KR100956564B1 - Method of driving plasma display panel - Google Patents
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Abstract
오방전을 방지하면서 암 콘트라스트의 향상을 꾀할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 방전 셀 내의 형광체층에 2차 전자 방출 재료를 포함시킨 플라즈마 디스플레이 패널을, 단위 표시기간마다 복수의 서브필드로 계조 구동함에 있어, 단위 표시 기간 내의 하나의 서브필드에서는 이하의 리셋 행정과, 어드레스 행정을 실행한다. 리셋 행정에서는, 플라즈마 디스플레이 패널의 행전극쌍의 일방의 행전극을 양극측, 열전극을 음극측으로 한 전압을 두 전극 간에 인가함으로써, 각 방전 셀 내에 제1 리셋 방전을 야기시키고, 이어서, 일방의 행전극에 부극성의 전위를 인가하면서 타방의 행전극에 정극성의 전위를 갖는 제1 베이스 펄스를 인가함으로써 제2 리셋 방전을 야기시킨다. 어드레스 행정에서는, 입력 영상 신호에 따라 각 방전 셀을 선택적으로 어드레스 방전시킴으로써 이를 ON 모드의 상태로 설정시킨다. 또한, 이 어드레스 행정의 실행 기간 중에 걸쳐, 상기 일방의 행전극에 부극성의 전위를 인가하면서 타방의 행전극에 제1 베이스 펄스와는 다른 피크 전위를 갖는 정극성의 제2 베이스 펄스를 인가한다.
암 콘트라스트, 플라즈마 디스플레이 패널, 방전 셀, 형광체층, 2차 전자 방출 재료, 리셋 행정, 어드레스 행정
It is an object of the present invention to provide a method of driving a plasma display panel which can improve dark contrast while preventing erroneous discharge. In the gray scale driving of the plasma display panel including the secondary electron emission material in the phosphor layer in the discharge cell in a plurality of subfields for each unit display period, the following reset steps and address steps are performed in one subfield within the unit display period. Run In the reset step, a first reset discharge is caused in each discharge cell by applying a voltage between the two electrodes of one row electrode of the row electrode pair of the plasma display panel between the anode side and the cathode side. A second reset discharge is caused by applying a first base pulse having a positive potential to the other row electrode while applying a negative potential to the row electrode. In the address step, each discharge cell is selectively discharged in accordance with the input video signal to set it to the ON mode. In addition, during the execution of this address step, a negative second base pulse having a peak potential different from that of the first base pulse is applied to the other row electrode while applying a negative potential to the one row electrode.
Dark contrast, plasma display panel, discharge cell, phosphor layer, secondary electron emission material, reset stroke, address stroke
Description
본 발명은, 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 구동 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a driving method for driving a plasma display panel.
현재, 박형 표시장치로서, AC형(교류 방전형)의 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)이 제품화되어 있다. PDP에는, 2매의 기판, 즉 전면 투명 기판 및 배면 투명 기판이 소정 간격을 통해 대향 배치되어 있다. 표시면으로서의 상기 전면 투명 기판의 내면(배면 투명 기판과 대향하는 면)에는, 서로 쌍을 이루어 평행하게 신장하는 행전극쌍의 복수가 서스테인 전극쌍으로서 형성되어 있다. 또한 이러한 전면 투명 기판의 내면에는, 행전극쌍의 각각을 피복하는 유전체층이 형성되어 있다. 배면 기판에는, 행전극쌍과 교차하도록 복수의 열전극이 어드레스 전극에서 신장 형성되고, 또한 형광체가 도포되어 있다. 상기 표시면측에서 본 경우, 행전극쌍과 열전극과의 교차부에, 화소에 대응한 표시 셀이 형성되어 있다. 이와 같은 PDP에 대해, 입력 영상 신호로 대응한 중간조의 표시 휘도를 얻도록, 서브필드법을 사용한 계조 구동을 실시한다.Currently, as a thin display device, an AC type (AC discharge type) plasma display panel (PDP) is commercialized. In the PDP, two substrates, that is, a front transparent substrate and a back transparent substrate, are disposed to face each other at predetermined intervals. On the inner surface (surface facing the rear transparent substrate) of the front transparent substrate as the display surface, a plurality of row electrode pairs extending in parallel to each other in pairs are formed as sustain electrode pairs. Further, a dielectric layer covering each of the row electrode pairs is formed on the inner surface of the front transparent substrate. On the back substrate, a plurality of column electrodes are formed to extend from the address electrode so as to intersect with the row electrode pairs, and a phosphor is coated. When viewed from the display surface side, display cells corresponding to pixels are formed at the intersections of the row electrode pairs and the column electrodes. To such a PDP, gradation driving using the subfield method is performed so as to obtain the display luminance of the halftone corresponding to the input video signal.
서브필드법에 기초한 계조 구동에서는, 발광이 실시될 횟수(또는 기간)가 각 각에 할당되어 있는 복수의 서브필드 각각에서, 1필드분의 영상 신호에 대한 표시 구동을 실시한다. 각 서브필드에서는, 어드레스 행정과, 서스테인 행정을 순차 실행한다. 어드레스 행정에서는, 입력 영상 신호에 따라, 선택적으로 각 방전 셀 내의 행전극 및 열전극 간에 선택 방전을 야기시켜 소정량의 벽전하를 형성(또는 소거)시킨다. 이때, 소정량의 벽전하가 형성된 방전 셀은 ON 모드, 벽전하량이 소정량에 미치지 않는 방전셀은 OFF 모드로 설정된다. 서스테인 행정에서는, 소정량의 벽전하가 형성되어 있는 방전셀, 즉, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀만을 반복적으로 서스테인 방전시키고 그 방전에 수반하는 발광 상태를 유지한다. 또한, 적어도 선두의 서브필드에 있어서 상기 어드레스 행정에 앞서, 리셋 행정을 실행한다. 이러한 리셋 행정에서는, 모든 방전 셀 내에 있어서, 쌍을 이루는 행전극 간에 리셋 방전을 야기시킴으로써 전 방전셀 내에 잔류하는 벽전하의 양을 초기화하고, 전 방전 셀을 상기 ON 모드 및 OFF 모드의 중 하나의 상태로 한다.In gradation driving based on the subfield method, display driving is performed on a video signal for one field in each of a plurality of subfields each of which is assigned a number (or period) of light emission. In each subfield, an address stroke and a sustain stroke are executed in sequence. In the addressing step, selective discharge is caused between the row electrodes and the column electrodes in each discharge cell in accordance with the input video signal to form (or erase) a predetermined amount of wall charges. At this time, the discharge cells in which the predetermined amount of wall charges are formed are set to the ON mode, and the discharge cells in which the wall charge amount does not reach the predetermined amount are set to the OFF mode. In the sustaining stroke, only the discharge cells in which the predetermined amount of wall charges are formed, that is, the discharge cells set in the ON mode are repeatedly sustained and the light emission state accompanying the discharge is maintained. In addition, the reset step is executed before the address step in at least the head subfield. In such a reset stroke, in all discharge cells, the reset discharge is caused between paired row electrodes to initialize the amount of wall charge remaining in all the discharge cells, and the all discharge cells are changed to one of the ON mode and the OFF mode. It is in a state.
여기에서, 상기 리셋 방전은 비교적 강한 방전이고, 또한 표시할 화상의 내용에는 전혀 관여하지 않는 것이기 때문에, 이 방전에 수반하는 발광이 화상의 콘트라스트를 저하시키는 문제가 있었다.Here, since the reset discharge is a relatively strong discharge and has nothing to do with the contents of the image to be displayed, there is a problem that the light emission accompanying the discharge lowers the contrast of the image.
이에 따라, 각 표시 셀 내에, 전자선의 조사에 의해 여기되어 파장 200∼300nm 내에 피크를 갖는 음극 루미네슨스 발광을 행하는 산화 마그네슘 결정체를 포함하는 산화 마그네슘층을 제공하도록 한 플라즈마 디스플레이 패널을 구비한 플 라즈마 디스플레이 장치가 제안되었다(예를 들면 특허 문헌1, 일본 특개 2006-54160호 참조). 이러한 플라즈마 디스플레이 패널에 의하면, 표시 셀 내에 야기되는 방전 지연 시간이 단축되기 때문에, 비교적 피크 전위가 낮은 리셋 펄스를 인가한 때에도 확실히 리셋 방전을 야기시키는 것이 가능하다. 그래서, 이 플라즈마 디스플레이 장치에서는, 각 표시 셀에 대해 비교적 피크 전위가 낮은 리셋 펄스를 인가함으로써 방전 강도가 약한 리셋 방전을 야기시키도록 하고 있다. 이에 의해 리셋 방전에 수반하는 발광 휘도가 저하하기 때문에, 표시 화상의 휘도 콘트라스트를 높이는 것이 가능하게 된다.Accordingly, a plasma display panel including a plasma display panel is provided in each display cell to provide a magnesium oxide layer containing magnesium oxide crystals excited by irradiation with an electron beam and emitting cathode luminescence emission having a peak within a wavelength of 200 to 300 nm. A rasma display device has been proposed (see, for example,
그러나, 방전의 지연시간이 단축되어 방전이 쉽게 야기되는 분만큼, 리셋 방전 직후에 실시되는 어드레스 행정에 있어서 오 방전이 야기되는 문제가 생긴다.However, as long as the delay time of the discharge is shortened and the discharge is easily caused, there is a problem that a false discharge is caused in the address stroke immediately after the reset discharge.
또한, 흑표시를 행하는 경우, 즉 1필드 표시 기간에 걸쳐 방전 셀을 소등 상태로 유지시키는 경우에 한해, 리셋 방전을 야기시키지 않도록 한 구동 방법이 제안되었다(특허 문헌 2, 일본 특개 2001-312244호의 도9 참조). 이러한 구동에서는, 14개의 서브필드에서 최저 휘도(흑표시)∼최고 휘도로 되는 휘도 범위를 15단계(제1∼제15 계조)로 표현하도록 하고 있다. 이때, 최저 휘도(흑표시)의 표시를 담당하는 제1 계조 구동을 제외한 제2∼제15 계조 구동에서는, 선두의 서브필드 SF1에만 상기 리셋 방전에 상당하는 선택 기입 방전(2중 동그라미로 표시)을 야기시켜, 각 방전 셀을 ON 모드의 상태로 초기화시키도록 하고 있다. 그리고, 서브필드 SF2∼SF14 중 어느 하나의 SF에서만 방전 셀을 OFF 모드로 천이시켜야 할 선택 소거 방전(검은 동그라미로 표시)을 야기시킴으로써, 각 계조에 대응한 수만큼 연속된 SF 각각에서 서스테인 방전(백 동그라미로 표시)이 야기된다.In addition, a driving method has been proposed in which a reset discharge is not caused only when black display is performed, i.e., when the discharge cell is kept off for one field display period (
상기와 같은 구동을 채용하면, 방전 셀의 상태를 초기화할 기입 방전의 기회는, 선두 서브필드 SF1만이고, 또한 흑표시를 행하는 경우에는 이 기입 방전까지도 실시하지 않도록 했기 때문에 콘트라스트가 향상한다.By adopting the above-described driving, the opportunity for write discharge to initialize the state of the discharge cell is only the first subfield SF1, and when the black display is performed, the write discharge is not performed, so the contrast is improved.
그러나, 이러한 구동에 의하면, 방전 셀을 OFF 모드로부터 ON 모드 상태로 천이시킬 수 있는 기회는 선두 서브필드 SF1의 기입 방전만이다. 따라서, 서브필드 SFl에서 기입 방전이 실패하면, 입력 영상 신호에 구애되지 않고 흑표시로 되어, 화질 열화가 현저히 나타나는 문제가 발생한다.However, according to this driving, the opportunity to transition the discharge cells from the OFF mode to the ON mode state is only write discharge in the first subfield SF1. Therefore, if the write discharge fails in the subfield SFl, the display becomes black regardless of the input video signal, causing a problem that the image quality deteriorates remarkably.
본 발명은, 이러한 문제를 해결하기 위한 것으로, 오방전을 방지하면서 암 콘트라스트의 향상을 꾀할 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a method of driving a plasma display panel which can improve dark contrast while preventing erroneous discharge.
또한, 본 발명은, 입력 영상 신호에 기초하여 각 방전 셀을 선택적으로 OFF 모드 상태로부터 ON 모드 상태로 천이시켜야 할 기입 방전을 안정적으로 야기시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a method of driving a plasma display panel that can stably cause write discharges to be selectively shifted from an OFF mode state to an ON mode state on the basis of an input video signal. do.
본 발명의 제1 특징에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은, 방전 가스가 봉입된 방전 공간을 사이에 두고 전면 기판 및 배면 기판이 대향 배치되어 있고, 상기 전면 기판에 형성되어 있는 복수의 행전극쌍과 상기 배면 기판에 형성되어 있는 복수의 열전극과의 각 교차부에 화소를 담당하는 방전 셀이 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널을, 입력 영상 신호에 있어서의 단위 표시 기간마다 복수의 서브필드에 의해 계조 구동하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법에 있어서, 상기 방전 셀 내의 상기 배면 기판상에는 형광체 재료 및 2차 전자 방출재료가 포함되는 형광체층이 제공되어 있고, 상기 단위 표시기간 중 하나의 서브필드에서는, 상기 방전 셀을 OFF 모드의 상태로 초기화하는 리셋 행정과, 상기 입력 영상 신호에 따라 상기 방전 셀을 선택적으로 어드레스 방전시킴으로써 상기 방전 셀을 ON 모드의 상태로 천이시키는 어드레스 행정을 실행하고, 상기 리셋 행정에서는, 상기 행전극쌍의 일방의 행전극을 양극측, 상기 열전극을 음극측으로 한 전압을 상기 일방의 행전극 및 상기 열전극간에 인가함으로써 상기 일방의 행전극 및 상기 열전극 간에 있어서 제1 리셋 방전을 야기시킨 후, 계속하여 상기 일방의 행전극에 부극성의 전위를 인가하면서 상기 행전극쌍의 타방의 행전극에 정극성의 피크 전위를 갖는 제1 베이스 펄스를 인가함으로써 제2 리셋 방전을 야기시키고, 상기 어드레스 행정의 실행기간 중에 걸쳐, 상기 일방의 행전극에 부극성의 전위를 인가하면서 상기 타방의 행전극에 상기 제1 베이스 펄스와는 다른 정극성의 피크 전위를 갖는 제2 베이스 펄스를 인가한다.In the driving method of the plasma display panel according to the first aspect of the present invention, a plurality of row electrode pairs are provided on the front substrate and the front substrate and the rear substrate are disposed to face each other with a discharge space in which discharge gas is enclosed. And a plasma display panel in which discharge cells that are responsible for pixels are formed at respective intersections of a plurality of column electrodes formed on the rear substrate, with a plurality of subfields for each unit display period of an input video signal. A driving method of a plasma display panel for driving, wherein a phosphor layer containing phosphor material and secondary electron emission material is provided on the rear substrate in the discharge cell, and the discharge is performed in one subfield of the unit display period. A reset stroke for initializing the cell to the OFF mode state and according to the input video signal By performing address discharge of all cells selectively, an address step of transitioning the discharge cells to the ON mode is executed. In the reset step, one row electrode of the row electrode pair is the anode side and the column electrode is the cathode side. The first reset discharge is caused between the one row electrode and the column electrode by applying a voltage between the one row electrode and the column electrode, and then the negative electrode potential is subsequently applied to the one row electrode. A second reset discharge is caused by applying a first base pulse having a positive peak potential to the other row electrodes of the row electrode pairs, and a negative potential is applied to the one row electrode during the execution of the addressing step. While applying, a second base pulse having a positive peak potential different from that of the first base pulse is applied to the other row electrode.
플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 각 방전 셀 내의 형광체층에 2차전자 방출 재료를 포함시킴으로써 약한 리셋 방전을 확실히 야기시키는 것을 가능하게 하고, 이 리셋 방전의 미약화에 의해 암 콘트라스트의 향상을 꾀한다.By including the secondary electron emission material in the phosphor layer in each discharge cell of the plasma display panel (PDP), it is possible to surely cause a weak reset discharge, and to improve the dark contrast by weakening the reset discharge.
또한, 이러한 PDP를 단위 표시 기간마다 복수의 서브필드에서 계조 구동할 때, 단위 표시 기간 내의 하나의 서브필드에서는 이하의 리셋 행정과, 어드레스 행정을 실행한다. 우선, 리셋 행정에서는, PDP의 행전극쌍의 일방의 행전극을 양극 측, 열전극을 음극측으로 한 전압을 양전극 간에 인가함으로써 각 방전 셀 내에 제1 리셋 방전을 야기시키고, 이어서, 일방의 행전극에 부극성의 전위를 인가하면서 타방의 행전극에 정극성의 피크 전위를 갖는 제1 베이스 펄스를 인가함으로써 제2 리셋 방전을 야기시킨다. 다음에, 어드레스 행정에서는, 입력 영상 신호에 따라 각 방전 셀을 선택적으로 어드레스 방전시킴으로써 이를 ON 모드의 상태로 설정시킨다. 또한, 이 어드레스 행정의 실행 기간 중에 걸쳐, 상기 일방의 행전극에 부극성의 전위를 인가하면서 타방의 행전극에 제1 베이스 펄스와는 다른 정극성의 피크 전위를 갖는 제2 베이스 펄스를 인가한다.When the PDP is driven in gradation in a plurality of subfields for each unit display period, the following reset steps and address steps are executed in one subfield in the unit display period. First, in the reset step, the first reset discharge is caused in each discharge cell by applying a voltage between the positive electrode and the positive electrode with one row electrode of the row electrode pair of the PDP to the cathode side, and then one row electrode. The second reset discharge is caused by applying the first base pulse having the positive peak potential to the other row electrode while applying the negative potential to the other row electrode. Next, in the address step, each discharge cell is selectively discharged in accordance with the input video signal to set it to the ON mode. Further, during the execution of this address step, a second base pulse having a positive peak potential different from that of the first base pulse is applied to the other row electrode while applying a negative potential to the one row electrode.
이때, 제1 베이스 펄스의 피크 전위를 제2 베이스 펄스보다도 고전위로 설정하면, 제2 리셋 방전이 강한 방전으로 되기 때문에, 벽전하의 소거를 실시할 수 있지만, 각 방전셀 내의 일방의 행전극 근방에는 미량의 정극성의 벽전하, 타방의 행전극 근방에는 미량의 부극성의 벽전하가 잔류한다. 이에 의해 어드레스 행정에 있어서 일방의 행전극에 부극성의 전위, 타방의 행전극에 제2 베이스 펄스가 인가되어 있는 상태에서는, 행전극간에의 방전이 야기되기 어려워져, 오 방전이 방지되게 된다.At this time, if the peak potential of the first base pulse is set to a higher potential than that of the second base pulse, the second reset discharge becomes a strong discharge, so that the wall charges can be erased, but in the vicinity of one row electrode in each discharge cell. There is a small amount of positive wall charge and a small amount of negative wall charge remains in the vicinity of the other row electrode. As a result, in the state where the negative potential is applied to one row electrode and the second base pulse is applied to the other row electrode in the address stroke, discharge between the row electrodes is less likely to occur, and erroneous discharge is prevented.
한편, 제2 베이스 펄스의 피크 전위를 제1 베이스 펄스보다도 고전위로 설정하면, 제조상에 있어서의 각 방전 셀마다의 방전 강도의 불균일에 의해 어드레스 방전이 약한 방전으로 되어 방전 셀이 존재하여도 이 방전 셀을 확실히 ON 모드 상태로 설정하는 것이 가능하게 된다.On the other hand, if the peak potential of the second base pulse is set to a higher potential than that of the first base pulse, the address discharge is weakly discharged due to the unevenness of the discharge intensity for each discharge cell in the manufacturing phase, and even this discharge cell exists even if the discharge cell exists. It is possible to surely set the cell to the ON mode state.
본 발명의 다른 특징에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은, 방전 가스가 봉입된 방전공간을 사이에 두고 대향 배치되어 있는 제1 및 제2기판 내의 제1기판에 형성되어 있는 복수의 행전극쌍과 상기 제2기판에 형성되어 있는 복수의 열전극과의 각 교차부에, 그 표면이 상기 방전 가스에 접촉하고 있는 형광체층을 포함하는 방전 셀이 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널을, 상기 영상 신호에 있어서의 단위 표시 기간마다 복수의 서브필드에서 계조 구동하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로, 상기 단위 표시 기간 내의 복수 상기 서브필드 각각 내의 제1 서브필드 및 상기 제1 서브필드에 후속하는 제2 서브필드 각각에서는, 상기 행전극쌍의 일방의 행전극에 순차적으로 부극성의 기입 주사 펄스를 인가하면서 상기 영상 신호에 기초하는 각 화소마다의 화소 데이터에 따른 화소 데이터 펄스를 상기 열전극에 인가함으로써, 상기 방전 셀을 선택적으로 기입 어드레스 방전시키고 상기 방전 셀을 OFF 모드의 상태로부터 ON 모드의 상태로 천이시키는 기입 어드레스 행정을 실행하고, 상기 제2 서브필드에 후속하는 제3의 서브필드에서는, 상기 행전극쌍의 일방의 행전극에 순차적으로 부극성의 소거 주사 펄스를 인가하면서 상기 영상 신호에 기초하는 각 화소마다의 화소 데이터에 따른 화소 데이터 펄스를 상기 열전극에 인가함으로써 상기 방전셀을 선택적으로 소거 어드레스 방전시켜 상기 방전 셀을 상기 ON 모드의 상태로부터 상기 OFF 모드의 상태로 천이시키는 소거 어드레스 행정을 실행하고, 상기 제1 서브필드의 상기 기입 어드레스 행정에서 인가되는 상기 기입 주사 펄스에서의 부극성의 피크 전위를, 상기 제2 서브필드의 상기 기입 어드레스 행정에서 인가되는 상기 기입 주사 펄스에 있어서의 부극성의 피크 전위보다도 높게 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of driving a plasma display panel, comprising: a plurality of row electrode pairs formed on a first substrate in first and second substrates disposed to face each other with a discharge space filled with discharge gas therebetween; In the video signal, a plasma display panel having a discharge cell including a phosphor layer whose surface is in contact with the discharge gas is formed at each intersection with a plurality of column electrodes formed on the second substrate. A method of driving a gradation drive in a plurality of subfields for each unit display period of the plurality of subfields, wherein each of a first subfield in each of the plurality of subfields in the unit display period and a second subfield subsequent to the first subfield In the video signal, a negative write scan pulse is sequentially applied to one row electrode of the row electrode pair. By applying pixel data pulses corresponding to pixel data for each of the underlying pixels to the column electrode, a write address step of selectively discharging the discharge cells and shifting the discharge cells from the OFF mode to the ON mode In the third subfield subsequent to the second subfield, a negative erase scan pulse is sequentially applied to one of the row electrodes of the row electrode pairs, for each pixel based on the video signal. Performing an erase address step of selectively erasing the discharge cells by applying pixel data pulses corresponding to pixel data to the column electrodes to transition the discharge cells from the ON mode to the OFF mode, and The write scan pulse applied in the write address stroke of the first subfield A peak potential of negative polarity of the stand, the second and higher than the peak potential of negative polarity according to the write scan pulse applied in the writing addressing process of the sub-fields.
또한, 본 발명의 도 다른 특징에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은, 방전 가스가 봉입된 방전 공간을 사이에 두고 대향 배치되어 있는 제1 및 제2기판 내의 제1기판에 형성되어 있는 복수의 행전극쌍과 상기 제2기판에 형성되어 있는 복수의 열전극과의 각 교차부에, 그 표면이 상기 방전 가스에 접촉하고 있는 형광체층을 포함하는 방전 셀이 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널을, 상기 영상 신호에 있어서의 단위 표시 기간마다 복수의 서브필드에서 계조 구동하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로, 상기 단위 표시 기간 내의 복수의 상기 서브필드 각각 내의 제1 서브필드 및 상기 제1 서브필드에 후속하는 제2 서브필드 각각에서는, 상기 행전극쌍의 일방의 행전극에 순차적으로 부극성의 기입 주사 펄스를 인가하면서 상기 영상 신호에 기초하는 각 화소마다의 화소 데이터에 따른 화소 데이터 펄스를 상기 열전극에 인가함으로써 상기 방전 셀을 선택적으로 기입 어드레스 방전시켜 상기 방전 셀을 OFF 모드의 상태로부터 ON 모드의 상태로 천이시키는 기입 어드레스행정을 실행하고, 상기 제2 서브필드에 후속하는 제3의 서브필드에서는, 상기 행전극쌍의 일방의 행전극에 순차적으로 부극성의 소거 주사 펄스를 인가하면서 상기 영상 신호에 기초한 각 화소마다의 화소 데이터에 따른 화소 데이터 펄스를 상기 열전극에 인가함으로써 상기 방전 셀을 선택적으로 소거 어드레스 방전시켜 상기 방전 셀을 상기 ON 모드의 상태로부터 상기 OFF 모드의 상태로 천이시키는 소거 어드레스 행정을 실행하고, 상기 제1 서브필드의 상기 기입 어드레스 행정에서 인가되는 상기 기입 주사 펄스의 펄스폭을, 상기 제2 서브필드의 상기 기입 어드레스 행정에서 인가되는 상기 기입 주사 펄스의 펄스폭보다도 작게 한 다.In addition, the driving method of the plasma display panel according to another aspect of the present invention includes a plurality of rows formed on the first substrates in the first and second substrates which are disposed to face each other with the discharge space in which the discharge gas is enclosed. A plasma display panel having a discharge cell including a phosphor layer whose surface is in contact with the discharge gas at each intersection of an electrode pair and a plurality of column electrodes formed on the second substrate; A plasma display panel driving method for performing gradation driving in a plurality of subfields for each unit display period in a signal, comprising: a first subfield in each of the plurality of subfields in the unit display period and a first subfield following the first subfield; In each of the two subfields, the negative write scan pulse is sequentially applied to one of the row electrodes of the row electrode pair. Write to discharge the discharge cells selectively by applying pixel data pulses corresponding to pixel data for each pixel based on an image signal to the column electrodes, thereby causing the discharge cells to transition from the OFF mode to the ON mode In each of the pixels based on the video signal, an address stroke is executed, and in the third subfield subsequent to the second subfield, negative erase scan pulses are sequentially applied to one row electrode of the row electrode pair. Performing an erase address step of selectively erasing the discharge cells by applying pixel data pulses corresponding to pixel data of the column data to the column electrodes to transition the discharge cells from the ON mode to the OFF mode, The write scan applied in the write address stroke of the first subfield The pulse width of the pulse is made smaller than the pulse width of the write scan pulse applied in the write address stroke of the second subfield.
또한, 본 발명의 또 다른 특징에 의한 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법은, 방전 가스가 봉입된 방전 공간을 사이에 두고 대향 배치되어 있는 제1 및 제2기판 중의 제1기판에 형성되어 있는 복수의 행전극쌍과 상기 제2기판에 형성되어 있는 복수의 열전극과의 각 교차부에, 그의 표면이 상기 방전 가스에 접촉하고 있는 형광체층을 포함하는 방전 셀이 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널을, 상기 영상 신호에 있어서의 단위 표시 기간마다 복수의 서브필드로 계조 구동하는 플라즈마 디스플레이 패널의 구동 방법으로, 상기 단위 표시 기간 내의 복수의 상기 서브필드 각각 내의 제1 서브필드 및 상기 제1서브필드에 후속하는 제2 서브필드 각각에서는, 상기 행전극쌍의 일방의 행전극에 순차적으로 부극성의 기입 주사 펄스를 인가하면서 상기 영상 신호에 기초하는 각 화소마다의 화소 데이터에 따른 화소 데이터 펄스를 상기 열전극에 인가함으로써 상기 방전 셀을 선택적으로 기입 어드레스 방전시켜 상기 방전 셀을 OFF 모드의 상태로부터 ON 모드로 천이시키는 기입 어드레스 행정을 실행하고, 상기 제2 서브필드에 후속하는 제3 서브필드에서는, 상기 행전극쌍의 일방의 행전극에 순차적으로 부극성의 소거 주사 펄스를 인가하면서 상기 영상 신호에 기초한 각 화소마다의 화소 데이터에 따른 화소 데이터 펄스를 상기 열전극에 인가함으로써 상기 방전 셀을 선택적으로 소거 어드레스 방전시켜 상기 방전 셀을 상기 ON 모드의 상태로부터 상기 OFF 모드의 상태로 천이시키는 소거 어드레스 행정을 실행하고, 상기 제1 서브필드에서는 상기 기입 어드레스 행정의 실행 기간에 걸쳐 상기 행전극쌍의 타방의 행전극에 부극성의 베이스 펄스를 인가하고, 상기 제2 서브필드에서는 상기 기입 어드레스 행정의 실행 기간에 걸쳐 상기 타방의 행전극에 정극성의 베이스 펄스를 인가한다.In addition, a method of driving a plasma display panel according to another aspect of the present invention includes a plurality of rows formed on a first substrate of first and second substrates that are disposed to face each other with a discharge space filled with discharge gas therebetween. A plasma display panel in which a discharge cell including a phosphor layer whose surface is in contact with the discharge gas is formed at each intersection of an electrode pair and a plurality of column electrodes formed on the second substrate; A plasma display panel driving method which performs gradation driving with a plurality of subfields in each unit display period in a signal, comprising: a first subfield in each of the plurality of subfields in the unit display period and a first subfield following the first subfield; In each of the two subfields, the negative write scan pulse is sequentially applied to one of the row electrodes of the row electrode pair. Write address discharge for selectively writing address discharge the discharge cells to transition the discharge cells from the OFF mode to the ON mode by applying a pixel data pulse corresponding to pixel data for each pixel based on an image signal to the column electrode In the third subfield subsequent to the second subfield, the pixel data for each pixel based on the video signal while applying a negative erase scan pulse sequentially to one row electrode of the row electrode pair. Performing an erase address step of selectively erasing the discharge cells by applying a pixel data pulse to the column electrode to transition the discharge cells from the ON mode to the OFF mode, In the subfield, the row electrode pairs over the execution period of the write address step. Applying a base pulse of a negative polarity to the row electrodes on the other, and the second sub-field is applied to the positive base pulse on the row electrodes on the other throughout the execution period of the writing addressing process.
단위 표시 기간 중 제1 서브필드 및 이에 후속하는 제2 서브필드 각각에서는, 부극성의 기입 주사 펄스를 플라즈마 디스플레이 패널의 각 행전극쌍의 일방의 행전극에 인가하면서 화소 데이터 펄스를 열전극에 인가함으로써 방전 셀을 선택적으로 기입 어드레스 방전시켜 이 방전 셀을 OFF 모드로부터 ON 모드의 상태로 천이시키는 기입 어드레스 행정을 실행한다. 또, 제2 서브필드에 후속하는 제3 서브필드에서는, 부극성의 소거 주사 펄스를 각 행전극쌍의 일방의 행전극에 인가하면서 화소 데이터 펄스를 그 열전극에 인가함으로써 방전 셀을 선택적으로 소거 어드레스 방전시키고 이 방전 셀을 ON 모드로부터 OFF 모드의 상태로 천이시키는 소거 어드레스 행정을 실행한다. 이때, 상기 제1 서브필드의 기입 어드레스 행정에서 인가되는 기입 주사 펄스에 있어서의 부극성의 피크 전위를, 상기 제2 서브필드의 기입 어드레스 행정에서 인가되는 기입 주사 펄스에 있어서의 부극성의 피크 전위보다도 높게 한다.In each of the first subfield and the subsequent second subfield during the unit display period, the pixel data pulse is applied to the column electrode while the negative write scan pulse is applied to one row electrode of each row electrode pair of the plasma display panel. Thus, a write address discharge is performed to selectively discharge the discharge cells and to transition the discharge cells from the OFF mode to the ON mode. In the third subfield subsequent to the second subfield, the discharge cells are selectively erased by applying a pixel data pulse to the column electrode while applying a negative erase scan pulse to one row electrode of each row electrode pair. An address discharge is performed and an erase address step is executed in which the discharge cells are transitioned from the ON mode to the OFF mode. At this time, the negative peak potential of the write scan pulse applied in the write address stroke of the first subfield is set to the negative peak potential of the write scan pulse applied in the write address stroke of the second subfield. Higher than
또한, 상기 제1 서브필드의 기입 어드레스 행정에서 인가되는 기입 주사 펄스의 펄스폭을, 상기 제2서브필드의 기입 어드레스 행정에서 인가되는 기입 주사 펄스의 펄스폭보다도 작게한다.The pulse width of the write scan pulse applied in the write address stroke of the first subfield is made smaller than the pulse width of the write scan pulse applied in the write address stroke of the second subfield.
또한, 상기 제1서브필드의 기입 어드레스 행정의 실행 기간 중은 행전극쌍의 타방의 행전극에 부극성의 베이스 펄스를 인가하고, 제2 서브필드의 기입 어드레스 행정의 실행 기간 중은 상기 타방의 행전극에 정극성의 베이스 펄스를 인가한다.The negative base pulse is applied to the other row electrodes of the row electrode pairs during the execution period of the write address stroke of the first subfield, and the other end of the write address stroke of the second subfield. A positive base pulse is applied to the row electrode.
이러한 구동에 의하면, 제1 서브필드의 기입 어드레스 행정에서 야기되는 기입 어드레스 방전에 유발되어 행전극 간에서 야기되는 오방전이 방지되기 때문에, 다음의 제2 서브필드의 기입 어드레스 행정에 있어서 확실히 기입 방전을 야기시키는 것이 가능하게 된다.This driving prevents mis-discharge caused by the row address electrodes caused by the write address discharge caused by the write address stroke of the first subfield, thereby ensuring a write discharge in the write address stroke of the next second subfield. It is possible to cause.
도1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 구동방법에 따라 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 플라즈마 디스플레이 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a schematic configuration of a plasma display apparatus for driving a plasma display panel according to a driving method according to a first embodiment of the present invention.
도1에 나타낸 바와 같이, 이러한 플라즈마 디스플레이 장치는, 플라즈마 디스플레이 패널로서의 PDP(50), X전극 드라이버(51), 어드레스 드라이버(55) 및 구동 제어회로(56)로 구성된다.As shown in Fig. 1, this plasma display device is composed of a
PDP(50)에는, 2차원 표시 화면의 종방향(수직 방향)으로 각각 신장하여 배열된 열전극 D1∼Dm, 횡방향으로 (수평 방향)으로 각각 배열된 행전극 X1∼Xn 및 행전극 Y1∼Yn이 형성되어 있다. 이때, 서로 인접하는 것끼리 쌍을 이루는 행전극쌍(Y1, Yn), (Y2, X2),‥‥, (Y3, X3), ‥‥ (Yn, Xn)이 각각, PDP(50)에 있어서의 제1 표시 라인~제n 표시 라인을 담당한다. 각 표시 라인과 열전극 D1∼Dm 각각과의 각 교차부(도1의 일점쇄선으로 포위되는 영역)에는, 화소를 담당하는 방전 셀(표시 셀) PC가 형성되어 있다. 즉, PDP(50)에는, 제1 표시 라인에 속하는 방전 셀 PC2 ,1∼PC2 ,m, ‥‥ 제n 표시 라인에 속하는 방전셀 PCn ,1∼PCn ,m의 각각이 매트릭스 형태로 배열되어 있다.The
도2는, 표시면측에서 본 PDP(50)의 내부 구조를 모식적으로 나타내는 정면도이다. 또한, 도2에 있어서는 각각 인접하는 3개의 열전극 D와, 서로 인접하는 2개의 표시 라인과의 각 교차부를 발췌하여 나타내는 것이다. 또한, 도3은 도2의 V-V선에 있어서의 PDP(50)의 단면을 나타내는 도면이고, 도4는, 도2의 W-W선에 있어서의 PDP(50)의 단면을 나타내는 도면이다.2 is a front view schematically showing the internal structure of the
도2에 나타낸 바와 같이, 각 행전극 X는, 2차원 표시 화면의 수평 방향으로 신장하는 버스 전극 Xb와, 이러한 버스 전극 Xb상의 각 방전 셀 PC에 대응한 위치에 각각 접촉하여 제공된 T자형의 투명 전극 Xa로 구성된다. 각 행전극 Y는,2차원 표시 화면의 수평 방향으로 신장하는 버스 전극 Yb와, 이러한 버스 전극 Yb상의 각 방전 셀 PC에 대응한 위치에 각각 접촉하여 제공된 T자형의 투명 전극 Ya로 구성된다. 투명 전극 Xa 및 Ya는 예를 들면 인듐 주석 산화물(ITO) 등의 투명 도전막으로 이루어지고, 버스 전극 Xb 및 Yb는 예를 들면 금속막으로 이루어진다. 투명 전극 Xa 및 버스 전극 Xb로 이루어지는 행전극 X, 및 투명 전극 Ya 및 버스 전극 Yb로 이루어지는 행전극 Y는, 도3에 나타낸 바와 같이, 그 전면측이 PDP(50)의 표시면으로 되는 전면 투명기판(10)의 배면측에 형성되어 있다. 이때, 각 행전극쌍(X,Y)에서의 투명 전극 Xa 및 Ya는, 서로 쌍으로 되는 상대방의 행전극측으로 연장하고 있고, 그 광폭부의 정변끼리 소정 폭의 방전 갭 g1을 통해 서로 대향하고 있다. 또, 전면 투명 기판(10)의 배면측에는, 행전극쌍(X,Y)과 이 행전극쌍에 인접하는 행전극쌍(X,Y) 사이에, 2차원 표시 화면의 수평 방향으로 신장하는 흑색 또는 암색의 광흡수층(차광층)(11)이 형성되어 있다. 또한, 전면 투명 기판(10)의 배면측에는, 행전극쌍(X,Y)을 피복하도록 유전체층(12)이 형성되어 있다. 이 유전체층(12)의 배면측(행전극쌍이 접촉하는 면과는 반대측의 면)에는, 도3에 나타낸 바와 같이, 광흡수층(11)과 이 광흡수층(11)에 인접하는 버스 전극 Xb 및 Yb가 형성되어 있는 영역에 대응한 부분에, 봉긋한 유전체층(12A)이 형성되어 있다.As shown in Fig. 2, each row electrode X is a T-shaped transparent provided in contact with a bus electrode Xb extending in the horizontal direction of a two-dimensional display screen and a position corresponding to each discharge cell PC on the bus electrode Xb, respectively. It consists of an electrode Xa. Each row electrode Y is composed of a bus electrode Yb extending in the horizontal direction of a two-dimensional display screen and a T-shaped transparent electrode Ya provided in contact with a position corresponding to each discharge cell PC on the bus electrode Yb, respectively. The transparent electrodes Xa and Ya are made of a transparent conductive film such as indium tin oxide (ITO), for example, and the bus electrodes Xb and Yb are made of a metal film, for example. As shown in Fig. 3, the row electrode X composed of the transparent electrode Xa and the bus electrode Xb, and the row electrode Y composed of the transparent electrode Ya and the bus electrode Yb have a front transparent surface whose front side is the display surface of the
유전체층(12) 및 융기된 유전체층(12A)의 표면에는, 산화 마그네슘층(13)이 형성되어 있다. 또한, 산화 마그네슘층(13)은, 전자선의 조사에 의해 여기되어 파장 200∼300nm 내, 특히, 230∼250nm 내에 피크를 갖는 CL(캐소드 루미네슨스) 발광을 행하는 2차 전자 방출재로서의 산화 마그네슘 결정체(이하, “CL발광 MgO 결정체”라 한다)를 포함하는 것이다. 이 CL발광 MgO결정체는, 마그네슘을 가열하여 발생하는 마그네슘 증기를 기상 산화하여 얻어지는 것으로, 예를 들면 입방체의 결정체가 서로 끼워진 다중 결정 구조, 또는 입방체의 단결정 구조를 갖는다. CL발광 MgO 결정체의 평균 입경은, 2000Å 이상(BET법에 의한 측정결과)이다.On the surfaces of the
평균 입경이 2000Å 이상의 큰 입경의 기상법 산화 마그네슘 단결정체를 형성하고자 하는 경우에는, 마그네슘 증기를 발생시킬 때의 가열 온도를 높게 할 필요가 있다. 이 때문에, 마그네슘과 산소가 반응하는 화염의 길이가 길어지고, 이 화염과 주위의 온도차가 커짐에 따라, 입경이 큰 기상법 산화 마그네슘 단결정체일수록, 상술한 바와 같은 CL발광의 피크 파장(예를 들면, 235nm 부근, 230∼250nm 내)에 대응한 에너지 준위를 갖는 것이 많이 형성되게 된다.In order to form a vapor-phase magnesium oxide single crystal having a large particle size of 2000 kPa or more, it is necessary to increase the heating temperature when generating magnesium vapor. For this reason, as the length of the flame in which magnesium and oxygen react, and the temperature difference between the flame and the temperature increase, the peak wavelength of the CL emission as described above is larger for the vapor phase magnesium oxide single crystal having a larger particle size. , Around 235 nm, within the range of 230 to 250 nm, many energy levels are formed.
또, 일반적인 기상 산화법에 비해, 단위 시간당 증발시키는 마그네슘의 양을 증가시켜 마그네슘과 산소와의 반응 영역을 보다 증대시켜, 보다 많은 산소와 반응함으로써 생성된 기상법 산화 마그네슘 단결정체는 상술한 CL발광의 피크 파장에 대응한 에너지 준위를 갖게 된다.In addition, compared with the general vapor phase oxidation method, the vapor phase magnesium oxide single crystal produced by increasing the amount of magnesium evaporated per unit time to increase the reaction region between magnesium and oxygen, and reacting with more oxygen has the peaks of CL emission described above. It has an energy level corresponding to the wavelength.
이와 같은 CL발광 MgO결정체를, 스프레이법이나 정전 도포법 등에 의해, 유전체층(12)의 표면에 부착시킴으로써 산화 마그네슘층(13)이 형성되어 있다. 또한, 유전체층(12)의 표면에 증착 또는 스퍼터링법에 의해 박막 산화 마그네슘층을 형성하고, 그 위에 CL발광 MgO 결정체를 부착시켜 산화 마그네슘층(13)을 형성해도 좋다.The
한편, 전면 투명 기판(10)과 평행하게 배치된 배면 기판(14) 상에는, 각 행전극쌍(X,Y)에 있어서의 투명 전극 Xa 및 Ya에 대향하는 위치에 있어서, 열전극 D의 각각이 행전극쌍(X,Y)과 직교하는 방향으로 신장하여 형성되어 있다. 배면 기판(14) 상에는, 또한 열전극 D를 피복하는 백색의 열전극 보호층(15)이 형성되어 있다. 이 열전극 보호층(15) 위에는 격벽(16)이 형성되어 있다. 격벽(16)은, 각 행전극쌍(X,Y)의 버스 전극 Xb 및 Yb에 대응한 위치에 있어서 각각 2차원 표시 화면의 횡방향으로 신장하고 있는 횡벽(16A)과, 서로 인접하는 열전극 D 간의 각 중간 위치에 있어서 2차원 표시화면의 종방향으로 신장하는 종벽(16B)에 의해 사다리 형상으로 형성되어 있다. 또한, 도2에 나타낸 바와 같이 사다리 형상의 격벽(16)이, PDP(50)의 각 표시 라인마다 형성되어 있다. 서로 인접하는 격벽(16) 간에는, 도2 에 나타낸 바와 같은 간극 SL이 존재한다. 또한, 사다리 형상의 격벽(16)에 의해, 각각 독립된 방전 공간 S, 투명전극 Xa 및 Ya를 포함하는 방전 셀 PC가 구획되어 있다. 방전공간 S 내에는, 크세논 가스를 포함하는 방전 가스가 봉입되어 있다. 각 방전 셀 PC 내에 있어서의 횡벽(16A)의 측면, 종벽(16B)의 측면 및 열전극 보호층(15)의 표면에는, 이들 면을 모두 피복하도록 형광체층)(17)이 형성되어 있다. 이 형광체층(17)은, 실제로는, 적색 발광을 행하는 형광체, 녹색 발광을 행하는 형광체, 및 청색 발광을 행하는 형광체의 3종류로 이루어진다.On the other hand, on the
또한, 형광체층(17) 내에는 예를 들면 도5에 나타낸 바와 같은 형태로, 2차 전자 방출재로서의 MgO 결정체(CL발광 MgO결정체를 포함)가 포함되어 있다. 이때, 형광체층(17)의 표면상에 있어서의 방전공간 S를 덮는 면 위, 즉 방전공간 S와 접하는 면 위에는, 방전 가스와 접촉하도록 MgO결정체가 형광체층(17)으로부터 노출되어 있다.In addition, the
여기에서, 각 방전 셀 PC의 방전 공간 S와 간극 SL 사이는, 도3에 나타낸 바와 같이 산화 마그네슘층(13)이 횡벽(16A)에 당접되는 것에 따라 서로 닫혀져 있다. 또한, 도4에 나타낸 바와 같이, 종벽(16B)은 산화 마그네슘층(13)에 당접되어 있지 않기 때문에, 그 사이에 간극 r이 존재한다. 즉, 2차원 표시 화면의 횡방향에 있어서 서로 인접하는 방전 셀 PC 각각의 방전 공간 S는, 이 간극 r을 통해 서로 연통하고 있다.Here, the discharge space S and the gap SL of each discharge cell PC are closed with each other as the
구동제어회로(56)는, 우선, 입력 영상 신호를 각 화소마다 그 모든 휘도 레벨을 256계조로 표현하는 8비트의 화소 데이터로 변환하고, 이 화소 데이터에 대해 오차 확산처리 및 디더 처리로 이루어지는 다계조화 처리를 행한다. 즉, 우선, 오차확산처리에서는, 상기 화소 데이터의 상위 6비트분을 표시 데이터, 나머지 하위 2비트분을 오차 데이터로 하고, 주변 화소 각각에 대응한 화소 데이터에 있어서의 오차 데이터를 웨이팅 가산한 것을, 상기 표시 데이터에 반영시킴으로써 6비트의 오차 확산 처리 화소 데이터를 얻는다. 이러한 오차 확산 처리에 의하면, 원 화소에 있어서의 하위 2비트분의 휘도가 주변 화소에 의해 의사적으로 표현되고, 그 때문에 8비트보다도 적은 6비트분의 표시 데이터로, 상기 8비트분의 화소 데이터와 동등한 휘도계조 표현이 가능하게 된다. 다음에, 구동 제어회로(56)는, 이 오차확산처리에 의해 얻어진 6비트의 오차 확산 처리 화소 데이터에 대해 디더 처리를 실시한다. 디더 처리에서는, 서로 인접하는 복수 화소를 1화소 단위로 하고, 이 1화소 단위 내의 각 화소에 대응한 상거 오차 확산 처리 화소 데이터에 각각, 서로 다른 계수치로 이루어지는 디더 계수를 각각 할당하여 가산함으로써 디더 가산 화소 데이터를 얻는다. 이러한 디더 계수의 가산에 의하면, 상기와 같은 화소 단위로 바라본 경우에는, 디더 가산 화소 데이터의 상위 4비트분 만으로 8비트에 상당하는 휘도를 표현하는 것이 가능하게 된다. 그래서, 구동제어회로(56)는, 상기 디더 가산 화소 데이터의 상위 4비트분을, 도6에 나타낸 바와 같이, 전 휘도 레벨을 15계조로 나타내는 4비트의 다계조화 화소 데이터 PDS로 변환한다. 따라서, 구동제어 회로(56)는, 다계조화 화소 데이터 PDS를 도6에 나타낸 바와 같은 데이터 변환 테이블에 따라 14비트의 구동 데이터 GD로 변환한다. 구동제어회로(56)는, 이러한 화소 구동 데이터 GD에 있어서의 제1∼제14비트를 각각 서브필드 SF1∼SF14(후술함)의 각각에 대응시켜, 그 서브필드 SF에 대응한 비트 자리수를 화소 구동 데이터 비트로서 1화소 라인분(m개)씩 어드레스 드라이버(55)에 공급한다.First, the
또한, 구동제어회로(56)는, 도7에 나타낸 바와 같은 발광 구동 시퀀스에 따라 상기 구조를 갖는 PDP(50)를 구동시킬 각종 제어 신호를, X전극 드라이버(51), Y전극 드라이버(53) 및 어드레스 드라이버(55)로 이루어지는 패널 드라이버에 공급한다. 즉, 구동제어회로(56)는 도7에 나타낸 바와 같은 1필드(1프레임) 표시기간 내의 선두의 서브필드 SF1에서는, 리셋 행정 R, 선택 기입 어드레스 행정 Ww 및 서스테인 행정 I 각각에 따른 구동을 순차 실시킬 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다. 또, 서브필드 SF2∼SF14 각각에서는, 선택 소거 어드레스 행정 WD 및 서스테인 행정 I각각에 따른 구동을 순차적으로 실시시킬 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다. 또한, 1필드 표시 기간 내의 최후미의 서브필드 SF14에 한해, 서스테인 행정 I의 실행 후, 구동제어 회로(56)는, 소거 행정 E에 따른 구동을 순차적으로 실시하도록 하는 각종 제어신호를 패널 드라이버에 공급한다.In addition, the
패널 드라이버, 즉, X전극 드라이버(51), Y전극 드라이버(53) 및 어드레스 드라이버(55)는, 구동제어 회로(56)로부터 공급된 각종 제어 신호에 따라, 도8에 나타낸 바와 같은 각종 구동 펄스를 생성하여 PDP(50)의 열전극 D, 행전극 X 및 Y에 공급한다.The panel driver, i.e., the
도8에 있어서는, 도7에 나타낸 서브필드 SF1∼SF14 중, 선두의 서브필드 SF1 과, 그에 이은 서브필드 SF2 및 최후미의 서브필드 SF14에서의 동작만을 발췌하여 나타내는 것이다.In FIG. 8, only the operations in the first subfield SF1, the subsequent subfield SF2 and the last subfield SF14 among the subfields SF1 to SF14 shown in FIG.
우선, 서브필드 SF1의 리셋 행정 R의 전반부에서는, Y전극 드라이버(53)가, 후술하는 서스테인 펄스에 비해 시간 경과에 따른 전연부(leading edge)에서의 전위 추이가 완만한 파형을 갖는 정극성의 리셋 펄스 RPY1을 모든 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 또한, 리셋 펄스 RPY1의 피크 전위는, 상기 서스테인 펄스의 피크 전위보다도 고전위이다. 또, 이때, 어드레스 드라이버(55)는, 열전극 D1∼Dm을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정한다. 상기 리셋 펄스 RPY1의 인가에 따라, 모든 방전 셀 PC 각각 내의 행전극 Y 및 열전극 D 사이에 있어서 제1리셋 방전이 야기된다. 즉, 리셋 행정 R의 전반부에서는, 행전극 Y가 양극측, 열전극 D가 음극측으로 되도록 두 전극 간에 전압을 인가함으로써, 행전극 Y로부터 열전극 D를 향해 전류가 흐르는 방전(이하, “열측 음극 방전”이라 함)을 상기 제1리셋 방전으로서 야기시키는 것이다. 이러한 제1 리셋 방전에 따라, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 근방에는 부극성을 갖는 벽전하(이하, "부극성의 벽전하"라 약칭), 열전극 D 근방에는 정극성을 갖는 벽전하(이하, "정극성의 벽전하"로 약칭)가 형성된다. 또한, 리셋 행정 R의 전반부에서는, X전극 드라이버(51)가, 이러한 리셋 펄스 RPY1과 동일 극성이고, 또한, 상기 리셋 펄스 RPY1의 인가에 따른 행전극 X 및 Y 간에서의 면방전을 방지할 수 있는 피크 전위를 갖는 리셋 펄스 RPX를 모든 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. First, in the first half of the reset step R of the subfield SF1, the
다음에, 서브필드 SF1의 리셋 행정 R의 후반부에서는, Y전극 드라이버(53)가, 시간경과에 따른 전연부에서의 전위 추이가 완만한 부극성을 갖는 리셋 펄스(이하, "부극성의 리셋 펄스"로 약칭) RPY2를 발생하고, 이를 모든 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 또한, 리셋 행정 R의 후반부에서는 X전극 드라이버(51)가, 상기 리셋 펄스 RPY2가 행전극 Y에 인가되어 있는 동안에 걸쳐, 정극성의 피크 전위로서 제1 베이스 전위 VB1을 갖는 제1 베이스 펄스 BP1+를 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. 즉, X전극 드라이버(51)는, 펄스의 최고 전위가 도8에 나타낸 바와 같은 제1 베이스 전위 VB1으로 되는 제1 베이스 펄스 BP1+을 전 행전극 X에 인가한다. 이들 부극성의 리셋 펄스 RPY2 및 정극성의 제1 베이스 펄스 BP1+의 인가에 따라, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 제2리셋 방전이 야기되는 이러한 제2리셋 방전에 의해 전 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 각각의 근방에 형성되어 있던 벽전하의 대부분이 소거된다. 이에 의해 전 방전 셀 PC는 행전극 X 근방에는 미량의 부극성의 벽전하, 행전극 Y근방에는 미량의 정극성의 벽전하가 각각 전류한 상태, 즉 OFF 모드로 초기화된다. 또한, 상기 리셋 펄스 RPY2의 인가에 따라, 전 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 사이에 있어서도 미약한 방전이 야기되고, 열전극 D 근방에 형성되어 있던 정극성의 벽전하의 일부가 소거된다. 이에 의해, 전 방전 셀 PC의 열전극 D 근방에 잔류하는 벽전하량이, 후술하는 선택 기입 어드레스 행정 WW 에 있어서 올바르게 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키는 것이 가능한 양으로 조정된다.Next, in the latter half of the reset step R of the subfield SF1, the
또한, 리셋 펄스 RP2 및 제1 베이스 펄스 BP1+에 의해 전극 X 및 Y 간에 인가되는 전압은, 상기 제1리셋 방전에 따라 행전극 X 및 Y 각각의 근방에 형성된 벽전하를 고려하여, 행전극 X 및 Y 간에 확실히 상기 제2리셋 방전을 야기시킬 수 있는 전압이다. 또한, 리셋 펄스 RPY2에 있어서의 부의 피크 전위는, 후술하는 부극성의 기입 주사 펄스 SPW의 피크 전위보다도 높은 전위, 즉 0 V에 가까운 전위로 설정되어 있다. 즉, 리셋 펄스 RPY2의 피크전위를 기입 주사 펄스 SPW의 피크 전위보다도 낮게 하면, 행전극 Y 및 열전극 D간에 있어서 강한 방전이 야기되고, 열전극 D 근방에 형성되어 있던 벽전하가 대폭적으로 소거되어, 선택 기입 어드레스 행정 Ww에서의 어드레스 방전이 불안정하게 되기 때문이다. 한편, 제1 베이스 펄스 BP1+의 피크 전위(VB1)은, 후술하는 제2 베이스 펄스 BP2+의 피크 전위(VB2)보다도 고전위이다.Further, the voltage applied between the electrodes X and Y by the reset pulse RP2 and the first base pulse BP1 + takes into account the wall charges formed near each of the row electrodes X and Y in response to the first reset discharge, and thus the row electrode X Is a voltage which can surely cause the second reset discharge between Y and Y. Further, the peak potential of the negative reset pulse RP Y2 is, it is set to the write scan pulse SP W is higher than the peak potential of the potential, that is close to the potential 0 V of the negative polarity, which will be described later. That is, when the peak potential of the reset pulse RP Y2 is lower than the peak potential of the write scan pulse SP W , strong discharge is caused between the row electrode Y and the column electrode D, and the wall charges formed near the column electrode D are greatly increased. This is because the address discharge in the selective write address step Ww becomes unstable. On the other hand, the peak potential V B1 of the first base pulse BP1 + is higher than the peak potential V B2 of the second base pulse BP2 + described later.
다음에, 서브필드 SF1의 선택 기입 어드레스 행정 Ww에서는, Y전극 드라이버(53)가, 도8에 나타낸 바와 같은 부극성의 피크 전위를 갖는 베이스 펄스 BP-를 행전극 Y1∼Yn에 동시에 인가하면서, 부극성의 피크 전위를 갖는 기입 주사 펄스 SPW를 행전극 Y1∼Yn 각각에 순차 택일적으로 인가한다. X전극 드라이버(51)는, 이 때, 정극성의 피크전위로서 제2 베이스 전위 VB2를 갖는 제2 베이스 펄스BP2+를 행전극 X1∼Xn에 계속 인가한다. 즉, X전극 드라이버(51)는, 펄스의 최고 전위가 도8에 나타낸 바와 같은 제2 베이스 전위 VB2가 되는 제2 베이스 펄스 BP2+을 전 행전극 X에 인가하는 것이다. 이때, 제2 베이스 펄스 BP2+의 피크 전위(VB2)는, 상기 제1 베이스 펄스 BP1+의 피크 전위(VB1)보다도 저전위이다. 또한, 제2 베이스 펄스 BP2+ 및 베이스 펄스 BP-에 의해 행전극 X 및 Y 사이에 인가되는 전압은, 방전 셀 PC의 방전 개시 전압보다도 낮다.Next, in the selective write address step Ww of the subfield SF1, the
또한, 상기 선택 기입 어드레스 행정 WW에서는, 어드레스 드라이버(55)가, 우선, 서브필드 SF1에 대응한 화소 구동 데이터 비트를 그 논리 레벨에 따른 펄스 전압을 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 예를 들면, 어드레스 드라이버(55)는, 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시킬 논리 레벨 1의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에 이를 정극성의 피크 전위를 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 한편, 방전 셀 PC를 OFF 모드로 설정시킬 논리 레벨 0의 화소 구동 데이터 비트에 대해서는 이를 저전압(O V)의 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 그리고, 어드레스 드라이버(55)는, 이러한 화소 데이터 펄스 DP를 1 표시라인분(m개)씩, 각 기입 주사 펄스 SPW의 인가 타이밍에 동기하여 열전극 D1∼Dm에 인가한다. 이때, 상기 기입 주사 펄 스 SPW와 동시에, ON 모드로 설정시킬 고전압의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에는 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 또한, 이러한 선택 기입 어드레스 방전 직 후, 이 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 사이에도 미약한 방전이 일어난다. 즉, 기입 주사 펄스 SPW가 인가된 후, 행전극 X 및 Y 간에는 상기 베이스 펄스 BP- 및 제2 베이스 펄스 BP2+에 따른 전압이 인가되나, 이 전압은 각 방전 셀 PC의 방전 개시 전압보다도 낮은 전압으로 설정되어 있기 때문에, 이러한 전압의 인가만으로는 방전 셀 PC 내에 방전이 야기되지 않는다. 그러나, 이러한 상기 선택 기입 어드레스 방전이 야기되면, 이 선택 기입 어드레스 방전에 유발되어, 베이스 펄스 BP- 및 제2 베이스 펄스 BP2+에 의한 전압 인가만으로, 행전극 X 및 Y 사이에 방전이 야기되는 것이다. 이러한 방전 및 상기 선택 기입 어드레스 방전에 의해, 방전 셀 PC는, 그 행전극 Y 근방에 정극성의 벽전하, 행전극 X 근방에 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에 부극성의 벽전하가 각각 형성된 상태, 즉, ON 모드로 설정된다. 한편, 상기 기입 주사 펄스 SPW와 동시에, OFF 모드로 설정시킬 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 간에는 상술한 바와 같이 선택 기입 어드레스 방전은 야기되지 않고, 그 때문에 행전극 X 및 Y 사이에서의 방전도 일어나지 않는다. 따라서, 이 방전 셀 PC는, 그 직전까지의 상태, 즉, 리셋 행정 R에 있어서 초기화된 OFF 모드의 상태를 유지한다.Further, in the selective write address step W W , the
다음에, 서브필드 SF1의 서스테인 행정 I에서는, Y전극 드라이버(53)가, 정극성의 피크 전위를 갖는 서스테인 펄스 IP를 1펄스분만큼 발생하고, 이를 행전극 Y1~Yn 각각에 동시에 인가한다. 이때, X전극 드라이버(51)는, 행전극 X1∼Xn을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정하고, 어드레스 드라이버(55)는, 열전극 D1∼Dm을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정한다. 상기 서스테인 펄스 IP의 인가에 따라, 상기한 바와 같이 ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 간에 있어서 서스테인 방전이 야기된다. 이러한 서스테인 방전에 따라 형광체층(17)으로부터 조사되는 빛이 전면 투명 기판(1)을 통해 외부에 조사되는 것에 의해, 이 서브필드 SF1의 휘도 웨이트에 대응한 1회분의 표시 발광이 행해진다. 또, 이러한 서스테인 펄스 IP의 인가에 따라, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D간에 있어서도 방전이 야기된다. 이러한 방전 및 상기 서스테인 방전에 의해, 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 행전극 X 및 열전극 D 각각의 근방에는 각각 정극성의 벽전하가 형성된다. 그리고, 이러한 서스테인 펄스 IP의 인가 후, Y전극 드라이버(53)는, 도8에 나타낸 바와 같이, 시간 경과에 따른 전연부에서의 전위 추이가 완만한 부극성의 피크 전위를 갖는 벽전하 조정 펄스 CP를 행전극 Y1~Yn에 인가한다. 이러한 벽전하 조정 펄스 CP의 인가에 따라, 상기와 같이 서스테인 방전이 야기된 방전 셀 PC 내에 미약한 소거 방전이 야기되고, 그 내부에 형성되어 있던 벽전하의 일부가 소거된다. 이에 의해, 방전 셀 PC 내의 벽전하의 양이, 다음의 선택 소거 어드레스 행정 WD에 있어서 올바르게 선택 소거 어드레스 방전을 야기시킬 수 있는 양으로 조정된다.Next, in the sustain step I of the subfield SF1, the
다음에, 서브필드 SF2∼SF14 각각의 선택 소거 어드레스 행정 Wo에서는, Y전극 드라이버(53)가, 정극성의 소정의 피크 전위를 갖는 베이스 펄스 BP+를 행전극 Y1∼Yn 각각에 인가하면서, 도8에 나타낸 바와 가팅 부극성의 피크 전위를 갖는 소거 주사 펄스 SPD를 행전극 Y1∼Yn 각각에 순차 택일적으로 인가한다. 또한, 베이스 펄스 BP+의 전위는, 이 선택 소거 어드레스 행정 Wo의 실행 기간 중에 걸쳐, 행전극 X 및 Y 사이에서의 오방전을 방지할 수 있는 전위로 설정되어 있다. 또한, 선택 소거 어드레스 행정 Yo의 실행 중에 걸쳐, X전극 드라이버(51)는, 행전극 X1∼Xn 각각을 접지 전위(0 V)로 설정한다. 또, 이 선택 소거 어드레스 행정 WD에 있어서, 어드레스 드라이버(55)는,우선, 그 서브필드 SF에 대응한 화소 구동 데이터 비트를 그 논리 레벨에 따른 펄스 전압을 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 예를 들면, 어드레스 드라이버(55)는, 방전 셀 PC를 ON 모드로부터 OFF 모드로 천이시킬 논리 레벨 1의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에는, 이를 정극성의 피크 전위를 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 한편, 방전 셀 PC의 현 상태를 유지하도록 하는 논리 레벨 0의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에는 이를 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 그리고, 어드레스 드라이버(55)는, 이러한 화소 데이터 펄스 DP를 1 표시라인분(m개)씩, 기입 소거 주사 펄스 SPD의 인가 타이밍에 동기하여 열전극 D1∼Dm에 인가한다. 이때, 상기 소거 주사 펄스 SPD와 동시에, 고전압으로 정극성의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에 선택 소거 어드레스 방전이 야기된다. 이러한 소거 어드레스 방전에 의해 이 방전 셀 PC는, 그 행전극 Y 및 X 각각의 근방에 정극성의 벽전하, 열전극 D 근방에 부극성의 벽전하가 각각 형성된 상태, 즉 OFF 모드로 설정된다. 한편, 상기 소거 주사 펄스 SPD와 동시에, 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y간에는 상술한 바와 같은 선택 소거 어드레스 방전은 야기되지 않는다. 따라서 이 방전 셀 PC는, 그 직전까지의 상태(ON 모드, OFF 모드)를 유지한다.Next, in the selective erasing address step Wo of each of the subfields SF2 to SF14, the
다음에, 서브필드 SF2∼SF14 각각의 서스테인 행정 I에서는, X전극 드라이버(51) 및 Y전극 드라이버(53)가, 도8에 나타낸 바와 같이, 행전극 X 및 Y 교대로, 그 서브필드의 휘도 웨이트에 대응한 횟수(짝수 횟수)분만큼 반복하고, 정극성의 피크 전위를 갖는 서스테인 펄스 IP를 행전극 X1∼Xn 및 Y1∼Yn 각각에 인가한다. 이러한 서스테인 펄스 IP가 인가될 때마다, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 서스테인 방전이 야기된다. 이러한 서스테인 방전에 수반하여 형광체층(17)으로부터 조사되는 빛이 전면 투명 기판(10)을 통해 외부로 조사됨으로써 그 서브필드 SF의 휘도 웨이트에 대응한 횟수분의 표시 발광이 실시된다. 이때, 서브필드 SF2∼SF14 각각의 서스테인 행정 I에 있어서 최종적으로 인가되는 서스테인 펄스 IP에 따라 서스테인 방전이 야기된 방전 셀 PC 내의 행전 극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 행전극 X 및 열전극 D 각각의 근방에는 정극성의 벽전하가 형성된다. 그리고, 이러한 최종 서스테인 펄스 IP의 인가 후, Y전극 드라이버(53)는, 도8에 나타낸 바와 같이 시간 경과에 따른 전연부에서의 전위 추이가 완만한 부극성의 피크 전위를 갖는 벽전하 조정펄스 CP를 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 이러한 벽전하 조정 펄스 CP의 인가에 따라, 상기와 같은 서스테인 방전이 야기된 방전 셀 PC 내에 미약한 소거 방전이 야기되고, 그 내부에 형성되어 있던 벽전하의 일부가 소거된다. 이에 의해 방전 셀 PC 내의 벽전하의 양이, 다음의 선택 소거 어드레스 행정 WD에 있어서 올바르게 선택 소거 어드레스 방전을 야기시킬 수 있는 양으로 조정된다.Next, in the sustain step I of each of the subfields SF2 to SF14, the
그리고, 최종의 서브필드 SF14의 최후미에 있어서, Y전극 드라이버(53)는, 부극성의 피크 전위를 갖는 소거 펄스 EP를 모든 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 이러한 소거 펄스 EP의 인가에 따라, ON 모드 상태로 있던 방전 셀 PC에만 소거 방전이 야기된다. 이러한 소거 방전에 의해 ON 모드 상태로 있던 방전 셀 PC는 OFF 모드의 상태로 천이한다.At the end of the final subfield SF14, the
이상과 같은 구동을, 도6에 나타낸 바와 같은 15개의 화소 구동 데이터 GD에 기초 하여 실행한다. 이러한 구동에 의하면, 도6에 나타낸 바와 같이, 휘도 레벨 0을 표현하는 경우(제1 계조)를 제외하고, 우선, 선두의 서브필드 SF1에 있어서 각 방전 셀 PC 내에 기입 어드레스 방전이 야기되고(2중 동그라미로 표시), 이 방전 셀 PC는 ON 모드로 설정된다. 그 후, 서브필드 SF2∼SF14 각각 내의 하나의 서브필 드의 선택 소거 어드레스 행정 Wo에서만 선택 소거 어드레스 방전이 야기되고(검은 동그라미로 표시), 그 후, 방전 셀 PC는 OFF 모드로 설정된다. 즉, 각 방전 셀 PC는, 표현할 중간 휘도에 대응한 분만큼 연속한 서브필드 각각에서 ON 모드로 설정되고, 이들 서브필드의 각각에 할당되어 있는 횟수분만큼 서스테인 방전에 수반하는 발광을 반복적으로 야기한다(백 동그라미로 표시). 이때, 1필드(또는 1프레임) 표시기간 내에 있어서 야기된 서스테인 방전의 총수에 대응한 휘도가 관찰된다. 따라서, 도6에 나타낸 바와 같은 제1~제15 계조 구동에 의한 15종의 발광 패턴에 의하면, 백 동그라미로 나타낸 서브필드 각각에서 야기된 서스테인 방전의 합계 횟수에 대응한 15 계조분의 중간 휘도가 표현된다. 이러한 구동에 의하면, 제1필드 표시 기간 내에 있어서, 그 발광 패턴(점등 상태, 소등 상태)가 서로 반전하는 영역이 1화면 내에 혼재하는 것이 없기 때문에, 이와 같은 상태에서 생기는 의사 윤곽이 방지된다.The above driving is executed based on the fifteen pixel driving data GD as shown in FIG. According to this driving, as shown in Fig. 6, except for the case where the
또한, 도8에 나타낸 바와 같은 구동에서는, 서브필드 SF2∼SF14 각각의 서스테인 행정 I에 있어서 인가될 서스테인 펄스 IP의 횟수를 짝수로 하고 있다. 따라서, 각 서스테인 행정 I의 종료 직후는, 행전극 Y 근방에 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 형성된 상태로 되므로, 각 서스테인 행정 I에 이어 실시되는 선택 소거 어드레스 행정 WD에서는, 열측 양극 방전이 가능하게 된다. 따라서, 열전극 D에 대해서는 정극성의 펄스만 인가되게 되어, 어드레스 드라이버(55)의 높은 코스트화를 방지할 수 있다.In the driving as shown in Fig. 8, the number of sustain pulses IP to be applied in the sustain step I of each of the subfields SF2 to SF14 is made even. Therefore, immediately after the end of each sustain step I, negative wall charges are formed in the vicinity of the row electrode Y and positive wall charges are formed in the vicinity of the column electrode D. In D , thermal side anode discharge becomes possible. Therefore, only the positive pulse is applied to the column electrode D, and the high cost of the
여기서, 도7 및 도8에 나타낸 구동에서는, 선두의 서브필드 SF1에 있어서 각 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정한 후, 후속하는 서브필드 SF2∼SF14 각각 내의 하나의 서브필드에만 각 방전 셀 PC를 OFF 모드로 천이시키는, 소위, 선택 소거 어드레스법을 채용하고 있다.In the driving shown in Figs. 7 and 8, after setting each discharge cell PC to the ON mode in the first subfield SF1, each discharge cell PC is applied only to one subfield in each of the following subfields SF2 to SF14. The so-called selective erasing address method is employed to make the transition to the OFF mode.
그러나, PDP(50)를 구동할 때, 도7에 나타낸 바와 같은 선택 소거 어드레스법 대신, 도9에 나타낸 바와 같은 선택 기입 어드레스법에 기초하는 발광 구동 시퀀스를 채용해도 좋다.However, when driving the
이때, 구동제어회로(56)는, 도9에 나타낸 바와 같은 서브필드 SF1∼SF14 각각에 있어서, 순차 기입 어드레스 행정 WW, 서스테인 행정 I 및 소거 행정 E 각각에 따른 구동을 순차 실시하도록 하는 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다. 또한, 구동제어회로(56)는, 선두의 서브필드 SF1에 한해, 선택 기입 어드레스 행정 WW에 앞서, 리셋 행정 R에 따른 구동을 순차적으로 실시시킬 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다.At this time, the
패널 드라이버(X전극 드라이버 51, Y전극 드라이버 53 및 어드레스 드라이버(55)는, 구동제어회로(56)로부터 공급된 각종 제어 신호에 따라, 도10에 나타낸 바와 같은 각종 구동 펄스를 생성하여 PDP(50)의 열전극 D, 행전극 X 및 Y에 공급한다.The panel driver (
또한, 도10에 있어서는, 도9에 나타낸 서브필드 SF1∼SF14 내의, 선두의 서브필드 SF1과, 그에 이은 서브필드 SF2, 및 최후미의 서브필드 SF14에서의 동작만 을 발췌하여 나타내는 것이다. 또한, 도10에 있어서, 서브필드 SF1의 리셋 행정 R 및 선택 기입 어드레스 행정 WW 각각에서의 동작은 도8에 나타낸 것과 동일하기 때문에 그 설명은 생략한다.In FIG. 10, only the operations in the first subfield SF1, the subsequent subfield SF2, and the last subfield SF14 in the subfields SF1 to SF14 shown in FIG. 9 are shown. In Fig. 10, the operations in each of the reset step R and the selective write address step W W of the subfield SF1 are the same as those shown in Fig. 8, and thus description thereof is omitted.
우선, 선두의 서브필드 SF1의 서스테인 행정에서는, Y전극 드라이버(53)가, 정극성의 피크 전위를 갖는 서스테인 펄스 IP를 1펄스분만큼 발생하고 이를 행전극 Y1∼Yn 각각에 동시에 인가한다. 이때, X전극 드라이버(51)는, 행전극 X1∼Xn을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정하고, 어드레스 드라이버(55)는, 열전극 D1~Dm을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정한다. 상기 서스테인 펄스 IP의 인가에 따라, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 서스테인 방전이 야기된다. 이러한 서스테인 방전에 수반하여 형광체층(17)으로부터 조사되는 빛이 전면 기판(10)을 통해 외부에 조사됨으로써, 이 서브필드 SF1의 휘도 웨이트에 대응한 1회분의 표시 발광이 실시된다. 또, 이러한 서스테인 펄스 IP의 인가에 따라, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 간에 있어서도 방전이 일어난다. 이러한 방전 및 상기 서스테인 방전에 의해 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 행전극 X 및 열전극 D 각각의 근방에는 각각 정극성의 벽전하가 형성된다.First, in the sustain step of the leading subfield SF1, the
다음에, SF1∼SF14 각각의 소거 행정 E에서는, Y전극 드라이버(53)는, 리셋 행정 R의 후반부에 있어서 인가한 리셋 펄스 RPY2와 동일 파형을 가진 부극성의 소 거 펄스 EP를 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 이때, X전극 드라이버(51)는, 리셋 행정 R의 후반부와 동일하게, 정극성의 소정의 피크 전위를 갖는 베이스 펄스 BP+를 모든 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. 이러한 소거 펄스 EP 및 베이스 펄스 BP+에 따라, 상기와 같은 서스테인 방전이 야기된 방전 셀 PC 내에 미약한 소거 방전이 야기된다. 이러한 소거 방전에 의해 방전 셀 PC 내에 형성되어 있던 벽전하의 일부가 소거되고, 이 방전 셀 PC는 OFF 모드 상태로 천이한다. 또한, 소거 펄스 EP의 인가에 따라, 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에서도 미약한 방전이 야기된다. 이러한 방전에 의해 열전극 D 근방에 형성되어 있는 정극성의 벽전하는, 다음의 선택 기입 어드레스 행정 WW에 있어서 올바르게 선택 기입 어드레스 방전을 야기시킬 수 있는 양으로 조정된다.Next, in the erasing stroke E of each of SF1 to SF14, the
다음에, 서브필드 SF2∼SF14 각각의 서스테인 행정 I에서는, X전극 드라이버(51) 및 Y전극 드라이버(53)가, 도10에 나타낸 바와 같이, 행전극 Y 및 X 교대로, 그 서브필드의 휘도 웨이트에 대응한 횟수분만큼 반복하고, 정극성의 피크 전위 VSUS 및 펄스폭 Wb를 갖는 서스테인 펄스 IP를 행전극 Y1∼Yn 및 X1∼Xn에 인가한다. 이러한 서스테인 펄스 IP가 인가될 때마다, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 서스테인 방전이 야기된다. 이러한 서스테인 방전에 따라 형광체층(17)으로부터 조사되는 빛이 전면 투명 기판(10)을 통해 외부로 조사됨으로써, 그 서브필드 SF의 휘도 웨이트에 대응한 횟수분의 표시발광이 실 시된다. 또한, 각 서스테인 행정 I 내에 있어서 인가되는 서스테인 펄스 IP의 총수는 홀수이다. 즉, 각 서스테인 행정 I 내에 있어서, 선두의 서스테인 펄스 IP 및 최종의 서스테인 펄스 IP는 함께, 행전극 Y에 인가되게 된다. 따라서, 각 서스테인 행정 I의 종료 직후, 서스테인 방전이 야기된 방전 셀 PC 내의 행전극 Y근방에는 부극성의 벽전하, 행전극 X 및 열전극 D 각각의 근방에는 각각 정극성의 벽전하가 형성된다. 이에 의해, 각 방전 셀 PC 내의 벽전하의 형성 상태는, 리셋 행정 R에서의 제1리셋 방전 종료 직후와 동일하게 된다. 따라서, 그 직후에 실시되는 소거 행정 E에 있어서, 리셋 행정 R의 후반부에 있어서 인가되는 리셋 펄스 RPY2와 동일 파형을 갖는 소거 펄스 EP를 행전극 Y에 인가함으로써, 모든 방전 셀 PC의 상태를 OFF 모드의 상태로 천이시킬 수 있다.Next, in the sustain step I of each of the subfields SF2 to SF14, the
그리고, 선두로부터 연속한 서브필드 각각의 선택 기입 어드레스 행정 Ww에 있어서 선택 기입 어드레스 방전을 야기시킴으로써, 도7에 나타낸 구동과 동일하게 (N+1) 계조분 (N: 1필드 표시기간 내의 서브필드의 수)의 중간 휘도 표시를 행한다. 즉, 14개의 서브필드 SF1∼SF14에 의해 도6에 나타낸 것과 동일하게 15계조분의 중간 휘도 표시가 실시된다.Then, by causing the selective write address discharge in the selective write address process Ww for each of the consecutive subfields from the beginning, the (N + 1) gray scale (N: subfield within the one-field display period is the same as the driving shown in FIG. Is displayed. That is, the intermediate luminance display for 15 gradations is performed by the 14 subfields SF1 to SF14 as shown in FIG.
또한, 도9 및 도10에 나타낸 바와 같은 선택 기입 어드레스법에 기초한 구동에 의하면, 1필드 표시 기간 내의 전 서브필드 내에서, 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키는 서브필드의 조합 방법에 의해, 2N 계조분(N: 1필드 표시기간 내의 서브필드 수)의 중간 휘도를 표현할 수 있다. 즉, 14개의 서브필드 SF1∼S14에 있어서, 선택 기입 어드레스 방전을 일으키는 서브필드의 조합 패턴은, 214 개가 존재하기 때문에 16384 계조분의 중간 휘도 표시가 가능하게 된다.Further, according to the driving based on the selective write address method as shown in Figs. 9 and 10, 2N gradation is performed by the combination method of the subfields causing the selective write address discharge in all the subfields within one field display period. Intermediate luminance of minutes (N: number of subfields in one field display period) can be expressed. That is, in the 14 subfields SF1 to S14, since there are 2 14 combination patterns of the subfields causing the selective write address discharge, intermediate luminance display of 16384 gray levels is possible.
또한, 도10에 나타낸 구동에 의하면, 리셋 행정 R에 있어서 행전극 Y에 인가되는 리셋 펄스 RPY2와, 소거 행정 E에 있어서 행전극 Y에 인가되는 소거 펄스 EP가 동일 파형이므로, 양자를 공통의 회로로 생성할 수 있다. 또한, 서브필드 SF1∼SF14 각각에서는 일관하여 선택 기입 어드레스 행정 WW가 실시되기 때문에, 주사 펄스를 생성하는 회로는 1계통만으로 충분하고, 또한, 각 선택 기입 어드레스 행정 WW에서는, 열전극측을 양극으로 한 일반적인 열측 양극 방전을 야기시키는 것이면 충분하다.In addition, according to the driving shown in Fig. 10, since the reset pulse RP Y2 applied to the row electrode Y in the reset step R and the erase pulse EP applied to the row electrode Y in the erase step E are the same waveform, both are common. Can be generated as a circuit. Further, the sub-fields in each of the SF1~SF14 due to the selective writing addressing process W W About one embodiment, a circuit for generating a scan pulse and sufficient for one system, Each of the selective writing addressing process W W, the column electrode side It is sufficient to cause a general thermal side anode discharge as the anode.
따라서, PDP(50)을 구동함에 있어서, 도9 및 도10에 나타낸 바와 같은 선택 기입 어드레스법에 기초한 구동을 채용한 경우에는, 도7 및 도8에 나타낸 선택 소거 어드레스법에 기초한 구동을 채용한 경우에 비해, 각종 구동 펄스를 생성하기 위한 패널 드라이버를 저렴하게 구축하는 것이 가능하게 된다.Therefore, in driving the
또한, 도7 및 도8, 또는 도9 및 도10에 나타낸 구동에서는, 선두 서브필드 SF1에서, 우선, 전 방전 셀 PC를 리셋 방전시킴으로써 OFF 모드로 초기화하고, 흑표시(휘도 레벨 0)를 행하는 경우를 제외하고, 각 방전 셀 PC에 대해 기입 어드레스 방전을 야기하고 이를 ON 모드로 천이시키도록 하고 있다. 이때, 이러한 구동에 의해 흑표시를 행하는 경우, 1필드 표시기간을 통해 야기되는 방전은, 선두 서브필드 SF1에서의 리셋 방전만으로 된다. 따라서, 전 방전 셀을 리셋 방전시키고 ON 모 드의 상태로 초기화하고 나서, 이를 OFF 모드 상태로 천이시킬 선택 소거 어드레스 방전을 일으키는 구동을 채용하는 경우에 비해, 1필드 표시 기간 내에서 야기되는 방전 회수가 적어진다. 따라서, 이러한 구동에 의하면, 어두운 화상을 표시할 때의 콘트라스트, 소위, 암 콘트라스트를 향상시키는 것이 가능하게 된다.In the driving shown in Figs. 7 and 8 or 9 and 10, in the first subfield SF1, first, all discharge cells PC are reset and initialized to OFF mode to perform black display (luminance level 0). Except in the case, a write address discharge is caused for each discharge cell PC and is made to transition to the ON mode. At this time, when black display is performed by such driving, the discharge caused through one field display period becomes only the reset discharge in the first subfield SF1. Accordingly, the number of discharges caused within one field display period is compared with the case of employing a drive that causes the selective discharge address discharge to reset all the discharge cells and initialize them to the ON mode and then transition them to the OFF mode. Becomes less. Therefore, according to such driving, it becomes possible to improve contrast, so-called dark contrast, when displaying a dark image.
또한, 도7 및 도8, 또는 도9 및 도10에 나타낸 구동에서는, 선두의 서브필드 SF1의 리셋 행정 R에서 열전극 D를 음극측, 행전극 Y를 양극측으로 한 전압을 두 전극 간에 인가함으로써, 행전극 Y로부터 열전극 D를 향해 전류가 흐르는 열측 음극 방전을 제1 리셋 방전으로서 야기되도록 하고 있다. 따라서, 이러한 제1 리셋 방전시에는, 방전 가스 내의 양이온이 열전극 D를 향할 때에, 도5에 나타낸 바와 같은 형광체층(17) 내에 포함되어 있는 2차전자 방출 재료로서의 MgO결정체에 충돌하고, 이 MgO결정체로부터 2차 전자를 방출시킨다. 특히, 도1에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치의 PDP(50)에서는, MgO결정체를 도5에 나타낸 바와 같이 방전공간에 노출시킴으로써, 양이온과의 충돌의 확률을 높이고, 2차 전자를 효율적으로 방전 공간에 방출시키도록 하고 있다. 따라서, 이러한 2차 전자에 의한 프라이밍 작용에 의해 방전 셀 PC의 방전 개시 전압이 낮아지기 때문에, 비교적 약한 리셋 방전을 일으키는 것이 가능하게 된다. 따라서, 리셋 방전의 미약화에 의해 그 방전에 따른 발광휘도가 저하하므로, 암 콘트라스트를 향상시킨 표시가 가능하게 된다.In the driving shown in Figs. 7 and 8 or 9 and 10, the voltage between the two electrodes is applied by applying a voltage having the column electrode D as the cathode side and the row electrode Y as the anode side in the reset step R of the first subfield SF1. The column-side cathode discharge, in which current flows from the row electrode Y toward the column electrode D, is caused as the first reset discharge. Therefore, during the first reset discharge, when the cation in the discharge gas is directed to the column electrode D, it collides with the MgO crystal as the secondary electron emission material contained in the
또한, 도8 또는 도10에 나타낸 구동에서는, 상기 제1리셋 방전을, 도3에 나타낸 바와 같이 전면 투명기판(10)측에 형성되어 있는 행전극 Y 및 배면 기판(14) 측에 형성되어 있는 열전극 D 간에서 야기되도록 하고 있다. 따라서, 함께 전면 투 명 기판(10) 측에 형성되어 있는 행전극 X 및 Y 간에서 리셋 방전을 일으키는 경우에 비해, 전면 투명 기판(10) 측에부터 외부로 방출되는 방전광이 적어지기 때문에, 더욱 암 콘트라스트의 향상을 꾀할 수 있다.In the driving shown in Fig. 8 or 10, the first reset discharge is formed on the side of the row electrode Y and the
또한, 도8 또는 도10에 나타낸 구동에서는, 상기 제1리셋 방전에 이어, 전 행전극 Y에 리셋 펄스 RPY2를 인가하면서 전 행전극 X에 제1 베이스 펄스 BP1+을 인가함으로써, 각 방전 셀 PC 내에 벽전하를 소거하기 위한 제2 리셋 방전을 야기시키고, 전 방전 셀 PC를 OFF 모드 상태로 초기화하고 있다. 이때, 이러한 제2 리셋 방전을 일으키도록 행전극 X에 인가되는 제1 베이스 펄스 BP1+의 피크 전위(VB1)는, 이 리셋 행정 R의 직후의 선택 기입 어드레스 행정 WW에서 행전극 X에 인가되는 제2 베이스 펄스 BP2+의 피크 전위(VB2)보다도 고전위이다. 즉, 제1 베이스 펄스BP1+ 및 리셋 펄스 RPY2에 의해 행전극 X 및 Y 사이에 인가되는 전압은 비교적 높은 전압으로 되고, 제2리셋 방전의 방전 강도는 커진다. 따라서, 이들 제1 베이스 펄스 BP1+ 및 리셋 펄스 RPY2의 인가에 따라, 벽전하를 소거하기 위한 방전으로서 제2리셋 방전이 야기되지만, 전 방전 셀 PC 내의 행전극 X 근방에는 미량의 부극성의 벽전하, 행전극 Y근방에는 미량의 정극성의 벽전하가 잔류하게 된다.In the drive shown in Fig. 8 or 10, following the first reset discharge, each discharge cell is applied by applying the first base pulse BP1 + to the previous electrode X while applying the reset pulse RP Y2 to the previous electrode Y. The second reset discharge for erasing the wall charges in the PC is caused, and all the discharge cells PC are initialized to the OFF mode state. At this time, the peak potential V B1 of the first base pulse BP1 + applied to the row electrode X to cause such a second reset discharge is applied to the row electrode X at the selective write address step W W immediately after the reset step R. The electric potential is higher than the peak potential V B2 of the second base pulse BP2 + . That is, the voltage applied between the row electrodes X and Y by the first base pulse BP1 + and the reset pulse RP Y2 becomes a relatively high voltage, and the discharge intensity of the second reset discharge becomes large. Therefore, according to the application of these first base pulses BP1 + and the reset pulse RP Y2 , a second reset discharge is caused as a discharge for erasing wall charges, but there is a small amount of negative polarity in the vicinity of the row electrode X in all the discharge cells PC. A small amount of positive wall charge remains in the wall charge and in the vicinity of the row electrode Y.
따라서, 리셋 행정 R의 직후의 선택 기입 어드레스 행정 Ww에 있어서, 도8 또는 도10에 나타낸 바와 같이, 정극성의 제2 베이스 펄스 BP2+가 행전극 X에 인가되고, 또한 부극성의 베이스 펄스 BP-가 행전극 Y에 인가된 상태에서는, 행전극 X 및 Y 간에 방전이 야기되기 어렵게 된다. 이에 의해, 선택 기입 어드레스 행정 Ww에서 방전 셀 PC를 OFF 모드로 설정시키도록, 부극성의 기입 주사 펄스 SPW를 행전극 Y에 인가하면서 0 V의 화소 데이터 펄스 DP를 열전극 D에 인가한 때에 있어서의, 행전극 X 및 Y 사이에서의 오 방전이 방지되게 된다.Therefore, in the selective write address step Ww immediately after the reset step R, as shown in Fig. 8 or 10, the positive second base pulse BP2 + is applied to the row electrode X and the negative base pulse BP− . In the state where it is applied to the row electrode Y, it is difficult to cause a discharge between the row electrodes X and Y. Thus, when the pixel data pulse DP of 0 V is applied to the column electrode D while applying the negative write scan pulse SP W to the row electrode Y so that the discharge cell PC is set to the OFF mode in the selective write address step Ww. In this case, erroneous discharge between the row electrodes X and Y is prevented.
또한, 도8 또는 도10에 나타낸 구동에서는, 휘도 웨이트가 가장 적은 서브필드 SF1의 서스테인 행정 I에서는, 서스테인 펄스 IP를 1회만큼 인가함으로써, 서스테인 방전의 횟수를 1회만으로 하여, 저휘도 화상에 대한 표시 재현성을 높이고 있다. 또한, 이 1회분의 서스테인 펄스 IP에 따라 야기된 서스테인 방전의 종식 후, 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 각각 형성된 상태로 된다. 이에 의해, 도8에 나타낸 구동을 실시할 때에는, 서브필드 SF2의 선택 소거 어드레스 행정 WW에 있어서, 열전극 D 및 행전극 Y 사이에 있어서 열전극 D를 양극측으로 한 방전(이후, “열측 양극 방전”이라고 한다)을 선택 소거 어드레스 방전으로서 야기시키는 것이 가능하게 된다.In the driving shown in Fig. 8 or 10, in the sustain step I of the subfield SF1 having the smallest luminance weight, the sustain pulse IP is applied only once, so that the number of sustain discharges is made only once and the low luminance image is applied. To improve the display reproducibility. Furthermore, after the end of the sustain discharge caused by this one sustain pulse IP, negative wall charges are formed in the vicinity of the row electrode Y, and positive wall charges are formed in the vicinity of the column electrode D, respectively. Thus, when driving shown in Fig. 8, in the selective erasing address step W W of the subfield SF2, the discharge is made with the column electrode D on the anode side between the column electrode D and the row electrode Y (hereinafter referred to as “column side anode”. Discharge ”) as a selective erase address discharge.
또한, 도1에 나타낸 PDP(50)에 있어서는, 각 방전 셀 PC 내의 전면 투명 기판(10) 측에 형성되어 있는 산화 마그네슘층(13) 내에만이 아니라, 배면 기판(14) 측에 형성되어 있는 산화 마그네슘층(17) 내에도 2차 전자 방출 재료로서의 CL발광 MgO결정체를 포함하도록 하고 있다.In addition, in the
이하에, 이러한 구성을 채용함에 의한 작용 효과에 대해 도11 및 도12를 참조하여 설명한다.Hereinafter, the effect by employing such a configuration will be described with reference to FIGS. 11 and 12.
도11은, 상술한 바와 같은 산화 마그네슘층(13) 및 형광체층(17) 각각 내의 산화 마그네슘층(13)에만 CL발광 MgO결정체를 포함시킨, 소위 종래의 PDP에 도8에 나타낸 바와 같이 리셋 펄스 RPY1을 인가한 때에 야기되는 열측 음극 방전에 있어서의 방전 강도의 추이를 나타내는 도면이다.FIG. 11 shows a reset pulse as shown in FIG. 8 in a so-called conventional PDP in which the CL-emitting MgO crystals are included only in the
한편, 도2는 산화 마그네슘층(13) 및 형광체층(17)의 쌍방에 CL발광 MgO 결정체를 포함시킨, 본 발명에 의한 PDP(50)에 대해, 리셋 펄스 RPY1을 인가한 때에 야기되는 열측 음극 방전에서의 방전 강도의 추이를 나타내는 도면이다.On the other hand, Fig. 2 shows a column-side cathode caused when a reset pulse RPY1 is applied to the
도11에 나타낸 바와 같이 종래의 PDP에 의하면, 리셋 펄스 RPY1의 인가에 따라 비교적 강한 열측 음극 방전이 1[ms] 이상에 걸쳐 계속하고 있으나, 본 발명에 의한 PDP(50)에 의하면, 도12에 나타낸 바와 같이 열측 음극 방전이 0.04[ms] 이내로 종식한다. 즉, 종래의 PDP에 비해 열측 음극 방전에 있어서의 방전 지연 시간을 대폭적으로 단축할 수 있다.As shown in Fig. 11, according to the conventional PDP, relatively strong thermal side cathode discharge continues over 1 [ms] in accordance with the application of the reset pulse RP Y1 , but according to the
따라서, 도8에 나타낸 바와 같은 상승 구간에서의 전위 추이가 완만한 파형을 갖는 리셋 펄스 RPY1을 PDP(50)의 행전극 Y에 인가함으로써 열측 음극 방전을 야기시키면, 리셋 펄스 RPY1의 전위가 피크 전위에 이르기 전에 그 방전이 종식한다. 따라서, 행전극 및 열전극 간에 인가되는 전압이 낮은 단계에서, 열측 음극 방전이 종식하게 되므로, 도12에 나타낸 바와 같이, 그 방전 강도도 도9의 경우보다도 대폭적으로 저하한다.Therefore, if the potential transition in the rising period as shown in Fig. 8 causes reset-side pulse RP Y1 having a gentle waveform to the row electrode Y of the
즉, 상승시의 전위 추이가 완만한 파형을 갖는, 예를 들면 도8도에 나타낸 바와 같은 리셋 펄스 RPY1을 산화 마그네슘층(13)뿐만 아니라 형광체층(17)에도 CL발광 MgO 결정체가 포함되어 있는 PDP(50)에 인가함으로써, 더욱 방전 강도를 약하게 한 열측 음극 방전을 야기시키도록 한 것이다. 따라서, 이와 같이 방전 강도가 매우 약한 열측 음극 방전을 리셋 방전으로서 야기시킬 수 있기 때문에, 화상의 콘트라스트, 특히 어두운 화상을 표시할 때의 암 콘트라스트를 높이는 것이 가능하게 된다.In other words, for example, the reset pulse RP Y1 having a gentle waveform of rising potential, as shown in Fig. 8, includes the CL-emitting MgO crystals in the
또한, 리셋 펄스 RPY1에 있어서의 상승시의 파형으로서는, 도8에 나타낸 바와 같이 일정 경향의 것에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 도13에 나타낸 바와 같은, 시간 경과에 따라 서서히 변화하는 것이라도 좋다.The waveform at the time of rising in the reset pulse RP Y1 is not limited to the one with a constant tendency as shown in FIG. 8, and may change gradually over time as shown in FIG. 13, for example.
또한, 도8 또는 도10에 나타낸 리셋 행정 R에서는, 모든 화소 셀에 대해 일제히 리셋 방전을 야기시키도록 하고 있으나, 각각이 복수 화소 셀로 이루어지는 화소 셀프 블록마다 리셋 방전을 시간적으로 분산시켜 실시하도록 해도 좋다.In the reset step R shown in FIG. 8 or 10, reset discharges are caused to all pixel cells at once, but the reset discharges may be distributed in time for each pixel self block composed of a plurality of pixel cells. .
또한, 도5에 나타내는 실시예에 있어서는, PDP(50)의 배면 기판(14) 측에 제공된 형광체층(17) 내에 MgO결정체를 포함시키도록 하고 있으나, 도14에 나타낸 바와 같이, 형광체 입자로 이루어지는 형광체 입자층(17a)과, 2차 전자 방출재로 이루어지는 2차 전저 방출층(18)을 적층한 것으로 형광체층(17)을 형성하도록 해도 좋다. 이때, 2차 전자 방출층(18)으로서는, 형광체 입자층(17a)의 표면상에, 2차 전자 방출재로 이루어지는 결정(예를 들면, CL 발광 MgO결정체를 포함한 MgO결정)을 전면에 깔아 형성해도 좋고, 또는 2차 전자 방출재를 박막 성막하여 형성시켜도 좋다.In the embodiment shown in Fig. 5, MgO crystals are included in the
[실시예 2][Example 2]
도15는, 본 발명의 제2 실시예에 의한 구동 방법에 따라 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 플라즈마 디스플레이 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.Fig. 15 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma display device for driving a plasma display panel according to the driving method according to the second embodiment of the present invention.
도15에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치의 PDP(50)는, 도1에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치의 PDP(50)와 동일하며, 즉 도2∼도5, 도14에 나타낸 바와 같은 구조를 갖는 것이다. 또한, 도15에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치의 X전극 드라이버(51), Y전극 드라이버(53), 어드레스 드라이버(55) 각각도, 도1에 나타낸 것과 동일한 동작을 행하는 것이다. 단, 도15에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에서는, 구동제어회로(560)에 의해 실시되는 PDP(50)의 구동 방법이 도1에 나타낸 것과는 다르다.The
즉, 도15에 나타낸 구동 제어 회로(560)는, 각 화소마다의 8비트의 화소 데이터에 대해 전술한 바와 같은 오차 확산 처리 및 디더 처리를 실시하여 얻어진 4비트의 다계조화 화소 데이터 PDS를, 도16에 나타낸 바와 같은 데이터 변환 테이블에 따라 14비트의 화소 구동 데이터 GD로 변환한다. 구동 제어 회로(560)는, 이러한 화소 구동 데이터 GD에 있어서의 제1∼제14 비트를 각각 서브필드 SF1∼SF14 각 각에 대응시켜, 그 서브필드 SF에 대응한 비트 자리수를 화소 구동 데이터 비트로서 1표시 라인분(m개)씩 어드레스 드라이버(55)에 공급한다.That is, the
또한, 구동 제어 회로(560)는, 상기 구조를 갖는 PDP(50)을 도17에 나타낸 바와 같은 발광 구동 시퀀스에 따라서 구동시킬 각종 제어 신호를, X전극 드라이버(51), Y전극 드라이버(53) 및 어드레스 드라이버(55)의 각각에 공급한다. 즉, 구동 제어 회로(560)는, 1필드(1프레임) 표시기간 중 선두의 서브필드 SF1에서는, 제1리셋 행정 R1, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W 및 미소발광 행정 LL 각각에 따른 구동을 순차적으로 실시하도록 하는 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다. 이러한 서브필드 SF1에 후속하는 SF2에서는, 제2리셋 행정 R2, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W 및 서스테인 행정 I 각각에 따른 구동을 순차적으로 실시시킬 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다. 또, 서브필드 SF3∼SF14 각각에서는, 선택 소거 어드레스 행정 WD 및 서스테인 행정 I 각각에 따른 구동을 순차적으로 실시하도록 하는 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다. 또한, 1필드 표시기간 중 최후미의 서브필드 SF14에 한해, 서스테인 행정 I의 실행 후, 구동 제어 회로(560)는, 소거 행정 E에 따른 구동을 실시시킬 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다.In addition, the
패널 드라이버, 즉, X전극 드라이버(51), Y전극 드라이버(53) 및 어드레스 드라이버(55)는 구동제어회로(56)로부터 공급된 각종 제어 신호에 따라, 도18에 나타낸 바와 같이 각종 구동 펄스를 생성하여 PDP(50)의 열전극 D, 행전극 X 및 Y에 공급한다.The panel driver, i.e., the
도18에 있어서는, 도17에 나타낸 서브필드 SF1∼SF14 중 SF1~SF3 및 최후미의 서브필드 SF14에서의 동작만을 발췌하여 나타내는 것이다.In FIG. 18, only the operation | movement in SF1-SF3 and the last subfield SF14 among the subfields SF1-SF14 shown in FIG.17 is shown and shown.
우선, 서브필드 SF1의 제1리셋 행정 R1의 전반부에서는, Y전극 드라이버(53)가, 서스테인 펄스에 비해 시간 경과에 따른 전연부에서의 전위 추이가 완만한 파형을 갖는 정극성의 리셋 펄스 RP1Y1을 모든 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 또한, 도18에 나타낸 바와 같이, 리셋 펄스 RP1Y1에서의 피크 전위는, 서스테인 펄스의 피크 전위보다도 높다. 이때, 어드레스 드라이버(55)는, 열전극 D1∼Dm을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정한다. 상기 리셋 펄스 RP1Y1의 인가에 따라, 모든 방전 셀 PC 각각 내의 행전극 Y 및 열전극 D 사이에 있어서 제1리셋 방전이 야기된다. 즉, 제1리셋 행정 R1의 전반부에서는, 행전극 Y가 양극측, 열전극 D가 음극측으로 되도록 두 전극 간에 전압을 인가함으로써, 행전극 Y로부터 열전극 D를 향해 전류가 흐르는 방전(이하, “열측 음극 방전”이라고 한다)을 상기 제1리셋 방전으로서 야기시킨다. 이러한 제1리셋 방전에 따라, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 형성된다.First, in the first half of the first reset step R1 of the subfield SF1, the Y-
또한, 제1리셋 행정 R1의 전반부에서는, X전극 드라이버(51)가, 이러한 리셋 펄스 RP1Y1과 동일 극성이고, 또한, 이 리셋 펄스 RP1Y1의 인가에 따른 행전극 X 및 Y 사이에서의 면방전을 방지할 수 있는 피크 전위를 갖는 리셋 펄스 RPX를 모든 행 전극 X1∼Xn 각각에 인가한다.In addition, in the first half of the first resetting process R1, the
그리고, 서브필드 SF1의 제1리셋 행정 R1의 후반부에서는, Y전극 드라이버(53)가, 도18에 나타낸 바와 같이 시간 경과에 따라 완만하게 전위가 하강하여 부극성의 피크 전위에 달하는 펄스 파형을 갖는 리셋 펄스 RP1Y2를 발생하고, 이를 모든 행전극 Y1~Yn에 인가한다. 이때, 이러한 리셋 펄스 RP1Y2의 인가에 따라, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 제2리셋 방전이 야기된다. 또한, 리셋 펄스 RP1Y2의 피크 전위는, 상기 제1리셋 방전에 따라 행전극 X 및 Y 각각의 근방에 형성된 벽전하를 고려하여, 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 확실히 상기 제2리셋 방전을 야기시킬 수 있는 최저의 전위이다. 또한, 리셋 펄스 RP1Y2의 피크 전위는 후술하는 부극성의 기입 주사 펄스 SPW의 피크 전위보다도 높은 전위, 즉, 0 V에 가까운 전위로 설정되어 있다. 즉, 리셋 펄스 RP1Y2의 피크 전위를 기입 주사 펄스 SPW의 피크 전위보다도 낮게 하면, 행전극 Y 및 열전극 D 간에 강한 방전이 야기되고, 열전극 D 근방에 형성되어 있는 벽전하가 대폭 소거되어 버리고, 후술하는 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서의 어드레스 방전이 불안정하게 되기 때문이다. 제1리셋 행정 R1의 후반부에 있어서 야기된 제2리셋 방전에 의해, 각 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 각각의 근방에 형성되어 있는 벽전하가 소거되고, 모든 방전 셀 PC가 OFF 모드로 초기화된다. 또한, 상기 리셋 펄스 RP1Y2의 인가에 따라 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 사이에 있어서도 미약한 방전이 일어나고, 이러한 방전에 의해 열전극 D 근방에 형성되어 있는 정극성의 벽전하의 일부가 소거되고, 제1 선택 기입 어드레스 행정 W1W에 있어서 올바르게 선택 기입 어드레스 방전을 야기시킬 수 있는 양으로 조정된다.In the second half of the first reset step R1 of the subfield SF1, the
다음에, 서브필드 SF1의 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는, Y전극 드라이버(53)가, 도18에 나타낸 바와 같은 부극성의 소정의 피크 전위를 갖는 베이스 펄스 BP-를 행전극 Y1~Yn에 동시에 인가하면서, 부극성의 피크 전위를 갖는 기입 주사 펄스 SPW 행전극 Y1∼Yn 각각에 순차적으로 택일적으로 인가한다. 이때, X전극 드라이버(51)는, 0 V의 전압을 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. 또한, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는, 어드레스 드라이버(55)가, 우선, 서브필드 SF1에 대응한 화소 구동 데이터 비트의 논리 레벨에 따른 화소 데이터 펄스 DP를 생성한다. 예를 들면, 어드레스 드라이버(55)는, 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시킬 논리 레벨 1의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에는 정극성의 피크 전위를 갖는 화소 데이터 펄스 DP를 생성한다. 한편, 방전 셀 PC를 OFF 모드로 설정시킬 논리 레벨 0의 화소 구동 데이터 비트에 따라, 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP를 생성한다. 그리고, 어드레스 드라이버(55)는, 이러한 화소 데이터 펄스 DP를 1표시 라인분(m개)씩, 각 기입 주사 펄스 SPW의 인가 타이밍에 동기하여 열전극 D1∼Dm에 인가한다. 이때, 상기 기입 주사 펄스 SPW와 동시에, ON 모드로 설정시킬 고전압의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에는 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 또한, 이러한 선택 기입 어드레스 방전 직 후, 이 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 간에도 미약한 방전이 야기된다. 즉, 기입 주사 펄스 SPW가 인가된 후, 행전극 X 및 Y 사이에는 베이스 펄스 BP-에 따른 전압이 인가되나, 이 전압은 각 방전 셀 PC의 방전 개시 전압보다도 낮은 전압으로 설정되어 있기 때문에, 이러한 전압의 인가만으로는 방전 셀 PC 내에 방전이 야기되지 않는다. 그러나, 상기 선택 기입 어드레스 방전이 야기되면, 이 선택 기입 어드레스 방전에 유발되어, 베이스 펄스 BP-에 의한 전압의 인가만으로 행전극 X 및 Y 사이에 방전이 야기되는 것이다. 이러한 방전 및 상기 선택 기입 어드레스 방전에 의해, 이 방전 셀 PC는, 그 행전극 Y근방에 정극성의 벽전하, 행전극 X 근방에 부극성의 벽전하, 열전극 D근방에 부극성의 벽전하가 각각 형성된 상태, 즉 ON 모드로 설정된다. 한편, 상기 기입 주사 펄스 SPW와 동시에, OFF 모드로 설정시키도록 하는 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y간에는 상술한 바와 같은 선택 기입 어드레스 방전은 야기되지 않으며, 이 때문에 행전극 X 및 Y 간에도 방전이 일어나지 않는다. 따라서, 이 방전 셀 PC는, 그 직전까지의 상태, 즉, 리셋 행정 R에 있어서 초기화된 OFF 모드의 상태를 유지한다.Next, in the first selective writing addressing process W1 W of the sub-field SF1,
다음에, 서브필드 SF1의 미소발광행정 LL에서는, Y전극 드라이버(53)가, 도 18에 나타낸 바와 같이 정극성의 소정의 피크 전위를 갖는 미소발광 펄스 LP를 행전극 Y1∼Yn 각각에 인가한다. 이러한 미소발광 펄스 LP의 인가에 따라, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에 있어서 방전(이하, "미소 발광 방전"이라 한다)이 야기된다. 즉, 미소발광행정 LL에서는, 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 사이에는 방전이 야기되지만, 행전극 X 및 Y 사이에는 방전을 야기시키지 않는 전위를 행전극 Y에 인가함으로써 ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 간에서만 미소 발광 방전을 야기시키는 것이다. 이때, 미소 발광 펄스 LP의 피크 전위는, 후술하는 서브필드 SF2 이후의 서스테인 행정 I에서 인가하는 서스테인 펄스 IP의 피크 전위보다도 낮은 전위이고, 예컨대, 후술하는 선택 소거 어드레스 행정 WD에 있어서 행전극 Y에 인가되는 전위와 동일하다. 또한, 도18에 나타낸 바와 같이, 미소 발광 펄스 LP에 있어서의 전위의 상승 구간에서의 시간 경과에 따른 변화율은, 리셋 펄스(RP1Y1, RP2Y1)에 있어서의 상승 구간에서의 변화율보다 높다. 즉, 미소발광 펄스 LP의 전연부에 있어서의 전위 추이를 리셋 펄스의 전연부에 있어서의 전위 추이보다도 급준하게 함으로써 제1 리셋 행정 R1에서 야기되는 제1 리셋 방전보다도 강한 방전을 야기시키는 것이다. 여기에서, 이러한 방전은, 전술한 바와 같이, 열측 음극 방전이고 또한, 서스테인 펄스 IP보다도 그 피크 전위가 낮은 미소 발광 펄스 LP에 의해 야기된 방전이기 때문에, 행전극 X 및 Y 사이에 야기되는 서스테인 방전(후술함)보다도 그 방전에 따른 발광 휘도가 낮다. 즉, 미소 발광 행정 LL에서는, 제1 리셋 방전보다도 높 은 휘도 레벨의 발광을 수반하는 방전이지만, 서스테인 방전보다도 그 방전에 다른 휘도 레벨이 낮은 방전, 즉 표시용으로 이용할 수 있는 정도의 미소한 발광을 수반하는 방전을 미소발광방전으로서 야기시키는 것이다. 이때, 미소발광 행정 LL의 직전에 있어서 실시되는 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는, 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행진극 Y 간에, 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 따라서, 서브필드 SF1에서는, 이러한 선택 기입 어드레스 방전에 수반하는 발광과 상기 미소 발광 방전에 수반하는 발광에 의해, 휘도 레벨 0보다 1 단계만큼 고휘도인 계조에 대응한 휘도가 표현되는 것이다.Next, in the microluminescence stroke LL of the subfield SF1, the
또한, 상기 미소 발광 방전 후, 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 열전극 D근방에는 정극성의 벽전하가 각각 형성된다.Further, after the light emission discharge, negative wall charges are formed near the row electrode Y, and positive wall charges are formed near the column electrode D, respectively.
다음에, 서브필드 SF2의 제2리셋 행정 R2의 전반부에서는, Y전극 드라이버(53)가, 후술하는 서스테인 펄스에 비해 시간 경과에 따른 전연부에서의 전위 추이가 완만한 파형을 갖는 정극성의 리셋 펄스 RP2Y1을 모든 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 또한, 도18에 나타낸 바와 같이, 리셋 펄스 RP2Y1의 피크 전위는, 리셋 펄스 RP1Y1의 피크 전위보다 높다. 이때, 어드레스 드라이버(55)는, 열전극 D1∼Dm을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정하고, X전극 드라이버(51)는, 상기 리셋 펄스 RP2Y1의 인가에 따라 행전극 X 및 Y 사이에서의 면방전을 방지할 수 있는 피크 전위를 갖는 정극성의 리셋 펄스 RP2X를 모든 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. 또한, 상기 행전극 X 및 Y 사이에 면방전이 발생하지 않는 것이면, X전극 드라이버(51)는, 상기 리셋 펄스 RP2X를 인가하는 대신에, 모든 행전극 X1∼Xn을 접지 전위(0 V)로 설정해도 좋다. 상기 리셋 펄스 RP2Y1의 인가에 따라, 방전 셀 PC 각각 내에서의 상기 미소발광행정 LL에서 열측 음극 방전이 야기되지 않은 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D간에 있어서, 이러한 미소발광 행정 LL에서의 열 측 음극 방전보다 약한 제1 리셋 방전이 야기된다. 즉, 제2리셋 행정 R2의 전반부에서는, 행전극 Y가 양극측, 열전극 D가 음극측으로 되도록 두 전극 간에 전압을 인가함으로써 행전극 Y로부터 열전극 D를 향해 전류가 흐르는 열측음극 방전을 상기 제1 리셋 방전으로서 야기시킨다. 한편 상기 미소 발광 행정 LL에 있어서 이미 미소 발광 방전이 야기된 방전 셀 PC 내에서는, 상기 리셋 펄스 RP2Y1의 인가가 실시되어도 방전은 야기되지 않는다.·따라서, 제2 리셋 행정 R2의 전반부의 종료 직 후, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 형성된 상태로 된다. Next, in the first half of the second reset step R2 of the subfield SF2, the
그리고, 서브필드 SF2의 제2리셋 행정 R2의 후반부에서는, Y전극 드라이버(53)가, 도18에 나타낸 바와 같이 시간 경과에 따라 완만하게 전위가 하강해 부극성의 피크 전위에 달하는 펄스 파형을 갖는 리셋 펄스 RP2Y2를 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 또한, 제2리셋 행정 R2의 후반부에서는, X전극 드라이버(51)가, 상기 리셋 펄스 RP2Y2가 행전극 Y에 인가되고 있는 동안에 걸쳐, 정극성의 피크 전위로서 제1 베이스 전위 VB1을 갖는 제1 베이스 펄스 BP1+를 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. 즉, X전극 드라이버(51)는, 펄스의 최고 전위가 도18에 나타낸 바와 같이 제1 베이스 전위 VB1로 되는 제1 베이스 펄스 BP1+을 전 행전극 X에 인가하는 것이다. 이들 부극성의 리셋 펄스 RP2Y2 및 정극성의 제1 베이스 펄스 BP1+의 인가에 따라, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 제2리셋 방전이 야기된다. 이러한 제2 리셋 방전에 의해, 전 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 각각의 근방에 형성되어 있던 벽전하의 태반이 소거된다. 이에 의해 전 방전 셀 PC는, 행전극 X 근방에는 미량의 부극성의 벽전하, 행전극 Y근방에는 미량의 정극성의 벽전하가 각각 잔류한 상태, 즉, OFF 모드로 초기화된다. 또한, 상기 리셋 펄스 RP2Y2의 인가에 따라, 전 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 간에 있어서도 미약한 방전이 야기되고, 열전극 D 근방에 형성되어 있던 정극성의 벽전하의 일부가 소거된다. 이에 의해, 전 방전 셀 PC의 열전극 D 근방에 잔류하는 벽전하량이, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에 있어서 올바르게 선택 기입 어드레스 방전을 야기시킬 수 있는 양으로 조정된다.In the second half of the second reset step R2 of the subfield SF2, as shown in Fig. 18, the
또한, 리셋 펄스 RP2Y2 및 제1 베이스 펄스 BP1+에 의해 행전극 X 및 Y 간에 인가되는 전압은, 상기 제1리셋 방전에 따라 행전극 X 및 Y 각각의 근방에 형성된 벽전하를 고려하여, 행전극 X 및 Y 간에 확실히 상기 제2리셋 방전을 야기시킬 수 있는 전압이다. 또한, 리셋 펄스 RP2Y2에서의 부의 피크 전위는, 후술하는 부극성의 기입 주사 펄스 SPW의 피크 전위보다도 높은 전위, 즉 0 V에 가까운 전위로 설정되어 있다. 즉, 리셋 펄스 RP2Y2의 피크 전위를 기입 주사 펄스 SPW의 피크 전위보다도 낮게 하면, 행전극 Y 및 열전극 D 사이에 있어서 강한 방전이 야기되고, 열전극 D 근방에 형성되어 있던 벽전하가 대폭적으로 소거되어, 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W에서의 어드레스 방전이 불안정하게 되기 때문이다. 또한, 제1 베이스 펄스 BP1+의 피크 전위(VB1)는, 후술하는 제2 베이스 펄스 BP2+의 피크 전위(VB2)보다도 고전위이다.In addition, the voltage applied between the row electrodes X and Y by the reset pulse RP2 Y2 and the first base pulse BP1 + is determined in consideration of the wall charges formed near each of the row electrodes X and Y in response to the first reset discharge. It is the voltage that can surely cause the second reset discharge between the electrodes X and Y. The negative peak potential at the reset pulse RP2 Y2 is set to a potential higher than the peak potential of the negative write scan pulse SP W described later, that is, a potential close to 0V. That is, when the peak potential of the reset pulse RP2 Y2 is lower than the peak potential of the write scan pulse SP W , strong discharge is caused between the row electrode Y and the column electrode D, and the wall charges formed near the column electrode D are greatly increased. is erased, the second selective write address discharge in the address process W2 W becomes unstable due to the. In addition, the peak potential V B1 of the first base pulse BP1 + is higher than the peak potential V B2 of the second base pulse BP2 + described later.
다음에, 서브필드 SF2의 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에서는, Y전극 드라이버(53)가, 도18에 나타낸 바와 같은 부극성의 소정의 피크 전위를 갖는 베이스 펄스 BP-를 행전극 Y1∼Yn에 동시에 인가하면서, 부극성의 피크 전위를 갖는 기입 주사 펄스 SPW를 행전극 Y1∼Yn 각각에 순차 택일적으로 인가한다. 이때, X전극 드라이버(51)는, 정극성의 피크 전위로서 제2 베이스 전위 VB2를 갖는 제2 베이스 펄스 BP2+를 행전극 X1~Xn에 계속 인가한다. 즉, X전극 드라이버(51)는, 펄스의 최고 전위가 도18에 나타낸 바와 같이 제2 베이스 전위 VB2로 되는 제2 베이스 펄스 BP2+ 를 전 행전극 X에 인가하는 것이다. 제2 베이스 펄스 BP2+의 피크 전위(VB2)는 상기 제1 베이스 펄스 BP1+의 피크 전위(VB1)보다도 저 전위이다.또한, 제2 베이스 펄스 BP2+ 및 베이스 펄스 BP-에 의해 행전극 X 및 Y 간에 인가되는 전압은, 방전 셀 PC의 방전 개시 전압보다도 낮다. 또한, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에서는, 어드레스 드라이버(55)가, 우선, 서브필드 SF2에 대응한 화소 구동 데이터 비트의 논리 레벨에 따른 피크 전위를 갖는 화소 데이터 펄스 DP를 생성한다. 예를 들면, 어드레스 드라이버(55)는, 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시킬 논리 레벨 1의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에는 정극성의 피크 전위를 갖는 화소 데이터 펄스 DP를 생성한다. 한편, 방전 셀 PC를 OFF 모드로 설정시킬 논리 레벨 0의 화소 구동 데이터 비트에 따라, 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP를 생성한다. 그리고, 어드레스 드라이버(55)는, 이러한 화소 데이터 펄스 DP를 1 표시 라인분(m개)씩, 각 기입 주사 펄스 SPW의 인가타이밍에 동기하여 열전극 D1∼Dm에 인가한다. 이때, 상기 기입 주사 펄스 SPW와 동시에, ON 모드로 설정시킬 고전압의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에는 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 또한, 이러한 선택 기입 어드레스 방전 직 후, 이 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 간에도 미약한 방전이 야기된다. 즉, 기입 주사 펄스 SPW가 인가된 후, 행전극 X 및 Y 사이에는, 상기 베이스 펄스 BP- 및 제2 베이스 펄스 BP2+에 따른 전압이 인가되지만, 이 전압은 각 방전 셀 PC의 방전 개시 전압보다도 낮은 전압으로 설정되어 있기 때문에, 이러한 전압의 인가만으로는 방전 셀 PC 내에서 방전이 야기되지 않는다, 그런데, 상기 선택 기입 어드레스 방전이 야기되면, 이 선택 기입 어드레스 방전에 유발되어, 베이스 펄스 BP- 및 제2 베이스 펄스 BP2+에 의한 전압 인가만으로, 행전극 X 및 Y 사이에 방전이 야기되는 것이다. 이러한 방전 및 상기 선택 기입 어드레스 방전에 의해, 방전 셀 PC는, 그 행전극 Y 근방에 정극성의 벽전하, 행전극 X 근방에 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에 부극성의 벽전하가 각각 형성된 상태, 즉, ON 모드로 설정된다. 한편, 상기 기입 주사 펄스 SPW와 동시에, OFF 모드로 설정시키도록 하는 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 간에는 상술한 바와 같이 선택 기입 어드레스 방전은 야기되지 않고, 그 때문에 행전극 X 및 Y 간에서의 방전도 일어나지 않는다. 따라서, 이 방전 셀 PC는, 그 직전까지의 상태, 즉 제2 리셋 행정 R2에 있어서 초기화된 OFF 모드의 상태를 유지한다.Next, in the subfield SF2 of the second selective writing addressing process W2 W In,
다음에, 서브필드 SF2의 서스테인 행정 I에서는, Y전극 드라이버(53)가, 정극성의피크 전위를 갖는 서스테인 펄스 IP를 1펄스분만큼 발생하고 이를 행전극 Y1~Yn 각각에 동시에 인가한다. 이때, X전극 드라이버(51)는, 행전극 X1∼Xn을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정하고, 어드레스 드라이버(55)는, 열전극 D1∼Dm을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정한다. 상기 서스테인 펄스 IP의 인가에 따라, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 서스테인 방전이 야기 된다. 이러한 서스테인 방전에 수반하여 형광체층(17)으로부터 조사되는 빛이 전면 투명 기판(10)을 통해 외부에 조사됨으로써, 이 서브필드 SF1의 휘도 웨이트에 대응한 1회분의 표시 발광이 행해진다. 또, 이러한 서스테인 펄스 IP의 인가에 따라, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 사이에 있어서도 방전이 야기된다. 이러한 방전 및 서스테인 방전에 의해, 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 행전극 X 및 열전극 D 각각의 근방에는 각각 정극성의 벽전하가 형성된다. Next, in the sustain step I of the subfield SF2, the
다음에, 서브필드 SF3∼SF14 각각의 선택 소거 어드레스 행정 Wo에서는, Y전극 드라이버(53)가, 정극성의 소정의 피크 전위를 갖는 베이스 펄스BP+를 행전극 Y1~Yn 각각에 인가하면서, 도18에 나타낸 바와 같은 부극성의 피크 전위를 갖는 소거 주사 펄스 SPD를 행전극 Y1∼Yn 각각에 순차 택일적으로 인가한다. 또한, 베이스 펄스 BP+의 피크 전위는, 이 선택 소거 어드레스 행정 Wo의 실행 기간 중에 걸쳐, 행전극 X 및 Y 간에서의 오 방전을 방지할 수 있는 전위로 설정되어 있다. 또, 선택 소거 어드레스 행정 Wo의 실행 기간 중에 걸쳐, X전극 드라이버(51)는, 행전극 X1∼Xn 각각을 접지 전위(0 V)로 설정한다. 또, 이 선택 소거 어드레스 행정 WD에 있어서, 어드레스 드라이버(55)는, 우선, 그 서브필드 SF에 대응한 화소 구동 데이터 비트를 그 논리 레벨에 대응한 피크 전위를 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 예를 들면, 어드레스 드라이버(55)는, 방전 셀 PC를 ON 모드로부터 OFF 모드로 천이시켜야 할 논리 레벨 1의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에는 이를 정극성의 피크 전위를 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 한편, 방전 셀 PC의 현 상태를 유지시킬 논리 레벨 0의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에는 이를 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 그리고, 어드레스 드라이버(55)는, 이러한 화소 데이터 펄스 DP를 1 표시라인분(m개)씩, 각 소거 주사 펄스 SPD의 인가 타이밍에 동기하여 열전극 D1∼Dm에 인가한다. 이때, 상기 소거 주사 펄스 SPD와 동시에, 고전압의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에 선택 소거 어드레스 방전이 야기된다. 이러한 선택 소거 어드레스 방전에 의해, 이 방전 셀 PC는, 그 행전극 Y 및 X 각각의 근방에 정극성의 벽전하, 열전극 D 근방에 부극성의 벽전하가 각각 형성된 상태, OFF 모드로 설정된다. 한편, 상기 소거 주사 펄스 SPD와 동시에, 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 간에는 상술한 바와 같은 선택 소거 어드레스 방전은 야기되지 않는다. 따라서, 이 방전 셀 PC는, 그 직전까지의 상태(ON 모드, OFF 모드)를 유지한다.Next, in the selective erasing address step Wo of each of the subfields SF3 to SF14, the
또한, 서브필드 SF3∼SF14 각각의 서스테인 행정 I에서는, X전극 드라이버(51) 및 Y전극 드라이버(53)가, 도18에 나타낸 바와 같이, 행전극 Y 및 X 교대로, 그 서브필드의 휘도 웨이트에 대응한 횟수분만큼 반복하고, 정극성의 피크 전위를 갖는 서스테인 펄스 IP를 행전극 Y1∼Yn 및 X1∼Xn에 인가한다. 이러한 서스테인 펄스 IP가 인가될 때마다, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 간에 서스테인 방전이 야기된다. 이러한 서스테인 방전에 따라 형광체층(17)으로부터 조사되는 빛이 전면 투명 기판(10)을 통해 외부에 조사됨으로써, 그 서브필드 SF의 휘도 웨이트에 대응한 횟수분의 표시 발광이 실시된다. In the sustain step I of each of the subfields SF3 to SF14, the
그리고, 최종의 서브필드 SF14의 서스테인 행정 I의 종료 후, Y전극 드라이버(53)는, 부극성의 피크 전위를 갖는 소거 펄스 EP를 모든 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 이러한 소거 펄스 EP의 인가에 따라, ON 모드 상태에 있는 방전 셀 PC에만 소거 방전이 야기된다. 이러한 소거 방전에 의해, ON 모드 상태에 있던 방전 셀 PC는 OFF 모드의 상태로 천이한다.After the end of the sustain step I of the final subfield SF14, the
이상과 같은 구동을, 도16에 나타낸 바와 같은 16개 화소 구동 데이터 GD에 기초하여 실행한다.The above driving is executed based on the 16 pixel drive data GD as shown in FIG.
우선, 흑표시(휘도 레벨 0)를 표현하는 1계조보다도 1단계만큼 고휘도를 나타내는 제2 계조에서는, 도16에 나타낸 바와 같이, 서브필드 SF1∼SF14 중의 SF1에서만 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시키기 위한 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키고, 이 ON 모드로 설정된 방전 셀 PC를 미소 발광 방전시킨다(□로 표시). 이때, 이들 선택 기입 어드레스 방전 및 미소발광 방전에 따른 발광 시의 휘도 레벨은, 1회분의 서스테인 방전에 따른 발광 시의 휘도 레벨보다도 낮다. 따라서, 서스테인 방전에 의해 관찰되는 휘도 레벨을 “1”로 한 경우, 제2계조에서는, 휘도 레벨 “1”보다도 낮은 휘도 레벨 “α”에 대응한 휘도가 표현된다.First, as shown in Fig. 16, the discharge cell PC is set to ON mode only in SF1 in the subfields SF1 to SF14 as shown in Fig. 16 in the second gradation that shows higher brightness by one step than one gradation that expresses black display (luminance level 0). Causes the selective write address discharge to be discharged, and the discharge cell PC set to the ON mode is caused to emit a small light emission (indicated by?). At this time, the luminance level at the time of light emission according to these selective write address discharges and the micro-emission discharge is lower than the luminance level at the time of light emission according to one sustain discharge. Therefore, when the luminance level observed by the sustain discharge is set to "1", the luminance corresponding to the luminance level "α" lower than the luminance level "1" is expressed in the second tone.
* 다음에, 이러한 제2계조보다도 1단계만큼 고휘도를 나타내는 제3계조에서는, 서브필드 SF1~SF14 중의 SF2에서만 방전셀 PC를 ON 모드로 설정시키기 위한 선택 기입 어드레스 방전을 일으키고(이중 동그라미로 표시), 다음의 서브필드 SF3에서 방전 셀 PC를 OFF 모드로 천이시키기 위한 선택 소거 어드레스 방전을 야기시킨다(검은 동그라미로 표시). 따라서, 제3 계조에서는, 서브필드 SF1∼SF14 중 SF2의 서스테인 행정 I에서만 1회분의 서스테인 방전에 따른 발광이 실시되고, 휘도 레벨 “1”에 대응한 휘도가 표현된다.Next, in the third gradation which exhibits higher luminance by one step than the second gradation, selective write address discharge is caused to set the discharge cell PC to ON mode only in SF2 in the subfields SF1 to SF14 (indicated by double circles). In the next subfield SF3, a selective erase address discharge for causing the discharge cell PC to transition to the OFF mode is caused (indicated by a black circle). Therefore, in the third gradation, light emission is performed according to the sustain discharge for one time only in the sustaining stroke I of SF2 in the subfields SF1 to SF14, and the luminance corresponding to the luminance level "1" is expressed.
다음에, 이러한 제3계조보다도 1단계만큼 고휘도를 나타내는 제4계조에서는, 우선, 서브필드 SF1에 있어서, 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시키기 위한 선택 기입 어드레스 방전이 야기되고, 이 ON 모드로 설정된 방전 셀 PC를 미소발광방전시킨다(□로 표시). Next, in the fourth gradation that exhibits higher luminance by one step than the third gradation, first, in the subfield SF1, the selective write address discharge for setting the discharge cell PC to ON mode is caused, and thus the gradation is set to this ON mode. The discharge cell PC is micro-light discharged (indicated by?).
또한, 이러한 제4 계조에서는, 서브필드 SF1∼SF14 중 SF2에서만 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시키기 위한 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키고(2중 동그라미로 표시), 다음의 서브필드 SF3에서 방전 셀 PC를 OFF 모드로 천이시키기 위한 선택 소거 어드레스 방전을 야기시킨다(검은 동그라미로 표시). 따라서, 제4 계조에서는, 서브필드 SF1에서 휘도 레벨 “α”의 발광이 실시되고, SF2에서 휘도 레벨 "1"의 발광을 수반하는 서스테인 방전이 1회분만큼 실시되기 때문에, 휘도 레벨 “α”+ “1”에 대응한 휘도가 표현된다.Further, in the fourth gradation, the selective write address discharge for setting the discharge cell PC to ON mode is caused only in SF2 of the subfields SF1 to SF14 (indicated by double circles), and the discharge cell PC in the next subfield SF3. Causes a selective erase address discharge to transition to the OFF mode (indicated by black circles). Therefore, in the fourth gray scale, light emission of the luminance level "α" is performed in the subfield SF1, and sustain discharge accompanied with light emission of the luminance level "1" is performed in SF2 by one time, so that the luminance level "α" + The luminance corresponding to "1" is expressed.
또한, 제5 계조∼제16 계조 각각에서는, 서브필드 SF1에 있어서 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시키는 선택 기입 어드레스 방전을 일으키고, 이 ON 모드로 설정 된 방전 셀 PC를 미소 발광 방전시킨다(□로 표시). 그리고, 그 계조에 대응한 하나의 서브필드에서만 방전 셀 PC를 OFF 모드로 천이시키기 위한 선택 소거 어드레스 방전을 일으킨다(검은 동그라미로 표시). 따라서, 제5 계조∼제16 계조 각각에서는, 서브필드 SF1에서 상기 미소 발광 방전이 야기되고, SF2에서 1회분의 서스테인 방전이 야기된 후, 그 계조에 대응한 수만큼 연속된 서브필드 각각(백 동그라미로 표시)에서 그 서브필드에 할당되어 있는 횟수분만큼 서스테인 방전이 야기된다. 이에 의해, 제5 계조~제16 계조 각각에서는, 휘도 레벨“α”+“1필드(또는 1프레임)” 표시 기간 내에 있어서 야기된 서스테인 방전의 총수”에 대응한 휘도가 관찰된다. 따라서, 도16∼도18에 나타낸 구동에 의하면, 휘도 레벨“0”∼“255+α”로 되는 휘도 범위를 도16에 나타낸 바와 같이 16단계로 나타내는 것이 가능하게 된다.Further, in each of the fifth to sixteenth grayscales, a selective write address discharge for setting the discharge cell PC to the ON mode is generated in the subfield SF1, and the discharge cell PC set to the ON mode is caused to emit light emission (in?). Display). Then, only one subfield corresponding to the gray level generates a selective erase address discharge for transitioning the discharge cell PC to the OFF mode (indicated by black circles). Therefore, in each of the fifth to sixteenth gradations, the micro-luminescent discharge is caused in the subfield SF1, and a sustain discharge is caused once in SF2, and then each successive subfield by the number corresponding to the gradation (white Sustain discharge is caused by the number of times assigned to the subfield. Thereby, in each of the fifth to sixteenth tones, the luminance corresponding to the luminance level "α" + "the total number of sustain discharges caused in the display period of one field (or one frame)" is observed. Therefore, according to the driving shown in Figs. 16 to 18, the luminance range of the luminance levels "0" to "255 + α" can be represented in 16 steps as shown in Fig.16.
이때, 도16∼도18에 나타낸 구동에서는, 가장 휘도 웨이트가 적은 서브필드 SF1에서 표시 화상에 기여하는 방전으로서, 서스테인 방전은 아니고 미소발광 방전을 야기하도록 하고 있다. 이러한 미소 발광 방전은, 열전극 D 및 행전극 Y 간에 야기되는 방전이기 때문에, 행전극 X 및 Y 사이에 야기되는 서스테인 방전에 비해 그 방전에 따른 발광시의 휘도 레벨이 낮다. 따라서, 이러한 미소 발광 방전에 의해 흑표시(휘도 레벨 0)보다도 1단계만큼 고휘도를 나타내는(제2 계조) 경우에는, 서스테인 방전에 의해 이를 나타내는 경우에 비해 휘도 레벨 0과의 휘도차가 작게 된다. 따라서, 저휘도 화상을 표현할 때의 계조 표현 능력이 높아진다. 또한, 제2 계조에 있어서는, 서브필드 SF1에 후속하는 SF2의 제2 리셋 행정 R2에서는 리셋 방 전이 야기되지 않기 때문에, 이 리셋 방전에 따른 암 콘트라스트의 저하가 억제된다. 또한, 도16에 나타낸 구동에서는, 제4 계조 이후의 각 계조에 있어서도 서브필드 SF1에서 휘도 레벨 α의 발광을 수반하는 미소 발광 방전을 일으키도록 하고 있지만, 제3 계조 이후의 계조에서는, 이 미소발광 방전을 야기시키지 않도록 해도 좋다. 즉, 미소발광 방전에 수반하는 발광은 극히 저휘도(휘도 레벨 α)이기 때문에, 그보다도 고휘도의 발광을 수반하는 서스테인 방전과의 병용이 행해지는 제4 계조 이후의 계조에서는, 휘도 레벨α의 휘도 증가분을 시각할 수 없게되는 경우가 있고, 이때, 미소 발광 방전을 야기시키는 의의가 없어지기 때문이다.At this time, in the driving shown in Figs. 16 to 18, the discharge contributes to the display image in the subfield SF1 having the smallest luminance weight, so that the micro-luminescence discharge is caused instead of the sustain discharge. Since the micro luminescent discharge is a discharge caused between the column electrodes D and the row electrodes Y, the luminance level at the time of light emission according to the discharge is lower than that of the sustain discharge caused between the row electrodes X and Y. Therefore, in the case where high brightness is exhibited (second gradation) by one level from the black display (luminance level 0) by such micro luminescence discharge, the luminance difference from the
여기에서, PDP(50)을 구동함에 있어서, 도17에 나타낸 바와 같은 선택 소거 어드레스법 대신 도19에 나타낸 바와 같은 선택 기입 어드레스법에 기초한 발광 구동 시퀀스를 채용해도 좋다.Here, in driving the
이때, 구동 제어 회로(560)는, 도19에 나타낸 바와 같은 1필드(프레임) 표시 기간의 선두의 서브필드 SF1에 있어서, 제1 리셋 행정 R1, 제1 선택 기입 어드레스 행정 W1W 및 미소 발광 행정 LL 각각에 따른 구동을 순차적으로 실시시킬 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다. 또, 구동 제어 회로(560)는, 서브필드 SF2∼SF14 각각에 있어서, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W, 서스테인 행정 I 및 소거 행정 E 각각에 따른 구동을 순차 실시시킬 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다. 또한, 구동제어회로(560)는, 서브필드 SF2에 있어서, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에 앞서, 제2 리셋 행정 R2에 따른 구동을 순차적으로 실시시킬 각종 제어 신호를 패널 드라이버에 공급한다.At this time, the
패널 드라이버, 즉, X전극 드라이버(51), Y전극 드라이버(53) 및 어드레스 드라이버(55)는, 구동 제어 회로(560)로부터 공급된 각종 제어 신호에 따라, 도20에 나타낸 바와 같이 각종 구동 펄스를 생성하여 PDP(50)의 열전극 D, 행전극 X 및 Y에 공급한다.The panel driver, i.e., the
또한, 도20에 있어서는, 도19에 나타낸 서브필드 SF1∼SF14 중, 선두의 서브필드 SF1과, 그에 이은 서브필드 SF2 및 최후미의 서브필드 SF14에서의 동작만을 발췌하여 나타낸 것이다. 또한, 도20에 있어서, 서브필드 SF1의 제1리셋 행정 R1과 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W 및 미소 발광 행정 LL 각각에서의 동작, 및 SF2의 제2리셋 행정 R2, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W 및 서스테인 행정 I에서의 동작은 도18에 나타낸 것과 동일하기 때문에 설명은 생략한다.In FIG. 20, only the operations in the first subfield SF1, followed by the subfield SF2 and the last subfield SF14, are shown in the subfields SF1 to SF14 shown in FIG. 20, operations in the first reset step R1 of the subfield SF1, the first selective write address step W1 W, and the micro light emission step LL, respectively, and the second reset step R2 of the SF2, the second selective write address step. Since the operations in W2 W and the sustain stroke I are the same as those shown in Fig. 18, the description is omitted.
서브필드 SF2∼SF14 각각의 소거 행정 E에서는, Y전극 드라이버(53)는, 제1리셋 행정 R1 또는 제2리셋 행정 R2의 후반부에 있어서 인가된 리셋 펄스 RP1Y2 또는 RP2Y2와 동일 파형을 갖는 부극성의 소거 펄스 EP를 행전극 Y1~Yn에 인가한다. 이때, X전극 드라이버(51)는, 제2리셋 행정 R2의 후반부와 동일하게, 정극성의 소정의 피크 전위를 갖는 베이스 펄스 BP+을 모든 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. 이러한 소거 펄스 EP 및 베이스 펄스 BP+에 따라, 상기와 같이 서스테인 방전이 야기된 화소 셀 PC 내에서 미약한 소거 방전이 야기된다. 이러한 소거 방전에 의해, 화소 셀 PC 내에 형성되어 있던 벽전하의 일부가 소거되고, 이 화소 셀 PC는 OFF 모드 상태로 천이한다. 또한, 소거 펄스 EP의 인가에 따라, 화소 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 간에도 미약한 방전이 야기된다. 이러한 방전에 의해 열전극 D근방에 형성되어 있는 정극성의 벽전하는, 다음의 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에 있어서 올바르게 선택 기입 어드레스 방전을 야기시킬 수 있는 양으로 조정된다. 또한, 서브필드 SF3∼SF14 각각에서는, 선택 소거 어드레스 행정 WD 대신 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W가 실시된다.In the erasing stroke E of each of the subfields SF2 to SF14, the
도20에 나타낸 서브필드 SF3∼SF14 각각의 서스테인 행정 I에서는, X전극 드라이버(51) 및 Y 전극 드라이버(53)가, 행전극 Y 및 X 교대로, 그 서브필드의 휘도 웨이트에 대응한 횟수분만큼 반복하고, 정극성의 피크 전위 Vsus 및 펄스폭 Wb를 갖는 서스테인 펄스 IP를 행전극 Y1∼Yn 및 X1∼Xn에 인가한다. 이러한 서스테인 펄스 IP가 인가될 때마다, ON 모드로 설정되어 있는 화소 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 서스테인 방전이 야기된다. 이러한 서스테인 방전에 수반하여 형광체층(17)으로부터 조사되는 빛이 전면 투명 기판(10)을 통해 외부에 조사됨으로써, 그 서브필드 SF의 휘도 웨이트에 대응한 횟수분의 표시 발광이 실시된다. 또한, 각 서스테인 행정 I 내에 있어서 인가되는 서스테인 펄스 IP의 총수는 홀수이다. 즉, 각 서스테인 행정 I 내에 있어서 선두의 서스테인 펄스 IP 및 최종의 서스테인 펄스 IP는 모두, 행전극 Y에 인가되게 된다. 따라서, 각 서스테인 행정 I의 종료 직 후, 서스테인 방전이 야기된 화소 셀 PC 내의 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 행전극 X 및 열전극 D 각각의 근방에는 각각 정극성의 벽전하가 형성된다. 이에 의해, 각 회소 셀 PC 내의 벽전하의 형성 상태는 제1리셋 행정 R1 또는 제2 리셋 행정 R2에서의 제1 리셋 방전 종료 직후와 동일하게 된다. 따라서, 그 직후에 실시되는 소거 행정 E에 있어서, 제1 리셋 행정 R1 또는 제2리셋 행정 R2의 후반부에 있어서 인가되는 리셋 펄스 RP1Y2 또는 RP2Y2와 동일 파형을 갖는 소거 펄스 EP를 행전극 Y에 인가함으로써, 모든 화소 셀 PC의 상태를 OFF 모드의 상태로 천이시킬 수 있는 것이다.In the sustain step I of each of the subfields SF3 to SF14 shown in Fig. 20, the number of times the
여기에서, 도19 및 도20에 나타내는 구동에 의해, 흑표시(휘도 레벨 0)를 나타내는 제1 계조보다도 1단계만큼 고휘도인 제2계조를 나타내는 경우에는, 서브필드 SF1∼SF14 중 SF1에서만 선택 기입 어드레스 방전을 야기시킨다. 이에 의해 SF1∼SF14 각각 내의 SF1에서만 표시 화상에 관여하는 방전으로서 미소발광 방전이 야기된다. 또, 이러한 제2계조보다도 1 단계만큼 고휘도인 제3계조를 나타내는 경우에는, 서브필드 SF1~SF14 중의 SF2에서만 선택 기입 어드레스 방전을 야기시킨다. 이에 의해, 서브필드 SF1~SF14 각각 내의 SF2에서만 표시 화상에 관여하는 방전으로서 1회분의 서스테인 방전이 야기된다. 그리고, 제4 계조 이후에서는, 서브필드 SF1 및 SF2 각각에서 선택 기입 어드레스를 야기시키고, 또한, 그 계조에 대응한 수 만큼 연속된 서브필드 각각에서 선택 기입 어드레스를 야기시킨다. 이에 의해, 표시 화상에 관여하는 방전으로서, 우선, 서브필드 SF1에서 미소발광 방전이 야기된 후, 그 계조에 대응한 수만큼 연속된 서브필드 각각에서 서스테인 방전이 야기된다. 이러한 구동에 의하면 도16과 같은 16 계조분의 중간 휘도 표시가 가능하게 된다.19 and 20, when the second gradation that is higher in brightness by one step than the first gradation that represents the black display (luminance level 0) is displayed, it is selected and written only in SF1 among the subfields SF1 to SF14. Cause an address discharge. As a result, the microluminescence discharge is caused as the discharge which is associated with the display image only in SF1 in each of SF1 to SF14. In addition, when the third gradation which is higher in brightness by one step than the second gradation is displayed, the selective write address discharge is caused only in SF2 in the subfields SF1 to SF14. As a result, one sustain discharge is caused as the discharge related to the display image only in SF2 in each of the subfields SF1 to SF14. After the fourth gradation, the selective write address is caused in each of the subfields SF1 and SF2, and the selective write address is caused in each successive subfield by the number corresponding to the gradation. As a result, as the discharges involved in the display image, first, micro-luminescent discharges are caused in the subfield SF1, and then sustain discharges are caused in each successive subfield by the number corresponding to the gray level. According to such driving, intermediate luminance display of 16 gradations as shown in Fig. 16 is enabled.
이때, 도19 및 도20에 나타낸 구동에 의하면, 제1리셋 행정 R1 또는 제2 리셋 행정 R2에서 행전극 Y에 인가되는 리셋 펄스 RP1Y2 또는 RP2Y2와, 소거 행정 E에 있어서 행전극 Y에 인가되는 소거 펄스 EP가 동일 파형이기 때문에, 양자는 공통의 회로로 생성하는 것이 가능하다. 또한, 서브필드 SF1∼SF14 각각에서는, 화소 셀 PC의 상태(ON 모드, OFF 모드)를 설정하는 방법으로서, 선택 기입에 어드레스 행정만을 채용한 것으로, 주사 펄스를 생성하는 회로는 1계통만으로 충분하다. 또한, 이러한 선택 기입 어드레스 행정에서는, 열전극측을 양극으로 한 일반적인 열측 양극 방전을 야기시킨다.At this time, according to the driving shown in Figs. 19 and 20, the reset pulse RP1 Y2 or RP2 Y2 applied to the row electrode Y in the first reset step R1 or the second reset step R2 and the row electrode Y in the erase step E are applied. Since the erase pulse EP is the same waveform, both can be generated by a common circuit. In each of the subfields SF1 to SF14, as a method for setting the state (ON mode, OFF mode) of the pixel cell PC, only an address stroke is used for selective writing, and only one circuit is sufficient for generating a scanning pulse. . In addition, in this selective write address process, a general column side anode discharge with the column electrode side as the anode is caused.
따라서, PDP(50)를 구동함에 있어서, 도19 및 도20에 나타낸 것과 같은 선택 기입기입 어드레스 법을 채용한 경우에는, 도17 및 도18에 나타낸 바와 같은 선택 소거 어드레스 법을 채용한 경우에 비해, 각종 구동 펄스를 생성하기 위한 패널 드라이버를 저렴하게 구축하는 것이 가능하게 된다.Therefore, in the case of driving the
또한, 도17 또는 도19에 나타낸 구동에서는, 선두의 서브필드 SF1의 제1 리셋 행정 R1에 있어서, 열전극 D를 음극측, 행전극 Y를 양극측으로 한 전압을 두 전극간에 인가함으로써, 행전극 Y로부터 열전극 D를 향해 전류가 흐르는 열측 음극 방전을 제1 리셋 방전으로서 야기시키도록 하고 있다. 따라서, 이러한 제1 리셋 방 전시에는, 방전 가스내의 양이온이 열전극 D를 향할 때, 도5에 나타낸 바와 같은 형광체층(17) 내에 포함되는 2차 전자 방출 재료로서의 MgO결정체에 충돌하여, 이 MgO결정체로부터 2차 전자를 방출시킨다. 특히, PDP(50)에서는, MgO결정체를 도5에 나타낸 바와 같이 방전 공간에 노출시킴으로써, 양이온과의 충돌 확률을 높이고, 2차 전자를 효율적으로 방전공간에 방출시키도록 하고 있다. 즉, 이러한 2차 전자에 의한 프라이밍 작용에 의해 방전 셀 P의 방전 개시 전압이 낮아지기 때문에, 비교적 약한 리셋 방전을 야기시키는 것이 가능하게 된다. 따라서, 리셋 방전의 미약화에 의해 그 방전에 따른 발광 휘도가 저하하기 때문에, 암 콘트라스트를 향상시킨 표시가 가능하게 된다.In the drive shown in Fig. 17 or 19, in the first reset step R1 of the leading subfield SF1, a row electrode is applied between two electrodes by applying a voltage having the column electrode D as the cathode side and the row electrode Y as the anode side. A column-side cathode discharge flowing from Y to the column electrode D is caused as the first reset discharge. Therefore, in the first reset room display, when the cation in the discharge gas is directed to the column electrode D, the MgO crystal as the secondary electron emission material contained in the
또한, 도17 또는 도19에 나타낸 구동에서는, 도3에 나타낸 바와 같은 전면 투명 기판(10) 측에 형성되어 있는 행전극 Y 및 배면 기판(14) 측에 형성되어 있는 열전극 D 사이에 리셋 방전을 일으키고 있다. 따라서, 함께 전면 투명 기판(10) 측에 형성되어 있는 행전극 X 및 Y 간에서 리셋 방전을 야기시키는 경우에 비해, 전면 투명 기판(10) 측에부터 외부에 방출되는 방전이 적어지기 때문에, 암 콘트라스트의 향상을 꾀할 수 있다.In the driving shown in Fig. 17 or 19, the reset discharge is formed between the row electrode Y formed on the front
또한, 도15에 나타낸 PDP(50)에 있어서는, 각 방전 셀 PC 내의 전면 투명 기판(10) 측에 형성되어 있는 산화 마그네슘층(13)만이 아니라, 배면 기판(14) 측에 형성되어 있는 형광체층(17) 내에도, 도5 또는 도14에 나타낸 바와 같이, 2차 전자 방출 재료로서의 CL 발광 MgO결정체를 포함시키도록 하고 있다.In the
따라서, 산화 마그네슘층(13)에만 CL 발광 MgO결정체를 포함시킨 방전 셀에 서의 열측 음극 방전(도11에 도시)에 비해, 약한 방전을 단기간 내에 종식시키는 것이 가능하게 된다(도12에 도시). 따라서, 방전 강도가 매우 약한 열측 음극 방전을 리셋 방전으로서 야기시킬 수 있기 때문에, 화상의 콘트라스트, 특히 어두운 화상을 표시할 때의 암 콘트라스트를 높이는 것이 가능하게 된다. Therefore, it is possible to terminate the weak discharge in a short time as compared with the column-side cathode discharge (shown in FIG. 11) in the discharge cell in which the CL oxide light-emitting MgO crystal is included only in the magnesium oxide layer 13 (shown in FIG. 12). . Therefore, since the side-side cathode discharge having a very low discharge intensity can be caused as a reset discharge, it is possible to increase the contrast of the image, especially the dark contrast when displaying a dark image.
또한, 도17 및 도18, 또는, 도19 및 도20에 나타낸 구동에서는, 선두 서브필드 SF1에서, 우선 전 방전 셀 PC를 리셋 방전시킴으로써 OFF 모드로 초기화하고, 흑 표시(휘도 레벨 0)을 행하는 경우를 제외하고, 각 방전 셀 PC에 대해 기입 어드레스 방전을 일으켜 이를 ON 모드로 천이시키도록 하고 있다. 이때, 이러한 구동에 의해 흑 표시를 행하는 경우, 1필드 표시 기간을 통해 야기되는 방전은, 선두 서브필드 SF1에서의 리셋 방전만으로 된다. 따라서, 전 방전 셀을 리셋 방전시켜 ON 모드의 상태로 초기화하고 나서, 이를 OFF 모드 상태로 천이시키도록 하는 선택 소거 어드레스 방전을 야기하는 구동을 채용하는 경우에 비해, 1필드 표시 기간 내에서 야기되는 방전 횟수가 적어진다. 따라서, 이러한 구동에 의하면, 어두운 화상을 표시할 때의 콘트라스트, 이른바 암 콘트라스트를 향상시키는 것이 가능하게 된다.In the driving shown in Figs. 17 and 18 or 19 and 20, in the first subfield SF1, the discharge cell PC is initialized to the OFF mode first by resetting discharge, and black display (luminance level 0) is performed. Except in the case, a write address discharge is generated for each discharge cell PC so as to transition it to the ON mode. At this time, when black display is performed by such driving, the discharge caused through one field display period becomes only the reset discharge in the first subfield SF1. Therefore, compared with the case of employing a drive that causes a selective erase address discharge to reset all discharge cells to reset discharge, initialize it to the ON mode, and then transition it to the OFF mode state, it is caused within one field display period. The number of discharges is small. Therefore, according to such driving, it becomes possible to improve the contrast, so-called dark contrast, when displaying a dark image.
또한, 도17 및 도18 또는 도19 및 도20에 나타낸 구동에서는, 선두의 서브필드 SF1의 리셋 행정 R1에서 열전극 D를 음극측, 행전극 Y를 양극측으로 한 전압을 두 전극 간에 인가함으로써, 행전극 Y로부터 열전극 D를 향해 전류가 흐르는 열측 음극 방전을 제1 리셋 방전으로서 일으키도록 하고 있다. 따라서, 이러한 제1리셋 방전시에는, 방전 가스 내의 양이온이 열전극 D를 향할 때, 도5에 나타낸 바와 같은 형광체층(17) 내에 포함되어 있는 2차 전자 방출 재료로서의 MgO 결정체에 충돌 하고, 이 MgO결정체로부터 2차 전자를 방출시킨다. 특히, 도15에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치의 PDP(50)에서는, MgO결정체를 도5에 나타낸 바와 같이 방전 공간에 노출시킴으로써, 양이온과의 충돌 확률을 높이고 있다. 즉, 이러한 2차 전자에 의한 프라이밍 작용에 의해 방전 셀 PC의 방전 개시 전압이 낮아지기 때문에, 비교적 약한 리셋 방전을 야기시키는 것이 가능하게 된다. 따라서, 리셋 방전의 미약화에 의해 그 방전에 따른 발광 휘도가 저하하기 때문에, 암 콘트라스트를 향상시킨 표시가 가능하게 된다.In the drive shown in Figs. 17 and 18 or 19 and 20, a voltage is applied between the two electrodes with the column electrode D as the cathode side and the row electrode Y as the anode side in the reset step R1 of the leading subfield SF1. A column-side cathode discharge through which current flows from the row electrode Y toward the column electrode D is caused as the first reset discharge. Therefore, during the first reset discharge, when the cations in the discharge gas are directed to the column electrode D, they collide with MgO crystals as secondary electron emission materials contained in the
또한, 도18 또는 도20에 나타낸 구동에서는, 상기 제1 리셋 방전을, 도3에 나타낸 바와 같이, 전면 투명 기판(10)측에 형성되어 있는 행전극 Y, 및 배면 기판(14) 측에 형성되어 있는 열전극 D 간에 야기시키도록 하고 있다. 따라서, 함께 전면 투명 기판(10) 측에 형성되어 있는 행전극 X 및 Y 사이에 리셋 방전을 야기시키는 경우에 비해, 전면 투명 기판(19) 측으로부터 외부로 방출되는 방전광이 적어지기 때문에, 더욱 암 콘트라스트의 향상을 꾀할 수 있다.18 or 20, the first reset discharge is formed on the row electrode Y formed on the front
또한, 도18 또는 도20에 나타낸 구동에서는, 서브필드 SF2의 제2리셋 행정 R2에 있어서, 제1리셋 방전 야기 후, 전 행전극 Y에 리셋 펄스 RP2Y2를 인가하면서 전 행전극 X에 제1 베이스 펄스 BP1+을 인가함으로써, 각 방전셀 PC 내에서 벽전하를 소거하기 위한 제2리셋 방전을 야기시켜 전 방전 셀 PC를 OFF 모드의 상태로 초기회하고 있다. 이때, 이러한 제2리셋 방전을 야기시키도록 행전극 X에 인가되는 제1 베이스 펄스 BP1+의 피크 전위(VB1)은, 이 제2리셋 행정 R2의 직후의 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에서 행전극 X에 인가되는 제2 베이스펄스 BP2+의 피크 전위(VB2)보다도 고전위이다. 즉, 제1 베이스 펄스 BP1+ 및 리셋 펄스 RP2Y2에 의해 행전극 X 및 Y 사이에 인가되는 전압은 비교적 높은 전압으로 되고, 제2리셋 방전의 방전 강도는 커진다. 따라서, 이들 제1 베이스 펄스 BP1+ 및 리셋 펄스 RP2Y2의 인가에 따라, 벽전하를 소거하기 위한 방전으로서 제2 리셋 방전이 야기되지만, 전 방전 셀 PC 내의 행전극 X근방에는 미량의 부극성의 벽전하, 행전극 Y 근방에는 미량의 정극성의 벽전하가 잔류하게 된다.18 or 20, in the second reset step R2 of the subfield SF2, after the first reset discharge is caused, the reset pulse RP2 Y2 is applied to the previous electrode Y while applying the first pulse to the previous electrode X. By applying the base pulse BP1 + , a second reset discharge for erasing the wall charges in each discharge cell PC is caused, thereby initializing all the discharge cells PC in the OFF mode. At this time, the peak potential V B1 of the first base pulse BP1 + applied to the row electrode X so as to cause such a second reset discharge is at the second selective write address step W2 W immediately after the second reset step R2. The electric potential is higher than the peak potential V B2 of the second base pulse BP2 + applied to the row electrode X. That is, the voltage applied between the row electrodes X and Y by the first base pulse BP1 + and the reset pulse RP2 Y2 becomes a relatively high voltage, and the discharge intensity of the second reset discharge becomes large. Therefore, according to the application of these first base pulses BP1 + and the reset pulse RP2 Y2 , a second reset discharge is caused as a discharge for erasing the wall charges, but there is a small amount of negative polarity near the row electrodes X in all the discharge cells PC. In the vicinity of the wall charge and the row electrode Y, a small amount of positive wall charge remains.
따라서, 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W에서, 도18 또는 도20에 나타낸 바와 같이, 정극성의 제2 베이스 펄스 BP2+가 행전극 X에 인가되고 또한 부극성의 베이스 펄스 BP-가 행전극 Y에 인가된 상태에서는 행전극 X 및 Y 사이에 방전이 야기되기 어렵게 된다. 이에 의해, 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W에서 방전 셀 PC를 OFF 모드로 설정하도록, 부극성의 기입 주사 펄스 SPW를 행전극 Y에 인가하면서 0 V의 화소 데이터 펄스 DP를 열전극 D에 인가한 때에 있어서의 행전극 X 및 Y 간에의 오 방전이 방지되는 것이다.Thus, in the second selective writing addressing process W2 W, Fig. 18 or, is positive the second base pulses BP2 + is to the row electrodes X are also the base pulse BP - of negative polarity as shown in Figure 20 - to the row electrode Y In the applied state, it is difficult to cause a discharge between the row electrodes X and Y. Thereby, the pixel data pulse DP of 0 V is applied to the column electrode D while applying the negative write scan pulse SP W to the row electrode Y so as to set the discharge cell PC to the OFF mode in the second selective write address step W2 W. In this case, erroneous discharge between the row electrodes X and Y is prevented.
도18 또는 도20에 나타낸 구동에서는, 휘도 웨이트가 가장 적은 서브필드 SF1의 서스테인 행정에서는, 서스테인 펄스 IP를 1회만 인가함으로써, 서스테인 방전의 횟수를 1회만으로 하여, 저휘도 화상에 대한 표시 재현성을 높이고 있다. 또한, 이 1회분의 서스테인 펄스 IP에 따라 야기된 서스테인 방전의 종식 후, 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 각각 형성된 상태로 된다. 이에 의해, 도18에 나타낸 구동을 실시할 때에는, 서브필드 SF2의 선택 소거 어드레스 행정 WD에 있어서, 열전극 D 및 행전극 Y간에 있어서 열전극 D를 양극측으로 한 방전(이후 “열측 양극 방전”이라고 칭한다)을 선택 소거 어드레스 방전으로서 야기킬 수 있다. 이때, 도18에 나타낸 구동에서는, 서브필드 SF2∼SF14 각각의 서스테인 행정 I에서는, 서스테인 펄스 IP의 인가 횟수를 짝수로 하고 있다. 따라서, 각 서스테인 행정 I의 종식 직후는, 행전극 Y 근방에 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 형성된 상태로 되기 때문에, 각 서스테인 행정 I에 이어 실시되는 선택 소거 어드레스 행정 WD에서는, 열측 양극 방전이 가능하게 된다. 따라서, 열전극 D에 대해서는 정극성의 펄스만 인가되게 되어, 어드레스 드라이버(55)의 높은 코스트화를 피할 수 있다.In the driving shown in Fig. 18 or 20, in the sustaining stroke of the subfield SF1 having the smallest luminance weight, the sustain pulse IP is applied only once, so that the number of sustain discharges is set only once, so that the display reproducibility for the low luminance image is reduced. It is raising. Furthermore, after the end of the sustain discharge caused by this one sustain pulse IP, negative wall charges are formed in the vicinity of the row electrode Y, and positive wall charges are formed in the vicinity of the column electrode D, respectively. Thus, when driving shown in Fig. 18, in the selective erasing address step W D of the subfield SF2, the discharge with the column electrode D on the anode side between the column electrode D and the row electrode Y (hereinafter referred to as "column side anode discharge"). May be caused as a selective erase address discharge. At this time, in the drive shown in Fig. 18, in the sustain step I of each of the subfields SF2 to SF14, the number of application of the sustain pulse IP is even. Therefore, immediately after the end of each sustain stroke I, the negative wall charges are formed in the vicinity of the row electrode Y and the positive wall charges are formed in the vicinity of the column electrode D. Therefore, the selective erasure address stroke performed after each sustain step I is performed. in W D, the column side anode discharge is possible. Therefore, only the positive pulse is applied to the column electrode D, and the high cost of the
[실시예 3]Example 3
도21은, 본 발명의 제3 실시예에 의한 구동 방법에 따라 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 플라즈마 디스플레이 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.Fig. 21 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma display device for driving a plasma display panel according to the driving method according to the third embodiment of the present invention.
도21에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치의 PDP(50)는, 도1에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치의 PDP(50)와 동일하며, 즉, 도2∼도5, 도14에 나타낸 바와 같 은 구조를 갖는 것이다. 또한, 도21에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서의 Y전극 드라이버(53), 어드레스 드라이버(55) 및 구동 제어 회로(56) 각각의 동작도, 도1에 나타낸 것과 동일하다. 즉, 구동제어 회로(56)는, 선택 소거 어드레스법을 채용한 경우에는 도7, 선택 기입 어드레스법을 채용한 경우에는 도9에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라 PDP(50)를 구동시킬 각종 제어 신호를 패널 드라이버(X전극 드라이버 51a, Y전극 드라이버 53, 어드레스 드라이버 55)에 공급한다.The
패널 드라이버는, 선택 소거 어드레스법이 채용된 경우에는 도7에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라, 서브필드 SF1∼SF14 각각마다 도22에 나타낸 바와 같은 각종 구동 펄스를 발생하고, PDP(50)의 열전극 D, 행전극 X 및 Y에 인가한다. 한편, 선택 기입 어드레스 법이 채용된 경우에는, 패널 드라이버는, 도9에 나타내는 발광 구동 시퀀스에 따라, 서브필드 SF1∼SF14 각각마다 도23에 나타낸 바와 같은 각종 구동 펄스를 발생하고, PDP(50)의 열전극 D, 행전극 X 및 Y에 인가한다.When the selective erase address method is adopted, the panel driver generates various drive pulses as shown in FIG. 22 for each of the subfields SF1 to SF14 in accordance with the light emission drive sequence shown in FIG. D, row electrodes X and Y. On the other hand, when the selective write address method is adopted, the panel driver generates various drive pulses as shown in FIG. 23 for each of the subfields SF1 to SF14 in accordance with the light emission drive sequence shown in FIG. To column electrodes D, row electrodes X and Y.
도22에 있어서, 서브필드 SF2∼SF14 각각에서의 인가 동작, 및 서브필드 SF1의 리셋 행정 R의 전반부 및 서스테인 행정 I에서의 인가 동작은, 도8에 나타낸 것과 동일하다. 또 도23에 있어서, 서브필드 SF2∼SF14 각각에서의 인가 동작 및 서브필드 SF1의 리셋 행정 R의 전반부, 서스테인 행정 I 및 소거 행정 E 각각에서의 인가 동작은, 도10에 나타낸 것과 동일하다.In Fig. 22, the applying operation in each of the subfields SF2 to SF14, and the applying operation in the first half of the reset step R and the sustain step I of the subfield SF1 are the same as those shown in Fig.8. 23, the application operation in each of the subfields SF2 to SF14 and the first half of the reset step R of the subfield SF1, the sustain step I and the erasing step E are the same as those shown in FIG.
즉, 도22(또는 도23)에 있어서는, 서브필드 SF1의 리셋 행정 R의 후반부에서 행전극 X에 인가되는 제1 베이스 펄스 BP1a+ 및 SF1의 선택 기입 어드레스 행정 Ww에서 행전극 X에 인가되는 제2 베이스 펄스 BP2a+를 제외한 다른 구동 펄스는 도8(또는 도10)에 나타낸 것과 동일하다.That is, in Fig. 22 (or Fig. 23), the first base pulses BP1a + and SF1 applied to the row electrodes X at the second half of the reset step R of the subfield SF1 are applied to the row electrodes X in the selective writing address step Ww of SF1. The other driving pulses except for the two base pulses BP2a + are the same as those shown in Fig. 8 (or Fig. 10).
따라서, 이하에, 도22(또는 도23) 중에서, SF1의 리셋 행정 R의 후반부, 및 SF1의 선택 기입 어드레스 행정 Ww 각각에 인가되는 구동펄스만을 발췌하여, 그 동작에 대해 설명한다.Therefore, in Fig. 22 (or Fig. 23), only the driving pulse applied to each of the second half of the reset step R of SF1 and the selective write address step Ww of SF1 will be described, and the operation thereof will be described.
리셋 행정 R의 후반부에 있어서, Y전극 드라이버(53)는, 도22 또는 도23에 나타낸 바와 같이, 시간경과에 따른 전연부에서의 전위 추이가 완만한 부극성의 리셋 펄스 RPY2를 모든 행전극 Y에 인가한다. 이때, X전극 드라이버(51a)는, 펄스의 최고 전위로서 정극성의 피크 전위를 갖는 제1 베이스 펄스 BP1a+를 전 행전극 X에 인가한다. 이들 제1 베이스 펄스 BP1a+ 및 리셋 펄스 RPY2의 인가에 의해, 전 방전 셀 내에 있어서 제2리셋 방전이 야기된다. 이러한 제2리셋 방전에 의해, 전 방전 셀은 OFF 모드로 초기화된다. 또한, 상기 리셋 펄스 RPY2의 인가에 의하면, 전 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 사이에 있어서도 미약한 방전이 야기되고, 열전극 D 근방에 형성되어 있던 정극성의 벽전하의 일부가 소거된다. 이에 의해 전 방전 셀 PC의 열전극 D 근방에 잔류하는 벽전하량이, 선택 기입 어드레스 행정 Vw에 있어서 올바르게 선택 기입 어드레스 방전을 야기시킬 수 있는 양으로 조정된 다.In the second half of the reset step R, the
그리고, 이러한 리셋 행정 R의 직후의 선택 기입 어드레스 행정 Ww의 실행기간에 걸쳐, X전극 드라이버(51a)는, 도22 또는 도23에 나타낸 바와 같은, 펄스의 최고 전위로서 정성의 제1 베이스 펄스 BP1a+보다도 높은 정극성의 피크 전위를 갖는 제2 베이스 펄스 BP2a+를 전 행전극 X에 인가한다. 또한, 이러한 선택 기입 어드레스 행정 Ww에 있어서, Y전극 드라이버(53)는, 도22 또는 도23에 나타낸 바와 같은 부극성의 피크 전위를 갖는 베이스 펄스 BP-를 행전극 Y1∼Yn에 동시에 인가하면서, 부극성의 피크 전위를 갖는 기입 주사 펄스 SPW를 행전극 Y1∼Yn 각각에 순차 택일적으로 인가한다. 이때, 어드레스 드라이버(55)는, ON 모드로 설정시킬 방전 셀 PC에 대해서는 정극성으로 고전압의 화소 데이터 펄스 DP, OFF 모드로 설정시킬 방전 셀 PC에 대해서는 0 V의 화소 데이터 펄스 DP를 발생하고, 이를 기입 주사 펄스 SPW의 인가타이밍에 동기하여 1표시 라인분씩 열전극 D에 인가한다. 이때, 상기 기입 주사 펄스 SPW와 동시에, ON 모드로 설정시키도록 하는 고전압의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 간에는 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 또한, 이러한 선택 기입 어드레스 방전 직 후, 이 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 간에도 미약한 방전이 야기된다. 즉, 기입 주사 펄스 SPW가 인가된 후, 행전극 X 및 Y 사이에는 상기 베이스 펄스 BP- 및 제2 베이스 펄스 BP2a+에 따른 전압이 인가되지만, 이 전압은 각 방전 셀 PC의 방전 개시 전압보다도 낮은 전압으로 설정되어 있기 때문에, 이러한 전압의 인가만으로는 방전 셀 PC 내에 방전이 야기되지 않는다. 그러나, 상기 선택 기입 어드레스 방전이 야기되면, 이 선택 기입 어드레스 방전에 유발되어, 베이스 펄스 BP- 및 제2 베이스 펄스 BP2a+에 의한 전압 인가만으로, 행전극 X 및 Y 간에도 미약한 방전이 야기된다. 이러한 미약한 방전 및 상기 선택 기입 어드레스 방전에 의해, 방전 셀 PC는, 그 행전극 Y 근방에 정극성의 벽전하, 행전극 X 근방에 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에 부극성의 벽전하가 각각 형성된 상태, 즉, ON 모드로 설정된다.Then, over the execution period of the selective write address step Ww immediately after the reset step R, the
여기에서, 도22 또는 도23에 나타낸 구동에서는, 선택 기입 어드레스 방전 직후, 상술한 바와 같은 미약한 방전을 확실히 야기시키도록, 제1 베이스 펄스 BP1a+보다도 높은 피크 전위를 갖는 제2 베이스 펄스 BP2a+를 행전극 X에 인가하도록 하고 있다.Here, in the driving shown in Fig. 22 or 23, the second base pulse BP2a + having a peak potential higher than the first base pulse BP1a + so as to surely cause the weak discharge as described above immediately after the selective write address discharge. Is applied to the row electrode X.
즉, 고해상도의 PDP, 즉 1화면내의 화소수가 많은 PDP에서는, 화소수가 적은 PDP에 비해 각 화소 사이에서의 방전 강도의 불균일, 특히, 각 방전 셀 내의 행전극 Y 및 열전극 D 사이에서의 대향 방전에 있어서 방전 강도의 불균일이 커진다. 따라서, 방전 셀마다의 방전 강도의 불균일에 따라, PDP(50) 내에는, 방전 강도가 약한 선택 기입 어드레스 방전이 야기되는 방전 셀 PC가 존재하는 경우가 있다. 이와 같은 방전 셀 PC에서는, 선택 기입 어드레스 방전 직후에, 전술한 바와 같은 미 약한 방전을 확실히 야기시키는 것이 곤란하다.That is, in a high resolution PDP, i.e., a PDP having a large number of pixels in one screen, an unevenness in discharge intensity between each pixel compared to a PDP having a small number of pixels, in particular, a counter discharge between the row electrodes Y and the column electrodes D in each discharge cell. The nonuniformity of discharge intensity becomes large. Therefore, depending on the nonuniformity of discharge intensity for each discharge cell, there may be a discharge cell PC in the
따라서, 도22 또는 도23에 나타낸 구동에서는, 선택 기입 어드레스 행정 Ww의 실행기간 중에 걸쳐 제1 베이스 펄스 BP1a+보다 고전위의 제2 베이스 펄스 BP2a+를 행전극 X에 인가함으로써 선택 기입 어드레스 방전이 약한 방전으로 되어 버리는 방전 셀에 대해서도, 확실히 미약한 방전을 야기시키도록 한 것이다.Thus, the selective writing address discharge is generated by applying the FIG. 22 or the driving as shown in Figure 23, the selective write address step Ww second base pulse BP2a + row electrodes X the above classic than that of the first base pulse BP1a + throughout the execution period The discharge cells which become weak discharges are surely caused to have weak discharges.
[실시예 4]Example 4
도24는, 본 발명의 제4 실시예에 의한 구동 방법에 따라 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 플라즈마 디스플레이 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.Fig. 24 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma display device for driving a plasma display panel according to the driving method according to the fourth embodiment of the present invention.
도24에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치의 PDP(50)는, 도15에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치의 PDP(50)와 동일하게, 즉, 도2∼도5, 도14에 나타낸 바와 같은 구조를 갖는 것이다. 또, 도24에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에서의 Y전극 드라이버(53), 어드레스 드라이버(55) 및 구동 제어 회로(560) 각각의 동작도, 도15에 나타낸 것과 동일하다. 즉, 구동 제어 회로(560)는, 선택 소거 어드레스법을 채용한 경우에는 도17, 선택 기입 어드레스법을 채용한 경우에는 도19에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라, PDP(50)를 구동시킬 각종 제어 신호를 패널 드라이버(X전극 드라이버 51b, Y전극 드라이버 53, 어드레스 드라이버 55)에 공급한다.The
패널 드라이버는, 선택 소거 어드레스법이 채용된 경우에는 도17에 나타내는 발광 구동 시퀀스에 따라서, 서브필드 SF1∼SF14 각각마다 도25에 나타낸 바와 같은 각종 구동 펄스를 발생하고, PDP(50)의 열전극 D, 행전극 X 및 Y에 인가한다. 한편, 선택 기입 어드레스법이 채용된 경우에는, 패널 드라이버는, 도19에 나타내는 발광 구동 시퀀스에 따라, 서브필드 SF1∼SF14 각각마다 도26에 나타낸 바와 같은 각종 구동 펄스를 발생하고, PDP(50)의 열전극 D, 행전극 X 및 Y에 인가한다.When the selective erase address method is adopted, the panel driver generates various drive pulses as shown in FIG. 25 for each of the subfields SF1 to SF14 in accordance with the light emission drive sequence shown in FIG. 17, and generates the column electrodes of the
또한, 도25에 있어서, 서브필드 SF1 및 SF3∼SF14 각각에서의 인가동작, 및 서브필드 SF2의 제2리셋 행정 R2의 전반부 및 서스테인 행정 I에서의 인가 동작은, 도18에 나타낸 것과 동일하다. 또한, 도26에 있어서 서브필드 SF1 및 SF3∼SF14 각각에서의 인가 동작 및 서브필드 SF2의 제2리셋 행정 R2의 전반부, 서스테인 행정 I 및 소거 행정 E 각각에서의 인가 동작은, 도20에 나타낸 것과 동일하다.25, the application operation in each of the subfields SF1 and SF3 to SF14, the first half of the second reset step R2 of the subfield SF2, and the application operation in the sustain step I are the same as those shown in FIG. In FIG. 26, the application operation in each of the subfields SF1 and SF3 to SF14 and the first half of the second reset step R2, the sustain step I and the erasing step E of the subfield SF2 are the same as those shown in FIG. same.
도25(또는 도26)에 있어서는, SF2의 제2리셋 행정 R2의 후반부에서 행전극 X에 인가되는 제1 베이스 펄스 BP1b+ 및 SF2의 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에서 행전극 X에 인가되는 제2 베이스 펄스 BP2b+를 제외한 다른 구동 펄스는, 도18(또는 도20)에 나타낸 것과 동일하다.In Fig. 25 (or Fig. 26), the first base pulse BP1b + applied to the row electrode X at the second half of the second reset step R2 of SF2 and the second selective write address step W2 W of SF2 are applied to the row electrode X. The other driving pulses except for the second base pulse BP2b + are the same as those shown in Fig. 18 (or Fig. 20).
이하에, 도25(또는 도26)로부터, SF2의 제2리셋 행정 R2의 후반부 및 SF2의 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W 각각에 인가되는 구동 펄스만을 발췌하여, 그 인가 동작에 대해서 설명한다.In the following, only the driving pulses applied to each of the second half of the second reset step R2 of SF2 and the second selective write address step W2 W of SF2 will be described, and the application operation thereof will be described.
서브필드 SF2의 제2리셋 행정 R2의 후반부에 있어서, Y전극 드라이버(53)는, 도25 또는 도26에 나타낸 바와 같이, 시간 경과에 따른 전연부에서의 전위 추이가 완만한 부극성의 리셋 펄스 RP2Y2를 전 행전극 Y에 인가한다. 이때, X전극 드라이 버(51b)는, 펄스의 최고 전위로서 정극성의 피크 전위를 갖는 제1 베이스 펄스 BP1b+를 전 행전극 X에 인가한다. 이들 제1 베이스 펄스 BP1b+ 및 리셋 펄스 RP2Y2의 인가에 의해, 전 방전 셀 내에 있어서 제2리셋 방전이 야기된다. 이러한 제2리셋 방전에 의해 전 방전 셀은 OFF 모드로 초기화된다. 또한, 상기 리셋 펄스 RP2Y2의 인가에 의하면, 전 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 간에 있어서도 미약한 방전이 야기되고, 열전극 D 근방에 형성되어 있던 정극성의 벽전하의·일부가 소거된다. 이에 의해, 전 방전 셀 PC의 열전극 D 근방에 잔류하는 벽전하량이, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에 있어서 올바르게 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키는 것이 가능한 양으로 조정된다.In the second half of the second reset step R2 of the subfield SF2, as shown in FIG. 25 or 26, the
그리고, 이러한 제2 리셋 행정 R2의 직후의 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W의 실행 기간에 걸쳐, X전극 드라이버(51b)는, 상기 제1 베이스 펄스 BP1b+보다 높은 피크 전위를 갖는, 도25 또는 도26에 나타낸 바와 같이, 펄스의 최고 전위로서 정극성의 피크 전위를 갖는 제2 베이스 펄스 BP2b+를 전 행전극 X에 인가한다. 또한, 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W에 있어서, Y전극 드라이버(53)는, 도25 또는 도26에 나타낸 바와 같은 부극성의 피크 전위를 갖는 베이스 펄스 BP-를 행전극 Y1∼Yn에 동시에 인가하면서, 부극성의 피크 전위를 갖는 기입 주사 펄스 SPW를 행전 극 Y1~Yn에 순차 택일적으로 인가한다. 이때, 어드레스 드라이버(55)는, ON 모드로 설정시킬 방전 셀 PC에 대해서는 정극성으로 고전압의 화소 데이터 펄스 DP, OFF 모드로 설정시킬 방전 셀 PC에 대해서는 0 V의 화소 데이터 펄스 DP를 발생하고, 이를 기입 주사 펄스 SPW의 인가 타이밍에 동기하여 1표시 라인분씩 열전극 D에 인가한다. 이때, 상기 기입 주사 펄스 SPW와 동시에, ON 모드로 설정시킬 고전압의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 간에는 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 또한, 이러한 선택 기입 어드레스 방전의 직 후, 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 간에도 미약한 방전이 야기된다. 즉, 기입 주사 펄스 SPW가 인가된 후, 행전극 X 및 Y 간에는 상기 베이스 펄스 BP- 및 제2 베이스 펄스 BP2b+에 따른 전압이 인가되나, 이 전압은 각 방전 셀 PC의 방전 개시 전압보다도 낮은 전압으로 설정되기 때문에, 이러한 전압의 인가만으로는 방전 셀 PC 내에서 방전이 야기되지 않는다. 그러나, 상기 선택 기입 어드레스 방전이 야기되면, 이 선택 기입 어드레스 방전에 유발되어, 베이스 펄스 BP- 및 제2 베이스펄스 BP2+에 의한 전압의 인가만으로, 행전극 X 및 Y 간에도 미약한 방전이 야기된다. 이러한 미약 방전 및 상기 선택 기입 어드레스 방전에 의해, 방전 셀 PC는, 그 행전극 Y근방에 정극성의 벽전하, 행전극 X 근방에 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에 부극성의 벽전하가 각각 형성된 상태, 즉 ON 모드로 설정된다.Then, over the execution period of the second selective write address step W2 W immediately after the second reset step R2, the
여기에서, 도25 또는 도26에 나타낸 구동에서는, 제2선택 기입 어드레스 행 정 W2W에 있어서, 선택 기입 어드레스 방전 직후에 상기한 바와 같은 미약 방전을 확실히 일으키도록, 제1 베이스 펄스 BP1b+보다도 높은 피크 전위를 갖는 제2 베이스 펄스 BP2b+를 행전극 X 에 인가하도록 하고 있다.Here, in the driving shown in FIG. 25 or FIG. 26, in the second selective write address administration W2 W , higher than the first base pulse BP1b + so as to surely cause the weak discharge as described above immediately after the selective write address discharge. A second base pulse BP2b + having a peak potential is applied to the row electrode X.
즉, 고해상도의 PDP. 즉 1화면내의 화소수가 많은 PDP에서는, 화소수가 적은 PDP에 비해 각 화소 간에서의 방전 강도의 불균일, 특히, 각 방전 셀 내의 행전극 Y 및 열전극 D 사이에서의 대향 방전에 있어서 방전 강도의 불균일이 커진다. 따라서, 방전 셀마다의 방전 강도의 불균일에 따라, PDP(50) 내에는 방전 강도가 약한 선택 기입 어드레스 방전이 야기되어 버리는 방전 셀 PC가 존재하는 경우가 있다. 이와 같은 방전 셀 PC에서는, 선택 기입 어드레스 방전의 직 후에, 전술한 바와 같은 미약 방전을 확실히 야기시키는 것이 곤란하게 된다.That is, high resolution PDP. That is, in the PDP having a large number of pixels in one screen, the nonuniformity of the discharge intensity between each pixel, in particular, the nonuniformity of the discharge intensity in the counter discharge between the row electrode Y and the column electrode D in each discharge cell in comparison with the PDP having a small number of pixels. Will grow. Therefore, there is a case where there is a discharge cell PC in the
따라서,도25 또는 도26에 나타낸 구동에서는, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W의 실행 기간 중에 걸쳐 제1 베이스 펄스 BP1b+보다도 높은 전위의 제2 베이스 펄스 BP2b+를 행전극 X에 인가함으로써, 선택 기입 어드레스 방전이 약한 방전으로 되어 버리는 방전 셀에 대해서도, 확실히 상기 미약 방전을 야기시킬 수 있도록 한 것이다.Therefore, in the driving as shown in Fig. 25 or Fig. 26, in the second selective writing addressing process, selected by applying the first base pulse BP1b + than the high potential second base pulse BP2b + throughout the execution period of W2 W of the row electrodes X The discharge cells in which the write address discharges become weak discharges can be surely caused.
도18, 도20, 도25 및 도26에 각각 나타낸 제1리셋 행정 R1에서는, 그 전반부에 있어서 리셋 펄스 RP1Y1을 행전극 Y1∼Yn에 인가함으로써 열측 음극 방전으로서의 제1 리셋 방전을 야기시키도록 하고 있으나, 이를 생략해도 좋다.In the first reset step R1 shown in Figs. 18, 20, 25 and 26, respectively, the reset pulse RP1 Y1 is applied to the row electrodes Y 1 to Y n in the first half to cause the first reset discharge as the column-side cathode discharge. Although it is supposed to, it may be omitted.
예컨대, 도18, 도20, 도25 및 도26에 각각 나타낸 제1 리셋 행정 R1 대신, 도 27에 나타낸 바와 같이 제1 리셋 행정 R1을 채용한다. 즉, 도27에 나타낸 바와 같이, 제1 리셋 행정 R1의 전반부에서는 행전극 Y1∼Yn을 접지 전위로 고정한다. 즉, 제1리셋 행정 R1의 전반부에 있어서의, 행전극 Y로부터 열전극 D로의 열측 음극 방전의 목적은, 제1 선택 기입 어드레스 행정 W1W에서의 기입 방전을 안정화시키기 위한 하전 입자를 방출시키는 것이다. 그러나, 예컨대 도5 또는 도14에 개시된 바와 같은 CL발광 MgO결정을 포함하는 MgO결정체를 형광체층 내에 포함시키는 구성을 채용한 경우에는, 이와 같은 구성을 채용하지 않는 경우에 비해 기입 주사 방전이 안정된다. 따라서, 제1 리셋 행정 R1의 전반부에서는, 행전극 Y 및 열전극 D 모두 접지 전위로 한, 열측 음극 방전을 야기시키지 않는 구성을 채용하는 것이 가능하게 된다. 이 경우에는, 행전극 X에 대해서도 도27과 같이 접지 전위 레벨로 한다. 또한, 이 경우에도, 제1 리셋 행정 R1의 종료 후, 그 직전의 필드의 소거 행정 E에서의 소거 펄스 EP에 의한 방전 및 리셋 펄스 RP1Y2의 인가에 의한 방전에 의해 전 방전 셀은 소등 상태로 된다. 이때, 도18, 도20, 도25 및 도26에 각각 도시되어 있는 제2 리셋 행정 R2의 전반부에 있어서의 리셋 펄스 RP2Y1의 인가에 의한 열측 음극 방전에 관해서는, 이 리셋 방전에 의해 방출되는 하전 입자는 주로 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W에서의 기입 방전을 안정화시키기 위해 작용한다. 따라서, 제2 리셋 행정 R2의 전반부에 있어서 리셋 펄스 RP2Y1의 인가에 의한 열측 음극 방전을 생략하면, 제2 리셋 행정 R2에서의 기입 실패가 발생한 경우, 서브필드 SF2 이후의 전 서브필드에 있어서 서스테인 방전을 야기시킬 수 없게 된다. 따라서, 제2 리셋 행정 R2의 전반부에 있어서는, 리셋 펄스 RP2Y1의 인가에 의한 열측 음극 방전을 실시하는 것이 바람직하다. 이에 대해서는, 도8, 도10, 도22 및 도23에 각각 나타낸 리셋 행정 R의 전반부에 있어서도 동일하다.For example, instead of the first reset step R1 shown in Figs. 18, 20, 25 and 26, the first reset step R1 is adopted as shown in Fig. 27. That is, as shown in Fig. 27, in the first half of the first reset step R1, the row electrodes Y 1 to Y n are fixed to the ground potential. That is, the purpose of the column-side cathode discharge from the row electrode Y to the column electrode D in the first half of the first reset step R1 is to discharge charged particles for stabilizing the write discharge in the first selective write address step W1 W. . However, in the case where a structure including MgO crystals containing CL-emitting MgO crystals as disclosed in FIG. 5 or 14 in the phosphor layer is employed, the write scan discharge is more stable than in the case where such a structure is not employed. . Therefore, in the first half of the first reset step R1, it is possible to adopt a configuration that does not cause column-side cathode discharge, in which both the row electrode Y and the column electrode D are at ground potentials. In this case, the row electrode X is also set to the ground potential level as shown in FIG. Also in this case, after the end of the first reset step R1, all the discharge cells are turned off by the discharge by the erase pulse EP in the erase step E of the field immediately before the discharge and the discharge by the application of the reset pulse RP1 Y2 . do. At this time, the column-side cathode discharge by application of the reset pulse RP2 Y1 in the first half of the second reset step R2 shown in Figs. 18, 20, 25 and 26, respectively, is emitted by this reset discharge. The charged particles mainly act to stabilize the write discharge in the second selective write address stroke W2 W. Therefore, if the column-side negative electrode discharge due to the application of the reset pulse RP2 Y1 is omitted in the first half of the second reset step R2, when a write failure occurs in the second reset step R2, the sustain is performed in all subfields after the subfield SF2. It cannot be caused to discharge. Therefore, it is preferable to perform column side cathode discharge by application of reset pulse RP2 Y1 in the first half part of 2nd reset process R2. This also applies to the first half of the reset step R shown in Figs. 8, 10, 22, and 23, respectively.
다음에, 본 발명의 다른 실시예에 대해 설명한다. 제5 실시예에 의한 구동 방법에 따라 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 플라즈마 디스플레이 장치는 도15에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치와 동일하고, 도시된 구동 제어 회로(560)는 도16에 나타낸 데이터 변환 테이블에 따라 14비트의 변환 구동 데이터 GD를 생성한다. 또한, 구동 제어 회로(560)는, 도17에 나타낸 바와 같이 발광 구동 시퀀스에 따라 상기 구조를 갖는 PDP(50)를 구동시킬 각종 구동 제어 신호를, X전극 드라이버(51), Y전극 드라이버(53) 및 어드레스 드라이버(55)에 공급한다.Next, another Example of this invention is described. The plasma display device for driving the plasma display panel according to the driving method according to the fifth embodiment is the same as that of the plasma display device shown in Fig. 15, and the driving
패널 드라이버,즉, X전극 드라이버(51), Y전극 드라이버(53) 및 어드레스 드라이버(55)는, 구동 제어 회로(560)로부터 공급된 각종 제어 신호에 따라, 도28에 나타낸 바와 같이 각종 구동 펄스를 생성하여 PDP(50)의 열전극 D, 행전극 X 및 Y에 공급한다.The panel driver, i.e., the
또한, 도28은, 도17에 나타낸 서브필드 SF1∼SF14 중 SF1~SF3 및 최후미의 서브필드 SF14에서의 동작만을 발췌하여 나타낸 것이다.28 shows only the operation | movement in SF1-SF3 and the last subfield SF14 among the subfield SF1-SF14 shown in FIG.
우선, 서브필드 SF1의 제1리셋 행정 R1의 전반부에서는, Y전극 드라이버(53)가, 후술하는 서스테인 펄스에 비해 시간 경과에 따른 전연부에서의 전위 추이가 완만한 파형을 갖는 정극성의 리셋 펄스 RP1Y1을 모든 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 또한, 리셋 펄스 RP1Y1의 피크 전위는, 서스테인 펄스의 피크 전위보다도 고전위이고, 또한 후술하는 리셋 펄스 RP2Y1의 피크 전위보다도 저전위이다. 또한, 이때, 어드레스 드라이버(55)는, 열전극 D1∼Dm을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정한다. 또한, 이때, X전극 드라이버(51)는, 이러한 리셋 펄스 RP1Y1과 동일 극성이고, 또한, 상기 리셋 펄스 RP1Y1의 인가에 수반하는 행전극 X 및 Y 사이에서의 면방전을 방지할 수 있는 피크 전위를 갖는 리셋 펄스 RP1X를 모든 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. 또한, 이때, 행전극 X 및 Y 사이에 면방전이 발생하지 않으면, X전극 드라이버(51)는, 리셋 펄스 RP1X를 인가하는 대신에, 모든 행전극 X1∼Xn을 접지 전위(0 V)로 설정하도록 해도 좋다. 여기에서, 제1리셋 행정 R1의 전반부에서는, 상술한 바와 같은 리셋 펄스 RP1Y1의 인가에 따라, 모든 방전 셀 PC 각각 내의 행전극 Y 및 열전극 D 간에 있어서 제1리셋 방전이 야기된다. 즉, 제1 리셋 행정 R1의 전반부에서는, 행전극 Y가 양극측, 열전극 D가 음극측으로 되도록 두 전극 간에 전압을 인가함으로써, 행전극 Y로부터 열전극 D를 향해 전류가 흐르는 방전(이하, “열측 음극 방전”이라 칭한다)을 상기 제1리셋 방전으로서 야기시키는 것이다. 이러한 제1리셋 방전에 따라, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 형성된다.First, in the first half of the first reset step R1 of the subfield SF1, the
다음에, 서브필드 SF1의 제1리셋 행정 R1의 후반부에서는, Y전극 드라이버(53)가, 시간 경과에 따른 전연부에서의 전위 추이가 완만한 부극성의 리셋 펄스 RP1Y2를 발생하고, 이를 모든 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 또한, 리셋 펄스 RP1Y2에 있어서의 부의 피크 전위는, 후술하는 부극성의 기입 주사 펄스 SPW의 피크 전위보다도 높은 전위, 즉, 0 V에 가까운 전위로 설정되어 있다. 즉, 리셋 펄스 RPY2의 피크 전위를 기입 주사 펄스 SPW의 피크 전위보다도 낮게 하면, 행전극 Y 및 열전극 D 사이에 있어서 강한 방전이 야기되고, 열전극 D 근방에 형성되어 있던 벽전하가 대폭적으로 소거되어 버려, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서의 어드레스 방전이 불안정하게 되기 때문이다. 이때, X전극 드라이버(51)는, 모든 행전극 X1∼Xn을 접지 전위(0 V)로 설정한다. 또한, 리셋 펄스 RP1Y2의 피크 전위는, 상기 제1리셋 방전에 따라 행전극 X 및 Y 근방에 형성된 벽전하를 고려하여, 행전극 X 및 Y 간에 확실히 방진을 야기시킬 수 있는 최저의 전위이다. 여기에서, 제1리셋 행정 R1의 후반부에서는, 상술한 바와 같은 리셋 펄스 RP1Y2의 인가에 따라, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y간에 있어서 제2리셋 방전이 야기된다. 즉, 제1리셋 행정 R1의 후반부에서는, 행전극 Y가 음극측, 열전극 D가 양극측이 되도록 두 전극 간에 전압을 인가함으로써 열전극 D로부터 행전극 Y를 향해 전류가 흐르는 방전(이하, “열 측 양극 방전”이라고 칭한다)을 상기 제2리셋 방전으로서 야기시키는 것이다. 이러한 제2리셋 방전에 의해 각 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 각각의 근방에 형성되어 있던 벽전하가 소거되어 모든 방전 셀 PC가 OFF 모드로 초기화된다. 또한, 상기 리셋 펄스 RP1Y2의 인가에 따라, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 간에도 미약한 방전이 야기된다. 이 미약한 방전에 의해 열전극 D근방에 형성되어 있던 정극성의 벽전하의 일부가 소거되고, 후술하는 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에 있어서 올바르게 선택 기입 어드레스 방전을 야기시킬 수 있는 양으로 조정된다.Next, in the second half of the first reset step R1 of the subfield SF1, the Y-
이와 같이, 제1리셋 행정 R1에서는, 전 행전극 Y에, 리셋 헤드 펄스로서의 리셋 펄스 RP1Y1 및 리셋 테일 펄스로서의 리셋 펄스 RP1Y2를 연속 인가함으로써 각 방전 셀 내에 있어서 제1 및 제2리셋 방전을 순차적으로 야기시키고, 전 방전 셀을 OFF 모드로 초기화한다.In this manner, in the first reset step R1, the first and second reset discharges are discharged in each discharge cell by successively applying the reset pulse RP1 Y1 as the reset head pulse and the reset pulse RP1 Y2 as the reset tail pulse to the preceding electrode Y. It causes sequentially, and initializes all the discharge cells to OFF mode.
다음에, 서브필드 SF1의 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는, Y전극 드라이버(53)가, 도28에 나타낸 바와 같은 부극성의 소정 전위를 갖는 베이스 펄스 BP-를 행전극 Y1∼Yn에 동시에 인가하면서, 부극성의 피크 전위를 갖는 기입 주사 펄스 SPW를 행전극 Y1∼Yn 각각에 순차 택일적으로 인가한다. 이때, 어드레스 드라이버(55)는, 우선, 서브필드 SF1에 대응한 화소 구동 데이터 비트를 그 논리 레벨에 따른 펄스 전압을 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 예를 들면, 어드레스 드 라이버(55)는, 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시킬 논리 레벨 1의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에는 이를 정극성의 피크 전위를 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 한편, 방전셀 PC를 OFF 모드로 설정시키도록 하는 논리 레벨 0의 화소 구동 데이터 비트에 대해서는 이를 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 그리고, 어드레스 드라이버(55)는, 이러한 화소 데이터 DP를 1표시 라인분(m개)씩, 각 기입 주사 펄스 SPW의 인가 타이밍에 동기하여 열전극 D1∼Dm에 인가한다. 이때, 상기 기입 주사 펄스 SPW와 동시에, ON 모드로 설정시킬 고전압의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y간에 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 또한, 이때, 행전극 X 및 Y 간에도 기입 주사 펄스 SPW에 따른 전압이 인가되나, 이 단계에서는 모든 방전 셀 PC는 OFF 모드, 즉 벽전하가 소거된 상태에 있기 때문에, 이러한 기입 주사 펄스 SPW의 인가만으로는 행전극 X 및 Y간에는 방전이 일어나지 않는다. 따라서, 서브필드 SF1의 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는, 기입 주서 펄스 SPW 및 고전압의 화소 데이터 펄스 DP의 인가에 따라, 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에만 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 이에 따라, 방전 셀 PC 내의 행전극 X 근방에는 벽전하가 존재하지 않지만, 행전극 Y근방에는 정극성의 벽전하, 열전극 D근방에는 부극성의 벽전하가 각각 형성된 ON 모드의 상태로 설정된다. 한편, 상기 기입 주사 펄스 SPW와 동시에, OFF 모드로 설정시킬 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열 전극 D 및 행전극 Y 간에는 상술한 바와 같은 선택 기입 어드레스 방전은 야기되지 않는다. 따라서 이 방전 셀 PC는, 제1리셋 행정 R1에 있어서 초기화된 OFF 모드의 상태, 즉, 행전극 Y 및 열전극 D 사이 및 행전극 X 및 Y 사이의 어느 것에 있어서도 방전이 생기지 않는 상태를 유지한다.Next, in the first selective write address step W1 W of the subfield SF1, the
다음에, 서브필드 SF1의 미소 발광 행정 LL에서는, Y전극 드라이버(53)가, 도28에 나타낸 바와 같은 정극성의 소정의 피크 전위를 갖는 미소 발광 펄스 LP를 행전극 Y1∼Yn에 동시에 인가한다. 이러한 미소발광 펄스 LP의 인가에 따라, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에 있어서 방전(이하, "미소 발광 방전"이라고 칭한다)이 일어난다. 즉, 미소 발광 행정 LL에서는, 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 간에서는 방전이 야기되지만, 행전극 X 및 Y 사이에는 방전을 야기시키는 않는 전위를 행전극 Y에 인가함으로서, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 간에서만 미소 발광 방전을 야기시키는 것이다. 이때, 미소발광 펄스 LP의 피크 전위는, 후술하는 서브필드 SF2 이후의 서스테인 행정 I에서 인가하는 서스테인 펄스 IP의 피크 전위보다도 낮은 전위이고, 예를 들면, 후술하는 선택 소거 어드레스 행정 WD에 있어서 행전극 Y에 인가되는 베이스 전위와 동일하다. 또한, 도8에 나타낸 바와 같이, 미소 발광 펄스 LP에 있어서의 전위의 상승 구간에서의 시간경과에 따른는 변화율은, 리셋 펄스(RP1Y1, RP2Y1)에 있어서의 상승 구간에서의 변화율보다도 높게 하고 있다. 즉, 미소 발광 펄스 LP의 전연부에 있어서의 전위 추이보다도 가파르게 함으로써, 제1리 셋 행정 R1 및 제2리셋 행정 R1 및 제2 리셋 행정 R2에서 야기되는 제1리셋 방전보다도 강한 방전을 일으키게 된다. 여기에서, 이러한 방전은, 전술한 바와 같은 열측 음극 방전이고 또한, 서스테인 펄스 IP보다도 그 펄스 전압이 낮은 미소발광펄스 LP에 의해 야기된 방전이기 때문에, 행전극 X 및 Y 간에서 발생하는 서스테인 방전(후술함)보다도 그 방전에 수반하는 발광 휘도가 낮다. 즉, 미소발광 행정 LL에서는, 제1리셋 방전보다도 높은 휘도 레벨의 발광을 수반하는 방전이나, 서스테인 방전보다도 그 방전에 다른 휘도 레벨이 낮은 방전, 즉 표시용으로 이용할 수 있을 정도의 미소한 발광을 수반하는 방전을 미소발광 방전으로서 야기시키는 것이다. 이때, 미소 발광 행정 LL의 직전에 있어서 실시되는 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는, 방전셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에서 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 따라서, 서브필드 SF1에서는, 이러한 선택 기입 어드레스 방전에 수반하는 발광과 상기 미소발광 방전에 수반되는 발광에 의해 휘도 레벨 0보다도 1단계만큼 고휘도인 계조에 대응한 휘도가 표현되는 것이다.Next, in the micro light emission step LL of the subfield SF1, the
또한, 상기 미소발광 방전 후, 행전극 Y근방에는 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 각각 형성된다.After the microluminescence discharge, negative wall charges are formed near the row electrode Y, and positive wall charges are formed near the column electrode D, respectively.
다음에, 서브필드 SF2의 제2리셋 행정 R2의 전반부에서는, Y전극 드라이버(53)가, 후술하는 서스테인 펄스에 비해 시간 경과에 따른 전연부에서의 전위 추이가 완만한 정극성의 리셋 펄스 RP2Y1을 모든 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 또한, 리셋 펄스 RP2Y1의 피크 전위는, 상기 리셋 펄스 RP1Y1의 피크 전위보다 높다. 또한, 이때, 어드레스 드라이버(55)는, 열전극 D1∼Dm을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정하고, X전극 드라이버(51)는, 상기 리셋 펄스 RP2Y1의 인가에 따른 행전극 X 및 Y 간에서의 면방전을 방지할 수 있는 피크 전위를 갖는 정극성의 리셋 펄스 RP2X를 모든 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. 또한, 행전극 X 및 Y 사이에 면방전이 생기지 않으면, X전극 드라이버(51)는, 상기 리셋 펄스 RP2X를 인가하는 대신, 모든 행전극 X1~Xn을 접지 전위(0 V)로 설정하도록 해도 좋다. 상기 리셋 펄스 RP2Y1의 인가에 따라, 방전 셀 PC 각각 내에서 상기 미소발광행정 LL에서 열측 음극 방전이 야기되지 않은 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 사이에 있어서, 이러한 미소발광행정 LL에서의 열측음극 방전보다도 약한 제1리셋 방전이 야기된다. 즉, 제2 리셋 행정 R2의 전반부에서는, 행전극 Y가 양극측, 열전극 D가 음극측으로 되도록 두 전극 간에 전압을 인가함으로써, 행전극 Y로부터 열전극 D를 향해 전류가 흐르는 열측 음극 방전을 상기 제1리셋 방전으로서 야기시키는 것이다. 한편, 상기 미소발광행정 LL에 있어서 이미 미소 발광 방전이 야기된 방전 셀 PC 내에서는, 상기 리셋 펄스 RP2Y1의 인가가 실시되어도 방전은 야기되지 않는다. 따라서, 제2리셋 행정 R2의 전반부의 종료 직후, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 Y근방에는 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 형성된 상태로 된다.Next, in the first half of the second reset step R2 of the subfield SF2, the Y-
다음에, 서브필드 SF2의 제2리셋 행정 R2의 후반부에서는, Y전극 드라이버(53)가, 시간 경과에 따라 전연부에서의 전위 추이가 완만한 부극성의 리셋 펄스 RP2Y2를 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 이때, 리셋 펄스 RP2Y2에 있어서의 부극성의 피크 전위는 도28에 나타낸 바와 같이, 제1리셋 행정 R1에서 전 행전극 Y에 인가된 리셋 펄스 RP1Y2에 있어서의 부극성의 피크 전위보다도 낮고, 또한 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서 행전극 Y에 인가된 기입 주사 펄스 SPW에 있어서의 부극성의 피크 전위보다 높다.Next, in the subfield SF2 of the second in the second half of the resetting process R2,
또한, 제2 리셋 행정 R2의 후반부에서는, X전극 드라이버(51)가, 정극성의 소정 전위를 갖는 베이스 펄스 BP+을 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. 이때, 이들 부극성의 리셋 펄스 RP2Y2 및 정극성의 베이스 펄스 BP+의 인가에 따라, 모든 방전셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 간에 제2리셋 방전이 야기된다. 즉, 제2리셋 행정 R2의 후반부에서는, 행전극 Y가 음극측, 열전극 D가 양극측으로 되도록 두 전극 간에 전압을 인가함으로써, 열전극 D로부터 행전극 Y를 향해 전류가 흐르는 열측 양극 방전을 상기 제2리셋 방전으로서 야기시키는 것이다. 또한, 리셋 펄스 RP2Y2 및 베이스 펄스 BP+ 각각의 전위는, 상기 제1리셋 방전에 의해 행전극 X 및 Y 각각의 근방에 형성된 벽전하를 고려하여, 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 확실히 상기 제2 리셋 방전을 야기시킬 수 있는 최저의 전위이다. 또한, 리셋 펄스 RP2Y2에 있어서의 부의 피크 전위는, 부극성의 기입 주사 펄스 SPW의 피크 전위보다도 높은 전위, 즉 0 V에 가까운 전위로 설정되어 있다. 즉, 리셋 펄스 RP2Y2의 피크 전위를 기입 주사 펄스 SPW의 피크 전위보다도 낮게 하면, 행전극 Y 및 열전극 D 간에 있어서 강한 방전이 야기되고, 열전극 D 근방에 형성되어 있던 벽전하가 대폭적으로 소거되어, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에서의 어드레스 방전이 불안정하게 되기 때문이다. 여기에서, 제2 리셋 행정 R2의 후반부에 있어서 야기된 제2리셋 방전에 의해, 각 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 각각의 근방에 형성되어 있던 벽전하가 소거되고, 모든 방전 셀 PC가 OFF 모드로 초기화된다. 또한, 상기 리셋 펄스 RP2Y2의 인가에 따라, 모든 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 사이에 있어서도 미약한 방전이 야기되고, 이러한 방전에 의해 열전극 D 근방에 형성되어 있던 정극성의 벽전하의 일부가 소거되고, 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W에 있어서 올바르게 선택 기입 어드레스 방전을 일으키게 할 수 있는 양으로 조정된다.In the second half of the second reset step R2, the
이와 같이, 제2리셋 행정 R2에서는, 전 행전극 Y에, 리셋 헤드 펄스로서의 리셋 펄스 RP2Y1 및 리셋 테일 펄스로서의 리셋 펄스 RP2Y2를 연속 초기화함으로써 각 방전 셀 내에 있어서 제1 및 제2리셋 방전을 순차적으로 야기시키고, 전 방전 셀을 OFF 모드로 초기화한다.In this manner, in the second reset step R2, the first and second reset discharges are discharged in each discharge cell by successively initializing the reset pulse RP2 Y1 as the reset head pulse and the reset pulse RP2 Y2 as the reset tail pulse to the preceding electrode Y. It causes sequentially, and initializes all the discharge cells to OFF mode.
다음에, 서브필드 SF2의 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에서는, Y전극 드라이버(53)가, 도28에 나타낸 바와 같은 부극성의 소정 전위를 갖는 베이스 펄스 BP- 를 행전극 Y1∼Yn에 동시에 인가하면서, 부극성의 피크 전위를 갖는 기입 주사 펄스 SPWW를 행전극 Y1~Yn 각각에 순차적으로 택일적으로 인가한다. 또한, 이러한 기입 주사 펄스 SPWW에 있어서의 부극성의 피크 전위는, 도8에 나타낸 바와 같이, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서 각 행전극 Y에 인가된 기입 주사 펄스 SPW에 있어서의 부극성의 피크 전위보다도 낮다. X전극 드라이버(51)는, 리셋 행정 R2의 후반부에서 행전극 X1∼Xn에 인가된 베이스 펄스 BP+를 이 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W 있어서도 계속 행전극 X1∼Xn 각각에 인가한다. 또한, 상기 베이스 펄스 BP- 및 베이스 펄스 BP+ 각각의 전위는, 기입 주사 펄스 SPWW의 비 인가 기간 중에 있어서의 행전극 X 및 Y 간의 전압이 방전 셀 PC의 방전 개시 전압보다도 낮아지도록 한 전위로 설정되어 있다. 또한, 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W에서는, 어드레스 드라이버(55)가, 우선, 서브필드 SF2에 대응한 화소 구동 데이터 비트를 그의 논리 레벨에 따른 펄스 전압을 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 예컨대, 어드레스 드라이버(55)는, 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시킬 논리 레벨 1의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에는 이를 정극성의 피크 전위를 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 한편, 방전 셀 PC를 OFF 모드로 설정시킬 논리 레벨 0의 화소 구동 데이터 비트에 대해서는 이를 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 그 리고, 어드레스 드라이버(55)는, 이러한 화소 데이터 펄스 DP를 1 표시라인분(m개)씩, 각 기입 주사 펄스 SPWW의 인가 타이밍에 동기하여 열전극 D1∼Dm에 인가한다. 이때, 상기 기입 주사 펄스 SPWW와 동시에, ON 모드로 설정시키도록 하는 고전압의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 간에는 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 또한, 이러한 선택 기입 어드레스 방전의 직후, 이 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 간에도 미약한 방전이 야기된다.즉, 기입 주사 펄스 SPWW가 인가된 후, 행전극 X 및 Y간에는 베이스 펄스 BP- 및 베이스 펄스 BP+에 따른 전압이 인가되지만, 이 전압은 각 방전 셀 PC의 방전 개시 전압보다도 낮은 전압으로 설정되어 있기 때문에, 이러한 전압의 인가 만으로는 방전 셀 PC 내에 방전이 야기되지 않는다. 그러나, 상기 선택 기입 어드레스 방전이 야기되면, 이 선택 기입 어드레스 방전에 유발되어, 베이스 펄스 BP- 및 베이스 펄스 BP+에 의한 전압인가만으로 행전극 X 및 Y 간에 방전이 야기되게 된다. 이와 같은 방전은, 베이스 펄스 BP+가 행전극 X에 인가되지 않는 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는 일어나지 않는다. 이러한 방전 및 상기 선택 기입 어드레스 방전에 의해 이 방전 셀 PC는, 그 행전극 Y근방에 정극성의 벽전하, 행전극 X 근방에 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에 부극성의 벽전하가 각각 형성된 상태, 즉, ON 모드로 설정된다. 한편, 상기 기입 주사 펄스 SPWW와 동시에, OFF 모드로 설정시키도록 하는 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에는 상술한 바와 같은 선택 기입 어드레스 방전은 야기되지 않으며, 그 때문에 행전극 X 및 Y 사이에서도 방전이 일어나지 않는다. 따라서, 이 방전 셀 PC는, 그 직전까지의 상태, 즉, 제2리셋 행정 R2에 있어서 초기화된 OFF 모드의 상태를 유지한다.Next, in the second selective write address step W2 W of the subfield SF2, the
다음에, 서브필드 SF2의 서스테인 행정 I에서는, X전극 드라이버(53)가, 정극성의 피크 전위를 갖는 서스테인 펄스 IP를 1펄스분만큼 발생하고 이를 행전극 Y1~Yn 각각에 동시에 인가한다. 이때, X전극 드라이버(51)는, 행전극 X1∼Xn을 접지 전위(0 V)의 상태로 설정하고, 어드레스 드라이버(55)는, 열전극 D1∼Dm을 접지전위(0 V)의 상태로 설정한다. 상기 서스테인 펄스 IP의 인가에 따라, 상술한 바와 같은 ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 사이에 있어서 서스테인 방전이 야기된다. 이러한 서스테인 방전에 따라 형광체층(17)으로로부터 조사되는 빛이 전면 투명 기판(10)을 통해 외부에 조사됨으로써, 이 서브필드 SF1의 휘도 웨이트에 대응한 발광이 실시된다. 또, 이러한 서스테인 펄스 IP의 인가에 따라, ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 및 열전극 D 간에 있어서도 방전이 야기된다. 이러한 방전 및 상기 서스테인 방전에 의해 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 행전극 X 및 열전극 D 각각의 근방에는 각각 정극성의 벽전하가 형성된다. 그리고, 이러한 서스테인 펄스 IP의 인가 후, Y전극 드라이버(53)는, 도28에 나타낸 바와 같이 시간 경과에 따른 전연부에서의 전위 추 이가 완만한 부극성의 피크 전위를 갖는 벽전하 조정 펄스 CP를 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 이러한 벽전하 조정 펄스 CP의 인가에 따라, 상기와 같은 서스테인 방전 이 야기된 방전 셀 PC 내에 미약한 소거 방전이 야기되고, 그 내부에 형성되어 있는 벽전하의 일부가 소거된다. 이에 의해, 방전 셀 PC 내의 벽전하의 양이, 다음 선택 소거 어드레스 행정 WD에 있어서 올바르게 선택 소거 어드레스 방전을 일으킬 수 있는 양으로 조정된다.Next, in the sustain step I of the subfield SF2, the
다음에, 서브필드 SF3∼SF14 각각의 선택 소거 어드레스 행정 Wo에서는, Y전극 드라이버(53)가, 정극성의 소정 전위를 갖는 베이스 펄스 BP+을 행전극 Y1∼Yn 각각에 인가하면서, 도28에 나타낸 바와 같은 부극성의 피크 전위를 갖는 소거 주사 펄스 SPD를 행전극 Y1∼Yn 각각에 순차적으로 택일적으로 인가한다. 또한, 베이스 펄스 BP+의 피크 전위는, 이 선택 소거 어드레스 행정 WO의 실행기간 중에 걸쳐, 행전극 X 및 Y 사이에서의 오 방전을 방지할 수 있는 전위로 설정되어 있다. 또, 선택 소거 어드레스 행정 Wo의 실행 기간 중에 걸쳐, X전극 드라이버(51)는, 행전극 X1∼Xn 각각을 접지 전위(0 V)로 설정한다. 또한, 이 선택 소거 어드레스 행정 WD에 있어서, 어드레스 드라이버(55)는, 우선, 그 서브필드 SF에 대응한 화소 구동 데이터 비트를 그 논리 레벨에 따른 펄스전압을 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 예를 들면, 어드레스 드라이버(55)는, 방전 셀 PC를 ON 모드로로부터 OFF 모 드로 천이시킬 논리 레벨 1의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에는 이를 정극성의 피크 전위를 갖는 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 한편, 방전 셀 PC의 현 상태를 유지시키도록 하는 논리 레벨 0의 화소 구동 데이터 비트가 공급된 경우에는 이를 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP로 변환한다. 그리고, 어드레스 드라이버(55)는 이러한 화소 데이터 펄스 DP를 1표시 라인분(m개)씩, 각 소거 주사 펄스 SPD의 인가 타이밍에 동기하여 열전극 D1∼Dm에 인가한다. 이때, 상기 소거 주사 펄스 SPD와 동시에, 고전압의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전 셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에 선택 소거 어드레스 방전이 야기된다. 이러한 선택 소거 어드레스 방전에 의해, 이 방전 셀 PC는, 그 행전극 Y 및 X 각각의 근방에 정극성의 벽전하, 열전극 D 근방에 부극성의 벽전하가 각각 형성된 상태, 즉, OFF 모드로 설정된다. 한편, 상기 소거 주사 펄스 SPD와 동시에, 저전압(0 V)의 화소 데이터 펄스 DP가 인가된 방전셀 PC 내의 열전극 D 및 행전극 Y 사이에는 상술한 바와 같은 선택 소거 어드레스 방전은 일어나지 않는다. 따라서, 이 방전 셀 PC는, 그 직전까지의 상태(ON 모드, OFF 모드)를 유지한다.Next, in the selective erasing address step Wo of each of the subfields SF3 to SF14, the
다음에, 서브필드 SF3∼SF14 각각의 서스테인 행정 I에서는, X전극 드라이버(51) 및 Y전극 드라이버(53)가, 도28에 나타낸 바와 같이, 행전극 X 및 Y 교대로, 그 서브필드의 휘도 웨이트에 대응한 횟수(짝수 횟수)분만큼 반복적으로, 정극성의 피크 전위를 갖는 서스테인 펄스 IP를 행전극 X1∼Xn 및 Y1∼Yn 각각에 인가한다. 이러한 서스테인 펄스 IP가 인가될 때마다 ON 모드로 설정되어 있는 방전 셀 PC 내의 행전극 X 및 Y 간에 있어서 서스테인 방전이 야기된다. 이러한 서스테인 방전에 따라 형광체층(17)으로부터 조사되는 빛이 전면 투명 기판(10)을 통해 외부로 조사됨으로써, 그 서브필드 SF의 휘도 웨이트에 대응한 횟수분의 표시 발광이 실시된다. 이때, 서브필드 SF2∼SF14 각각의 서스테인 행정 I에 있어서 최종적으로 인가되는 서스테인 펄스 IP에 따라 서스테인 방전이 야기된 방전 셀 PC 내의 행전극 Y 근방에는 부극성의 벽전하, 행전극 X 및 열전극 D 각각의 근방에는 정극성의 벽전하가 형성된다. 그리고, 이러한 최종 서스테인 펄스 IP의 인가 후, Y전극 드라이버(53)는, 도28에 나타낸 바와 같이 시간 경과에 따라 전위 추이가 완만한 부극성의 피크 전위를 갖는 벽전하 조정 펄스 CP를 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 이러한 벽전하 조정 펄스 CP의 인가에 따라, 상기와 같이 서스테인 방전이 야기된 방전 셀 PC 내에 미약한 소거 방전이 일어나고, 그 내부에 형성되어 있던 벽전하의 일부가 소거된다. 이에 의해, 방전 셀 PC 내의 벽전하의 양이, 다음의 선택 소거 어드레스 행정 WD에 있어서 올바르게 선택 소거 어드레스 방전을 야기시킬 수 있는 양으로 조정된다.Next, in the sustain step I of each of the subfields SF3 to SF14, the
그리고, 최종의 서브필드 SF14의 서스테인 행정I의 종료 후, Y전극 드라이버(53)는, 부극성의 피크 전위를 갖는 소거 펄스 EP를 모든 행전극 Y1∼Yn에 인가한다. 이러한 소거 펄스 EP의 인가에 따라, ON 모드 상태로 있는 방전 셀 PC에만 소거 방전이 야기된다. 이러한 소거 방전에 의해 ON 모드 상태로 있던 방전 셀 PC는 OFF 모드의 상태로 천이한다. After the end of the sustain step I of the final subfield SF14, the
이상과 같은 구동을 도16에 나타낸 바와 같은 16종의 화소 구동 데이터 GD에 기초하여 실행한다.The above driving is executed based on the 16 kinds of pixel driving data GD as shown in FIG.
우선, 흑표시(휘도 레벨 0)를 표현하는 제1계조보다도 1단계만큼 고휘도를 나타내는 제2계조에서는, 도16에 나타낸 바와 같이, 서브필드 SF1∼SF14 중 SF1에서만 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시키기 위한 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키고, 이 ON 모드로 설정된 방전 셀 PC를 미소발광 방전시킨다(□로 표시). 이때, 이들 선택 기입 어드레스 방전 및 미소발광 방전에 따른 발광 시의 휘도 레벨은, 1회분의 서스테인 방전에 따른 발광시의 휘도 레벨보다도 낮다. 따라서, 서스테인 방전에 의해 관찰되는 휘도 레벨을 "1"로 한 경우, 제2계조에서는, 휘도 레벨 “1”보다도 낮은 휘도레벨 "α"에 대응한 휘도가 표현된다.First, in the second gradation which shows brightness higher by one level than the first gradation which expresses black display (luminance level 0), as shown in FIG. 16, the discharge cell PC is set to ON mode only in SF1 of the subfields SF1 to SF14. To cause the selective write address discharge to be made, the discharge cell PC set to this ON mode is caused to emit a small light emission (indicated by?). At this time, the luminance level at the time of light emission according to these selective write address discharges and the micro-emission discharge is lower than the luminance level at the time of light emission according to one sustain discharge. Therefore, when the luminance level observed by the sustain discharge is set to "1", the luminance corresponding to the luminance level "α" lower than the luminance level "1" is expressed in the second tone.
다음에, 이러한 제2계조보다도 1단계만큼 고휘도를 나타내는 제3계조에서는,서브필드 SF1~SF14 중 SF2에서만 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시키기 위한 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키고(2중 동그라미로 표시), 다음의 서브필드 SF3에 서 방전 셀 PC를 OFF 모드로 천이시키기 위한 선택 소거 어드레스 방전을 야기시킨다(검은 동그라미로 표시). 따라서, 제3계조에서는, 서브필드 SF1∼SF14 중 SF2의 서스테인 행정 I에서만 1회분의 서스테인 방전에 수반하는 발광이 실시되고, 휘도 레벨 "1"에 대응한 휘도가 표현된다.Next, in the third gradation which shows brightness higher by one level than the second gradation, the selective write address discharge for setting the discharge cell PC to ON mode is caused only in SF2 among the subfields SF1 to SF14 (indicated by double circles). In the following subfield SF3, a selective erase address discharge for causing the discharge cell PC to transition to the OFF mode is caused (indicated by black circles). Therefore, in the third gradation, light emission associated with one sustain discharge is performed only in the sustain stroke I of SF2 in the subfields SF1 to SF14, and the luminance corresponding to the luminance level "1" is expressed.
다음에, 이러한 제3계조보다도 1단계만큼 고휘도를 나타내는 제4계조에서는,우선, 서브필드 SF1에 있어서 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시키기 위한 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키고, 이 ON 모드로 설정된 방전 셀 PC를 미소 발광 방전시 킨다(□로 표시). 또한 이러한 제4계조에서는, 서브필드 SF1∼SF14 중 SF2에서만 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시키기 위한 선택 기입 어드레스 방전을 야기 시키고(2중 동그라미로 표시), 다음 서브필드 SF3에서 방전 셀 PC를 OFF 모드로 천이시키기 위한 선택 소거 어드레스 방전을 야기시킨다(검은 동그라미로 표시). 따라서, 제4계조에서는, 서브필드 SF1에서 휘도 레벨“α”의 발광이 실시되고, SF2에서 휘도 레벨“1”의 발광을 수반하는 서스테인 방전이 1회분만큼 실시되기 때문에, 휘도 레벨 "α" + "1"에 대응한 휘도가 표현된다.Next, in the fourth gradation that shows higher luminance by one step than the third gradation, first, the selective write address discharge for setting the discharge cell PC to the ON mode in the subfield SF1 is caused, and the discharge set to this ON mode is caused. The cell PC is subjected to micro luminescence discharge (indicated by?). In this fourth gradation, the selective write address discharge for setting the discharge cell PC to the ON mode only in SF2 of the subfields SF1 to SF14 is caused (indicated by the double circles), and the discharge cell PC is turned off in the next subfield SF3. Causes selective erase address discharge to transition to mode (indicated by black circles). Therefore, in the fourth gradation, light emission of the luminance level "α" is performed in the subfield SF1, and sustain discharge accompanied with light emission of the luminance level "1" is performed in SF2 by one time, so that the luminance level "α" + The luminance corresponding to "1" is expressed.
또한, 제5 계조∼제16 계조 각각에서는, 서브필드 SF1에 있어서 방전 셀 PC를 ON 모드로 설정시키는 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키고, 이 ON 모드로 설정된 방전 셀 PC를 미소 발광 방전시킨다(□로 표시). 그리고, 그 계조에 대응한 하나의 서브필드에서만 방전 셀 PC를 OFF 모드로 천이시키기 위한 선택 소거 어드레스 방전을 일으킨다(검은 동그라미로 표시). 따라서, 제5 계조∼제16 계조 각각에서는, 서브필드 SF1에서 상기 미소 발광 방전이 야기되고, SF2에서 1회분의 서스테인 방전이 야기된 후, 그 계조에 대응한 수만큼 연속한 서브필드 각각(백 동그라미로 표시)에서 그 서브필드에 할당되어 있는 횟수분만큼 서스테인 방전이 야기된다. 이에 의해, 제5계조∼제16 계조 각각에서는, 휘도 레벨 "α" + “1필드(또는 1프레임) 표시기간 내에 있어서 야기된 서스테인 방전의 총수"에 대응한 휘도가 시각된다.Further, in each of the fifth to sixteenth gradations, the selective write address discharge for setting the discharge cell PC to the ON mode is caused in the subfield SF1, and the discharge cell PC set to the ON mode is caused to emit light emission (in?). Display). Then, only one subfield corresponding to the gray level generates a selective erase address discharge for transitioning the discharge cell PC to the OFF mode (indicated by black circles). Therefore, in each of the fifth to sixteenth grayscales, the micro-luminescent discharge is caused in the subfield SF1, and a sustain discharge for one time is caused in the SF2, and then each successive subfield by the number corresponding to the grayscales (white Sustain discharge is caused by the number of times assigned to the subfield. Thus, in each of the fifth to sixteenth gradations, luminance corresponding to the luminance level " α " + " the total number of sustain discharges caused in one field (or one frame) display period "
즉, 도16에 나타낸 바와 같은 구동에 의하면, 휘도 레벨 "0" ∼ "255 + α"로 되는 휘도 범위를 도16에 나타낸 바와 같은 16단계로 나타내는 것이 가능하게 된다. That is, with the driving as shown in Fig. 16, it is possible to indicate the luminance range that becomes the luminance level " 0 " to " 255 + alpha " in 16 steps as shown in Fig.
* 이러한 구동에 의하면, 1필드표시 기간 내에 있어서 그 발광 패턴(점등 상ㅌ태, 소등 상태)가 서로 반전하고 있는 영역이 1화면 내에 혼재하는 것은 없기 때문에, 이와 같은 상태에서 발생하는 의사 윤곽이 방지된다.According to such driving, since the areas in which the light emission patterns (lighting state, off state) are inverted in one field display period do not mix in one screen, pseudo contours generated in such a state are prevented. do.
여기에서, 도28에 나타낸 구동에서는, 서브필드 SF1의 제1리셋 행정 R1 및 SF2의 제2리셋 행정 R2 각각에 있어서, 열전극 D를 음극측, 행전극 Y를 양극측으로 한 전압을 양 전극 간에 인가함으로써, 행전극 Y로부터 열전극 D를 향해 전류가 흐르는 열측 음극 방전을 제1리셋 방전으로서 야기시키고 있다. 따라서, 이러한 제1리셋 방전 시에는, 방전 가스 내의 양이온이 열전극 D를 향할 때, 도5에 나타낸 바와 같은 형광체층(17) 내에 포함되어 있는 2차 전자 방출 재료로서의 MgO결정체에 충돌하고, 이 MgO결정체로부터 2차 전자를 방출시킨다. 특히, 도1에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치의 PDP(50)에서는, MgO결정체를 도5에 나타낸 바와 같이 방전공간에 노출시킴으로써, 양이온과의 충돌 확률을 높이고, 2차 전자를 효율적으로 방전 공간에 방출시키도록 하고 있다. 즉, 이러한 2차 전자에 의한 프라이밍 작용에 의해 방전 셀 PC의 방전 개시 전압이 낮아지기 때문에, 비교적 약한 리셋 방전을 야기시키는 것이 가능하게 된다. 따라서, 리셋 방전의 미약화에 의해 그 방전에 수반하는 발광 휘도가 저하하기 때문에, 어두운 화상을 표시할 때의 콘트라스트, 소위, 암 콘트라스트를 향상시킨 표시가 가능하게 된다.Here, in the driving shown in Fig. 28, in each of the first reset step R1 of the subfield SF1 and the second reset step R2 of the SF2, the voltage between the two electrodes is set to the cathode side and the row electrode Y to the anode side. The application causes a column-side cathode discharge, in which current flows from the row electrode Y toward the column electrode D, as the first reset discharge. Therefore, during such first reset discharge, when the cation in the discharge gas is directed to the column electrode D, it collides with the MgO crystal as the secondary electron emission material contained in the
또한, 도28에 나타낸 구동에서는, 도3에 나타낸 바와 같은 전면 투명 기 판(10) 측에 형성되어 있는 행전극 Y 및 배면 기판(14) 측에 형성되어 있는 열전극 D 사이에 제1리셋 방전을 야기시키고 있다. 따라서, 함께 전면 투명 기판(10) 측에 형성되어 있는 행전극 X 및 Y 사이에 리셋 방전을 야기시키는 경우에 비해, 전면 투명 기판(10) 측으로부터 외부로 방출되는 방전광이 적어지기 때문에, 더욱 암 콘트라스트의 향상을 꾀할 수 있다.In the driving shown in Fig. 28, the first reset discharge is formed between the row electrode Y formed on the front
또한, 도16, 도17 및 도28에 나타낸 구동에서는, 선두의 서브필드 SF1에 있어서,전 방전 셀 PC를 OFF 모드 상태로 초기화할 리셋 방전을 야기시킨 후, 이 OFF 모드 상태에 있는 방전 셀 PC를 ON 모드 상태로 천이시키도록 하는 선택 기입 어드레스 방전을 일으킨다. 그리고, SF2에 후속하는 서브필드 SF3∼SF14 각각 내의 하나의 서브필드에 있어서, ON 모드 상태로 있는 방전 셀 PC를 OFF 모드 상태로 천이시켜야 할 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키는 선택 소거 어드레스법을 채용한 구동을 실시하도록 하고 있다. 따라서, 도16에 나타낸 바와 같은 제1계조에 따른 구동에 의해 흑표시(휘도 레벨 0)를 행하면, 1필드 표시 기간을 통해 야기되는 방전은, 선두 서브필드 SF1에서의 리셋 방전만으로 된다. 따라서, 서브필드 SF1에 있어서 전 방전 셀 PC를 ON 모드 상태로 초기화하는 리셋 방전을 야기시키고 나서, OFF 모드 상태로 천이시킬 선택 소거 어드레스 방전을 야기시키는 구동을 채용한 경우에 비해, 1필드 표시 기간을 통해 야기되는 방전 횟수가 적어진다. 따라서, 암 콘트라스트를 향상시키는 것이 가능하게 된다.In the driving shown in Figs. 16, 17 and 28, the discharge cell PC in this OFF mode state is caused in the first subfield SF1 after causing a reset discharge to initialize all the discharge cells PC to the OFF mode state. Causes a selective write address discharge to transition to the ON mode. Then, in one subfield in each of the subfields SF3 to SF14 subsequent to SF2, the selective erase address method for causing the selective write address discharge to cause the discharge cell PC in the ON mode state to transition to the OFF mode state is adopted. It is to drive. Therefore, when black display (luminance level 0) is performed by driving according to the first gradation as shown in Fig. 16, the discharge caused through the one-field display period becomes only the reset discharge in the first subfield SF1. Therefore, in the subfield SF1, one field display period is compared with the case in which a reset discharge for initializing all the discharge cells PC to the ON mode state is caused, and then a drive for causing the selective erase address discharge to transition to the OFF mode state is adopted. The number of discharges caused by Therefore, it becomes possible to improve dark contrast.
또한, 도16, 도17 및 도28에 나타낸 구동에 있어서는, 가장 휘도 웨이트가 작은 서브필드 SF1에서는, 표시 화상에 기여하는 방전으로서, 서스테인 방전이 아 닌 미소발광 방전을 야기시키도록 하고 있다. 이때, 미소발광 방전은 열전극 D 및 행전극 Y 사이에 야기되는 방전이기 때문에, 행전극 X 및 Y 사이에 야기되는 서스테인 방전에 비해, 그 방전에 수반하는 발광시의 휘도 레벨이 낮다. 따라서, 이러한 미소발광 방전에 의해 흑표시(휘도 레벨 0)보다도 1단계만큼 고휘도를 나타낸(제2 계조) 경우에는, 서스테인 방전에 의해 이를 나타내는 경우에 비해 휘도 레벨 0과의 휘도 차가 적어진다. 따라서, 저휘도 화상을 표현할 때의 계조 표현 능력이 높아진다. 또, 제2계조에 있어서는, 서브필드 SF1에 후속하는 SF2의 제2리셋 행정 R2에서는 리셋 방전이 야기되지 않기 때문에, 이 리셋 방전에 따른 암 콘트라스트의 저하가 억제된다.In the driving shown in Figs. 16, 17, and 28, in the subfield SF1 having the smallest luminance weight, the microluminescence discharge, not the sustain discharge, is caused as the discharge that contributes to the display image. At this time, since the micro-luminescent discharge is a discharge caused between the column electrode D and the row electrode Y, the luminance level at the time of light emission accompanying the discharge is lower than that of the sustain discharge caused between the row electrode X and Y. Therefore, in the case where high brightness is exhibited by one level (second grayscale) from the black display (luminance level 0) by such micro-luminescent discharge, the luminance difference from the
또한, 도28에 나타낸 구동에서는, 서브필드 SF1의 제1리셋 행정 R1에서 제1리셋 방전을 야기시키도록 행전극 Y에 인가하는 리셋 펄스 RP1Y1의 피크 전위를, SF2의 제2리셋 행정 R2에서 제1리셋 방전을 야기시키도록 행전극 Y에 인가하는 리셋 펄스 RP2Y1의 피크 전위보다도 낮게 하고 있다. 이에 의해 서브필드 SF1의 제1리셋 행정 R1에 있어서, 전 방전 셀 PC를 일제히 리셋 방전시켰을 때의 발광을 약하게 하여, 암 콘트라스트의 저하를 억제시킨다.In the driving shown in Fig. 28, the peak potential of the reset pulse RP1 Y1 applied to the row electrode Y to cause the first reset discharge in the first reset step R1 of the subfield SF1 is set in the second reset step R2 of SF2. It is lower than the peak potential of the reset pulse RP2 Y1 applied to the row electrode Y to cause the first reset discharge. As a result, in the first reset step R1 of the subfield SF1, light emission when all the discharge cells PC are reset and discharged at the same time is weakened, thereby reducing the dark contrast.
또한, 도16, 도17 및 도28에 나타낸 구동에 있어서는, 휘도 웨이트가 제2번째에 적어지는 서브필드 SF2의 서스테인 행정 I에서는, 서스테인 방전을 1회만 야기시킴으로써, 저휘도 화상을 표현할 때의 계조표현 능력을 높이고 있다. 또한, 서브필드 SF2의 서스테인 행정 I에서는, 서스테인 방전을 야기시키도록 인가되는 서 스테인 펄스 IP가 1회만이기 때문에, 이 1회분의 서스테인 펄스 IP에 따라 야기된 서스테인 방전의 종식 후, 행전극 Y근방에는 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 각각 형성된 상태로 된다. 이에 의해, 다음 서브필드 SF3의 선택 소거 어드레스 행정 WD에서는, 열전극 D 및 행전극 Y 사이에 있어서 열전극 D를 양극측으로 한 방전(이후, "열측 양극 방전"이라 한다)을 선택 소거 어드레스 방전으로서 야기시키는 것이 가능하게 된다. 한편, 후속하는 서브필드 SF3∼SF14 각각의 서스테인 행정 I에서는, 서스테인 펄스 IP의 인가 횟수를 짝수로 하고 있다. 따라서, 각 서스테인 행정 I의 종료 직후는, 행전극 Y 근방에 부극성의 벽전하, 열전극 D 근방에는 정극성의 벽전하가 형성된 상태로 되기 때문에, 각 서스테인 행정 I에 이어서 실시되는 선택 소거 어드레스 행정 WD에서는, 열측 양극 방전이 가능하게 된다. 따라서, 열전극 D에 대해서는 정극성의 펄스만 인가되게 되어, 어드레스 드라이버(55)의 고 코스트화가 억제된다.In the driving shown in Figs. 16, 17, and 28, in the sustain step I of the subfield SF2 in which the luminance weight is the second, the gray scale when expressing the low luminance image is caused by causing the sustain discharge only once. To increase the expressive power. Further, in the sustain stroke I of the subfield SF2, since the sustain pulse IP applied to cause the sustain discharge is only one time, after the end of the sustain discharge caused by this one-time sustain pulse IP, near the row electrode Y In this case, negative wall charges are formed, and positive wall charges are formed in the vicinity of the column electrode D, respectively. Thus, in the selective erasing address step W D of the next subfield SF3, the discharge (hereinafter referred to as "column side positive electrode discharge") with the column electrode D on the anode side between the column electrode D and the row electrode Y is referred to as the selective erasing address discharge. It is possible to cause as. On the other hand, in the sustain step I of each of the following subfields SF3 to SF14, the number of application of the sustain pulse IP is even. Therefore, immediately after the end of each sustain step I, the negative wall charges are formed in the vicinity of the row electrode Y and the positive wall charges are formed in the vicinity of the column electrode D. Therefore, the selective erasing address step performed after each sustain step I is performed. in W D, the column side anode discharge is possible. Therefore, only the positive pulse is applied to the column electrode D, and the high cost of the
도1에 나타낸 PDP(50)에 있어서는,각 방전 셀 PC 내의 전면 투명 기판(10) 측에 형성되어 있는 산화 마그네슘층(13) 내는 물론, 배면 기판(14) 측에 형성되어 있는 형광체층(17) 내에도, 2차 전자 방출 재료로서의 CL발광 MgO결정체를 포함시키도록 하고 있다.In the
이하에, 이러한 구성을 채용한 것에 의한 작용 효과에 대해서는 도11 및 도12를 참조하여 설명한다.Below, the effect by employ | adopting such a structure is demonstrated with reference to FIG. 11 and FIG.
따라서, 도18과 같이, 상승 구간에서의 전위 추이가 완만한 파형을 갖는 리 셋 펄스 RP1Y1 또는 RP2Y1을 PDP(50)의 행전극 Y에 인가함으로써 열측 음극 방전을 야기시키면, 행전극 Y의 전위가 펄스의 피크 전위에 달하기 전에 그 방전이 종식한다. 따라서, 행전극 및 열전극 간에 인가되는 전압이 낮은 단계에서, 열측 음극 방전이 종식하므로, 도12에 나타낸 바와 같이, 그 방전 강도도 도11의 경우보다도 대폭적으로 저하한다.Therefore, as shown in Fig. 18, when the potential transition in the rising section causes reset-side pulse RP1 Y1 or RP2 Y1 having a gentle waveform to the row electrode Y of the
즉, 상승시의 전위 추이가 완만한 파형을 갖는 도28에 나타낸 바와 같은 리셋 펄스 RP1Y1 또는 RP2Y1을, 산화 마그네슘층(13) 및 형광체층(17)의 쌍방에 CL발광 MgO 결정체가 포함되어 있는 PDP(50)에 인가함으로써, 방전 강도가 약한 열측 음극 방전을 야기시키도록 한 것이다. 따라서, 이와 같이 방전 강도가 매우 약한 열측 음극 방전을 리셋 방전으로서 야기시킬 수 있기 때문에, 화상의 콘트라스트,특히 어두운 화상을 표시할 때의 암 콘트라스트를 높이는 것이 가능하게 된다.That is, the CL-emitting MgO crystals are included in both the
또한, 도18에 나타낸 구동에서는, 서브필드 SF1의 선택 기입 어드레스 행정W1W에서 행전극 Y에 인가되는 기입 주사 펄스 SPW 및 서브필드 SF2의 선택 기입 어드레스 행정 W2W에서 행전극 Y에 인가하는 기입 주사 펄스 SPWW 각각에 있어서의 부극성의 피크 전위를,In the drive shown in Fig. 18, the write scan pulse SP W applied to the row electrode Y in the selective write address stroke W1 W of the subfield SF1 and the write applied to the row electrode Y in the selective write address stroke W2 W of the subfield SF2 The negative peak potential in each of the scanning pulses SP WW ,
SPWW < SPW SP WW <SP W
로 되는 대소 관계로 함으로써, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에 있어서 확실히 선택 기입 어드레스 방전이 야기되도록 하고 있다., First and in the second selective writing addressing process W2 W to surely cause the selective writing address discharge is generated by a size relationship is to.
이하에, 기입 주사 펄스 SPW 및 SPWW 각각에 있어서의 부극성의 피크 전위를 상기와 같은 대소 관계로 함으로써, 선택 기입 어드레스 방전이 확실히 야기되도록 되는 이유에 대해 기술한다.The reason why the selective write address discharge is surely caused by setting the negative peak potentials in each of the write scan pulses SP W and SP WW in the above-described magnitude relationship is described below.
도28에 나타낸 구동에 의하면, 서브필드 SF1의 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는, 고전압의 화소 데이터 펄스 DP 및 기입 주사 펄스 SPW의 인가에 따라 열전극 D 및 행전극 Y 사이에 있어서 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 이때,행전극 X 및 Y 간에서의 오 방전을 방지하기 위해, 도28에 나타낸 바와 같이 행전극 X를 접지 전위에 설정하고 있다. 한편, 서스테인 펄스 SF2의 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W에서는, 고전압의 화소 데이터 펄스 DP 및 기입 주사 펄스 SPWW의 인가에 따라 열전극 D 및 행전극 Y 간에 있어서 선택 기입 어드레스 방전이 야기된다. 또한, 이러한 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에서는, 열전극 D 및 행전극 Y 사이는 물론, 행전극 X 및 Y 사이에서도 방전을 야기시킴으로써, 방전 셀 내의 벽전하의 형성 상태를 ON 모드에 대응한 상태로 천이시키도록, 도28에 나타낸 바와 같이 행전극 X에는 정극성의 베이스 펄스 BP+를 인가하도록 하고 있다.According to the driving shown in Fig. 28, in the first selective write address step W1 W of the subfield SF1, selective writing is performed between the column electrode D and the row electrode Y in response to the application of the high voltage pixel data pulse DP and the write scan pulse SP W. Address discharge is caused. At this time, in order to prevent erroneous discharge between the row electrodes X and Y, the row electrode X is set to the ground potential as shown in FIG. On the other hand, in the second selective write address step W2 W of the sustain pulse SF2, the selective write address discharge is caused between the column electrode D and the row electrode Y in response to the application of the high voltage pixel data pulse DP and the write scan pulse SP WW . Further, in the second selective write address step W2 W , the discharge is caused not only between the column electrodes D and the row electrodes Y, but also between the row electrodes X and Y, so that the state of formation of the wall charges in the discharge cells corresponds to the ON mode. As shown in Fig. 28, a positive base pulse BP + is applied to the row electrode X so as to transition to the state.
여기에서, 서브필드 SF1의 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는, 기입 주사 펄스 SPW에 있어서의 부극성의 피크 전위가 낮으면, 그만큼 행전극 X 및 Y 간의 전압이 높아지기 때문에, 상기 선택 기입 어드레스 방전에 유발되어 행전극 X 및 Y 사이에 미약한 오방전이 일어날 가능성이 있다. 이러한 오방전에 따라, 행전극 X 근방에서는, 미량으로 존재하는 정극성의 벽전하가 소거되고, 반대로 부극성의 벽전하가 대전하게 된다. 그리고, 이어서 실시되는 서브필드 SF2의 제2리셋 행정 R2의 전반부에서는, 행전극 X 및 Y 간에서의 오방전을 방지하도록, 행전극 Y 및 X 각각에 대해 서로 동극성의 리셋 펄스(RP2Y1, RP2Y2)를 인가한다. 따라서, 행전극 X에서는 방전이 야기되지 않고, 이 행전극 X 근방에는 정표성의 벽전하 소거된 채의 상태로, 다음의 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W를 실행해야 된다.Here, in the first selective write address step W1 W of the subfield SF1, when the negative peak potential of the write scan pulse SP W is low, the voltage between the row electrodes X and Y increases, so that the selective write address There is a possibility that weak false discharge occurs between the row electrodes X and Y due to the discharge. As a result of this misdischarge, the positive wall charges present in trace amounts are erased in the vicinity of the row electrode X, and the negative wall charges are charged on the contrary. In the first half of the second reset step R2 of the subsequent subfield SF2, the reset pulses RP2 Y1 and RP2 having the same polarity to each of the row electrodes Y and X are prevented so as to prevent erroneous discharge between the row electrodes X and Y. Y2 ) is applied. Therefore, no discharge is caused in the row electrode X, and the next second selective writing address step W2 W must be executed with the regular wall charge erased in the vicinity of the row electrode X. FIG.
이와 같이, 기입 주사 펄스 SPW에 있어서의 부극성의 피크 전위가 낮으면, 행전극 X 및 Y 사이에 오 방전이 야기되고, 이 오방전에 따라, 행전극 X근방에 이부극성의 벽전하가 형성되며, 이는 이상적인 상태가 아니다. 따라서, 이 상태에서 SF2의 제2 선택 기입 어드레스 행정 W2W에서는,행 전극 X 및 Y 사이에 방전이 야기되지 않는, 즉, 기입 방전이 올바르게 야기되지 않을 가능성이 있다. 이때, 서브필드 SF3 이후의 각 서브필드의 어드레스 행정은, 모두, 방전 셀의 상태를 ON 모드로부터 OFF 모드로 천이시키는 선택 소거 어드레스 행정 WD이다. 따라서, SF2의 단계에서 선택 기입 어드레스 방전이 실패한 방전 셀은, SF3 이후의 각 서스테인 행정 I에서는 서스테인 방전이 야기되지 않고 흑표시 상태로 되어, 표시 품질을 현저하게 악화시킨다.As described above, when the negative peak potential of the write scan pulse SP W is low, erroneous discharge is caused between the row electrodes X and Y, and according to this erroneous discharge, an anisotropic wall charge is formed near the row electrode X. This is not an ideal state. Therefore, in the second selective write address step W2 W of SF2 in this state, there is a possibility that no discharge is caused between the row electrodes X and Y, that is, the write discharge is not caused correctly. At this time, the address process of each subfield in the subfield SF3 is later, all of which are selective erasing addressing process W D for transitioning the state of the discharge cells from the ON mode to the OFF mode. Therefore, the discharge cells in which the selective write address discharge failed in the step of SF2 do not cause sustain discharge in each sustain step I after SF3, resulting in a black display state, which significantly deteriorates the display quality.
따라서, 도28에 나타낸 바와 같이, SF1의 제1선택 기입 어드레스 행정 WlW에서 행전극 Y에 인가되는 기입 주사 펄스 SPW의 부극성 피크 전위를, SF2의 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에서 행전극 Y에 인가되는 기입 주사 펄스 SPWW의 부극성 피크 전위보다 높게 한다. 즉, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는, 선택 기입 어드레스 방전이 야기된 때에도 이 방전에 유발되어 행전극 X 및 Y 사이에 오방전이 야기되지 않을 정도로 부극성의 피크 전위를 높인 기입 주사 펄스 SPW를, 행전극 Y에 인가하도록 한 것이다. 한편, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에서는, 행전극 X 및 Y간에 있어서 확실히 방전이 야기되도록, 기입 주사 펄스 SPWW의 부극성 피크 전위를 기입 주사 펄스 SPW의 부극성 피크 전위보다도 낮게 하고 있다.Therefore, as shown in Fig. 28, the negative peak potential of the write scan pulse SPW applied to the row electrode Y in the first selective write address step W1 W of SF1 is set to the row electrode in the second selective write address step W2 W of SF2. It is set higher than the negative peak potential of the write scan pulse SP WW applied to Y. That is, in the first selective write address step W1 W , even when the selective write address discharge is caused, the write scan pulse SP W having raised the negative peak potential to such a degree that the discharge is caused and no erroneous discharge is caused between the row electrodes X and Y. Is applied to the row electrode Y. On the other hand, in the second selective write address step W2 W , the negative peak potential of the write scan pulse SP WW is lower than the negative peak potential of the write scan pulse SP W so that discharge is surely caused between the row electrodes X and Y. .
따라서, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서의 선택 기입 어드레스 방전에 유발되어 행전극 X 및 Y 간에 야기되는 오방전이 방지되기 때문에, 방전 셀 내에서는 이상적인 벽전하의 형성 상태가 유지되고, 다음의 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에 있어서 확실히 선택 기입 어드레스 방전을 야기시키는 것이 가능하게 된다.Therefore, since the erroneous discharge caused by the selective write address discharge in the first selective write address step W1 W and caused by the row electrodes X and Y is prevented, the state of forming ideal wall charges is maintained in the discharge cell, in the second selective writing addressing process W2 W it is possible to surely cause the selective write address discharge.
또한, 상술한 바와 같이, 기입 주사 펄스 SPW의 부극성 피크 전위를 기입 주사 펄스 SPWW의 부극성 피크 전위보다도 높게 하는 것에 따라, 제1리셋 행정 R1에서의 리셋 펄스 RP1Y2에 대해서도, 그 부극성 피크 전위의 설정에 배려가 필요하게 된다. 즉, 리셋 테일 펄스로서의 리셋 펄스 RP1Y2의 부극성 피크 전위를, 리셋 헤드 펄스로서의 리셋 펄스 RP2Y2의 부극성 피크 전위보다도 낮게 하면, 이하와 같은 ㅁ 문제가 생기기 때문이다.Also Also, in the write scan pulse, as all, to increase the negative peak potential of the SP W having the negative polarity writing for the peak voltage scan pulse SP WW, the first reset pulse in the reset step R1 RP1 Y2 as described above, the unit Consideration is required in setting the polar peak potential. That is, when the negative peak potential of the reset pulse RP1 Y2 as the reset tail pulse is lower than the negative peak potential of the reset pulse RP2 Y2 as the reset head pulse, the following problem occurs.
즉, 리셋 테일 펄스로서의 리셋 펄스 RP1Y2 및 RP2Y2 각각은, 그 직후의 기입 어드레스 행정(W1W, W2W)에 있어서 안정적으로 선택 기입 어드레스 방전을 일으키기 위한 벽전하의 양을 조정하도록 인가되는 것이다.In other words, each of the reset pulses RP1 Y2 and RP2 Y2 as the reset tail pulses is applied to stably adjust the amount of wall charges for stably causing the selective write address discharge in the write address steps W1 W and W2 W immediately after that. .
그러나, 상술한 바와 같이, SF1의 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서는, 기입 주사 펄스 SPW의 부극성 피크 전위를 높게 설정하고 있기 때문에, 그 직전의 단계(R1의 후반부)에서, 리셋 펄스 RP1Y2에 의해 비교적 강한 방전을 야기시키면, 선택 기입 어드레스 방전이 실패할 가능성이 높아진다.However, as described above, since the negative peak potential of the write scan pulse SP W is set high in the first selective write address step W1 W of SF1, the reset pulse RP1 in the immediately preceding step (second half of R1). If a relatively strong discharge is caused by Y2 , there is a high possibility that the selective write address discharge fails.
따라서, 리셋 펄스 RP1Y2의 인가에 따라 야기되는 방전을 약하게 하도록, 리셋 펄스 RP1Y2에 있어서의 부극성 피크 전위를 높게 설정한다. 구체적으로는, SF1의 제1 리셋 행정 R1에서의 리셋 펄스 RP1Y2의 부극성 피크 전위 및 SF2의 제2리셋 행정 R2에서의 리셋 펄스 RP2Y2의 부극성 피크 전위가, RP2Y2≤RP1Y2로 되는 대소 관계로 한다.Thus, the portion set to be higher the negative peak potential of the reset pulse RP1 to weaken the discharge generated under the application of Y2, the reset pulse RP1 Y2. Specifically, the negative peak potential of the reset pulse RP1 Y2 in the first reset step R1 of SF1 and the negative peak potential of the reset pulse RP2 Y2 in the second reset step R2 of SF2 are RP2 Y2 ≤ RP1 Y2 . We do in big and small relations.
이에 의해, 도28에 나타낸 바와 같이, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에서의 기입 주사 펄스 SPW의 부극성 피크 전위를 비교적 높게 설정하여도 확실히 선택 기입 방전을 야기시킬 수 있게 된다. 또한, 리셋 펄스 RP1Y2의 부극성 피크 전위를 리 셋 펄스 RP2Y2의 부극성 피크 전위보다도 높게 설정함으로써, 리셋 펄스 RP1Y2의 인가에 따라 야기되는 방전도 약해지고, 암 콘트라스트를 더욱 향상시키는 것이 가능하다.As a result, as shown in FIG. 28, even when the negative peak potential of the write scan pulse SP W in the first selective write address step W1 W is set relatively high, the selective write discharge can be surely caused. Further, by setting the reset pulse RP1 Y2 of negative polarity peak voltage to the reset pulse RP2 Y2 of negative polarity than the peak potential higher, fading is also a discharge which is caused in accordance with the impression of the reset pulse RP1 Y2, it is possible to further increase dark contrast .
그런데, 리셋 펄스 RP1Y2 및 RP2Y2의 부극성 피크 전위가, 기입 주사 펄스 SPW 및 SPWW 각각의 부극성 피크 전위보다도 낮으면, 기입 어드레스 행정(W1W, W2W)에서 확실히 선택 기입 어드레스 방전을 야기시킬 수 없게 된다.By the way, when the negative peak potentials of the reset pulses RP1 Y2 and RP2 Y2 are lower than the negative peak potentials of each of the write scan pulses SP W and SP WW , the write address discharge is surely selected in the write address steps W1 W and W2 W. Cannot be caused.
따라서, 이러한 점을 고려하여, 도28에 나타낸 구동에서는, 서브필드 SF1에서의 리셋 펄스 RP1Y2 및 기입 주사 펄스 SPW, 서브필드 SF2에서의 리셋 펄스 RP2Y2 및 기입 주사 펄스 SPWW 각각의 부극성 피크 전위를, SPWW < SPW ≤ RP2Y2 ≤RP1Y2로 되는 대소 관계로 함으로써, 제2선택 기입 어드레스 행정 W2W에 있어서 확실히 선택 기입 어드레스 방전이 야기되도록 하고 있다.In view of this, therefore, in the drive shown in Fig. 28, the negative polarities of the reset pulse RP1 Y2 and the write scan pulse SP W in the subfield SF1, the reset pulse RP2 Y2 and the write scan pulse SP WW in the subfield SF2, respectively. and so the peak voltage, SP WW <SP W ≤ RP2 , the second selective writing addressing process surely cause the selective writing address discharge in the W2 W by a size relationship is to ≤RP1 Y2 Y2.
또한, 상기 실시예에서는, 기입 주사 펄스 SPW의 부극성 피크 전위를 기입 주사 펄스 SPWW의 부극성 피크 전위보다 높게 하고 있으나, 도29에 나타낸 바와 같이, 양자의 부극성 피크 전위를 동일하게 하고, 기입 주사 펄스 SPW의 펄스폭 T1을 기입 주사 펄스 SPW의 펄스폭 T2보다 적게 해도 좋다. 이때, 리셋 펄스 RP1Y2, RP2Y2, 기입 주사 펄스 SPW, SPWW 각각의 부극성 피크 전위는, SPWW = SPW ≤ RP2Y2 ≤ RP1Y2로 되는 대소 관계를 갖게 된다.Further, in the above embodiment, the write scan pulse scan writing the negative peak potential of the SP W pulse higher than the negative peak potential of SP WW. However, as shown in Fig. 29, similar to the negative peak potential of the two and , the write scan pulse SP W of the scan pulse SP W may be written to the pulse width T1 smaller than a pulse width T2. At this time, the negative peak potentials of the reset pulses RP1 Y2 , RP2 Y2 , the write scan pulses SP W , and SP WW each have a magnitude relationship such that SP WW = SP W ≦ RP 2 Y 2 ≦ RP 1 Y 2 .
이러한 도29에 나타낸 바와 같은 구동에 의해서도, 도28에 나타낸 구동 방법을 채용한 경우와 동일하게, 선택 기입 어드레스 방전에 유발되어 행전극 X 및 Y 간에 야기되는 오 방전이 방지된다.By such driving as shown in FIG. 29, similarly to the case of employing the driving method shown in FIG. 28, the erroneous discharge caused by the selective write address discharge and caused between the row electrodes X and Y is prevented.
또한, 도30에 나타낸 바와 같이, 기입 주사 펄스 SPW의 부극성 피크 전위를 기입 주사 펄스 SPWW의 부극성 피크 전위보다도 높게 하는 동시에, 기입 주사 펄스 SPW의 펄스폭 T1을 기입 주사 펄스 SPW의 펄스폭 T2보다 적게 해도 좋다.In addition, as shown in Fig. 30, the write scan pulse SP W in the portion at the same time be higher than the negative peak potential of the scan pulse SP WW enter the negative peak potential of the write scan pulse write scan pulse width T1 of the SP W pulse SP W May be smaller than the pulse width T2.
또한, 도31에 나타낸 바와 같이, 기입 주사 펄스 SPW 및 SPWW 각각의 부극성 피크 전위를 서로 동일하게 하는 동시에 양자의 펄스 폭도 동일하게 하고, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W의 실행 기간 중에 걸쳐, 행전극 Y1∼Yn은 물론, 행전극 X1∼Xn 각각에도 부극성의 베이스 펄스 BP-를 인가해도 좋다. 즉, 행전극 Y1∼Yn에 인가되어 있는 베이스 펄스 BP-와 동일 극성의 베이스 펄스를 행전극 X1∼Xn에도 인가함으로써 행전극 X 및 Y 사이에서의 오방전을 방지하는 것이다.As shown in Fig. 31, the negative peak potentials of each of the write scan pulses SP W and SP WW are equal to each other and both pulse widths are the same, and during the execution period of the first selective write address step W1 W , In addition to the row electrodes Y 1 to Y n , a negative base pulse BP − may be applied to each of the row electrodes X 1 to X n . That is, the misdischarge between the row electrodes X and Y is prevented by applying a base pulse having the same polarity as the base pulses BP − applied to the row electrodes Y 1 to Y n to the row electrodes X 1 to X n .
또한, 도31에 나타낸 바와 같이, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W의 실행기간 중에 걸쳐 행전극 X1~Xn 각각에 부극성의 베이스 펄스 BP-을 인가하는 구동을, 도28, 도29 또는 도30에 나타낸 구동으로 조합시켜 실행해도 좋다.As shown in Fig. 31, driving for applying the negative base pulse BP - to each of the row electrodes X 1 to X n during the execution period of the first selective writing address step W1 W is shown in Figs. 28, 29 or It may be performed in combination with the driving shown in FIG.
요컨대, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W의 실행 기간 중에 걸쳐 행전극 X1∼ Xn 각각에 부극성의 베이스 펄스 BP-를 인가하는 동시에, 도28에 나타낸 바와 같이 기입 주사 펄스 SPW의 부극성 피크 전위를 기입 주사 펄스 SPWW의 부극성 피크 전위보다도 높게 하거나, 또는 도29에 나타낸 바와 같이 기입 주사 펄스 SPW의 펄스폭을 기입 주사 펄스 SPWW의 펄스폭보다도 작게 한 구동을 실시하면 좋다.In other words, the negative base pulse BP − is applied to each of the row electrodes X 1 to X n during the execution period of the first selective
또한, 상기 실시예에 있어서는, 리셋 펄스 RP1X, RP2X, RP1Y1, RP1Y2, RP2Y1, RP2Y2 각각의 펄스 상승(또는 하강) 구간에서는, 시간 경과에 따른 전위 변화량이 일정하지만, 도32에 나타낸 바와 같이, 시간경과에 따라 서서히 전위 변화량이 변화해도 좋다.In the above embodiment, in the pulse rising (or falling) period of each of the reset pulses RP1 X , RP2 X , RP1 Y1 , RP1 Y2 , RP2 Y1 , and RP2 Y2 , the change in potential over time is constant. As shown in the figure, the amount of change in potential may gradually change with time.
또한, 도 28, 도29~도31에 각각 나타낸 제1리셋 행정 R1에서는, 그의 전반부에 있어서 리셋 펄스 RP1Y1을 행전극 Y1∼Yn에 인가함으로써 열측 음극 방전으로서의 제1리셋 방전을 야기시키도록 하고 있으나, 이를 생략해도 좋다.In the first reset step R1 shown in Figs. 28 and 29 to 31, respectively, the reset pulse RP1 Y1 is applied to the row electrodes Y 1 to Y n in the first half thereof to cause the first reset discharge as the column-side cathode discharge. It is also possible to omit it.
예컨대, 도28, 도29~도31에 각각 나타낸 제1 리셋 행정 R1 대신, 도27에 나타낸 제1리셋 행정 R1을 채용한다. 도27에 나타낸 바와 같이, 제1리셋 행정 R1의 전반부에서는 행전극 Y1∼Yn을 접지 전위로 고정한다. 즉, 제1리셋 행정 R1의 전반부에서의 행전극 Y로부터 열전극 D로의 열측 음극 방전의 목적은, 제1선택 기입 어드레스 행정 W1W에 있어서의 기입 방전을 안정화시키기 위한 하전 입자를 방출시키는 것에 있다. 여기에서, PDP의 구조로서, 예컨대 도5에 나타낸 바와 같은 CL발광 MgO결정을 포함하는 MgO결정체 내에 포함시킨 경우에는, 이와 같은 구성을 채용하지 않는 경우에 비해 기입 방전이 안정화한다. 따라서, 제1 리셋 행정 R1의 전반부에서는, 행전극 Y 및 열전극 D를 모두 접지 전위로 하여 열측 음극 방전을 일으키지 않는 구성을 채용하는 것이 가능하게 된다. 이 경우에는 행전극 X에 대해서도 도27와 같이 접지 전위 레벨로 한다.For example, instead of the first reset step R1 shown in Figs. 28 and 29 to 31, the first reset step R1 shown in Fig. 27 is adopted. As shown in Fig. 27, in the first half of the first reset step R1, the row electrodes Y 1 to Y n are fixed to the ground potential. That is, the purpose of the column-side cathode discharge from the row electrode Y to the column electrode D in the first half of the first reset step R1 is to discharge charged particles for stabilizing the write discharge in the first selective write address step W1 W. . Here, as the structure of the PDP, for example, when included in the MgO crystal containing the CL luminescent MgO crystal as shown in Fig. 5, the write discharge is stabilized as compared with the case where such a structure is not employed. Therefore, in the first half of the first reset step R1, it is possible to adopt a configuration in which the row electrode Y and the column electrode D are both at ground potentials and do not cause column side cathode discharge. In this case, the row electrode X is also set to the ground potential level as shown in FIG.
또한, 상기 실시예에 있어서는, 선두의 서브필드 SF1 및 제2번째의 서브필드 SF2에서만 리셋 행정(R1, R2) 및 선택 기입 어드레스 행정(W1W, W2W)을 순차 실행하도록 하고 있으나, 이들 일련의 동작을 제3번째 이후의 서브필드에서 동일하게 실행해도 좋다.In the above embodiment, the reset steps R1 and R2 and the selective write address steps W1 W and W2 W are sequentially executed only in the first subfield SF1 and the second subfield SF2. The same operation may be performed in the third and subsequent subfields.
또한, 도28, 도29~도31에 나타낸 제1리셋 행정 R1 및 제2리셋 행정 R2에서는, 모든 방전 셀에 대해 일제히 리셋 방전을 야기시키도록 하고 있으나, 각각이 복수의 방전 셀로 이루어지는 방전 셀 블록마다, 리셋 방전을 시간적으로 분산시켜 실행해도 좋다.In addition, in the first reset step R1 and the second reset step R2 shown in Figs. 28 and 29 to 31, reset discharge is caused to all discharge cells at the same time. However, each of the discharge cell blocks each includes a plurality of discharge cells. Each time, reset discharge may be dispersed in time.
또한, 상기 실시예에서는, 선두의 서브필드 SF1에 한해, 표시 화상에 관여하는 발광을 행하는 행정으로서, 서스테인 행정 I 대신 미소 발광 행정 LL을 실시하도록 하고 있다. 그러나, 선두의 서브필드 이외의 서브필드, 또는 선두의 서브필드를 포함하는 복수의 서브필드에 있어서, 서스테인 행정 I 대신 미소 발광 행정 LLIn the above embodiment, only the first subfield SF1 is configured to perform the light emission step LL instead of the sustain step I as the step of performing light emission related to the display image. However, in the subfields other than the first subfield or a plurality of subfields including the first subfield, the light emission stroke LL is substituted for the sustain step I.
을 실행하도록 해도 좋다.May be executed.
또한, 도16에 나타낸 구동에서는, 제4 계조 이후의 계조에 있어서도 서브필 드 SF1의 미소발광 행정 LL에서, 휘도 레벨 α의 발광을 수반하는 미소 발광 방전을 야기하도록 하고 있으나, 제3 계조 이후의 계조에서는, 이 미소발광 방전을 야기시지지 않도록 해도 좋다. 요컨대, 미소발광 방전에 따른 발광은 극히 저휘도(휘도 레벨α)이기 때문에, 이보다도 고휘도의 발광을 수반하는 서스테인 방전과 병용하는 경우, 즉, 제3 계조 이후의 계조에 있어서, "휘도 레벨 α"의 휘도 증가분을 시각할 수 없는 경우에는, 이 미소발광 방전을 야기시킬 필요가 없어지기 때문이다.Further, in the driving shown in Fig. 16, even in the gradations after the fourth gradation, the micro luminescence stroke LL of the subfield SF1 causes the micro luminescence discharge accompanying the emission of the luminance level?, But after the third gradation In gradation, this micro-luminescence discharge may not be caused. That is, since the light emission due to the microluminescence discharge is extremely low luminance (luminance level α), when used together with the sustain discharge accompanied with high luminance emission, that is, in the gradation after the third gradation, the "luminance level α This is because it is not necessary to cause this micro luminescent discharge when the luminance increase of "
또한, 도28, 도29~도31에 나타낸 실시예에 있어서는, 미소발광 펄스 LP 및 리셋 펄스 RP2Y1을 연결시켜 행전극 Y에 인가하도록 하고 있으나, 도33에 나타낸 바와 같이, 양자를 시간적으로 분산시켜 행전극 Y에 순차적으로 인가해도 좋다.Incidentally, in the embodiments shown in Figs. 28 and 29 to 31, the micro light emitting pulse LP and the reset pulse RP2 Y1 are connected and applied to the row electrode Y. However, as shown in Fig. 33, both are dispersed in time. It may be applied sequentially to the row electrode Y.
또한, 도5에 나타낸 일례에서는, PDP(50)의 배면 기판(14) 측에 제공되어 있는 형광체층(17) 내에 MgO 결정체를 포함시키도록 하고 있으나, 도17에 나타낸 바와 같이, 형광체층(17)의 표면을 피복하도록 2차 방출재로 이루어지는 2차 전자 방출층(18)을 제공해도 좋다. 이때, 2차 전자 방출층(18)으로서는, 형광체층(17)의 표면상에, 2차 전자 방출재로 이루어지는 결정(예컨대, CL발광 MgO결정체를 포함한 MgO결정)을 전면에 깔아 형성해도 좋고, 또는 2차 전자 방출재를 박막 성막하여 형성시켜도 좋다.In addition, in the example shown in FIG. 5, MgO crystals are included in the
이 출원은 본원에 참고로 채용된 일본국 특허출원 제2007-055557호 및 제2007-109650호에 기초하고 있다. This application is based on Japanese Patent Application Nos. 2007-055557 and 2007-109650, which are incorporated herein by reference.
도1은 본 발명의 제1 실시예에 의한 구동방법에 따라 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 플라즈마 디스플레이 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a schematic configuration of a plasma display apparatus for driving a plasma display panel according to a driving method according to a first embodiment of the present invention.
도2는 표시면측에서 바라 본 PDP(50)의 내부 구조를 모식적으로 나타내는 정면도이다.2 is a front view schematically showing the internal structure of the
도3은 도2에 나타낸 V-V선상에서의 단면을 나타내는 도면이다.FIG. 3 is a diagram showing a cross section on the V-V line shown in FIG.
도4는도2에 나타낸 W-W선상에서의 단면을 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a diagram showing a cross section on the W-W line shown in FIG.
도5는 형광체층(17) 내에 포함되는 MgO 결정체를 모식적으로 나타내는 도면이다.FIG. 5 is a diagram schematically showing MgO crystals contained in the
도6은 도1에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에서의 각 계조마다의 발광 패턴의 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a diagram showing an example of a light emission pattern for each gray scale in the plasma display device shown in FIG.
도7은 도1에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서 채용되는 발광 구동 시퀀스의 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 7 is a diagram showing an example of a light emission drive sequence employed in the plasma display device shown in FIG.
도8은 도7에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라서 PDP(50)에 인가되는 각종 구동펄스를 나타내는 도면이다.FIG. 8 is a diagram showing various drive pulses applied to the
도9는 도1에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서 채용되는 발광 구동 시퀀스의 다른 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 9 is a diagram showing another example of the light emission drive sequence employed in the plasma display device shown in FIG.
도10은 도1에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라서 PDP(50)에 인가되는 각종 구동펄스를 나타내는 도면이다.FIG. 10 is a diagram showing various drive pulses applied to the
도11은 산화 마그네슘층(13)에만 CL발광 MgO결정체를 포함시킨 종래의 PDP에 대해 리셋 펄스 RPY1을 인가한 때에 야기되는 열측 음극 방전에 있어서의 방전 강도의 추이를 나타내는 도면이다.FIG. 11 is a view showing the transition of the discharge intensity in the thermal side cathode discharge caused when the reset pulse RPY1 is applied to a conventional PDP in which the CL luminescent MgO crystals are included only in the
도12는 산화 마그네슘층(13) 및 형광체층(17)의 쌍방에 CL발광 MgO결정체를 포함시킨 PDP(50)에 대해 리셋 펄스 RPY1을 인가한 때에 야기되는 열측 음극 방전에서의 방전 강도의 추이를 나타내는 도면이다.Fig. 12 shows the transition of the discharge intensity in the thermal side cathode discharge caused when the reset pulse RPY1 is applied to the
도13은 리셋 펄스 RPY1의 다른 파형을 나타내는 도면이다.Fig. 13 shows another waveform of the reset pulse RPY1.
도14는 형광체 입자층(17a)의 표면에 2차 전자 방출층(18)을 적층 해 형광체층(17)을 구축시킨 경우의 형태를 모식적으로 나타내는 도면이다.FIG. 14 is a diagram schematically showing a form in which the secondary
도15는 본 발명의 제2 실시예에 의한 방전 방법에 따라서 플라즈마 디스플레이 패널를 구동하는 플라즈마 디스플레이 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.Fig. 15 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma display device for driving a plasma display panel in accordance with a discharge method according to a second embodiment of the present invention.
도16은 도15에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서의 각 계조마다의 발광 패턴의 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 16 is a diagram showing an example of a light emission pattern for each gray scale in the plasma display device shown in FIG.
도17은 도15에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서 채용되는 발광 구동 시퀀스의 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 17 is a diagram showing an example of a light emission drive sequence employed in the plasma display device shown in FIG.
도18은 도17에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라서 PDP(50)에 인가되는 각종 구동 펄스를 나타내는 도면이다.FIG. 18 is a diagram showing various drive pulses applied to the
도19는 도15에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서 채용되는 발광 구동 시퀀스의 다른 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 19 is a diagram showing another example of the light emission drive sequence employed in the plasma display device shown in FIG.
도20은 도19에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라서 PDP(50)에 인가되는 각종 구동 펄스를 나타내는 도면이다.FIG. 20 is a diagram showing various drive pulses applied to the
도21은 본 발명의 제3 실시예에 의한 구동 방법에 따라서 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 플라즈마 디스플레이 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.Fig. 21 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma display device for driving a plasma display panel according to the driving method according to the third embodiment of the present invention.
도22는 도21에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에 채용되는 발광 구동 시퀀스의 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 22 is a diagram showing an example of a light emission drive sequence employed in the plasma display device shown in FIG.
도23은 도21에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서 채용되는 발광 구동시퀀스 외에의 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 23 is a diagram showing an example other than the light emission drive sequence employed in the plasma display device shown in FIG.
도24는 본 발명의 제4 실시예에 의한 구동 방법에 따라서 플라즈마 디스플레이 패널을 구동하는 플라즈마 디스플레이 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.Fig. 24 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma display device for driving a plasma display panel according to the driving method according to the fourth embodiment of the present invention.
도25는 도24에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에 채용되는 발광 구동시퀀스의 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 25 is a diagram showing an example of a light emission drive sequence employed in the plasma display device shown in FIG.
도26은 도24에 나타낸 플라즈마 디스플레이 장치에 있어서 채용되는 발광 구동 시퀀스의 다른 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 26 is a diagram showing another example of the light emission drive sequence employed in the plasma display device shown in FIG.
도27은 제1 리셋 행정 R1에서의 리셋 펄스의 다른 인가 방법을 나타내는 도면이다.27 is a diagram showing another application method of the reset pulse in the first reset step R1.
도28은 도7에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라서 PDP(50)에 인가되는 각종 구동 펄스를 나타내는 도면이다.FIG. 28 is a diagram showing various drive pulses applied to the
도29는 도17에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라서 PDP(50)에 인가되는 각종 구동 펄스의 다른 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 29 is a diagram showing another example of various drive pulses applied to the
도30은 도17에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라서 PDP(50)에 인가되는 각종 구동 펄스의 다른 일례를 나타내는 도면이다.30 is a diagram showing another example of various drive pulses applied to the
도31은 도17에 나타낸 발광 구동 시퀀스에 따라서 PDP(50)에 인가되는 각종 구동 펄스의 다른 일례를 나타내는 도면이다.FIG. 31 is a diagram showing another example of various drive pulses applied to the
도32는 리셋 펄스 RP의 파형을 나타내는 도면이다.32 shows waveforms of the reset pulse RP.
도33은 미소 발광 펄스 LP 및 리셋 펄스 RP2Y1 각각의 인가 타이밍의 다른 일례를 나타내는 도면이다.33 is a diagram showing another example of the application timing of each of the light emitting pulse LP and the reset pulse RP2Y1.
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