KR100844092B1 - 역학량 측정장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (52)
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여, 변형을 측정하는 역학량 측정장치에 있어서,확산 저항으로 휘트스톤 브리지를 각각 형성한 제 1 센서와 제 2 센서를 구비하고,상기 제 1 센서를 구성하는 상기 확산 저항은, 서로의 거리가 그 길이방향의 길이보다 작고,상기 제 2 센서를 구성하는 상기 확산 저항은, 서로의 거리가 그 길이방향의 길이보다도 작고,상기 제 1 센서와 제 2 센서의 거리는, 상기 확산 저항의 길이방향의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여 변형을 측정하는 역학량 측정장치에 있어서,제 1 센서와 제 2 센서를 구비하고,상기 제 1 센서는, 길이방향이 <110> 방향을 향한 4개의 p형 불순물 확산 저항을 구비하고,상기 제 2 센서는, 길이방향이 <100> 방향을 향한 4개의 n형 불순물 확산 저항을 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여 측정을 행하는 역학량 측정장치에 있어서,단결정 실리콘으로 이루어지는 반도체 기판의 {100}면 위에 형성된 제 1 센서와 제 2 센서를 구비하고,상기 제 1 센서는, <110> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변(對邊)의 저항을 형성하는 2개의 p형 불순물 확산 저항과, 상기 p형 불순물 확산 저항의 방향과 직교하는 <110> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 p형 불순물 확산 저항을 가지는 휘트스톤브리지를 구비하고,상기 제 2 센서는, <100> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 n형 불순물 확산 저항과, 상기 n형 불순물 확산 저항의 방향과 직교하는 <100> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 n형 불순물 확산 저항을 가지는 휘트스톤 브리지를 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여 측정을 행하는 역학량 측정장치에 있어서,단결정 실리콘으로 이루어지는 반도체 기판의 {100}면 위에 형성된 제 1 센서와 제 2 센서를 구비하고,상기 제 1 센서는, 〔110〕방향으로 평행하게 전류를 흘리는 제 1 p형 불순물 확산 저항과, 〔-110〕방향으로 평행하게 전류를 흘리는 제 2 p형 불순물 확산 저항과, 〔110]방향으로 평행하게 전류를 흘리는 제 3 p형 불순물 확산 저항과, 〔-110〕방향으로 평행하게 전류를 흘리는 제 4 p형 불순물 확산 저항을 이 순서로 접속하여 형성한 휘트스톤 브리지를 구비하고,상기 제 2 센서는, 〔100〕방향으로 평행하게 전류를 흘리는 제 1 n형 불순물 확산 저항과, 〔010〕방향으로 평행하게 전류를 흘리는 제 2 n형 불순물 확산 저항과, 〔100〕방향으로 평행하게 전류를 흘리는 제 3 n형 불순물 확산 저항과, 〔O1O〕방향으로 평행하게 전류를 흘리는 제 4 n형 불순물 확산 저항을 이 순서로 접속하여 형성한 휘트스톤 브리지를 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 3항에 있어서,상기 제 1 센서의 4개의 p형 불순물 확산 저항 사이의 거리는, 상기 불순물 확산 저항의 길이방향의 길이보다 작고,상기 제 2 센서의 4개의 n형 불순물 확산 저항 사이의 거리는, 상기 불순물 확산 저항의 길이방향의 길이보다 작고,상기 제 1 센서와 상기 제 2 센서의 거리는, 상기 불순물 확산 저항의 길이방향의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 3항에 있어서,상기 반도체 기판은 p형이고,상기 제 1 센서의 p형 확산 저항의 주위에, 상기 p형 확산 저항을 둘러 싸는 n형 불순물 확산층을 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 3항에 있어서,상기 반도체 기판은 n형이고,상기 제 2 센서의 n형 확산 저항의 주위에, 상기 n형 확산 저항을 둘러 싸는 p형 불순물 확산층을 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고, 피측정물에 설치하여 역학량 측정을 행하되, 단결정 실리콘으로 이루어지는 반도체 기판의 {100}면 위에 형성된 제 1 센서와 제 2 센서를 가지고, 상기 제 1 센서는, <110> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변(對邊)의 저항을 형성하는 2개의 p형 불순물 확산 저항과, 상기 p형 불순물 확산 저항의 방향과 직교하는 <110> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 p형 불순물 확산 저항을 가지는 휘트스톤브리지를 구비하고, 상기 제 2 센서는, <100> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 n형 불순물 확산 저항과, 상기 n형 불순물 확산 저항의 방향과 직교하는 <100> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 n형 불순물 확산 저항을 가지는 휘트스톤 브리지를 구비하는 역학량 측정 장치를 구비하고,상기 역학량 측정장치의 상기 반도체 기판면 위의 <100> 방향 또는 <110> 방향을 그 회전축 방향에 맞춰 구비한 것을 특징으로 하는 회전체.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여 측정을 행하는 역학량 측정장치에 있어서,제 1 센서와 제 2 센서를 구비하고,상기 제 1 센서 및 상기 제 2 센서는, <100> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 n형 불순물 확산 저항과, <100> 방향으로 전류를 흘리고, 휘트스톤 브리지의 저항을 형성하는 2개의 p형 불순물 확산 저항을 각각 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 9항에 있어서,상기 제 1 센서의 2개의 n형 불순물 확산 저항의 전류를 흘리는 방향은, 상기 제 2 센서의 2개의 n형 불순물 확산 저항의 전류를 흘리는 방향과 직교하는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 10항에 있어서,상기 제 1 센서의 2개의 n형 불순물 확산 저항은, 상기 제 2 센서의 2개의 n형 불순물 확산 저항과 대략 선대칭으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 위에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여, 변형을 측정하는 역학량 측정장치에 있어서,제 1 센서와 제 2 센서를 구비하고,상기 제 1 센서 및 상기 제 2 센서는, 2개의 평행하게 설치된 변형 감도가 높은 확산 저항과, 2개의 변형 감도가 낮은 확산 저항을 각각 구비하고,상기 제 1 센서의 2개의 변형 감도가 높은 확산 저항의 길이방향은, 상기제 2 센서의 2개의 변형 감도가 높은 확산 저항의 길이방향과 직교하고, 또한 상기제 1 센서의 2개의 변형 감도가 높은 확산 저항과 상기 제 2 센서의 2개의 변형 감도가 높은 확산 저항이, 대략 선대칭으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 11항에 있어서,상기 대략 선대칭의 대칭이 되는 선은, 상기 반도체 기판의 주면의 중심점을 지나는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 10항에 있어서,상기 제 1 센서의 2개의 p형 불순물 확산 저항의 길이방향은, 상기 제 2 센서의 2개의 p형 불순물 확산 저항의 길이방향과 직교하고, 또한 대략 선대칭으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 10항에 있어서,상기 제 1 센서의 2개의 p형 불순물 확산 저항은, 상기 제 2 센서의 2개의 p형 불순물 확산 저항과 대략 평행인 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 9항에 있어서,상기 제 1 센서의 n형 불순물 확산 저항은, 상기 제 1 센서의 p형 불순물 확산층보다 반도체 기판 주면의 도심(圖心)에 가까운 위치에 배치되어 있는 것을 특 징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 9항에 있어서,상기 제 1 센서의 n형 불순물 확산 저항과 상기 제 2 센서의 n형 불순물 확산 저항과의 거리는, 상기 제 1 센서의 p형 불순물 확산 저항과 상기 제 2 센서의 p형 불순물 확산 저항과의 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여, 변형을 측정하는 역학량 측정장치에 있어서,제 1 센서와 제 2 센서를 구비하고,상기 제 1 센서 및 상기 제 2 센서는, 변형 감도가 높은 확산 저항을 2개와, 변형 감도가 낮은 확산 저항을 2개를 각각 구비하고,상기 제 1 센서의 변형 감도가 높은 확산 저항은, 상기 제 1 센서의 변형 감도가 낮은 확산 저항보다 상기 반도체 기판의 도심에 가까운 위치에 배치하는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여 측정을 행하는 역학량 측정장치에 있어서,휘트스톤 브리지를 형성하는 복수의 p형 불순물 확산 저항 및 n형 불순물 확산 저항을 구비하고,상기 반도체 기판은 p형이고,상기 p형 확산 저항의 주위에, 휘트스톤 브리지를 형성하지 않은 n형 불순물 확산층을 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여, 변형을 측정하는 역학량 측정장치에 있어서,휘트스톤 브리지를 형성하는 복수의 p형 불순물 확산 저항 및 n형 불순물 확산 저항을 구비하고,상기 반도체 기판은 n형 이고,상기 n형 확산 저항의 주위에, 휘트스톤 브리지를 형성하지 않은 p형 불순물 확산층을 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 19항 또는 제 20항에 있어서,상기 불순물 확산 저항은, 서로의 거리가 그 길이방향의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 12항 또는 제 18항에 있어서,상기 제 1 센서의 2개의 n형 불순물 확산 저항과 2개의 p형 불순물 확산 저항은, 그 길이방향이 서로 평행하고, 또한 <110> 방향으로 나열하여 설치되어 있고,상기 제 2 센서의 2개의 n형 불순물 확산 저항과 2개의 p형 불순물 확산 저항은, 그 길이방향이 상기 제 1 센서의 불순물 확산 저항의 길이방향과 직교하는 방향을 향하고 있고, 또한 상기 <110> 방향과 동일한 방향으로 나열하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 확산 저항으로 형성한 휘트스톤 브리지를 구비한 역학량 측정장치에 있어서,제 1 확산 저항, 제 2 확산 저항, 제 3 확산 저항, 제 4 확산 저항을 이 순서로 서로 연결시켜 휘트스톤 브리지를 구성하고,상기 확산 저항을 서로 접속하는 4개의 배선과, 상기 휘트스톤 브리지의 외부에 있는 외부 회로에 접속하는 인출 배선을 적어도 구비하고,상기 인출 배선을 5개 이상 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 확산 저항으로 형성한 휘트스톤 브리지를 구비한 역학량 측정장치에 있어서,제 1 확산 저항, 제 2 확산 저항, 제 3 확산 저항, 제 4 확산 저항을 이 순서로 서로 연결하여 휘트스톤 브리지를 구성하고,상기 확산 저항을 서로 접속하는 4개의 배선과, 상기 휘트스톤 브리지의 외부에 있는 외부 회로에 접속하는 인출 배선을 구비하고,제 1 확산 저항은, 직렬로 접속된 제 1 본체 저항과, 상기 제 1 본체 저항보 다 저항값이 작은 제 1 조정용 저항을 구비하고,상기 인출 배선은 상기 4개의 배선 및 상기 제 1 본체 저항과 상기 제 1 조정용 저항의 사이에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 24항에 있어서,제 1 확산 저항은, 상기 제 1 본체 저항과, 상기 제 1 조정용 저항과, 제 2 조정용 저항을 이 순서로 접속하여 구비하고,상기 제 1 조정용 저항과 상기 제 2 조정용 저항의 사이에 상기 인출 배선을 접속한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 24항에 있어서,상기 제 3 확산 저항은, 제 3 본체 저항과, 제 3 조정용 저항을 구비하고,상기 인출 배선은 상기 제 3 본체 저항과 상기 제 3 조정용 저항의 사이에 접속되어 있고,휘트스톤 브리지 위에서, 상기 제 1 조정용 저항과 상기 제 3 조정용 저항은, 각각의 본체 저항에 대한 위치가 대각측이 되도록 구비된 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 24항에 있어서,상기 제 1 확산 저항은, 변형 감도가 낮은 확산 저항인 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 24항에 있어서,상기 제 1 확산 저항 및 제 3 확산 저항은, <100> 방향으로 평행한 방향에 전류를 흘리는 p형 불순물 확산 저항이고, 상기 제 2 확산 저항 및 제 4 확산 저항은, <100> 방향으로 평행한 방향에 전류를 흘리는 n형 불순물 확산 저항인 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 확산 저항으로 형성한 휘트스톤 브리지를 구비한 역학량 측정장치를 사용하여 변형을 측정하는 역학량 측정방법에 있어서,상기 역학량 측정장치는, 반도체 기판 위에, 휘트스톤 브리지를 형성하는 확산 저항과, 상기 확산 저항을 서로 접속하는 배선과, 상기 확산 저항을 외부 회로에 접속하는 5개 이상의 인출 배선을 구비하고,상기 확산 저항의 저항값을 측정하는 공정과,상기 5개 이상의 인출 배선 중, 변형 측정에 사용하는 4개의 인출 배선을 결정하는 공정과 상기 결정한 인출 배선에 전류를 흘리고, 변형 측정을 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 역학량 측정방법.
- 삭제
- 제 29항에 있어서,상기 확산 저항의 저항값의 측정은, 상기 역학량 측정장치를 피측정물에 설치한 상태로 행하는 것을 특징으로 하는 역학량 측정방법.
- 반도체 기판 표면에 확산 저항으로 형성한 휘트스톤 브리지를 구비한 역학량 측정장치에 있어서,상기 휘트스톤 브리지는, 2개의 폴리 실리콘으로 형성한 확산 저항과, 2개의 변형 감도가 낮은 확산 저항으로 구성한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 위에 확산 저항으로 형성한 휘트스톤 브리지를 구비한 역학량측정장치에 있어서,제 1 센서를 구비하고,상기 제 1 센서는, 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 폴리 실리콘 배선 저항과, 2개의 <100> 방향으로 평행한 방향에 전류를 흘리는 p형 불순물 확산 저항으로 형성한 휘트스톤 브리지를 구비한 것을 특징으로 하는 역학량측정장치.
- 제 33항에 있어서,제 2 센서를 구비하고,상기 제 1 센서는, 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 폴리 실리콘 배선 저항과, 2개의 <100> 방향으로 평행한 방향에 전류를 흘리는 p형 불순물 확산 저항으로 형성한 휘트스톤 브리지를 구비하고,상기 제 1 센서의 폴리 실리콘 배선저항의 길이방향과, 제 2 센서의 폴리 실리콘 배선 저항의 길이방향은, 직교하는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 33항에 있어서,상기 p형 불순물 확산 저항은, 본체 저항 및 상기 본체 저항보다 저항값이 작은 조정용 저항을 가지고,외부장치에 접속하는 인출 배선을, 상기 p형 불순물 확산 저항과 상기 폴리 실리콘 배선 저항의 사이 및 상기 본체 저항과 상기 조정용 저항의 사이에 접속한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 불순물 확산 저항으로 형성한 휘트스톤 브리지를 구비한 역학량 측정장치에 있어서,제 1 센서와, 제 2 센서와, 제 3 센서를 구비하고,상기 제 1 센서는, <100> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 n형 불순물 확산 저항과, <100> 방향에 전류를 흘리고, 휘트스톤 브리지의 저항을 형성하는 2개의 p형 불순물 확산 저항을 구비하고,상기 제 2 센서는, 상기 제 1 센서의 n형 불순물 확산 저항에 직교하는 <100> 방향으로 전류를 흘리고, 서로 평행하게 설치되어 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 n형 불순물 확산 저항과, <100> 방향으로 전류를 흘리고, 휘트스톤 브리지의 대변의 저항을 형성하는 2개의 p형 불순물 확산 저항을 구비하고,상기 제 3 센서는, <110> 방향으로 전류를 흘리고, 휘트스톤 브리지의 저항을 형성하는 4개의 p형 불순물 확산 저항을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 불순물 확산 저항으로 형성한 휘트스톤 브리지를 구비한 역학량 측정장치에 있어서,제 1 센서와, 제 2 센서와, 제 3 센서를 구비하고,상기 제 1 센서는, 평행하게 형성된 2개의 변형 감도가 큰 확산 저항과, 2개의 변형 감도가 작은 확산 저항으로 휘트스톤 브리지를 형성하고,상기 제 2 센서는, 길이방향이 상기 제 1 센서의 변형 감도가 큰 확산 저항과 직교하는 2개의 변형 감도가 큰 확산 저항과, 2개의 변형 감도가 작은 확산 저항으로 휘트스톤 브리지를 형성하고,상기 제 3 센서는, 4개의 변형 감도가 큰 확산 저항으로 휘트스톤 브리지를 형성한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 36항에 있어서,상기 제 1 센서의 2개의 n형 불순물 확산 저항과 2개의 p형 불순물 확산 저항은, 그 길이방향이 서로 평행하고, 또한 <110> 방향으로 나열하여 설치되어 있고,상기 제 2 센서의 2개의 n형 불순물 확산 저항과 2개의 p형 불순물 확산 저항은, 그 길이방향이 상기 제 1 센서의 불순물 확산 저항의 길이방향과 직교하는 방향을 향하고 있고, 또한 상기 <110> 방향과 동일한 방향으로 나열하여 설치되어 있고,상기 제 3 센서의 불순물 확산 저항은, 상기 제 1 센서의 상기 <100> 방향측의 영역 및 상기 제 2 센서의 상기 <100> 방향측의 영역에 설치된 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 1항, 제 3항, 제 19항, 제 24항, 제 33항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 기판 위에, pn 접합으로 이루어지는 온도센서를 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여, 변형을 측정하는 역학량 측정장치에 있어서,제 1 센서와 제 2 센서를 구비하고,상기 제 2 센서는, 상기 반도체 기판의 박리를 검출하는 센서인 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여, 변형을 측정하는 역학량 측정장치에 있어서,상기 반도체 기판 위에,휘트스톤 브리지를 형성하는 확산 저항과,상기 휘트스톤 브리지로부터 출력된 신호를 증폭하는 차동 앰플리파이어 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 41항에 있어서,상기 휘트스톤 브리지는 복수 있고,상기 차동 앰플리파이어의 갯수는 상기 휘트스톤 브리지의 수와 동수인 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 41항에 있어서,휘트스톤 브리지를 형성하는 저항을 제외하는 상기 앰플리파이어에 접속되는 저항은, 그 길이방향이 상기 반도체 기판 위에서 동일한 방향을 향하고 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 43항에 있어서,상기 앰플리파이어에 접속되는 저항은, 상기 반도체 기판 위에서 대략 선대칭으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 반도체 기판 표면에 변형 검출부를 구비하고,피측정물에 설치하여, 변형을 측정하는 역학량 측정장치에 있어서,확산 저항으로 형성된 휘트스톤 브리지를 각각 가지는 제 1 센서 및 제 2 센서와,상기 제 1 센서가 출력하는 신호를 증폭하는 제 1 앰플리파이어와,상기 제 2 센서가 출력하는 신호를 증폭하는 제 2 앰플리파이어를 구비하고,상기 제 1 센서의 휘트스톤 브리지를 형성하는 불순물 확산 저항과 상기 제 2 센서의 휘트스톤 브리지를 형성하는 불순물 확산 저항과의 거리는, 상기 제 1 앰플리파이어의 트랜지스터와 제 2 앰플리파이어의 트랜지스터의 거리보다 작은 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 45항에 있어서,상기 제 1 앰플리파이어에 접속되는 귀환 저항의 길이방향과, 상기 제 2 앰플리파이어에 접속되는 귀환 저항의 저항의 길이방향은, 동일한 방향을 향하고 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 45항에 있어서,상기 제 1 센서의 상기 불순물 확산 저항과 상기 제 1 앰플리파이어에 접속되는 귀환 저항의 저항은, 그 길이방향이 동일 방향이고,상기 제 2 센서의 상기 불순물 확산 저항과 상기 제 2 앰플리파이어에 접속되는 귀환 저항의 저항은, 그 길이방향이 동일 방향인 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 45항에 있어서,상기 제 1 센서와 상기 제 2 센서는 인접하고,상기 제 1 앰플리파이어 및 상기 제 2 앰플리파이어는, 상기 제 1 및 제 2센서에 인접하여 상기 제 1 및 제 2 센서의 양측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 45항에 있어서,상기 제 1 센서의 상기 불순물 확산 저항과 상기 제 2 센서의 상기 불순물 확산 저항은, 그 길이방향이 직교하고, 또한 상기 제 1 센서의 상기 불순물 확산 저항의 중심이 일렬로 나열하고, 상기 제 2 센서의 상기 불순물 확산 저항의 중심이 일렬로 나열하고,상기 제 1 센서와 제 2 센서의 양측에 상기 제 1 앰플리파이어와 상기 제 2 앰플리파이어를 배치한 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 45항에 있어서,상기 앰플리파이어는, 저배율용 저항과 고배율용 저항을 구비하고,상기 저배율용 저항은, 상기 고배율용 저항보다, 상기 불순물 확산 저항에 가까운 위치에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 45항에 있어서,상기 제 1 센서의 2개의 n형 불순물 확산 저항과 2개의 p형 불순물 확산 저항은, 그 길이방향이 서로 평행하고, 또한 <110> 방향으로 나열하여 설치되어 있고,상기 제 2 센서의 2개의 n형 불순물 확산 저항과 2개의 p형 불순물 확산 저항은, 그 길이방향이 상기 제 1 센서의 불순물 확산 저항의 길이방향과 직교하는 방향을 향하고 있고, 또한 상기 <110> 방향과 동일한 방향으로 나열하여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
- 제 1항, 제 3항, 제 19항, 제 45항 중 어느 한 항에 있어서,상기 변형 검출부가, 칩 끝으로부터의 거리가 49 × (칩 두께)0.5㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 역학량 측정장치.
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