KR100989220B1 - Vacuum processing apparatus, vacuum processing method and storage medium - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는 높은 정밀도로 압력 조정을 실행할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 그 내부에 있어서 피처리체에 대하여 진공 처리가 실행되는 처리 용기(20)에, 타단측이 진공 배기 수단(52)에 접속된 8개의 배기로(51)를 접속하고, 상기 8개의 배기로(51)중 4개의 배기로(51)에 대응해서, 처리 용기(20)내의 압력 검출값과 압력 설정값에 근거하여, 자동적으로 배기로(51)의 개방도가 제어되는 압력 제어 밸브(AV)를 마련하고, 이 압력 제어 밸브(AV)가 마련된 배기로(51) 이외의 배기로(51)에 대응해서, 배기로(51)의 개방도가 선택된 개방도로 고정되는 게이트 밸브(GV)를 마련한다.An object of the present invention is to provide a technique capable of performing pressure adjustment with high precision. Eight exhaust paths 51 connected at the other end to the vacuum exhaust means 52 are connected to the processing container 20 in which the vacuum processing is performed on the object to be processed, and the eight exhaust paths 51 Corresponding to the four exhaust passages 51 of the above, the pressure control valve AV is automatically controlled based on the pressure detection value and the pressure set value in the processing vessel 20. And a gate valve GV in which the opening degree of the exhaust passage 51 is fixed to the selected opening degree corresponding to the exhaust passage 51 other than the exhaust passage 51 in which the pressure control valve AV is provided. .
Description
본 발명은, 처리 용기내에 있어서, 예컨대 FPD(평판 디스플레이; flat-panel display) 기판 등의 피처리체 등에 대하여 소정의 진공 처리를 실행함에 있어서, 상기 처리 용기내의 압력 제어를 실행하는 기술에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for performing pressure control in a processing vessel in performing a predetermined vacuum process on a processing target, such as an FPD (flat-panel display) substrate, in a processing vessel.
LCD(액정 디스플레이) 기판 등의 FPD 기판의 제조 공정에 있어서는, 감압 분위기하에서 피처리체에 에칭 처리나, 성막 처리 등의 소정의 진공 처리를 실시하는 공정이 있다. 이들 공정을 실행하는 진공 처리 장치의 일례에 대해서, 상기 에칭 처리를 실행하는 장치를 예로 하여, 도 9에 근거하여 간단하게 설명하면, 도면중 1은 진공 챔버이고, 이 진공 챔버(1)의 내부에는, 피처리체 예컨대 FPD 기판(S)을 탑재하기 위한 탑재대(11)가 마련되는 동시에, 이 탑재대(11)에 대향하도록 플라즈마 발생용의 상부 전극을 구성하는 처리 가스 공급부(12)가 마련되어 있다. 그리고 처리 가스 공급부(12)로부터 진공 챔버(1)내에 처리 가스를 공급하고, 배기 로(13)를 거쳐서 진공 펌프(14)에 의해 진공 챔버(1)내를 진공 흡인하는 한편, 고주파 전원(15)으로부터 상기 처리 가스 공급부(12)에 고주파 전력을 인가함으로써, 기판(S)의 상방의 공간에 처리 가스의 플라즈마가 형성되고, 이로써 기판(S)에 대한 에칭 처리가 실행되도록 되어 있다.In the manufacturing process of FPD board | substrates, such as an LCD (liquid crystal display) board | substrate, there exists a process of giving predetermined vacuum processing, such as an etching process and a film-forming process, to a to-be-processed object in a reduced pressure atmosphere. An example of a vacuum processing apparatus that executes these steps will be described briefly based on FIG. 9 with reference to the apparatus for executing the above etching process as an example. In FIG. 1, a vacuum chamber is shown. The mounting table 11 for mounting the target object such as the FPD substrate S is provided at the same time, and the processing
그런데, 기판(S)의 대형화에 따라, 장치도 대형화하고 있어, 진공 챔버(1)내에 대유량의 처리 가스를 공급하면서, 예컨대 2㎩ 정도의 저압으로 처리를 행하는 프로세스 등을 실행할 경우에는, 큰 배기 능력이 요구된다. 이 때문에, 1개의 진공 챔버(1)에 다수의 배기 라인을 마련할 필요가 있고, 예컨대 도 10에 도시하는 바와 같이, 진공 챔버(1)의 바닥부에는, 진공 챔버(1)의 주위를 따라, 예컨대 6계통으로부터 8계통의 배기 라인이 마련되고, 각각의 배기로(13)에 진공 펌프(14)와 자동 압력 제어 밸브(APC 밸브; Automatic Pressure Controller Valve)(16)가 마련되어 있다. 이 APC 밸브(16)는, 진공 챔버(1)내의 압력을 검출하고, 이 검출값과 압력 설정값에 근거하여, 자동적으로 그 개방도를 제어하도록 구성된 밸브이다.By the way, with the increase of the size of the board | substrate S, the apparatus is also enlarged, when carrying out the process etc. which carry out a process with the low pressure of about 2 kPa while supplying the process gas of large flow volume into the vacuum chamber 1, Exhaust capacity is required. For this reason, it is necessary to provide many exhaust lines in one vacuum chamber 1, for example, as shown in FIG. 10, along the periphery of the vacuum chamber 1 in the bottom part of the vacuum chamber 1, as shown in FIG. For example, six to eight exhaust lines are provided, and each of the
그리고 전술한 에칭 처리 장치에서는, 소정의 프로세스를 실행함에 있어서, 상기 모든 진공 펌프(14)를 이용하여 진공 챔버(1)내가 배기되고, 이때에 각 APC 밸브(16)에 의해 배기로(13)의 컨덕턴스(conductance)가 제어되고, 이렇게 해서 진공 챔버(1)내의 압력이 소정의 압력으로 제어된다.In the etching processing apparatus described above, the inside of the vacuum chamber 1 is exhausted by using all the
그런데, 도 11에는 진공 챔버(1)내의 압력과 APC 밸브(16)의 개방도의 관계가 모식적으로 도시되어 있지만, 이렇게 압력 곡선은 급격하게 하강하고, 다음에 경사가 작고 완만하게 되어, 수평으로 접근하는 것 같은 곡선을 그린다. 여기서 곡선의 경사가 큰 압력 범위에서는 압력의 변화 정도에 대한 APC 밸브(16)의 개방도의 변화 정도가 작으므로, 밸브(16)의 분해능이 낮다. 한편, 곡선의 경사가 작은 압력 범위에서는 압력의 변화 정도에 대한 APC 밸브(16)의 개방도의 변화 정도가 크므로, 밸브(16)의 분해능이 높아진다. 이렇게 압력 범위에 따라, APC 밸브(16)의 분해능이 상이하지만, 분해능이 낮은 압력 범위에서는, 개방도의 미세한 조정을 실행하기 어렵기 때문에, 진공 챔버(1)의 압력 변동이 커져 버린다.By the way, in FIG. 11, although the relationship between the pressure in the vacuum chamber 1 and the opening degree of the
한편, 전술한 에칭 처리 장치에서는, 진공 챔버(1)내에 대유량의 처리 가스를 공급하면서 저압으로 처리를 실행하는 프로세스나, 대유량의 처리 가스를 공급하면서 고압으로 처리를 실행하는 프로세스, 소유량의 처리 가스를 공급하면서 저압으로 처리를 실행하는 프로세스나, 소유량의 처리 가스를 공급하면서 고압으로 처리를 실행하는 프로세스 등, 조건이 상이한 각종의 프로세스를 실행하는 것이 요구되고 있다. 그러나, 전술한 에칭 처리 장치와 같이 APC 밸브(16)만을 구비하는 구성에서는, 전술한 바와 같이, APC 밸브(16)의 분해능이 낮은 압력 범위가 존재하므로, 각종의 프로세스에 있어서, 고정밀도의 압력 제어를 실행하는 것은 곤란하여, 양호한 처리를 실행하는 것이 어렵게 되어 있다.On the other hand, in the above-mentioned etching processing apparatus, the process of performing a process at low pressure, supplying a large flow volume of processing gas into the vacuum chamber 1, the process of performing a process at high pressure, supplying a large flow rate of processing gas, It is required to perform various processes with different conditions, such as a process which performs a process at low pressure, supplying a process gas, and a process which performs a process at high pressure, supplying a process gas of a small quantity. However, in the configuration including only the
또, 상기 APC 밸브(16)는, 전술한 바와 같이 압력 검출값과 압력 설정값에 근거하여 자동적으로 개방도를 조정하는 구성에 있어서, 각각이 개방도를 조정하기 위한 콘트롤러를 구비하고 있어 고가이므로, 이러한 밸브(16)의 증가는 장치 비용의 앙등을 초래하는 요인의 하나가 되고 있다.Moreover, in the structure which adjusts opening degree automatically based on a pressure detection value and a pressure set value as mentioned above, the said
여기에서 본 발명자들은, 진공 챔버(1)에, 다계통의 배기 라인을 마련하는 구성에 있어서, 상기 APC 밸브와, 개방도가 몇 개소에 고정되는 반고정(半固定) 밸브를 조합하여 마련하는 구성에 대해서 검토하고 있다. 또한 본 발명자들은, 진공 챔버에 접속된 복수의 배기 라인에, APC 밸브와 반고정 밸브를 마련하는 구성에 대해서 선행 기술 문헌의 조사를 실행했지만, 기재해야 할 선행 기술 문헌은 발견되지 않았다.Here, the present inventors provide a combination of the APC valve and a semi-fixed valve in which the opening degree is fixed at several locations in the vacuum chamber 1 in the configuration of providing a multi-system exhaust line. The structure is examined. Further, the inventors of the present invention conducted an investigation of the prior art literature on the configuration of providing the APC valve and the semi-fixed valve in a plurality of exhaust lines connected to the vacuum chamber, but no prior art literature to be described was found.
본 발명은 이러한 사정하에서 이루어진 것으로서, 그 목적은 높은 정밀도로 압력 조정을 실행할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.This invention is made | formed under such circumstances, and the objective is to provide the technique which can perform pressure adjustment with high precision.
이를 위해 본 발명의 진공 처리 장치는, 그 내부에 있어서 피처리체에 대하여 진공 처리가 실행되는 처리 용기와, 이 처리 용기에 일단측이 접속되고, 상기 처리 용기의 내부를 진공 배기하기 위한 n(n은 2 이상의 정수)개의 배기로와, 이들 배기로의 타단측에 접속되는 진공 배기 수단과, 상기 처리 용기내의 압력을 검출하기 위한 압력 검출 수단과, 상기 n개의 배기로중 k(1≤k≤n-1)개의 배기로에 대응해서 마련되고, 배기로의 컨덕턴스를 선택된 값으로 고정하는 반고정 제어 수단과, 이 반고정 제어 수단이 마련된 배기로 이외의 배기로에 대응해서 마련되고, 상기 압력 검출 수단의 검출값과 압력 설정값에 근거하여, 자동적으로 배기로의 컨덕턴스를 제어하는 상시(常時) 가변 제어 수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.To this end, the vacuum processing apparatus of the present invention has a processing container in which a vacuum processing is performed on the object to be processed, and one end side thereof is connected to the processing container, and n (n) for evacuating the interior of the processing container is used. Is an integer of 2 or more), a vacuum exhaust means connected to the other end side of these exhaust passages, a pressure detecting means for detecting the pressure in the processing container, and k (1? K? and a semi-fixed control means for fixing n-1) exhaust passages to fix the conductance of the exhaust passage to a selected value, and corresponding to exhaust passages other than the exhaust passage provided with the semi-fixed control means. It is characterized by including the constant variable control means which automatically controls the conductance to an exhaust path based on the detection value of a detection means, and a pressure setting value.
또 본 발명은, 처리 용기의 상기 압력 설정값과, 상기 반고정 제어 수단의 설정 정보를 대응시켜서 기억한 기억부와, 지정된 압력 설정값에 따른 상기 설정 정보를 상기 기억부로부터 판독하여, 상기 반고정 제어 수단으로 제어 신호를 출력하는 수단을 구비하도록 구성해도 좋다. 여기서 상기 기억부는 상기 압력 설정값과 상기 설정 정보가 상기 반고정 제어 수단마다 대응시켜서 기억되도록 구성할 수 있다.Moreover, this invention is the memory | storage part which matched | stored the said pressure set value of the process container, the setting information of the said semi-fixed control means, and the said setting information according to the designated pressure set value were read from the said memory | storage part, and the said half You may comprise so that a means for outputting a control signal to a fixed control means may be provided. The storage section may be configured such that the pressure set value and the set information are stored in correspondence with each of the semi-fixed control means.
이때, 상기 반고정 제어 수단은 상기 배기로의 컨덕턴스를 최대와 최소중 어느 하나로 선택할 수 있도록 구성된 밸브를 포함하고, 상기 설정 정보는 상기 밸브의 개방도인 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 반고정 제어 수단은 상기 배기로의 컨덕턴스를 최대와, 최소와, 최대 및 최소 사이의 값중 어느 하나로 선택할 수 있도록 구성된 밸브를 포함하고, 상기 설정 정보는 상기 밸브의 개방도이도록 구성할 수도 있다.In this case, the semi-fixed control means includes a valve configured to select one of the maximum and the minimum conductance of the exhaust passage, wherein the setting information is an opening degree of the valve. The semi-fixed control means may also comprise a valve configured to select the conductance to the exhaust path to any one of a maximum, a minimum, and a value between a maximum and a minimum, and the setting information may be configured to be an opening degree of the valve. have.
또한, 본 발명의 진공 처리 방법은, n(n은 2 이상의 정수)개의 배기로를 거쳐서 진공 배기 수단에 접속된 처리 용기의 내부에서, 피처리체에 대하여 진공 처리를 실행하는 진공 처리 방법에 있어서, 상기 처리 용기 내부에 피처리체를 반입하는 공정과, 상기 n개의 배기로중 k(1≤k≤n-1)개의 배기로에 대응해서 마련되고, 배기로의 컨덕턴스를 선택된 값으로 고정하기 위한 반고정 제어 수단의 개방도를 소정 위치에 고정하는 공정과, 상기 반고정 제어 수단이 마련되는 배기로 이외의 배기로에 마련되고, 처리 용기내의 압력 검출값과 압력 설정값에 근거하여, 자동적으로 배기로의 컨덕턴스를 제어하기 위한 상시 가변 제어 수단에 의해, 상기 배기로의 컨덕턴스를 조정하면서, 그 내부에 피처리체가 유지된 처리 용기를 진공 배기하는 공정과, 진공 배기된 처리 용기의 내부에 있어서, 피처리체에 대하여 진공 처리를 실행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.Moreover, the vacuum processing method of this invention is a vacuum processing method which performs a vacuum process with respect to a to-be-processed object inside the processing container connected to the vacuum exhaust means via n (n is an integer of 2 or more) exhaust paths, A step of bringing the object to be processed into the processing container and corresponding to k (1 ≦ k ≦ n−1) exhaust paths of the n exhaust paths, and for fixing the conductance of the exhaust paths to a selected value; A step of fixing the opening degree of the fixed control means to a predetermined position and an exhaust path other than an exhaust path provided with the semi-fixed control means, and automatically exhausting the air based on the pressure detection value and the pressure set value in the processing container. A step of vacuum evacuating the processing vessel in which the object to be processed is held while adjusting the conductance of the exhaust path by means of the continuously variable control means for controlling the conductance of the furnace; In the interior of the container Lee, characterized in that with respect to the target object includes the step of running the vacuum treatment.
또한, 본 발명의 기억 매체는, 피처리체에 대하여 진공 처리가 실행되는 진공 처리 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체에 있어서, 상기 프 로그램은 상기 진공 처리 방법을 실행하도록 단계 그룹이 짜여 있는 것을 특징으로 한다.The storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program for use in a vacuum processing apparatus in which vacuum processing is performed on an object to be processed, wherein the program is arranged in a step group to execute the vacuum processing method. It is characterized by being.
본 발명에 의하면, 처리 용기에 접속된 복수의 배기로중 몇 개에 상시 가변 제어 수단을 마련하고, 나머지 배기로에 반고정 제어 수단을 마련하고 있으므로, 상시 가변 제어 수단만으로는 분해능이 낮은 압력 범위에 대해서 상시 가변 제어 수단의 분해능을 높일 수 있다. 이로써 고정밀도의 압력 제어를 실행할 수 있으므로, 양호한 처리를 실행할 수 있다. 또한, 상시 가변 제어 수단과 저렴한 반고정 제어 수단을 조합해서 마련하고 있으므로, 장치의 부품 비용을 낮게 억제할 수 있다.According to the present invention, since constant control means are provided in some of the plurality of exhaust passages connected to the processing container, and semi-fixed control means are provided in the remaining exhaust passages. The resolution of the always-variable control means can be increased. As a result, high-precision pressure control can be performed, and thus good processing can be performed. Moreover, since the variable control means and the fixed semi-fixed control means are provided in combination, the component cost of an apparatus can be kept low.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서, 피처리체, 예컨대 FPD 기판에 대하여 에칭 처리를 실행하기 위한 에칭 처리 장치에 본 발명의 진공 처리 장치를 적용한 경우를 예로 하여 설명한다. 도 1은 상기 에칭 처리 장치(2)의 종단 단면도이다. 이 에칭 처리 장치(2)는, 그 내부에 있어서 FPD 기판(S)에 대하여 에칭 처리를 실시하기 위한 접지된 처리 용기(20)를 구비하고, 이 처리 용기(20)는, 예컨대 평면형상이 사각형상으로 형성되고, 용기 본체(21)와 덮개(22)에 의해 구성되어 있다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described using the case where the vacuum processing apparatus of this invention is applied to the etching processing apparatus for performing an etching process with respect to a to-be-processed object, for example, an FPD board | substrate. 1 is a longitudinal cross-sectional view of the
상기 FPD 기판(S)은 각형(角形) 피처리체이며, 상기 처리 용기(20)는 예컨대 수평 단면의 1변이 3.5m, 다른 변이 3.0m 정도의 크기로 설정되고, 상기 용기 본체(21)와 덮개(22)는 예컨대 알루미늄(Al) 등의 열전도성이 양호한 재질에 의해 구성되어 있다. 도면중 도면부호(23)는 처리 용기(20)내에 피처리체를 반입하기 위한 반출입구이며, 도면부호(24)는 상기 반출입구(23)를 개폐하기 위한 셔터이다.The FPD substrate S is a rectangular object to be processed, and the
상기 용기 본체(21)의 내부에는, 기판(S)을 그 위에 탑재하기 위한 탑재대(3)가 배치되어 있다. 이 탑재대(3)는, 플라즈마 발생용의 고주파 전원부(31)에 전기적으로 접속되어 있고, 처리 용기(20)내에 플라즈마를 발생시키기 위한 하부 전극으로서 기능하고 있다. 이 탑재대(3)는 용기 본체(21)의 바닥면상에 절연 부재(32)를 거쳐서 배치되어 있고, 이로써 하부 전극은 처리 용기(20)로부터 전기적으로 뜬 상태로 마련되게 된다.Inside the container
한편, 처리 용기(20) 내부의 상기 탑재대(3)의 상방에는, 이 탑재대(3)의 표면과 대향하도록, 평판형상의 상부 전극(4)이 마련되어 있고, 이 상부 전극(4)은 각판형상(角板形狀)의 상부 전극 베이스(41)에 지지되어 있다. 이들 상부 전극(4) 및 상부 전극 베이스(41)는 예컨대 알루미늄에 의해 구성되어 있다. 또한, 상기 상부 전극 베이스(41)는 액자형상의 도전 부재(42)를 거쳐서 처리 용기(20)의 천장부로부터 매달린 상태로 지지되어 있고, 이로써 상부 전극(4)은 처리 용기(20)와 전기적으로 도통한 상태로 마련되는 동시에, 상부 전극 베이스(41), 도통 부재(42) 및 처리 용기(20)의 천장부에 의해 주위를 둘러싸고 있는 영역이 가스 공급 공간(43)으로서 구성되어 있다.On the other hand, above the mounting table 3 inside the
더욱이, 상부 전극(4)과 상부 전극 베이스(41) 사이에는, 상부 전극 베이 스(41)측에 횡방향으로 분산되어서 오목부가 형성되어 있고, 이 오목부에 의해 상부 전극(4)과 상부 전극 베이스(41) 사이에 처리 가스의 확산 공간(44)이 형성되고, 이 확산 공간(44)은 상부 전극 베이스(41)에 형성된 공급 구멍(45)에 의해 상기 가스 공급 공간(43)에 접속되어 있다. 또한, 처리 용기(20)의 천장부에는, 상기 가스 공급 공간(43)에 접속되도록 처리 가스 공급로(46)가 마련되어 있고, 이 처리 가스 공급로(46)의 타단측은 처리 가스 공급부(47)에 접속되어 있다.Furthermore, a recess is formed between the upper electrode 4 and the
이렇게 해서 처리 가스 공급부(47)로부터 가스 공급 공간(43)을 거쳐서 확산 공간(44)에 처리 가스가 공급되면, 그 처리 가스는 상부 전극(4)에 마련된 가스 공급 구멍(48)을 거쳐서 상기 기판(S)상의 처리 공간에 공급되고, 이로써 기판(S)에 대한 에칭 처리가 진행되도록 되어 있다.In this way, when the processing gas is supplied from the processing
한편, 용기 본체(21)의 바닥벽에는, n(n은 2 이상의 정수)개, 예컨대 6개 내지 8개의 배기로(51)가 접속되어 있고, 이 배기로(51)의 타단측에는, 각각 예컨대 진공 펌프로 이루어지는 진공 배기 수단(52)이 접속되어 있다. 이 배기로(51)는, 예컨대 용기 본체(21)의 바닥면에 있어서 용기 본체(21)의 둘레방향을 따라 마련되어 있고, 이 예에서는 용기 본체(21)의 사각형상의 바닥면에 있어서, 1개의 변에 대하여 2개의 배기로(51)가 마련되고, 이렇게 해서 처리 용기(20)의 바닥면에는, 전체적으로 8개의 배기로(51)가 접속되어 있다.On the other hand, n (n is an integer greater than or equal to 2), for example, 6-8
또한, 상기 n개의 배기로(51)중 k(1≤k≤n-1)개의 배기로(51)에는, 반고정 제어 수단을 구성하는 게이트 밸브(GV)가 배기로(51)에 대응해서 마련되고, 이 게이트 밸브(GV)가 마련된 배기로(51) 이외의 배기로(51)에는, 상시 가변 제어 수단 을 구성하는 자동 압력 제어 밸브(이하, 「APC 밸브; 압력 제어 밸브」라고 함)(AV)가 배기로(51)에 대응해서 마련되어 있다. 도 1에는, 복수의 게이트 밸브(GV), 압력 제어 밸브(AV)를 대표해서 각각 「게이트 밸브(GV)」, 「압력 제어 밸브(AV)」라고 하고 있다.Further, among the
이 예에서는, 예컨대 도 2에 도시하는 바와 같이, 8개의 배기로(51)중, 4개의 배기로(51)에 대응해서 압력 제어 밸브(AV1∼AV4)가 마련되고, 나머지 4개의 배기로(51)에 대응해서 게이트 밸브(GV1∼GV4)가 마련되어 있다. 이들 4개의 압력 제어 밸브(AV1∼AV4)와, 4개의 게이트 밸브(GV1∼GV4)는, 예컨대 처리 용기(20)의 사각형상의 바닥면에 있어서, 서로 대향하는 한쌍의 변에 접속된 배기로(51)에, 동일한 종류의 밸브가 마련되도록 장착되어 있다.In this example, for example, as shown in FIG. 2, pressure control valves AV1 to AV4 are provided corresponding to four
계속해서 압력 제어 밸브(AV1∼AV4)와 게이트 밸브(GV1∼GV4)를 포함한, 처리 용기(20)의 압력 제어에 관련되는 부분에 대해서 기술한다. 우선 처리 용기(20)에는, 처리 용기(20)내의 압력을 검출하기 위한 압력 검출 수단(66)이 예컨대 처리 용기(20)의 측벽부에 마련되어 있다. 또한, 이 압력 검출 수단(66)은 처리 용기(20)의 바닥벽에 마련되도록 해도 좋고, 처리 용기(20)의 측벽에 마련되도록 해도 좋다.Subsequently, a part related to the pressure control of the
계속해서 상기 압력 제어 밸브(AV)에 대해서 도 3을 이용하여 구체적으로 설명한다. 이 밸브(AV)는 예컨대 평면형상이 대략 타원형상인 중공의 밸브 박스(61)를 구비하고, 이 밸브 박스(61)의 상면과 하면에는, 각각 서로 대향하도록 상기 배기로(51)에 각각 접속되는 개구부(62a, 62b)가 형성되어 있다. 밸브 박스(61)의 내부에는, 예컨대 상기 개구부(62b)보다도 큰 원판형상의 밸브 데스크(63)가 구동 아암(64)에 의해 상기 하방측의 개구부(62b)를 완전 폐쇄하는 위치[도 4의 (c) 참조]와, 이 개구부(62b)의 측방향 위치[도 4의 (a) 참조] 사이에서 이동 가능하게 마련되어 있다. 도면중 도면부호(65)는 상기 구동 아암(64)의 구동 장치이다.Subsequently, the pressure control valve AV will be described in detail with reference to FIG. 3. The valve AV is provided with a
또한, 도면중 도면부호(67)는 압력 제어 밸브(AV)의 근방에 배치되는 콘트롤러이다. 이 콘트롤러(67)는, 상기 압력 검출 수단(66)의 검출값과, 후술하는 제어부(8)로부터 입력되는 처리 용기(20)의 처리 프로세스에 따른 압력 설정값의 편차에 근거하여, 구동 장치(65)의 구동을 제어하는 수단이다. 이렇게 해서 콘트롤러(67)에 의해 구동 장치(65)를 거쳐서 구동 아암(64)의 구동이 제어되어, 밸브 데스크(63)에 의해 덮이는 개구부(62b)의 면적을 조정함으로써, 해당 밸브(AV)의 개방도가 조정되고, 이 결과 이 압력 제어 밸브(AV)가 마련된 배기로(51)의 컨덕턴스가 조정되도록 되어 있다. 여기서 본 발명의 상시 가변 제어 수단은 압력 제어 밸브(AV) 및 콘트롤러(67)에 의해 구성되어 있다.In addition, the code |
또, 상기 게이트 밸브(GV)는, 그 개방도가 선택된 개방도로 고정되도록 구성되어 있다. 이 게이트 밸브(GV)는, 예컨대 도 5에 도시하는 바와 같이, 예컨대 평면형상이 사각형상인 중공의 밸브 박스(71)를 구비하고, 이 밸브 박스(71)의 상면과 하면에는, 각각 서로 대향하도록, 상기 배기로(51)에 각각 접속되는 개구부(72a, 72b)가 형성되어 있다. 밸브 박스(71)의 내부에는, 예컨대 상기 개구부(72b)보다도 큰 판형상의 밸브 데스크(73)가 구동 장치(75)에 의해 구동 아암(74)을 거쳐서 미리 결정된 복수 개소의 위치로 이동하도록 마련되어 있다.Moreover, the said gate valve GV is comprised so that the opening degree may be fixed to the selected opening degree. For example, as shown in FIG. 5, the gate valve GV includes a
이 예에서는, 밸브 데스크(73)는, 상기 하방측의 개구부(72b)에 인접하고, 상기 개구부(72b)가 완전 개구되는 완전 개방 위치[도 6의 (a) 참조]와, 이 개구부(62b)를 완전 덮는 완전 폐쇄 위치[도 6의 (c) 참조]와, 상기 완전 개방 위치 및 완전 폐쇄 위치 사이의 개방도(이하, 「절반 개방」이라 함)의 위치[도 6의 (b) 참조]의 3개소의 위치로 이동할 수 있도록 구성되어 있고, 이렇게 해서 이 게이트 밸브(GV)에서는, 그 개방도가 완전 개방과, 완전 폐쇄와, 절반 개방의 3개소의 위치에 선택적으로 고정되도록 구성되어 있다.In this example, the
여기서 게이트 밸브(GV)의 개방도를 완전 개방으로 하면, 배기로(51)의 컨덕턴스가 최대가 되고, 게이트 밸브(GV)의 개방도를 완전 폐쇄로 하면, 배기로(51)의 컨덕턴스가 최소가 되며, 게이트 밸브(GV)의 개방도를 절반 개방으로 하면, 배기로(51)의 컨덕턴스가 최대와 최소 사이의 값이 된다. 이때, 이 게이트 밸브(GV)의 개방도는 사전 실험에 의해 프로세스 압력 및 처리 가스 유량에 따라서 게이트 밸브(GV1∼GV4)마다 적절한 개방도가 결정되어 있어, 예컨대 후술하는 제어부(8)에 의해 처리 프로세스에 따라 그 개방도가 선택되고, 제어되도록 되어 있다.Here, when the opening degree of the gate valve GV is made fully open, the conductance of the
이러한 압력 제어 밸브(AV) 및 게이트 밸브(GV)는, 예컨대 8계통의 배기 라인을 마련할 경우에는, 압력 제어 밸브(AV)를 4개 정도로 설정하는 것이 바람직하고, 6계통의 배기 라인을 마련할 경우에는, 압력 제어 밸브(AV)를 4개 정도로 설정하는 것이 바람직하다. 또 압력 제어 밸브(AV)와 게이트 밸브(GV)를 마련하는 개소에 대해서는 적당히 선택할 수 있다.When the pressure control valve AV and the gate valve GV are provided with eight exhaust lines, for example, it is preferable to set four pressure control valves AV, and six exhaust lines are provided. In this case, it is preferable to set the pressure control valve AV to about four. Moreover, about the location which provides the pressure control valve AV and the gate valve GV, it can select suitably.
또한, 상기 에칭 처리 장치는 제어부(8)에 의해 제어되도록 구성되어 있다. 이 제어부(8)는 예컨대 컴퓨터로 이루어지고, 예컨대 도 2에 도시하는 바와 같이, CPU(81), 프로그램(82) 및 메모리를 구비하고 있다. 상기 프로그램(82)에는 제어부(8)로부터 에칭 처리 장치의 각 부에 제어 신호를 보내어, 소정의 에칭 처리를 진행시키도록 명령(각 단계)이 짜여져 있다. 이 프로그램(82)은 컴퓨터 기억 매체, 예컨대 플렉서블 디스크(flexible disk), 콤팩트 디스크(compact disk), 하드 디스크(hard disk), MO(광자기 디스크) 등의 기억부에 저장되어서 제어부(8)에 인스톨된다.In addition, the said etching process apparatus is comprised so that it may be controlled by the
더욱이, 이 제어부(8)는 레시피(recipe) 저장부(83)와 데이터 기억부(84)를 구비하고 있다. 상기 레시피 저장부(83)는 각종 처리 프로세스에 대응하는 프로세스 레시피를 저장하는 부위로서, 예컨대 처리 프로세스마다, 처리 가스의 종류나 처리 가스의 유량, 처리 용기(20)의 압력 설정값, 처리 온도 등이 기재되어 있다. 상기 데이터 기억부(84)에는, 처리 용기(20)의 압력 설정값과, 게이트 밸브(GV)의 개방도가 대응시켜서 기억되어 있다. 예컨대 도 2에 기재하는 바와 같이, 처리 가스 유량과 압력 설정값을 파라미터로 해서 압력 설정값(P1∼P2, P2∼P3, P3∼P4)마다, 게이트 밸브(GV1∼GV4)의 개방도가 각각의 게이트 밸브(GV1∼GV4)마다 대응시켜진 기재된 테이블이 작성되어 있다.Moreover, this
여기서 선택된 프로세스 레시피에 있어서, 처리 가스 유량의 차이가 그다지 크지 않을 경우에는, 파라미터로서 압력 설정값만을 이용하여, 압력 설정값에 대응해서 게이트 밸브(GV)의 개방도를 결정할 수 있지만, 처리 가스 유량의 차이가 큰 경우에는, 처리 가스 유량과 압력 설정값을 파라미터로 해서 이것들에 따라 게이트 밸브(GV)의 개방도를 결정하는 것이 바람직하다. 이렇게 처리 가스 유량을 게이트 밸브(GV)의 개방도를 결정하기 위한 파라미터로 할 것인지 여부에 대해서는, 프로세스 레시피에 따라 설정할 수 있다.In the process recipe selected here, when the difference in the processing gas flow rate is not so large, the opening degree of the gate valve GV can be determined according to the pressure setting value using only the pressure setting value as a parameter, but the processing gas flow rate When the difference is large, it is preferable to determine the opening degree of the gate valve GV according to these using the process gas flow rate and the pressure set value as parameters. Thus, whether or not the processing gas flow rate is a parameter for determining the opening degree of the gate valve GV can be set according to the process recipe.
또한, 상기 프로그램(82)에는, 지정된 압력 설정값에 따른 게이트 밸브(GV1∼GV4)의 개방도를 상기 데이터 기억부(84)로부터 판독하여, 게이트 밸브(GV1∼GV4)의 제어 신호를 출력하는 프로그램이 포함되어 있다. 즉, 이 프로그램은 소정 처리의 프로세스 레시피를 선택하면, 그 레시피에 기재된 처리 압력을 압력 설정값으로서 지정하고, 데이터 기억부(84)로부터 이 압력 설정값에 따른 게이트 밸브(GV1∼GV4)의 개방도를 판독하여, 각 게이트 밸브(GV1∼GV4)에 개방도 지령을 출력하도록 구성되어 있다. 이 예에서는, 전술한 바와 같이 게이트 밸브(GV)의 개방도를 설정함으로써, 배기로(51)의 컨덕턴스를 어느 값으로 설정하고 있으므로, 게이트 밸브(GV)의 개방도가 게이트 밸브(GV)의 설정 정보에 해당한다.In addition, the
계속해서 본 발명의 에칭 처리 방법에 대해서 설명한다. 우선 제어부(8)에 의해, 레시피 저장부(83)로부터 목적하는 에칭 처리의 프로세스 레시피를 선택한다. 제어부(8)에서는, 이 프로세스 레시피에 근거하여, 에칭 처리 장치의 각 부에 제어 신호를 출력하고, 이렇게 해서 피처리체에 대하여 소정의 에칭 처리가 실행되게 된다.Then, the etching process method of this invention is demonstrated. First, the
구체적으로는, 우선 기판(S)을 처리 용기(20)에 반입하여, 탑재대(3)상에 탑재하고, 셔터(24)를 폐쇄한다. 이 시점에서는, 게이트 밸브(GV) 및 압력 제어 밸브(AV)의 개방도를 완전 개방으로 하여, 각 진공 배기 수단(52)을 작동시켜 둔다. 이어서 처리 가스 공급부(47)로부터, 처리 가스로서 에칭 처리용의 처리 가스를 기판(S)을 향해서 토출하는 동시에, 고주파 전원부(31)로부터 탑재대(3)에 고주파 전력을 공급하는 한편, 제어부(8)에 의해 게이트 밸브(GV)의 개방도를 제어하는 동시에, 압력 제어 밸브(AV)의 개방도를 자동적으로 조정하면서, 처리 용기(20)의 내부공간을 소정의 압력까지 감압한다. 이렇게 해서 기판(S)상의 공간에 플라즈마를 형성하여, 기판(S)에 대한 에칭 처리를 진행시킨다.Specifically, first, the substrate S is carried into the
이때, 상기 처리 용기(20)의 압력은 다음과 같이 제어된다. 즉, 제어부(8)에서는 선택된 프로세스 레시피에 기재된 처리 압력(압력 설정값)과 처리 가스 유량을 판독하고, 그에 따른 게이트 밸브(GV1∼GV4)의 개방도를 데이터 기억부(84)로부터 판독하여, 각 게이트 밸브(GV1∼GV4)에 개방도 지령을 출력하고, 이렇게 해서 이들 밸브(GV1∼GV4)의 개방도를 각각 설정된 위치에 고정한다. 한편, 제어부(8)로부터 압력 제어 밸브(AV1∼AV4)의 각각의 콘트롤러(67)에 대하여, 해당 프로세스 레시피에 기재된 압력 설정값을 출력하고, 각 콘트롤러(67)에서는 이 압력 설정값과 압력 검출 수단(66)으로부터의 압력 검출값에 근거하여 각각의 압력 제어 밸브(AV1∼AV4)의 개방도를 조정하고, 이렇게 해서 처리 용기(20)의 내부 공간을 압력 제어한 상태로 소정의 압력까지 감압한다.At this time, the pressure of the
이러한 에칭 처리 장치(2)에서는, 4계통의 배기 라인에 게이트 밸브(GV1∼GV4)를 마련하는 동시에, 나머지 4계통의 배기 라인에 압력 제어 밸브(AV1∼AV4)를 마련하고 있으므로, 8계통의 배기 라인 모두에 압력 제어 밸브(AV)를 마련하는 구성에 비하여, 후술하는 실시예로부터 명확한 바와 같이, 게이트 밸브(GV)의 개방도 의 조합에 따른 압력 범위에 대해서, 압력 제어 밸브(AV)의 분해능이 커진다.In the
구체적으로 도 7에 도시하는 모식도를 이용하여 설명한다. 이 도 7은 2개의 압력 제어 밸브(AV)를 이용하여 처리 용기의 압력 제어를 실행하는 경우와, 1개의 압력 제어 밸브(AV)와 1개의 게이트 밸브(GV)를 이용하여 상기 압력 제어를 실행하는 경우의, 각각의 처리 용기의 압력 변화를 모식적으로 도시하는 것이다. 이 모식도에서는, 가로축이 압력 제어 밸브(AV)의 개방도를 나타내고, 세로축이 처리 용기의 압력을 나타내고 있다.Specifically, it demonstrates using the schematic diagram shown in FIG. 7 shows the case where the pressure control of the processing vessel is performed using two pressure control valves AV, and the pressure control is performed using one pressure control valve AV and one gate valve GV. In this case, the pressure change of each processing container is schematically illustrated. In this schematic diagram, the horizontal axis | shaft has shown the opening degree of the pressure control valve AV, and the vertical axis | shaft has shown the pressure of a processing container.
우선 도 7의 (a)에서는, 실선이 1개의 압력 제어 밸브(AV)와 1개의 게이트 밸브(GV)를 조합한 경우로서, 게이트 밸브(GV)의 개방도를 완전 폐쇄로 고정한 경우의 압력 곡선[압력 곡선(L1)], 일점쇄선이 2개의 압력 제어 밸브(AV)를 사용한 경우의 압력 곡선[압력 곡선(L2)]을 각각 나타내고 있다. 양쪽 압력 곡선(L1, L2) 모두에, 급격하게 하강하고, 다음에 경사가 작고 완만하게 되어, 수평으로 접근해 가는 것 같은 곡선을 그리고 있지만, 양자의 경사가 상이하다. 즉, 게이트 밸브(GV)의 개방도가 완전 폐쇄이므로, 압력 곡선(L1)쪽이 압력 곡선(L2)보다도 높은 압력 범위로 곡선의 경사가 작아져서, 수평으로 접근하고 있다. 전술한 바와 같이, 압력 곡선(L)의 경사가 작은 압력 범위에서는, 압력의 변화 정도에 대한 압력 제어 밸브(AV)의 개방도의 변화 정도가 크게 취해지지만, 이 예에서는, 도시와 같이 높은 압력 범위(P1∼P2)에 대응하는 압력 제어 밸브의 개방도 범위는, 게이트 밸브(GV)와 압력 제어 밸브(AV)를 조합한 구성의 개방도 범위(B1)쪽이 압력 제어 밸브(AV)만을 이용한 구성의 개방도 범위(B2)보다도 넓어진다.First, in FIG. 7A, a solid line is a case in which one pressure control valve AV and one gate valve GV are combined, and the pressure curve when the opening degree of the gate valve GV is fixed to full closure is shown. [Pressure curve L1] and the pressure curve (pressure curve L2) at the time of using the two pressure control valves AV by the dashed-dotted line are shown, respectively. On both pressure curves L1 and L2, the curves are sharply lowered, then the slope becomes small and gentle, and approaches horizontally, but the slopes are different. That is, since the opening degree of the gate valve GV is completely closed, the inclination of a curve becomes small toward the pressure curve L1 higher than the pressure curve L2, and it approaches horizontally. As described above, in the pressure range where the inclination of the pressure curve L is small, the degree of change in the opening degree of the pressure control valve AV with respect to the degree of change in pressure is taken large, but in this example, a high pressure as shown in the drawing. As for the opening degree range of the pressure control valve corresponding to the range P1-P2, the opening degree range B1 of the structure which combined the gate valve GV and the pressure control valve AV has only the pressure control valve AV. It becomes wider than the opening degree range B2 of the used structure.
또한, 도 7의 (b)는, 실선이 1개의 압력 제어 밸브(AV)와 1개의 게이트 밸브(GV)를 조합한 경우로서, 게이트 밸브(GV)의 개방도를 완전 개방으로 고정한 경우의 압력 곡선[압력 곡선(L3)], 일점쇄선이 2개의 압력 제어 밸브(AV)를 사용한 경우의 압력 곡선[압력 곡선(L2)]을 각각 도시하지만, 이 경우에는, 게이트 밸브(GV)의 개방도가 완전 개방이므로, 압력 곡선(L3)쪽이 압력 곡선(L2)보다도 낮은 압력 범위에서 곡선의 경사가 작아져서, 수평으로 접근하고 있다. 따라서 이 낮은 압력 범위(P3∼P4)에 대응하는 압력 제어 밸브(AV)의 개방도 범위는, 도시와 같이, 게이트 밸브(GV)와 압력 제어 밸브(AV)를 조합한 구성의 개방도 범위(B3)쪽이 압력 제어 밸브(AV)만을 이용한 구성의 개방도 범위(B2)보다도 넓어진다.7B is a case where the solid line combines one pressure control valve AV and one gate valve GV, the pressure when the opening degree of the gate valve GV is fixed to full open. Although the curve (pressure curve L3) and the dashed-dotted line show the pressure curve (pressure curve L2) when two pressure control valves AV are used, in this case, the opening degree of the gate valve GV is shown. Since is completely open, the slope of the curve becomes smaller in the pressure range L3 is lower than the pressure curve L2 and approaches horizontally. Therefore, the opening degree range of the pressure control valve AV corresponding to this low pressure range P3-P4 is the opening degree range of the structure which combined the gate valve GV and the pressure control valve AV, as shown in figure. B3) becomes wider than the opening degree range B2 of the structure which used only the pressure control valve AV.
이와 같이, 게이트 밸브(GV)와 압력 제어 밸브(AV)를 조합한 것을 이용하고, 게이트 밸브(GV)의 개방도의 조합에 따라, 압력 곡선의 형상을 조정할 수 있다. 이때, 압력 곡선의 경사가 보다 완만한 압력 범위에서는, 압력의 변화 정도에 대한 압력 제어 밸브(AV)의 개방도의 변화 정도가 크게 취해지므로, 즉 해당 압력 제어 밸브(AV)의 분해능이 높아져서, 처리 용기(20)내의 압력 변동을 억제하여, 정밀도가 양호한 압력 제어를 실행하는 것이 가능해진다. 이 때문에 1대의 에칭 처리 장치에서 각종 처리 프로세스를 실행할 경우에도, 각각의 처리 프로세스 압력에 따라, 게이트 밸브(GV)의 개방도의 조합을 선택함으로써, 압력 제어 밸브(AV)의 분해능을 크게 할 수 있고, 이로써 정밀도가 양호한 압력 조정을 실행할 수 있어, 양호한 처리를 실시할 수 있다.Thus, using the combination of gate valve GV and pressure control valve AV, the shape of a pressure curve can be adjusted with the combination of the opening degree of gate valve GV. At this time, in the pressure range where the slope of the pressure curve is gentler, the degree of change in the opening degree of the pressure control valve AV with respect to the degree of change in pressure is taken large, that is, the resolution of the pressure control valve AV is increased, It is possible to suppress pressure fluctuations in the
또한, 게이트 밸브(GV)는 압력 제어 밸브(AV)보다도 저렴하므로, 압력 제어 밸브(AV)만을 사용한 경우보다도, 압력 제어 밸브(AV)와 게이트 밸브(GV)를 조합하여 사용한 경우쪽이 전체의 부품 비용을 저감할 수 있고, 이들 부품을 조립한 장치의 장치 비용의 앙등을 억제할 수 있다. 이때, 게이트 밸브(GV)의 개수를 많게 하면 할수록, 부품 비용의 저감을 도모할 수 있다.In addition, since the gate valve GV is cheaper than the pressure control valve AV, the case where the pressure control valve AV and the gate valve GV are used in combination is larger than that of the pressure control valve AV alone. Part cost can be reduced and the rise of the apparatus cost of the apparatus which assembled these parts can be suppressed. At this time, as the number of gate valves GV increases, component cost can be reduced.
[실시예][Example]
이하에 본 발명의 효과를 확인하기 위해서 실행한 실시예에 대해서 설명한다. 이하의 실험에 있어서는, 도 1에 도시하는 에칭 처리 장치에서, 처리 용기(20)에 6개의 배기로(51)가 접속된 장치를 이용하여 실험을 행했다.Hereinafter, the Example performed in order to confirm the effect of this invention is demonstrated. In the following experiment, in the etching process apparatus shown in FIG. 1, the experiment was performed using the apparatus with which 6
(실시예 1)(Example 1)
상기 배기로(51)중 2개에 압력 제어 밸브(AV)를 각각 마련하는 동시에, 다른 4개의 배기로(51)에 게이트 밸브(GV)를 각각 마련하고, 게이트 밸브(GV)의 개방도를 완전 폐쇄로 하여, 진공 배기 수단(52)에 의해 처리 용기(20)를 배기하고, 이때의 처리 용기(20)내의 압력과 압력 제어 밸브(AV)의 개방도의 관계를 구했다. 이 결과를 도 8에 ▲의 데이터로서 나타낸다. 도면중 가로축은 압력 제어 밸브(AV)의 개방도를 나타내고, 세로축은 처리 용기의 압력을 나타내며, 이때의 2개의 압력 제어 밸브(AV)의 개방도는 동일하다.Pressure control valves AV are provided in two of the
(비교예 1)(Comparative Example 1)
상기 6개의 배기로(51) 모두에 압력 제어 밸브(AV)를 각각 마련하고, 진공 배기 수단(52)에 의해 처리 용기(20)를 배기하고, 이때의 처리 용기(20)내의 압력과 압력 제어 밸브(AV)의 개방도의 관계를 구했다. 이 결과를 도 8에 ◆의 데이터로서 나타낸다. 이때의 압력 제어 밸브(AV)의 개방도는 6개 모두 동일하다.Pressure control valves AV are provided in all of the six
그 결과, 처리 용기의 압력이 5.32㎩(40mTorr) 내지 13.3㎩(100mTorr)의 경우에는, 실시예 1에 있어서는 압력 제어 밸브(AV)의 개방도(C1)가 11.1% 내지 35.0%인 것에 대해, 비교예 1에 있어서는 압력 제어 밸브(AV)의 개방도(C2)가 9.2% 내지 12.0%인 것을 알 수 있고, 상기 5.32㎩(40mTorr) 내지 13.3㎩(100mTorr)의 압력 범위에 있어서는, 실시예 1과 같이, 압력 제어 밸브(AV)와 게이트 밸브(GV)를 조합하여 마련한 구성쪽이 압력 제어 밸브(AV)의 분해능이 커져서, 보다 미세한 압력 조정을 실행할 수 있어, 고정밀도의 압력 조정을 실행할 수 있는 것으로 이해된다.As a result, in the case where the pressure of the processing container is 5.32 kPa (40 mTorr) to 13.3 kPa (100 mTorr), in Example 1, the opening degree C1 of the pressure control valve AV is 11.1%-35.0%, In Comparative Example 1, it can be seen that the opening degree C2 of the pressure control valve AV is 9.2% to 12.0%. In the pressure range of 5.32 kPa (40 mTorr) to 13.3 kPa (100 mTorr), Example 1 As described above, the configuration provided by combining the pressure control valve AV and the gate valve GV increases the resolution of the pressure control valve AV, so that finer pressure adjustment can be performed and high precision pressure adjustment can be performed. It is understood that there is.
이상에 있어서 본 발명에 있어서는, 압력 검출 수단(66)을 압력 제어 밸브(AV)마다 서로 대응시켜서 마련하고, 대응하는 압력 검출 수단(66)의 검출값과 압력 설정값에 근거하여, 압력 제어 밸브(AV)의 개방도를 자동적으로 조정하도록 해도 좋다. 더욱이, 압력 제어 밸브(AV)의 구동 장치(65)를 제어하는 콘트롤러(67)를 압력 제어 밸브(AV)마다 마련하지 않고, 공통의 콘트롤러를 준비하여, 1대의 콘트롤러에 의해 복수의 압력 제어 밸브(AV)의 개방도를 조정하도록 해도 좋다.As mentioned above, in this invention, the pressure detection means 66 is provided corresponding to each pressure control valve AV, and based on the detected value and the pressure setting value of the corresponding pressure detection means 66, a pressure control valve The opening degree of the AV may be adjusted automatically. Furthermore, a common controller is prepared without providing a
더욱이, 본 발명에서는, 반고정 제어 수단은 배기로의 개방도를 완전 개방과 완전 폐쇄 사이에서 선택하도록 구성한 것이어도 좋다. 또, 반고정 제어 수단이 마련되는 배기로를, 복수의 유로를 갖도록, 유로에 대하여 대략 평행하게 분할해서 마련하고, 상기 반고정 제어 수단은 상기 배기로의 복수의 유로의 모두 또는 몇 개 를 개방으로 할 것인지, 모두를 폐쇄로 할 것인지를 선택하고, 상기 배기로의 컨덕턴스를 선택된 값으로 고정하도록 해도 좋다.Furthermore, in the present invention, the semi-fixed control means may be configured to select the degree of opening to the exhaust path between full open and full close. Moreover, the exhaust path in which the semi-fixed control means is provided is divided | segmented and provided in substantially parallel with respect to the flow path so that it may have several flow paths, and the said semi-fixed control means opens all or some of the several flow paths to the said exhaust path. It is also possible to select whether or not to be closed or to close all, and to fix the conductance to the exhaust path at a selected value.
또한, 본 발명의 진공 처리 장치는 에칭 처리뿐만 아니라, 애싱이나 CVD 등 다른 진공 처리를 실행하는 처리에 적용할 수 있다. 또, 진공 처리는 반드시 플라즈마 처리에 한정되는 것은 아니고, 다른 가스 처리여도 좋고, 가스 처리 이외의 진공 처리여도 좋다. 더욱이, 피처리체로서는 FPD 기판 이외에, 반도체 기판이어도 좋다.Moreover, the vacuum processing apparatus of this invention can be applied not only to an etching process but to the process which performs another vacuum process, such as ashing and CVD. In addition, a vacuum process is not necessarily limited to a plasma process, Another gas process may be sufficient and the vacuum process other than a gas process may be sufficient. Further, the object to be processed may be a semiconductor substrate in addition to the FPD substrate.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 에칭 처리 장치를 도시하는 단면도,1 is a cross-sectional view showing an etching processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
도 2는 상기 에칭 처리 장치에 마련되는 배기로와 제어부를 도시하는 구성 도,2 is a configuration diagram showing an exhaust path and a control unit provided in the etching apparatus;
도 3은 상기 에칭 처리 장치에 사용되는 압력 제어 밸브를 도시하는 개략 사시도,3 is a schematic perspective view showing a pressure control valve used in the etching processing apparatus;
도 4는 상기 압력 제어 밸브의 작용을 도시하는 평면도,4 is a plan view showing the action of the pressure control valve;
도 5는 상기 에칭 처리 장치에 사용되는 게이트 밸브를 도시하는 개략 사시도,5 is a schematic perspective view showing a gate valve used in the etching processing apparatus;
도 6은 상기 게이트 밸브의 작용을 도시하는 평면도,6 is a plan view showing the action of the gate valve;
도 7은 상기 에칭 처리 장치의 처리 용기의 압력과 압력 제어 밸브의 개방도의 관계를 나타내는 특성도,7 is a characteristic diagram showing a relationship between the pressure of the processing vessel of the etching processing apparatus and the opening degree of the pressure control valve;
도 8은 본 발명의 효과를 확인하기 위해 실행한 실시예 1과 비교예 1의 측정 데이터를 나타내는 특성도,8 is a characteristic diagram showing measurement data of Example 1 and Comparative Example 1 carried out to confirm the effect of the present invention;
도 9는 종래의 에칭 처리 장치를 도시하는 단면도,9 is a cross-sectional view showing a conventional etching processing apparatus;
도 10은 종래의 에칭 처리 장치의 배기로를 도시하는 평면도,10 is a plan view showing an exhaust path of a conventional etching treatment apparatus;
도 11은 종래의 에칭 처리 장치의 처리 용기의 압력과 압력 제어 밸브의 개방도의 관계를 나타내는 특성도.Fig. 11 is a characteristic diagram showing the relationship between the pressure of the processing vessel of the conventional etching processing apparatus and the opening degree of the pressure control valve.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings
2 : 에칭 처리 장치 20 : 처리 용기2: etching apparatus 20: processing vessel
21 : 용기 본체 22 : 덮개21: container body 22: cover
3 : 탑재대 4 : 상부 전극3: mounting table 4: upper electrode
31 : 고주파 전원부 52 : 진공 배기 수단31: high frequency power supply 52: vacuum exhaust means
47 : 처리 가스 공급부 66 : 압력 검출 수단47: process gas supply portion 66: pressure detection means
8 : 제어부 AV : 압력 제어 밸브8: control unit AV: pressure control valve
GV : 게이트 밸브 S : FPD 기판GV: Gate Valve S: FPD Substrate
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