KR100851353B1 - 아크 억제 장치 및 교류 전압 가스 방전 여기 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 아크 억제 디바이스(18) 및 아크 억제 디바이스(18)를 제어하는 아크 식별 장치(22)를 가지고 교류 전압, 특히 MF 교류 전압에서 동작하는 가스 방전 장치(5)에서 아크를 소멸시키기 위한 아크 억제 장치(23.1)에 관한 것으로서, 상기 아크 억제 디바이스(18)는 교류 전압원으로부터 가스 방전 장치(5)의 전극(3)으로 연장되는 전기 라인(17)에 직렬로 연결된 하나 이상의 조절 저항을 가진다. 이로써 아크에 에너지가 제공되는 것을 막을 수 있다.

Description

아크 억제 장치 및 교류 전압 가스 방전 여기 장치{ARC SUPPRESSION ARRANGEMENT AND ALTERNATING VOLTAGE GAS DISCHARGE EXCITATION ARRANGEMENT}

도 1a는 가스 방전 챔버에 연결된 교류 전압 가스 방전 여기 장치의 제1 구성도이다.

도 1b는 교류 전압 가스 방전 여기 장치의 대체 구성도이다.

도 2는 아크 억제 장치의 제1 실시예도이다.

도 3은 아크 억제 장치의 제2 실시예도이다.

도 4는 아크 억제 장치의 제3 실시예도이다.

본 발명은 교류 전압, 특히 MF 교류 전압으로 동작하는 가스 방전 장치에서 아크를 소멸시키기 위한 아크 억제 장치에 관한 것으로서, 아크 억제 장치는 아크 억제 디바이스 및 교류 전압 가스 방전 여기 장치를 가진다.

교류 전압 가스 방전 여기 장치의 불가결한 요소일 수 있는 진공 플라스마 발생기는 다른 전력 분류와 다른 출력 신호 형태로 알려져 있다.

진공 유리 코팅에서, 예를 들어, 중파(medium frequency(MF)) 발생기는 30 내지 300 KW사이의 전력 수준에서 MF 출력 신호를 가지도록 사용된다. MF 신호는 대체로 10kHz 내지 500 kHz 사이의 주파수를 가지는 사인파 신호이다. 출력 전압은 100 V 내지 1000 V 이상일 수 있다. 플라스마를 점화하기 위해서, 전압은 종종 일반 동작시보다 더 높아야 한다.

플라스마에서, 소위 아크라고 불리는 간결하고 또한 오래 지속되는 스파크는 바람직하지 않게 생겨날 수 있다. 아크는 일반적으로 특히 발생기의 출력부 또는 다른 지점에서 전압의 중단 또는 강하 및 전류의 증가에 의해 식별된다. 만약 이러한 형태의 아크가 식별되면, 가능한 한 빨리 소멸시키거나 또는 최고치에 도달하지 못하도록 하여야 한다. 이미 이것을 위한 다수의 제안들이 있다. 예를 들어, 독일 특허 제41 27 505 C2호를 참조. 이 특허에서, 교류 전류 발생기의 출력은 아크가 식별될 때 단락이 일어난다. 이것은 저전력 MF 발생기에서는 완전히 적절한 방법이다. 전력 수준이 더 높아질수록, 전압도 높아지고 따라서 전류도 높아져 스위치는 단락이 되어야만 한다. 이것은 고가의 대형 부품을 필요로 한다. 극단적인 경우에, 부품들은 높은 전압과 전류를 스위치할 수 있도록 직렬 또는 병렬 회로로 연결되어야만 한다. 아크가 발생할 때, MF 발생기는 가스 방전 프로세스에서 가능한 한 적은 잔류 에너지를 공급하는 것이 특히 중요하다. 특히 이것은 평면 패널 디스플레이(FPD) 생산을 위한 MF 프로세스에서 요구된다. 이 예에서, 아크는 픽셀 에러를 발생시킬 수 있고, 단일 픽셀 에러는 큰 표면적의 질에 심각한 영향을 줄 수 있고(예를 들어, TFT 모니터에), 결과적으로 비교적 높은 수준의 손상을 줄 수 있다. 만약 아크가 일어나면, 가능한 한 빨리 식별되어야만 하고, 중단되어야만 하고 많은 양의 잔류 에너지가 아크로 유입해서는 안 된다.

아크가 식별될 때, 발생기의 출력 발진 회로 속으로 더 에너지가 유입되지 않기 위해 발생기 또는 발생기의 일부분을 끄거나 조절해야 한다는 것이 알려져 있다. 이 절차는 FPD 생산을 위해서는 충분하지 않다. 왜냐하면 제공될 수 있는 출력 발진 회로 및 발생기 출력 변환기의 인덕터와 실질적으로 플라스마에서만 변환되고(가스 방전 프로세스) 결과적으로 대부분 아크 자체로 변환되는 공급 라인에는 여전히 너무 많은 잔류 에너지가 존재하기 때문이다.

본 발명의 목적은 가스 방전 프로세스에서 아크를 효과적으로 소멸하거나 또는 억제할 수 있도록 아크 억제 장치를 제공하기 위한 것이다.

이 목적은 도입부에서 언급된 형태의 아크 억제 장치에 의한 발명에 따라 얻어질 수 있고 상기 아크 억제 디바이스는 교류 전압원으로부터 가스 방전 장치의 전극으로 확장하는 전기 라인에 직렬로 연결되는 하나 이상의 조절 저항을 가진다. 전기 라인은 교류 전압 발생기와 교류 전압 발생기 또는 가스 방전 장치에서의 가스 방전 장치 사이에서 어떤 형태의 전기적인 도전성 연결일 수 있다. 아크 억제 디바이스를 조절하는 아크 식별 장치가 양호하게 제공된다. 조절 저항은 일반 동작시에는 낮은 저항값을 가지고 아크가 식별될 때는 높은 저항값을 가지는 방식으로 조절될 수 있다. 높은 저항값에서, 출력 진동 회로, 출력 변환기의 인덕터, 및 가스 방전 프로세스, 특히 가스 방전 챔버의 전극에의 공급 라인의 인덕터에 저장된 잔여 에너지는 소비될 수 있고 특히 열로 변환되고 따라서 가스 방전 챔버로부터 사라진다. 독일 특허 제41 27 505 C2호에 따른 (병렬) 단락 연결은 전력을 소비하 지 않기 때문에, 가스 방전 챔버에서 아크로부터 제품을 효과적으로 보호하기에는 충분치 않다. 닫힌 스위치의 전압이 낮아서 특히 0V에 가까울 때는 높은 전류가 흐르더라도 전력이 거의 소비되지 않고 그것은 즉 대부분의 잔류 에너지가 매우 바람직하지 않게 플라스마 및 아크에서 소비된다는 것을 말한다. 이것은 본 발명에 따른 장치에 의해서 방지할 수 있다.

상기 언급한 바와 같이, 아크가 일어날 때보다 아크가 없이 동작할 때 더 낮은 저항값을 가지도록 조절 저항을 가지는 이점이 있다. 이것은 일반 동작 동안은 조절 저항에서 오직 작은 양의 전력이 소비되고 아크가 일어났을 때 높은 수준의 전력이 소비되어 가스 방전 챔버로부터 사라진다는 것을 의미한다. 아크는 그러므로 더이상 에너지와 함께 공급되지 않고 따라서 소멸하거나 또는 최대 수준에 도달하지 않을 수 있다.

조절 저항은 아크가 없는 동안은 1Ω 이하, 특히 0.1Ω 이하의 저항값을 가지고 아크가 식별될 때는 100kΩ 이상, 특히 1 MΩ 이상을 가지는 것이 바람직하다. 조절 저항은 아크가 식별될 때 낮은 저항값에서 높은 저항값으로 변화하는 방식으로 조절된다. 전이 구간 동안, 발생기의 출력 발진 회로로부터 에너지는 소비된다. 잔류 에너지는 MF 발생기에 남아 있다.

낮은 저항값에서 높은 저항값으로의 전이는 필수적으로 조절 신호에 1차 또는 선형으로 일어나야만 하는 것은 아니고 예를 들어 처음에는 천천히 나중에는 급격하게 높은 저항값으로 증가하는 것처럼 비선형으로도 변할 수 있다. 만약 예를 들어 아크가 일어날 때 저항이 대략 2Ω이면, 일반 동작 중에 0.1Ω 보다 작은 저 항값을 가지는 조절 저항은 먼저 2Ω이 들어있는 범위(예를 들어 1-5Ω)의 값으로 몇 μs동안 조절될 수 있다. 그러면 에너지는 아크와 조절 저항기 사이에서 분할되고 에너지의 많은 부분은 스위치에서 소비되어 가스 방전으로부터 사라진다.

조절 저항을 가능한 한 빨리 0.1 Ω 이하로부터 1MΩ 이상으로 변환하고 이러한 방법으로 전류 흐름을 억제하는 것이 또한 이점이다. 하지만, 예를 들어 출력 발진 회로와 공급 라인의 인덕터는 전류의 흐름을 유지하도록 한다. 인덕터를 통해 흐르는 전류는 갑자기 차단될 수 없다는 것이 알려져 있다. 인덕터를 가지는 전류 루프에 차단 스위치를 설치하려는 시도는 스위치를 오픈했을 때 과도한 전압 상승을 불러 일으킬 수 있고 극단적으로는 항상 차단 스위치에 스파크가 일어나게 할 수 있다. 대체로, 출력 발진 회로의 전류는 거기에 남고 그 위치에서 사라질 수 있다.; 그 자체로 반드시 조절 저항 양단간에 전압의 상승을 유발하지는 않는다. 하지만, 공급 라인 인덕터는 흐르는 전류를 소모할 가능성은 없고 따라서 조절 저항은 열린 스위치에 적합하다.

조절 저항은 또한 반드시 전압 또는 전류와 선형적은 아니다. 예를 들어 낮은 임피던스 상태에서 전류와 독립적으로 일정한 전압 강하를 가질 수 있다.

양호한 구성에서, 적어도 하나의 조절 저항은 병렬로 연결된 다이오드를 가지는 트랜지스터, 특히 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)를 포함한다. 트랜지스터 특히 IGBT를 사용하여, 조절 저항은 특히 간단한 방법으로 생산될 수 있다.

아크 억제 디바이스는 양호하게 두 반대로 연결된 트랜지스터, 특히 IGBT를 가지고, 트랜지스터들은 직렬로 연결되고 각각은 병렬로 연결된 다이오드를 가진다. 이 장치는 본 발명에서 조절 저항으로 이해된다. 일반 동작 중에 다시 말해 아크가 없는 동안은 양 트랜지스터는 닫혀있고 그러므로 도전성이다. 아크가 식별되면 양 트랜지스터는 열린다. 트랜지스터들은 반대로 연결되어 있기 때문에, 조절 저항은 도전성으로 조절될 수 있고 교류 전압의 양 반파, 즉 두 반대 전류 흐름 방향으로 전환된다. IGBT는 높은 방해 전압을 견디고 높은 전류로 변화할 수 있는 이점이 있다. IGBT의 전환 손실은 본 적용에서 소비된 에너지가 가스 방전 프로세스에 미치지 않기 때문에 특히 이점이 된다.

전술한 동작 방법의 경우, 트랜지스터의 도전 방향과 반대인(역평행) 도전 방향으로 트랜지스터에 병렬로 연결되는 다이오드는 이점이 있다. 각 IGBT는 닫힌 낮은 임피던스 상태에서 각각 한 방향으로 전류를 도통한다. 스위치 온 상태를 차단하는 IGBT의 방향으로 다이오드는 전류를 흐르게 한다. 전류는 제1 트랜지스터와 제2 트랜지스터의 역평행 다이오드를 통해서 한 방향으로 흐르고 따라서 제2 트랜지스터와 제1 트랜지스터의 역평행 다이오드를 통해서 다른 방향으로 흐른다.

적어도 하나의 전압 제한 회로, 특히 제어 저항 또는 거기에 포함된 트랜지스터에 적용되는 전압을 제한하기 위한 회로를 가지는 아크 억제 장치는 특히 바람직하다. 이 수단에 의해, 조절 저항 또는 거기에 포함된 트랜지스터와 같은 반도체 요소는 전압에 의하여 과부하되는 것을 막을 수 있다. 아크가 식별될 때, 조절 저항의 저항값은 갑자기 증가하고, 예를 들어 거기에 포함된 트랜지스터에서 스위치는 열린다. 가스 방전 챔버 또는 발생기의 출력 변환기에 공급 라인의 인덕터에 의해 유발되는 전류는 조절 저항에 높은 전압을 발생한다. 전압 제한은 조절 저항 또는 거기에 포함된 스위치에 작용하여 스위치는 적어도 부분적으로 다시 도전성으로 만들어지고, 다시 말해서, 조절 저항의 저항값은 다시 감소하고 그 값은 양호하게 높은 임피던스로 유지된다.

전압은 조절된 저항 양단에 가해지고 전류가 흐른다. 그에 따라 열이 발생되고 전력이 소비된다. 열로 변환되는 전력은 가스 방전 프로세스에 도달하지 않는다. 따라서 눈에 띄게 줄어든 에너지가 아크에 공급되고 따라서 그것은 억제되거나 또는 소멸한다. 잔류 에너지는 발생기의 발진 회로에서 진동한다. 이러한 맥락에서, 조절 저항 또는 필수 요소들은 특히 수냉식으로 냉각되는 것이 좋다.

본 발명에 따른 아크 억제 장치는 특히 만약 전압 제한 회로가 각 트랜지스터에 결합되었다면 효과적이다. 반대로 연결된 트랜지스터가 직렬로 연결되었기 때문에, 각각 다른 전압으로 연결되어 있다. 과도한 전압으로부터 각 트랜지스터를 효과적으로 보호하기 위해서, 각 트랜지스터가 각각 전압 제한 회로를 갖는 것이 유리하다. 상기 트랜지스터들은 그렇게 함으로써 특히 잘 보호된다.

전압 제한 회로의 특히 간단한 구성은 만약 적어도 하나의 다이오드, 양호하게는 직렬로 연결된 복수개의 다이오드를 가지면 만들어진다.

전압 제한 회로의 다이오드들은 양호하게는 고속의 제너 다이오드(fast z-diode)로 구성되고, 이러한 타입의 제너 다이오드는 (SGS 톰슨사에 의해 상표 등록된) 트랜실(Transil) 다이오드로 구성된다.

특히 양호한 구성에서, 적어도 하나의 조절 연결 장치는 다른 전극에 확장되 는 두 라인 사이에 배치된다. 연결 장치 때문에, 잔류 에너지가 제거될 수 있도록 라인들 사이에서 단락 회로가 만들어진다. 잔류 에너지는 결과적으로 가스 방전 프로세스가 아닌 보충 회로에서 소비될 수 있다. 조절 연결 장치는 양호하게 아크 제어 디바이스의 양측에서 제공된다. 연결 장치는 아크 식별 장치에 의해 조절될 수 있다.

조절 연결 장치는 적어도 하나의 트랜지스터로 구성할 수 있다. 트랜지스터는 조절 가능하고 따라서 단락 회로가 생산될 수 있다. 하지만 유리하게 연결 장치는 예를 들어 저항과 같은 부가 요소들을 포함하는 것이 좋은 데, 연결 장치에서 가능한 한 많은 잔여 에너지가 소비될 수 있도록 열이 발생될 수 있다.

또한, 교류 전압 발생기, 특히 MF 발생기 및 상기 묘사된 아크 억제 장치를 포함하는 교류 전압 가스 방전 여기 장치는 본 발명의 범위 내에 포함한다. 아크 억제 장치는 완전히 또는 부분적으로 교류 전압 발생기 내에 배치될 수 있다. 아크 식별 장치는 교류 전압 발생기 내에 배치되고 아크 억제 디바이스는 교류 전압 발생기 외부에 배치되는 것을 상상할 수 있다. 특히, 아크 억제 디바이스는 발생기로부터 가스 방전 장치에 공급 라인의 하나에 배치될 수 있다. 아크 억제 디바이스는 가스 방전 장치의 연결부 근처에 배치되는 것도 더 상상할 수 있다. 하지만, 모든 요소들은 바람직하게는 교류 전압 발생기, 특히 MF 발생기에 배치되어 교류 전압 발생기는 교류 전압 가스 방전 여기 장치에 대응할 수 있다.

양호한 구성에서, 교류 전압 발생기는 전압 변환기 및 아크 식별 장치에 연결된 전압 변환기 제어 시스템을 포함한다. 그러므로 아크가 식별될 때 아크 억제 디바이스의 조절 이외에 아크의 발생을 전압 변환기 제어 시스템에 알려 주어 교류 전압 발생기의 출력 진동 회로에 가능한 한 적은 에너지가 제공되는 방식으로 전압 변환기를 제어할 수 있게 할 수 있다. 이러한 방식으로, 아크가 발생할 때 에너지 또는 전력을 가스 방전 프로세스에 가까이하지 못하도록 하는 것이 더 효과적으로 실행되도록 할 수 있다.

만약 전압 변환기가 출력 진동 회로에 연결된다면, 교류 전압은 특히 간단한 방법으로 발생기로부터 발생할 수 있다.

본 발명의 양호한 실시예들은 도면에 도시되어 있고 도면을 참조하여 더 자세하게 설명될 것이다.

본 발명의 또 다른 특징과 이점들은 도면을 참조한 본 발명의 실시예에 대한 이하 설명에 의해 올바르게 인식될 것이다. 개개의 특징들은 각각 구체화거나 또는 본 발명의 다양한 조합에 의해 구현될 수 있다.

도 1a는 공급 장치(2)에 의해서 가스 방전 장치(5)의 전극(3, 4), 특히 플라스마 설비에 연결된 교류 전압 가스 방전 여기 장치(1)를 도시한다. 전극(3, 4)은 공작물(6)이 프로세스되는 진공 챔버에 배치된다.

교류 전압 가스 방전 여기 장치(1)는 전력 공급 연결부(8)를 가지는 교류 전압 발생기(7.1)를 포함한다. 전력 공급 정류기(9)는 전력 공급 연결부(8)에 연결되고 예를 들면 DC/DC 변환기와 같은 부가적인 구조 요소를 가질 수 있다. 전압 변환기(10)는 전력 공급 정류기(9)의 아랫부분에 배치되고 브릿지 회로(11)를 가진다. 출력 발진 회로(12)는 전압 변환기(10)에 의해 제어된다. 전압 변환기(10)의 출력 신호는 전압 변환기(10)를 제어하는 전압 변환기 제어 시스템(13)에 의해 조정된다. 전압 변환기(10)와 출력 발진 회로(12)는 교류 전압원으로 고려될 수 있다.

출력 발진 회로(12)는 커패시터(14)와 출력 변환기(16)의 손실 인덕터(15)를 포함한다. 출력 변환기(16)를 사용하여, 갈바닉 분리(galvanic isolation)가 실행될 수 있다. 또한, 전압을 조정하기 위해 사용될 수 있다. 아크 억제 디바이스(18)는 가스 방전 장치(5)의 전극(3)에 확장되는 전기 라인(17)에 직렬로 연결된다. 일반 동작 중에, MF 교류 전압은 전기 라인(17, 19) 과 교류 전압 발생기(7.1)의 출력 연결부(20) 사이에 가해진다.

만약 아크가 가스 방전 장치(5)의 가스 방전 챔버에서 생산되면, 이것은 교류 전류 발생기(7.1)에서 전류 또는 전압 또는 출력에 작용한다. 하나 이상의 이 값들은 예를 들면 전압 변환기(10)와 출력 진동 회로(12) 사이에 배치된 측정 장치(21)에 의해 측정될 수 있다. 하지만, 측정 장치(21)는 또한 교류 전압 발생기(7.1) 내에 다른 장소에 또는 가스 방전 장치에 배치될 수도 있다.

측정 장치(21)에 의해 측정된 값들에 기초하여, 아크 식별 장치(22)는 아크가 일어날 것인지 또는 생산되고 있는지 결정할 수 있다. 아크 식별 장치(22)는 아크 억제 디바이스(18)와 마찬가지로 아크 억제 장치(23.1)의 부분이다. 아크 식별 장치(22)는 전압 변환 제어 시스템(13)에 더 연결되어 있다. 아크 억제 디바이스(18)는 일반 동작 동안 가장 낮은 저항값을 나타내고 아크가 식별되면 높은 저항값을 나타내게 되어 교류 전압 발생기(7.1)에서 발생하는 전력이 아크 억제 디바이 스(18)에서 소비되고 가스 방전 장치(5)에 공급되지 않도록 하는 방식으로 조절되는 하나 이상의 조절 저항을 가진다.

도 1b는 아크 억제 장치(23.2)가 교류 전압 발생기(7.2) 외부에 배치되는 차이점이 있고 실질적으로 도 1a에 대응한다. 이것은 아크 억제 디바이스(18)는 가스 방전 장치(5)에 공급 라인(2)의 하나에 배치된다는 것을 의미한다.

도 2는 아크 억제 장치(23.3)의 구성을 도시한다. 아크 억제 장치(23.3)는 직렬로 연결되고 IGBT로 구성되고 조절 저항을 구성하는 반대로 연결된 두 개의 트랜지스터(30, 31)를 포함한다. 다이오드(32, 33)는 트랜지스터(30, 31)에 병렬로 각각 연결되고 다이오드(32, 33)는 각 트랜지스터(30, 31)의 그것에 반대인 도전 방향으로 배치된다. 트랜지스터(30, 31)는 아크 식별 장치(22)에 의해 조절된다.

도 2는 또한 각 트랜지스터에 대해, 두 개의 제너 다이오드(36.1, 37.1, 36.2, 37.2)를 각각 포함하는 전압 제한 회로(35.1, 35.2)를 도시한다. 정상 동작 중에, 트랜지스터(30, 31)는 도전 방식으로 연결된다. 이것은 전류 흐름이 트랜지스터(30) 및 화살표(38) 방향으로 다이오드(33)를 통하여 생성되고 전류 흐름이 트랜지스터(31) 및 화살표(39) 방향으로 다이오드(32)를 통하여 생성된다는 것을 의미한다. 요소들이 양 방향(38, 39)에서 도전 방식으로 연결될 수 있고 그럼에도 불구하고 조절 저항으로써 작동될 수 있도록 되자마자, 양 트랜지스터(30, 31)는 단일 요소로 교체될 수 있다.

만약 아크가 식별되면, 아크 식별 시스템(22)은 그것들이 열리는 방식으로 트랜지스터(30, 31)를 제어한다. 화살표(38)의 방향 또는 화살표(39)의 방향에서 전류의 흐름은 더이상 가능하지 않다. 하지만, 전압 제한 회로(35)가 미리 예정된 값을 초과하는 전압을 결정하자마자, 트랜지스터(30, 31)는 다시 도전 상태로 전환되어 트랜지스터(30, 31)를 통하여 가해지는 높은 전압에 더하여 아크가 식별될 때, 전류가 흐르고 전력이 소비된다.

도 3의 아크 억제 장치(23.4)의 실시예에서, 갈바닉 분리 장치(40, 41)는 아크 식별 장치(22)와 트랜지스터(30, 31) 사이에 각각 연결되어 있다. 그로써, 트랜지스터(30, 31)가 아크가 식별될 때 연결부(42, 43)와 다른 전압으로 각각 연결된다는 사실이 고려된다.

도 4와 관련된 설명에 있어서, 선택적인 조절 연결 장치(50, 51)는 아크 억제 디바이스(18)의 양측에 부가적으로 배치되고, 그것에 의해 교류 전압(U)이 발생기 면에 가해지는 라인(17, 19)이 특히 단락 회로 상태로 연결될 수가 있다. 이 때문에, 연결 장치(50, 51)는 트랜지스터로써 구성되는 스위칭 요소(52, 53)를 가진다. 저항(54, 55)은 실시예에서 스위칭 요소(52, 53)에 직렬로 연결되어 전력은 전류가 연결 장치(50, 51)를 통하여 흐를 때 저항(54, 55)에서 소비되도록 한다. 진동 회로(12), 출력 변환기(16) 또는 라인의 인덕터(17, 19)에 저장된 잔류 에너지는 변환되거나 또는 소비될 수 있다.

아크가 일어날 때보다 아크가 없이 동작할 때 더 낮은 저항값을 가지도록 조절 저항을 가지는 이점이 있다. 이것은 정상 동작 동안은 조절 저항에서 오직 작은 양의 전력이 소비되고 아크가 일어났을 때 높은 수준의 전력이 소비되어 가스 방전 챔버로부터 사라진다는 것을 의미한다. 아크는 그러므로 더이상 에너지와 함께 공급되지 않고 따라서 소멸하거나 또는 최대 수준에 도달하지 않을 수 있다.

Claims (20)

1. 교류 전압(U)으로 동작하는 가스 방전 장치(5)에서 아크들을 소멸시키기 위한 아크 억제 장치(23.1, 23.2, 23.3, 23.4)로서, 아크 억제 디바이스(18, 18.3)를 포함하고, 상기 아크 억제 디바이스(18, 18.3)는 교류 전압원으로부터 상기 가스 방전 장치(5)의 전극(3)으로 연장하는 전기 라인(17)에 직렬로 연결되는 하나 이상의 조절 저항을 가지며, 상기 하나 이상의 조절 저항은 아크 발생이 없는(arc free) 동작 동안에 아크 발생시의 저항값보다 더 낮은 저항값을 갖는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 아크 억제 디바이스(18, 18.3)를 조절하는 아크 식별 장치(22)가 제공되는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 조절 저항은 아크 발생이 없는 동작 동안은 1Ω보다 작은 저항값을 갖고, 아크가 식별될 때는 100kΩ보다 큰 저항값을 갖는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 하나 이상의 조절 저항은 병렬로 연결된 다이오드(32, 33)를 가진 트랜지스터(30, 31)를 포함하는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아크 억제 디바이스(18, 18.3)는 두 개의 반대로 연결된 트랜지스터(30, 31)를 가지며, 상기 두 개의 반대로 연결된 트랜지스터는 직렬로 연결되고, 각각 병렬로 연결되는 다이오드(32, 33)를 갖는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
6. 제4항에 있어서, 상기 트랜지스터(30, 31)에 각각 병렬로 연결되어 있는 상기 다이오드(32, 33)는 상기 트랜지스터(30, 31)의 도전 방향과 반대인 도전 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아크 억제 장치(23.1, 23.2, 23.3, 23.4)는 하나 이상의 전압 제한 회로(35, 35.1, 35.2)를 갖는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
8. 제4항에 있어서, 상기 각 트랜지스터(30, 31)에 결합되는 전압 제한 회로(35, 35.1, 35.2)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
9. 제7항에 있어서, 상기 하나 이상의 전압 제한 회로(35, 35.1, 35.2)는 하나 이상의 다이오드(36.1, 37.1, 36.2, 37.2) 또는 직렬로 연결된 복수의 다이오드들을 갖는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
10. 제9항에 있어서, 상기 하나 이상의 전압 제한 회로(35, 35.1, 35.2)의 상기 다이오드(36.1, 37.1, 36.2, 37.2)는 제너 다이오드로서 구성되는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
11. 삭제
12. 삭제
13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 다른 전극들(3, 4)에 연장되는 두 라인들(17, 19) 사이에 배치되는 하나 이상의 조절 연결 장치(50, 51)를 더 포함하며, 상기 하나 이상의 조절 연결 장치(50, 51)는 하나 이상의 트랜지스터(52, 53)를 갖는 것인 아크 억제 장치.
14. 교류 전압 가스 방전 여기 장치(1)로서, 교류 전압 발생기(7.1, 7.2)와, 제1항 또는 제2항에 따른 아크 억제 장치(23.1, 23.2, 23.3, 23.4)를 포함하고, 상기 교류 전압 발생기(7.1, 7.2)는 브릿지 회로를 포함하는 전압 변환기(10), 및 아크 식별 장치(22)에 연결되는 전압 변환기 제어 시스템(13)을 갖는 교류 전압 가스 방전 여기 장치.
15. 제14항에 있어서, 상기 전압 변환기(10)는 출력 발진 회로(12)에 연결되는 것을 특징으로 하는 교류 전압 가스 방전 여기 장치.
16. 제15항에 있어서, 상기 전압 변환기 제어 시스템(13)은 아크가 상기 아크 식별 장치(22)에 의해서 식별될 때 상기 전압 변환기(10)가 상기 출력 발진 회로(12)에 에너지를 제공하지 않는 방식으로 상기 전압 변환기(10)를 제어하는 것을 특징으로 하는 교류 전압 가스 방전 여기 장치.
17. 제5항에 있어서, 상기 트랜지스터(30, 31)에 각각 병렬로 연결되어 있는 상기 다이오드(32, 33)는 상기 트랜지스터(30, 31)의 도전 방향과 반대인 도전 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
18. 제8항에 있어서, 상기 전압 제한 회로(35, 35.1, 35.2)는 하나 이상의 다이오드(36.1, 37.1, 36.2, 37.2) 또는 직렬로 연결된 복수의 다이오드들을 갖는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
19. 제18항에 있어서, 상기 전압 제한 회로(35, 35.1, 35.2)의 상기 다이오드(36.1, 37.1, 36.2, 37.2)는 제너 다이오드로서 구성되는 것을 특징으로 하는 아크 억제 장치.
20. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아크 억제 디바이스(18, 18.3)의 양측에 각각 제공되는 조절 연결 장치(50, 51)를 더 포함하며, 상기 조절 연결 장치(50, 51)는 하나 이상의 트랜지스터(52, 53)를 갖는 것인 아크 억제 장치.

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