KR100817303B1 - Apparatus and method for treating mixed acid exhaust gas - Google Patents

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Abstract

An acid mixed exhaust gas treating apparatus and a method are provided to treat the acid mixed exhaust gas completely by coarsening ultrafine particles of the acid mixed exhaust gas by combining the ultrafine particle of the acid mixed exhaust gas and atomized water particles, and then electrically precipitating the coarse ultrafine particle. An acid mixed exhaust gas treating apparatus for treating the acid mixed exhaust gas discharged during an acid and base cleansing process of a semiconductor manufacturing process is composed of a coarsening chamber(200) for coarsening ultrafine particles of the acid mixed exhaust gas by spraying atomized water to the acid mixed exhaust gas and an electric precipitation chamber(300) installed at the lower part of the coarsening chamber to electric-precipitate the coarsened ultrafine particles of the acid mixed exhaust gas. An atomizer(210) for spraying the water after atomizing the water is installed in the coarsening chamber.

Description

혼산 배기 가스 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING MIXED ACID EXHAUST GAS}Mixed acid exhaust gas treatment apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING MIXED ACID EXHAUST GAS}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 혼산 배기 가스 처리 장치의 개략도이다.1 is a schematic diagram of a mixed acid exhaust gas treating apparatus according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>
100 : 수처리실 110 : 유입구100: water treatment chamber 110: inlet
120, 330 : 분사기 130 : 포집부120, 330: injector 130: collecting part
200 : 조대화실 210 : 무화기200: Coordinate Room 210: Firearm
300 : 전기 집진실 310 : 방전 전극300: electric dust collecting chamber 310: discharge electrode
320 : 집진판 340 : 배출구320: dust collecting plate 340: outlet
본 발명은 혼산 배기 가스 처리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 반도체 제조 공정 중 중 산 및 염기 세정공정에서 발생하는 혼산 배기 가스를 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for treating mixed acid exhaust gases, and more particularly, to an apparatus and method for treating mixed acid exhaust gases generated in an acid and base washing step during a semiconductor manufacturing process.
일반적으로, 반도체를 제조하는 공정에서는 생명체와 환경에 유해한 각종 배기 가스가 다량 배출된다. 특히, 반도체를 제조하는 공정 중 산 및 염기 세정공정에서는 불화수소(HF) 가스, 황산(H2SO4) 가스, 염산(HCl) 가스 등의 강산성의 가스와 수산화칼륨(KOH) 가스, 수산화암모늄(NH4OH) 가스, 암모니아(NH3) 가스 등의 강염기성의 가스가 혼합되어 배출된다. 이렇게 산성의 가스와 염기성의 가스가 혼합된 배기 가스를 혼산 배기 가스라고 한다. 산과 염기는 그 강도 또는 농도가 심하면 생명체의 신진 대사를 저해하는 것으로 알려져 있으므로, 강산성의 배기 가스 또는 강염기성의 배기 가스는 대기 중으로 배출되지 않도록 처리되어야만 한다. 또한, 산과 염기가 반응하여 염화암모늄(NH4CL), 불화암모늄(NH4F), 규소불화암모늄((NH4)2SiF6)등의 염을 생성하는데, 이러한 염은 혼산 배기 가스 내에 미세한 입자로서 존재하며, 독성이 강하므로 대기 중으로 배출되지 않도록 처리되어야만 한다.In general, in the process of manufacturing a semiconductor, a large amount of various exhaust gases harmful to life and the environment are emitted. Particularly, in acid and base cleaning processes of semiconductor manufacturing process, strong acid gases such as hydrogen fluoride (HF) gas, sulfuric acid (H 2 SO 4 ) gas, hydrochloric acid (HCl) gas, potassium hydroxide (KOH) gas, ammonium hydroxide Strongly basic gases such as (NH 4 OH) gas and ammonia (NH 3 ) gas are mixed and discharged. The exhaust gas in which the acidic gas and the basic gas are mixed in this way is called a mixed acid exhaust gas. Acids and bases are known to inhibit the metabolism of living organisms when their strength or concentration is high, so strong acid exhaust gases or strong base exhaust gases must be treated to prevent emissions to the atmosphere. In addition, acids and bases react to form salts such as ammonium chloride (NH 4 CL), ammonium fluoride (NH 4 F), and ammonium silicon fluoride ((NH 4 ) 2 SiF 6 ), which salts are fine in mixed acid exhaust gases. It exists as particles and is highly toxic and must be treated to avoid release into the atmosphere.
이러한 혼산 배기 가스를 처리하는 방법 중에는 수처리실을 구성하여 이 수처리실 내에서 혼산 배기 가스를 물에 용융시켜서 처리하는 흡수식이 있는데, 종래에는 수처리실이 단지 흡착체와 다공판으로만 구성되어 있으므로 혼산 배기 가스 중에서 크기가 1미크론 미만인 초미립자를 물에 용융시키지 못하는 문제점이 있다.Among the methods for treating such mixed acid exhaust gas, there is an absorption type that forms a water treatment chamber and melts and treats the mixed acid exhaust gas in water in the water treatment chamber. There is a problem in that the ultrafine particles having a size of less than 1 micron in the exhaust gas cannot be melted in water.
이렇게 물에 용융되지 않는 초미세한 입자, 즉, 초미립자의 혼산 배기 가스가 대기 중으로 배출되면 환경 오염의 원인이 될 뿐만 아니라 배기부를 부식시키는 원인이 된다.When the ultrafine particles which do not melt in the water, that is, the mixed acid exhaust gas of the ultrafine particles are discharged into the atmosphere, not only causes environmental pollution but also causes corrosion of the exhaust part.
따라서, 본 발명의 목적은 물에 용융되지 않는 초미립자의 혼산 배기 가스까지도 포집할 수 있도록 구성된 혼산 배기 가스 처리 장치를 제공하는 데에 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a mixed acid exhaust gas treating apparatus configured to capture mixed acid exhaust gas of ultra-fine particles that are not melted in water.
또한, 본 발명의 다른 하나의 목적은 물에 용융되지 않는 초미립자의 혼산 배기 가스까지도 포집할 수 있도록 구성된 혼산 배기 가스 처리 방법을 제공하는 데에 있다.Another object of the present invention is to provide a mixed acid exhaust gas treatment method configured to capture mixed acid exhaust gas of ultra-fine particles that are not melted in water.
전술한 하나의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 반도체를 제조하는 공정 중 산 및 염기 세정공정에서 배출되는 혼산 배기 가스를 처리하는 장치로서, 혼산 배기 가스에 물을 무화시켜 분사하여 혼산 배기 가스 중 초미립자를 조대화시키는 조대화실과, 상기 조대화실의 하류에 설치되며 상기 조대화된 혼산 배기 가스 중 초미립자를 전기 집진하는 전기 집진실을 포함하는 구성으로 되어 있다.In order to achieve the above object, the present invention is an apparatus for treating mixed acid exhaust gas discharged from an acid and base washing process during a semiconductor manufacturing process, wherein the mixed acid exhaust gas is sprayed by atomizing water to the mixed acid exhaust gas. And a coarsening chamber that coarsens the ultrafine particles, and an electrostatic precipitating chamber that is installed downstream of the coarsening chamber and that collects ultrafine particles of the coarse mixed acid exhaust gas.
또한, 전술한 다른 하나의 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 반도체를 제조하는 공정 중 산 및 염기 세정공정에서 배출되는 혼산 배기 가스를 처리하는 방법으로서, 혼산 배기 가스에 물을 무화시켜 분사하여 혼산 배기 가스 중 초미립자를 조대화시키는 단계와, 상기 조대화된 혼산 배기 가스 중 초미립자를 전기 집진하는 단계를 포함하는 구성으로 되어 있다.In addition, in order to achieve the above-described another object, the present invention is a method for treating mixed acid exhaust gas discharged from an acid and base washing process in the process of manufacturing a semiconductor, by atomizing water and spraying the mixed acid exhaust gas And coarsening the ultrafine particles in the mixed acid exhaust gas and electrocollecting the ultrafine particles in the coarse mixed acid exhaust gas.
이하 첨부된 도면을 참조로 하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 혼산 배기 가스 처리 장치의 개략도이다. 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 혼산 배기 가스 처리장치는, 반도체를 제조하는 공정에서 배출되는 혼산 배기 가스를 처리하는 장치로서, 수처리실(100)과, 조대화실(200)과, 전기 집진실(300)을 포함한다.1 is a schematic diagram of a mixed acid exhaust gas treating apparatus according to an embodiment of the present invention. As illustrated, the mixed acid exhaust gas treating apparatus according to the present embodiment is a device for treating mixed acid exhaust gas discharged in a process for manufacturing a semiconductor, and includes a water treatment chamber 100, a coarsening chamber 200, and an electric power collector. The truth 300.
수처리실(100)은, 도면에 도시하지는 않았지만 반도체 제조 장비의 배기구에 연결되는 것으로서, 물을 분사하여 혼산 배기 가스를 포집한다. 수처리실(100)의 상단에는 반도체 제조 장비의 배기구로부터 혼산 배기 가스가 유입되는 유입구(110)가 설치되어 있다.Although not shown in the figure, the water treatment chamber 100 is connected to the exhaust port of the semiconductor manufacturing equipment, and sprays water to collect mixed acid exhaust gas. An inlet 110 through which mixed acid exhaust gas flows from an exhaust port of the semiconductor manufacturing equipment is installed at an upper end of the water treatment chamber 100.
수처리실(100)의 상부에는 혼산 배기 가스를 포집하기 위해 물을 분사하는 분사기(120)가 다수개 설치되어 있다.In the upper portion of the water treatment chamber 100, a plurality of injectors 120 for injecting water to collect mixed acid exhaust gas are installed.
또한, 분사기(120)의 하부에는 포집부(130)가 설치되어 있다.In addition, a collecting unit 130 is provided below the injector 120.
포집부(130)는 그릴 구조의 받침대(131) 상에 테프론이나 플라스틱 등으로 수세미 구조로 만들어진 포집체(133)가 다수개 적층된 구조이다. 본 실시예에서는 이러한 포집부(130)가 상하로 2개 설치된 것으로 예시하고 있다.The collecting unit 130 is a structure in which a plurality of collecting bodies 133 made of a loofah structure made of Teflon, plastic, or the like are stacked on the pedestal 131 of the grill structure. In the present embodiment, two such collecting units 130 are installed up and down.
반도체 제조 공정에서 배출된 혼산 배기 가스는 수처리실(100) 내로 유입되어서 포집체(133)에 의해 포집되어 처리된다. 포집체(133)에 포집된 혼산 배기 가스는 상부에서 계속적으로 분사되는 물에 의해 씻겨져서 하부의 조대화실(200)로 물과 함께 낙하되어 조대화실(200)의 저부에 저류된 후 처리된다.The mixed acid exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing process flows into the water treatment chamber 100 and is collected and processed by the collector 133. The mixed acid exhaust gas collected in the collector 133 is washed by water continuously sprayed from the upper part, dropped together with water to the lower coarsening chamber 200, and stored in the bottom of the coarsening chamber 200 before being processed.
조대화실(200)은, 수처리실(100)의 하류에 설치되며, 물을 무화시켜 분사하여 혼산 배기 가스의 크기가 1미크론 미만인 초미세한 입자, 즉, 초미립자를 조대화시킨다. 본 실시예에서는 조대화실(200)의 상부 일측에 수처리실(100)이 설치된 것으로 예시하고 있다.The coarsening chamber 200 is provided downstream of the water treatment chamber 100, and atomizes and sprays water to coarse ultrafine particles having a mixed acid exhaust gas size of less than 1 micron, that is, ultrafine particles. In this embodiment, the water treatment chamber 100 is installed on one side of the upper side of the coarsening chamber 200.
조대화실(200) 내에는 물을 무화시켜 분사하는 무화기(210)가 다수개 설치되어 있다. 도면에는 무화기(210)가 1개만 있는 것으로 보이지만, 실제로는 무화기(210)가 조대화실(200) 내에서 측방향으로 여러개 설치된 것임을 알 수 있을 것이다. 즉, 무화기(210)가 측방향으로 여러개가 중첩되어 있으므로 1개만 있는 것으로 보이는 것이다.In the coarsening chamber 200, a plurality of atomizers 210 for atomizing and spraying water are provided. Although only one atomizer 210 is shown in the figure, it can be seen that a plurality of atomizers 210 are installed in the lateral direction in the coarseness chamber 200. In other words, since the atomizer 210 is overlapped in the lateral direction, there is only one.
여기에서, 물을 무화시킨다는 것은 물 입자가 공기 중에서 부유 가능하도록 물 입자를 미세화시키는 것을 의미한다.Here, atomizing the water means miniaturizing the water particles so that the water particles can be suspended in the air.
한편, 혼산 배기 가스 중 크기가 1미크론 미만인 초미세한 입자, 즉, 초미립자는 포집부(130)에서 포집되지 못하는데, 이렇게 포집부(130)를 거치고서도 포집되지 않은 혼산 배기 가스의 초미립자는, 조화대실(200) 내에서 부유하는 무화된 물 입자와 결합하여 조대화된다.On the other hand, the ultra-fine particles of less than 1 micron in size, that is, ultra-fine particles of the mixed acid exhaust gas is not collected in the collecting unit 130, the ultra-fine particles of the mixed acid exhaust gas not collected even after the collecting unit 130, It coarsens in combination with the atomized water particles suspended in 200.
전기 집진실(300)은, 조대화실(200)의 하류에 설치되며, 조대화실(200)에서 무화된 물 입자와 결합하여 조대화된 혼산 배기 가스의 초미립자를 전기 집진한다. 본 실시예에서는 조대화실(200)의 상부 타측에 전기 집진실(300)이 설치된 것으로 예시하고 있다.The electrostatic precipitating chamber 300 is installed downstream of the coarsening chamber 200 and combines with the atomized water particles in the coarsening chamber 200 to electrostatically collect ultrafine particles of coarse mixed acid exhaust gas. In this embodiment, it is illustrated that the electric dust collecting chamber 300 is installed on the other side of the upper side of the coarsened room 200.
전기 집진실(300) 내에는, 방전을 발생하는 방전 전극(310)과 집진판(320)이 각각 다수개 설치되어 있다. 이러한 방전 전극(310) 및 집진판(320)과 이들에 전원을 공급하거나 제어하는 장치는 공지이므로 본 명세서에서는 상세한 설명을 생략한다.In the electric dust collecting chamber 300, a plurality of discharge electrodes 310 and a dust collecting plate 320 for generating a discharge are respectively provided. Since the discharge electrode 310 and the dust collecting plate 320 and a device for supplying or controlling power to them are well known, a detailed description thereof will be omitted.
또한, 집진판(320)의 상부에는 집진판(320)을 세척하기 위해 물을 분사하는 분사기(330)가 다수개 설치되어 있다.In addition, a plurality of injectors 330 are provided on the upper part of the dust collecting plate 320 to spray water to clean the dust collecting plate 320.
전기 집진실(300)의 상단에는 배출구(340)가 연결되어 있다. 배출구(340)의 말단에는 도시하지는 않았지만 진공 펌프가 설치되어 있어서 수처리실(100), 조대화실(200) 및 전기 집진실(300) 내의 유체를 흡입하여 외부로 배출하므로 반도체 제조 공정에서 발생된 혼산 배기 가스가 수처리실(100), 조대화실(200) 및 습식 전기 장치(300)를 거쳐 외부로 배출되게 한다.An outlet 340 is connected to the upper end of the electric dust collecting chamber 300. Although not shown, a vacuum pump is installed at the distal end of the discharge port 340 so that the fluid in the water treatment chamber 100, the coarsening chamber 200, and the electrostatic precipitating chamber 300 is sucked and discharged to the outside. The exhaust gas is discharged to the outside via the water treatment chamber 100, the coarsening chamber 200, and the wet electric apparatus 300.
조대화실(200)에서 무화된 물 입자와 결합하여 조대화된 혼산 배기 가스의 초미립자는, 방전 전극(310)과 집진판(320) 사이의 코로나 방전에 의해 발생된 음전하 또는 양전하에 의해 대전되면서 집진판(320)에 포집되어 처리된다. 집진판(320)에 포집된 혼산 배기 가스의 조대화된 초미립자는 상부에서 계속적으로 분사되는 물에 의해 씻겨져서 하부의 조대화실(200)로 물과 함께 낙하되어 조대화실(200)의 저부에 저류된 후 처리된다.The ultrafine particles of the mixed acid exhaust gas coarsened in combination with the atomized water particles in the coarsening chamber 200 are charged by negative or positive charges generated by the corona discharge between the discharge electrode 310 and the dust collecting plate 320. It is collected in 320 and processed. The coarse ultrafine particles of the mixed acid exhaust gas collected in the dust collecting plate 320 are washed by the water continuously sprayed from the top, and dropped together with the water to the coarse chamber 200 at the bottom to be stored at the bottom of the coarse chamber 200. After processing.
이상과 같은 혼산 배기 가스 처리 장치를 이용하여 혼산 배기 가스를 처리하는 방법을 설명하면 다음과 같다. 혼산 배기 가스 처리 방법은 혼산 배기 가스 포집 단계와, 조대화 단계와, 전기 집진 단계를 포함한다.A method of treating the mixed acid exhaust gas using the mixed acid exhaust gas treatment device as described above is as follows. The mixed acid exhaust gas treatment method includes a mixed acid exhaust gas collecting step, a coarsening step, and an electrostatic precipitating step.
먼저, 혼산 배기 가스 포집 단계에서는 혼산 배기 가스에 물을 분사하여 포집한다.First, in the mixed acid exhaust gas collecting step, water is collected by injecting water into the mixed acid exhaust gas.
다음, 조대화 단계에서는, 혼산 배기 가스 포집 단계에서 포집되지 않은 혼산 배기 가스의 초미립자에 물을 무화시켜 분사하여서 혼산 배기 가스의 초미립자와 무화된 물 입자를 결합시켜서 혼산 배기 가스의 초미립자를 조대화시킨다.Next, in the coarsening step, water is atomized by spraying the ultrafine particles of the mixed acid exhaust gas not collected in the mixed acid exhaust gas collection step to combine the ultrafine particles of the mixed acid exhaust gas and the atomized water particles to coarse the ultrafine particles of the mixed acid exhaust gas. .
다음, 전기 집진 단계에서는 조대화 단계에서 조대화된 혼산 배기 가스의 초미립자를 전기 집진한다. 이러한 전기 집진은 방전을 발생하는 방전 전극과 집진판에 의해 이루어진다. 이와 동시에, 집진판에 물을 분사하여 집진판에 포집된 혼산 배기 가스의 초미립자를 씻어낸다.Next, in the electrostatic precipitating step, ultra-fine particles of mixed acid exhaust gas coarsened in the coarsening step are electrostatically collected. Such electric dust collection is performed by a discharge electrode and a dust collecting plate generating a discharge. At the same time, water is sprayed on the dust collecting plate to wash the ultrafine particles of mixed acid exhaust gas collected on the dust collecting plate.
이상에서는 본 발명이 특정 실시예를 중심으로 하여 설명되었지만, 본 발명의 취지 및 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 변형, 변경 또는 수정이 당해 기술분야에서 있을 수 있으며, 따라서, 전술한 설명 및 도면은 본 발명의 기술사상을 한정하는 것이 아닌 본 발명을 예시하는 것으로 해석되어져야 한다.While the invention has been described above with reference to specific embodiments, various modifications, changes or modifications may be made in the art within the spirit and scope of the appended claims, and thus, the foregoing description and drawings It should be construed as illustrating the present invention rather than limiting the technical spirit of the present invention.
전술한 바와 같이, 본 발명의 혼산 배기 가스 처리 장치 및 방법에 의하면, 물에 용융되지 않는 초미립자의 혼산 배기 가스까지도 포집할 수 있도록 구성되어 있으므로 혼산 배기 가스를 완전히 처리한 후 배출할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the mixed acid exhaust gas treatment apparatus and method of the present invention, since the mixed acid exhaust gas of ultra-fine particles that are not melted in water can be collected, the mixed acid exhaust gas can be completely treated and then discharged. have.

Claims (11)

  1. 반도체를 제조하는 공정 중 산 및 염기 세정공정에서 배출되는 혼산 배기 가스를 처리하는 장치로서,An apparatus for treating mixed acid exhaust gas discharged from an acid and base washing process during a semiconductor manufacturing process,
    혼산 배기 가스에 물을 무화시켜 분사하여 혼산 배기 가스 중 초미립자를 조대화시키는 조대화실과,A coarsening chamber that atomizes and sprays water into the mixed acid exhaust gas to coarse ultrafine particles in the mixed acid exhaust gas;
    상기 조대화실의 하류에 설치되며 상기 조대화된 혼산 배기 가스 중 초미립자를 전기 집진하는 전기 집진실을 포함하며,An electric dust collecting chamber installed downstream of the coarsening chamber and configured to electrostatically collect ultrafine particles of the coarse mixed acid exhaust gas,
    여기에서, 상기 조대화실 내에는, 물을 무화시켜 분사하는 무화기가 설치되는 것을 특징으로 하는 혼산 배기 가스 처리 장치.The mixed acid exhaust gas treatment apparatus according to claim 1, wherein an atomizer for atomizing and injecting water is provided in the coarsening chamber.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 조대화실의 상류에는 물을 분사하여 혼산 배기 가스를 포집하는 수처리실이 설치되는 것을 특징으로 하는 혼산 배기 가스 처리 장치.The mixed acid exhaust gas treating apparatus according to claim 1, wherein a water treatment chamber is provided upstream of the coarsening chamber to collect mixed acid exhaust gas by spraying water.
  3. 청구항 2에 있어서, 상기 수처리실 내에는, 혼산 배기 가스를 포집하기 위해 물을 분사하는 분사기가 설치되는 것을 특징으로 하는 혼산 배기 가스 처리 장치.The mixed acid exhaust gas treating apparatus according to claim 2, wherein an injector for injecting water is provided in the water treatment chamber to collect the mixed acid exhaust gas.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 분사기의 하부에는 포집부가 설치되는 것을 특징으로 하는 혼산 배기 가스 처리 장치.The mixed acid exhaust gas treating apparatus according to claim 3, wherein a collecting part is provided under the injector.
  5. 삭제delete
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 전기 집진실 내에는, 방전을 발생하는 방전 전극과 집진판이 설치되는 것을 특징으로 하는 혼산 배기 가스 처리 장치.The mixed acid exhaust gas treating apparatus according to claim 1, wherein a discharge electrode for generating a discharge and a dust collecting plate are provided in the electric dust collecting chamber.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 집진판의 상부에는 집진판을 세척하기 위해 물을 분사하는 분사기가 설치되는 것을 특징으로 하는 혼산 배기 가스 처리 장치.The mixed acid exhaust gas treatment apparatus according to claim 6, wherein an injector for injecting water is installed on the dust collecting plate to wash the dust collecting plate.
  8. 반도체를 제조하는 공정 중 산 및 염기 세정공정에서 배출되는 혼산 배기 가스를 처리하는 방법으로서,As a method of treating the mixed acid exhaust gas discharged from the acid and base washing step of the semiconductor manufacturing process,
    혼산 배기 가스에 물을 무화시켜 분사하여 혼산 배기 가스 중 초미립자를 조대화시키는 단계와,Atomizing and injecting water into the mixed acid exhaust gas to coarsen the ultrafine particles in the mixed acid exhaust gas,
    상기 조대화된 혼산 배기 가스 중 초미립자를 전기 집진하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 혼산 배기 가스 처리 방법.And electrostatically collecting ultra-fine particles of the coarse mixed acid exhaust gas.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 조대화 단계의 전에 혼산 배기 가스에 물을 분사하여 포집하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 혼산 배기 가스 처리 방법.9. The method of claim 8, further comprising the step of collecting water by mixing water with the mixed acid exhaust gas before the coarsening step.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 전기 집진은 방전을 발생하는 방전 전극과 집진판에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 혼산 배기 가스 처리 방법.The mixed acid exhaust gas treatment method according to claim 8, wherein the electric dust collecting is performed by a discharge electrode and a dust collecting plate generating a discharge.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 집진판에 물을 분사하여 상기 집진판에 포집된 혼산 배기 가스의 입자를 씻어내는 것을 특징으로 하는 혼산 배기 가스 처리 방법.The mixed acid exhaust gas treatment method according to claim 10, wherein water is injected into the dust collecting plate to wash away particles of the mixed acid exhaust gas collected in the dust collecting plate.
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