KR100857790B1 - Light emitting diode lighting apparatus and package therefor and manufacturing method for making the same - Google Patents

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KR100857790B1 KR20030092110A KR20030092110A KR100857790B1 KR 100857790 B1 KR100857790 B1 KR 100857790B1 KR 20030092110 A KR20030092110 A KR 20030092110A KR 20030092110 A KR20030092110 A KR 20030092110A KR 100857790 B1 KR100857790 B1 KR 100857790B1
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김근호
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엘지전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 발광 다이오드 조명장치와 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 실리콘 서브 마운트 상에 관통홀을 형성한 후, LED 전극과 연결되는 전극을 전면에 형성하고 플립칩 본딩을 위한 전극을 후면에 형성하면서 상기 관통홀을 통해 상기 전극들이 상호 연결되도록 하여 LED를 배치한 서브 마운트를 LED 전원 제공을 위한 전극 배선이 형성된 스템에 플립칩 본딩 방식으로 접합할 수 있도록 함으로써, 공정 시간과 비용 및 신뢰성을 크게 높일 수 있으며, 스템과 LED 전극이 관통홀을 지나는 전극을 통해 직접 연결되므로 방열 효과가 크게 높아져 소자의 수명과 특성이 향상되는 효과가 있다. The present invention relates to a light emitting diode lighting device package and a method of manufacturing the same, the present invention provides an electrode for a silicon sub-after forming the through hole on the mount, flip-chip bonding to form an electrode to be connected to the LED electrodes to the front by, forming the back to be bonded to a submount to place an LED to ensure that the electrodes are interconnected via the through-hole by a flip chip bonding method in systems electrode wiring is formed for providing LED power, process time and cost, and can significantly increase the reliability and has an effect that the stem and the LED electrodes are so through the electrodes passes through the through-holes directly to the heat radiating effect increases significantly improves the life and characteristics of the device.
발광 다이오드, 서브 마운트, 전극, 관통홀, LED. Light emitting diodes, the sub-mount, the electrode, the through-hole, LED.

Description

발광 다이오드 조명장치와 패키지 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING DIODE LIGHTING APPARATUS AND PACKAGE THEREFOR AND MANUFACTURING METHOD FOR MAKING THE SAME} The LED lighting device with a package and a method of manufacturing LIGHT EMITTING DIODE LIGHTING APPARATUS AND PACKAGE {THEREFOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME MANUFACTURING}

도 1은 박막 필름 트랜지스터 엘씨디의 백라이트 구조를 보인 단면도. 1 is a cross-sectional view showing a backlight structure of a thin film transistor LCD.

도 2는 일반적인 발광 다이오드의 단면도. 2 is a cross-sectional view of a typical light emitting diode.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조과정을 보인 수순 단면도. Figures 3a to 3g are cross-sectional views showing the procedure for manufacturing the LED package according to one embodiment of this invention.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명 일 실시예의 조명 장치 제조 과정을 보인 수순 사시도. Figures 4a to 4c are perspective views showing the procedure for manufacturing the lighting apparatus of one embodiment of this invention.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조과정을 보인 수순 단면도. Figure 5a to Figure 5c is a sectional view showing the procedure for manufacturing the LED package according to another embodiment of the present invention.

도 6은 상기 도 5a 내지 도 5c를 통해 제조된 패키지를 포함한 조명 장치의 단면도. 6 is a cross-sectional view of a lighting apparatus including a package produced by the Figure 5a to 5c.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명 또다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조과정을 보인 수순 단면도. Figures 7a to 7d are cross-sectional views showing the procedure for manufacturing the LED package according to the present invention still further embodiment.

도 8은 상기 도 7a 내지 도 7d를 통해 제조된 패키지를 포함한 조명 장치의 단면도. 8 is a cross-sectional view of a lighting apparatus including a package manufactured through the Fig. 7a-7d.

도 9a 내지 도 9c는 본 발명 또다른 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지 제조 과정을 보인 수순 단면도. Figure 9a to Figure 9c is a sectional view showing the procedure for manufacturing the LED package according to the present invention still further embodiment.

도 10은 상기 도 9a 내지 도 9c를 통해 제조된 패키지를 포함한 조명 장치의 단면도. 10 is a cross-sectional view of an illumination device including a package manufactured through the Fig. 9a through 9c.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* * Description of the Related Art *

20: 발광 다이오드 30: 패키지 20: LED 30: package

31: 기판 32: 마스크층 31: substrate 32: the mask layer

33: 절연층 34: 제 1전극 33: insulating layer 34: a first electrode

35: 솔더층 36: 제 2전극 35: solder layer 36: second electrode

40: 스템 41: 스템 절연층 40: stem 41: stem insulating layer

42: 전극 배선층 43: 스템 솔더층 42: wiring electrode 43: system solder layer

본 발명은 발광 다이오드 조명장치와 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발광 다이오드가 배치된 패키지를 정렬시켜 형성할 수 있는 발광 다이오드 조명장치와 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a light emitting diode illumination device and the package, and that relates to a production method, in particular a light emitting diode light emitting diode illumination device, which can be formed by aligning a batch package and the package and a method of manufacturing the same.

일반적으로 광 방출 소자는 단순한 발광을 이용한 표시 장치로서 사용되었으나, 최근에는 다양한 파장 및 에너지를 가지는 광원으로서의 가능성이 연구되고 있다. In general, the light-emitting device, but is used as a display device using a simple light-emitting, in recent years, has been studied as a potential source having a different wavelength and energy. 현재 활발하게 사용되는 발광소자로서는 레이저 다이오드(Laser Diode:LD)와 발광 다이오드(Light Emitting Diode:LED)로 크게 나눌 수 있는데, LD는 광통신 분야에서 광원으로 널리 사용되고 있으며, LED는 일반적인 표시 장치는 물론이고 조명장치나 엘씨디(LCD) 표시장치의 백라이트 소자에도 응용되는 등 적용 영역이 점차 다양해 지고 있다. As the light emitting element is actively using current laser diode (Laser Diode: LD) and light emitting diode: can be divided largely into (Light Emitting Diode LED), LD is widely used as a light source in optical communication field, LED is a general display apparatus as well as It is becoming increasingly diverse such application areas are applied to the backlight device of the illumination device or LCD (LCD) display device.

특히 LED는 비교적 낮은 전압으로 구동이 가능하면서도 높은 에너지 효율로 인해 발열이 낮고 수명이 긴 장점을 가지고 있으며, 종래에는 구현이 어려웠던 백색광을 고휘도로 제공할 수 있는 기술이 속속 개발됨에 따라 현재 사용되는 대부분의 조명 장치를 대체할 꿈의 기술로 기대되고 있다. In particular LED is mostly to be a relatively low voltage driving is possible while a low heat generation due to the high energy efficiency and life with a long advantages, currently used as the prior art, one after another developed technology capable of providing a difficult white light implemented in the high-brightness the technology is expected to replace the dream of lighting devices.

이러한 LED를 어레이(array)로 배열하여 자체 발광이 어려운 표시 소자의 백라이트로 사용하고자 하는 연구가 활발히 진행되고 있다. By arranging such a LED array (array) has been actively study to be used as a backlight of the display element is a self-emissive difficult. 특히 최근 사용이 급증하고 있는 박막 필름 트랜지스터(TFT) LCD에서 사용되는 냉음극관(CCFL)을 대체할 수 있는 백라이트 광원으로 기대를 모으고 있다. In particular is attracting expectations to the back-light source that can replace the cold-cathode tube (CCFL) used recently in the LCD is a thin film transistor (TFT) that is surge.

TFT LCD는 평행하게 대향하는 한 쌍의 투명전극 사이에 인가되는 전압의 크기에 따라 액정의 방향이 바뀌어 빛의 투과율을 변화시킴으로써 색을 구현하는 장치로서, 가볍고 얇으며 표시 화면이 선명할 뿐 아니라 쉽게 대면적화가 가능하여 점차 CRT(Chathod Ray Tube)를 대체해 가고 있다. TFT LCD is a device for implementing color by the liquid crystal orientation changes the transmittance of light changes according to a pair of magnitude of the voltage applied between the transparent electrode in parallel to face each other, a light, thin, and easily, as well as the display screen clearly the large area can upset going to gradually replace the CRT (Chathod Ray Tube). 하지만, TFT LCD는 플라즈마 표시패널, 전계 발광 표시소자, CRT등과 다르게 자체적으로 발광하지 않으므로 표시장치에 빛을 공급하는 백라이트 유닛이 요구된다. However, TFT LCD is a backlight unit for supplying light to the display device is required because it does not itself emit light as different from the plasma display panel, a field emission display element, CRT. 이러한 백라이트 유닛은 발광부에서 방출되는 빛이 패널 전체에 고루 퍼질 수 있도록 하는 면광원 발생장치이다. The backlight unit is a surface light source generating apparatus so that the light emitted from the light emitting portion can be uniformly spread all over the panel.

도 1은 일반적인 백라이트 유닛(10)의 구조를 보이는 단면도로서, 도시한 바 와 같이 다층으로 이루어져 있으며, 이러한 백라이트 유닛의 측면에서 선발광하는 광원(8)의 빛을 받아 이를 면발광시켜 고르게 퍼진 빛을 상기 백라이트 유닛(10) 상부의 LCD 패널(1)에 공급한다. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional back light unit 10, consists of multiple layers, such as one shown, receiving the light of the light source (8) for starting the light from the side of this light unit spread evenly to the light emitting face this light to supply to the light unit (10) LCD panel (1) of the upper.

상기 백라이트 유닛(10)은 상기 광원(8)에서 제공되는 빛을 받아들여 내부에 형성된 유리물질에 의해 받아들인 빛을 산란시키는 도광판(6), 상기 도광판(6)의 일측에 형성되어 빛을 반사시키는 반사판(7), 상기 도광판(6)의 타측에 위치하여 도광판(6)에서 제공되는 빛을 산란시키는 확산판(5), 상기 확산판(7)을 통해 확산된 빛이 고르게 퍼질 수 있도록 서로 직교하여 배치된 수직/수평 프리즘(4,3), 상기 수직/수평 프리즘(4,3) 상에 배치된 보호층(2)으로 이루어진다. The backlight unit 10 reflects light is formed on one side of the light guide plate 6, the light guide plate (6) which accepts the light provided by the light source (8) scatters light accepted by the glass material formed in the a reflector (7), so that the light diffused through the diffusion board 5, the diffusion plate 7 can be spread evenly to scatter light provided by the light guide plate 6 is positioned on another side of the light guide plate (6) to each other to orthogonal horizontal / vertical prism (4, 3) arranged to, made of the protective layer (2) disposed on the horizontal / vertical prism (4, 3).

상기 광원(8)은 일반적으로 발열량이 적으며 고른 선발광을 제공하는 냉음극관(CCFL)이 사용되지만, 구동 전압이 높으며 전력 소모가 심한 문제점으로 인해 점광원인 LED를 일렬로 배열하여 선광원 처럼 사용하기도 한다. The light source 8 is generally heating value is less was provided evenly selected light the cold-cathode tube (CCFL) is used to, but, like a linear light source by arranging the point light source of LED in series has high driving voltage due to power consumption is serious problem sometimes used. LED를 배열하여 선광원으로 사용하면 제조 비용, 구동 전력 및 전력 제어부 크기가 크게 줄어드는 이점이 있으며 점차 높은 휘도의 LED가 제공됨에 따라 표시부 밝기 역시 CCFL 광원에 비해 손색이 없다. By arranging the LED used as the linear light source when the display brightness is still not comparable to CCFL light sources, depending on the production cost, and this driving power, and power control benefits greatly reduced in size gradually in the high-luminance LED it is provided.

도 2는 백라이트 광원으로 사용되는 일반적인 LED의 구조를 보이는 단면도로서, 도시한 바와 같이 사파이어나 n-GaAs 등의 기판(21) 상부에 순차적으로 버퍼층(22), n-접촉(n-contact)층(23), 활성층(24), p-접촉층(25)을 화학 기상 증착 기법에 의하여 연속 증착하고, 사진 식각 공정 및 습식/건식 식각 방법에 의하여 n-접촉층(23)이 노출되도록 패터닝 한다. Figure 2 is a cross-sectional view showing the structure of a typical LED used as a backlight source, a buffer layer in order on the upper substrate 21 such as sapphire or the n-GaAs, as shown (22), contact n- (n-contact) layer 23, an active layer (24), p- contact layer 25, the continuous deposition and photo n- contact layer 23 by the etching process and a wet / dry etching method by a chemical vapor deposition technique is patterned so as to expose . 이후, 형성된 구조물 상부에 절연층(26)을 증착하고 전기적인 연결을 위하여 구조물 상부의 p-접촉층(25)과 상기 과정에서 노출시킨 n-접촉층(23)의 일부가 드러나도록 패터닝한다. Then, the deposition of the insulating layer 26 to the upper structure is formed, and is patterned so that the portion of the n- contact layer 23 exposed in the p- contact layer 25 and the upper course of the structure to the electrical connections exposed. 그리고, 상기 노출된 p-접촉층(25)과 n-접촉층(23) 상부에 금속을 성막후 패터닝하여 p-전극(27)과 n-전극(28)을 형성한다. Then, the exposed p- contact layer 25 and the n- contact layer 23, after depositing a metal on the top patterned to form the p- electrode 27 and the n- electrode 28.

상기와 같이 구성된 발광 다이오드는 p-전극(27)과 n-전극(28) 사이에 전압을 인가하는 것으로 발광하게 되는데, 전압이 인가되면 p-전극(27)과 n-전극(28)으로 정공과 전자가 주입되고 활성층(24)에서 정공과 전자가 재결합하면서 광을 외부로 방출하는 원리를 이용한다. A light emitting diode configured as described above, there is the light emission by applying a voltage between the p- electrode 27 and the n- electrode 28, when voltage is applied to the p- hole electrode 27 and the n- electrode 28 and utilizes the principle that electrons are injected and, while holes and electrons recombine in the active layer 24 emits light to the outside.

상기 칩 상태로 형성된 LED는 직접 기판 상에 적용될 수 있고, 다양한 패키지(에폭시 몰딩, 캔형 패키지)에 부착되어 사용되기도 한다. LED chips are directly formed with the may be applied to a substrate, adhered to a variety of packages (epoxy molding, can type package) is also used. 하지만, 에폭시 몰딩형으로 형성되는 경우 에폭시에 의해 광 효율이 낮아지고 고른 발광 효과를 얻기 힘들며, 발생하는 열을 외부로 발산시키기 어렵다. However, when it is formed in a molding type epoxy it is the light efficiency decreases with an epoxy obtain a uniform light emission effect difficult, it is difficult to dissipate the heat generated to the outside. 그리고 크기가 크기 때문에 조밀한 배치가 어렵다. And it is difficult to densely arranged because the size size. 캔형 패키지(TO-can)에 부착되어 사용되는 경우 패키지의 크기가 크기 때문에 선광원 형성을 위한 조밀한 배치가 어려우며 비용이 높아진다. If used is attached to the can type package (TO-can) since the size of the package size increases the cost difficult to compact arrangement for forming linear light source. 따라서, 인쇄 회로 기판 상에 전극 패턴을 형성한 후 해당 패턴에 LED칩을 직접 접착한 후 와이어 본딩으로 전극을 연결하는 방식이 주로 사용되는데, 공정 시간이 오래 걸리며 불량 발생이 심하고 신뢰성이 낮은 와이어 본딩 기법으로 LED에 전원을 인가하므로 수율이 낮고 비용이 높아지게 된다. Thus, after forming the electrode patterns on a printed circuit board by connecting an electrode by wire bonding after directly bonding the LED chip to the pattern it is mainly used, the process time-consuming defects are severe reliability is low wire bonding applying power to the LED, so the technique is low in yield higher costs. 또한, 인쇄 회로 기판은 열 전달 효율이 낮아 LED 소자 구동시 발생하는 열을 효과적으로 분산시키기 어려워 소자의 수명을 낮추고 특성을 변화시킬 수 있다. Further, the printed circuit board may change the characteristics difficult to effectively dissipate heat generated upon driving the LED elements lower the heat transfer efficiency reduces the lifetime of the device.

따라서, 최근에는 반도체 공정을 이용하여 LED 서브 마운트를 형성한 후, 상기 서브 마운트에 LED를 연결하여 열 전달 효율이 높은 스템에 LED가 부착된 패키지를 배열하여 사용하고 있다. Therefore, in recent years, and used in arranging the LED package it is attached to the stem with high heat transfer efficiency to connect the LED to the LED after the formation of the sub-mount by using a semiconductor process, the sub-mount. 하지만, 일반적인 패키지는 실리콘 기판 상에 LED 전극와 연결되는 전극층을 형성하여 상기 전극층에 LED를 배치하고, 연장된 전극층을 와이어 본딩 패드로 이용하여 외부 전원 인가용 전극 배선과 와이어 본딩 기법을 이용하여 연결시키도록 한다. However, as to a typical package is connected with the LED jeongeukwa to form an electrode layer that is connected to place the LED on the electrode layer, and by using an extended electrode layer with a wire-bonding the pad electrodes for applying an external power supply wiring and wire-bonding technique on a silicon substrate and so. 이 경우 LED에서 발생하는 열은 실리콘 서브 마운트를 거쳐 스템으로 발산되므로 일반적인 인쇄 회로기판 상에 직접 접합하는 경우에 비해 열 발산 효율이 높으며, 넓은 와이어 본딩 패드를 이용할 수 있어 공정이 용이해진다. In this case, heat generated by the LED is high and the heat dissipation efficiency in comparison with the case of bonding directly on the common printed circuit board since the divergence to the stem through a silicon sub-mount, which facilitates the process makes it possible to use large wire bonding pads.

하지만, 이렇게 종래 패키지를 이용하는 경우라도 외부 전원과의 연결을 위해서는 수율이 낮은 와이어 본딩을 사용해야 하므로 불량률이 높고 공정 시간이 오래 걸리며, 전체적인 신뢰성 역시 크게 낮아지게 된다. However, it also means that when using the conventional package, even a high defect rate, so should be used to yield a low wire-bonding process takes a long time in order to connect to an external power supply, becomes overall reliability is also greatly reduced. 또한, 소자 구동시 발생하는 열이 서브 마운트를 형성하는 실리콘 기판을 경유하여 스템으로 전달되기 때문에 원활한 열의 발산은 기대하기 어려워 발열에 의한 소자의 수명 감소와 특성 변화가 발생할 수 있다. In addition, heat dissipation smooth, because the heat generated when the driving element is transmitted to the system by way of the silicon substrate forming the sub-mount can result in reduced service life and the characteristic change of the element caused by heat hardly expected.

상기한 바와 같이 종래 발광 다이오드(LED)를 배열하여 백라이트 등의 조명장치로 사용하는 경우 크기, 광 균일성, 비용 문제로 인해 패키지 형태의 LED로 조명 장치를 구현하기 어려우며, 칩 형태로 인쇄 회로기판 상에 직접 부착하여 사용하는 경우에는 정밀한 와이어 본딩 공정이 필요하여 수율과 신뢰성이 악화되는 문제점이 있었다. Conventional light emitting When the diode (LED) array used in the lighting apparatus such as a backlight in size, light uniformity, it is difficult to implement a lighting apparatus with LED of the type due to cost issues package, a printed circuit board in the form of a chip as described above, when using a direct attachment to the need to have a precise wire bonding process, there is a problem in that the yield and reliability deterioration.
또한, 최근 제안되는 실리콘 서브 마운트에 LED를 접합한 후 이를 스템에 부착한 경우라도 외부 전원 인가를 위해서는 와이어 본딩 공정이 필수적이므로 수율과 신뢰성이 낮으며, 실리콘을 경유한 열 발산은 효율이 낮아 충분한 방열이 어려운 문제점이 있었다. Also, after the recently proposed bonding the LED to a silicon sub-mount that even when mounting them to the system since the wire-bonding process essential to the applied external power source was the yield and the reliability is low, sufficient heat dissipation via the silicon is low efficiency the heat was a difficult problem.

상기와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 수율과 신뢰성이 낮고 비용이 높은 와이어 본딩 공정을 생략하여 공정 시간과 비용 및 신뢰성을 높이고, 스템과 LED 전극이 관통홀을 지나는 전극으로 직접 연결됨에 따라 방열 효과를 크게 높이도록 한 발광 다이오드 조명장치와 패키지 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다. The present invention considering the above problems is the cooling effect, depending on the yield and the reliability is low, the cost is not high wire-bonding process to increase the process time and cost and reliability, the system and LED electrode directly connected to the electrode through a through hole to provide a light-emitting diode lighting device package and a method of manufacturing it is an object to be significantly high.

상기와 같은 목적을 달성하기위한 본 발명은, 다수의 발광 다이오드가 배치되어 선광원 혹은 면광원 역할을 하는 발광 다이오드 조명장치에 있어서, 발광 다이오드에 전원을 공급하기 위한 전원 배선이 상부에 형성된 스템과; The present invention for achieving the above object, the plurality of light emitting diodes are arranged linear light source or a surface in the light-emitting diode lighting apparatus of a light source role, the system power supply wiring is formed in the top for supplying power to the light emitting diode and .; 발광 다이오드 전극과 연결되기 위해 기판 전면에 형성된 제 1전극과 플립칩 본딩을 위해 기판 후면에 형성된 제 2전극이 기판 상의 관통홀을 통해 연결되며, 상기 제 2전극을 이용하여 상기 스템 상의 전원 배선과 플립칩 본딩할 수 있는 서브 마운트와; A second electrode formed on the substrate back to the first electrode and the flip chip bonding is formed over the entire surface of the substrate to be connected to the LED electrode is connected through a through hole on the substrate, the power source wiring on the system using the second electrode and a submount flip-chip bonding to the; 상기 각 서브 마운트의 전면부 제 1전극 상에 접합되는 발광 다이오드를 포함하는 것을 특 징으로 한다. And the comprises a light emitting diode is joined on a first electrode front portion of the sub-mount FEATURES.

또한, 본 발명은 서브 마운트로 사용될 실리콘 기판의 영역마다 관통홀을 형성하는 단계와; In addition, the present invention includes the steps of forming a through hole for each region of the silicon substrate is used as a sub-mount, and; 상기 형성된 구조물 전면에 절연층을 형성한 후, 발광 다이오드의 전극이 위치할 영역과 상기 관통홀의 적어도 일부 영역을 포함하는 제 1전극을 형성하는 단계와; Forming a first electrode comprising a region and the through-hole at least a part area to the position of the electrode after forming the insulating layer on the structure formed over the light emitting diode and; 상기 구조물을 뒤집어 플립칩 본딩을 위한 부분으로부터 연장되어 상기 관통홀 중에서 상기 제 1전극이 형성된 부분과 적어도 일부에서 접촉하도록 제 2전극을 형성하는 단계와; Extending the reverse structure from the portion for flip-chip bonding and forming a second electrode so as to contact at least a portion and part of the first electrode is formed in the through hole; 상기 구조물을 서브 마운트 별로 절삭한 후, 상기 제 1전극 상부에 발광 다이오드를 접합하는 단계와; After cutting the said structure by a sub-mount, the method comprising: bonding a light emitting diode to the first electrode thereon; 상기 발광 다이오드가 형성된 서브 마운트를 발광 다이오드 전원 제공을 위한 전극 배선이 형성된 스템에 정렬 및 플립칩 본딩하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. Characterized in that it comprises the step of the light emitting diodes are arranged, and the flip-chip bonding the sub-mount is formed on the LED system is formed in the electrode wiring for providing power.

상기 관통홀을 형성하는 단계는 실리콘 기판의 일부를 벌크 식각하여 발광 다이오드가 배치될 수 있는 그루브를 형성하고, 상기 기판 구조물 후면에 포토레지스트 패턴을 적용하고 건식 식각하여 수직한 관통홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. Forming the through hole includes the steps of: by bulk etching a portion of the silicon substrate is applied a photoresist pattern on the substrate structure back to form a groove, and with a light-emitting diode can be arranged to form a through-hole perpendicular to a dry etching a characterized in that it further comprises.

상기 관통홀과 제 1전극을 형성하는 단계는 제 1전극을 먼저 기판 상에 형성한 후 상기 제 1 전극이 노출되도록 관통홀을 벌크 식각 방식으로 후면 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. Forming a through hole from the first electrode after forming the first electrode on the first substrate characterized in that it comprises the step of back etching the through-hole so that the first electrode is exposed to the bulk etching method.

상기 관통홀을 형성하는 단계는 상부 혹은 하부 일부를 벌크 식각 방식으로 1차 식각한 후 반대편을 벌크 식각 방식으로 2차 식각하여 관통홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. Forming the through hole is characterized by including the step of forming a through hole by etching the other side of the second after the first etching to the upper or the lower part of the bulk etching method as bulk etching method.

상기와 같은 방법으로 실시되는 본 발명의 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. Described in detail with reference to the accompanying drawings, embodiments of the present invention is carried out in the same manner as described above as follows.

도 3a 내지 도 3g는 본 발명 일 실시예에 사용되는 패키지 제조 과정을 보인 수순 단면도로서, 도시한 바와 같이 발광 다이오드(LED)(20)가 형성될 부분에 그루브(groove)를 형성한 후 상기 그루브에 관통홀을 형성하여 제 1전극(34)과 제 2전극(36)을 연결한 구조이다. A procedure cross-sectional view showing a package manufacturing process used in the embodiment Figures 3a-3g is one the present invention, the formation of the light-emitting diode (LED), a groove (groove) in the portion to be 20 is formed as shown after the groove to form a through-hole is the structure that connects the first electrode 34 and second electrode 36.

먼저, 도 3a에 도시한 바와 같이 실리콘 기판(31) 상에 마스크층을 형성하거나 이미 마스크층이 형성된 실리콘 기판(31)을 이용하여 LED 장착 영역에 대한 벌크 식각에 필요한 마스크 패턴을 형성한다. First, forming a mask pattern is required for bulk etching of the LED mounting area by using a silicon substrate 31 forms a mask layer or the mask layer is formed beforehand on the silicon substrate 31 as shown in Figure 3a.

그 다음, 도 3b에 도시한 바와 같이 상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 실리콘 기판(31)의 일부를 벌크 식각(벌크 마이크로머시닝)한다. Next, the bulk etching (bulk micro machining), a portion of the silicon substrate 31 by using the mask pattern as shown in Figure 3b. 본 실시예에서는 이러한 벌크 식각 공정을 통해 소정의 각도를 가지는 그루브들이 LED가 배치될 영역마다 형성되는데, 그 깊이는 이후 장착될 LED의 높이 보다 깊도록 하여 측면으로 새어 나가는 빛을 최대한 줄일 수 있도록 한다. In this embodiment grooves are is formed for each region to be the LED is disposed with a predetermined angle through this bulk etching process, the depth is to be reduced the most of the light leaking to the side so as to depth than the height of the LED to be mounted after the . 경우에 따라서는 상기 기판 상에 반사층과 절연층을 차례로 형성하여 발광 효율을 높일 수 있다. In some cases, it is formed on the substrate and then a reflecting layer and an insulating layer can improve the light emission efficiency.

그 다음, 도 3c에 도시한 바와 같이 상기 구조물 상부에 보호를 위한 제 1포토레지스트(PR1)를 형성하고, 상기 구조물을 뒤집어 제 2포토레지스트 패턴(PR2)을 형성한다. Then, a first photoresist to form a (PR1), and a second photoresist pattern (PR2) turned over the structure to protect the upper part of the structure as shown in Figure 3c. 상기 제 1포토레지스트(PR1)는 식각이 완료되는 경우 건식 식각 가스에 의해 기판 상부가 손상되는 것을 방지하기 위한 것이다. The first photoresist (PR1) is a case where the etching is completed is to prevent damage to the upper substrate by a dry-etching gas.

그 다음, 도 3d에 도시한 바와 같이 상기 제 2포토레지스트 패턴(PR2)을 이 용하여 상기 실리콘 기판(31)을 건식 식각하고 구조물 전면에 전기적인 절연을 위한 절연층(33)을 형성한다. Next, as shown in Fig. 3d, using the said second photoresist pattern (PR2) dry-etching the silicon substrate 31 to form an insulating layer 33 for electrical insulation on the front structure. 상기 건식 식각은 딥 반응성 이온 식각(Deep Reactive Ion Etching) 공정으로 수직한 관통홀을 형성하며, 상기 절연층(33)은 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막 등의 일반적인 절연막을 사용할 수 있다. The dry etching to form a through-hole perpendicular to the deep reactive ion etching (Deep Reactive Ion Etching) process, the insulating layer 33 may use a general insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film.

그 다음, 도 3e에 도시한 바와 같이 상기 구조물 상에 이후 접합될 LED 전극과의 연결을 위한 제 1전극(34)을 형성하고 그 상부에 솔더층(35)을 형성한다. Then, to form a first junction electrode 34 and the solder layer 35 is formed on its top for the connection to the LED electrodes to be later on the structure as shown in Figure 3e. 상기 제 1전극(34)은 LED 전극과 연결될 부분과 관통홀 부분 및 전기적 연결이 필요한 부분에 다양한 금속 공정 중 하나를 실시하여 형성하는데, 상기 관통홀의 적어도 일부에 반드시 제 1전극(34)이 형성되어야 한다. The first electrode 34 may be a first electrode (34) to at least a portion, of the through hole to form subjected to any of a variety of metal process in the necessary part and the through-hole portion and electrically connected to be associated with the LED electrodes are formed It should be.

그 다음, 도 3f에 도시한 바와 같이 상기 구조물을 뒤집어 플립칩 본딩을 위한 부분과 상기 제 1전극(34)이 형성된 관통홀 부분을 포함하는 제 2전극(36)을 다양한 금속 공정 중 하나로 형성한다. Then, a second electrode 36 which upset includes a portion for flip-chip bonding with the first electrode through-hole portion 34 is formed, the structure as shown in Figure 3f in one of a variety of metal process . 이를 통해 상기 제 1전극(34)과 제 2전극(36)은 서로 연결되므로 이후 플립칩 본딩을 통해 LED 전극에 전원을 제공해 줄 수 있게 된다. Since this end, the first electrode 34 and second electrode 36 are connected to each other through thereby can provide power to the LED through the electrode after the flip-chip bonding.

그 다음, 도 3g에 도시된 바와 같이 상기 구조물을 패키지(30) 단위로 절삭(dicing)한 후 각 서브 마운트(30)의 제 1전극(34) 상에 형성된 솔더층(35) 상에 LED(20)를 위치시킨 후 열처리 하여 접합을 실시한다. Then, as shown in Figure 3g after the cutting (dicing) of the structure in a package 30, the unit LED on the solder layer 35 is formed on the first electrode 34 of the sub-mount 30 ( Place the heat treatment 20) to be subjected to joining.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명 일 실시예에 따른 LED 전원 공급을 위한 전극 배선(42)이 형성된 스템(40)에 LED가 부착된 패키지(30)를 접합하는 과정을 나타낸 것이다. Figures 4a to 4c illustrate the step of bonding the package (30), the LED attached to the stem 40 are formed wiring electrodes 42 for the LED power supply according to the invention one embodiment.

먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이 본 실시예에서는 도전성 스템(40) 상부에 세라믹 박막 등의 스템 절연층(41)을 형성하고 그 상부에 LED 전원 공급을 위한 전극 배선층(42)을 형성한다. First, to form the conductive stem (40), the electrode wiring layer 42 for the LED power supply to form a stem insulating layer 41, such as on the upper ceramic thin film thereon in the present embodiment, as shown in Figure 4a. 이는 별도의 공정을 통해 제조하게 된다. This is prepared in a separate step. 본 실시예에서는 모든 LED를 병렬 구동하기 위한 배선이 형성되어 있으나 개별 LED를 구동하거나 소정의 조합으로 LED를 구동하기 위한 배선이 형성될 수도 있다. In the present embodiment, but is formed in the wiring for the parallel drive all LED may be a wiring to drive the LED by driving the individual LED, or any combination formed. 또한, 스템(40)이 부도체라면 스템 절연층(41)을 형성하지 않을 수도 있다. In addition, if the stem 40 is non-conductive and may not form a stem insulating layer 41.

그 다음, 도 4b에 도시한 바와 같이 상기 전극 배선층(42) 상의 서브 마운트 연결 부분에 접합을 위한 스템 솔더층(43)을 형성한다. Then, the system forms a solder layer 43 for the submount bonded to the connection portion on the electrode wiring layer 42 as shown in Figure 4b.

그 다음, 도 4c에 도시한 바와 같이 상기 스템 솔더층(43) 상부에 LED가 장착된 패키지(30)를 정렬한 후 열처리하여 접합을 실시한다. Then, by heat treatment and then aligned the package (30) LED is mounted on the stem upper solder layer 43, as shown in Figure 4c subjected to bonding.

상기 전극 배선층(42)의 형태에 따라 LED가 접합된 패키지(30)를 다양한 정렬 방식으로 부착할 수 있으므로 다양한 용도의 조명 장치를 형성할 수 있다. It is possible to attach the LED package, the bond 30 in accordance with the shape of the electrode wiring layer 42 in a variety of alignment to form a lighting device for a variety of uses.

특히 본 실시예는 LED의 발광 효율을 높이면서 인접한 LED 와의 광 간섭을 배제할 수 있는 패키지 구조를 가지고 있으므로 뛰어난 광 품질을 얻을 수 있으며, 본 발명에 따른 플립칩 본딩 구조를 구비하고 있으므로 단순하고 일괄적이며 신뢰성 있는 접합 방식으로 스템 상에 패키지를 장착할 수 있다. In particular, this embodiment is simple, so while increasing the luminous efficiency of the LED because it has a package structure that can eliminate the optical interference between the adjacent LED, and provide excellent optical quality, and a flip-chip bonding structure in accordance with the present invention and batch ever a reliable bonding method that can be incorporated into a package on a stem. 또한, 연결된 플립칩 본딩용 제 2전극이 LED 전극과 직접 연결되기 때문에 LED 구동시 발생되는 열을 빠르게 스템(40)에 전달할 수 있어 방열 효과가 뛰어나다. In addition, it is equipped with a second electrode connected to the flip-chip bonding can be passed to the stem 40 rapidly heat generated in the LED driving since the LED connected directly to the electrode is excellent in heat radiating effect.

전술한 바와 같이 본 발명은 LED 어레이로 이루어진 조명장치에서 플립칩 본딩이 가능하도록 패키지를 형성하기 위해 관통홀을 이용하는 다양한 구조가 적용될 수 있다. The present invention as described above may have a variety of structures using a through-hole to form a package to enable the flip-chip bonding in a lighting device consisting of a LED array to be applied.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명 다른 실시예의 제조 과정을 보이는 수순 단면도로서, 도 5a에 도시한 바와 같이 절연층(33)이 형성된 실리콘 기판(31) 상에 제 1전극층(34)을 먼저 형성한 후, 도 5b에 도시한 바와 같이 상기 실리콘 기판(31)을 후면 벌크 마이크로 머시닝 하여 관통홀을 형성하면서 상기 제 1전극(34)을 노출시키고 상기 실리콘 기판(31)의 후면에 플립칩 본딩을 위한 제 2 전극(36)을 형성된 관통홀의 적어도 일부까지 형성하여 상기 제 1전극(34)과 제 2전극(36)을 전기적으로 연결한다. Figure 5a to 5c are formed a first electrode layer 34 on the present invention as a procedure cross-sectional view showing the manufacturing process of another example, a silicon substrate 31, insulating layer 33 is formed as shown in Figure 5a, first after that, while forming a through hole in the silicon substrate 31, the back of the bulk micro-machining, as shown in Figure 5b the first electrode 34 is exposed and for the flip chip bonding to the back surface of the silicon substrate 31, the the formation to at least some of the through holes formed in the second electrode 36 to be electrically connected to the first electrode 34 and second electrode 36. 이와 같이 관통홀을 벌크 마이크로 머시닝 기법으로 형성하게 되면 공정이 용이해지며 비용이 감소하게 된다. When the through-holes as described above to form a bulk micromachining technique to process it becomes easy to thereby reduce cost.

상기와 같은 구조를 통해 기본적으로 상기 제 1전극(34)과 장착될 LED 전극을 연결할 수 있으며, 이는 상기 제 1전극(34)과 연결된 제 2전극(36)이 스템에 형성된 전극 배선과 접합되면서 상기 전극 배선을 통해 인가되는 전압을 LED 전극에 전달할 수 있게 된다. Through the structure as described above may be basically to connect the LED electrodes to be attached to the first electrode 34, which as the second electrode 36, the electrode wire and the junction formed at the stem connected to the first electrode 34 the voltage applied via the electrode wiring is possible to pass to the LED electrodes.

그 다음, 도 5c에 도시한 바와 같이 상기 각 전극들(34, 36)에 접합을 위한 솔더층(35)을 형성한다. Next, as shown in Figure 5c forming the solder layer 35 for bonding to the respective electrodes 34,36. 그리고, 도시되지는 않았지만, 패키지별로 상기 구조물을 절삭한 후 LED를 상기 제 1전극(34) 상에 솔더층(35)에 배치한 후 열처리하여 접합을 실시한다. And, not shown but is by then cutting the said structure by the package was placed on the solder layers 35 on the first electrode 34 and the LED heat treatment is performed to the bonding.

도 6은 상기 도 5a 내지 도 5c로 형성된 패키지를 전극 배선(42)이 형성된 스템(40)에 장착한 모습을 보인다. Figure 6 shows a state that mounting the package formed of the Fig. 5a-5c the electrode wiring system 40, 42 is formed. 이를 통해 다양한 용도의 조명장치를 형성할 수 있다. Through this it is possible to form the illumination device for a variety of uses.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명 또다른 실시예의 제조 과정을 보이는 수순 단면도로서, 도 7a에 도시한 바와 같이 절연층(33)이 형성된 실리콘 기판(31)의 하부 일부를 벌크 마이크로 머시닝 공정을 통해 제거하여 그루브를 형성한다. The present invention Figures 7a-7d still another exemplary procedure for cross-sectional view showing the manufacturing process, also removes a lower portion of the insulating layer a silicon substrate 31, 33 is formed as shown in 7a through bulk micromachining process, to form a groove.

그다음, 도 7b에 도시한 바와 같이 상기 형성된 그루브의 일부를 건식 식각하여 수직의 관통홀을 형성한다. Then, to form a through hole by dry etching in the vertical part of the groove so formed as shown in Figure 7b.

그 다음, 도 7c에 도시한 바와 같이 LED 전극이 형성될 부분과 상기 관통홀의 일부를 포함하는 제 1전극(34)을 형성한다. Then, a first electrode 34 including a part of the portion and the through hole be formed LED electrode as shown in Fig. 7c.

그리고, 도 7d에 도시한 바와 같이 상기 기판을 뒤집어 플립칩 본딩을 위한 부분과 상기 제 1전극이 형성된 관통홀을 포함하는 영역에 제 2전극(36)을 형성한 후 LED와 플립칩 본딩이 발생할 부분에 솔더층(36)을 형성한다. Then, the result in the flip the substrate, as described after the LED and the flip-chip bonding to form a second electrode 36 in the region containing the through-hole part and the first electrodes for the flip chip bonding as shown in Figure 7d and a part forming a solder layer 36. 이는 패키지(30)를 본 발명의 제 1실시예(도 3a내지 도 3g)에 따라 형성하는 방법과 유사한 공정을 통해 제조될 수 있다. This may be produced through a method of forming a package according to the embodiment 30, the first of the present invention (Fig. 3a to 3g) with a similar process.

도 8은 상기 도 7a 내지 도 7d로 형성된 패키지(30)를 전극 배선(42)이 형성된 스템(40)에 장착한 모습을 보인다. Figure 8 shows a state that the mounting stem 40 is formed, the electrode wire 42 package 30 formed in the Figures 7a-7d. 플립칩 본딩을 이용하여 빠르고 신뢰성 높은 외부 전원 접합이 이루어질 수 있다. By using a flip-chip bonding can be made fast and reliable external power supply junction. 상기와 같은 방법으로 다양한 구조로 LED 패키지(30)를 배치하면 다양한 용도의 조명장치를 형성할 수 있다. By placing the LED package 30 to a variety of structures in the same manner as described above it it is possible to form the illumination device for a variety of uses.

도 9a 내지 도 9c는 본 발명 또다른 실시예의 제조 과정을 보이는 수순 단면도로서, 도 9a에 도시한 바와 같이 절연층(33)이 형성된 실리콘 기판(31)의 하부나 상부 중 일부를 벌크 마이크로 머시닝 공정을 통해 제거하고, 그 반대편에 실리콘 기판(31)의 일부를 벌크 마이므로 머시닝 공정을 통해 제거하여 벌크 마이크로 머 시닝 공정 만으로 관통홀을 형성한다. Figures 9a through 9c is the invention of another embodiment obtained as a procedure cross-sectional view showing the step, the insulating layer 33, the lower or upper part of a bulk micromachining process of the silicon substrate 31 formed is, as shown in Figure 9a the removal from, and a part of the silicon substrate 31 on the other side, because the bulk Mai removed through a machining process to form through holes only by bulk micro Murray thinning process.

그 다음 도 9b에 도시한 바와 같이 상기 기판의 상부 일부와 관통홀을 적어도 일부 상에 제 1전극(34)을 형성한다. Then to form the first electrode 34 on at least a portion of the upper portion and the through hole of the substrate as shown in Figure 9b.

그리고, 도 9c에 도시한 바와 같이 상기 구조물를 뒤집어 상기 제 1전극층(34)과 적어도 일부에서 연결되며 외부 전극 배선과의 플립칩 본딩을 위한 패드를 제공하는 제 2전극(36)을 형성한 다음 상기 제 1전극(34)과 제 2전극(36) 상에 솔더층(35)을 형성한다. And, FIG flip above gujomulreul as shown in 9c and at least a connection part with the first electrode layer 34 to form a second electrode 36 to provide a pad for flip chip bonding of the external electrode wiring, and then the on the first electrode 34 and second electrode 36 to form a solder layer 35.

도 10은 상기 도 9a 내지 도 9c로 형성된 패키지(30)를 전극 배선(42)이 형성된 스템(40)에 장착한 모습을 보인다. Figure 10 shows a state that the mounting stem 40 is formed an electrode wiring 42 package 30 formed of the Figure 9a through 9c. 플립칩 본딩을 이용하여 빠르고 신뢰성 높은 외부 전원 접합이 이루어질 수 있다. By using a flip-chip bonding can be made fast and reliable external power supply junction. 상기와 같은 방법으로 다양한 구조로 LED 패키지(30)를 배치하면 다양한 용도의 조명장치를 형성할 수 있다. By placing the LED package 30 to a variety of structures in the same manner as described above it it is possible to form the illumination device for a variety of uses.

LED가 배치된 패키지를 정렬시켜 다양한 종류의 조명장치를 구현함에 있어, 전술한 바와 같이 플립칩 본딩이 가능하도록 서브 마운트 상하부 전극을 관통홀을 통해 연장시켜 구성함으로써 공정 시간과 신뢰성을 향상시키면서 구동시 발생하는 열을 효과적으로 발산시킬 수 있게 된다. Aligning the LED is disposed package in implementing various types of lighting device, while improving processing time and reliability, by forming the sub-mount the upper and lower electrodes to enable the flip-chip bonding to extend through the through-holes as described above when driving it is possible to effectively dissipate the heat generated. 따라서, 이러한 본 발명의 구성들은 표시소자용 백라이트를 비롯하여 단순 조명, 신호등, 차량의 표시 라이트 등 다양한 응용 분야에서 효과적으로 활용될 수 있다. Thus, this arrangement of the present invention can be effectively utilized in a variety of applications, including simple lights, traffic lights, vehicle lights, as well as the display backlight for the display element.

상기한 바와 같이 본 발명 발광 다이오드 조명장치 및 그 제조 방법은 실리콘 서브 마운트 상에 관통홀을 형성한 후, LED 전극과 연결되는 전극을 전면에 형성하고 플립칩 본딩을 위한 전극을 후면에 형성하면서 상기 관통홀을 통해 상기 전극들이 상호 연결되도록 하여 LED를 배치한 패키지를 LED 전원 제공을 위한 전극 배선이 형성된 스템에 접합할 수 있도록 함으로써, 공정 시간과 비용 및 신뢰성을 크게 높일 수 있으며, 스템과 LED 전극이 관통홀을 지나는 전극을 통해 직접 연결되므로 방열 효과가 크게 높아져 소자의 수명과 특성이 향상되는 효과가 있다. And forming an electrode for the present invention, the LED lighting device and a method of manufacturing a silicon sub-after forming the through hole on the mount, the electrode formation on the front and flip-chip bonding is connected to the LED electrode as described above, to the back the by making it possible to ensure that the electrodes are interconnected via the through-hole to bond the package placing the LED on the stem the electrode wiring for providing LED power is formed, which can significantly increase the process time and cost and reliability, the system and LED electrode is directly connected through the electrodes passes through the through-holes there is an effect that a heat radiation effect is improved greatly increases the life and characteristics of the device.

Claims (15)

  1. 다수의 발광 다이오드가 배치되는 발광 다이오드 조명장치에 있어서, In the plurality of light emitting diode light emitting diode lighting apparatus is disposed,
    절연층과, 상기 절연층 상에 위치하여 동일 평면 상에 다수의 발광 다이오드에 전원을 공급하기 위한 전극 배선층과, 상기 전극 배선층 상에 위치하는 솔더층을 포함하는 스템과; Insulating layer and the insulating electrode for supplying power to the plurality of light emitting diodes in the same plane located on the layer and the wiring layer, the system comprising a solder layer disposed on the electrode wiring layer and;
    실리콘 기판으로 형성되며, 발광 다이오드 장착 부분에 그루브가 위치하고, 상기 발광 다이오드 전극과 연결되기 위해 기판 전면에 형성된 제 1전극과 상기 기판 후면에 형성된 제 2전극이 상기 그루브 내부에 위치하는 관통홀을 통하여 서로 연결되며, 상기 제 2전극을 이용하여 상기 스템 상의 전원 배선과 연결되는 서브 마운트와; Is formed in a silicon substrate, a groove is located in the mounting portion a light emitting diode, a second electrode formed on the first electrode and the substrate back side is formed over the entire surface of the substrate to be connected to the LED electrode through a through hole which is located within the groove are connected to each other, the second electrode sub-mount is connected to the power wiring on the stem by using the;
    상기 서브 마운트의 제 1전극 상에 접합되는 발광 다이오드를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치. The LED lighting device being configured to include a light emitting diode bonded to the first electrode of the sub-mount.
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  3. 제 1항에 있어서, 상기 서브 마운트의 그루브 내부에는 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치. The method of claim 1, wherein the light emitting diode lighting device further comprises a reflective layer inside the groove of the sub-mount.
  4. 제 1항에 있어서, 실리콘 서브 마운트 하측면에 그루브가 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치. The method of claim 1, wherein the LED lighting apparatus characterized in that the grooves are located on the silicon submount and the side.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 그루브 상에는 상기 제2전극이 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치. The method of claim 4, wherein the LED illumination apparatus, characterized in that the second electrode is located on said groove.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 관통홀은 수직이 아닌 경사면을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명장치. The method of claim 1, wherein the through hole is a light emitting diode illumination device, characterized in that the inclined surface has a non-vertical.
  7. 실리콘 기판에 절연층을 형성하는 단계와; Forming an insulating layer on a silicon substrate;
    상기 실리콘 기판의 하측면에 그루브를 형성하는 단계와; Forming a groove in the lower surface of the silicon substrate;
    상기 기판의 전면과 후면을 관통하는 적어도 하나 이상의 관통홀을 형성하는 단계와; Forming a through hole penetrating through at least one or more the front and back of the substrate;
    상기 기판의 전면의 절연층 상에 발광 다이오드의 전극과 연결되는 제 1전극을 형성하는 단계와; Forming a first electrode connected to the electrode of the LED on the front surface of the insulating layer of the substrate;
    상기 기판의 후면에 상기 제 1전극과 상기 관통홀을 통하여 연결되는 제 2전극을 형성하는 단계와; Forming a second electrode connected via the first electrode and the through-hole on the rear surface of the substrate;
    상기 기판의 분리영역을 절삭하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. The method of the LED package, characterized in that comprises the step of cutting the separating region of the substrate.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 그루브를 형성하는 단계는, 벌크 마이크로 머시닝 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. The method of claim 7, wherein forming the groove, the method of manufacturing an LED package, characterized in that using a bulk micromachining process.
  9. 삭제 delete
  10. 발광 다이오드 패키지의 제조방법에 있어서, In the manufacturing method of the LED package,
    실리콘 기판에 절연층을 형성하는 단계와; Forming an insulating layer on a silicon substrate;
    상기 발광 다이오드가 장착되는 부분의 양측에, 식각에 의하여 경사진 관통홀을 형성하는 단계와; Further comprising: at both sides of the portion to which the light-emitting diode is mounted, forming an inclined through-holes by etching with;
    상기 기판의 전면의 절연층 상에 발광 다이오드의 전극과 연결되는 제 1전극을 형성하는 단계와; Forming a first electrode connected to the electrode of the LED on the front surface of the insulating layer of the substrate;
    상기 기판의 후면에 상기 제 1전극과 상기 관통홀을 통하여 연결되는 제 2전극을 형성하는 단계와; Forming a second electrode connected via the first electrode and the through-hole on the rear surface of the substrate;
    상기 기판의 분리영역을 절삭하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. The method of the LED package, characterized in that comprises the step of cutting the separating region of the substrate.
  11. 삭제 delete
  12. 제 10항에 있어서, 상기 실리콘 기판에 절연층을 형성하는 단계 이전에는, 상기 발광 다이오드가 장착될 부분에 그루브를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법. 11. The method of claim 10, wherein in the previous step of forming an insulating layer on the silicon substrate, the manufacturing method of the LED package according to claim 1, further comprising forming a groove in the portion to be a light emitting diode mounted.
  13. 발광 다이오드 패키지에 있어서, In the LED package,
    발광 다이오드가 장착되는 그루브가 형성되며, 실리콘으로 이루어지는 기판과; Is formed with a groove that the light-emitting diode is mounted, a substrate made of silicon and;
    상기 그루브 내측에서 기판을 관통하여 형성되며, 적어도 일부분에서 경사면을 가지는 관통홀과; It is formed through the substrate in the inner groove, and a through-hole having an inclined surface in at least a portion;
    상기 기판의 외측면 중 적어도 일면에 형성되는 절연층과; Insulating layer formed on at least one side of the outer surface of the substrate;
    상기 관통홀을 통하여 상기 기판의 상면과 하면을 연결하여 형성되는 한 쌍의 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. LED package, characterized in that via the through-hole is configured by a pair of electrodes formed by connecting the top and bottom surfaces of the substrate.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 전극은 상기 절연층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. The method of claim 13, wherein the electrode is a light emitting diode package, characterized in that formed on the insulating layer.
  15. 삭제 delete
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