KR101003317B1 - Emi shielding conductive thin film using dry-wet plating and method for preparing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A conductive film is provided to improve the coating adhesive force and uniformity with a base material by using a dry plating process and a wet plating process. CONSTITUTION: A non-conductive thin film base material(10) has the thickness of 1um to 50um. A first plating layer(20A,20B) is formed in both sides of the non-conductive thin film base material. The first plating layer is formed by plating a first metal. A second plating layer(30A,30B) is formed on the first plating layer. The second plating layer is formed by plating a second metal through a wet plating process. A third plating layer(40A,40B) is formed on the second plating layer. The third plating layer is formed by plating a third metal through the wet plating process.

Description

건-습식 융합 프로세스를 이용한 전자파차폐용 도전성 박막필름{EMI SHIELDING CONDUCTIVE THIN FILM USING DRY-WET PLATING AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}Conductive thin film for electromagnetic shielding using dry-wet fusion process {EMI SHIELDING CONDUCTIVE THIN FILM USING DRY-WET PLATING AND METHOD FOR PREPARING THE SAME}

본 발명은 건-습식 융합 프로세스를 이용한 전자파차폐용 도전성 박막필름 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명은 모재 특유의 유연성과 함께 우수한 전도성을 가지며, 복잡한 도금 공정을 단순화할 수 있을 뿐만 아니라, 습식공정에서 배출되는 폐수 등을 최소화할 수 있는 건-습식 융합 프로세스를 이용한 전자파차폐용 도전성 박막필름 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a conductive thin film for electromagnetic shielding using a dry-wet fusion process and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention has excellent conductivity along with the flexibility of the base metal, and can simplify the complex plating process, as well as for electromagnetic shielding using a dry-wet fusion process that can minimize the wastewater discharged from the wet process. It relates to a conductive thin film and a method of manufacturing the same.

일반적으로 전자파는 정전기 방전에 의하여 발생하는 노이즈(Noise)현상을 통칭하여 말하는데, 각종 전자기기의 내부 회로에서 발생되며 공중을 통하여 외부로 방사되거나 전원선 등을 통하여 전도된다. 이러한 전자파는 주변의 부품 또는 기기에 노이즈와 오작동을 일으킬 뿐만 아니라 인체에도 해로운 영향을 주는 것으로 알려져 있다. 최근 전자기기의 경박 단소화, 디지탈화로 인하여 회로가 복잡해 지면서 전자파 발생 가능성이 급격히 증가하고 선진 각국은 물론 국내에서도 전자파의 규제가 강화되고 있다. In general, electromagnetic waves are generally referred to as noise phenomena generated by electrostatic discharge, and are generated in internal circuits of various electronic devices and radiated to the outside through the air or conducted through power lines. These electromagnetic waves are known to not only cause noise and malfunction of surrounding components or devices, but also have harmful effects on the human body. Recently, as the circuit becomes complicated due to the light and thin and digitalization of electronic devices, the possibility of electromagnetic wave is rapidly increasing, and the regulation of electromagnetic waves is strengthened not only in advanced countries but also in Korea.

전자, 전기 회로 부품, 기기 등의 발생원으로부터의 전자파의 차폐재, 혹은 불특정의 발생원으로부터의 전자파로부터 기기나 인체를 보호하기 위한 목적으로 여러가지의 재료가 사용되고 있다. 예컨대, 금속을 망 상 등으로 가공하여 이용하는 방법, 금속 선을 가공하여 이용하는 방법, 금속 분말을 함유하는 수지, 도료 등을 도포하는 방법, 도금하는 방법, 금속 분말을 함유하는 수지, 고무 등을 시트 상, 선 상으로 가공한 재료를 이용하는 방법, 섬유 등에 금속박을 감아 붙인 재료를 이용하는 방법, 섬유 등에 도금을 실시한 재료를 이용하는 방법 등이 있다. 특히 차폐재를 시트상으로 할 경우, 가공, 조립, 세공 등이 편리하기 때문에 널리 이용되고 있다.Various materials are used for the purpose of protecting an apparatus and a human body from the shielding material of the electromagnetic wave from the generation | occurrence | production sources of electronics, an electric circuit component, an apparatus, etc., or the electromagnetic wave from an unspecified generation | generation source. For example, a method of processing and using a metal into a network, a method of processing and using a metal wire, a resin containing a metal powder, a coating method, a coating method, a plating method, a resin containing a metal powder, a rubber sheet, and the like. The method of using the material processed into the phase and line shape, the method of using the material wound up the metal foil etc. to the fiber, the method of using the material which plated the fiber etc. are used. In particular, when the shielding material is in the form of a sheet, it is widely used because of its convenience in processing, assembling, poring and the like.

종래에는 폴리에스터 섬유 등에 무전해 동 도금을 한 후, 무전해 니켈도금을 한 재료가 널리 사용되어 왔다.Conventionally, electroless copper plating after polyester fiber or the like has been widely used.

습식 도금법에 의해 가공된 전자파 차폐재에 대하여서는, 오래 전부터 개발되었으며, 예를 들면, 일본특허 특개소62-18799호에는 금속 섬유를 혼입한 부직포가 개시되어 있다. 특개평2-237100호에는 무전해 도금층을 형성시킨 종이의 전자파 차폐재를 언급하고 있으며, 특개평4-109698호에는 은으로 피복된 섬유를 이용하는 내장 건재용 부직포를 개시하고 있다. 또한, 특개평4-153034호에는 무전해 도금법에 의해 은을 피복한 은 도금 합성 섬유를 이용한 내장재를 개시하고 있고, 특개평5-48289호에는 금속 단섬유 또는 금속 도금된 단섬유를 적어도 10중량%함유하는 무 배향 부직포로 구성된 전자파 차폐재를 개시하고 있다. 한편, 특개평5-121893호에는 무전해 도금법에 의해 은을 피복한 은 도금 합성 섬유를 적어도 10g/m²이상 함유하고, 비도금 섬유 중 10∼50중량%가 융점 100℃∼190℃의 저융점 합성 섬유와의 혼합 섬유인 섬유 웨이브로 구성되며, 실을 짜서만든 섬유간에 교격 결합한 부직포 시트의 단면 또는 양면에 열가소성 수지시트를 일체형으로 적층하여 된 전자파차폐 성형용 시트를 언급하고 있다. 특공평7-101789호에는 위사로도, 경사로도 100g/cm²이상의 인장 강도를 가지며, 산이나 알카리에 침해되지 안흥며, 더 나아가 흡수성을 갖는 종이에, 무전해 도금용 촉매액을 도포하고, 건조 후 무전해 도금을 실시하여 전술의 종이 표면 및 안면에 무전해 도금 층을 석출 형성시키는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 부재를 언급하고 있다. 특개평7-259291호에는, 부직포에 금속도금을 실시하여 형성된 전자파 차폐 시트가 보드 건재에 붙여 만드는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐 판넬이 개시되어져 있다.BACKGROUND ART The electromagnetic wave shielding material processed by the wet plating method has been developed for a long time. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 62-18799 discloses a nonwoven fabric containing metal fibers. Japanese Patent Laid-Open No. 2-237100 mentions an electromagnetic wave shielding material of paper in which an electroless plating layer is formed, and Japanese Patent Laid-Open No. Hei 4-109698 discloses a nonwoven fabric for interior building materials using fibers coated with silver. In addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-153034 discloses an interior material using silver-plated synthetic fibers coated with silver by an electroless plating method, and Japanese Patent Laid-Open No. 5-48289 discloses at least 10 weights of short metal fibers or metal plated short fibers. An electromagnetic wave shielding material composed of a non-oriented nonwoven fabric containing% is disclosed. On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 5-121893 contains at least 10 g / m 2 or more of silver plated synthetic fibers coated with silver by an electroless plating method, and 10 to 50% by weight of the non-plated fibers has a low melting point of 100 ° C to 190 ° C. It refers to an electromagnetic shielding sheet composed of a fiber wave which is a mixed fiber with synthetic fibers, wherein a thermoplastic resin sheet is integrally laminated on one or both sides of a nonwoven fabric sheet interlaced between fibers made by weaving yarn. Korean Patent Application No. 7-101789 has a tensile strength of 100 g / cm² or more for weft and incline, does not invade acids or alkalies, and furthermore, the electrolytic plating catalyst liquid is applied to a paper having absorbency and dried. Then, the electromagnetic wave shielding member is characterized by depositing and forming an electroless plating layer on the surface and face of the above paper by performing electroless plating. Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-259291 discloses an electromagnetic wave shielding panel, wherein an electromagnetic wave shielding sheet formed by applying metal plating to a nonwoven fabric is attached to a board building material.

그런데, 이와 같은 기술은 모재로서 정련/감량 처리된 폴리에스테르계나 아크릴계만 가능하고, 에칭, 촉매화, 활성화 처리 등과 같은 공정과 각종 수세 및 산세, 건조 등의 공정을 포함하여 20 여개가 넘은 많은 공정이 필요하며 도금 공정이 복잡하다. 뿐만 아니라, 각종비철금속류와 촉매제 귀금속 류의 액중 폐기로 인한 손실과 폐수가 발생하여 환경 비용이 과다하게 소요되는 등 제조 비용 상승의 문제가 있을 뿐만 아니라, 필요 형상으로 가공시 발생되는 금속 입자의 탈락으로 인하여 전자 및 통신 기기의 오작동이 야기될 수 있다.By the way, such a technology is only a polyester or acrylic-based refined / reduced treatment as a base material, and more than 20 many processes, including processes such as etching, catalysis, activation treatment, and various washing, pickling, drying, etc. This is necessary and the plating process is complicated. In addition, there is a problem of increasing manufacturing costs, such as excessive environmental costs due to waste and waste water caused by the disposal of various nonferrous metals and catalyst noble metals in the liquid, as well as dropping of metal particles generated during processing into the required shape. This may cause malfunction of electronic and communication equipment.

뿐만 아니라, 무전해 도금만을 이용할 경우, 모재인 고분자 시트와의 도금 밀착성이나 균일성이 떨어져 박리되기 쉬우며, 이로 인해 표면 저항과 수직 저항이 상대적으로 높아진다는 단점이 있다. 더욱이, 무전해 도금 공정은 많은 용수(用水)를 필요로 하기 때문에 그 만큼 많은 폐수가 발생하여 환경 오염을 증폭시킬 우려가 있다.In addition, when only electroless plating is used, plating adhesion and uniformity with the polymer sheet, which is a base material, are easily peeled off, which results in a relatively high surface resistance and vertical resistance. In addition, since the electroless plating process requires a large amount of water, there is a fear that a large amount of wastewater is generated to amplify environmental pollution.

본 발명의 하나의 목적은 모재와 도금 밀착성 및 균일성이 뛰어난 전자파차폐용 도전성 박막필름 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. One object of the present invention is to provide an electroconductive thin film for electromagnetic shielding excellent in the adhesion and uniformity of the base material and its manufacturing method.

본 발명의 다른 목적은 수평 방향 및 수직방향(두께 방향)으로 전기전도성이 우수한 전자파차폐용 도전성 박막필름 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. Another object of the present invention is to provide a conductive thin film for electromagnetic shielding excellent in electrical conductivity in a horizontal direction and a vertical direction (thickness direction) and a method of manufacturing the same.

본 발명의 또 다른 목적은 폐수 및 폐가스 발생을 최소화하고 환경친화적인 전자파차폐용 도전성 박막필름 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. Still another object of the present invention is to provide a conductive thin film for electromagnetic wave shielding which minimizes the generation of waste water and waste gas and a method of manufacturing the same.

본 발명의 또 다른 목적은 초박막을 가질 뿐만 아니라, 유연성이 우수하여 컴퓨터 및 핸드폰 부품, 자계파 차폐 및 흡수체, LCD 프레임 쿠션, 방사선 차폐를 위한 차폐재, 건축용 내외장재, 전선재, 쉴딩 및 전축자재, 전자파 차단 의류, 호신구, 마스크 및 장갑 등에 적용할 수 있는 전자파차폐용 도전성 박막필름 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. Another object of the present invention is not only to have an ultra-thin film, but also excellent in flexibility, computer and mobile phone parts, magnetic field shielding and absorbing body, LCD frame cushion, shielding material for radiation shielding, interior and exterior materials for building, electrical wire, shielding and electric storage material, electromagnetic wave The present invention provides a conductive thin film for electromagnetic shielding and a method of manufacturing the same that can be applied to barrier clothing, protective equipment, masks and gloves.

본 발명의 또 다른 목적은 복잡한 습식도금 공정을 단순화하고 다양한 기재에 적용될 수 있는 전자파차폐용 도전성 박막필름 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. Still another object of the present invention is to provide a conductive thin film for electromagnetic shielding and a method of manufacturing the same, which can simplify complex wet plating processes and be applied to various substrates.

본 발명의 또 다른 목적은 제조원가가 낮고, 균등한 품질을 유지하며, 대량생산이 가능한 전자파차폐용 도전성 박막필름 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것이다. Still another object of the present invention is to provide a conductive thin film for electromagnetic shielding and a method of manufacturing the same, which are low in manufacturing cost, maintain an equal quality, and are capable of mass production.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 하나의 관점은 전자파차폐용 도전성 박막필름에 관한 것이다. 상기 도전성 박막필름은 비도전성 박막필름 모재; 상기 비도전성 박막필름 모재에 접하며, 제1 금속이 건식 도금되어 형성된 제1도금층; 상기 제1도금층에 접하며, 제2 금속이 습식 도금되어 형성된 제2도금층; 및 상기 제2도금층에 접하며, 제3 금속이 습식 도금되어 형성된 제3도금층을 포함하여 이루어진다. One aspect of the invention relates to a conductive thin film for electromagnetic shielding. The conductive thin film is a non-conductive thin film base material; A first plating layer in contact with the non-conductive thin film base material and formed by dry plating a first metal; A second plating layer in contact with the first plating layer and formed by wet plating of a second metal; And a third plating layer in contact with the second plating layer and formed by wet plating of a third metal.

구체예에서는 상기 비도전성 박막필름 모재로 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리알킬(메타)아크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리아미드 및 폴리카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 박막필름, 직포 또는 부직포일 수 있다. In embodiments, the non-conductive thin film base material may be a thin film, woven fabric, or nonwoven fabric selected from the group consisting of polyolefin, polyester, polyalkyl (meth) acrylate, polystyrene, polyamide, and polycarbonate.

구체예에서는, 상기 비도전성 박막필름 모재는 2∼50 ㎛의 평균직경을 가지며, 200∼2000 개수/cm2의 평균밀도를 갖는 홀이 형성될 수 있다. In an embodiment, the non-conductive thin film base material may have a hole having an average diameter of 2 to 50 μm and an average density of 200 to 2000 particles / cm 2.

상기 비도전성 박막필름의 모재는 1~50 ㎛, 바람직하게는 10~30 ㎛의 두께를 갖는 얇은 막 재료일 수 있다. The base material of the non-conductive thin film may be a thin film material having a thickness of 1 to 50 μm, preferably 10 to 30 μm.

상기 제1 금속은 구리, 니켈, 코발트, 주석 및 Fe+Ni 로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. The first metal may be selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, tin and Fe + Ni.

상기 건식 도금은 진공증착, 이온플레이팅 및 스퍼터링과 같은 물리증착(PVD; Physical Vapour Deposition) 그리고 화학증착(CVD; Chemical Vapour Deposition) 방법을 포함할 수 있다. The dry plating may include physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) methods such as vacuum deposition, ion plating, and sputtering.

상기 제2 금속은 구리, 코발트, 주석 및 Fe+Ni 로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. The second metal may be selected from the group consisting of copper, cobalt, tin and Fe + Ni.

상기 습식 도금은 전해도금 또는 무전해 도금일 수 있다. The wet plating may be electroplating or electroless plating.

상기 제3 금속은 니켈, 구리, 주석, 은, 금, 코발트, 블랙니켈, 백금, 팔라듐 및 크롬 등의 금속으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. The third metal may be selected from the group consisting of metals such as nickel, copper, tin, silver, gold, cobalt, black nickel, platinum, palladium and chromium.

다른 구체예에서, 상기 제3도금층 표면에 고분자 수지막이 형성될 수 있다. In another embodiment, a polymer resin film may be formed on the surface of the third plating layer.

상기 고분자 수지막은 올레핀계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 에스테르계 수지 중 하나 이상 선택될 수 있다. The polymer resin film may be selected from one or more of an olefin resin, a urethane resin, an acrylic resin, and an ester resin.

상기 도전성 박막필름은 3ⅹ3 mm2 크기의 시편에 대한 표면저항(두께방향)이 0.001 내지 0.05 Ω의 범위일 수 있다. The conductive thin film may have a surface resistance (thickness direction) for a specimen having a size of 3 mm 3 mm 2 in a range of 0.001 to 0.05 Ω.

본 발명의 다른 관점은 전자파차폐용 도전성 박막필름의 제조방법에 관한 것이다. 상기 방법은 비도전성 박막필름 모재에 구리, 니켈, 코발트, 주석 및 Fe+Ni 로 이루어진 군으로부터 선택되는 제1 금속을 건식 도금하여 제1도금층을 형성하고; 상기 제1도금층에 구리, 코발트, 주석 및 Fe+Ni 로 이루어진 군으로부터 선택되는 제2 금속을 습식도금하여 제2도금층을 형성하고; 그리고 상기 제2도금층에 니켈, 구리, 주석, 은, 금, 코발트, 블랙니켈, 백금, 팔라듐 및 크롬으로 이루어진 군으로부터 선택되는 제3 금속을 습식도금하여 제3도금층을 형성하는 단계를 포함한다. Another aspect of the invention relates to a method for manufacturing a conductive thin film for electromagnetic shielding. The method comprises dry plating a first metal selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, tin and Fe + Ni on a non-conductive thin film base material to form a first plating layer; Forming a second plating layer by wet plating a second metal selected from the group consisting of copper, cobalt, tin, and Fe + Ni on the first plating layer; And wet plating a third metal selected from the group consisting of nickel, copper, tin, silver, gold, cobalt, black nickel, platinum, palladium, and chromium in the second plating layer to form a third plating layer.

상기 건식 도금은 진공증착, 이온플레이팅 및 스퍼터링과 같은 물리증착(PVD) 그리고 화학증착(CVD) 방법을 포함하며, 상기 습식 도금은 전해도금 또는 무전해 도금 인 것을 특징으로 한다.The dry plating includes physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) methods such as vacuum deposition, ion plating and sputtering, and the wet plating is characterized in that the electroplating or electroless plating.

구체예에서는 상기 도금된 도전성 박막필름의 표면에 고분자 수지막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. In an embodiment, the method may further include forming a polymer resin film on the surface of the plated conductive thin film.

본 발명은 모재와 도금 밀착성 및 균일성이 뛰어나며, 수평 방향 및 수직방향(두께 방향)으로 전기전도성이 우수하고, 폐수 및 폐가스 발생을 최소화하고 환경친화적이며, 초박막을 가질 뿐만 아니라, 유연성이 우수하여 컴퓨터 및 핸드폰 부품, 자계파 차폐 및 흡수체, LCD 프레임 쿠션, 방사선 차폐를 위한 차폐재, 건축용 내외장재, 전선재, 쉴딩 및 전축자재, 전자파 차단 의류, 호신구, 마스크 및 장갑 등에 적용할 수 있고 복잡한 습식도금 공정을 단순화하고 다양한 기재에 적용될 수 있으며, 제조원가가 낮고, 균등한 품질을 유지하며, 대량생산이 가능한 전자파차폐용 도전성 박막필름 및 그 제조방법을 제공하는 발명의 효과를 갖는다. The present invention has excellent plating adhesion and uniformity with the base material, has excellent electrical conductivity in the horizontal direction and the vertical direction (thickness direction), minimizes the generation of waste water and waste gas, is environmentally friendly, has an ultra thin film, and has excellent flexibility. Complex wet plating, applicable to computer and mobile phone parts, magnetic field shielding and absorbing material, LCD frame cushion, shielding material for radiation shielding, interior and exterior materials for building, electric wire material, shielding and shearing material, electromagnetic shielding clothing, protective equipment, masks and gloves The present invention can simplify the process and be applied to various substrates, has a low manufacturing cost, maintains uniform quality, and has an effect of providing an electroconductive thin film for electromagnetic shielding and a method of manufacturing the same.

본 발명의 전자파차폐용 도전성 박막필름은 비도전성 박막필름 모재; 상기 비도전성 박막필름 모재에 접하며, 제1 금속이 건식 도금되어 형성된 제1도금층; 상기 제1도금층에 접하며, 제2 금속이 습식 도금되어 형성된 제2도금층; 및 상기 제2도금층에 접하며, 제3 금속이 습식 도금되어 형성된 제3도금층을 포함하여 이루어진다. Electromagnetic shielding thin film of the present invention is a non-conductive thin film base material; A first plating layer in contact with the non-conductive thin film base material and formed by dry plating a first metal; A second plating layer in contact with the first plating layer and formed by wet plating of a second metal; And a third plating layer in contact with the second plating layer and formed by wet plating of a third metal.

도1은 본 발명의 도전성 박막필름의 개략적인 단면도이다. 도시된 바와 같이 도전성 박막필름은 비도전성 박막필름 모재(10); 상기 비도전성 박막필름 모재에 접하는 제1도금층(20A, 20B); 상기 제1도금층에 접하는 제2도금층(30A, 30B); 및 상기 제2도금층에 접하는 제3도금층(40A, 40B)이 적층된 구조를 갖는다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conductive thin film of the present invention. As shown in the drawing, the conductive thin film is a non-conductive thin film base material 10; First plating layers 20A and 20B in contact with the non-conductive thin film base material; Second plating layers 30A and 30B in contact with the first plating layer; And a third plating layer 40A, 40B in contact with the second plating layer.

상기 비도전성 박막필름 모재(10)는 실질적으로 전도성을 갖지 않는 재료로서, 본 발명의 목적이 비전도성 모재에 전도성을 부여하기 위한 것이므로 전도도에 특별한 제한이 있는 것은 아니다. 또한 종래에는 모재로 폴리에스테르계나 아크릴계만 적용이 가능하였으나 본 발명은 박막 모재에 특별한 제한이 없으며, 어느 기재라도 전도성을 부여할 수 있는 것이다. The non-conductive thin film base material 10 is a material that is not substantially conductive, and the purpose of the present invention is to impart conductivity to the non-conductive base material, so there is no particular limitation on conductivity. In addition, in the prior art, only a polyester-based or acrylic-based application is possible, but the present invention is not particularly limited to the thin film base material, and any substrate may impart conductivity.

구체예에서 상기 비도전성 박막필름 모재는 박막필름, 직포 또는 부직포일 수 있다. 바람직하게는 상기 비도전성 박막필름 모재는 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, LDPE, LLDPE 등을 포함하는 폴리올레핀, PET, PBT 등을 포함하는 폴리에스테르, PMMA를 포함하는 폴리알킬(메타)아크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리아미드 및 폴리카보네이트 등이 사용될 수 있다. 이들은 단독 기재 또는 2종 이상의 혼합기재도 가능하다. In a specific embodiment, the non-conductive thin film base material may be a thin film, a woven fabric, or a nonwoven fabric. Preferably, the non-conductive thin film base material is polypropylene including polypropylene, polyethylene, LDPE, LLDPE, polyester including PET, PBT, polyalkyl (meth) acrylate including PMMA, polystyrene, polyamide And polycarbonates and the like can be used. These may be a single base material or two or more types of mixed base materials.

상기 비도전성 박막필름 모재는 1~50 ㎛, 바람직하게는 10~30 ㎛의 두께를 갖는 초박막일 수 있다. The non-conductive thin film base material may be an ultra-thin film having a thickness of 1 to 50 ㎛, preferably 10 to 30 ㎛.

또한 상기 비도전성 박막필름 모재는 2∼50 ㎛의 평균직경을 가지며, 200∼2000 개수/cm2의 평균밀도를 갖는 홀이 형성될 수 있다. In addition, the non-conductive thin film base material has an average diameter of 2 to 50 ㎛, a hole having an average density of 200 ~ 2000 number / cm 2 may be formed.

상기 비도전성 박막필름 모재(10)의 표면에는 제1도금층(20A, 20B)이 형성되 어 있다. 상기 제1도금층(20A, 20B)은 구리, 니켈, 코발트, 주석, Fe+Ni 로 이루어진 군으로부터 선택되는 제1 금속을 건식 도금하여 형성된다. 이중 바람직하게는 니켈이다. First plating layers 20A and 20B are formed on the surface of the non-conductive thin film base material 10. The first plating layers 20A and 20B are formed by dry plating a first metal selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, tin, and Fe + Ni. Of these, nickel is preferred.

상기 건식 도금은 진공증착, 이온플레이팅 및 스퍼터링과 같은 물리증착(PVD)그리고 화학증착(CVD) 방법을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 진공 및 플라즈마를 이용하는 방식이다. The dry plating may include physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) methods such as vacuum deposition, ion plating and sputtering, preferably by using vacuum and plasma.

구체예에서는 상기 진공 플라즈마 방식은 건식도금 박막의 생성 전에 아르곤 이온에 의한 봄바드먼트 클리닝(Bombardment cleaning) 전처리를 하고 10-6Torr의 초기 진공도에서 모재 및 도금종류와 목적특성에 따라 10-5~10-2Torr에서 진공증착을 하거나 바이아스전압(Bias voltage)을 인가하며 플라즈마를 발생시켜서 스퍼터링과 이온플레이팅과 같은 건식도금을 행할 수 있다. In a specific embodiment, the vacuum plasma method is a pre-treatment of bombardment cleaning with argon ions before the formation of the dry-plated thin film and at a initial vacuum of 10-6 Torr, depending on the base material, plating type and target properties, 10-5 to 10 Dry plating such as sputtering and ion plating can be performed by vacuum deposition or applying a bias voltage at -2 Torr to generate a plasma.

이와 같은 건식 도금으로 형성된 제1도금층(20A, 20B)은 1∼5 ㎛의 두께를 가질 수 있다. The first plating layers 20A and 20B formed by such dry plating may have a thickness of 1 to 5 μm.

상기 제1도금층(20A, 20B)이 형성된 후, 제1도금층(20A, 20B) 상에 제2도금층(30A, 30B)을 형성시킨다. After the first plating layers 20A and 20B are formed, the second plating layers 30A and 30B are formed on the first plating layers 20A and 20B.

상기 제2도금층(30A, 30B)은 구리, 코발트, 주석, Fe+Ni 로 이루어진 군으로부터 선택되는 제2 금속을 습식 도금하여 형성된다. 이중 바람직하게는 구리이다. The second plating layers 30A and 30B are formed by wet plating a second metal selected from the group consisting of copper, cobalt, tin, and Fe + Ni. Among these, copper is preferable.

상기 습식 도금은 무전해 도금 또는 전해도금이 사용될 수 있으며, 상기 도금 방법은 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 용이하게 수행할 수 있다. 이중 바람직하게는 무전해 동도금이다. Electrolytic plating or electroplating may be used as the wet plating, and the plating method may be easily performed by those skilled in the art. Among these, electroless copper plating is preferable.

구체예에서 상기 무전해동 도금에 적용되는 도금조에는 적어도 1종의 동염, 적어도 1종의 환원제 및 적어도 1종의 착화제를 포함할 수 있다. 동 이온을 공급하기 위한 동염으로는 황산동, 염화동 등이 적절하게 사용되며, 환원제로는 포름알데하이드, 하이드라진테트라하이드로붕산칼륨, 디메틸아민보란, 글리옥실산 등, 착화제로는 에틸렌디아민테트라초산, 에틸렌트리아민테트라초산, 롯셀염, 그리세롤, 메소에리트리톨, 아도니톨, D-만니톨, D-소리브톨, 졸시톨, 이미노디초산, 트랜스-1,2-싸이클로헥산디아민테트라초산, 1,3-디아미노프로판-2-올테트라초산, 글리톨에테르디아민테트라초산, 트리에탄올아민, 트리이소프로판올아민, 니트로트리초산, 테트라키스(2-하이드록시에틸), 에틸렌디아민, 테트라키스(2-하이드록시프로필), 에틸렌트리아민 등이 사용될 수 있다. In an embodiment, the plating bath applied to the electroless copper plating may include at least one copper salt, at least one reducing agent, and at least one complexing agent. Copper sulfate, copper chloride, and the like are suitably used as copper salts for supplying copper ions, and formaldehyde, hydrazine tetrahydroborate, dimethylamine borane, glyoxylic acid, etc., as a reducing agent, and ethylenediaminetetraacetic acid, ethylenetri Aminetetraacetic acid, lotel salt, glycerol, mesoerythritol, adonitol, D-mannitol, D-isorbitol, zolitol, iminodiacetic acid, trans-1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, 1,3- Diaminopropane-2-oltetraacetic acid, glytoletherdiaminetetraacetic acid, triethanolamine, triisopropanolamine, nitrotriacetic acid, tetrakis (2-hydroxyethyl), ethylenediamine, tetrakis (2-hydroxypropyl) , Ethylenetriamine and the like can be used.

바람직한 구체예에서는 무전해동도금조로 황산동 3.0~4.5g/ℓ, 가성소다 8~10g/ℓ, 포르마린 4.0~5.5g/ℓ를 포함할 수 있다. In a preferred embodiment, the electroless copper plating tank may include copper sulfate 3.0 to 4.5 g / l, caustic soda 8 to 10 g / l, and formalin 4.0 to 5.5 g / l.

상기 제2도금층(30A, 30B)이 형성된 후, 제2도금층(30A, 30B) 상에 제3도금층(40A, 40B)을 형성시킨다. After the second plating layers 30A and 30B are formed, the third plating layers 40A and 40B are formed on the second plating layers 30A and 30B.

상기 제3도금층(40A, 40B)은 니켈, 구리, 주석, 은, 금, 코발트, 블랙니켈, 백금, 팔라듐 및 크롬으로 이루어진 군으로부터 선택되는 제3 금속을 습식 도금하여 형성된다. The third plating layers 40A and 40B are formed by wet plating a third metal selected from the group consisting of nickel, copper, tin, silver, gold, cobalt, black nickel, platinum, palladium and chromium.

상기 습식 도금은 무전해 도금 또는 전해도금이 사용될 수 있으며, 상기 도금 방법은 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 용이하게 수행할 수 있다. 이중 바람직하게는 무전해 니켈도금이다. Electrolytic plating or electroplating may be used as the wet plating, and the plating method may be easily performed by those skilled in the art. Among these, electroless nickel plating is preferable.

구체예에서는 상기 무전해 니켈도금조로 황산니켈 20~30g/ℓ, 차아인산소다 20~30g/ℓ, 구연산소다 30~45g/ℓ을 포함할 수 있다. In an embodiment, the electroless nickel plating bath may include 20-30 g / l nickel sulfate, 20-30 g / l sodium hypophosphite, and 30-45 g / l sodium citrate.

다른 구체예에서, 상기 제3도금층 표면에 고분자 수지막(도시되지 않음)이 형성될 수 있다. 상기 고분자 수지막은 올레핀계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 에스테르계 수지 등의 고분자 합성 수지를 사용할 수 있으며, 반드시 이에 제한되는 것은 아니다. 이중 바람직하게는 우레탄계 수지이다. In another embodiment, a polymer resin film (not shown) may be formed on the surface of the third plating layer. The polymer resin film may be a polymer synthetic resin such as olefin resin, urethane resin, acrylic resin, ester resin, etc., but is not necessarily limited thereto. Among them, urethane resins are preferable.

상기 고분자 수지막은 코팅하거나 침적하여 형성할 수 있다. 바람직한 구체예에서는 수성 우레탄액에 상기 도금된 고분자 폼 시트를 침적하여 형성할 수 있다. 이와 같이 도금된 고분자 폼 시트의 표면에 고분자 수지막을 형성할 경우, 금속의 부식 및 변색을 방지하여 내구성과 신뢰성을 증가시킬 수 있다. The polymer resin film may be formed by coating or depositing. In a preferred embodiment it can be formed by depositing the plated polymer foam sheet in an aqueous urethane liquid. When the polymer resin film is formed on the surface of the plated polymer foam sheet as described above, corrosion and discoloration of the metal may be prevented, thereby increasing durability and reliability.

이와 같이 제조된 본 발명의 도전성 박막필름은 3ⅹ3 mm2 크기의 시편에 대한 표면저항(두께방향)이 0.001 내지 0.05 Ω, 바람직하게는 0.01 내지 0.03 Ω로 우수한 전도성을 갖는다. The conductive thin film of the present invention prepared as described above has excellent conductivity with a surface resistance (thickness direction) of 0.001 to 0.05 Ω, preferably 0.01 to 0.03 Ω, for a specimen having a size of 3ⅹ3 mm2.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명하고자 하나, 이러한 실시예들은 단지 설명의 목적을 위한 것으로 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but these examples are for illustrative purposes only and should not be construed as limiting the present invention.

실시예 1Example 1

10 ㎛ 두께를 갖는 PET 박막필름에 건식도금 방법으로 니켈을 스퍼터링 하여 두께 1 ㎛ 의 제1도금층을 형성하였다. 상기 제1도금층이 형성된 박막을 황산동 4g/ℓ, 가성소다 9g/ℓ, 포르마린 5g/ℓ의 무전해동도금조에 침적하여 제2도금층인 동도금층을 형성하였다. 이후 황산니켈 25g/ℓ, 차아인산소다 25g/ℓ, 구연산소다 35g/ℓ을 혼합한 무전해니켈도금조에 침적하여 제3도금층인 니켈도금층을 형성하여 도전성 박막필름을 제조하였다. 제조된 도전성 박막필름을 25ⅹ25 mm2 , 3ⅹ3 mm2 크기로 절단하여 시료를 제작한 다음, HIOKI 3540 mΩ Hi tester(gold plated brass probe 사용)를 사용하여 상하전기전도성(두께방향)을 1 kg 하중으로 측정하였다. 각 샘플에 대해 15회 측정하였으며, 평균값을 구하였다. Nickel was sputtered on the PET thin film having a thickness of 10 μm by a dry plating method to form a first plating layer having a thickness of 1 μm. The thin film on which the first plating layer was formed was deposited in an electroless copper plating bath of copper sulfate 4g / l, caustic soda 9g / l, and formalin 5g / l to form a copper plating layer as a second plating layer. Subsequently, a nickel plating layer as a third plating layer was formed by depositing an electroless nickel plating bath in which nickel sulfate 25g / l, sodium hypophosphite 25g / l, and sodium citrate 35g / l were mixed to prepare a conductive thin film. The conductive thin film was cut into 25ⅹ25 mm2 and 3ⅹ3 mm2 sizes to prepare a sample, and the vertical conductivity (thickness direction) was measured under a 1 kg load using a HIOKI 3540 mΩ Hi tester (using a gold plated brass probe). . 15 measurements were taken for each sample and the average value was obtained.

비교실시예 1 Comparative Example 1

제1도금층 형성시 황산니켈 25g/ℓ, 차아인산소다 25g/ℓ, 구연산소다 35g/ℓ을 혼합한 무전해니켈도금조에 침적하여 습식전해방식으로 니켈도금층을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다. 상하전기전도성 결과를 하기 표 1에 나타내었다. Example 1 except that the nickel plating layer was formed by a wet electrolytic method by depositing in an electroless nickel plating bath in which nickel sulfate 25g / l, sodium hypophosphite 25g / l, and sodium citrate 35g / l were mixed when the first plating layer was formed. Was performed in the same manner. The vertical conductivity results are shown in Table 1 below.

비교실시예 2Comparative Example 2

10 ㎛ 두께를 갖는 PET 박막필름을 초음파 수세조에 통과시켜 박막필름 내 잔류한 오염물을 제거한 다음, 온도 75~100℃인 가성소다 10~20%농도의 에칭(etching)조를 거친 후, 수세조를 거쳐 시트내 가성소다 잔류물을 제거한 후, 염화파라듐과 염화주석의 혼합액으로 된 촉매조를 통해 시트내 파라듐이온을 흡착시 켰다. 이후 파라듐이온과 함께 흡착되어 있는 주석이온을 제거하기 위해 황산 10 %농도의 활성화조를 통과하여 박막필름 내 파라듐금속이온만을 형성시킨 후, 황산니켈 25g/ℓ, 차아인산소다 25g/ℓ, 구연산소다 35g/ℓ을 혼합한 무전해니켈도금조에 침적하여 니켈도금층을 형성시키고 이후 제2도금층과 제3도금층 형성은 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다. 상하전기전도성 결과를 하기 표 1에 나타내었다. The PET thin film having a thickness of 10 μm was passed through an ultrasonic washing tank to remove contaminants remaining in the thin film, followed by an etching bath with a caustic soda at a temperature of 75 to 100 ° C. at a concentration of 10 to 20%. After removing the caustic soda residue in the sheet, palladium ions in the sheet were adsorbed through a catalyst tank of a mixture of palladium chloride and tin chloride. Then, to remove tin ions adsorbed together with paradium ions, only the paradium metal ions are formed in the thin film by passing through an activation tank of 10% sulfuric acid, nickel sulfate 25g / l, sodium hypophosphite 25g / l, A nickel plating layer was formed by immersing in an electroless nickel plating bath mixed with 35 g / l of sodium citrate, and then the second plating layer and the third plating layer were formed in the same manner as in Example 1. The vertical conductivity results are shown in Table 1 below.

제1도금층 형성시 황산니켈 25g/ℓ, 차아인산소다 25g/ℓ, 구연산소다 35g/ℓ을 혼합한 무전해니켈도금조에 침적하여 습식전해방식으로 니켈도금층을 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일하게 수행하였다. 상하전기전도성 결과를 하기 표 1에 나타내었다. Example 1 except that the nickel plating layer was formed by a wet electrolytic method by depositing in an electroless nickel plating bath in which nickel sulfate 25g / l, sodium hypophosphite 25g / l, and sodium citrate 35g / l were mixed when the first plating layer was formed. Was performed in the same manner. The vertical conductivity results are shown in Table 1 below.

25ⅹ25 mm225ⅹ25 mm2 3ⅹ3 mm2 3ⅹ3 mm2 실시예1Example 1 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 실시예 1Example 1 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 저항(Ω)Resistance (Ω) 0.040.04 1.021.02 0.050.05 0.0310.031 0.860.86 0.0420.042

상기 표 1에 나타난 바와 같이, 실시예 1은 전처리 없이 도금한 비교예 1에 비해 현저히 낮은 저항값을 갖는 것을 알 수 있다. 또한 전처리 공정을 거친 비교예 2에 비해서도 실시예의 저항값이 낮은 것을 알 수 있으며, 본 발명은 복잡한 전처리 공정을 거치지 않고도 우수한 전도성을 가지며, 전처리 공정을 하지 않으므로 폐수의 발생을 줄일 수 있을 것으로 기대된다. As shown in Table 1, it can be seen that Example 1 has a significantly lower resistance value than Comparative Example 1 plated without pretreatment. In addition, it can be seen that the resistance value of the embodiment is lower than that of Comparative Example 2, which has been subjected to the pretreatment process, and the present invention has excellent conductivity without undergoing a complicated pretreatment process, and is expected to reduce the generation of waste water since the pretreatment process is not performed. .

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다. Simple modifications and variations of the present invention can be easily made by those skilled in the art, and all such modifications or changes can be seen to be included in the scope of the present invention.

도 1은 본 발명의 도전성 박막필름의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conductive thin film of the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

10: 비도전성 박막필름 모재 20A, 20B: 제1도금층              10: non-conductive thin film base material 20A, 20B: first plating layer

30A, 30B: 제2도금층 40A, 40B: 제3도금층         30A, 30B: Second Plating Layer 40A, 40B: Third Plating Layer

Claims (15)

홀이 형성된 비도전성 박막필름 모재;A non-conductive thin film base material with holes formed; 상기 비도전성 박막필름 모재에 접하며, 제1 금속이 건식 도금되어 형성된 제1도금층;A first plating layer in contact with the non-conductive thin film base material and formed by dry plating a first metal; 상기 제1도금층에 접하며, 제2 금속이 습식 도금되어 형성된 제2도금층; 및A second plating layer in contact with the first plating layer and formed by wet plating of a second metal; And 상기 제2도금층에 접하며, 제3 금속이 습식 도금되어 형성된 제3도금층;A third plating layer in contact with the second plating layer and formed by wet plating of a third metal; 을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 건-습식 융합 프로세스를 이용한 전자파차폐용 도전성 박막필름.Electroconductive thin film for electromagnetic shielding using a dry-wet fusion process, characterized in that consisting of. 제1항에 있어서, 상기 비도전성 박막필름 모재는 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리알킬아크릴레이트, 폴리알킬메타아크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리아미드 및 폴리카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 박막필름, 직포 또는 부직포인 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.According to claim 1, wherein the non-conductive thin film base material is a thin film, woven or non-woven fabric selected from the group consisting of polyolefin, polyester, polyalkyl acrylate, polyalkyl methacrylate, polystyrene, polyamide and polycarbonate A conductive thin film characterized in that. 제1항에 있어서, 상기 비도전성 박막필름 모재는 2∼50 ㎛의 평균직경을 가지며, 200∼2000 개/cm2의 평균밀도를 갖는 홀이 형성된 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.The conductive thin film according to claim 1, wherein the non-conductive thin film base material has an average diameter of 2 to 50 µm and a hole having an average density of 200 to 2000 pieces / cm 2 is formed. 제1항에 있어서, 상기 비도전성 박막필름 모재는 1~50 ㎛ 의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.The conductive thin film of claim 1, wherein the non-conductive thin film base material has a thickness of 1 to 50 μm. 제1항에 있어서, 상기 제1 금속은 구리, 니켈, 코발트, 주석, Fe+Ni로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 금속 또는 합금인 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.The conductive thin film of claim 1, wherein the first metal is a metal or an alloy selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, tin, and Fe + Ni. 제1항에 있어서, 상기 건식 도금은 진공증착, 이온플레이팅 및 스퍼터링을 포함하는 물리증착(PVD) 및 화학증착(CVD) 중 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.The conductive thin film of claim 1, wherein the dry plating is one of physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) including vacuum deposition, ion plating, and sputtering. 제1항에 있어서, 상기 제2 금속은 구리, 코발트, 주석 및 Fe+Ni 로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 금속 또는 합금인 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.The conductive thin film of claim 1, wherein the second metal is a metal or an alloy selected from the group consisting of copper, cobalt, tin, and Fe + Ni. 제1항에 있어서, 상기 습식 도금은 전해도금 또는 무전해 도금인 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.The conductive thin film of claim 1, wherein the wet plating is electroplating or electroless plating. 제1항에 있어서, 상기 제3 금속은 니켈, 구리, 주석, 은, 금, 코발트, 블랙니켈, 백금, 팔라듐 및 크롬으로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 금속 또는 합금인 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.The conductive thin film of claim 1, wherein the third metal is a metal or an alloy selected from the group consisting of nickel, copper, tin, silver, gold, cobalt, black nickel, platinum, palladium, and chromium. . 제1항에 있어서, 상기 제3도금층 표면에 고분자 수지막이 형성된 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.The conductive thin film according to claim 1, wherein a polymer resin film is formed on the surface of the third plating layer. 제10항에 있어서, 상기 고분자 수지막은 올레핀계 수지, 우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 에스테르계 수지 중 하나 이상 선택된 고분자 합성 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.The conductive thin film of claim 10, wherein the polymer resin film is made of a polymer synthetic resin selected from at least one of an olefin resin, a urethane resin, an acrylic resin, and an ester resin. 제1항 내지 제11항중 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성 박막필름은 3 mmⅹ3 mm 크기의 시편의 두께방향에 대한 표면저항이 0.001 내지 0.05 Ω의 범위인 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름.The conductive thin film according to any one of claims 1 to 11, wherein the conductive thin film has a surface resistance in the thickness direction of a specimen having a size of 3 mm 3 mm in a range of 0.001 to 0.05 Ω. 홀이 형성된 비도전성 박막필름 모재에 구리, 니켈, 코발트, 주석 및 Fe+Ni로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 금속 또는 합금인 제1 금속을 건식 도금하여 제1도금층을 형성하고;Forming a first plating layer by dry plating a first metal, which is a metal or an alloy, selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, tin, and Fe + Ni on the hole-formed nonconductive thin film base material; 상기 제1도금층에 구리, 코발트, 주석 및 Fe+Ni 로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 금속 또는 합금인 제2 금속을 습식도금하여 제2도금층을 형성하고; 그리고Forming a second plating layer by wet plating a second metal, which is a metal or an alloy, selected from the group consisting of copper, cobalt, tin, and Fe + Ni on the first plating layer; And 상기 제2도금층에 니켈, 구리, 주석, 은, 금, 코발트, 블랙니켈, 백금, 팔라듐 및 크롬로 이루어진 군으로부터 하나 이상 선택되는 금속 또는 합금인 제3 금속을 습식도금하여 제3도금층을 형성하는;Forming a third plating layer by wet plating a third metal, which is a metal or an alloy, selected from the group consisting of nickel, copper, tin, silver, gold, cobalt, black nickel, platinum, palladium, and chromium in the second plating layer. ; 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 건-습식 융합 프로세스를 이용한 전자파차폐용 도전성 박막필름의 제조방법.Method for producing a conductive thin film for electromagnetic shielding using a dry-wet fusion process, characterized in that it comprises a step. 제13항에 있어서, 상기 건식 도금은 진공증착, 이온플레이팅 및 스퍼터링을 포함하는 물리증착(PVD) 및 화학증착(CVD) 중 하나의 방법이며, 상기 습식 도금은 전해도금 또는 무전해 도금인 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름의 제조방법.The method of claim 13, wherein the dry plating is one of physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD) including vacuum deposition, ion plating, and sputtering, and the wet plating is electroplating or electroless plating. Method for producing a conductive thin film, characterized in that. 제13항에 있어서, 상기 도금된 도전성 박막필름의 표면에 고분자 수지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 박막필름의 제조방법.The method of claim 13, further comprising forming a polymer resin film on a surface of the plated conductive thin film.
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