KR100953302B1 - Analog Buffer Circuit of having Cascode Structure and Method of operating the same - Google Patents

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Abstract

캐스코드 연결된 2개의 트랜지스터들을 이용하여 부궤환 경로를 형성하여 입력신호를 정확하고 빠르게 추종할 수 있는 아날로그 버퍼회로가 개시된다. 아날로그 버퍼회로는 2개의 샘플링부를 구비하여 입력신호를 저장한다. 저장된 입력신호는 캐스코드 연결된 트랜지스터들의 동작레벨을 결정한다. 또한, 아날로그 버퍼회로는 샘플링 모드, 증폭 모드 및 보상 모드로 동작 구간을 구분하여 스위칭 동작에 의한 버퍼 동작을 수행한다. 이를 통해 아나로그 버퍼회로는 빠르고 정확하게 입력신호를 추종할 수 있다.An analog buffer circuit is disclosed that can form a negative feedback path using two cascode connected transistors to accurately and quickly follow an input signal. The analog buffer circuit includes two sampling units to store input signals. The stored input signal determines the operating level of the cascode connected transistors. Also, the analog buffer circuit divides the operation section into a sampling mode, an amplification mode, and a compensation mode to perform a buffer operation by a switching operation. This allows the analog buffer circuit to follow the input signal quickly and accurately.

아날로그 버퍼. 캐스코드, LTPS Analog buffer. Cascode, LTPS

Description

캐스코드 구조를 가지는 아날로그 버퍼회로 및 이의 동작 방법{Analog Buffer Circuit of having Cascode Structure and Method of operating the same}Analog Buffer Circuit of having Cascode Structure and Method of operating the same}

본 발명은 평판 디스플레이 구동 회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 표시부와 동일한 투명 절연기판 상에 형성된 평판 디스플레이용 구동 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a flat panel display driving circuit, and more particularly, to a flat panel display driving circuit formed on the same transparent insulating substrate as the display unit.

최근, 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널, 전계 방출 디스플레이 등과 같은 평판 디스플레이 장치 분야에서는, 디스플레이 패널의 박형화를 위하여 표시부와 동일한 절연기판 상에 그 표시부를 구동하는 구동 회로를 일체로 형성하는 방식이 소개되고 있다. Recently, in the field of flat panel display devices such as liquid crystal displays, plasma display panels, and field emission displays, a method of integrally forming a driving circuit for driving the display unit on the same insulating substrate as the display unit for thinning the display panel has been introduced. .

특히, 액정 디스플레이나 전계 방출 디스플레이 등에서는 표시부를 구성하는 화소 트랜지스터로서 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)를 사용하기 때문에, 구동 회로를 투명 절연기판 상에 형성할 때에는 도동 회로도 박막 트랜지스터를 사용하여 구성할 수 있는 장점이 있다.Particularly, in a liquid crystal display or a field emission display, a thin film transistor (TFT) is used as a pixel transistor constituting the display unit. Therefore, when a driving circuit is formed on a transparent insulating substrate, a conductive circuit diagram is used using a thin film transistor. There is an advantage to this.

저온 다결정 실리콘(Low Temperature Polycrystalline Silicon; LTPS) 기술은 전류 구동 능력이 높고 주변회로들과 집적이 용이하여 저비용으로 구형할 수 있 는 장점을 가진다. 따라서, 회로 어레이를 가진 TFT 기반 디스플레이의 구동 회로들을 집적화할 수 있는 가능성을 가지고 있다. 그러나, LTPS TFT는 높은 문턱 전압과 불균일한 전기적 특성을 포함하여 단결정 실리콘 기반의 트랜지스터에 비하여 좋지 않은 전기적 특성이 있다.Low Temperature Polycrystalline Silicon (LTPS) technology has the advantage of high current driving capability and easy integration with peripheral circuits, resulting in low cost implementation. Thus, there is a possibility of integrating driving circuits of a TFT-based display having a circuit array. However, LTPS TFTs have poor electrical characteristics compared to single crystal silicon based transistors, including high threshold voltages and uneven electrical characteristics.

최근에 휴대장치와 관련된 시장이 급속도로 성장하고 있다. 더욱이 소자자들은 콤팩트하고 고해상도이면서 고품질의 이미지를 표시하는 휴대장치를 원하고 있다. 이러한 고품질의 디스플레이를 실현하기 위해 디스플레이의 해상도를 증가시키면 부하의 충전 시간이 감소하고 출력부하가 증가한다. 따라서, 아날로그 버퍼 회로의 능력은 출력부하를 매우 짧은 시간 내에 충전하기 위하여 더 우수해야 한다. 그러나, LTPS TFT를 사용하는 종래 아날로그 버퍼 회로는 LTPS의 나쁜 전기적 특성으로 인하여 오프셋 전압이 크고 소비전력이 증가한다는 등의 많은 문제점을 가지고 있다.Recently, the market associated with portable devices is growing rapidly. Moreover, the devices want portable devices that display compact, high resolution, and high quality images. In order to realize such a high quality display, increasing the resolution of the display reduces the charging time of the load and increases the output load. Therefore, the capability of the analog buffer circuit must be better to charge the output load in a very short time. However, the conventional analog buffer circuit using the LTPS TFT has many problems, such as a large offset voltage and an increased power consumption, due to the poor electrical characteristics of the LTPS.

이러한 문제점들을 해소하기 위하여 차동형 아날로그 버퍼 회로, 비교기형 아날로그 버퍼 회로, 소스 폴로워형 아날로그 버퍼 회로 등과 같은 많은 종류의 아날로그 버퍼 회로들이 개발되었다. 그러나, 이러한 종래 아날로그 버퍼 회로들은 다음과 같은 이유들 때문에 고해상도 디스플레이에 적합하지 않다.To solve these problems, many kinds of analog buffer circuits such as differential analog buffer circuit, comparator analog buffer circuit, and source follower analog buffer circuit have been developed. However, these conventional analog buffer circuits are not suitable for high resolution displays for the following reasons.

즉, 종래 차동형 아날로그 버퍼 회로는 폴리 실리콘 TFT의 비균일한 전기적 특성으로 인하여 입력단(input stage) 미스매칭(mismatching)의 문제점을 가지고 있고, 종래 비교기형 아날로그 버퍼 회로는 비교기 동작 중의 정적 전류(static current)로 인하여 다량의 전력을 소비한다는 문제점이 있다. 일반적으로 사용되는 소스 폴로워형 아날로그 버퍼 회로는 출력 전압이 증가함에 따라 게이트 전극-소스 전극의 전압차가 감소하기 때문에 동작 특성이 느리다는 문제점이 있다.That is, the conventional differential analog buffer circuit has a problem of input stage mismatching due to the nonuniform electrical characteristics of the polysilicon TFT, and the conventional comparator analog buffer circuit has a static current during the operation of the comparator. There is a problem that consumes a large amount of power. A commonly used source follower type analog buffer circuit has a problem in that operating characteristics are slow because the voltage difference between the gate electrode and the source electrode decreases as the output voltage increases.

상기한 구동회로 일체형 평판 디스플레이 장치에서 채택되는 종래 소스 폴로워형 아날로그 버퍼 회로의 일예는 도 1에 도시된다.An example of a conventional source follower type analog buffer circuit adopted in the above driving circuit integrated flat panel display device is shown in FIG. 1.

도 1은 종래 기술에 따른 소스 폴로워형 아날로그 버퍼 회로를 도시한 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a source follower type analog buffer circuit according to the prior art.

도 1을 참조하면, 아날로그 버퍼 회로는 제1 및 제2 트랜지스터(M1, M2)가 양의(positive) 제1 전원(VDD)과 음의(negative) 제2 전원(VSS) 사이에 직렬 접속되어 소스 폴로워를 구성한다. 여기서 상기 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극과 입력단(input) 사이에는 제1 스위치(sw1)가 접속되어 있다. 그리고, 상기 제1 트랜지스터(M1)의 소스 전극과 입력단(input) 사이에는 제3 스위치(sw3)와 제2 스위치(sw2)가 직렬로 접속되어 있고, 직력ㄹ로 연결된 제5 스위치(sw5)와 제4 스위치(sw4)가 상기 제3 스위치(sw3) 및 제2 스위치(sw2)와 병렬로 접속되어 있다.Referring to FIG. 1, in an analog buffer circuit, first and second transistors M1 and M2 are connected in series between a positive first power supply VDD and a negative second power supply VSS. Configure the source follower. The first switch sw1 is connected between the gate electrode and the input terminal of the first transistor M1. In addition, a third switch sw3 and a second switch sw2 are connected in series between the source electrode and the input terminal of the first transistor M1, and are connected to the fifth switch sw5 connected in series. The fourth switch sw4 is connected in parallel with the third switch sw3 and the second switch sw2.

상기 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극과 소스 전극 사이에는 제3 스위치(sw3)를 매개로 제1 커패시터(C1)가 접속되어 있고, 제5 스위치(sw5)를 매개로 제2 커패시터(C2)가 접속되어 있다.The first capacitor C1 is connected between the gate electrode and the source electrode of the first transistor M1 via a third switch sw3, and the second capacitor C2 is connected via a fifth switch sw5. Is connected.

또한, 상기 제1 트랜지스터(M1)의 소스 전극(즉, 상기 제2 트랜지스터(M2)의 드레인 전극)과 출력단(output) 사이에는 제6 스위치(sw6)와 부하 저항(RL)이 접속되어 있고, 상기 제6 스위치(sw6)와 부하 저항(RL) 사이에는 제7 스위치(sw7)를 사이에 두고 음의(negative) 정전압인 제2 전원(VSS)이 인가된다.In addition, a sixth switch sw6 and a load resistor RL are connected between the source electrode of the first transistor M1 (that is, the drain electrode of the second transistor M2) and the output terminal. The second power supply VSS having a negative constant voltage is applied between the sixth switch sw6 and the load resistor RL with the seventh switch sw7 interposed therebetween.

상기 출력단(output)과 접지 사이에는 부하 커패시터(CL)가 접속되어 있다.The load capacitor CL is connected between the output terminal and the ground.

여기서, 제7 스위치(sw7) 하단에 인가되는 정전압은 출력부하(CL)의 방전(discharge) 전위로서 이용된다.Here, the constant voltage applied to the lower end of the seventh switch sw7 is used as a discharge potential of the output load CL.

상기 제2 트랜지스터(M2)는 그 게이트 전극에 정전압(Vbias)이 공급되고 있어 제2 전원(VSS) 쪽으로 흐르는 전류원으로서 작용한다.The second transistor M2 is supplied with a constant voltage Vbias to its gate electrode, and acts as a current source flowing toward the second power source VSS.

도 2는 상기 도 1의 아날로그 버퍼 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.FIG. 2 is a timing diagram for describing an operation of the analog buffer circuit of FIG. 1.

도 2를 참조하면, 먼저, T1 구간에서는 제1, 3, 5 및 제7 스위치(sw1, sw3, sw5, sw7)가 도통 상태로 되고, 제2, 4, 및 제6 스위치(sw2, sw4, sw6)는 비도통 상태에 있게 된다. 이에 따라, 출력부하(CL)의 전위가 VSS로 셋팅된다. 즉, 출력부하(CL)가 VSS로 충전된다. 또한, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 입력단(input)으로부터 입력전압이 입력되면 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극-소스 전극의 전압차(Vgs1)가 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)에 충전된다.Referring to FIG. 2, first, first, third, fifth, and seventh switches sw1, sw3, sw5, sw7 are in a conductive state in a T1 section, and second, fourth, and sixth switches sw2, sw4, sw6) is in a non-conducting state. Accordingly, the potential of the output load CL is set to VSS. In other words, the output load CL is charged to VSS. In addition, when an input voltage is input from the input terminal to the gate electrode of the first transistor M1, the voltage difference Vgs1 between the gate electrode and the source electrode of the first transistor M1 is changed to the first and second capacitors C1,. C2) is charged.

그 후, T2 구간에서는 제1 및 제5 스위치(sw1, sw5)가 비도통 상태로 되고, 제4 스위치(sw4)가 도통되며, 제3 및 제7 스위치(sw3, sw7)는 도통 상태를 유지하고, 제2 및 제6 스위치(sw2, sw6)는 비도통 상태를 유지한다. 이 때, 제2 커패시터(C2)의 반대쪽 전극에 입력 전압(Vin)이 인가됨에 따라 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압은 제2 커패시터(C2)에 저장되는 전압에 따라 변화한다. 따라서, 이때의 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극-소스 전극의 전압차(Vgs2)가 제1 커패시터(C1)에 충전된다. 이때의 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 인가되는 게이트 전 압(Vg)은 입력 전압(Vin) + Vgs1이 된다.(즉, Vg=Vin+Vgs1)Thereafter, in the T2 section, the first and fifth switches sw1 and sw5 are turned off, the fourth switch sw4 is turned on, and the third and seventh switches sw3 and sw7 are turned on. In addition, the second and sixth switches sw2 and sw6 maintain a non-conduction state. At this time, as the input voltage Vin is applied to the electrode opposite to the second capacitor C2, the gate voltage of the first transistor M1 changes according to the voltage stored in the second capacitor C2. Therefore, the voltage difference Vgs2 between the gate electrode and the source electrode of the first transistor M1 at this time is charged in the first capacitor C1. At this time, the gate voltage Vg applied to the gate electrode of the first transistor M1 becomes the input voltage Vin + Vgs1 (that is, Vg = Vin + Vgs1).

그리고, 제1 트랜지스터(M1)의 소스 전극의 전압(Vs)은 게이트 전압(Vg)에 게이트 전극-소스 전극의 전압차(Vgs2)를 공제한 전압이 된다.(즉, Vs=Vin+Vgs1-Vgs2)The voltage Vs of the source electrode of the first transistor M1 is a voltage obtained by subtracting the voltage difference Vgs2 of the gate electrode-source electrode from the gate voltage Vg. (I.e., Vs = Vin + Vgs1-). Vgs2)

이어, T3 구간에서는 제1, 5 및 제6 스위치(sw1, sw5, sw6)가 비도통 상태를 유지하고, 제7 스위치(sw7)가 도통 상태를 유지하며, 제2 스위치(sw2)가 도통 상태로 되고, 제3 및 제4 스위치(sw3, sw4)가 비도통 상태로 된다. 이 때, 제1 커패시터(C1)의 반대쪽 전극에 입력 전압(Vin)이 인가됨에 따라 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압은 제1 커패시터(C1)에 저장되는 전압에 따라 변화한다.Subsequently, in the T3 section, the first, fifth, and sixth switches sw1, sw5, sw6 maintain a non-conduction state, the seventh switch sw7 maintains a conduction state, and the second switch sw2 conducts a state. And the third and fourth switches sw3 and sw4 are in a non-conductive state. At this time, as the input voltage Vin is applied to the electrode opposite to the first capacitor C1, the gate voltage of the first transistor M1 changes according to the voltage stored in the first capacitor C1.

이때의 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압(Vg)은 입력전압(Vin)에서 제1 커패시터(C1)의 충전전압(Vgs2)을 부가한 전압으로 된다.(즉, Vg=Vin+Vgs2) 또한, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극-소스 전극의 전압차를 Vgs3이라 하면, 제1 트랜지스터(M1)의 소스 전극의 전압(Vs)은 게이트 전압(Vg)에 게이트 전극-소스 전극의 전압차(Vgs3)를 공제한 전압이 된다.(즉, Vs=Vin+Vgs2-Vgs3) 여기서, (-Vgs2+Vgs3)=Verr로 놓으면, Vs=Vin+Verr로 된다.At this time, the gate voltage Vg applied to the gate electrode of the first transistor M1 becomes a voltage obtained by adding the charging voltage Vgs2 of the first capacitor C1 to the input voltage Vin. Vin + Vgs2 Also, when the voltage difference between the gate electrode and the source electrode of the first transistor M1 is Vgs3, the voltage Vs of the source electrode of the first transistor M1 is equal to the gate voltage Vg. The voltage difference Vgs3 of the source electrode is subtracted (that is, Vs = Vin + Vgs2-Vgs3). If (-Vgs2 + Vgs3) = Verr is set, Vs = Vin + Verr.

그 후, T4 구간에서는 제7 스위치(sw7)가 비도통 상태로 되고, 제6 스위치(sw6)가 도통 상태로 되며, 제2 스위치(sw2)가 도통 상태를 유지하고, 제1 내지 제5 스위치(sw1~sw5)가 비도통 상태를 유지하게 된다. 이때, 제1 커패시터(C1)의 한쪽 단자에 입력단(input)으로부터 입력신호(Vin)가 여전히 인가되므로, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압은 제1 커패시터(C1)의 충전전압에 따라서 변화한다. 한 편, 상기 제6 스위치(sw6)가 도통됨에 따라 이전의 구간에서 방전된 부하는 제6 스위치(sw6)와 제2 트랜지스터(M2)의 소스 전극-드레인 전극을 통하여 지속적으로 충전된다.Thereafter, in the T4 section, the seventh switch sw7 is in a non-conductive state, the sixth switch sw6 is in a conductive state, the second switch sw2 is in a conductive state, and the first to fifth switches (sw1 ~ sw5) will maintain a non-conduction state. At this time, since the input signal Vin is still applied from one input terminal to one terminal of the first capacitor C1, the gate voltage of the first transistor M1 changes according to the charging voltage of the first capacitor C1. . On the other hand, as the sixth switch sw6 is conducted, the load discharged in the previous section is continuously charged through the sixth switch sw6 and the source electrode-drain electrode of the second transistor M2.

이 때, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압은 입력전압(Vin)에서 제1 커패시터(C1)의 충전전압(Vgs2)을 부가한 전압으로 된다.(즉, Vg=Vin+Vgs2) 그리고, 제1 트랜지스터(M1)의 소스 전극의 전압(Vs)은 게이트 전압(Vg)에 게이트 전극-소스 전압(Vgs3)을 공제한 전압이 된다.(즉, Vs=Vin+Vgs2-Vgs3) 여기서 Vgs2와 Vgs3이 거의 같은 값이 되면 Vs는 Vin에 매우 근사한 값으로 된다.At this time, the gate voltage of the first transistor M1 becomes a voltage obtained by adding the charging voltage Vgs2 of the first capacitor C1 to the input voltage Vin. (Ie, Vg = Vin + Vgs2). The voltage Vs of the source electrode of the first transistor M1 becomes a voltage obtained by subtracting the gate electrode-source voltage Vgs3 from the gate voltage Vg (that is, Vs = Vin + Vgs2-Vgs3) where Vgs2 and Vgs3. When these values are about the same, Vs is very close to Vin.

상술한 종래이 아날로그 버퍼 회로에서는 소스 폴로워 구조를 사용함으로써 출력 전압이 입력 전압에 가까워질수록 구동용 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 전극 사이의 전압차가 점차 감소하게 되고, 이에 따라 구동용 트랜지스터의 구동능력이 현저히 떨어지게 된다. 따라서, 아날로그 버퍼 회로의 출력시간에 대한 안정화 시간이 길어질 수 밖에 없다.In the conventional analog buffer circuit described above, the voltage difference between the gate electrode and the source electrode of the driving transistor gradually decreases as the output voltage approaches the input voltage by using the source follower structure. It will fall significantly. Therefore, the stabilization time with respect to the output time of the analog buffer circuit will be long.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 제1 목적은 캐스코드 증폭구조를 가지고, 부궤환을 통해 입력신호를 빠르고 정확하게 추종할 수 있는 아날로그 버퍼회로를 제공하는데 있다.A first object of the present invention for solving the above problems is to provide an analog buffer circuit having a cascode amplifying structure and capable of quickly and accurately following an input signal through negative feedback.

본 발명의 제2 목적은 상기 제1 목적의 달성에 의해 제공되는 아날로그 버퍼회로의 동작방법을 제공하는데 있다.A second object of the present invention is to provide a method of operating an analog buffer circuit provided by achieving the first object.

상기 제1 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 입력신호를 샘플링하여 저장하기 위한 입력 샘플링부; 상기 입력 샘플링부에 저장된 입력신호를 부궤환 동작에 이용하기 위한 캐스코드 증폭부; 및 상기 캐스코드 증폭부에 연결되어 구동전류를 발생하기 위한 정전류원을 포함하는 아날로그 버퍼회로를 제공한다.The present invention for achieving the first object, the input sampling unit for sampling and storing the input signal; A cascode amplifier for using the input signal stored in the input sampling unit in a negative feedback operation; And a constant current source connected to the cascode amplifier and generating a driving current.

상기 제2 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 입력신호를 샘플링하여 저장하기 위한 입력 샘플링부와 상기 입력 샘플링부에 저장된 입력신호를 부궤환 동작에 이용하기 위한 캐스코드 증폭부 및 상기 캐스코드 증폭부에 연결되어 구동전류를 발생하기 위한 정전류원을 포함하는 아날로그 버퍼회로의 동작방법에 있어서, 상기 입력 샘플링부를 이용하여 입력신호를 샘플링하고 저장하는 샘플링 모드로 동작시키는 단계; 및 스위칭을 통해 상기 입력 샘플링부의 제1 샘플링부에 저장된 상기 입력신호를 이용하여 상기 캐스코드 증폭부의 출력신호가 상기 입력신호를 추종하도록 증폭 모드로 동작시키는 단계를 포함하는 아날로그 버퍼회로의 동작방법을 제 공한다.According to another aspect of the present invention, an input sampling unit for sampling and storing an input signal, a cascode amplifier unit, and the cascode amplifier unit for using an input signal stored in the input sampling unit in a negative feedback operation are provided. An operating method of an analog buffer circuit comprising a constant current source connected to a source for generating a drive current, the method comprising: operating in a sampling mode for sampling and storing an input signal using the input sampling unit; And operating in an amplifying mode such that an output signal of the cascode amplifier part follows the input signal by using the input signal stored in the first sampling part of the input sampling part through switching. to provide.

상술한 본 발명에 따르면, 캐스코드 증폭구조에 부궤환 경로가 형성된다. 따라서 아날로그 버퍼는 높은 이득을 구현할 수 있으며, 출력신호의 안정화 시간을 단축시켜서 소비전력을 감소시킬 수 있다. 또한, 부하 구동신호인 출력신호의 안정화 시간이 짧아짐에 따라 디멀티플렉싱을 위한 충분한 라인 타임을 확보하는 것이 용이하게 된다.According to the present invention described above, a negative feedback path is formed in the cascode amplifying structure. Therefore, the analog buffer can realize a high gain and can reduce power consumption by shortening the stabilization time of the output signal. In addition, as the stabilization time of the output signal as the load driving signal is shortened, it is easy to ensure sufficient line time for demultiplexing.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

실시예Example

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 아날로그 버퍼회로를 도시한 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating an analog buffer circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 아날로그 버퍼회로는 입력 샘플링부(100), 캐스코드 증폭부(200), 정전류원(300) 및 출력 로드부(400)를 가진다.Referring to FIG. 3, the analog buffer circuit includes an input sampling unit 100, a cascode amplifier 200, a constant current source 300, and an output load unit 400.

상기 입력 샘플링부(100)는 입력신호 Vin을 샘플링하고, 샘플링된 입력신호를 상기 캐스코드 증폭부의 부궤환 동작에 사용한다. 상기 입력 샘플링부(100)는 제1 샘플링부(110) 및 제2 샘플링부(130)를 가진다.The input sampling unit 100 samples the input signal Vin and uses the sampled input signal in the negative feedback operation of the cascode amplifier. The input sampling unit 100 has a first sampling unit 110 and a second sampling unit 130.

제1 샘플링부(110)는 제1 스위치 SW1, 제1 커패시터 C1 및 제2 스위치 SW2로 구성된다. 제1 스위치 SW1은 입력단과 제1 노드 N1 사이에 연결되고, 제1 커패시터 C1은 제1 노드 N1과 캐스코드 증폭부(200) 사이에 연결된다. 또한, 제2 스위치 SW2는 제1 노드 N1과 정전류원(300) 사이에 연결된다.The first sampling unit 110 includes a first switch SW1, a first capacitor C1, and a second switch SW2. The first switch SW1 is connected between the input terminal and the first node N1, and the first capacitor C1 is connected between the first node N1 and the cascode amplifier 200. In addition, the second switch SW2 is connected between the first node N1 and the constant current source 300.

제2 샘플링부(130)는 상기 제1 샘플링부(110)와 병렬로 구성되면, 제3 스위치 SW3, 제2 커패시터 C2 및 제4 스위치 SW4로 구성된다. 상기 제3 스위치 SW3은 입력단과 제2 노드 N2 사이에 연결되고, 제2 커패시터 C2는 제2 노드 N2와 캐스코드 증폭부(200) 사이에 연결된다. 또한, 제4 스위치 SW4는 제1 노드 N1과 정전류원(300) 사이에 연결된다.When the second sampling unit 130 is configured in parallel with the first sampling unit 110, the second sampling unit 130 includes a third switch SW3, a second capacitor C2, and a fourth switch SW4. The third switch SW3 is connected between the input terminal and the second node N2, and the second capacitor C2 is connected between the second node N2 and the cascode amplifier 200. In addition, the fourth switch SW4 is connected between the first node N1 and the constant current source 300.

캐스코드 증폭부(200)는 양의전원전압 VDD와 정전류원(300) 사이에 연결되고, 부궤환 동작을 수행하여, 샘플링된 입력신호 Vin의 변화에 따른 증폭동작을 수행한다.The cascode amplifier 200 is connected between the positive power supply voltage VDD and the constant current source 300, performs a negative feedback operation, and performs an amplification operation according to a change of the sampled input signal Vin.

상기 캐스코드 증폭부(200)는 제1 트랜지스터 M1, 제2 트랜지스터 M2, 제3 커패시터, 제5 스위치 SW5, 제6 스위치 SW6 및 제7 스위치 SW7로 구성된다.The cascode amplifier 200 includes a first transistor M1, a second transistor M2, a third capacitor, a fifth switch SW5, a sixth switch SW6, and a seventh switch SW7.

제1 트랜지스터 M1은 양의전원전압 VDD와 제6 노드 N6을 경유하여 제2 트랜지스터 M2에 연결되고, 상기 제1 트랜지스터 M1의 게이트는 제3 노드 N3를 경유하여 제1 커패시터 C1 및 제2 커패시터 C2의 일측단에 연결된다. 상술한 구성은 제3 노드 N3의 전압을 입력으로 한 공통 소스 구성을 가진다. 따라서, 큰 소신호 이득을 확보할 수 있는 장점을 가진다. The first transistor M1 is connected to the second transistor M2 via the positive power supply voltage VDD and the sixth node N6, and the gate of the first transistor M1 is connected to the first capacitor C1 and the second capacitor C2 via the third node N3. It is connected to one end of. The above-described configuration has a common source configuration in which the voltage of the third node N3 is input. Therefore, there is an advantage that a large small signal gain can be secured.

또한, 제5 스위치 SW5는 제3 노드 N3과 제6 노드 N6 사이에 연결된다. 즉, 제1 트랜지스터 M1의 드레인과 소스 사이에 연결된다. 만일, 제5 스위치 SW5가 턴온되는 경우, 상기 제1 트랜지스터 M1은 다이오드 연결된다.In addition, the fifth switch SW5 is connected between the third node N3 and the sixth node N6. That is, it is connected between the drain and the source of the first transistor M1. If the fifth switch SW5 is turned on, the first transistor M1 is diode connected.

제2 트랜지스터 M2는 제6 노드 N6과 제5 노드 N5 사이에 연결되고, 게이트는 제4 노드 N4에 연결된다. 상기 제2 트랜지스터 M2는 소스인 제6 노드 N6의 전압을 입력으로 하는 공통 게이트 구조를 가진다. 따라서, 직렬로 연결된 제1 트랜지스터 M1과 제2 트랜지스터 M2는 캐스코드 구조를 가진다. 캐스코드 구조는 높은 이득과 고주파에서도 안정적인 이득 특성을 확보할 수 있는 장점이 있다. 이어서 제2 트랜지스터의 드레인과 게이트 사이에는 제6 스위치 SW6이 연결된다. 상기 제6 스위치 SW6이 턴온되는 경우, 제2 트랜지스터 M2는 다이오드 연결된다.The second transistor M2 is connected between the sixth node N6 and the fifth node N5, and the gate is connected to the fourth node N4. The second transistor M2 has a common gate structure which receives the voltage of the sixth node N6 as a source. Accordingly, the first transistor M1 and the second transistor M2 connected in series have a cascode structure. The cascode structure has an advantage of ensuring stable gain characteristics at high gain and high frequency. Subsequently, a sixth switch SW6 is connected between the drain and the gate of the second transistor. When the sixth switch SW6 is turned on, the second transistor M2 is diode connected.

또한, 제3 커패시터 C3은 양의전원전압 VDD와 제4 노드 N4 사이에 연결된다. 상기 제3 커패시터 C3의 일측단에 저장된 전압은 제2 트랜지스터 M2의 게이트에 공급되어, 제2 트랜지스터 M2의 동작을 제어한다.In addition, the third capacitor C3 is connected between the positive power supply voltage VDD and the fourth node N4. The voltage stored at one end of the third capacitor C3 is supplied to the gate of the second transistor M2 to control the operation of the second transistor M2.

상기 제7 스위치 SW7은 제5 노드 N5와 출력 로드부(400) 사이에 연결된다. 제7 스위치 SW7의 턴온에 의해 캐스코드 증폭부(200)의 출력신호는 출력 로드부(400)로 전달된다.The seventh switch SW7 is connected between the fifth node N5 and the output load unit 400. By turning on the seventh switch SW7, the output signal of the cascode amplifier 200 is transmitted to the output rod 400.

정전류원(300)은 제3 트랜지스터 M3으로 구성된다. 상기 정전류원(300)은 제5 노드 N5와 음의전원전압 VSS 사이에 연결된다. 상기 제3 트랜지스터 M3의 게이트 단자에는 정전압 Vbias가 인가된다. 인가되는 정전압 Vbias에 의해 제3 트랜지스터 M3은 정전류를 발생시킨다. 다만, 이러한 정전류원으로 동작하기 위해서 상기 제3 트랜지스터 M3은 활성영역에서 동작하여야 한다.The constant current source 300 is composed of the third transistor M3. The constant current source 300 is connected between the fifth node N5 and the negative power supply voltage VSS. A constant voltage Vbias is applied to the gate terminal of the third transistor M3. The third transistor M3 generates a constant current by the applied constant voltage Vbias. However, in order to operate as the constant current source, the third transistor M3 must operate in the active region.

상기 출력 로드부(400)는 로드 저항 RL 및 로드 커패시터 CL로 구성된다. 다만, 상술한 출력 로드부(400)의 구성은 일반적으로 회로가 가지는 출력 로드를 등가적인 회로로 표현한 것에 불과하므로, 본 발명에서는 출력 로드부(400)는 다양한 구성을 가질 수 있다.The output load unit 400 includes a load resistor R L and a load capacitor C L. However, since the above-described configuration of the output rod 400 is merely an equivalent circuit representing the output load of the circuit, the output rod 400 may have various configurations in the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 3에 도시된 아날로그 버퍼회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.4 is a timing diagram illustrating the operation of the analog buffer circuit shown in FIG. 3 according to a preferred embodiment of the present invention.

상기 도 4를 참조하면, 아날로그 버퍼회로는 3단계의 구간으로 나누어 동작한다. 즉, 제1 구간 T1은 샘플링 모드로 동작하는 상태를 나타내고, 제2 구간 T2는 증폭 모드로 동작하는 상태를 나타내며, 제3 구간 T3은 보상 모드로 동작하는 상태를 나타낸다. 또한, 상기 도 4에서 각각의 스위치들의 동작의 양상을 표현하면서 타이밍상 하이레벨로 표시된 부분은 해당하는 스위치가 턴온된 상태를 나타내고, 로우레벨로 표시된 부분은 해당하는 스위치가 오프된 상태를 나타낸다.Referring to FIG. 4, the analog buffer circuit operates in three stages. That is, the first section T1 indicates a state of operating in the sampling mode, the second section T2 indicates a state of operating in the amplification mode, and the third section T3 indicates a state of operating in the compensation mode. In addition, in FIG. 4, the portion marked as high level in timing indicates the state in which the corresponding switch is turned on, and the portion indicated as low level indicates the state in which the corresponding switch is turned off.

이하는 각각의 구간마다 아날로그 버퍼회로의 동작을 설명한다.The following describes the operation of the analog buffer circuit in each section.

도 5는 상기 도 4의 제1 구간에서의 아날로그 버퍼회로를 도시한 등가 회로도이다.FIG. 5 is an equivalent circuit diagram illustrating an analog buffer circuit in the first section of FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제1 구간 T1에서 제1 스위치 SW1, 제3 스위치 SW3, 제5 스위치 SW6, 제6 스위치 SW6은 턴온되고, 나머지 스위치들은 오프 상태가 된다.4 and 5, in the first section T1, the first switch SW1, the third switch SW3, the fifth switch SW6, and the sixth switch SW6 are turned on, and the remaining switches are turned off.

입력신호 Vin은 제1 노드 N1 및 제2 노드 N2에 전달된다. 또한, 제1 트랜지스터 M1 및 제2 트랜지스터 M2는 각각 다이오드 연결된다. 따라서, 제3 노드 N3과 제6 노드 N6은 동일 전압으로 설정되고, 설정된 전압은 VDD-Vsg1(Vsg1은 제1 트랜지스터 M1의 소스-게이트간 전압차)이 된다. 제4 노드 N4와 제5 노드 N5도 전기적으로 서로 단락된 상태가 되는데, 상기 제4 노드 N4 및 제5 노드 N5의 전압은 VDD-Vsg1-Vsg2(Vsg2는 제2 트랜지스터 M2의 소스-게이트간 전압차)가 된다.The input signal Vin is transmitted to the first node N1 and the second node N2. In addition, the first transistor M1 and the second transistor M2 are each diode connected. Therefore, the third node N3 and the sixth node N6 are set to the same voltage, and the set voltage is VDD-Vsg1 (Vsg1 is the source-gate voltage difference of the first transistor M1). The fourth node N4 and the fifth node N5 are also electrically shorted to each other, and the voltages of the fourth node N4 and the fifth node N5 are VDD-Vsg1-Vsg2 (where Vsg2 is the source-gate voltage of the second transistor M2). Car).

결국, 제1 구간 T1에서 제1 커패시터 C1 및 제2 커패시터 C2에 저장되는 전압차 Vc1 및 Vc2는 VDD-Vsg1-Vin이 된다. 즉, 커패시터 C1 및 C2를 통해서 입력신호 Vin은 샘플링되고, 저장된다. 또한, 제3 커패시터 C3의 양단에 저장되는 전압차 Vc3는 Vsg1+Vsg2가 된다. 상기 제3 커패시터 C3에는 2개의 트랜지스터들 M1 및 M2 의 소스-게이트간 전압차 특성이 저장된다.As a result, the voltage differences Vc1 and Vc2 stored in the first capacitor C1 and the second capacitor C2 in the first period T1 become VDD-Vsg1-Vin. That is, the input signal Vin is sampled and stored through the capacitors C1 and C2. In addition, the voltage difference Vc3 stored at both ends of the third capacitor C3 becomes Vsg1 + Vsg2. The third capacitor C3 stores the voltage difference between the source and gate of the two transistors M1 and M2.

2개의 트랜지스터들 M1 및 M2의 소스-게이트간 전압차 Vsg1 및 Vsg2는 정전류원인 제3 트랜지스터 M3의 게이트 단자에 인가되는 정전압 Vbias의 레벨에 의존하는 특성을 가진다. 즉, 활성영역에서 동작하는 제3 트랜지스터 M3의 드레인-소스 간의 전류를 결정하는 Vbias에 따라 Vsg1 및 Vsg2는 결정된다. 만일 Vbias가 높은 값을 가지는 경우, 구동전류 Idr은 증가하며, 이에 따라 Vsg1 및 Vsg2는 증가하게 된다.The source-gate voltage differences Vsg1 and Vsg2 of the two transistors M1 and M2 have a characteristic depending on the level of the constant voltage Vbias applied to the gate terminal of the third transistor M3 which is a constant current source. That is, Vsg1 and Vsg2 are determined according to Vbias, which determines the current between the drain and the source of the third transistor M3 operating in the active region. If Vbias has a high value, the driving current Idr increases, and thus Vsg1 and Vsg2 increase.

정리하면, 샘플링 구간인 구간 T1에서 입력신호 Vin은 2개의 커패시터 C1 및 C2에 샘플링되고, 저장된다. 또한, 구동전류 Idr에 상응하는 2개의 트랜지스터들 M1 및 M2의 소스-게이트간 전압차 Vsg1 및 Vsg2도 제3 커패시터 C3에 저장된다.In summary, the input signal Vin is sampled and stored in two capacitors C1 and C2 in the period T1 which is the sampling period. In addition, the source-gate voltage difference Vsg1 and Vsg2 of the two transistors M1 and M2 corresponding to the driving current Idr are also stored in the third capacitor C3.

도 6은 상기 도 4의 제2 구간에서의 아날로그 버퍼회로를 도시한 등가 회로도이다.FIG. 6 is an equivalent circuit diagram illustrating an analog buffer circuit in the second section of FIG. 4.

도 4 및 도 6을 참조하면, 제2 구간 T2에서 아날로그 버퍼회로는 증폭 모드로 동작한다. 이를 위해 제2 스위치 SW2, 제3 스위치 SW3 및 제7 스위치 SW7은 턴온되고, 나머지 스위치들은 오프 상태가 된다.4 and 6, in the second period T2, the analog buffer circuit operates in an amplification mode. To this end, the second switch SW2, the third switch SW3 and the seventh switch SW7 are turned on, and the remaining switches are turned off.

먼저, 샘플링 모드인 제1 구간 T1에서 제5 노드 N5의 전압은 VDD-Vsg1-Vsg2 였다. 그러나, 제7 스위치 SW7의 턴온으로 인해 제5 노드 N5를 흐르는 구동전류 Idr의 일부는 출력 로드부로 흐르고, 제5 노드 N5의 전압은 갑자기 하강한다. 또한, 커패시터 C1에 저장된 전압차에 의한 커플링에 의해 제3 노드 N3의 전압 또한 하강하게 된다. 제3 노드 N3의 전압강하는 제1 트랜지스터 M1의 소스-게이트간 전 압차를 증가시킨다. 따라서, 제1 트랜지스터 M1의 소스-드레인을 흐르는 전류는 증가하고, 제6 노드 N6의 전압 또한 증가하게 된다. 이는 구동전류 Idr 이외에 출력 로드부를 충전시키기에 충분한 전류를 형성한다. 결국, 출력단의 전압은 급격하게 증가하게 된다.First, the voltage of the fifth node N5 was VDD-Vsg1-Vsg2 in the first period T1 which is the sampling mode. However, part of the driving current Idr flowing through the fifth node N5 flows to the output load part due to the turning on of the seventh switch SW7, and the voltage of the fifth node N5 suddenly drops. In addition, the voltage of the third node N3 is also lowered by the coupling due to the voltage difference stored in the capacitor C1. The voltage drop at the third node N3 increases the voltage difference between the source and the gate of the first transistor M1. Therefore, the current flowing through the source-drain of the first transistor M1 increases, and the voltage of the sixth node N6 also increases. This forms a sufficient current to charge the output load portion in addition to the drive current Idr. As a result, the voltage at the output stage increases rapidly.

만일, 제5 노드 N5의 전압을 V5라 한다면, V5는 지속적으로 상승한다. 다만, 감안되어야 하는 점은 샘플링 모드에서 제1 커패시터 C1이 VDD-Vsg1-Vin의 전압차를 저장한다는 점이다. 즉, V5를 감안한 제3 노드 N3의 전압은 VDD-Vsg1-Vin+V5이다. 또한, 제1 트랜지스터 M1의 소스-게이트간 전압차는 Vin+Vsg1-V5가 된다. 만일, V5가 Vin을 상회하는 경우, 제1 트랜지스터는 턴온되지 않거나 활성영역에서 동작하지 않게 된다. 따라서, V5는 최대 Vin까지 상승하게 된다.If the voltage of the fifth node N5 is V5, V5 continuously rises. However, it should be considered that the first capacitor C1 stores the voltage difference of VDD-Vsg1-Vin in the sampling mode. That is, the voltage of the third node N3 considering V5 is VDD-Vsg1-Vin + V5. In addition, the voltage difference between the source and the gate of the first transistor M1 becomes Vin + Vsg1-V5. If V5 exceeds Vin, the first transistor is not turned on or is not operated in the active region. Thus, V5 rises up to Vin.

제3 노드 N3의 전압이 상승하면, 제1 트랜지스터 M1의 활성영역에서의 동작에 의해 발생되는 전류는 점점 감소한다. 이는 제6 노드 N6의 전압이 점차 감소함을 나타낸다. 따라서, 출력 로드부로 충전되는 전류의 양은 점점 감소하게 된다. 이는 시간이 지날수록 출력 로드부의 출력 신호 Vout의 증가량이 줄어듬을 의미한다.When the voltage of the third node N3 rises, the current generated by the operation in the active region of the first transistor M1 gradually decreases. This indicates that the voltage at the sixth node N6 gradually decreases. Therefore, the amount of current charged to the output rod portion is gradually reduced. This means that as time passes, the increase amount of the output signal Vout of the output load portion decreases.

상술한 증폭모드의 동작에서 캐스코드 증폭부는 입력 샘플링부와 부궤환 회로를 구성하고, 출력 로드부를 충전하여 출력 로드부의 전압을 Vin에 근접할 때까지 상승시킨다.In the operation of the amplification mode described above, the cascode amplifier unit constitutes an input sampling unit and a negative feedback circuit, charges the output load unit, and raises the voltage of the output load unit until it approaches Vin.

도 7은 상기 도 4의 제3 구간에서의 아날로그 버퍼회로를 도시한 등가 회로도이다.FIG. 7 is an equivalent circuit diagram illustrating an analog buffer circuit in the third section of FIG. 4.

도 4 및 도 7을 참조하면, 아날로그 버퍼회로는 제3 구간 T3에서 보상 모드로 동작한다. 즉, 상기 도 6에서 부궤환 경로 상에 제1 커패시터 C1만이 개재된데 반해, 상기 도 7에서는 부궤환 경로 상에 제2 커패시터 C2가 추가된 것이다. 따라서, 캐스코드 증폭부의 부궤환 경로 상에는 제1 커패시터 C1 및 제2 커패시터 C2가 배치된다. 상기 도 5에서 2개의 커패시터들 C1 및 C2에 저장된 전압차는 VDD-Vsg1-Vin이다. 따라서, 제5 노드 N5의 전압 V5의 변화량에 대해 2개의 커패시터들에서 커플링 동작이 발생된다. 이는 하나의 제1 커패시터 C1에서 발생되는 커플링 동작보다 강력한 것이다.4 and 7, the analog buffer circuit operates in the compensation mode in the third section T3. That is, in FIG. 6, only the first capacitor C1 is interposed on the negative feedback path, whereas in FIG. 7, the second capacitor C2 is added on the negative feedback path. Therefore, the first capacitor C1 and the second capacitor C2 are disposed on the negative feedback path of the cascode amplifier part. In FIG. 5, the voltage difference stored in the two capacitors C1 and C2 is VDD-Vsg1-Vin. Thus, a coupling operation occurs in two capacitors with respect to the change amount of the voltage V5 of the fifth node N5. This is stronger than the coupling operation that occurs in one first capacitor C1.

즉, 제조공정 상의 이유로 게이트 단에서의 누설전류의 발생에 의해 커플링 동작에 의한 제3 노드 N3의 전압 강하가 발생된다 하더라도, 추가되는 제2 커패시터 C2의 영향에 의해 오차범위는 최소화된다. 따라서, 제5 노드 N5는 더욱 정확하고 빠른 충전동작을 출력 로드부에 대해 수행할 수 있으며, 출력 신호 Vout은 빠르고 정확하게 Vin 레벨로 상승할 수 있다.That is, even if the voltage drop of the third node N3 is generated by the coupling operation due to the generation of the leakage current at the gate stage for the manufacturing process, the error range is minimized by the effect of the additional second capacitor C2. Therefore, the fifth node N5 can perform a more accurate and quick charging operation on the output load portion, and the output signal Vout can rise to the Vin level quickly and accurately.

또한, 본 발명에서는 필요에 따라 보상 모드로의 동작을 추가할 수 있다. 즉, 샘플링 모드 및 증폭 모드만으로 아날로그 버퍼회로를 사용할 수 있으며, 더욱 빠르고 정확한 출력신호를 획득하기 위해서는 보상 모드를 추가적으로 사용할 수 있다. 따라서, 입력 샘플링부의 제2 샘플링부는 선택적으로 채용될 수 있다.In addition, in the present invention, the operation in the compensation mode may be added as necessary. That is, the analog buffer circuit can be used only in the sampling mode and the amplification mode, and the compensation mode can be additionally used to obtain a faster and more accurate output signal. Therefore, the second sampling unit of the input sampling unit may be selectively employed.

도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 증폭 모드에서의 제3 노드와 출력 신호의 특성을 도시한 타이밍도이다.8 is a timing diagram illustrating characteristics of a third node and an output signal in an amplification mode according to a preferred embodiment of the present invention.

도 8을 참조하면, 증폭 모드의 진입과 함께 제3 노드 N3의 전압은 순간적으 로 하강하며, 이후 지속적으로 증가하는 양상을 가진다. 출력 신호 Vout의 경우, 입력신호 Vin을 추종하는 특성을 가진다. 이러한 증폭 모드에서의 아날로그 버퍼회로의 동작은 상기 도 6에서 설명된 바와 동일하다.Referring to FIG. 8, as the amplification mode is entered, the voltage of the third node N3 decreases momentarily and continuously increases. The output signal Vout has a characteristic of following the input signal Vin. The operation of the analog buffer circuit in this amplification mode is the same as described in FIG.

또한, 다음의 표 1의 조건으로 LTPS 공정을 사용하여 도 3의 아날로그 버퍼회로와 상기 도 1에 개시된 종래의 아날로그 버퍼회로를 시뮬레이션하였다.In addition, the analog buffer circuit of FIG. 3 and the conventional analog buffer circuit disclosed in FIG. 1 were simulated using the LTPS process under the conditions shown in Table 1 below.

<표1> 시뮬레이션 조건 Table 1 Simulation Conditions

VDD, VSS VDD, VSS 8.5V,   -0.5V 8.5 V, -0.5 V 입력 전압 범위 Input voltage range 3V ~ 5V 3 V to 5 V 라인 타임 Line time 16μsec 16 μsec 패널 크기 Panel size 2.2 인치 2.2 inch 해상도 resolution qVGA (240×RGB×320)qVGA (240 × RGB × 320) 부하 조건 Load condition C: 12pF,  R: 900Ω C: 12pF, R: 900Ω

도 9는 도 1에 도시된 종래의 아날로그 버퍼회로에서, 입력신호 Vin이 2.5V, 3.5V, 4.0V, 4.5V, 5.0V 및 5.5V인 경우, 각각 TT 상태(정상상태), FF 상태(TT보다 문턱전압이 낮고 이동도가 높은 상태), SS 상태(TT보다 문턱전압이 높고 이동도가 낮은 상태)에 대한 출력전압 특성을 나타낸 도면이다. 동 도면에서, Verr은 TT 상태에서의 오프셋 전압(즉 mischarging되는 전압)이다. FIG. 9 shows the TT state (steady state) and FF state (in the case of the input signals Vin of 2.5V, 3.5V, 4.0V, 4.5V, 5.0V and 5.5V, respectively) in the conventional analog buffer circuit shown in FIG. The figure shows the output voltage characteristics for the state of lower threshold and higher mobility than TT) and SS state (higher threshold and lower mobility than TT). In the figure, Verr is the offset voltage (ie mischarging voltage) in the TT state.

도 10은 도 1에 도시한 종래 아날로그 버퍼 회로의 입력 전압에 따른 오프셋 출력 전압 특성을 나타낸 도면이다. FIG. 10 is a diagram illustrating an offset output voltage characteristic according to an input voltage of the conventional analog buffer circuit shown in FIG. 1.

상기 도 10을 참조하면, 종래 아날로그 버퍼 회로에서 출력 전압의 최대 오프셋(Verr)은 SS 상태의 16μsec의 라인 타임에서 37mV임을 알 수 있다. Referring to FIG. 10, it can be seen that the maximum offset Verr of the output voltage in the conventional analog buffer circuit is 37 mV at a line time of 16 μsec in the SS state.

도 11은 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로에서, 입력전압(Vin)이 2,5V, 3.0V, 3.5V, 4.0V, 4.5V, 5.0V 및 5.5V인 경우, 각각 TT 상태, FF 상태, SS 상태에 대한 출력전압 특성을 나타낸 도면이다. 11 is an analog buffer circuit according to the present invention, when the input voltage (Vin) is 2,5V, 3.0V, 3.5V, 4.0V, 4.5V, 5.0V and 5.5V, respectively, TT state, FF state, SS A diagram showing output voltage characteristics for a state.

상기 도 11을 참조하면, Verr은 TT 상태에서의 오프셋 전압이다. 또, 동 도면에서는 동일한 입력전압(Vin)에서 TT 상태, FF 상태, SS 상태에 대한 출력전압의 특성이 겹쳐질 정도로 극히 유사하게 나타나는 것을 볼 수 있다. Referring to FIG. 11, Verr is an offset voltage in the TT state. Also, in the same drawing, it can be seen that the characteristics of the output voltages for the TT state, the FF state, and the SS state are extremely similar to each other at the same input voltage Vin.

도 12는 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로의 입력전압 대비 오프셋 출력 전압 특성이다. 12 is an offset output voltage characteristic versus an input voltage of an analog buffer circuit according to the present invention.

도 12를 참조하면, 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로에서 출력 전압의 최대 오프셋(Verr)은 SS 상태의 16μsec의 라인 타임에서 8mV임을 알 수 있다.  여기서, 16μsec는 1~3회의 디멀티플렉싱을 위한 시간이다. Referring to FIG. 12, it can be seen that the maximum offset (Verr) of the output voltage in the analog buffer circuit according to the present invention is 8 mV at a line time of 16 μsec in the SS state. Here, 16 μsec is a time for 1 to 3 demultiplexing.

상기한 바와 같이 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로는 1~3회의 디멀티플렉싱 시간 내에서 종래 아날로그 버퍼 회로에 비해서 목표 전압에 훨씬 더 근접한다는 것을 알 수 있다. As described above, it can be seen that the analog buffer circuit according to the present invention is much closer to the target voltage than the conventional analog buffer circuit within one to three demultiplexing times.

여기서, 출력 전압이 목표 전압의 90%에 도달하는 시간을 안정화 시간이라 하면, 아날로그 버퍼 회로가 얼마나 빠르게 출력부하를 충전하는지를 알 수 있다. 이에 대한 시뮬레이션 결과, 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로에서는 10μsec에 안정화되었고 도 1에 도시한 종래 아날로그 버퍼 회로에서는 20μsec에 안정화되었다. 따라서, 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로가 출력부하의 충전 능력이 매우 높고 빠르다는 것을 알 수 있다. Here, when the output voltage reaches 90% of the target voltage as the stabilization time, it can be seen how quickly the analog buffer circuit charges the output load. As a result of the simulation, it was stabilized at 10 mu sec in the analog buffer circuit according to the present invention and 20 mu sec in the conventional analog buffer circuit shown in FIG. Thus, it can be seen that the analog buffer circuit according to the present invention has a very high and fast charging capacity of the output load.

마지막으로, 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로의 소비전력은 43.1μW로서 도 1에 도시한 종래 아날로그 버퍼 회로의 73%이다. Finally, the power consumption of the analog buffer circuit according to the present invention is 43.1 µW, which is 73% of the conventional analog buffer circuit shown in FIG.

도 13은 도 1에 도시한 종래 아날로그 버퍼 회로의 전류 구동 능력 특성을 나타낸 도면이고, 도 14는 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로의 전류 구동 능력 특성을 나타낸 도면이다. 13 is a view showing the current drive capability characteristics of the conventional analog buffer circuit shown in Figure 1, Figure 14 is a view showing the current drive capability characteristics of the analog buffer circuit according to the present invention.

도 13을 참조하면, 종래 아날로그 버퍼 회로는 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로에 비하여 낮은 부하 충전 능력을 갖기 때문에 피크 전류(peak current)와 정지전류(quiescent current)가 FF 상태에서 각각 158μA, 11.99μA, TT 상태에서 각각 127μA, 8.80μA, 그리고 SS 상태에서 각각 103μA, 6.10μA이므로 다량의 동작 전류를 필요로 한다. 따라서 종래 아날로그 버퍼 회로는 다량의 전력을 소비한다. Referring to FIG. 13, since the conventional analog buffer circuit has a lower load charging capability compared to the analog buffer circuit according to the present invention, the peak current and the quiescent current are 158 μA, 11.99 μA, respectively in the FF state. 127μA, 8.80μA in TT and 103μA and 6.10μA in SS, respectively, require large amounts of operating current. Therefore, the conventional analog buffer circuit consumes a large amount of power.

반면, 도 14를 참조하면, 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로는 피크 전류(peak current)와 정지전류(quiescent current)가 FF 상태에서 각각 31μA, 2.98μA, TT 상태에서 각각 28μA, 2.18μA, 그리고 SS 상태에서 각각 26μA, 1.51μA이므로 종래보다 적은 양의 전류를 소모한다는 것을 알 수 있다.On the other hand, referring to Figure 14, the analog buffer circuit according to the present invention has a peak current (quiescent current) and quiescent current (31μA, 2.98μA in the FF state, respectively 28μA, 2.18μA, and SS in the TT state, respectively) In the state, it can be seen that it consumes a smaller amount of current than 26 μA and 1.51 μA, respectively.

이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로는 샘플링 모드와 네거티브 피드백 모드를 가진 캐스코드 타입이므로 구동 속도가 종래 아날로그 버퍼 회로에 비하여 매우 빠르다. 또한, 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로는 높은 네거티브 피드백 이득으로 인하여 정밀도가 매우 높다. 시뮬레이션 결과에 의하면, 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로에서 출력 전압의 최대 오프셋은 8mV이고 종래 아날로그 버퍼 회로에서 출력 전압의 최대 오프셋은 37mV인 것으로 나타났다. 그리 고 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로의 소비전력은 43.1μW로서, 종래 아날로그 버퍼 회로의 소비전력의 73%에 불과한 것으로 확인되었다. As described above, since the analog buffer circuit according to the present invention is a cascode type having a sampling mode and a negative feedback mode, the driving speed is much faster than that of the conventional analog buffer circuit. In addition, the analog buffer circuit according to the present invention has very high precision due to the high negative feedback gain. Simulation results show that the maximum offset of the output voltage in the analog buffer circuit according to the present invention is 8mV and the maximum offset of the output voltage in the conventional analog buffer circuit is 37mV. In addition, the power consumption of the analog buffer circuit according to the present invention is 43.1μW, it was confirmed that only 73% of the power consumption of the conventional analog buffer circuit.

도 1은 종래 기술에 따른 소스 폴로워형 아날로그 버퍼 회로를 도시한 회로도이다.1 is a circuit diagram illustrating a source follower type analog buffer circuit according to the prior art.

도 2는 상기 도 1의 아날로그 버퍼 회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.FIG. 2 is a timing diagram for describing an operation of the analog buffer circuit of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 아날로그 버퍼회로를 도시한 회로도이다.3 is a circuit diagram illustrating an analog buffer circuit according to a preferred embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 도 3에 도시된 아날로그 버퍼회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.4 is a timing diagram illustrating the operation of the analog buffer circuit shown in FIG. 3 according to a preferred embodiment of the present invention.

도 5는 상기 도 4의 제1 구간에서의 아날로그 버퍼회로를 도시한 등가 회로도이다.FIG. 5 is an equivalent circuit diagram illustrating an analog buffer circuit in the first section of FIG. 4.

도 6은 상기 도 4의 제2 구간에서의 아날로그 버퍼회로를 도시한 등가 회로도이다.FIG. 6 is an equivalent circuit diagram illustrating an analog buffer circuit in the second section of FIG. 4.

도 7은 상기 도 4의 제3 구간에서의 아날로그 버퍼회로를 도시한 등가 회로도이다.FIG. 7 is an equivalent circuit diagram illustrating an analog buffer circuit in the third section of FIG. 4.

도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 증폭 모드에서의 제3 노드와 출력 신호의 특성을 도시한 타이밍도이다.8 is a timing diagram illustrating characteristics of a third node and an output signal in an amplification mode according to a preferred embodiment of the present invention.

도 9는 도 1에 도시된 종래의 아날로그 버퍼회로에서, 입력신호 Vin이 2.5V, 3.5V, 4.0V, 4.5V, 5.0V 및 5.5V인 경우, 각각 TT 상태(정상상태), FF 상태(TT보다 문턱전압이 낮고 이동도가 높은 상태), SS 상태(TT보다 문턱전압이 높고 이동도가 낮은 상태)에 대한 출력전압 특성을 나타낸 도면이다.FIG. 9 shows the TT state (steady state) and FF state (in the case of the input signals Vin of 2.5V, 3.5V, 4.0V, 4.5V, 5.0V and 5.5V, respectively) in the conventional analog buffer circuit shown in FIG. The figure shows the output voltage characteristics for the state of lower threshold and higher mobility than TT) and SS state (higher threshold and lower mobility than TT).

도 10은 도 1에 도시한 종래 아날로그 버퍼 회로의 입력 전압에 따른 오프셋 출력 전압 특성을 나타낸 도면이다. FIG. 10 is a diagram illustrating an offset output voltage characteristic according to an input voltage of the conventional analog buffer circuit shown in FIG. 1.

도 11은 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로에서, 입력전압(Vin)이 2,5V, 3.0V, 3.5V, 4.0V, 4.5V, 5.0V 및 5.5V인 경우, 각각 TT 상태, FF 상태, SS 상태에 대한 출력전압 특성을 나타낸 도면이다. 11 is an analog buffer circuit according to the present invention, when the input voltage (Vin) is 2,5V, 3.0V, 3.5V, 4.0V, 4.5V, 5.0V and 5.5V, respectively, TT state, FF state, SS A diagram showing output voltage characteristics for a state.

도 12는 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로의 입력전압 대비 오프셋 출력 전압 특성이다. 12 is an offset output voltage characteristic versus an input voltage of an analog buffer circuit according to the present invention.

도 13은 도 1에 도시한 종래 아날로그 버퍼 회로의 전류 구동 능력 특성을 나타낸 도면이다. FIG. 13 is a diagram showing the current driving capability characteristics of the conventional analog buffer circuit shown in FIG.

도 14는 본 발명에 따른 아날로그 버퍼 회로의 전류 구동 능력 특성을 나타낸 도면이다. 14 is a view showing the current driving capability characteristics of the analog buffer circuit according to the present invention.

Claims (7)

입력신호를 샘플링하여 저장하기 위한 입력 샘플링부;An input sampling unit for sampling and storing the input signal; 상기 입력 샘플링부에 저장된 입력신호를 부궤환 동작에 이용하기 위한 캐스코드 증폭부; 및A cascode amplifier for using the input signal stored in the input sampling unit in a negative feedback operation; And 상기 캐스코드 증폭부에 연결되어 구동전류를 발생하기 위한 정전류원을 포함하는 아날로그 버퍼회로.And a constant current source connected to the cascode amplifier to generate a driving current. 제1항에 있어서, 상기 입력 샘플링부는 상기 입력신호를 저장하고, 상기 캐스코드 증폭부의 부궤환 경로를 형성하는 제1 샘플링부를 포함하고,The display apparatus of claim 1, wherein the input sampling unit comprises a first sampling unit configured to store the input signal and form a negative feedback path of the cascode amplifier. 상기 제1 샘플링부는,The first sampling unit, 입력단과 제1 노드 사이에 연결된 제1 스위치;A first switch connected between the input terminal and the first node; 상기 제1 노드와 상기 캐스코드 증폭부 사이에 연결된 제1 커패시터; 및A first capacitor connected between the first node and the cascode amplifier; And 상기 제1 노드와 상기 정전류원 사이에 연결된 제2 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 아날로그 버퍼회로.And a second switch connected between the first node and the constant current source. 제2항에 있어서, 상기 입력 샘플링부는 상기 제1 샘플링부와 병렬로 연결된 제2 샘플링부를 더 포함하고,The method of claim 2, wherein the input sampling unit further comprises a second sampling unit connected in parallel with the first sampling unit, 상기 제2 샘플링부는, The second sampling unit, 상기 입력단과 제2 노드 사이에 연결된 제3 스위치;A third switch connected between the input terminal and a second node; 상기 제2 노드와 상기 캐스코드 증폭부 사이에 연결된 제2 커패시터; 및A second capacitor connected between the second node and the cascode amplifier; And 상기 제2 노드와 상기 정전류원 사이에 연결된 제4 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 아날로그 버퍼회로.And a fourth switch connected between the second node and the constant current source. 제2항에 있어서, 상기 캐스코드 증폭부는,The cascode amplifier of claim 2, 양의전원전압과 제6 노드 사이에 연결되고, 상기 제1 커패시터에 저장된 전압을 수신하는 제1 트랜지스터;A first transistor coupled between a positive power supply voltage and a sixth node, the first transistor receiving a voltage stored in the first capacitor; 온 동작에 의해 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제5 스위치;A fifth switch for diode-connecting the first transistor by an on operation; 상기 제6 노드와 제5 노드 사이에 연결되는 제2 트랜지스터;A second transistor connected between the sixth node and a fifth node; 온 동작에 의해 상기 제2 트랜지스터를 다이오드 연결시키는 제6 스위치;A sixth switch for diode-connecting the second transistor by an on operation; 상기 제2 트랜지스터의 게이트 단자에 연결되는 제3 커패시터; 및A third capacitor connected to the gate terminal of the second transistor; And 상기 제5 노드에 연결되는 제7 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 아날로그 버퍼회로.And a seventh switch connected to the fifth node. 제4항에 있어서, 상기 아날로그 버퍼회로는 상기 제7 스위치에 연결되고 출력신호를 형성하는 출력 로드부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아날로그 버퍼회로.The analog buffer circuit of claim 4, wherein the analog buffer circuit further comprises an output load unit connected to the seventh switch to form an output signal. 입력신호를 샘플링하여 저장하기 위한 입력 샘플링부와 상기 입력 샘플링부에 저장된 입력신호를 부궤환 동작에 이용하기 위한 캐스코드 증폭부 및 상기 캐스 코드 증폭부에 연결되어 구동전류를 발생하기 위한 정전류원을 포함하는 아날로그 버퍼회로의 동작방법에 있어서,An input sampling unit for sampling and storing an input signal, a cascode amplifier for using the input signal stored in the input sampling unit for the negative feedback operation, and a constant current source for generating a driving current connected to the cascode amplifier unit; In the method of operating an analog buffer circuit comprising: 상기 입력 샘플링부를 이용하여 입력신호를 샘플링하고 저장하는 샘플링 모드로 동작시키는 단계; 및Operating in a sampling mode for sampling and storing an input signal using the input sampling unit; And 스위칭을 통해 상기 입력 샘플링부의 제1 샘플링부에 저장된 상기 입력신호를 이용하여 상기 캐스코드 증폭부의 출력신호가 상기 입력신호를 추종하도록 증폭 모드로 동작시키는 단계를 포함하는 아날로그 버퍼회로의 동작방법.And operating in an amplifying mode such that an output signal of the cascode amplifier part follows the input signal by using the input signal stored in the first sampling part of the input sampling part through switching. 제6항에 있어서, 상기 증폭 모드 이후에 상기 제1 샘플링부와 병렬로 구성된 제2 샘플링부의 스위칭 동작을 통해 상기 캐스코드 증폭부이 출력신호가 상기 입력신호를 정확하게 추종하도록 하는 보상 모드로 동작시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아날로그 버퍼회로의 동작방법.The method of claim 6, wherein after the amplifying mode, the cascode amplifying unit operates in a compensation mode such that the output signal accurately follows the input signal through a switching operation of the second sampling unit configured in parallel with the first sampling unit. Operation method of an analog buffer circuit, characterized in that it further comprises.
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