KR101041886B1 - Corner cube retroreflector and method for fabricating the same - Google Patents

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Abstract

코너 큐브형 역반사기 및 그 제조 방법이 개시된다. 중심 영역에 사각 형상의 캐비티 영역이 형성된 기판과, 상기 캐비티 영역에 십(十)자 형상의 소정 간격을 두고 위치하는 4개의 사각 형상의 구동 반사경과, 상기 캐비티 영역의 각 모서리와 상기 각 모서리에 인접한 각 구동 반사경의 제1모서리를 연결하기 위한 구동 압전 캔틸레버과, 상기 구동 반사경의 서로 대향하는 제2모서리 및 제3모서리와 상기 기판의 인접 부위를 각각 연결하기 위한 고정 압전 캔틸레버과, 상기 십자 형상의 소정 간격 상에 상기 기판의 일면에 수직한 방향으로 형성되며 소정의 돌출부를 구비하는 고정 반사경과, 상기 돌출부와 결합하여 상기 고정 반사경을 상기 기판에 고정시키도록 상기 기판 상에 형성되는 홀더를 포함하는 코너 큐브형 역반사기를 구성한다. 상기와 같은 코너 큐브형 역반사기에 따르면, 구동 압전 캔틸레버 외에 별도로 구비된 2 개의 고정 압전 캔틸레버가 구동 반사경의 회전축 역할을 하도록 함으로써, 구동 반사경의 초기 편향을 최소화하고 평탄도를 향상시키는 효과가 있다.Corner cube type retroreflectors and methods of making the same are disclosed. A substrate having a rectangular cavity region formed in a central region, four rectangular reflective reflectors positioned at predetermined intervals in a cross shape in the cavity region, and each corner and each corner of the cavity region; A driving piezoelectric cantilever for connecting the first edges of the adjacent driving reflectors, a fixed piezoelectric cantilever for connecting the second edges and the third edges of the driving reflecting mirrors to adjacent portions of the substrate, and a predetermined cross shape A corner including a fixed reflector formed in a direction perpendicular to one surface of the substrate on a gap and having a predetermined protrusion, and a holder formed on the substrate in combination with the protrusion to fix the fixed reflector to the substrate. Construct a cube retroreflector. According to the corner cube type retroreflector as described above, two fixed piezoelectric cantilevers provided in addition to the driving piezoelectric cantilever serve as a rotation axis of the driving reflector, thereby minimizing initial deflection of the driving reflector and improving flatness.

코너 큐브, 반사경, 압전, 캔틸레버, 역반사기, 캐비티 Corner cube, reflector, piezoelectric, cantilever, retroreflector, cavity

Description

코너 큐브형 역반사기 및 그 제조 방법{CORNER CUBE RETROREFLECTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}Corner cube retroreflector and its manufacturing method {CORNER CUBE RETROREFLECTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 역반사기 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 좀 더 상세하게는, 코너 큐브형 역반사기 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a retroreflector and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a corner cube type retroreflector and a method of manufacturing the same.

미소 광전자 기계 시스템(micro-opto-electro mechanical system, MOEMS)의 일종인 코너 큐브형 역반사기(corner cube retroreflector)는 자유 공간에서의 광통신에 적용되는 초소형 광학 부품이다.A corner cube retroreflector, a type of micro-opto-electro mechanical system (MOEMS), is a microscopic optical component that is applied to optical communication in free space.

코너 큐브형 역반사기는 주로 광통신에 사용되는 빛을 원하는 방향으로 반사시키거나, 빛의 반사율을 제어하여 필요한 양의 빛을 조사하는 역할을 수행한다. 코너 큐브형 역반사기는 도청이 어렵고 비밀 유지가 가능하다는 장점때문에, 군 통신의 피아식별용 광 태그(tag) 개발과 관련된 연구가 주로 진행되고 있다.The corner cube type retroreflector mainly reflects the light used for optical communication in a desired direction or controls the reflectance of the light to irradiate the required amount of light. The corner cube type retroreflectors are difficult to eavesdropping and are able to be kept secret. Therefore, researches on the development of optical tags for military identification of PIAs are mainly conducted.

코너 큐브형 역반사기는 구동 방식에 따라 정전기력 방식, 전자기력 방식 및 압전 방식이 있다. 정전기력 방식은 정밀 제어에 어려움이 있고 높은 전압이 요구되는 단점이 있으며, 전자기력 방식은 자성체로 인해 소형화가 어려운 반면, 압전 방식은 압전 소자를 이용하기 때문에 저전압에서 동작 가능하고 소형화가 가능하다 는 장점이 있다.The corner cube type retroreflector has an electrostatic force method, an electromagnetic force method, and a piezoelectric method depending on the driving method. The electrostatic force method has difficulty in precise control and requires high voltage, and the electromagnetic force method is difficult to miniaturize due to the magnetic material, while the piezoelectric method uses piezoelectric elements, so it can operate at low voltage and can be miniaturized. have.

도 1에는 종래의 압전 방식에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체에 대한 사시도가 도시되어 있다. 도 1의 압전 방식에 따른 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체(100)는 다른 방식에 대비하여 볼 때, 구동 압전 캔틸레버(130)가 구동 반사경(120)의 측면에만 위치하고 있어서 통신 음영 지역의 발생을 줄이는 장점을 갖지만, 구동 압전 캔틸레버(130)의 초기 변형때문에 전압이 인가되기도 전에 구동 반사경(120)의 편향이 발생한다는 단점이 있다. 즉, 코너 큐브형 역반사기에서 반사되는 빛의 방향을 제어하기가 어렵게 된다.1 is a perspective view of a driving reflector structure of a corner cube type retro reflector according to a conventional piezoelectric method. The drive reflector structure 100 of the cube retroreflector according to the piezoelectric method of FIG. 1 has a drive piezoelectric cantilever 130 positioned only at the side of the drive reflector 120 to prevent the occurrence of a communication shadow area. Although it has the advantage of reducing, there is a disadvantage that the deflection of the drive reflector 120 occurs before voltage is applied because of the initial deformation of the drive piezoelectric cantilever 130. That is, it becomes difficult to control the direction of the light reflected by the corner cube retroreflector.

한편, 종래의 압전 방식에 따른 코너 큐브형 역반사기는 주로 표면 미세 가공 기술(surface micro-machining)을 이용하여 제조되었는데, 표면 미세 가공 기술을 적용하는 경우에는 코너 큐브 형 역반사기의 3 개의 반사경을 각각 수작업으로 일으켜 세워 조립하여야 한다. 이러한 방식은 공정이 복잡하고 고도의 기술이 요구된다는 단점이 있다.On the other hand, the corner cube type retroreflector according to the conventional piezoelectric method was mainly manufactured using surface micro-machining. When applying the surface micromachining technology, three reflectors of the corner cube type retroreflector are used. Each must be raised and assembled by hand. This approach has the disadvantage that the process is complex and requires high technology.

이러한 단점을 극복하기 위해, 최근에는 몸체 미세 가공 기술(bulk micro-machininig)을 이용한 제조 방법이 고려되고 있다. 몸체 미세 가공 기술을 이용할 경우에는 코너 큐브형 역반사기의 상부에 위치하는 고정 반사경과 하부에 위치하는 구동 반사경을 별도로 제조하며, 제조 후 고정 반사경과 구동 반사경을 조립한다. 그런데, 이러한 몸체 미세 가공 기술에서는, 빛의 방향을 정밀 제어할 수 있는 코너 큐브 형상을 형성하기 위해서, 상부의 고정 반사경과 하부의 구동 반사경을 정확하게 정렬시키는 것이 중요한 과제로 대두되고 있다.In order to overcome this disadvantage, a manufacturing method using a bulk micro-machininig has recently been considered. In the case of using the body microfabrication technology, the fixed reflector positioned at the top of the corner cube retroreflector and the drive reflector positioned at the bottom are separately manufactured, and then the fixed reflector and the drive reflector are assembled. By the way, in such a body microfabrication technique, in order to form the corner cube shape which can precisely control the direction of light, it is an important subject to align correctly the upper fixed reflector and the lower driving reflector.

본 발명의 목적은, 코너 큐브형 역반사기를 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a corner cube type retro reflector.

본 발명의 다른 목적은, 코너 큐브형 역반사기의 제조 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for producing a corner cube type retro reflector.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 코너 큐브형 역반사기는, 중심 영역에 사각 형상의 캐비티 영역이 형성된 기판과, 상기 캐비티 영역에 십(十)자 형상의 소정 간격을 두고 위치하는 4개의 사각 형상의 구동 반사경과. 상기 캐비티 영역의 각 모서리와 상기 각 모서리에 인접한 각 구동 반사경의 제1모서리를 연결하기 위한 구동 압전 캔틸레버과, 상기 구동 반사경의 서로 대향하는 제2모서리 및 제3모서리와 상기 기판의 인접 부위를 각각 연결하기 위한 고정 압전 캔틸레버과, 상기 십자 형상의 소정 간격 상에 상기 기판의 일면에 수직한 방향으로 형성되며 소정의 돌출부를 구비하는 고정 반사경과, 상기 돌출부와 결합하여 상기 고정 반사경을 상기 기판에 고정시키도록 상기 기판 상에 형성되는 홀더를 포함하도록 구성될 수 있다. 여기에서, 상기 구동 압전 캔틸레버는 상기 구동 반사경의 제1모서리에 제1힌지를 통해 연결되고, 상기 고정 압전 캔틸레버는 상기 구동 반사경의 제2모서리 및 제3모서리에 제2힌지 및 제3힌지를 통해 각각 연결되도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 제1힌지, 제2힌지 및 제3힌지는 미앤더(meander) 타입 힌지 또는 스트레이트(straight) 타입 힌지로 구성될 수 있다. 한편, 상기 구동 압전 캔틸레버는 각각 개별적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기.Corner cube-type retroreflector for achieving the above object of the present invention, the substrate is formed with a rectangular cavity region in the center region, and four quadrangles positioned at predetermined intervals of the cross shape in the cavity region With a driving reflector of the shape. A driving piezoelectric cantilever for connecting each corner of the cavity region and the first edge of each driving reflector adjacent to each corner, and connecting the second and third edges of the driving reflector that face each other with adjacent portions of the substrate, respectively. A fixed piezoelectric cantilever, a fixed reflector formed in a direction perpendicular to one surface of the substrate on a predetermined interval of the cross shape, and having a predetermined protrusion, and coupled with the protrusion to fix the fixed reflector to the substrate. It may be configured to include a holder formed on the substrate. Here, the driving piezoelectric cantilever is connected to the first edge of the driving reflector through a first hinge, and the fixed piezoelectric cantilever is connected to the second and third edges of the driving reflector through a second hinge and a third hinge. Each may be configured to be connected. The first hinge, the second hinge, and the third hinge may be configured as a meander type hinge or a straight type hinge. On the other hand, the drive piezoelectric cantilever is a corner cube type retroreflector, characterized in that each is driven individually.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한, 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법은 기판의 제1면 및 제2면 상에 실리콘 질화물 막을 형성하는 단계와, 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계와, 상기 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 형성하는 단계와, 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 소정 중심 영역에 4 개의 사각 형상의 구동 반사경이 십자 형상의 소정 간격을 두고 형성될 수 있도록 상기 제2면을 건식 식각하는 단계와, 상기 기판의 제1면 상에 홀더를 형성하는 단계와, 상기 건식 식각된 중심 영역의 제2면에서 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스(release)시키는 단계를 포함하도록 구성될 수 있다. 여기에서, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스(release)시키는 단계는, 상기 중심 영역을 습식 식각 또는 건식 식각하여 캐비티를 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스(release)시키는 단계는, 상기 중심 영역을 습식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, KOH 방식 또는 TMAH 방식을 이용하여 습식 식각하도록 구성될 수 있다. 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하 여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스(release)시키는 단계는, 상기 중심 영역을 건식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, DRIE 방식을 이용하여 건식 식각하도록 구성될 수 있다. 한편, 상기 기판의 제1면 및 제2면 상에 실리콘 질화물 막을 형성하는 단계는, 저압 화학 기상 증착법(LPCVD)에 의해 저응력 질화물 막을 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 하부 전극 물질, 압전 물질, 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는, 티타늄/백금 또는 백금을 스퍼터링하여 하부 전극 물질 또는 상부 전극 물질을 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 하부 전극 물질, 압전 물질, 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는, 납-지르코늄-티타늄 복합 산화물 박막을 졸-겔(sol-gel) 방식으로 증착하여 형성도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계는, 금, 백금, 알루미늄 중 어느 하나를 리프트-오프(lift-off) 방식으로 증착하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 기판의 제1면 상에 홀더를 형성하는 단계는, Su-8 물질 또는 CAR44 물질을 이용하여 홀더를 형성하도록 구성될 수 있다.In order to achieve the above object of the present invention, a method of manufacturing a drive reflector structure of a corner cube type retroreflector comprises the steps of forming a silicon nitride film on the first and second surfaces of the substrate, and formed on the first surface Forming a lower electrode material, a piezoelectric material, and an upper electrode material in order on the silicon nitride film, etching the lower electrode material, the piezoelectric material, and the upper electrode material to form a driving piezoelectric cantilever and a fixed piezoelectric cantilever; Forming a metal thin film for increasing the reflectance of the driving reflector on the silicon nitride film formed on the first surface, and four rectangular driving reflecting mirrors at predetermined center regions of the substrate at a predetermined interval of cross shape Dry etching the second surface to be formed; forming a holder on the first surface of the substrate; Etching to form a cavity in the second side of the central region and can be configured to include the step of driving the reflector, wherein the drive piezoelectric cantilever and release the fixing piezoelectric cantilever (release). The etching of the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever, and the fixed piezoelectric cantilever may include forming a cavity by wet etching or dry etching the central region. It can be configured to. And etching the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever, and the fixed piezoelectric cantilever, in the case of forming the cavity by wet etching the central region. Or it may be configured to wet etch using the TMAH method. Etching the dry etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever, and the fixed piezoelectric cantilever may include a method of performing a DRIE method when dry etching the central region to form a cavity. It may be configured to dry etching using. Meanwhile, forming the silicon nitride film on the first and second surfaces of the substrate may be configured to form a low stress nitride film by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). And sequentially forming the lower electrode material, the piezoelectric material, and the upper electrode material on the silicon nitride film formed on the first surface, by sputtering titanium / platinum or platinum to form the lower electrode material or the upper electrode material. Can be. The forming of the lower electrode material, the piezoelectric material, and the upper electrode material in order on the silicon nitride film formed on the first surface may include forming a lead-zirconium-titanium composite oxide thin film in a sol-gel manner. It may be configured to form by deposition. The forming of the metal thin film for increasing the reflectance of the driving reflector on the silicon nitride film formed on the first surface may include depositing any one of gold, platinum, and aluminum in a lift-off manner. Can be configured. And forming the holder on the first surface of the substrate may be configured to form a holder using Su-8 material or CAR44 material.

상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위한, 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법은, 기판의 제1면 상에 SOI 층을 형성하는 단계와, 상기 형성된 SOI 층 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계와, 상기 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 식각하여 구 동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 형성하는 단계와, 상기 제1면 상에 형성된 SOI 층 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 소정 중심 영역에 4 개의 사각 형상의 구동 반사경이 십자 형상의 소정 간격을 두고 형성될 수 있도록 상기 제2면을 건식 식각하는 단계와, 상기 SOI 층 상에 홀더를 형성하는 단계와, 상기 건식 식각된 중심 영역의 제2면에서 식각하여 캐비티를 형성하는 단계와, 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 릴리스(release)시키는 단계를 포함하도록 구성될 수 있다. 여기에서, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스(release)시키는 단계는, 상기 중심 영역을 습식 식각 또는 건식 식각하여 캐비티를 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스(release)시키는 단계는, 상기 중심 영역을 습식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, KOH 방식 또는 TMAH 방식을 이용하여 습식 식각하도록 구성될 수 있다. 한편, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스(release)시키는 단계는, 상기 중심 영역을 건식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, DRIE 방식을 이용하여 건식 식각하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 기판의 제1면 상에 SOI 층을 형성하는 단계는, 화학 기계적 연마(chemical-mechanical polishing, CMP) 공정으로 SOI 층을 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 형성된 SOI 층 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는, 티타늄/백금 또는 백금을 스퍼터링하여 하부 전극 물질 또는 상부 전극 물질을 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 형성된 SOI 층 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는, 납-지르코늄-티타늄 복합 산화물 박막을 졸-겔(sol-gel) 방식으로 증착하여 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 제1면 상에 형성된 SOI 층 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계는, 금, 백금, 알루미늄 중 어느 하나를 리프트-오프(lift-off) 방식으로 증착하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 SOI 층 상에 홀더를 형성하는 단계는, Su-8 물질 또는 CAR44 물질을 이용하여 홀더를 형성하도록 구성될 수 있다.In order to achieve the above object of the present invention, a method of manufacturing a drive reflector structure of a corner cube retroreflector includes the steps of forming an SOI layer on a first side of a substrate, and a lower electrode material on the formed SOI layer. Forming a piezoelectric material and an upper electrode material in order, etching the lower electrode material, the piezoelectric material, and the upper electrode material to form a driving piezoelectric cantilever and a fixed piezoelectric cantilever; Forming a metal thin film on the SOI layer to increase the reflectance of the driving reflector, and the second surface such that four rectangular driving reflectors are formed at a predetermined interval in a cross shape in a predetermined center region of the substrate; Dry etching, forming a holder on the SOI layer, and etching the second surface of the dry etched central region to form a cavity. And releasing the drive reflector, the drive piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever. The etching of the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever, and the fixed piezoelectric cantilever may include forming a cavity by wet etching or dry etching the central region. It can be configured to. And etching the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever, and the fixed piezoelectric cantilever, in the case of forming the cavity by wet etching the central region. Or it may be configured to wet etch using the TMAH method. Meanwhile, in the forming of the cavity by etching the dry-etched center region to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever, when the dry etching the center region to form a cavity, DRIE It may be configured to dry etching using the method. The forming of the SOI layer on the first surface of the substrate may be configured to form the SOI layer by a chemical-mechanical polishing (CMP) process. And sequentially forming the lower electrode material, the piezoelectric material and the upper electrode material on the formed SOI layer may be configured to sputter titanium / platinum or platinum to form the lower electrode material or the upper electrode material. And sequentially forming a lower electrode material, a piezoelectric material, and an upper electrode material on the formed SOI layer to be formed by depositing a lead-zirconium-titanium composite oxide thin film in a sol-gel manner. Can be. And forming a metal thin film on the SOI layer formed on the first surface to increase the reflectance of the driving reflector to deposit any one of gold, platinum, and aluminum in a lift-off manner. Can be. And forming a holder on the SOI layer may be configured to form a holder using Su-8 material or CAR44 material.

상기와 같은 코너 큐브형 역반사기에 따르면, 구동 압전 캔틸레버 외에 별도로 구비된 2 개의 고정 압전 캔틸레버가 구동 반사경의 회전축 역할을 하도록 함으로써, 구동 반사경의 초기 편향을 최소화하고 평탄도를 향상시키는 효과가 있다. 아울러 기판에 구비된 홀더에 의해 고정 반사경이 구동 반사경에 정확하게 정렬함으로써 빛의 방향을 정밀 제어할 수 있는 코너 큐브 형상을 형성할 수 있는 효과가 있다. 한편, 상기와 같은 코너 큐브형 역반사기의 제조 방법에 따르면, 공정이 매우 쉽고 간단해지는 효과가 있다.According to the corner cube type retroreflector as described above, two fixed piezoelectric cantilevers provided in addition to the driving piezoelectric cantilever serve as a rotation axis of the driving reflector, thereby minimizing initial deflection of the driving reflector and improving flatness. In addition, the fixed reflector is accurately aligned with the driving reflector by the holder provided in the substrate, thereby forming a corner cube shape capable of precisely controlling the direction of light. On the other hand, according to the manufacturing method of the corner cube-type retroreflector as described above, there is an effect that the process is very easy and simple.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.While the invention is susceptible to various modifications and alternative forms, specific embodiments thereof are shown by way of example in the drawings and will herein be described in detail. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing.

제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. The terms first, second, A, B, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component. And / or < / RTI > includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. When a component is referred to as being "connected" or "connected" to another component, it may be directly connected to or connected to that other component, but it may be understood that other components may be present in between. Should be. On the other hand, when a component is said to be "directly connected" or "directly connected" to another component, it should be understood that there is no other component in between.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지 다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprise" or "have" are intended to indicate that there is a feature, number, step, action, component, part, or combination thereof described in the specification, and one or more other It is to be understood that the present invention does not exclude the possibility of the presence or the addition of features, numbers, steps, operations, components, parts, or a combination thereof.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

이하, 본 발명의 구성에 대하여 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the structure of this invention is demonstrated.

본 발명에 따른 코너 큐브형 역반사기는, 중심 영역에 사각 형상의 캐비티 영역이 형성된 기판과, 상기 캐비티 영역에 십(十)자 형상의 소정 간격을 두고 위치하는 4개의 사각 형상의 구동 반사경과, 상기 캐비티 영역의 각 모서리와 상기 각 모서리에 인접한 각 구동 반사경의 제1모서리를 연결하기 위한 구동 압전 캔틸레버와, 상기 구동 반사경의 서로 대향하는 제2모서리 및 제3모서리와 상기 기판의 인접 부위를 각각 연결하기 위한 고정 압전 캔틸레버과, 상기 십자 형상의 소정 간격 상에 상기 기판의 일면에 수직한 방향으로 형성되며 소정의 돌출부를 구비하는 고정 반사경과, 상기 돌출부와 결합하여 상기 고정 반사경을 상기 기판에 고정시키도록 상기 기판 상에 형성되는 홀더를 포함도록 구성될 수 있다. 여기에서, 상기 구동 압전 캔틸레버는 상기 구동 반사경의 제1모서리에 제1힌지를 통해 연결되고, 상기 고정 압전 캔틸레버는 상기 구동 반사경의 제2모서리 및 제3모서리에 제2힌지 및 제3힌지를 통해 각각 연결되도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 제1힌지, 제2힌지 및 제3힌지는 미앤더(meander) 타입 힌지 또는 스트레이트(straight) 타입 힌지로 구성될 수 있다. 한편, 상기 구동 압전 캔틸레버는 각각 개별적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기.The corner cube retroreflector according to the present invention includes a substrate having a rectangular cavity area formed in a central area, four rectangular shaped driving reflectors positioned at predetermined intervals in a cross shape in the cavity area, A driving piezoelectric cantilever for connecting each corner of the cavity region and the first edge of each of the driving reflectors adjacent to the corners, a second edge and a third edge of the driving reflecting mirror, and adjacent portions of the substrate, respectively; A fixed piezoelectric cantilever for connection, a fixed reflector formed in a direction perpendicular to one surface of the substrate on a predetermined interval of the cross shape, and having a predetermined protrusion, and coupled with the protrusion to fix the fixed reflector to the substrate. It may be configured to include a holder formed on the substrate. Here, the driving piezoelectric cantilever is connected to the first edge of the driving reflector through a first hinge, and the fixed piezoelectric cantilever is connected to the second and third edges of the driving reflector through a second hinge and a third hinge. Each may be configured to be connected. The first hinge, the second hinge, and the third hinge may be configured as a meander type hinge or a straight type hinge. On the other hand, the drive piezoelectric cantilever is a corner cube type retroreflector, characterized in that each is driven individually.

본 발명에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법은 기판의 제1면 및 제2면 상에 실리콘 질화물 막을 형성하는 단계와, 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계와, 상기 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 형성하는 단계와, 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 소정 중심 영역에 4 개의 사각 형상의 구동 반사경이 십자 형상의 소정 간격을 두고 형성될 수 있도록 상기 제2면을 건식 식각하는 단계와, 상기 기판의 제1면 상에 홀더를 형성하는 단계와, 상기 건식 식각된 중심 영역의 제2면에서 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스(release)시키는 단계를 포함하도록 구성될 수 있다. 여기에서, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는, 상기 중심 영역을 습식 식각 또는 건식 식각하여 캐비티 를 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는, 상기 중심 영역을 습식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, KOH 방식 또는 TMAH 방식을 이용하여 습식 식각하도록 구성될 수 있다. 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는, 상기 중심 영역을 건식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, DRIE 방식을 이용하여 건식 식각하도록 구성될 수 있다. 한편, 상기 기판의 제1면 및 제2면 상에 실리콘 질화물 막을 형성하는 단계는, 저압 화학 기상 증착법(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)에 의해 저응력 질화물 막을 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 하부 전극 물질, 압전 물질, 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는, 티타늄/백금(Ti/Pt) 또는 백금(Pt)을 스퍼터링하여 하부 전극 물질 또는 상부 전극 물질을 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 하부 전극 물질, 압전 물질, 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는, 납-지르코늄-티타늄(Pb-Zr-Ti) 복합 산화물 박막을 졸-겔(sol-gel) 방식으로 증착하여 형성도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계는, 금, 백금, 알루미늄 중 어느 하나를 리프트-오프(lift-off) 방식으로 증착하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 기판의 제1면 상에 홀더를 형성하는 단계는, Su-8 물질 또는 CAR44 물질을 이용하여 홀더 를 형성하도록 구성될 수 있다.A method of manufacturing a driving reflector structure of a corner cube retroreflector according to the present invention comprises the steps of forming a silicon nitride film on the first and second surfaces of the substrate, and a lower electrode on the silicon nitride film formed on the first surface Forming a material, a piezoelectric material, and an upper electrode material in order; etching the lower electrode material, the piezoelectric material, and the upper electrode material to form a driving piezoelectric cantilever and a fixed piezoelectric cantilever; and formed on the first surface. Forming a metal thin film to increase the reflectance of the driving reflector on the silicon nitride film; and forming the four rectangular driving reflecting mirrors at predetermined intervals in the predetermined center region of the substrate at a predetermined interval of the cross shape. Dry etching a surface, forming a holder on the first surface of the substrate, and performing a dry etching on the second surface of the dry etched central region. Etched may be arranged to form a cavity that includes the step of driving said mirror, said driving piezoelectric cantilever and a fixed release the piezoelectric cantilever (release). The etching of the dry etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever may be configured to wet etch or dry etch the central region to form a cavity. Can be. The etching of the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever, and the fixed piezoelectric cantilever may include forming a cavity by wet etching the central region to form a cavity. It may be configured to wet etch using. Etching the dry etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever, and the fixed piezoelectric cantilever, when dry etching the central region to form a cavity, using a DRIE method It may be configured to etch. Meanwhile, forming the silicon nitride film on the first surface and the second surface of the substrate may be configured to form a low stress nitride film by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). The forming of the lower electrode material, the piezoelectric material, and the upper electrode material in order on the silicon nitride film formed on the first surface may include sputtering titanium / platinum (Ti / Pt) or platinum (Pt) to lower electrode material. Or to form an upper electrode material. The forming of the lower electrode material, the piezoelectric material, and the upper electrode material in order on the silicon nitride film formed on the first surface may include sol-gel forming a lead-zirconium-titanium (Pb-Zr-Ti) composite oxide thin film. It may be configured to form by depositing in a (sol-gel) manner. The forming of the metal thin film for increasing the reflectance of the driving reflector on the silicon nitride film formed on the first surface may include depositing any one of gold, platinum, and aluminum in a lift-off manner. Can be configured. The forming of the holder on the first surface of the substrate may be configured to form a holder using Su-8 material or CAR44 material.

본 발명에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 다른 제조 방법은, 기판의 제1면 상에 SOI(silicon on insulator) 층을 형성하는 단계와, 상기 형성된 SOI 층 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계와, 상기 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 형성하는 단계와, 상기 제1면 상에 형성된 SOI 층 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 소정 중심 영역에 4 개의 사각 형상의 구동 반사경이 십자 형상의 소정 간격을 두고 형성될 수 있도록 상기 제2면을 건식 식각하는 단계와, 상기 SOI 층 상에 홀더를 형성하는 단계와, 상기 건식 식각된 중심 영역의 제2면에서 식각하여 캐비티를 형성하는 단계와, 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계를 포함하도록 구성될 수 있다. 여기에서, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는, 상기 중심 영역을 습식 식각 또는 건식 식각하여 캐비티를 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는, 상기 중심 영역을 습식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, KOH 방식 또는 TMAH 방식을 이용하여 습식 식각하도록 구성될 수 있다. 한편, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는, 상기 중심 영역을 건식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, DRIE 방식을 이용하여 건식 식각하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 기판의 제1면 상에 SOI 층을 형성하는 단계는, 화학 기계적 연마(chemical-mechanical polishing, CMP) 공정으로 SOI 층을 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 형성된 SOI 층 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는, 티타늄/백금 또는 백금을 스퍼터링하여 하부 전극 물질 또는 상부 전극 물질을 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 형성된 SOI 층 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는, 납-지르코늄-티타늄 복합 산화물 박막을 졸-겔 방식으로 증착하여 형성하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 제1면 상에 형성된 SOI 층 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계는, 금, 백금, 알루미늄 중 어느 하나를 리프트-오프 방식으로 증착하도록 구성될 수 있다. 그리고 상기 SOI 층 상에 홀더를 형성하는 단계는, Su-8 물질 또는 CAR44 물질을 이용하여 홀더를 형성하도록 구성될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a driving reflector structure of a corner cube retroreflector, comprising: forming a silicon on insulator (SOI) layer on a first surface of a substrate; Forming a material and an upper electrode material in order, etching the lower electrode material, the piezoelectric material, and the upper electrode material to form a driving piezoelectric cantilever and a fixed piezoelectric cantilever; and on the SOI layer formed on the first surface. Forming a thin metal film to increase the reflectance of the driving reflector, and dry etching the second surface such that four rectangular driving reflectors are formed at predetermined intervals in a cross shape in a predetermined central region of the substrate. Forming a holder on the SOI layer, etching at a second surface of the dry etched central region to form a cavity, It may be configured to include the step of releasing the group driving mirror, the driving piezoelectric cantilever and fixing the piezoelectric cantilever. The etching of the dry etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever may be configured to wet-etch or dry etch the central region to form a cavity. Can be. The etching of the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever, and the fixed piezoelectric cantilever may include forming a cavity by wet etching the central region to form a cavity. It may be configured to wet etch using. Meanwhile, in the forming of the cavity by etching the dry-etched center region to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever, and the fixed piezoelectric cantilever, in the case of dry etching the center region to form a cavity, a DRIE method is used. It may be configured to dry etching. The forming of the SOI layer on the first surface of the substrate may be configured to form the SOI layer by a chemical-mechanical polishing (CMP) process. And sequentially forming the lower electrode material, the piezoelectric material and the upper electrode material on the formed SOI layer may be configured to sputter titanium / platinum or platinum to form the lower electrode material or the upper electrode material. The forming of the lower electrode material, the piezoelectric material, and the upper electrode material in order on the formed SOI layer may be performed by depositing a lead-zirconium-titanium composite oxide thin film in a sol-gel manner. The forming of the metal thin film for increasing the reflectance of the driving reflector on the SOI layer formed on the first surface may be configured to deposit one of gold, platinum, and aluminum in a lift-off manner. And forming a holder on the SOI layer may be configured to form a holder using Su-8 material or CAR44 material.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명에 따른 코너 큐브형 역반사기를 설명한다.First, the corner cube type retro reflector according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 6.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 코너 큐브형 역반사기의 사시도이다.2 is a perspective view of a corner cube type retro reflector according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 코너 큐브형 역반사기(200)는 기판(210), 구동 반사 경(220), 구동 압전 캔틸레버(230), 고정 압전 캔틸레버(240), 고정 반사경(250), 홀더(260)를 포함하도록 구성될 수 있다. 여기서, 코너 큐브형 역반사기(200)는 기판(210), 구동 반사경(220), 구동 압전 캔틸레버(230), 고정 압전 캔틸레버(240), 홀더(260)를 포함하는 하부의 구동 반사경 구조체와 상부의 고정 반사경(250)의 결합에 의해 총 4 개의 코너 큐브 형상을 형성할 수 있다. 도 3a와 도 4는 하부의 구동 반사경 구조체와 상부의 고정 반사경(250)을 각각 분리하여 도시하고 있다. 이하, 도 2, 도 3a 및 도 4를 참조하여 코너 큐브형 역반사기(200)의 각 구성을 상세하게 설명한다.Referring to FIG. 2, the corner cube retroreflector 200 includes a substrate 210, a driving reflector 220, a driving piezoelectric cantilever 230, a fixed piezoelectric cantilever 240, a fixed reflector 250, and a holder 260. It can be configured to include). Here, the corner cube type retroreflector 200 includes a lower driving reflector structure and an upper portion including a substrate 210, a driving reflector 220, a driving piezoelectric cantilever 230, a fixed piezoelectric cantilever 240, and a holder 260. By combining the fixed reflector 250 can form a total of four corner cube shape. 3A and 4 separately illustrate the lower driving reflector structure and the upper fixed reflector 250, respectively. Hereinafter, each configuration of the corner cube type retro reflector 200 will be described in detail with reference to FIGS. 2, 3A, and 4.

도 3a를 참조하면, 하부의 구동 반사경 구조체는 기판(210), 구동 반사경(220), 구동 압전 캔틸레버(230) 및 고정 압전 캔틸레버(240), 홀더(260)를 포함하도록 구성될 수 있다.Referring to FIG. 3A, the lower driving reflector structure may be configured to include a substrate 210, a driving reflector 220, a driving piezoelectric cantilever 230, a fixed piezoelectric cantilever 240, and a holder 260.

먼저, 기판(210)은 중심 영역에 사각 형상의 캐비티 영역이 형성되도록 구성될 수 있다. 기판(210)으로서 실리콘 웨이퍼 기판 이용될 수 있으며, 그 중 SOI 기판이 이용될 수 있다. 여기서 캐비티 영역은 구동 반사경(220), 구동 압전 캔틸레버(230) 및 고정 압전 캔틸레버(240)가 형성되기 위한 영역이다.First, the substrate 210 may be configured to form a rectangular cavity area in the center area. As the substrate 210, a silicon wafer substrate may be used, and an SOI substrate may be used. The cavity area is an area for forming the driving reflector 220, the driving piezoelectric cantilever 230, and the fixed piezoelectric cantilever 240.

상기 캐비티 영역에 십(十)자 형상의 소정 간격을 두고 위치하는 4 개의 사각 형상의 구동 반사경Four square driving reflecting mirrors positioned at predetermined intervals in a cross shape in the cavity region.

구동 반사경(220)은 상기 캐비티 영역에 4 개가 구비될 수 있는데, 십자 형상의 소정 간격을 두고 위치하도록 구성될 수 있다. 그리고 각 구동 반사경(220) 간에는 십자 형상의 소정 간격을 갖고 배치되도록 구성될 수 있다. 구동 반사 경(220)은 일정한 각도로 회전 가능한 반사경으로서, 실질적으로 반사되는 빛의 방향을 제어하기 위한 반사경이다. 구동 반사경(220)은 코너 큐브형 역반사기(200)에 형성되는 코너 큐브 형상의 3 면 중에서 1 면을 구성한다. 구동 반사경(220)은 반사율의 향상을 위해 금(Au), 백금(Pt), 알루미늄(Al) 중 어느 하나의 물질로 구성됨이 바람직하다.Four driving reflectors 220 may be provided in the cavity area, and may be configured to be positioned at a predetermined interval of a cross shape. In addition, the driving reflectors 220 may be configured to be arranged at a predetermined interval in a cross shape. The driving reflector 220 is a reflector that is rotatable at an angle and is a reflector for controlling the direction of the reflected light. The driving reflector 220 constitutes one surface of three corner cube shapes formed on the corner cube retroreflector 200. The driving reflector 220 may be made of any one material of gold (Au), platinum (Pt), and aluminum (Al) to improve reflectance.

구동 압전 캔틸레버(230)는 캐비티 영역의 각 모서리와 상기 각 모서리에 인접한 각 구동 반사경(220)의 제1모서리를 연결하기 위한 구성이다. 구동 압전 캔틸레버(230)는 압전 구동 방식에 따라 생성된 기계적 에너지를 이용하여 구동 반사경(220)을 소정 각도로 회전시키는 기능을 한다. 구동 압전 캔틸레버(230)는 압전 구동력을 발생시키기 위한 압전 물질과 상부 전극 및 하부 전극으로 구성될 수 있다. 압전 물질로서는 납-지르코늄-티타늄 복합 산화물이 이용될 수 있으며, 상부 전극 및 하부 전극에는 티타늄/백금 또는 백금과 같은 금속 전극이 이용될 수 있다. 한편, 각 구동 압전 캔틸레버(230)의 상부 전극에는 각각 개별적인 전원이 인가됨으로써, 각 구동 압전 캔틸레버(230)에 각각 개별적으로 기계적 에너지가 생성될 수 있다. 이에, 각 구동 반사경(220)은 동시에 각각 다른 각도로 구동될 수 있다.The driving piezoelectric cantilever 230 is a configuration for connecting each corner of the cavity area and the first edge of each driving reflector 220 adjacent to each corner. The driving piezoelectric cantilever 230 functions to rotate the driving reflector 220 at a predetermined angle by using mechanical energy generated according to the piezoelectric driving method. The driving piezoelectric cantilever 230 may include a piezoelectric material, an upper electrode, and a lower electrode for generating a piezoelectric driving force. Lead-zirconium-titanium composite oxide may be used as the piezoelectric material, and metal electrodes such as titanium / platinum or platinum may be used for the upper electrode and the lower electrode. On the other hand, by applying a separate power to the upper electrode of each driving piezoelectric cantilever 230, mechanical energy can be generated in each of the driving piezoelectric cantilever 230, respectively. Accordingly, each driving reflector 220 may be driven at different angles at the same time.

고정 압전 캔틸레버(240)는 구동 반사경(220)의 서로 대향하는 제2모서리 및 제3모서리와 상기 기판(210)의 인접 부위를 각각 연결시키기 위한 구성이다. 고정 압전 캔틸레버(240)는 구동 반사경(220)의 회전 시 구동 반사경(220)의 휘어짐이나 편향이 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다. 좀 더 자세하게 설명하면 다음과 같 다. 구동 반사경(220)의 회전 시에 고정 압전 캔틸레버(240)에 의해 구동 반사경(220)의 제2모서리와 제3모서리가 물리적으로 고정되는 지지력을 받게 된다. 이에, 구동 반사경(220)의 회전과 동시에 제2모서리 및 제3모서리는 하나의 회전축 역할을 수행하게 되고, 이에, 구동 반사경(220)은 회전 시에도 일정한 평탄도를 유지할 수 있게 된다.The fixed piezoelectric cantilever 240 is configured to connect the second and third edges of the driving reflector 220 to each other and adjacent portions of the substrate 210, respectively. The fixed piezoelectric cantilever 240 serves to prevent bending or deflection of the driving reflector 220 during rotation of the driving reflector 220. More detailed explanation is as follows. When the driving reflector 220 rotates, the second and third edges of the driving reflector 220 are physically fixed by the fixed piezoelectric cantilever 240. Thus, at the same time as the rotation of the driving reflector 220, the second and third corners serve as one rotation axis, whereby the driving reflector 220 can maintain a constant flatness even when rotating.

도 1에 따른 종래의 구동 압전 캔틸레버(130)는 구동 반사경(120)과 거의 분리되지 않는 구조로 형성되어 있어서, 평탄도가 나빠지는 단점이 있었다. 특히, 두 구동 압전 캔틸레버(130) 모두 구동 반사경(120)의 한 쪽 모서리에만 기계적 에너지를 전달하기 때문에, 회전 시에 평탄도가 매우 나빠지는 단점이 있었다. 그러나, 본 발명에서는 구동 반사경(220)의 회전 시 평탄도가 나빠지는 단점이 보완되었다.The conventional driving piezoelectric cantilever 130 of FIG. 1 is formed in a structure that is hardly separated from the driving reflector 120, and thus has a disadvantage in that flatness is deteriorated. In particular, since both driving piezoelectric cantilevers 130 transmit mechanical energy to only one corner of the driving reflector 120, flatness is very poor during rotation. However, in the present invention, the disadvantage that the flatness worsens when the driving reflector 220 rotates is compensated.

다음으로, 도 4를 참조하면, 고정 반사경(250)은 상기 십자 형상의 소정 간격 상에 상기 기판(210)의 일면에 수직한 방향으로 형성되며 소정의 돌출부(251)를 구비하도록 구성될 수 있다. 고정 반사경(250)은 코너 큐브 역반사기(200)에서 형성되는 코너 큐브 형상의 3 면 중 2 면을 구성한다.Next, referring to FIG. 4, the fixed reflector 250 may be formed in a direction perpendicular to one surface of the substrate 210 at a predetermined interval of the cross shape and may include a predetermined protrusion 251. . The fixed reflector 250 constitutes two of three sides of the corner cube shape formed in the corner cube retro reflector 200.

다시 도 2와 도 3a를 참조하면, 홀더(260)는 돌출부(251)와 결합하여 상기 고정 반사경(250)을 기판(210)에 고정시키도록 상기 기판(210)에 형성될 수 있다. 이때, 홀더(260)는 구동 반사경(220)과 고정 반사경(250)이 형성하는 각 코너 큐브 형상이 정확하게 정렬되어 고정되도록 하는 역할을 함으로써, 통신 음영 지역의 발생을 방지한다.Referring again to FIGS. 2 and 3A, a holder 260 may be formed on the substrate 210 to be coupled to the protrusion 251 to fix the fixed reflector 250 to the substrate 210. At this time, the holder 260 serves to ensure that each corner cube shape formed by the driving reflector 220 and the fixed reflector 250 is accurately aligned and fixed, thereby preventing the occurrence of the communication shadow area.

한편, 도 3b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 구동 반사경 구조체의 사시도이다.On the other hand, Figure 3b is a perspective view of a drive reflector structure according to another embodiment of the present invention.

도3b를 참조하면, 구동 반사경 구조체는 기판(310), 구동 반사경(320), 구동 압전 캔틸레버(330), 고정 압전 캔틸레버(340), 홀더(360)를 포함하도록 구성될 수 있다. 도 3b의 구동 반사경 구조체의 각 구성은 도 3a의 구동 반사경 구조체의 각 구성과 동일하지만, 도 3a의 기판(210)은 중심 영역의 십(十)자형 소정 간격이 제거되었고, 도 3b의 기판(310)은 중심 영역의 십자형 소정 간격이 제거되지 않았다는 점에서 차이가 있다. 이는 구동 반사경 구조체의 제조 과정에서 습식 식각을 한 경우에는 도 3a의 기판(210)과 같은 형태가 형성되지만, 건식 식각을 한 경우에는 도 3b의 기판(310)과 같은 형태가 형성된다.Referring to FIG. 3B, the driving reflector structure may be configured to include a substrate 310, a driving reflector 320, a driving piezoelectric cantilever 330, a fixed piezoelectric cantilever 340, and a holder 360. Each configuration of the driving reflector structure of FIG. 3B is the same as that of each of the driving reflector structures of FIG. 3A, but the substrate 210 of FIG. 3A is removed from the cross-shaped predetermined intervals of the center region, and the substrate of FIG. 310 differs in that no cross-shaped predetermined spacing of the central region has been removed. When wet etching is performed in the manufacturing process of the driving reflector structure, a shape similar to the substrate 210 of FIG. 3A is formed. However, when dry etching, the same shape as the substrate 310 of FIG. 3B is formed.

이하, 도 5 및 도 6를 참조하여 구동 반사경(220)의 구동 대하여 좀 더 설명한다. Hereinafter, the driving of the driving reflector 220 will be described with reference to FIGS. 5 and 6.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 반사경의 평면도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 반사경의 측단면도이다. 도 5를 참조하면, 구동 반사경(220)의 제1모서리는 구동 압전 캔틸레버(230)와 제1힌지(231)를 통해 연결된다. 그리고 구동 반사경(220)의 제2모서리 및 제3모서리는 고정 압전 캔틸레버(240) 각각과 제2힌지(241) 및 제3힌지(242)를 통해 연결된다. 상기 힌지들(231, 241, 242)은 구동 반사경(220)이 유연하게 회전할 수 있도록 도와주는데, 미앤더(meander) 타입 힌지 또는 스트레이트(straight) 타입 힌지가 이용될 수 있다.5 is a plan view of a driving reflector according to an embodiment of the present invention, Figure 6 is a side cross-sectional view of the driving reflector according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5, the first edge of the driving reflector 220 is connected through the driving piezoelectric cantilever 230 and the first hinge 231. The second edge and the third edge of the driving reflector 220 are connected to each of the fixed piezoelectric cantilever 240 through the second hinge 241 and the third hinge 242. The hinges 231, 241, and 242 help the drive reflector 220 to rotate flexibly. A meander type hinge or a straight type hinge may be used.

이하에서는, 코너 큐브형 역반사기(200)의 제조 방법에 대하여 설명한다. 코너 큐브형 역반사기(200)는, 앞서 배경기술에서 설명한 바와 같이, 표면 미세 가공 기술(surface micro-machininig)이 아닌 몸체 미세 가공 기술(bulk micro-machininig)을 이용함에 따라 구동 반사경 구조체와 고정 반사경(250)이 별도로 제작되도록 구성될 수 있다. 그리고 별도 제작된 구동 반사경 구조체와 고정 반사경(250)이 결합내지는 조립되도록 구성된다. 여기서는, 본 발명에 따라 특징적인 구조를 갖는 구동 반사경 구조체의 제조 방법의 다양한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, the manufacturing method of the corner cube type retroreflector 200 is demonstrated. The corner cube retroreflector 200, as described in the background art, uses a drive microstructure and a fixed reflector as it uses a bulk micro-machininig rather than a surface micro-machininig. 250 may be configured to be manufactured separately. In addition, the separately manufactured driving reflector structure and the fixed reflector 250 are configured to be coupled or assembled. Herein, various embodiments of a method of manufacturing a drive reflector structure having a characteristic structure according to the present invention will be described with reference to the drawings.

도 7a 내지 도 7i는 본 발명의 일 실시예에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법에 대한 공정도이다.7A to 7I are flowcharts illustrating a method of manufacturing a driving reflector structure of a corner cube retroreflector according to an embodiment of the present invention.

먼저 도 7a를 참조하면, 기판(701)의 제1면 및 제2면 상에 실리콘 질화물 막(702)을 형성한다. 여기서 기판(701)은 실리콘 기판으로 구성될 수 있다. 그리고 제1면에 형성되는 실리콘 질화물 막은 구동 반사경(220), 구동 압전 캔틸레버(230), 고정 압전 캔틸레버(240) 및 힌지(231, 241, 242)를 형성하기 위해 형성되는 것으로서, 저압 화학 기상 증착법(LPCVD)을 이용하여 저응력 질화물 층을 증착하여 형성되도록 구성될 수 있다.First, referring to FIG. 7A, a silicon nitride film 702 is formed on the first and second surfaces of the substrate 701. The substrate 701 may be formed of a silicon substrate. The silicon nitride film formed on the first surface is formed to form the driving reflector 220, the driving piezoelectric cantilever 230, the fixed piezoelectric cantilever 240, and the hinges 231, 241, and 242. It can be configured to form by depositing a low stress nitride layer using (LPCVD).

다음으로, 도 7b에 따르면, 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막(702) 상에 하부 전극 물질(703), 압전 물질(704) 및 상부 전극 물질(705)을 순서대로 형성한다. 이때, 하부 전극 물질(703) 및 상부 전극 물질(705)은 스퍼터링 방식으로 증착되는데, 티타늄/백금, 백금과 같은 금속 물질이 이용된다. 그리고 압전 물 질(704)은 졸-겔 방식으로 증착될 수 있는데, 납-지르코늄-티타늄 복합 산화물 박막을 증착하도록 구성될 수 있다.Next, according to FIG. 7B, the lower electrode material 703, the piezoelectric material 704, and the upper electrode material 705 are sequentially formed on the silicon nitride film 702 formed on the first surface. In this case, the lower electrode material 703 and the upper electrode material 705 are deposited by sputtering, and metal materials such as titanium / platinum and platinum are used. The piezoelectric material 704 may be deposited in a sol-gel manner, and may be configured to deposit a lead-zirconium-titanium composite oxide thin film.

다음으로, 도 7c 및 도 7d를 참조하면, 하부 전극 물질(703), 압전 물질(704) 및 상부 전극 물질(705)을 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 형성한다. 이때, 상부 전극 물질(705), 압전 물질(704), 하부 전극 물질(703)을 순서대로 건식 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버의 형상을 형성한다. 상부 전극 물질(705)와 압전 물질(704)를 하나의 마스크를 이용하여 건식 식각하고, 하부 전극 물질(703)은 별도의 하부 전극용 마스크를 이용하여 건식 식각을 한다.Next, referring to FIGS. 7C and 7D, the lower electrode material 703, the piezoelectric material 704, and the upper electrode material 705 are etched to form a driving piezoelectric cantilever and a fixed piezoelectric cantilever. In this case, the upper electrode material 705, the piezoelectric material 704, and the lower electrode material 703 may be dry etched in order to form shapes of the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever. The upper electrode material 705 and the piezoelectric material 704 are dry etched using one mask, and the lower electrode material 703 is dry etched using a separate lower electrode mask.

다음으로, 도 7e를 참조하면, 기판(701)의 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막(702) 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성한다. 금, 백금, 알루미늄 중 어느 하나의 물질을 리프트-오프 방식으로 금속 박막 증착한다.Next, referring to FIG. 7E, a metal thin film for increasing the reflectance of the driving reflector is formed on the silicon nitride film 702 formed on the first surface of the substrate 701. The material of any one of gold, platinum, and aluminum is deposited by a lift-off method.

그리고 도 7f를 참조하면, 기판(701)의 소정 중심 영역에 4 개의 사각 형상의 구동 반사경이 십자 형상의 소정 간격을 두고 형성될 수 있도록 제2면을 건식 식각한다.Referring to FIG. 7F, the second surface is dry-etched so that four square driving reflecting mirrors may be formed at predetermined intervals in a cross shape at a predetermined center region of the substrate 701.

다음으로, 도 7g를 참조하면, 기판(701)의 제1면 상에 홀더를 형성한다. 홀더는 고종횡비를 만들 수 있는 Su-8 물질 또는 CAR44 물질을 이용한다.Next, referring to FIG. 7G, a holder is formed on the first surface of the substrate 701. The holder uses Su-8 material or CAR44 material, which can produce a high aspect ratio.

다음으로, 도 7h를 참조하면, 상기 건식 식각된 제2면을 식각하여 캐비티(708)를 형성한다. 이때, 식각은 습식 식각 방식을 이용하며, KOH 방식 또는 TMAH 방식이 이용될 수 있다.Next, referring to FIG. 7H, the dry etched second surface is etched to form a cavity 708. In this case, the etching may use a wet etching method, and a KOH method or a TMAH method may be used.

다음으로, 도 7i를 참조하면, 상기 구동 반사경(220), 상기 구동 압전 캔틸레버(230) 및 고정 압전 캔틸레버(240)를 릴리스시킨다.Next, referring to FIG. 7I, the driving reflector 220, the driving piezoelectric cantilever 230, and the fixed piezoelectric cantilever 240 are released.

도 8a 내지 도 8i는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법에 대한 공정도이다.8A to 8I are flowcharts illustrating a method of manufacturing a driving reflector structure of a corner cube retro reflector according to another exemplary embodiment of the present invention.

먼저 도 8a를 참조하면, 기판(801)의 제1면 및 제2면 상에 실리콘 질화물 막(802)을 형성한다. 여기서 기판(801)은 실리콘 기판으로 구성될 수 있다. 그리고 제1면에 형성되는 실리콘 질화물 막은 구동 반사경(320), 구동 압전 캔틸레버(330), 고정 압전 캔틸레버(340) 및 힌지(미도시)를 형성하기 위해 형성되는 것으로서, 저압 화학 기상 증착법(LPCVD)을 이용하여 저응력 질화물 층을 증착하여 형성되도록 구성될 수 있다.First, referring to FIG. 8A, a silicon nitride film 802 is formed on the first and second surfaces of the substrate 801. The substrate 801 may be formed of a silicon substrate. The silicon nitride film formed on the first surface is formed to form a driving reflector 320, a driving piezoelectric cantilever 330, a fixed piezoelectric cantilever 340, and a hinge (not shown), and a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method. It can be configured to be formed by depositing a low stress nitride layer using.

다음으로, 도 8b에 따르면, 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막(802) 상에 하부 전극 물질(803), 압전 물질(804) 및 상부 전극 물질(805)을 순서대로 형성한다. 이때, 하부 전극 물질(803) 및 상부 전극 물질(805)은 스퍼터링 방식으로 증착되는데, 티타늄/백금, 백금과 같은 금속 물질이 이용된다. 그리고 압전 물질(804)은 졸-겔 방식으로 증착될 수 있는데, 납-지르코늄-티타늄 복합 산화물 박막을 증착하도록 구성될 수 있다.Next, according to FIG. 8B, the lower electrode material 803, the piezoelectric material 804, and the upper electrode material 805 are sequentially formed on the silicon nitride film 802 formed on the first surface. In this case, the lower electrode material 803 and the upper electrode material 805 are deposited by sputtering, and metal materials such as titanium / platinum and platinum are used. The piezoelectric material 804 may be deposited in a sol-gel manner, and may be configured to deposit a lead-zirconium-titanium composite oxide thin film.

다음으로, 도 8c 및 도 8d를 참조하면, 하부 전극 물질(803), 압전 물질(804) 및 상부 전극 물질(805)을 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 형성한다. 이때, 상부 전극 물질(805), 압전 물질(804), 하부 전극 물 질(803)을 순서대로 건식 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버의 형상을 형성한다. 상부 전극 물질(805)와 압전 물질(804)를 하나의 마스크를 이용하여 건식 식각하고, 하부 전극 물질(803)은 별도의 하부 전극용 마스크를 이용하여 건식 식각을 한다.8C and 8D, the lower electrode material 803, the piezoelectric material 804, and the upper electrode material 805 are etched to form a driving piezoelectric cantilever and a fixed piezoelectric cantilever. In this case, the upper electrode material 805, the piezoelectric material 804, and the lower electrode material 803 are dry-etched in this order to form shapes of the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever. The upper electrode material 805 and the piezoelectric material 804 are dry etched using one mask, and the lower electrode material 803 is dry etched using a separate lower electrode mask.

다음으로, 도 8e를 참조하면, 기판(801)의 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막(802) 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성한다. 금, 백금, 알루미늄 중 어느 하나의 물질을 리프트-오프 방식으로 금속 박막 증착한다.Next, referring to FIG. 8E, a metal thin film for increasing the reflectance of the driving reflector is formed on the silicon nitride film 802 formed on the first surface of the substrate 801. The material of any one of gold, platinum, and aluminum is deposited by a lift-off method.

그리고 도 8f를 참조하면, 기판(801)의 소정 중심 영역에 4 개의 사각 형상의 구동 반사경이 십자 형상의 소정 간격을 두고 형성될 수 있도록 제2면을 건식 식각한다. 이때, 상기 십자 형상의 소정 간격은 식각하지 않고 그대로 둘 수 있다.Referring to FIG. 8F, the second surface is dry-etched so that four rectangular driving reflecting mirrors may be formed at predetermined intervals in a cross shape in a predetermined center region of the substrate 801. In this case, the predetermined interval of the cross shape may be left as it is without etching.

다음으로, 도 8g를 참조하면, 기판(801)의 제1면 상에 홀더를 형성한다. 홀더는 고종횡비를 만들 수 있는 Su-8 물질 또는 CAR44 물질을 이용한다.Next, referring to FIG. 8G, a holder is formed on the first surface of the substrate 801. The holder uses Su-8 material or CAR44 material, which can produce a high aspect ratio.

다음으로, 도 8h를 참조하면, 상기 건식 식각된 제2면에서 식각하여 캐비티(808)를 형성한다. 이때, 식각은 건식 식각 방식을 이용하며, DRIE 방식이 이용될 수 있다.Next, referring to FIG. 8H, a cavity 808 is formed by etching the dry etched second surface. In this case, the etching may use a dry etching method and the DRIE method may be used.

다음으로, 도 8i를 참조하면, 상기 구동 반사경(320), 상기 구동 압전 캔틸레버(330) 및 고정 압전 캔틸레버(340)를 릴리스시킨다.Next, referring to FIG. 8I, the driving reflector 320, the driving piezoelectric cantilever 330, and the fixed piezoelectric cantilever 340 are released.

도9a 내지 도 9i는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코너 큐브형 역반사 기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법에 대한 공정도이다.9A-9I are a process diagram for a method of manufacturing a drive reflector structure of a corner cube type retroreflector according to another embodiment of the present invention.

도 9a를 참조하면, 기판(901)의 제1면 상에 SOI 층을 형성한다. SOI 층은 실리콘 옥사이드 막(902) 상에 실리콘 막(901)을 형성하도록 한다. 이때, 상부의 실리콘 막(901)은 구동 반사경(220), 구동 압전 캔틸레버(230), 고정 압전 캔틸레버(240) 및 힌지(231, 241, 242)를 형성하기 위해 두께를 얇게 형성한다. 이를 위해 화학 기계적 연마 공정이 이용될 수 있다.Referring to FIG. 9A, an SOI layer is formed on the first surface of the substrate 901. The SOI layer allows for the formation of a silicon film 901 on the silicon oxide film 902. In this case, the upper silicon film 901 has a thin thickness to form the driving reflector 220, the driving piezoelectric cantilever 230, the fixed piezoelectric cantilever 240, and the hinges 231, 241, and 242. A chemical mechanical polishing process can be used for this.

다음으로, 도 9b를 참조하면, SOI 층 상에 하부 전극 물질(903), 압전 물질(904) 및 상부 전극 물질(905)을 순서대로 형성한다. 여기에서, 하부 전극 물질(903)과 상부 전극 물질(905)은 스퍼터링 방식으로 증착되는데, 티타늄/백금, 백금과 같은 금속 물질이 이용될 수 있다. 한편, 압전 물질(904)은 졸-겔 방식으로 납-지르코늄-티타늄 복합 산화물 박막이 증착되어 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 9B, the lower electrode material 903, the piezoelectric material 904, and the upper electrode material 905 are sequentially formed on the SOI layer. Here, the lower electrode material 903 and the upper electrode material 905 are deposited by sputtering, and metal materials such as titanium / platinum and platinum may be used. The piezoelectric material 904 may be formed by depositing a lead-zirconium-titanium composite oxide thin film in a sol-gel manner.

다음으로, 도 9c를 참조하면, 하부 전극 물질(903), 압전 물질(904) 및 상부 전극 물질(905)을 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 형성한다. 이때, 상부 전극 물질(905), 압전 물질(904), 하부 전극 물질(903)을 순서대로 건식 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버의 형상을 형성한다. 상부 전극 물질(905)와 압전 물질(904)를 하나의 마스크를 이용하여 건식 식각하고, 하부 전극 물질(903)은 별도의 하부 전극용 마스크를 이용하여 건식 식각을 한다.Next, referring to FIG. 9C, the lower electrode material 903, the piezoelectric material 904, and the upper electrode material 905 are etched to form a driving piezoelectric cantilever and a fixed piezoelectric cantilever. In this case, the upper electrode material 905, the piezoelectric material 904, and the lower electrode material 903 are sequentially dry-etched to form shapes of the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever. The upper electrode material 905 and the piezoelectric material 904 are dry etched using one mask, and the lower electrode material 903 is dry etched using a separate lower electrode mask.

다음으로, 도 9e를 참조하면, 제1면 상에 형성된 SOI 층 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성한다. 금, 백금, 알루미늄 중 어느 하나의 물질을 리프트-오프 방식으로 금속 박막 증착한다.Next, referring to FIG. 9E, a metal thin film for increasing the reflectance of the driving reflector is formed on the SOI layer formed on the first surface. The material of any one of gold, platinum, and aluminum is deposited by a lift-off method.

그리고 도 9f를 참조하면, 기판(901)의 소정 중심 영역에 4 개의 사각 형상의 구동 반사경(220)이 십자 형상의 소정 간격을 두고 형성될 수 있도록 제2면을 건식 식각한다.Referring to FIG. 9F, the second surface is dry-etched so that four rectangular drive reflecting mirrors 220 may be formed at predetermined intervals in a cross shape at a predetermined center region of the substrate 901.

다음으로, 도 9g를 참조하면, SOI 층 상에 홀더를 형성한다. 홀더는 고종횡비를 만들 수 있는 Su-8 물질 또는 CAR44 물질을 이용한다.Next, referring to FIG. 9G, a holder is formed on the SOI layer. The holder uses Su-8 material or CAR44 material, which can produce a high aspect ratio.

다음으로, 도 9h를 참조하면, 상기 건식 식각된 제2면에서 식각하여 캐비티(908)를 형성한다. 이때, 식각은 습식 식각 방식을 이용하며, KOH 방식 또는 TMAH 방식이 이용될 수 있다.Next, referring to FIG. 9H, a cavity 908 is formed by etching from the dry-etched second surface. In this case, the etching may use a wet etching method, and a KOH method or a TMAH method may be used.

다음으로, 도 9i를 참조하면, 상기 구동 반사경(220), 상기 구동 압전 캔틸레버(230) 및 고정 압전 캔틸레버(240)를 릴리스시킨다.Next, referring to FIG. 9I, the driving reflector 220, the driving piezoelectric cantilever 230, and the fixed piezoelectric cantilever 240 are released.

도 10a 내지 도 10i는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법에 대한 공정도이다.10A to 10I are flowcharts illustrating a method of manufacturing a driving reflector structure of a corner cube type retro reflector according to another embodiment of the present invention.

도 10a를 참조하면, 기판(1001)의 제1면 상에 SOI 층을 형성한다. SOI 층은 실리콘 옥사이드 막(1002) 상에 실리콘 막(1001)을 형성하도록 한다. 이때, 상부의 실리콘 막(1001)은 구동 반사경(220), 구동 압전 캔틸레버(230), 고정 압전 캔틸레버(240) 및 힌지(231, 241, 242)를 형성하기 위해 두께를 얇게 형성한다. 이를 위해 화학 기계적 연마 공정이 이용될 수 있다.Referring to FIG. 10A, an SOI layer is formed on the first surface of the substrate 1001. The SOI layer allows to form the silicon film 1001 on the silicon oxide film 1002. In this case, the upper silicon film 1001 has a thin thickness to form the driving reflector 220, the driving piezoelectric cantilever 230, the fixed piezoelectric cantilever 240, and the hinges 231, 241, and 242. A chemical mechanical polishing process can be used for this.

다음으로, 도 10b를 참조하면, SOI 층 상에 하부 전극 물질(1003), 압전 물질(1004) 및 상부 전극 물질(1005)을 순서대로 형성한다. 여기에서, 하부 전극 물질(1003)과 상부 전극 물질(1005)은 스퍼터링 방식으로 증착되는데, 티타늄/백금, 백금과 같은 금속 물질이 이용될 수 있다. 한편, 압전 물질(1004)은 졸-겔 방식으로 납-지르코늄-티타늄 복합 산화물 박막이 증착되어 형성될 수 있다.Next, referring to FIG. 10B, the lower electrode material 1003, the piezoelectric material 1004, and the upper electrode material 1005 are sequentially formed on the SOI layer. Here, the lower electrode material 1003 and the upper electrode material 1005 are deposited by sputtering, and metal materials such as titanium / platinum and platinum may be used. The piezoelectric material 1004 may be formed by depositing a lead-zirconium-titanium composite oxide thin film in a sol-gel manner.

다음으로, 도 10c를 참조하면, 하부 전극 물질(1003), 압전 물질(1004) 및 상부 전극 물질(1005)을 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 형성한다. 이때, 상부 전극 물질(1005), 압전 물질(1004), 하부 전극 물질(1003)을 순서대로 건식 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버의 형상을 형성한다. 상부 전극 물질(1005)와 압전 물질(1004)를 하나의 마스크를 이용하여 건식 식각하고, 하부 전극 물질(1003)은 별도의 하부 전극용 마스크를 이용하여 건식 식각을 한다.Next, referring to FIG. 10C, the lower electrode material 1003, the piezoelectric material 1004, and the upper electrode material 1005 are etched to form a driving piezoelectric cantilever and a fixed piezoelectric cantilever. In this case, the upper electrode material 1005, the piezoelectric material 1004, and the lower electrode material 1003 are sequentially dry-etched to form shapes of the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever. The upper electrode material 1005 and the piezoelectric material 1004 are dry etched using one mask, and the lower electrode material 1003 is dry etched using a separate lower electrode mask.

다음으로, 도 10e를 참조하면, 제1면 상에 형성된 SOI 층 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성한다. 금, 백금, 알루미늄 중 어느 하나의 물질을 리프트-오프 방식으로 금속 박막 증착한다.Next, referring to FIG. 10E, a metal thin film for increasing the reflectance of the driving reflector is formed on the SOI layer formed on the first surface. The material of any one of gold, platinum, and aluminum is deposited by a lift-off method.

그리고 도 10f를 참조하면, 기판(1001)의 소정 중심 영역에 4 개의 사각 형상의 구동 반사경(220)이 십자 형상의 소정 간격을 두고 형성될 수 있도록 제2면을 건식 식각한다. 이때, 상기 십자 형상의 소정 간격은 식각하지 않고 그대로 둘 수 있다.Referring to FIG. 10F, the second surface is dry-etched so that four rectangular drive reflecting mirrors 220 may be formed at predetermined intervals in a cross shape at a predetermined center region of the substrate 1001. In this case, the predetermined interval of the cross shape may be left as it is without etching.

다음으로, 도 10g를 참조하면, SOI 층 상에 홀더를 형성한다. 홀더는 고종횡비를 만들 수 있는 Su-8 물질 또는 CAR44 물질을 이용한다.Next, referring to FIG. 10G, a holder is formed on the SOI layer. The holder uses Su-8 material or CAR44 material, which can produce a high aspect ratio.

다음으로, 도 10h를 참조하면, 상기 건식 식각된 제2면에서 식각하여 캐비티(1008)를 형성한다. 이때, 식각은 건식 식각 방식을 이용하며, DRIE 방식이 이 용될 수 있다.Next, referring to FIG. 10H, a cavity 1008 is formed by etching from the dry etched second surface. In this case, the etching may use a dry etching method and the DRIE method may be used.

다음으로, 도 10i를 참조하면, 상기 구동 반사경(220), 상기 구동 압전 캔틸레버(230) 및 고정 압전 캔틸레버(240)를 릴리스시킨다.Next, referring to FIG. 10I, the driving reflector 220, the driving piezoelectric cantilever 230, and the fixed piezoelectric cantilever 240 are released.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described with reference to the embodiments above, those skilled in the art will understand that the present invention can be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. Could be.

도 1은 종래 기술에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체에 대한 사시도이다.1 is a perspective view of a driving reflector structure of a corner cube retroreflector according to the prior art.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 코너 큐브형 역반사기의 사시도이다.2 is a perspective view of a corner cube type retro reflector according to an embodiment of the present invention.

도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 반사경 구조체에 대한 사시도이다.3A is a perspective view of a drive reflector structure in accordance with one embodiment of the present invention.

도 3b는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 구동 반사경 구조체에 대한 사시도이다.3B is a perspective view of a drive reflector structure according to another embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정 반사경의 사시도이다.4 is a perspective view of a fixed reflector according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 반사경의 평면도이다.5 is a plan view of a driving reflector according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 구동 반사경의 측단면도이다.6 is a side cross-sectional view of a driving reflector according to an embodiment of the present invention.

도 7a 내지 도 7i는 본 발명의 일 실시예에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법에 대한 공정도이다.7A to 7I are flowcharts illustrating a method of manufacturing a driving reflector structure of a corner cube retroreflector according to an embodiment of the present invention.

도 8a 내지 도 8i는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법에 대한 공정도이다.8A to 8I are flowcharts illustrating a method of manufacturing a driving reflector structure of a corner cube retro reflector according to another exemplary embodiment of the present invention.

도9a 내지 도 9i는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법에 대한 공정도이다.9A to 9I are flowcharts illustrating a method of manufacturing a drive reflector structure of a corner cube retroreflector according to another embodiment of the present invention.

도 10a 내지 도 10i는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법에 대한 공정도이다.10A to 10I are flowcharts illustrating a method of manufacturing a driving reflector structure of a corner cube type retro reflector according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110: 기판 120: 구동 반사경110: substrate 120: driving reflector

130: 구동 압전 캔틸레버 210: 기판130: driving piezoelectric cantilever 210: substrate

220: 구동 반사경 230: 구동 압전 캔틸레버220: driving reflector 230: driving piezoelectric cantilever

231: 힌지 240: 고정 압전 캔틸레버231 hinge 240: fixed piezoelectric cantilever

241: 힌지 310: 기판241 hinge 310: substrate

320: 구동 반사경 330: 구동 압전 캔틸레버320: driving reflector 330: driving piezoelectric cantilever

340: 고정 압전 캔틸레버 410: 고정 반사경340: fixed piezoelectric cantilever 410: fixed reflector

420: 돌출부420: protrusion

Claims (22)

중심 영역에 사각 형상의 캐비티 영역이 형성된 기판;A substrate having a rectangular cavity area formed in a central area thereof; 상기 캐비티 영역에 십(十)자 형상의 소정 간격을 두고 위치하는 4개의 사각 형상의 구동 반사경;Four rectangular drive reflecting mirrors positioned at predetermined intervals in a cross shape in the cavity area; 상기 캐비티 영역의 각 모서리와 상기 각 모서리에 인접한 각 구동 반사경의 제1모서리를 연결하기 위한 구동 압전 캔틸레버;A driving piezoelectric cantilever for connecting each corner of the cavity region and a first edge of each driving reflector adjacent to each corner; 상기 구동 반사경의 서로 대향하는 제2모서리 및 제3모서리와 상기 기판의 인접 부위를 각각 연결하기 위한 고정 압전 캔틸레버;A fixed piezoelectric cantilever for connecting the second and third edges of the driving reflector to each other and adjacent portions of the substrate, respectively; 상기 십자 형상의 소정 간격 상에 상기 기판의 일면에 수직한 방향으로 형성되며 소정의 돌출부를 구비하는 고정 반사경 및A fixed reflector formed in a direction perpendicular to one surface of the substrate on a predetermined interval of the cross shape and having a predetermined protrusion; 상기 돌출부와 결합하여 상기 고정 반사경을 상기 기판에 고정시키도록 상기 기판 상에 형성되는 홀더를 포함하는 코너 큐브형 역반사기.And a holder formed on the substrate in combination with the protrusion to fix the fixed reflector to the substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구동 압전 캔틸레버는 상기 구동 반사경의 제1모서리에 제1힌지를 통해 연결되고, The driving piezoelectric cantilever is connected to the first edge of the driving reflector through a first hinge, 상기 고정 압전 캔틸레버는 상기 구동 반사경의 제2모서리 및 제3모서리에 제2힌지 및 제3힌지를 통해 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기.And the fixed piezoelectric cantilever is connected to the second and third edges of the driving reflector through a second hinge and a third hinge, respectively. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1힌지, 제2힌지 및 제3힌지는 미앤더(meander) 타입 힌지 또는 스트레이트(straight) 타입 힌지인 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기.And said first hinge, second hinge and third hinge are meander type hinges or straight type hinges. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 구동 압전 캔틸레버는 각각 개별적으로 구동되는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기.And the driving piezoelectric cantilever is driven individually, respectively. 기판의 제1면 및 제2면 상에 실리콘 질화물 막을 형성하는 단계;Forming a silicon nitride film on the first and second surfaces of the substrate; 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계;Sequentially forming a lower electrode material, a piezoelectric material, and an upper electrode material on the silicon nitride film formed on the first surface; 상기 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 형성하는 단계;Etching the lower electrode material, the piezoelectric material and the upper electrode material to form a driving piezoelectric cantilever and a fixed piezoelectric cantilever; 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계;Forming a metal thin film on the silicon nitride film formed on the first surface to increase the reflectance of the driving reflector; 상기 기판의 소정 중심 영역에 4 개의 사각 형상의 구동 반사경이 십자 형상의 소정 간격을 두고 형성될 수 있도록 상기 제2면을 건식 식각하는 단계;Dry etching the second surface such that four quadrangular driving reflecting mirrors are formed at predetermined intervals in a cross shape in a predetermined center region of the substrate; 상기 기판의 제1면 상에 홀더를 형성하는 단계;Forming a holder on the first surface of the substrate; 상기 건식 식각된 중심 영역의 제2면에서 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계를 포함하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.And etching the second surface of the dry etched central region to form a cavity to release the drive reflector, the drive piezoelectric cantilever, and the fixed piezoelectric cantilever. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는,Etching the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever, 상기 중심 영역을 습식 식각 또는 건식 식각하여 캐비티를 형성하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.And wet-etching or dry-etching the central region to form a cavity. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는,Etching the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever, 상기 중심 영역을 습식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, KOH 방식 또는 TMAH 방식을 이용하여 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.In the case of forming a cavity by wet etching the central region, wet etching is performed using the KOH method or the TMAH method. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는,Etching the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever, 상기 중심 영역을 건식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, DRIE 방식을 이용 하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.In the case of forming a cavity by dry etching the central region, dry etching using a DRIE method, the method of manufacturing a drive reflector structure of a corner cube retro-reflector. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 기판의 제1면 및 제2면 상에 실리콘 질화물 막을 형성하는 단계는,Forming a silicon nitride film on the first and second surfaces of the substrate, 저압 화학 기상 증착법에 의해 저응력 질화물 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.A low stress nitride film is formed by a low pressure chemical vapor deposition method. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 하부 전극 물질, 압전 물질, 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는,In the step of forming a lower electrode material, a piezoelectric material, an upper electrode material on the silicon nitride film formed on the first surface in order, 티타늄/백금 또는 백금을 스퍼터링하여 하부 전극 물질 또는 상부 전극 물질을 형성하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.30. A method of manufacturing a drive reflector structure of a corner cube retroreflector characterized by sputtering titanium / platinum or platinum to form a lower electrode material or an upper electrode material. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 하부 전극 물질, 압전 물질, 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는,In the step of forming a lower electrode material, a piezoelectric material, an upper electrode material on the silicon nitride film formed on the first surface in order, 납-지르코늄-티타늄 복합 산화물 박막을 졸-겔 방식으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.A method of manufacturing a driving reflector structure for a corner cube retroreflector, characterized by depositing a lead-zirconium-titanium composite oxide thin film by a sol-gel method. 제11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 제1면 상에 형성된 실리콘 질화물 막 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계는,Forming a metal thin film for increasing the reflectance of the driving reflector on the silicon nitride film formed on the first surface, 금, 백금, 알루미늄 중 어느 하나를 리프트-오프 방식으로 증착하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.A method of manufacturing a driving reflector structure of a corner cube type retroreflector, comprising depositing any one of gold, platinum, and aluminum in a lift-off manner. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 기판의 제1면 상에 홀더를 형성하는 단계는,Forming a holder on the first surface of the substrate, Su-8 물질 또는 CAR44 물질을 이용하여 홀더를 형성하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.A method of manufacturing a drive reflector structure for a corner cube retroreflector, characterized by forming a holder using Su-8 material or CAR44 material. 기판의 제1면 상에 SOI 층을 형성하는 단계;Forming an SOI layer on the first side of the substrate; 상기 형성된 SOI 층 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계;Sequentially forming a lower electrode material, a piezoelectric material, and an upper electrode material on the formed SOI layer; 상기 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 식각하여 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 형성하는 단계;Etching the lower electrode material, the piezoelectric material and the upper electrode material to form a driving piezoelectric cantilever and a fixed piezoelectric cantilever; 상기 제1면 상에 형성된 SOI 층 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계;Forming a metal thin film on the SOI layer formed on the first surface to increase the reflectance of the driving reflector; 상기 기판의 소정 중심 영역에 4 개의 사각 형상의 구동 반사경이 십자 형상의 소정 간격을 두고 형성될 수 있도록 상기 기판의 제2면을 건식 식각하는 단계;Dry etching the second surface of the substrate such that four rectangular drive reflecting mirrors are formed at predetermined intervals in a cross shape in a predetermined center region of the substrate; 상기 SOI 층 상에 홀더를 형성하는 단계;Forming a holder on the SOI layer; 상기 건식 식각된 중심 영역의 제2면에서 식각하여 캐비티를 형성하는 단계 및Etching on the second surface of the dry etched central region to form a cavity; and 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버와 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계를 포함하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.And releasing said drive reflector, said drive piezoelectric cantilever and said fixed piezoelectric cantilever. 제14항에 있어서,The method of claim 14, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는,Etching the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever, 상기 중심 영역을 습식 식각 또는 건식 식각하여 캐비티를 형성하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.And wet-etching or dry-etching the central region to form a cavity. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는,Etching the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever, 상기 중심 영역을 습식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, KOH 방식 또는 TMAH 방식을 이용하여 습식 식각하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.In the case of forming a cavity by wet etching the central region, wet etching is performed using the KOH method or the TMAH method. 제16항에 있어서,The method of claim 16, 상기 건식 식각된 중심 영역을 식각하여 캐비티를 형성하여 상기 구동 반사경, 상기 구동 압전 캔틸레버 및 고정 압전 캔틸레버를 릴리스시키는 단계는,Etching the dry-etched central region to form a cavity to release the driving reflector, the driving piezoelectric cantilever and the fixed piezoelectric cantilever, 상기 중심 영역을 건식 식각하여 캐비티를 형성하는 경우, DRIE 방식을 이용하여 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.In the case of forming a cavity by dry etching the central region, dry etching is performed using a DRIE method. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 기판의 제1면 상에 SOI 층을 형성하는 단계는,Forming an SOI layer on the first side of the substrate, 화학 기계적 연마 공정으로 SOI 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.A method for producing a drive reflector structure for a corner cube retroreflector, characterized by forming a SOI layer by a chemical mechanical polishing process. 제18항에 있어서,The method of claim 18, 상기 형성된 SOI 층 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는,Forming a lower electrode material, a piezoelectric material and an upper electrode material in order on the formed SOI layer, 티타늄/백금 또는 백금을 스퍼터링하여 하부 전극 물질 또는 상부 전극 물질을 형성하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.30. A method of manufacturing a drive reflector structure of a corner cube retroreflector characterized by sputtering titanium / platinum or platinum to form a lower electrode material or an upper electrode material. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 형성된 SOI 층 상에 하부 전극 물질, 압전 물질 및 상부 전극 물질을 순서대로 형성하는 단계는,Forming a lower electrode material, a piezoelectric material and an upper electrode material in order on the formed SOI layer, 납-지르코늄-티타늄 복합 산화물 박막을 졸-겔 방식으로 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.A method of manufacturing a driving reflector structure for a corner cube retroreflector, characterized by depositing a lead-zirconium-titanium composite oxide thin film by a sol-gel method. 제20항에 있어서,21. The method of claim 20, 상기 제1면 상에 형성된 SOI 층 상에 구동 반사경의 반사율을 증가시키기 위한 금속 박막을 형성하는 단계는,Forming a metal thin film to increase the reflectance of the driving reflector on the SOI layer formed on the first surface, 금, 백금, 알루미늄 중 어느 하나를 리프트-오프 방식으로 증착하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.A method of manufacturing a driving reflector structure of a corner cube type retroreflector, comprising depositing any one of gold, platinum, and aluminum in a lift-off manner. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 SOI 층 상에 홀더를 형성하는 단계는,Forming a holder on the SOI layer, Su-8 물질 또는 CAR44 물질을 이용하여 홀더를 형성하는 것을 특징으로 하는 코너 큐브형 역반사기의 구동 반사경 구조체의 제조 방법.A method of manufacturing a drive reflector structure for a corner cube retroreflector, characterized by forming a holder using Su-8 material or CAR44 material.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104216111B (en) * 2014-10-11 2016-08-17 中北大学 Micro-corner cube reflector array structure of a kind of adjustable angle and manufacture method thereof

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010041970A (en) * 1998-03-17 2001-05-25 베씨 케이. 프레넬 Modulatable reflectors and methods for using same
KR20030083929A (en) * 2002-04-23 2003-11-01 전자부품연구원 Fine optical switch using micro piezoelectric actuator

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010041970A (en) * 1998-03-17 2001-05-25 베씨 케이. 프레넬 Modulatable reflectors and methods for using same
KR20030083929A (en) * 2002-04-23 2003-11-01 전자부품연구원 Fine optical switch using micro piezoelectric actuator

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230075212A (en) 2021-11-22 2023-05-31 광운대학교 산학협력단 Metasurface doublet-based flat retroreflector enabling free-space optical link method

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