KR100844446B1

KR100844446B1 - 산화인듐-산화주석 분말 및 그것을 사용한 스퍼터링 타겟및 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법

Info

Publication number: KR100844446B1
Application number: KR1020060058446A
Authority: KR
Inventors: 세이이치로 다카하시; 히로시 와타나베
Original assignee: 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤
Priority date: 2005-06-29
Filing date: 2006-06-28
Publication date: 2008-07-08
Also published as: TW200710236A; CN1891663B; JP2007008752A; CN1891663A; TWI327134B; KR20070001812A

Abstract

타겟의 라이프를 연장할 수 있고, 또, 고밀도의 스퍼터링 타겟을 얻을 수 있는 산화인듐-산화주석 분말 및 그것을 사용한 스퍼터링 타겟 및 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법을 제공한다.

In-Sn 산화물을 주성분으로 하는 산화인듐-산화주석 분말로서, 탄소함유량이 50ppm 이하인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말에 있다.

타겟의 라이프, 고밀도, 스퍼터링 타겟, 산화인듐, 산화주석 분말, In-Sn 산화물, 탄소.

Description

산화인듐-산화주석 분말 및 그것을 사용한 스퍼터링 타겟 및 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법{INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING THE INDIUM OXIDE-TIN OXIDE POWDER}

도 1은 본 발명의 ITO 분말을 제조하기 위한 미립자의 제조장치의 1예를 도시하는 개략적인 구성도이다.

도 2는 본 발명의 실시예 1의 ITO 분말의 X선회절의 결과를 도시하는 도면이다.

도 3은 본 발명의 실시예 2의 ITO 분말의 X선회절의 결과를 도시하는 도면이다.

도 4는 본 발명의 실시예 3의 ITO 분말의 X선회절의 결과를 도시하는 도면이다.

도 5는 본 발명의 실시예 4의 ITO 분말의 X선회절의 결과를 도시하는 도면이다.

도 6은 본 발명의 실시예 5의 ITO 분말의 X선회절의 결과를 도시하는 도면이다.

도 7은 본 발명의 비교예 1의 ITO 분말의 X선회절의 결과를 도시하는 도면이다.

도 8은 본 발명의 비교예 2의 ITO 분말의 X선회절의 결과를 도시하는 도면이다.

본 발명은 산화인듐-산화주석 분말 및 그것을 사용한 스퍼터링 타겟 및 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 박막을 성막하는 방법의 한가지로서 스퍼터링법이 알려져 있다. 스퍼터링법이란, 스퍼터링 타겟을 스퍼터링 함으로써 박막을 얻는 방법으로, 대면적화가 용이하고, 고성능의 막을 효율적으로 성막할 수 있기 때문에 공업적으로 이용되고 있다. 또, 최근, 스퍼터링의 방식으로서, 반응성 가스중에서 스퍼터링을 행하는 반응성 스퍼터링법이나, 타겟의 이면에 자석을 설치하여 박막형성의 고속화를 도모하는 마그네트론 스퍼터링법 등도 알려져 있다.

이러한 스퍼터링법에서 사용되는 박막 중, 특히, 산화인듐-산화주석(In₂O₃-SnO₂의 복합산화물, 이하, 「ITO」라고 함) 막은 가시광선 투과성이 높고, 또한 도전성이 높으므로 투명 도전막으로서 액정표시장치나 유리의 결로방지용 발열막, 적외선반사막 등에 폭넓게 사용되고 있다.

이 때문에, 보다 효율적으로 저코스트로 성막하기 위해서, 현재에도 스퍼터 조건이나 스퍼터 장치 등의 개량이 나날이 행해지고 있고, 장치를 어떻게 효율적으 로 가동시킬지가 중요하게 된다. 또, 이러한 ITO 스퍼터링에서는, 새로운 스퍼터링 타겟을 세팅하고나서 초기 아크(이상 방전)가 사라지고 제품을 제조할 수 있을 때까지의 시간이 짧은 것과, 한번 세팅하고나서 어느 정도의 기간동안 사용할 수 있는지(적산 스퍼터링 시간: 타겟 라이프)이 문제가 된다.

이러한 ITO 스퍼터링 타겟은 산화인듐 분말 및 산화주석 분말을 소정의 비율로 혼합하여 건식 또는 습식으로 성형하고, 소결한 것으로(특허문헌 1), 고밀도의 ITO 소결체를 얻기 위한 고분산성의 산화인듐 분말이 제안되어 있다(특허문헌 2, 3, 4 등 참조).

한편, 공침법에 의해 습식합성된 ITO 분말을 ITO 소결체로 만드는 것도 알려져 있고(특허문헌 5 등 참조), 마찬가지로 고밀도의 소결체를 얻기 위한 ITO 분말의 습식합성방법이 다수 제안되어 있다(특허문헌 6∼9 등 참조).

또한, 플라즈마 아크중에서 인듐-주석 합금과 산소를 반응시켜서, 마하 1 이상의 가스류로 소정의 냉각속도 이상으로 냉각함으로써, 산화인듐의 결정격자 내에 인듐-주석-산화물 고용체상을 적어도 90용량% 함유하는 ITO 분말을 제조하고, 압축체로 했을 때에 소정의 전기저항율을 갖는 ITO 분말을 얻는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 10 참조).

그렇지만, 여전히, 소결조건 등을 고도로 제어하지 않아도, 비교적 용이하게 고밀도의 소결체가 얻어지고, 이 결과, 라이프가 긴 타겟을 얻을 수 있는 ITO 분말을 요구하는 바램이 많다.

[특허문헌 1] 일본 특개소62-21751호 공보

[특허문헌 2] 일본 특개평5-193939호 공보

[특허문헌 3] 일본 특개평6-191846호 공보

[특허문헌 4] 일본 특개2001-261336호 공보

[특허문헌 5] 일본 특개소62-21751호 공보

[특허문헌 6] 일본 특개평9-221322호 공보

[특허문헌 7] 일본 특개2000-281337호 공보

[특허문헌 8] 일본 특개2001-172018호 공보

[특허문헌 9] 일본 특개2002-68744호 공보

[특허문헌 10] 일본 특개평11-11946호 공보

본 발명은 이러한 사정을 감안하여, 타겟의 라이프를 연장할 수 있고, 또, 고밀도의 스퍼터링 타겟을 얻을 수 있는 산화인듐-산화주석 분말 및 그것을 사용한 스퍼터링 타겟 및 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한다.

상기 과제를 해결하는 본 발명의 제 1 태양은, In-Sn 산화물을 주성분으로 하는 산화인듐-산화주석 분말로서, 탄소함유량이 50ppm 이하인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말에 있다.

이러한 제 1 태양에서는, 산화인듐 중의 탄소함유량이 50ppm 이하로 작으므로, 성형체의 밀도를 그다지 크게 하지 않아도, 타겟 라이프가 큰 스퍼터링 타겟을 얻을 수 있다.

본 발명의 제 2 태양은, 제 1 태양에 있어서, X선회절에서 간화합물 In₄Sn₃O₁₂가 검출되지 않고, In₂O₃(222) 적분 회절강도 및 SnO₂(110) 적분 회절강도의 비 및 ICP 분석에 의한 In, Sn의 원소농도로부터 구해지는 In₂O₃ 및 SnO₂의 비로부터 산출되는, In₂O₃중의 SnO₂ 고용량이 2.3질량% 이상인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말에 있다.

이러한 제 2 태양에서는, 산화인듐 중에 고용되어 있는 산화주석의 양이 소정량 이상이므로, 소결성이 크다.

본 발명의 제 3 태양은, 제 2 태양에서, In₂O₃ 중의 SnO₂ 고용량이 2.4질량% 이상인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말에 있다.

이러한 제 3 태양에서는, 산화인듐 중에 고용되어 있는 산화주석의 양이 많으므로, 소결성이 더욱 크다.

본 발명의 제 4 태양은, 제 1∼3중 어느 하나의 태양에 있어서, 주석 함유량이 SnO₂ 환산으로 2.3∼45질량%인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말에 있다.

이러한 제 4 태양에서는, 주석 함유량은 소정의 범위에 있으므로, 원하는 도전성을 갖는 박막을 형성할 수 있다.

본 발명의 제 5 태양은, 제 1∼4중 어느 하나의 태양에 있어서, 인듐-주석 합금을 액류, 액적 또는 분말로 만들어, 또는 ITO 분말을 산화분위기 가능한 열원중에 공급하고, 생성된 미립자를 유체에 의해 포획하여 회수함으로써 얻은 것인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말에 있다.

이러한 제 5 태양에서는, 인듐-주석 합금을 액류, 액적 또는 분말로 만들어, 산화분위기 가능한 열원중에 공급하고, 생성된 미립자를 유체에 의해 포획하여 회수함으로써, 비교적 용이하게 탄소함유량이 낮은 ITO 분말을 얻을 수 있다.

본 발명의 제 6 태양은, 제 5 태양에 있어서, 상기 유체가 안개 형상의 액상 유체인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말에 있다.

이러한 제 6 태양에서는, 안개 형상의 액상 유체를 사용함으로써, 비교적 용이하게 미립자를 회수할 수 있다.

본 발명의 제 7 태양은, 제 5 또는 6의 태양에 있어서, 상기 생성한 미립자의 상기 유체에 의해 포획할 때의 최대 속도가, 150m/sec 이하인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말에 있다.

이러한 제 7 태양에서는, 비교적 저속으로 미립자를 냉각 회수하므로, 비교적 용이하게 제조할 수 있다.

본 발명의 제 8 태양은, 제 1∼7중 어느 하나의 태양의 산화인듐-산화주석 분말을 포함하는 원료를 소결하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟에 있다.

이러한 제 8 태양에서는, 소결성이 양호한 스퍼터링 타겟을 얻을 수 있다.

본 발명의 제 9 태양은, 제 8 태양에 있어서, 소결 후의 밀도가 99% 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟에 있다.

이러한 제 9 태양에서는, 고밀도화에 의해, 더욱 초기 아크가 적은 스퍼터링 타겟을 얻을 수 있다.

본 발명의 제 10 태양은, In-Sn 합금 또는 ITO 분말로 이루어지는 원료를 액류, 액적 또는 분말로 만들어, 열원중에 공급하고, 생성물인 산화인듐-산화주석 분말을 안개 형상의 액상 유체에 의해 미립자로서 포획하고, 기액 분리에 의해 상기 미립자를 슬러리로서 회수함으로써, 탄소함유량이 50ppm 이하의 산화인듐-산화주석 분말을 얻는 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법에 있다.

이러한 제 10 태양에서는, 인듐-주석 합금을 액류, 액적 또는 분말로 만들어, 산화분위기 가능한 열원중에 공급하고, 생성된 미립자를 유체에 의해 포획하여 회수함으로써, 비교적 용이하게 탄소함유량이 낮은 ITO 분말을 얻을 수 있다.

본 발명의 제 11 태양은, 제 10 태양에 있어서, 주석 함유량이 SnO₂ 환산으로 2.3∼45질량%인 산화인듐-산화주석 분말을 제조하는 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법에 있다.

이러한 제 11 태양에서는, 주석 함유량이 소정의 범위에 있으므로, 원하는 도전성의 박막을 형성할 수 있는 스퍼터링 타겟을 얻을 수 있는 산화인듐-산화주석 분말을 제조할 수 있다.

본 발명의 제 12 태양은, 제 10 또는 11의 태양에 있어서, 상기 생성물의 상기 액상 유체에 의해 포획할 때의 최대 속도가, 150m/sec 이하인 것을 특징으로 하 는 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법에 있다.

이러한 제 12 태양에서는, 비교적 저속으로 미립자를 냉각 회수하므로, 비교적 용이하게 제조할 수 있다.

본 발명의 제 13 태양은, 제 10∼12중 어느 하나의 태양에 있어서, 슬러리로서 얻은 산화인듐-산화주석 분말을 상기 액상 유체로부터 분리하고, 1100℃∼1300℃에서 하소하는 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법에 있다.

이러한 제 13 태양에서는, 얻어진 산화인듐-산화주석 분말을 하소함으로써, 탄소함유량이 50ppm 이하인 것을 확실하게 얻을 수 있다.

(발명을 실시하기 위한 최량의 형태)

본 발명의 ITO 분말은 탄소함유량이 50ppm 이하, 바람직하게는 20ppm 이하, 특히 바람직하게는 10ppm 이하로 적은 것이다. ITO 분말에 함유되는 탄소는 후술하는 바와 같이, 타겟 라이프에 영향을 주고, 50ppm을 넘는 탄소를 함유한 ITO 분말을 소결한 스퍼터링 타겟은 타겟 라이프가 현저하게 짧아진다.

또한, ITO 분말 중의 탄소함유량은 탄소·유황 분석장치(예를 들면(주)호리바 제작소제의 EMIA-2200)을 사용하여 측정할 수 있다.

또, 본 발명의 ITO 분말은, 바람직하게는, In-Sn 산화물을 주성분으로 하는 산화인듐-산화주석 분말로서, X선회절에서 간화합물 In₄Sn₃O_l2이 검출되지 않는 것이다. 또한, ITO 분말을 1250℃ 이상에서 소결한 소결체를 분쇄한 경우에는 물론, 산화인듐 분말 및 산화주석 분말의 혼합물을 소결한 소결체를 분쇄한 경우에는, 간 화합물 In₄Sn₃O₁₂가 검출된다.

또, 본 발명의 ITO 분말은, 특히 바람직하게는, In₂O₃(222) 적분 회절강도 및 SnO₂(110) 적분 회절강도의 비 및 ICP 분석에 의한 In, Sn의 원소농도로부터 구해지는 In₂O₃ 및 SnO₂의 비로부터 산출되는, In₂O₃ 중의 SnO₂ 고용량이 2.3질량% 이상, 바람직하게는 2.4질량% 이상이다. 여기에서, SnO₂ 고용량이란, X선회절에서의 In₂O₃(222) 적분 회절강도 및 SnO₂(110) 적분 회절강도의 비와, 예를 들면, 용융해서 분석한 경우, 또는 유도결합 고주파 플라스마 분광분석(ICP 분광분석) 등의 분석에서의 In, Sn의 원소 농도로부터 구해지는 In₂O₃ 및 SnO₂의 비를 구하고, 양자의 분석의 차로부터 산출할 수 있는 것으로, 본 발명에서는, In₂O₃(222) 적분 회절강도 및 SnO₂(110) 적분 회절강도의 비 및 ICP 분석에 의한 In, Sn의 원소농도로부터 구해지는 In₂O₃ 및 SnO₂의 비로부터 산출되는 것으로서 정의한다.

In₂O₃ 중의 SnO₂ 고용량이 2.3질량% 이상, 바람직하게는 2.4질량% 이상이라고 하면, 종래의 습식합성한 ITO 분말과 비교하여 소결성이 높고, 이 결과, 밀도가 큰 소결체를 얻을 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.

또한, 상기한 특허문헌 10에서는, 산화인듐의 결정격자 내에서의 인듐-주석-산화물 고용체상의 함유량을 적어도 90용량%로 규정하고 있는데, 여기에서는 산화인듐의 결정격자 내에서의 인듐-주석-산화물 고용체상의 함유량을 문제로 하고 있 는 것이 아니라, 산화인듐 중에 고용되는 산화주석의 양에 주목한 것이다.

본 발명의 ITO 분말은 탄소함유량이 50ppm 이하로 적으므로, 라이프가 긴 스퍼터링 타겟을 얻을 수 있고, 또, 특히, In₂O₃ 중의 SnO₂ 고용량이 고수준인 것은 소결성이 높아 비교적 용이하게 고밀도의 소결체가 얻어지고, 이 결과, 더욱 라이프가 긴 타겟을 얻을 수 있다. 여기에서, 탄소함유량이 50ppm보다 많은 ITO 분말을 사용하여 스퍼터링 타겟으로 하면, 금속산화물이 탄소에 의해 환원되기 때문에, 타겟 내에 금속부위가 확인되지만, 탄소함유량이 50ppm 이하의 ITO 분말을 사용하면, 이러한 금속부위는 관찰되지 않는 것이 확인되었다.

또한, 본 발명의 ITO 분말 중의 주석 함유량은, 원하는 도전성을 갖는 박막을 형성하기 위한 타겟으로 하기 위해서, SnO₂ 환산으로 2.3∼45질량% 이다. 예를 들면, SnO₂ 고용량이 2.3질량% 이상인 것은 주석 함유량은 최저라도 SnO₂ 환산으로 2.3질량% 이며, 반면, 45질량%를 넘는 경우에는, 예를 들면, 스퍼터링 타겟으로서 박막을 형성했을 때에 SnO₂가 석출하여 도전성을 저해하기 때문에, 모두 바람직하지 못하다.

본 발명의 ITO 분말의 제조방법은 상기한 것을 얻을 수 있으면 특별히 한정되지 않지만, 건식합성을 행함으로써, 비교적 용이하고 또한 저비용으로 본 발명의 ITO 분말을 얻을 수 있다. 즉, In-Sn 합금의 액류, 액적 또는 분말, 또는 ITO 분말을 산화분위기 가능한 열원, 예를 들면, 아세틸렌 불꽃 또는 DC 플라즈마 불꽃중에 공급하여, 생성된 ITO 미립자 분체를 회수함으로써, ITO 분말을 얻을 수 있다. 여기에서, In-Sn 합금의 액류 또는 액적은, 합금 용탕으로부터 연속적으로 또는 단속적으로 적하함으로써 얻을 수 있고, In-Sn 합금의 분말은, 예를 들면, 애토마이징법에 의해 얻을 수 있다. 또, 각종 제조방법에 의해 제조된 ITO 분말, 또는 소결된 ITO 소결체를 분쇄한 ITO 분말을 원료로 할 수 있다. 또한, 제조된 ITO 미분말의 회수는 버그 필터나 전기 집진기에 의해 건식회수해도 되지만, ITO 미분말에 물을 분무하여 포획하고, 사이클론에 의한 기액분리에 의해 슬러리로서 회수하는 습식회수를 채용해도 좋다.

여기에서, 건식회수함에 있어서도, 습식회수함에 있어서도, 상기한 특허문헌 10에 기재되는 바와 같은 마하 1 이상의 고속의 가스류를 사용한 분사냉각을 행할 필요는 없고, 생성된 미립자의 유체에 의한 포획 후의 최대 속도는, 예를 들면, 150m/sec 이하, 바람직하게는 100m/sec 이하 정도로 충분하다. 또, 이 정도의 포획 속도에 의한 급냉에 의해, In₂O₃ 중의 탄소함유량이 저하된다. 또, 동시에 In₂O₃ 중의 SnO₂ 고용량이 종래의 습식합성법과 비교하여 커져, 소결성이 향상된 ITO 분말로 할 수 있다. 또, 간화합물 In₄Sn₃O₁₂가 함유되는 ITO 분말을 원료로 해도, 간화합물In₄Sn₃O₁₂를 함유하지 않고, 탄소함유량이 50ppm 이하이며, SnO₂ 고용량이 2.3질량% 이상, 바람직하게는 2.4질량% 이상의 ITO 분말을 얻을 수 있다.

단, 후술하는 실시예의 결과로부터, 이러한 SnO₂ 고용량은 산화분위기 가능한 열원중의 산소농도나 냉각조건 등에 의해 변화되고, 또, 습식회수한 ITO 분말쪽 이 건식회수의 것보다 높아지는 경향이 있는 것을 알 수 있었다.

본 발명의 ITO 분말은 건식 또는 습식으로 성형하고, 소결함으로써, 소결체를 얻을 수 있다. 이 경우, 소결성이 현저하게 높으므로, 고밀도의 소결체를 얻을 수 있거나, 또는 성형체의 밀도를 그다지 높이지 않아도 고밀도의 소결체를 얻을 수 있다.

또한, 본 발명의 ITO 분말의 입경 또는 입도 분포는 특별히 제한되지 않지만, 고밀도의 소결체를 얻기 위해서는, 비표면적(BET)이 1∼15m²/g, 특히, 3∼10m²/g의 것이 바람직하다.

여기에서, 본 발명의 ITO 분말을 제조하는 방법을 설명한다.

본 발명의 ITO 분말은, 예를 들면, 인듐-주석 합금을 액류, 액적 또는 분말로 만들어, 또는 ITO 분말을, 산화분위기 가능한 열원중에 공급하여, 생성된 미립자를 유체에 의해 포획하여 회수함으로써 얻을 수 있다.

이러한 제조방법에서는, In-Sn 합금을 액류, 액적 또는 분말로 만들어, 또는 ITO 분말을 산화분위기 가능한 열원중에 공급한다. 즉, In-Sn 합금의 용탕 등으로부터 연속적으로 액류로서 또는 액적으로서 적하해도 되고, 또는 애토마이즈 분말을 형성하여 이것을 공급하도록 해도 되거나, 또는 ITO 분말을 공급하도록 해도 된다.

또, 산화분위기 가능한 열원으로서는, 예를 들면 아세틸렌 불꽃, DC 플라즈마 불꽃 등을 들 수 있다. 열원의 온도는, 인듐-주석 합금 또는 ITO 분말이 용융 되고, 충분히 산화가능한 온도이면 되고, 특별히 제한되지 않는다. 또한, 아세틸렌 불꽃의 경우에는, 수 천℃ 이상, DC 플라즈마 불꽃의 경우에는, 수 만℃ 이상이라고 하고 있다. 이러한 아세틸렌 불꽃 또는 DC 플라즈마 불꽃에 원료를 액류, 액적 또는 분말로 만들어 공급하면, 생성물은 그대로 또는 산화물로서 기체류와 함께 얻어진다.

여기에서, 얻어진 생성물은 유체에 의해 포획된다. 즉, 기체류와 함께 버그 필터 등으로 미립자를 회수하는, 건식회수를 하도록 해도 된다. 이 경우, 열원중에서 생성된 ITO 분말은 기체류에 의해 급냉되어, 미립자로서 회수된다.

또, 안개 형상의 액상 유체를 분사하여 포획하게 해도 된다. 즉, 아세틸렌 불꽃이나 DC 플라즈마 불꽃의 분류와 함께 흐르는 생성물에 안개 형상의 액상 유체, 바람직하게는 안개 형상의 물을 분무한다. 이것에 의해, 생성물은 급냉되어 미립자가 되고, 분무된 액상 유체의 슬러리가 된다. 여기에서, 안개 형상의 액상 유체의 공급은 얻어지는 생성물을 포획하여 냉각할 수 있도록 행하면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면 , 물을 사용하는 경우에는, 상온의 물, 바람직하게는, 상온의 순수를 사용하면 되지만, 냉각수를 사용해도 된다. 분무된 액상 유체에 포획된 미립자를 포함하는 액상 유체를 기액분리 하고, 미립자를 슬러리로서 회수한다. 여기에서, 슬러리의 회수방법은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는, 사이클론을 사용하여 행할 수 있다.

이러한 액상 유체를 사용한 습식회수를 사용하면, 미립자의 ITO 분말의 회수가 건식회수보다 비교적 용이하고, 또 건식회수와 냉각상태가 다르기 때문에, 건식 회수한 것보다 Sn 고용량이 증대된다.

어떻든, 이러한 생성물을 유체에 의해 미립자로서 포획할 경우, 포획할 때의 최대 속도는, 예를 들면, 150m/sec 이하, 바람직하게는 100m/sec 이하 정도이다.

이러한 제조방법을 사용하면, 원료로서 In-Sn 합금 또는 ITO 분말을 사용함으로써, 산화인듐-산화주석(ITO) 분말을 제조할 수 있다. 이러한 ITO 분말은 ITO 스퍼터링 타겟의 재료로서 사용할 수 있다. 이러한 ITO 스퍼터링 타겟의 재료로서는, 주석 함유량이 SnO₂ 환산으로 2.3∼45질량%인 것이 바람직하다.

이하, 본 발명 방법을 실시하는 미립자의 제조장치의 일례를 도 1을 참조하면서 설명한다.

이 장치는 산화분위기 가능한 열원인 아세틸렌 불꽃 또는 DC 플라즈마 불꽃으로 이루어지는 화염(1)중에 공급된 원료(2)를 액류, 액적 또는 분말로 만들어 공급함으로써 얻어지는 생성물(3)을 기체류체와 함께 도입하는 도입구(10)와, 도입된 미립자에 대해 안개 형상의 액상 유체를 분사하는 유체 분사수단(20)과, 액상 유체로 포획된 미립자를 기액분리 하여 상기 미립자의 슬러리를 얻는 기액분리수단인 사이클론(30)과, 액상 유체로 포획할 수 없었던 미립자를 포함하는 분위기 유체의 일부를 유체 액적분사 위치까지 되돌려서 순환시키는 순환수단(40)을 구비한다.

여기에서, 도입구(10)는 생성물을 포함하는 기체류를 도입할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 기체류를 흡인하도록 해도 된다.

유체 분사수단(20)은, 도입구(10)가 설치된 도입관(11)의 하류측에 설치되어 유체, 예를 들면, 물을 분사하는 복수의 분사노즐(21)과, 분사노즐(21)에 유체를 도입하기 위한 펌프(22) 및 유체를 가득 채우는 유체 탱크(23)를 갖는다. 분사노즐(21)로부터의 유체의 분사 방향은 특별히 한정되지 않지만, 도입구(10)로부터 도입되는 기체류의 흐름 방향을 향해서 합류하는 방향으로 분사하는 것이 좋다. 도입구(10)로부터 도입된 기체류에 함유되는 생성물(3)은, 분무된 유체, 예를 들면, 물에 의해 냉각되어, 미립자로서 포획된다. 또한, 도입관(11)의 분사노즐(21)의 하류측에는, 유로를 좁힌 벤투리부(12)를 설치하여 기액 혼합물의 유속의 저하를 방지하고 있지만, 벤투리부(12)는 반드시 설치할 필요는 없다. 또, 분사노즐(21) 및 펌프(22)는 반드시 설치할 필요는 없고, 기체류의 흐름에 의한 흡인력에 의해 액체를 흡인하여 분사하도록 해도 된다.

도입구(10)가 설치된 도입관(11)은 기액 분리수단인 사이클론(30)의 도입구(31)에 연통되어 있다. 사이클론(30)의 도입구(31)로부터 도입된 기액 혼합물은, 사이클론 본체(32)의 내벽을 따라 도는 와류(33)로 되어 기액분리 되고, 액체성분, 즉, 미립자를 포함하는 슬러리가 하부에 낙하하고, 기체성분은 배기구(34)로부터 배출되도록 되어 있다.

이 장치에서는, 배기구(34)에 순환수단(40)이 설치되어 있다. 즉, 배기구(34)에는, 도입관(11)의 도입구(10) 근방에 연통되는 순환 파이프(41)이 설치되고, 순환 파이프(41)의 도중에 블로어(42)가 사이에 장치되어 있고, 이것들이 순환수단(40)을 구성하고 있다. 이 순환수단(40)에 의해, 전부 포획할 수 없었던 분말을 분사노즐(21)의 상류측으로 되돌려, 포획 효율을 향상시키고 있다.

또, 사이클론(30)으로 기액분리 된 액체성분은 수분 배출구(36)로부터 배출되고, 유체 탱크(23)에 가득 채워진다. 또한, 이 유체 탱크(23)에 가득 채워진 슬러리의 상청액이 순환수단(40)에 의해 순환되고 있으므로, 서서히 미립자 성분의 농도가 진한 슬러리가 얻어진다. 또한, 상청액를 순환수단(40)에 의해 순환시키기 위해서는, 유체 탱크(23)의 속에 미립자성분을 여과하는 필터를 형성해도 되고, 또한 알칼리 용액에 의해 중화하여 미립자성분을 침강분리 하는 침강분리조를 유체 탱크(23)에 병설해도 된다.

사이클론(30)으로부터의 배기의 대부분은 배기구(34)로부터 순환 파이프(41)로 순환되는데, 배기의 일부, 예를 들면, 10분의 1 정도는 제 2 배기구(35)로부터 배기되게 되어 있다.

또, 이 장치에서는, 제 2 배기구(35)에는, 제 2 기액분리수단인 제 2 사이클론(50)이 배기 파이프(43)를 통하여 접속되어 있다. 제 2 사이클론(50)은 기본적으로는 사이클론(30)과 동일한 구조를 갖고 기액분리 기능을 갖는다. 즉, 배기 파이프(43)가 접속되는 도입구(51)로부터 도입된 기액 혼합물은, 사이클론 본체(52)의 내벽을 따라 도는 와류(53)로 되어 기액분리 되고, 액체성분, 즉, 미립자를 포함하는 슬러리는 하부로 낙하하고, 수분 배출구(54)로부터 배출되어, 유체 탱크(61)에 고이고, 기체성분은 배기구(55)로부터 배출되게 되어 있다. 더욱 상세히 말하면, 배기 파이프(43)의 도중에는 유로를 좁힌 벤투리부(44)가 설치되어 있고, 이 벤투리부(44)와, 유체 탱크(61)를 연통하는 물 순환 파이프(62)가 설치되어 있다. 이것에 의해, 벤투리부(44)의 고속의 기체의 흐름에 의해, 유체 탱크(61) 중 의 물이 흡인되어 벤투리부(44) 내로 분사되어, 기체 중에 잔존하는 미립자를 액체 중에 포획하도록 하고 있다. 한편, 배기구(55)에는 배기 파이프(71)가 연결되고, 배기 파이프(71)에는 제 2 블로어(72)이 설치되고, 당해 제 2 블로어(72)를 통하여 배기구(55)로부터의 기체가 배기되도록 되어 있다. 또한, 물탱크(61)의 물을 배기 파이프(43) 내에 분무하기 위해서는, 상기한 사이클론(30)과 같이, 펌프와 분무 노즐을 사용해서 행해도 된다. 또, 유체 탱크(61)에는, 상기한 바와 같이 필터를 설치해도 되고, 중화하여 미립자를 분리하는 침강분리조를 형성해도 된다. 또한, 배기구(55)로부터의 배기의 일부를 배기 파이프(43)의 벤투리부(44)의 상류측으로 순환시키도록 하여, 포획 효율을 더 높여도 된다.

또한, 사이클론(30)만으로 미립자의 포획 효율이 충분한 경우에는, 제 2 사이클론(50)은 반드시 설치할 필요는 없고, 또는, 포획 효율을 더 높이고 싶은 경우에는, 복수의 사이클론을 더 연결해도 된다.

이상에서 설명한 본 발명의 ITO 분말은 스퍼터링 타겟의 원료에 사용하기에 적합하다.

여기에서, 본 발명의 ITO 분말을 사용한 스퍼터링 타겟의 제조방법의 1예를 나타낸다.

먼저, 원료가 되는 ITO 분말을 종래부터 공지인 각종 습식법 또는 건식법을 사용하여 성형하고, 소성한다.

건식법으로서는, 콜드 프레스(Colld Press)법이나 핫 프레스(Hot Press)법 등을 들 수 있다. 콜드 프레스법에서는, ITO 분말을 성형금형에 충전하여 성형체 를 제작하고, 대기분위기 하 또는 산소분위기 하에서 소성·소결시킨다. 핫 프레스법에서는 ITO 분말를 성형금형 내에서 직접 소결시킨다.

습식법으로서는, 예를 들면, 여과성형법(일본 특개평11-286002호 공보 참조)을 사용하는 것이 바람직하다. 이 여과성형법은, 세라믹스 원료 슬러리로부터 수분을 감압 배수하여 성형체를 얻기 위한 비수용성 재료로 이루어지는 여과식 성형금형으로서, 1개 이상의 수분배출 구멍을 갖는 성형용 하형과, 이 성형용 하형 위에 재치한 통수성을 갖는 필터와, 이 필터를 실링하기 위한 실링재를 통하여 상면측으로부터 끼워 지지하는 성형용 형틀로 이루어지고, 상기 성형용 하형, 성형용 거푸집, 실링재, 및 필터가 각각 분해할 수 있게 조립되어 있고, 이 필터면측으로부터만 슬러리 중의 수분을 감압 배수하는 여과식 성형금형을 사용하고, 혼합분말, 이온교환수와 유기 첨가제로 이루어지는 슬러리를 조제하고, 이 슬러리를 여과식 성형금형에 주입하고, 이 필터면측으로부터만 슬러리 중의 수분을 감압 배수하여 성형체를 제작하고, 얻어진 세라믹스 성형체를 건조탈지 후, 소성한다.

각 방법에 있어서, 소성온도는, 예를 들면 ITO 타겟의 경우에는, 1300∼1600℃가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1450∼1600℃이다. 그 후에 소정 치수로 성형·가공을 위한 기계가공을 시행하여 타겟으로 한다.

일반적으로는, 성형 후, 두께 조정을 위해 표면을 연삭하고, 또한, 표면을 평활하게 하기 위해서, 수 단계의 연마를 시행하는데, 소정의 표면처리를 시행하여, 마이크로 크랙을 제거하도록 하는 것이 바람직하다.

(실시예)

이하, 본 발명을 실시예에 기초하여 설명하는데, 이것에 한정되는 것은 아니다.

(실시예 1)

In-Sn 합금(Sn 9.6wt%)의 애토마이즈 분말(평균 입경 45㎛)을, 아세틸렌 불꽃에 도입하여 ITO(In₂O₃:SnO₂=90:10wt%) 분말을 건식 합성하고, 이것을 버그 필터에 의해 건식회수하여, 실시예 1의 ITO 분말로 했다.

(실시예 2)

실시예 1과 동일하게 하여 아세틸렌 불꽃으로 건식합성한 ITO 분말을 스프레이수에 의해 습식회수하고, 이것을 실시예 2의 ITO 분말로 했다.

(실시예 3)

공심법에 의해 습식합성된 ITO 분말을 실시예 3의 ITO 분말로 했다.

공심법에 의한 습식합성의 수순은 아래와 같다. 즉, 우선, In(4N) 20g을 질산(시약 특급: 농도 60∼61%) 133cc에 상온에서 용해하고(pH=-1.5), 일방, Sn(4N) 2.12g을 염산(시약 특급: 농도 35∼36%) 100cc에 상온에서 용해하고(pH=-1.9), 양자를 혼합하여 혼산 용액으로 했다. 이때, 석출물은 없고, pH는 -1.5였다. 이어서, 이 혼산에 25%암모니아수(시약 특급)를 혼합해서 중화하여 pH6.5로 하자, 흰 침전물을 석출했다. 수 시간 후, 웃물을 버리고 순수 2리터(L)로 3회 세정한 후, 80℃에서 건조시킨 후, 600℃에서 3시간 배소, 탈수반응 시켜, 습식합성 ITO 분말을 얻었다.

(실시예 4)

습식합성된 산화인듐 분말과 산화주석 분말의 혼합물(산화주석 10wt%)의 분말을 사용하여 1550℃ 이상에서 소결한 소결체를 분쇄한 것을 실시예 4의 ITO 분말로 했다.

(실시예 5)

In-Sn 합금(Sn 9.6wt%)의 애토마이즈 분말(평균 입경 45㎛)을, D C플라즈마 불꽃에 도입하여 ITO(In₂O₃:SnO₂=90:10wt%) 분말을 건식합성하고, 이것을 스프레이수에 의해 습식회수하고, 실시예 5의 ITO 분말로 했다.

(비교예 1)

습식합성된 산화인듐 분말을 1000℃에서 하소한 산화인듐 분말 90질량%와, 마찬가지로 습식합성된 산화주석을 1000℃에서 하소한 산화주석 분말 10질량%를 유발에서 혼합한 것을 비교예 1로 하고, 표준품 1로 했다.

(비교예 2)

비교예 1과 동일하게, 습식합성된 산화인듐 분말을 1000℃에서 하소한 산화인듐 분말 90질량%와, 마찬가지로 습식합성된 산화주석을 1000℃에서 하소한 산화주석 분말 10질량%를 유발에서 혼합한 것을 비교예 2로 하고, 표준품 2로 했다.

(시험예 1)

탄소·유황분석장치((주)호리바 제작소제의 EMIA-2200)을 사용하여, 각 실시예 및 비교예의 ITO 분말중의 탄소함유량을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(시험예 2)

각 실시예 1∼4 및 비교예 1의 ITO 분말에 대해, SnO₂ 고용량을 구했다. 수순은 이하와 같다. 또한, 시험의 실시에 앞서, 실시예 1∼4의 ITO 분말에 대해서는, 1000℃×3시간, 대기중에서 하소하여, 미소입자로서 석출되어 있는 SnO₂를 성장시켜 SnO₂로서 검출되기 쉽도록 했다.

1. 우선, 유도 결합 고주파 플라스마 분광분석(ICP 분광분석)을 했다. 이 결과로부터, In, Sn 이외는 모두 산소 O인 것으로 하고, 그 O의 양은 결손되어 있을 가능성이 있다고 가정하고, In과 Sn과의 비를 구하고, 이 In 및 Sn 모두가 In₂O₃, SnO₂로 된 것으로 했을 때의 중량비를 산출했다.

2. 각 실시예 1∼4 및 비교예 1의 ITO 분말에 대해, 분말 X선회절(XRD: (주)맥 사이언스사제, MXP18II)에 의한 분석을 행하여, SnO₂ 석출량을 구했다. 즉, 회절결과로부터, 간화합물(In₄Sn₃O₁₂)의 유무를 확인하고, 간화합물이 검출되지 않을 경우에는, 비교예 1의 표준품 1로 하여 각 시료의 In₂O₃(222) 적분 회절강도 및 SnO₂(110) 적분 회절강도의 비로부터 SnO₂의 석출량(질량%)을 구했다. 즉, SnO₂의 석출량(질량%)은, X선회절의 적분 회절강도비로부터 구해지는 SnO₂의 함유량이며, In₂O₃에 고용되어 있지 않은 SnO₂가 1000℃ 정도의 하소에 의해 성장하여 X선회절의 SnO₂(110)의 피크가 되는 것으로 가정하고 있다. X선회절의 결과를 도 2∼도 5, 도 7에 도시한다.

3.1 및 2의 결과로부터, ICP분석으로 검출되었는데, X선회절에서는 SnO₂(110)란 검출되지 않은 SnO₂를 In2O3 중의 SnO₂ 고용량으로 했다. 이들 결과를 표 1에 나타낸다.

이 결과, 실시예 1, 2의 ITO 분말에서는 SnO₂ 고용량이 2.35wt%, 2.42wt%로, 습식합성한 ITO 분말인 실시예 3의 2.26wt%보다 많은 것을 알 수 있었다. 또한, 한번 소결체로 만든 것을 분쇄한 실시예 4의 ITO 분말에서는 간화합물이 검출되어, SnO₂ 고용량은 측정불능이었다.

(시험예 3)

실시예 5 및 비교예 2의 ITO 분말에 대해, 시험예 2와 동일하게 SnO₂ 고용량을 구했다. 또한, 분말 X선회절(XRD)은 스펙트리스((주))사제의 X'PertPROMPD를 사용하여 분석했다. 이것들의 결과를 표 1에 나타낸다. 또한 X선회절의 결과를 도 6 및 도 8에 도시한다.

이 결과, 실시예 5의 ITO 분말에서는, SnO₂ 고용량이 3.00wt%로, DC 플라즈마 불꽃 대신 아세틸렌 불꽃을 사용한 이외는 동등한 실시예 2의 SnO₂ 고용량보다 현저하게 큰 것을 알 수 있었다.

(제조예 1)

실시예 2와 동일하게 하여 합성하고, 1100℃에서 하소한 ITO 분말(BET 비표면적 2.97m²/g)을 드라이 볼밀로 해쇄 후, 콜드 프레스 했다. 이 성형체의 탈지 후의 상대밀도는 이론밀도 7.15의 53.5% 였다.

이것을 1600℃에서 소성하여 소결체인 스퍼터링 타겟을 얻었다. 이 상대밀도는 99.8% 였다.

(제조예 2)

실시예 1과 동일하게 하여 합성하고, 1000℃에서 하소한 ITO 분말을 드라이 볼밀로 해쇄하고(이때의 비표면적 7.7m²/g), 이것을 웨트 볼밀에 의해 더 해쇄하여 슬러리로 만들고, 이 슬러리를 여과식 성형금형에 주입하고, 필터면측으로부터만 슬러리 중의 수분을 감압 배수하여 성형체를 제작하고, 얻어진 세라믹스 성형체를 건조 탈지했다. 이 성형체의 탈지 후의 상대밀도는 이론밀도 7.15의 64.9% 였다.

이것을 1600℃에서 소성하여 소결체인 스퍼터링 타겟을 얻었다. 이 상대밀도는 99.9% 였다.

(제조예 3)

실시예 2와 동일하게 하여 합성하고, 1050℃에서 하소한 ITO 분말(비표면적 4.02m²/g)을 드라이 볼밀 및 웨트 볼밀에 의해 해쇄하여 슬러리로 만들고, 이 슬러리를 여과식 성형금형에 주입하고, 필터면측으로부터만 슬러리 중의 수분을 감압 배수하여 성형체를 제작하고, 얻어진 세라믹스 성형체를 건조 탈지했다. 이 성형체의 탈지 후의 상대밀도는 이론밀도 7.15의 65.0% 였다.

(제조예 4)

실시예 5와 동일하게 합성하고, 1100℃에서 하소한 ITO 분말(비표면적 2.5m²/g)을 드라이 볼밀 및 웨트 볼밀에 의해 해쇄하여 슬러리로 만들고, 이 슬러리를 여과식 성형금형에 주입하고, 필터면측으로부터만 슬러리 중의 수분을 감압 배수하여 성형체를 제작하고, 얻어진 세라믹스 성형체를 건조 탈지했다. 이 성형체의 탈지 후의 상대밀도는 이론밀도 7.15의 64.9%였다.

이것을 1600℃에서 소성하여 소결체인 스퍼터링 타겟을 얻었다. 이 상대밀도는 99.8%였다.

(비교제조예 1)

비교예 1과 동일하게 습식합성된 산화인듐 분말을 1000℃에서 하소한 산화인듐 분말 90질량%(BET 비표면적은 5.7m²/g)과, 마찬가지로 습식합성된 산화주석을 1050℃에서 하소한 산화주석 분말 10질량%의 혼합물을 드라이 볼밀로 혼합, 해쇄하고, 이것을 웨트 볼밀로 더욱 혼합, 해쇄하여 슬러리로 만들고, 이 슬러리를 여과식 성형금형에 주입하고, 필터면측으로부터만 슬러리 중의 수분을 감압 배수하여 성형체를 제작하고, 얻어진 세라믹스 성형체를 건조 탈지했다. 이 성형체의 탈지 후의 상대밀도는 이론밀도 7.15의 60.0%였다.

이것을 1600℃에서 소성하여 소결체인 스퍼터링 타겟을 얻었다. 이 상대밀도는 99.0% 였다.

(시험예 4)

제조예 2∼4 및 비교제조예 1의 스퍼터링 타겟을 사용하여 아킹 특성을 측정했다. 즉, 이하와 같은 조건으로 DC 마그네트론 스퍼터에 의해 연속 스퍼터링 하고, 50Counts 라이프를 측정했다. 여기에서, 50Counts 라이프는, 각 타겟 사용 개시시로부터 투입 전력량 10Wh/cm²까지 초기 아크 회수를 제외하고, 누적 아킹 회수가 50회가 되었을 때의 투입 전력량(Wh/cm²)을 말한다. 또한, 아킹의 검출은, 랜드마크 테크놀로지사제의 아크 검출장치(MAM Genesis)에 의해 행했다. 결과는 하기 표 2에 나타낸다.

이 결과, 본 발명의 ITO 분말을 사용한 스퍼터링 타겟은 아킹 특성이 우수하고, 타겟 라이프가 긴 것을 알 수 있었다. 또, DC 플라즈마 불꽃에 의한 ITO 분말을 사용한 제조예 4의 타겟은 아세틸렌 불꽃에 의한 ITO 분말을 사용한 제조예 2 및 3과 비교하여, 타겟 라이프가 더욱 긴 것이 확인되었다.

(스퍼터링 조건)

타겟 치수 : 직경 6inch, 두께 6mm

스퍼터 방식 : DC 마그네트론 스퍼터

배기장치 : 로터리 펌프+클라이오 펌프

도달진공도 : 3.0×10^-7[Torr]

Ar압력 : 3.0×10^-3[Torr]

산소분압 : 3.0×10^-5[Torr]

스퍼터 전력 : 300W(전력밀도 1.6W/cm²)

(시험예 5)

각 제조예에서, 소결성에 대해 비교했다. 이 결과를 표 3에 나타낸다. 또한, 소결성은 성형체의 상대밀도에 대한 소결체의 상대밀도의 배율을 나타낸다.

이 결과, 본 발명의 ITO 분말은 소결성이 높아 고밀도의 소결체가 얻어지는 것이며, 또한 성형체의 밀도를 크게 하지 않아도 고밀도의 소결체가 얻어지는 것을 알 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 ITO 분말은 탄소함유량이 50ppm 이하로 적으므로, 이것을 소결함으로써 타겟 라이프가 긴 스퍼터링 타겟을 제조할 수 있는 것이다. 또, 특히, X선회절에서 간화합물 In₄Sn₃O₁₂가 검출되지 않고, In₂O₃(222) 적분 회절강도 및 SnO₂(110) 적분 회절강도의 비 및 ICP 분석에 의한 In, Sn의 원소농도로부터 구해지는 In₂O₃ 및 SnO₂의 비로부터 산출되는, In₂O₃ 중의 SnO₂ 고용량이 2.3질량% 이상의 것은, 소결성이 양호하여, 성형체의 밀도를 크게 하지 않아도 고밀도의 스퍼터링 타겟을 비교적 용이하게 제조할 수 있는 것이다.

Claims

In-Sn 산화물을 주성분으로 하는 산화인듐-산화주석 분말로서, 탄소함유량이 50ppm 이하이고, X선회절에서 간화합물 In₄Sn₃O₁₂가 검출되지 않고, In₂O₃(222) 적분 회절강도 및 SnO₂(110) 적분 회절강도의 비 및 ICP 분석에 의한 In, Sn의 원소농도로부터 구해지는 In₂O₃ 및 SnO₂의 비로부터 산출되는, In₂O₃ 중의 SnO₂ 고용량이 2.3질량% 이상인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말.
삭제
제 1 항에 있어서, In₂O₃ 중의 SnO₂ 고용량이 2.4질량% 이상인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말.
제 1 항에 있어서, 주석 함유량이 SnO₂ 환산으로 2.3∼45질량%인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말.
In-Sn 산화물을 주성분으로 하는 산화인듐-산화주석 분말로서, 탄소함유량이 50ppm 이하이고, 인듐-주석 합금을 액류, 액적 또는 분말로 만들어, 또는 ITO 분말을 산화분위기 가능한 열원중에 공급하고, 생성된 미립자를 유체에 의해 포획하여 회수함으로써 얻을 것인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말.
제 5 항에 있어서, 상기 유체가 안개 형상의 액상 유체인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말.
제 5 항에 있어서, 상기 생성한 미립자의 상기 유체에 의해 포획할 때의 최대 속도가 150m/sec 이하인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말.
제 1 항, 또는 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 산화인듐-산화주석 분말을 포함하는 원료를 소결하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
제 8 항에 있어서, 소결 후의 밀도가 99% 이상인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟.
In-Sn 합금 또는 ITO 분말로 이루어지는 원료를 액류, 액적 또는 분말로 만들어, 열원중에 공급하고, 생성물인 산화인듐-산화주석 분말을 안개 형상의 액상 유체에 의해 미립자로서 포획하고, 기액분리에 의해 상기 미립자를 슬러리로서 회수함으로써, 탄소함유량이 50ppm 이하인 산화인듐-산화주석 분말을 얻는 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법.
제 10 항에 있어서, 주석 함유량이 SnO₂ 환산으로 2.3∼45질량%인 산화인듐-산화주석 분말을 제조하는 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법.
제 10 항에 있어서, 상기 생성물의 상기 액상 유체에 의해 포획할 때의 최대 속도가 150m/sec 이하인 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법.
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 슬러리로서 얻은 산화인듐-산화주석 분말을 상기 액상 유체로부터 분리하고, 1100℃∼1300℃에서 하소하는 것을 특징으로 하는 산화인듐-산화주석 분말의 제조방법.