KR100871694B1 - Program method and data read method of non-volatile memory device using six threshold voltage levels, and non-volatile memory device using the same - Google Patents

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KR100871694B1 KR20070001627A KR20070001627A KR100871694B1 KR 100871694 B1 KR100871694 B1 KR 100871694B1 KR 20070001627 A KR20070001627 A KR 20070001627A KR 20070001627 A KR20070001627 A KR 20070001627A KR 100871694 B1 KR100871694 B1 KR 100871694B1
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Abstract

6개의 문턱전압레벨을 이용하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법과 데이터 독출 방법, 및 상기 프로그램 방법과 데이터 독출 방법을 이용하는 불휘발성 메모리 장치가 개시된다. A program method for nonvolatile memory device using the six threshold voltage level and a data read method, and a non-volatile memory for use in the method and the program data read method an apparatus is disclosed. 본 발명에 따른 프로그램 방법은 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 각각 프로그램될 수 있는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치를 프로그램하는 방법이다. Program process according to the invention is a method for programming a nonvolatile memory device including a first nonvolatile memory cell and a second non-volatile memory cells which can each be programmed with sequentially increasing the first to the sixth threshold voltage level. 본 발명에 따른 프로그램 방법은 제1 및 제2 페이지 데이터 프로그램 단계, 제3 페이지 데이터 프로그램 단계, 제4 페이지 데이터 프로그램 단계 및 제5 페이지 데이터 프로그램 단계를 구비한다. Program method according to the invention having a first and second page data program stage, the third page, the data program stage, the fourth page and the fifth page data program stage data program stage. 제1 및 제2 페이지 데이터 프로그램 단계는 제1 및 제2 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 및 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램한다. First and second page data program step is to program the first and the second page of data to the first nonvolatile memory cell and a volatile memory cell and the second fire first threshold voltage level or a second threshold voltage level. 제3 페이지 데이터 프로그램 단계는 상기 제1 및 제2 페이지 데이터에 따라, 제3 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램한다. The page data is programmed in the program step 3, the first and second, the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level of the data page 3 in the first nonvolatile memory cell according to the second page data. 제4 페이지 데이터 프로그램 단계는 상기 제3 페이지 데이터에 따라, 제4페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램한다. The page data program stage 4 is programmed in the first claim, the claim the 4 pages of data the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell according to page 3 Data 5 the threshold voltage level or the sixth threshold voltage level . 제5 페이지 데이터 프로그램 단계는 상기 제4 페이지 데이터에 따라, 제5페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램한다. Claim page 5 data program step is to program into the first according to page 4, data, and the third threshold voltage level of the fifth page of data to the first nonvolatile memory cell or a volatile memory cell and the second fire or the fourth threshold voltage level .

Description

6개의 문턱전압레벨을 이용하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법과 데이터 독출 방법, 및 상기 프로그램 방법과 데이터 독출 방법을 이용하는 불휘발성 메모리 장치{Program method and data read method of non-volatile memory device using six threshold voltage levels, and non-volatile memory device using the same} Program method of the nonvolatile memory device using the six threshold voltage level and a data read method, and a nonvolatile memory device using the said program method and the data read method {Program method and data read method of non-volatile memory device using six threshold voltage levels, and non-volatile memory device using the same}

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 간단한 설명이 제공된다. A brief description of each drawing is provided in order to fully understand the drawings referred to in detailed description of the invention.

도 1(a) 및 도 1(b)는 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치를 나타내는 도면이다. Figure 1 (a) and 1 (b) is a view showing a nonvolatile memory device according to the present invention.

도 1(c)는 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 셀이 6개의 문턱전압레벨을 가지는 모습을 나타내는 도면이다. Figure 1 (c) is a view showing the state with the threshold voltage level of six non-volatile memory cell according to the present invention.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로그램 방법을 나타내는 순서도이다. Figure 2 is a flow chart illustrating the program method according to the first embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 프로그램 방법을 설명하는 도면이다. 3 is a view illustrating the program method according to the first embodiment of the present invention.

도 4는 제1 및 제2 페이지 데이터가 "11"인 경우의 프로그램 과정을 설명하는 도면이다. 4 is a view illustrating a program process in the case where the first and second page data is "11".

도 5는 제1 및 제2 페이지 데이터가 "10"인 경우의 프로그램 과정을 설명하는 도면이다. 5 is a view illustrating a program process in the case where the first and second page data is "10".

도 6은 제1 및 제2 페이지 데이터가 "01"인 경우의 프로그램 과정을 설명하는 도면이다. 6 is a view illustrating a program process in the case where the first and second page data is "01".

도 7은 제1 및 제2 페이지 데이터가 "00"인 경우의 프로그램 과정을 설명하는 도면이다. 7 is a view illustrating a program process in the case where the first and second page data is "00".

도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 프로그램 방법이 수행된 이후에, 불휘발성 메모리 셀들의 프로그램 상태를 나타내는 도면이다. 8 is a view after the program according to the first embodiment of the present invention is performed, showing a programmed state of the nonvolatile memory cell.

도 9는 본 발명의 제1실시예에 따른 데이터 독출 방법을 설명하는 도면이다. 9 is a diagram for explaining a data read method according to the first embodiment of the present invention.

도 10은 본 발명의 제2실시예에 따른 프로그램 방법을 설명하는 도면이다. 10 is a view illustrating the program method according to the second embodiment of the present invention.

도 11은 도 10의 제1 내지 제3 페이지 데이터를 프로그램하는 제1프로그램 단계의 예시를 나타내는 도면이다. 11 is a view illustrating an example of the first program and programs the first to the third page data of FIG.

도 12는 도 10의 제4 및 제5 페이지 데이터를 프로그램하는 제2프로그램 단계를 설명하는 도면이다. 12 is a view for explaining a second program and programs the fourth and fifth-order page data of FIG.

도 13은 본 발명의 제3실시예에 따른 프로그램 방법에서 제1 내지 제3 페이지 데이터를 프로그램하는 제1프로그램 단계의 예시를 나타내는 도면이다. 13 is a view illustrating an example of a first program step of the first to the third page program data in the program method according to the third embodiment of the present invention.

도 14는 본 발명의 제3실시예에 따른 프로그램 방법에서 제4 및 제5 페이지 데이터를 프로그램하는 제2프로그램 단계의 예시를 나타내는 도면이다. 14 is a view illustrating an example of the second program and programs the fourth and fifth pages of data in the program method according to the third embodiment of the present invention.

본 발명은 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법과 데이터 독출 방법에 관 한 것으로써, 특히 6개의 문턱전압레벨을 이용하는 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법과 데이터 독출 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a program, how the non-volatile memory device using, in particular, six threshold voltage level written by a tube method and the program data read method of the nonvolatile memory device and data read method.

일반적인 불휘발성 메모리 장치는 2비트 이상의 데이터를 저장하기 위하여, 4개의 문턱전압레벨을 가지는 4-레벨 불휘발성 메모리 셀 또는 8개의 문턱전압레벨을 가지는 8-레벨 불휘발성 메모리 셀을 포함한다. Typical non-volatile memory devices to store more than two bits of data, and includes 8-level nonvolatile memory cell having a four-levels non-volatile memory cells, or eight threshold voltage level having four threshold voltage level. 4-레벨 불휘발성 메모리 셀은 4개의 문턱전압레벨을 이용하여 프로그램하기 때문에, 하나의 4-레벨 불휘발성 메모리 셀은 2비트의 데이터를 저장할 수 있다. 4-level non-volatile memory cells because the program by using the four threshold voltage level, one of the 4-level non-volatile memory cell can store two bits of data. 또한, 8-레벨 불휘발성 메모리 셀은 8개의 문턱전압레벨을 이용하여 프로그램하기 때문에, 하나의 8-레벨 불휘발성 메모리 셀은 3비트의 데이터를 저장할 수 있다. Further, since the 8-level nonvolatile memory cell to program using eight threshold voltage level, one of the 8-level nonvolatile memory cell can store a 3-bit data.

경우에 따라서, 2의 지수배 비트이외의 데이터를 저장할 필요가 있다. In some cases, it is necessary to store data other than the index times the two bits. 그러나, 4-레벨 불휘발성 메모리 셀을 이용하여 2의 지수배 이외의 비트의 데이터를 저장하면, 불휘발성 메모리 장치의 집적도가 낮아지는 문제가 생긴다. However, the 4-level non-Storing the bits of the data other than the figure of 2 times by using a volatile memory cell, the fire there is a problem that the density of the low volatile memory device. 또한, 8-레벨 불휘발성 메모리 셀은 많은 개수의 문턱전압레벨을 이용하기 때문에, 문턱전압레벨 사이의 마진이 줄어든다. Further, since the 8-level nonvolatile memory cells is to use a threshold voltage level of a large number of, reducing the margin between the threshold voltage level. 그러므로, 8-레벨 불휘발성 메모리 셀을 이용하여 2의 지수배 이외의 비트의 데이터를 저장하면, 불휘발성 메모리 장치의 신뢰도가 낮아지는 문제가 생긴다. Therefore, the 8-level light Storing the bits of the data other than the figure of 2 times by using a volatile memory cell, the fire there is a problem that the reliability of the low-volatile memory device.

따라서, 2의 지수배 이외의 비트의 데이터를 저장할 수 있는 불휘발성 메모리 장치의 필요성이 대두된다. Therefore, there is a need for a nonvolatile memory device that can store bits of data other than the figure of 2 times arises.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 6개의 문턱전압레벨을 이용하는 불 휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법을 제공하는 데 있다. The present invention is to provide a program method for nonvolatile memory device using the six threshold voltage level.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 6개의 문턱전압레벨을 이용하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 독출 방법을 제공하는 데 있다. The present invention also provides a data read method of the nonvolatile memory device using the six threshold voltage level.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는 6개의 문턱전압레벨을 각각 가지는 복수개의 불휘발성 메모리 셀들을 구비하는 불휘발성 메모리 장치를 제공하는 데 있다. Another object of the present invention is to provide a nonvolatile memory device having a plurality of nonvolatile memory cell having a threshold voltage level 6, respectively.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 프로그램 방법은 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 각각 프로그램될 수 있는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치를 프로그램하는 방법이다. The non-volatile memory programming method according to the invention for an aspect includes a first nonvolatile memory cell and a second non-volatile memory cells which can each be programmed with the first to the sixth threshold voltage level higher in order a method of programming the device. 본 발명에 따른 프로그램 방법은 제1 및 제2 페이지 데이터 프로그램 단계, 제3 페이지 데이터 프로그램 단계, 제4 페이지 데이터 프로그램 단계 및 제5 페이지 데이터 프로그램 단계를 구비한다. Program method according to the invention having a first and second page data program stage, the third page, the data program stage, the fourth page and the fifth page data program stage data program stage.

제1 및 제2 페이지 데이터 프로그램 단계는 제1 및 제2 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 및 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램한다. First and second page data program step is to program the first and the second page of data to the first nonvolatile memory cell and a volatile memory cell and the second fire first threshold voltage level or a second threshold voltage level. 제3 페이지 데이터 프로그램 단계는 상기 제1 및 제2 페이지 데이터에 따라, 제3 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램한다. The page data is programmed in the program step 3, the first and second, the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level of the data page 3 in the first nonvolatile memory cell according to the second page data. 제4 페이지 데이터 프로그램 단계는 상기 제3 페이지 데이터에 따라, 제4페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레 벨로 프로그램한다. The page data program stage. 4 wherein the a, the 4 pages of data in accordance with three pages of data the first nonvolatile memory cell or the second light fifth threshold voltage level or the sixth threshold voltage rail tongue program in the volatile memory cell . 제5 페이지 데이터 프로그램 단계는 상기 제4 페이지 데이터에 따라, 제5페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램한다. Claim page 5 data program step is to program into the first according to page 4, data, and the third threshold voltage level of the fifth page of data to the first nonvolatile memory cell or a volatile memory cell and the second fire or the fourth threshold voltage level .

본 발명의 다른 면에 따른 프로그램 방법은 제1프로그램 단계 및 제2프로그램 단계를 구비한다. Program method according to another aspect of the present invention includes a first program step and the second program step. 제1프로그램 단계는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀에 제1 및 제2페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램한다. The first program step is to program the first and second page data in the first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell to the first threshold voltage level or a second threshold voltage level. 제2프로그램 단계는, 이전 페이지 데이터가 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제3 내지 제5페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 내지 제6문턱전압레벨 중의 하나로 프로그램한다. A second program step, according to the previous page and the threshold voltage levels of the data, the program, the third to the third threshold voltage level to the sixth threshold voltage. 5 page data in the first nonvolatile memory cell or the second non-volatile memory cell and one of the program level.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 데이터 독출 방법은 제1 및 제2 페이지 데이터 독출 단계, 제3 페이지 데이터 독출 단계, 제4 페이지 데이터 독출 단계 및 제5 페이지 데이터 독출 단계를 구비한다. The data read method according to the present invention for achieving the above another aspect is provided with a first and second page data read out phase, the third-order page data read out phase, the fourth-order page data read out step and the fifth-order page data read out step. 제1 및 제2 페이지 데이터 독출 단계는 제1문턱전압레벨과 제2문턱전압레벨 사이의 제1독출문턱전압, 제3문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨 사이의 제3독출문턱전압 및 제5문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨 사이의 제5독출문턱전압을 이용하여, 제1 및 제2 페이지 데이터를 독출한다. First and second page data read stage of the first threshold voltage level and a second first read threshold voltage between a threshold voltage level, the third read threshold voltage between the third threshold voltage level and the fourth threshold voltage level and the fifth using a fifth read threshold voltage between a threshold voltage level and a sixth threshold voltage level, it reads out the first and second page data. 제3 페이지 데이터 독출 단계는 제2문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨 사이의 제2독출문턱전압을 이용하여, 제3 페이지 데이터를 독출한다. The page data read out step 3, the second using the second read threshold voltage between a threshold voltage level and a third threshold voltage level, it reads out the third page of data. 제4 페이지 데이터 독출 단계는 제4문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨 사이의 제4독출문턱전압을 이용하여, 제4 페이지 데이터를 독출한다. Claim page 4, data read out step 4 with a fourth read threshold voltage between a threshold voltage level and the fifth threshold voltage level, reads the page data 4. 제5 페이지 데이터 독출 단계는 상기 제2독출문턱전압 및 상기 제4독출문턱전압을 이용하여, 제3 페이지 데이터를 독출한 다. Claim page 5, the data read step is exported by using the second threshold voltage read out and the fourth threshold voltage read out, reading the third page of data.

상기 다른 기술적 과제를 달성하고자 하는 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀을 구비한다. The other non-volatile memory device according to the invention to achieve a technical problem is provided with a first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell. 제1불휘발성 메모리 셀은 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 프로그램될 수 있다. First nonvolatile memory cell can be programmed into the first to the sixth threshold voltage level increased by one. 제2불휘발성 메모리 셀은 상기 제1 내지 제6문턱전압레벨로 프로그램될 수 있다. A second nonvolatile memory cell can be programmed into the first to the sixth threshold voltage level.

본 발명과 본 발명의 동작상의 이점 및 본 발명의 실시에 의하여 달성되는 목적을 충분히 이해하기 위해서는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 첨부 도면 및 도면에 기재된 내용을 참조하여야 한다. It shall refer to the contents described in the present invention and the accompanying drawings and drawings in order to fully understand the objectives achieved by the practice of the present invention and the advantages on the operation of the present invention illustrating a preferred embodiment of the present invention.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다. Below, by describing the preferred embodiments of the invention with reference to the accompanying drawings, the present invention will be described in detail. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

이하에서는 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 셀이 6개의 문턱전압레벨을 가지는 것으로 가정하고 설명하였다. In the following we will assume the presence of a non-volatile memory cell according to the present invention has a six threshold voltage level. 그러나, 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 셀이 가지는 문턱전압레벨의 개수는 그에 한정되지 않는다. However, the nonvolatile memory cell number of the threshold voltage level has according to the present invention is not limited thereto. 예를 들어, 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 셀은 12개의 문턱전압레벨을 가질 수 있다. For example, the non-volatile memory cell according to the present invention may have the 12 threshold voltage level.

도 1(a) 및 도 1(b)는 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치를 나타내는 도면이다. Figure 1 (a) and 1 (b) is a view showing a nonvolatile memory device according to the present invention.

도 1(c)는 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 셀이 6개의 문턱전압레벨을 가지는 모습을 나타내는 도면이다. Figure 1 (c) is a view showing the state with the threshold voltage level of six non-volatile memory cell according to the present invention.

도 1(c)를 참조하면, 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치(100A, 100B)에 포함되는 제1 및 제2불휘발성 메모리 셀들(CELL1, CELL2)은, 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨 중의 하나로로 프로그램될 수 있다. Referring to Figure 1 (c), the first and second nonvolatile memory cells (CELL1, CELL2) contained in the non-volatile memory device (100A, 100B) according to the invention, the first to sixth threshold higher in order in one of the voltage level it can be programmed. 구체적으로, 제6문턱전압레벨이 가장 높은 전압레벨을 가지고, 제1문턱전압레벨이 가장 낮은 전압레벨을 가진다. Specifically, the sixth threshold voltage level has the highest voltage level, the first threshold voltage level has the lowest voltage level. 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치(100A, 100B)는, 6개의 문턱전압레벨을 각각 가지는 2개의 불휘발성 메모리 셀들(CELL1, CELL2)을 이용하여, 5페이지 데이터(5비트 데이터)를 프로그램할 수 있다. The non-volatile memory device (100A, 100B) according to the present invention, six threshold voltage level, the two non-volatile memory cells each having (CELL1, CELL2) to be in, a program page 5 data (five-bit data) using have.

제1 및 제2불휘발성 메모리 셀들(CELL1, CELL2)은 동일한 워드라인에 연결될 수 있고, 동일한 비트라인에 연결될 수도 있다. The first and second nonvolatile memory cells (CELL1, CELL2) can be connected to the same word line may be connected to the same bit line. 도 1(a)에는 제1 및 제2불휘발성 메모리 셀들(CELL1, CELL2)이 동일한 워드라인에 연결되는 모습이 도시되어 있다. Figure 1 (a) has a first and second nonvolatile memory cells (CELL1, CELL2) shape which is connected to the same word line is shown. 도 1(b에는 제1 및 제2불휘발성 메모리 셀들(CELL1, CELL2)이 동일한 비트라인에 연결되는 모습이 도시되어 있다. Figure 1 (b has the first and second nonvolatile memory cells (CELL1, CELL2) shape which is connected to the same bit line is shown.

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로그램 방법을 나타내는 순서도이다. Figure 2 is a flow chart illustrating the program method according to the first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 프로그램 방법(200)은 제1 및 제2 페이지 데이터 프로그램 단계(S210), 제3 페이지 데이터 프로그램 단계(S230), 제4 페이지 데이터 프로그램 단계(S240) 및 제5 페이지 데이터 프로그램 단계(S250)를 구비한다. 2, the program method 200 in accordance with the present invention the first and second page data program step (S210), the third page data program step (S230), the page data program stage 4 (S240) and the and a five page data program step (S250).

제1 및 제2 페이지 데이터 프로그램 단계(S210)는 제1 및 제2 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램한다. First and second page data program step (S210) is programmed with a first and a first threshold voltage level or a second threshold voltage level, the second page of data to the first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell. 제3 페이지 데이터 프로그램 단계(S230)는 제1 및 제2 페이지 데이터에 따라, 제3 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램한다. The page data program stage 3 (S230) is programmed with first and second, the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level of the data page 3 to the volatile memory cell, the first light in accordance with a second page of data. 제4 페이지 데이터 프로그램 단계(S240)는 제3 페이지 데이터에 따라, 제4페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램한다. The page data program stage 4 (S240) is programmed with the first a, the 4 pages of data in accordance with three pages of data in the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell 5, the threshold voltage level or the sixth threshold voltage level . 제5 페이지 데이터 프로그램 단계(S250)는 제4 페이지 데이터에 따라, 제5페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램한다. The fifth page data program step (S250) is programmed in, the first five pages of data in the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell 3. The threshold voltage level or the fourth threshold voltage level according to claim 4 pages of data .

제3 페이지 데이터 프로그램 단계(S230)는, 제1불휘발성 메모리 셀이 가지는 문턱전압레벨에 따라, 제3 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. The page data program stage 3 (S230), the first non-volatile memory cell according to having a threshold voltage level, the third threshold voltage level of the three pages of data in the volatile memory cell, the first light or the second program in four threshold voltage level can do. 제4 페이지 데이터 프로그램 단계(S240)는, 제1불휘발성 메모리 셀이 가지는 문턱전압레벨에 따라, 제4페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. The page data program stage 4 (S240), the first non-volatile memory in accordance with a threshold voltage level the cell has, the fourth page of data to the first nonvolatile memory cell or the second the fifth threshold voltage level in the non-volatile memory cell, or claim 6 may be programmed to a threshold voltage level. 제5 페이지 데이터 프로그램 단계(S250)는, 제2불휘발성 메모리 셀이 가지는 문턱전압레벨에 따라, 제5페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. Claim page 5 data program step (S250), the second non-volatile memory cell has in accordance with the threshold voltage level, the fifth page of data to the first nonvolatile memory cell or the second third threshold voltage level in the non-volatile memory cell, or it is possible to program a 4-level threshold voltage.

도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 프로그램 방법을 설명하는 도면이다. 3 is a view illustrating the program method according to the first embodiment of the present invention. 도 3은 하나의 불휘발성 메모리 셀(도 2의 CELL1 또는 CELL2)에 프로그램하는 모습을 나타낸다. 3 shows a state that a program in one of the nonvolatile memory cell (Fig. 2 of CELL1 or CELL2).

도 3(a)를 참조하면, 제1 및 제2 페이지 데이터 프로그램 단계(S210)는, 제1 및 제2 페이지 데이터를 제1문턱전압레벨과 제2문턱전압레벨로 프로그램한다. Referring to Figure 3 (a), the first and second page data program step (S210) is to program the first and second pages of data with a first threshold voltage level and a second threshold voltage level. 여기에서, 하나의 불휘발성 메모리 셀이 2개의 문턱전압레벨을 가지므로, 2개의 불휘발성 메모리 셀은 4개의 문턱전압레벨 조합을 가진다. Here, since one of the non-volatile memory cells have a threshold voltage of two levels, the two non-volatile memory cell has four threshold voltage level combination. 그에 따라, 제1불휘발성 메모리 셀과 제2불휘발성 메모리 셀을 함께 프로그래밍에 이용하면, 2개의 불휘발성 메모리 셀에 제1 및 제2 페이지 데이터를 기입할 수 있다. Thus, the first light by using the program with the volatile memory cell and the second nonvolatile memory cell, it is possible to write the first and second page of data to the two nonvolatile memory cell.

도 3(b)를 참조하면, 제3 페이지 데이터 프로그램 단계(S230)는, 제3 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에, 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. Referring to Figure 3 (b), the page data program stage 3 (S230), the first page data first in the non-volatile memory cell 3, the first threshold voltage level and a third threshold voltage level or a second threshold voltage level and it is possible to program a 4-level threshold voltage. 예를 들어, 제3 페이지 데이터의 논리 레벨이 0인 경우, 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. For example, the if the logical level is 0, the page data 3, it is possible to program a third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level. 또한, 제3 페이지 데이터의 논리 레벨이 1인 경우, 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. Further, the case where the logic level 1 on page 3 for data, it is possible to program a first threshold voltage level or a second threshold voltage level.

좀 더 설명하면, 제3 페이지 데이터 프로그램 단계(S230)는 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨인 경우, 제3 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. If further described, the third page data program step (S230) is when the first non-volatile that the threshold voltage level program to the memory cell a first threshold voltage level, the first of three pages of data in the volatile memory cell, the first non-1 It can be programmed to a threshold voltage level and a third threshold voltage level. 또한, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제2문턱전압레벨인 경우, 제3 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. In addition, the first fire the threshold voltage level of the program a volatile memory cell to the second program when the threshold voltage level, the third page of data to the second threshold voltage level to the fourth threshold voltage level to the volatile memory cell, the first light have. 그리고, 제3 페이지 데이터가 "0"인 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. And, it is possible to three-page data is programmed to the "0" in case the first threshold voltage level of the third or fourth threshold voltage level in the non-volatile memory cells. 또한, 제3 페이지 데이터가 "1"인 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. In addition, it is possible to program a first threshold voltage level or a second threshold voltage level when the third-order page data is "1", the first non-volatile memory cells. 예를 들어, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨이고 제3 페이지 데이터가 "0"인 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨로 프로그램한다. For example, the first program to the nonvolatile memory cell threshold voltage level program to a first threshold voltage level, and if the third page data is "0", the first third threshold voltage level in the non-volatile memory cells.

도 3(c)를 참조하면, 제4 페이지 데이터 프로그램 단계(S240)는, 제4 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에, 제3문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. Referring to Figure 3 (c), the page data program stage 4 (S240), the first page data first in the non-volatile memory cell 4, a third threshold voltage level and the fifth threshold voltage level or the fourth threshold voltage level and it can be programmed in a sixth threshold voltage level. 또는 제4 페이지 데이터를 제2불휘발성 메모리 셀에, 제1문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. Or the page data in the second nonvolatile memory cell 4, it is possible to program a first threshold voltage level, and the fifth threshold voltage level or a second threshold voltage level and a sixth threshold voltage level. 예를 들어, 제4 페이지 데이터의 논리 레벨이 0인 경우, 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. For example, the case where a logic level zero on page 4 data can be programmed in a fifth threshold voltage level or the sixth threshold voltage level.

좀 더 설명하면, 제4 페이지 데이터 프로그램 단계(S240)는, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제3문턱전압레벨인 경우, 제4 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨로 프로그램하고, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제4문턱전압레벨인 경우, 제4 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제4문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. Bit As described further herein, the page data program stage 4 (S240), the first non-volatile if the memory cell threshold voltage level program to the third threshold voltage level, the the first four pages of data first in the non-volatile memory cell three threshold voltage level and the program to the fifth threshold voltage level, the first case a fire the threshold voltage program in the volatile memory cell, the level of the fourth threshold voltage level, the the first four pages of data to the first nonvolatile memory cell 4 It can be programmed to a threshold voltage level and a sixth threshold voltage level. 또한, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨인 경우, 제4 페이지 데이터를 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨로 프로그램하고, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제2문턱전압레벨인 경우, 제4 페이지 데이터를 제2불휘발성 메모리 셀에 제2문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. In addition, the first light with the threshold voltage program in the volatile memory cell level, the first program when the threshold voltage level, the first four pages of data with a first threshold voltage level, and the fifth threshold voltage level to the volatile memory cell of claim 2, fire, it is possible to have one fire the threshold voltage of the program a volatile memory cell level, the second program if the threshold voltage level, the first four pages of data with a second threshold voltage level and a sixth threshold voltage level to the volatile memory cell of claim 2, fire.

제4 페이지 데이터 프로그램 단계(S240)는, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨이고, 제4 페이지 데이터가 "0"인 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. The page data program stage 4 (S240), the first case 1 and the program in the non-volatile memory cell, the threshold voltage level of the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level, the fourth-order page data is "0", the first in the non-volatile memory cell it can be programmed to a threshold voltage level of the fifth or sixth threshold voltage level. 또한, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨이고, 제4 페이지 데이터가 "1"인 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. In addition, the first case and the non-volatile memory cell the threshold voltage level of the program to the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level, the first four pages of data is "1", first to the first nonvolatile memory cell 3 threshold the voltage level or the fourth threshold voltage level can be programmed. 또한, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨이고, 제4 페이지 데이터가 "0"인 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. In addition, the first light and the threshold voltage level of the program in the volatile memory cell is a first threshold voltage level or a second threshold voltage level, in the case where four pages of data is "0", the first fire the fifth threshold voltage to a volatile memory cell level, or it may be programmed in a sixth threshold voltage level. 또한, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨이고, 제4 페이지 데이터가 "1"인 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. In addition, the first non-volatile and the memory cell threshold voltage level program to a first threshold voltage level or a second threshold voltage level, in the case where four pages of data is "1", the first light a first threshold voltage for the volatile memory cell level, or it is possible to program a second threshold voltage level.

도 2와 도 3(b)를 참조하면, 제5 페이지 데이터 프로그램 단계(S250)는, 제5 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에, 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. Referring to Figure 3 (b) FIG. 2, the fifth page data program step (S250), the first page data, the first non-volatile memory cell 5, the first threshold voltage level and a third threshold voltage level or the second It can be programmed to a threshold voltage level and the fourth threshold voltage level. 또는 제5 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에, 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. Or the page data in the second nonvolatile memory cell 5, it is possible to program a first threshold voltage level and a third threshold voltage level or a second threshold voltage level to the fourth threshold voltage level. 예를 들어, 제5 페이지 데이터의 논리 레벨이 0인 경우, 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. For example, the if the logical level is 0, the data page 5, it is possible to program a third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level.

제5 페이지 데이터 프로그램 단계(S250)는, 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제5문턱전압레벨인 경우, 제5 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨로 프로그램하고, 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제6문턱전압레벨인 경우, 제5 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. Claim page 5 data program step (S250), the second non-volatile if the memory cell threshold voltage level program to the fifth threshold voltage level, the first threshold voltage. 5 page data in the volatile memory cell, the first light level and the third program to the threshold voltage level, and, when the second fire the threshold voltage program in the volatile memory cell, the level of the sixth threshold voltage level, the second threshold voltage level and a five page data in the volatile memory cell, the first non-4 It can be programmed to a threshold voltage level. 또한, 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨인 경우, 제5 페이지 데이터를 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨로 프로그램하고, 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제2문턱전압레벨인 경우, 제5 페이지 데이터를 제2불휘발성 메모리 셀에 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. Further, the second light with the threshold voltage program in the volatile memory cell level, the first program when the threshold voltage level, the fifth page of data to the first threshold voltage level and a third threshold voltage level to the volatile memory cell of claim 2, fire, it is possible to have two fire the threshold voltage of the program a volatile memory cell level, the second program if the threshold voltage level, the fifth page of data to the second threshold voltage level to the fourth threshold voltage level to the volatile memory cell of claim 2, fire.

제5 페이지 데이터 프로그램 단계(S250)는, 제5 페이지 데이터가 "0"인 경우, 제1불휘발성 메모리 셀 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. The fifth page data program step (S250), the fifth-order page data is "0" in case the first nonvolatile memory cell or the second light to the program to the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level to the volatile memory cell can. 또한, 제5 페이지 데이터가 "1"인 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램할 수 있다. In addition, in the case of 5-order page data is "1", the first may be the first program to the threshold voltage level or a second threshold voltage level in the non-volatile memory cell or the second nonvolatile memory cell to.

도 4는 제1 및 제2 페이지 데이터가 "11"인 경우의 프로그램 과정을 설명하는 도면이다. 4 is a view illustrating a program process in the case where the first and second page data is "11".

도 4를 참조하면, 제1 및 제2 페이지 데이터 프로그램 단계(S210)는, "11"인 제1 및 제2페이지 데이터를, 제1불휘발성 메모리 셀과 제2불휘발성 메모리셀에 제1문턱전압레벨로 프로그램한다. 4, the first and second page data program step (S210), the "11" of the first threshold to the first and second page data, in the first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell The application of a voltage level. 제3 페이지 데이터 프로그램 단계(S230)는, 제3페이지 데이터가 "0"이면 제1불휘발성 메모리 셀을 제3문턱전압레벨로 프로그램하고, 제3페이지 데이터가 "1"이면 제1불휘발성 메모리 셀을 제1문턱전압레벨로 프로그램 한다. Third page data program step (S230), the third-order page data is "0", the first non-volatile program the memory cell to a third threshold voltage level, and the third page data is "1", the first non-volatile memory to program the cell with a first threshold voltage level. 제4 페이지 데이터 프로그램 단계(S240)는, 제3페이지 데이터가 "1"이고 제4페이지 데이터가 "0"이면, 제2불휘발성 메모리 셀을 제5문턱전압레벨로 프로그램한다. Page 4 data program step (S240), the claim is 3-order page data is "1", the page data 4 is "0", a second program for the nonvolatile memory cell to the fifth threshold voltage level. 또한, 제3페이지 데이터가 "0"이고 제4페이지 데이터가 "0"이면, 제1불휘발성 메모리 셀을 제5문턱전압레벨로 프로그램한다. Further, if the third-order page data is "0", and the page data 4 is "0", the first program to the nonvolatile memory cell to the fifth threshold voltage level.

제5 페이지 데이터 프로그램 단계(S250)는, 제3페이지 데이터가 "1"이고 제4페이지 데이터가 "1"이고 제5페이지 데이터가 "0"이면, 제2불휘발성 메모리 셀을 제3문턱전압레벨로 프로그램한다. The fifth page data program step (S250), the third-order page data is "1" and the fourth-order page data is "1" and the back page 5, data "0", the second claim of the non-volatile memory cell 3. The threshold voltage The program at the level. 또한, 제3페이지 데이터가 "1"이고 제4페이지 데이터가 "0"이고 제5페이지 데이터가 "0"이면, 제1불휘발성 메모리 셀을 제3문턱전압레벨로 프로그램한다. Further, if the third-order page data is "1", the page data 4 is "0", and the fifth-order page data is "0", the first program to the nonvolatile memory cell to a third threshold voltage level. 또한, 제3페이지 데이터가 "0"이고 제4페이지 데이터가 "1"이고 제5페이지 데이터가 "0"이면, 제2불휘발성 메모리 셀을 제3문턱전압레벨로 프로그램한다. Further, if the third-order page data is "0", and the page data 4 is "1", and the fifth-order page data is "0", the second program to the nonvolatile memory cell to a third threshold voltage level. 또한, 제3페이지 데이터가 "0"이고 제4페이지 데이터가 "0"이고 제5페이지 데이터가 "0"이면, 제1불휘발성 메모리 셀을 제3문턱전압레벨로 프로그램한다. Further, if the third page data is "0", and the page data 4 is "0", and the fifth-order page data is "0", the first program to the nonvolatile memory cell to a third threshold voltage level.

도 5는 제1 및 제2 페이지 데이터가 "10"인 경우의 프로그램 과정을 설명하는 도면이다. 5 is a view illustrating a program process in the case where the first and second page data is "10".

도 6은 제1 및 제2 페이지 데이터가 "01"인 경우의 프로그램 과정을 설명하는 도면이다. 6 is a view illustrating a program process in the case where the first and second page data is "01".

도 7은 제1 및 제2 페이지 데이터가 "00"인 경우의 프로그램 과정을 설명하는 도면이다. 7 is a view illustrating a program process in the case where the first and second page data is "00".

도 5 내지 도 7의 프로그램 과정은 도 4의 프로그램 과정에 대응되므로, 그 에 대한 자세한 설명은 생략된다. Since 5 to program the process of Figure 7 corresponds to the program, the process of Figure 4, a detailed description of those is omitted.

도 8은 본 발명의 제1실시예에 따른 프로그램 방법이 수행된 이후에, 불휘발성 메모리 셀들의 프로그램 상태를 나타내는 도면이다. 8 is a view after the program according to the first embodiment of the present invention is performed, showing a programmed state of the nonvolatile memory cell.

도 8에는, 6개의 문턱전압레벨을 각각 가지는 2개의 불휘발성 메모리 셀에, 5비트의 데이터("00000"부터 "11111"까지)가 프로그램된 모습이 도시되어 있다. 8, there is a state of the two nonvolatile memory cell having a threshold voltage level of 6, respectively, (from "00000" to "11111") of the 5-bit data, the program is shown.

도 9는 본 발명의 제1실시예에 따른 데이터 독출 방법을 설명하는 도면이다. 9 is a diagram for explaining a data read method according to the first embodiment of the present invention.

도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 데이터 독출 방법은 제1 및 제2 페이지 데이터 독출 단계, 제3 페이지 데이터 독출 단계, 제4 페이지 데이터 독출 단계 및 제5 페이지 데이터 독출 단계를 구비한다. 9, the data read method according to the invention having a first and second page data read out phase, the third-order page data read out phase, the fourth-order page data read out step and the fifth-order page data read out step.

제1 및 제2 페이지 데이터 독출 단계는 제1문턱전압레벨과 제2문턱전압레벨 사이의 제1독출문턱전압, 제3문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨 사이의 제3독출문턱전압 및 제5문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨 사이의 제5독출문턱전압을 이용하여, 제1 및 제2 페이지 데이터를 독출한다. First and second page data read stage of the first threshold voltage level and a second first read threshold voltage between a threshold voltage level, the third read threshold voltage between the third threshold voltage level and the fourth threshold voltage level and the fifth using a fifth read threshold voltage between a threshold voltage level and a sixth threshold voltage level, it reads out the first and second page data. 제3 페이지 데이터 독출 단계는 제2문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨 사이의 제2독출문턱전압을 이용하여, 제3 페이지 데이터를 독출한다. The page data read out step 3, the second using the second read threshold voltage between a threshold voltage level and a third threshold voltage level, it reads out the third page of data. 제4 페이지 데이터 독출 단계는 제4문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨 사이의 제4독출문턱전압을 이용하여, 제4 페이지 데이터를 독출한다. Claim page 4, data read out step 4 with a fourth read threshold voltage between a threshold voltage level and the fifth threshold voltage level, reads the page data 4. 제5 페이지 데이터 독출 단계는 제2독출문턱전압 및 제4독출문턱전압을 이용하여, 제3 페이지 데이터를 독출한다. Claim page 5, the data read step using a second read voltage threshold and the fourth threshold voltage read out, reads out the third page of data.

도 10은 본 발명의 제2실시예에 따른 프로그램 방법을 설명하는 도면이다. 10 is a view illustrating the program method according to the second embodiment of the present invention.

삭제 delete

본 발명의 제2실시예에 따른 프로그램 방법은 제1 내지 제3페이지 데이터가 기입되는 제1프로그램 단계와 제4 및 제5페이지 데이터가 기입되는 제2프로그램 단계를 구비한다. Program method according to the second embodiment of the present invention and a second program step in which the first to third page data is the first program step and the fourth and the fifth page, the write data is written. 도 10을 참조하면, 제1프로그램 단계는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀에 제1 내지 제3페이지 데이터를 프로그램 하는 단계이다. 10, the first program step is to program the first to the third page of data to the first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell. 제1프로그램 단계는, 제1문턱전압레벨(도 10의 1), 또는 제1 내지 제6문턱전압레벨들 중 적어도 하나보다 높은 제1중간 문턱전압레벨(도 10의 T1), 또는 제1중간 문턱전압레벨보다 높은 제2중간 문턱전압레벨(도 10의 T2) 중의 하나로 프로그램 한다. A first program step, a first threshold voltage level (1 in Fig. 10), or the first to sixth high first intermediate threshold voltage level (T1 in Fig. 10), or the first middle than at least one of the threshold voltage level one of the second intermediate threshold voltage level higher than the threshold voltage level (T2 in Fig. 10) to program. 제2프로그램 단계는, 이전 페이지 데이터가 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제4 및 제5페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제1 내지 제6문턱전압레벨(도 10의 1 내지 6) 중의 하나로 프로그램 한다. A second program step, according to the previous page and the threshold voltage levels of the data program, the fourth and the first to the sixth threshold voltage level. 5 page data in the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell (Fig. 1 to 6 of 10) one of the program.

제1 내지 제5페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 저장하는 데 있어서, 본 발명의 제2실시예에 따른 프로그램 방법은 제1 내지 제3 페이지 데이터를 중간 레벨들(예를 들어, 제1중간 문턱전압레벨과 제2중간 문턱전압레벨)로 프로그램 한다. The method for storing the first to fifth pages of data in the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cells, the program method according to the second embodiment of the present invention, the first to third page of data to the intermediate level the program (e.g., the first intermediate threshold voltage level and a second intermediate threshold voltage level). 그 다음, 제4 내지 제5 페이지 데이터를 최종 레벨들(제1 내지 제6문턱전압레벨)로 프로그램 한다. Then, the program in the fourth to the fifth page and the last level data (the first to the sixth threshold voltage level).

그에 따라, 본 발명의 제2실시예에 따른 프로그램 방법은, 프로그램 시에 문턱전압레벨의 변화를 줄일 수 있다. Thus, the program method according to the second embodiment of the present invention, it is possible to reduce the change in threshold voltage level at the time of program. 그에 따라, 커플링 노이즈도 줄일 수 있는 장점이 있다. Thus, coupling noise also has the advantage of reducing.

제2중간 문턱전압레벨은, 제1 내지 제6문턱전압레벨들 중 적어도 하나보다 낮을 수 있다. A second intermediate threshold voltage level is the liquid may be lower than at least one of the first to sixth threshold voltage level. 제1중간 문턱전압레벨은, 제2중간 문턱전압레벨보다 낮을 수 있다. A first intermediate threshold voltage level, may be lower than the second intermediate threshold voltage level.

제1중간 문턱전압레벨은, 제2문턱전압레벨보다 높고 제3문턱전압레벨보다 낮을 수 있다. A first intermediate threshold voltage level is higher than the second threshold voltage level may be lower than the third threshold voltage level. 제2중간 문턱전압레벨은, 제4문턱전압레벨보다 높고 제5문턱전압레벨보다 낮을 수 있다. A second intermediate threshold voltage level is higher than the fourth threshold voltage level may be lower than the fifth threshold voltage level.

제1 및 제2중간 문턱전압레벨의 폭은, 제2 내지 제6문턱전압레벨 중 적어도 하나의 폭보다 넓을 수 있다. The width of the first and second intermediate threshold voltage level, it is possible is wider than at least one width of the second to the sixth threshold voltage level. 나아가, 제1 및 제2중간 문턱전압레벨의 폭은, 제2 내지 제6문턱전압레벨의 폭보다 넓을 수 있다. Further, the width of the first and second intermediate threshold voltage level, it is possible is wider than a width of 2 to the sixth threshold voltage level.

도 11은 도 10의 제1 내지 제3 페이지 데이터를 프로그램하는 제1프로그램 단계의 예시를 나타내는 도면이다. 11 is a view illustrating an example of the first program and programs the first to the third page data of FIG. 이하에서는 도 10과 도 11을 참조하여 제1프로그램 단계가 자세히 설명된다. In reference to FIG. 10 and FIG. 11 is described in detail that the first program step.

제1프로그램 단계는, 제1 페이지 데이터 프로그램 단계, 제2 페이지 데이터 프로그램 단계 및 제3 페이지 데이터 프로그램 단계를 구비할 수 있다. A first program step, can include a first page program, the data phase, the second page program, the data phase, and a third page of data program stage.

제1 페이지 데이터 프로그램 단계는 제1페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램 한다. The first page program, the data phase is programmed with a first threshold voltage level, or a first intermediate threshold voltage level, the first page data in the volatile memory cell, the first light. 예를 들어, 제1 페이지 데이터가 "0"인 경우 제1문턱전압레벨(도 10의 1)로부터 제2문턱전압레벨(도 10의 2)로 프로그램 하고, 제1 페이지 데이터가 "1"인 경우 제1문턱전압레벨(도 10의 1)로 유지할 수 있다. For example, the first page data is "0" when the first program to the threshold voltage level of the second threshold voltage level (2 in Fig. 10) from (1 in Fig. 10), and the first-order page data is "1", case can be maintained at a first threshold voltage level (1 in Fig. 10).

제2 페이지 데이터 프로그램 단계는, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제2페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제1중간 문턱전압레벨 또는 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. Second page data program stage, the first non-volatile according to the memory cell, the threshold voltage level program to the second page of data to the first nonvolatile memory cell in the first intermediate threshold voltage level or the second program as an intermediate threshold voltage level or 2 can be the first program to the threshold voltage level or the second intermediate threshold voltage level in the non-volatile memory cells.

좀 더 설명하면, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨인 경우, 제2페이지 데이터를 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. Bit As described further herein, the first non-volatile if the memory cell threshold voltage level program to the first threshold voltage level, the first threshold voltage level, the second page data in the volatile memory cell of claim 2, fire or the second intermediate threshold voltage level as it can be programmed. 예를 들어, 제2페이지 데이터가 "0"인 경우 제2불휘발성 메모리 셀을 제1문턱전압레벨(도 10의 1)로부터 제2중간 문턱전압레벨(도 10의 T2)로 프로그램 하고, 제2페이지 데이터가 "1"인 경우 제2불휘발성 메모리 셀을 제1문턱전압레벨로 유지할 수 있다. For example, the case of two-page data is "0", a second program by the second intermediate threshold voltage level (T2 in Fig. 10) from the non-volatile memory cell, the first threshold voltage level (1 in Fig. 10), and the If two page data is "1" it is possible to maintain the second nonvolatile memory cell to the first threshold voltage level.

또한, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제2중간 문턱전압레벨인 경우, 제2페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제1중간 문턱전압레벨 또는 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. Further, in the first non-volatile if the memory cell threshold voltage level program to the second intermediate threshold voltage level, the second page and the first intermediate threshold voltage level data to the volatile memory cell, the first light or the second intermediate threshold voltage level It can be programmed. 예를 들어, 제2페이지 데이터가 "0"인 경우 제1불휘발성 메모리 셀을 제1문턱전압레벨(도 10의 1)로부터 제2중간 문턱전압레벨(도 10의 T2)로 프로그램 하고, 제2페이지 데이터가 "1"인 경우 제1불휘발성 메모리 셀을 제1중간 문턱전압레벨로 유지할 수 있다. For example, the second page of data is programmed to the "0" in case the second intermediate threshold voltage level (T2 in Fig. 10) from the first nonvolatile memory cell, the first threshold voltage level (1 in Fig. 10), and the If two page data is "1" it is possible to maintain the first nonvolatile memory cell in the first intermediate threshold voltage level.

제3 페이지 데이터 프로그램 단계는, 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제3페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. Third page data program stage, the second based on the threshold voltage level of the program in the non-volatile memory cell comprising: programming a page third data with the first threshold voltage level, or a first intermediate threshold voltage level to the volatile memory cell, the first light or or 2 can be the first program to the threshold voltage level or the first intermediate threshold voltage level in the non-volatile memory cells.

좀 더 설명하면, 제3 페이지 데이터 프로그램 단계는, 제2 페이지 데이터 프로그램 단계에서 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨인 경우, 제3 페이지 데이터를 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. If further described, the third page, the data program stage, the second page data program when the second fire the threshold voltage of the program a volatile memory cell level in the step of the first threshold voltage level, the third page of data to the second nonvolatile the memory cell can be programmed to a first threshold voltage level and the first intermediate threshold voltage level. 예를 들어, 제3페이지 데이터가 "0"인 경우 제2불휘발성 메모리 셀을 제1문턱전압레벨(도 10의 1)로부터 제1중간 문턱전압레벨(도 10의 T1)로 프로그램 하고, 제3페이지 데이터가 "1"인 경우 제2불휘발성 메모리 셀을 제1문턱전압레벨로 유지할 수 있다. For example, the the program in the first intermediate threshold voltage level (T1 in Fig. 10) from the third-order page data is "0", if the second non-volatile memory cells of the first threshold voltage level (1 in Fig. 10), the when the page data 3 is "1" it is possible to maintain the second nonvolatile memory cell to the first threshold voltage level.

또한, 제2 페이지 데이터 프로그램 단계에서 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제2중간 문턱전압레벨인 경우, 제3 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. In addition, the second page data program to the second fire the threshold voltage of the program a volatile memory cell level in the step a second intermediate threshold voltage level, the case, the first threshold voltage level, the three pages of data in the volatile memory cell, the first light and the 1 can be programmed to an intermediate threshold voltage level. 예를 들어, 제3페이지 데이터가 "0"인 경우 제1불휘발성 메모리 셀을 제1문턱전압레벨(도 10의 1)로부터 제1중간 문턱전압레벨(도 10의 T1)로 프로그램 하고, 제3페이지 데이터가 "1"인 경우 제1불휘발성 메모리 셀을 제1문턱전압레벨로 유지할 수 있다. For example, the the program in the first intermediate threshold voltage level (T1 in Fig. 10) from the first non-volatile memory cells of the first threshold voltage level (1 in Fig. 10) when the third-order page data is "0", the when the page data 3 is "1" it is possible to maintain the first nonvolatile memory cell at a first threshold voltage level.

도 12는 도 10의 제4 및 제5 페이지 데이터를 프로그램하는 제2프로그램 단계를 설명하는 도면이다. 12 is a view for explaining a second program and programs the fourth and fifth-order page data of FIG. 이하에서는 도 10과 도 12를 참조하여 제2프로그램 단계가 자세히 설명된다. In reference to FIG. 12 and FIG. 10 to be described in detail a second program step.
도 12의 4th Page PGM을 참조하면, 제2프로그램 단계는 제4페이지 데이터를 기입하기 위하여, 제1불휘발성 메모리 셀의 문턱전압을 변화시키고 제2불휘발성 메모리 셀의 문턱전압을 변화시키지 않는다. Referring to 4th Page PGM in Fig. 12, a second program step is first to enter the four pages of data, the first non-changing the threshold voltage of the volatile memory cell of claim 2, fire does not change the threshold voltage of volatile memory cells. 예를 들어, 제1불휘발성 메모리 셀의 문턱전압을 제1문턱전압레벨(도 10의 1), 제1중간문턱전압레벨(도 10의 T1) 또는 제2중간문턱전압레벨(도 10의 T2)로부터, 제1 내지 제6문턱전압레벨로 이동시킨다. For example, the first threshold voltage of the first threshold voltage level (1 in Fig. 10) of the nonvolatile memory cell, the first intermediate threshold voltage level (Fig. 10 of T1) or the second intermediate threshold voltage level (in Fig. 10 T2 ) from, and moves to the first to the sixth threshold voltage level.

제2프로그램 단계는, 제1프로그램 단계에서 제1불휘발성 메모리 셀이 제1문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. A second program step, the first nonvolatile memory cell is a first threshold if the voltage level program, the first fire the first four pages of data 1, the threshold voltage level or a second threshold voltage for the volatile memory cell in the first program step has a level can be programmed. 예를 들어, 제4페이지 데이터가 "0"인 경우 제1불휘발성 메모리 셀을 제2문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. For example, if the page data 4 is "0", it is possible to program the first nonvolatile memory cell to the second threshold voltage level. 또한, 제4페이지 데이터가 "1"인 경우 제1불휘발성 메모리 셀을 제1문턱전압레벨로 유지할 수 있다. Further, the case of 4-page data is "1", it is possible to maintain the first nonvolatile memory cell at a first threshold voltage level.

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제2프로그램 단계는, 제1프로그램 단계에서 제1불휘발성 메모리 셀이 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. A second program step, the first program in the case the first nonvolatile memory cell is programmed with the first intermediate threshold voltage level in step, the first nonvolatile memory cell, the fourth page of data to the third threshold voltage level or the fourth threshold in the voltage level can be programmed. 예를 들어, 제4페이지 데이터가 "0"인 경우 제1불휘발성 메모리 셀을 제4문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. For example, the case of 4-page data is "0", it is possible to program the first nonvolatile memory cell to a fourth threshold voltage level. 또한, 제4페이지 데이터가 "1"인 경우 제1불휘발성 메모리 셀을 제3문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. Further, the case of 4-page data is "1", it is possible to program the first nonvolatile memory cell to a third threshold voltage level.
도 12의 5th Page PGM을 참조하면, 제2프로그램 단계는 제5페이지 데이터를 기입하기 위하여, 제1불휘발성 메모리 셀의 문턱전압을 변화시키지 않고 제2불휘발성 메모리 셀의 문턱전압을 변화시킨다. Referring to 5th Page PGM in Fig. 12, a second program step changes the threshold voltage of the second nonvolatile memory cell without changing the first threshold voltage of the nonvolatile memory cell to write the fifth page data. 예를 들어, 제2불휘발성 메모리 셀의 문턱전압을 제1문턱전압레벨(도 10의 1), 제1중간문턱전압레벨(도 10의 T1) 또는 제2중간문턱전압레벨(도 10의 T2)로부터, 제1 내지 제6문턱전압레벨로 이동시킨다. For example, the second non-volatile memory, the first threshold voltage level (1 in Fig. 10), the threshold voltage of the cell, the first intermediate threshold voltage level (Fig. 10 of T1) or the second intermediate threshold voltage level (in Fig. 10 T2 ) from, and moves to the first to the sixth threshold voltage level.

제2프로그램 단계는, 제1프로그램 단계에서 제1불휘발성 메모리 셀이 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. A second program step, a first non-volatile memory cells in the first program step a second intermediate threshold if the voltage level program, the first nonvolatile memory cell, the fourth page of data to the fifth threshold voltage level or the sixth threshold to the voltage level can be programmed. 예를 들어, 제4페이지 데이터가 "0"인 경우 제1불휘발성 메모리 셀을 제6문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. For example, the case of 4-page data is "0", it is possible to program the first nonvolatile memory cell to the sixth threshold voltage level. 또한, 제4페이지 데이터가 "1"인 경우 제1불휘발성 메모리 셀을 제5문턱전압레벨로 유지할 수 있다. Further, the case of 4-page data is "1", it is possible to maintain the first nonvolatile memory cell to the fifth threshold voltage level.

제2프로그램 단계는, 제1프로그램 단계에서 제2불휘발성 메모리 셀이 제1문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제2불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. A second program step, a second nonvolatile memory cell is a first threshold if the voltage level program, the second non-fifth page of data to a first threshold voltage level or a second threshold voltage for the volatile memory cell in the first program step has a level can be programmed. 예를 들어, 제5페이지 데이터가 "0"인 경우 제2불휘발성 메모리 셀을 제2문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. For example, if the fifth-order page data is "0", it is possible to program the second nonvolatile memory cell to the second threshold voltage level. 또한, 제5페이지 데이터가 "1"인 경우 제2불휘발성 메모리 셀을 제1문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. Furthermore, when a fifth-order page data is "1" can be programmed to the second nonvolatile memory cell to the first threshold voltage level.

제2프로그램 단계는, 제1프로그램 단계에서 제2불휘발성 메모리 셀이 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제2불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. A second program step, the first program in the case of two non-volatile memory cells are programmed with the first intermediate threshold voltage level in step, the second nonvolatile memory cell, a fifth-order page data of the third threshold voltage level or the fourth threshold in the voltage level can be programmed. 예를 들어, 제5페이지 데이터가 "0"인 경우 제2불휘발성 메모리 셀을 제4문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. For example, if the fifth-order page data is "0", it is possible to program the second nonvolatile memory cell to a fourth threshold voltage level. 또한, 제5페이지 데이터가 "1"인 경우 제2불휘발성 메모리 셀을 제3문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. Furthermore, when a fifth-order page data is "1" can be programmed to the second nonvolatile memory cell to a third threshold voltage level.

제2프로그램 단계는, 제1프로그램 단계에서 제2불휘발성 메모리 셀이 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. A second program step, a second nonvolatile memory cell in the first program step a second intermediate threshold if the voltage level program, the first nonvolatile memory cell of claim of claim 5 page data 5 threshold voltage level or the sixth threshold to the voltage level can be programmed. 예를 들어, 제5페이지 데이터가 "0"인 경우 제2불휘발성 메모리 셀을 제6문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. For example, if the fifth-order page data is "0", it is possible to program the second nonvolatile memory cell to the sixth threshold voltage level. 또한, 제5페이지 데이터가 "1"인 경우 제2불휘발성 메모리 셀을 제5문턱전압레벨로 프로그램 할 수 있다. Furthermore, when a fifth-order page data is "1" can be programmed to the second nonvolatile memory cell to the fifth threshold voltage level.

본 발명의 제3실시예에 따른 프로그램 방법은 제1 내지 제3 페이지 데이터를 프로그램하는 제1프로그램 단계 및 제4 및 제5 페이지 데이터를 프로그램하는 제2프로그램 단계를 구비한다. Program method according to the third embodiment of the present invention and a second program, the program comprising: a first program step and the fourth and the fifth page data for programming the first to the third page of data.

도 13은 본 발명의 제3실시예에 따른 프로그램 방법에서 제1 내지 제3 페이지 데이터를 프로그램하는 제1프로그램 단계의 예시를 나타내는 도면이다. 13 is a view illustrating an example of a first program step of the first to the third page program data in the program method according to the third embodiment of the present invention.

제1프로그램 단계는, 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀에 제1 내지 제3페이지 데이터를, 제1문턱전압레벨 내지 제3문턱전압레벨 중의 하나로 프로그램 한다. A first program step, the program to the first nonvolatile memory cell and a second light first to the third page data in the volatile memory cell, one of the first threshold voltage level to the third threshold voltage level. 제2프로그램 단계는, 이전 페이지 데이터가 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제4 및 제5페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제4 내지 제6문턱전압레벨 중의 하나로 프로그램 한다. The one of the two program steps, according to the threshold voltage level of the previous page of data is programmed, the fourth and the fourth to the sixth threshold voltage level of the fifth page of data to the first nonvolatile memory cell or the second non-volatile memory cell and programs.

도 13을 참조하면, 제1프로그램 단계는 제1 페이지 데이터 프로그램 단계, 제2 페이지 데이터 프로그램 단계 및 제3 페이지 데이터 프로그램 단계를 구비한다. 13, and the first program step is a first page program, the data phase, the second page program, the data phase, and a third page of data program stage.

제1 페이지 데이터 프로그램 단계는, 제1페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램 한다. The first page program, the data phase, the program of the first data page to a first threshold voltage level, or a first intermediate threshold voltage level in the non-volatile memory cell of claim 1. 제2 페이지 데이터 프로그램 단계는, 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제2페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제2문턱전압레벨 또는 제3문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제3문턱전압레벨로 프로그램 한다. Second page data program stage, the first according to the threshold voltage level program to the nonvolatile memory cell, a second page of data to the first nonvolatile memory cell to the second threshold voltage level or the program to the third threshold voltage level, or the second threshold voltage level to the first program or the third threshold voltage level in the non-volatile memory cells. 제3 페이지 데이터 프로그램 단계는 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제3페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 제2불휘 발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램 한다. Third page data program step is the second according to fire the threshold voltage level of the program in the volatile memory cell comprising: programming a page third data with the first threshold voltage level or a second threshold voltage level to the volatile memory cell, the first light or the 2 is a first non-volatile program the threshold voltage level or a second threshold voltage level to the speech memory cells.

제2 페이지 데이터 프로그램 단계는, 제1 페이지 데이터 프로그램 단계에서 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨인 경우, 제2 페이지 데이터를 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨로 프로그램한다. Second page data program stage, a first a first case where the threshold voltage level of the program in the non-volatile memory cells of the first threshold voltage level, the second page data in the first page data program step in a volatile memory cell of claim 2, fire 1 to program the threshold voltage level and a third threshold voltage level. 또한, 제1 페이지 데이터 프로그램 단계에서 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제2문턱전압레벨인 경우, 제2 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제2문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨로 프로그램 한다. In addition, a first fire the threshold voltage program in the volatile memory cell level in the first page data program stage 2 when the threshold voltage level, the second threshold voltage level and the third a 2 page data in the volatile memory cell the first fire to program the threshold voltage level.

제3 페이지 데이터 프로그램 단계는, 제2 페이지 데이터 프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨인 경우, 제3 페이지 데이터를 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제2문턱전압레벨로 프로그램한다. Third page data program stage, the said second non-volatile if the memory cell threshold voltage level program to the first threshold voltage level, the volatile memory cell of claim 2, fire page 3 data in a two-page data program stage the the program voltage level to a first threshold and the second threshold voltage level. 또한, 제2 페이지 데이터 프로그램 단계에서 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제3문턱전압레벨인 경우, 제3 페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제2문턱전압레벨로 프로그램한다. Further, the case where the threshold voltage level program to the second nonvolatile memory cell in the second page data program stage a third threshold voltage level, the first threshold voltage level, the three pages of data in the volatile memory cell, the first light and the second to program the threshold voltage level.

도 14는 본 발명의 제3실시예에 따른 프로그램 방법에서 제4 및 제5 페이지 데이터를 프로그램하는 제2프로그램 단계의 예시를 나타내는 도면이다. 14 is a view illustrating an example of the second program and programs the fourth and fifth pages of data in the program method according to the third embodiment of the present invention.

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도 14를 참조하면, 제2프로그램 단계는, 제1프로그램 단계에서 제1불휘발성 메모리 셀이 제1문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램한다. 14, a second program step, the first program a first non-volatile memory cell of claim 1 when the program to a threshold voltage level, the first fire the fourth page data to a first threshold voltage for the volatile memory cell in step the program to the level or the fourth threshold voltage level. 또한, 제1프로그램 단계에서 제1불휘발성 메모리 셀이 제2문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제2문턱전압레벨 또는 제5문턱전압레벨로 프로그램한다. In addition, the first nonvolatile memory cell is a second program when the program to the threshold voltage level, the first light a first page 4 data to the volatile memory cell to the second threshold voltage level or the fifth threshold voltage level in a first program step . 또한, 제1프로그램 단계에서 제1불휘발성 메모리 셀이 제3문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제3문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램한다. In addition, the first nonvolatile memory cell is the third program if the threshold voltage level program, the first light a first page 4 data to the volatile memory cell to a third threshold voltage level or the sixth threshold voltage level in a first program step .

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제2프로그램 단계는, 제1프로그램 단계에서 제2불휘발성 메모리 셀이 제1문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제2불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램한다. A second program step, a second nonvolatile memory cell is a first threshold if the voltage level program, the second non-fifth page of data to the first threshold voltage level to the volatile memory cell or the fourth threshold voltage in one program step The program at the level. 또한, 제1프로그램 단계에서 제2불휘발성 메모리 셀이 제2문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제2불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제2문턱전압레벨 또는 제5문턱전압레벨로 프로그램한다. In addition, the second nonvolatile memory cell to the second program when the program to the threshold voltage level, a second light of a fifth page data in the volatile memory cell to the second threshold voltage level or the fifth threshold voltage level in a first program step . 또한, 제1프로그램 단계에서 제2불휘발성 메모리 셀이 제3문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 제1불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제3문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램한다. In addition, the second nonvolatile memory cell is the third program if the threshold voltage level program, the first light of a fifth page data in the volatile memory cell to a third threshold voltage level or the sixth threshold voltage level in a first program step .

본 발명의 다른 면에 따른 반도체 메모리 장치는, 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀을 포함하는 적어도 하나의 불휘발성 메모리 셀 쌍을 구비한다. The present semiconductor memory device according to another aspect of the invention, the first light has at least one nonvolatile memory cell pair comprising a volatile memory cell and the second nonvolatile memory cell. 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀은 순차적으로 높아지는 복수개의 문턱전압레벨들로 각각 프로그램 될 수 있다. First nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell can be programmed in each of the plurality of threshold voltage level higher by one. 불휘발성 메모리 셀 쌍의 데이터의 논리 상태는 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램 된 문턱전압레벨과 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨의 조합에 따라 결정된다. The logic state of a nonvolatile memory cell, a pair of data is determined by the combination of the first program in the non-volatile memory cell threshold voltage level and a second threshold voltage level, the fire program in the volatile memory cells.

제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀은 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 각각 프로그램 될 수 있다. First nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell can be programmed in each of the first to the sixth threshold voltage level increased by one. 이 경우, 각각의 불휘발성 메모리 셀 쌍은 5비트의 데이터를 저장할 수 있다. In this case, each of the nonvolatile memory cell pair may store data of 5 bits.

제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀은 순차적으로 높아지는 제1 내지 제3문턱전압레벨로 각각 프로그램 될 수 있다. First nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell can be programmed in each of the first to third threshold voltage level increased by one. 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀은 순차적으로 높아지는 제1 내지 제12문턱전압레벨로 각각 프로그램 될 수 있다. First nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell can be programmed in each of the first to the 12 threshold voltage level increased by one.

이상에서와 같이 도면과 명세서에서 최적 실시예가 개시되었다. An example best embodiment disclosed in the drawings and specifications, as in the above. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. Here, although specific terms are used, which only geotyiji used for the purpose of illustrating the present invention is a thing used to limit the scope of the invention as set forth in the limited sense or the claims. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. Therefore, those skilled in the art will appreciate the various modifications and equivalent embodiments are possible that changes therefrom. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. Therefore, the true technical protection scope of the invention as defined by the technical spirit of the appended claims.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법과 데이터 독출 방법, 및 본 발명에 따른 불휘발성 메모리 장치는, 6개의 문턱전압레벨들을 이용하여 프로그램하거나 데이터를 독출함으로써, 5비트의 데이터를 저장하거나 독출할 수 있다. Program method of the nonvolatile memory device according to the present invention as described above and the data read method, and a nonvolatile memory device in accordance with the present invention, by the program using the six threshold voltage level or the read data, a five bit data you can invoke the Save or poison. 그럼으로써, 4개의 문턱전압레벨들을 이용하는 경우에 비하여 고밀도를 가질 수 있고, 8개의 문턱전압레벨들을 이용하는 경우에 비하여 신뢰성을 높일 수 있는 장점이 있다. As such, compared with the case of using the four threshold voltage level can have a high density, it has the advantage of increased reliability as compared with the case of using eight threshold voltage level.

Claims (38)

  1. 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 각각 프로그램될 수 있는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치를 프로그램하는 방법에 있어서, A method for programming a nonvolatile memory device including a first nonvolatile memory cell and a second non-volatile memory cells which can each be programmed with sequentially increasing the first to the sixth threshold voltage level,
    제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀에 제1 및 제2페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램하는, 제1프로그램 단계; A first light, a first program step for the volatile memory cell and the second program, the first and second page data in the non-volatile memory cell to a first threshold voltage level or the second threshold voltage level; And
    이전 페이지 데이터가 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제3 내지 제5페이지 데이터를 제1불휘발성 메모리 셀 또는 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 내지 제6문턱전압레벨 중의 하나로 프로그램하거나, 또는 상기 제1프로그램 단계에서 프로그램된 문턱전압레벨을 유지하는, 제2프로그램 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. According to the previous page and the threshold voltage levels of the data, the program, the third to the five pages of data into one of the third threshold voltage level to the sixth threshold voltage level in the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell programs, or the program method comprising the second program, the method comprising maintaining the threshold voltage level of the program in the first program step.
  2. 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 각각 프로그램될 수 있는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치를 프로그램하는 방법에 있어서, A method for programming a nonvolatile memory device including a first nonvolatile memory cell and a second non-volatile memory cells which can each be programmed with sequentially increasing the first to the sixth threshold voltage level,
    제1 및 제2 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 및 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램하는, 제1 및 제2 페이지 데이터 프로그램 단계; Claim, the first and second page data program stage first and the second page program, the data to the first nonvolatile memory cell and the second first threshold voltage level or a second threshold voltage level in the non-volatile memory cells;
    상기 제1 및 제2 페이지 데이터에 따라, 제3 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 상기 제1 및 제2페이지 데이터 프로그램 단계에서 프로그램된 문턱전압레벨을 유지하는, 제3 페이지 데이터 프로그램 단계; The first and second based on the page data, the first to the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level program pages third data to the first nonvolatile memory cell, or the first and second pages in the data program stage maintaining the programmed threshold voltage level, the third page data program stage;
    상기 제3 페이지 데이터에 따라, 제4페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 상기 제1 내지 제3페이지 데이터 프로그램 단계에서 프로그램된 문턱전압레벨을 유지하는, 제4 페이지 데이터 프로그램 단계; Wherein according to the three pages of data, the fourth page of data to the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell of claim 5, the threshold voltage level or the sixth threshold voltage level program, or the first through to the third maintaining a threshold voltage level program data in the page program step, the page data program stage 4; And
    상기 제4 페이지 데이터에 따라, 제5페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 상기 제1 내지 제4페이지 데이터 프로그램 단계에서 프로그램된 문턱전압레벨을 유지하는, 제5 페이지 데이터 프로그램 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. Wherein according to page 4 data, the fifth page of data to the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell, the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level program, or the first through to the fourth program method comprising the fifth page data program step of maintaining the threshold voltage level program data in the page program step.
  3. 제2항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    제3 페이지 데이터 프로그램 단계는, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제3 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, The third page data program stage, the first non-volatile according to the memory cell, the threshold voltage level of the program, a third threshold voltage level of the three pages of data to the first nonvolatile memory cell or program in four threshold voltage level and,
    제4 페이지 데이터 프로그램 단계는, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제4페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하고, The fourth page and the data program stage, the first non-volatile according to the memory cell, the threshold voltage level program, the first the four pages of data the first nonvolatile memory cell or the second the fifth threshold voltage level in the non-volatile memory cell or the program to the sixth threshold voltage level,
    제5 페이지 데이터 프로그램 단계는, 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제5페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. The fifth page data program stage, the second based on the threshold voltage level of the program in the non-volatile memory cells, the third threshold voltage level of the fifth page of data to the first nonvolatile memory cell or the second non-volatile memory cell or a program and wherein the program in four threshold voltage level.
  4. 제2항에 있어서, 3. The method of claim 2,
    제3 페이지 데이터 프로그램 단계는, 상기 제3 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에, 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, The page data program step 3, and the first page of data to the first nonvolatile memory cell 3, a program with a first threshold voltage level and a third threshold voltage level or a second threshold voltage level to the fourth threshold voltage level,
    제4 페이지 데이터 프로그램 단계는, 상기 제4 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에, 제3문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨로 프로그램하거나, 또는 상기 제4 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에, 제1문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨로 프로그램하고, The fourth page and the data program stage, the first page data to the first nonvolatile memory cell 4, a third threshold voltage level and the fifth threshold voltage level or the fourth threshold voltage level and a program to six threshold voltage levels, or and wherein the page data in the second nonvolatile memory cell 4, a first program to a threshold voltage level and the fifth threshold voltage level or a second threshold voltage level and a sixth threshold voltage level,
    제5 페이지 데이터 프로그램 단계는, 상기 제5 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에, 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램하거나, 또는 상기 제5 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에, 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. The fifth page data program stage, the first page data to the first nonvolatile memory cell 5, the first threshold voltage level and a third threshold voltage level or a second threshold voltage level and the program to the four threshold voltage levels, or in the second nonvolatile memory cell to the fifth-order page data, the first threshold voltage level and a third threshold voltage level or the second program, wherein the programming in the threshold voltage level and the fourth threshold voltage level.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제3 페이지 데이터 프로그램 단계는, 4. The method of claim 3 wherein the third page program data comprises:
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨 인 경우, 상기 제3 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨로 프로그램하고, The first fire the threshold voltage level of the program a volatile memory cell of claim 1 when the threshold voltage level, and the first program to the threshold voltage level and a third threshold voltage level to the first nonvolatile memory cell to the third page data ,
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제2문턱전압레벨인 경우, 제3 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. If the threshold voltage level of the first program in the non-volatile memory cells of the second threshold voltage level, the first to the program as second threshold voltage level to the fourth threshold voltage level to page 3 of data to the first nonvolatile memory cell program method of claim.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. 6. The registration fee was abandoned when due.
    제5항에 있어서, 상기 제3 페이지 데이터 프로그램 단계는, The method of claim 5, wherein the third page program data comprises:
    상기 제3 페이지 데이터가 "0"인 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, When the third page data is "0", and a third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level program to the first nonvolatile memory cell,
    상기 제3 페이지 데이터가 "1"인 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. When the third page data is "1", the program characterized in that to the first nonvolatile memory cell to program a first threshold voltage level or a second threshold voltage level.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 7 is set when the registration fee has been paid to give up.
    제3항에 있어서, 상기 제4 페이지 데이터 프로그램 단계는, The method of claim 3, wherein the fourth data page program comprises:
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제3문턱전압레벨인 경우, 제4 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨로 프로그램하고, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제4문턱전압레벨인 경우, 제4 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제4문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨로 프로그램하며, Wherein the first nonvolatile memory cell, the threshold voltage level of the program to the third threshold voltage level of the case, the program to the third threshold voltage level and the fifth threshold voltage level of the page data in the first nonvolatile memory cell 4, wherein the first nonvolatile memory cell threshold voltage level program to the fourth threshold voltage level in case, in the fourth threshold voltage level and a sixth threshold voltage level program page 4 data to the first nonvolatile memory cell,
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨 인 경우, 제4 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨로 프로그램하고, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제2문턱전압레벨인 경우, 제4 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제2문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. When the first fire the threshold voltage program in the volatile memory cell, the level of the first threshold voltage level, the first and with a first threshold voltage level, and the fifth threshold voltage level programs the page data in the second nonvolatile memory cell 4, the first light to the threshold voltage of the program a volatile memory cell level 2 when the threshold voltage level, the first program to the second threshold voltage level and a sixth threshold voltage level of the page data in the second nonvolatile memory cells 4 program method of claim.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. 8. is set when the registration fee has been paid to give up.
    제7항에 있어서, 상기 제4 페이지 데이터 프로그램 단계는, The method of claim 7, wherein the first four pages of data program stage,
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨이고, 상기 제4 페이지 데이터가 "0"인 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하고, The first case light and the volatile memory cell, the threshold voltage level of the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level program to the page 4 data is "0", first to the first nonvolatile memory cell 5 threshold program to the voltage level or the sixth threshold voltage level,
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨이고, 상기 제4 페이지 데이터가 "1"인 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, The first and the non-volatile memory cell of the threshold voltage level of the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level program to, when the first four pages of data is "1", the third threshold in the first nonvolatile memory cell program to the voltage level or the fourth threshold voltage level,
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨이고, 상기 제4 페이지 데이터가 "0"인 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하고, The first case light and the volatile memory cell, the threshold voltage level is a first threshold voltage level or a second threshold voltage level program to the page 4 data is "0", first to the first nonvolatile memory cell 5 threshold program to the voltage level or the sixth threshold voltage level,
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨이고, 상기 제4 페이지 데이터가 "1"인 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. The first and the non-volatile memory cell threshold voltage level program to a first threshold voltage level or a second threshold voltage level, if the first four pages of data is "1", the first threshold to the first non-volatile memory cell the voltage level or the second program, wherein the programming in the threshold voltage level.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. 9. The registration fee was abandoned when due.
    제3항에 있어서, 상기 제5 페이지 데이터 프로그램 단계는, The method of claim 3 wherein said fifth-order page data program stage,
    상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제5문턱전압레벨인 경우, 제5 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨로 프로그램하고, 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제6문턱전압레벨인 경우, 제5 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램하며, Said second non-volatile if the memory cell threshold voltage level program to the fifth threshold voltage level, and the fifth page, the program data to the first threshold voltage level and a third threshold voltage level to the first nonvolatile memory cell, and the second nonvolatile memory cell threshold voltage level program to the sixth threshold voltage level in case, to the second threshold voltage level to the fourth threshold voltage level programs the page data to the first nonvolatile memory cell 5,
    상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제1문턱전압레벨인 경우, 제5 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨로 프로그램하고, 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 제2문턱전압레벨인 경우, 제5 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제2문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. Wherein the second fire the threshold voltage level of the program in the volatile memory cell is a first threshold voltage level, if, in the fifth page, the program data to the second nonvolatile memory, a first threshold voltage level and a third threshold voltage level in the cell, the second light to the threshold voltage level of the program a volatile memory cell to the second first program to second threshold voltage level to the fourth threshold voltage level when the threshold voltage level, the fifth page of data to the second nonvolatile memory cell program method of claim.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 10 is set when the registration fee has been paid to give up.
    제9항에 있어서, 상기 제5 페이지 데이터 프로그램 단계는, 10. The method of claim 9, wherein the fifth page data program stage,
    상기 제5 페이지 데이터가 "0"인 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, If the fifth-order page data is "0", and a third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level program to the first nonvolatile memory cell or a volatile memory cell and the second light,
    상기 제5 페이지 데이터가 "1"인 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램 하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. If the fifth-order page data is "1", the program characterized in that to the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell to program a first threshold voltage level or a second threshold voltage level.
  11. 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 각각 프로그램되는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 데이터 독출 방법에 있어서, In the first nonvolatile memory cell and a second non-data read method of the nonvolatile memory device comprising a volatile memory cell in which each program in the first to the sixth threshold voltage level higher in order,
    제1문턱전압레벨과 제2문턱전압레벨 사이의 제1독출문턱전압, 제3문턱전압레벨과 제4문턱전압레벨 사이의 제3독출문턱전압 및 제5문턱전압레벨과 제6문턱전압레벨 사이의 제5독출문턱전압을 이용하여, 제1 및 제2 페이지 데이터를 독출하는, 제1 및 제2 페이지 데이터 독출 단계; First between the first threshold voltage level and a second first read between the threshold voltage level of the threshold voltage, the third threshold voltage level and a third read out the threshold voltage and the fifth threshold voltage level and a sixth threshold voltage level between the fourth threshold voltage level of the threshold voltage by using the read 5, a first and a second data page reading, the first and second page data read step;
    제2문턱전압레벨과 제3문턱전압레벨 사이의 제2독출문턱전압을 이용하여, 제3 페이지 데이터를 독출하는, 제3 페이지 데이터 독출 단계; The second threshold voltage level and the second read out by using the threshold voltage, the third page factory data read between the third threshold voltage level, the third page data read step;
    제4문턱전압레벨과 제5문턱전압레벨 사이의 제4독출문턱전압을 이용하여, 제4 페이지 데이터를 독출하는, 제4 페이지 데이터 독출 단계; The fourth threshold voltage level and a fourth by using the read out threshold voltage, the first four pages of data shipping dock between the fifth threshold voltage level, the fourth page data read step; And
    상기 제2독출문턱전압 및 상기 제4독출문턱전압을 이용하여, 제5 페이지 데이터를 독출하는, 제5 페이지 데이터 독출 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 독출 방법. It said second threshold voltage read out and the fourth read out by using a threshold voltage, a fifth reading out the page data, the fifth page and the data read method comprising the data reading steps.
  12. 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 프로그램될 수 있는 제1불휘발성 메모리 셀; A first non-volatile memory cells which can be programmed into the first to the sixth threshold voltage level higher in sequence; And
    상기 제1 내지 제6문턱전압레벨로 프로그램될 수 있는 제2불휘발성 메모리 셀을 구비하고, And a second nonvolatile memory cell that can be programmed into the first to the sixth threshold voltage level,
    제1 내지 제5페이지 데이터를 상기 제1 및 제2불휘발성 메모리 셀에 저장하는 프로그램 모드에서, The first to the fifth page data in the first and second non-program mode stored in the volatile memory cells,
    상기 제1 및 제2 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 및 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램하고, The first and the second page program, the data to the first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell, the first threshold voltage level or a second threshold voltage level to the and
    상기 제1 및 제2 페이지 데이터에 따라, 상기 제3 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, According to the first and second page data, and the first program to the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level of the data page 3 in the first nonvolatile memory cell,
    상기 제3 페이지 데이터에 따라, 상기 제4페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하고, According to the third page of data, and the fourth program, a page of data to the first nonvolatile memory cell or the second light fifth threshold voltage level or the sixth threshold voltage level to the volatile memory cell,
    상기 제4 페이지 데이터에 따라, 상기 제5페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치. According to the claim 4 pages of data, the non-volatile characterized in that the fifth page and the data of the first nonvolatile memory cell or a volatile memory cell and the second fire the program to the third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level memory device.
  13. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 13 has been abandoned readable medium upon payment.
    제12항에 있어서, 제1불휘발성 메모리 셀과 제2불휘발성 메모리 셀은, The method of claim 12, wherein the first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell,
    동일한 워드라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치. The non-volatile memory device, characterized in that connected to the same word line.
  14. 청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 14 is set when the registration fee has been paid to give up.
    제12항에 있어서, 제1불휘발성 메모리 셀과 제2불휘발성 메모리 셀은, The method of claim 12, wherein the first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell,
    동일한 비트라인에 연결되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치. The non-volatile memory device being connected to the same bit line.
  15. 청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. 15. The registration fee has been set to give up when due.
    상기 제1 내지 제5페이지 데이터를 상기 제1 및 제2불휘발성 메모리 셀로부터 독출하는 독출 모드에서, In the first through the five page data the first and second non-volatile memory cell from the reading out read-out mode,
    상기 제1문턱전압레벨과 상기 제2문턱전압레벨 사이의 제1독출문턱전압, 상기 제3문턱전압레벨과 상기 제4문턱전압레벨 사이의 제3독출문턱전압 및 상기 제5문턱전압레벨과 상기 제6문턱전압레벨 사이의 제5독출문턱전압을 이용하여, 상기 제1 및 제2 페이지 데이터를 독출하고, The first threshold voltage level and the second first read between the threshold voltage level of the threshold voltage, the third threshold voltage level and the fourth third read threshold voltage between a threshold voltage level, and the fifth threshold voltage level and the the sixth with the fifth read threshold voltage between a threshold voltage level, and read out the first and second page data,
    상기 제2문턱전압레벨과 상기 제3문턱전압레벨 사이의 제2독출문턱전압을 이용하여, 상기 제3 페이지 데이터를 독출하고, Using a second read threshold voltage between the second threshold voltage level and the third threshold voltage level, and reads the third page data,
    상기 제4문턱전압레벨과 상기 제5문턱전압레벨 사이의 제4독출문턱전압을 이용하여, 상기 제4 페이지 데이터를 독출하고, Using a fourth read threshold voltage between a threshold voltage of the fourth level and the fifth threshold voltage level, and reads the first four pages of data,
    상기 제2독출문턱전압 및 상기 제4독출문턱전압을 이용하여, 상기 제5 페이지 데이터를 독출하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치. Using the second threshold voltage read out and the fourth threshold voltage read out, the non-volatile memory device of the fifth page data characterized in that the shipping dock.
  16. 순차적으로 높아지는 복수개의 문턱전압레벨들로 각각 프로그램될 수 있는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀을 포함하는 적어도 하나의 불휘발성 메모리 셀 쌍을 구비하고, And having at least one nonvolatile memory cell pair comprising a first nonvolatile memory cell and a second non-volatile memory cells which can each be programmed with the plurality of successively higher threshold voltage level, the
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨과 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨의 조합에 따라, 상기 불휘발성 메모리 셀 쌍의 데이터의 논리 상태가 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치. Semiconductor, characterized in that the first light according to a combination of a volatile memory cell threshold voltage level program to the second fire the threshold voltage of the program a volatile memory cell level, the non-logical state of the data-volatile memory cell pair is determined memory device.
  17. 청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. 17. The readable medium giving upon payment.
    제16항에 있어서, 상기 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀은, 17. The method of claim 16 wherein the first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell,
    순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 각각 프로그램되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치. A semiconductor memory device characterized in that each program in the first to the sixth threshold voltage level increased by one.
  18. 청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. 18. The readable medium giving upon payment.
    제17항에 있어서, 상기 각각의 불휘발성 메모리 셀 쌍은, 18. The method of claim 17, wherein each nonvolatile memory cell pair,
    5비트의 데이터를 저장하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치. A semiconductor memory device, characterized in that storing data of 5 bits.
  19. 청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 19 has been abandoned readable medium upon payment.
    제16항에 있어서, 상기 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀은, 17. The method of claim 16 wherein the first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell,
    순차적으로 높아지는 제1 내지 제3문턱전압레벨로 각각 프로그램되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치. A semiconductor memory device characterized in that each program in the first to third threshold voltage level increased by one.
  20. 청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. 20. The readable medium giving upon payment.
    제16항에 있어서, 상기 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀은, 17. The method of claim 16 wherein the first nonvolatile memory cell and the second nonvolatile memory cell,
    순차적으로 높아지는 제1 내지 제12문턱전압레벨로 각각 프로그램되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치. A semiconductor memory device characterized in that each program in the first to the 12 threshold voltage level increased by one.
  21. 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 각각 프로그램될 수 있는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치를 프로그램하는 방법에 있어서, A method for programming a nonvolatile memory device including a first nonvolatile memory cell and a second non-volatile memory cells which can each be programmed with sequentially increasing the first to the sixth threshold voltage level,
    제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀에 제1 내지 제3페이지 데 이터를, 제1문턱전압레벨, 또는 상기 제1 내지 제6문턱전압레벨들 중 적어도 하나보다 높은 제1중간 문턱전압레벨, 또는 상기 제1중간 문턱전압레벨보다 높은 제2중간 문턱전압레벨 중의 하나로 프로그램하는 제1프로그램 단계; First nonvolatile memory cell and a second light of the first to third page data in the volatile memory cell, the first threshold voltage level, or the first to sixth highest first middle than at least one of the threshold voltage level threshold voltage level, or a first program step of the first one of the first intermediate threshold voltage level higher than the second intermediate threshold voltage level program; And
    이전 페이지 데이터가 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제4 및 제5페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 상기 제1 내지 제6문턱전압레벨 중의 하나로 프로그램하는 제2프로그램 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. According to the previous page and the threshold voltage levels of the data program, the fourth and second of the first to program one of the sixth threshold voltage level. 5 page data to the first nonvolatile memory cell or the second non-volatile memory cell program method comprising the second program step.
  22. 청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. 22. The readable medium giving upon payment.
    제21항에 있어서, 22. The method of claim 21,
    상기 제2중간 문턱전압레벨은, 상기 제1 내지 제6문턱전압레벨들 중 적어도 하나보다 낮고, The second intermediate threshold voltage level, the second is lower than at least one of the first to sixth threshold voltage level,
    상기 제1중간 문턱전압레벨은, 상기 제2중간 문턱전압레벨보다 낮은 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. The first intermediate threshold voltage level, the program characterized in that the first threshold voltage level is lower than the second intermediate.
  23. 청구항 23은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 23 is set when the registration fee has been paid to give up.
    제21항에 있어서, 22. The method of claim 21,
    제1중간 문턱전압레벨은, 상기 제2문턱전압레벨보다 높고 상기 제3문턱전압레벨보다 낮으며, A first intermediate threshold voltage level, was higher than the second threshold voltage level is lower than the third threshold voltage level,
    제2중간 문턱전압레벨은, 상기 제4문턱전압레벨보다 높고 상기 제5문턱전압레벨보다 낮은 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. A second intermediate threshold voltage level is higher than the fourth threshold voltage level program method, characterized in that is lower than the fifth threshold voltage level.
  24. 청구항 24은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 24 is set when the registration fee has been paid to give up.
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제1문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터 또는 제5페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step of the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell of claim 1 when the program to the threshold voltage level, said first nonvolatile memory cell or the second light 4 in the volatile memory cell program the page or data page, the fifth data to the first threshold voltage level or a second threshold voltage level,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터 또는 제5페이지 데이터를 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step in the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell of claim 1 when the program to an intermediate threshold voltage level, said first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell of claim programming the data page 4 or 5, page data as a third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터 또는 제5페이지 데이터를 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. In the first program step in the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell to the second case the program to an intermediate threshold voltage level, said first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell of claim the four page data or page data, the fifth threshold voltage level 5 or 6, characterized in that the program for programming a threshold voltage level.
  25. 청구항 25은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 25 is set when the registration fee has been paid to give up.
    제24항에 있어서, 상기 제2프로그램 단계는, The method of claim 24, wherein the second program comprises:
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀이 제1문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step the first nonvolatile memory cell of claim 1 when the program to the threshold voltage level, the first non-program the page 4 data to the volatile memory cell to a first threshold voltage level or a second threshold voltage level and,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀이 제1중간 문턱전압 레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step the first nonvolatile memory cell of claim 1 when the program to an intermediate threshold voltage level, the first four pages of data to the first nonvolatile memory cell to a third threshold voltage level or the fourth threshold voltage level programs,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀이 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. In the first program step of the first nonvolatile memory cell to the second intermediate threshold if the voltage level program, the first nonvolatile memory cell, the fourth page of data to the fifth threshold voltage level or the sixth threshold voltage level to how the program characterized in that program.
  26. 청구항 26은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. 26. The registration fee has been abandoned when due.
    제25항에 있어서, 상기 제2프로그램 단계는, 26. The method of claim 25, wherein the second program comprises:
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제1문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제2문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step and the second non-volatile memory cell of claim 1 when the program to the threshold voltage level, the second non-program the fifth page data in the volatile memory cell to a first threshold voltage level or a second threshold voltage level and,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제3문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step in the second nonvolatile memory cell is a first intermediate threshold if the voltage level program, the second nonvolatile memory of the fifth page of data to the cell 3 the threshold voltage level or the fourth threshold voltage level programs,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제5문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. In the first program step in the second nonvolatile memory cell is a second intermediate threshold if the voltage level program, the first non-volatile memory of the fifth page of data to the cell 5 the threshold voltage level or the sixth threshold voltage level how the program characterized in that program.
  27. 청구항 27은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 27 is set when the registration fee has been paid to give up.
    제21항에 있어서, 상기 제1프로그램 단계는, The method of claim 21, wherein the first program comprises:
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제2페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 상기 제1중간 문턱전압레벨 또는 상기 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨 또는 상기 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램하는, 제2 페이지 데이터 프로그램 단계; Said first non-volatile according to the memory cell threshold voltage level program to the second page of the first data to the first nonvolatile memory cell, an intermediate threshold voltage level or the second program as an intermediate threshold voltage level, or the first $ 2, the second page program, the data comprising: the first threshold voltage level or the program to the second intermediate threshold voltage level to the volatile memory cell; And
    상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제3페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨 또는 상기 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨 또는 상기 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램하는, 제3 페이지 데이터 프로그램 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. The second, depending on the threshold voltage level of the program in the non-volatile memory cell comprising: programming a page third data to the first nonvolatile memory cell of the first threshold voltage level, or the first intermediate threshold voltage level to the or the second the first threshold voltage level or the program method comprising the third page program data and programs in the first intermediate threshold voltage level in the non-volatile memory cells.
  28. 청구항 28은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 28 is set when the registration fee has been paid to give up.
    제27항에 있어서, 상기 제2 페이지 데이터 프로그램 단계는, The method of claim 27, wherein the second page program data comprises:
    상기 제1 페이지 데이터 프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 상기 제1문턱전압레벨인 경우, 상기 제2 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨과 상기 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램하고, If the first page in the data program step the threshold voltage level of the program to the first nonvolatile memory cell of the first threshold voltage level, wherein the second page of data to the second nonvolatile memory cell, a first threshold voltage program at a level with the second intermediate threshold voltage level,
    상기 제1 페이지 데이터 프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 상기 제1중간 문턱전압레벨인 경우, 상기 제2 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 상기 제1중간 문턱전압레벨과 상기 제2중간 문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. If the first page of data programmed threshold voltage level program to the first nonvolatile memory cell in step a of the first intermediate threshold voltage level, wherein the second page of data to the first nonvolatile memory cell, a first intermediate program characterized in that to program the threshold voltage level and the second intermediate threshold voltage level.
  29. 청구항 29은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 29 is set when the registration fee has been paid to give up.
    제28항에 있어서, 상기 제3 페이지 데이터 프로그램 단계는, The method of claim 28, wherein the third page program data comprises:
    상기 제2 페이지 데이터 프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 상기 제1문턱전압레벨인 경우, 상기 제3 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨과 상기 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램하고, The second page data program if the threshold voltage level of the second program in the non-volatile memory cells in the phase of the first threshold voltage level, wherein the first threshold voltage of the three pages of data in the second nonvolatile memory cell program at a level with the first intermediate threshold voltage level,
    상기 제2 페이지 데이터 프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 상기 제2중간 문턱전압레벨인 경우, 상기 제3 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨과 상기 제1중간 문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. The second page in the data program stage is the second fire the threshold voltage of the program a volatile memory cell level and the second case of the intermediate threshold voltage level, wherein the third page of data to the first nonvolatile memory cell, the first threshold voltage level and the first program characterized in that the program to an intermediate threshold voltage level.
  30. 청구항 30은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. 30. The registration fee has been abandoned when due.
    제21항에 있어서, 상기 제1 및 제2중간 문턱전압레벨의 폭은 22. The method of claim 21, wherein the first and the width of the second intermediate threshold voltage level,
    상기 제2 내지 제6문턱전압레벨 중 적어도 하나의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. Program characterized in that said first width is wider than at least one of the second to the sixth threshold voltage level.
  31. 청구항 31은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 31 has been abandoned readable medium upon payment.
    제30항에 있어서, 상기 제1 및 제2중간 문턱전압레벨의 폭은 31. The method of claim 30, wherein the first and the width of the second intermediate threshold voltage level,
    상기 제2 내지 제6문턱전압레벨의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. Program characterized in that said first width is wider than the second to the sixth threshold voltage level.
  32. 순차적으로 높아지는 제1 내지 제6문턱전압레벨로 각각 프로그램될 수 있는 제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀을 포함하는 불휘발성 메모리 장치를 프로그램하는 방법에 있어서, A method for programming a nonvolatile memory device including a first nonvolatile memory cell and a second non-volatile memory cells which can each be programmed with sequentially increasing the first to the sixth threshold voltage level,
    제1불휘발성 메모리 셀 및 제2불휘발성 메모리 셀에 제1 내지 제3페이지 데이터를, 제1문턱전압레벨 내지 제3문턱전압레벨 중의 하나로 프로그램하는 제1프로그램 단계; The first light a first program step of the first to third page data in the volatile memory cell and the second nonvolatile memory cell, one of the first threshold voltage level to the third threshold voltage level program; And
    이전 페이지 데이터가 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제4 및 제5페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 상기 제4 내지 제6문턱전압레벨 중의 하나로 프로그램하는 제2프로그램 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. Previous Article in accordance with the threshold voltage level of the data, the program, the fourth and the program as one of the above five page data is the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cells of the fourth to the sixth threshold voltage level to program method comprising the second program step.
  33. 청구항 33은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 33 has been abandoned readable medium upon payment.
    제32항에 있어서, 상기 제2프로그램 단계는, 33. The method of claim 32, wherein the second program comprises:
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제1문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터 또는 제5페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step of the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell of claim 1 when the program to the threshold voltage level, said first nonvolatile memory cell or the second light 4 in the volatile memory cell program the page or data page, the fifth data to the first threshold voltage level or the fourth threshold voltage level,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제2문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터 또는 제5페이지 데이터를 제2문턱전압레벨 또는 제5문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step of the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell to the second case the program the threshold voltage level, said first nonvolatile memory cell or the second agent to the non-volatile memory cells 4 program data or the page data to the second page and the fifth threshold voltage level or the fifth threshold voltage level,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제3문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터 또는 제5페이지 데이터를 제3문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. In the first program step of the first nonvolatile memory cell or the second nonvolatile memory cell is the third case of the threshold voltage level program, the first nonvolatile memory cell or the second light 4 in the volatile memory cell program characterized in that to program the page or data page, the fifth data to the third threshold voltage level or the sixth threshold voltage level.
  34. 청구항 34은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 34 has been abandoned readable medium upon payment.
    제33항에 있어서, 상기 제2프로그램 단계는, The method of claim 33, wherein the second program comprises:
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제1문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step and the second non-volatile memory cell of claim 1 when the program to the threshold voltage level, the second non-program the page 4 data to the volatile memory cell to a first threshold voltage level or the fourth threshold voltage level and,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제2문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제2문턱전압레벨 또는 제5문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step and the second nonvolatile memory cell to the second case the program the threshold voltage level, the second non-program the page 4 data to the volatile memory cell to the second threshold voltage level or the fifth threshold voltage level and,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀이 제3문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 제4페이지 데이터를 제3문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. In the first program step and the second nonvolatile memory cell is a third threshold if the voltage level program, the second program, the first four pages of data into the nonvolatile memory cell to a third threshold voltage level or the sixth threshold voltage level how the program characterized in that.
  35. 청구항 35은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 35 has been abandoned readable medium upon payment.
    제34항에 있어서, 상기 제2프로그램 단계는, The method of claim 34, wherein the second program comprises:
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀이 제1문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제1문턱전압레벨 또는 제4문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step the first nonvolatile memory cell of claim 1 when the program to the threshold voltage level, the first non-program the fifth page data in the volatile memory cell to a first threshold voltage level or the fourth threshold voltage level and,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀이 제2문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제2문턱전압레벨 또는 제5문턱전압레벨로 프로그램하고, In the first program step of the first nonvolatile memory cell to the second case the program the threshold voltage level, the first non-program the fifth page data in the volatile memory cell to the second threshold voltage level or the fifth threshold voltage level and,
    상기 제1프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀이 제3문턱전압레벨로 프로그램된 경우, 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 제5페이지 데이터를 제3문턱전압레벨 또는 제6문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. In the first program step the first nonvolatile memory cell is a third threshold if the voltage level program, the first program to the fifth page of data in the non-volatile memory cell to a third threshold voltage level or the sixth threshold voltage level how the program characterized in that.
  36. 청구항 36은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 36 is not readable medium was abandoned upon payment.
    제32항에 있어서, 상기 제1프로그램 단계는, 33. The method of claim 32, wherein the first program comprises:
    제1페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨 또는 상기 제2문턱전압레벨로 프로그램하는, 제1 페이지 데이터 프로그램 단계; The first page program data, wherein the first threshold voltage level or the program to the second threshold voltage level, the first page data to the first nonvolatile memory cell;
    상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제2페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 상기 제2문턱전압레벨 또는 상기 제3문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨 또는 상기 제3문턱전압레벨로 프로그램하는, 제2 페이지 데이터 프로그램 단계; Said first non-volatile according to the memory cell threshold voltage level program, the first and the second the second page of data to the first nonvolatile memory cell threshold voltage level or the third program to the threshold voltage level or the second light wherein the volatile memory cell the first threshold voltage level or the program to the third threshold voltage level, the second page data program stage; And
    상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨에 따라, 제3페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨 또는 상기 제2문턱전압레벨로 프로그램하거나 또는 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압 레벨 또는 상기 제2문턱전압레벨로 프로그램하는, 제3 페이지 데이터 프로그램 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. Said second non-volatile according to the memory cell threshold voltage level program, the first said page 3 for the data in the first nonvolatile memory cell, the first threshold voltage level or the second threshold voltage level to the program or the second light program method comprising the third page program data and programs to the first threshold voltage level or the second threshold voltage level to the volatile memory cell.
  37. 청구항 37은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 37 has been abandoned readable medium upon payment.
    제36항에 있어서, 상기 제2 페이지 데이터 프로그램 단계는, 37. The method of claim 36, wherein the second page program data comprises:
    상기 제1 페이지 데이터 프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 상기 제1문턱전압레벨인 경우, 상기 제2 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨과 상기 제3문턱전압레벨로 프로그램하고, If the first page in the data program step the threshold voltage level of the program to the first nonvolatile memory cell of the first threshold voltage level, wherein the second page of data to the second nonvolatile memory cell, a first threshold voltage program in the third level and the threshold voltage levels,
    상기 제1 페이지 데이터 프로그램 단계에서 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 상기 제2문턱전압레벨인 경우, 상기 제2 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 상기 제2문턱전압레벨과 상기 제3문턱전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. If the first page in the data program step the threshold voltage level of the program to the first nonvolatile memory cell of the second threshold voltage level, wherein the second page of data to the first nonvolatile memory cell, the second threshold voltage program characterized in that to program to a level with said third threshold voltage level.
  38. 청구항 38은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다. Claim 38 is set when the registration fee has been paid to give up.
    제37항에 있어서, 상기 제3 페이지 데이터 프로그램 단계는, The method of claim 37, wherein the third page program data comprises:
    상기 제2 페이지 데이터 프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 상기 제1문턱전압레벨인 경우, 상기 제3 페이지 데이터를 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨과 상기 제2문턱전압레벨로 프로그램하고, 상기 제2 페이지 데이터 프로그램 단계에서 상기 제2불휘발성 메모리 셀에 프로그램된 문턱전압레벨이 상기 제3문턱전압레벨인 경우, 상기 제3 페이지 데이터를 상기 제1불휘발성 메모리 셀에 상기 제1문턱전압레벨과 상기 제2문턱 전압레벨로 프로그램하는 것을 특징으로 하는 프로그램 방법. The second page data program if the threshold voltage level of the second program in the non-volatile memory cells in the phase of the first threshold voltage level, wherein the first threshold voltage of the three pages of data in the second nonvolatile memory cell the level and the second case in the program threshold voltage level, and the second page data program step the threshold voltage level program to the second nonvolatile memory cell of the third threshold voltage level, the third page data a first light of the first threshold voltage level and a program wherein the program to the second threshold voltage level to the volatile memory cell.
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