KR100991265B1 - 금속의 아노다이징 처리용 직류 및 교류 중첩 정류장치 - Google Patents

금속의 아노다이징 처리용 직류 및 교류 중첩 정류장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 금속의 아노다이징 처리용 직류 및 교류 중첩 정류장치에 관한 것으로, 1차측에 R상, S상 및 T상의 교류전원이 인가되고, 2차측에 R상, S상 및 T상에 대응하여 정방향 및 역방향의 정류다이오드가 각각 병렬로 연결되며, 정방향 정류다이오드가 각각 연결된 +출력단과 역방향 정류다이오드가 각각 연결된 -출력단이 구비된 DC 트랜스포머; 1차측에 R상과 S상의 교류전원이 인가되고, 1차측에 부하용량으로 복수의 커패시터가 병렬로 연결된 AUTO 트랜스포머; 1차측에 R상과 상기 AUTO 트랜스포머의 복수 커패시터의 출력단에 연결되고, 2차측 양단에 병렬로 연결된 저항을 거쳐 2차측의 일단은 DC 트랜스포머의 -출력단과 연결되고, 타단은 -출력단으로 이루어진 AC 트랜스포머;를 포함하고, 상기 DC 트랜스포머와 AC 트랜스포머로부터 최종 인출된 +출력단과 -출력단을 통해 직류성분과 교류성분이 중첩되어 출력되도록 한 것이다. 본 발명은 도금 대상물인 알루미늄의 피막 두께 향상과 다양한 피막 색깔의 구현 및 내식성과 경도를 향상시킨 것이다.

Description

금속의 아노다이징 처리용 직류 및 교류 중첩 정류장치{Direct Current and Alternating Current Superposition Rectifier for Anodizing Treatment of Metal}
본 발명은 금속의 아노다이징 처리용 직류와 교류를 중첩하여 출력하는 정류장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속의 아노다이징 처리를 위하여 전해조에 직류와 교류가 중첩된 전류를 정류시켜 인가하는 금속의 아노다이징 처리용 직류 및 교류 중첩 정류장치에 관한 것이다.
일반적으로 아노다이징(Anodizing; 양극산화)은 금속이나 부품 등을 양극에 걸고 희석-산의 전해액에서 전해하면, 양극에서 발생하는 산소에 의해서 소지금속과 대단한 밀착력을 가진 산화피막(산화알루미늄: Al2O3)이 형성된다. 양극산화라고 하는 것은 양극(Anode)과 산화(Oxidizing)의 합성어(Ano-dizing)이다. 또한, 전기도금에서 금속부품을 음극에 걸고 도금하는 것과는 차이가 있다. 양극산화의 가장 대표적인 소재는 알루미늄(Al)이고, 그 외에 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 등의 금속소재에도 아노다이징 처리를 하고 있다. 최근에는 마그네슘과 티타늄 소재의 아노다이징 처리도 점차 그 용도가 늘어나는 추세이다.
알루미늄 소재의 표면에 산화피막을 처리하는 아노다이징(Anodizing on Aluminum Alloys)은 알루미늄을 양극에 서 전해하면 알루미늄 표면이 반은 침식이 되고, 반은 산화알루미늄 피막이 형성된다. 알루미늄 아노다이징(양극산화)은 다양한 전해(처리)액의 조성과 농도, 첨가제, 전해액의 온도, 전압, 전류 등에 따라 성질이 다른 피막을 형성시킬 수 있다.
상기 양극산화피막의 특성으로서, 피막은 치밀한 산화물로 내식성이 우수하고, 장식성 외관을 개선하며, 양극피막은 상당히 단단하여 내마모성이 우수하고, 도장 밀착력을 향상시키며, 본딩(Bonding) 성능을 개선하고, 윤활성을 향상시키며, 장식목적의 특유한 색상을 발휘하고, 도금의 전처리가 가능하며, 표면손상을 탐색할 수 있다.
특히 양극경질산화(Hard Anodizing)의 특징은 알루미늄의 합금특성에 의한 저온(또는 상온) 전해는 H2SO4용액에 저온 전해방법으로서 보통 양극산화 피막 보다는 내식성, 내마모성, 절연성이 있는 견고한 피막이며, 적어도 30㎛이상이면 경질이라 할 수 있다. 알루미늄 금속표면을 전기, 화학적 방법을 이용하여 알루미나 세라믹으로 변화시켜 주는 공법이다. 이 공법을 적용하게 되면 알루미늄 금속 자체가 산화되어 알루미나 세라믹으로 변화되며 알루미늄 표면의 성질을 철강보다 강하고 경질의 크롬도금보다 내마모성이 우수하다. 도금이나 도장(코팅)처럼 박리되지 않으며 변화된 알루미나 세라믹표면은 전기절연성(1,500V)이 뛰어나지만 내부는 전기가 잘 흐른다. 이러한 알루미늄 금속에 경질-아노다이징(Hard-Anodizing) 표면처리 공법을 이용한 첨단기술이 개발 및 적용되고 있다.
이와 같이 알루미늄 금속에 경질의 아노다이징을 처리하기 위하여 산성용액의 전해액이 담긴 전해조에 알루미늄 금속을 침지한 후에 일정 전압 및 전류를 흘려 금속표면에 산화막이 형성되도록 하는 데, 전해조에 가하는 전압 및 전류에 따라 산화피막의 두께가 달라진다.
따라서 종래에는 알루미늄 금속의 피막 두께를 높이기 위하여 낮은 전압 및 전류를 가하는 전해조에 알루미늄 금속을 침지시켜 일정 두께의 피막을 입힌 후에 상대적으로 높은 전압 및 전류를 가하는 전해조로 알루미늄 금속을 옮겨가면서 피막을 형성하였다. 즉 전압 및 전류가 상이한 복수의 전해조를 준비하고 여기에 알루미늄 금속을 순차적으로 해당하는 전해조에 침지시키면서 피막 두께를 늘려야 했다.
그러므로 알루미늄 금속의 피막 두께를 늘리기 위하여 많은 전해조 및 부가장치를 필요로 하였다. 또한, 금속의 피막 두께를 늘리기 위하여 소요시간이 길어질 뿐만 아니라 알루미늄 금속의 아노다이징 처리를 위한 인력 및 비용이 증가하는 문제가 있었다.
그리고 교류(AC)를 직류(DC)로 정류하는 정류기를 통해 전압 및 전류를 정류하여 인가하는 일반 전해조에서는 알루미늄 금속의 피막 두께는 대략 50㎛ 내외이다. 대부분 도금 대상물인 알루미늄의 재질에 따라 또는 알루미늄의 합금의 종류에 따라 피막 두께가 결정된다. 특히 알루미늄의 조성비가 낮을수록 피막의 두께는 더욱 얇아지거나 거의 형성되지 않는다. 또한, 한정된 피막의 두께에 의하여 내식성과 경도가 약한 문제가 있었다.
더욱이 피막의 두께에 따라 도금 대상물의 표면 피막의 색깔이 달라지는데, 피막 두께가 한정되면 다양한 색깔을 구현하는데 어려움이 따르는 문제도 있었다.
본 발명은 상기 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 직류와 교류를 중첩시켜 출력하는 정류기를 이용하여 전해조로부터 도금 대상물의 피막 두께를 향상과 내식성 및 경도를 향상시키고 다양한 색상의 구현하기 위한 것이 목적이다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위하여, 1차측에 R상, S상 및 T상의 교류전원이 인가되고, 2차측에 R상, S상 및 T상에 대응하여 정방향 및 역방향의 정류다이오드가 각각 병렬로 연결되며, 정방향 정류다이오드가 각각 연결된 +출력단과 역방향 정류다이오드가 각각 연결된 -출력단이 구비된 DC 트랜스포머; 1차측에 R상과 S상의 교류전원이 인가되고, 1차측에 부하용량으로 복수의 커패시터가 병렬로 연결된 AUTO 트랜스포머; 1차측에 R상과 상기 AUTO 트랜스포머의 복수 커패시터의 출력단에 연결되고, 2차측 양단에 병렬로 연결된 저항을 거쳐 2차측의 일단은 DC 트랜스포머의 -출력단과 연결되고, 타단은 -출력단으로 이루어진 AC 트랜스포머;를 포함하고, 상기 DC 트랜스포머와 AC 트랜스포머로부터 최종 인출된 +출력단과 -출력단을 통해 직류성분과 교류성분이 중첩되어 출력되는 금속의 아노다이징 직류 및 교류 중첩 정류장치를 제공한 것이 특징이다.
또한, 본 발명은, 상기 +출력단은 아노다이징을 위한 금속에 연결되고, -출력단은 아노다이징을 위한 전해조에 연결되는 것이 특징이다.
또한, 본 발명은, 상기 DC 트랜스포머의 1차측에 각각 전압제어용 SCR, 커패시터 및 저항이 연결된 것을 포함한다.
그리고 본 발명은, 아노다이징 금속의 소재에 따라 전압크기를 조절하여 아노다이징 피막의 두께와 색깔을 결정하고, 전해시간의 조절을 위한 타이머를 포함한다.
또한, 본 발명은, 상기 직류 및 교류 중첩 정류에 의한 금속의 아노다이징 피막 두께는 1미크론 부터 200미크론 까지인 것이 특징이다.
또한, 본 발명은 상기 아노다이징을 위한 전해액으로 유기산이 적용된 것이 특징이다.
본 발명은 상기 해결 수단에 의하여, 도금 대상물인 알루미늄의 피막 두께 향상과 다양한 피막 색깔의 구현 및 내식성과 경도를 향상시킨 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 금속의 아노다이징 처리용 직류 및 교류 중첩 정류장치를 나타낸 회로구성도이다.
도 2는 본 발명에 따른 금속의 아노다이징 처리용 직류 및 교류 중첩 정류장치로부터 일정 시간동안 제어된 전압의 출력을 나타낸 그래프이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 직류 및 교류 중첩 정류장치를 이용하여 도금 대상물을 아노다이징 처리한 시료의 비커스 경도를 시험한 결과를 나타낸 것이다.
이하, 본 발명에 따른 금속의 아노다이징 처리용 직류 및 교류 중첩 정류장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
본 발명은 알루미늄의 아노다이징 처리를 통해 도금의 피막 두께를 증대시키기 위하여 직류 및 교류를 중첩으로 출력하는 정류장치로서, 일정 크기로 정류된 직류전원과 일정 크기의 교류전원을 중첩시켜 출력하는 것이다.
도 1은 직류 및 교류가 중첩되어 출력되는 정류장치를 나타낸 회로도이다.
정류장치(10)에는 DC(Direct Current, 직류) 트랜스포머(Transformer)(T1)와, AC(Alternating Current, 교류) 트랜스포머(Transformer)(T2), 그리고 오토 트랜스포머(AUTO Transformer)(T3)가 병렬로 구성된다.
DC 트랜스포머(T1)의 1차측에는 R상, S상 및 T상으로 이루어진 3상의 전원이 연결된다. 1차측에는 대략 AC380V가 각 상으로 인가된다. 그리고 R상과 S상 및 T상은 병렬로 연결되어 있다. 각 상의 입력단에는 정방향과 역방향으로 연결된 한 쌍의 전압 제어용 소자, 즉 R상의 입력단에 SCR1과 SCR2가 병렬로 연결되고, S상의 입력단에는 SCR3과 SCR4가 병렬로 연결되며, T상의 입력단에는 SCR5와 SCR6이 병렬로 연결되어 있다. 그리고 한 쌍의 전압 제어용 소자와 병렬로 커패시터와 저항, 즉 C1과 R1, C2와 R2, C3과 R3이 직렬 연결되어 있다. 상기 전압 제어용 소자와 커패시터 및 저항의 구성은 인가되는 교류전원의 제어와 서지전압의 차단이 이루어진다.
그리고 DC 트랜스포머(T1)의 2차측의 각 단자에는 정류용 소자로서 정방향과 역방향으로 연결된 한 쌍의 다이오드가 연결되어 있다. 즉 1차측의 R상에 대응하는 2차측에는 D1과 D2가 연결되고, 1차측의 S상에 대응하는 2차측에는 D3과 D4가 연결되며, 1차측의 T상에 대응하는 2차측에는 D5와 D6이 연결되어 있다. 상기 정류용 소자인 D1과 D3 및 D5는 +직류전원을 출력하는 +출력단에 병렬로 연결되고, D2와 D4 및 D6은 -직류전원을 출력하는 -출력단에 병렬로 연결된다. 그리고 D1과 D6 사이에는 커패시터(C4)와 저항(R4)이 병렬로 연결된다.
상기 DC 트랜스포머(T1)의 R상, S상 및 T상이 1차측에 각각 연결되고, 2차측에는 1차측에 대응하여 각각의 정류소자를 거쳐 직류전원은 출력하도록 연결 구성한 것은 3상의 교류전원을 편향되지 않게 사용함으로써 고른 전력의 사용으로 전력 비용을 절감하기 위한 것이다.
또한, AUTO 트랜스포머(T3)는 DC 트랜스포머(T1)와 병렬로 연결된 것으로, 1차측에 R상과 S상의 교류전원이 인가되고, 1차측에 부하용량으로 복수의 커패시터(C5-C12)가 병렬로 연결된 것이다. 1차측에는 대략 AC380V가 R상과 S상으로 인가된다.
AUTO 트랜스포머(T3)는 특수한 형태의 변압기로서 1차코일과 2차코일의 일부분이 분로코일로 공통 연결된 강압용이 적용된 것이다. AUTO 트랜스포머(T3)는 2차측의 분로코일의 위치에 따라 다른 크기의 가변전압을 출력한다.
AC 트랜스포머(T2)는 1차측에 R상과 상기 AUTO 트랜스포머(T3)의 분로코일로 연결된 복수 커패시터(C5 내지 C12)의 출력단에 연결되고, 2차측 양단에는 저항(R5)이 병렬로 연결되며, 저항(R5)을 거쳐 2차측의 일단은 DC 트랜스포머(T1)의 -출력단에 연결되고, 타단은 -출력단으로 이루어져 있다.
상기 DC 트랜스포머(T1)의 2차측으로 강압 및 정류된 DC50V가 출력되고, AC 트랜스포머(T2)의 2차측으로 강압 및 정류된 DC25V가 출력된다. 이는 출력단으로 출력되는 전압 및 전류의 크기에 따라 달라질 수 있고, 전압 제어용 소자의 전압 제어에 의하여 달라질 수 있다.
따라서 아노다이징 금속의 소재에 따라 전압크기를 조절하여 아노다이징 피막의 두께와 색깔을 결정하게 된다.
그리고 전해시간의 조절을 위한 타이머를 정류기의 앞단이나 후단에 연결할 수 있다. 이는 도 2의 그래프에서, 40초 동안 10V의 전압이 출력되도록 하고, 다시 20초 동안 20V의 전압이 출력되도록 하며, 다시 30초 동안 30V의 전압이 출력되도록 하여 도금 대상물의 피막 두께를 향상시킬 수 있다. 이는 피막의 두께에 따라 도금되는 피막의 색깔이 변하므로 시간 및 전압의 조절로 원하는 피막의 두께 및 색깔을 제어할 수 있을 것이다. 그러므로 해당 전압에 대응하는 도금시간을 수동으로 선택하거나 자동으로 선택할 수 있도록 제어를 위한 설계가 가능할 것이다.
본 발명의 정류장치의 +출력단과 -출력단을 통해 전파 정류되어 출력되는 직류전압의 펄스에는 리플(Ripple) 전압이 포함되어 있다. 리플 전압은 교류성분으로 직류전압에 포함된 것이다. 따라서 일정 크기의 직류전압에 포함된 리플 전압이 +출력단과 -출력단으로부터 출력되어 전해조의 알루미늄의 피막 두께의 증대와 내식성 및 강성을 향상시킨다.
상기 금속의 아노다이징을 위한 전해액으로 황산 등의 유기산이 적용된다. 상기 직류 및 교류 중첩 정류장치에 의한 금속의 아노다이징 피막 두께는 대략 1미크론 부터 200미크론(㎛) 까지로 형성된다.
더욱이 본 발명의 정류장치는 알루미늄이 90% 이하로 합금된 저질 알루미늄에도 피막을 형성시킬 수 있는 장점이 있다.
한편, 도 3a는 직류와 교류가 중첩 출력되는 정류장치로 알루미늄 피막 다이캐스팅의 3개 시료(A, B, C)에 대한 한국생활환경시험연구원에서 비커스 경도(Vickers Hardness)를 시험한 결과이다. 시험결과 시료 A는 비커스 경도 321 HV 0.3이고, 시료 B는 비커스 경도 301 HV 0.3이며, 시료 C는 비커스 경도 309 HV 0.3로 나타났다. 그리고 도 3b는 알루미늄 피막 고데기 시료에 대한 비커스 경도를 시험한 결과이다. 시험결과 시료는 비커스 경도 411 HV 0.3로 나타났다.
이와 같이 본 발명에 따른 금속의 아노다이징 처리용 직류 및 교류 중첩 정류장치는 +출력단은 아노다이징을 위한 도금 대상물인 알루미늄에 연결되고, -출력단은 아노다이징을 위한 전해조에 연결되어 원하는 피막의 두께를 조절할 수 있게 된다.
이상의 설명에서 본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.
10: 정류장치 SCR1-SCR6: 전압 제어용 소자
C1-C12: 커패시터 R1-R5: 저항
D1-D6: 다이오드 T1: DC 트랜스포머
T2: AC 트랜스포머 T3: AUTO 트랜스포머

Claims (6)

1차측에 R상, S상 및 T상의 교류전원이 인가되고, 2차측에 R상, S상 및 T상에 대응하여 정방향 및 역방향의 정류다이오드가 각각 병렬로 연결되며, 정방향 정류다이오드가 각각 연결된 +출력단과 역방향 정류다이오드가 각각 연결된 -출력단이 구비된 DC 트랜스포머;
1차측에 R상과 S상의 교류전원이 인가되고, 1차측에 부하용량으로 복수의 커패시터가 병렬로 연결된 AUTO 트랜스포머;
1차측에 R상과 상기 AUTO 트랜스포머의 복수 커패시터의 출력단에 연결되고, 2차측 양단에 병렬로 연결된 저항을 거쳐 2차측의 일단은 DC 트랜스포머의 -출력단과 연결되고, 타단은 -출력단으로 이루어진 AC 트랜스포머;를 포함하고,
상기 DC 트랜스포머와 AC 트랜스포머로부터 최종 인출된 +출력단과 -출력단을 통해 직류성분과 교류성분이 중첩되어 출력되는 금속의 아노다이징 직류 및 교류 중첩 정류장치.
제1항에 있어서, 상기 +출력단은 아노다이징을 위한 금속에 연결되고, -출력단은 아노다이징을 위한 전해조에 연결되는 금속의 아노다이징 직류 및 교류 중첩 정류장치.
제1항에 있어서, 상기 DC 트랜스포머의 1차측에 각각 전압제어용 SCR, 커패시터 및 저항이 연결된 금속의 아노다이징 직류 및 교류 중첩 정류장치.
제1항에 있어서, 아노다이징 금속의 소재에 따라 전압크기를 조절하여 아노다이징 피막의 두께와 색깔을 결정하고, 전해시간의 조절을 위한 타이머를 포함하는 금속의 아노다이징 직류 및 교류 중첩 정류장치.
제1항에 있어서, 상기 직류 및 교류 중첩 정류에 의한 금속의 아노다이징 피막 두께는 1미크론 부터 200미크론 까지인 금속의 아노다이징 직류 및 교류 중첩 정류장치.
제1항에 있어서, 상기 아노다이징을 위한 전해액으로 유기산이 적용된 금속의 아노다이징 직류 및 교류 중첩 정류장치.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101237059B1 (ko) * 2012-07-27 2013-02-26 권유진 직류-교류 중첩식 정류장치를 이용한 양극 산화피막처리방법
KR101347317B1 (ko) 2012-04-03 2014-01-02 태극아이비에이(주) 전기 중첩에 의한 수전해 수소 제조 장치
KR101633222B1 (ko) 2015-03-31 2016-06-23 지상중전기 주식회사 교류직류중첩법을 이용한 알루미늄 양극산화용 전원공급장치
KR101655134B1 (ko) * 2016-01-14 2016-09-07 주식회사 삼원알텍 금속의 아노다이징 피막처리 전용 직류 및 교류 중첩 정류장치
KR101752311B1 (ko) 2016-05-13 2017-06-29 (주)아이케이텍 전해 연속 아노다이징 자동화 시스템
KR101765873B1 (ko) 2015-06-11 2017-08-23 권도형 전류밀도조절기능과 dc전원(직류전원), 그리고 dc(직류)-ac(교류) 중첩전원을 겸비한 도금 및 양극산화피막처리용 정류장치와 이를 이용한 제조방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001211645A (ja) 2000-01-25 2001-08-03 Hitachi Ltd 直流電源装置
JP2005304197A (ja) 2004-04-13 2005-10-27 Idx Corp 陽極酸化用電源装置
US7046531B2 (en) 2001-07-11 2006-05-16 Squirrel Holdings Ltd. Transformerless static voltage inverter for battery systems
KR100828178B1 (ko) 2006-05-30 2008-05-08 한국전기연구원 직류전압 분할 구동형 직류전원 공급 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001211645A (ja) 2000-01-25 2001-08-03 Hitachi Ltd 直流電源装置
US7046531B2 (en) 2001-07-11 2006-05-16 Squirrel Holdings Ltd. Transformerless static voltage inverter for battery systems
JP2005304197A (ja) 2004-04-13 2005-10-27 Idx Corp 陽極酸化用電源装置
KR100828178B1 (ko) 2006-05-30 2008-05-08 한국전기연구원 직류전압 분할 구동형 직류전원 공급 장치

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101347317B1 (ko) 2012-04-03 2014-01-02 태극아이비에이(주) 전기 중첩에 의한 수전해 수소 제조 장치
KR101237059B1 (ko) * 2012-07-27 2013-02-26 권유진 직류-교류 중첩식 정류장치를 이용한 양극 산화피막처리방법
KR101633222B1 (ko) 2015-03-31 2016-06-23 지상중전기 주식회사 교류직류중첩법을 이용한 알루미늄 양극산화용 전원공급장치
KR101765873B1 (ko) 2015-06-11 2017-08-23 권도형 전류밀도조절기능과 dc전원(직류전원), 그리고 dc(직류)-ac(교류) 중첩전원을 겸비한 도금 및 양극산화피막처리용 정류장치와 이를 이용한 제조방법
KR101655134B1 (ko) * 2016-01-14 2016-09-07 주식회사 삼원알텍 금속의 아노다이징 피막처리 전용 직류 및 교류 중첩 정류장치
KR101752311B1 (ko) 2016-05-13 2017-06-29 (주)아이케이텍 전해 연속 아노다이징 자동화 시스템

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