KR100886785B1 - Light-emitting apparatus and its method and white series light-emitting diode - Google Patents

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KR100886785B1 KR20070054725A KR20070054725A KR100886785B1 KR 100886785 B1 KR100886785 B1 KR 100886785B1 KR 20070054725 A KR20070054725 A KR 20070054725A KR 20070054725 A KR20070054725 A KR 20070054725A KR 100886785 B1 KR100886785 B1 KR 100886785B1
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Abstract

본 발명은 형광 간섭제 또는 백색 발광 무기물 형광체와 형광 간섭제를 에폭시 수지 등에 적정하게 혼합함에 의해서, 발광 다이오드의 발광색 반사면의 색얼룩을 저감해, 발광 다이오드의 발광색에 가까운 균일한 색조의 빛을 얻는 발광 다이오드를 제공한다. The invention year, reducing the color unevenness in the light emission color the reflecting surface of the light emitting diode by as proper mixing of the fluorescent interference agent or a white light-emitting inorganic fluorescent substance and the fluorescence interference claim such an epoxy resin, a near light of a uniform color tone in the light emission color of the LED obtaining provide a light emitting diode. 발광 파장이 380 에서 700nm의 발광 다이오드칩으로부터의 여기빛의 적어도 일부를 흡수해서 여기 발광하는 발광 다이오드에 형광 간섭제를 소망의 농도에 배합함으로써, 발광 다이오드의 발광색 색얼룩을 저감하고, 발광 콘트라스트를 높인다. By blending the light-emitting diode which emits light having a wavelength by absorbing at least a portion of excitation light from the light-emitting diode chip of 700nm at 380 emit light exciting the fluorescence interference agent to the concentration desired, and reducing the emission color color non-uniformity of the light emitting diode, a light-emitting contrast increase.
또한 백색 발광하는 형광체를 가지는 발광 다이오드에 대해서, 상기 발광 다이오드칩은 질화물계 화합물 반도체로부터 되어있으며, 상기 발광 다이오드칩으로부터의 청자색 빛이 여기빛이 되어 백색에 여기 발광하는 형광체를 가지는 발광 다이오드에 본 발명의 형광 간섭제를 소망의 농도로 배합함으로써, 발광 다이오드의 발광색의 색얼룩을 저감해 발광 콘트라스트를 높일 수 있는 발광 장치를 제공하는 것이다. In addition, for having a white light-emitting phosphor emitting diodes, the LED chip may be from a semiconductor nitride compound, a blue-violet light from the LED chip and the light seen here in light emitting diodes having an excitation fluorescent material that emits light in white by compounding a fluorescent interference agent of the invention at a concentration of desired, to provide a light emitting device that can increase the contrast by reducing the light emission color unevenness of the emission color of the LED.
간섭제, 광간섭제, 형광체, 발광 다이오드 The interference, the interference light, a phosphor, a light emitting diode

Description

발광 장치 및 그 제조방법 및 백색계 발광 다이오드{Light-emitting apparatus and its method and white series light-emitting diode } A light emitting device and its manufacturing method, and a white light-emitting diode {Light-emitting apparatus and its method and white series light-emitting diode}

도 1은 본 발명에 사용한 도 8의 포탄형 LED Lamp type의 실시예 1의 발광 파장 405nm 의 발광 스펙트럼을 나타낸다. Figure 1 shows the emission spectrum of the light emission wavelength of 405nm according to the first embodiment of the bullet-shaped LED Lamp type of Figure 8 used in the present invention.

도 2는 본 발명에 사용한 도 8의 포탄형 LED Lamp type의 실시예 1의 발광 파장 465nm 의 발광 스펙트럼을 나타낸다. Figure 2 shows the emission spectrum of the light-emitting wavelength of 465nm according to the first embodiment of the bullet-shaped LED Lamp type of Figure 8 used in the present invention.

도 3은 본 발명에 사용한 도 8의 포탄형 LED Lamp type의 실시예 1의 발광 파장 525nm 의 발광 스펙트럼을 나타낸다. Figure 3 shows the emission spectrum of the light-emitting wavelength of 525nm according to the first embodiment of the bullet-shaped LED Lamp type of Figure 8 used in the present invention.

도 4는 본 발명에 사용한 도 8의 포탄형 LED Lamp type의 실시예 2의 표 3의 CIE 색온도를 나타낸다. 4 shows a CIE color temperature shown in Table 3 of Example 2, a bullet-shaped LED Lamp type of Figure 8 used in the present invention.

도 5는 본 발명에 사용한 도 8의 포탄형 LED Lamp type의 실시예 2의 표 3의 색온도면을 나타낸다. 5 shows a color temperature side in Table 3 of Example 2, a bullet-shaped LED Lamp type of Figure 8 used in the present invention.

도 6은 본 발명에 사용한 도 8의 포탄형 LED Lamp type의 실시예 2의 표 4의 광도를 나타낸다. 6 shows a light intensity shown in Table 4 of Example 2, a bullet-shaped LED Lamp type of Figure 8 used in the present invention.

도 7은 본 발명에 사용한 도 8의 포탄형 LED Lamp type의 실시예 2의 표 4의 발광 스펙트럼을 나타낸다. Figure 7 shows the emission spectrum of the Table 4 in Example 2, a bullet-shaped LED Lamp type of Figure 8 used in the present invention.

도 8은 본 발명에 사용한 포탄형 LED Lamp type의 형상 단면도면을 나타낸 다. Figure 8 is a side cross-sectional view showing the shape of the bullet-shaped LED Lamp type used in the present invention.

도 9는 본 발명에 사용한 사이드뷰타이프(Side view type) 또는 톱 타입(TOP type)의 형상 단면도면을 나타낸다. Figure 9 shows a cross-sectional surface shape of the side-view type (Side view type) or a top-type (TOP type) used in the present invention.

도 10은 본 발명에 사용한 칩 LED (chip LED) 또는 SMD type LED의 형상 단면도면을 나타낸다. 10 shows a cross-sectional surface shape of the chip LED (LED chip) or SMD type LED used in the present invention.

<도면 부호의 설명> <Description of reference numerals>

1:인쇄 회로 기판의 기재 1: substrate of the printed circuit board

2:하우징 케이스 2: a housing case

3, 8, 15:도전성 페이스트 3, 8, 15: conductive paste

4, 9, 16:발광 다이오드칩 4, 9, 16: light-emitting diode chips

5, 10, 17:도전성 접속 와이어 5, 10, 17: conductive connecting wires

6, 11, 18:형광체를 배합한 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 6, 11, 18: epoxy resin or a silicone resin blended with the phosphor

7, 14:리드 프레임 또는 이너 리드 7, 14: lead frame or inner lead

12:렌즈 형성용 수지 12: a resin for lens formation

13:인쇄 회로 기판의 기재 13: base material of the printed circuit board

본 발명은 백 라이트, 조명용 광원, 발광 디스플레이, 각종의 인지케타 등에 이용되는 발광 다이오드에 관한 것으로서, 특히 광원이 되는 발광소자인 발광 다이오드칩으로부터의 빛을 형광간섭제를 이용해 발광 장치의 발광 반사면의 콘트라스트비와 광도출 효율을 높게, 백색 발광 다이오드의 백색광의 발광 색재현 범위를 나타내는 CIE 색온도(Color Diagram)의 색범위를 재현성 좋게 양산성이 풍부한 뛰어난 발광 장치 및 그 제조 방법, 및 백색계 발광 다이오드를 제공하는 것이다. The present invention emit light reflection surface of the light-emitting device using a backlight, a light source for illumination, a light emitting display, in particular a light source light for fluorescence interference first from the light-emitting element is an LED chip which is related to a light emitting diode that is used for various cognitive keta of the contrast ratio and the light deriving efficiency high, white light emission CIE color temperature of a light emitting color reproduction range of the white light of the diode (color Diagram) with good reproducibility range of colors rich in mass-productivity excellent light-emitting apparatus of and a method of manufacturing the same, and a white light-emitting to provide a diode.

종래 일반적인 청색 발광 다이오드(아래와 같이, 특허 문헌 1 및 2 참조), 또는 백색 발광 다이오드는 발광 반사면의 발광색이 균일하지 않고, 발광의 중심부와 외주부에서 발광색 색조가 균일하지 않고, 색얼룩이나 휘도 얼룩이 생긴다. (See the following Patent Documents 1 and 2) conventional general blue LED, or a white light emitting diode is not uniform the light emission color of the light-emitting reflecting surface, the light emission color hue is not uniform in the center and the outer periphery of the light emission, the color unevenness and brightness unevenness It occurs. 이것을 개선하기 위해서, 종래 기술에서는 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지, 또는 투명 몰딩용 에폭시 수지에 광확산제로서 이산화 규소, 산화 아연, 탄산칼슘, 산화 티탄, 산화 알류미늄, 티탄산바륨 등의 무기 분체를 혼입하고 있다. In order to improve this, the prior art as a base resin, the curing agent, a liquid resin of the other hand of an epoxy resin or a silicone resin, a liquid matrix resin blend, or a transparent molded light diffusing in the epoxy resin for the silicon dioxide, zinc oxide, calcium carbonate, titanium oxide, are mixed with an inorganic powder such as aluminum oxide, barium titanate.

이들 무기 분체의 평균 입경은 0.5μm 에서 5μm 정도로, 비중은 이산화 규소가 2.2g/cm3 ,산화 티탄이 4.26 g/cm3 이다. The average particle diameter of the inorganic powder is from about 5μm 0.5μm, a specific gravity of the silicon dioxide is 2.2g / cm3, a titanium oxide 4.26 g / cm3.

[특허문헌1] 특개2001-077433호 공보 Patent Document 1: JP-A 2001-077433 discloses

[특허문헌2] 특개2002-329895호 공보 Patent Document 2: JP-A 2002-329895 discloses

본 발명의 형광 간섭제의 평균 입경은 0.26μm, 비중은 4.0g/cm3 이다.이 형광 간섭제의 부재는 초내후성 산화 티탄 구조를 형성하고, 산화 티탄(TiO2)의 표면에는 전기장벽 을 형성해 광촉매 작용을 차단하고 있다. The average particle diameter of the phosphor of the present invention the interference is 0.26μm, a specific gravity of 4.0g / cm3. The fluorescent member of the interfering agent is to form a barrier on the surface of the second electrical weatherability oxide to form a titanium structure, the titanium oxide (TiO2) photocatalytic and block the action. 즉, 최저 농도 85wt % 의 산화 티탄(TiO2)의 표면에 전기장벽 으로서 산화 규소(SiO2·H2O)와 산화 지르코늄(ZrO2·H2O)과 산화 알루미늄니움(Al2O3·H2O)을 혼합한 부재인 것이 종래의 확산제와 다른 부재인 것이 특징이다. That is, it is a mixture of the lowest concentration 85wt% of the surface of silicon oxide (SiO2 · H2O) and zirconium (ZrO2 · H2O) and aluminum nium (Al2O3 · H2O) oxide as an electrical barrier for the titanium oxide (TiO2) members conventional it is characterized by the diffusing agent and other members.

종래 기술로 제조된 발광 다이오드가 발광 반사면의 발광색이 균일하지 않고, 발광의 중심부와 외주부에서 발광색의 색조가 균일하지 않고, 색얼룩이나 휘도얼룩이 생기는 문제점이 있다. Rather than conventional light-emitting diode has a uniform light emission color of the light-emitting reflecting surface made of the technology, but the color tone of the luminous color is not uniform in the center and the outer periphery of the light emission, there is a problem caused uneven color and uneven luminance.

따라서, 본 발명의 목적은 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지, 또는투명 몰딩용 에폭시 수지에 광확산제로서, 이산화 규소,산화아연, 탄산칼슘, 산화티탄, 산화알류미늄, 티탄산바륨 등의 무기 분체를 혼입하고 잇으므로, 이 방식에 의해 제조된 발광 다이오드는 발광 반사면의 발광색,발광의 중심부와 외주부에서의 발광색등의 색조는 균일하게 되어, 색얼룩이 개선될 수 있는 발광 장치 및 그 제조 방법, 및 백색계 발광 다이도면을 제공하는 것이다. It is therefore an object of the present invention as the light diffusing the base resin, the curing agent, a liquid epoxy resin or a silicone resin of the hand of the resin in the liquid matrix resin blend, or an epoxy resin for the transparent molding, silicon dioxide, zinc oxide, calcium carbonate, because incorporation and Et an inorganic powder such as titanium oxide, oxidized aluminum, barium, color tone, such as a light emitting diode manufactured by this method is light emission color of the emission color, the center of light emission and the outer peripheral portion of the light-emitting reflecting surface is made uniform, color the light emitting device can be improved and the uneven to provide a method, and a white light-emitting die drawing.

본 발명의 특징인 발광 파장 380nm 에서 470nm 의 빛을 발광하는 발광 다이 오드칩을 피복 하는 투광성 몰드 부재, 즉, 주제와 경화제를 혼합한 액상의 엑폭시수지 또는 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지의 중량 100% 에 대해서, 청구항 3의 무기물 형광체의 배합비를 소망의 배합 비율에 대해서, 예를 들면, 2.0% 이상 40% 이하의 범위에서 배합된 것에, 게다가 청구항 2 기재의 형광 간섭제를 함유시킨다. The translucent mold member, that is, the base resin, the curing agent, the resin in the epoxy resin or a silicone resin, the liquid while the liquid matrix resin blend, which in the light emitting wavelength 380nm features of the present invention covers the light emitting diode chip for emitting light of a 470nm by weight based on 100% of, the compounding ratio of the inorganic phosphor of claim 3 to the one with respect to the mixing ratio of the desired, e.g., 2.0% or more and combined in a range of not more than 40%, the addition containing the fluorescence interference agent of claim 2 described .

그 배합 비율은 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지의 중량 100% 에 대해서0.01% 이상 10%이하인 발광 다이오드 장치에 있어서는 청구항 3의 무기물 형광체에 배합하는 형광 간섭제의 배합 비율을 상술과 같이 높이면 직선적으로 발광점이 장파장 측보다 크게 변환된다. The compounding ratio is in the light-emitting diode devices 10% or less 0.01% or more based on 100% by weight of the base resin, the curing agent, a liquid epoxy resin and a silicone resin of the hand of the resin in the liquid matrix resin blend compounded in the inorganic phosphor of claim 3 Increasing the compounding ratio of the fluorescence interference as the above-described light-emitting point is linearly larger resolution than the long wavelength side.

즉, 색온도(광원에는백열 램프와 같이 적색계의 빛을 발하는 것으로부터, 수은 램프와 같이 녹색계의 빛을 발하는 것까지 여러가지 발광색이 있다. 이러한 광원이 가지고 있는 고유의 광색을 숫자로 표현한 것을 색온도라고 부른다.)의 수치가 직선적으로 낮아지는 것이 본 발명의 특징이다. That is, the color temperature (light source called from those emitting light of red color-base, a variety of emission colors to be emitted by the light of a green-based. The representation of the unique light color of which this light source has the number color temperature, such as a mercury lamp such as an incandescent lamp is referred to.) the value which linearly decreases as the features of the present invention.

발광 파장 380nm 에서 470nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩을 덮는 투광성 몰드부재, 즉, 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지에 대해서, 청구항 3의 무기물 형광 재료를 혼합한 형광체로 얻어진 발광 다이오드의 발광 색재현 범위를 나타내는 CIE 색온도(Color Diagram) X축의 x 점과 Y축의 y 점으로 교차되는 발광점을, 본 발명인 형광 간섭제를, 무기물 형광체에 배합하면,발광 색재현 범위를 나타내는 CIE 색온도의 X축의 x 점과 Y축의 y 점으로 교차되는 발광점이 장파장 측에 변환된다. Emission wavelength 380nm translucent molding member covering the light emitting diode chip for emitting light of 470nm in, that is, with respect to the base resin, the curing agent, a liquid matrix resin is a resin of the epoxy resin or silicon resin in a liquid mixture while the, inorganic phosphor of claim 3 When blending the light-emission points that crossed the CIE color temperature of a light emitting color reproduction range of the light-emitting diode obtained a material with a mixed phosphor (color Diagram) x axis x points and the Y-axis y point, the present inventors fluorescence interference agent, the inorganic fluorescent substance , light emission color reproduction range indicating a light emission point that intersects the X axis and the Y-axis point x y point of the CIE color temperature is converted to the longer wavelength side.

이때, 청구항 3의 무기물 형광체에 배합하는 형광 간섭제의 배합 비율을 높이면 직선적으로 발광점이 장파장 측보다 크게 변환된다. At this time, the linear light emitting point by increasing the compounding ratio of the fluorescence interference claim to compound the inorganic phosphor of claim 3 is larger than the converted long wavelength side. 즉, 색온도(광원에는 백 열 램프와 같이 적색계의 빛을 발하는 것으로부터, 수은 램프와 같이 녹색빛을 띤 빛을 발하는 것까지 다양한 발광색이 있다. That is, the color temperature (from which the light is emitted in the red-heat lamps, such as the back light source, a variety of emission colors to be emitted from a light greenish light, such as a mercury lamp.

이러한 광원이 가지고 있는 고유의 광색을 숫자에 표현한 것을 색온도라고 부른다. That the specific light color of the light source such that the image has a number referred to as color temperature. 단위는「K(켈빈이라고 읽는다))로, 붉은 빛을 띤 광색 일수록 낮은 수치, 푸른 기를 띤 광색일수록 높은 수치로 나타낸다.)의 수치가 직선적으로 낮아지는 것이 본 발명의 특징이다. The unit is characterized according to the present invention values ​​of "K (Kelvin read it)) a, the more reddish light color expressed in low levels, light color with the highest value tinged blue group.), Which is linear low.

종래의 방식으로는 청구항 3의 무기물 형광 재료의 배합 절대치를 증가시킴으로서, 발광점을 장파장 측에 변환시켰다. In a conventional manner to increase the absolute value of the blended inorganic fluorescent material of claim 3 sikimeuroseo, it was converted to the light emitting point on the long wavelength side. 본 발명인 형광 간섭제를 배합하면 직선적으로 발광점을 장파장 측에 간단하게 변환할 수 있다. When blending the present inventors fluorescence interference is possible to a straight line as the light emitting point simply converted to the longer wavelength side.

따라서, 본 발명은 발광 다이오드와 발광 다이오드로부터의 발광 파장을 변환하는 백색 형광체에 형광 간섭제를 소량 배합함으로써, 보다 간단하게 장파장 측에 발광 파장을 변환하고, 거기다, 발광 반사면의 콘트라스트비와 빛도출 효율을 높게, 백색 발광다이오드의 백색광의 발광 색재현 범위를 나타내는 CIE 색온도(Color Diagram)의 색범위를 재현성 좋게 발광 반사면의 발광색의 색조가 균일하게 되어, 색얼룩이 개선되었다. Accordingly, the invention, by a small amount blended fluorescence interference claim to a white phosphor, which converts an emission wavelength of the light from the light emitting diode and light emitting diode, and more easily convert the light emission wavelength to a longer wavelength side and, plus, the contrast ratio of the light-emitting reflecting surface and the light deriving a high efficiency, the CIE color temperature (color Diagram) of the color tone of the luminous color reproducibility range of the color light-emitting reflecting surface of a light emitting color reproduction range of the white light of the white LED is uniformly, color unevenness was improved.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 발광 장치는 발광 파장 380nm 에서 700nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩; The light emitting device according to an aspect of the present invention for achieving the above described objects of the present invention is a light emitting diode chip for emitting light of 700nm from the light-emitting wavelength of 380nm; 상기 발광 다이오드 칩을 피복 하는 투광성 몰드 부재; The translucent mold member covering the light emitting diode chip; 상기 투광성 몰드 부재에 함유 시킨 상 기 발광 다이오드 칩으로부터의 빛에 의해 여기하는 형광 간섭제(초내후성 백색 안료)를 가지는 것을 특징으로 한다. Characterized in that the interference with the fluorescence (second weather white pigment), which is excited by the light from the phase in which the LED chip-containing group on the translucent mold member.

바람직하게는, 상기 형광 간섭제의 부재는 최저 농도 85% 의 산화 티탄(TiO2)의 표면에 전기적 장벽으로서 산화 규소(SiO2·H2O)와 산화 지르코늄(ZrO2·H2O)과 산화 알류미늄(Al2O3·H2O)을 처리한 부재이며, 평균 입경은 0.26μm, 비중은 4.0g/cm3 이다. Preferably, the member is as an electrical barrier on the surface of silicon oxide (SiO2 · H2O) and zirconium oxide in the lowest concentration of 85% titanium (TiO2) oxide (ZrO2 · H2O), and oxidized aluminum (Al2O3 · H2O) of the fluorescence interference claim and a member, an average particle diameter of the treatment is 0.26μm, a specific gravity of 4.0g / cm3.

보다 바람직하게는 제1항에 기재된 발광 다이오드 칩을 피복 하는 투광성 몰드 부재에, 발광 파장 380nm 에서 700nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩을 탑재한 소자에 청구항 2의 형광 간섭제 만을 배합을 갖고, 또는상기 몰드 부재에 발광 파장 380nm 에서 470nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩을 탑재한 발광 다이오드칩의 여기빛을 받아 장파장 측에 변환되어 백색광을 발광하는 무기물 형광체에 청구항 2의 형광 간섭제의 배합을 가지는 것을 특징으로 한다. More preferably has a light-emitting diode on the transparent mold member which covers the chip, the emission wavelength 380nm claim 2 fluorescence interference claim only the combination of a device equipped with the light emitting diode chip for emitting light of 700nm in as set forth in claim 5, or the inorganic fluorescent material which receives the excitation light of the light emitting diode chip mounting the light emitting diode chip for emitting light of 470nm in the emission wavelength of 380nm in the mold member is converted to a longer wavelength side emits white light having a combination of fluorescence interference agent of claim 2 and that is characterized.

바람직게는 상기 투광성 몰드 부재에 청구항 2의 형광 간섭제를 함유 시키는 배합 비율은 발광 다이오드칩을 피복 하는 투광성 몰드 부재, 즉 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지의중량 100wt% 에 대해서, 0.01wt% 이상 10wt% 이하인 발광 장치이며, 이 제법으로 실장된 발광 장치는 발광 반사면의 얼룩이나 콘트라스트비와 빛발산 효율이 높게 개선되도록 한다. Preferably it is a compounded ratio of the translucent mold member, that is, base resin, the curing agent, a liquid epoxy resin or a silicone resin of the hand of the resin in the liquid mixture of coating the light-emitting diode chip which contains a fluorescent interference agent of claim 2 for the translucent mold member with respect to 100wt% of the weight of the matrix resin, the light emitting device 0.01wt% or less than 10wt%, the light emitting device mounted in the manufacturing process is improved so that the stain or the contrast ratio and the light emission efficiency of the light emitting reflecting surface higher.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 발광 장치는, 발광 파장 380nm 에서 470nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩을 피복 하는 투광성 몰드부재, 즉 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 중 어느 한쪽의 수지인 액상 모체 수지의 중량 100wt% 에 대해서, 청구항 3의 무기물 형광체의 배합비를 소정의 배합 비율에 대해서 2.0wt% 이상 40wt% 이하의 범위에서 배합된 것에, 제2항에 기재된 형광 간섭제를 함유 시키고, 상기 배합 비율은 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지의 중량 100wt% 에 대해서, 0.01wt% 이상 10 wt%이하이다. The light emitting device according to an aspect of the present invention for achieving the above described object of the present invention, the emission wavelength 380nm in a mixture of light emitting translucent mold member covering the LED chip, i.e. base resin, the curing agent, for emitting light of a 470nm liquid epoxy resin, or with respect to 100wt% of the weight of the liquid matrix resin is a resin of either one of silicon resin, the compounding ratio of the inorganic phosphor of claim 3 to the formulation in the range of 2.0wt% or less than 40wt% with respect to the predetermined mixing ratio of the and contains a fluorescent interference according to claim 2, wherein the mixing ratio by weight is about 100wt% of the liquid matrix resin is a resin of the base resin, the curing agent, a liquid epoxy resin and a silicone resin mixed with the other hand, 0.01wt% or more 10 wt% or less.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 백색계 발광 다이오드는, 발광 파장 380nm 에서 470nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드에서, 선단에 컵을 가지는 마운트 리드; A white light-emitting diode in accordance with an aspect of the present invention for achieving the above described object of the present invention, in a light emitting diode for emitting light of 470nm from the light-emitting wavelength of 380nm, the mount lead having a cup at the tip end; 상기 마운트 리드에 대향해서 배치된 이너 리드; An inner lead arranged opposite to the mount lead; 상기 컵 내에 탑재된 발광 다이오드칩; The light emitting diode chip in said cup; 상기 이너리드와 상기 발광 다이오드를 전기적으로 접속하는 도전성 와이어; Conductive wires for electrically connecting the inner lead and the LED; 상기 컵 내에서 상기 발광 다이오드칩을 덮는 것으로서, 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 발광에 의한 여기 간섭하는 청구항 2의 형광 간섭제들이 발광 다이 오드, 및 에폭시 수지에 혼합한 청구항 3의 무기물 형광체와 청구항 2의 형광 간섭제를 포함한다. As within the cup to cover the LED chip, the LED fluorescent interference claim emit light of the claims 2 to interference excitation by light emitted from the chip diode, and of claim 3 incorporated into the epoxy resin of the inorganic phosphor of claim 2 and a fluorescence interference claim.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일측면에 따른 발광 장치의 제조방법은, 발광 파장 380nm 에서 470nm 의 빛을 발광하는 발광 장치를 얻는 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서, 회로 패턴을 가지는 기준체 위에 발광 다이오드칩을 접착 고정하는 마운팅 공정; A method of manufacturing a light emitting device according to an aspect of the present invention for achieving the above described object of the present invention provides a manufacturing method of the LED to obtain the light-emitting device which emits the light of 470nm from the light-emitting wavelength of 380nm, the circuit having a pattern mounting step of adhering and fixing the light emitting diode chip on the reference body; 상기 기준체 위에 접착 고정된 발광 다이오드칩의 전극과 상기 기준체의 회로 패턴과를 전기적으로 접속하는 접속 공정; Connecting step of electrically connecting the circuit patterns and the bonding electrode of the fixed LED chip and the reference element on the reference body; 투명 몰딩용 에폭시 수지에 청구항 2의 형광 간섭제를 혼합했을 경우, 및 투명 몰딩용 에폭시 수지에 혼합한 청구항 3의 무기물 형광체와 청구항 2의 형광 간섭제를 구비한 분말 몰딩용 에폭시 수지에 압력을 더해 타브렛트 형상의 형성 공정; When mixing the fluorescence interference agent of claim 2 in an epoxy resin for the transparent molding, and adding pressure to the transparent molded epoxy resin for powder molding comprising a fluorescence interference of an inorganic phosphor and claim 2 of claim 3 incorporated into the epoxy resin composition for the step of forming the other Brett tree shape; 상기 접속 공정이 실시된 후의 발광 다이오드칩을 덮듯이 상기 타블렛 형상의 형광체를 트랜스퍼 몰딩 하는 몰드 공정을 포함한다. It comprises a step of molding the connecting step is covered as transfer molding the phosphor of the tablet shapes of the LED chip after the embodiments.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. The invention will be described in bars, illustrated in the drawings certain embodiments that may have a variety of embodiments can be applied to various changes and detail in the Detailed Description. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. This, however, is by no means to restrict the invention to the specific embodiments, it is to be understood as embracing all included in the spirit and scope of the present invention changes, equivalents and substitutes. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. In describing the drawings was used for a similar reference numerals to like elements.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. First, the term of the second, etc., can be used in describing various elements, but the above elements shall not be restricted to the above terms. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. These terms are only used to distinguish one element from the other. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second configuration can be named as an element, similar to the first component is also a second component. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. And / or the term includes any item of the items described concerning the combination or plurality of the plurality of related items disclosed.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. Unless otherwise defined, including technical and scientific terms, all terms used herein have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. Any term that is defined in a general dictionary used shall be construed to have the same meaning in the context of the relevant art, unless expressly defined in this application, it not is interpreted to have an idealistic or excessively formalistic meaning no.

도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. In explaining the drawings was used for a similar reference numerals to like elements.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. With reference to the accompanying drawings, it will be described in detail preferred embodiments of the invention. 이하, 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다. The same reference numerals for the same components on the accompanying drawings and the description redundant with respect to the same elements will be omitted.

본 발명은 상술의 과제를 가능하게 한 것으로, 발광 반사면의 발광색과 발광의 중심부와 외주부에서 발광색등의 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치를 얻을 수 있는 최대의 요인은 형광간섭제나 형광체의 비중이다.본 발명에 채용되고 있는 소재의 비중은 다음과 같다. The invention of the maximum that can be obtained a light emitting device with no unevenness by the color tone, such as blue light color in the center and the outer periphery of that enables an assignment of the above, the luminous color of the luminous reflection surface and the light-emitting uniformity, color factor fluorescence interference agent and the phosphor is a specific gravity. weight of the material has been adopted in the present invention are as follows. 에폭시 수지의 비중은 1.15-1.20 g/cm3 , 실리콘 수지의 비중은 1.00-1.02 g/cm3 , 본원 실시 검증예로 채용한 제1 형광체의 비중은 4.10 g/cm3 으로, 보원 실시 검증예로 채용한 제2형광체의 비중은 5.27 g/cm3 이다.또,분원 발명의 형광 간섭제의 비중은 평균치로 4.00 g/cm3 이다. The proportion of the epoxy resin is adopted as 1.15-1.20 g / cm3, specific gravity of the silicone resin is a ratio of the first phosphor is employed to 1.00-1.02 g / cm3, the present embodiment is verified for example 4.10 g / cm3, for example, verification carried bowon weight of the second fluorescent material is 5.27 g / cm3. the specific gravity of the fluorescent interference of the quadrants invention is 4.00 g / cm3 in average.

발광 다이오드칩을 덮는 투광성 몰드 부재, 즉, 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지에, 형광간섭제만을 배합 혼합했을 경우는형광 간섭제의 비중이 액상 모체 수지의 비중보다 무겁 기 때문에 형광 간섭제가 발광 다이오드칩의 주변을 수직 수평 방향으로 균일하게 피복 하기 위해서, 발광의 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치를 얻을 수 있는 최대의 요인이다. Translucent molding member covering the light emitting diode chip, namely, a base resin, the curing agent, a liquid epoxy resin and a silicone resin of the hand of the resin in the liquid matrix resin blend, if the blend only fluorescence interference claim formulation is the specific gravity of the fluorescent interference claim liquid since heavier than the specific gravity of the matrix resin is the largest factor in order to interfere with the fluorescent agent uniformly covering the surrounding of the LED chip to the vertical and horizontal directions, to obtain a light emitting device that does not stain by the color tone of the light emitting uniformity, color.

마찬가지로, 발광 다이오드칩을 피복 하는 투광성 몰드 부재, 즉, 주제와 경화제를 혼합 한 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지에, 비중이 다른 본원 실시 검증예로 채용한 제1 형광체의 비중 4.10 g/cm3 와 같이 본원 실시 검증예로 채용한 제2 형광체의 비중 5.27 g/cm3 를 배합 혼합했을 경우, 액상 모체 수지의 비중과 비교해서,제1 형광 재료와 제2 형광 재료는 무겁기 때문에, 쌍방 분리해 침강 해 액상 모체 수지에 균일하게 분산하지 않는다. Similarly, the translucent mold member, that is, the base resin, the curing agent, a liquid matrix resin is a resin of the epoxy resin or silicon resin in a liquid mixture while the specific gravity is the first fluorescent substance is employed as another present exemplary verification example for covering the light-emitting diode chips a specific gravity of 4.10 g / as cm3 when mixed with specific gravity 5.27 g / cm3 of the second phosphor is employed in the present exemplary verification example formulation, as compared to the specific gravity of the liquid matrix resin, a first fluorescent material and the second fluorescent material is heavy Therefore, by sedimentation to separate the two sides are not uniformly dispersed in the liquid matrix resin. 이 때문에 발광 다이오드 소자는 발광의 색조가 불균일한, 색얼룩이 있는 발광 장치가 된다. For this reason, the light emitting diode elements is a light emitting device which stains the color tone of light emission unevenness, color.

이 현상을 개선하기 위해서, 본 발명 응용 재료인 청구항 2에 기재의 형광 간섭제의 비중 4.00 g/cm3 가, 제1 형광체와 제2 형광체의 발광색을 광간섭해 색얼룩을 저지하고, 한편, 발광의 색조가 균일한 발광 장치가 되었다. In order to improve this phenomenon, and prevents the present invention the application material of specific gravity 4.00 g of fluorescence interference agent of the invention described in claim 2 / cm3 is the first fluorescent material and a light interference by color non-uniformity of light emission color of the second phosphor, on the other hand, the light emitting the color tone was a uniform light-emitting device.

[제1 실시예] [First Embodiment]

도 8의 포탄형의 발광 다이드 구조 소자에, 발광 다이드칩으로서 발광 파장이 380nm 에서 700nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩으로 GaN/SiC 반도체 구조를 가지는 발광다이드칩을 이용했다.이 발광 다이드칩 (도면 부호 9)을 은도금 된 금속제 리드프레임 (도면 부호 7)의 선단에 컵을 가지는 마운트리드에 발광 다이오드칩을 은페이스트(Ag paste)(도면 부호 8)로 다이본딩(Die Bonding) 했다. The light emission is Id fabric element of a bullet-shaped in Fig. 8, the light emission is a light emission wavelength as id chip was used light emission is Id chips having a GaN / SiC semiconductor structure by the light emitting diode chip for emitting light of 700nm at 380nm. The emission the Id-chip (reference numeral 9) die-bonded to a is a light emitting diode chip on the mount lead having a cup at the tip of a silver-plated metallic lead frame (reference numeral 7), the paste (Ag paste) (reference number 8) (die bonding) did. 발광 다이오드칩의 전극과 인어리드(도면 부호 7)와 직경이 25μm 에서 30 μm 의 금선(도면 부호 10)으로 와이어 본딩(Wire Bonding) 해서 전기적인 도통을 한다. The lead electrodes and the mermaid (reference number 7) and the diameter of the LED chip by wire bonding (Wire Bonding) with a gold wire (reference number 10) of 30 μm and 25μm from the electrical connection.

이와 같이 해 제작된 발광 다이드칩 위에, 청구항 2에 기재의 형광 간섭제를 표 1과 같이 액상 모체 수지에 배합해 발광 반사면의 발광색과 발광의 중심부와 외주부에서 발광색등의 색조가 균일한 , 색얼룩이 없는 발광 장치의 발광 다이드를 제작했다. By this way to the color tone such as a blue light color uniformity over the light emission produced the Id-chip, in the center and the outer periphery of the light emission color and light emission of the reflection surface light emission by blending the liquid matrix resin as shown in Table 1, the fluorescence interference agent of the invention described in claim 2, colored beads producing an emission of the light emitting device is not dirty.

여기서 말하는 액상 모체 수지란, 엑폭시(Epoxy) 수지 또는 실리콘(Silicone) 수지이다. Liquid matrix resin used here is, epoxy (Epoxy) resin or a silicone (Silicone) resin.

이 혼합 수지를 발광 다이오드칩이 배치된 마운트리드상의 컵내에 파팅(Potting) 시켰다. This mixed resin, the LED chip was parting (Potting) in the cup on a mount lead placement. 당연히 potting전에는 본 발명의 형광 간섭제가 함유 된 액상모체수지를 소정의 온도와 시간에서 경화 반응시킨다. Naturally before potting to cure the liquid reaction matrix resin containing fluorescent interference agent of the present invention at a given temperature and time. 게다가 발광 다이오드칩이나 형광체를 보호하는 목적으로 몰드(Molding) 부재로서 투광성 수지를 형성했다. In addition, to form the light transmitting resin as a mold (Molding) member for the purpose of protecting the LED chip and the phosphor.

몰드 부재는 도 8의 포탄형의 거푸집 가운데에 형광체의 potting부가 형성된 리드프레임을 삽입해 투광성 수지를 혼입 후, 소정의 온도와 시간으로 경화시켰다.이 시험 평가 결과의 실시예(을)를 표 1에 나타낸다. The molding material is also to insert the potting portion formed in the lead frame of the phosphor in the mold of a bullet-shaped in 8 after the light transmitting resin mixed and cured at a predetermined temperature and time. The table of embodiment (a) of the test and evaluation results 1 It represents a. 이와 같이 도 1에는 실시예 1의 발광 파장 λd≒405nm 의 발광 스펙트럼의 도면을, 마찬가지로 도 2에는 발광 파장 λd≒465nm 의 발광 스펙트럼의 도면을 같은식으로 도 3에는 발광파장 λd≒525nm 의 발광 스펙트럼의 도면을 나타낸다. In this way the drawing of the emission spectrum of the light-emitting wavelength λd ≒ 405nm according to the first embodiment in FIG. 1, similar to Figure 2, the emission spectrum of the light-emitting wavelength λd ≒ a drawing of an emission spectrum in the same manner of 465nm in Figure 3 in the light-emitting wavelength λd ≒ 525nm It shows a diagram of the.

실시 예의 표 1과 표 2로부터 알 수 있는 것은 , 발광 반사면의 발광색과 발광의 중심부와 외주부에 발광색등의 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치의 발광 다이오드를 얻으려면 , 발광 파장에 관계없이 형광간섭제의 배합 비율은 모체 수지에 대해서 0.05wt% 에서 0.1wt% 가 최적이다.발광 다이오드의 광도를 떨어뜨림 업시 발광색등의 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치를 얻으려면 0.05wt%가 최적이다. Embodiment, it can be seen from Table 1 and Table 2, to obtain the light emitting diode of a color tone is uniform, no color heterogeneity from the light-emitting device of the light emission colors, such as the light emission color and the center and the outer periphery of the light emission of emission reflection surface, regardless of the emission wavelength the compounding ratio of the fluorescence interference is most suitable in a 0.1wt% 0.05wt% with respect to the matrix resin. to obtain the dropping the brightness of the LED-up state by the color tone, such as blue light color is uniform, no color heterogeneity from the light emitting device is 0.05wt% optimal is.

[표 1] TABLE 1

시료No. Sample No. P(wt%) P (wt%) 405nm CIE.x 405nm CIE.x 405nm CIE.y 405nm CIE.y 465nm CIE.x 465nm CIE.x 465nm CIE.y 465nm CIE.y 525nm CIE.x 525nm CIE.x 525nm CIE.y 525nm CIE.y
1 0 0 0.178 .178 0.028 .028 0.136 .136 0.053 .053 0.175 .175 0.735 .735
2 0.05 0.05 0.179 .179 0.031 .031 0.134 .134 0.057 .057 0.173 .173 0.737 .737
3 0.10 0.10 0.180 .180 0.033 .033 0.137 .137 0.051 .051 0.171 .171 0.738 .738
4 0.20 0.20 0.179 .179 0.032 .032 0.134 .134 0.058 .058 0.173 .173 0.737 .737
5 0.30 0.30 0.179 .179 0.032 .032 0.135 .135 0.055 .055 0.184 .184 0.736 .736
6 0.40 0.40 0.180 .180 0.033 .033 0.136 .136 0.053 .053 0.187 .187 0.737 .737
7 0.50 0.50 0.181 .181 0.035 .035 0.134 .134 0.059 .059 0.194 .194 0.733 .733
8 1.00 1.00 0.182 .182 0.037 .037 0.136 .136 0.054 .054 0.192 .192 0.733 .733
9 2.00 2.00 0.185 .185 0.045 .045 0.133 .133 0.062 .062 0.196 .196 0.731 .731
10 10 5.00 5.00 0.195 .195 0.067 .067 0.134 .134 0.061 .061 0.194 .194 0.730 .730

다음의 표 2에는 광도(Luminance Intensity:mcd)와 색온도 광원에는 백열 램프와 같이 적색계의 빛을 발하는 것으로부터, 수은 램프와 같이 녹색기의 빛을 발하는 것까지 다양한 발광색이 있다. The following Table 2 shows the brightness of: from those emitting light of red color-base, as is an incandescent lamp (Luminance Intensity mcd) and color temperature light source, a variety of emission colors to be emitted by the light of a green-based, such as a mercury lamp. 이러한 광원이 가지고 있는 고유의 광색을 숫자로 표현한 것을 색온도라고 부른다. That the image of the specific light color of a light source which has such a number is referred to as color temperature. 단위는 「K(켈빈이라고 읽는다)」로, 붉은 빛을 띤 광색 일수록 낮은 수치, 푸른 기를 띤 광색일수록 높은 수치로 나타내어 진다. The more units of "K (read as Kelvin)" in, the more photochromic reddish lower, light color-toned blue group is represented by the high value.

[표 2] TABLE 2

시료No. Sample No. P(%) P (%) 405nm 광도 (mcd) 405nm luminous intensity (mcd) 405nm 색온도 (K) 405nm color temperature (K) 465nm 광도 (mcd) 465nm luminous intensity (mcd) 465nm 색온도 (K) 465nm color temperature (K) 525nm 광도 (mcd) 525nm luminous intensity (mcd) 525nm 색온도 (K) 525nm color temperature (K)
1 0 0 40 40 0 0 5,860 5860 0 0 15,560 15560 7,700 7700
2 0.05 0.05 34 34 0 0 4,420 4420 0 0 10,900 10900 7,720 7720
3 0.10 0.10 28 28 0 0 2,610 2610 0 0 7,670 7670 7,740 7740
4 0.20 0.20 26 26 0 0 2,620 2620 0 0 6,750 6750 7,720 7720
5 0.30 0.30 23 23 0 0 2,070 2070 0 0 5,680 5680 7,550 7550
6 0.40 0.40 24 24 0 0 2,110 2110 0 0 6,310 6310 7,500 7500
7 0.50 0.50 20 20 0 0 1,600 1600 0 0 4,810 4810 7,400 7400
8 1.00 1.00 16 16 0 0 1,100 1100 0 0 3,310 3310 7,430 7430
9 2.00 2.00 10 10 0 0 620 620 0 0 2,170 2170 7.380 7.380
10 10 5.00 5.00 4 4 0 0 190 190 0 0 760 760 7,420 7420

이상의 실시예로부터, 발광 파장 380nm 에서 700nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩을 피복하는 투광성 몰드 부재, 즉, 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 및 시리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지에, 본 발명의 형광 간섭제를 배합한 발광 A From the above embodiment, the light emitting wavelength of 380nm translucent molding member covering the light emitting diode chip for emitting light of 700nm in, that is, the base resin, the curing agent, a liquid epoxy resin and a coloring cone resin of the hand of the resin in the liquid matrix resin blend , light emission by blending the fluorescence interference agent of the present invention

다이오드 장치에서는 발광 반사면의 콘트라스트비와 빛도출 효율을 높고, 청색 발광 다이 오드의 청색빛의 발광 색재현 범위를 나타내는 CIE색온도(Color Diagram)의 색범위를 재현성 좋게 발광반사면의 발광색 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치를 얻을 수 있었다. Diode device, a high contrast ratio and the light obtained efficiency of the light emitting reflecting surface, CIE color temperature (Color Diagram) The luminescent color shades of good reproducibility emit light reflection surface a color range uniformity of a light emitting color reproduction range of the blue light of the blue light-emitting diode one, to obtain a colored light emitting device that does not stain.

[제2 실시예] [Second Embodiment]

도 8의 포탄형의 발광 다이오드 구조 소자에, 발광 다이오드칩으로서 발광 파장이 460nm 로부터475 nm, 반치폭 20nm 의 GaN/SiC 반도체 구조를 가지는 발광 다이오드칩을 이용했다. A light emitting diode structure device of the bullet-shaped in Fig. 8, the light emission wavelength of a light-emitting diode chip used an LED chip having a GaN / SiC semiconductor structure of 475 nm, half value width 20nm from 460nm.

이 발광 다이드칩(도면 부호 9)을 은도금 된 금속제 리드프레임(도면 부호 7) 의 선단에 컵을 가지는 마운트리드에 발광 다이오드칩을 은페이스트(Ag paste) (도면부호 8)로 다이본딩(Die Bonding) 했다. The light emission is Id chip (reference numeral 9) die-bonded to a is a light emitting diode chip on the mount lead having a cup at the tip of a silver-plated metallic lead frame (reference numeral 7), the paste (Ag paste) (reference number 8) (Die It was Bonding). 발광 다이오드칩의 전극과 인어리드(도면 부호 7)를 직경이 25μm 에서 30 μm 의 금선(도면 부호 10)으로 와이어 본딩(Wire Bonding) 해 전기적인 도통을 한다. By wire bonding to lead electrode and the mermaid (reference numeral 7) of the LED chip to the metal wire (reference number 10) of 30 μm in diameter 25μm (Wire Bonding) The electrical conductivity.

이와 같이 해 제작된 발광 다이오드칩 위에, 본 실시예에서는 실시 검증 확인을 위해서, 발광 파장 460nm 에서 475nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩으로부터의 여기빛을 받고, 여기발광하는 황녹색 발광 형광체(이것을 제1 형광체라고 명명한다)의 조성이 (Y1r, Gdr) 3 Al5O12:Cep,Tbq, (0<r<1), (0<p<5), (0.5<q<5)와 발광 파장 460nm 에서 475nm 의 빛을 발하는 발광 다이오드칩으로부터의 여기빛을 받고, 여기 발광하는 발광색으로 여기 발광하는 적색발광(이것을 제2 형광체라고 명명한다)의 조성이 ZnSe:Y〔다만, Y 는 Mn, Pb 중에 적어도 1종〕인 2 종류의 형광체를 이용해 실시 검증했다. Thus it over the fabricated light-emitting diode chip, in the present embodiment, for exemplary verification confirmation, receiving the excitation light from the light emitting diode chip for emitting light of 475nm from the light-emitting wavelength of 460nm, this yellow-green light-emitting fluorescent substance which emits light (which is the the composition of is named first phosphor) (Y1r, Gdr) 3 Al5O12: Cep, Tbq, (0 <r <1), (0 <p <5), (0.5 <q <5) and the light emission wavelength 460nm 475nm for receiving the excitation light from the light emitting diode chip for emitting light, this red colored light emission excited light with luminescent color of luminescence is the composition of (this is named the second phosphor) ZnSe: Y [However, Y is at least one among Mn, Pb species] was verified performed using the two kinds of phosphors.

여기서, 제1 형광체(이것을 VB 라고 적는다)와 제2 형광체(이것을 R 라고 적는다)를 VB(%):R(%)에,액상 모체 수지에 소망의 배합 비율로 혼합한 형광체에 본 발명의 형광 간섭제 (이것을 P 라고 적는다)를 표 3과 같이 액상 모체 수지에 배합해 백색 발광 다이오드를 제작했다. Here, the first phosphor (List This is referred to as VB) and the second phosphor (List This is referred to as R) the VB (%): R (%) in the, according to the present invention at a phosphor mixed in a mixing ratio of the desired to the liquid matrix resin fluorescent by an interference claim (List this is referred to as P) incorporated into the liquid matrix resin as shown in Table 3 to prepare a white light emitting diode.

표 3에는 CIE 색온도(CIE Chromaticity Diagram)의 x, y 치를 실시예에 근거한 실측치로 표시했다. Table 3 marked x, y values ​​in the CIE color temperature (CIE Chromaticity Diagram) a measured value based on the embodiments. 아울러, 색온도 광원에는 백열 램프와 같이 적색계를 발하는 것으로부터, 수은 램프와 같이 녹색계의 빛을 발하는 것까지 다양한 발광색이 있다. In addition, the color temperature of the light source has a variety of emission colors to be emitted from the red color-base, such as an incandescent lamp, until it emits light of a green-based, such as a mercury lamp. 이러한 광원이가지고 있는 고유의 광색을 숫자로 표현한 것을 색온도라고 부른다. That the image of the specific light color of a light source which has such a number is referred to as color temperature. 단위는 「K(켈빈이라고 읽는다)」로, 붉은 빛을 띤 광색일 수록 낮은 수치 로, 푸른 기를 띤 광색일 수록 높은 수치로 나타내어진다. The unit is represented by "K (read as Kelvin)" The one, the light color reddish lower, to be more blue light color tinged an high value. 도 4에는 표 3의 CIE 색온도(CIE Chromaticity Diagram)의 도면을 나타낸다. Figure 4 shows a diagram of the CIE color temperature (CIE Chromaticity Diagram) of Table 3. 같은 식으로, 도 5에는 표 3의 색온도 (K)의 도면을 나타낸다 In the same way, Fig. 5 shows a diagram of a color temperature (K) shown in Table 3

실시 예의 표 3과 표 4로부터 알 수 있는 것은 발광 반사면의 발광색과 발광의 중심부와 외주부에 발광색등의 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치의 발광 다이오드를 얻으려면 , 무기물 형광체의 배합 비율(을)를 일정하게 했을 경우, 간섭제의 배합 비율은 모체 수지에 대해서 0.05wt% 에서 0.1wt% 가 최적이다.즉, 발광 다이오드의 광도면을 떨어뜨림 없이 발광색등의 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광장치를 얻으려면 0.05wt% 가 최적이다.다만, 무기물 형광체의 배합 비율을 일정하게 하고, 색온도를 소망의 값을 얻을 목적의 경우는 광도의 저하를 무시해 표 3의 실시 예와 같이 형광 간섭제의 배합 비율을 5.0wt% 이상 배합할 필요가 있다. Embodiment of Table 3 and can be seen from Table 4, it is to obtain the light emitting diode of the light emitting device without uneven color tone is uniform, color, such as blue light color to a light emitting color and the center and the outer periphery of the light emission of emission reflection surfaces, the mixing ratio of the inorganic phosphor ( If a constant a), the blending ratio of the interference is most suitable in a 0.1wt% 0.05wt% with respect to the matrix resin, that is, a uniform color tone of the luminescent color etc. without degrading the gwangdomyeon of the LED, no color unevenness to obtain the light emitting device is optimum is 0.05wt%. However, for the purpose of a constant mixing ratio of the inorganic fluorescent substance and obtain the value of the color temperature is desired fluorescence interference as in the embodiment of Table 3, ignoring the reduction in the intensity the mixing ratio needs to be added at least 5.0wt%.

[표 3] TABLE 3

시료No. Sample No. VB(%):R(%) VB (%): R (%) P(%) P (%) CIE 색도도의 x치(CIE색온도의X값) x value (X value of the CIE color temperature) of the CIE chromaticity diagram CIE 색도도의 y치(CIE색온도의Y값 CIE chromaticity diagram of the y values ​​(Y values ​​of the CIE color temperature 색온도 (K) Color Temperature (K)
1 85:15 85:15 0 0 0.278 .278 0.277 .277 11,580 11580
2 85:15 85:15 0.05 0.05 0.276 .276 0.275 .275 10,960 10960
3 85:15 85:15 0.10 0.10 0.305 .305 0.309 .309 7,610 7610
4 85:15 85:15 0.20 0.20 0.305 .305 0.310 .310 7,060 7060
5 85:15 85:15 0.30 0.30 0.316 .316 0.325 .325 6,230 6230
6 85:15 85:15 0.40 0.40 0.332 .332 0.345 .345 5,350 5350
7 85:15 85:15 0.50 0.50 0.348 .348 0.357 .357 4,790 4790
8 85:15 85:15 1.00 1.00 0.382 .382 0.394 .394 4,080 4080
9 85:15 85:15 2.00 2.00 0.392 .392 0.396 .396 3,800 3800
10 10 85:15 85:15 5.00 5.00 0.405 .405 0.394 .394 3,550 3550

다음의 표 4에는 광도(Luminance Intensity:mcd)와 광속(Luminous Flux)의 실측치를 나타낸다. The following Table 4 Rotation: represents the measured value of (Luminance Intensity mcd) and the light beam (Luminous Flux). 도 6에는 표 4의 광도(Luminance Intensity)의 도면을 나타낸 다. Figure 6 is showing a diagram of the light intensity shown in Table 4 (Luminance Intensity).

[표4] TABLE 4

시료No. Sample No. VB(%):R(%) VB (%): R (%) P(%) P (%) 광도 (mcd) Brightness (mcd) 광속 (Lm) The light beam (Lm)
1 85:15 85:15 0 0 8,610 8610 1.600 1.600
2 85:15 85:15 0.05 0.05 6,740 6740 1.490 1.490
3 85:15 85:15 0.10 0.10 5,550 5550 1.390 1.390
4 85:15 85:15 0.20 0.20 4,615 4615 1.420 1.420
5 85:15 85:15 0.30 0.30 4,200 4200 1.230 1.230
6 85:15 85:15 0.40 0.40 3,900 3900 1.190 1.190
7 85:15 85:15 0.50 0.50 3,800 3800 1.080 1.080
8 85:15 85:15 1.00 1.00 3,010 3010 0.820 .820
9 85:15 85:15 2.00 2.00 1,800 1800 0.580 .580
10 10 85:15 85:15 5.00 5.00 740 740 0.190 .190

이상의 실시예로부터, 발광 파장 460nm 에서 475nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩을 피복하는 투광성 몰드 부재, 즉, 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 및 시리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지에, 청구항 3의 무기물 형광 재료에 본 발명의 형광 간섭제 배합을 혼합 배합한 발광 다이오드 장치에서는 색온도(K)를 소망의 값으로 간단하게 얻을 수 있음과 동시에, 본 발명에서는 발광 반사면의 콘트라스트비와 빛도출 효율을 높고, 백색 발광 다이오드의 백색광의 발광 색재현 범위를 나타내는 CIE색온도(Color Diagram)의 색범위를 재현성 좋게 발광 반사면의 발광색 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치를 얻을 수 있었다 A From the above embodiment, the light emitting wavelength of 460nm translucent molding member covering the light emitting diode chip for emitting light of 475nm in, that is, the base resin, the curing agent, a liquid epoxy resin and a coloring cone resin of the hand of the resin in the liquid matrix resin blend in fluorescence interference blended mixture of the combined light emitting diode device of the present invention the inorganic fluorescent material of claim 3 and at the same time can be simple to obtain a color temperature (K) to a desired value, the contrast ratio of the light-emitting reflecting surface in the present invention, and a high efficiency light derived, by the white light emission CIE color temperature of a light emitting diode of the color reproduction range of the white light emission color of the (color Diagram) the color reproducibility range of the reflection surface of the color tone, light emission uniform, it was possible to obtain a colored light emitting device that does not stain

[실시예3] Example 3

도 9에 나타내는 발광 다이오드는백라이트용의 사이드뷰타이프 발광 다이드의 단면도면을 나타낸다. A light emitting diode shown in FIG. 9 shows a cross-sectional surface of the side-view type light-emitting beads are of the backlight. 사이드뷰타이프 (Side view type) 발광 다이드의 하우징 (Housing) 케스(도면 부호 2) 안의 한편의 전극에 GaN/SiC 반도체 구조를 가지는 발광 다이오드칩(도면 부호 4)을 은페스트(도면 부호 3)로 다이본딩해 고정시키고, 그리고, 도전성 와이어로 금선(도면 부호 5)을 발광 다이오드칩(도면 부호 4)의 전극과 하우징케스내 (도면부호 1)에 설치된 전극에 접속시키고 있다. A side-view type (Side view type) light emitting The Id of the housing (Housing) Case (reference numeral 2), the light emitting diode chip having a GaN / SiC semiconductor structure to the electrode of the inner hand (reference numeral 4) are paste (reference numeral 3) by die bonding and may be fixed and, and, connected to the metal wire (reference numeral 5) to the conductive wire to the electrode provided on the light emitting diode chip (reference number 4) and the housing electrode Case I (the numeral 1).

그리고, 하우징케스내에, 실시예 2와 같이 실시 검증 확인을 위해서, 발광 파장 460nm 에서 475nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩으로부터의 여기빛을 받아서, 여기 발광하는 황녹색발광형광체(이것을 제1 형광체라고 명명한다)의 조성이 (Y1r, Gdr) 3 Al5O12:Cep,Tbq, (0<r<1),(0<p<5), (0.5<q<5)와 발광 파장 460nm 에서 475nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩으로부터의 여기빛을 받아서, 여기 발광하는 발광색으로 여기 발광하는 적색 발광(이것을 제2 형광체로 명명 한다)의 조성이 ZnSe:Y〔다만, Y 는 Mn, Pb 중 적어도 1종〕인 2 종류의 형광체을 이용해 실시 검증했다. And a housing for the check verification performed as in Case, the second embodiment, receives the excitation light from the light emitting diode chip for emitting light of 475nm from the light-emitting wavelength of 460nm, where said yellow-green-emitting phosphor (first phosphor it to emit light Unnamed be) a composition of (Y1r, Gdr) 3 Al5O12 of: a Cep, Tbq, (0 <r <1), (0 <p <5), (0.5 <q <5) and the light emission light of 475nm at a wavelength of 460nm receiving the excitation light from the light emitting diode chip for emitting light, here (termed this as the second phosphor) for exciting luminescence with luminescent color of the light-emitting red emission composition of ZnSe of: Y [However, Y is Mn, at least one of Pb] which it was carried out using two types of verification hyeonggwangcheeul.

제1의 형광체와 제2의 형광체 (도면 부호 6) 및 본 발명의 형광 간섭제를 소망의 색도면을 얻기 적정한 중량비로 해서 수지와 혼합한 혼합 수지를 주입하고, 발광 다이오드칩이나 도전성 와이어를 외부로부터 보호한다. The first of the phosphor and the phosphor of the second (reference numeral 6), and the fluorescence interference agent of the present invention and injecting the mixed resin is mixed with a resin to an appropriate weight ratios to obtain the color drawing a desired, external to the LED chip and the conductive wires to prevent any. 이러한 발광 다이오드를 발광시키는 것에 의해서, 발광 다이오드칩으로부터의 발광과 그 발광에 의해서 여기된 형광체로부터의 발광과의 혼합색에 의해 백색계 발광이 가능한 발광 다이오드 장치로 할 수 있다. To emit light by the light emitting diode can be a light emitting diode device, the white light-emission by the mixed color of a light emission from a phosphor excited by the light-emitting and the light emitted from the LED chip.

이와 같이, 본 발명은 발광 파장 380nm 에서 700nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩을 덮는 투광성 몰드 부재, 즉, 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지와 투광성 몰드 부재에 함유 되는 발광 다이오드칩으로부터의 발광 여기빛에 의해서 장파장 측에 여기 발광하는 형광체와 형광 간섭제를 함유 하는 발광다이오드이다. Thus, the present invention is a light emitting wavelength at 380nm translucent molding member covering the light emitting diode chip for emitting light of 700nm, that is, the subject and the epoxy resin in a liquid mixture of a curing agent or a silicone resin of the hand of the resin in the liquid matrix resin and the light transmitting a light emitting diode containing the phosphor and the fluorescence interference here that the light emission at a long wave length side by the emission of excitation light from the LED chip to be contained in the molding material. 특히, 본 발명에서는 발광 반사면의 콘트라스트비와 빛도출 효율을 높게, 백색 발광 다이오드의 백색광의 발광 색재현 범위를 나타내는 CIE 색온도(Color Diagram)의 색범위를 재현성 좋게 발광 반사면의 발광색의 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치를 얻을 수 있었다. In particular, in the present invention, a higher contrast ratio and the light obtained efficiency of the light emitting reflecting surface, the CIE color temperature (Color Diagram) color tone of the luminescent color of the reproducibility emission reflection surface a color range of a light emitting color reproduction range of the white light of a white light emitting diode uniform, it was possible to obtain a colored light emitting device that does not stain.

동시에, 색온도의 수치를 직선적으로 낮고, 소망한 값의 색온도면을 재현성 좋게 효율적으로 얻는 것이 가능하게 되었다. At the same time, the lower the numerical value of color temperature linearly, with good reproducibility if the color temperature of a desired value has become possible to efficiently obtain the.

청구항 3의 무기물 형광 재료의 조성은 발광 파장 380nm 에서 700nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩으로부터의 여기빛을 받아서, 장파장 측에 파장 변환해 백색 발광 다이오드를 얻을 수 있는 무기형광체라면, 모두 유효하다. The composition of the inorganic phosphor of claim 3 is receiving the excitation light from the light emitting diode chip for emitting light of 700nm from the light-emitting wavelength of 380nm, if by the wavelength conversion on the long wavelength side to obtain the white light emitting diode inorganic phosphors, it is valid.

본 실시예에서는실시 검증 확인을 위해서, 발광 파장 460nm 에서 475nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩으로부터의 여기빛을 받아서, 여기 발광하는 황녹색 발광 형광체(이것을 제1 형광체라고 명명한다)의 조성이 (Y1r, Gdr) 3 Al5O12:Cep,Tbq, (0<r<1), (0<p<5), (0.5<q<5)와 발광파장 460nm 에서 475nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩으로부터의 여기빛을 받아서, 여기발광 하는 발광색으로 여기 발광하는 적색 발광(이것을 제2 형광체라고 명명한다)의 조성이 ZnSe:Y〔단, Y 는 Mn, Pb 중 적어도 1종〕인 2 종류의 형광체를 이용해 실시 검증했다. The composition of to the exemplary validation check in this embodiment, receives the excitation light from the light emitting diode chip for emitting light of 475nm from the light-emitting wavelength of 460nm, (and labeled as the first phosphor this) where yellow-green light-emitting fluorescent substance which emits light ( from Cep, Tbq, (0 <r <1), (0 <p <5), (0.5 <q <5) and the light-emitting light-emitting diode chip for emitting light of 475nm at a wavelength of 460nm: Y1r, Gdr) 3 Al5O12 this receives the light, where the composition of ZnSe here (hereinafter termed the second phosphor it), the red light emission emits light of a luminous color which emits light: Y [However, Y is Mn, at least one of Pb] using the phosphor of the two kinds of verification was conducted.

이와 같이 전술의 실시 검증한 무기물 형광 재료에 본 발명의 형광 간섭제를 배합하고, 이것들을 이 발광 다이오드칩을 덮는 투광성 몰드 부재에 혼합하고, 백색 발광 다이오드의 색온도나 연색성이 높은 소망의 백색 발광 장치가 실현되며, 게다가, 발광 반사면의 발광색과 발광의 중심부와 외주부에서 발광색등의 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치를 얻을 수 있었다. Thus exemplary verify the color temperature and color rendering white light emitting device of high desired inorganic blending a fluorescence interference agent of the present invention to a fluorescent material, and are mixed in the transparent mold member them covering the LED chip white light emitting diode of the above-described is achieved and, furthermore, it was possible to obtain a light emitting device without uneven color tone is uniform, color, such as blue light color in the center and the outer periphery of the light emission color and light emission of emission reflection surface.

본 발명에 의하면, 발광 파장 380nm 에서 700nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩을 덮는 투광성 몰드 부재, 즉, 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 및 시리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지에 형광 간섭제를 함유 하는 발광 다이오드로서 발광 반사면의 발광색과 발광의 중심부와 외주부에서 발광색등의 색조가 균일한,색얼룩이 없는 발광 장치를 얻을 수 있다. According to the present invention, the emission wavelength 380nm translucent molding member covering the light emitting diode chip for emitting light of 700nm in, that is, the subject and in a liquid mixture of curing agents epoxy resin, and a coloring cone resin of fluorescence in a liquid matrix resin, the resin of the other hand one as a light-emitting diode containing the interference color tone, such as blue light color in the center and the outer periphery of the light emission color and light emission of emission reflection surface uniformly, it is possible to obtain the light emitting device without color unevenness.

또한, 본 발명에 의하면 발광 파장 380nm 에서 700nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩을 피복 하는 투광성 몰드 부재, 즉, 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지에, 청구항 3의 무기물 형광 재료에 본 발명의 형광간섭제를 혼합 배합한 발광 다이오드 장치에서는연색평가용 표준광D65(주광색)를 소망의 값으로 간단하게 얻을 수 있음과 동시에, 발광 반사면의 발광색과 발광의 중심부와 외주부에서 발광색등의 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치를 얻을 수 있다. Further, the transparent mold member, that is, the base resin, the curing agent, a liquid matrix resin is a resin of the epoxy resin and a silicone resin of a liquid mixture while the that according to the present invention, covering the light emitting diode chip for emitting light of 700nm in the emission wavelength 380nm , a fluorescence interference agent of the present invention the inorganic fluorescent material of the third aspect the blend formulation a light-emitting diode device in the standard light for color rendering index D65 (daylight) and at the same time can be easily obtained to a desired value, the luminous color of the luminous reflection surface and the color tone of the luminous color such as in the center and the outer periphery of the light-emitting uniformity, it is possible to obtain a colored light emitting device that does not stain.

또, 본 발명인 형광 간섭제 재질은 최저 농도 85% 의 산화 티탄(TiO2)의 표 면에 전기적 장벽으로서 산화 규소(SiO2·H20)와 산화 지르코늄(ZrO2·H20)과 산화 알류미늄(Al2O3·H20)를 처리한 부재이며, 평균 입자 지름은 0.26μm, 비중은 4.0g/cm3 이다. In addition, the present inventors fluorescence interference material is a table silicon oxide as an electrical barrier to the plane (SiO2 · H20) and zirconium oxide (ZrO2 · H20) and oxidized aluminum (Al2O3 · H20) of the minimum concentration of 85% titanium (TiO2) oxidation of and a handle member, and an average particle diameter of 0.26μm, a specific gravity of 4.0g / cm3. 이렇게 함으로써 양산성 및 발광 효율이 보다 뛰어난 발광 다이오드로 만들 수 있었다. So there was a mass production and the luminescence efficiency can make a more excellent light emitting diode by.

또, 이 방식에 의해 제조된 발광 다이오드는 발광 반사면의 발광색과 발광의 중심부와 외주부에서 발광색 등의 색조가 균일한, 색얼룩이 없는 발광 장치를 얻을 수 있다. Further, the method of light-emitting diodes produced by the light emitting device can be obtained without unevenness by the color tone, such as blue light color in the center and the outer periphery of the light emission color and light emission of emission reflection surface uniformity, color.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Above embodiment has been with reference to describe, understand that without departing from the spirit and scope of the invention defined in the claims below are those skilled in the art can make various modifications and variations to the present invention It will be.

Claims (6)

  1. 발광 파장 380nm 에서 700nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩; A light emitting diode chip for emitting light of 700nm from the light-emitting wavelength of 380nm;
    상기 발광 다이오드 칩을 피복 하는 투광성 몰드 부재; The translucent mold member covering the light emitting diode chip;
    상기 투광성 몰드 부재에 함유 시킨 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 빛에 의해 여기하는 형광 간섭제(초내후성 백색 안료)를 가지되, Being of the fluorescence interference agent (second weather white pigment), which is excited by the light from the LED chip that contained in the translucent mold member,
    상기 형광 간섭제의 부재는 최저 농도 85wt % 의 산화 티탄(TiO2)의 표면에 전기장벽 으로서 산화 규소(SiO2·H2O)와 산화 지르코늄(ZrO2·H2O)과 산화 알류미늄(Al2O3·H2O)을 혼합한 부재이며, 평균 입경은 0.26μm, 비중은 4.0g/cm3 인 것을 특징으로 하는 발광 장치. Members of the fluorescence interference agent is member mixed with a surface of silicon oxide (SiO2 · H2O) and zirconium (ZrO2 · H2O) and alumina (Al2O3 · H2O) oxide as an electrical barrier to the lowest concentration of 85wt% titanium oxide (TiO2) of , the mean particle diameter is 0.26μm, a specific gravity of the light-emitting device, characterized in that 4.0g / cm3.
  2. 제 1항에 있어서, According to claim 1,
    상기 발광 다이오드 칩을 피복하는 투광성 몰드 부재에, 발광 파장 380nm 에서 700nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드 칩을 탑재한 소자에 형광 간섭제 만을 배합을 갖고, 또는 상기 몰드 부재에 발광 파장 380nm 에서 470nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩을 탑재한 발광 다이오드칩의 여기빛을 받아 장파장 측에 변환되어 백색광을 발광하는 무기물 형광체에 형광 간섭제의 배합을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 장치. The transparent mold member covering the light emitting diode chip, the light emission wavelength fluorescence interference claim to a device equipped with the light emitting diode chip for emitting light of 700nm from 380nm only has the formulation, or the light of 470nm in the emission wavelength of 380nm in the molding member take the excitation light of the light emitting diode chip mounting the light emitting diode chip for emitting light-emitting device, it characterized in that it contains the combination of fluorescence interference in the inorganic phosphor which is converted to a longer wavelength side light-emitting white light.
  3. 제 2항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    상기 투광성 몰드 부재에 상기 형광 간섭제를 함유 시키는 배합 비율은 발광 다이오드칩을 피복 하는 투광성 몰드 부재, 즉 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지의 중량 100% 에 대해서, 0.01% 이상 10% 이하인 발광 장치이며, 이 제법으로 실장된 발광 장치는 발광 반사면의 얼룩이나 콘트라스트비와 빛발산 효율이 높게 개선되도록 하는 것을 특징으로 하는 발광 장치. In the translucent mold member combination ratio is a light emitting diode light-transmitting mold member which covers the chip, that is, base resin, the curing agent, a liquid epoxy resin or a silicone resin of the hand of the resin by weight of 100 of the liquid matrix resin blend that contains the above fluorescent interference claim % with respect to, a light emitting device of 0.01% or less than 10%, the light emitting device mounted with a light emitting device manufacturing method is characterized in that to improve the unevenness and the contrast ratio and the light emission efficiency of the light emitting reflecting surface higher.
  4. 발광 파장 380nm 에서 470nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드칩을 피복 하는 투광성 몰드부재, 즉 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지 중 어느 한쪽의 수지인 액상 모체 수지의 중량 100% 에 대해서, 무기물 형광체의 배합비를 소정의 배합 비율에 대해서 2.0% 이상 40% 이하의 범위에서 배합된 것에, 형광 간섭제를 함유시키고, 상기 배합 비율은 주제와 경화제를 혼합한 액상의 에폭시 수지 및 실리콘 수지 중 한편의 수지인 액상 모체 수지의 중량 100% 에 대해서, 0.01% 이상 10%이하인 것을 특징으로 하는 발광 장치. With respect to the emission wavelength at 380nm translucent molding member covering the light emitting diode chip for emitting light of 470nm, i.e., 100% by weight of the base resin, the curing agent, a liquid epoxy resin or a silicone resin, a liquid matrix resin is a resin of either one of the mixing, as the compounding ratio of the inorganic phosphor blended in the range of 2.0% or less than 40% with respect to the predetermined blending ratio, and contains a fluorescent interference claim, wherein the compounding ratio of the epoxy resin and a silicone resin of the liquid phase a mixture of base resin, the curing agent, while of the light-emitting device, characterized in that for the resin is 100% by weight of the liquid matrix resin, 10% or less than 0.01%.
  5. 발광 파장 380nm 에서 470nm 의 빛을 발광하는 발광 다이오드에서, In the light emitting diode for emitting light of 470nm from the light-emitting wavelength of 380nm,
    선단에 컵을 가지는 마운트 리드; A mount lead having a cup at the tip end;
    상기 마운트 리드에 대향해서 배치된 이너 리드; An inner lead arranged opposite to the mount lead;
    상기 컵 내에 탑재된 발광 다이오드칩; The light emitting diode chip in said cup;
    상기 이너리드와 상기 발광 다이오드를 전기적으로 접속하는 도전성 와이어; Conductive wires for electrically connecting the inner lead and the LED;
    상기 컵 내에서 상기 발광 다이오드칩을 덮는 것으로서, 상기 발광 다이오드 칩으로부터의 발광에 의한 여기 간섭하는 청구항 2의 형광 간섭제들이 발광 다이 오드, 및 에폭시 수지에 혼합한 청구항 3의 무기물 형광체와 청구항 2의 형광 간섭제를 포함하는 백색계 발광 다이오드. As within the cup to cover the LED chip, the LED fluorescent interference claim emit light of the claims 2 to interference excitation by light emitted from the chip diode, and of claim 3 incorporated into the epoxy resin of the inorganic phosphor of claim 2 a white light-emitting diode comprising a fluorescent interference claim.
  6. 발광 파장 380nm 에서 470nm 의 빛을 발광하는 발광 장치를 얻는 발광 다이오드의 제조 방법에 있어서, In the manufacturing method of the LED to obtain the light-emitting device which emits the light of 470nm from the light-emitting wavelength of 380nm,
    회로 패턴을 가지는 기준체 위에 발광 다이오드칩을 접착 고정하는 마운팅 공정; Mounting step of adhering and fixing the light emitting diode chip on the circuit member having a reference pattern;
    상기 기준체 위에 접착 고정된 발광 다이오드칩의 전극과 상기 기준체의 회로 패턴과를 전기적으로 접속하는 접속 공정; Connecting step of electrically connecting the circuit patterns and the bonding electrode of the fixed LED chip and the reference element on the reference body;
    투명 몰딩용 에폭시 수지에 청구항 2의 형광 간섭제를 혼합했을 경우, 및 투명 몰딩용 에폭시 수지에 혼합한 청구항 3의 무기물 형광체와 청구항 2의 형광 간섭제를 구비한 분말 몰딩용 에폭시 수지에 압력을 더해 타브렛트 형상의 형성 공 정; When mixing the fluorescence interference agent of claim 2 in an epoxy resin for the transparent molding, and adding pressure to the transparent molded epoxy resin for powder molding comprising a fluorescence interference of an inorganic phosphor and claim 2 of claim 3 incorporated into the epoxy resin composition for other Brett tree-like formation of the fair;
    상기 접속 공정이 실시된 후의 발광 다이오드칩을 덮듯이 상기 타블렛 형상의 형광체를 트랜스퍼 몰딩 하는 몰드 공정을 포함하는 발광다이오드 제조 방법. A light emitting diode manufacturing method comprising the step of molding the connecting step is covered as transfer molding the phosphor of the tablet shapes of the LED chip after the embodiments.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001077433A (en) 1999-06-30 2001-03-23 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device and formation method thereof
KR20030097609A (en) * 1996-07-29 2003-12-31 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 Light emitting device and display device
JP2006265326A (en) 2005-03-23 2006-10-05 Stanley Electric Co Ltd Phosphor, method for producing the same, and light emitting device
KR20080021993A (en) * 2006-09-05 2008-03-10 삼성전자주식회사 Light emitting diode, backlight unit using the same and display device having the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030097609A (en) * 1996-07-29 2003-12-31 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 Light emitting device and display device
JP2001077433A (en) 1999-06-30 2001-03-23 Nichia Chem Ind Ltd Light-emitting device and formation method thereof
JP2006265326A (en) 2005-03-23 2006-10-05 Stanley Electric Co Ltd Phosphor, method for producing the same, and light emitting device
KR20080021993A (en) * 2006-09-05 2008-03-10 삼성전자주식회사 Light emitting diode, backlight unit using the same and display device having the same

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