KR100833396B1 - Method of copyback programming of non volatile memory device - Google Patents

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Abstract

A method of copyback programming of a nonvolatile memory device is provided to perform copyback of plural original pages efficiently, by preventing the repetition of a part of the copyback operation, by storing data stored in plural pages into a target page at one time. A start address of an original page, the number of original pages and a start address of a target page among a plurality of adjacent original page groups are inputted(210). First original page data corresponding to the start address of the original page is stored in a first target page corresponding to the start address of the target page. N-th original page data adjacent to a (n-1)th original page is stored in a nth target page adjacent to a (n-1)th target page(230-250). Data stored in the original page group is stored in a target page group by repeating the copyback program step.

Description

불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법{Method of copyback programming of non volatile memory device} Copyback program method of a nonvolatile memory device {Method of copyback programming of non volatile memory device}

도 1은 본원 발명의 일 실시예에 따른 카피백 프로그램 방법의 개념을 도시한 그림이다. 1 is an illustration showing the concept of the copy-back program method according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본원 발명의 일 실시예에 따른 카피백 프로그램 방법의 구체적인 단계를 도시한 흐름도이다. 2 is a flow chart showing a specific step in the program, the copy back method according to one embodiment of the present invention.

본원 발명은 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a copyback program method for nonvolatile memory device.

최근 들어 전기적으로 프로그램(program)과 소거(erase)가 가능하고, 일정 주기로 데이터를 재작성해야하는 리프레시(refresh) 기능이 필요 없는 불휘발성 메모리 소자에 대한 수요가 증가하고 있다. Recently, electrically and increase the program (program), and erase (erase) it is possible, and a constant period the demand for nonvolatile memory that does not require the refresh function (refresh) need to rewrite the data.

상기 불휘발성 메모리 장치는 통상적으로 데이터가 저장되는 셀들이 매트릭스 형태로 구성된 메모리 셀 어레이, 상기 메모리 셀 어레이의 특정 셀들에 대하여 메모리를 기입하거나 특정 셀에 저장되었던 메모리를 독출하는 페이지 버퍼를 포함한다. The non-volatile memory devices typically have a cell in which data is stored write memory with respect to specific cells of the memory cell array, said memory cell array consisting of a matrix or a memory for reading out previously stored in a specific cell includes a page buffer . 상기 페이지 버퍼는 특정 메모리 셀과 접속된 비트라인 쌍, 메모리 셀 어레 이에 기록할 데이터를 임시저장하거나, 메모리 셀 어레이로부터 특정 셀의 데이터를 독출하여 임시 저장시키는 레지스터, 특정 비트라인 또는 특정 레지스터의 전압 레벨을 감지하는 감지노드, 상기 특정 비트라인과 감지노드의 접속여부를 제어하는 비트라인 선택부를 포함한다. The page buffer is a voltage of the bit line pair, the memory cell array, temporarily stores the data to be written thereto or read data from a particular cell from the memory cell array, a register, which temporarily stores a certain bit line or a specific register connected to the particular memory cell sense node for sensing the level, and includes a bit line select whether to control the connection of the predetermined bit line and a sense node.

이와 같은 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 중에 카피백 프로그램 방법이 널리 사용되고 있다. In the same way the non-copy-back program, the program method of the volatile memory device is widely used. 이는 메모리 셀 어레이 중 특정 페이지에 저장된 데이터를 페이지 단위로 독출하여 페이지 버퍼에 저장하고, 다시 페이지 버퍼에 저장된 데이터를 다른 페이지에 프로그램하는 동작이다. This is stored in the page buffer to read out the data stored in a particular page of the memory cell array by page, and the operation of the program data stored in the page buffer to a different page. 즉, 특정한 상황에서 외부 데이터 입출력 핀으로 데이터를 출력하는 과정 없이 내부동작으로 한 페이지 간에 데이터를 이동시킨다는 특징을 갖는다. In other words, it characterized sikindaneun move data between a page to the internal operation without a process for outputting data to an external data input and output pins in a particular situation.

이와 같은 카피백 동작에 있어서, 복수의 페이지에 저장된 데이터를 카피백 프로그램하기 위해서는 각 페이지별로 별개의 카피백 동작을 반복하여 수행하게 되며, 반복되는 횟수만큼 독출, 프로그램 시간이 비례적으로 증가하게 되는 문제점이 있다. In such copy back operation, to data stored in a plurality of page copy-back to the program is carried out by repeating a separate copy back operation for each page, by the number of iterations to be read out, the program time to be increased proportionately there is a problem.

상술한 문제점을 해결하기 위하여 본원 발명은 복수의 원본 페이지를 효율적으로 카피백할 수 있는 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention to solve the above problems is to provide a copyback program method for nonvolatile memory device that can efficiently copy back a plurality of original pages.

전술한 목적을 달성하기 위한 본원 발명의 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법은 복수 개의 인접한 원본 페이지 그룹들 중 원본 페이지의 시작주소, 원본 페이지의 개수 및 목적 페이지의 시작주소를 입력받는 단계와, 상기 원본 페이지의 시작주소에 해당하는 제1 원본 페이지 데이터를 상기 목적 페이지의 시작주소에 해당하는 제1 목적 페이지에 저장시키는 제1 카피백 프로그램 단계와, 제n-1 원본 페이지와 인접하는 제n 원본 페이지 데이터를 제n-1 목적 페이지와 인접하는 제n 목적 페이지에 저장시키는 제n 카피백 프로그램 단계와, 상기 카피백 프로그램 단계를 반복하여 상기 원본 페이지 그룹에 저장된 데이터를 목적 페이지 그룹에 저장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. Copyback program method for nonvolatile memory device of the present invention for achieving the above object comprises the steps of receiving the start address, the number and the start address of the target page of the original pages of the original pages of the original page, a plurality of adjacent groups, and the n-th adjacent to the first copy back program step of storing the first target page corresponding to the first original page, data that corresponds to the start address of the original page, the starting address of the target page, the n-1 source page and the n copyback program step of storing the n-th destination page adjacent pages of the original data and the n-1 destination page, by repeating the copyback program step of storing the data stored in the original page group to the destination page group characterized in that it comprises the steps:

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. Reference to the accompanying drawings, a description of a preferred embodiment of the present invention;

도 1은 본원 발명의 일 실시예에 따른 카피백 프로그램 방법의 개념을 도시한 그림이다. 1 is an illustration showing the concept of the copy-back program method according to an embodiment of the present invention.

먼저 메모리 셀 어레이에 저장된 카피백 하고자 하는 복수 개의 원본 페이지 중 제1 원본 페이지에 저장된 데이터를 페이지 단위로 페이지 버퍼의 제1 래치에 저장시킨다(단계 110). Thus, store the data stored in the first original page of the plurality of original pages to be copied back is stored in the memory cell array in the first latch of the page buffer by page (Step 110).

다음으로, 상기 제1 래치에 저장된 데이터를 제2 래치에 이동시켜 저장한다(단계 120). And then stored in, by moving the data stored in the first latch to the second latch (step 120).

다음으로, 상기 제2 래치에 저장된 데이터를 메모리 셀 어레이의 저장하고자 하는 목적지 주소에 저장한다(단계 130의 3). Next, the storage to store a destination address of a memory cell array in the data stored in the second latch (of step 130 3). 이는 불휘발성 메모리 장치에서 사용 되는 통상의 프로그램 방법을 사용한다. This uses a conventional program method used in the non-volatile memory device. 이때, 저장되는 페이지를 상기 원본 페이지와 달리 목적 페이지로 정의한다. In this case, it is defined as a destination page, unlike the pages that are stored original page.

한편, 상기 프로그램 동작이 종료된 후에는 상기 제1 원본 페이지에 이어 저장된 제2 원본 페이지의 데이터를 상기 제1 래치에 저장시킨다(단계 130의 3). On the other hand, after the program operation is terminated the first and stores the second data from the source page is stored after the original page to the first latch (of step 130 3).

상기와 같은 동작들이 반복된 후에는 n 개의 원본 페이지와 동일한 데이터를 갖는 n 개의 목적 페이지가 저장된다(단계 140). After the operations are repeated as described above is stored in the n object has the same data as the n number of the original page (step 140).

도 2는 본원 발명의 일 실시예에 따른 카피백 프로그램 방법의 구체적인 단계를 도시한 흐름도이다. 2 is a flow chart showing a specific step in the program, the copy back method according to one embodiment of the present invention.

먼저, 메모리 셀 어레이에서 카피백의 대상이 되는 원본 페이지가 시작되는 주소, 카피백하고자 하는 원본 페이지의 개수 및 원본 페이지를 복사하여 저장시킬 주소, 즉 목적 페이지의 시작 주소를 입력받는다(단계 210). First, where the source page is copied back object starting at the memory cell array, address, copy, copy number and original pages in the original page to be back to store address, that receives the start address of the target page (step 210).

본원 발명에서 카피백의 대상이 되는 복수의 원본 페이지들은 서로 인접하여 저장되어 있으므로, 원본 페이지가 시작되는 주소와 그 개수만 입력받는 경우에도 나머지 원본 페이지의 주소를 계산하여 지정할 수 있기 때문이다. A plurality of original pages are copied back destination in the present invention as they may be specified by it is stored adjacent to each other, even in the case of receiving only the address and the number of original pages which start calculating the address of the remaining original page.

다음으로, 원본 페이지의 개수가 전체 메모리 셀 어레이의 개수를 초과하는지 여부를 판단한다(단계 220). Next, the number of original pages is determined whether more than the total number of the memory cell array (step 220).

상기 입력된 원본 페이지의 개수가 전체 페이지의 개수를 초과할 수는 없으 므로, 이를 확인하는 과정을 거친다. Since the number of the input source page can be no greater than the total number of pages, go through the process of identifying them. 만약 전체 페이지의 개수를 초과하도록 입력되면 원본 페이지 개수가 잘못 입력된 것으로 보고 오류처리를 진행한다(단계 222). If the input is greater than the total number of pages and proceeds the error reporting process that the original number of pages incorrect input (step 222).

원본 페이지의 개수에 오류가 없다면 상기 원본 페이지의 시작 주소가 입력된 원본 페이지를 제1 원본 페이지로 보고, 제1 원본 페이지의 데이터를 페이지 버퍼의 제1 래치에 저장한다(단계 230). If there is an error in the number of original pages stores the original page where the start address of the source page input data from a first source to the first page to see the original page in the first latch of the page buffer (step 230).

상기 저장 동작은 불휘발성 메모리 장치의 통상적인 독출 동작에 따라 진행되며, 각 페이지의 메모리 셀 별로 해당 셀이 프로그램되었는지 여부에 따라 상기 제1 래치에 상이한 데이터가 저장된다. The storage operation is in progress according to a conventional read operation of a nonvolatile memory device, the different data are stored in the first latch, depending on whether the cell is programmable by the memory cells of each page.

다음으로, 제1 래치에 저장된 데이터를 페이지 버퍼의 제2 래치에 이동시켜 저장한다(단계 240). And then stored in, by moving the data stored in the first latch to the second latch of the page buffer (step 240). 이는 두 개의 래치를 이용하여 제2 래치에 저장된 데이터는 목적 페이지를 프로그램하는데 사용하고, 프로그램 직후에 제2 원본 페이지에 저장된 데이터를 제1 래치에 저장시키는 동작을 연속적으로 실시함으로써, 실질적으로 프로그램과 독출하는데 소요되는 시간을 감소시키기 위함이다. This is because by used by the two latches program data is the destination page is stored in the second latch, and subjected to operation of storing the second data stored in the original page, immediately after the program in the first latch in a row, substantially in the program and It is intended to reduce the time required to read out.

다음으로, 상기 제2 래치에 저장된 데이터에 따라 제1 목적 페이지에 프로그램 한다(단계 250). Next, the first program on the first page, depending on the object data stored in the second latch (step 250). 이때, 상기 제1 목적 페이지의 주소는 상기 단계(210)에서 입력된 목적 페이지의 시작 주소가 된다. At this time, the address of the first destination page is the starting address of the page object in the input step 210. 한편, 상기 프로그램 동작은 불휘발성 메모리 장치의 통상적인 프로그램 동작에 따라 진행된다. On the other hand, the program operation proceeds in a conventional program operation of the non-volatile memory device.

이때, 상기 제2 래치에 저장된 데이터를 제1 목적 페이지에 저장시키는 단계(250)의 수행 후에 제2 원본 페이지 데이터를 페이지 버퍼의 제1 래치에 저장시키는 단계(260)는 연속적으로 수행되게 된다. In this case, after performing the step 250 of storing the data stored in the second latch to the first object page the step of storing a second original page data in the first latch of the page buffer 260 is to be performed continuously. 이때, 제2 원본 페이지를 가리키는 주소는 상기 제1 원본 페이지의 주소를 선정된량 만큼 증가시키는 것에 의하여 생성할 수 있다. At this time, the address pointing to the second source page may be generated by increasing by a predetermined amount the address of the first text page.

한편, 원본 페이지의 개수를 '1' 만큼 감소시켜 다시 저장한다(단계 270). On the other hand, the re-stored by reducing the number of original pages as "1" (step 270).

이는 상기 원본 페이지의 개수만큼 카피백 동작을 반복하기 위한 알고리즘적 처리 단계이다. This is the algorithmic process steps to repeatedly copy back operation as many as the number of the original pages.

이후, 상기 저장된 원본 페이지의 개수가 '0'인지 여부를 확인하고 그 결과에 따라, '0'인 경우에는 카피백 프로그램 동작을 종료하고, '0'이 아닌 경우에는 상기 단계들(230~270)을 반복적으로 수행한다(단계 280). Then, the number of the stored source page determines whether "0", and according to the result, in the case of '0', the end of the copy-back program operation, and to include the step is not a "0" (230-270 ) to be repeatedly performed (step 280).

상기 단계들(230~270)의 반복 수행을 통해, 제n-1 원본 페이지와 인접하는 제n 원본 페이지 데이터를 제n-1 목적 페이지와 인접하는 제n 목적 페이지에 저장시키게 된다. Through repeated execution of the above steps (230-270), thereby storing the n-th source data page and the n-1 adjacent to the source page to a destination page n adjacent to the n-1 destination page.

한편, 상기 단계들의 반복 수행을 위하여, n을 1만큼 증가시켜 재저장한다(단계 282). On the other hand, to the repeated performance of the steps, the restored by increasing the n by one (step 282).

또한, 제n-1 원본 페이지를 가리키는 주소를 일정량 증가시켜 제n 원본 페이지를 설정하는 단계와, 제n-1 목적 페이지를 가리키는 주소를 일정량 증가시켜 제n 목적 페이지를 설정하는 단계들이 추가적으로 수행된다. Further, the n-1 by increasing a predetermined amount an address that points to the original page, the n-th step of setting a source page, to increase a certain amount the address that points to the n-1 destination page setting the n-th destination page are performed additionally .

또한, 상기 제2 래치에 저장된 데이터를 제n 목적 페이지에 저장시키는 단계 의 수행 후에 제n+1 원본 페이지 데이터를 페이지 버퍼의 제1 래치에 저장시키는 단계는 연속적으로 수행되게 된다. Further, the step of storing the data stored in the second latch to the n + 1, the source data page after performing the step of storing the n-th page object in the first latch of the page buffer is to be performed continuously.

상기와 같은 단계에 따라, 제1 내지 제n 원본 페이지들을 순차적으로 제1 내지 제n 목적 페이지로 카피백 프로그램하게 된다. By following the steps as described above, the first to n-th program is copied back to the original page order as first to n-th page object.

상술한 본원 발명의 구성에 따라, 본원 발명의 카피백 프로그램 방법은 복수의 페이지에 저장된 데이터를 일괄적으로 목적 페이지에 저장하게 됨으로써, 동일한 카피백 동작을 여러 번 반복함으로써 카피백 동작 중의 일부 동작이 중복적으로 반복되는 것을 방지하게 된다. Depending on the configuration of the above-described present invention, some operations of the copy back operation by being copyback program method of the present invention may be stored in the destination page of data stored in a plurality of pages at once, repeating the same copy back operation several times, It is prevented from being redundantly repeated. 따라서, 복수의 원본 페이지를 효율적으로 카피백할 수 있게 된다. Thus, a plurality of original pages is possible to copy back effectively.

Claims (6)

  1. 복수 개의 인접한 원본 페이지 그룹들 중 원본 페이지의 시작주소, 원본 페이지의 개수 및 목적 페이지의 시작주소를 입력받는 단계와, And inputting the start address, the start address of the page number and the purpose of the original pages of the original pages of the plurality of adjacent original pages group stage,
    상기 원본 페이지의 시작주소에 해당하는 제1 원본 페이지 데이터를 상기 목적 페이지의 시작주소에 해당하는 제1 목적 페이지에 저장시키는 제1 카피백 프로그램 단계와, And the first copy back program step of storing in the first object corresponding to the first page original page data corresponding to the start address of the original page, the starting address of the target page,
    제n-1 원본 페이지와 인접하는 제n 원본 페이지 데이터를 제n-1 목적 페이지와 인접하는 제n 목적 페이지에 저장시키는 제n 카피백 프로그램 단계와, And the n n-th copyback program step of storing the source page data to the n-th page object adjacent to the n-1 adjacent to the destination page to the n-1 original,
    상기 카피백 프로그램 단계를 반복하여 상기 원본 페이지 그룹에 저장된 데이터를 목적 페이지 그룹에 저장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법. Copyback program method for nonvolatile memory device comprising the step of repeating the copyback program step stores the data stored in the source page to the destination page group group.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 카피백 프로그램 단계는 상기 원본 페이지의 시작주소에 해당하는 제1 원본 페이지 데이터를 페이지 버퍼의 제1 래치에 저장시키는 단계와, The method of claim 1 wherein the step of the first step is a copyback program storing first source page data corresponding to the start address of the original page in the first latch of the page buffer,
    상기 제1 래치에 저장된 데이터를 제2 래치에 이동시키는 단계와, And moving the data stored in the first latch to the second latch,
    상기 제2 래치에 저장된 데이터를 상기 목적 페이지의 시작주소에 해당하는 제1 목적 페이지에 저장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법. Copyback program method for nonvolatile memory device comprising: a first step of storing in the first object corresponding to a page of data stored in the second latch to the start address of the target page.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제n 카피백 프로그램 단계는 제n-1 원본 페이지를 가리키는 주소를 일정량 증가시켜 제n 원본 페이지를 설정하는 단계와, The method of claim 1, wherein the n copyback program step is to increase the amount address that points to the n-1 source page comprising the steps of: setting the n-th original,
    제n 원본 페이지 데이터를 페이지 버퍼의 제1 래치에 저장시키는 단계와, The n-th step of storing the source page data to the first latch of the page buffer and,
    상기 제1 래치에 저장된 데이터를 제2 래치에 이동시키는 단계와, And moving the data stored in the first latch to the second latch,
    제n-1 목적 페이지를 가리키는 주소를 일정량 증가시켜 제n 목적 페이지를 설정하는 단계와, Setting a first predetermined amount to increase the n destination page address that points to the n-1 destination page,
    상기 제2 래치에 저장된 데이터를 상기 제n 목적 페이지에 저장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법. Copyback program method for nonvolatile memory device comprising the step of storing the data stored in the second latch to the n-th page object.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2 래치에 저장된 데이터를 상기 제n 목적 페이지에 저장시키는 단계의 수행 후에 제n+1 원본 페이지 데이터를 페이지 버퍼의 제1 래치에 저장시키는 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법. 4. The method of claim 3, characterized in that the step of storing, after performing the step of storing the data stored in the second latch to the n-th destination page to the n + 1 original page data in the first latch of the page buffer copyback program method of a nonvolatile memory device.
  5. 제1항에 있어서, 상기 카피백 프로그램 단계는 상기 원본 페이지의 개수만큼 반복되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법. The method of claim 1, wherein said copy-back program step copyback program method for nonvolatile memory device characterized in that as many times as the number of the original pages.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 카피백 프로그램 단계의 실행 후 원본 페이지의 개수를 '1' 만큼 감소시켜 저장시키는 단계와, The method of claim 1, further comprising: a storage step of reducing as much as the first copy of '1' the number of the original page, after the execution of the program step back,
    상기 원본 페이지의 개수가 '0'인지 판단하는 단계와, And wherein the number of original pages is determined that the "0",
    상기 판단 결과에 따라 원본 페이지의 개수가 '1'인 경우에는 상기 제n 카피백 프로그램 단계를 수행하고, 원본 페이지의 개수가 '0'인 경우에는 카피백 프로그램을 종료시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법. If according to the determination result that the number of original pages is '1', further comprising the step of performing the n-th copyback program step and when the number of original pages is '0', the end of the copy-back program copyback program method for nonvolatile memory device according to claim.
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