KR100986175B1 - 반도체 장치 제조 방법 - Google Patents
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- 상부 및 하부 웨이퍼의 각 반도체 칩에 각각 상부 및 하부 수직홀을 형성하되, 상부 수직홀의 직경을 하부 수직홀의 직경보다 크게 형성하는 단계와;상기 하부 웨이퍼의 하부 수직홀 외주부에 전도성 도금층을 형성하는 단계와;상기 상부 및 하부 수직홀이 서로 마주보도록 상부 및 하부 웨이퍼를 적층 부착하되, 그 경계면에 절연물질을 배치하여 적층 부착하는 단계와;상기 상부 수직홀이 외부로 노출될 때까지, 상기 상부 웨이퍼의 배면을 백그라인딩하는 단계와;상기 상부 수직홀을 통하여 노출된 절연물질을 상부 수직홀의 크기만큼 제거하여, 상부 수직홀과 하부 수직홀이 서로 연통되게 하는 단계와;상기 상부 수직홀로부터 하부 수직홀까지 전도성 금속을 한 번에 매립하여 상부 관통 실리콘 비아 및 하부 관통 실리콘 비아를 동시에 형성하는 단계와;상기 하부 수직홀 및 그 내부의 전도성 금속이 외부로 노출될 때까지, 상기 하부 웨이퍼의 배면을 백그라인딩하는 단계;의 순서로 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 상부 및 하부 웨이퍼의 각 반도체 칩에 각각 상부 및 하부 수직홀을 형성하되, 상부 수직홀의 직경을 하부 수직홀의 직경보다 크게 형성하는 단계와;상기 하부 웨이퍼의 하부 수직홀 외주부에 전도성 도금층을 형성하는 단계와;상기 상부 및 하부 수직홀이 서로 마주보도록 상부 및 하부 웨이퍼를 적층 부착하되, 그 경계면에 절연물질을 배치하여 적층 부착하는 단계와;상기 상부 수직홀이 외부로 노출될 때까지, 상기 상부 웨이퍼의 배면을 백그라인딩하는 단계와;상기 상부 수직홀을 통하여 노출된 절연물질을 상부 수직홀의 크기만큼 제거하는 단계와;상기 하부 수직홀이 외부로 노출될 때까지, 상기 하부 웨이퍼의 배면을 백그라인딩하는 단계와;서로 연통된 상부 및 하부 수직홀의 내부에 전도성 금속을 한 번에 매립하여 상부 및 하부 관통 실리콘 비아를 동시에 형성하는 단계;의 순서로 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
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KR100435813B1 (ko) * | 2001-12-06 | 2004-06-12 | 삼성전자주식회사 | 금속 바를 이용하는 멀티 칩 패키지와 그 제조 방법 |
JP2005072328A (ja) * | 2003-08-26 | 2005-03-17 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2008047895A (ja) * | 2006-08-01 | 2008-02-28 | Qimonda Ag | 電気スルーコンタクト |
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