KR100851229B1 - 양극의 부동태화를 방지할 수 있는 아연-코발트-텅스텐합금전기도금용액 - Google Patents

Abstract

아연양극 표면에 부동태 피막발생을 방지할 수 있는 도금용액에 관한 것으로,

염화아연이 60~200g/l, 염화코발트 0.1~6g/l, 텅스텐 0.1~4g/l, 구연산 0.1~ 10g/l, 염화칼륨, 염화암모늄 및 염화나트륨으로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 최소 하나의 전도보조제 30~400g/l, 분자량이 100~ 2000인 폴리에틸렌 글리콜 0.1~ 2ml/l, 에틸렌디아민테트라아세트산 또는 그 염 0.5 ~ 5g/l로 구성되고 pH 3~6 인 아연-코발트-텅스텐 합금 전기도금용액이 제공된다. 가용성 아연양극을 사용하는 도금설비에서도 아연양극 표면에 부통태피막의 생성을 방지하여 도금강판 표면에 스크레치등의 문제를 유발하지 않고 또한 부동태 피막이 도금용액중에 부유하면서 각종 노즐을 막는 문제가 해결되므로서 표면품질이 우수한 Zn-Co-W합금도금강판을 안정적으로 생산할수 있다.

부동태 피막 형성 방지, 합금 전기도금 용액

Description

양극의 부동태화를 방지할 수 있는 아연-코발트-텅스텐 합금전기도금용액{Zn-Co-W Electrolyte For Preventing Anode Passive Film}

본 발명은 아연-코발트-텅스텐 합금전기도금강판을 제조시, 아연양극 표면에 부동태 피막발생을 방지할 수 있는 도금용액에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 가용성 양극을 사용하여 아연-코발트-텅스텐 합금전기도금강판을 생산하는데 있어서 아연양극 표면에 부동태 피막이 생성되는 것을 방지할 수 있는 아연-코발트-텅스텐 합금 전기도금용액에 관한 것이다.

방청용 표면처리강판중 아연도금강판은 내식성이 우수하여 자동차, 가전 및 건자재용 소재로 널리 사용되고 있으나, 최근 에너지 및 자원절약 측면에서 박도금으로 고 내식성을 확보할 수 있는 새로운 도금강판이 요구되고 있다. 이러한 요구에 부응하여 Zn-Fe합금도금강판, Zn-Ni합금도금강판등이 개발되어 실용화되고 있다.

최근에는 아연도금강판에 미량의 Co와 W을 합금화시켜 경제적이면서도 내식성이 우수한 Zn-Co-W합금도금강판이 개발되고 있다. Zn-Co-W합금도금강판의 경우 부식환 경에서 도금층에서 용출한 W이 강판 표면에 텅스텐 산화물을 형성하여 부식에 대한 장벽으로 작용하여 내식성이 높게 된다. 그러나 가용성 양극을 사용하는 도금설비에서 Zn-Co-W 합금도금강판을 제조하기 위해서는 아연양극을 사용하게 되는데, 이때 아연양극 표면에 텅스텐 산화물이 부착되어 부동태 피막을 형성하게 되어 아연양극의 균일한 용해를 억제하게 된다. 가용성 양극을 사용하는 도금설비에서는 도금시간이 경과함에 따라 양극이 소모되어 두께가 얇아지게 되며, 강판과 간격이 멀어지게 된다. 따라서 강판과 양극과의 간격을 일정하게 하기 위해서는 도금시간이 경과함에 따라 양극 두께가 얇아지는 만큼을 보상하여 양극을 강판과 밀착시켜주어야 한다. 그러나 양극표면에 부동태가 발생하면 양극이 균일하게 용해되지 않아 양극표면에 심한 요철을 형성시킨다. 이 상태로 양극을 일정깊이 만큼 강판쪽으로 밀착시키면 부동태피막발생에 의해 생성된 요철(凹凸)부위가 강판과 닿게 되어 강판에 스크레치(sctatch)를 유발하여 도금강판의 품질을 떨어뜨리는 문제가 발생한다. 또한 양극표면에 형성된 부동태 피막들중 일부는 덩어리 상태로 떨어져 나와 도금용액중에 부유하면서 각종 노즐의 구멍을 막아 정상적인 용액 흐름을 방해하는 문제점이 발생한다.

전기도금 용액중에서 아연양극 표면에 부동태피막의 형성을 방지하기 위한 방법으로는 대한민국 공개특허공보 1999-037268에 공개된 방법이 있다. 이 방법은 Zn-Ni합금 전기도금용액중에서 아연양극 표면에 니켈이 치환도금되어 부동태 피막을 형성하는 것을 방지하기 위하여 아연양극 제조시에 3~10%정도의 알루미늄을 합금화시켜 부동태피막을 억제하는 방법이다. 알루미늄이 합금화된 아연양극을 Zn-Ni합금도금에 사용하게 되면 양극중에 포함된 알루미늄이 도금용액중에 용해되게 된다. Zn-Ni합금도금에서는 도금용액중에 알루미늄이 존재하더라도 도금반응에는 큰 영향을 주지 않기 때문에 Zn-Al합금양극을 사용하여도 무방하다. 그러나 알루미늉이 합금화된 아연양극을 Zn-Co-W합금도금강판 제조에 사용하게 되면 양극에서 용해된 알루미늄은 강판에 도금되지 않기 때문에 도금작업시간이 증가함에 따라 도금용액중에는 알루미늄의 농도가 증가하게 되고, 도금용액중에 존재하는 알루미늄이 W의 전착을 방해하게 되어 W합금량을 크게 떨어뜨리게 되는 문제점이 있다

이에 본 발명의 목적은 가용성 양극을 사용하는 산성 도금용액중에서 Zn-Co-W합금전기도금강판 제조시, 도금반응에는 영향을 주지 않으면서 아연양극 표면에 부동태 피막이 형성되는 것을 방지할 수 있는 Zn-Co-W 합금 전기도금용액을 제공하는 것이다.

본 발명에 의하면,

염화아연이 60~200g/l, 염화코발트 0.1~6g/l, 텅스텐 0.1~4g/l, 구연산 0.1~ 10g/l, 염화칼륨, 염화암모늄 및 염화나트륨으로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 최소 하나의 전도보조제 30~400g/l, 분자량이 100~ 2000인 폴리에틸렌 글리콜 0.1~ 2ml/l, 에틸렌디아민테트라아세트산 또는 그 염 0.5 ~ 5g/l로 구성되고 pH 3~6 인 아연-코발트-텅스텐 합금 전기도금용액이 제공된다.

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.

본 발명의 수용성 아연-코발트-텅스텐 합금 전기도금용액을 사용함으로써 아연양극을 사용하는 도금설비에서 아연양극 표면에 부동태 피막 형성이 방지된다.

본 발명의 아연-코발트-텅스텐 합금도금강판 제조에 사용되는 도금용액중 염화아연이 60~200g/l로 제한한 이유는 염화아연이 60g/l미만이 되면 연속도금방식에 의한 고속도금이 불가능하며, 200g/l이상 첨가하면 아연의 용해도를 초과하게 되어 아연염으로 석출하게 된다.

도금용액중 염화코발트 농도와 텅스텐 농도를 각각 0.1~6g/l, 0.1~4g/l로 제한한 이유는 내식성이 우수한 강판을 저렴한 가격으로 생산하기 위한 충분조건으로서 그 범위를 초과하여 첨가되더라도 본 발명의 목적인 양극 표면에 생성하는 부동태 피막방지 효과는 동일하다. 텅스텐은 텅스텐산 나트륨, 텅스텐산 암모늄 및 텅스텐산 칼륨으로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 최소 하나 또는 둘 이상의 성분으로 첨가될 수 있다.

구연산은 도금용액중에서 텅스텐이온과 착이온을 형성하여 텅스텐 산화물로 석출하는 것을 방지하는 역할을 하는 것으로, 0.1g/l미만에서는 효과가 적고, 10g/l를 초과하더라도 문제는 없으나, 비경제적이다. 구연산은 구연산나트륨, 구연산 암모늄 및 구연산 칼륨으로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 최소 하나 또는 둘 이상의성분으로 첨가될 수 있다.

도금용액에 염화칼륨, 염화암모늄, 염화나트륨 등은 도금용액의 전기전도성을 향상시키는 전도보조제 역할을 하는 것으로서, 고 전류밀도로 도금하는 연속도금설비에 있어서는 전도보조제의 농도가 최소한 30g/l 이상을 첨가하여야만 안정적으로 제품을 생산할 수 있으며, 전도보조제의 농도가 400g/l를 초과하게 되면 도금용액의 온도가 낮을 경우 석출할 우려가 있기 때문에 전도보조제는 염화칼륨, 염화암모늄, 염화나트륨 등의 전도보조제는 단독 혹은 혼합 첨가되어 그 농도를 30 ~ 400g/l로 제한함이 바람직하다.

도금용액중 폴리에틸렌 글리콜은 도금층의 평할성 향상을 목적으로 첨가한 것으로서, 그 농도가 0.1ml/l 미만이 되면 도금층이 거칠어지며, 도금층이 거칠면 도장후 선영성이 떨어지는 문제가 있다. 폴리에틸렌 글리콜의 농도가 2ml/l 이상이 되더라도 도금작업 및 도금강판의 품질에는 문제가 없으나,2ml/l 만 첨가하더라도 충분하기 때문에 경제성을 고려하여 폴리에틸렌 글리콜의 농도는 0.1 ~ 2ml/l로 제한함이 바람직하다. 폴리에틸렌 글리콜은 분자량 100∼2000의 폴리에틸렌 글리콜이 사용된다. 분자량이 100미만이면 효과가 미미하며, 분자량이 2000을 초과하더라도 이 이상의 물성 개선을 기대할 수 없다.

도금용액중 에틸렌 디아민 테트라아세트산(C₁₀H₁₆O₈, 일명 EDTA) 또는 그 염이 첨가된다. EDTA는 아연양극표면에 화학적으로 흡착되어 코발트와 텅스텐이 양극표면에서 아연과 치환도금되어 부동태 피막을 형성하는 것을 방지하는 것으로 여겨진다. EDTA가 0.5g/l 미만으로 첨가되면 연속도금과정에서 아연양극 표면에 형성되는 부통태 피막의 방지효과가 없거나 미약하고, 5g/l까지만 첨가하여도 부동태 피막방지효과가 충분하기 때문에 경제적인 이유를 고려하여 0.5~5g/l로 제한함이 바람직하다. 상기 EDTA 염의 예로는 ₁₀H₁₄O₈Na₂, C₁₀H₁₂O₈Na₄, C₁₀H₁₄O₈(NH₄)₂ 및 C₁₀H₁₂O₈(NH₄)₄을 포함한다.

도금용액의 pH가 3 미만일 경우 도금효율이 낮고, 6을 초과하면 아연이온 및 코발트 이온이 수산화물로 침전할 우려가 있으며, 수산화물이 양극표면에 쌓여 전류흐름을 방해하기 때문에 3 ~ 6으로 제한함이 바람직하다.

상기와 같이 본 발명에 의해서 한정한 조성범위로 조성된 수용성 도금용액을 사용하여 Zn-Co-W합금도금강판을 제조하면 도금층의 합금성분의 변화가 거의 없고 아연양극 표면에 부동태 피막이 형성되지 않아 도금강판 표면이 부동태피막에 의해서 긁히는 문제점과 도금용액중에 부동태 피막이 부유하여 각종 노즐을 막히게 하는 문제점이 없어 아연-코발트-텅스텐 합금전기도금강판을 제조할 수 있다.

이하, 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.

실시예 1

하기 표 1과 같은 조성을 갖도록 수용성 아연-코발트-텅스텐 합금전기도금용액을 제조하여 도금조에 넣은 후, 가로 50mm, 세로 100mm, 두께 10mm인 아연양극을 넣어 4시간 동안 도금을 실시하고, 도금이 끝난 후 아연양극을 꺼내어 물로 세척하고 건조하여 양극 표면에 부착된 다공질의 부동태 피막을 분리해 내었다.

또한 도금이 끝난 용액은 여과장치를 이용하여 도금용액중에 부유하는 부동태 피막을 여과하여 수세후 건조하였다. 최종 부동태 피막발생량의 측정은 아연양극에 형성되어 있는 부동태 피막과 도금용액중에 존재하는 피막을 더하여 무게를 측정하여 표 1에 병기하였다. 도금과정에서 도금강판은 양극크기와 동일한 두께 0.8mm의 냉연강판을 사용하여 매 1분마다 강판을 교환하였다. 도금전류밀도는 60A/dm²으로 하였으며, 도금층 평할성을 목적으로 첨가한 폴리에틸렌 글리콜은 분자량 600의 것을 매 도금용액 마다 동일하게 1ml/l 투입하였으며, 온도는 60℃로 하였다.

또한 EDTA는 2나트륨염(C₁₀H₁₄O₈Na₂)으로 투입하였다. 또한 도금용액중에서 텅스텐 이온의 석출을 방지하기 위해 첨가하는 구연산은 0.5g/l 첨가하였다.

[표 1]

상기 표 1 에 나타난 바와 같이, 본 발명에 부합되는 발명예 (1 ~ 10)의 경우와 같이 도금용액 제조시 염화아연을 80 ~ 200g/l, 염화코발트를 0.1~6g/l, 텅스텐을 0.1~4g/l, 전도보조제로서 염화칼륨 단독, 염화칼륨과 염화암모늄의 혼합 또는 염화칼륨과 염화나트륨을 혼합하여 100~400g/l, EDTA를 0.5~5g/l 첨가하여 pH 3~6범위에서 4시간동안 도금한 경우 부동태 피막발생량이 0.21g 이하로서 극히 적었다.

비교예 1과 2의 경우 다른 도금욕조건은 각각 본 발명예 1 및 4와 동일하지만 용액중 EDTA를 첨가하지 않은 경우로서, 부동태 피막발생량이 각각 3.16g 및 7.88g으로 비교적 많았다.

한편 비교예 3의 경우 다른 도금욕조건은 본 발명예 4와 동일하지만 도금용액중 EDTA 첨가량이 본 발명에서 한정한 범위보다 적게 첨가한 경우로서, 부동태 피막 억제효과가 충분하지 않았다. 비교예 4, 5 및 6의 경우 다른 도금욕조건은 각각 본 발명예 7, 8 및 9와 동일하지만 용액중 EDTA를 첨가하지 않은 경우로서, 부동태 피막발생량이 각각 8.39g, 13.27 및 22.82g으로 비교적 다량 발생되었다.

가용성 아연양극을 사용하는 도금설비에서도 아연양극 표면에 부통태피막의 생성을 방지하여 도금강판 표면에 스크레치등의 문제를 유발하지 않고 또한 부동태 피막이 도금용액중에 부유하면서 각종 노즐을 막는 문제가 해결되므로서 표면품질이 우수한 Zn-Co-W합금도금강판을 안정적으로 생산할수 있다.

Claims (4)

1. 염화아연이 60~200g/l, 염화코발트 0.1~6g/l, 텅스텐 0.1~4g/l, 구연산 0.1~10g/l, 염화칼륨, 염화암모늄 및 염화나트륨으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 하나의 전도보조제 30~400g/l, 분자량이 100~ 2000인 폴리에틸렌 글리콜 0.1~2ml/l, 에틸렌디아민테트라아세트산 또는 그 염 0.5~5g/l로 구성되고, pH 3~6인 아연-코발트-텅스텐 합금 전기도금용액.
2. 제 1항에 있어서, 상기 텅스텐은 텅스텐산 나트륨, 텅스텐산 암모늄 및 텅스텐산 칼륨으로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 최소 하나 이상의 성분으로 첨가됨을 특징으로 하는 전기도금용액.
3. 제 1항에 있어서, 상기 구연산은 구연산 나트륨, 구연산 암모늄 및 구연산 칼륨으로 구성되는 그룹으로 부터 선택된 최소 하나 이상의 성분으로 첨가됨을 특징으로하는 전기도금용액.
4. 제 1항에 있어서, 상기 에틸렌디아민테트라아세트산 염은 C₁₀H₁₄O₈Na₂, C₁₀H₁₂O₈Na₄, C₁₀H₁₄O₈(NH₄)₂ 및 C₁₀H₁₂O₈(NH₄)₄로 구성되는 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 전기도금용액.