KR100843959B1 - 액정표시소자용 어레이기판 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 게이트절연막의 과식각을 방지할 수 있는 액정표시소자용 어레이기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정표시소자용 어레이기판은 스캐닝신호가 공급되며, 기판 상에 형성되는 게이트라인과, 게이트라인과 교차되며 데이터신호가 공급되는 데이터라인과, 게이트라인에 연결되는 게이트전극과, 기판 상에 게이트라인과 게이트전극을 덮는 게이트절연막과, 게이트절연막 상에 형성되는 반도체층과, 게이트절연막 상에 형성되는 소스전극, 드레인전극 및 스토리지전극과, 데이터라인, 소스전극, 드레인전극 및 스토리지전극을 덮는 보호층과, 스토리지전극 및 보호층을 관통하는 스토리지접촉홀과, 드레인전극 및 보호층을 관통하는 드레인접촉홀과, 스토리지접촉홀을 통해 스토리지전극과 측면 접촉되며, 드레인접촉홀을 통해 드레인전극과 측면 접촉되는 화소전극을 구비한다.

Description

액정표시소자용 어레이기판 및 그 제조방법{Array Substrate of Liquid Crystal Display Device and Fabricating Method Thereof}
도 1은 종래의 액정표시소자용 어레이 기판을 나타내는 평면도.
도 2는 도 1에 도시된 액정표시소자용 어레이 기판을 나타내는 단면도.
도 3은 도 2에 도시된 스토리지캐패시터부의 게이트절연막이 과식각되어 게이트라인이 노출되는 상태를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시소자용 어레이 기판을 나타내는 평면도.
도 5는 도 4에 도시된 액정표시소자용 어레이 기판을 나타내는 단면도.
도 6a 내지 도 6e는 도 5에 도시된 액정표시소자용 어레이 기판의 제조방법을 단계적으로 나타내는 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1,31 : 기판 3,33: 게이트전극
5,35 : 소스전극 7,37: 드레인전극
9,39 : 게이트절연막 11,41 : 게이트라인
13,43 : 데이터라인 15,45 : 활성층
17,47 : 오믹접촉층 19,24,49 : 접촉홀
21,51 : 보호층 23,53 : 화소전극
25,55 : 게이트패드 27,57 : 데이터패드
28,58 : 게이트패드단자전극 29,59 : 데이터패드단자전극
본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 게이트절연막의 과식각을 방지할 수 있는 액정표시소자용 어레이기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.
통상의 액정표시소자는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여, 액정표시소자는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과, 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로를 구비하게 된다. 액정패널에는 액정셀들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소전극들과 공통전극이 마련되게 된다. 통상, 화소전극은 하부기판 상에 액정셀별로 형성되는 반면 공통전극은 상부기판의 전면에 일체화되어 형성되게 된다. 화소전극들 각각은 스위치 소자로 사용되는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)에 접속되게 된다. 화소전극은 박막 트랜지스터를 통해 공급되는 데이터신호에 따라 공통전극과 함께 액정셀을 구동하게 된다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 액정표시장치용 어레이 기판(31)은 데이터라인(43)과 게이트라인(41)의 교차부에 위치하는 TFT부(TP)와, TFT부(TP)의 드레인전극(37)에 접속되는 화소전극(53)과, 화소전극(53)과 게이트라인(41)과의 중첩부분에 위치하는 스토리지 캐패시터부(SP)와, 데이터라인(43) 및 게이트라인(41)의 일측단에 형성되는 게이트패드부(GP) 및 데이터패드부(DP)를 구비한다.
TFT부(TP)는 게이트라인(41)에서 접속된 게이트전극(33), 데이터라인(43)에서 접속된 소스전극(35) 및 드레인접촉홀(49b)을 통해 화소전극(53)에 접속된 드레인전극(37)을 구비한다. 또한, TFT부(TP)는 게이트전극(33)에 공급되는 게이트전압에 의해 소스전극(35)과 드레인전극(37)간에 도통채널을 형성하기 위한 반도체층들(45,47)을 더 구비한다. 이러한 TFT부(TP)는 게이트라인(41)으로부터의 게이트신호에 응답하여 데이터라인(43)으로부터의 데이터신호를 선택적으로 화소전극(53)에 공급한다.
화소전극(53)은 데이터라인(43)과 게이트라인(41)에 의해 분할된 셀 영역에 위치하며 광투과율이 높은 투명전도성물질로 이루어진다. 화소전극(53)은 기판(31) 전면에 도포되는 보호층(51) 상에 형성되며, 보호층(51)을 관통하는 드레인접촉홀(49b)을 통해 드레인전극(37)과 전기적으로 접속된다. 이러한 화소전극(53)은 TFT부(TP)를 경유하여 공급되는 데이터신호에 의해 상부기판(도시하지 않음)에 형성되는 공통 투명전극(도시하지 않음)과 전위차를 발생시키게 된다. 이 전위차에 의해 하부기판(31)과 상부기판(도시하지 않음) 사이에 위치하는 액정은 유전율이방성에 기인하여 회전하게 된다. 이렇게 회전되는 액정에 의해 광 원으로부터 화소전극(53)을 경유하여 상부기판 쪽으로 투과되는 광량이 조절된다.
스토리지 캐패시터부(SP)는 화소전극(53)의 전압변동을 억제하는 역할을 하게 된다. 이러한 스토리지 캐패시터부(SP)는 게이트라인(41)과, 게이트절연막(39)을 사이에 두고 형성되는 스토리지전극(61)으로 형성된다. 이 스토리지전극(61)은 스토리지접촉홀(49c)을 통해 화소전극(53)과 전기적으로 접촉된다.
게이트패드부(GP) 및 데이터패드부(DP)는 게이트라인(41)과 데이터라인(43) 각각의 일측단에 위치되어 구동 IC(Integrated Circuit)와 접속된다. 이 게이트패드부(GP)는 TFT를 제어하기 위한 게이트신호를 게이트라인(41)에 공급하고, 데이터패드부(DP)는 TFT를 제어하기 위한 데이터신호를 데이터라인(43)에 공급한다.
게이트패드(55)는 게이트접촉홀(49d)을 통해 게이트패드단자전극(58)과 전기적으로 접촉되며, 데이터패드(57)는 데이터접촉홀(49a)을 통해 데이터패드단자전극(59)과 전기적으로 접촉된다.
이러한 액정표시소자의 데이터접촉홀(49a), 드레인접촉홀(49b), 스토리지접촉홀(49c) 및 게이트접촉홀(49d)은 동일마스크로 동시에 패터닝되어 형성된다. 이에 따라, 도 3에 도시된 바와 같이 스토리지접촉홀(49c) 식각공정시 스토리지전극(61) 및 게이트절연막(39)이 과식각되어 추후에 형성되는 화소전극(53)과 게이트라인(41)이 연결되어 쇼트현상이 일어나는 문제점이 있다.
이에 따라, 게이트접촉홀(49d)은 데이터접촉홀(49a), 드레인접촉홀(49b) 및 스토리지접촉홀(49c) 패터닝한 후 다른 마스크로 패터닝하여 형성한다. 이 경우, 마스크가 1개 더 필요하므로 공정시간 및 재료비가 많이 드는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 게이트절연막의 과식각을 방지할 수 있는 액정표시소자용 어레이기판 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정표시소자용 어레이기판은 스캐닝신호가 공급되며, 기판 상에 형성되는 게이트라인과, 게이트라인과 교차되며 데이터신호가 공급되는 데이터라인과, 게이트라인에 연결되는 게이트전극과, 기판 상에 게이트라인과 게이트전극을 덮는 게이트절연막과, 게이트절연막 상에 형성되는 반도체층과, 게이트절연막 상에 형성되는 소스전극, 드레인전극 및 스토리지전극과, 데이터라인, 소스전극, 드레인전극 및 스토리지전극을 덮는 보호층과, 스토리지전극 및 보호층을 관통하는 스토리지접촉홀과, 드레인전극 및 보호층을 관통하는 드레인접촉홀과, 스토리지접촉홀을 통해 스토리지전극과 측면 접촉되며, 드레인접촉홀을 통해 드레인전극과 측면 접촉되는 화소전극을 구비한다.
상기 반도체층은 상기 드레인접촉홀과 스토리지접촉홀 아래에 모두 형성되거나 어느 하나에만 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 스토리지접촉홀은 스토리지전극을 관통하는 제1 스토리지접촉홀과, 보호층을 관통하는 제2 스토리지접촉홀을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 제2 스토리지접촉홀은 제1 스토리지접촉홀의 폭보다 같거나 크게 형성 되는 것을 특징으로 한다.
상기 액정표시소자용 어레이기판은 반도체층 상에 형성되는 데이터패드와, 데이터패드를 덮도록 형성되는 보호층과, 데이터패드 및 보호층을 관통하는 데이터접촉홀과, 데이터접촉홀을 통해 데이터패드와 측면 접촉되는 데이터패드단자전극을 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 스토리지전극은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이를 포함한 합금 중 어느 하나의 금속을 포함하는 제1 금속층과, 제1 금속층 상에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금의 금속을 포함하는 제2 금속층으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법은 기판 상에 게이트라인을 형성하는 단계와, 기판 상에 게이트라인을 덮도록 게이트절연막을 형성하는 단계와, 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와, 게이트절연막 및 반도체층 상에 스토리지전극을 형성함과 동시에 스토리지전극을 관통하는 제1 스토리지접촉홀을 형성하는 단계와, 게이트절연막 상에 보호막을 형성하는 단계와, 보호막을 관통하는 제2 스토리지접촉홀을 형성하는 단계와, 제1 및 제2 스토리지접촉홀을 통해 스토리지전극과 측면 접촉되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제2 스토리지접촉홀은 제1 스토리지접촉홀의 폭보다 같거나 크게 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 액정표시소자용 어레이기판은 반도체층 및 게이트절연막 상에 데이터패 드를 형성함과 동시에 데이터패드를 관통하는 제1 데이터접촉홀을 형성하는 단계와, 데이터패드를 덮도록 보호막을 형성하는 단계와, 보호막을 관통하는 제2 데이터접촉홀을 형성하는 단계와, 제1 및 제2 데이터접촉홀을 통해 데이터패드와 측면 접촉되는 데이터패드단자전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 액정표시소자용 어레이기판은 기판 상에 상기 게이트라인과 연결되는 게이트전극을 형성하는 단계와, 게이트절연막 및 반도체층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계와, 드레인전극을 관통하는 제1 드레인접촉홀을 형성하는 단계와, 보호층을 관통하는 제2 드레인접촉홀을 형성하는 단계와, 보호층 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 반도체층은 상기 드레인접촉홀과 스토리지접촉홀 아래에 모두 형성되거나 어느 하나에만 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부한 설명 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 4 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시소자용 어레이기판은 데이터라인(13)과 게이트라인(11)의 교차부에 위치하는 TFT부(TP)와, TFT부(TP)의 드레인전극(7)에 접속된 화소전극(23)과, 화소전극(23)과 게이트라인(11)과의 중첩부분에 위치하는 스토리지 캐패시터부(SP)와, 데이터라인(13) 및 게이트라인(11)에 각각 접속되는 게이트패드부(GP) 및 데이터패드부(DP)를 구비한다.
TFT부(TP)는 게이트라인(11)에 접속된 게이트전극(3), 데이터라인(13)에 접속된 소스전극(5)과 제1 및 제2 드레인접촉홀(19b,24b)을 통해 화소전극(23)에 접속된 드레인전극(7)을 구비한다. 또한, TFT부(TP)는 게이트전극(3)과 소스 및 드레인 전극(5,7)간의 절연을 위한 게이트절연막(9)과, 게이트전극(3)에 공급되는 게이트전압에 의해 소스전극(5)과 드레인전극(7)간에 도통채널을 형성하기 위한 반도체층(15,17)을 더 구비한다.
소스 및 드레인전극(5,7)은 고정세의 액정표시소자에 적용되도록 다층으로 형성된다. 바람직하게는 2층구조로 형성된다. 제1 금속층은 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 텅스텐(W) 또는 티타늄(Ti) 등으로 형성되며, 제2 금속층은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄합금 등으로 형성된다. 이러한 TFT부(TP)는 게이트라인(11)으로부터의 게이트신호에 응답하여 데이터라인(13)으로부터 인가되는 데이터신호를 화소전극(23)으로 인가해주게 된다.
화소전극(23)은 데이터라인(13)과 게이트라인(11)에 의해 분할된 셀영역에 위치하며 광투과율이 높은 투명전도성물질로 이루어진다. 화소전극(23)은 하부기판(1) 전면에 도포되는 보호막(21) 위에 형성되며, 화소전극(23)은 제1 및 제2 드레인접촉홀(19b,24b)을 통해 드레인전극(7)의 측면과 전기적으로 접속된다. 이러한 화소전극(23)은 TFT부(TP)를 경유하여 공급되는 데이터신호에 의해 상부기판에 형성되는 공통전극(도시하지 않음)과 전위차를 발생시키게 된다.
반도체층은(15,17) 제1 및 제2 드레인접촉홀(19b,24b) 아래에 형성되어 있다.
게이트패드부(GP) 및 데이터패드부(DP)는 게이트라인(11)과 데이터라인(13) 각각의 일측단에 형성되어 구동 IC(Integrated Circuit)와 접속된다. 이 게이트패드부(GP)는 TFT를 제어하기 위한 게이트신호를 게이트라인(11)에 공급하며, 데이터패드부(DP)는 TFT를 제어하기 위한 데이터신호를 데이터라인(13)에 공급한다.
게이트패드(25)는 게이트접촉홀(26)을 통해 게이트패드단자전극(28)과 측면으로 접촉된다. 데이터패드(27)는 제1 및 제2 데이터접촉홀(19a,24a)을 통해 데이터패드단자전극(29)과 측면으로 접촉되며, 데이터패드(27) 상에 반도체층(15,17)을 형성하여 게이트절연막(9)의 과식각을 방지하게 된다.
스토리지 캐패시터부(SP)는 화소전극(23)의 전압변동을 억제하는 역할을 하게 된다. 이러한 스토리지 캐패시터부(SP)는 게이트라인(11)과, 게이트절연막(9)을 사이에 두고 형성되는 반도체층(15,17)과, 반도체층(15,17)을 덮도록 형성되는 스토리지전극(22)으로 형성된다. 이 스토리지전극(22)은 제1 및 2 스토리지접촉홀(19c,24c)을 통해 화소전극(23)과 측면으로 접촉된다.
데이터패드(27)와 스토리지전극(22) 하부에 형성되는 반도체층(15,17)은 에치스타퍼(Etchstopper)로 작용하여 보호층(21) 패터닝시 게이트절연막(9)의 과식각을 방지하게 된다. 이 때, 반도체층(15,17)의 건식식각시 사용되는 가스는 SF6+O2이며, 게이트절연막(9) 및 보호막(21)의 건식식각시 사용되는 가스는 SF6+Cl2(HCl)+He이다. 즉, 반도체층(15,17)과 게이트절연막(9) 및 보호막(21)의 식각가스가 다르므로, 보호층(21) 패터닝시 보호층(21)은 식각되는 반면 반도체층(15,17)은 식각되지 않고 남아있게 되어 게이트절연막(9)의 과식각을 방지할 수 있다.
도 6a 내지 도 6e는 도 5에 도시된 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법을 나타내는 단면도이다.
도 6a를 참조하면, 기판(1) 상에 게이트라인(11), 게이트패드(25), 게이트전극(3)이 형성된다.
게이트라인(11), 게이트패드(25) 및 게이트전극(3)은 스퍼터링(sputtering)등의 증착방법으로 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu) 등을 증착한 후 패터닝함으로써 형성된다.
도 6b를 참조하면, 게이트절연막(9) 상에 활성층(15) 및 오믹접촉층(17)이 형성된다.
게이트절연막(9)은 게이트라인(11), 게이트패드(25) 및 게이트전극(3)을 덮도록 절연물질을 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)방식으로 전면 증착하여 형성된다. 활성층(15) 및 오믹접촉층(17)은 게이트절연막(9) 상에 제1 및 제2 반도체물질들을 적층하고 패터닝함으로써 형성된다. 이 활성층(15) 및 오믹접촉층(17)은 TFT부(TP), 스토리지캐패시터부(SP), 데이터패드부(DP)에 형성된다.
게이트절연막(9)은 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiOx) 등의 절연물질로 형성된다. 활성층(15)은 제1 반도체물질인 불순물이 도핑되지 않은 비정질실리콘으로 형성된다. 또한, 오믹접촉층(17)은 제2 반도체물질인 N형 또는 P형의 불순 물이 도핑되어진 비정질실리콘으로 형성된다.
도 6c를 참조하면, 게이트절연막(9) 상에 스토리지전극(22), 데이터패드(27), 소스 및 드레인전극(5,7)이 형성된다.
스토리지전극(22), 데이터패드(27), 소스 및 드레인전극(5,7)은 CVD방법 또는 스퍼터링(sputtering)방법으로 제1 및 제2 금속층(6a,6b)을 순차적으로 전면 증착한 후 패터닝함으로써 형성된다. 소스 및 드레인전극(5,7)을 패터닝한 후 게이트전극(3)과 대응하는 부분의 오믹접촉층(17)도 패터닝하여 활성층(15)이 노출된다. 활성층(15)에서 소스 및 드레인전극(5,7)사이의 게이트전극(3)과 대응하는 부분은 채널이 된다. 동시에 드레인전극(7)을 관통하는 제1 드레인접촉홀(19b)이 형성되며, 데이터패드(27)를 관통하는 제1 데이터접촉홀(19a)이 형성되며, 스토리지전극(22)을 관통하는 제1 스토리지접촉홀(19c)이 형성된다.
이 때, 반도체층(15,17)은 에치 스토퍼(etch stopper)역할을 하게 된다.
제1 금속층(6a)은 티타늄(Ti), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 또는 이를 포함한 합금 등으로 형성되며, 제2 금속층(6b)은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금등으로 형성된다.
도 6d를 참조하면, 게이트절연층(9)상에 보호층(21)이 형성된다.
보호층(21)은 데이터패드(27), 소스 및 드레인전극(5,7)을 덮도록 게이트절연층(9)상에 절연물질을 증착한 후 패터닝함으로써 형성된다.
보호층(21)에는 제2 스토리지접촉홀(24c), 제2 드레인접촉홀(24b), 제2 데이터접촉홀(24a) 및 게이트접촉홀(26)이 형성된다.
제2 데이터접촉홀(24a)은 보호층(21)을 관통하여 제1 데이터접촉홀(19a)과 중첩되어 형성되고, 제2 드레인접촉홀(24b)은 보호층(21)을 관통하여 제1 드레인접촉홀(19b)과 중첩되어 형성되고, 제2 스토리지접촉홀(24c)은 보호층(21)을 관통하여 제1 스토리지접촉홀(19c)과 중첩되어 형성된다. 그리고, 게이트접촉홀(26)은 보호층(21) 및 게이트절연막(9)을 관통하여 게이트패드(25)를 노출시킨다.
제2 스토리지접촉홀(24c), 제2 드레인접촉홀(24b) 및 제2 데이터접촉홀(24a)은 각각 중첩된 제1 스토리지접촉홀(19c), 제2 드레인접촉홀(19b) 및 제2 데이터접촉홀(19a)보다 폭이 같거나 크게 형성된다.
보호층(21)은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(SiOx) 등의 무기절연물질 또는 아크릴계(acryl)유기화합물, 테프론(Teflon), BCB(benzocyclobutene), 사이토프 (cytop)또는 PFCB(perfluorocyclobutane) 등의 유전상수가 작은 유기절연물로 형성된다.
도 6e를 참조하면, 보호층(21)상에 화소전극(23), 게이트패드단자전극(28) 및 데이터패드단자전극(29)이 형성된다.
화소전극(23), 게이트패드단자전극(28) 및 데이터패드단자전극(29)은 보호층(21)상에 투명전도성물질을 증착한 후 패터닝함으로써 형성된다.
화소전극(23)은 제1 및 제2 드레인접촉홀(19b,24b)을 통해 드레인전극(7)의 측면과 전기적으로 접촉되며, 제1 및 제2 스토리지접촉홀(19c,24c)을 통해 스토리지전극(22)의 측면과 전기적으로 접촉된다. 데이터패드단자전극(29)은 제1 및 제2 데이터접촉홀(19a,24a)을 통해 데이터패드(25)의 측면과 전기적으로 접촉되며, 게 이트패드단자전극(28)은 게이트접촉홀(26)을 통해 게이트패드(27)와 전기적으로 접촉된다.
화소전극(23), 게이트패드단자전극(28) 및 데이터패드단자전극(29)은 투명전도성물질인 ITO, IZO, ITZO 중 어느 하나로 형성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시소자용 어레이기판 및 그 제조방법은 스토리지전극과 데이터패드 하부에 반도체층을 형성한다. 이에 따라, 데이터금속층상에 보호층을 관통하여 데이터금속층의 일부를 노출시키는 접촉홀 형성시 게이트절연막의 과식각을 방지할 수 있어 기판 및 게이트라인이 노출되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 화소전극과 게이트라인의 쇼트가 방지할 수 있어 수율이 향상된다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

Claims (15)

  1. 스캐닝신호가 공급되며, 기판 상에 형성되는 게이트라인과,
    상기 게이트라인과 교차되며 데이터신호가 공급되는 데이터라인과,
    상기 게이트라인에 연결되는 게이트전극과,
    상기 기판 상에 상기 게이트라인과 게이트전극을 덮는 게이트절연막과,
    상기 게이트절연막 상에 형성되는 반도체층과,
    상기 게이트절연막 상에 형성되는 소스전극, 드레인전극 및 스토리지전극과,
    상기 데이터라인, 소스전극, 드레인전극 및 스토리지전극을 덮는 보호층과,
    상기 스토리지전극 및 보호층을 관통하는 스토리지접촉홀과,
    상기 드레인전극 및 보호층을 관통하는 드레인접촉홀과,
    상기 스토리지접촉홀을 통해 상기 스토리지전극과 측면 접촉되며, 상기 드레인접촉홀을 통해 상기 드레인전극과 측면 접촉되는 화소전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 드레인접촉홀 또는 상기 스토리지접촉홀의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지접촉홀은,
    상기 스토리지전극을 관통하는 제1 스토리지접촉홀과,
    상기 보호층을 관통하는 제2 스토리지접촉홀을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제2 스토리지접촉홀은 상기 제1 스토리지접촉홀의 폭보다 같거나 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체층 상에 형성되는 데이터패드와,
    상기 데이터패드를 덮도록 형성되는 보호층과,
    상기 데이터패드 및 보호층을 관통하는 데이터접촉홀과,
    상기 데이터접촉홀을 통해 상기 데이터패드와 측면 접촉되는 데이터패드단자전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 스토리지전극은
    몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 티타늄(Ti) 및 이를 포함한 합금 중 어느 하나의 금속을 포함하는 제1 금속층과,
    상기 제1 금속층 상에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금의 금속을 포함하는 제2 금속층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 게이트 절연막의 과식각을 방지하는 에치스토퍼인 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판.
  8. 기판 상에 게이트라인을 형성하는 단계와,
    상기 기판 상에 상기 게이트라인을 덮도록 게이트절연막을 형성하는 단계와,
    상기 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와,
    상기 게이트절연막 및 반도체층 상에 스토리지전극을 형성함과 동시에 상기 스토리지전극을 관통하는 제1 스토리지접촉홀을 형성하는 단계와,
    상기 게이트절연막 상에 보호막을 형성하는 단계와,
    상기 보호막을 관통하는 제2 스토리지접촉홀을 형성하는 단계와,
    상기 제1 및 제2 스토리지접촉홀을 통해 상기 스토리지전극과 측면 접촉되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 스토리지접촉홀은 상기 제1 스토리지접촉홀의 폭보다 같거나 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 반도체층 및 게이트절연막 상에 데이터패드를 형성함과 동시에 상기 데이터패드를 관통하는 제1 데이터접촉홀을 형성하는 단계와,
    상기 데이터패드를 덮도록 보호막을 형성하는 단계와,
    상기 보호막을 관통하는 제2 데이터접촉홀을 형성하는 단계와,
    상기 제1 및 제2 데이터접촉홀을 통해 상기 데이터패드와 측면 접촉되는 데이터패드단자전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 기판 상에 상기 게이트라인과 연결되는 게이트전극을 형성하는 단계와,
    상기 게이트절연막 및 반도체층 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계와,
    상기 드레인전극을 관통하는 제1 드레인접촉홀을 형성하는 단계와,
    상기 보호층을 관통하는 제2 드레인접촉홀을 형성하는 단계와,
    상기 보호층 상에 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법.
  12. 제 8 항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 드레인접촉홀 또는 상기 스토리지접촉홀의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법.
  13. 제 8 항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 게이트 절연막의 과식각을 방지하는 에치스토퍼인 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 드레인접촉홀 및 상기 스토리지접촉홀의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판.
  15. 제 8 항에 있어서,
    상기 반도체층은 상기 드레인접촉홀 및 상기 스토리지접촉홀의 하부에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자용 어레이기판의 제조방법.
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