 i-라인 포토레지스트 및 실시예 3에 따라 제조한 본 발명의 경화된 반사방지 코팅 조성물의 프로필을 도시하는 SEM 사진이다.
하기의 실시예는 본 발명에 따른 바람직한 방법을 설명한다. 그러나, 이러한 실시예는 예시를 위하여 제공되는 것으로서 그 어느 것도 본 발명의 전체 범위에 대한 제한으로 간주되지 않는다.
실시예 1
중합체 모액의 제조
이 실시예에서는, 중합체 모액을 제조하기 위하여, 폴리(디부틸티타네이트)의 반복 단위체당 2 몰당량의 디케토 리간드(에틸아세토아세테이트)를 62.0g의 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르에 용해시켰다. 상기 반응 혼합물을 6 시간 동안 교반하여 상기 폴리(디부틸티타네이트)를, 두 개의 디케토 리간드가 티타늄 원자에 부착되어 있는 폴리(티타네이트) 중합체로 전환했다.
실시예 2
반사방지 코팅 조성물의 제조
이 실시예에서는, 실시예 1에서 제조한 50.0g 의 중합체 모액, 2.53g의 XS81 발색단(i-라인 발색단, 하기 구조식 A 참조; Brewer Science, Inc. 제조), 및 47.5g의 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르를 반응기에 첨가하고 용액이 형성될 때 까지 4 시간 동안 교반하였다. 다음에, 얻어지는 조성물을 사용에 앞서 0.1 ㎛ 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)필터를 통해 여과했다.
[구조식 A]
Figure 112004061195235-pct00007
실시예 3
반사방지 코팅 조성물의 제조
이 실시예에서는, 실시예 1에서 제조한 50.0g 의 중합체 모액, 2.53g의 CE 발색단(i-라인 발색단, 하기 구조식 B 참조; Brewer Science, Inc. 제조), 1.87g의 아미노플라스트 가교제(CYMEL®, Cytec Industries로부터 입수함), 및 47.5g의 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르를 반응기에 첨가하고 용액이 형성될 때 까지 4 시간 동안 교반하였다. 다음에, 얻어지는 조성물을 사용에 앞서 0.1 ㎛ 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)필터를 통해 여과했다.
[구조식 B]
Figure 112004061195235-pct00008
실시예 4
특성의 측정
1. 스트리핑 테스트
실시예 2 및 3에서 제조한 각각의 조성물을 실리콘 웨이퍼상에 3000 rpm으로 60 초간 스핀 코팅한 다음 168-250 ℃의 온도로 열판상에서 베이킹했다. 상기 막 두께를 타원분석법을 이용하여 측정한 다음, 상기 막을 대표적인 포토레지스트 용매(에틸 락테이트 및 PGMEA)에 노출시켰다. 상기 베이킹된 막은 상기 용매중에서 매우 낮은 용해도를 나타내어, 포토레지스트/반사방지 코팅층 계면에서의 혼합이 거의 일어나지 않았다.
2. 광학 특성
250 ℃에서 60초간 베이킹한 후, 실시예 2의 조성물은 n값(굴절율)이 1.9339 이고 k값(흡광계수)이 0.40 이었다. 250 ℃에서 60 초간 베이킹한 후, 실시예 3의 조성물은 n값(굴절율)이 1.6948 이고 k값(흡광계수)이 0.458 이었다. 도 1 및 도 2는 각각 실시예 2 및 3의 조성물에 대한 반사율 곡선을 도시한다.
3. 포토리소그래피
상기 조성물들은 Nikon i-라인 스텝퍼(0.50 개구수)를 이용하여 i-라인 포토레지스트 OiR620(ARCH Chemical로부터 입수가능함)와 함께 측정하였을 때 0.60 ㎛ 라인의 해상도를 나타냈다. 실시예 1 및 2의 조성물의 하향 프로필(top down profile)이 도 3 및 도 4에서 각각 도시되어 있다.
4. 스핀 보울 상용성
실시예 2의 조성물로부터 제조한 막의 스핀 보울 상용성을 전술한 과정에 따라 테스트하였다. 조성물이 약 90% 이상의 용해도%를 가지는 경우 스핀 보울 상용성이 있는 것으로 판단하였다. 이러한 테스트의 결과가 하기 표 A에서 기재되어 있다.
실시예 번호 용매 스트리핑 전의 두께 (Å) 스트리핑 후의 두께 (Å) 용해도% 스핀 보울 상용성
2 PGMEA 1273 31 97.56 있음
2 에틸 락테이트 1277 21 98.35 있음
2 헵타논 1276 48 96.24 있음

Claims (40)

  1. 용매계와 상기 용매계에 분산 또는 용해된 중합체를 포함하며, 상기 중합체는 하기 화학식을 갖는 반복 단위체들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지 코팅 조성물:
    Figure 712011001004300-pct00044
    상기 식에서,
    M은 금속이고,
    각각의 R은 수소, 알킬, 아릴, 알콕시, 및 페녹시로 구성되는 군에서 선택되고,
    X는 하기 화학식 1 또는 2로 구성되는 군에서 선택되고,
    [화학식 1]
    Figure 712011001004300-pct00045
    [화학식 2]
    Figure 712011001004300-pct00046
    상기 식에서,
    X1 및 Y는 각각 전자 끄는기들로 구성되는 군에서 선택되고,
    R2는 * 로 표시되는 결합에 의해 치환된 알킬렌 및 아릴렌으로 구성되는 군에서 선택되고,
    X는 * 로 표시되는 결합을 통해 상기 M에 결합된다.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 중합체는 하기 화학식을 갖는 반복 단위체들을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 712011001004300-pct00047
    상기 식에서,
    각각의 R1은 수소, 알킬, 아릴, 알콕시 및 페녹시로 구성되는 군에서 선택되고, M1은 금속이다.
  3. 제 1 항에 있어서, 각각의 반복 단위체의 M은 Ti, Zr, Si 및 Al로 구성되는 군에서 선택되는 금속인 것을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, 제 2 중합체를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 중합체는 에폭시 노볼락 수지, 아크릴레이트, 중합된 아미노플라스트, 글리코우릴, 비닐 에테르, 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  6. 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 중합체는 중량 평균 분자량이 1,000 내지 25,000 인 것을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 하나의 R이 -CH3이고, 다른 하나의 R이 -OC2H5인 것을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서, X1 및 Y는 각각 카르보닐, 시안, 니트릴, 설폰, -CO2R4(여기서, R4는 알킬을 나타냄)로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  9. 용매계와 상기 용매계에 분산 또는 용해된 중합체를 포함하며, 상기 중합체는 중합체성 금속 알콕사이드를 발색단과 반응시킴으로써 형성되고, 상기 중합체성 금속 알콕사이드는 하기 화학식을 갖는 반복 단위체들을 포함하고,
    Figure 712011001004300-pct00048
    상기 식에서,
    M은 금속이고, 각각의 L은 디케토 및 알콕사이드 리간드로 구성되는 군에서 선택되고,
    상기 발색단은 하기 화학식 1 또는 2로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반사방지 코팅 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 712011001004300-pct00049
    [화학식 2]
    Figure 712011001004300-pct00050
    상기 식에서,
    X1 및 Y는 각각 전자 끄는기들로 구성되는 군에서 선택되고,
    R2는 알킬렌 및 아릴렌으로 구성되는 군에서 선택된다.
  10. 제 9 항에 있어서, 각각의 반복 단위체의 M은 Ti, Zr, Si 및 Al로 구성되는 군에서 선택되는 금속인 것을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제 9 항에 있어서, 제 2 중합체를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 제 2 중합체는 에폭시 노볼락 수지, 아크릴레이트, 중합된 아미노플라스트, 글리코우릴, 비닐 에테르, 및 이들의 혼합물로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 중합체는 중량 평균 분자량이 1,000 내지 25,000 인 것을 특징으로 하는 조성물.
  14. 제 9 항에 있어서, 각각의 L은 하기 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 조성물:
    Figure 712011001004300-pct00051
    상기 식에서,
    각각의 R은 수소, 알킬, 아릴, 알콕시 및 페녹시로 구성되는 군에서 선택된다.
  15. 제 14 항에 있어서, 최소한 하나의 L이 에틸 아세토아세테이트의 부분인 것을 특징으로 하는 조성물.
  16. 제 14 항에 있어서, 하나의 R이 -CH3이고, 다른 하나의 R이 -OC2H5인 것을 특징으로 하는 조성물.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 포토리소그래피 공정에서 조성물을 사용하는 방법으로서, 상기 방법은 기판에 일정의 조성물을 도포하여 그 위에 층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 조성물은 용매계와 상기 용매계에 분산 또는 용해된 중합체를 포함하고, 상기 중합체는 하기 화학식을 갖는 반복 단위체들을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    Figure 712011001004300-pct00052
    상기 식에서,
    M은 금속이고,
    각각의 R은 수소, 알킬, 아릴, 알콕시, 및 페녹시로 구성되는 군에서 선택되고,
    X는 하기 화학식 1 또는 2로 구성되는 군에서 선택되며,
    [화학식 1]
    Figure 712011001004300-pct00053
    [화학식 2]
    Figure 712011001004300-pct00054
    상기 식에서,
    X1 및 Y는 각각 전자 끄는기들로 구성되는 군에서 선택되고,
    R2는 * 로 표시된 결합에 의해 치환된 알킬렌 및 아릴렌으로 구성되는 군에서 선택되고,
    X는 * 로 표시된 결합을 통해 M에 결합된다.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 도포 단계는 상기 기판 표면상에 상기 조성물을 스핀 코팅하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 19 항에 있어서, 상기 기판은 홀이 형성되어 있으며, 상기 홀은 바닥벽과 측벽에 의해 한정되고, 상기 도포 단계는 상기 바닥벽 및 측벽의 최소한 일부분에 상기 조성물을 도포하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 19 항에 있어서, 상기 도포 단계 후, 상기 층을 100-250 ℃의 온도로 베이킹하여 경화된 층을 얻는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제 22 항에 있어서, 상기 베이킹된 층에 포토레지스트를 도포하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 포토레지스트의 최소한 일부분을 활성화 방사선에 노광하는 단계와; 상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 현상 단계에 의하여, 상기 노광된 포토레지스트에 이웃한 영역으로부터 상기 조성물이 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 포토리소그래피 공정에서 조성물을 사용하는 방법으로서, 상기 방법은 기판에 일정량의 조성물을 도포하여 그 위에 층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 조성물은 용매계와 상기 용매계에 분산 또는 용해된 중합체를 포함하고, 상기 중합체는 중합체성 금속 알콕사이드를 발색단과 반응시킴으로써 형성되고, 상기 중합체성 금속 알콕사이드는 하기 화학식을 갖는 반복 단위체들을 포함하고,
    Figure 712011001004300-pct00055
    상기 식에서,
    M은 금속이고, 각각의 L은 디케토 및 알콕사이드 리간드로 구성되는 군에서 선택되고,
    상기 발색단은 하기 화학식 1 또는 2로 구성되는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법:
    [화학식 1]
    Figure 712011001004300-pct00056
    [화학식 2]
    Figure 712011001004300-pct00057
    상기 식에서,
    X1 및 Y는 각각 전자 끄는기들로 구성되는 군에서 선택되고,
    R2는 알킬렌 및 아릴렌으로 구성되는 군에서 선택된다.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 도포 단계는 상기 기판 표면상에 상기 조성물을 스핀 코팅하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제 26 항에 있어서, 상기 기판은 홀이 형성되어 있으며, 상기 홀은 바닥벽과 측벽에 의해 한정되고, 상기 도포 단계는 상기 바닥벽 및 측벽의 최소한 일부분에 상기 조성물을 도포하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제 26 항에 있어서, 상기 도포 단계 후, 상기 층을 100-250 ℃의 온도로 베이킹하여 경화된 층을 얻는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제 29 항에 있어서, 상기 베이킹된 층에 포토레지스트를 도포하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 포토레지스트의 최소한 일부분을 활성화 방사선에 노광하는 단계와; 상기 노광된 포토레지스트를 현상하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제 31 항에 있어서, 상기 현상 단계에 의하여, 상기 노광된 포토레지스트에 이웃한 영역으로부터 상기 조성물이 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 삭제
  34. 제1항에 있어서, X는 다음 화학식
    Figure 712011001004300-pct00058
    으로 된 것을 특징으로 하는 조성물.
  35. 삭제
  36. 제9항에 있어서, 상기 발색단이 다음 화학식
    Figure 712011001004300-pct00059
    으로 된 것을 특징으로 하는 조성물.
  37. 삭제
  38. 제19항에 있어서, X는 다음 화학식
    Figure 712011001004300-pct00060
    으로 된 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 삭제
  40. 제26항에 있어서, 상기 발색단이 다음 화학식
    Figure 712011001004300-pct00061
    으로 된 것을 특징으로 하는 방법.
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