KR100909815B1 - 접속함을 포함하는 광기전력 모듈 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 광기전력 모듈은 제1 전극 및 제2 전극, 외부에서 조사된 빛으로 전기를 생성하고 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 통하여 상기 전기를 공급하는 광기전력 층, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 상기 광기전력 층에 의하여 생성된 전기를 외부의 로드로 공급하고 상기 로드와의 연결 노드의 위치를 가변시킬 수 있는 접속함을 포함한다.
광기전력, 접속함, 연결 노드
Description
본 발명은 광기전력 모듈에 관한 것으로 보다 상세하게는 접속함을 포함하는 광기전력 모듈에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양전지모듈은 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다.
광기전력 모듈은 빛을 전기에너지로 변환시키는 광전변환현상을 이용한다. 광기전력 모듈은 실리콘 반도체(silicon semiconductor)나 화합물 반도체를 이용하는 것과 같이 다양한 형태가 있다. 예를 들어, 실리콘 반도체의 경우 불순물로 도핑된 실리콘 반도체에 빛이 입사되면 빛의 에너지가 반도체 내부의 전자와 홀을 발생시키고 반도체에 연결된 전극 및 도선을 통하여 외부로 전류가 흐르게 된다.
이와 같은 광기전력 모듈에 대한 관심이 높아지고 시장이 형성됨에 따라 광기전력 모듈이 다양한 장소에 설치되고 있다. 이에 따라 광기전력 모듈의 설치를 용이하게 하기 위한 다양한 연구가 진행되고 있다.
본 발명은 접속함과 로드의 연결을 용이하게 할 수 있는 광기전력 모듈을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 광기전력 모듈은 제1 전극 및 제2 전극, 외부에서 조사된 빛으로 전기를 생성하고 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 통하여 상기 전기를 공급하는 광기전력 층, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 전기적으로 연결되어 상기 광기전력 층에 의하여 생성된 전기를 외부의 로드로 공급하고 상기 로드와의 연결 노드의 위치를 가변시킬 수 있는 접속함을 포함한다.
본 발명의 광기전력 모듈은 접속함과 로드의 연결 노드의 위치를 가변시킬 수 있음으로써 로드와의 연결이 용이하게 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈을 나타낸 것이다. 도 1에 도 시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈은 광기전력 층(100), 반사 방지막(110), 제1 전극(120), 제2 전극(130), 접속함(140) 및 보호층(150)을 포함한다.
광기전력 층(100)은 외부에서 조사된 빛을 전기 에너지로 변환한다. 이러한 광기전력 층(100)은 단결정 광기전력 층, 다결정 광기전력 층 또는 화합물 광기전력 층 중 하나일 수 있다. 단결정 광기전력 층은 3족 또는 5족 불순물이 도핑된 단결정 실리콘을 포함하며, 다결정 광기전력 층은 3족 또는 5족 불순물이 도핑된 다결정 실리콘을 포함한다. 화합물 광기전력 층은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ 족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ 족 화합물 반도체, 또는 Ⅲ-Ⅴ 족 화합물 반도체를 포함할 수 있다.
반사 방지막(110)은 광기전력 층(100) 상에 위치하며 외부에서 조사된 빛이 반사되는 것을 방지함으로써 광기전력 모듈의 광전변환효율을 증가시킨다.
제1 전극(120)은 광기전력 층(100)의 제1 타입 반도체층에 접촉할 수 있고 제2 전극(130)은 제1 타입 반도체층과 다른 광기전력 층(100)의 제2 타입 반도체층과 접촉할 수 있다. 이 때 제1 타입 반도체층은 n 타입 반도체층 또는 p 타입 반도체층 중 하나일 수 있고 제2 타입 반도체층은 n 타입 반도체층 또는 p 타입 반도체층 중 나머지 하나일 수 있다.
접속함(140)은 제1 전극(120) 및 제2 전극(130)과 전기적으로 연결되어 광기전력 층(100)에서 생성된 전기를 외부로 공급한다. 접속함(140)은 제1 전극(120) 및 제2 전극(130)을 통하여 전기를 공급하기 위하여 외부의 로드와의 연결 노드(node)의 위치를 가변시킬 수 있다.
보호층(150)은 광기전력 층(100), 제1 전극(120) 및 제2 전극(130)을 온도 변화, 습기 또는 압력과 같은 외부 환경으로부터 보호하기 위한 것으로 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)나 PVB(Poly Vinyl Butylo)와 같은 수지를 포함할 수 있다.
이와 같은 본원 발명의 접속함(140)에 대해서는 이후에 도면을 참조하여 상세히 설명된다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광기전력 모듈을 나타낸 것이다. 도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따른 광기전력 모듈은 기판(200), 제1 전극(210), 광기전력 층(220), 제2 전극(230), 버스 바(240), 연결부(250), 절연층(260), 제1 보호층(270), 제2 보호층(280) 및 접속함(290)을 포함한다.
광기전력 층(220)은 기판(200) 상에 위치하는 제1 전극(210)과 접촉하며 외부에서 조사된 빛을 전기 에너지로 변환한다. 도 2의 광기전력 층(220)은 비정질 실리콘을 포함한다. 비정질 실리콘을 포함하는 광기전력 층 (210)은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 법에 의하여 형성될 수 있는 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층을 포함할 수 있다. 제1 전극(210)은 p 타입 반도체층 또는 n 타입 반도체층 중 하나와 접촉한다. 제2 전극(230)은 p 타입 반도체층 또는 n 타입 반도체층 중 나머지 하나와 접촉한다. 제1 전극(210)과 제2 전극(230)은 서로 접촉함으로써 하나의 광기전력 셀과 다른 하나의 광기전력 셀은 서로 직렬 연결된다.
버스 바(240)는 제1 전극(210) 및 제2 전극(230)과 연결되며 광기전력 층(220)에 의하여 생성된 전기를 제1 전극(210) 및 제2 전극(230)로부터 공급받는 다. 이와 같은 버스 바(240)는 도전 테이프를 포함할 수 있다.
연결부(250)는 버스 바(220)와 연결되어 버스 바(220)로부터 전기를 공급받는다. 이와 같은 연결부(250)는 구리 테이프(copper tape)을 포함할 수 있다.
절연층(260)은 제2 전극(230)과 연결부(250) 사이에 위치하며 제2 전극(230)과 연결부(250)를 절연시킨다. 이와 같은 절연층(260)은 절연 테이프를 포함할 수 있다.
제1 보호층(270)은 제1 전극(210), 광기전력 층(220), 제2 전극(230), 버스 바(240), 연결부(250) 및 절연층(260)을 외부의 온도 변화, 습기 또는 외부로부터 가해지는 압력과 같은 외부 환경으로부터 보호한다. 이와 같은 제1 보호층(270) 역시 EVA(Ethylene Vinyl Acetate)나 PVB(Poly Vinyl Butylo)와 같은 수지를 포함할 수 있다.
제2 보호층(280)은 제1 보호층(270) 상에 위치하며 제1 보호층(270)과 더불어 제1 전극(210), 광기전력 층(220), 제2 전극(230), 버스 바(240), 연결부(250) 및 절연층(260)을 보호한다. 제2 보호층(280)은 저철분 강화유리 또는 PVF(Poly-Vinyl Fluoride) 필름, PET(Poly-Ethylen Terephthalate) 필름, PVF(Poly-Vinyl Fluoride) 필름이 순서대로 적층되어 샌드위치 구조로 형성된 TPT 구조의 백 시트(back sheet)일 수도 있으며, PVDF(Poly-VinyliDene Fluoride)필름, PET(Poly-Ethylen Terephthalate) 필름, PVDF(Poly-VinylDene Fluoride)필름이 순서대로 적층된 TPT 구조가 사용될 수도 있다. 제2 보호층(280)이 제1 보호층(270) 상에 위치함으로써 광기전력 층(220)에 대한 보호 능력이 커진다.
본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈은 제2 보호층(280)을 포함할 수도 있지만, 포함하지 않을 수도 있다.
접속함(290)은 제1 보호층(270) 또는 제2 보호층(280) 상에 위치하며 연결부(250)와 연결되어 광기전력 층(220)에 의하여 생성된 전기 에너지를 외부에 공급한다. 접속함(290)은 제1 전극(210) 및 제2 전극(230)을 통하여 공급된 전기를 공급하기 위하여 외부의 로드와의 연결 노드의 위치를 가변시킬 수 있다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 접속함을 나타낸 것이다. 도 3a와 도 3b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 접속함(140, 290)은 몸체(291), 제1 접속 단자(C1) 및 제2 접속 단자(C2), 복수의 제1 인터페이스(293) 및 하나 이상의 제2 인터페이스(295)을 포함한다.
제1 접속 단자(C1) 및 제2 접속 단자(C2)는 몸체(291)의 내부에 위치하며 도 1 및 도 2에 도시된 광기전력 모듈의 제1 전극(120, 210) 및 제2 전극(130, 230)과 각각 전기적으로 연결된다. 특히 도 2의 연결부(250)는 접속 단자(C1, C2)에 삽입되어 솔더링될 수 있다.
복수의 제1 인터페이스(293)는 제1 접속 단자(C1)와 전기적으로 연결되고, 하나의 이상의 제2 인터페이스(295)는 제2 접속 단자(C2)와 전기적으로 연결된다.
이와 같은 복수의 제1 인터페이스들(293) 중 하나와 적어도 하나의 제2 인터페이스들(295) 중 하나는 외부의 인버터(INV)와 같은 로드(load)와 연결될 수 있다.
본 발명의 접속함(140, 290)과 다르게 접속함(140, 290)의 제1 접속 단 자(C1) 및 제2 접속 단자(C2) 각각이 하나의 인터페이스와만 연결될 경우 인터페이스와 로드의 연결 노드의 위치는 고정된다. 따라서 로드의 위치가 접속함(140, 290)의 위치와 맞지 않을 경우 광 기전력 모듈의 설치가 어려워질 수 있다.
그러나 본 발명의 접속함(290)과 같이 복수의 제1 인터페이스들(293)과 적어도 하나의 제2 인터페이스들(295)이 각각 제1 접속 단자(C1)과 제2 접속 단자(C2)와 연결될 경우 로드와 접속함(140, 290) 사이의 연결 노드의 위치가 변할 수 있으므로 다양한 장소에 위치할 수 있는 로드에 접속함이 연결될 수 있다. 따라서 광기전력 모듈의 설치가 용이해진다.
다음으로 도면을 참조하여 본 발명의 광기전력 모듈의 접속함의 다양한 실시예가 설명된다.
도 4a 및 도 4b는 복수의 제1 인터페이스(293)와 하나의 제2 인터페이스(295)를 포함하는 접속함과 로드의 연결 관계를 나타낸 것이다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 로드는 제1 접속 단자(C1)와 전기적으로 연결된 복수의 제1 인터페이스들(293) 중 하나와 제2 접속 단자(C2)와 연결된 하나의 제2 인터페이스(295)와 연결되므로 연결 노드(CN)의 위치가 변경된다. 이에 따라 본 발명의 광기전력 모듈은 다양한 위치의 로드와 연결될 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 복수의 제1 인터페이스 및 제2 인터페이스를 포함하는 접속함과 로드의 연결 관계를 나타낸 것이다. 도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 제1 접속 단자(C1) 및 제2 접속 단자(C2) 각각은 복수의 제1 인터페이스(293) 및 제2 인터페이스(295)와 전기적으로 연결된다. 이에 따라 로드는 제1 접속 단자(C1) 와 전기적으로 연결된 복수의 제1 인터페이스들(293) 중 하나 그리고 제2 접속 단자(C2)와 연결된 복수의 제2 인터페이스들(295) 중 하나와 연결될 수 있으므로 접속함(140, 290)과 연결 노드(CN)의 위치가 변경된다. 이에 따라 본 발명의 광기전력 모듈은 다양한 위치의 로드와 연결될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 다른 접속함을 나타낸 것이다. 도 6의 접속함(140, 290)은 서로 다른 위치를 지닌 복수의 제1 접속 홀(H1)을 포함하는 제1 접속 단자(C1), 서로 다른 위치를 지닌 복수의 제2 접속 홀(H2)을 포함하는 제2 접속 단자(C2), 제1 접속 홀(H1)과 연결가능하거나 분리가능한 제1 인터페이스(610), 제2 접속 홀(H2)과 연결 가능하거나 분리가능한 제2 인터페이스(620)를 포함한다. 이와 같은 제1 접속 홀(H1)의 내면과 제1 인터페이스(610) 끝단의 외면에는 제1 접속 홀(H1) 및 제1 인터페이스(610)의 결합을 위한 나사산이 형성될 수 있다. 마찬가지로 제2 접속 홀(H2)의 내면과 제2 인터페이스(620) 끝단의 외면에는 제2 접속 홀(H2) 및 제2 인터페이스(620)의 결합을 위한 나사산이 형성될 수 있다.
즉, 도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 접속함(140, 290)의 제1 인터페이스(610)는 복수의 제1 접속 홀(H1) 중 하나에 연결가능하고, 접속함(140, 290)의 제2 인터페이스(620)는 복수의 제2 접속 홀(H1) 중 하나에 연결가능하므로 접속함(140, 290)과 로드의 연결 노드(CN)가 변경될 수 있다. 이에 따라 본 발명의 광기전력 모듈은 다양한 위치의 로드와 연결될 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 또다른 접속함을 나타낸 것이다. 도 8의 접속함(140, 290)은 서로 다른 위치를 지닌 복수의 제1 연결 고리(613)을 포함하는 제1 접속 단자(C1), 서로 다른 위치를 지닌 복수의 제2 연결 고리(623)을 포함하는 제2 접속 단자(C2), 제1 연결 고리(613)와 연결가능하거나 분리가능한 제1 인터페이스(610), 제2 연결 고리(623)와 연결 가능하거나 분리가능한 제2 인터페이스(620), 제1 인터페이스(610)와 연결되는 제3 연결 고리(611) 및 제2 인터페이스(620)와 연결되는 제4 연결 고리(621)을 포함한다. 제1 인터페이스(610)의 양끝단에는 제1 연결 고리(613)와 제3 연결 고리(611)와의 연결을 위한 링(ring)이 위치한다. 제2 인터페이스(620)의 양끝단 역시 제2 연결 고리(623)와 제4 연결 고리(621)와의 연결을 위한 링(ring)이 위치한다. 이와 같은 제1 인터페이스(610) 및 제2 인터페이스(620)는 복수의 연결 고리들(611,613,621,623)에 연결되거나 분리가능하므로 접속함(140, 290)과 로드의 연결 노드(CN)가 변경될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 광기전력 모듈을 나타낸 것이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 접속함을 나타낸 것이다.
도 4a 및 도 4b는 복수의 제1 인터페이스와 하나의 제2 인터페이스를 포함하는 접속함과 로드의 연결 관계를 나타낸 것이다.
도 5a 및 도 5b는 복수의 제1 인터페이스 및 제2 인터페이스를 포함하는 접속함과 로드의 연결 관계를 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 다른 접속함을 나타낸 것이다.
도 7a 및 도 7b는 도 6의 접속함과 로드의 연결 관계를 나타낸 것이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 광기전력 모듈의 또다른 접속함을 나타낸 것이다.
Claims (10)
- 제1 전극 및 제2 전극;외부에서 조사된 빛으로 전기를 생성하고 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 통하여 상기 전기를 공급하는 광기전력 층;상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 연결되며 상기 광기전력 층에 의하여 생성된 전기를 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극로부터 공급받는 버스 바;상기 버스 바와 연결되어 상기 버스 바로부터 전기를 공급받는 연결부; 및상기 연결부와 제1 접속 단자 및 제2 접속 단자를 통하여 연결되어 상기 광기전력 층에 의하여 생성된 전기를 외부의 로드로 공급하고, 상기 제1 접속 단자 및 제1 인터페이스와, 상기 제2 접속 단자 및 제2 인터페이스와의 연결 위치가 변경됨으로써 상기 로드와의 연결 노드의 위치를 가변시킬 수 있는 접속함을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 광기전력 층은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 및 비정질 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 광기전력 층은 화합물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 접속함은상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 각각 전기적으로 연결되는 상기 제1 접속 단자 및 상기 제2 접속 단자, 상기 제1 접속 단자와 전기적으로 연결되는 복수의 제1 인터페이스, 및 상기 제2 접속 단자와 전기적으로 연결되는 제2 인터페이스를 포함하는 접속함을 포함하며,상기 복수의 제1 인터페이스들 중 하나와 상기 제2 인터페이스 중 하나는 외부의 로드와 연결되는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
- 제4항에 있어서,상기 접속함은 상기 제2 접속 단자와 전기적으로 연결되는 복수 개의 제2 인터페이스를 포함하며,상기 복수의 제1 인터페이스들 중 하나와 상기 복수의 제2 인터페이스 중 하나는 외부의 로드와 연결되는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 접속함은서로 다른 위치를 지닌 복수의 제1 접속 홀을 포함하는 상기 제1 접속 단자, 제2 접속 홀을 포함하는 상기 제2 접속 단자, 상기 제1 접속 홀과 연결가능하거나 분리가능한 제1 인터페이스, 상기 제2 접속 홀과 연결 가능하거나 분리가능한 제2 인터페이스를 포함하며,상기 제1 인터페이스와 상기 제2 인터페이스는 외부의 로드와 연결되는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
- 제6항에 있어서,상기 제2 접속 단자는 서로 다른 위치를 지닌 복수의 제2 접속 홀을 포함하며,상기 제2 인터페이스는 상기 제2 접속 홀과 연결가능하거나 분리가능한 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
- 제6항에 있어서,상기 제1 접속 홀의 내면과 상기 제1 인터페이스 끝단의 외면에는 상기 제1 접속 홀 및 상기 제1 인터페이스의 결합을 위한 나사산이 위치하며,상기 제2 접속 홀의 내면과 상기 제2 인터페이스 끝단의 외면에는 상기 제1 접속 홀 및 상기 제1 인터페이스의 결합을 위한 나사산이 위치하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
- 제1항에 있어서,상기 접속항은서로 다른 위치를 지닌 복수의 제1 연결 고리를 포함하는 상기 제1 접속 단자, 서로 다른 위치를 지닌 복수의 제2 연결 고리를 포함하는 상기 제2 접속 단자, 상기 제1 연결 고리와 연결가능하거나 분리가능한 제1 인터페이스, 상기 제2 연결 고리와 연결 가능하거나 분리가능한 제2 인터페이스, 상기 제1 인터페이스와 연결되는 제3 연결 고리 및 상기 제2 인터페이스와 연결되는 제4 연결 고리를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
- 제9항에 있어서,상기 제1 인터페이스 및 제2 인터페이스의 양끝단에는 링이 위치하는 것을 특징으로 하는 광기전력 모듈.
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| KR1020080123754A KR100909815B1 (ko) | 2008-12-08 | 2008-12-08 | 접속함을 포함하는 광기전력 모듈 |
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677513A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-03-18 | Otsuka Chem Co Ltd | 出力表示可能の光電源 |
| KR940006293A (ko) * | 1992-07-15 | 1994-03-23 | 미타라이 하지메 | 광발전소자 및 그 제조방법 |
| JP2004180434A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Kyocera Corp | 太陽電池装置の屋根配線構造 |
| JP2008091674A (ja) | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Sharp Corp | 光電変換素子の逆バイアス処理装置及び逆バイアス処理方法 |
-
2008
- 2008-12-08 KR KR1020080123754A patent/KR100909815B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR940006293A (ko) * | 1992-07-15 | 1994-03-23 | 미타라이 하지메 | 광발전소자 및 그 제조방법 |
| JPH0677513A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-03-18 | Otsuka Chem Co Ltd | 出力表示可能の光電源 |
| JP2004180434A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Kyocera Corp | 太陽電池装置の屋根配線構造 |
| JP2008091674A (ja) | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Sharp Corp | 光電変換素子の逆バイアス処理装置及び逆バイアス処理方法 |
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