KR100846599B1 - Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing thereof - Google Patents

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김원종
김용탁
최진백
이종혁
조윤형
오민호
이병덕
이소영
이선영
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Abstract

An organic light emitting display device and a method for manufacturing the same are provided to improve a contrast of the organic light emitting display device by preventing an external light from being reflected. An organic light emitting display device includes a substrate(10), a first electrode(31), a pixel defined layer(36), an organic light emitting layer(32), a second electrode(33), and a low reflection layer(40). The first electrode is formed on the substrate. The pixel defined layer is disposed on the first electrode. An aperture is formed to expose the first electrode. The organic light emitting layer is formed on the first electrode which is exposed to the aperture. The second electrode is formed on the organic light emitting layer. The low reflection layer is formed on a side toward an incident direction of an external light of the pixel defined layer.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법{Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing thereof}Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing the same

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 A의 확대 단면도이다.FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of A of FIG. 1.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

10: 기판 11: 버퍼층10: substrate 11: buffer layer

12: 반도체층 13: 게이트 절연막 12: semiconductor layer 13: gate insulating film

14: 게이트 전극 15: 층간 절연막 14 gate electrode 15 interlayer insulating film

16: 소스 전극 17: 드레인 전극16: source electrode 17: drain electrode

18: 패시베이션막 30: 유기 발광 소자 18: passivation film 30: organic light emitting element

31: 제1 전극 32: 유기 발광층 31: first electrode 32: organic light emitting layer

33: 제2 전극 36: 화소 정의막33: second electrode 36: pixel defining layer

40: 저반사층40: low reflection layer

본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 외광의 반사를 방지하여 콘트라스틀 향상할 수 있는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method of manufacturing the same that can improve contrast by preventing reflection of external light.

근래에 디스플레이 장치는 휴대가 가능한 박형의 평판 표시 장치로 대체되는 추세이다. 평판 디스플레이 장치 중에서도 유기 또는 무기 발광 표시장치는 자발광형 디스플레이 장치로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐 만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 디스플레이 장치로 주목 받고 있다. 또한 발광층의 형성 물질이 유기물로 구성되는 유기 발광 표시 장치는 무기 발광 표시 장치에 비해 휘도, 구동 전압 및 응답속도 특성이 우수하고 다색화가 가능하다는 장점을 가지고 있다.Recently, display devices have been replaced by portable thin flat display devices. Among the flat panel display devices, organic or inorganic light emitting display devices are attracting attention as next-generation display devices because they have self-emissive display devices that have a wide viewing angle, excellent contrast, and fast response speed. In addition, an organic light emitting display device in which a light emitting layer is formed of an organic material has advantages in that luminance, driving voltage, and response speed are excellent and multicoloring is possible, compared to an inorganic light emitting display device.

한편 평판 표시 장치는 휴대가 가능하고 야외에서 사용가능 하도록 경량이면서 박형으로 제조한다. 야외에서 화상을 볼 때 햇빛이 반사돼 콘트라스트 및 시인성이 저하되는 문제가 있다. 특히 유기 발광 표시 장치에서는 금속 반사막에서 이러한 반사가 심하여 더 큰 문제가 된다. Meanwhile, the flat panel display device is manufactured to be lightweight and thin so as to be portable and to be used outdoors. When the image is viewed outdoors, sunlight is reflected and there is a problem in that contrast and visibility are deteriorated. In particular, in the organic light emitting diode display, the reflection is severe in the metal reflective film, which is a more serious problem.

본 발명은 외광의 반사를 방지하여 콘트라스트가 향상된 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.The present invention can provide an organic light emitting display device having improved contrast by preventing reflection of external light and a method of manufacturing the same.

본 발명은 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되고 상기 제1 전극이 노출되도록 개구부가 형성되고, 흑도가 높은 색상을 갖는 화 소 정의막, 상기 개구부로 노출된 제1 전극 상에 형성된 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극 및 상기 화소 정의막의 외광이 입사되는 방향을 향하는 일 측에 형성된 저반사층을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 개시한다.The present invention provides a substrate, a first electrode formed on the substrate, an opening formed on the first electrode to expose the first electrode, a pixel defining layer having a high black color, and exposed to the opening. An organic light emitting display device including an organic light emitting layer formed on a first electrode, a second electrode formed on the organic light emitting layer, and a low reflection layer formed on one side facing a direction in which external light of the pixel defining layer is incident is disclosed.

본 발명에 있어서 상기 화소 정의막은 흑연 또는 다이아몬드 라이크 카본(DLC)을 포함할 수 있다.In the present invention, the pixel defining layer may include graphite or diamond-like carbon (DLC).

본 발명에 있어서 상기 저반사층은 산소, 질소 및 수소로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.In the present invention, the low reflection layer may include any one selected from the group consisting of oxygen, nitrogen, and hydrogen.

본 발명에 있어서 상기 저반사층의 표면 거칠기 RMS값은 10 내지 500일 수 있다.In the present invention, the surface roughness RMS value of the low reflection layer may be 10 to 500.

본 발명의 다른 측면에 따르면 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 상에 상기 제1 전극을 덮도록 흑도가 높은 색상을 갖는 화소 정의막을 형성하는 단계, 상기 화소 정의막에 상기 제1 전극이 노출되도록 개구부를 형성하는 단계, 상기 개구부로 노출된 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계, 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계 및 상기 화소 정의막의 외광이 입사되는 방향을 향하는 일 측에 저반사층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 개시한다.According to another aspect of the present invention, forming a first electrode on a substrate, forming a pixel defining layer having a high black color on the first electrode to cover the first electrode, the pixel defining layer Forming an opening to expose a first electrode, forming an organic light emitting layer on the first electrode exposed through the opening, forming a second electrode on the organic light emitting layer, and receiving external light of the pixel defining layer A method of manufacturing an organic light emitting display device comprising forming a low reflection layer on one side facing in a direction is disclosed.

본 발명에 있어서 상기 저반사층의 형성 단계는 산소 플라즈마 처리 단계를 포함할 수 있다.In the present invention, the forming of the low reflection layer may include an oxygen plasma treatment step.

본 발명에 있어서 상기 저반사층의 형성 단계는 N2, H2, C2H2 및 C6H6로 이루 어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 기체를 주입하는 단계를 포함할 수 있다.In the present invention, the forming of the low reflection layer may include injecting any one gas selected from the group consisting of N 2 , H 2 , C 2 H 2, and C 6 H 6 .

본 발명에 있어서 상기 저반사층의 형성 단계는 Ar기체를 주입하는 단계를 더 포함할 수 있다.In the present invention, the forming of the low reflection layer may further include injecting an Ar gas.

이하 첨부된 도면들에 도시된 본 발명에 관한 실시예를 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the embodiments of the present invention shown in the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation of the present invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치를 도시한 개략적인 단면도이고, 도 2는 도 1의 A의 확대 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment, and FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of A of FIG. 1.

유기 발광 표시 장치는 능동 구동형(active matrix type: AM)과 수동 구동형(passive matrix: PM)으로 크게 구별된다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치로 능동 구동형(active matrix type: AM)을 도시하고 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않고 수동 구동형(passive matrix type: PM)에도 적용할 수 있다.The organic light emitting diode display is largely classified into an active matrix type (AM) and a passive matrix type (PM). 1 illustrates an active matrix type (AM) as an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, but the present invention is not limited thereto and may be applied to a passive matrix type (PM). Can be.

도 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 관한 유기 발광 표시 장치는 기판(10), 유기 발광 소자(30), 화소 정의막(36) 및 저반사층(40)을 포함한다. As shown in FIG. 1, an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment includes a substrate 10, an organic light emitting diode 30, a pixel defining layer 36, and a low reflection layer 40.

기판(10)은 SiO2를 주성분으로 하는 투명한 유리 재질로 이루어질 수 있다. 기판(10)은 반드시 이에 한정되는 것은 아니며 투명한 플라스틱 재로 형성할 수도 있다. 플라스틱 기판은 절연성 유기물로 형성할 수 있는데 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미 드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate: CAP)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 유기물로 이루어질 수 있다. 화상이 기판(10)방향으로 구현되는 배면 발광형인 경우에 기판(10)은 투명한 재질로 형성해야 한다. 그러나 도 1에 도시된 것과 같이 화상이 기판(10)의 반대 방향으로 구현되는 전면 발광형인 경우에 기판(10)은 반드시 투명한 재질로 형성할 필요는 없다. 이 경우 금속으로 기판(10)을 형성할 수 있다. 금속 기판(10)은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, ZInconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 금속 기판(10)은 금속 포일일 수 있다.The substrate 10 may be made of a transparent glass material mainly containing SiO 2 . The substrate 10 is not necessarily limited thereto, and may be formed of a transparent plastic material. Plastic substrates can be formed with insulating organic materials such as polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR, polyacrylate), polyether imide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN, polyethyelenen napthalate), polyethylene terephthalate Reed (PET, polyethyeleneterepthalate), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate (PC), cellulose tri acetate (TAC), cellulose acetate propionate ( cellulose acetate propinonate (CAP). When the image is a bottom emission type implemented in the direction of the substrate 10, the substrate 10 should be formed of a transparent material. However, as illustrated in FIG. 1, when the image is a top emission type implemented in the opposite direction of the substrate 10, the substrate 10 may not necessarily be formed of a transparent material. In this case, the substrate 10 may be formed of metal. The metal substrate 10 may include one or more selected from the group consisting of carbon, iron, chromium, manganese, nickel, titanium, molybdenum, stainless steel (SUS), Invar alloy, ZInconel alloy, and Kovar alloy, but is not limited thereto. It is not. The metal substrate 10 may be a metal foil.

기판(10)의 상면에는 기판(10)의 평활성과 불순 원소의 침투를 차단하기 위하여 버퍼층(11)을 형성할 수 있다. 버퍼층(11)은 SiO2 및/또는 SiNx 등으로 형성할 수 있다. The buffer layer 11 may be formed on the upper surface of the substrate 10 to block smoothness of the substrate 10 and penetration of impurities. The buffer layer 11 may be formed of SiO 2 and / or SiNx.

기판(10)의 상면에 박막 트랜지스터(TFT)가 형성되어 있다. 이 박막 트랜지스터(TFT)는 각 화소별로 적어도 하나씩 형성되는 데, 유기 발광 소자(30)에 전기적으로 연결된다.The thin film transistor TFT is formed on the upper surface of the substrate 10. At least one thin film transistor TFT is formed for each pixel, and is electrically connected to the organic light emitting element 30.

구체적으로 버퍼층(11)상에 소정 패턴의 반도체층(12)이 형성된다. 반도체층(12)은 아모퍼스 실리콘 또는 폴리 실리콘과 같은 무기 반도체나 유기 반도체로 형성될 수 있고 소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함한다.Specifically, the semiconductor layer 12 having a predetermined pattern is formed on the buffer layer 11. The semiconductor layer 12 may be formed of an inorganic semiconductor or an organic semiconductor such as amorphous silicon or polysilicon and includes a source region, a drain region, and a channel region.

반도체층(12)의 상부에는 SiO2, SiNx 등으로 형성되는 게이트 절연막(13)이 형성되고, 게이트 절연막(13)상부의 소정 영역에는 게이트 전극(14)이 형성된다. 게이트 전극(14)은 TFT 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)과 연결되어 있다. A gate insulating layer 13 formed of SiO 2 , SiNx, or the like is formed on the semiconductor layer 12, and a gate electrode 14 is formed in a predetermined region on the gate insulating layer 13. The gate electrode 14 is connected to a gate line (not shown) for applying a TFT on / off signal.

게이트 전극(14)의 상부로는 층간 절연막(15)이 형성되고, 컨택홀을 통해 소스 전극(16) 및 드레인 전극(17)이 각각 반도체층(12)의 소스 및 드레인 영역에 접하도록 형성된다. 이렇게 형성된 TFT는 패시베이션막(18)으로 덮여 보호된다. 패시베이션막(18)은 무기 절연막 및/또는 유기 절연막을 사용할 수 있는데 무기 절연막으로는 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, TiO2, Ta2O5, HfO2, ZrO2, BST, PZT 등이 포함되도록 할 수 있고, 유기 절연막으로는 일반 범용고분자(PMMA, PS), phenol그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등이 포함되도록 할 수 있다. 패시베이션막(18)은 무기 절연막과 유기 절연막의 복합 적층체로도 형성될 수 있다.An interlayer insulating layer 15 is formed on the gate electrode 14, and the source electrode 16 and the drain electrode 17 are formed to contact the source and drain regions of the semiconductor layer 12 through contact holes, respectively. . The TFT thus formed is covered with the passivation film 18 and protected. The passivation film 18 may use an inorganic insulating film and / or an organic insulating film. As the inorganic insulating film, SiO 2 , SiNx, SiON, Al 2 O 3 , TiO 2 , Ta 2 O 5 , HfO 2 , ZrO 2 , BST, PZT The organic insulating film may be a general purpose polymer (PMMA, PS), a polymer derivative having a phenol group, an acrylic polymer, an imide polymer, an arylether polymer, an amide polymer, a fluorine polymer, or p-xyl. Len-based polymers, vinyl alcohol-based polymers and blends thereof may be included. The passivation film 18 may also be formed of a composite laminate of an inorganic insulating film and an organic insulating film.

패시베이션막(18) 상부에는 유기 발광 소자의 애노우드 전극이 되는 제1 전극(31)이 형성되고, 이를 덮도록 절연물로 화소 정의막(36)(pixel define layer)이 형성된다. A first electrode 31 serving as an anode electrode of the organic light emitting diode is formed on the passivation layer 18, and a pixel define layer 36 is formed of an insulator to cover the passivation layer 18.

이 때 화소정의막(36)은 절연층으로서 흑도가 높은 색상을 가지도록 형성할 수 있다. 화소정의막(36)이 흑도가 높은 색상을 가지도록 형성될 경우 외광의 반사를 최소화하여 콘트라스트 향상 효과가 증대된다. 화소 정의막(36)이 흑도가 높은 색상을 가지도록 그라파이트 또는 다이아몬드 라이크 카본(diamond like carbon: DLC)을 이용하여 형성할 수 있다. 이 때 스퍼터링 또는 CVD법을 이용해 형성하고 열화를 방지하기 위해 250℃이하에서 형성할 수 있다.In this case, the pixel defining layer 36 may be formed to have a high black color as the insulating layer. When the pixel definition layer 36 is formed to have a high black color, the reflection of external light is minimized to increase the contrast enhancement effect. The pixel defining layer 36 may be formed using graphite or diamond like carbon (DLC) to have a high black color. At this time, it may be formed by sputtering or CVD and may be formed at 250 ° C. or lower to prevent deterioration.

화소 정의막(36)의 외광이 입사되는 방향을 향하는 일 측에 저반사층(40)이 형성된다. 저반사층(40)은 산소, 질소 및 수소로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.The low reflection layer 40 is formed on one side of the pixel defining layer 36 facing the direction in which the external light is incident. The low reflection layer 40 may include any one selected from the group consisting of oxygen, nitrogen, and hydrogen.

저반사층(40)은 표면 거칠기 RMS(root mean square)값이 10 내지 500을 갖도록 형성하여 그라파이트 또는 다이아몬드 라이크 카본(DLC)만으로 이루어진 막의 표면 거칠기보다 큰 값을 가진다. The low reflection layer 40 is formed to have a surface roughness root mean square (RMS) value of 10 to 500 and has a larger value than that of a film made of graphite or diamond-like carbon (DLC) only.

저반사층(40)은 다양한 방법으로 형성할 수 있다. 그라파이트 또는 다이아몬드 라이크 카본으로 형성한 화소 정의막(36)을 산소 플라즈마 처리하여 저반사층(40)을 형성할 수 있다. 화소 정의막(36)의 표면에 산소 플라즈마 처리를 할 경우 표면이 거칠어져 저반사층(40)이 형성된다. 산소 플라즈마 처리시 산소 기체를 주입하므로 저반사층(40)은 산소를 포함하게 된다. 그래서 저반사층(40)은 C-O결합을 포함하게 된다.The low reflection layer 40 can be formed in various ways. The low reflection layer 40 may be formed by performing an oxygen plasma treatment on the pixel defining layer 36 formed of graphite or diamond-like carbon. When the oxygen plasma treatment is performed on the surface of the pixel defining layer 36, the surface is roughened to form the low reflection layer 40. Since oxygen gas is injected during the oxygen plasma treatment, the low reflection layer 40 includes oxygen. Therefore, the low reflection layer 40 includes a C-O bond.

저반사층(40)을 형성하기 위해 여러가지 기체를 주입하여 공증착하는 방법을 이용할 수도 있다. 화소 정의막(36)을 그라파이트 또는 다이아몬드 라이크 카본으로 원하는 두께로 증착하고 난 후에도 그라파이트 또는 다이아몬드 라이크 카본의 기체 소스를 계속 투입하면서 N2, H2, C2H2 및 C6H6로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 기체를 동시에 주입하여 저반사층(40)을 형성한다. 저반사층(40)은 C-N 또는 C-H 결합을 포함하게 되어 표면 거칠기 값이 증가한다. 이 때 불활성 기체인 Ar기체를 주입하여 공정을 안정화하고 박막 형성을 용이하게 할 수 있다. In order to form the low reflection layer 40, various gas may be injected and co-deposited. Group of N 2 , H 2 , C 2 H 2, and C 6 H 6 , while the pixel defining layer 36 is deposited with graphite or diamond like carbon to a desired thickness, while the gas source of graphite or diamond like carbon is continuously added. At least one gas selected from the above is injected at the same time to form a low reflection layer (40). The low reflection layer 40 includes CN or CH bonds, thereby increasing the surface roughness value. In this case, Ar gas, which is an inert gas, may be injected to stabilize the process and to form a thin film.

화소 정의막(36)이 흑색을 가질 경우 외광의 반사를 방지하여 콘트라스트를 향상할 수 있으나 외광을 향하는 표면에서 외광이 반사되는 것을 감소하는데 한계가 있다.When the pixel defining layer 36 has a black color, contrast can be improved by preventing reflection of external light, but there is a limit in reducing reflection of external light on a surface facing the external light.

그러나 본 발명은 흑색을 가지는 화소 정의막(36)의 표면에 저반사층(40)을 형성하여 외광 반사 억제 효과를 향상할 수 있다.However, according to the present invention, the low reflection layer 40 may be formed on the surface of the pixel defining layer 36 having black color, thereby improving external light reflection suppression effect.

또한 저반사층(40)을 형성할 경우 화소 정의막(36)을 형성하고 나서 산소 플라즈마 처리 또는 N2, H2, C2H2 및 C6H6로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 기체를 주입하는 방법을 이용하므로 그 공정이 용이하다. In the case of forming the low reflection layer 40, after forming the pixel defining layer 36, any one gas selected from the group consisting of oxygen plasma treatment or N 2 , H 2 , C 2 H 2 and C 6 H 6 is injected. Since the method is used, the process is easy.

이 화소 정의막(36)에 소정의 개구를 형성한 후, 이 개구로 한정된 영역 내에 유기 발광 소자의 유기 발광층(32)을 형성한다. 그리고, 전체 화소들을 모두 덮도록 유기 발광 소자의 캐소오드 전극이 되는 제2 전극(33)이 형성된다. 물론 제1 전극(31)과 제2 전극(33)의 극성은 서로 반대로 바뀌어도 무방하다.After the predetermined opening is formed in the pixel defining layer 36, the organic light emitting layer 32 of the organic light emitting element is formed in the region defined by the opening. The second electrode 33 serving as the cathode of the organic light emitting diode is formed to cover all the pixels. Of course, the polarities of the first electrode 31 and the second electrode 33 may be reversed.

유기 발광 소자(30)는 전류의 흐름에 따라 빛을 발광하여 화상을 표시하는 것으로 TFT의 드레인 전극(17)에 콘택홀을 통하여 전기적으로 연결된 제1 전극(31), 유기 발광층(32) 및 제2 전극(33)을 포함한다. The organic light emitting element 30 emits light in accordance with the flow of current to display an image. The organic light emitting element 30 is a first electrode 31, an organic light emitting layer 32, and a first electrode 31 electrically connected to the drain electrode 17 of the TFT through a contact hole. 2 electrodes 33 are included.

제1 전극(31)은 포토 리소그래피법에 의해 소정의 패턴으로 형성할 수 있다. 제1 전극(31)의 패턴은 수동 구동형(passive matrix type: PM)의 경우에는 서로 소정 간격 떨어진 스트라이프 상의 라인들로 형성될 수 있고, 능동 구동형(active matrix type: AM)의 경우에는 화소에 대응하는 형태로 형성될 수 있다. 제1 전극(31)의 상부로 제2 전극(33)이 배치되는데 외부단자(미도시)에 연결하여 캐소오드(cathode)전극으로 작용할 수 있다. 제2 전극(33)은 수동 구동형의 경우에는 제1 전극(31)의 패턴에 직교하는 스트라이프 형상일 수 있고 능동 구동형의 경우에는 화상이 구현되는 액티브 영역 전체에 걸쳐 형성될 수 있다. 제1 전극(31)의 극성과 제2 전극(33)의 극성은 서로 반대가 되어도 무방하다. 기판(10)의 방향으로 화상이 구현되는 배면 발광형(bottom emission type)일 경우, 제1 전극(31)은 투명 전극이 되고, 제2 전극(33)은 반사전극이 될 수 있다. 제1 전극(31)은 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등으로 형성되고, 제2 전극(33)은 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 등으로 형성될 수 있다.The first electrode 31 can be formed in a predetermined pattern by the photolithography method. In the case of the passive matrix type PM, the pattern of the first electrode 31 may be formed as lines on the stripe spaced apart from each other, and in the case of the active matrix type AM It may be formed in the form corresponding to the. The second electrode 33 is disposed above the first electrode 31, and may be connected to an external terminal (not shown) to serve as a cathode electrode. In the case of the passive driving type, the second electrode 33 may have a stripe shape orthogonal to the pattern of the first electrode 31, and in the case of the active driving type, the second electrode 33 may be formed over the entire active area in which the image is implemented. The polarity of the first electrode 31 and the polarity of the second electrode 33 may be opposite to each other. In the case of a bottom emission type in which an image is implemented in the direction of the substrate 10, the first electrode 31 may be a transparent electrode, and the second electrode 33 may be a reflective electrode. The first electrode 31 is formed of ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 having a high work function, and the second electrode 33 is made of a metal having a low work function, that is, Ag, Mg, Al, Pt, or Pd. , Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca and the like.

도 1에 도시한 것과 같이 제2 전극(33)의 방향으로 화상을 구현하는 전면 발광형(top emission type)일 경우, 제1 전극(31)은 반사 전극으로 구비될 수 있고, 제2 전극(33)은 투명 전극으로 구비될 수 있다. 이 때, 제1 전극(31)이 되는 반사 전극은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성한 후, 그 위에 일함수가 높은 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등을 형성하여 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 전극(43)이 되는 투명 전극은, 일함수가 작은 금속 즉, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 화합물을 증착한 후, 그 위에 ITO, IZO, ZnO, 또는 In2O3 등의 투명 도전물질로 보조 전극층이나 버스 전극 라인을 형성할 수 있다.As shown in FIG. 1, in the case of a top emission type that implements an image in the direction of the second electrode 33, the first electrode 31 may be provided as a reflective electrode, and the second electrode ( 33 may be provided as a transparent electrode. At this time, the reflective electrode serving as the first electrode 31 is formed of Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, or a compound thereof, and the like. It may be formed by forming a high work function ITO, IZO, ZnO, In 2 O 3 or the like on the above. The transparent electrode serving as the second electrode 43 is formed by depositing a metal having a small work function, that is, Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, or a compound thereof. After that, an auxiliary electrode layer or a bus electrode line may be formed on the transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, or In 2 O 3 .

양면 발광형의 경우, 제1 전극(31)과 제2 전극(33) 모두를 투명 전극으로 형성할 수 있다.In the case of the double-sided light emission type, both the first electrode 31 and the second electrode 33 may be formed as transparent electrodes.

제1 전극(31)과 제2 전극(33)의 사이에 개재된 유기 발광층(32)은 제1 전극(31)과 제2 전극(33)의 전기적 구동에 의해 발광한다. 유기 발광층(32)은 저분자 또는 고분자 유기물을 사용할 수 있다. 유기 발광층(32)이 저분자 유기물로 형성되는 경우 유기 발광층(32)을 중심으로 제1 전극(31)의 방향으로 홀 수송층 및 홀 주입층 등이 적층되고, 제2 전극(33) 방향으로 전자 수송층 및 전자 주입층 등이 적층된다. 이외에도 필요에 따라 다양한 층들이 적층될 수 있다. 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. The organic light emitting layer 32 interposed between the first electrode 31 and the second electrode 33 emits light by electric driving of the first electrode 31 and the second electrode 33. The organic light emitting layer 32 may use a low molecular weight or a high molecular organic material. When the organic light emitting layer 32 is formed of a low molecular organic material, a hole transport layer, a hole injection layer, etc. are stacked in the direction of the first electrode 31 around the organic light emitting layer 32, and the electron transport layer is directed in the direction of the second electrode 33. And an electron injection layer and the like. In addition, various layers may be stacked as needed. Organic materials that can be used are copper phthalocyanine (CuPc), N, N-di (naphthalen-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (N, N'-Di (naphthalene-1-yl) -N, N'-diphenyl-benzidine (NPB), tris-8-hydroxyquinoline aluminum (triq-8-hydroxyquinoline aluminum) (Alq3) and the like can be variously applied.

한편, 고분자 유기물로 형성된 고분자 유기층의 경우에는 유기 발광층(32)을 중심으로 제1 전극(31)의 방향으로 홀 수송층(Hole Transport Layer: HTL)만이 포함될 수 있다. 상기 고분자 홀 수송층은 폴리에틸렌 디히드록시티오펜 (PEDOT: poly-(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나, 폴리아닐린(PANI: polyaniline) 등을 사용하여 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅의 방법에 의해 제1 전극(31) 상부에 형성되며, 고분자 유기 발광층(32)은 PPV, Soluble PPV's, Cyano-PPV, 폴리플루오렌(Polyfluorene) 등을 사용할 수 있으며 잉크젯 프린팅이나 스핀 코팅 또는 레이저를 이용한 열전사방식 등의 통상의 방법으로 컬러 패턴을 형성할 수 있다.Meanwhile, in the case of the polymer organic layer formed of the polymer organic material, only the hole transport layer (HTL) may be included in the direction of the first electrode 31 with respect to the organic emission layer 32. The polymer hole transport layer may include polyethylene dihydroxythiophene (PEDOT: poly- (2,4) -ethylene-dihydroxy thiophene), polyaniline (PANI), or the like by ink jet printing or spin coating. It is formed on the electrode 31, the polymer organic light emitting layer 32 may be PPV, Soluble PPV's, Cyano-PPV, polyfluorene (Polyfluorene) and the like, such as inkjet printing, spin coating or thermal transfer method using a laser The color pattern can be formed by a conventional method.

유기 발광 소자(30) 상에 유기 발광 소자(30)를 봉지하는 밀봉 부재(미도시)가 형성된다. 밀봉 부재(미도시)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 유기 발광 소자(30)를 보호하기 위해 형성한다. 도 1에 도시한 것과 같은 전면 발광형 구조에서는 밀봉 부재(미도시)는 투명한 재질로 이루어진다. 이를 위해 글라스 기판, 플라스틱 기판 또는 유기물과 무기물의 복수의 중첩된 구조일 수도 있다.A sealing member (not shown) for sealing the organic light emitting element 30 is formed on the organic light emitting element 30. The sealing member (not shown) is formed to protect the organic light emitting element 30 from external moisture, oxygen, or the like. In the top emission type structure as shown in FIG. 1, the sealing member (not shown) is made of a transparent material. For this purpose, a glass substrate, a plastic substrate, or a plurality of overlapping structures of an organic material and an inorganic material may be used.

본 발명에 관한 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법은 외광의 반사를 방지하여 콘트라스트를 향상할 수 있다.An organic light emitting diode display and a method of manufacturing the same according to the present invention can improve contrast by preventing reflection of external light.

도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Although described with reference to the embodiment shown in the drawings it is merely exemplary, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from this. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

Claims (11)

기판;Board; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극;A first electrode formed on the substrate; 상기 제1 전극 상에 배치되고 상기 제1 전극이 노출되도록 개구부가 형성되고, 흑도가 높은 색상을 갖는 화소 정의막;A pixel defining layer disposed on the first electrode and having an opening formed to expose the first electrode, and having a high black color; 상기 개구부로 노출된 제1 전극 상에 형성된 유기 발광층;An organic emission layer formed on the first electrode exposed through the opening; 상기 유기 발광층 상에 형성된 제2 전극; 및 A second electrode formed on the organic light emitting layer; And 상기 화소 정의막의 외광이 입사되는 방향을 향하는 일 측에 형성된 저반사층을 포함하는 유기 발광 표시 장치.And a low reflection layer formed on one side facing the direction in which the external light of the pixel defining layer is incident. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 화소 정의막은 흑연 또는 다이아몬드 라이크 카본(DLC)을 포함하는 유기 발광 표시 장치.The pixel defining layer includes graphite or diamond-like carbon (DLC). 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 저반사층은 산소, 질소 및 수소로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치.The low reflection layer includes any one selected from the group consisting of oxygen, nitrogen, and hydrogen. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 저반사층의 표면 거칠기 RMS값은 10 내지 500Å인 유기 발광 표시 장치.The surface roughness RMS value of the low reflection layer is 10 to 500 GPa. 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;Forming a first electrode on the substrate; 상기 제1 전극 상에 상기 제1 전극을 덮도록 흑도가 높은 색상을 갖는 화소 정의막을 형성하는 단계;Forming a pixel defining layer having a high black color on the first electrode to cover the first electrode; 상기 화소 정의막에 상기 제1 전극이 노출되도록 개구부를 형성하는 단계;Forming an opening in the pixel defining layer to expose the first electrode; 상기 개구부로 노출된 제1 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계;Forming an organic emission layer on the first electrode exposed through the opening; 상기 유기 발광층 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및 Forming a second electrode on the organic light emitting layer; And 상기 화소 정의막의 외광이 입사되는 방향을 향하는 일 측에 저반사층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.And forming a low reflection layer on one side of the pixel defining layer facing the direction in which the external light is incident. 제5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 화소 정의막은 흑연 또는 다이아몬드 라이크 카본(DLC)을 포함하도록 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The pixel defining layer is formed to include graphite or diamond-like carbon (DLC). 제5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 저반사층은 산소, 질소 및 수소로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하도록 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The low reflection layer is formed to include any one selected from the group consisting of oxygen, nitrogen and hydrogen. 제5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 저반사층의 표면 거칠기 RMS값이 10 내지 500Å가 되도록 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.A method of manufacturing an organic light emitting display device, wherein the surface roughness RMS value of the low reflection layer is set to 10 to 500 GPa. 제5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 저반사층의 형성 단계는 산소 플라즈마 처리 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The forming of the low reflection layer may include an oxygen plasma treatment step. 제5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 저반사층의 형성 단계는 N2, H2, C2H2 및 C6H6로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 기체를 주입하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The forming of the low reflection layer includes injecting any one gas selected from the group consisting of N 2 , H 2 , C 2 H 2 and C 6 H 6 . 제10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 저반사층의 형성 단계는 Ar기체를 주입하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.The forming of the low reflection layer may further include injecting an Ar gas.
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