KR100992660B1 - Single wafer type cleaning apparatus - Google Patents

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    • B05B13/0468Installation or apparatus for applying liquid or other fluent material to moving work of indefinite length with reciprocating or oscillating spray heads

Abstract

약액 떨어짐 현상을 방지하는 노즐 어셈블리를 구비하는 매엽식 세정장치가 개시된다. 매엽식 세정장치용 노즐 어셈블리는, 기판으로 세정액을 분사하는 복수의 분사노즐을 구비하는 노즐부, 상기 노즐부를 회전 가능하게 지지하는 힌지 로드, 상기 힌지 로드의 중앙 부분에 구비되어 상기 힌지 로드를 회전시키는 힌지축 및 상기 힌지축이 구비되는 지지부를 포함한다. 따라서, 상기 힌지 로드의 힌지축을 중심으로 회전함에 따라 분사노즐에 잔류하는 약액이 기판으로 떨어지는 것을 방지할 수 있다.Disclosed is a sheet type cleaning apparatus having a nozzle assembly for preventing chemical liquid dropping. The nozzle assembly for single wafer cleaning apparatus is provided with a nozzle portion having a plurality of injection nozzles for spraying a cleaning liquid onto a substrate, a hinge rod rotatably supporting the nozzle portion, and a central portion of the hinge rod to rotate the hinge rod. The hinge shaft and the support portion provided with the hinge shaft. Therefore, it is possible to prevent the chemical liquid remaining in the injection nozzle from falling onto the substrate as it rotates about the hinge axis of the hinge rod.
매엽식 세정장치, 노즐 어셈블리 Single Sheet Washer, Nozzle Assembly

Description

매엽식 세정장치{SINGLE WAFER TYPE CLEANING APPARATUS}Single leaf type washing machine {SINGLE WAFER TYPE CLEANING APPARATUS}
본 발명은 기판의 매엽식 세정장치에 관한 것으로서, 노즐에서 기판으로 약액 떨어짐 현상 및 이로 인한 기판 불량을 방지하는 매엽식 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a single sheet cleaning apparatus for a substrate, and relates to a single sheet cleaning apparatus for preventing a phenomenon of chemical liquid dropping from a nozzle to the substrate and a resultant substrate defect.
일반적으로, 반도체 소자는 기판, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼를 이용하여 증착, 사진 및 식각 공정 등을 반복 수행함으로써 제조될 수 있다. 공정들을 거치는 동안 기판 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기 불순물 등과 같은 오염 물질이 잔존할 수 있다. 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에, 반도체 제조시에는 기판에 잔존하는 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 수행된다.In general, a semiconductor device may be manufactured by repeatedly performing deposition, photography, and etching processes using a substrate, for example, a silicon wafer. Contaminants such as various particles, metal impurities, organic impurities, and the like may remain on the substrate during the processes. Since the contaminants adversely affect the yield and reliability of the semiconductor device, a cleaning process for removing contaminants remaining on the substrate is performed during semiconductor manufacturing.
상기 세정 공정을 위한 세정 방식은 크게 건식 세정 방식 및 습식(Wet) 세정 방식으로 구분될 수 있으며, 이 중에서 습식 세정 방식은 여러 가지 약액을 이용한 세정 방식으로서, 복수의 기판을 동시에 세정하는 배치식(batch type) 세정장치와 낱장 단위로 기판을 세정하는 매엽식(single wafer type) 세정장치로 구분된다.The cleaning method for the cleaning process may be largely classified into a dry cleaning method and a wet cleaning method. Among them, the wet cleaning method is a cleaning method using various chemical liquids, and a batch method of simultaneously cleaning a plurality of substrates ( batch type) It is divided into cleaning device and single wafer type cleaning device that cleans the substrate by sheet.
배치식 세정장치는 세정액이 수용된 세정조에 복수의 기판을 한꺼번에 침지 시켜서 오염원을 제거한다. 그러나, 기존의 배치식 세정장치는 기판의 대형화 추세에 대한 대응이 용이하지 않고, 세정액의 사용이 많다는 단점이 있다. 또한 배치식 세정장치에서 세정 공정 중에 기판이 파손될 경우 세정조 내에 있는 기판 전체에 영향을 미치게 되므로 다량의 기판 불량이 발생할 수 있는 위험이 있다.The batch type cleaning apparatus removes contaminants by immersing a plurality of substrates at once in a cleaning tank containing a cleaning liquid. However, the conventional batch cleaning apparatus has a disadvantage in that it is not easy to cope with the trend of larger substrate, and the use of the cleaning liquid is large. In addition, if the substrate is broken during the cleaning process in the batch type cleaning apparatus, the entire substrate in the cleaning tank is affected, which may cause a large amount of substrate defects.
상기와 같은 이유들로 인해 최근에는 매엽식 세정장치가 선호되고 있다.For these reasons, a single sheet cleaning apparatus has recently been preferred.
매엽식 세정장치는 낱장의 기판 단위로 처리하는 방식으로서, 고속으로 회전시킨 기판 표면에 세정액을 분사함으로써, 기판의 회전에 의한 원심력과 세정액의 분사에 따른 압력을 이용하여 오염원을 제거하는 스핀 방식(spinning method)으로 세정이 진행된다.The single wafer type cleaning apparatus is a method of processing by a single substrate unit, by spraying the cleaning liquid on the substrate surface rotated at high speed, by using a centrifugal force caused by the rotation of the substrate and the pressure of the cleaning liquid to remove the contaminant source ( washing is performed by a spinning method.
통상적으로 매엽식 세정장치는 기판이 수용되어 세정 공정이 수행되는 챔버와 기판을 고정시킨 상태로 회전하는 스핀척 및 기판에 약액과 린스액 및 건조가스 등을 포함하는 세정액을 공급하기 위한 노즐 어셈블리를 포함한다.Typically, the single wafer cleaning apparatus includes a nozzle assembly for supplying a cleaning solution including a chemical liquid, a rinse liquid, a dry gas, and the like to a substrate in which a substrate is accommodated and a spin chuck rotating in a state where the substrate is fixed and the substrate is fixed. Include.
매엽식 세정장치는 챔버 내에 기판이 수용되고, 스핀척에 고정된 상태로 소정 속도로 회전하는 기판 표면으로 세정액을 분사함으로써 기판을 세정한다. 여기서, 세정 공정 동안 기판으로 분사되어, 기판 표면에서 비산하는 세정액은 챔버 측부로 포집되어 회수되고, 스핀척 하부로 흐르는 세정액은 챔버의 하부로 포집되어 회수된다.The single wafer cleaning apparatus cleans the substrate by injecting the cleaning liquid onto the substrate surface which is accommodated in the chamber and rotates at a predetermined speed while being fixed to the spin chuck. Here, the cleaning liquid sprayed onto the substrate during the cleaning process and scattered from the substrate surface is collected and recovered to the chamber side, and the cleaning liquid flowing to the lower part of the spin chuck is collected and recovered to the lower part of the chamber.
한편, 기존의 노즐 어셈블리는 기판 상부에 고정되거나, 챔버 외측에 구비되어 기판 상부에서 중앙에서 챔버 외측까지 스윙 또는 직선 이동하도록 구비된다. 일반적으로 노즐 어셈블리는 기판에 대략적으로 수직한 방향으로 노즐이 형성되는 데, 약액 분사가 완료된 후 노즐 내부에는 약액이 잔류하는 상태이다. 따라서, 기존의 노즐 어셈블리는 중력의 영향으로 인해 노즐 내부에 잔류하는 약액이 기판으로 떨어질 수 있다. 특히, 노즐 어셈블리가 이동하는 경우에는 노즐의 흔들림으로 인해 약액이 떨어짐이 더 발생하기 쉽다.On the other hand, the existing nozzle assembly is fixed to the top of the substrate, or provided on the outside of the chamber is provided to swing or linearly move from the center to the outside of the chamber from the top of the substrate. In general, the nozzle assembly is a nozzle is formed in a direction approximately perpendicular to the substrate, the chemical liquid remains in the nozzle after the chemical liquid injection is completed. Therefore, in the existing nozzle assembly, the chemical liquid remaining inside the nozzle may fall into the substrate due to the influence of gravity. In particular, when the nozzle assembly is moved, the chemical liquid is more likely to fall due to the shaking of the nozzle.
이와 같이 약액 떨어짐은 세정이 완료된 기판 상에 얼룩을 형성하게 된다. 즉, 얼룩이 생긴 기판은 후속하는 공정에서 불량의 원인이 되므로 다시 세정 공정을 수행해야 하므로, 재세정으로 인해 세정 공정의 효율 및 수율을 저하시키는 문제점이 있다.As such, the chemical liquid drops form a stain on the substrate on which the cleaning is completed. That is, since the substrate having a stain is a cause of failure in a subsequent process, the cleaning process must be performed again, and thus, there is a problem of lowering the efficiency 占 ° yield of the cleaning process due to re-cleaning.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 노즐에서 약액 떨어짐 현상을 방지할 수 있는 노즐 어셈블리를 구비하는 매엽식 세정장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to solve the above-mentioned conventional problems, to provide a single sheet cleaning apparatus having a nozzle assembly that can prevent the liquid fall from the nozzle.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 매엽식 세정장치용 노즐 어셈블리는, 기판으로 세정액을 분사하는 복수의 분사노즐을 구비하는 노즐부, 상기 노즐부를 회전 가능하게 지지하는 힌지 로드, 상기 힌지 로드의 중앙 부분에 구비되어 상기 힌지 로드를 회전시키는 힌지축 및 상기 힌지축이 구비되는 지지부를 포함한다.According to embodiments of the present invention for achieving the above object of the present invention, the nozzle assembly for single wafer type cleaning apparatus, a nozzle unit having a plurality of injection nozzles for spraying the cleaning liquid to the substrate, the nozzle unit rotatably A hinge rod for supporting, a hinge shaft provided at a central portion of the hinge rod to rotate the hinge rod, and a support portion provided with the hinge shaft.
실시예에서, 상기 노즐부는 상기 힌지 로드의 양단부에 각각 분사노즐이 구비되고, 상기 노즐부는 상기 힌지 로드가 회전함에 따라 하나의 분사노즐이 상기 기판 상부에 위치하고, 나머지 하나의 분사노즐은 기판 외측에 위치하게 된다In one embodiment, the nozzle portion is provided with injection nozzles at both ends of the hinge rod, the nozzle portion is one injection nozzle is located on the substrate as the hinge rod rotates, the other injection nozzle is outside the substrate Will be located
실시예에서, 상기 힌지 로드는 하나의 분사노즐이 상기 기판 상부에 배치되고 다른 하나의 분사노즐은 상기 기판 외측에 배치되도록 형성될 수 있다. 또는, 상기 매엽식 세정장치는 상기 기판을 수용하여 세정 공정이 수용되는 챔버가 구비되고, 상기 힌지 로드는, 하나의 분사노즐이 상기 기판에 중앙에 배치되고 다른 하나의 분사노즐은 상기 챔버 외측에 배치되도록 형성될 수 있다.In an embodiment, the hinge rod may be formed such that one spray nozzle is disposed above the substrate and the other spray nozzle is disposed outside the substrate. Alternatively, the single wafer cleaning apparatus may include a chamber in which the cleaning process is accommodated by receiving the substrate, and the hinge rod may include one spray nozzle disposed at the center of the substrate and the other spray nozzle outside the chamber. It may be configured to be disposed.
실시예에서, 상기 분사노즐 각각에는 약액이 분사되는 적어도 하나 이상의 약액 노즐과 순수가 분사되는 적어도 하나 이상의 순수노즐이 구비된다.In an embodiment, each of the injection nozzles is provided with at least one or more chemical liquid nozzles for spraying the chemical liquid and at least one or more pure nozzles for spraying pure water.
실시예에서, 상기 노즐부는 상기 기판 표면에서 상하 방향으로 승강 가능하도록 구비된다. 예를 들어, 상기 노즐부는 상기 기판 표면과 일정 거리를 유지하도록 상기 기판의 승강에 대응되어 상기 노즐부가 승강한다.In an embodiment, the nozzle portion is provided to be capable of lifting up and down on the substrate surface. For example, the nozzle part is raised and lowered corresponding to the lifting and lowering of the substrate so as to maintain a predetermined distance from the surface of the substrate.
실시예에서, 상기 지지부 내부에는 세정액을 공급하기 위한 복수의 공급라인이 구비된다.In an embodiment, the support part is provided with a plurality of supply lines for supplying a cleaning liquid.
본 발명에 따르면, 첫째, 분사노즐이 힌지 로드의 양단부에 구비되어 기판 상부에서 고정된 축을 기준으로 회전함으로써 기판 상부에 위치하게 되므로, 분사노즐에서의 약액 떨어짐 현상을 방지할 수 있다.According to the present invention, first, since the injection nozzles are provided at both ends of the hinge rod and are positioned on the substrate by rotating about an axis fixed at the upper part of the substrate, the chemical liquid drop from the injection nozzle can be prevented.
둘째, 하나의 분사노즐 내에 약액 노즐과 순수 노즐이 동시에 구비되어, 약액 분사 후 순수가 분사되므로, 약액 떨어짐에 의해 기판에 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Second, since the chemical liquid nozzle and the pure water nozzle are provided at the same time in one spray nozzle, pure water is injected after the chemical liquid is sprayed, so that staining of the substrate may be prevented by falling of the chemical liquid.
셋째, 복수의 분사노즐이 하나의 구동부에 의해 구동되므로 구동부의 수를 줄일 수 있고, 구조를 단순화할 수 있다.Third, since the plurality of injection nozzles are driven by one driving unit, the number of driving units can be reduced, and the structure can be simplified.
또한, 복수의 분사노즐을 각각 동작 시키는 경우에 비해 복수의 분사노즐 사이에서 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, it is possible to prevent the interference between the plurality of injection nozzles as compared with the case of operating each of the plurality of injection nozzles.
첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.Although the preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited or restricted by the embodiments.
도 1과 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치타입 매엽식 세정장치를 설명하기 위한 측단면도들이다. 도 3은 도 1 또는 도 2의 가이드 유닛(120)을 설명하기 위한 측면도이고, 도 4는 도 3의 가이드 유닛의 동작을 설명하기 위한 모식도이다.1 and 2 are side cross-sectional views for explaining a batch type single sheet cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a side view for explaining the guide unit 120 of FIG. 1 or 2, and FIG. 4 is a schematic view for explaining the operation of the guide unit of FIG. 3.
이하에서는, 도 1 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 세정장치 및 노즐 어셈블리에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to Figures 1 to 4 will be described in detail with a single wafer cleaning apparatus and a nozzle assembly according to an embodiment of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하면, 매엽식 세정장치(100)는 챔버(110), 스핀척(120), 노즐 어셈블리(130)를 구비한다.1 and 2, the sheet cleaning apparatus 100 includes a chamber 110, a spin chuck 120, and a nozzle assembly 130.
상기 챔버(110)는 기판(W)에 대한 세정 공정이 진행되는 동안 상기 기판(W) 상으로 제공되는 세정액의 비산을 방지하고, 세정액을 회수하는 역할을 한다. 예를 들어, 상기 챔버(110)는 상기 스핀척(120) 둘레를 둘러싸도록 보울(bowl) 형태를 갖고, 상기 기판(W)의 출입이 가능하도록 상부가 개방되게 형성된다.The chamber 110 serves to prevent scattering of the cleaning liquid provided on the substrate W and to recover the cleaning liquid during the cleaning process for the substrate W. For example, the chamber 110 may have a bowl shape to surround the spin chuck 120, and the upper portion of the chamber 110 may be opened to allow the substrate W to enter and exit.
여기서, 상기 기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 기판(W)은 LCD, PDP와 같은 평판 디스플레이 장치용 유리기판일 수 있다. 또한, 상기 기판(W)은 형상 및 크기가 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다. 상기 기판(W)에 형상 및 크기에 따라 상기 챔버 및 상기 스핀척(120)의 크기와 형상 역시 변경될 수 있다.Here, the substrate W may be a silicon wafer to be a semiconductor substrate. However, the present invention is not limited thereto, and the substrate W may be a glass substrate for a flat panel display device such as an LCD and a PDP. In addition, the substrate W is not limited in shape and size by drawing, and may have substantially various shapes and sizes, such as circular and rectangular plates. The size and shape of the chamber and the spin chuck 120 may also be changed according to the shape and size of the substrate W.
상기 스핀척(120)은 상기 기판(W)을 고정시킨 상태에서 회전 가능하도록 상기 챔버(110) 내에 구비된다.The spin chuck 120 is provided in the chamber 110 to be rotatable in a state where the substrate W is fixed.
상세하게는, 상기 스핀척(120)은 상기 기판(W)에 대응되는 원형 플레이트 형태를 갖고, 상기 스핀척(120) 상면에는 상기 기판(W)이 안착되고, 고정시킬 수 있는 척핀(121)이 구비된다.In detail, the spin chuck 120 has a circular plate shape corresponding to the substrate W, and the substrate W is seated and fixed on an upper surface of the spin chuck 120. Is provided.
상기 척핀(121)은 상기 기판(W)이 스핀척(120)의 상면으로부터 소정의 간격으로 떨어져 지지될 수 있도록 상기 스핀척(120) 상면에서 소정 높이로 돌출 구비된다.The chuck pin 121 protrudes from the upper surface of the spin chuck 120 at a predetermined height so that the substrate W is supported apart from the upper surface of the spin chuck 120 at a predetermined interval.
또한, 상기 척핀(121)은 상기 기판(W)을 안정적으로 지지할 수 있도록 배치된다. 예를 들어, 상기 척핀(121)은 상기 스핀척(120)에서 상기 기판(W)의 에지부에 대응되는 원주 상에 배치된다. 또한, 상기 척핀(121)은 상기 기판(W)을 안정적으로 지지할 수 있도록 적어도 3개 이상 구비된다.In addition, the chuck pin 121 is disposed to stably support the substrate (W). For example, the chuck pin 121 is disposed on a circumference corresponding to an edge portion of the substrate W in the spin chuck 120. In addition, at least three chuck pins 121 may be provided to stably support the substrate W.
상기 노즐 어셈블리(130)는 상기 기판(W) 상부에 배치되어, 상기 기판(W) 상면으로 세정액을 분사한다. 특히, 상기 노즐 어셈블리(130)는 2개의 노즐부(131)가 구비되되, 회전에 의해 상기 노즐부(131)가 교대로 상기 기판(W)의 중심에 위치하도록 회전 가능하게 구비된다.The nozzle assembly 130 is disposed above the substrate W, and sprays a cleaning liquid onto the upper surface of the substrate W. In particular, the nozzle assembly 130 is provided with two nozzle parts 131, and the nozzle part 131 is rotatably provided so that the nozzle part 131 is alternately positioned at the center of the substrate W by rotation.
상세하게는, 상기 노즐 어셈블리(130)는 노즐부(131), 힌지 로드(133), 힌지축(134) 및 지지부(135)를 포함한다. 그리고, 상기 노즐부(131)로 세정액을 공급하는 세정액 공급부(150)와 상기 노즐부(131)의 구동을 위한 구동부(140)를 포함한 다.In detail, the nozzle assembly 130 includes a nozzle unit 131, a hinge rod 133, a hinge shaft 134, and a support unit 135. The cleaning solution supply unit 150 supplies a cleaning solution to the nozzle unit 131, and a driving unit 140 for driving the nozzle unit 131.
상기 지지부(135)는 상기 챔버(110) 외부에 구비되고, 상기 노즐부(131)가 상기 기판(W) 상부에 위치할 수 있도록 형성된다.The support part 135 is provided outside the chamber 110, and the nozzle part 131 is formed to be positioned above the substrate W.
여기서, 상기 지지부(135) 하부에는 상기 세정액 공급부(150)가 구비되고, 상기 지지부(135) 내부에는 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 세정액 공급부(150)에서 상기 노즐부(131)로 세정액을 공급하는 세정액 라인(151)이 구비될 수 있다. 또한, 상기 지지부(135) 하부에는 상기 구동부(140)가 구비되고, 상기 지지부(135)는 상기 노즐부(131)와 상기 구동부(140)를 전기적으로 연결시키는 통로가 될 수 있다.Here, the cleaning solution supply unit 150 is provided below the support unit 135, and as shown in FIG. 4 inside the support unit 135, cleaning solution is supplied from the cleaning solution supply unit 150 to the nozzle unit 131. The cleaning solution line 151 may be provided. In addition, the driving unit 140 may be provided below the support unit 135, and the support unit 135 may be a passage for electrically connecting the nozzle unit 131 and the driving unit 140.
상기 지지부(135)의 일 단부에는 상기 노즐부(131)가 구비된다. 여기서, 상기 노즐부(131)는 복수의 분사노즐(131a, 131b)이 구비되고, 회전에 의해 상기 분사노즐(131a, 131b)들이 상기 기판(W) 상부에 교대로 위치하도록 형성된다.One end of the support part 135 is provided with the nozzle part 131. Here, the nozzle unit 131 is provided with a plurality of injection nozzles 131a and 131b, and are formed such that the injection nozzles 131a and 131b are alternately positioned on the substrate W by rotation.
예를 들어, 소정 길이의 로드 형태를 갖고 상기 기판(W)에 대해 수평 방향으로 구비되는 힌지 로드(133)가 구비되고, 상기 노즐부(131)는 상기 힌지 로드(133)의 양 단부에 2 개의 분사노즐(131a, 131b)이 구비되어 형성된다. 또한, 상기 지지부(135)는 상기 힌지 로드(133)를 상기 지지부(135)에 고정시키고 상기 힌지 로드(133)의 회전축이 되는 상기 힌지축(134)이 구비된다. 상기 힌지축(134) 및 지지부(133)는 상기 힌지 로드(133)를 수평 상태로 지지하고, 상기 힌지 로드(133)의 중앙을 기준으로 회전하여 상기 노즐부(131)가 교대로 상기 기판(W) 상부에 배치되도록 회전시키기 위해서, 상기 힌지 로드(133)의 중앙 부분에 상기 힌지축(134)이 구비된다.For example, a hinge rod 133 having a rod shape having a predetermined length and provided in a horizontal direction with respect to the substrate W is provided, and the nozzle part 131 is provided at both ends of the hinge rod 133. Two injection nozzles 131a and 131b are provided. In addition, the support 135 is provided with the hinge shaft 134 to fix the hinge rod 133 to the support 135 and to become a rotation axis of the hinge rod 133. The hinge shaft 134 and the support part 133 support the hinge rod 133 in a horizontal state and rotate about the center of the hinge rod 133 so that the nozzle part 131 alternately rotates the substrate ( W) The hinge shaft 134 is provided at the central portion of the hinge rod 133 to rotate to be disposed above.
즉, 상기 노즐 어셈블리(130)는 상기 기판(W)의 소정 높이 상부에서 상기 힌지 로드(133)가 상기 힌지축(134)을 중심으로 회전함에 따라 상기 각 분사노즐(131a, 131b)이 상기 기판(W) 상부에 교대로 위치하게 된다. 예를 들어, 상기 노즐부(131)는 제1 분사노즐(131a)이 상기 기판(W) 상부에 배치되고, 이 상태에서 180° 회전하여 제2 분사노즐(131b)이 상기 기판(W) 상부에 배치된다.That is, the nozzle assembly 130 has the respective spray nozzles 131a and 131b being rotated about the hinge shaft 134 as the hinge rod 133 rotates above a predetermined height of the substrate W. (W) alternately located on top. For example, in the nozzle unit 131, a first spray nozzle 131a is disposed on the substrate W, and in this state, the first spray nozzle 131a is rotated 180 ° so that the second spray nozzle 131b is on the substrate W. Is placed on.
여기서, 상기 노즐부(131)는 상기 분사노즐(131a, 131b)이 상기 기판(W) 중심부에 위치하도록 형성된다.Here, the nozzle unit 131 is formed such that the injection nozzles 131a and 131b are located at the center of the substrate W.
또한, 상기 힌지 로드(133)는 하나의 분사노즐(131a, 131b)이 상기 기판(W) 상부에 배치되었을 때, 나머지 다른 하나의 분사노즐(131a, 131b)은 상기 기판(W) 외측에 위치하도록 소정의 길이를 갖는다. 특히, 상기 힌지 로드(133)는 상기 제1 분사노즐(131a)이 상기 기판(W) 중심 상부에 배치되었을 때, 상기 제2 분사노즐(131b)이 상기 챔버(110) 외측에 위치하도록 형성된다.In addition, when the hinge rod 133 has one jet nozzle 131a, 131b disposed on the substrate W, the other jet nozzles 131a, 131b are positioned outside the substrate W. To have a predetermined length. In particular, the hinge rod 133 is formed such that the second injection nozzle 131b is located outside the chamber 110 when the first injection nozzle 131a is disposed above the center of the substrate W. .
한편, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 스핀척(120)은 세정 공정이 수행됨에 따라 상기 챔버(110) 내부에서 상하 방향으로 승강 이동하게 된다. 예를 들어, 상기 챔버(110) 내부에는 약액을 회수하는 회수부가 3단으로 형성되고, 상기 스핀척(120)은 상기 챔버(110)의 회수부 높이에 맞는 각각의 위치로 이동하여 세정 공정이 수행된다.On the other hand, as shown in Figure 3, the spin chuck 120 is moved up and down in the chamber 110 as the cleaning process is performed. For example, the recovery unit for recovering the chemical liquid is formed in three stages inside the chamber 110, and the spin chuck 120 is moved to each position corresponding to the height of the recovery unit of the chamber 110 to perform a cleaning process. Is performed.
그리고, 상기 노즐 어셈블리(130)는 상기 스핀척(120) 및 상기 기판(W)의 승강 이동에 따라 상하 방향으로 승강 이동하도록 형성된다. 예를 들어, 상기 노즐 어셈블리(130)는 상기 노즐부(131)와 상기 기판(W) 사이의 거리가 일정한 거리를 유지시킬 수 있도록 상기 스핀척(120)의 승강 높이에 대응되게 승강 이동하게 된다. 여기서, 상기 구동부(140)는 상기 노즐부(131)의 회전을 위한 회전 구동부(141)와 승강 이동을 위한 승강 구동부(142)가 구비된다.In addition, the nozzle assembly 130 is formed to move up and down in accordance with the lifting movement of the spin chuck 120 and the substrate (W). For example, the nozzle assembly 130 moves up and down corresponding to the lifting height of the spin chuck 120 so that the distance between the nozzle unit 131 and the substrate W can be maintained at a constant distance. . Here, the driving unit 140 is provided with a rotation driving unit 141 for the rotation of the nozzle unit 131 and the lifting drive unit 142 for the lifting movement.
그러나, 상기 노즐부(131)는 상기 챔버(110)의 소정 높이 상부에 고정 설치되는 것도 가능할 것이다. 이 경우, 상기 구동부(140)는 상기 노즐부(131)의 회전을 위한 회전 구동부(141)만 구비된다.However, the nozzle unit 131 may be fixedly installed above a predetermined height of the chamber 110. In this case, the driving unit 140 is provided with only the rotation driving unit 141 for the rotation of the nozzle unit 131.
한편, 상기 세정액은 상기 기판(W)의 종류와 제거하고자 하는 물질의 종류에 따라 결정되는 약액과 순수 또는 상기 순수와 약액들이 일정 비율로 혼합된 혼합액을 포함한다. 그리고, 액체 상태는 아니지만 상기 기판(W)의 세정 공정에서 사용되는 퍼지가스를 포함할 수 있다.On the other hand, the cleaning liquid includes a chemical liquid and pure water or a mixed liquid of the pure water and the chemical liquid is determined according to the type of the substrate (W) and the material to be removed at a predetermined ratio. And, although not in a liquid state may include a purge gas used in the cleaning process of the substrate (W).
예를 들어, 상기 노즐부(131)는 2 종류의 약액과 순수를 상기 기판으로 제공한다. 그리고, 상기 제1 분사노즐(131a)과 상기 제2 분사노즐(131b)은 서로 다른 종류의 약액을 분사하도록 형성된다. 물론, 상기 제1 분사노즐(131a)과 상기 제2 분사노즐(131b)은 서로 동일한 종류의 약액을 분사하도록 형성되는 것도 가능할 것이다.For example, the nozzle unit 131 provides two kinds of chemical liquid and pure water to the substrate. The first injection nozzle 131a and the second injection nozzle 131b are formed to spray different kinds of chemical liquids. Of course, the first injection nozzle 131a and the second injection nozzle 131b may be formed to spray the same kind of chemical liquid.
상기 분사노즐(131a, 131b)에는 약액이 분사되는 제1약액 노즐(311)과 제2 약액 노즐(313)과 순수가 분사되는 제1 순수 노즐(312)과 제2 순수 노즐(314)이 구비된다. 즉, 상기 제1 분사노즐(131a)에는 제1 약액 노즐(311)과 제1 순수 노즐(312)이 형성되고, 상기 제2 분사노즐(131b)에는 상기 제1 약액 노즐(311)과 다른 종류의 약액을 분사하는 제2 약액 노즐(313)과 제2 순수 노즐(314)이 형성된다. 그리고, 상기 지지부(135) 및 상기 힌지 로드(133)를 내부에는 상기 분사노즐(131a, 131b)로 약액 및 순수를 공급하는 상기 세정액 라인(151)이 구비된다. 예를 들어, 상기 세정액 라인(151)은 상기 제1 약액 노즐(311)로 약액을 공급하는 제1 약액 라인(511), 상기 제1 약액 라인(511)과 서로 다른 종류의 약액을 상기 제2 약액 노즐(313)로 공급하는 제2 약액 라인(512) 및 상기 제1 순수 노즐(312)와 상기 제2 순수 노즐(314)로 각각 순수를 공급하는 제3 순수 라인(513)과 제4 순수 라인(514)로 이루어진다.The injection nozzles 131a and 131b include a first chemical liquid nozzle 311 and a second chemical liquid nozzle 313 to which chemical liquid is injected, and a first pure nozzle 312 and a second pure nozzle 314 to which pure water is injected. do. That is, a first chemical nozzle 311 and a first pure nozzle 312 are formed in the first injection nozzle 131a, and a different type from the first chemical nozzle 311 in the second injection nozzle 131b. A second chemical liquid nozzle 313 and a second pure water nozzle 314 for ejecting the chemical liquid are formed. In addition, the support part 135 and the hinge rod 133 are provided with a cleaning liquid line 151 for supplying chemical liquid and pure water to the injection nozzles 131a and 131b. For example, the cleaning liquid line 151 may include a first chemical liquid line 511 for supplying a chemical liquid to the first chemical liquid nozzle 311, and different types of chemical liquids from the first chemical liquid line 511. The second chemical liquid line 512 to supply the chemical liquid nozzle 313 and the third pure water line 513 and the fourth pure water to supply pure water to the first pure water nozzle 312 and the second pure water nozzle 314, respectively. Line 514.
상기 분사노즐(131a, 131b)은 약액과 순수를 교대로 제공하게 된다. 즉, 상기 제1 분사노즐(131a)이 상기 기판(W) 상부에 배치되어, 상기 제1 약액 노즐(311)에서 약액이 분사된 후, 상기 제1 순수 노즐(312)에서 상기 기판(W)으로 순수가 분사된다. 그리고, 상기 노즐부(131)가 회전함에 따라 상기 제2 분사노즐(131b)이 상기 기판(W) 상부에 배치되고, 상기 제2 약액 노즐(313)에서 약액이 분사되고 상기 제2 순수 노즐(314)에서 순수가 분사된다. 따라서, 상기 노즐부(131)는 약액 분사에 후 순수가 분사된 후에 분사노즐(131a, 131b)이 이동하게 되므로, 상기 약액 노즐(311, 313)에 잔류하는 약액이 상기 기판(W) 상으로 떨어지더라도 분사된 순수에 의해 약액이 모두 제거되므로 상기 기판(W)에 약액 떨어짐으로 인한 얼룩이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 또한, 상기 노즐부(131)는 약액 분사에 후 순수가 분사되는 동안 소정의 시간이 경과하므로, 상기 노즐부(131)의 회전시 상기 약액 노즐(311, 313)에 잔류하는 약액이 상기 기판(W)으로 떨어지는 것을 방지할 수 있다.The injection nozzles 131a and 131b alternately provide a chemical liquid and pure water. That is, the first injection nozzle 131a is disposed on the substrate W, the chemical liquid is injected from the first chemical nozzle 311, and then the substrate W is discharged from the first pure nozzle 312. Pure water is sprayed on. As the nozzle unit 131 rotates, the second injection nozzle 131b is disposed on the substrate W, the chemical liquid is injected from the second chemical liquid nozzle 313, and the second pure nozzle ( Pure water is injected at 314. Therefore, since the spray nozzles 131a and 131b are moved after the pure water is injected into the nozzle unit 131 after the chemical liquid injection, the chemical liquid remaining in the chemical liquid nozzles 311 and 313 moves onto the substrate W. Even if it is dropped, since all the chemicals are removed by the injected pure water, it is possible to effectively prevent the occurrence of stains due to the chemicals falling on the substrate (W). In addition, since a predetermined time elapses after the pure water is injected into the nozzle unit 131 after spraying the chemical liquid, the chemical liquid remaining in the chemical nozzles 311 and 313 when the nozzle unit 131 rotates is transferred to the substrate ( W) can be prevented from falling.
그리고, 상기 노즐부(131)는 상기와 같이 약액과 순수에 의한 세정 공정이 완료되면 상기 제1 분사노즐(131a)과 상기 제2 분사노즐(131b)이 모두 상기 기판(W) 상부에서 벗어난 위치로 이동한다. 즉, 도 1에 도시한 바와 같이, 상기 노 즐부(131)는 하나의 노즐부(131)가 상기 기판(W) 중심에 위치한 상태에서 90° 회전함으로써, 상기 제1 분사노즐(131a)과 상기 제2 분사노즐(131b)이 상기 챔버(110) 외측에 위치하게 된다.In addition, the nozzle unit 131 is a position where both the first injection nozzle 131a and the second injection nozzle 131b deviate from the upper surface of the substrate W when the cleaning process by the chemical liquid and pure water is completed as described above. Go to. That is, as shown in FIG. 1, the nozzle part 131 is rotated by 90 ° while one nozzle part 131 is located at the center of the substrate W, thereby allowing the first injection nozzle 131a and the nozzle to be rotated. The second injection nozzle 131b is positioned outside the chamber 110.
비록 상술한 실시예에서는 바 형태의 힌지 로드 양측에 2개의 분사노즐이 구비된 것을 예로 들어 설명하였으나, 본 발명이 이에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 노즐 어셈블리는 지지부 일단에 구비된 힌지축을 중심으로 회전 가능하게 구비되고, 3개 또는 그 이상으로 분지된 로드 상에 분사노즐이 구비될 수 있을 것이다. 그러나, 이 경우, 하나의 분사노즐이 상기 기판 상부에 배치되었을 때 나머지 분사노즐들은 기판 외측에 배치되도록 형성되는 것이 바람직하다.Although the above-described embodiment has been described with an example in which two injection nozzles are provided at both sides of the bar-shaped hinge rod, the present invention is not limited or limited thereto. For example, the nozzle assembly may be rotatably provided around a hinge axis provided at one end of the support, and the injection nozzle may be provided on three or more branched rods. However, in this case, when one jet nozzle is disposed on the substrate, the other jet nozzles are preferably formed to be disposed outside the substrate.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, although described with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 세정장치를 설명하기 위한 사시도;1 is a perspective view for explaining a washing apparatus according to an embodiment of the present invention;
도 2는 도 1의 세정장치에서 노즐 어셈블리의 회전 동작을 설명하기 위한 종단면도;FIG. 2 is a longitudinal sectional view for explaining a rotation operation of the nozzle assembly in the cleaning device of FIG. 1; FIG.
도 3은 도 1의 세정장치에서 노즐 어셈블리의 승강 동작을 설명하기 위한 종단면도;3 is a longitudinal sectional view for explaining the lifting operation of the nozzle assembly in the cleaning device of FIG.
도 4는 도 1의 노즐 어셈블리의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of the nozzle assembly of FIG. 1.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100: 세정장치 110: 챔버100: cleaning device 110: chamber
120: 스핀척 121: 척핀120: spin chuck 121: chuck pin
130: 노즐 어셈블리 131: 노즐부130: nozzle assembly 131: nozzle unit
131a: 제1 분사노즐 131b: 제2 분사노즐131a: first injection nozzle 131b: second injection nozzle
133: 힌지 로드 134: 힌지축133: hinge rod 134: hinge axis
135: 지지부 140: 구동부135: support portion 140: drive portion
141: 회전 구동부 142: 승강 구동부141: rotary drive unit 142: lift drive unit
150: 세정액 공급부 151: 세정액 라인150: cleaning liquid supply unit 151: cleaning liquid line
311: 제1 약액 노즐 312: 제1 순수 노즐311: first chemical liquid nozzle 312: first pure nozzle
313: 제2 약액 노즐 314: 제2 순수 노즐313: second chemical liquid nozzle 314: second pure water nozzle
511, 512: 약액 라인 513, 514: 순수 라인511, 512: chemical line 513, 514: pure line

Claims (8)

  1. 기판으로 세정액을 분사하는 복수의 분사노즐을 구비하는 노즐부;A nozzle unit having a plurality of spray nozzles for spraying a cleaning liquid onto the substrate;
    상기 노즐부를 회전 가능하게 지지하고, 양단부에 각각 분사노즐이 구비된 힌지 로드;A hinge rod rotatably supporting the nozzle unit and having injection nozzles at both ends thereof;
    상기 힌지 로드의 중앙 부분에 연결되어 상기 힌지 로드를 수평 방향을 지지하고 상기 힌지 로드를 회전시키는 힌지축; 및A hinge shaft connected to a central portion of the hinge rod to support the hinge rod in a horizontal direction and to rotate the hinge rod; And
    상기 힌지축이 구비되는 지지부;A support part provided with the hinge shaft;
    를 포함하고,Including,
    상기 힌지 로드는, 하나의 분사노즐이 상기 기판 상부에 배치되고 다른 하나의 분사노즐은 상기 기판 외측에 배치되는 길이로 형성되고,The hinge rod has a length in which one spray nozzle is disposed on the substrate and the other spray nozzle is disposed outside the substrate.
    상기 힌지 로드가 회전함에 따라 상기 분사노즐이 상기 기판 상부에 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정장치용 노즐 어셈블리.The nozzle assembly of the single wafer cleaning apparatus, characterized in that the injection nozzle is alternately disposed on the substrate as the hinge rod rotates.
  2. 삭제delete
  3. 삭제delete
  4. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 기판을 수용하여 세정 공정이 수용되는 챔버가 구비되고,It is provided with a chamber that accommodates the substrate to accommodate the cleaning process,
    상기 힌지 로드는, 하나의 분사노즐이 상기 기판에 중앙에 배치되고 다른 하나의 분사노즐은 상기 챔버 외측에 배치되도록 형성된 것을 특징으로 하는 매엽식 세정장치용 노즐 어셈블리.The hinge rod is a nozzle assembly for a single wafer cleaning apparatus, characterized in that one injection nozzle is disposed in the center of the substrate and the other injection nozzle is disposed outside the chamber.
  5. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 분사노즐 각각에는 약액이 분사되는 적어도 하나 이상의 약액 노즐과 순수가 분사되는 적어도 하나 이상의 순수노즐이 구비된 것을 특징으로 하는 매엽식 세정장치용 노즐 어셈블리.The nozzle assembly of claim 1, wherein each of the injection nozzles is provided with at least one or more chemical liquid nozzles are sprayed with chemical liquid and at least one pure nozzle is sprayed with pure water.
  6. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 노즐부는 상기 기판 표면에서 상하 방향으로 승강 가능하도록 구비된 것을 특징으로 하는 매엽식 세정장치용 노즐 어셈블리.The nozzle assembly of claim 1, wherein the nozzle unit is provided to be capable of lifting up and down from the substrate surface.
  7. 제6항에 있어서,The method of claim 6,
    상기 노즐부는 상기 분사노즐과 상기 기판 표면이 일정 거리를 유지하도록 승강하는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정장치용 노즐 어셈블리.And the nozzle unit is raised and lowered to maintain a predetermined distance between the spray nozzle and the substrate surface.
  8. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 지지부 내부에는 세정액을 공급하기 위한 복수의 공급라인이 구비된 것을 특징으로 하는 매엽식 세정장치용 노즐 어셈블리.The nozzle assembly for a single leaf cleaning apparatus, characterized in that a plurality of supply lines for supplying a cleaning liquid inside the support portion.
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