KR101009340B1 - Method for fabricating nanoparticle layer and Method for preparing nano imprinting stamp using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 나노입자 박막 제조방법 및 이를 이용하는 나노 임프린트용 스탬프 제작방법에 관한 것으로서, 본 발명의 나노입자 박막 제조방법은, 나노입자와 폴리머 매트릭스가 혼합된 나노입자 혼합레진을 기판 상에 적층하는 혼합레진 적층단계; 상기 나노입자 혼합레진에서 용매를 제거하는 용매 제거단계; 및 무패턴 평판으로 상기 나노입자 혼합레진을 가압 및 경화시킴으로써, 이웃하는 나노입자들이 상기 폴리머 매트릭스 내에서 이격되게 배열되는 나노입자 박막을 성형하는 가압경화단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method for manufacturing a nanoparticle thin film and a method for manufacturing a stamp for nanoimprint using the same, the method for manufacturing a nanoparticle thin film of the present invention is a mixture in which a nanoparticle mixed resin in which nanoparticles and a polymer matrix are mixed is laminated on a substrate. Resin lamination step; A solvent removing step of removing the solvent from the nanoparticle mixed resin; And pressing and curing the nanoparticle mixed resin with a patternless flat plate, thereby forming a thin film of nanoparticles in which neighboring nanoparticles are arranged to be spaced apart from each other in the polymer matrix.

Description

나노입자 박막 제조방법 및 이를 이용하는 나노 임프린트용 스탬프 제작방법{Method for fabricating nanoparticle layer and Method for preparing nano imprinting stamp using the same}Method for fabricating nanoparticle layer and Method for preparing nano imprinting stamp using the same}

본 발명은 나노입자 박막 제조방법 및 이를 이용하는 나노 임프린트용 스탬프 제작방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 나노입자가 혼합된 레진을 기판 상에 도포하여 기판 상에 나노입자 박막을 성형하는 나노입자 박막 제조방법 및 이를 이용하는 나노 임프린트용 스탬프 제작방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a nanoparticle thin film and a method for manufacturing a stamp for a nano imprint using the same, and more particularly, to manufacture a nanoparticle thin film on a substrate by coating a resin mixed with nanoparticles on a substrate. It relates to a method and a method for producing a stamp for nano imprint using the same.

나노기술(NT; Nano Technology)은 정보기술(IT; Information Technology) 및 생명공학기술(BT; Bio Technology)과 더불어 21세기 산업 발전을 주도할 새로운 패러다임의 기술로서 주목받고 있다. 이러한 나노기술은 물리학, 화학, 생물학, 전자공학 및 재료공학 등 여러 과학기술 분야와 융합되어, 기존 기술의 한계를 극복하고서 인류의 삶의 질을 획기적으로 향상시킬 것으로 기대되고 있다.Nano Technology (NT), together with Information Technology (IT) and Biotechnology (BT), is attracting attention as a new paradigm that will lead industrial development in the 21st century. Such nanotechnology is expected to converge with various scientific and technological fields such as physics, chemistry, biology, electronics, and materials engineering, and to dramatically improve the quality of life of human beings by overcoming the limitations of existing technologies.

나노기술은 접근 방법에 따라 크게 탑다운(Top-down) 접근 방식과, 바텀업(Bottom-up) 접근 방식으로 나누어진다. 탑다운 접근 방식은 지난 수십 년 동안 발전되어 온 반도체 집적 소자의 역사에서 볼 수 있듯이 기존의 미세구조 제작 기 술을 나노미터 스케일까지 더욱 발전시켜 정보 저장 용량 및 정보 처리 속도의 증대를 지속하고자 하는 기술이다. 이에 반해, 바텀업 접근 방식은 물질을 원자 혹은 분자 단위 수준에서 제어하거나 자발적인 나노 구조 현상을 이용하여 기존의 기술로는 불가능한 새로운 물리적, 화학적 성질을 유도하고 이를 이용하여 새로운 소재 및 소자를 제작하도록 하는 기술이다.Nanotechnology is largely divided into a top-down approach and a bottom-up approach according to the approach. The top-down approach is a technology that seeks to further advance existing microstructure fabrication techniques down to the nanometer scale, as seen in the history of semiconductor integrated devices that have evolved over the last few decades, to continue increasing information storage capacity and information processing speed. to be. In contrast, the bottom-up approach allows materials to be controlled at the atomic or molecular level, or by using spontaneous nanostructural phenomena to induce new physical and chemical properties that would not be possible with conventional technologies and to create new materials and devices. Technology.

탑다운 접근 방식의 대표적인 예로는 기존의 반도체 소자 제조 공정에 사용되고 있는 광학 리소그래피(Optical Lithography) 기술이 있다. 정보 기술 혁명으로 일컬어지는 20세기의 기술 발전은 반도체 소자의 소형화 및 집적화에 크게 의존해 왔으며, 이러한 반도체 소자 제조 공정의 핵심 기술이 바로 광학 리소그래피 기술이다. 하지만, 광학 리소그래피 기술은 빛의 회절 및 굴절에 의한 특성으로 레이저의 선폭 한계로 100nm 이하의 피치 제작이 어렵다는 단점이 있어서, 최근 나노 임프린트(Nano Imprint) 기술을 이용한 공정 개발이 시도되고 있다.A representative example of the top-down approach is the optical lithography technology used in the conventional semiconductor device manufacturing process. Technological advances of the 20th century, called the information technology revolution, have relied heavily on miniaturization and integration of semiconductor devices, and the key technology of the semiconductor device manufacturing process is optical lithography. However, optical lithography has a disadvantage in that it is difficult to produce a pitch of 100 nm or less due to the line width limit of the laser due to the characteristics of diffraction and refraction of light. Recently, a process development using nano imprint technology has been attempted.

나노 임프린트 기술은 1990년 중반 미국 프린스턴 대학교의 스테판 츄 교수에 의해 도입된 나노 소자 제작 방법으로서, 전자 빔 리소그래피의 낮은 생산성과 고가의 광학 리소그래피 장비의 단점을 보완할 수 있는 기술로 주목받고 있다. 즉, 나노 임프린트 기술은 나노 스케일의 패턴을 갖는 스탬프를 제작하고, 이런 스탬프를 고분자 박막에 각인하여 나노 스케일의 패턴을 전사(轉寫)한다.Nanoimprint technology is a nanodevice fabrication method introduced by Professor Stephen Chu of Princeton University in the mid-1990s, and is attracting attention as a technology that can compensate for the low productivity of electron beam lithography and the disadvantage of expensive optical lithography equipment. That is, the nanoimprint technology produces a stamp having a nanoscale pattern, and imprints such a stamp on the polymer thin film to transfer the nanoscale pattern.

도 1은 종래의 나노 임프린트용 스탬프의 제조방법을 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 나노 임프린트용 스탬프를 이용한 종래의 나노 임프린트 리소그래피 공정을 도시한 도면이다.1 is a diagram illustrating a conventional method for manufacturing a stamp for nano imprint, and FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional nano imprint lithography process using the nano imprint stamp of FIG. 1.

도 1을 참조하면, 종래의 나노 임프린트용 스탬프의 제조방법 중 나노콜로이드를 이용하는 방법은, 우선, 스핀코팅 등의 도포 공정을 통해 나노입자(11)를 기판(12) 상에 적층하는데, 나노입자(11)가 서로 접촉되어 있는 나노입자 단일막(13)을 형성한다(도 1(a)). 이후, 나노입자 단일막(13)을 식각하여 이웃하는 나노입자(11)가 서로 이격되게 배열되는 분리박막(14)을 형성하여 기판(12)을 노출시킨다(도 1(b)). 이후, 기판(12)을 식각하여 나노기둥(21) 및 나노홀(22)이 교대로 배치되는 나노패턴(23)을 성형하며(도 1(c)), 나노기둥(21) 상에 잔존하는 나노입자(11)를 제거함으로써, 나노 임프린트용 스탬프(30)를 제조할 수 있다(도 1(d)).Referring to FIG. 1, in the conventional method of manufacturing a nanoimprint stamp, a nanocolloid is first deposited on the substrate 12 by depositing nanoparticles 11 through a coating process such as spin coating. (11) forms the nanoparticle single film 13 in contact with each other (Fig. 1 (a)). Subsequently, the nanoparticle single layer 13 is etched to form a separation thin film 14 in which neighboring nanoparticles 11 are arranged to be spaced apart from each other to expose the substrate 12 (FIG. 1B). Subsequently, the substrate 12 is etched to form the nanopattern 23 in which the nanopillars 21 and the nano holes 22 are alternately arranged (FIG. 1C), and remain on the nanopillars 21. By removing the nanoparticles 11, the stamp 30 for nanoimprint can be manufactured (FIG. 1 (d)).

도 2를 참조하면, 종래의 나노 임프린트 리소그래피 공정은, 우선 나노 임프린트용 스탬프(30)와, 상면에 레진(42)이 도포된 임프린트 기판(41)을 마련한다(도 2(a)). 이후, 나노 임프린트용 스탬프(30)의 나노패턴(23)과 레진(42)이 마주보도록 배치한 후, 나노 임프린트용 스탬프(30)를 레진(42)에 각인한다(도 2(b)). 이후, 나노 임프린트용 스탬프(30)를 분리하면 나노 임프린트용 스탬프(30)의 나노패턴(23)은 레진(42) 상에 전사되어 레진(42)의 상면에는 나노패턴(43)이 형성된다.Referring to FIG. 2, in the conventional nanoimprint lithography process, first, a nanoimprint stamp 30 and an imprint substrate 41 coated with a resin 42 on an upper surface thereof are provided (FIG. 2A). Thereafter, the nano pattern 23 and the resin 42 of the nano imprint stamp 30 are disposed to face each other, and the nano imprint stamp 30 is then stamped on the resin 42 (FIG. 2B). Thereafter, when the nanoimprint stamp 30 is separated, the nanopattern 23 of the nanoimprint stamp 30 is transferred onto the resin 42, so that the nanopattern 43 is formed on the top surface of the resin 42.

그러나, 종래기술에서는 나노입자 간 작용력으로 인해 이웃하는 나노입자가 연속적으로 접촉되어 있는 나노입자 박막이 형성되는데, 이는 추후 기판 식각을 위해 1차적으로 이웃하는 나노입자가 서로 이격되게 배열되도록 식각하여 기판을 노출시키고, 2차적으로 노출된 기판 영역을 식각하는 다소 복잡한 식각 공정이 필요한 문제점이 있다.However, in the prior art, a nanoparticle thin film is formed in which neighboring nanoparticles are continuously contacted due to the inter-particle interaction force, which is etched so that the neighboring nanoparticles are firstly arranged to be spaced apart from each other for later substrate etching. There is a problem that a rather complicated etching process is required to expose the and expose the second exposed substrate region.

본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기판 상에 나노입자가 분산된 박막의 성형 시, 박막을 가압하여 이웃하는 나노입자들이 레진 내에서 이격되게 배열되도록 함으로써, 복잡한 다단계의 식각 공정을 수행하지 않고 제조공정을 단순화시킬 수 있는 나노입자 박막 제조방법 및 이를 이용하는 나노 임프린트용 스탬프 제작방법을 제공함에 있다.An object of the present invention is to solve such a conventional problem, when forming a thin film dispersed with nanoparticles on a substrate, by pressing the thin film so that neighboring nanoparticles are arranged spaced apart in the resin, a complex multi-step The present invention provides a method for manufacturing a nanoparticle thin film and a method for manufacturing a stamp for nanoimprint using the same, which can simplify the manufacturing process without performing an etching process.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 나노입자 박막 제조방법은, 나노입자와 폴리머 매트릭스가 혼합된 나노입자 혼합레진을 기판 상에 적층하는 혼합레진 적층단계; 상기 나노입자 혼합레진에서 용매를 제거하는 용매 제거단계; 및 무패턴 평판으로 상기 나노입자 혼합레진을 가압 및 경화시킴으로써, 이웃하는 나노입자들이 상기 폴리머 매트릭스 내에서 이격되게 배열되는 나노입자 박막을 성형하는 가압경화단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the nanoparticle thin film manufacturing method of the present invention comprises: a mixed resin laminating step of laminating a nanoparticle mixed resin mixed with nanoparticles and a polymer matrix on a substrate; A solvent removing step of removing the solvent from the nanoparticle mixed resin; And pressing and curing the nanoparticle mixed resin with a patternless flat plate, thereby forming a thin film of nanoparticles in which neighboring nanoparticles are arranged to be spaced apart from each other in the polymer matrix.

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본 발명에 따른 나노입자 박막 제조방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 나노입자는 실리카 또는 금속성 입자이며, 상기 폴리머 매트릭스는 자외선이 조사되면 경화되는 레진이다.In the method for producing a nanoparticle thin film according to the present invention, preferably, the nanoparticles are silica or metallic particles, and the polymer matrix is a resin that is cured when ultraviolet rays are irradiated.

본 발명에 따른 나노입자 박막 제조방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 무패턴 평판은 자외선을 투과시키는 자외선 투과성 평판이며, 상기 가압경화단계는, 상기 자외선 투과성 평판으로 상기 나노입자 혼합레진을 가압하면서 상기 나노입자 혼합레진 측으로 자외선을 조사하여 상기 나노입자 혼합레진을 경화시킨다.In the method for producing a nanoparticle thin film according to the present invention, Preferably, the patternless plate is an ultraviolet permeable plate that transmits ultraviolet rays, and the pressure-curing step, while pressing the nanoparticle mixed resin with the ultraviolet-transparent plate Ultraviolet rays are irradiated to the nanoparticle mixed resin side to cure the nanoparticle mixed resin.

본 발명에 따른 나노입자 박막 제조방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 나노입자 혼합레진에서, 상기 레진에 대한 상기 나노입자의 체적비는 실질적으로 20% 이하이다.In the method for producing a nanoparticle thin film according to the present invention, preferably, in the nanoparticle mixed resin, the volume ratio of the nanoparticles to the resin is substantially 20% or less.

본 발명에 따른 나노입자 박막 제조방법에 있어서, 바람직하게는, 상기 가압경화단계는, 상기 무패턴 평판으로 상기 나노입자 혼합레진을 10 bar 이상의 압력으로 가압한다.In the method for producing a nanoparticle thin film according to the present invention, preferably, the pressure hardening step, pressurize the nanoparticle mixed resin to a pressure of 10 bar or more with the patternless flat plate.

한편, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 나노 임프린트용 스탬프 제작방법은, 제1항에 의해 제조된 나노입자 박막이 형성된 기판을 이용하는 것으로서, 상기 나노입자 박막 내에서 상기 나노입자 사이의 폴리머 매트릭스를 식각하여 상기 기판을 노출시키는 기판 노출단계; 상기 기판을 식각함으로써, 나노기둥 및 나노홀이 교대로 배치되는 나노패턴을 상기 기판 상에 형성하는 나노패턴 형성단계; 상기 나노기둥 상에 잔존하는 폴리머 매트릭스를 제거하는 폴리머 제거단계; 상기 나노패턴이 형성된 기판상에 금속 물질을 적층하여 나노 임프린트용 스탬프를 형성하는 스탬프 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.On the other hand, in order to achieve the above object, the nanoimprint stamp manufacturing method of the present invention, using a substrate formed with a nanoparticle thin film prepared according to claim 1, the polymer between the nanoparticles in the nanoparticle thin film Exposing the substrate by etching a matrix; A nanopattern forming step of forming a nanopattern on which the nanopillar and the nanohole are alternately disposed by etching the substrate; A polymer removal step of removing the polymer matrix remaining on the nanopillars; And a stamp forming step of forming a nano imprint stamp by laminating a metal material on the substrate having the nanopattern formed thereon.

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본 발명의 나노입자 박막 제조방법에 따르면, 기판 상에 나노입자가 분산된 박막을 도포하고 성형할 때, 자외선을 이용한 광경화와 함께 나노입자 박막에 압력을 가하여 나노입자들이 레진 내에서 이격되게 배열되도록 함으로써, 복잡한 다단계의 식각 공정을 수행하지 않고 제조공정을 단순화시킬 수 있다.According to the method for manufacturing a nanoparticle thin film of the present invention, when applying and molding a thin film in which nanoparticles are dispersed on a substrate, the nanoparticles are arranged to be spaced apart in a resin by applying pressure to the nanoparticle thin film together with photocuring using ultraviolet rays. By doing so, it is possible to simplify the manufacturing process without performing a complicated multi-step etching process.

또한 본 발명의 나노입자 박막 제조방법에 따르면, 나노입자 혼합레진을 스핀 코팅에 의해 증착할 때 낮은 회전속도로도 증착할 수 있으므로, 고속회전 시 발생하는 진동, 편심 등의 문제를 방지할 수 있고, 진동 및 편심 등으로 인해 발생할 수 있는 박막의 불균일성 문제를 개선할 수 있다.In addition, according to the nanoparticle thin film manufacturing method of the present invention, when the nanoparticle mixture resin is deposited by spin coating can be deposited at a low rotational speed, it is possible to prevent problems such as vibration, eccentricity, etc. generated during high-speed rotation In addition, the problem of non-uniformity of the thin film, which may occur due to vibration and eccentricity, may be improved.

한편, 본 발명의 나노 임프린트용 스탬프 제작방법에 따르면, 나노입자가 이격되게 배열된 박막을 성형하고 그 나노입자 박막이 형성된 기판을 이용하여 나노 임프린트용 스탬프 제작함으로써, 복잡한 다단계의 식각 공정을 수행하지 않고 제조공정을 단순화시킬 수 있다.Meanwhile, according to the method for manufacturing a nanoimprint stamp of the present invention, by forming a thin film in which nanoparticles are spaced apart and manufacturing a stamp for nanoimprint using a substrate on which the nanoparticle thin film is formed, a complex multi-step etching process is not performed. The manufacturing process can be simplified.

이하, 본 발명에 따른 나노입자 박막 제조방법 및 이를 이용하는 나노 임프린트용 스탬프 제작방법의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the method for manufacturing a nanoparticle thin film according to the present invention and a method for manufacturing a stamp for a nanoimprint using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명의 나노입자 박막 제조방법의 일 실시예를 도시한 도면이다.3 is a view showing an embodiment of a method for manufacturing a nanoparticle thin film of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시예의 나노입자 박막 제조방법은, 혼합단계(S110)와, 혼합레진 적층단계(S120)와, 용매 제거단계(S130)와, 가압경화단계(S140)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the nanoparticle thin film manufacturing method of the present embodiment includes a mixing step (S110), a mixed resin stacking step (S120), a solvent removing step (S130), and a pressure hardening step (S140).

상기 혼합단계(S110)에서는, 나노입자(111)가 분산된 나노입자 용액(110)과 폴리머 매트릭스를 혼합하여 나노입자 혼합레진(130)을 마련한다. 본 실시예에서, 나노입자(111)는 실리카 또는 금속성 입자이며, 폴리머 매트릭스는 자외선이 조사되면 경화되는 자외선 경화성 레진(120)인 것이 바람직하다.In the mixing step (S110), by mixing the nanoparticle solution 110 and the polymer matrix in which the nanoparticles 111 are dispersed to prepare a nanoparticle mixing resin 130. In the present embodiment, the nanoparticles 111 are silica or metallic particles, and the polymer matrix is preferably an ultraviolet curable resin 120 which is cured when ultraviolet rays are irradiated.

나노입자 혼합레진(130)의 합성 시, 나노입자(111)와 자외선 경화성 레진(120)의 화학적 결합이 이루어지는 것이 이상적이겠지만, 이러한 화학적 결합을 가능하게 하는 화학적 특성을 가진 레진(120)의 선택이 어려울 때에는 나노입자(111)의 밀도와 유사한 밀도를 가지는 레진(120)의 선택으로도 일정기간 동안 나노입자 혼합레진(130)은 화학적 안정성을 유지할 수 있다.Ideally, when the nanoparticle mixed resin 130 is synthesized, the chemical bonding of the nanoparticles 111 and the UV curable resin 120 may be made. However, the selection of the resin 120 having the chemical properties to enable such chemical bonding may be performed. In difficult times, even when the resin 120 having a density similar to that of the nanoparticles 111 is selected, the nanoparticle mixed resin 130 may maintain chemical stability for a certain period of time.

이때, 나노입자(111)에 적절한 표면처리를 하여 나노입자(111) 간 서로 분리가 유지될 수 있도록 하며, 레진(120) 내의 나노입자(111)의 체적비는 최종적인 박막 내의 나노입자(111) 구성비율을 고려하여 최소한으로 유지하는 것이 바람직하다. 본 실시예에 있어서, 나노입자 혼합레진(130)에서 나노입자간 간격을 고려하여 레진(120)에 대한 나노입자(111)의 체적비를 실질적으로 20% 이하 정도로 유지한다.At this time, by appropriate surface treatment to the nanoparticles 111 to be separated from each other between the nanoparticles 111, the volume ratio of the nanoparticles 111 in the resin 120 is the nanoparticles 111 in the final thin film It is desirable to keep the composition ratio to a minimum in consideration of the ratio. In the present embodiment, the volume ratio of the nanoparticles 111 to the resin 120 is substantially maintained to about 20% or less in consideration of the inter-nanoparticle spacing in the nanoparticle mixture resin 130.

상기 혼합레진 적층단계(S120)에서는, 나노입자 혼합레진(130)을 기판(140) 상에 적층한다. 나노입자 혼합레진(130)은 기판(140)의 일면에 스핀(spin) 코팅되어, 균일한 코팅 두께로 유지된다.In the mixed resin stacking step (S120), the nanoparticle mixed resin 130 is stacked on the substrate 140. The nanoparticle mixed resin 130 is spin coated on one surface of the substrate 140 to maintain a uniform coating thickness.

상기 용매 제거단계(S130)에서는, 나노입자 혼합레진(130)에서 나노입자 용액(110)의 용매(112)를 제거한다. 나노입자 혼합레진(130)이 도포된 기판(140)에 열을 가하여 나노입자 용액(110) 내부에서 나노입자(111)와 함께 존재하던 용매(112)를 증발시킨다.In the solvent removal step (S130), the solvent 112 of the nanoparticle solution 110 is removed from the nanoparticle mixing resin 130. Heat is applied to the substrate 140 to which the nanoparticle mixed resin 130 is applied to evaporate the solvent 112 that was present together with the nanoparticles 111 in the nanoparticle solution 110.

상기 가압경화단계(S140)에서는, 무패턴 평판(150)으로 나노입자 혼합레진(130)을 가압 및 경화시킴으로써, 이웃하는 나노입자(111)들이 레진(120) 내에서 이격되게 배열되는 나노입자 박막(160)을 성형한다. 이때 레진(120) 내에서 이격되게 배열되는 나노입자(111)들은 도 3(e)에 도시된 바와 같이, 단층 구조를 가진다.In the pressure-curing step (S140), by pressing and curing the nanoparticle mixed resin 130 with a patternless flat plate 150, the neighboring nanoparticles 111 are arranged in the resin 120 spaced apart nanoparticle thin film Mold 160. In this case, the nanoparticles 111 arranged spaced apart in the resin 120 have a single layer structure, as shown in FIG.

본 실시예에서는 나노입자 혼합레진(130)을 가압하는 무패턴 평판(150)으로는 자외선을 투과시키는 자외선 투과성 평판을 이용하며, 이때 나노입자 혼합레 진(130)을 약 10 bar 이상의 압력으로 가압하는 것이 바람직하다.In the present embodiment, as the non-patterned flat plate 150 pressurizing the nanoparticle mixing resin 130, an ultraviolet-transmissive plate transmitting ultraviolet rays is used. In this case, the nanoparticle mixing resin 130 is pressed at a pressure of about 10 bar or more. It is desirable to.

나노입자 혼합레진(130)의 상측에서 자외선 투과성 평판을 이용하여 나노입자 혼합레진(130)을 가압하고, 나노입자 혼합레진(130)의 상측에서 조사된 자외선은 자외선 투과성 평판을 투과하여 나노입자 혼합레진(130)에 도달하여 나노입자 혼합레진(130)을 광경화시킨다.The nanoparticle mixing resin 130 is pressed on the upper side of the nanoparticle mixing resin 130, and the ultraviolet ray irradiated from the upper side of the nanoparticle mixing resin 130 penetrates the ultraviolet transmitting plate and mixes the nanoparticles. Reach to the resin 130 to photocuring the nanoparticle mixed resin 130.

본 실시예의 나노입자 박막 제조방법을 통해, 내부에서 이웃하는 나노입자(111)들이 서로 이격되게 분리 배열되는 나노입자 박막(160)을 얻을 수 있는데, 이와 같은 나노입자 박막(160)을 얻을 수 있는 물리적 메커니즘은 다음의 두 가지로 정리될 수 있다. 첫째, 자외선을 조사하여 레진(120)을 경화시킬 때 전체적으로 레진(120)에는 수축 현상이 발생한다. 이러한 레진(120)의 수축은 레진(120) 내부에 존재하는 나노입자(111)에 수직방향으로의 압력을 발생시킨다. 그리고 둘째, 자외선 경화와 동시에 무패턴 평판(150)으로 나노입자 혼합레진(130)을 가압하게 되면 자외선 경화 과정에서 발생하는 수직 압축력을 배가시켜 나노입자(111) 간 분리가 촉진된다.Through the nanoparticle thin film manufacturing method of the present embodiment, it is possible to obtain a nanoparticle thin film 160 in which neighboring nanoparticles 111 are arranged to be spaced apart from each other, such a nanoparticle thin film 160 can be obtained. The physical mechanism can be summarized in two ways. First, when the resin 120 is cured by irradiation with ultraviolet rays, shrinkage occurs in the resin 120 as a whole. The contraction of the resin 120 generates pressure in a direction perpendicular to the nanoparticles 111 present in the resin 120. Second, when the nanoparticle mixture resin 130 is pressed with the patternless flat plate 150 at the same time as UV curing, separation between the nanoparticles 111 is promoted by doubling the vertical compressive force generated during the UV curing process.

상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 나노입자 박막 제조방법은, 기판 상에 나노입자가 분산된 박막을 도포하고 성형할 때, 자외선을 이용한 광경화와 함께 나노입자 박막에 압력을 가하여 나노입자들이 레진(120) 내에서 이격되게 배열되도록 함으로써, 복잡한 다단계의 식각 공정을 수행하지 않고 제조공정을 단순화시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In the method for manufacturing a nanoparticle thin film according to the present embodiment configured as described above, when coating and molding a thin film in which nanoparticles are dispersed on a substrate, nanoparticles are applied by applying pressure to the nanoparticle thin film together with photocuring using ultraviolet light. By being spaced apart in the resin 120, it is possible to obtain an effect that can simplify the manufacturing process without performing a complex multi-step etching process.

또한 상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 나노입자 박막 제조방법은, 나노입자 혼합레진을 스핀 코팅에 의해 증착할 때 낮은 회전속도로도 증착할 수 있으므로, 고속회전 시 발생하는 진동, 편심 등의 문제를 방지할 수 있고, 진동 및 편심 등으로 인해 발생할 수 있는 박막의 불균일성 문제를 개선할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.In addition, the method for manufacturing a nanoparticle thin film according to the present embodiment configured as described above can be deposited at a low rotational speed when the nanoparticle mixed resin is deposited by spin coating, and thus, vibration, eccentricity, etc. generated during high-speed rotation The problem can be prevented, and the effect of improving the non-uniformity problem of the thin film, which may occur due to vibration and eccentricity, can be obtained.

한편, 도 4는 도 3의 나노입자 박막 제조방법을 이용하여, 본 발명의 나노 임프린트용 스탬프 제작방법의 일 실시예를 도시한 도면이다.On the other hand, Figure 4 is a view showing an embodiment of a nanoimprint stamp manufacturing method of the present invention using the nanoparticle thin film manufacturing method of FIG.

도 4를 참조하면, 본 실시예의 나노 임프린트용 스탬프 제작방법은, 도 3(e)에 도시된 나노입자 박막이 형성된 기판을 이용하는 것으로서, 기판 노출단계(S150)와, 나노패턴 형성단계(S160)와, 폴리머 제거단계(S170)와, 스탬프 형성단계(S180)와, 분리단계(S190)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the method for manufacturing a nanoimprint stamp according to the present embodiment uses a substrate on which the nanoparticle thin film illustrated in FIG. 3E is formed, and exposes a substrate (S150) and forms a nanopattern (S160). And a polymer removing step (S170), a stamp forming step (S180), and a separating step (S190).

상기 기판 노출단계(S150)에서는, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 나노입자 박막(160) 내의 폴리머 매트릭스, 즉 나노입자(111) 사이에 위치하는 레진(120)을 식각하여 식각된 영역에서 기판(140)을 노출시킨다. 이때 레진(120)의 식각은 산소건식식각 방식에 의해 수행된다.In the substrate exposing step (S150), as illustrated in FIG. 4A, the polymer matrix in the nanoparticle thin film 160, that is, the region etched by etching the resin 120 located between the nanoparticles 111 is etched. Exposing the substrate 140. At this time, the etching of the resin 120 is performed by an oxygen dry etching method.

상기 나노패턴 형성단계(S160)에서는, 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 기판(140)을 식각함으로써, 나노기둥(141) 및 나노홀(142)이 교대로 배치되는 나노패턴(143)을 기판(140) 상에 형성한다. 이때, 기판(140)의 재질에 따라 가스 및 플라즈마의 파워를 다르게 선택한다.In the nanopattern forming step (S160), as shown in FIG. 4B, the nanopattern 141 and the nanohole 142 are alternately disposed by etching the substrate 140. Is formed on the substrate 140. In this case, the power of the gas and the plasma is differently selected according to the material of the substrate 140.

본 실시예에서 기판(140)의 식각은 이방성 식각(anisotropic etching)에 의해 수행되며, 나노입자(111)와 기판(140)의 식각 선택비는 거의 유사하여 기 판(140) 식각시에 나노입자(111)도 함께 제거된다. 한편, 기판(140)이 식각되는 동안 나노입자(111)는 식각되지 않고 식각 장벽으로 작용하여 기판(140)의 식각 이후에 별도로 나노입자(111)를 제거하는 공정을 수행할 수도 있다.In the present embodiment, the etching of the substrate 140 is performed by anisotropic etching, and the etching selectivity of the nanoparticles 111 and the substrate 140 is almost similar to that of the nanoparticles during etching of the substrate 140. 111 is also removed. Meanwhile, while the substrate 140 is etched, the nanoparticles 111 may not be etched but serve as an etch barrier to separately remove the nanoparticles 111 after the substrate 140 is etched.

상기 폴리머 제거단계(S170)에서는, 도 4(c)에 도시된 바와 같이, 산소건식식각 방식을 이용하여 나노기둥(141) 상에 잔존하는 레진(120)을 제거하여, 나노기둥(141)과 나노홀(142)이 노출되도록 한다.In the polymer removing step (S170), as shown in Figure 4 (c), by using the oxygen dry etching method to remove the resin 120 remaining on the nano-pillar 141, nano-pillar 141 and The nano holes 142 are exposed.

상기 스탬프 형성단계(S180)에서는, 우선 도 4(d)에 도시된 바와 같이 나노패턴(143)이 형성된 기판(140) 상에 금속 기저층(171)을 증착하고, 이후 도 4(e)에 도시된 바와 같이 전해도금공정 등을 통하여 금속 기저층(171)과 동일한 금속 물질을 적층하여 나노 임프린트용 스탬프(170)를 형성한다. 이와 같이 형성된 나노 임프린트용 스탬프(170)에는 기판(140)의 나노패턴(143)이 그대로 전사된다. 부재번호 173은 나노 임프린트용 스탬프(170)의 나노패턴이다.In the stamp forming step (S180), first, as shown in FIG. 4 (d), the metal base layer 171 is deposited on the substrate 140 on which the nanopattern 143 is formed, and then, as shown in FIG. 4 (e). As described above, the same metal material as the metal base layer 171 is laminated through the electroplating process to form the nanoimprint stamp 170. The nano pattern 143 of the substrate 140 is transferred as it is to the nano imprint stamp 170 formed as described above. Reference numeral 173 denotes a nanopattern of the nanoimprint stamp 170.

상기 분리단계(S190)에서는, 도 4(f)에 도시된 바와 같이, 완성된 나노 임프린트용 스탬프(170)를 기판(140)으로부터 분리한다.In the separation step (S190), as shown in Figure 4 (f), the completed nano imprint stamp 170 is separated from the substrate 140.

상술한 바와 같이 구성된 본 실시예에 따른 나노 임프린트용 스탬프 제작방법은, 나노입자가 이격되게 배열된 박막을 성형하고 그 나노입자 박막이 형성된 기판을 이용하여 나노 임프린트용 스탬프 제작함으로써, 복잡한 다단계의 식각 공정을 수행하지 않고 제조공정을 단순화시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.The method for manufacturing a stamp for nanoimprint according to the present embodiment configured as described above comprises forming a stamp for nanoimprint using a substrate on which the nanoparticle thin film is formed by forming a thin film in which nanoparticles are spaced apart from each other, thereby forming a complicated multi-step etching process. The effect of simplifying the manufacturing process without performing the process can be obtained.

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본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. Without departing from the gist of the invention claimed in the claims, it is intended that any person skilled in the art to which the present invention pertains falls within the scope of the claims described herein to various extents that can be modified.

도 1은 종래의 나노 임프린트용 스탬프의 제조방법을 도시한 도면이고,1 is a view showing a conventional method for manufacturing a stamp for nano imprint,

도 2는 도 1의 나노 임프린트용 스탬프를 이용한 종래의 나노 임프린트 리소그래피 공정을 도시한 도면이고,FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional nanoimprint lithography process using the nanoimprint stamp of FIG. 1,

도 3은 본 발명의 나노입자 박막 제조방법의 일 실시예를 도시한 도면이고,3 is a view showing an embodiment of a method for manufacturing a nanoparticle thin film of the present invention,

도 4는 도 3의 나노입자 박막 제조방법을 이용하여, 본 발명의 나노 임프린트용 스탬프 제작방법의 일 실시예를 도시한 도면이고,4 is a view showing an embodiment of a method for manufacturing a stamp for a nano imprint of the present invention by using the method for manufacturing a nanoparticle thin film of FIG.

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<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

110: 나노입자 용액 111: 나노입자110: nanoparticle solution 111: nanoparticle

112: 용매 120: 레진112: solvent 120: resin

130: 나노입자 혼합레진 140: 기판130: nanoparticle mixed resin 140: substrate

150: 무패턴 평판 160: 나노입자 박막150: patternless plate 160: nanoparticle thin film

Claims (8)

나노입자와 폴리머 매트릭스가 혼합된 나노입자 혼합레진을 기판 상에 적층하는 혼합레진 적층단계;A mixed resin lamination step of laminating a nanoparticle mixed resin mixed with nanoparticles and a polymer matrix on a substrate; 상기 나노입자 혼합레진에서 용매를 제거하는 용매 제거단계; 및A solvent removing step of removing the solvent from the nanoparticle mixed resin; And 무패턴 평판으로 상기 나노입자 혼합레진을 가압 및 경화시킴으로써, 이웃하는 나노입자들이 상기 폴리머 매트릭스 내에서 이격되게 단층으로 배열되는 나노입자 박막을 성형하는 가압경화단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막 제조방법.Pressurizing and curing the nanoparticle mixed resin with a non-patterned flat plate, the pressure-curing step of forming a nanoparticle thin film in which neighboring nanoparticles are arranged in a single layer spaced apart in the polymer matrix; nanoparticles comprising a Thin film manufacturing method. 삭제delete 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 나노입자는 실리카 또는 금속성 입자이며,The nanoparticles are silica or metallic particles, 상기 폴리머 매트릭스는 자외선이 조사되면 경화되는 레진인 것을 특징으로 하는 나노입자 박막 제조방법.The polymer matrix is a nanoparticle thin film manufacturing method, characterized in that the resin is cured when irradiated with ultraviolet light. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 무패턴 평판은 자외선을 투과시키는 자외선 투과성 평판이며,The patternless flat plate is an ultraviolet light transmitting plate that transmits ultraviolet light, 상기 가압경화단계는,The pressure hardening step, 상기 자외선 투과성 평판으로 상기 나노입자 혼합레진을 가압하면서 상기 나노입자 혼합레진 측으로 자외선을 조사하여 상기 나노입자 혼합레진을 경화시키는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막 제조방법.The method for producing a nanoparticle thin film, wherein the nanoparticle mixed resin is cured by irradiating ultraviolet rays toward the nanoparticle mixed resin while pressing the nanoparticle mixed resin with the UV-transmissive plate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 나노입자 혼합레진에서, 상기 레진에 대한 상기 나노입자의 체적비는 실질적으로 20% 이하인 것을 특징으로 하는 나노입자 박막 제조방법.In the nanoparticle mixed resin, the nanoparticle thin film manufacturing method, characterized in that the volume ratio of the nanoparticles to the resin is substantially 20% or less. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가압경화단계는,The pressure hardening step, 상기 무패턴 평판으로 상기 나노입자 혼합레진을 10 bar 이상의 압력으로 가압하는 것을 특징으로 하는 나노입자 박막 제조방법.Method for producing a nanoparticle thin film, characterized in that for pressing the nanoparticle mixed resin at a pressure of 10 bar or more with the patternless flat plate. 제1항에 의해 제조된 나노입자 박막이 형성된 기판을 이용하는 것으로서,As using the substrate on which the nanoparticle thin film prepared by claim 1 is formed, 상기 나노입자 박막 내에서 상기 나노입자 사이의 폴리머 매트릭스를 식각하여 상기 기판을 노출시키는 기판 노출단계;Exposing the substrate by etching a polymer matrix between the nanoparticles in the nanoparticle thin film; 상기 기판을 식각함으로써, 나노기둥 및 나노홀이 교대로 배치되는 나노패턴을 상기 기판 상에 형성하는 나노패턴 형성단계;A nanopattern forming step of forming a nanopattern on which the nanopillar and the nanohole are alternately disposed by etching the substrate; 상기 나노기둥 상에 잔존하는 폴리머 매트릭스를 제거하는 폴리머 제거단계;A polymer removal step of removing the polymer matrix remaining on the nanopillars; 상기 나노패턴이 형성된 기판상에 금속 물질을 적층하여 나노 임프린트용 스탬프를 형성하는 스탬프 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트용 스탬프 제작방법.And a stamp forming step of forming a nanoimprint stamp by laminating a metal material on the substrate on which the nanopattern is formed. 삭제delete
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