KR100968520B1 - Probe Assembly of Probe Card and Manufacturing Method thereof - Google Patents

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KR100968520B1
KR100968520B1 KR20080028824A KR20080028824A KR100968520B1 KR 100968520 B1 KR100968520 B1 KR 100968520B1 KR 20080028824 A KR20080028824 A KR 20080028824A KR 20080028824 A KR20080028824 A KR 20080028824A KR 100968520 B1 KR100968520 B1 KR 100968520B1
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본 발명은 프로브 카드의 프로브 어셈블리 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 프로브 어셈블리는 프로브 핀이 삽입되어 고정되는 지지층을 검사 대상인 웨이퍼의 재료와 동일한 반도체 물질로 형성하여 웨이퍼와 동등한 열팽창률을 갖도록 구현함으로써, 웨이퍼와 프로브 어셈블리의 열팽창률 차이로 인해 프로브 핀이 웨이퍼 상의 접촉 패드에서 벗어나는 문제를 방지한다. By implementing the present invention relates to a probe assembly and a method of manufacturing a probe card, the probe assembly is to have a coefficient of thermal expansion equivalent to the wafer to form a material with the same semiconductor material of the wafer subject to inspection for the support layer is fixed is inserted into the probe pin, due to the thermal expansion coefficient difference between the wafer and the probe assembly avoid this problem, the probe pin out of the contact pads on the wafer. 또한, 프로브 어셈블리는 프로브 핀의 수평빔 높이보다 크고 접촉팁 높이보다 작은 높이를 가지도록 지지층의 표면에 댐퍼를 형성함으로써, 프로브 핀들을 웨이퍼의 접촉 패드에 접촉시킬 때 장비 오동작에 의해 접촉 간격이 작아지면서 프로브 핀들과 웨이퍼가 물리적으로 손상되는 문제를 방지한다. The probe assembly is small, the contact gap by equipment malfunction when by forming the damper surface of the support layer to have a smaller height than the large contact tip height than the horizontal beam height of the probe pin, contacting the probe pins to contact pads of the wafer as to avoid this problem, the probe pins and the wafer is physically damaged. 프로브 어셈블리 제조 방법은 다수의 프로브 핀들을 임시로 삽입하는 핀 어레이 틀을 사용하여 프로브 핀 삽입 공정을 전체 공정과 독립적으로 수행함으로써, 프로브 어셈블리의 전체 공정 시간을 단축한다. By probe assembly manufacturing method using the pin array frame for inserting a plurality of probe pins to temporarily perform the probe pin inserting step in the overall process, and independently, to shorten the overall processing time of the probe assembly.
프로브 핀, 지지층, 열팽창률, 재배선, 핀 어레이 틀, 댐퍼 The probe pin, a support layer, the thermal expansion coefficient, wiring, pin array frame damper

Description

프로브 카드의 프로브 어셈블리 및 그 제조 방법{Probe Assembly of Probe Card and Manufacturing Method thereof} Probes of a probe card assembly and its manufacturing method {Probe Assembly of Probe Card and Manufacturing Method thereof}

본 발명은 프로브 카드에 관한 것으로서, 구체적으로는 프로브 카드의 프로브 어셈블리 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a probe card, particularly, to a probe assembly and a method of manufacturing the probe card.

프로브 카드(probe card)는 미세 전자소자(예컨대, 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자)의 전기적 특성을 검사하기 위해 검사 대상인 전자소자와 검사 장비를 연결하는 매개물이다. A probe card (probe card) is a medium to connect the electronic device with test equipment test subject to test the electrical characteristics of microelectronic devices (e.g., semiconductor devices formed on the wafer). 잘 알려진 바와 같이 전자소자는 외부로 노출된 입출력 단자를 구비하며, 프로브 카드는 이러한 단자와 물리적으로 접촉하여 전기적 신호를 입출력할 수 있는 프로브 핀을 구비한다. An electronic device, as is well known, comprises the input and output terminals exposed to the outside, the probe card having a probe pin which can input and output an electrical signal in contact with this terminal and physically. 즉, 검사 대상인 전자소자는 단자와 접촉하고 있는 프로브 핀을 통해 검사 장비로부터 소정의 신호를 입력받아 동작을 수행한 후, 그 처리 결과를 다시 프로브 핀을 통해 검사 장비로 출력한다. That is, the electronic device subject to inspection and outputs via after performing the operation for receiving the particular signal, the probe pin the processing result back from the test equipment through a probe pin in contact with the terminal to check the equipment.

일반적으로 이러한 검사 공정은 신속하고 효율적인 검사를 위하여 전자소자의 여러 단자들에 프로브 핀들을 동시 접촉하여 수행된다. Typically, such an inspection process is done quickly and by simultaneously contact the probe pins in the various terminals of the electronic component so as to facilitate efficient testing. 그런데 전자소자의 단자는 그 수가 점점 많아지는 한편, 그 간격은 점점 줄어들고 있다. However, the terminal of the electronic device, the number being more and more the other hand, the gap is gradually reduced. 따라서 프로브 카드도 전자소자의 단자에 대응하여 다수의 프로브 핀들을 미세 간격으로 배치하여 제조되고 있는데, 특히 프로브 핀들을 정밀하게 정렬하고 고도의 평탄도를 가지도록 배치하는 것이 중요하다. Therefore, the probe card also there is produced in response to the terminal of the electronic component placing a plurality of probe pins with fine intervals, in particular, it is important to precisely align the probe pins are arranged so as to have a flatness of high level. 그러나 이러한 요구를 충족시키면서 수많은 프로브 핀들을 미세 간격으로 배치하여 제조하기란 쉽지 않은 일이다. But the day while meeting these demands is not easy to manufacture by placing a number of probe pins with fine intervals.

이에 본 발명자는 2007년 7월 2일자 특허출원 제2007-0066005호 및 동년 11월 30일자 특허출원 제2007-0123686호를 통해, 프로브 핀들을 미세 간격으로 배치하기가 훨씬 수월하고 우수한 평탄도를 확보하면서 정밀하게 정렬할 수 있을 뿐만 아니라 그 제조공정이 간단한 프로브 어셈블리 및 그 제조방법을 제안한 바 있다. The present inventors July 2007 dated Patent Application No. 2007-0066005, and the same year by the date November 30 Patent Application No. 2007-0123686, probe pins to secure a fine gap is much easier to place and excellent flatness as well as it is able to precisely align bar, but also suggested that the manufacturing process is simple probe assembly and a method of manufacturing the same. 본 발명은 그 연장선상에서 창안된 것이다. The present invention was devised on that extension line.

웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자의 검사 조건을 강화하기 위한 방법으로 핫 테스트(hot test)와 콜드 테스트(cold test)가 있다. A method for enhancing the inspection conditions of the semiconductor devices formed on the wafer has a hot-test (test hot) and the cold test (cold test). 반도체 제조회사마다 검사 조건에 약간씩 차이가 있기는 하지만, 핫 테스트는 120℃까지 콜드 테스트는 -40℃까지 웨이퍼의 온도를 올리거나 낮추어 검사를 하는 방식이 진행되고 있다. They every semiconductor manufacturers are slightly different in test conditions, although hot-test is the cold test is a method of raising or lowering the temperature of the wafer inspection to -40 ℃ proceeds to 120 ℃. 그런데 이러한 테스트 과정에서는 종종 프로브 핀의 접촉 불량이 발생하는 문제가 있다. However, in these test procedures it is often a problem of poor contact of the probe pin occurs. 이를 개념적으로 도시한 도 1을 참조하면, 웨이퍼(W)와 프로브 어셈블리(100)는 열팽창률에 차이가 있기 때문에, 핫 테스트나 콜드 테스트 중에 프로브 핀(10)이 웨이퍼(W) 상의 접촉 패드(P), 즉 전술한 반도체 소자의 입출력 단자에서 벗어나는 문제가 발생한다. Contact pads on them Referring to Figure 1 showing in concept, the wafer (W) and the probe assembly 100 includes a probe pin (10) of the wafer (W) during Due to the difference in coefficient of thermal expansion, the hot-test or cold test ( P), i.e., a problem arises out of output terminals of the above-described semiconductor device. 이러한 문제는 프로브 어셈블리(100)의 가장자리 쪽에서, 프로브 어셈블리(100)의 면적이 커질수록, 더 심하게 나타난다. These problems are greater the area of ​​the side edges of the probe assembly 100, probe assembly 100, shown more severely.

따라서 본 발명의 목적은 이러한 문제를 해결하기 위하여 반도체 웨이퍼와 동등한 열팽창률을 갖는 프로브 어셈블리를 제공하는 것이다. It is therefore an object of the present invention is to provide a probe assembly having a coefficient of thermal expansion equivalent to the semiconductor wafer in order to solve this problem.

기존의 프로브 어셈블리에서 발생 가능한 또 하나의 문제가 도 2에 개념적으로 예시되어 있다. Another problem that may occur in the conventional probe assembly is illustrated conceptually in Fig. 도 2를 참조하면, 프로브 핀(10)을 웨이퍼(W) 상의 접촉 패드(P)에 접촉시킬 때, 웨이퍼(W)의 표면과 프로브 핀(10)들이 물리적 충격을 받아 손상될 수도 있다. Referring to Figure 2, and may cause damage to the probe pin (10) surface and the probe pins 10 of the contact when the contact pad (P) on the wafer (W), the wafer (W) to accept a physical impact. 이러한 문제는 웨이퍼(W)의 접촉 패드(P)와 프로브 핀(10)들의 접촉 간격을 조정하는 장비가 오동작을 일으켜 핀(10)들의 접촉 팁 높이보다 많이 이동하는 경우에 발생하며, 이 경우 웨이퍼(W)의 표면뿐 아니라 프로브 핀(10)들의 기둥부에 심각한 손상을 입혀 핀(10)들의 탄성력 및 위치 정렬에 커다란 문제가 초래될 수 있다. This problem occurs in the case of a device to adjust the contact distance of the contact pad (P) and the probe pin (10) of the wafer (W) moves causing than the contact tip the height of the pin 10, a malfunction, in which case the wafer there is a big problem to the elastic force and the aligning of the (W) surface, as well as the probe pin 10 inflict serious damage to the pin 10 in the columnar portion of the may result.

따라서 본 발명의 다른 목적은 프로브 핀들을 웨이퍼의 접촉 패드에 접촉시킬 때 장비 오동작에 의해 프로브 핀들과 웨이퍼가 물리적으로 손상되는 것을 방지하기 위한 것이다. Therefore, another object of the present invention to prevent the probe pins and the wafer physically damaged by equipment malfunction when the contact probe pins to contact pads of the wafer.

한편, 웨이퍼에는 일반적으로 수백 개의 반도체 소자가 형성되고 반도체 소자마다 수십, 수백 개의 접촉 패드가 있으므로, 웨이퍼 전체를 일괄적으로 검사하려면 프로브 어셈블리에 설치되는 프로브 핀의 개수는 수만 개에 이를 수도 있다. On the other hand, a wafer is usually formed with hundreds of semiconductor elements and because there are tens, hundreds of the contact pads for each semiconductor element, and to scan the entire wafer in batch number of the probe pin is installed in the probe assembly may do this to tens of thousands. 이와 같이 수많은 프로브 핀들을 지지층의 노출공 안에 삽입해야 하므로, 프로브 어셈블리 제조 공정의 전체 시간 중에서 프로브 핀 삽입 공정의 소요 시간이 차지하는 비중은 매우 높은 편이다. Thus, it should be inserted into a number of probe pins in the exposed ball of the support layer, the proportion of the total time of the probe assembly manufacturing process occupied by the time required for the probe pin inserting step is very high.

따라서 본 발명의 또 다른 목적은 프로브 어셈블리의 전체 공정 시간을 단축 하기 위하여 프로브 핀 삽입 공정을 효율적으로 구현하기 위한 것이다. Therefore, a further object of the present invention is to efficiently implement the probe pin insertion process in order to shorten the overall processing time of the probe assembly.

이러한 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명은 다음과 같은 프로브 카드의 프로브 어셈블리 및 그 제조 방법을 제공한다. In order to achieve these objects, the present invention provides the following probe assembly and a method of manufacturing such a probe card.

본 발명의 제1 측면에 따른 프로브 어셈블리는 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자를 검사하기 위한 프로브 어셈블리로서, 프로브 기판, 지지층, 전도성 접착제, 프로브 핀을 포함하며, 특히 상기 지지층은 상기 웨이퍼의 재료와 동일한 반도체 물질로 이루어지는 것이 특징이다. Probe assembly according to the first aspect of the present invention is a probe assembly for testing a semiconductor device formed on a wafer, comprising: a probe base, a support layer, a conductive adhesive, the probe pin, in particular the support layer are the same semiconductor as the wafer material it is characterized by consisting of a material. 상기 프로브 기판은 회로배선과 전기적으로 연결되어 표면에 미세 간격으로 배치된 패드를 구비한다. The probe substrate is connected to the circuit wiring and electrically comprises a pad disposed in a fine interval on the surface. 상기 지지층은 상기 프로브 기판의 표면에 접합되고, 상기 패드에 대응하는 위치에 형성된 노출공을 구비한다. The support layer is bonded to a surface of the probe substrate, and having an exposure hole formed at the position corresponding to the pad. 상기 전도성 접착제는 상기 노출공 안에 형성된다. The conductive adhesive is formed in the exposed ball. 상기 프로브 핀은 상기 전도성 접착제에 의해 물리적으로 고정되고 상기 패드와 전기적으로 연결되며, 상기 전도성 접착제 안에 수직 방향으로 삽입된 연결기둥, 상기 연결기둥으로부터 수평 방향으로 연장되어 상기 프로브 기판의 표면으로부터 이격된 수평빔, 상기 연결기둥과 반대쪽 위치에서 반대쪽 방향으로 상기 수평빔으로부터 연장된 접촉팁을 구비한다. The probe pin is extending in the fixed physically and electrically connected to the pad, the horizontal direction from the connecting post, the connecting post inserted in the vertical direction in the conductive adhesive by the conductive adhesive away from the surface of the probe base a horizontal beam, and having a contact tip extending from the horizontal beam at the opposite position to the other end of the connecting post and direction.

본 발명의 제2 측면에 따른 프로브 어셈블리는 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자를 검사하기 위한 프로브 어셈블리로서, 프로브 기판, 지지층, 제1 전도성 접착제, 제2 전도성 접착제, 프로브 핀을 포함한다. Probe assembly according to the second aspect of the present invention includes a probe substrate, a support layer, a first conductive adhesive, and the second conductive adhesive, the probe pin as a probe assembly for testing the semiconductor devices formed on the wafer. 상기 프로브 기판은 회로배선과 전기적으로 연결되어 표면에 미세 간격으로 배치된 복수의 패드를 구비한다. The probe substrate is connected to the circuit wiring and electric and a plurality of pads arranged at a fine gap on a surface. 상기 지지층은 상기 프로브 기판의 표면에 접합되고, 상기 복수의 패드에 각각 대응하는 위치에 형성된 제2 노출공, 복수의 상기 제2 노출공과 서로 다른 위치에 별개로 형성된 복수의 제1 노출공, 복수의 상기 제1 노출공과 복수의 상기 제2 노출공을 연결하는 복수의 재배선을 구비한다. The support layer is bonded to a surface of the probe substrate, a second exposure hole, a plurality of the second plurality of the first exposure hole formed apart from the exposed ball and different positions, a plurality formed in a position respectively corresponding to the plurality of pads and of the first with a plurality of redistribution traces connecting the exposed ball and a plurality of the second exposure hole. 상기 제1 전도성 접착제와 상기 제2 전도성 접착제는 각각 상기 제1 노출공과 상기 제2 노출공 안에 형성된다. The first conductive adhesive and the second conductive adhesive is formed in each of the first exposure and the second exposure ball ball. 상기 프로브 핀은 상기 제1 전도성 접착제에 의해 물리적으로 고정되고 상기 재배선을 통해 상기 패드와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 전도성 접착제 안에 수직 방향으로 삽입된 연결기둥, 상기 연결기둥으로부터 수평 방향으로 연장되어 상기 프로브 기판의 표면으로부터 이격된 수평빔, 상기 연결기둥과 반대쪽 위치에서 반대쪽 방향으로 상기 수평빔으로부터 연장된 접촉팁을 구비한다. The probe pin is extending in the first horizontal direction from the connecting post is fixed to the physical via the re-wiring the first inserted in the vertical direction in the first conductive adhesive connecting post, and electrically connected to the pad, with the first conductive adhesive It is provided with a contact tip extending from the horizontal beam at the horizontal beams, the connecting post and the other end located away from the surface of the probe base to the other end direction.

본 발명의 제2 측면에 따른 프로브 어셈블리에서, 상기 지지층은 상기 웨이퍼의 재료와 동일한 반도체 물질로 이루어질 수 있다. In a probe assembly according to the second aspect of the invention, the support layer may be formed of the same semiconductor material as the material of the wafer.

본 발명의 프로브 어셈블리에서, 상기 지지층을 이루는 상기 반도체 물질은 실리콘일 수 있다. In a probe assembly of the present invention, the semiconductor material constituting the support layer may be a silicone.

본 발명의 프로브 어셈블리는 댐퍼를 더 포함할 수 있으며, 상기 댐퍼는 상기 수평빔의 높이보다 크고 상기 접촉팁의 높이보다 작은 높이를 가지도록 상기 지지층의 표면에 형성된다. A probe assembly of the present invention may further comprise a damper, the damper is formed on a surface of the support layer to have a smaller height than the height of the height is greater than the contact tip of the horizontal beam. 상기 댐퍼는 상기 연결기둥을 감싸도록 형성될 수 있다. The dampers may be formed to surround the connecting post.

본 발명의 프로브 어셈블리는 상기 지지층과 상기 프로브 기판을 접합하는 비전도성 접착제를 더 포함할 수 있다. A probe assembly of the present invention may further comprise a non-conductive adhesive for joining the support layer and the probe substrate.

본 발명의 프로브 어셈블리에서, 상기 프로브 기판은 지지판과 회로패턴을 구비할 수 있고, 이 경우 상기 회로패턴은 상기 지지판의 상부면과 측면에 형성되어 상기 회로배선과 상기 패드의 역할을 동시에 수행한다. The probe base in the probe assembly of the present invention, may be provided with a pattern and a circuit supporting plate, in this case, the circuit pattern is formed on the upper surface and side surfaces of the supporting plate functions as a wiring and the pad, the circuit at the same time.

본 발명의 제2 측면에 따른 프로브 어셈블리는 상기 재배선과 상기 연결기둥에 형성되는 도금막을 더 포함할 수 있고, 상기 이웃하는 재배선을 서로 연결하도록 상기 지지층 안에 형성되는 전자부품 소자를 더 포함할 수 있다. Probe assembly according to the second aspect of the present invention may further include a plated film formed on the connecting post the cultivation lines, may further include an electronic component device formed in the support layer so as to interconnect the wiring of the neighboring have.

본 발명의 제3 측면에 따른 프로브 어셈블리의 제조 방법은, 하부 틀에 다수의 삽입공이 형성되고 상부 틀에 다수의 삽입홈이 형성된 핀 어레이 틀을 준비하는 단계; The method for manufacturing a probe assembly according to the third aspect of the invention, a plurality of balls inserted in the lower mold is formed in steps of: preparing a pin array frame having a plurality of insertion grooves in the top mold; 상기 삽입공에 프로브 핀의 접촉팁을 삽입하고 상기 삽입홈에 상기 프로브 핀의 연결기둥을 끼워 다수의 상기 프로브 핀을 상기 핀 어레이 틀에 삽입하는 단계; Inserting the contact tip of the probe pin in the insertion hole, and inserting the connecting post of the probe pin in the insertion groove inserted into the plurality of arrays frame to the probe pin the pin; 회로배선과 전기적으로 연결되어 표면에 미세 간격으로 배치된 패드를 구비하는 프로브 기판을 준비하는 단계; Further comprising: connected to the electrical circuit wiring and preparing a probe substrate having a pad disposed in a fine interval on the surface; 상기 패드에 대응하는 위치에 형성된 노출공을 구비하는 지지층을 상기 프로브 기판의 표면에 접합하는 단계; The step of bonding the supporting layer having an exposure hole formed at the position corresponding to the pad on the surface of the probe substrate; 상기 노출공 안에 전도성 접착제를 형성하는 단계; Forming a conductive adhesive in the exposure hole; 상기 전도성 접착제를 외부에 노출시키는 정렬 마스크층을 상기 지지층 위에 형성하는 단계; Forming an alignment mask layer to expose the conductive adhesive to the outside over the support layer; 상기 정렬 마스크층을 통해 상기 프로브 핀을 정렬하면서 상기 프로브 핀의 연결기둥이 상기 지지층의 노출공 안으로 삽입되어 상기 전도성 접착제에 의해 고정되도록 상기 지지층과 상기 핀 어레이 틀을 결합하는 단계; Combining the support layer and the pin array frame, while aligning the probe pins through the aligned mask layer is a connecting post of the probe pin inserted into the exposure hole of the support layer so as to be fixed by the conductive adhesive; 상기 핀 어레이 틀과 상기 정렬 마스크층을 제거하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다. It can comprise removing the pin array and the frame-aligned mask layer.

또한, 본 발명의 제4 측면에 따른 프로브 어셈블리의 제조 방법은, 하부 틀에 다수의 삽입공이 형성되고 상부 틀에 다수의 삽입홈이 형성된 핀 어레이 틀을 준비하는 단계; Further, the manufacturing method of the probe assembly in accordance with a fourth aspect of the invention, a plurality of balls inserted in the lower mold is formed in steps of: preparing a pin array frame having a plurality of insertion grooves in the top mold; 상기 삽입공에 프로브 핀의 접촉팁을 삽입하고 상기 삽입홈에 상기 프로브 핀의 연결기둥을 끼워 다수의 상기 프로브 핀을 상기 핀 어레이 틀에 삽입 하는 단계; Inserting the contact tip of the probe pin in the insertion hole, and inserting the connecting post of the probe pin in the insertion groove inserted into the plurality of arrays frame to the probe pin the pin; 회로배선과 전기적으로 연결되어 표면에 미세 간격으로 배치된 패드를 구비하는 프로브 기판을 준비하는 단계; Further comprising: connected to the electrical circuit wiring and preparing a probe substrate having a pad disposed in a fine interval on the surface; 상기 패드에 대응하는 위치에 형성된 제2 노출공, 상기 제2 노출공과 서로 다른 위치에 별개로 형성된 제1 노출공, 상기 제1 노출공과 상기 제2 노출공을 연결하는 재배선을 구비하는 지지층을 상기 프로브 기판의 표면에 접합하는 단계; A support layer having a wiring connecting the second exposure hole, wherein the second exposure ball and the first exposure hole formed to each other separately in different positions, wherein the first exposed ball and the second exposure hole formed at the position corresponding to the pad the step of bonding a surface of the probe substrate; 상기 제1 노출공 안에 제1 전도성 접착제를 형성하는 단계; Forming a first conductive adhesive in the first exposure hole; 상기 제1 전도성 접착제를 외부에 노출시키는 정렬 마스크층을 상기 지지층 위에 형성하는 단계; Forming a mask alignment layer which is exposed to the outside of the first conductive adhesive onto the support layer; 상기 정렬 마스크층을 통해 상기 프로브 핀을 정렬하면서 상기 프로브 핀의 연결기둥이 상기 지지층의 제1 노출공 안으로 삽입되어 상기 제1 전도성 접착제에 의해 고정되도록 상기 지지층과 상기 핀 어레이 틀을 결합하는 단계; Combining the support layer and the pin array frame, while aligning the probe pins through the aligned mask layer is a connecting post of the probe pin is inserted into the first exposing holes of the support layer so as to be fixed by said first conductive adhesive; 상기 핀 어레이 틀과 상기 정렬 마스크층을 제거하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다. It can comprise removing the pin array and the frame-aligned mask layer.

본 발명의 제4 측면에 따른 프로브 어셈블리의 제조 방법은 상기 제2 노출공 안에 제2 전도성 접착제를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. Method of manufacturing a probe assembly according to the fourth aspect of the present invention may further include forming a second conductive adhesive in the second exposure hole.

본 발명에 따른 프로브 어셈블리의 제조 방법에서, 상기 지지층과 상기 프로브 기판의 접합 단계는 비전도성 접착제에 의하여 이루어질 수 있다. In a method of manufacturing a probe assembly according to the invention, the bonding step of the support layer and the probe substrate can be made by a non-conductive adhesive.

본 발명의 프로브 어셈블리는 프로브 핀이 삽입되어 고정되는 지지층을 검사 대상인 웨이퍼의 재료와 동일한 반도체 물질로 형성하여 웨이퍼와 동등한 열팽창률을 갖도록 구현할 수 있다. A probe assembly of the present invention can be implemented to have a coefficient of thermal expansion equivalent to the wafer to form a material with the same semiconductor material of the wafer subject to inspection for the support layer is fixed is inserted into a probe pin. 따라서 웨이퍼와 프로브 어셈블리의 열팽창률 차이로 인해 핫 테스트나 콜드 테스트 중에 프로브 핀이 웨이퍼 상의 접촉 패드에서 벗어 나는 종래의 문제를 해결할 수 있다. Therefore, out of the wafer and the probe pin contact pads on the wafer due to the thermal expansion coefficient difference between the hot and cold test of the test probe assembly I can solve the conventional problems.

또한, 본 발명의 프로브 어셈블리는 프로브 핀의 수평빔 높이보다 크고 접촉팁 높이보다 작은 높이를 가지도록 지지층의 표면에 댐퍼를 형성함으로써, 프로브 핀들을 웨이퍼의 접촉 패드에 접촉시킬 때 접촉 간격을 조정하는 장비의 오동작에 의해 접촉 간격이 작아지면서 프로브 핀들과 웨이퍼가 물리적으로 손상되는 종래의 문제를 방지할 수 있다. The probe assembly of the present invention to adjust the contact gap when by forming the damper surface of the support layer to have a smaller height than the large contact tip height than the horizontal beam height of the probe pin, contacting the probe pins to contact pads of the wafer the contact gap by the malfunction of the equipment can be reduced as avoid the conventional problem that the probe pins and the wafer is physically damaged.

또한, 본 발명의 프로브 어셈블리 제조 방법은 다수의 프로브 핀들을 임시로 삽입하는 핀 어레이 틀을 사용하여 프로브 핀 삽입 공정을 전체 공정과 독립적으로 수행함으로써, 프로브 어셈블리의 전체 공정 시간을 단축할 수 있고 주문제작의 경우 납기를 대폭 단축할 수 있다. The probe assembly manufacturing method of the present invention by using a pin array frame for inserting a plurality of probe pins to temporarily perform the probe pin inserting step in the overall process, and independently, it is possible to shorten the overall processing time of the probe assembly order in the case of production it can be greatly shortened the delivery time.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. With reference to the accompanying drawings will be described in detail the embodiments of the invention. 다만, 실시예들을 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 잘 알려져 있거나 본 발명자의 선출원 제2007-0066005호 및 제2007-0123686호에 충분히 기재되어 있고 본 발명과 직접 관련이 없는 사항에 대해서는 본 발명의 핵심을 흐리지 않고 명확히 전달하기 위해 설명을 생략할 수 있다. However, embodiments of the invention described invention is well known in the art either have been fully described in the earlier application No. 2007-0066005 and No. 2007-0123686 by the present inventors, and the present call for information not directly related to the present invention, in as not obscure the core it can not be described in order to clearly communicate.

한편, 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되며, 각 구성요소의 크기는 실제 크기를 전적으로 반영하는 것이 아니다. On the other hand, some of the elements are exaggerated, omitted, or or is schematically shown in the accompanying drawings, the size of elements does not utterly reflect an actual size. 첨부 도면을 통틀어 동일하거나 대응하는 구성요소에는 동일한 참조번호를 부여한다. The same or corresponding components throughout the drawings are given the same reference numerals.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프로브 어셈블리(probe assembly)의 단면도이다. 3 is a cross-sectional view of the probe assembly (probe assembly) according to an embodiment of the invention.

도 3을 참조하면, 프로브 어셈블리(100)는 프로브 핀(10), 프로브 기판(20), 지지층(30), 전도성 접착제(40)로 구성된다. 3, the probe assembly 100 is composed of the probe pin 10, the probe base plate 20, a support layer 30, a conductive adhesive 40. 특히, 프로브 핀(10)이 삽입, 고정되는 지지층(30)은 테스트 대상인 반도체 웨이퍼와 동일한 재료(일례로 실리콘)로 이루어지는 것이 특징이다. In particular, the probe pin 10 is inserted, the support layer 30 to be fixed is characterized made of the same material (for example silicone) and the semiconductor wafer is subject to testing. 따라서 프로브 어셈블리(100)는 웨이퍼와 동등한 열팽창률을 가질 수 있다. Thus, the probe assembly 100 may have a coefficient of thermal expansion equivalent to the wafer.

프로브 기판(20)은 내부에 회로배선(22)이 형성되고 표면에 패드(24)가 형성된 인쇄회로기판 또는 세라믹기판이다. Probe substrate 20 is a printed circuit board or ceramic substrate on which the pads 24 formed on the surface is formed in the circuit wirings 22 therein. 회로배선(22)은 패드(24)와 전기적으로 연결되며, 프로브 기판(20)의 표면을 따라 수십 마이크론(㎛) 단위의 미세 간격으로 배치된다. Circuit wiring 22 is electrically connected to pad 24, along the surface of the probe substrate 20 is disposed in a fine interval of several tens of microns units (㎛).

패드(24)가 있는 프로브 기판(20)의 표면에는 비전도성 접착제(50)를 통해 지지층(30)이 접합된다. The surface of which a pad 24 the probe substrate 20, is a support layer 30 is bonded over the non-conductive adhesive (50). 지지층(30)은 프로브 기판(20)의 패드(24)에 대응하는 위치마다 노출공(32)을 갖는다. The support layer 30 has an exposure hole 32, each position corresponding to the pad 24 of the probe substrate 20. The 지지층(30)의 재료는 전술한 바와 같이 반도체 웨이퍼의 재료와 동일한 반도체 물질(일례로 실리콘)이다. The material of the support layer 30 is (for example silicone), the same semiconductor material as the material of the semiconductor wafer as described above. 그러나 열팽창률의 차이로 인한 프로브 핀(10)의 접촉 불량을 우려하지 않아도 될 정도로 프로브 어셈블리(100)의 면적이 크지 않다면, 지지층(30)의 재료로는 세라믹, FR4, 폴리이미드(polyimide), 유기질, 포토레지스트(PR), 드라이 필름(dry film) 등의 다양한 물질들이 사용될 수 있다. However, if the area of ​​the due to the difference in coefficient of thermal expansion probe pin probe assembly 100 to such an extent that does not concern the contact failure of the 10 large, the material of the support layer 30 is a ceramic, FR4, polyimide (polyimide), may be used a variety of materials, such as organic, the photoresist (PR), a dry film (dry film).

노출공(32) 안에는 전도성 접착제(40)가 채워진다. Inside the exposure hole 32 is filled with a conductive adhesive 40. 전도성 접착제(40)는 전 기적 전도성을 가지는 접착제로서 예를 들어 금속 분말이 함유된 액상 접착제나 솔더 페이스트(solder paste) 등이다. Conductive adhesive 40 is such as for example a metal powder containing a liquid adhesive or a solder paste (solder paste) as an adhesive having electrically conductive.

프로브 핀(10)은 외팔보(cantilever) 형태로서, 일체로 형성된 연결기둥(12), 수평빔(14), 접촉팁(16)으로 구성된다. The probe pin 10 is a cantilevered (cantilever) form, is composed of integral connecting post 12, the horizontal beam 14, the contact tip (16) formed of a. 연결기둥(12)은 지지층(30)의 노출공(32) 안에 수직 방향으로 삽입되며 전도성 접착제(40)를 통해 노출공(32) 안에 물리적으로 고정될 뿐만 아니라 프로브 기판(20)의 패드(24)에 전기적으로 연결된다. Connecting post 12, the pad (24 of the supporting layer 30 is exposed hole 32 in which is inserted in the vertical direction, the conductive adhesive 40, as well as be fixed physically in the exposure hole 32 through the probe substrate 20 in the ) it is electrically connected to the. 수평빔(14)은 연결기둥(12)으로부터 수평 방향으로 연장되며 지지층(30)의 표면으로부터 이격된다. Horizontal beam 14 extends in the horizontal direction from the connecting post 12 is spaced apart from the surface of the support layer (30). 접촉팁(16)은 연결기둥(12)과 반대쪽 위치에서 반대쪽 방향으로 수평빔(14)으로부터 연장된다. Contact tip 16 extends from the horizontal beam 14 in the opposite direction from the other end position and the connecting post (12). 접촉팁(16)은 검사 대상인 전자소자의 단자와 물리적으로 접촉되는 부분이다. The contact tip (16) is a portion that is brought into contact with terminals of the electronic component and the physical test subject.

본 발명에 따른 프로브 어셈블리는 도 3에 도시된 구조 외에도 여러 가지로 변형을 가할 수 있다. Probe assembly can be subjected to various modifications in addition to the structure shown in Figure 3 in accordance with the present invention. 이어서, 이에 대하여 설명한다. The following describes this.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 어셈블리의 단면도이다. Figure 4a and Figure 4b is a cross-sectional view of the probe assembly in accordance with another embodiment of the present invention. 이 실시예의 프로브 어셈블리(100)는 지지층(30)의 표면에 댐퍼(60, damper)가 형성되는 것이 특징이다. The embodiment of probe assembly 100 is characterized by being formed with a damper (60, damper) on the surface of the support layer (30).

도 4a의 댐퍼(60)는 프로브 핀(10)을 피하여 임의의 위치에 형성되며, 도 4b의 댐퍼(60)는 노출공(32)의 위치에서 프로브 핀(10)의 연결기둥(12)을 감싸도록 형성된다. Damper 60 of Figure 4a may be formed at any position avoiding the probe pin 10, the damper 60 of Figure 4b has a connecting post 12 of the probe pin 10 from the position of the exposure hole 32 It is formed to surround. 댐퍼(60)는 프로브 핀(10)들을 웨이퍼의 접촉 패드(도 2의 P)에 접촉시킬 때 장비 오동작에 의해 접촉 간격이 작아지면서 프로브 핀(10)들과 웨이퍼(도 2의 W)의 표면이 물리적 충격을 받아 손상되는 것을 방지하기 위한 것이다. Surface of the damper 60 includes a probe pin (10) As the contact gap by equipment malfunction reduced when contact with the contact pad (P in Fig. 2) of the wafer probe pins 10 and the wafer (W in FIG. 2) receiving a physical shock is to prevent the damage. 따라서 댐퍼(60)의 높이는 적어도 수평빔(14)의 높이(14a)보다 커야 한다. Therefore, the height of the damper 60 should be greater than the height (14a) of at least a horizontal beam (14). 아울러, 프로브 핀(10)의 정상적인 접촉 동작이 댐퍼(60)에 의해 방해를 받아서는 안 되므로, 댐퍼(60)의 높이는 접촉팁(16)의 높이(16a)보다 작아야 한다. In addition, since not the normal operation of the contact probe pin (10) receives the disturbance by the damper 60, the height of the damper 60 to be less than the height (16a) of the contact tip (16). 댐퍼(60)의 재료는 에폭시(epoxy)와 같이 비전도성이고 강성이 크지 않으며 파티클(particle)을 발생시키지 않는 물질이 바람직하다. The material of the damper 60 is non-conductive and do large rigidity material does not cause a particle (particle), such as epoxy (epoxy) is preferred.

한편, 도 4b의 댐퍼(60)는 프로브 핀(10)의 연결기둥(12)을 감싸므로 댐퍼 본연의 역할뿐 아니라 연결기둥(12)에 대한 고정력을 강화하는 역할도 함께 수행할 수 있다. On the other hand, the damper 60 of Figure 4b may also be performed with the role to enhance the holding force for the probe pin 10, the connecting post (12) so wrapped around the connecting post 12 as well as the inherent role of the damper.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 어셈블리의 단면도이다. Figures 5a and 5b is a cross-sectional view of a probe assembly according to another embodiment of the present invention. 이 실시예의 프로브 어셈블리(100)는 프로브 핀(10)의 연결기둥(12)이 삽입되는 지지층(30)의 제1 노출공(32)과 프로브 기판(20)의 패드(24)에 대응하는 지지층(30)의 제2 노출공(34)이 서로 다른 위치에 별개로 형성되며, 이들을 전기적으로 연결하기 위한 재배선(70, redistribution line)이 형성되는 것이 특징이다. The embodiment of probe assembly 100 includes a base layer corresponding to the pad 24 of the first exposure hole 32 and the probe base plate 20 of the support layer 30, which is inserted into the connecting post 12 of the probe pin (10) a second exposure of the ball 30, 34 are formed separately in different positions, it is characterized in that these are re-wiring (70, redistribution line) for electrically coupling to form. 재배선(70)이 형성된 프로브 어셈블리(100)에 전술한 댐퍼(도 4a 및 도 4b의 60)를 적용할 수 있음은 물론이다. Wiring 70 to apply the probe assembly a damper (4a and 60 of Fig. 4b) described above (100) formed there, of course.

제1 노출공(32)은 연결기둥(12)을 수용할 정도의 깊이를 가지면 충분하므로 굳이 지지층(30)을 완전히 관통할 필요가 없는 반면, 제2 노출공(34)은 지지층(30) 하부의 패드(24)와 연결되어야 하므로 지지층(30)을 관통한다. First, while exposing hole 32 is so sufficient Having a depth enough to accommodate a connecting post (12) does not need to be completely through the venture support layer 30, a second lower exposure hole 34 has a supporting layer 30 because of the pad to be connected with 24 passes through the support layer (30). 재배선(70)은 두 노출공(32, 34)의 내벽 및 두 노출공(32, 34) 사이의 지지층(30) 표면에 형성된다. Wiring 70 is formed on the support layer 30, the surface between the two exposed holes (32, 34) and the inner wall of the two exposed holes (32, 34) of. 재배선(70)은 두 노출공(32, 34) 사이의 전기적 경로를 제공하므로 전도성 물질(예 컨대 금속)로 형성되며, 공지의 증착공정(예컨대 스퍼터링)을 이용하여 형성할 수 있다. Wiring 70 because it provides an electrical path between the two exposed holes (32, 34) is formed of a conductive material (for example metal I pray), can be formed by a deposition process (e.g., sputtering) known in the art.

제1 노출공(32) 안에 전도성 접착제(40, 이하 제1 전도성 접착제)가 형성되는 것과 마찬가지로, 제2 노출공(34) 안에도 전도성 접착제(42, 이하 제2 전도성 접착제)가 형성된다. Just as the first ball is exposed conductive adhesive (40, below the first conductive adhesive) in the form 32, a second exposure hole 34 is also formed in the conductive adhesive (42, below the second conductive adhesive). 제2 전도성 접착제(42)는 재배선(70)과 패드(24) 사이의 물리적 접합 및 전기적 연결을 가능하게 한다. The second conductive adhesive 42 enables the physical bonding and electrical connection between the wiring 70 and the pad 24.

한편, 도 5b에 도시된 바와 같이, 재배선(70)에는 도금막(72)이 더 형성될 수 있다. On the other hand, can be as illustrated in Figure 5b, the redistribution traces 70, the plating film 72 is further formed. 도금막(72)은 재배선(70)의 전도성을 향상시킬 뿐만 아니라, 제1 노출공(32)에 삽입된 연결기둥(12)의 고정력을 강화시킨다. Plating film 72 enhances the holding force of the re-wiring, as well as to improve the conductivity of the 70 first the connecting post (12) inserted into the exposure hole 32.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 어셈블리의 단면도이다. Figure 6a and Figure 6b is a cross-sectional view of a probe assembly according to another embodiment of the present invention. 이 실시예의 프로브 어셈블리(100)는 변형된 프로브 기판(20)을 사용하는 것이 특징이다. The embodiment of probe assembly 100 is characterized by using the modified probe substrate 20. 이 실시예의 변형 기판(20)에 전술한 댐퍼(도 4a 및 도 4b의 60)나 재배선(도 5a 및 도 5b의 70)을 적용할 수 있음은 물론이다. In this embodiment, the above-mentioned damper on a modified substrate 20 can be applied (Fig. 4a and 60 of Fig. 4b) or the wiring (Fig. 5a and 70 in Fig. 5b). FIG.

프로브 기판(20)은 지지판(26)과 회로패턴(28)으로 이루어진다. Probe substrate 20 is formed of a support plate 26 and the circuit pattern 28. 지지판(26)은 내부에 회로배선이 형성되지 않고 단순히 지지 역할만 수행하는 것으로, 세라믹, FR4, 폴리머 등의 재료가 사용되며, 이외에도 열팽창이 적고 경도가 충분하여 뒤틀림이 없는 각종 재료가 사용될 수 있다. A support plate (26) is to do without the wiring is not formed in the circuit simply supporting role, ceramic, FR4, and using the material of the polymer and the like, in addition to low thermal expansion can be a variety of materials without a twisting used in a hardness sufficient . 회로패턴(28)은 지지판(26)의 상부면과 측면에 형성되며 전술한 회로배선과 패드의 역할을 동시에 수행하는 것으로, 연성인쇄회로기판(FPCB)이나 와이어(wire) 등이 사용된다. The circuit pattern 28 are such as to play a role in the upper surface and is formed on the side of the above-described circuit and wiring pads of the support plate 26. At the same time, the flexible printed circuit board (FPCB) or wire (wire) is used. 이러한 구조의 프로브 기판(20)은 선출원 제2007-0123686호에 기재된 블록형 기판이 될 수 있다. Probe substrate 20 having such a structure may be a block-type substrate as described in the earlier application No. 2007-0123686.

도 6a에서 프로브 기판(20)의 회로패턴(28)은 제2 전도성 접착제(42)를 통해 제2 노출공(34) 쪽에 전기적으로 연결된다. The circuit pattern 28 of FIG. Probe base 20 at the 6a is electrically connected to the second side exposure hole 34 through the second conductive adhesive 42. 반면에 도 6b에서 프로브 기판(20)의 회로패턴(28)은 상단이 수직으로 돌출되어 제2 노출공(34) 안에 삽입됨으로써 전기적으로 연결된다. On the other hand, the circuit pattern 28 of the probe base 20 in FIG. 6b is electrically connected to the top of the protrusion being vertically inserted into the second exposure hole 34.

이상, 여러 실시예들과 변형예들을 통해 본 발명의 프로브 어셈블리에 대하여 설명하였다. Or more, through a number of embodiments and modified examples have described the probe assembly of the present invention. 이하에서는 전술한 설명과 중복되는 부분은 가급적 생략하면서 본 발명의 프로브 어셈블리 제조 방법에 대하여 설명한다. Hereinafter overlap the foregoing description and will be omitted as much as possible, while described with respect to the probe assembly, the manufacturing method of the present invention; 이하의 설명으로부터 프로브 어셈블리의 구성 및 효과 또한 더욱 명료해질 것이다. Configuration and effects of the probe assembly from the following description will also become more distinct.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예에 따라 핀 어레이 틀에 프로브 핀을 삽입하는 단계를 나타내는 사시도이다. Figure 7a and Figure 7b is a perspective view showing the step of inserting the probe pin in the frame pin array according to an embodiment of the invention.

먼저 도 7a를 참조하면, 핀 어레이 틀(80, pin array frame)은 하부 틀(82)과 상부 틀(84)로 이루어진다. Referring first to Figure 7a, the pin array frame (80, pin array frame) is composed of a lower mold 82 and upper mold 84. 하부 틀(82)에는 다수의 삽입공(82a)이 형성되고 상부 틀(84)에는 다수의 삽입홈(84a)이 형성된다. Lower mold 82 has a plurality of insertion holes (82a) is formed in the upper frame 84 has a plurality of insertion slits (84a) are formed. 프로브 핀(10)의 접촉팁(16)은 삽입공(82a)에 삽입되고, 연결기둥(12)은 삽입홈(84a)에 끼워진다. The contact tip 16 is inserted into the insertion hole (82a), the connecting post 12 of the probe pin 10 is fitted in the insertion groove (84a).

핀 어레이 틀(80)은 프로브 어셈블리의 제조 과정에서 다수의 프로브 핀(10)들을 임시로 삽입하는 부품이다. Pin array frame 80 is a part for inserting a plurality of probe pins (10) temporarily during the manufacturing process of the probe assembly. 핀 어레이 틀(80)을 사용하게 되면 프로브 핀(10) 삽입 공정을 전체 공정과 독립적으로 수행할 수 있고, 그에 따라 프로브 어셈블리의 전체 공정 시간을 단축할 수 있다. The use of pin array mold 80, it is possible to perform the probe pin 10 is inserted into the process as a whole process, and independently, it is possible to reduce the total process time of the probe assembly accordingly. 특히, 프로브 어셈블리를 주문제작하는 경우, 핀 어레이 틀(80)에 프로브 핀(10)들을 미리 삽입해 놓음으로써 납기를 대폭 단축할 수 있다. In particular, the probe if the order making the assembly, it is possible to drastically shorten the delivery time by putting in advance the insertion of the probe pins 10 in the pin array frame 80. The

다른 실시예에서 핀 어레이 틀(80)의 상부 틀(84)은 도 7b에 도시된 바와 같이 크기가 다른 두 층(84b, 84c)으로 이루어질 수도 있다. The upper frame of the pin array frame 80. In another embodiment (84) may be made to the two other layers (84b, 84c) in size as shown in Figure 7b. 이때, 프로브 핀(10)의 수평빔(14)은 상부틀의 아래층(84b)에 형성된 삽입홈(84a)에 끼워진다. At this time, the horizontal beam 14 of the probe pin 10 is fitted in the insertion groove (84a) formed on the lower level of the upper frame (84b).

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 실시예에 따라 지지층에 재배선을 형성하는 단계를 나타내는 평면도 또는 단면도이다. Figures 8a through 8c are plan views or sectional views illustrating a step of forming a wiring on a supporting layer according to an embodiment of the invention. 특히, 도 8a와 도 8b는 지지층(30)의 윗면과 단면을 각각 보여주며, 도 8c는 도 8a의 변형예를 보여준다. In particular, Figure 8a and Figure 8b shows a top and cross-section of the support layer 30, respectively, Figure 8c shows a variant of Figure 8a.

예시된 바와 같이, 재배선(70)은 지지층(30)에 형성된 다수의 제1 노출공(32)과 제2 노출공(34)을 전기적으로 연결하기 위한 것이다. As illustrated, the wiring 70 is to electrically connect the plurality of first exposure hole 32 and the second exposure hole 34 is formed in the support layer (30). 먼저, 지지층(30)에 노출공(32, 34)들을 형성하는데, 그 방법은 선출원 제2007-0123686호에 이미 기재된 바 있다. First, to form the exposure hole (32, 34) on the support layer (30), the method has already been described in earlier application No. 2007-0123686. 노출공(32, 34)이 형성되면, 지지층(30) 위에 포토레지스트 패턴(도시되지 않음)을 형성하고 스퍼터링과 같은 증착공정을 이용하여 재배선(70)을 형성한다. When the exposure hole (32, 34) formed, to form a supporting layer 30 on the photoresist pattern (not shown) and by a deposition process such as sputtering to form the wiring 70. 이어서, 포토레지스트 패턴을 제거하고, 비전도성 접착제(50)를 통해 지지층(30)과 프로브 기판(20)을 접합한다. Then, removing the photoresist pattern, and bonding the supporting layer 30 and the probe base plate 20 through the non-conductive adhesive (50). 그런 후, 제2 노출공(34) 안에 제2 전도성 접착제(42)를 주입한다. Then, the second injection the exposure hole 34, the second conductive adhesive 42 inside. 제2 전도성 접착제(42)는 지지층(30)과 프로브 기판(20)이 접합되는 과정에서 형성되도록 할 수도 있는데, 이에 대해서는 도 9a 내지 도 9c를 참조하여 후술한다. The second conductive adhesive 42 there can also be formed in the course of the joining support layer 30 and the probe substrate 20, will be described later with reference to Figure 9a to Figure 9c for this.

한편, 전술한 바와 같이 지지층(30)의 재료를 웨이퍼와 동일한 반도체 물질로 사용하면, 웨이퍼와 동등한 열팽창률을 가지는 이점뿐만 아니라, 지지층(30) 안에 필요한 전자부품 소자를 집적하여 제조할 수 있는 이점이 있다. On the other hand, when using the material of the support layer 30 of the same semiconductor material as the wafer, as well as advantages that has a coefficient of thermal expansion equivalent to the wafer, it is produced by integrating the electronic component elements required in the support layer 30 advantage as described above there is. 도 8c를 참조하면, 참조번호 90번은 지지층(30) 안에 형성되는 저항이나 커패시터, 릴레이 등의 전자부품 소자를 개념적으로 나타낸다. Referring to Figure 8c, illustrates the electronic component element such as a resistor or capacitor, the relay is formed in the reference number 90 times the support layer 30 is conceptually. 선출원 제2007-0123686호의 경우에는 표면실장 부품을 추가하기 위해 지지층의 노출공 안에 표면실장 부품을 실장하는 예를 설명하였다. In my earlier application 2007-0123686 arc has been described an example of mounting the surface-mounted component in the exposed ball of the support layer in order to add the surface-mounted components. 본 발명에서는 지지층(30)이 웨이퍼와 동일한 반도체 물질이므로 반도체 제조공정 기술을 이용하여 전자부품 소자(90)를 수월하게 지지층(30) 안에 형성할 수 있다. According to the present invention can be formed in the support layer 30 is that because the same semiconductor material as the wafer by using the semiconductor manufacturing process technology facilitates the electronic component device 90, the support layer 30. 그리고 이러한 소자(90)는 이웃하는 재배선(70)을 서로 연결하므로 재배선(70) 형성 공정과 연계하여 제조 공정을 진행할 수 있다. And this element 90 is so connected to each other by wiring 70 may be carried adjacent a production step in conjunction with the redistribution traces (70) forming step.

도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 실시예에 따라 지지층과 프로브 기판을 접합하는 단계를 나타내는 단면도이다. Figures 9a through 9c are cross-sectional views showing the step of bonding the supporting layer and the probe substrate according to an embodiment of the invention.

먼저, 도 9a를 참조하면, 지지층(30)에는 노출공(32, 34)과 재배선(70)이 형성된다. First, referring to Figure 9a, the support layer 30 is formed on the exposed hole (32, 34) and wiring (70). 프로브 기판(20)의 표면에는 비전도성 접착제(50)가 패드(24)가 노출되도록 도포되며, 패드(24) 위에는 지지층(30)의 제2 노출공(34) 안에 형성될 제2 전도성 접착제(42)가 형성된다. A second conductive adhesive to be formed in the exposure hole 34 of the probe substrate 20 surface is applied to a non-conductive adhesive 50 is exposed, the pad 24, the pads 24 support layer 30 on top of the ( 42) it is formed. 제2 전도성 접착제(42)는 예컨대 리플로우(reflow)가 가능한 솔더 볼(solder ball), 솔더 페이스트(solder paste), 금속이 함유된 액상 접착제 등이다. The second conductive adhesive 42 is, for example, reflow (reflow) is available solder ball (solder ball), the solder paste (solder paste), a metal containing the liquid adhesive or the like.

이어서, 도 9b에 도시된 바와 같이 지지층(30)과 프로브 기판(20)을 접합한다. Then, the bonding the supporting layer 30 and the probe base plate 20, as shown in Figure 9b. 지지층(30)과 프로브 기판(20)은 비전도성 접착제(50)에 의해 서로 접합되며, 이때 지지층(30)의 제2 노출공(34) 안에 제2 전도성 접착제(42)가 형성된다. A support layer 30 and the probe base plate 20 are joined to each other by the nonconductive adhesive 50, wherein the second conductive adhesive 42 in the second exposure hole 34 of the supporting layer 30 is formed.

이어서, 도 9c에 도시된 바와 같이 지지층(30) 위에 정렬 마스크층(110)을 형성하고 제1 노출공(32) 안에 제1 전도성 접착제(40)를 주입한다. Then, to form an ordered mask layer 110 on the support layer 30 as shown in Figure 9c and injecting a first impression ball first conductive adhesive (40) in (32). 정렬 마스크층(110)은 제1 정렬 마스크층(112)과 제2 정렬 마스크층(114)로 이루어지며, 이에 대해서는 선출원 제2007-0123686호에서 설명한 바 있으므로 자세한 설명을 생략한다. Alignment mask layer 110 is formed of the first alignment mask layer 112 and second alignment mask layer 114, as will described in the earlier application so Bar No. 2007-0123686 claim need not be described in detail here.

도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 실시예에 따라 핀 어레이 틀을 이용하여 지지층에 프로브 핀을 삽입하는 단계를 나타내는 단면도이다. Figure 10a to Figure 10d is a cross-sectional view showing the step of inserting the probe pin to the support layer using a pin array mold according to an embodiment of the invention.

도 10a와 도 10b에 도시된 바와 같이, 지지층(30)과 프로브 기판(20)을 접합한 후에는 프로브 핀(10)들이 삽입된 핀 어레이 틀(80)을 지지층(30)에 결합한다. As also shown in Figure 10a and 10b, after bonding the supporting layer 30 and the probe base 20 is coupled to the probe pin 10 are inserted into the pin array mold 80, the supporting layer (30). 다수의 프로브 핀(10)들이 삽입된 핀 어레이 틀(80)에 대해서는 도 7을 참조하여 이미 설명한 바 있다. For the plurality of probe pins 10, the pin array frame 80 are inserted with reference to FIG have already described.

핀 어레이 틀(80)을 지지층(30)에 결합할 때, 프로브 핀(10)의 수평빔(도 7의 14)과 접촉팁(도 7의 16)이 지지층(30) 위에 형성된 정렬 마스크층(110)에 의해 정렬되면서, 프로브 핀(10)의 연결기둥(도 7의 12)이 지지층(30)의 제1 노출공(32) 안으로 삽입되고 전도성 접착제(40)에 의해 고정된다. Pin array to bond the frame 80 to the support layer (30), arranged horizontal beam (14 in FIG. 7) and contact tip (16 in FIG. 7) of the probe pin 10 is formed on the support layer 30, a mask layer ( as arranged by 110), the probe is inserted into the first exposure hole 32 of the pin 10, the connecting post (12 of FIG. 7), the supporting layer 30 of is fixed by a conductive adhesive 40.

한편, 핀 어레이 틀(80)과 지지층(30)의 결합 방향은 도 10a에 도시된 것과 반대일 수 있다. On the other hand, the combination of pin array mold 80 and the support layer 30 may be a direction opposite to that shown in Figure 10a. 즉, 핀 어레이 틀(80)이 아래쪽에 위치하고, 그 위로 지지층(30)이 결합될 수 있다. That is, the pin array, the framework 80 is located at the bottom, it may be a combination that the top support layer (30). 또한, 도 10a에서 지지층(30) 위에 정렬 마스크층(110)이 있는 것과 달리, 도 10d와 같이 지지층(30) 위에 정렬 마스크층이 없는 경우도 가능하다. In addition, unlike with the alignment mask layer 110 on the support layer 30 in Figure 10a, it is also possible if there is no mask alignment layer on the supporting layer 30 as shown in Figure 10d.

이어서, 도 10c에 도시된 바와 같이, 핀 어레이 틀(80)을 제거하고 정렬 마스크층(110)을 제거한다. Then, as shown in Figure 10c, to remove the pin array mold 80 and remove the alignment mask layer 110.

도 11a 및 도 11b는 본 발명의 다른 실시예에 따라 지지층에 프로브 핀을 삽 입하는 단계를 나타내는 단면도이다. Figure 11a and 11b are inserted to the probe pin in the support layer in accordance with another embodiment of the invention stock is a cross-sectional view showing a step. 이 실시예는 도 5b에서 설명한 것처럼 재배선(70)에 도금막(72)을 형성하는 경우이다. This embodiment is a case of forming the plating film 72 on the redistribution trace 70, as described in Figure 5b.

전술한 도 10b와 같이 핀 어레이 틀(80)과 지지층(30)을 결합한 다음, 핀 어레이 틀(80)만 제거한 상태가 도 11a이다. Combines the pin array frame 80 and support layer 30 as in the above-described Fig. 10b is then removed, only the pin array frame 80. Figure 11a is. 이어서, 프로브 핀(10)의 수평빔(14)과 접촉팁(16)에 비전도성 보호물질(120)을 도포하고, 도금 공정을 진행한다. Then, the application of the horizontal beam 14 and the contact tip 16 is non-conductive protective material (120) of the probe pin 10, and the process proceeds to the plating process. 따라서 외부로 노출된 프로브 핀(10)의 연결기둥(12)과 재배선(70)에는 도금막(72)이 형성된다. Therefore, the connecting post 12 and the wiring 70 of the probe pin 10 is exposed to the outside, the plating film 72 is formed. 도금막(72)이 형성된 후에는 보호물질(120)과 정렬 마스크층(110)을 제거한다. Formed after the plating film 72 is removed the protective material 120 and the aligned mask layer 110.

도 12a 및 도 12b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 지지층에 프로브 핀을 삽입하는 단계를 나타내는 단면도이다. Figure 12a and Figure 12b is a cross-sectional view showing the step of inserting the probe pin in the supporting layer in accordance with another embodiment of the present invention. 이 실시예는 프로브 핀(10)의 연결기둥(12)에 댐퍼(130)를 형성하는 경우이다. This embodiment is a case of forming the damper 130 to the connecting post 12 of the probe pin (10). 재배선(70)의 유무에 차이가 있긴 하지만, 이 실시예의 댐퍼(130)는 앞서 도 4b에서 설명했던 댐퍼(60)와 실질적으로 동일하다. Although there are differences in the presence or absence of the redistribution trace 70, but this embodiment of the damper 130 is substantially the same as the damper 60 that is described in Figure 4b above.

도 12a에 도시된 바와 같이, 핀 어레이 틀(도 10b의 80)을 제거하고 정렬 마스크층(110)이 남아 있는 상태에서 프로브 핀(10)의 연결기둥(12)을 감싸도록 댐퍼(130)를 도포한다. A pin array frame damper 130 so as to surround the connecting post 12 of the removal (80 of FIG. 10b), and a probe in a state in which the left-aligned mask layer 110, pin 10, as shown in Figure 12a It is applied. 그런 후, 도 12b에 도시된 바와 같이 정렬 마스크층(110)을 제거한다. Then, to remove the alignment mask layer 110, as shown in Figure 12b.

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따라 지지층과 프로브 기판을 접합하는 단계를 나타내는 단면도이다. 13 is a cross-sectional view showing the step of bonding the supporting layer and the probe substrate according to an embodiment of the present invention. 이 실시예는 도 6a에 도시된 구조를 제조하는 경우에 해당한다. This embodiment corresponds to a case of manufacturing the structure shown in Figure 6a.

도 13에 도시된 바와 같이, 프로브 기판(20)의 지지판(26) 상부면과 측면에 는 회로패턴(28)이 형성되어 있고 회로패턴(28)이 없는 지지판(26)의 상부면에는 비전도성 접착제(50b)가 도포된다. The upper surface of the probe substrate 20, the support plate 26, the upper surface and side is formed a circuit pattern (28) and the support plate 26 without a circuit pattern 28, as shown in Figure 13, the non-conductive an adhesive (50b) is applied. 또한, 지지층(30)의 하부면에는 제2 노출공(34)의 위치에 제2 전도성 접착제(42)가 형성되어 있고 나머지 부분에는 비전도성 접착제(50a)가 도포된다. Further, the lower surface of the support layer 30, a second is formed with a second conductive adhesive 42 to the exposed position of the ball 34 and has a non-conductive adhesive (50a) is applied to the rest. 따라서 비전도성 접착제(50a, 50b)를 통해 지지층(30)과 프로브 기판(20)을 접합시킬 수 있다. Therefore, it is possible to through the non-conductive adhesive (50a, 50b) joined to the support layer 30 and the probe base plate 20. The 도 6b에 도시된 구조는 제2 전도성 접착제(42) 대신에 회로패턴(28)을 삽입하는 것만 다를 뿐 도 6a와 마찬가지의 방법으로 접합을 구현할 수 있다. Figure 6b shown in the structure may implement a second conductive adhesive 42 is bonded by simply as Figure 6a and the same method of inserting the different circuit patterns 28 in place.

지금까지 실시예를 통하여 본 발명에 따른 프로브 카드의 프로브 어셈블리 및 그 제조 방법에 대하여 설명하였다. So far, through the embodiment described above has dealt with the probe assembly and a method of manufacturing a probe card in accordance with the present invention. 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. The specification and drawings were disclosed with respect to a preferred embodiment of the invention, although specific terms have been used, which geotyiji only easily explain the technical details of the present invention is used in a general sense for a better understanding of the invention, the present invention It is not intended to limit the scope. 여기에 개시된 실시예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다. It is disclosed herein in addition to another variant embodiment, based on the technical concept of the present invention are possible embodiments will be apparent to those of ordinary skill in the art.

도 1은 기존의 프로브 어셈블리가 안고 있는 문제를 설명하기 위한 개념도. 1 is a conceptual diagram for explaining the problem with the conventional probe assembly faces.

도 2는 기존의 프로브 어셈블리가 안고 있는 또 하나의 문제를 설명하기 위한 개념도. 2 is a conceptual diagram illustrating yet another problem with the conventional probe assembly faces.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 프로브 어셈블리의 단면도. Figure 3 is a cross-sectional view of a probe assembly according to an embodiment of the invention.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 어셈블리의 단면도. Figure 4a and Figure 4b is a cross-sectional view of a probe assembly according to another embodiment of the present invention.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 어셈블리의 단면도. Figures 5a and 5b is a cross-sectional view of a probe assembly according to another embodiment of the present invention.

도 6a 및 도 6b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 어셈블리의 단면도. Figure 6a and Figure 6b is a cross-sectional view of a probe assembly according to another embodiment of the present invention.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 실시예에 따라 핀 어레이 틀에 프로브 핀을 삽입하는 단계를 나타내는 사시도. Figure 7a and Figure 7b is a perspective view showing the step of inserting the probe pin in the frame pin array according to an embodiment of the invention.

도 8a 내지 도 8c는 본 발명의 실시예에 따라 지지층에 재배선을 형성하는 단계를 나타내는 평면도 또는 단면도. Figures 8a through 8c are plan views or sectional views illustrating a step of forming a wiring on a supporting layer according to an embodiment of the invention.

도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 실시예에 따라 지지층과 프로브 기판을 접합하는 단계를 나타내는 단면도. Figures 9a through 9c are cross-sectional views showing the step of bonding the supporting layer and the probe substrate according to an embodiment of the invention.

도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 실시예에 따라 핀 어레이 틀을 이용하여 지지층에 프로브 핀을 삽입하는 단계를 나타내는 단면도. Figure 10a to Figure 10d is a sectional view showing the step of inserting the probe pin to the support layer using a pin array mold according to an embodiment of the invention.

도 11a 및 도 11b는 본 발명의 다른 실시예에 따라 지지층에 프로브 핀을 삽입하는 단계를 나타내는 단면도. Figure 11a and Figure 11b is a sectional view showing the step of inserting the probe pin in the supporting layer in accordance with another embodiment of the invention.

도 12a 및 도 12b는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 지지층에 프로브 핀을 삽입하는 단계를 나타내는 단면도. Figure 12a and Figure 12b is a sectional view showing the step of inserting the probe pin in the supporting layer in accordance with another embodiment of the present invention.

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따라 지지층과 프로브 기판을 접합하는 단계를 나타내는 단면도. Figure 13 is a cross-sectional view showing the step of bonding the supporting layer and the probe substrate according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Description of the Related Art>

W: 웨이퍼 P: 접촉 패드 W: wafer P: contact pad

10: 프로브 핀 12: 연결기둥 10: the probe pin 12: connecting post

14: 수평빔 16: 접촉팁 14: a horizontal beam 16: the contact tip

20: 프로브 기판 22: 회로배선 20: probe base 22: wiring circuit

24: 패드 30: 지지층 24: 30 pads: supporters

32, 34: 노출공 40, 42: 전도성 접착제 32, 34: exposed ball 40, 42: conductive adhesive

50: 비전도성 접착제 60, 130: 댐퍼 50: non-conductive adhesive 60, 130: damper

70: 재배선 72: 도금막 70: rewiring 72: plating film

80: 핀 어레이 틀 82a: 삽입공 80: pin array frame 82a: insertion hole

84a: 삽입홈 90: 전자부품 소자 84a: groove 90: electronic component element

100: 프로브 어셈블리 110: 정렬 마스크층 100: the probe assembly 110: alignment mask layer

120: 비전도성 보호물질 120: non-conductive protective materials

Claims (14)

  1. 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자를 검사하기 위한 프로브 어셈블리에 있어서, In the probe assembly for testing the semiconductor devices formed on the wafer,
    회로배선과 전기적으로 연결되어 표면에 미세 간격으로 배치된 패드를 구비하는 프로브 기판; Probe base that is connected to the electrical circuit wiring and having a pad disposed in a fine interval on the surface;
    상기 프로브 기판의 표면에 접합되고, 상기 패드에 대응하는 위치에 형성된 노출공을 구비하는 지지층; It is bonded to a surface of the probe base, the support layer having an exposure hole formed at the position corresponding to the pad;
    상기 노출공 안에 형성되는 전도성 접착제; Conductive adhesive is formed in said exposure hole;
    상기 전도성 접착제에 의해 물리적으로 고정되고 상기 패드와 전기적으로 연결되며, 상기 전도성 접착제 안에 수직 방향으로 삽입된 연결기둥, 상기 연결기둥으로부터 수평 방향으로 연장되어 상기 프로브 기판의 표면으로부터 이격된 수평빔, 상기 연결기둥과 반대쪽 위치에서 반대쪽 방향으로 상기 수평빔으로부터 연장된 접촉팁을 구비하는 프로브 핀; Fixed physically by the conductive adhesive, and connected to the pad and electrical, extend in the horizontal direction from the connecting post of the horizontal beam, and spaced apart from a surface of the probe substrate is inserted in the vertical direction in the conductive adhesive connecting post, the having a contact tip extending from the horizontal beam in the opposite direction from the connecting post and the other end position the probe pin;
    을 포함하며, 상기 지지층은 상기 웨이퍼의 재료와 동일한 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리. A, comprising the support layer is a probe assembly which comprises the same semiconductor material as the material of the wafer.
  2. 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자를 검사하기 위한 프로브 어셈블리에 있어서, In the probe assembly for testing the semiconductor devices formed on the wafer,
    회로배선과 전기적으로 연결되어 표면에 미세 간격으로 배치된 복수의 패드를 구비하는 프로브 기판; Probe base that is connected to the electrical circuit wiring and having a plurality of pads arranged at a fine interval on the surface;
    상기 프로브 기판의 표면에 접합되고, 상기 복수의 패드에 각각 대응하는 위치에 형성된 제2 노출공, 복수의 상기 제2 노출공과 서로 다른 위치에 별개로 형성된 복수의 제1 노출공, 복수의 상기 제1 노출공과 복수의 상기 제2 노출공을 연결하는 복수의 재배선을 구비하는 지지층; Is bonded to a surface of the probe substrate, a second exposure hole, a plurality of the second plurality of the first exposure hole, a plurality of the formed separately from the exposed ball and different positions claim formed in a position respectively corresponding to the plurality of pads 1, exposure of the plurality of balls and a second support layer comprising a plurality of redistribution traces connecting the exposure hole;
    상기 제1 노출공 안에 형성되는 제1 전도성 접착제; A first conductive adhesive is formed in the first exposure hole;
    상기 제2 노출공 안에 형성되는 제2 전도성 접착제; A second conductive adhesive that is formed in the second exposure hole;
    상기 제1 전도성 접착제에 의해 물리적으로 고정되고 상기 재배선을 통해 상기 패드와 전기적으로 연결되며, 상기 제1 전도성 접착제 안에 수직 방향으로 삽입된 연결기둥, 상기 연결기둥으로부터 수평 방향으로 연장되어 상기 프로브 기판의 표면으로부터 이격된 수평빔, 상기 연결기둥과 반대쪽 위치에서 반대쪽 방향으로 상기 수평빔으로부터 연장된 접촉팁을 구비하는 프로브 핀; The probe board according to the fixed physically by the first conductive adhesive, and connected to the pad and electrically through the wiring, extending in the second horizontal direction from the first connecting post is inserted in the vertical direction in the conductive adhesive, the connecting post on the horizontal beam, it said connecting post and the other end located away from the surface to the other end of the direction of the probe having a contact tip extending from the horizontal beam pin;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리. A probe assembly comprising a.
  3. 제2항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 지지층은 상기 웨이퍼의 재료와 동일한 반도체 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리. The support layer has a probe assembly which comprises the same semiconductor material as the material of the wafer.
  4. 제1항 또는 제3항에 있어서, According to claim 1,
    상기 반도체 물질은 실리콘인 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리. The semiconductor material is a probe assembly, characterized in that the silicon.
  5. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, A method according to any one of claims 1 to 3,
    상기 수평빔의 높이보다 크고 상기 접촉팁의 높이보다 작은 높이를 가지도록 상기 지지층의 표면에 형성되는 댐퍼; A damper formed on a surface of the support layer is greater than the height so as to have a smaller height than the height of the contact tip of the horizontal beam;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리. The probe assembly according to claim 1, further comprising.
  6. 제5항에 있어서, 6. The method of claim 5,
    상기 댐퍼는 상기 연결기둥을 감싸는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리. It said damper is a probe assembly, characterized in that surrounding the connecting post.
  7. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, A method according to any one of claims 1 to 3,
    상기 지지층과 상기 프로브 기판을 접합하는 비전도성 접착제; A non-conductive adhesive for joining the support layer and the probe substrate;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리. The probe assembly according to claim 1, further comprising.
  8. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, A method according to any one of claims 1 to 3,
    상기 프로브 기판은 지지판과 회로패턴을 구비하며, 상기 회로패턴은 상기 지지판의 상부면과 측면에 형성되어 상기 회로배선과 상기 패드의 역할을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리. The probe substrate is formed on the upper surface and the side surface of the support plate wherein the circuit pattern includes a pattern and a circuit supporting plate, the probe assembly, characterized in that serving as the wiring and the pad, the circuit at the same time.
  9. 제2항 또는 제3항에 있어서, 3. The method of claim 2 or 3,
    상기 재배선과 상기 연결기둥에 형성되는 도금막; The cultivation line and the plating film formed on the connecting post;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리. The probe assembly further comprises a.
  10. 제2항 또는 제3항에 있어서, 3. The method of claim 2 or 3,
    상기 이웃하는 재배선을 서로 연결하도록 상기 지지층 안에 형성되는 전자부품 소자; Electronic component elements formed in the support layer so as to interconnect the wiring to the neighborhood;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리. The probe assembly according to claim 1, further comprising.
  11. 하부 틀에 다수의 삽입공이 형성되고 상부 틀에 다수의 삽입홈이 형성된 핀 어레이 틀을 준비하는 단계; Forming a plurality of holes into the lower mold, and ready for the pin array frame having a plurality of insertion grooves in the top mold;
    상기 삽입공에 프로브 핀의 접촉팁을 삽입하고 상기 삽입홈에 상기 프로브 핀의 연결기둥을 끼워 다수의 상기 프로브 핀을 상기 핀 어레이 틀에 삽입하는 단계; Inserting the contact tip of the probe pin in the insertion hole, and inserting the connecting post of the probe pin in the insertion groove inserted into the plurality of arrays frame to the probe pin the pin;
    회로배선과 전기적으로 연결되어 표면에 미세 간격으로 배치된 패드를 구비하는 프로브 기판을 준비하는 단계; Further comprising: connected to the electrical circuit wiring and preparing a probe substrate having a pad disposed in a fine interval on the surface;
    상기 패드에 대응하는 위치에 형성된 노출공을 구비하는 지지층을 상기 프로브 기판의 표면에 접합하는 단계; The step of bonding the supporting layer having an exposure hole formed at the position corresponding to the pad on the surface of the probe substrate;
    상기 노출공 안에 전도성 접착제를 형성하는 단계; Forming a conductive adhesive in the exposure hole;
    상기 전도성 접착제를 외부에 노출시키는 정렬 마스크층을 상기 지지층 위에 형성하는 단계; Forming an alignment mask layer to expose the conductive adhesive to the outside over the support layer;
    상기 정렬 마스크층을 통해 상기 프로브 핀을 정렬하면서 상기 프로브 핀의 연결기둥이 상기 지지층의 노출공 안으로 삽입되어 상기 전도성 접착제에 의해 고 정되도록 상기 지지층과 상기 핀 어레이 틀을 결합하는 단계; Combining the support layer and the pin array to the framework and aligned with the probe pins through the aligned mask layer fixed at the connecting post of the probe pin is inserted into the hole of the support layer exposed by said conductive adhesive;
    상기 핀 어레이 틀과 상기 정렬 마스크층을 제거하는 단계; Removing the pin array and the frame-aligned mask layer;
    를 포함하는 프로브 어셈블리의 제조 방법. Method for manufacturing a probe assembly comprising a.
  12. 하부 틀에 다수의 삽입공이 형성되고 상부 틀에 다수의 삽입홈이 형성된 핀 어레이 틀을 준비하는 단계; Forming a plurality of holes into the lower mold, and ready for the pin array frame having a plurality of insertion grooves in the top mold;
    상기 삽입공에 프로브 핀의 접촉팁을 삽입하고 상기 삽입홈에 상기 프로브 핀의 연결기둥을 끼워 다수의 상기 프로브 핀을 상기 핀 어레이 틀에 삽입하는 단계; Inserting the contact tip of the probe pin in the insertion hole, and inserting the connecting post of the probe pin in the insertion groove inserted into the plurality of arrays frame to the probe pin the pin;
    회로배선과 전기적으로 연결되어 표면에 미세 간격으로 배치된 패드를 구비하는 프로브 기판을 준비하는 단계; Further comprising: connected to the electrical circuit wiring and preparing a probe substrate having a pad disposed in a fine interval on the surface;
    상기 패드에 대응하는 위치에 형성된 제2 노출공, 상기 제2 노출공과 서로 다른 위치에 별개로 형성된 제1 노출공, 상기 제1 노출공과 상기 제2 노출공을 연결하는 재배선을 구비하는 지지층을 상기 프로브 기판의 표면에 접합하는 단계; A support layer having a wiring connecting the second exposure hole, wherein the second exposure ball and the first exposure hole formed to each other separately in different positions, wherein the first exposed ball and the second exposure hole formed at the position corresponding to the pad the step of bonding a surface of the probe substrate;
    상기 제1 노출공 안에 제1 전도성 접착제를 형성하는 단계; Forming a first conductive adhesive in the first exposure hole;
    상기 제1 전도성 접착제를 외부에 노출시키는 정렬 마스크층을 상기 지지층 위에 형성하는 단계; Forming a mask alignment layer which is exposed to the outside of the first conductive adhesive onto the support layer;
    상기 정렬 마스크층을 통해 상기 프로브 핀을 정렬하면서 상기 프로브 핀의 연결기둥이 상기 지지층의 제1 노출공 안으로 삽입되어 상기 제1 전도성 접착제에 의해 고정되도록 상기 지지층과 상기 핀 어레이 틀을 결합하는 단계; Combining the support layer and the pin array frame, while aligning the probe pins through the aligned mask layer is a connecting post of the probe pin is inserted into the first exposing holes of the support layer so as to be fixed by said first conductive adhesive;
    상기 핀 어레이 틀과 상기 정렬 마스크층을 제거하는 단계; Removing the pin array and the frame-aligned mask layer;
    를 포함하는 프로브 어셈블리의 제조 방법. Method for manufacturing a probe assembly comprising a.
  13. 제12항에 있어서, 13. The method of claim 12,
    상기 제2 노출공 안에 제2 전도성 접착제를 형성하는 단계; Forming a second conductive adhesive, in the second exposure hole;
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리의 제조 방법. A method of producing a probe assembly according to claim 1, further comprising.
  14. 제11항 내지 제13항 중의 어느 한 항에 있어서, According to any one of claim 11 to claim 13,
    상기 지지층과 상기 프로브 기판의 접합 단계는 비전도성 접착제에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리의 제조 방법. Bonding step of the support layer and the probe substrate manufacturing method of the probe assembly, characterized in that formed by non-conductive adhesive.
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