KR100985060B1 - Pattern transfer method and pattern transfer system - Google Patents

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KR100985060B1
KR100985060B1 KR20080110236A KR20080110236A KR100985060B1 KR 100985060 B1 KR100985060 B1 KR 100985060B1 KR 20080110236 A KR20080110236 A KR 20080110236A KR 20080110236 A KR20080110236 A KR 20080110236A KR 100985060 B1 KR100985060 B1 KR 100985060B1
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KR
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photosensitive glass
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Inventor
강봉철
양민양
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한국과학기술원
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본 발명은 패턴 전사 방법 및 패턴 전사 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a method for pattern transfer, and pattern transfer system.
본 발명에 따른 패턴 전사 방법은, 감광유리 상에, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴을 형성하는 제1 단계, 감광유리를 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 감광유리 상에, 직사광 및 반사광을 재조사하여 제1 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴을 형성하는 제2 단계, 감광유리를 열처리하여 제1 및 제2 간섭패턴을 착색시키고, 착색된 제1 및 제2 간섭패턴만이 제거되도록 감광유리를 에칭하는 제3 단계, 제1 및 제2 간섭 패턴이 제거되어 있는 감광유리의 면 상에, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층 및 전사재료를 증착시킨 제1 전사재료층을 차례로 형성하는 제4 단계, 제1 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압 The pattern transfer method according to the invention, is irradiated with the photosensitive glass, a laser having the reflection light reflecting the light directly projected in which direct light and laser light in the reflector from a light source to form a first interference pattern having a predetermined width step, a second step of moving the photosensitive glass in a horizontal direction smaller than a predetermined width and, to re-examine the on the photosensitive glass, direct light and reflected light to form a second interference pattern, so that the overlap portion to the first interference pattern, the photosensitive glass heat-treating the first and second third step of etching the photosensitive glass to color the interference pattern and, the colored first and second interference patterns only and removed, a first and a photosensitive glass in a second interference pattern is removed on the side, a fourth step that absorbs light in order to form the first transfer material layer, depositing a light-heat conversion layer and the transfer material for generating heat, the first pressure butted to each other to the transfer material layer and the substrate 고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상에 제1 패턴을 형성하는 제5 단계, 감광유리와 기판을 이격시키고, 광열변환층 상에 상기 전사재료를 재 증착시켜 제2 전사재료층을 형성하는 제6 단계, 기판을 수평방향으로 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시키고, 제2 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성하는 제7 단계를 포함한다. And, a fifth step of scanning the laser light in a direction toward the substrate from the photosensitive glass to transfer the transfer material onto a substrate to form a first pattern on the substrate, and spaced apart from the photosensitive glass and the substrate, wherein on the light-heat conversion layer a sixth step of re-depositing the transfer material to form a second transfer material layer and the substrate in the horizontal direction moves less than a distance between the pattern of the first pattern and, a pressurized abutted to each other the second transfer material layer and the substrate, the photosensitive glass and from the scanning the laser beam in a direction towards the substrate to transfer the transfer material onto the substrate and a seventh step of forming a second pattern between the substrate shape, the first pattern.
패턴 전사, 간섭 패턴, 감광유리, 전사재료 Pattern transfer, the interference pattern, the photosensitive glass, the transfer material

Description

패턴 전사 방법 및 패턴 전사 시스템{PATTERN TRANSFER METHOD AND PATTERN TRANSFER SYSTEM} Pattern transfer methods and pattern transfer system {PATTERN TRANSFER METHOD AND PATTERN TRANSFER SYSTEM}

본 발명은 패턴 전사 방법 및 패턴 전사 시스템에 관한 것이다. The present invention relates to a method for pattern transfer, and pattern transfer system.

최근 광산업, 디스플레이 산업, 반도체 산업, 바이오 산업에서 제품의 박막화 고성능화의 요구가 증가하고 있다. Recently, the demand for high performance thin film products increased in the mining industry, display industry, the semiconductor industry, biotechnology industry. 그러한 요구에 부합하기 위해서는 각각의 부품을 구성하고 있는 배선 또는 기능성 박막층이 더욱더 작고 균일하게 패턴을 형성하여 있어야 한다. In order to meet such a request should be to each of the wiring or the functional thin film layers that make up the small parts more uniformly to form a pattern. 그러므로, 미세 패턴 제조 방법은 이러한 산업의 기반이 되는 기술이다. Therefore, fine pattern fabrication method is a technique that is the basis for this industry.

일반적으로, 기존의 마이크로미터 이하의 패턴을 제조하는 방법에는 노광(photolithography), FMD (Fine Mask Deposition), 프린팅(printing), NIL (Nano Imprinting Lithography) 등이 있다. In general, and a method for producing a conventional pattern of micrometer or less is exposed (photolithography), FMD (Fine Mask Deposition), printing (printing), NIL (Nano Imprinting Lithography). 그러나, 이러한 제조 방법에는 각각의 공정상의 한계가 존재한다. However, such a manufacturing method, there is a limitation on the respective step. 첫째, 노광(photolithography)은 제조과정이 복잡하고, 쉐도우 마스크(shadow mask)를 제조하는데 있어서 제조의 어려움과 고가의 제조비용이 들고, 마스크의 뒤틀림에 의해서 정밀도가 저하되는 문제점이 있다. First, the exposed (photolithography) has a problem that the manufacturing process is complex, in the manufacture of a shadow mask (shadow mask) is difficult and expensive manufacturing cost of the manufacturing, holding, accuracy is degraded by the distortion of the mask. 또한, 마스크와 대상물의 정렬이 어렵고, 공정 변경 즉, 패턴(pattern)의 크기 및 형상의 변경 이 어려운 단점이 있다. In addition, it is difficult to align the mask and the object, it is difficult to change the size and shape disadvantage of the process change that is, a pattern (pattern). 둘째, FMD는 노광 방법에서 상술한 쉐도우 마스크(shadow mask)를 사용하는 것에 의하여 발생하는 문제점과, 높은 제조비용이 드는 문제점이 있다. Second, there is a problem with FMD, lifting problem of high production cost caused by the use of a shadow mask (shadow mask) in the above-described exposure method. 또한, 재료의 한계성, 긴 제조 시간과 같은 문제점이 있다. In addition, there is a problem such as a limitation, a long production time of the material. 세째, 프린팅(printing)에서 잉크 젯(ink-jet)방식은 패턴을 만들 재료가 액상의 솔루션(solution)형태여야 하기 때문에 다양한 재료를 사용할 수 없으며, 일정한 액정 분사의 어려움으로 인한 불균일한 패턴이 생성되는 단점이 있다. Third, printing (printing) ink jet (ink-jet) from the method is not a material to create a pattern can use various materials because it must be a solution (solution) in the form of liquid, generate a certain amount of a non-uniform pattern due to the difficulty of the liquid crystal injection there are disadvantages. 반면에, 롤 투 롤(roll to roll)방식은 패턴 크기가 30~40 ㎛정도로 상대적으로 큰 패턴제조만 적용이 가능하다는 단점이 있다. On the other hand, the roll-to-roll (roll to roll) method has the disadvantage that the pattern size is relatively large pattern is applicable only produced about 30 ~ 40 ㎛. 마지막으로, NIL은 대면적으로 스탬프(stamp)를 만들기 어려운 문제점이 있다. Finally, NIL is a difficult problem to create a large-area stamp (stamp). 한편, 현재는 스탬프를 만들기 위해서는 EUV 노광(photolithography) 방식이 사용되는데, 이로 인한 높은 제조비용 등의 문제점이 있다. On the other hand, is now in order to make the stamp is used this EUV exposure (photolithography) method, there are problems such as high production cost caused therefrom.

또한, 최근 레이저 광을 이용하는 패턴 제조 방식이 연구되고 있으나, 이때 형성되는 패턴의 폭(크기)은 주사되는 광의 파장과 주사각도에 의해서 결정되는 것이므로, 제조할 수 있는 패턴의 폭이 한계가 있다. Further, in recent years, but the pattern production method using a laser beam have been studied, wherein the width (size) of the pattern is formed is because it is determined by the wavelength of light and the scan angle is scanned, it is the width of which can be prepared a pattern limits. 예를 들면, 한가지의 레이저는 단일 파장의 빛을 보내기 때문에, 광 간섭의 이론적인 수식에 의하여 형성 가능한 패턴의 폭은 레이저 파장의 길이(λ) ~ 레이저 반파장의 길이(λ/2) 만큼이다. For example, the laser of one is enough, because sending the light of a single wavelength, the width of the formable pattern by the theoretical formula of the light interference is the length of the laser wavelength (λ) ~ laser half wavelength length (λ / 2). 그러나, 이러한 패턴의 폭 이상의 범위를 갖기 위해서는 레이저 소스를 바꾸어서 파장을 바꿔야 하는 불편이 있고, 가용한 레이저 파장의 한계와 감광유리(photosenstive glass)의 반응 파장 범위의 한계로 인하여 100nm이하의 패턴을 구현하기는 더더욱 불가능하였다. However, in order to have a range of more than the width of the pattern and the inconvenience to change the wavelength by changing the laser source, the implementation patterns of less than 100nm, due to the limitations of the reaction the wavelength range of the available laser wavelength limit and the photosensitive glass (photosenstive glass) It was even more impossible. 또한, 패턴의 간격을 바꾸기 위해서는 복잡한 선 공정(preprocess)이 요구된다. In addition, this complex process line (preprocess) is required to change the interval of the pattern. 특히, 노광, FMD와 같은 마스크(mask) 기반의 공정은 마스크를 다시 제작해야 하는 부담이 있고, 이 공정들을 이용하여 100nm이하의 패턴의 크기를 만들기 위해서는 E-beam 리소그래피(lithography)와 같은 고가의 어려운 공정을 필요로 하고, 또한 그 이하는 패턴 구현이 불가능하였다. In particular, the exposure, a mask (mask) of the underlying process, such as FMD is expensive and the burden of making a mask again, using these processes and in order to make the size of the pattern is less than 100nm, such as E-beam lithography (lithography) It requires a difficult process, and also less was impossible to implement the pattern. 그리고, NIL와 같은 공정은 수십nm 크기의 패턴 제작에 사용이 되고 있지만, 아직 상용화 되지 않고 있다. And, while processes such as NIL is used in the production pattern of several tens of nm in size, it has not yet been commercialized. 또한, 공정이 복잡하고, 스탬프(stamp)의 패턴을 100nm이하의 크기로 만들기 위해서는, 노광 기반의 E-beam 리소그래피(lithography)를 이용해야만 한다. Further, the process is complicated and, in order to make the pattern of the stamp (stamp) into a size of 100nm or less, it must be using an exposure based on the E-beam lithography (lithography). 따라서, 상술한 두 방법 모두가 패턴의 간격을 변경하기에는 용이하지 않은 문제점이 있다. Therefore, there is a problem in both methods all the above is not easy hagieneun change the interval of the pattern.

따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은, 레이저 광을 감광유리 상에 조사하여 넓은 간섭패턴을 형성하고, 열처리 및 에칭에 의하여 넓은 간섭패턴이 제거된 감광유리상에 증착된 전사재료를 기판에 전사한 후, 기판을 미소 이동시켜 전사재료를 재 전사시켜주는 것에 의하여, 다양한 패턴 간격으로 다양한 폭의 미세 전사패턴을 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 미세 전사패턴을 형성할 수 있는 패턴 전사 방법 및 전사 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. Thus, in order to solve the above problems, the present invention is irradiated with laser light on the photosensitive glass to form a large interference pattern, the transferred material deposited on a large interference pattern is removed photosensitive glass phase by heat treatment and etching and then transferred to the substrate by moving the substrate minute by giving to the transfer material to the transfer material, it is possible to form a fine transfer pattern of different width in a variety of patterns interval, and a line uniformly forming a fine transfer pattern having a width pattern can be an object of the invention to provide a transfer method and a transfer system which.

또한, 본 발명은, 미세 전사패턴이 대면적으로 형성될 수 있고, 또한 미세 전사패턴이 빠르게 형성될 수 있는 패턴 전사 방법 및 패턴 전사 시스템을 제공하 는 것을 목적으로 한다. In addition, the present invention, can be fine-transfer pattern is formed in a large area, and also for the purpose is to provide a fine pattern transfer method for transferring a pattern that can be formed quickly, and the pattern transfer system.

또한, 본 발명은, 기판에 전사되는 패턴의 형성과정이 간소화되고, 제조 비용 및 제조 시간을 절감시킬 수 있는 패턴 전사 방법 및 전사 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, the present invention is the formation of a pattern to be transferred to the substrate is simplified, and an object thereof is to provide a manufacturing cost, and pattern transfer methods that can reduce the manufacturing time, and a transfer system.

또한, 본 발명은, 마스크를 사용하지 않고, 대면적의 패턴 전사가 가능한 패턴 전사 방법 및 전사 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, the present invention, without using a mask, and an object thereof is to provide a pattern transfer of a large area as possible the pattern transfer method and transfer system.

또한, 본 발명은, 간섭패턴이 형성된 감광유리를 사용하는 것에 의하여, 레이저 광에 의해 발생되어야 하는 열 팽창이 덜 필요해져, 열에 의한 전사재료에의 영향을 최소화할 수 있는 패턴 전사 방법 및 패턴 전사 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, the present invention, by using a photosensitive glass interference pattern is formed, it becomes a thermal expansion requires less that needs to be generated by the laser light, a pattern that minimizes the impact of the transfer material transferred by the heat method and pattern transfer It aims to provide the system.

청구항 1에 관한 발명인 패턴 전사 방법은, 감광유리 상에, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴을 형성하는 제1 단계, 감광유리를 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 감광유리 상에, 직사광 및 반사광을 재조사하여 제1 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴을 형성하는 제2 단계, 감광유리를 열처리하여 제1 및 제2 간섭패턴을 착색시키고, 착색된 제1 및 제2 간섭패턴만이 제거되도록 감광유리를 에칭하는 제3 단계, 제1 및 제2 간섭 패턴이 제거되어 있는 감광유리의 면 상에, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층 및 전사재료를 증착시킨 제1 전사재료층을 차례로 형성하는 제4 단계, 제1 전사재료층 과 기판을 서로 맞대 Inventors pattern transfer method according to claim 1, by irradiation with the photosensitive glass, the reflected light that reflects the direct light and the laser light was directly projecting the laser light from the light source to the reflector to form a first interference pattern having a predetermined width a second step of moving the stage 1, a photosensitive glass in a horizontal direction smaller than a predetermined width and, on the photosensitive glass to re-examine the direct light and the reflected light so that the overlap portion to the first interference pattern to form a second interference pattern, the photosensitive heat-treating the glass first and second interference and the colored pattern, the colored first and second interference pattern, a third step of etching the photosensitive glass to only remove the first and second interference pattern is removed photosensitive glass of the top surface, a fourth step of forming a first transfer material layer which absorbs light to deposit the light-heat conversion layer and a transfer material that generates heat, in turn, the first layer and the substrate to each other matdae the transfer material 어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상에 제1 패턴을 형성하는 제5 단계, 감광유리와 기판을 이격시키고, 광열변환층 상에 상기 전사재료를 재 증착시켜 제2 전사재료층을 형성하는 제6 단계, 기판을 수평방향으로 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시키고, 제2 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성하는 제7 단계를 포함한다. Air pressure, and by scanning the laser beam in a direction toward the substrate from the photosensitive glass and spaced apart from the fifth step, the photosensitive glass and the substrate to transfer the transfer material onto a substrate to form a first pattern on a substrate, the light-heat conversion layer the in the sixth step, the substrate in the horizontal direction of movement less than the distance between the pattern of the first pattern and the second pressure butted to each other to the transfer material layer and the substrate to form a second transfer material layer was re-depositing the transfer material, transferring the photosensitive glass to scan the laser beam in a direction toward the substrate from the transfer material onto the substrate and a seventh step of forming a second pattern between the substrate shape, the first pattern.

따라서, 청구항 1에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 의하면, 레이저 광을 감광유리 상에 조사하여 제1 간섭패턴과 여기에 일부분이 겹쳐있는 제2 간섭패턴을 형성하고, 열처리 및 에칭에 의하여 상술한 간섭패턴이 제거된 감광유리상에 증착된 전사재료를 기판에 전사한 후, 기판을 미소 이동시켜 전사재료를 재 전사시켜주는 것에 의하여, 다양한 크기의 미세 전사패턴을 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 미세 전사패턴을 형성할 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer method according to claim 1, which is irradiated with laser light on the photosensitive glass to form a second interference pattern in a portion overlapping the first interference pattern and this, above, by heat treatment, and etching the interference pattern after transferring the transferred material deposited on the removed photosensitive glass phase to the substrate, by which to move the substrate smile to transfer material to the transfer material, it is possible to form a fine transfer pattern of varying size, and a uniform line width It has it is possible to form a fine pattern transfer.

청구항 2에 관한 발명인 패턴 전사 방법은, 청구항 1에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 있어서, 제2 단계에서는, 일부분의 폭을 감광유리를 수평방향으로 이동시키는 양 및 횟수에 따라 조절가능하다. Inventors pattern transfer method according to claim 2 is, in the inventors pattern transfer method according to claim 1, in the second step, it is adjustable along the width of the part on the amount and number of times for moving the photosensitive glass in a horizontal direction.

따라서, 청구항 2에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 의하면, 제1 간섭패턴과 제2 간섭패턴이 겹치는 일부분의 폭을 조절하여 주는 것에 의하여, 제1 및 제2 간섭 패턴의 폭을 용이하게 조절할 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer method according to claim 2, the first, by giving to adjust the width of the interference pattern and a second interference pattern overlaps a part, the width of the first and second interference patterns can be easily adjusted.

청구항 3에 관한 발명인 패턴 전사 방법은, 청구항 1 또는 청구항 2에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 있어서, 제2 단계는, 제2 간섭패턴까지 형성된 감광유리를 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 감광유리 상에, 직사광 및 반사광을 재조사하여 제1 간섭패턴 또는 제2 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제3 간섭패턴을 형성하는 단계를 더 포함한다. Inventors pattern transfer method according to claim 3 is, in inventions pattern transfer method according to claim 1 or 2, second step, and a second interference pattern to move the photosensitive glass is formed to a horizontal direction smaller than a predetermined width, the photosensitive a review, direct light and reflected light on the glass will be first an interference pattern or forming a third interference pattern, so that the overlapping part in the second interference pattern more.

따라서, 청구항 3에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 의하면, 제1 간섭패턴 또는 제2 간섭패턴과 제3 간섭패턴이 겹치는 일부분의 폭을 조절하여주는 것에 의하여, 감광유리 상에 형성되는 간섭패턴의 폭을 용이하게 넓힐 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer method according to claim 3, a first interference pattern or the second interference pattern and the width of the third interference interference pattern on which a pattern is formed on the photosensitive glass by giving to adjust the width of the overlapping portion It can be easily widened.

청구항 4에 관한 발명인 패턴 전사 방법은, 청구항 1에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 있어서, 제6 단계에서는, 제1 패턴 및 제2 패턴 사이의 간격이 기판을 수평방향으로 이동시키는 양에 따라 조절가능하다. Inventors pattern transfer method according to claim 4 is, in inventions pattern transfer method according to claim 1, in the step 6, the first pattern and the second is adjustable depending on the amount of the distance between the two patterns of moving the substrate in a horizontal direction .

따라서, 청구항 4에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 의하면, 제1 패턴과 제2 패턴 사이의 간격을 조절하여 주는 것에 의하여, 기판 상에 형성되는 소망하는 미세 패턴들 사이의 간격을 용이하게 조절할 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer method according to claim 4, by which to adjust the distance between the first pattern and the second pattern, it is possible to easily adjust the distance between the desired fine pattern to be formed on the substrate.

청구항 5에 관한 발명인 패턴 전사 방법은, 청구항 1 또는 청구항 4에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 있어서, 제6 단계는, 제2 패턴까지 형성되어 있는 기판을, 감광유리와 이격시키고, 광열변환층 상에 전사재료를 재 증착시켜 제3 전사재료층을 형성하는 단계, 기판을 수평방향으로 제2 패턴과 제2 패턴으로부터 기판이 이동되는 방향에 위치한 제1 패턴과의 간격보다 적게 이동시켜, 제3 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상이고, 또한 상기 제2 패턴과 상기 제2 패턴으로부터 상기 기판이 이동되는 방향에 위치한 상기 제1 패턴과의 사이에 제3 패턴을 형성하는 단계를 더 포함한다. Inventors pattern transfer method according to claim 5 is, in inventions pattern transfer method according to claim 1 or 4, the substrate on which the sixth step, is formed to a second pattern spaced apart from the photosensitive glass and, on the light-heat conversion layer to re-deposit the transfer material is moved less than the distance between the third step, the substrate to form a transfer material layer in the horizontal direction of the second pattern and the first pattern in the direction in which the substrate is moved from the second pattern, the third transfer by pressing butt the material layer and the substrate to each other, and by scanning the laser beam in a direction toward the substrate from the photosensitive glass transferred to the transfer material onto the substrate board shape, also to which the substrate moves from the second pattern and the second pattern and between the first pattern in a direction and forming a third pattern further.

따라서, 청구항 5에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 의하면, 기판을 미소 이동시켜 제2 패턴과 제2 패턴으로부터 기판이 이동되는 방향에 위치한 제1 패턴과의 사이에 제3 패턴을 형성하여주는 것에 의하여, 보다 미세한 간격을 가지는 패턴을 형성하여줄 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer method according to claim 5, by which to move the substrate minute to form a third pattern between the second pattern and the first pattern in the direction in which the substrate is moved from the second pattern, It can give to form a pattern having a finer interval.

청구항 6에 관한 발명인 패턴 전사 방법은, 청구항 1에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 있어서, 제1 단계 및 제2 단계에서는, 직사광 및 반사광의 입사각을 변화시켜 제1 간섭 패턴 및 제2 간섭패턴의 폭을 조절한다. Inventors pattern transfer method according to claim 6, in in the inventors pattern transfer method according to claim 1, the first step and the second step, by changing the angle of incidence of direct light and reflected light the width of the first interference pattern and a second interference pattern controls.

따라서, 청구항 6에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 의하면, 직사광 및 반사광의 파장 및 입사각을 변화시켜주는 것에 의하여, 감광유리의 표면 상에 형성되는 제1 및 제2 간섭패턴의 폭을 용이하게 조절할 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer method according to claim 6, by which changes the wavelength and angle of incidence of direct light and reflected light, a first and a width of the second interference pattern formed on the surface of the photosensitive glass it can be easily adjusted .

청구항 7에 관한 발명인 패턴 전사 방법은, 청구항 1에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 있어서, 제1 단계에서는, 감광유리 상에, 직사광과 반사광을 조사하기 전에 무 반사층(anti-reflection layer)을 먼저 형성하고 있다. Inventors pattern transfer method according to claim 7 is, in the inventors pattern transfer method according to claim 1, in the first step, the non-reflective layer (anti-reflection layer) prior to irradiation on the photosensitive glass, the direct light and the reflected light is formed first have.

따라서, 청구항 7에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 의하면, 감광유리상에 조사되는 직사광 및 반사광이 재 반사되는 것을 감소시켜 제1 및 제2 간섭패턴의 형성을 용이하게 할 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer method according to claim 7, it is possible to reduce that the direct light and the reflected light is irradiated to the photosensitive glass phase to be re-reflections may facilitate the formation of the first and second interference pattern.

청구항 8에 관한 발명인 패턴 전사 방법은, 청구항 1에 관한 발명인 패턴 전 사 방법에 있어서, 제4 단계에서는, 광열변환층 상에 그 위에 형성되는 층의 분리를 도와주는 이형층을 형성하는 단계를 더 포함한다. Inventors pattern transfer method according to claim 8 is, in the inventors pattern around the transfer method according to claim 1, in the fourth step, the step of forming a release layer to help the separation of the layer formed thereon in the light-heat conversion layer further It includes.

따라서, 청구항 8에 관한 발명인 패턴 전사 방법에 의하면, 광열변환층 상에 이형층을 형성하여주는 단계를 더 포함하는 것에 의하여, 이형층 상에 형성되는 다른 층을 용이하게 분리시킬 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer method according to claim 8, by further including the step to form a release layer on the light-heat conversion layer can be easily separated from the other layer to be formed on the release layer.

청구항 9에 관한 발명인 패턴 전사 시스템은, 광원, 광원으로부터의 레이저 광을 반사시키는 반사체, 반사체의 외주변 중 레이저 광이 반사되는 방향 측의 일변과 직각으로 연결되고, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴이 형성되고, 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동되어 직사광 및 반사광을 재조사하여 제1 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴이 형성되며, 제1 및 제2 간섭패턴이 형성된 면 상에 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층 및 전사재료를 증착시킨 제1 전사재료층이 차례로 형성된 감광유리, 제1 전사재료층에 대향하여 위치시키는 기판을 포함하고, 제1 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로 Inventors pattern transfer system comprising: a light source, is connected to the univariate and perpendicular to the direction of the side from which the laser light is a of the outer periphery of the reflector, the reflector for reflecting the laser light reflected from a light source, a direct projection of the laser light from the light source according to claim 9, It is irradiated with the reflected light that reflects in which direct light and laser light in the reflector with a first interference pattern having a predetermined width is formed, is less moved in the horizontal direction than the predetermined width portion in the first interference pattern to re-examine the direct light and the reflected light a second interference pattern is formed so as to overlap the first and second interference pattern is formed faces the photosensitive glass is first transfer material layer which absorbs light to deposit the light-heat conversion layer and the transfer material for generating the heat is formed in order to , the substrate that includes a position opposite one to the transfer material layer, and pressing the butted first transfer material layer and the substrate to each other, to the photosensitive glass 터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여, 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상에 제1 패턴을 형성하며, 감광유리와 기판을 이격시키고, 광열변환층 상에 상기 전사재료를 재 증착시켜 제2 전사재료층을 형성하여, 기판을 수평방향으로 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시키고, 제2 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상이고, 제1 패턴 의 사이에 제2 패턴을 형성한다. By scanning the laser beam in a direction toward the emitter substrate to transfer the transfer material onto a substrate to form a first pattern on the substrate, spaced apart from the photosensitive glass and the substrate and to re-deposit the transfer material on a light-heat conversion layer the laser light into two to form a transfer material layer, the substrate in the horizontal direction of movement less than the distance between the pattern of the first pattern and the second transfer material layer and the substrate, and pressurized abutted to each other, toward the substrate from the photosensitive glass direction scan was transferred to a transfer material onto a substrate to form a second pattern between the substrate shape, the first pattern.

따라서, 청구항 9에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 의하면, 레이저 광을 감광유리 상에 조사하여 제1 간섭패턴과 여기에 일부분이 겹쳐있는 제2 간섭패턴을 형성하고, 열처리 및 에칭에 의하여 상술한 간섭패턴이 제거된 감광유리상에 증착된 전사재료를 기판에 전사한 후, 기판을 미소 이동시켜 전사재료를 재 전사시켜주는 것에 의하여, 다양한 크기의 미세 전사패턴을 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 미세 전사패턴을 형성할 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer system according to claim 9, which is irradiated with laser light on the photosensitive glass to form a second interference pattern in a portion overlapping the first interference pattern and this, above, by heat treatment, and etching the interference pattern after transferring the transferred material deposited on the removed photosensitive glass phase to the substrate, by which to move the substrate smile to transfer material to the transfer material, it is possible to form a fine transfer pattern of varying size, and a uniform line width It has it is possible to form a fine pattern transfer.

청구항 10에 관한 발명인 패턴 전사 시스템은, 청구항 9에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 있어서, 감광유리의 하부에 감광유리를 이동시키는 제1 이송 스테이지를 더 포함하고, 이송 스테이지에 의하여 감광유리를 수평방향으로 이동시키는 양 및 횟수에 따라 일부분의 폭을 조절가능하다. Inventors pattern transfer according to claim 10, the system, the inventors pattern transfer systems, the lower the horizontal direction, the photosensitive glass by a first transfer stage to further include and a feed stage for moving the photosensitive glass of the light-sensitive glass according to according to claim 9, it is possible to adjust the width of a portion according to the amount of movement and number.

따라서, 청구항 10에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 의하면, 감광유리의 하부에 감광유리를 이동시키는 제1 이송 스테이지를 더 포함하여 제1 간섭패턴과 제2 간섭패턴이 겹치는 일부분의 폭을 조절하여 주는 것에 의하여, 제1 및 제2 간섭 패턴의 폭을 용이하게 조절할 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer system according to claim 10, further comprising a first transfer stage for moving the photosensitive glass to the bottom of the photosensitive glass to which to adjust the width of the first interference pattern and a second interference pattern overlaps a portion by this, the width of the first and second interference patterns can be easily adjusted.

청구항 11에 관한 발명인 패턴 전사 시스템은, 청구항 10에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 있어서, 제1 이송 스테이지는 제2 간섭패턴까지 형성된 감광유리를 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 더 이동시키고, 감광유리 상에, 직사광 및 반사광을 재조사하여 제1 간섭패턴 또는 제2 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제3 간섭패턴을 형성한다. The inventors pattern transfer system according to claim 11, in the inventors pattern transfer system according to claim 10, the first transfer stage is further moved in the horizontal direction reduce the photosensitive glass is formed to a second interference pattern than the predetermined width, the photosensitive glass to be such that the first interference pattern or the part of the second interference pattern overlap to re-examine the direct light and the reflected light to form a third interference pattern.

따라서, 청구항 11에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 의하면, 제1 이송 스테이지는 감광유리를 수평방향으로 더 이동시키고, 직사광 및 반사광을 재조사하여 제1 간섭패턴 또는 제2 간섭패턴과 제3 간섭패턴이 겹치는 일부분의 폭을 조절하여주는 것에 의하여, 감광유리 상에 형성되는 간섭패턴의 폭을 용이하게 넓힐 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer system according to claim 11, the first transfer stage is further moved in the photosensitive glass in a horizontal direction, to re-examine the direct light and the reflected light a first interference pattern or the second interference pattern, and a third interference pattern Overlapping by giving to adjust the width of a portion, it is possible to easily expand the width of the interference pattern formed on the photosensitive glass.

청구항 12에 관한 발명인 패턴 전사 시스템은, 청구항 9에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 있어서, 기판의 하부에 장착되어, 기판을 수평방향으로 이동시키는 제2 이송 스테이지를 더 포함하고, 제2 이송 스테이지에 의하여, 기판을 수평방향으로 이동시키는 양에 따라 제1 패턴 및 제2 패턴 사이의 간격이 조절가능하다. Inventors pattern transfer according to claim 12, the system, in the inventors pattern transfer system according to claim 9, it is attached to the lower portion of the substrate, further comprising: a second transfer stage for moving the substrate in the horizontal direction, by the second transfer stage , it may be the distance between the first pattern and the second pattern control in accordance with the amount to move the substrate in the horizontal direction.

따라서, 청구항 12에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 의하면, 제2 이송 스테이지를 더 포함하여 제1 패턴과 제2 패턴 사이의 간격을 조절하여 주는 것에 의하여, 기판 상에 형성되는 소망하는 미세 패턴들 사이의 간격을 용이하게 조절할 수 있다. Thus, between the fine pattern desired to be, according to the inventors pattern transfer system according to claim 12, claim by giving 2, further comprising a feed stage to control the distance between the first pattern and the second pattern formed on the substrate the distance can be easily adjusted.

청구항 13에 관한 발명인 패턴 전사 시스템은, 청구항 12에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 있어서, 제2 이송 스테이지는 제2 패턴까지 형성되어 있고 감광유리와 이격된 기판을 수평방향으로 제2 패턴과 제2 패턴으로부터 기판이 이동되는 방향에 위치한 제1 패턴과의 간격보다 적게 이동시키고, 광열변환층 상에 전사재료를 재 증착시켜 형성된 제3 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상이고, 제2 패턴과 제2 패턴으로부터 기판이 이동되는 방향에 위치 한 제1 패턴과의 사이에 제3 패턴을 형성한다. Inventors according to claim 13, pattern transfer systems, according to inventors pattern transfer system according to claim 12, the second transfer stage is first formed to the second pattern, and the photosensitive glass and the spaced-apart substrates in a horizontal direction, the second pattern and the second pattern moving less than the distance between the first pattern in the direction in which the substrate is moved from and, light and heat to re-deposit the transfer material in the phase change layer and the pressing butt each other three transfer material layer and the substrate are formed, toward the substrate from the photosensitive glass by scanning the laser beam in a direction to transfer the transfer material onto a substrate to form a third pattern in between and a second pattern located in the direction in which the substrate is moved from the substrate shape, the second pattern and the second pattern.

따라서, 청구항 13에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 의하면, 제2 패턴과 제2 패턴으로부터 기판이 이동되는 방향에 위치한 제1 패턴과의 사이에 제3 패턴을 형성하여주는 것에 의하여, 극히 미세한 간격을 가지는 패턴을 형성하여줄 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer system according to claim 13, claim by giving to form a third pattern between the first pattern in the direction in which the substrate is moved from the second pattern and a second pattern having a very small gap there can be formed a pattern.

청구항 14에 관한 발명인 패턴 전사 방법은, 제1 영역 및 제2 영역을 가지는 감광유리 상에, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴을 형성하는 제1 단계, 감광유리를 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 감광유리 상에, 직사광 및 반사광을 재조사하여 제1 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴을 형성하는 제2 단계, 감광유리를 열처리하여 제1 및 제2 간섭패턴을 착색시키고, 착색된 제1 및 제2 간섭패턴만이 제거되도록 감광유리를 에칭하는 제3 단계, 제1 및 제2 간섭 패턴이 제거되어 있는 감광유리의 면 상에, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층 및 전사재료를 증착시킨 전사재료층을 차례로 형성하는 제4 단계, 감광유 Inventors pattern transfer method according to claim 14 includes a first region and a second on the photosensitive glass having a second area, it is irradiated with the reflected light that reflects the direct light and the laser light was directly projecting the laser light from the light source to the reflector predetermined width having a first moving the first step, the photosensitive glass to form an interference pattern in the horizontal direction smaller than a predetermined width and, the photosensitive glass phase on, so that the portion on the first interference pattern overlaps to re-examine the direct light and the reflected light 2 interfere with the a third step of the second step of forming a pattern, heat treating the photosensitive glass to color the first and second interference patterns and, etching the photosensitive glass such that the colored first and second interference patterns only and to remove the first and the 2, a fourth step of forming on the surface of the photosensitive glass, which is the interference pattern is removed, the transfer material layer was deposited a light-heat conversion layer and the transfer material absorbs light to generate heat, in turn, the photosensitive organic 의 제1 영역에 대응하는 면적을 가지는 기판을 제1 영역의 전사재료층과 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상에 제1 패턴을 형성하는 제5 단계, 감광유리와 기판을 이격시키고, 기판을 감광유리의 제2 영역으로 이동시켜, 상기 제2 영역의 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성하는 제6 단계를 포함한다. To the claim and a substrate having an area corresponding to the first area pressurized abutted to each other and transfer material layer of the first region, by scanning the laser beam in a direction toward the substrate from the photosensitive glass to the transfer material transferred to a substrate of claim on a substrate the fifth step, separated from the photosensitive glass and the substrate and the substrate to form the first pattern by moving a second region of the photosensitive glass, and abutted to each other the transfer material layer and the substrate the pressure of the second region, the substrate from the photosensitive glass scanning the laser beam in a direction toward the transfer material to transfer onto a substrate and includes a sixth step of forming a second pattern between the substrate shape, the first pattern.

따라서, 청구항 14에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 의하면, 레이저 광을 감광유리 상에 조사하여 제1 간섭패턴과 여기에 일부분이 겹쳐있는 제2 간섭패턴을 형성하고, 열처리 및 에칭에 의하여 상술한 간섭패턴이 제거된 감광유리상에 증착된 전사재료를 기판에 전사한 후, 감광유리상의 다른 영역으로 기판을 미소 이동시켜 전사재료를 재 전사시켜주는 것에 의하여, 다양한 크기의 미세 전사패턴을 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 미세 전사패턴을 형성할 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer system according to claim 14, which is irradiated with laser light on the photosensitive glass to form a second interference pattern in a portion overlapping the first interference pattern and this, above, by heat treatment, and etching the interference pattern the one that was removed deposited on the photosensitive glass phase transfer material transferred to the substrate, followed by moving the substrate smile to other areas of the photosensitive glass phase by giving to the transfer material to the transfer material, it is possible to form a fine transfer pattern of various sizes, In addition, it is possible to form a fine transfer pattern having a line width uniformity.

청구항 15에 관한 발명인 패턴 전사 방법은, 감광유리 상에, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴을 형성하는 제1 단계, 감광유리를 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 감광유리 상에, 직사광 및 반사광을 재조사하여 제1 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴을 형성하는 제2 단계, 감광유리를 열처리하여 제1 및 제2 간섭패턴을 착색시키고, 착색된 제1 및 제2 간섭패턴만이 제거되도록 감광유리를 에칭하는 제3 단계, 제1 및 제2 간섭 패턴이 제거되어 있는 감광유리의 면 상에, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층, 그 위에 형성되는 층의 분리를 도와주는 이형층, 전사재료를 증착시킨 제1 전사재료층, 그 위에 형성되는 Inventors pattern transfer method according to claim 15 is irradiated with the photosensitive glass, the reflected light that reflects the direct light and the laser light was directly projecting the laser light from the light source to the reflector to form a first interference pattern having a predetermined width a second step of moving the stage 1, a photosensitive glass in a horizontal direction smaller than a predetermined width and, on the photosensitive glass to re-examine the direct light and the reflected light so that the overlap portion to the first interference pattern to form a second interference pattern, the photosensitive heat-treating the glass first and second interference and the colored pattern, the colored first and second interference pattern, a third step of etching the photosensitive glass to only remove the first and second interference pattern is removed photosensitive glass on the surface, it absorbs light light-heat conversion layer to generate heat, and the release layer to help the separation of the layer formed on the first vapor deposition in which the transfer material the transfer material layer to be formed thereon 층의 분리를 도와주는 이형층 및 전사재료를 증착시킨 제2 전사재료층을 차례로 형성하는 제4 단계, 제2 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료 를 기판 상으로 전사하여 기판 상에 제1 패턴을 형성하는 제5 단계, 감광유리와 기판을 이격시키고, 기판을 수평방향으로 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시키고, 제1 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성하는 제6 단계를 포함한다. Pressing a fourth step, the second transfer material layer and the substrate to form a second transfer material layer, depositing a release layer and a transfer material to assist in the separation of the layers and then butted to each other, and laser light in a direction toward the substrate from the photosensitive glass the scanning to and the transfer material to transfer onto a substrate spaced apart from the fifth step, the photosensitive glass and the substrate to form a first pattern on the substrate, the substrate in the horizontal direction and less mobile than the distance between the pattern of the first pattern, the 1 second to form a second pattern between the transfer material layer and butted to each other press the substrate, and the substrate is transferred onto a transfer material substrate by scanning a laser light in a direction toward the substrate from the photosensitive glass shape, the first pattern 6 and a step.

따라서, 청구항 15에 관한 발명인 패턴 전사 시스템에 의하면, 레이저 광을 감광유리 상에 조사하여 조사하여 제1 간섭패턴과 여기에 일부분이 겹쳐있는 제2 간섭패턴을 형성하고, 열처리 및 에칭에 의하여 상술한 간섭패턴이 제거된 감광유리상에 증착된 다수의 전사재료를 기판에 전사한 후, 기판을 미소 이동시켜 전사재료를 재 전사시켜주는 것에 의하여, 다양한 크기의 미세 전사패턴을 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 미세 전사패턴을 형성할 수 있다. Therefore, according to the inventors pattern transfer system according to claim 15, the laser light sensitive to the irradiation on the glass irradiated first interference pattern with this overlap portion second interference to form a pattern, described above, by heat treatment, and etching in the interference after the pattern is transferred to the deposited on the removed photosensitive glass phase number of the transfer material to the substrate, by which to move the substrate smile to transfer material to the transfer material, it is possible to form a fine transfer pattern of varying size, and uniform It can form a fine pattern having a width of a transfer line.

상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 패턴 전사 방법 및 전사 시스템에 의하면, 레이저 광을 감광유리 상에 조사하여 넓은 간섭패턴을 형성하고, 열처리 및 에칭에 의하여 넓은 간섭패턴이 제거된 감광유리상에 증착된 전사재료를 기판에 전사한 후, 기판을 미소 이동시켜 전사재료를 재 전사시켜주는 것에 의하여, 다양한 패턴 간격으로 다양한 폭의 미세 전사패턴을 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 미세 전사패턴을 형성할 수 있다. As described above, the according to the pattern transfer method and transfer system according to the present invention, by irradiating the laser beam on the photosensitive glass to form a large interference patterns, deposition on a large interference pattern is removed photosensitive glass phase by heat treatment and etching after the transfer the transfer material to the substrate, by which to move the substrate smile to transfer material to the transfer material, it is possible to form a fine transfer pattern of different width in a variety of patterns interval, also having a good uniform width fine transfer pattern a it can be formed.

또한, 본 발명에 따르면, 미세 전사패턴이 대면적으로 형성될 수 있고, 또한 미세 전사패턴이 빠르게 형성될 수 있다. Further, according to the present invention, the fine pattern is transferred can be formed in a large area, or may be a fine transfer pattern formed quickly.

또한, 본 발명에 따르면, 기판에 전사되는 패턴의 형성과정이 간소화되고, 제조 비용 및 제조 시간을 절감시킬 수 있다. According to the present invention, the formation of the pattern to be transferred to the substrate is simplified, it is possible to reduce the manufacturing cost and manufacturing time.

또한, 본 발명에 따르면, 마스크를 사용하지 않고, 대면적의 패턴 전사가 가능하다. According to the present invention, without using a mask, it is possible to transfer the pattern of a large area.

또한, 본 발명에 따르면, 간섭패턴이 형성된 감광유리를 사용하는 것에 의하여, 레이저 광에 의해 발생되어야 하는 열 팽창이 덜 필요해져, 열에 의한 전사재료에의 영향을 최소화할 수 있다. Further, according to the present invention, by using a photosensitive glass interference pattern is formed, the thermal expansion that must be generated by the laser light becomes less necessary, it is possible to minimize the effect of the transfer material by heat.

이상과 같은 본 발명에 대한 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과 외의 구체적인 사항들은 다음에 기재할 실시예 및 도면들에 포함되어 있다. The problem to be solved of the present invention as described above, problems solution, specific details other effects are included in the embodiments and the drawings to be described below. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. Methods of accomplishing the advantages and features of the present invention and reference to the embodiments that are described later in detail in conjunction with the accompanying drawings will be apparent. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Like reference numerals throughout the specification refer to like elements.

이하 본 발명의 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다. With reference to the accompanying drawings for an embodiment of the present invention will be described in detail. 다만, 첨부된 도면은 본 발명의 내용을 보다 쉽게 개시하기 위하여 설명되는 것일 뿐, 본 발명의 범위가 첨부된 도면의 범위로 한정되는 것이 아님은 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 알 수 있을 것이다. However, to the accompanying drawings Those of ordinary skill, may make not intended that the scope of the invention as defined in the appended drawings are the art described in order to more easily initiate the context of the present invention facilitates it will be appreciated.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템의 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 2는 도 1에 의하여 감광유리상에 형성된 간섭패턴을 설명하기 위한 도면이며, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템의 감광유리에 형성된 간섭패턴의 원리를 설명하기 위한 도면이고, 도 4a 내지 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템에 의한 패턴 전사를 설명하기 위한 도면이며, 도 5는 본 발명의 일 실시에에 따른 패턴 전사 시스템의 제1 및 제2 패턴 전사 조건을 설명하기 위한 도면이다. 1 is a view for explaining the interference pattern formed on the photosensitive glass phase by the first drawing, and Figure 2 is a diagram illustrating the structure of a pattern transfer system according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is one of the present invention a diagram for explaining the interference pattern, the principles of the formed on the photosensitive glass of the pattern transfer system according to an embodiment, figures 4a to 4f are views for explaining a pattern transfer according to the pattern transfer system according to an embodiment of the present invention, 5 is a view for explaining the first and second pattern transfer condition of pattern transfer system according to one embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템의 구조는, 광원(100), 음향광 변조기(Acousto-Optic Modulator)(101), 광 확장기(beam expander) (102), 반사체(110), 감광유리(120), 기판(140)을 포함한다. 1, the structure of the pattern transfer system according to an embodiment of the present invention, the light source 100, the acoustic optical modulator (Acousto-Optic Modulator) (101), an optical expander (beam expander), (102) , it includes a reflector 110, a photosensitive glass 120, the substrate 140.

광원(100)은 반사체(110)와 감광유리(120)가 연결되는 지점과 일직선 상에 놓여있고, 감광유리(120)에 간섭패턴이 형성되도록, UV 레이저(100~400nm)가 사용된다. Light source 100 and placed on a branch line with which the reflector 110 and the photosensitive glass (120) connected, so that the interference pattern formed on the photosensitive glass 120, a UV laser (100 ~ 400nm) is used. UV 레이저를 사용하여 소정의 폭, 즉 마이크로 미터 크기 이하의 제1 간섭 패턴(미도시)을 감광유리(120) 상에 형성할 수 있다. And it is possible to form a predetermined width, a first interference pattern, of less than a micrometer in size (not shown) on the photosensitive glass 120 using a UV laser. 또한, 광원(100)에 연결되는 음향광 변조기(Acousto-Optic Modulator) (101)를 설치하여, 음향광 변조기(101)를 오프(off)시킨 다음, 회전 스테이지(미도시) 및 이송 스테이지(미도시)를 소정의 폭보다 적게 이동시켜준다. Further, by installing the acoustic optical modulator (Acousto-Optic Modulator) (101) coupled to the light source 100, it turns off the acoustic optical modulator (101) (off) was then rotating stage (not shown) and a transfer stage (not shown City) to give the less mobile than the predetermined width. 그런 다음에, 레이저 광을 감광유리(120) 상에 재조사하여 제1 간섭패턴과 소정영역이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴을 형성할 수 있다(도2 내지 도4 참조). Then, such that the first interference pattern and a predetermined area overlap to re-examine the laser light on the photosensitive glass 120 to form a second interference pattern (see FIGS. 2 to 4). 한편, 본 발명의 실시예에서는, 레이저 광을 온 또는 오프시키는 수단으로 음향광 변조기(101)를 일 예로 들었으나, 이에 한정되지 않고, 음향광 변조기(101)와 같이, 레이저 광을 수 KHz ~ 수 GHz 정도로 빠르게 온 또는 오프시킬 수 있는 일렉트릭 모듈레이터(electric modulater)와, 레이저 광을 수 Hz~ 1 kHz 정도로 온 또는 오프시킬 수 있는 일렉트릭 셔터(electric shutter) 등의 광 온 오 프 장치라면 무방하다. On the other hand, in the embodiment of the present invention, but heard the acoustic optical modulator 101 as a means for turning on or off a laser beam an example, not limited to this, as in the acoustic optical modulator 101, can KHz with a laser beam - number but may, if the light on-off device such as a fast-on or electric modulator (electric modulater) which can be turned off so GHz and electrical shutter (electric shutter) capable of turning on or off so can Hz ~ 1 kHz with a laser beam. 또한, 음향광 변조기(Acousto-Optic Modulator) (101)에 레이저 광의 크기를 확대시키는 광 확장기(beam expander) (102)를 연결한다. In addition, the connecting optical expander (beam expander) (102) for expanding the laser beam size to the acoustic optical modulator (Acousto-Optic Modulator) (101). 이로 인하여, 일부의 레이저 광은 반사체(110)로, 나머지의 레이저 광은 감광유리(120) 상으로 향하게 한다. Due to this, a part of the laser light is a reflector 110, and the remaining laser light is directed onto the photosensitive glass 120.

반사체(110)는 광원(100)으로부터의 레이저 광을 반사시키고, 반사된 반사광을 간섭패턴이 형성되는 감광유리(120) 상의 방향으로 향하게 해준다. Reflector 110 helps direct the direction on the photosensitive glass 120 which reflects the laser beam from the light source 100, an interference pattern formed by the reflected light reflected. 본 발명의 실시예에서는 반사체(110)로서 거울을 사용하나, 이에 한정되지 않고, 광을 반사시키는 다른 개체에도 적용될 수 있다. In an embodiment of the present invention, one using a mirror as a reflector 110 it is not limited to this, but can be applied to other objects for reflecting light. 한편, 본 발명의 다른 실시예로서, 도시되어 있지는 않지만, 두 개의 반사체를 통한 반사광을 이용하여 감광 유리 상에 제1 및 제2 간섭패턴을 형성하여 줄 수도 있다. On the other hand, according to another embodiment of the present invention, although not shown, it may line by using light reflected by the two reflectors forming the first and second interference pattern on the photosensitive glass. 간단히 설명하자면, 두 개의 반사체가 서로 마주보며 위치되어, 광원으로부터 조사된 레이저 광을 감광유리 표면 상으로 각각 반사시켜주는 것에 의하여, 감광유리 표면 상에 패턴을 형성한다. The short description, the two reflectors are positioned facing each other, by giving to each reflecting the laser light irradiated from the light source onto the photosensitive glass surface to form a pattern on the photosensitive glass surface. 이는, 두 반사체에 의하여 각각 반사된 반사광은 광 경로차가 일정하기 때문에 간섭패턴을 형성하는 데 있어서, 용이하다. This is because the reflected light respectively reflected by the two reflectors is, according to easily form an interference pattern because the optical path difference is constant. 특히, 펄스 레이저 방식을 사용하여 레이저 광을 주사하면, 서로 다른 시각에서도 광의 위상에 일정한 상관관계를 가지는 시간 결맞음(temporal coherence) 현상에 의하여 간섭패턴을 용이하게 형성할 수 있다. In particular, when scanning a laser beam using a pulse laser method, it is possible to each other easily to form an interference pattern by the coherence time (temporal coherence) phenomenon having a predetermined relationship to the phase of the light in another way.

감광유리(120)는, 반사체(110)의 외주변 중 레이저 광이 반사되는 방향 측의 일변과 직각으로 연결되고, 광원(100)으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 제1 및 제2 간섭패턴이 형성된다. The photosensitive glass 120, and the laser of the outer periphery of the reflector 110, the light connected to the univariate and perpendicular to the reflecting direction side, reflects the direct light and the laser light that projects a laser beam from the light source 100 directly to the reflector the first and second interference pattern is formed by irradiation with the reflection light which. 한편, 감광유리(120)는, 방사선(예를 들면, 자외선, X선, γ선에 의한 착색효과가 민감하게 나타나도록 만든 특수한 유리로서, 금, 은, 구리와 같은 감광성 금속원소를 이온상태로 유리성분에 포함시킨 것이다. 발색 메커니즘은 방사선의 조사로 에너지를 얻은 이온이 보통의 재가열 온도보다는 낮은 온도에서, 또한 짧은 시간의 가열로 쉽게 환원되어 유리가 착색되게 된다. 그리고, 제1 및 제2 간섭패턴이 형성된 감광유리(120)를 수백도로 수분간 열처리를 하여, 제1 및 제2 간섭패턴을 착색시키고, 이를 플루오르화 수소를 포함한 에칭용액으로 에칭하여 착색된 제1 및 제2 간섭패턴을 제거한다. 또한, 제1 및 제2 간섭패턴이 제거된 감광유리의 면 상에 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층(도 4c 내지 도 4e 참조), 그 위에 층의 분리를 도와주는 이형층( On the other hand, the photosensitive glass (120), radiation (e. G., As a special glass made the coloring effect by the ultraviolet rays, X-ray, γ-ray to sensitively appear gold, the photosensitive metal elements such as silver, copper in ionic will include in the glass component. coloring mechanism is ion gained energy in the irradiation is at a temperature lower than the usual re-heating temperature, and easily reduced by heating in a short time is to be the glass is colored, and the first and second to a few hundred degrees for several minutes and heat-treating the photosensitive glass 120, an interference pattern is formed, the first and second interference and the colored patterns, a first and second interference patterns colored by this etching in the etching solution containing hydrogen fluoride removed and also, the first and the light-heat conversion layer of the second interference pattern absorbs light on the surface of the removed photosensitive glass generate heat (see Fig. 4c through 4e), the release assist the separation layer thereon layer( 도시) 및 전사재료를 증착시킨 전사재료층(도 4c 내지 도 4e 참조)이 차례로 형성된다. 그리고, 이송 스테이지(미도시)는 감광유리(120)의 하부에 설치되어, 감광유리(120)를 이동시키는 기능을 한다. Shown) and in which the transfer material layer deposited to a transfer material (see Fig. 4c through 4e) are formed in this order. Then, the feed stage (not shown) installed at the lower portion of the photosensitive glass 120, a photosensitive glass 120 functions to move.

또한, 회전 스테이지(150)가 반사체(110)와 감광유리(120)가 연결되는 지점에 형성되어, 레이저 광의 입사각을 변화시켜 제1 및 제2 간섭패턴의 크기를 조절한다. Further, the rotational stage 150 is formed at the connection point between the reflector 110 and the photosensitive glass (120) connected, by changing the incident angle of laser light to control the size of the first and second interference pattern.

도 2에 도시된 바와 같이, 도 1에 의하여 간섭패턴이 형성된 감광유리(120)는, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사(R1)하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴(121)이 형성되고, 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동되어 직사광 및 반사광을 재조사(R2)하여 제1 간섭패턴(121)에 일부분이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴(121a)이 형성된다. FIG photosensitive glass 120, an interference pattern is formed by the Figure 1, as illustrated in Figure 2, by irradiation (R1) with the reflected light that reflects the direct light and the laser light was directly projecting the laser light from the light source to the reflector predetermined of the first interference pattern 121 has a width is formed, is less moved in the horizontal direction than the predetermined width to review (R2), the direct light and the reflected light so that the overlapping part to a first interference pattern 121, a second interference pattern a (121a) is formed. 즉, 제1 간섭패턴(121)의 간격(I)보다 더 좁은 제2 간섭패턴(121a)의 간 격(I/2)이 형성된다. In other words, the interval (I / 2) between the first interference pattern 121 is narrower second interference pattern (121a) than the distance (I) of are formed.

보다 상세하게 설명하자면, 감광유리에 레이저 광을 주사해서 간섭패턴을 형성할 때, 1차 주사(R1)를 통해서 최소 파장의 1/2 크기의 제1 간섭패턴(121)을 형성하고, 광 온오프 장치에 의하여 레이저를 오프(off) 한 상태에서 이송 스테이지(130)를 이용하여 감광유리(120)를 제1 간섭패턴 영역보다 적게, 즉 패턴이 겹치게 이동시키고 나서 2차 주사(R2)를 한다. In more detail, when to scan the laser beam to the photosensitive glass to form an interference pattern, and through a primary injection (R1) form a first interference pattern 121 of the half-size of the smallest wavelength, the light-on by off device using a transfer stage 130 in a state of turning off the laser (off) less the photosensitive glass 120 than the first interference pattern regions, that is, moved to overlap a pattern and then is secondary injection (R2) . 이때, 1차 주사(R1)에 의한 제1 간섭패턴(121)과 2차 주사(R2)에 의한 제2 간섭패턴(121a)이 연속적으로 형성되게 된다. In this case, the first interference, a second interference pattern (121a) by the pattern 121 and the second scanning (R2) by the first scanning (R1) is to be formed continuously. 그런 다음, 후술하는 열처리 및 에칭(도 4b 참조)을 통하여 제1 및 제2 간섭패턴(121, 121a)이 제거되어, 반파장보다 더 작은 패턴 폭을 가지면서 제1 및 제2 간섭패턴(121, 121a)이 제거된 부분의 폭이 넓은 감광유리(120)가 제작되게 된다. Then from the following, which will be described later heat treatment and the etching (see Fig. 4b) the first and second interference patterns (121, 121a) is removed, while having a smaller pattern width than the half-wave first and second interference patterns (121 , 121a) is a wide photosensitive glass 120, the width of the removed part to be produced.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템의 감광유리에 형성된 간섭패턴은, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사되어 감광유리 상에 형성된다. 3, the interference pattern formed on the photosensitive glass of the pattern transfer system according to an embodiment of the present invention is irradiated with the reflected light that reflects the direct light and the laser light was directly projecting the laser light from the light source to the reflector It is formed on the photosensitive glass. 여기서, 파장이 λ인 직사광 및 반사광이 감광유리 상에 입사각 θ로 조사되면, 두 개의 직사광 및 반사광이 서로 간섭을 일으켜서 그 지점에 간섭패턴을 형성한다. Here, when the wavelength λ of the direct light and reflection light irradiated to the incident angle θ on the photosensitive glass, causes the two direct light and reflected light interfere with each other to form an interference pattern in that point. 여기서, 간섭패턴은 두 개의 직사광 및 반사광의 경로차에 의하여 발생되는 간섭을 통하여 감광유리 표면 상에 형성된다. Here, the interference pattern is formed on the photosensitive glass surface through the interference caused by the path difference of the two direct light and reflected light. 감광유리 표면 상에 형성된 간섭패턴의 간격(P)은, 아래 식 [1]에 의하여 도출된다. Intervals (P) of the interference pattern formed on the photosensitive glass surface is derived by the following formula (1).

P(period) = λ/2sinθ 식 [1] P (period) = λ / 2sinθ formula (1)

이와 같이, 레이저 광의 파장이 길어질수록 패턴 간격이 넓어지고, 짧을수록 좁아진다. Thus, the longer the wavelength of laser light is narrowed, the shorter becomes wider pattern spacing.

도 4a 내지 4f에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템에 의한 패턴 전사를 순서대로 설명하기로 한다. As shown in Figures 4a to 4f, it will be described as the pattern transferred by the pattern transfer system according to an embodiment of the present invention sequence.

우선, 도 1 및 도 2에서와 같이, UV 레이저 광을 주사하면 감광 유리(120)의 특성이 변화하고 HF(Hydrogen Fluoride)를 포함한 에칭용액으로 에칭이 가능한 감광 유리(120)를 위치시키고, 그에 직각으로 반사체를 장착한다. First, as shown in Figs. 1 and 2, when the injection of UV laser light characteristics of the light-sensitive glass 120 is changed and the position of the photosensitive glass 120 is etched with an etching solution containing HF (Hydrogen Fluoride) possible, thereby Fit the reflector at a right angle.

도 4a에 나타난 바와 같이, 도 1 및 도 2에서의 제1 및 제2 간섭패턴(이하, 121a로 도면부호 매김)이 감광유리(120) 상에 형성된다. As shown in Figure 4a, the (established reference numerals below, 121a) first and second interference patterns in Figs. 1 and 2 is formed on the photosensitive glass 120. 여기서, 감광유리(120)의 면 상에 레이저 광에 의하여 제1 및 제2 간섭패턴(121a)이 형성되는 과정 및 원리에 대하여는 도 1 및 도 2를 참조하기로 한다. Here, also with respect to process and principles by means of laser light on the surface of the photosensitive glass 120, the first and second interference pattern (121a) is formed to be 1 and FIG 2. 한편, 본 발명에 대한 다른 실시예로서, 감광유리(120) 상에, 직사광과 반사광을 조사하기 전에 무 반사층(anti-reflection layer)(미도시)을 먼저 형성하여 감광유리의 반사율이 높아질 경우에, 이를 조절할 수도 있다. On the other hand, as another embodiment of the present invention, the photosensitive glass to the case and 120 forms a reflection layer (anti-reflection layer) (not shown) on, before irradiating direct light and reflected light, first increase the reflectivity of the light-sensitive glass and it may adjust them. 즉, 감광유리(120) 상에 무반사 코팅(anti-reflection coating)을 하여주는 것에 의하여, 감광유리(120) 상에 조사되는 직사광 및 반사광이 재반사되는 것을 감소시켜 간섭패턴(121)의 형성을 용이하게 할 수도 있다. That is, the photosensitive glass 120 by giving to the anti-reflective coating (anti-reflection coating) on, it is possible to reduce that the direct light and the reflected light is irradiated on the photosensitive glass 120 is re-reflected in the formation of the interference pattern 121 It may be facilitated.

도 4b에 나타난 바와 같이, 감광유리(120)를 열처리하여 제1 및 제2 간섭패턴(121a)을 착색시켜준다. As shown in Figure 4b, by heating the photosensitive glass 120 allows to color the first and second interference pattern (121a). 즉, 감광유리(120)를 수백도로 수분간 열처리 하여 제1 및 제2 간섭패턴(121a)이 있는 부분만 에칭이 용이하게 착색시킨다. That is, the photosensitive glass to heat treatment for several minutes to several hundred degrees (120) causes the first and second interference patterns (121a) to only the colored part of the etching is easy. 여기서, 레이저 광의 조사량 또는 열처리의 조건을 변화시켜 제1 및 제2 간섭패턴(121a)의 깊이와 폭, 착색 색깔을 조절할 수 있다. Here, by changing the conditions of heat treatment or laser light irradiation amount it can be adjusted for depth and width, a coloring color of the first and second interference pattern (121a).

도 4c에 나타난 바와 같이, 도 4b에서 착색된 제1 및 제2 간섭패턴(121a)만이 제거되도록 감광유리(120)를 에칭한다. As shown in Figure 4c, and etching a photosensitive glass 120, only the first and second interference patterns (121a) colored in Figure 4b to be removed. 즉, 열처리를 끝낸 감광유리(120)를 플루오르화 수소(Hydrogen Fluoride)를 포함한 에칭용액에 담궈서 착색된 부분(121a)만 제거한다. In other words, the hydrogen fluoride to the photosensitive glass 120 finish heat treatment (Hydrogen Fluoride) a portion (121a) immersed in the etching solution containing the coloring only removed. 여기서, 플루오르화 수소(Hydrogen Fluoride)는 유리를 에칭하는 공정에 사용되는 사용되는 물질로서, 액체 상태 또는 이온화되지 않은 상태로 착색된 간섭패턴(121a)을 녹여, 그 간섭패턴(121a)을 제거한다. Here, the hydrogen fluoride (Hydrogen Fluoride) is a substance used to be used in a process for etching the glass to melt the interference pattern (121a) colored in a liquid state or a non-ionized state, removing the interference pattern (121a) . 또한, 에칭용액의 농도 및 에칭시간을 변화시켜 착색된 간섭패턴(121a)이 제거되는 양을 조절할 수 있다. Further, it is possible to adjust the amount by which the removal of the interference pattern (121a) by changing the coloring density and etching time of the etching solution. 그리고, 레이저 광의 조사조건에 의하여도 제1 및 제2 간섭패턴(121a)의 제거되는 양을 조절할 수도 있다. And it may adjust the amount to be removed in Fig. The first and second interference pattern (121a) by means of laser light irradiation condition. 한편, 본 발명의 일 실시예에서는 플루오르화 수소(Hydrogen Fluoride)를 포함한 에칭용액을 이용하여 감광유리(120)를 에칭하는 공정을 그 예로 들었으나, 이에 한정되지 않고, 이온 빔(ion beam)을 이용하여 감광유리를 에칭하는 공정에도 본 발명은 적용될 수 있다. On the other hand, the In one embodiment of the invention, but hear a step of etching the photosensitive glass 120 using an etching solution containing hydrogen fluoride (Hydrogen Fluoride). Examples, but not limited to, ion beam (ion beam) in the present invention the step of etching the photosensitive glass used can be applied. 즉, UV 레이저 광의 짧은 파장에 의하여 이온을 생성하고, 생성된 이온의 전기적인 에너지를 통하여 제1 및 제2 간섭패턴(121a)을 제거하여주는 것이다. That is, UV laser light that is generated by an ion by a short wavelength, and through the electrical energy of the generated ions to remove the first and second interference pattern (121a).

도 4d에 나타난 바와 같이, 제1 및 제2 간섭 패턴(121a)이 제거되어 있는 감광유리(120)의 면 상에, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층(123) 및 전사재료를 증착시킨 제1 전사재료층(124)을 차례로 형성한다. As shown in Figure 4d, the first and second interference pattern (121a) is is removed on the surface of the photosensitive glass 120, and absorbs light to deposit the light-heat conversion layer 123 and the transfer material for generating heat which forms the first transfer material layer 124 in sequence. 광열변환층(123)은, 감광유리(120)에 먼저 레이저 광을 흡수하여 열을 발생시킬 수 있다. Light-heat conversion layer 123, it is possible to first absorb the laser light to the photosensitive glass 120 generates heat. 제1 전사재료층(124)은 광열변환층(123) 상에 전사 재료를 증착한다. A first transfer material layer 124 is deposited to the transfer material on a light-heat conversion layer 123. 이때, 마스크를 사용하지 않고 진공 증착을 할 수 있고, 스핀코팅(spin coating)을 하여 솔루션 타 입(solution type)의 재료를 증착할 수도 있다. At this time, without using a mask it may be vacuum deposition, may be by a spin coating (spin coating) to deposit the material of the other solution I (solution type). 또한, 페이스트 코팅(paste coating)을 하여 페이스트 타입(paste type)의 재료를 층층히 바르고 베이킹(baking)하여 증착할 수도 있다. In addition, the coating paste (paste coating) paste type rubbing material of the Hi-tiered (paste type) may be deposited and baked (baking). 한편, 본 발명의 실시예에 따른 패턴 전사방법에서 사용될 수 있는 전사재료로는 금속물질, 유기물질, 무기물질, 세라믹, 단백질 및 세포 등을 포함하는 생체재료 등이 사용될 수 있다. On the other hand, a transfer material that may be used in the pattern transfer method according to an embodiment of the present invention may be used, such as bio-materials, including metal materials, organic materials, inorganic materials, ceramic, proteins and cells. 또한, 광열변환층(123)과 제1 전사재료층(124) 사이에 이형층(미도시)을 더 형성하여 줌으로써, 그 위에 형성된 제1 전사재료층(124)의 전사재료를 쉽게 떨어지게 할 수도 있다. Further, the light-heat conversion layer 123 and the first transfer material layer 124 on the release layer (not shown) for further formed by giving, moreover formed in the first transfer material layer 124, the transfer material can easily be dropped between have. 상술한 내용에서는, 광열변환층(123), 이형층(미도시), 제1 전사재료층(124)을 차례로 형성하는 것으로 기술하였지만, 감광유리(120)의 면 상에 형성되는 층들은 필요에 따라 다르게 구성할 수 있고, 또 다른 기능을 가지는 층을 추가할 수 있다. The layers need to be formed on the surface of the above-described information, light-heat conversion layer 123, a release layer (not shown), a first been described as forming in turn the transfer material layer 124, a photosensitive glass 120 depending may be differently configured, it may be added to a layer having another function.

도 4e에 나타난 바와 같이, 제1 전사재료층(124)과 기판(140)을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리(120)로부터 기판(140)으로 향하는 방향으로 레이저 광(L)을 주사하여, 전사재료를 기판(140) 상으로 전사하여 제1 패턴을 형성한다. As it is shown in Figure 4e, the first transfer material layer 124 and the substrate, and pressurized abutted to each other (140), by scanning the laser beam (L) in the direction toward the substrate 140 from the photosensitive glass 120, the transfer to transfer the material onto the substrate 140 to form a first pattern. 즉, 감광유리(120)로부터 기판(140)으로 향하는 레이저 광(L)에 의하여 전사재료가 연화됨과 동시에, 제1 전사재료층(124)과 기판(140)의 방향으로 서로 마주보는 방향으로 가압하여 전사재료가 기판(140)에 전사되어 제1 패턴이 형성된다. That is, soon as the transfer material is softened by the laser light (L) toward the substrate 140 from the photosensitive glass 120 at the same time, the first transfer material layer 124 and urged in the direction to face each other in the direction of the substrate 140, and the transfer material is transferred onto the substrate 140, a first pattern is formed. 이때, 전사되지 않는 부분은 레이저 광에 의하여 연화가 되어도, 마주보는 피 전사될 기판(140)과 접촉되지 않게 된다. In this case, unless the transfer portion even when softened by laser light, no longer be in contact with the substrate 140 to be opposed to the transfer source. 즉, 움푹 파인 부분의 물질은 기판(140)과 접촉이 되어있지 않기 때문에 전사되지 않는다. That is, the material of the hollow fine part is not transferred because it is not in contact with the substrate 140. 한편, 레이저 광의 조사방식으로, CW(continuous wave) 레이저 방식과 펄스(pulse) 레이저 방식이 사용된다. On the other hand, the laser light irradiation method, the CW (continuous wave) laser system with a pulse (pulse) laser system is used. 여기서, CW(continuous wave) 레이저 방식은, 레이저 내부의 공진기(resonator)에서 밀도 반전(population inversion)을 통하여 레이저 방출을 하는 방식이고, 펄스(pulse) 레이저 방식은 위와 같은 밀도반전과 같은 에너지 분포 역전의 에너지를 모아두었다가 일시에 방출하는 방식이다. Here, CW (continuous wave) laser system is a laser and the internal way of the laser emission through the population inversion (population inversion) in the resonator (resonator), pulse (pulse) laser system is reversed the energy distribution, such as the population inversion above dueotdaga the energy collected is a way of releasing all at once. 상술한 본 발명의 실시예에 따른 패턴 전사방법은, CW(continuous wave)방식을 통하여 주사된 레이저 광을 통해 발생된 열에 의하여 연화되는 방식을 그 예로 하였으나, 열의 의한 영향을 최소화하기 위해서 펄스 레이저(pulse laser) 방식을 사용할 수도 있다. The pattern transfer method according to embodiments of the present invention, but the manner in which the softening by the heat generated by the laser beam scanning through a CW (continuous wave) method For example, the pulse to minimize the effect of heat laser ( may use pulse laser) methods. 여기서, 열에 의한 영향은 펄스 주기(pulse duration) 및 이송 속도 등에 의하여 조절될 수 있다. Here, the influence due to heat can be controlled by such cycle (pulse duration) and feed rate pulse. 한편, 레이저 광(L)의 폭은 전사될 제1 패턴(도 4e에서는 제2 패턴)의 폭보다 넓다. On the other hand, the width of the laser beam (L) is (in Fig. 4e a second pattern), the first pattern to be wider than the width of the transfer. 즉, 레이저 광(L)의 초점의 크기를 제1 패턴의 폭보다 크게 하여줄 수 있다. That is, it is possible to greatly reduce the spot size of the laser light (L) than the width of the first pattern. 본 발명의 일 실시예에서의 레이저 광의 폭이 기판 상에 형성되는 패턴의 폭보다 약간 넓은 폭을 가지는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되지 않고 실제로는 레이저 광의 스팟 크기(spot size)에 의하여 하나 이상의 다른 패턴들도 포함할 수도 있다. Although the laser beam width in one embodiment of the present invention is shown as having a slightly wider width than the width of the pattern formed on the substrate, is not limited to this practice, the laser beam spot size (spot size) in one or the other, by It may be also included in the pattern.

도 4f에 나타난 바와 같이, 감광유리(120)와 기판(140)을 이격시키고, 광열변환층(123) 상에 전사재료를 재 증착시킨 다음, 기판(140)을 수평방향으로 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시켜(점선처리) 도 4d의 과정을 반복한다. As shown in Figure 4f, separate the photosensitive glass 120 and the substrate 140 and, light and heat to which redeposition the transfer material in the phase-change layer 123, and then, the substrate 140 in the horizontal directional pattern of the first pattern (dotted line processing) were less mobile than the interval between repeats the process of FIG 4d. 즉, 제2 전사재료층(124)과 기판(140)을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리(120)로부터 기판(140)으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판(140) 상으로 전사하여 기판(140) 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성한다. That is, the second transfer material layer 124 and the substrate 140, the butted and pressed to each other, the photosensitive glass transferred to the transfer material by scanning the laser beam in a direction toward the substrate 140 from 120 to the substrate 140, to form a second pattern between the substrate (140) shape, the first pattern. 또한, 제2 패턴까지 형성되어 있는 기판(140)을, 감광유리(120)와 이격시키고, 광열변환 층(123) 상에 전사재료를 또 재 증착시켜 제3 전사재료층(124)을 형성하고, 기판(140)을 수평방향으로 제2 패턴과 제2 패턴으로부터 기판(140)이 이동되는 방향에 위치한 제1 패턴과의 간격보다 적게 이동시켜, 제3 전사재료층(124)과 기판(140)을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리(120)로부터 기판(140)으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판(140) 상으로 전사하여 기판(140) 상이고, 제1 패턴 및 제2 패턴의 사이에 제3 패턴을 형성하여 줄 수도 있다. In addition, the first substrate 140 is formed to the second pattern spaced apart from the photosensitive glass (120), and by again re-transferred material deposited on the light-heat conversion layer 123, and form a third transfer material layer 124 , was less mobile than the distance between the first pattern in the substrate 140 in the direction in which to move the substrate 140 from the second pattern and a second pattern in the horizontal direction, a third transfer material layer 124 and the substrate (140 ) a substrate (140 from each other and butted against each other pressing, and transferred onto the photosensitive glass 120, the substrate 140 in a direction to scan the laser beam substrate (140 a transfer material as a head) from a) shape, the first pattern and the second pattern the line may form a pattern 3 in between. 여기서, 제3 패턴은 제2 패턴과 제2 패턴으로부터 기판(140)이 이동되는 방향에 위치한 제1 패턴과의 사이에 위치한다. Here, the third pattern is positioned between the first pattern in the first direction to move the substrate 140 from the second pattern and the second pattern.

따라서, 상기와 같은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템에 의하여 나노 크기인 100nm이하의 미세 전사패턴을 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 100nm 이하의 미세 전사패턴을 형성할 수 있다. Thus, by a pattern transfer system according to an embodiment of the present invention as described above may form a fine transfer pattern of 100nm or less of the nano size, it can also form a micro-pattern transferred below 100nm having a good uniform width have.

한편, 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템의 제1 및 제2 패턴 전사 조건은, 제2 패턴을 전사하는 단계에서 기존의 전사된 제1 패턴과 2차 전사 시에, 감광유리(120)의 홈에 있는 전사재료가 닿게 되면, 그 전사재료가 기존의 제1 패턴에 접착될 가능성이 있다. On the other hand, as shown in Figure 5, the first and second pattern transfer condition of pattern transfer system in accordance with one embodiment of the invention, first a conventional transfer medium in the step of transfer of the second pattern a first pattern and the second After the time of transfer, the transfer material in the grooves of the light-sensitive glass 120 come into contact, there is a possibility that the transfer material is bonded to the existing first pattern. 그러므로, 이러한 현상을 피하기 위해서 다음의 식 [2]의 조건을 만족하여야 한다. Therefore, it should be in order to avoid this, satisfies the following formula [2].

L + la + lf >> 2lf + la L + la + lf >> 2lf + la

∴ L >> lf 식 [2] ∴ L >> lf formula [2]

위 식 [2]의 조건을 만족하기 위하여는 감광유리를 제작할 때, 증착할 전사재료층(124)의 두께(lf) 및 광열변환층(123)의 두께(la)를 고려해서 광 주사 시간, 광 주사 량, 에칭 시간, 에칭 용액 농도 등을 고려해야 한다. The above formula [2] is photosensitive when producing the glass, considering the thickness (la) of depositing the transfer material layer 124 thickness (lf), and the light-heat conversion layer 123 of the by optical scanning time in order to satisfy the condition, It should take into account the optical scanning amount, the etching time, the etching solution concentration and the like. 여기서, L은 제1 및 제2 간섭패턴이 제거되고, 감광유리 면상에 형성된 볼록한 부분이다. Here, L is the first and the second interference pattern is removed, and the convex portion formed on the side of the photosensitive glass.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템을 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템의 패턴 전사를 설명하기 위한 도면이며, 도 8a 및 도 8f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴 전사시스템에 의한 패턴 전사를 설명하기 위한 도면이다. 6 is a view for explaining a pattern transfer system according to another embodiment of the present invention, Figure 7 is a view for explaining a pattern transfer of the pattern transfer system according to another embodiment of the present invention, FIG. 8a and FIG. 8f is a view for explaining a pattern transfer according to the pattern transfer system according to another embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템은, 선형의 레이저 광(L)을 전사될 패턴 전체의 폭으로 주사하는 방식이다. 6, the pattern transfer system according to another embodiment of the present invention, a method of scanning the whole of the pattern to be transferred to the linear width of the laser beam (L) of. 즉, 이 방식은 도 4a 내지 도 4f에 도시되어 있는 방식과 달리 레이저 광이 전사되는 패턴 전체의 폭을 다 포함하게 주사되어 기판(240) 상에 제1 및 제2 패턴이 형성된다. That is, in this way is formed the first and second patterns on the FIG. 4a to be scanned to include the pattern of the entire width of the laser light is transferred, unlike the method illustrated in Figure 4f substrate 240. 여기서, 레이저 광이 패턴 전체의 폭을 다 포함하는 방식인 것을 제외하고, 도 4a 내지 도 4f에 도시되어 있는 방식과 동일하므로, 이에 관한 설명은 생략한다. Here, since the laser light, and it corresponds to the format shown in Figure 4a-4f, except that the method comprises the total of the pattern width, and thus description thereof will be omitted. 또한, 이 방식은, 도 7에 도시된 바와 같이, 광원은 고정되어 있고, 감광유리(220)와 기판(240)이 등속으로 이동되면서 전사되는 방식으로 가능하며, 또한 감광유리(220)와 기판(240)이 고정되어 있고, 광원이 이동되면서 전사되는 방식으로도 가능하다. In addition, this method is, as shown in FIG. 7, the light source is fixed, the photosensitive glass 220 and the substrate 240 is possible in such a way that the transfer while moving at a constant speed, and the photosensitive glass 220 and the substrate and 240 is fixed, it is also possible in such a way that the transfer while the light source is moved. 어블레이션(ablation)을 발생시켜 층 사이에서 강한 증기압을 통해 전사재료를 튕겨나가게 하는 방식인 펄스(pulse)방식이 적용될 수도 있다. Ablation (ablation) the generation by this method may be applied to the pulse (pulse) method of the transfer material thrown out through a strong vapor pressure between the layers. 따라서, 상술한 과정을 통하여 기판(240)의 전체 영역에 걸쳐서 패턴 전사가 되면, 감광유리(220)와 기판(240)을 분리하여 기판에 100nm 이하의 패턴 전사가 수행될 수 있다. Therefore, when the above-described process, the pattern transferred over the entire area of ​​the substrate 240 through a photosensitive glass may be a pattern transfer of 100nm or less performed on the substrate to remove the 220 and the substrate 240. 또한, 이 방식을 사용하여 대면적의 패턴의 형성이 가능해진다. In addition, using this method it is possible to form a large-area pattern.

한편, 도 8a 내지 도 8d에 나타난 제1 및 제2 패턴이 형성된 감광유리에 관한 설명은 도 4a 내지 도 4d에 대한 기재와 동일하여 그 기재를 참조하기로 한다. On the other hand, FIG. 8a to the first and the description of the photosensitive glass 2 pattern is formed shown in Figure 8d is the same as described for Fig. 4a-4d will be described referring to the.

도 8e에 나타난 바와 같이, 제1 전사재료층(224)과 기판(240)을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리(220)로부터 기판(240)으로 향하는 방향으로 선형의 레이저 광(L)을 전사될 패턴 전체의 폭으로 주사하여, 전사재료를 기판(240) 상으로 전사하여 제1 패턴을 형성한다. As it is shown in Figure 8e, the first transfer material layer 224 and butted against each other and pressed to each other the substrate 240, in a direction toward the substrate 240 from the photosensitive glass 220 to be transferred to the linear laser beam (L) of by scanning the whole width of the pattern, to transfer the transfer material onto the substrate 240 to form a first pattern. 즉, 감광유리(220)로부터 기판(240)으로 향하는 레이저 광(L)에 의하여 전사재료가 연화됨과 동시에, 제1 전사재료층(224)과 기판(240)의 방향으로 서로 마주보는 방향으로 가압하여 전사재료가 기판(240)에 전사되어 제1 패턴이 형성된다. That is, soon as the transfer material is softened by the laser light (L) toward the substrate 240 from the photosensitive glass 220 at the same time, the first transfer material layer 224 and urged in the direction to face each other in the direction of the substrate 240, and the transfer material is transferred to the substrate 240, a first pattern is formed. 이때, 전사되지 않는 부분은 레이저 광에 의하여 연화가 되어도, 마주보는 피 전사될 기판(240)과 접촉되지 않게 된다. In this case, unless the transfer portion even when softened by laser light, no longer be in contact with the substrate 240 to be opposed to the transfer source. 즉, 움푹 파인 부분의 물질은 기판(240)과 접촉이 되어있지 않기 때문에 전사되지 않는다. That is, the material of the hollow fine part is not transferred because it is not in contact with the substrate 240.

도 8f에 나타난 바와 같이, 감광유리(220)와 기판(240)을 이격시키고, 광열변환층(223) 상에 전사재료를 재 증착시켜 제2 전사재료층(224)을 형성하고, 기판(240)을 수평방향으로 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시켜 도 8e의 과정을 반복한다. Also, the photosensitive glass 220 and was separated from the substrate 240, a light-heat to re-deposit the transfer material in the phase-change layer 223 to form a second transfer material layer 224, the substrate (240, as shown in 8f ) to repeat the process of Figure 8e by horizontally moving less than a distance between the pattern of the first pattern. 즉, 제2 전사재료층(224)과 기판(240)을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리(220)로부터 기판(240)으로 향하는 방향으로 선형의 레이저 광(L)을 전사될 패턴 전체의 폭으로 주사하여 전사재료를 기판(240) 상으로 전사하여 기판(240) 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성한다. That is, the second to the transfer material layer 224 and the substrate 240, the butted and pressed to each other, the photosensitive glass 220 from the substrate 240 in a direction toward the linear width of the total laser pattern to be transferred to the light (L) of scan was transferred to a transfer material onto the substrate 240 to form a second pattern between the substrate 240 shape, the first pattern.

따라서, 상기와 같은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템에 의하여 선형의 레이저 광(L)을 전사될 패턴 전체의 폭으로 주사하여 나노 크기인 100nm이하의 미세 전사패턴을 빠르게 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 100nm 이하의 미세 전사패턴을 빠르게 형성할 수 있다. Thus, by scanning the linear laser beam (L) of the by pattern transfer system according to another embodiment of the present invention as described above as a pattern whole to be transferred widths may form quickly a fine transfer pattern of 100nm or less of nanoscale and it can also rapidly form a fine pattern of less than 100nm transfer line having a uniform width.

상기와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 패턴 전사 시스템을 이용하는 패턴 전사 방법에 대하여 도 9를 참고로 하여 설명하기로 한다. To Fig respect to the pattern transfer method using the pattern transfer system according to an embodiment 9 of the present invention configured as described above will be described by reference.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 방법의 순서를 설명하기 위한 순서도이다. 9 is a flow chart for explaining the sequence of a pattern transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 방법은, 감광유리 상에 제1 간섭패턴을 형성하는 제1 단계(S100), 감광유리를 이동시키고, 감광유리 상에 제2 간섭패턴을 형성하는 제2 단계(S200), 감광유리를 에칭하는 제3 단계(S300), 감광유리의 면 상에 광열변환층 및 제1 전사재료층을 형성하는 제4 단계(S400), 전사재료를 기판에 전사하는 제5 단계(S500), 광열변환층 상에 제2 전사재료층을 형성하는 제6 단계(S600), 기판을 이동시키고, 전사재료를 기판에 전사하는 제7 단계(S700)를 포함한다. As shown in Figure 9, and a pattern transfer method according to an embodiment of the present invention, move the first step of forming a first interference pattern (S100), a photosensitive glass in the photosensitive glass, a on the photosensitive glass a second step of forming a second interference pattern (S200), a third step of etching the photosensitive glass (S300), a fourth step of forming a light-heat conversion layer and the first transfer material layer on the surface of the photosensitive glass (S400), a seventh step a fifth step of transferring the transfer material on the substrate (S500), and the movement in the sixth step (S600), the substrate to form the second transfer material layer on the light-heat conversion layer, and transferring the transfer material on a substrate ( and a S700).

제1 단계(S100)는, 감광유리 상에, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴을 형성한다. Step 1 (S100) is irradiated with the photosensitive glass, in which a laser light reflected by a direct projection in which direct light and laser light to the reflector from a light source to form a first interference pattern having a predetermined width. 또한, 감광유리 상에, 직사광과 반사광을 조사하기 전에 무 반사층(anti-reflection layer)을 먼저 형성하여 감광유리의 반사율을 조절할 수 있다. Further, it is possible by the non-reflective layer (anti-reflection layer) prior to irradiation on the photosensitive glass, the direct light and the reflected light forming the first adjustable reflectivity of the photosensitive glass.

제2 단계(S200)는, 감광유리를 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 감광유리 상에, 직사광 및 반사광을 재조사하여 제1 간섭패턴에 일부분이 겹쳐 지도록 제2 간섭패턴을 형성한다. Step 2 (S200), the movement of the photosensitive glass in a horizontal direction smaller than a predetermined width and be on the photosensitive glass to re-examine the direct light and the reflected light so that the overlap portion to the first interference pattern to form a second interference pattern. 여기서, 일부분의 폭은 감광유리를 수평방향으로 이동시키는 양 및 횟수에 따라 조절가능하다. Here, the width of the portion is adjustable according to the amount and number of times for moving the photosensitive glass in a horizontal direction. 또한, 제2 간섭패턴까지 형성된 감광유리를 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 감광유리 상에, 직사광 및 반사광을 재조사하여 제1 간섭패턴 또는 제2 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제3 간섭패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다. In addition, the second interference pattern to move the photosensitive glass is formed to a horizontal direction smaller than a predetermined width and, to on the photosensitive glass, re-examine the direct light and reflected light so as to overlap a part of the first interference pattern or the second interference pattern, the third interference forming a pattern may be further included.

보다 상세하게 설명하자면, 제1 단계(S100) 이후에, 레이저 광원을 오프(off)시킨 후에 미소 이송 스테이지를 이용하여, 감광유리를 제1 간섭패턴의 폭보다 적게 움직여서 제1 간섭패턴과 겹치게 한다. In more detail, first with a smile transfer stage after the subsequent step 1 (S100), turning off the laser source (off), and by moving fewer photosensitive glass than that of the first interference pattern overlaps with the first interference pattern . 여기서, 미소 이송 스테이지에는 PZT(Piezoelectric Transducer), VCM(Voice Coil Motor)등의 스테이지를 이용하여 감광유리를 이동시켜준다. Here, the minute feed, the stage allows to move the photosensitive glass with a stage, such as PZT (Piezoelectric Transducer), VCM (Voice Coil Motor). 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 수nm정도의 정밀도를 갖는 다른 구동기를 포함할 수도 있다. However, it is not limited thereto and may include other actuators having a degree of accuracy of several nm instead. 또한, 긴 행정운동이 가능한 스테이지(stage)가 미소 이동 스테이지 하부에 위치하여 대면적의 패턴제조를 위하여 사용될 수 있다. In addition, the long-stroke stage capable of movement (stage) located in the minute movable stage lower may be used for producing a pattern having a large area. 그런 다음, 레이저 광원을 온(on)시켜, 제1 간섭 패턴이 형성된 감광유리 상에 2차로 재 주사를 한다. Then, by (on) on a laser light source, and the re-scanning drive 2 upon the photosensitive glass is first interference pattern is formed. 이때, 제1 간섭패턴과 제2 간섭패턴이 열처리에 의하여 연속적으로, 즉 틈이 없이 착색되고, 이를 에칭하면 레이저의 반파장보다 더 작은 패턴 폭을 가지면서, 제1 및 제2 간섭패턴이 형성되어 있지 않는 부분이 넓은 감광유리가 제작된다. In this case, the first interference pattern and a second interference pattern is successively by the heat treatment, that is colored without a gap, when etching it while having a smaller pattern width than the laser of the half-wave, the first and second interference pattern is formed this does not have a large photosensitive part is made of glass. 이때, 더 작은 패턴을 형성하기 위하여는 제2 간섭패턴 형성 후에 동일한 방법으로 레이저 광을 3차 및 4차로 재주사하여 제3 간섭 패턴, 제4 간섭패턴을 형성한다. At this time, the scanning is re-drive the third and fourth laser beam in the same manner after the second interference pattern is formed so as to form a smaller pattern to form a third interference pattern, the fourth interference pattern. 본 발명에서 일 예로 든 PZT(Piezoelectric Transducer), VCM(Voice Coil Motor) 등의 스테이지를 포함하는 미소 스테이지를 이용하여 가능한 최소 패턴 크기는 10~20nm로 형성될 수 있다. The minimum pattern size as possible by using a smile stage including a stage, such as the present invention one exemplary PZT (Piezoelectric Transducer), VCM (Voice Coil Motor) in may be formed of 10 ~ 20nm. 즉, 1차 주사의 1/10 수준까지 가능하다. That is, it is up to one-tenth of the primary scan. 또한, 제1 단계 및 제2 단계에서 직사광 및 반사광의 입사각을 변화시켜 제1 간섭 패턴 및 제2 간섭패턴의 크기를 조절할 수 있다. Further, the changes the angle of incidence of direct light and reflected light in step and the second step is to adjust the size of the first interference pattern and a second interference pattern.

제3 단계(S300)는, 감광유리를 열처리하여 제1 및 제2 간섭패턴을 착색시키고, 착색된 제1 및 제2 간섭패턴만이 제거되도록 감광유리를 에칭한다. Step 3 (S300), the heat-treating a photosensitive glass and color the first and the second interference pattern, and etching a photosensitive glass such that the colored first and second interference patterns only and removed.

제4 단계(S400)는, 제1 및 제2 간섭 패턴이 제거되어 있는 감광유리의 면 상에, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층 및 전사재료를 증착시킨 제1 전사재료층을 차례로 형성한다. Step 4 (S400), the first and second on a face of the interference pattern which is removed photosensitive glass, then the first transfer material layer which absorbs light to deposit the light-heat conversion layer and the transfer material for generating heat forms. 또한, 광열변환층 상에 그 위에 형성되는 층의 분리를 도와주는 이형층을 형성하는 단계를 더 포함할 수도 있다. It is also possible to further include a step of forming a release layer to help the separation of the layer formed thereon in the light-heat conversion layer. 상술한 내용에서는, 광열변환층, 이형층, 제1 전사재료층을 차례로 형성하는 단계를 포함하는 것으로 기술하였지만, 감광유리의 면 상에 형성되는 층들은 필요에 따라 다르게 구성할 수 있고, 또 다른 기능을 가지는 층을 추가할 수 있다. In the above-described information, light-heat conversion layer, release layer, a first transfer been described as including a step of forming a material layer in order, a layer formed on the surface of the photosensitive glass' s may be configured differently, as needed, another It can be added to a layer having a function.

제5 단계(S500)는, 제1 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상에 제1 패턴을 형성한다. Step 5 (S500), the first to form a first pattern on the transfer material layer and to butt each other press the substrate, and by scanning the laser beam in a direction toward the substrate from the photosensitive glass transferred to the transfer material onto the substrate board do.

제6 단계(S600)는, 감광유리와 기판을 이격시키고, 광열변환층 상에 전사재료를 재 증착시켜 제2 전사재료층을 형성한다. Step 6 (S600), the spacing of the photosensitive glass and the substrate and to re-deposit the transfer material on the light-heat conversion layer to form a second transfer material layer.

제7 단계(S700)는, 기판을 수평방향으로 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시키고, 제2 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압한다. A seventh step (S700) is the substrate in the horizontal direction and move less than the distance between the pattern of the first pattern, the pressurized abutted to each other the second transfer material layer and the substrate. 그리고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여, 전사재료를 기판 상으로 전 사하여 기판 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성한다. And, by scanning the laser beam in a direction toward the substrate from the photosensitive glass, and the pre-transfer material onto a substrate to form a second pattern between the substrate shape, the first pattern. 여기서, 제1 패턴 및 제2 패턴 사이의 간격이 기판을 수평방향으로 이동시키는 양에 따라 조절가능하다. Here, it is possible adjusted to the amount by which the distance between the first pattern and second pattern moving the substrate in the horizontal direction. 또한, 제2 패턴까지 형성되어 있는 기판을, 전사재료층과 이격시키고, 수평방향으로 제1 패턴 및 제2 패턴의 간격보다 적게 이동시키고, 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상이고, 제1 패턴 및 제2 패턴의 사이에 제3 패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. Further, the substrate is formed to the second pattern, the transfer material layer and spaced apart from and, in the horizontal direction is moved less than the distance of the first pattern and the second pattern, and the pressing butt to each other transfer material layer and the substrate, from the photosensitive glass It may by scanning the laser beam in a direction toward the substrate includes the step of transferring the transferring material onto a substrate to form a third pattern between the substrate shape, the first pattern and the second pattern further.

보다 상세하게 설명하자면, 제5 단계(S500) 이후에 감광유리와 기판을 이격시키고, 미소 이송 스테이지를 이용하여 기판을 수평방향으로 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시킨다. Gritty than in detail, the spacing of the photosensitive glass and the substrate and after the step 5 (S500), thereby moving smile less substrate using a transfer stage in a horizontal direction than a distance between the pattern of the first pattern. 여기서, 미소 이송 스테이지에는 PZT(Piezoelectric Transducer), VCM(Voice Coil Motor)등의 스테이지를 이용하여 기판을 소망하는 패턴의 간격만큼 이동시킨다. Here, the minute feed stage is moved by a distance of a desired pattern to the substrate with a stage, such as PZT (Piezoelectric Transducer), VCM (Voice Coil Motor). 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 수nm정도의 정밀도를 갖는 다른 구동기를 포함할 수도 있다. However, it is not limited thereto and may include other actuators having a degree of accuracy of several nm instead. 그런 다음, 제2 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 제2 패턴을 전사한다. Then, the pressing butt the second transfer material layer and the substrate to each other, and by scanning the laser beam in a direction toward the substrate from the photosensitive glass to transfer the transfer material to the substrate to transfer the second pattern. 또한, 긴 행정운동이 가능한 스테이지(stage)가 미소 이동 스테이지 하부에 위치하여 대면적의 패턴제조를 위하여 사용될 수 있다. In addition, the long-stroke stage capable of movement (stage) located in the minute movable stage lower may be used for producing a pattern having a large area. 이러한 과정은, 감광유리에 형성된 패턴 폭에 비해서 패턴 간격이 상대적으로 많이 넓은 경우에는 반복 수행할 수 있다. This process, when compared to the pattern width is formed on the photosensitive glass is much wider pattern spacing relative may be repeated. 여기서, 미소 이송 스테이지의 이동량을 조절해서 패턴의 간격을 임의로 조절을 할 수 있다. Here, adjusting the amount of movement of the micro-feed stages to be able to adjust the spacing of the pattern is random. 본 발명에서 일 예로 든 PZT(Piezoelectric Transducer), VCM(Voice Coil Motor) 등의 스테이지를 포함하는 미소 스테이지를 이용하여 가능한 최소 패턴의 크기는, 감광유리의 패턴, 즉 간섭패턴이 형성되지 않은 부분이 10~20nm일 경우에, 10~20nm로 기존 공정의 1/10 수준까지 형성될 수 있다. The size of the minimum pattern possible with the smile stage including a stage, such as the present invention one exemplary PZT (Piezoelectric Transducer), VCM (Voice Coil Motor) in is the pattern, that is, that the interference pattern is formed portion of the photosensitive glass If 10 ~ 20nm days, can be formed of 10 ~ 20nm up to one-tenth of the conventional process.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템을 설명하기 위한 도면이다. 10 is a view for explaining a pattern transfer method according to an embodiment of the present invention, Figure 11 is a view for explaining a pattern transfer system according to another embodiment of the present invention.

도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 방법은, 제1 간섭패턴을 형성하는 제1 단계(S100a), 제2 간섭패턴을 형성하는 제2 단계(S200a), 감광유리를 에칭하는 제3 단계(S300a), 광열변환층 및 전사재료층을 형성하는 제4 단계(S400a), 제1 패턴을 형성하는 제5 단계(S500a), 제2 패턴을 형성하는 제6 단계(S600a)를 포함한다. As it is shown in Figure 10, and a pattern transfer method according to another embodiment of the present invention, the first first stage to form an interference pattern (S100a), the second step of forming a second interference pattern (S200a), a third step of etching the photosensitive glass (S300a), light-to-heat a fifth step of forming a conversion layer, and a fourth step of forming the transfer material layer (S400a), the first pattern (S500a), the first to form a second pattern 6 and a step (S600a).

한편, 도 10에 도시된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 방법이 도 9에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 방법과 중복되는 내용(제2 단계 내지 제4 단계)은 생략하기로 한다. On the other hand, the present still another embodiment the pattern transfer method is also an exemplary information is the same as the pattern transfer method according to an embodiment of the invention illustrated in Figure 9 (first stage) to (step 42) according to the invention shown in Figure 10 is It is omitted.

제1 단계(S100a)는, 제1 영역 및 제2 영역을 가지는 감광유리 상에, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴을 형성한다. Step 1 (S100a), the first region and a second on the photosensitive glass having a second area, is irradiated with the reflected light that reflects the direct light and the laser light was directly projecting the laser light from the light source to the reflector having a predetermined width first to form a first interference pattern.

제5 단계(S500a)는, 감광유리의 제1 영역에 대응하는 면적을 가지는 기판을 제1 영역의 전사재료층과 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상에 제1 패턴을 형성한다. A fifth step (S500a) is to a substrate having an area corresponding to the first region of the photosensitive glass and the pressing butt each other and transfer material layer of the first area, the scanning with laser light in a direction toward the substrate from the photosensitive glass transfer material It was transferred to a substrate to form a first pattern on the substrate.

제6 단계(S600a)는, 감광유리와 기판을 이격시키고, 기판을 감광유리의 제2 영역으로 이동시켜, 제2 영역의 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성한다. Step 6 (S600a), the photosensitive glass and the direction away the substrate and moving the substrate in a second region of the photosensitive glass, pressurized abutted to each other the transfer material layer and the substrate in the second region, toward the substrate from the photosensitive glass transferred to the transfer material by the laser beam scanning onto a substrate to form a second pattern between the substrate shape, the first pattern.

도 11에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템에서, 감광유리(320)는 제1 영역(A) 및 제2 영역(B)을 가지고, 그에 대향하여 위치되는 기판(330)의 면적은 감광유리(320)의 제1 영역(A)에 대응하는 크기를 가진다. As shown in Figure 11, in the pattern transfer system according to another embodiment of the present invention, the photosensitive glass 320 has a first area (A) and second area (B), the substrate being located opposite thereto area 330 has a size corresponding to the first region (a) of the photosensitive glass 320. 예를 들면, 감광유리(320)의 제1 영역(A)에 형성된 전사재료층(324)을 기판(330)에 전사하여 제1 패턴을 형성하고, 제1 패턴 사이에 제2 패턴을 전사하기 위하여는 제1 패턴이 전사된 면적만큼의 감광유리(320)의 표면적이 필요하게 된다. For transferring a second pattern between example, to transfer the transfer material layer 324 formed on the first region (A) of the light-sensitive glass 320 on the substrate 330 to form a first pattern, the first pattern to the surface area of ​​the first photosensitive glass 320 as a pattern transfer area is required. 이때, 제1 패턴을 형성한 다음, 이송 스테이지를 이용하여 기판을 감광유리(320)의 제2 영역(B)으로 이동시켜 제1 패턴 사이에 제2 패턴을 형성한다. At this time, the formation of the first pattern, and then, by moving the substrate using a transfer stage in a second area (B) of the light-sensitive glass 320 to form a second pattern between the first pattern. 따라서, 감광유리(320)의 전체 면적은 기판(330)의 면적, 즉 상세하게는 제1 패턴의 면적보다 적어도 2배 이상의 면적을 가지는 것이 바람직할 것이다. Thus, the total area of ​​the light-sensitive glass 320 will preferably have an area at least twice or more than that of the first pattern is the area, that is, details of the substrate 330. 한편, 도 9에서는 기판의 면적보다 4배가 큰 감광유리를 사용하여 4회의 패턴을 전사할 수 있다. On the other hand, Fig. 9, it is possible to transfer the pattern four times using four times larger than the area of ​​the photosensitive glass substrate. 또한, 도시되어 있지는 않지만, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템에 적용되는 감광유리를 복수 개로 제작하여, 제1 패턴을 형성한 후, 다른 감광유리를 사용하여 제2 패턴을 형성하여 줄 수도 있다. Further, although not shown, to produce a photosensitive glass is applied to the pattern transfer system according to another embodiment of the present invention pieces plurality, after forming the first pattern, by using a different photosensitive glass to form a second pattern It can be reduced.

상기와 같이 구성된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사시스템은, 전사재료층(324)과 기판(330)을 서로 맞대어 가압(P)하고, 감광유리(320)로부터 기판(330)으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여, 감광유리(320)의 제1 영역(A)의 전사재료를 기판(330) 상으로 전사하여 기판(330) 상에 제1 패턴을 형성하며, 감광유리(320)과 기판(330)을 이격시키고, 기판(330)을 감광유리(320)의 제2 영역(B)으로, 또한 기판(330)에 전사될 전사재료가 제1 패턴의 패턴 사이에 위치되도록 이동시키고, 전사재료층(324)과 기판(330)을 서로 맞대어 가압(P)하고, 감광유리(320)로부터 기판(330)으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판(330) 상으로 전사하여 기판(330) 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성한다. Pattern according to an embodiment of the present invention constructed as described above transfer system, butt to each other transfer material layer 324 and the substrate 330, the pressure (P) and, toward the substrate 330 from the photosensitive glass 320 by scanning the laser beam in a direction, to transfer the transfer material of the first region (a) of the photosensitive glass 320 onto the substrate 330 to form a first pattern on a substrate 330, a photosensitive glass 320 and was separated from the substrate 330, the substrate 330 to the second area (B) of the light-sensitive glass 320, and the transfer material is transferred onto the substrate 330 is moved so as to be located between the patterns of the first pattern , butt to each other transfer material layer 324 and the substrate 330, the pressure (P), and the photosensitive glass 320 from the substrate 330, transferred to transfer material by scanning the laser beam in a direction toward to the substrate 330, to form a second pattern between the substrate (330) shape, the first pattern.

따라서, 상기와 같이 구성된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템에 의하면, 감광유리상에 증착된 전사재료를 기판에 전사한 후, 감광유리상의 다른 영역으로 기판을 미소 이동시켜 전사재료를 재 전사시켜주는 것에 의하여, 다양한 크기의 미세 전사패턴을 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 미세 전사패턴을 형성할 수 있다. Therefore, according to the pattern transfer system according to another embodiment of the present invention constructed as described above, and then transferred to the transferred material deposited on the photosensitive glass phase to the substrate, by moving the substrate smile to other areas of the photosensitive glass phase material to the transfer material by giving to the transfer, it is possible to form a fine transfer pattern of varying sizes, and may also form a fine transfer pattern having a line width uniformity.

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 방법을 설명하기 위한 도면이고, 도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템을 설명하기 위한 도면이다. 12 is a view for explaining a pattern transfer method according to an embodiment of the present invention, Figure 13 is a view for explaining a pattern transfer system according to another embodiment of the present invention.

도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 방법은, 제1 간섭패턴을 형성하는 제1 단계(S100b), 제2 간섭패턴을 형성하는 제2 단계(S200b), 감광유리를 에칭하는 제3 단계(S300b), 광열변환층, 이형층, 제1 전사 재료층, 이형층, 제2 전사재료층을 차례로 형성하는 제4 단계(S400b), 제1 패턴을 형성하는 제5 단계(S500b), 제2 패턴을 형성하는 제6 단계(S600b)를 포함한다. As it is shown in Figure 12, and a pattern transfer method according to another embodiment of the present invention, the first first stage to form an interference pattern (S100b), the second step of forming a second interference pattern (S200b), a third step of etching the photosensitive glass (S300b), light-to-heat conversion layer, release layer, a first transfer material layer, a release layer, a fourth step of forming second and then the transfer material layer (S400b), the formation of the first pattern claim and a sixth step (S600b) to step 5 (S500b), forming a second pattern.

한편, 도 12에 도시된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 방법이 도 9에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 방법과 중복되는 내용(제1 단계 내지 제3 단계)은 생략하기로 한다. On the other hand, the present still another embodiment the pattern transfer method is the contents is the same as the pattern transfer method according to an embodiment of the present invention in Figure 9 (a first step) to (step 31) according to the invention shown in Figure 12 It is omitted.

제4 단계(S400b)는, 제1 및 제2 간섭 패턴이 제거되어 있는 감광유리의 면 상에, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층, 그 위에 형성되는 층의 분리를 도와주는 이형층, 전사재료를 증착시킨 제1 전사재료층, 그 위에 형성되는 층의 분리를 도와주는 이형층 및 전사재료를 증착시킨 제2 전사재료층을 차례로 형성한다. Step 4 (S400b), the first and second on the surface of the photosensitive glass, which is the interference pattern is removed, the light-heat conversion layer absorbs light to generate heat, to assist in the separation of the layer formed on the release layer , a second transfer material layer having a first transfer material layer was deposited to a transfer material, depositing a release layer and a transfer material to assist in the separation of the layer formed thereon in turn.

제5 단계(S500b)는, 제2 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상에 제1 패턴을 형성한다. Step 5 (S500b), the second forming a first pattern on the transfer material layer and to butt each other press the substrate, and by scanning the laser beam in a direction toward the substrate from the photosensitive glass transferred to the transfer material onto the substrate board do.

제6 단계(S600b)는, 감광유리와 기판을 이격시키고, 기판을 수평방향으로 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시키고, 제1 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 감광유리로부터 기판으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판 상으로 전사하여 기판 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성한다. A sixth step (S600b), the photosensitive glass and spaced apart from the substrate and the substrate in the horizontal direction moves less than a distance between the pattern of the first pattern and the first transfer material layer and the substrate, and pressurized abutted each other, the substrate from the photosensitive glass transcription direction the transfer material by scanning a laser beam as directed onto the substrate to form a second pattern between the substrate shape, the first pattern.

도 13에 도시된 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템은, 감광유리(420)에 증착된 제1 및 제2 전사재료층(424, 426)을 구성하여 기판(440) 상에 제1 패턴을 형성한 후, 기판(440)을 제1 패턴 간의 사이로 미소 이송 스테이지(450)를 통하여 미소 이동시킨 다음 제2 패턴을 간단하게 형성시킬 수 있다. A, and pattern transfer system according to another embodiment of the present invention, the substrate 440 by configuring the first and second transfer material layer (424, 426) deposited on the photosensitive glass 420 as shown in FIG. 13 after forming the first pattern on, which move through the minute minute transfer stage 450, the substrate 440 between the between the first pattern can be simply formed, and then a second pattern. 제1 및 제2 전사재료층(424, 426) 사이에는 층의 분리를 도와주는 이형층(425)을 형성하여줌으로써, 패턴의 전사를 용이하게 할 수 있다. First and second transfer material layer by giving to the formation of the release layer (425) to assist in the separation of layers between 424 and 426, may facilitate transfer of the pattern.

상기와 같이 구성된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사시스템은, 제2 전사재료층(426)과 기판(440)을 서로 맞대어 가압(P)하고, 감광유리(420)로부터 기판(440)으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여, 전사재료를 기판(440) 상으로 전사하여 기판(440) 상에 제1 패턴을 형성하며, 제2 전사재료층(426)과 기판(440)을 이격시키고, 기판(450)을 수평방향으로 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시키고, 재1 전사재료층(424)과 기판(450)을 서로 맞대어 가압(P)하고, 감광유리(420)로부터 기판(440)으로 향하는 방향으로 레이저 광을 주사하여 전사재료를 기판(440) 상으로 전사하여 기판 상이고, 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성한다. Pattern according to an embodiment of the present invention configured as described above, the transfer system includes a second transfer material layer substrate 440 from 426, and abutted to each other the substrate 440, the pressure (P), and the photosensitive glass (420) by scanning the laser beam in a direction towards, and transferring the transfer material onto the substrate 440 to form a first pattern on the substrate 440, and spaced apart from the second transfer material layer 426 and the substrate 440, , the substrate 450 and horizontally move less than the distance between the pattern of the first pattern, the substrate from the material 1, the transfer material layer 424 and the substrate presses the 450 abutted with each other (P), and the photosensitive glass (420) and transferred onto the 440 in a direction toward the substrate by scanning a laser beam 440, the transfer material to form a second pattern between the substrate shape, the first pattern.

따라서, 상기와 같이 구성된 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템에 의하면, 감광유리상에 증착된 다수의 전사재료를 기판에 전사한 후, 기판을 미소 이동시켜 전사재료를 재 전사시켜주는 것에 의하여, 다양한 크기의 미세 전사패턴을 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 미세 전사패턴을 형성할 수 있다. Thus, for giving, according to the pattern transfer system according to another embodiment of the present invention constructed as described above, after the transfer of the a number of transferred material deposited on the photosensitive glass phase to the substrate, by moving the substrate smile to transfer material to the transfer material by this, it is possible to form a fine transfer pattern of varying sizes, and may also form a fine transfer pattern having a line width uniformity.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따른 패턴 전사 방법 및 전사 시스템에 의하면, 레이저 광을 감광유리 상에 조사하여 상대적으로 폭이 넓은 간섭패턴을 형성하고, 열처리 및 에칭에 의하여 상술한 간섭패턴이 제거된 감광유리상에 증착된 전사 재료를 기판에 전사한 후, 기판을 미소 이동시켜 전사재료를 재 전사시켜주는 것에 의하여, 나노 크기인 100nm이하의 미세 전사패턴을 형성할 수 있고, 또한 균일한 선 폭을 가지는 미세 전사패턴을 형성할 수 있다. According to the pattern transfer method and transfer system according to the present invention constructed as described above, the laser beam is irradiated on the photosensitive glass of relatively forming a wide interference pattern width and, above, by heat treatment, and etching the interference pattern is removed, the photosensitive after transferring the transferred material deposited in the glass phase to the substrate, by moving the substrate minute by giving to the transfer material to the transfer material, it is possible to form a fine transfer pattern of 100nm or less nano-scale, and having a good uniform width It can form a fine pattern transfer. 또한, 나노 크기인 100nm이하의 미세 전사패턴이 대면적으로 빠르게 형성될 수 있고, 기판에 전사되는 패턴의 형성과정이 간소화되고, 제조 비용 및 제조 시간을 절감시킬 수 있다. Further, it is capable of being micro-transfer pattern of 100nm or less of the nano-sized rapidly formed in a large area, the formation of the pattern to be transferred to the substrate is simplified, it is possible to reduce the manufacturing cost and manufacturing time.

이와 같이, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. In this way, the above-described technical construction of the present invention it will be appreciated that without the person skilled in the art changing the technical spirit or essential features of the invention may be embodied in other specific forms.

그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타나며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다. Therefore, the embodiment described in the above examples should be understood as not be illustrative and not restrictive in every aspect and the scope of the present invention is the meaning and range of appears by the claims below rather than the foregoing description, the claims and that all such modifications as would be derived from the equivalent concept be construed as being included in the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템의 구조를 설명하기 위한 도면. 1 is a view for explaining the structure of a pattern transfer system according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1에 의하여 감광유리상에 형성된 간섭패턴을 설명하기 위한 도면. 2 is a view for explaining the interference pattern formed on the photosensitive glass phase by FIG.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템의 감광유리에 형성된 간섭패턴의 원리를 설명하기 위한 도면. 3 is a view for explaining the principle of an interference pattern formed on the photosensitive glass of the pattern transfer system according to an embodiment of the present invention.

도 4a 내지 4f는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템에 의한 패턴 전사를 설명하기 위한 도면. Figures 4a to 4f are views for explaining a pattern transfer according to the pattern transfer system according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 시스템의 제1 및 제2 패턴 전사 조건을 설명하기 위한 도면. 5 is a view for explaining the first and second pattern transfer condition of pattern transfer system according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템을 설명하기 위한 도면. Figure 6 is a view for explaining a pattern transfer system according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템의 패턴 전사를 설명하기 위한 도면. Figure 7 is a view for explaining a pattern transfer of the pattern transfer system according to another embodiment of the present invention.

도 8a 및 도 8f는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴 전사시스템에 의한 패턴 전사를 설명하기 위한 도면. Figures 8a and 8f is a schematic diagram for explaining the transfer pattern by the pattern transfer system according to another embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 전사 방법의 순서를 설명하기 위한 순서도. 9 is a flowchart illustrating the order of a pattern transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 방법을 설명하기 위한 도면. Figure 10 is a view for explaining a pattern transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템을 설명하기 위한 도면. 11 is a view for explaining a pattern transfer system according to another embodiment of the present invention.

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 방법을 설명하기 위한 도면. Figure 12 is a view for explaining a pattern transfer method according to an embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 패턴 전사 시스템을 설명하기 위한 도면. 13 is a view for explaining a pattern transfer system according to another embodiment of the present invention.

Claims (15)

  1. 감광유리 상에, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 상기 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴을 형성하는 제1 단계; On the photosensitive glass, the first step is irradiated with the direct light and the reflected light that reflects the laser light directly to the reflector which projects the laser light from the light source to form a first interference pattern having a predetermined width;
    상기 감광유리를 상기 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 상기 감광유리 상에, 상기 직사광 및 상기 반사광을 재조사하여 상기 제1 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴을 형성하는 제2 단계; Moving the photosensitive glass in a horizontal direction less than the predetermined width and, a second step and on said photosensitive glass, re-examination of the direct light and the reflected light to form a second interference pattern, so that the overlapping part with the first interference pattern .;
    상기 감광유리를 열처리하여 상기 제1 및 제2 간섭패턴을 착색시키고, 상기 착색된 제1 및 제2 간섭패턴만이 제거되도록 상기 감광유리를 에칭하는 제3 단계; A third step of heat-treating the photosensitive glass and color the first and second interference pattern, etching the photosensitive glass to the said colored first and second interference patterns only and removed;
    상기 제1 및 제2 간섭 패턴이 제거되어 있는 감광유리의 면 상에, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층 및 전사재료를 증착시킨 제1 전사재료층을 차례로 형성하는 제4 단계; A fourth step of forming the first and second on a face of the interference pattern in the photosensitive glass is removed, the first transfer material layer which absorbs light to deposit the light-heat conversion layer and a transfer material that generates heat in turn;
    상기 제1 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 상기 감광유리로부터 상기 기판으로 향하는 방향으로 상기 레이저 광을 주사하여 상기 전사재료를 상기 기판 상으로 전사하여 상기 기판 상에 제1 패턴을 형성하는 제5 단계; Wherein the first pressure butted to each other to the transfer material layer and the substrate, in a direction toward the substrate from the photosensitive glass to scan the laser beam to transfer the transfer material onto the substrate to form a first pattern on the substrate a fifth step;
    상기 감광유리와 기판을 이격시키고, 상기 광열변환층 상에 상기 전사재료를 재 증착시켜 제2 전사재료층을 형성하는 제6 단계; A sixth step of and spaced apart from the photosensitive glass and the substrate, forming the light-heat conversion layer on the second transfer material layer by depositing the material on the transfer material; And
    상기 기판을 수평방향으로 상기 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시키고, 상기 제2 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 상기 감광유리로부터 상기 기판으로 향하는 방향으로 상기 레이저 광을 주사하여 상기 전사재료를 상기 기판 상으로 전사하여 상기 기판 상이고, 상기 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성하는 제7 단계; The moved less than the distance between the pattern of the first pattern the substrate in the horizontal direction, scanning the second transfer material layer and butted to each other press the substrate, and the laser light in a direction toward the substrate from the photosensitive glass and transferring the transfer material onto the substrate the substrate shape, a seventh step of forming a second pattern between the first pattern;
    를 포함한 패턴 전사 방법. The pattern transfer method, including.
  2. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제2 단계에서는, 상기 일부분의 폭을 상기 감광유리를 수평방향으로 이동시키는 양 및 횟수에 따라 조절가능한, Possible the second step, adjusted to the amount and number of times for moving the photosensitive glass to the width of the portion in the horizontal direction,
    패턴 전사 방법. The pattern transfer method.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, According to claim 1 or 2,
    상기 제2 단계는, 상기 제2 간섭패턴까지 형성된 감광유리를 상기 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 상기 감광유리 상에, 상기 직사광 및 상기 반사광을 재조사하여 상기 제1 간섭패턴 또는 상기 제2 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제3 간섭패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는, The second step, the second interference pattern to move the photosensitive glass is formed to a horizontal direction less than the predetermined width and, on the photosensitive glass, to review the direct light and the reflected light of the first interference pattern, or the first this part in the second interference pattern so as to overlap the third further includes forming an interference pattern,
    패턴 전사 방법. The pattern transfer method.
  4. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제6 단계에서는, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴 사이의 간격이 상기 기판을 수평방향으로 이동시키는 양에 따라 조절가능한, In the sixth step, a distance between the first pattern and the second pattern as possible adjusted to the amount of moving the substrate in the horizontal direction,
    패턴 전사 방법. The pattern transfer method.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, According to claim 1 or 4,
    상기 제6 단계는, 상기 제2 패턴까지 형성되어 있는 기판을, 상기 감광유리와 이격시키고, 상기 광열변환층 상에 상기 전사재료를 재 증착시켜 제3 전사재료층을 형성하는 단계; The sixth step is the step of forming the substrate is formed by the second pattern, the photosensitive glass and spaced apart and, by depositing the material, the transfer material on the light-heat conversion layer a third transfer material layer; And
    상기 기판을 수평방향으로 상기 제2 패턴과 상기 제2 패턴으로부터 상기 기판이 이동되는 방향에 위치한 상기 제1 패턴과의 간격보다 적게 이동시켜, 상기 제3 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 상기 감광유리로부터 상기 기판으로 향하는 방향으로 상기 레이저 광을 주사하여 상기 전사재료를 상기 기판 상으로 전사하여 상기 기판 상이고, 또한 상기 제2 패턴과 상기 제2 패턴으로부터 상기 기판이 이동되는 방향에 위치한 상기 제1 패턴과의 사이에 제3 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는, It was less mobile than the interval of the first pattern and in the direction in which the substrate moves the substrate in the horizontal direction from the second pattern with the second pattern, and the pressing butt the third transfer material layer and the substrate to each other, and to the from the photosensitive glass scanning the laser light in a direction toward the substrate transferred to the transfer material onto the substrate the substrate shape, also the in the direction in which the substrate is moved from the second pattern and the second pattern claim further comprising the step of forming a third pattern between the first pattern,
    패턴 전사 방법. The pattern transfer method.
  6. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제1 단계 및 제2 단계에서는, 상기 직사광 및 상기 반사광의 입사각을 변화시켜 상기 제1 간섭 패턴 및 제2 간섭패턴의 폭을 조절하는, In the first step and the second step, by changing the angle of incidence of the direct light and the reflected light for adjusting the width of the first interference pattern and a second interference pattern,
    패턴 전사 방법. The pattern transfer method.
  7. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제1 단계에서는, 감광유리 상에, 상기 직사광과 상기 반사광을 조사하기 전에 무 반사층(anti-reflection layer)을 먼저 형성하고 있는, That form the first step, non-reflective layer (anti-reflection layer) on the photosensitive glass, before irradiating the direct light and the reflected light first,
    패턴 전사 방법. The pattern transfer method.
  8. 제1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 제4 단계에서는, 상기 광열변환층 상에 그 위에 형성되는 층의 분리를 도와주는 이형층을 형성하는 단계를 더 포함하는, In the fourth step, further comprising the step of forming a release layer to help the separation of the layer formed thereon on the light-heat conversion layer,
    패턴 전사 방법. The pattern transfer method.
  9. 광원; A light source;
    상기 광원으로부터의 레이저 광을 반사시키는 반사체; A reflector for reflecting the laser light from the light source;
    상기 반사체의 외주변 중 상기 레이저 광이 반사되는 방향 측의 일변과 직각으로 연결되고, 상기 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 상기 레이저 광을 상기 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴이 형성되고, 상기 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동되어 상기 직사광 및 상기 반사광을 재조사하여 상기 제1 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴이 형성되며, 상기 제1 및 제2 간섭패턴이 형성된 면 상에 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층 및 전사재료를 증착시킨 제1 전사재료층이 차례로 형성된 감광유리; Are connected in the outer periphery of the reflector by univariate and perpendicular to the direction of the side which the laser light reflected by irradiation with that directly projects the laser light from said light sources direct light and the reflected light that reflects the laser light onto the reflector predetermined a first interference pattern having a width is formed on less than the predetermined width is moved in the horizontal direction and a second interference pattern is formed so as to re-examine the direct light and the reflected light is superimposed portion in the first interference pattern, wherein first and second interference patterns are formed side by absorbing light on the light-heat conversion layer and the transfer material having a first transfer material layer is the photosensitive glass formed sequentially depositing that generates heat;
    상기 제1 전사재료층에 대향하여 위치시키는 기판; Substrate which located opposite to the first transfer material layer;
    을 포함하고, And including,
    상기 제1 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 상기 감광유리로부터 상기 기판으로 향하는 방향으로 상기 레이저 광을 주사하여, 상기 전사재료를 상기 기판 상으로 전사하여 상기 기판 상에 제1 패턴을 형성하며, By scanning the laser beam in the first pressing butt to each other transfer material layer and the substrate, and from the photosensitive glass in a direction toward the substrate, to transfer the transfer material onto the substrate to form a first pattern on the substrate and
    상기 감광유리와 기판을 이격시키고, 상기 광열변환층 상에 상기 전사재료를 재 증착시켜 제2 전사재료층을 형성하여, 상기 기판을 수평방향으로 상기 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시키고, 상기 제2 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 상기 감광유리로부터 상기 기판으로 향하는 방향으로 상기 레이저 광을 주사하여 상기 전사재료를 상기 기판 상으로 전사하여 상기 기판 상이고, 상기 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성하는, 패턴 전사 시스템. And spaced apart from the photosensitive glass and the substrate, followed by re-evaporation of the transfer material on the light-heat conversion layer to form a second transfer material layer, and less mobile than the distance between the pattern of the first pattern the substrate in the horizontal direction, the second transfer material is abutted to each other pressing the layer and the substrate, by scanning the laser light in a direction toward the substrate from the photosensitive glass to transfer the transfer material onto the substrate the substrate shape, between the first pattern the pattern transferring system for forming a second pattern on.
  10. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 감광유리의 하부에 상기 감광유리를 이동시키는 제1 이송 스테이지를 더 포함하고, A lower portion of the photosensitive glass and further comprising a first transfer stage for moving the photosensitive glass,
    상기 이송 스테이지에 의하여 상기 감광유리를 수평방향으로 이동시키는 양 및 횟수에 따라 상기 일부분의 폭을 조절가능한, By the conveying stage, depending on the amount and number of times for moving the photosensitive glass in a horizontal direction can adjust the width of said portion,
    패턴 전사 시스템. Pattern transfer system.
  11. 제10항에 있어서, 11. The method of claim 10,
    상기 제1 이송 스테이지는 상기 제2 간섭패턴까지 형성된 감광유리를 상기 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 더 이동시키고, The first transfer stage is further moved in the photosensitive glass is formed to the second interference pattern in the horizontal direction less than the predetermined width,
    상기 감광유리 상에, 상기 직사광 및 상기 반사광을 재조사하여 상기 제1 간섭패턴 또는 상기 제2 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제3 간섭패턴을 형성하는, On the photosensitive glass, to review the direct light and the reflected light of the first interference pattern or the second part so as to overlap on the interference pattern to form a third interference pattern,
    패턴 전사 시스템. Pattern transfer system.
  12. 제9항에 있어서, 10. The method of claim 9,
    상기 기판의 하부에 장착되어, 상기 기판을 수평방향으로 이동시키는 제2 이송 스테이지를 더 포함하고 It is attached to the lower surface of the substrate, further comprising: a second transfer stage for moving the substrate in a horizontal direction
    상기 제2 이송 스테이지에 의하여, 상기 기판을 수평방향으로 이동시키는 양에 따라 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴 사이의 간격이 조절가능한, By the second transfer stage, depending on the amount of moving the substrate in the horizontal direction as possible the first pattern and the adjustment distance between the second pattern,
    패턴 전사 시스템. Pattern transfer system.
  13. 제9항 또는 제12항에 있어서, 10. The method of claim 9 or 12,
    상기 제2 이송 스테이지는 상기 제2 패턴까지 형성되어 있고, 상기 감광유리와 이격된 기판을 수평방향으로 상기 제2 패턴과 상기 제2 패턴으로부터 상기 기판이 이동되는 방향에 위치한 상기 제1 패턴과의 간격보다 적게 이동시키고, The second transfer stage of the first of the first pattern in the direction 2 is formed to the pattern to which the substrate moves from the second pattern and the second pattern of the photosensitive glass and spaced apart substrates in a horizontal direction moving less distance and,
    상기 광열변환층 상에 전사재료를 재 증착시켜 형성된 제3 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 상기 감광유리로부터 상기 기판으로 향하는 방향으로 상기 레이저 광을 주사하여 상기 전사재료를 상기 기판 상으로 전사하여 상기 기판 상이고, 또한 상기 제2 패턴과 상기 제2 패턴으로부터 상기 기판이 이동되는 방향에 위치한 상기 제1 패턴과의 사이에 제3 패턴을 형성하는, The light-heat conversion butted with each other a third transfer material layer and the substrate is formed by material deposited to the transfer material on the layer the pressure, and in a direction toward the substrate from the photosensitive glass to the transfer material by scanning the laser beam onto the substrate transferred to the substrate shape, also forming a third pattern between the first pattern and in the direction in which the substrate is moved from said second pattern and said second pattern,
    패턴 전사 시스템. Pattern transfer system.
  14. 제1 영역 및 제2 영역을 가지는 감광유리 상에, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 상기 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴을 형성하는 제1 단계; A first region and on said photosensitive glass having a second area, is irradiated with the reflected light that reflects the direct light and the laser light that directly projects the laser light from the light source to the reflector to form a first interference pattern having a predetermined width first step;
    상기 감광유리를 상기 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 상기 감광유리 상에, 상기 직사광 및 상기 반사광을 재조사하여 상기 제1 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴을 형성하는 제2 단계; Moving the photosensitive glass in a horizontal direction less than the predetermined width and, a second step and on said photosensitive glass, re-examination of the direct light and the reflected light to form a second interference pattern, so that the overlapping part with the first interference pattern .;
    상기 감광유리를 열처리하여 상기 제1 및 제2 간섭패턴을 착색시키고, 상기 착색된 제1 및 제2 간섭패턴만이 제거되도록 상기 감광유리를 에칭하는 제3 단계; A third step of heat-treating the photosensitive glass and color the first and second interference pattern, etching the photosensitive glass to the said colored first and second interference patterns only and removed;
    상기 제1 및 제2 간섭 패턴이 제거되어 있는 감광유리의 면 상에, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층 및 전사재료를 증착시킨 전사재료층을 차례로 형성하는 제4 단계; A fourth step of forming the first and second on the surface of the photosensitive glass, which is the interference pattern is removed, the transfer material layer was deposited a light-heat conversion layer and the transfer material absorbs light to generate heat in order;
    상기 감광유리의 제1 영역에 대응하는 면적을 가지는 기판을 상기 제1 영역의 전사재료층과 서로 맞대어 가압하고, 상기 감광유리로부터 상기 기판으로 향하는 방향으로 상기 레이저 광을 주사하여 상기 전사재료를 상기 기판 상으로 전사하여 상기 기판 상에 제1 패턴을 형성하는 제5 단계; A substrate having an area corresponding to the first region of the photosensitive glass to scan the laser light butted to each other and transfer material layer pressing of the first region, and in a direction toward the substrate from the photosensitive glass wherein the transfer material transferred onto a substrate of claim 5 further comprising: forming a first pattern on the substrate; And
    상기 감광유리와 기판을 이격시키고, 상기 기판을 상기 감광유리의 제2 영역 으로 이동시켜, 상기 제2 영역의 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 상기 감광유리로부터 상기 기판으로 향하는 방향으로 상기 레이저 광을 주사하여 상기 전사재료를 상기 기판 상으로 전사하여 상기 기판 상이고, 상기 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성하는 제6 단계; And it spaced apart from the photosensitive glass and the substrate, wherein the substrate in the second, pressurized abutted to each other the transfer material layer and the substrate in the second region, by moving a second region of the photosensitive glass direction from the photosensitive glass destined to the substrate a sixth step by scanning the laser beam to transfer the transfer material onto the substrate to form a second pattern between the substrate shape, said first pattern;
    를 포함한 패턴 전사 방법. The pattern transfer method, including.
  15. 감광유리 상에, 광원으로부터의 레이저 광을 직접 투사시킨 직사광 및 상기 레이저 광을 반사체에 반사시킨 반사광을 함께 조사하여 소정의 폭을 가지는 제1 간섭패턴을 형성하는 제1 단계; On the photosensitive glass, the first step is irradiated with the direct light and the reflected light that reflects the laser light directly to the reflector which projects the laser light from the light source to form a first interference pattern having a predetermined width;
    상기 감광유리를 상기 소정의 폭보다 적게 수평방향으로 이동시키고, 상기 감광유리 상에, 상기 직사광 및 상기 반사광을 재조사하여 상기 제1 간섭패턴에 일부분이 겹쳐지도록 제2 간섭패턴을 형성하는 제2 단계; Moving the photosensitive glass in a horizontal direction less than the predetermined width and, a second step and on said photosensitive glass, re-examination of the direct light and the reflected light to form a second interference pattern, so that the overlapping part with the first interference pattern .;
    상기 감광유리를 열처리하여 상기 제1 및 제2 간섭패턴을 착색시키고, 상기 착색된 제1 및 제2 간섭패턴만이 제거되도록 상기 감광유리를 에칭하는 제3 단계; A third step of heat-treating the photosensitive glass and color the first and second interference pattern, etching the photosensitive glass to the said colored first and second interference patterns only and removed;
    상기 제1 및 제2 간섭 패턴이 제거되어 있는 감광유리의 면 상에, 광을 흡수하여 열을 발생시키는 광열변환층, 그 위에 형성되는 층의 분리를 도와주는 이형층, 전사재료를 증착시킨 제1 전사재료층, 그 위에 형성되는 층의 분리를 도와주는 이형층 및 전사재료를 증착시킨 제2 전사재료층을 차례로 형성하는 제4 단계; The first in which the first and second interference pattern that is removed on the surface of the photosensitive glass, absorbs light to deposit the light-heat conversion layer, release layer to help the separation of the layer formed thereon, the transfer material that generates heat claim 1, transfer material layer, a fourth step of forming a release layer and a transfer material to assist in the separation of the layer formed thereon and then the second transfer material layer was deposited;
    상기 제2 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 상기 감광유리로부터 상기 기판으로 향하는 방향으로 상기 레이저 광을 주사하여 상기 전사재료를 상기 기판 상으로 전사하여 상기 기판 상에 제1 패턴을 형성하는 제5 단계; Wherein the pressurized abutted to each other the second transfer material layer and the substrate, by scanning the laser light in a direction toward the substrate from the photosensitive glass to transfer the transfer material onto the substrate to form a first pattern on the substrate a fifth step; And
    상기 감광유리와 기판을 이격시키고, 상기 기판을 수평방향으로 상기 제1 패턴의 패턴간의 간격보다 적게 이동시키고, 상기 제1 전사재료층과 기판을 서로 맞대어 가압하고, 상기 감광유리로부터 상기 기판으로 향하는 방향으로 상기 레이저 광을 주사하여 상기 전사재료를 상기 기판 상으로 전사하여 상기 기판 상이고, 상기 제1 패턴의 사이에 제2 패턴을 형성하는 제6 단계; And spaced apart from the photosensitive glass and the substrate, the substrate in the horizontal direction of movement less than the distance between the pattern of the first pattern and the first transfer material, and abutted to each other pressing the layer and the substrate, directed from the photosensitive glass to the substrate by scanning the laser light in a direction to transfer the transfer material onto the substrate the substrate shape, a sixth step of forming a second pattern between the first pattern;
    를 포함한 패턴 전사 방법. The pattern transfer method, including.
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