KR100883479B1 - Nitride semiconductor laser diode and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 질화물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 성장된 n-질화갈륨층과; The present invention relates to a nitride semiconductor laser diode and a manufacturing method, the upper n- GaN layer grown on the substrate; 상기 n-질화갈륨층의 상부에 적어도 하나 이상의 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층을 포함하고 있는 웰 적층구조와 배리어층이 계속적으로 번갈아 적층되어 형성된 활성층과; An active layer formed of the n- GaN layer above the well laminated structure which includes at least one or more of the non-doped gallium nitride layer or a silicon-doped gallium nitride layer and the barrier layer are alternately stacked and continuously; 상기 활성층의 상부에 형성된 p-질화갈륨층과; p- GaN layer formed on top of the active layer and; 상기 p-질화갈륨층에서 n-질화갈륨층 일부까지 수직적으로 메사(Mesa)식각되어 제거된 n-질화갈륨층의 상부에 형성된 n-전극과; n- electrode formed on the upper portion of the n- GaN layer as a vertical part to the mesa (Mesa) Etched n- GaN layer is removed from the p- GaN layer; 상기 p-질화갈륨층의 상부에 형성된 p-전극으로 구성함으로서, 하나의 웰에 복수의 양자점을 형성하여 레이저광의 휘도를 증가시키고, 광의 파장을 조절할 수 있는 효과가 발생한다. By configuring the p- electrode is formed on top of the p- GaN layer, there arises an effect that forms a plurality of quantum dots in one of the well and increase the laser light intensity, to control the wavelength of light.
질화물, 반도체, 레이저, 다이오드, 파장, 양자점, 모노층, 적층 A nitride semiconductor laser, a diode, a wavelength, a quantum dot, mono-layer, laminated

Description

질화물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법{Nitride semiconductor laser diode and method for manufacturing the same} The nitride semiconductor laser diode and a method of manufacturing {Nitride semiconductor laser diode and method for manufacturing the same}

도 1은 종래의 질화물계 레이저 다이오드의 활성층의 기본 구조 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of a basic structure of a conventional nitride-based laser diode active layer.

도 2는 본 발명에 따른 질화물 레이저 다이오드의 단면도이다. 2 is a cross-sectional view of a nitride laser diode according to the present invention.

도 3은 도 2의 질화물 레이저 다이오드의 하나의 웰 적층구조의 상세 단면도이다. 3 is a detailed cross-sectional view of a well layered structure of a nitride laser diode of FIG.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명> <Description of the Related Art>

50 : 기판 51 : n-질화갈륨층 50: substrate 51: n- GaN layer

60 : 활성층 61,63,65 : 웰 적층구조 60: active layer 61,63,65: well lamination structure

62,64,66,107 : 배리어층 101,103,104,106 : 웰 분자층 62,64,66,107: barrier layer 101 103 104 106: well molecular layer

102,105 : 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층 102 105: a gallium nitride layer or a non-doped silicon doped gallium nitride layer

본 발명은 질화물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 하나의 웰(Well)에 복수의 양자점(Quantum dots)을 형성하여 레이저광의 휘도를 증가시키고, 광의 파장을 조절할 수 있는 질화물 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. The present invention is a nitride semiconductor laser diode, and relates to a method of manufacturing the same, more particularly, to a nitride in increasing the laser beam intensity to form a plurality of quantum dots (Quantum dots) in one well (Well) and, to control the wavelength of light It relates to a semiconductor laser diode and a method of manufacturing the same.

일반적으로, Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 물질을 이용한 레이저 다이오드의 제조 기술은 최근 10 여년간 많은 발전을 했다. In general, the manufacturing technology of the laser diode using nitride semiconductor material Ⅲ-Ⅴ was the last 10 years, much progress.

특히, 성장 방법과 구조에 대한 이해가 진전됨에 따라 레이저 다이오드의 특성, 즉, 휘도, 출력, 구동 전압, 정전 특성과 신뢰성에서도 상당한 개선이 이루어졌다. In particular, a significant improvement in the characteristics of the laser diode, that is, the brightness, the output, the driving voltage, the electrostatic characteristics and reliability as an understanding of the growth method and structure development have been made.

계속적인 개선에도 불구하고, 여전히 고 출력화 및 저 구동 전압에 대한 요구가 높고, 장파장(노란색광과 적색광) 및 단파장(자외선)을 출력하는 질화물 반도체 레이저 다이오드에 대한 연구가 필요한 실정이다. Despite continual improvements, still high output screen and a high demand for low drive voltage, there is a need for research on the long wavelength nitride semiconductor laser diode for outputting a (yellow light and red light) and a short wavelength (ultraviolet).

이런 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체를 이용한 레이저 다이오드의 휘도 또는 출력은 여러 가지 요인에 의해서 영향을 받지만, 크게는 활성층의 구조, 레이저 다이오드 칩 사이즈, 램프 조립시 몰드(Mold)의 종류 및 각도 등에 의해서 좌우된다. Intensity or power of the laser diode using such Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor is influenced by a number of factors, greatly influenced by the kind and angle of a structure, the laser diode chip size, the lamp assembly when the mold (Mold) of the active layer do.

도 1은 종래의 질화물계 레이저 다이오드의 활성층의 기본 구조 단면도로서, 기판(10)의 상부에 n-질화갈륨층(11)이 성장되어 있고, 상기 n-질화갈륨층(11)의 상부에 활성층(30)이 형성되고, 상기 활성층(30)의 상부에 p-질화갈륨층(22)이 형성된다. 1 is a basic cross-sectional structure of the active layer of the conventional nitride-based laser diodes, it is a growing n- GaN layer 11 on top of the substrate 10, an active layer on top of the n- GaN layer 11 30 is formed, and the upper p- GaN layer 22 on the active layer 30 is formed.

상기 활성층(30)은 제 1 웰층(12), 제 1 배리어(Barrier)층(13), 제 2 웰층(14), 제 2 배리어층(15), ‥‥, 제 n 웰층(16)과 제 n 배리어층(17)이 순차적으로 적층되어 이루어져 있다. The active layer 30 is a first well layer (12), the first barrier (Barrier) layer 13, a second well layer (14), the second barrier layer (15), ‥‥, the n-well layer 16 and the n barrier layer 17 is made are sequentially stacked.

이러한 활성층의 웰과 배리어는 통상적으로 GaInN과 GaN를 적용하여 제조되며, GaInN과 GaN은 격자상수의 차이가 커서 많은 스트레인(Strain)이 발생되고, 이러한 스트레인은 활성층에 결정 부정합과 같은 결함을 유발시키기도 한다. Wells and barriers of this active layer is manufactured by generally applying a GaInN and GaN, GaInN and GaN has the cursor number of the strain (Strain) difference in lattice constant is generated, this strain is sikigido causing defects such as crystal mismatch in the active layer do.

그러나, 웰 성장시 발생되는 스트레인은 오히려 발광 효율을 증가시킬 수 있는 양자점(Quantum dot)을 형성시킨다. However, the strain generated during the growth of the well rather than to form a quantum dot that can increase the luminous efficiency (Quantum dot). 이 양자점이 형성된 부분은 다른 부분 보다 발광 효율이 좋으며, 이런 양자점의 조절이 고휘도 레이저 다이오드를 위해서는 필요하다. Portion is a quantum dot is formed is good luminous efficiency than the other portion, the control of such quantum dots is required to the high-brightness laser diodes.

따라서, 고 휘도의 실현을 위해서 어떻게 좀 더 효율적으로 양자점을 조절할 수 있는가 하는 것이 중요하다. Therefore, it is important to How to control the quantum dots in a more efficient in order to realize a high luminance.

한편, 질화물질을 이용한 레이저 다이오드에서는 방출되는 광의 파장을 조절하기 위해서, 웰을 성장시키기 위한 GaInN의 In 함량을 조절하거나 웰의 두께를 조절하는 방법이 있다. On the other hand, in order to adjust the wavelength of light emitted in the laser diode using nitride material, a method of adjusting the In content of the GaInN for growing a well or controlling the thickness of the well.

In양으로 광의 파장을 조절하는 경우, GaN과 InN 사이에 비혼합성(Immiscibility) 갭이 존재하기 때문에, 많은 양의 In을 혼합시키기가 어렵다. When adjusting the wavelength of the light amount of In, since the non-dissoluble (Immiscibility) gap exists between GaN and InN, it is difficult to blend a large amount of In.

따라서, 웰 두께로 조절하는 경우도 웰의 두께가 너무 두꺼워지면 양자 웰로서의 특성을 잃기 때문에 활성층에서 방출되는 광의 파장을 조절하기가 어렵다. Therefore, it is difficult to adjust the wavelength of the light emitted by the active layer because of the too large thickness of the well if the well adjusted to the thickness of the ground to lose properties as a quantum well.

이에 본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 레이저광을 방출하는 활성층에서 웰층을 복수의 웰 분자층(GaInN 분자들이 수평적으로 배열된 층)들과, 웰 분자층과 웰 분자층사이에 형성된 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층으로 이루어진 웰 적층구조로 구현함으로서, 하나의 웰 적층구조에 복수의 양자점이 형성되어 레이저광의 휘도를 증가시키고, 광의 파장을 조절할 수 있는 질화물 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. The present invention has been conceived to solve the problems as described above, the layer a plurality of wells molecule the well layer in the active layer for emitting laser light (GaInN molecules of the layer arranged horizontally) and, well molecular layer and the well by implementing a well layered structure doped not gallium nitride layer or a silicon-doped are made of a gallium nitride layer formed between the molecular layer, the plurality of quantum dots in a well laminated structure is formed to increase the laser light intensity, the wavelength of light to provide a nitride semiconductor laser diode and a method of manufacturing it is an object that can be adjusted.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 양태(樣態)는, 기판의 상부에 성장된 n-질화갈륨층과; Top-n- GaN layer growing on the preferable embodiment (樣 態), the substrate to achieve the above object of the present invention and;

상기 n-질화갈륨층의 상부에 적어도 하나 이상의 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층을 포함하고 있는 웰 적층구조와 배리어층이 계속적으로 번갈아 적층되어 형성된 활성층과; An active layer formed of the n- GaN layer above the well laminated structure which includes at least one or more of the non-doped gallium nitride layer or a silicon-doped gallium nitride layer and the barrier layer are alternately stacked and continuously;

상기 활성층의 상부에 형성된 p-질화갈륨층과; p- GaN layer formed on top of the active layer and;

상기 p-질화갈륨층에서 n-질화갈륨층 일부까지 수직적으로 메사(Mesa)식각되어 제거된 n-질화갈륨층의 상부에 형성된 n-전극과; n- electrode formed on the upper portion of the n- GaN layer as a vertical part to the mesa (Mesa) Etched n- GaN layer is removed from the p- GaN layer;

상기 p-질화갈륨층의 상부에 형성된 p-전극으로 이루어진 질화물 반도체 레이저 다이오드가 제공된다. The nitride semiconductor laser diode made of a p- electrode is formed on top of the p- GaN layer is provided.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 바람직한 다른 양태(樣態)는, 기판 의 상부에 n-질화갈륨층을 성장시키는 제 1 단계와; A first step of another preferred embodiment for achieving the object of the present invention described above (樣 態) is grown n- GaN layer on the substrate;

상기 n-질화갈륨층의 상부에 적어도 하나 이상의 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층을 포함하고 있는 웰 적층구조와 배리어층을 계속적으로 번갈아 적층하여 활성층을 형성하는 제 2 단계와; And a second step of forming an active layer by continuously alternately laminating a top at least one or more of the non-doped gallium nitride layer or a silicon-doped well laminated structure that includes a GaN layer and the barrier layer on the n- GaN layer .;

상기 활성층의 상부에 p-질화갈륨층을 형성하는 제 3 단계와; And a third step of forming a p- GaN layer on top of the active layer;

상기 p-질화갈륨층에서 n-질화갈륨층 일부까지 수직적으로 메사 식각하여, 상기 n-질화갈륨층을 노출시키는 제 4 단계와; And a fourth step of the n- GaN layer to a part vertically mesa-etching in the p- GaN layer, exposing the n- GaN layer;

상기 메사 식각으로 노출된 n-질화갈륨층의 상부에 n-전극과, 상기 p-질화갈륨층의 상부에 p-전극을 형성하는 제 5 단계로 이루어진 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조방법이 제공된다. The production method of the mesa to the upper portion of the n- GaN layer is exposed by etching the nitride comprising a fifth step of forming an electrode on top of the p- and n- electrodes, the p- GaN layer semiconductor laser diode is provided.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다. Turning to the preferred embodiment described below, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings as follows.

도 2는 본 발명에 따른 질화물 레이저 다이오드의 단면도로서, 기판(50)의 상부에 n-질화갈륨층(51)이 성장되어 있고, 상기 n-질화갈륨층(51)의 상부에 각각의 웰층이 적어도 하나 이상의 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층을 포함하는 활성층(60)이 형성되고, 상기 활성층(60)의 상부에 p-질화갈륨층(70)이 형성된다. Figure 2 each of the well layer on top of the nitride laser diode in a cross-sectional view, and the top is n- GaN layer 51 is grown on the substrate 50, the n- GaN layer 51 according to the present invention the active layer 60 including at least one or more of the non-doped gallium nitride layer or a silicon-doped gallium nitride layer is formed on the upper p- GaN layer 70 on the active layer 60 is formed.

그리고, 상기 p-질화갈륨층(70)에서 n-질화갈륨층(51) 일부까지 수직적으로 메사(Mesa) 식각되어, 상기 n-질화갈륨층(51)이 노출된다. Then, the p- GaN layer is from 70 to some n- GaN layer 51 is vertically etched in a mesa (Mesa), wherein the n- GaN layer 51 is exposed.

이어서, 상기 메사 식각으로 노출된 n-질화갈륨층(51)의 상부에는 n-전극(72)이 형성되며, 상기 p-질화갈륨층(70)의 상부에는 p-전극(71)이 형성되어 있다. Then, the top of the n- GaN layer 51 exposed by the mesa etching, the n- electrode 72 is formed, the upper, the p- electrode 71 is formed in the p- GaN layer 70 have.

전술된, 활성층(60)은 제 1 웰 적층구조(61), 제 1 배리어층(62), 제 2 웰 적층구조(63), 제 2 배리어층(64), ‥‥, 제 n 웰 적층구조(65)와 제 n 배리어층(66)이 순차적으로 적층되어 이루어져 있다. Above, the active layer 60 has a first well laminated structure (61), the first barrier layer 62, a second well laminated structure (63), the second barrier layer (64), ‥‥, the n-well lamination structure this consists are sequentially stacked 65 and the n-th barrier layer (66).

따라서, 본 발명은 상기 n-질화갈륨층(51)의 상부에 형성하는 활성층(60)을 적어도 하나 이상의 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층을 포함하고 있는 웰 적층구조와 배리어층을 계속적으로 번갈아 적층하여 형성하는 것을 특징으로 한다. Accordingly, the invention is well laminated structure which comprises a top active layer of gallium nitride layer 60, the at least one non-doped GaN layer or doped silicon to form on the n- GaN layer 51 and the barrier It characterized in that it is formed by alternately laminating a layer on and on.

그러므로, 상기 각각의 제 1 내지 n 웰 적층구조는 적어도 하나 이상의 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층을 포함하고 있다. Therefore, each of the first to n-well laminate structure has at least include one or more of the non-doped gallium nitride layer or a silicon-doped gallium nitride layer.

도 3은 본 발명에 따른 질화물 레이저 다이오드의 하나의 웰 적층구조를 상세하게 도시한 단면도로서, 도 2의 각 웰 적층구조는 제 1 웰 분자층(101), 도핑되지 않은 질화갈륨(Undoped GaN)층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨(Si-doped GaN)층(102),제 2 웰 분자층(103),‥‥, 제 n-1 웰 분자층(104), 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층(105)과 제 n 웰 분자층(106)이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 제 n 웰 분자층(106)의 상부에는 배리어층(107)이 형성되어 있다. Figure 3 is one showing a sectional view in detail a well stacked structure of a nitride laser diode according to the present invention, each well lamination structure of Figure 2 is the first well molecular layer 101, an undoped gallium nitride (Undoped GaN) a layer or a silicon-doped gallium nitride (Si-doped GaN) layer 102, a second well molecular layer (103), ‥‥, the n-1 molecule-well layer 104, the undoped gallium nitride layer or a silicon the doped GaN layer 105 and the n-well molecular layer 106, and are sequentially stacked, the upper portion of the barrier layer 107 of the n-well molecular layer 106 is formed.

따라서, 본 발명은 기존의 웰층과 배리어층이 교차되어 형성되는 구조에서 탈피하여, 기존 하나의 웰층을 복수의 웰 분자층(GaInN 분자들이 수평적으로 배열된 층)과, 웰 분자층과 웰 분자층사이에 형성된 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층으로 이루어진 웰 적층구조로 형성함으로서, 하나의 웰 적층구조에는 GaInN과 GaN의 계면이 많이 발생되어 양자점을 복수로 형성할 수 있게 된다. Accordingly, the invention is moved away from the structure being formed with a conventional well layers and barrier layers are crossed, the old one of the plurality of wells molecular layer to the well layer (the GaInN molecules are arranged in horizontal layers), a well molecular layer and the well molecule by forming a well layered structure consisting of the undoped gallium nitride layer or a silicon formed between the layer doped gallium nitride layer, a well laminated structure is generated a lot of the interface of the GaInN and GaN can be formed the quantum dots of a plurality do.

각각의 웰분자층 사이에 성장되는 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층의 두께는 1~3 Monolayer(1~3 분자두께)를 갖는 것이 적합하다. The thickness of the undoped gallium nitride layer or a silicon-doped gallium nitride layer is grown between each well molecular layer is adapted to have a 1 ~ 3 Monolayer (1 ~ 3 molecules thick).

웰 사이에 삽입된 층은 웰과 같은 온도에서 성장하게 되며, 1~3 Monolayer의 두께를 성장하기 위해 성장률의 조절이 필요하다. A layer interposed between the well are grown at the same temperature as well, the control of the growth rate is needed to grow a thickness of 1 ~ 3 Monolayer.

삽입된 성장층의 두께가 1 Monolayer가 안될 경우, 삽입층에 대한 균일한 효과를 볼 수 없으며, 5 Monolayer이상으로 너무 두꺼울 경우, 양자우물(Quantum Well)로서의 특성을 상실하게 되며, 레이저 다이오드의 특성이 급격히 저하된다. When the thickness of the embedded growth layer do not pose a 1 Monolayer, does not see a uniform effect on the interposed layer, when too thick to more than 5 Monolayer, and lose the characteristics of the quantum well (Quantum Well), characteristics of the laser diode this is an extremely slow.

한편, 기존의 웰 성장방법으로는 웰의 임계 두께가 존재하기 때문에, 임계 두께 이상의 웰을 성장시키면, 양자우물의 특성을 상실하므로, 장파장의 광을 방출하기 위한 두꺼운 웰을 성장시키지 못하였다. On the other hand, the conventional method is well grown to a critical thickness of the well is present, when growing a threshold well above thickness, it loses the characteristics of the quantum well, did not grow a thick well for emitting light of a longer wavelength.

더 상세하게는, 만약 400㎚의 광을 방출할 수 있는 활성층에서 광의 파장을 증가시켜, 430㎚의 광을 방출시킬 수 있는 활성층을 형성하려면, 활성층을 이루는 각 웰의 두께를 증가시켜야 하는데, 임계 웰 두께로 인하여 430㎚의 광을 방출시킬 수 있는 활성층을 성장시키지 못하였다. More specifically, if by increasing the wavelength of light in which is capable of emitting light 400㎚ of the active layer, to form the active layer capable of emitting light of 430㎚, to have to increase the thickness of each well forming an active layer, the critical due to the thickness of the well it did not grow an active layer capable of emitting light of 430㎚. 그러나, 본 발명에서는 웰 적층구조를 적용하여, 기존의 임계 웰 두께보다도 두꺼운 웰 적층구조를 달성할 수 있어, 방출되는 광의 파장을 조절할 수 있는 장점이 있다. However, by applying the well lamination structure in the present invention, it is possible to achieve a thick-well lamination structure than the conventional critical-well thickness, there is an advantage in that to adjust the wavelength of light emitted.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명은 레이저광을 방출하는 활성층의 웰층을 복수의 웰 분자층들과, 웰 분자층과 웰 분자층사이에 형성된 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층으로 이루어진 웰 적층구조로 구현함으로서, 하나의 웰 적층구조에 복수의 양자점이 형성되어 레이저광의 휘도를 증가시키고, 광의 파장을 조절할 수 있는 효과가 있다. The present invention is of the well layer of the active layer multiple wells molecule layers and a non-doped nitride formed between wells molecular layer and the well molecular layer of gallium layer or a silicon to emit a laser light doped gallium nitride layer, as apparent from the above description by implementing a well layered structure consisting of, a plurality of quantum dots in a well laminated structure is formed which produces the effect of increasing the laser beam intensity, to control the wavelength of light.

본 발명은 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다. The invention according to a variety of modifications and variations are possible is one of skill in the art the spirit scope of the present invention has been described in detail only for the specific example is apparent, these changes and modifications belong to the claims in the accompanying granted.

Claims (7)

  1. 기판의 상부에 성장된 n-질화갈륨층과; Top-n- GaN layer grown on the substrate;
    상기 n-질화갈륨층의 상부에, GaInN 분자들이 수평적으로 배열된 층으로 형성된 웰 분자층과 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층으로 이루어진 이중막이 적어도 하나이상 적층된 웰 적층구조와 배리어층이 계속적으로 번갈아 적층되어 형성된 활성층과; On top of the n- GaN layer, GaInN molecules are horizontally formed in the well layer arranged molecular layers and the undoped gallium nitride layer or a silicon-doped gallium nitride layer consisting of a double-layered film is laminated to at least one well structure and barrier layer are alternately stacked with the continuously formed with the active layer;
    상기 활성층의 상부에 형성된 p-질화갈륨층과; p- GaN layer formed on top of the active layer and;
    상기 p-질화갈륨층에서 n-질화갈륨층 일부까지 수직적으로 메사(Mesa)식각되어 제거된 n-질화갈륨층의 상부에 형성된 n-전극과; n- electrode formed on the upper portion of the n- GaN layer as a vertical part to the mesa (Mesa) Etched n- GaN layer is removed from the p- GaN layer;
    상기 p-질화갈륨층의 상부에 형성된 p-전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드. The nitride semiconductor laser diode, which is characterized by being a p- electrode is formed on top of the p- GaN layer.
  2. 삭제 delete
  3. 삭제 delete
  4. 삭제 delete
  5. 기판의 상부에 n-질화갈륨층을 성장시키는 제 1 단계와; A first step of growing an n- GaN layer on the substrate;
    상기 n-질화갈륨층의 상부에, GaInN 분자들이 수평적으로 배열된 층으로 형성된 웰 분자층과 도핑되지 않은 질화갈륨층 또는 실리콘이 도핑된 질화갈륨층으로 이루어진 이중막이 적어도 하나이상 적층된 웰 적층구조와 배리어층을 계속적으로 번갈아 적층하여 활성층을 형성하는 제 2 단계와; On top of the n- GaN layer, GaInN molecules are horizontally formed in the well layer arranged molecular layers and the undoped gallium nitride layer or a silicon-doped gallium nitride layer consisting of a double-layered film is laminated to at least one well a second step of forming an active layer by continuously alternately stacked structure and the barrier layer;
    상기 활성층의 상부에 p-질화갈륨층을 형성하는 제 3 단계와; And a third step of forming a p- GaN layer on top of the active layer;
    상기 p-질화갈륨층에서 n-질화갈륨층 일부까지 수직적으로 메사 식각하여, 상기 n-질화갈륨층을 노출시키는 제 4 단계와; And a fourth step of the n- GaN layer to a part vertically mesa-etching in the p- GaN layer, exposing the n- GaN layer;
    상기 메사 식각으로 노출된 n-질화갈륨층의 상부에 n-전극과, 상기 p-질화갈륨층의 상부에 p-전극을 형성하는 제 5 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조방법. Method of manufacturing a nitride semiconductor laser diode, characterized in that the n- electrode on top of the n- GaN layer exposed by the mesa etching, comprising a fifth step of forming an upper electrode on the p- p- GaN layer .
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